CN117198358A - 一种刷新地址产生电路 - Google Patents
一种刷新地址产生电路 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117198358A CN117198358A CN202210604076.XA CN202210604076A CN117198358A CN 117198358 A CN117198358 A CN 117198358A CN 202210604076 A CN202210604076 A CN 202210604076A CN 117198358 A CN117198358 A CN 117198358A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- refresh
- address
- signal
- window
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000004044 response Effects 0.000 claims abstract description 25
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 claims description 34
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 13
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 10
- 239000002699 waste material Substances 0.000 abstract description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 46
- 101100322581 Caenorhabditis elegans add-1 gene Proteins 0.000 description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 6
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 2
- 108010076504 Protein Sorting Signals Proteins 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/406—Management or control of the refreshing or charge-regeneration cycles
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
- G11C11/408—Address circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Dram (AREA)
Abstract
本申请实施例公开了一种刷新地址产生电路,包括:刷新控制电路、重复命令处理电路和地址产生器。其中,刷新控制电路用于依次接收多个第一刷新指令并对应进行多次第一刷新操作,当第一刷新操作的次数小于k时输出第一时钟信号。重复命令处理电路耦接刷新控制电路,用于接收第一刷新指令,在第一刷新指令中出现重复指令时输出额外刷新标志信号。地址产生器耦接刷新控制电路和重复命令处理电路,且预存第一地址,用于在接收到第一时钟信号,且未接收到额外刷新标志信号时,响应于第一时钟信号输出待刷新地址,或者,在接收到额外刷新标志信号时,响应于额外刷新标志信号输出额外地址。本申请可以避免指令的浪费,提高刷新效率。
Description
技术领域
本申请涉及但不限于一种刷新地址产生电路。
背景技术
在存储器中,存储器被划分为多个存储体(Bank),存储地址的刷新则存在两种模式:所有Bank就同一地址一起刷新操作的全存储体刷新(All Bank Refresh),以及对位于同一存储体组(Bank Group)的不同Bank就同一地址依次先后刷新的相同存储体刷新(SameBank Refresh)。
在存储地址的刷新过程中,若出现误发或漏发刷新指令的情形,会造成重复刷新,带来浪费。
发明内容
有鉴于此,本申请实施例提供了一种刷新地址产生电路,能够利用多余的重复指令,对有刷新需要的额外地址进行刷新,从而,避免了指令的浪费,提高了刷新效率。
本申请实施例的技术方案是这样实现的:
本申请实施例提供一种刷新地址产生电路,所述刷新地址产生电路包括:
刷新控制电路,用于依次接收多个第一刷新指令并对应进行多次第一刷新操作,当所述第一刷新操作的次数小于m时输出第一时钟信号,m为大于或等于1的整数;
重复命令处理电路,耦接所述刷新控制电路,用于接收所述第一刷新指令,在所述第一刷新指令中出现重复指令时输出额外刷新标志信号;
地址产生器,耦接所述刷新控制电路和所述重复命令处理电路,且预存第一地址,用于在接收到所述第一时钟信号,且未接收到所述额外刷新标志信号时,响应于所述第一时钟信号输出待刷新地址,或者,在接收到所述额外刷新标志信号时,响应于所述额外刷新标志信号输出额外地址;其中,所述待刷新地址包括所述第一地址或第二地址,所述第二地址相邻于所述第一地址;所述额外地址和所述第一地址的差值大于预设阈值。
由此可见,本申请实施例提供了一种刷新地址产生电路,包括:刷新控制电路、重复命令处理电路和地址产生器。其中,刷新控制电路用于依次接收多个第一刷新指令并对应进行多次第一刷新操作,当第一刷新操作的次数小于m时输出第一时钟信号,m为大于或等于1的整数。重复命令处理电路耦接刷新控制电路,用于接收第一刷新指令,在第一刷新指令中出现重复指令时输出额外刷新标志信号。地址产生器耦接刷新控制电路和重复命令处理电路,且预存第一地址,用于在接收到第一时钟信号,且未接收到额外刷新标志信号时,响应于第一时钟信号输出待刷新地址,或者,在接收到额外刷新标志信号时,响应于额外刷新标志信号输出额外地址,其中,待刷新地址包括第一地址或第二地址,第二地址相邻于第一地址,额外地址和第一地址的差值大于预设阈值。如此,利用第一刷新指令中多余的重复指令,对有刷新需要的额外地址进行刷新,从而,实现了对重复指令的有效利用,避免了指令的浪费,提高了刷新效率。
附图说明
图1是本申请实施例提供的刷新地址产生电路的结构示意图一;
图2是本申请实施例提供的刷新地址产生电路的信号示意图一;
图3是本申请实施例提供的刷新地址产生电路的结构示意图二;
图4是本申请实施例提供的刷新地址产生电路的信号示意图二;
图5是本申请实施例提供的刷新地址产生电路的信号示意图三;
图6是本申请实施例提供的刷新地址产生电路的结构示意图三;
图7是本申请实施例提供的刷新地址产生电路的结构示意图四;
图8是本申请实施例提供的刷新地址产生电路的结构示意图五;
图9是本申请实施例提供的刷新地址产生电路的结构示意图六;
图10是本申请实施例提供的刷新地址产生电路的结构示意图七;
图11是本申请实施例提供的刷新地址产生电路的信号示意图四;
图12是本申请实施例提供的刷新地址产生电路的结构示意图八;
图13是本申请实施例提供的刷新地址产生电路的结构示意图九;
图14是本申请实施例提供的刷新地址产生电路的信号示意图五;
图15是本申请实施例提供的刷新地址产生电路的结构示意图十;
图16是本申请实施例提供的刷新地址产生电路的信号示意图六;
图17是本申请实施例提供的刷新地址产生电路的信号示意图七;
图18是本申请实施例提供的刷新地址产生电路的结构示意图十一;
图19是本申请实施例提供的刷新地址产生电路的结构示意图十二;
图20是本申请实施例提供的刷新地址产生电路的信号示意图八;
图21是本申请实施例提供的刷新地址产生电路的结构示意图十三;
图22是本申请实施例提供的刷新地址产生电路的信号示意图九;
图23是本申请实施例提供的刷新地址产生电路的结构示意图十四;
图24是本申请实施例提供的刷新地址产生电路的信号示意图十;
图25是本申请实施例提供的刷新地址产生电路的结构示意图十五;
图26是本申请实施例提供的刷新地址产生电路的结构示意图十六;
图27是本申请实施例提供的刷新地址产生电路的信号示意图十一;
图28是本申请实施例提供的刷新地址产生电路的结构示意图十七;
图29是本申请实施例提供的刷新地址产生电路的信号示意图十二;
图30是本申请实施例提供的刷新地址产生电路的信号示意图十三;
图31是本申请实施例提供的刷新地址产生电路的结构示意图十八;
图32是本申请实施例提供的刷新地址产生电路的结构示意图十九;
图33是本申请实施例提供的刷新地址产生电路的信号示意图十四;
图34是本申请实施例提供的刷新地址产生电路的信号示意图十五;
图35是本申请实施例提供的刷新地址产生电路的结构示意图二十;
图36是本申请实施例提供的刷新地址产生电路的信号示意图十六;
图37是本申请实施例提供的刷新地址产生电路的信号示意图十七;
图38是本申请实施例提供的刷新地址产生电路的信号示意图十八。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚,下面结合附图和实施例对本申请的技术方案进一步详细阐述,所描述的实施例不应视为对本申请的限制,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本申请保护的范围。
在以下的描述中,涉及到“一些实施例”,其描述了所有可能实施例的子集,但是可以理解,“一些实施例”可以是所有可能实施例的相同子集或不同子集,并且可以在不冲突的情况下相互结合。
如果申请文件中出现“第一/第二”的类似描述则增加以下的说明,在以下的描述中,所涉及的术语“第一/第二/第三”仅仅是区别类似的对象,不代表针对对象的特定排序,可以理解地,“第一/第二/第三”在允许的情况下可以互换特定的顺序或先后次序,以使这里描述的本申请实施例能够以除了在这里图示或描述的以外的顺序实施。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中所使用的术语只是为了描述本申请实施例的目的,不是旨在限制本申请。
双倍速率同步动态随机存储器(Double Data Rate Synchronous DynamicRandom Access Memory,DDR SDRAM)常用于电子设备的内存。在DDR4SDRAM或者之前的DDRSDRAM中,刷新操作是所有Bank一起进行的,所有的Bank在同一时间的刷新的地址是相同的,即All Bank Refresh。而在DDR5SDRAM中新加入了Same Bank Refresh。也就是说,在Same Bank Refresh的模式下,位于同一个Bank Group中的不同Bank无法同时进行刷新。然而,若出现误发或漏发刷新指令的情形,会造成重复刷新,带来浪费。
图1是本申请实施例提供的一种刷新地址产生电路的结构示意图,如图1所示,本申请实施例提供了一种刷新地址产生电路10,包括:刷新控制电路101、重复命令处理电路102和地址产生器103。其中:
刷新控制电路101,用于依次接收多个第一刷新指令SB CMD<0:m-1>并对应进行多次第一刷新操作,当第一刷新操作的次数小于m时输出第一时钟信号,m为大于或等于1的整数;
重复命令处理电路102,耦接刷新控制电路101,用于接收第一刷新指令SB CMD,在第一刷新指令SB CMD中出现重复指令时输出额外刷新标志信号Extra Refresh Flag;
地址产生器103,耦接刷新控制电路101和重复命令处理电路102,且预存第一地址,用于在接收到第一时钟信号,且未接收到额外刷新标志信号Extra Refresh Flag时,响应于第一时钟信号输出待刷新地址Address,或者,在接收到额外刷新标志信号ExtraRefresh Flag时,响应于额外刷新标志信号Extra Refresh Flag输出额外地址;其中,待刷新地址Address包括第一地址或第二地址,第二地址相邻于第一地址;额外地址和第一地址的差值大于预设阈值。
需要说明的是,在本申请实施例中,耦接的方式包括了:直接电连接,以及,通过其他电元件(如电阻、延时器或反相器等)电连接。后文中出现的“耦接”均包括了这些方式,后文不再赘述。
需要说明的是,第一地址的地址位数目可以根据实际需要而设置,本申请对此不作限制。例如,第一地址为16位地址,记为Address<15:0>,其他根据第一地址得到的地址也为16位地址。
本申请实施例中,刷新控制电路101可以依次接收多个第一刷新指令SB CMD<0:m-1>,这里,SB CMD<0:m-1>表示m个第一刷新指令SB CMD<0>~SB CMD<m-1>。其中,每个第一刷新指令SB CMD对应每个Bank Group中的一个Bank,每个第一刷新指令SB CMD会触发每个Bank Group中对应的Bank进行一次第一刷新操作(即Same Bank Refresh)。相应的,依次接收的多个第一刷新指令SB CMD<0:m-1>会依次触发每个Bank Group中对应的Bank分别进行一次第一刷新操作,即依次进行多次第一刷新操作。
本申请实施例中,Bank Group中包括了m个Bank,Bank的数量m按照芯片设计标准进行设定。每个Bank包括多行存储单元,待刷新地址Address为Bank中存储单元的行地址。在刷新控制电路101进行第一刷新操作的过程中,地址产生器103在第一刷新操作期间输出待刷新地址Address,该第一刷新指令SB CMD对应的Bank中待刷新地址Address所在的存储单元被刷新。
本申请实施例中,刷新控制电路101可以输出SameBank刷新时钟信号SB CBR CLK,SameBank刷新时钟信号SB CBR CLK中包括了第一时钟信号。若第一刷新操作的次数小于m,则表征Bank Group中还有未对待刷新地址Adress所在的存储单元进行第一刷新操作的Bank,此时,刷新控制电路101输出第一时钟信号。
图2示出了m=4的情况下部分信号的波形。结合图1和图2,SB CMD<0>、SB CMD<1>、SBCMD<2>和SB CMD<3>均为刷新控制电路依次收到的第一刷新指令,其分别对应同一个Bank Group中的4个Bank,即Bank0、Bank1、Bank2和Bank3。相应的,SB CMD<0>、SB CMD<1>、SB CMD<2>和SB CMD<3>中的脉冲,可以分别依次触发刷新控制电路101进行第一刷新操作。SameBank刷新时钟信号SB CBR CLK则包括了第一时钟信号,第一时钟信号保持低电平。
本申请实施例中,重复指令是指对某个Bank额外多发出的刷新指令。如图2所示,第一刷新指令SB CMD<0>中包括了两个脉冲,前一个脉冲已经触发了Bank0的第一刷新操作,则后一个脉冲即为重复指令。响应于重复指令,额外刷新标志信号Extra Refresh Flag跳转为高电平,重复命令处理电路102输出跳转为高电平的额外刷新标志信号ExtraRefresh Flag到地址产生器103。
本申请实施例中,结合图1和图2,地址产生器103中预存了第一地址,在接收到第一时钟信号,且未接收到跳转为高电平的额外刷新标志信号Extra Refresh Flag时,在每一次第一刷新操作期间会响应于第一时钟信号输出待刷新地址Address,其中,待刷新地址Address包括第一地址或第二地址,第二地址相邻于第一地址,即第二地址与第一地址相差值为1。如图2所示例,第一地址为n,待刷新地址Address包括了第一地址n或第二地址n+1。
继续结合图1和图2,地址产生器103在接收到跳转为高电平额外刷新标志信号Extra Refresh Flag时,会响应于额外刷新标志信号Extra Refresh Flag输出额外地址k或k+1作为待刷新地址Address,其中,额外地址(k或k+1)和第一地址n的差值大于预设阈值。由于地址的刷新顺序是按照地址数值大小依次进行,因此,可以设置合适的预设阈值,使得额外地址k或k+1的刷新顺序距离第一地址n足够远,从而,额外地址k或k+1的刷新不会影响正在进行的第一刷新操作。
可以理解的是,本申请实施例提供的刷新地址产生电路10,利用第一刷新指令中多余的重复指令,对有刷新需要的额外地址进行刷新,从而,实现了对重复指令的有效利用,避免了指令的浪费,提高了刷新效率。
在本申请的一些实施例中,参考图1和图2,刷新控制电路101还用于当第一刷新操作的次数等于m时输出第二时钟信号。相应的,地址产生器103还用于接收第二时钟信号,响应于第二时钟信号改变第一地址为第三地址。
本申请实施例中,刷新控制电路101可以输出SameBank刷新时钟信号SB CBR CLK,SameBank刷新时钟信号SB CBR CLK包括了第一时钟信号和第二时钟信号。若第一刷新操作的次数等于m,则表征Bank Group中的所有Bank中待刷新地址Address所在的存储单元均完成了第一刷新操作,此时,刷新控制电路101输出第二时钟信号。
结合图1和图2,地址输出信号Addr Counter Output表征了地址产生器103所存储的第一地址。在刷新控制电路101进行第一刷新操作的次数小于m时,地址产生器103中所存储的第一地址n维持不变,地址输出信号Addr Counter Output持续为第一地址n;当BankGroup中的所有Bank中两个相邻地址对应的存储单元完成刷新后,即刷新控制电路101进行第一刷新操作的次数等于m时,地址产生器103响应于第二时钟信号改变第一地址n。地址产生器103可以采用累加的方式改变第一地址,累加的值则可以由第二时钟信号中的脉冲进行控制,如图2所示,第二时钟信号包括了两个脉冲,在这两个脉冲的触发下,地址产生器103对第一地址n两次累加1,地址输出信号Addr Counter Output变为n+2,从而与刷新地址的进度相匹配。而后进行的m次第一刷新操作中,地址产生器103以变为n+2的第一地址为基础,继续输出待刷新地址Adress,以对Bank Group中各Bank的下两个相邻地址对应的存储单元完成刷新,以此类推,可以对Bank Group中各Bank的所有地址对应的存储单元依次完成刷新。
可以理解的是,在进行一次第一刷新操作的过程中,地址产生器103响应于第一时钟信号,输出包括第一地址或第二地址的待刷新地址Adress的同时,又维持第一地址不改变;而在第一刷新操作次数达到预设数量值k后,地址产生器103响应于第二时钟信号,改变第一地址,这样,既保证了刷新操作不遗漏地进行,又维持了地址的完整性。
图3为图1示出的刷新控制电路101的一种可选的结构示意图,图4和图5为对应于图3的信号示意图。
需要说明的是,图4示出了刷新控制电路101依次接收多个第一刷新指令SB CMD并进行第一刷新操作情况下的信号时序,其中,以第一刷新指令SB CMD的预设数量值m等于4为例。图5示出了刷新控制电路101接收第二刷新指令AB CMD并进行第二刷新操作情况下的信号时序。
另外,在图4和图5中,除第一刷新指令SB CMD、计数信号Bank Counter、计数复位信号Bank Counter Reset和SameBank刷新时钟信号SB CBR CLK之外,所有信号均示出了4个周期的波形,其中,每个周期的波形中若包括两个有效脉冲,则时序靠前的有效脉冲为第一脉冲,时序靠后的有效脉冲为第二脉冲。后续附图中的信号波形,也按照类似规则予以划分,后文不再赘述。
在本申请的一些实施例中,如图3和图4所示,刷新控制电路101包括:刷新窗口信号生成电路201和时钟脉冲生成电路202。
刷新窗口信号生成电路201用于接收多个第一刷新指令SB CMD(即图3示出的SBCMD<0>至SB CMD<m-1>)和刷新窗口复位信号Refresh Window Reset,根据多个第一刷新指令SB CMD和刷新窗口复位信号Refresh Window Reset生成刷新窗口信号Refresh Window。其中,参考图4,刷新窗口信号Refresh Window的脉冲持续时间为刷新控制电路101执行一次刷新操作的窗口时间,刷新窗口复位信号Refresh Window Reset用于在一次刷新操作结束后对刷新窗口信号生成电路201进行复位。这里,刷新控制电路101执行的刷新操作为第一刷新操作,即对第一刷新指令SB CMD对应的Bank执行第一刷新操作。
时钟脉冲生成电路202耦接刷新窗口信号生成电路201,用于接收刷新窗口信号Refresh Window和第一刷新指令SB CMD,在时钟脉冲生成电路202接收的第一刷新指令SBCMD的数量小于或等于m且第m次第一刷新操作结束前,生成第一时钟信号,或者,在第m次第一刷新操作结束后,生成第二时钟信号。参考图4,SameBank刷新时钟信号包括第一时钟信号和第二时钟信号,即第一时钟信号和第二时钟信号分别为SameBank刷新时钟信号不同时段的值。
在本申请的一些实施例中,如图3和图4所示,时钟脉冲生成电路202包括:计数电路203、计数复位信号生成电路204和第一脉冲生成子电路205。
计数电路203用于接收第一刷新指令SB CMD和计数复位信号Bank CounterReset,对第一刷新指令SB CMD进行计数,并输出计数信号Bank Counter,以及,根据计数复位信号Bank Counter Reset进行复位。
计数复位信号生成电路204耦接计数电路203和刷新窗口信号生成电路201,用于在第m次第一刷新操作结束后,生成计数复位信号Bank Counter Reset。
第一脉冲生成子电路205耦接计数复位信号生成电路204,用于在第一刷新指令SBCMD小于m个时,根据计数信号BankCounter生成第一时钟信号,或者,在第一刷新指令SBCMD等于m个时根据计数复位信号Bank Counter Reset生成第二时钟信号。
在本申请的一些实施例中,如图3和图4所示,刷新窗口信号生成电路201包括:多个刷新窗口子信号生成电路206和刷新窗口子信号处理电路207。
多个刷新窗口子信号生成电路206用于接收刷新窗口复位信号Refresh WindowReset且分别依次对应接收多个第一刷新指令SB CMD,根据多个第一刷新指令SB CMD和刷新窗口复位信号Refresh Window Reset依次输出多个刷新窗口子信号ReW(即图3示出的ReW<0>至ReW<m-1>)。
刷新窗口子信号处理电路207耦接多个刷新窗口子信号生成电路206,用于依次接收多个刷新窗口子信号ReW,对刷新窗口子信号ReW进行逻辑运算,输出刷新窗口信号Refresh Window。
在本申请的一些实施例中,如图3和图5所示,刷新控制电路101还用于接收第二刷新指令AB CMD并进行第二刷新操作。
其中,多个刷新窗口子信号生成电路206还用于同时接收第二刷新指令AB CMD和刷新窗口复位信号Refresh Window Reset,根据第二刷新指令AB CMD和刷新窗口复位信号Refresh Window Reset一一对应生成相同的多个刷新窗口子信号ReW。
刷新窗口子信号处理电路207还用于接收多个刷新窗口子信号ReW,并将刷新窗口子信号ReW进行逻辑运算,输出刷新窗口信号Refresh Window。
需要说明的是,第二刷新操作是对Bank Group中的所有Bank同时进行的,即AllBank Refresh。在刷新控制电路101接收第二刷新指令AB CMD并进行第二刷新操作情况下,第一刷新指令SB CMD不包括有效的脉冲而保持低电平,即第一刷新指令SB CMD无效,进而,计数信号Bank Counter也保持低电平,计数刷新信号Bank Counter Reset也不产生有效的脉冲而保持低电平。
相应的,在刷新控制电路101依次接收多个第一刷新指令SB CMD并进行第一刷新操作情况下,第二刷新指令AB CMD不包括有效的脉冲而保持低电平,即第二刷新指令SBCMD无效。
本申请实施例中,多个刷新窗口子信号生成电路206在接收多个第一刷新指令SBCMD时,由于多个第一刷新指令SB CMD各不相同,则生成的多个刷新窗口子信号ReW各不相同。而多个刷新窗口子信号生成电路206在接收第二刷新指令AB CMD时,其可以生成多个相同的刷新窗口子信号ReW。
可以理解的是,刷新控制电路101可以根据需要依次接收多个第一刷新指令SBCMD并进行第一刷新操作情况,或者,接收第二刷新指令AB CMD并进行第二刷新操作。也就是说,采用一套刷新控制电路101便可以灵活进行两种刷新操作,这样,提高了电路的兼容性。
在本申请的一些实施例中,如图3所示,刷新控制电路101还包括:第二脉冲生成子电路208、内部刷新窗口信号生成电路209、地址命令信号生成电路210和刷新窗口复位信号生成电路211。
本申请实施例中,参考图3、图4和图5,第二脉冲生成子电路208耦接刷新窗口信号生成电路207,用于接收刷新窗口信号Refresh Window和地址命令信号Addr CMD,在刷新控制电路101开始进行第一刷新操作或第二刷新操作时生成第三时钟信号AB CBR CLK的第一脉冲,并根据地址命令信号Addr CMD的第一脉冲输出第三时钟信号AB CBR CLK的第二脉冲,从而输出第三时钟信号AB CBR CLK。
参考图4,在刷新控制电路101依次接收多个第一刷新指令SB CMD并进行第一刷新操作情况下,第三时钟信号AB CBR CLK的第一脉冲对齐于多个第一刷新指令SB CMD<0>~SB CMD<3>的有效脉冲,即第三时钟信号AB CBR CLK的第一脉冲在刷新控制电路101开始进行第一刷新操作时被生成;第三时钟信号AB CBR CLK的第二脉冲对齐于地址命令信号AddrCMD的第一脉冲,即第三时钟信号AB CBR CLK的第二脉冲是根据地址命令信号Addr CMD的第一脉冲而生成的。
参考图5,在刷新控制电路101接收第二刷新指令AB CMD并进行第二刷新操作情况下,第三时钟信号AB CBR CLK的第一脉冲对齐于第二刷新指令AB CMD的有效脉冲,即第三时钟信号AB CBR CLK的第一脉冲在刷新控制电路101开始进行第二刷新操作时被生成;第三时钟信号AB CBR CLK的第二脉冲对齐于地址命令信号Addr CMD的第一脉冲,即第三时钟信号AB CBR CLK的第二脉冲是根据地址命令信号Addr CMD的第一脉冲而生成的。
本申请实施例中,参考图3、图4和图5,内部刷新窗口信号生成电路209接收第三时钟信号AB CBR CLK,用于根据第三时钟信号AB CBR CLK生成内部刷新窗口信号Inner ACTWindow;其中,内部刷新窗口信号Inner ACT Window的第一脉冲在第三时钟信号AB CBRCLK的第一脉冲之后产生,且在第三时钟信号AB CBR CLK的第二脉冲产生之前结束;内部刷新窗口信号Inner ACT Window的第二脉冲在第三时钟信号AB CBR CLK的第二脉冲之后产生,且在刷新窗口信号Refresh Window的脉冲结束之前结束。需要说明的是,存储器中的刷新控制器会接收内部刷新窗口信号Inner ACT Window和待刷新地址Adress并根据内部刷新窗口信号Inner ACT Window对存储单元进行刷新,因此内部刷新窗口信号Inner ACTWindow脉冲的持续时间为对存储单元进行刷新的时间。
本申请实施例中,参考图3、图4和图5,地址命令信号生成电路210用于根据内部刷新窗口信号Inner ACT Window的下降沿生成地址命令信号Addr CMD的第一脉冲和第二脉冲;其中,地址命令信号Addr CMD的第一脉冲用于生成内部刷新窗口信号Inner ACTWindow的第二脉冲以及第三时钟信号AB CBR CLK的第二脉冲。内部刷新窗口信号InnerACT Window的一个下降沿表征一个地址的刷新结束,从而产生地址命令信号Addr CMD去控制产生下一个地址。
参考图4和图5,内部刷新窗口信号Inner ACT Window的有效脉冲可以被压缩和移位,从而得到内部预命令信号Inner PRE CMD的有效脉冲,也就是说,首先根据内部刷新窗口信号Inner ACT Window的下降沿得到内部预命令信号Inner PRE CMD的下降沿;而后,地址命令信号生成电路210可以根据内部预命令信号Inner PRE CMD的下降沿生成地址命令信号Addr CMD的第一脉冲和第二脉冲。
本申请实施例中,参考图3、图4和图5,刷新窗口复位信号生成电路211接收内部刷新窗口信号Inner ACT Window,用于根据内部刷新窗口信号Inner ACT Window的第二脉冲的下降沿生成刷新窗口复位信号Refresh Window Reset的脉冲。
在本申请的一些实施例中,如图3所示,刷新控制电路101还包括:信号选择电路212。
本申请实施例中,参考图3、4和5,信号选择电路212耦接计数电路203、第一脉冲生成子电路205和第二脉冲生成子电路208,用于接收计数信号Bank Counter、第一时钟信号、第二时钟信号(第一时钟信号和第二时钟信号即SameBank刷新时钟信号SB CBR CLK)和第三时钟信号AB CBR CLK,在刷新控制电路101进行第一刷新操作时,根据计数信号BankCounter输出第一时钟信号或第二时钟信号,或者,在刷新控制电路101进行第二刷新操作时,根据计数信号Bank Counter输出第三时钟信号AB CBR CLK。
参考图3和图4,在刷新控制电路101进行第一刷新操作的情况下,若任一计数信号Bank Counter为高电平,则信号选择电路212输出第一时钟信号,即输出SameBank刷新时钟信号SB CBR CLK为低电平,若所有计数信号Bank Counter均跳转为低电平,则信号选择电路212输出第二时钟信号,即输出SameBank刷新时钟信号SB CBR CLK中两个连续的有效脉冲。
参考图3和图5,在刷新控制电路101进行第二刷新操作的情况下,所有计数信号Bank Counter均保持低电平(图5未示出),则信号选择电路212输出第三时钟信号AB CBRCLK中的有效脉冲。
在本申请的一些实施例中,如图3所示,刷新控制电路101还包括:地址标志信号生成电路213。
本申请实施例中,参考图3、图4和图5,地址标志信号生成电路213耦接地址命令信号生成电路210和刷新窗口信号生成电路207,用于接收地址命令信号Addr CMD和刷新窗口信号Refresh Window,根据地址命令信号Addr CMD的第一个上升沿生成地址标志信号AddrFlag的上升沿,根据刷新窗口信号Refresh Window的下降沿生成地址标志信号Addr Flag的下降沿。
在本申请的一些实施例中,如图6所示,重复命令处理电路102包括:重复指令确定电路401和额外刷新标志信号生成电路402。
重复指令确定电路401耦接计数电路203,用于接收第一刷新指令SB CMD和计数信号Bank Counter,在第一刷新指令SB CMD中未出现重复指令时不进行输出,以及,在第一刷新指令SB CMD中出现重复指令时输出重复指令Extra CMD。
额外刷新标志信号生成电路402耦接重复指令确定电路401和刷新窗口信号生成电路201,用于接收重复指令Extra CMD和刷新窗口信号Refresh Window,根据重复指令Extra CMD和刷新窗口信号Refresh Window生成额外刷新标志信号Extra Refresh Flag;其中,额外刷新标志信号Extra Refresh Flag的上升沿是根据重复指令Extra CMD的有效脉冲而生成的,额外刷新标志信号Extra Refresh Flag的下降沿是根据刷新窗口信号Refresh Window的下降沿而生成的。
图7以第一刷新指令SB CMD的预设数量值m等于4为例,示意出了图6中各信号的波形。本申请实施例中,结合图6和图7,重复指令是指对某个Bank额外多发出的刷新指令,如图7所示,第一刷新指令SB CMD<0>中包括了两个脉冲,前一个脉冲已经触发了Bank0的第一刷新操作,则后一个脉冲即为重复指令。重复指令确定电路401可以根据计数信号BankCounter来确定对应的在第一刷新指令SB CMD中是否出现重复指令。例如,图7中除重复指令以外的正常第一刷新指令SB CMD<0>~SB CMD<3>,其脉冲的时序与对应的计数信号BankCounter<0>~Bank Counter<3>的上升沿一一对齐;而第一刷新指令SB CMD<0>中的重复指令,其脉冲的时序仅对齐于计数信号Bank Counter<0>的高电平状态,因此,可以通过正常第一刷新指令与重复指令在时序上的区别,确定出重复指令。
继续参考图6和图7,重复指令确定电路401在确定出重复指令后,可以将重复指令的有效脉冲输出,即输出重复指令Extra CMD(图7中未示出)。额外刷新标志信号生成电路402接收到重复指令Extra CMD后,可以响应于重复指令Extra CMD中的有效脉冲,将额外刷新标志信号Extra Refresh Flag由低电平跳转为高电平,即额外刷新标志信号ExtraRefresh Flag的上升沿是根据重复指令Extra CMD的有效脉冲而生成的。额外刷新标志信号生成电路402还接收刷新窗口信号Refresh Window,可以响应于刷新窗口信号RefreshWindow,将额外刷新标志信号Extra Refresh Flag由高电平跳转为低电平,即额外刷新标志信号Extra Refresh Flag的下降沿是根据刷新窗口信号Refresh Window的下降沿而生成的。
在本申请的一些实施例中,参考图8,地址产生器103包括:地址计数器301和地址处理电路302。
地址计数器301耦接信号选择电路212,用于预存第一地址,并从信号选择电路212接收SameBank刷新时钟信号SB CBR CLK或第三时钟信号AB CBR CLK(图6中未示出)。地址计数器301可以根据SameBank刷新时钟信号SB CBR CLK中的第二时钟信号改变第一地址为第三地址,或者,根据第三时钟信号AB CBR CLK改变第一地址并输出第四地址和第五地址。
地址处理电路302耦接地址计数器301、刷新窗口子信号生成电路206和重复命令处理电路102,用于在刷新控制电路进行第一刷新操作时接收地址标志信号Addr Flag,并获取第一地址,若未接收到额外刷新标志信号Extra Refresh Flag,则根据地址标志信号Addr Flag输出第一地址或第二地址,若接收到额外刷新标志信号Extra Refresh Flag,则在额外刷新标志信号Extra Refresh Flag的窗口时间内输出额外地址;
地址处理电路302,还用于在刷新控制电路进行第二刷新操作时,依次获取第四地址和第五地址,并根据多个刷新窗口子信号ReW依次输出第四地址和第五地址。
本申请实施例中,在刷新控制电路进行第一刷新操作,且地址处理电路302未接收到额外刷新标志信号Extra Refresh Flag的情况下,第一地址为预存的地址,第二地址则是相邻于第一地址,即第一地址和第二地址为连续的两个地址。因此,第三地址在第一地址的基础上累加了数值2,避免对相同的地址重复进行第一刷新操作。这样,在所有的Bank完成了对第一地址和第二地址的第一刷新操作后,第一地址被累加数值2变为第三地址,刷新控制电路可以将第三地址作为预存的地址,来进行新一轮的第一刷新操作,从而保证了第一刷新操作不遗漏地进行。
本申请实施例中,在刷新控制电路进行第二刷新操作的情况下,第一地址为预存的地址,第四地址在第一地址的基础上累加了数值1,第五地址则在第四地址的基础上累加了数值1,也就是说,第一地址、第四地址和第五地址为依次连续的三个地址。这样,刷新控制电路101可以按照地址顺序对所有Bank的地址依次进行第二刷新操作,从而保证了第二刷新操作不遗漏地进行。
本申请实施例中,结合图4和图8,在信号选择电路212输出第二时钟信号(即SBCBR CLK中的两个有效脉冲)到地址计数器301的情况下,地址计数器301可以根据第二时钟信号的两个有效脉冲,依次在第一地址的基础上累加数值2,从而得到第三地址。在信号选择电路212输出第三时钟信号AB CBR CLK到地址计数器301的情况下,地址计数器301可以根据第三时钟信号AB CBR CLK的第一脉冲在第一地址的基础上累加数值1,得到第四地址,而后,地址计数器301可以根据第三时钟信号AB CBR CLK的第二脉冲在第四地址的基础上累加数值1,得到第五地址。
本申请实施例中,在刷新控制电路进行第一刷新操作,且地址处理电路302接收到额外刷新标志信号Extra Refresh Flag的情况下,地址处理电路302在额外刷新标志信号Extra Refresh Flag的窗口时间内输出额外地址。结合图2和图8,地址处理电路302可以根据额外刷新标志信号Extra Refresh Flag的两个不同电平,选择目标位或取反后的目标位进行输出。当额外刷新标志信号Extra Refresh Flag为低电平时,地址处理电路302可以选择目标位进行输出,并与除目标位以外的地址位组合成常规地址n或n+1进行输出;当额外刷新标志信号Extra Refresh Flag为高电平时,地址处理电路302可以选择取反后的目标位进行输出,并与除目标位以外的地址位组合成额外地址k或k+1进行输出,其中,额外地址k是对第一地址n的目标位取反后得到的,额外地址k+1是对第二地址n+1的目标位取反后得到的。
例如,第一地址n为“0000 0000 0000 0010”,则第二地址n+1为“0000 000000000011”,常规地址包括了该第一地址n和第二地址n+1。而目标位是从左往右的第二位(即次高位),这样,将第一地址n中的目标位取反可以得到额外地址k为“0100 0000 0000 0010”,将第二地址中的目标位取反可以得到额外地址k+1为“0100 0000 0000 0011”。需要说明的是,目标位可以是高于预设位的任一地址位,例如,预设位是从左往右的第三位,则目标位可以是从左往右的第一位(即最高位)或者从左往右的第二位(即次高位)。
可以理解的是,地址产生器103在额外刷新标志信号Extra Refresh Flag的触发下,选择目标位或者取反后的目标位进行输出,从而可以在第一刷新指令中出现多余的重复指令时,输出额外地址。如此,利用第一刷新指令中多余的重复指令,对有刷新需要的额外地址进行刷新,避免了指令的浪费,提高了刷新效率。
在本申请的一些实施例中,如图9所示,地址处理电路302包括:控制信号生成电路303、地址选择电路304和额外地址生成电路305。
控制信号生成电路303耦接刷新窗口子信号生成电路206和地址标志信号生成电路213,用于接收多个刷新窗口子信号ReW和地址标志信号Addr Flag,根据多个刷新窗口子信号ReW和地址标志信号Addr Flag生成地址控制信号Addr Ctrl。
地址选择电路304,耦接地址计数器301和控制信号生成电路303,用于在刷新控制电路101接收第一刷新指令SB CMD时,在地址控制信号Addr Ctrl的上升沿到来前输出第一地址,或者,在地址控制信号Addr Ctrl的上升沿到来后在第一地址的基础上进行累加,得到并输出第二地址。地址选择电路304还用于在刷新控制电路101接收第二刷新指令AB CMD时,响应于地址控制信号Addr Ctrl,依次输出第四地址和第五地址。
额外地址生成电路305耦接地址选择电路304,用于在刷新控制电路101进行第一刷新操作,且额外地址生成电路305未接收到额外刷新标志信号Extra Refresh Flag时,接收并输出第一地址或第二地址。或者,额外地址生成电路305用于在刷新控制电路101进行第一刷新操作,且额外地址生成电路305接收到额外刷新标志信号Extra Refresh Flag时,接收第一地址或第二地址,根据额外刷新标志信号Extra Refresh Flag将第一地址或第二地址中的目标位取反,得到并输出额外地址,其中,目标位为第一地址和第二地址中高于预设位的任一地址位。或者,额外地址生成电路305用于在刷新控制电路101进行第二刷新操作时,接收并输出第四地址或第五地址。
在本申请的一些实施例中,如图10所示,计数电路203包括:多个第一反相器D1、多个第一锁存器L1和第二反相器D2。多个第一反相器D1的输入端依次接收多个第一刷新指令SB CMD。第二反相器D2的输入端接收计数复位信号Bank Counter Reset。多个第一锁存器L1的置位端依次对应连接多个第一反相器D1的输出端,多个第一锁存器L1的复位端均连接第二反相器D2的输出端,多个第一锁存器L1依次对应输出多个计数信号Bank Counter。
本申请实施例中,图11为m=4时的信号时序图,结合图10和图11,每个第一刷新指令SB CMD中的有效脉冲可以触发对应的计数信号Bank Counter由低电平跳转为高电平,如第一刷新指令SB CMD<0>中的脉冲可以触发计数信号Bank Counter<0>由低电平变为高电平,同样的,第一刷新指令SB CMD<1>、SB CMD<2>和SB CMD<3>中的脉冲可以分别触发计数信号Bank Counter<1>、Bank Counter<2>和Bank Counter<3>由低电平变为高电平。而计数复位信号Bank Counter Reset中的有效脉冲可以触发所有的计数信号Bank Counter<0>~Bank Counter<3>由高电平跳转为低电平。计数复位信号Bank Counter Reset中的有效脉冲,在刷新控制电路完成第m次第一刷新操作后生成。
在本申请的一些实施例中,如图12所示,计数复位信号生成电路204包括:第一与门A1、第三反相器D3、第二与门A2、第一延时器H1、第四反相器D4和第三与门A3。第一与门A1的输入端接收多个计数信号Bank Counter。第三反相器D3的输入端接收刷新窗口信号Refresh Window。第二与门A2的输入端分别连接第一与门A1的输出端和第三反相器D3的输出端。第一延时器H1的输入端连接第二与门A2的输出端。第四反相器D4的输入端连接第一延时器H1的输出端。第三与门A3的输入端分别连接第二与门A2的输出端和第四反相器D4的输出端,第三与门A3输出计数复位信号Bank Counter Reset。
在本申请的一些实施例中,如图13所示,第一脉冲生成子电路205包括:第二延时器H2、第三延时器H3和第一或门B1。第二延时器H2的输入端接收计数复位信号BankCounter Reset。第三延时器H3的输入端连接第二延时器H2的输出端。第一或门B1的输入端分别连接第二延时器H2的输出端和第三延时器H3的输出端,第一或门B1输出第一时钟信号或第二时钟信号,也就是说,第一或门B1输出SameBank刷新时钟信号SB CBR CLK。
本申请实施例中,图14为m=4时的信号时序图,结合图12、图13和图14,在进行第一刷新操作的情况下,计数复位信号Bank Counter Reset中的脉冲基于计数信号BankCounter<0>、Bank Counter<1>、Bank Counter<2>、Bank Counter<3>和刷新窗口信号Refresh Window而生成。计数复位信号Bank Counter Reset中的一个有效脉冲,经过第二延时器H2、第三延时器H3和第一或门B1后,生成SB CBR CLK中的两个有效脉冲。其中,第一延时器H1可以将接收到的信号延时0~2ns,第二延时器H2可以将接收到的信号延时1~3ns,第三延时器H3可以将接收到的信号延时4~6ns。
在本申请的一些实施例中,如图15所示,刷新窗口子信号包括:第一刷新窗口子信号ReW<i>或第二刷新窗口子信号ReW<AB>。每个刷新窗口子信号生成电路206包括:第一或非门E1和第二锁存器L2。当刷新控制电路进行第一刷新操作时,第一或非门E1的第一输入端接收对应的第一刷新指令SB CMD<i>,或者,当刷新控制电路进行第二刷新操作时,第一或非门E1的第二输入端接收第二刷新指令AB CMD。第二锁存器L2的置位端连接第一或非门E1的输出端,第二锁存器L2的复位端接收刷新窗口复位信号Refresh Window Reset;当刷新控制电路进行第一刷新操作时,第二锁存器L2输出对应的第一刷新窗口子信号ReW<i>,或者,当刷新控制电路进行第二刷新操作时,第二锁存器输出对应的第二刷新窗口子信号ReW<AB>。这里,i大于等于0且小于等于m-1,第一刷新指令SB CMD<i>为多个第一刷新指令中的任一个,第一刷新窗口子信号ReW<i>对应于第一刷新指令SB CMD<i>。
本申请实施例中,图16为m=4时的信号时序图,结合图15和图16,当刷新控制电路进行第一刷新操作时,第一刷新指令SB CMD<0>中的有效脉冲触发第一刷新窗口子信号ReW<0>由低电平跳转为高电平,刷新窗口复位信号Refresh Window Reset中的第一个有效脉冲触发第一刷新窗口子信号ReW<0>由高电平跳转为低电平,从而得到第一刷新窗口子信号ReW<0>的有效脉冲。类似的,第一刷新指令SB CMD<0>、SB CMD<1>和SB CMD<2>中的有效脉冲分别触发第一刷新窗口子信号ReW<0>、ReW<1>和ReW<2>由低电平跳转为高电平,刷新窗口复位信号Refresh Window Reset中的第二至四个有效脉冲分别触发第一刷新窗口子信号ReW<0>、ReW<1>和ReW<2>由高电平跳转为低电平,从而得到第一刷新窗口子信号ReW<0>、ReW<1>和ReW<2>的有效脉冲。
本申请实施例中,结合图15和图17,当刷新控制电路进行第二刷新操作时,第二刷新指令AB CMD中的有效脉冲触发第二刷新窗口子信号ReW<AB>由低电平跳转为高电平,刷新窗口复位信号Refresh Window Reset中的有效脉冲触发第二刷新窗口子信号ReW<AB>由高电平跳转为低电平,从而得到第二刷新窗口子信号ReW<AB>的有效脉冲。
在本申请的一些实施例中,结合图15和图18,刷新窗口子信号处理电路207包括:第二或门B2。当刷新控制电路进行第一刷新操作时,第二或门B2的输入端从多个刷新窗口子信号生成电路206分别接收多个第一刷新窗口子信号ReW<i>,或者,当刷新控制电路进行第二刷新操作时,第二或门的输入端从多个刷新窗口子信号生成电路206分别接收相同的多个第二刷新窗口子信号ReW<AB>。第二或门B2输出刷新窗口信号Refresh Window。
本申请实施例中,参考图18,刷新窗口信号生成电路201还包括第十二反相器D12。刷新窗口复位信号Refresh Window Reset通过第十二反相器D12后传输到多个刷新窗口子信号生成电路206。
本申请实施例中,参考图16和图18,当刷新控制电路进行第一刷新操作时,由于第一刷新窗口子信号ReW<0>~ReW<3>均为高电平有效,因此,第二或门B2输出的刷新窗口信号Refresh Window会包括第一刷新窗口子信号ReW<0>~ReW<3>中所有的有效脉冲。
本申请实施例中,参考图17和图18,当刷新控制电路进行第二刷新操作时,第二或门B2接收了相同的多个第二刷新窗口子信号ReW<AB>,第二或门B2输出的刷新窗口信号Refresh Window与第二刷新窗口子信号ReW<AB>波形相同。
在本申请的一些实施例中,如图19所示,第二脉冲生成子电路208包括:第四延时器H4、第五反相器D5、第四与门A4、第六反相器D6、第五与门A5、第二或非门E2和第七反相器D7。第四延时器H4的输入端接收刷新窗口信号Refresh Window。第五反相器D5的输入端连接第四延时器H4的输出端。第四与门A4的第一输入端接收刷新窗口信号Refresh Window,第四与门A4的第二输入端连接第五反相器D5的输出端。第六反相器D6的输入端接收地址标志信号Addr Flag。第五与门A5的第一输入端连接第六反相器D6的输出端,第五与门A5的第二输入端接收地址命令信号Addr CMD。第二或非门E2的输入端分别连接第四与门A4的输出端和第五与门A5的输出端。第七反相器D7的输入端连接第二或非门E2的输出端,第七反相器D7输出第三时钟信号AB CBR CLK。
本申请实施例中,参考图19和图20,第四延时器H4可以将接收到的刷新窗口信号Refresh Window延时1~3ns。进而,刷新窗口信号Refresh Window经过第四延时器H4、第五反相器D5和第四与门A4后,可以被转换为内部激活命令信号Inner ACT CMD。其中,内部激活命令信号Inner ACT CMD中的脉冲对应于刷新窗口信号Refresh Window的上升沿,该脉冲经过第二或非门E2和第七反相器D7后,构成了第三时钟信号AB CBR CLK的第一脉冲。第三时钟信号AB CBR CLK的第二脉冲则基于地址标志信号Addr Flag和地址命令信号AddrCMD而形成。
在本申请的一些实施例中,如图21所示,地址命令信号生成电路210包括:第八反相器D8、第五延时器H5和第六与门A6。第八反相器D8的输入端接收内部刷新窗口信号InnerACT Window。第五延时器H5的输入端连接第八反相器D8的输入端,接收内部刷新窗口信号Inner ACT Window。第六与门A6的输入端分别连接第八反相器D8的输出端和第五延时器H5的输出端,第六与门A6输出地址命令信号Addr CMD。
本申请实施例中,第五延时器H5可以将接收到的内部刷新窗口信号Inner ACTWindow延时0~2ns。结合图21和图22,经过第八反相器D8、第五延时器H5和第六与门A6,内部刷新窗口信号Inner ACT Window的第一脉冲可以被转换为地址命令信号Addr CMD的第一脉冲,内部刷新窗口信号Inner ACT Window的第二脉冲可以被转换为地址命令信号AddrCMD的第二脉冲。
在本申请的一些实施例中,如图21所示,内部刷新窗口信号生成电路209包括:第三锁存器L3。第三锁存器L3的置位端接收第三时钟信号AB CBR CLK,第三锁存器L3的复位端连接第八反相器D8的输出端,第三锁存器L3输出内部刷新窗口信号Inner ACT Window。
在本申请的一些实施例中,如图23所示,刷新窗口复位信号生成电路211包括:第六延时器H6、第七与门A7和第七延时器H7。第六延时器H6的输入端接收地址标志信号AddrFlag。第七与门A7的第一输入端连接第六延时器H6的输出端,第七与门A7的第二输入端接收内部刷新窗口信号Inner ACT Window。第七延时器H7的输入端连接第七与门A7的输出端,第七延时器H7输出刷新窗口复位信号Refresh Window Reset。
本申请实施例中,第六延时器H6可以将接收到的地址标志信号Addr Flag延时0~2ns,第七延时器H7可以将接收到的信号延时4~6ns。结合图23和图24,经过第六延时器H6、第七与门A7和第七延时器H7,可以由内部刷新窗口信号Inner ACT Window和地址标志信号Addr Flag得到刷新窗口复位信号Refresh Window Reset。
在本申请的一些实施例中,如图25所示,信号选择电路212包括:第三或非门E3、第三或门B3和第八与门A8。第三或非门E3的输入端分别接收多个计数信号Bank Counter。第三或门B3的第一输入端接收第一时钟信号或第二时钟信号,即第三或门B3的第一输入端接收SameBank刷新时钟信号SB CBR CLK,第三或门B3的第二输入端接收第三时钟信号AB CBRCLK。第八与门A8的第一输入端连接第三或非门E3的输出端,第八与门A8的第二输入端连接第三或门B3的输出端,第八与门A8输出第一时钟信号、第二时钟信号或第三时钟信号ABCBR CLK。
本申请实施例中,结合图4和图25,在进行第一刷新操作的情况下,信号选择电路212所接收的各个信号的波形均如图4所示,这样,第三或门B3所输出的信号可以包括SameBank刷新时钟信号SB CBR CLK和第三时钟信号AB CBR CLK中所有的有效脉冲,然而,第三或非门E3输出的信号可以屏蔽掉第三时钟信号AB CBR CLK中的有效脉冲,从而,第八与门A8所输出的信号与SameBank刷新时钟信号SB CBR CLK波形相同,也就是说,在进行第一刷新操作的情况下,第八与门A8输出第一时钟信号或第二时钟信号。
在进行第二刷新操作的情况下,多个计数信号Bank Counter<0>~Bank Counter<3>以及SameBank刷新时钟信号SB CBR CLK均保持低电平(图4中未示出),而第三时钟信号AB CBR CLK的波形仍如图4所示,这样,第八与门A8所输出的信号与第三时钟信号AB CBRCLK波形相同,也就是说,在进行第一刷新操作的情况下,第八与门A8输出第三时钟信号ABCBR CLK。
在本申请的一些实施例中,如图26所示,地址标志信号生成电路213包括:第九反相器D9和第四锁存器L4。第九反相器D9的输入端接收地址命令信号Addr CMD。第四锁存器L4的置位端连接第九反相器D9的输出端,第四锁存器L4的复位端接收刷新窗口信号Refresh Window,第四锁存器L4输出地址标志信号Addr Flag。
本申请实施例中,结合图26和图27,地址命令信号Addr CMD的第一脉冲触发地址标志信号Addr Flag由低电平跳转为高电平,刷新窗口信号Refresh Window的下降沿触发地址标志信号Addr Flag由高电平跳转为低电平,从而得到图27示出的地址标志信号AddrFlag的波形。
图28示出了刷新控制电路101的一种可选的实现方式,图28中包括了图10、图12、图13、图15、图18、图19、图21、图23、图25和图26中示出的电路元件。图29和图30示出了图28中部分信号的一种可选的波形图,其中,图29为刷新控制电路101进行第一刷新操作的情况下对应的信号示意图,图30为刷新控制电路101进行第二刷新操作的情况下对应的信号示意图。
图28以Bank Group中Bank的数量m=4为例,从而,图28中包括了4个第一锁存器L1、4个第一反相器D1、以及4个刷新窗口子信号生成电路206。
结合图28和图29,在刷新控制电路101进行第一刷新操作的情况下,4个第一刷新指令SB CMD<0>、SB CMD<1>、SB CMD<2>和SB CMD<3>中包括了有效脉冲,而第二刷新指令ABCMD(图29中未示出)中则不包括有效脉冲,即第二刷新指令AB CMD保持低电平。从而,4个第一锁存器L1的置位端通过4个第一反相器D1分别接收4个第一刷新指令SB CMD<0>、SB CMD<1>、SB CMD<2>和SB CMD<3>,4个第一锁存器L1分别输出4个计数信号Bank Counter<0>、Bank Counter<1>、Bank Counter<2>和Bank Counter<3>到第三或非门E3的输入端以及第一与门A1的输入端。进而,信号选择电路212通过第八与门A8输出SameBank刷新时钟信号SBCBR CLK(即第一时钟信号或第二时钟信号)。同时,4个第二锁存器L2的置位端通过4个第一或非门E1分别接收4个第一刷新指令SB CMD<0>、SB CMD<1>、SB CMD<2>和SB CMD<3>,4个第二锁存器L2分别输出4个第一刷新窗口子信号ReW<0>、ReW<1>、ReW<2>和ReW<3>。
结合图9、图28和图29可知,在刷新控制电路101进行第一刷新操作的情况下,信号选择电路212输出SameBank刷新时钟信号SB CBR CLK(即第一时钟信号或第二时钟信号)到地址处理电路102,4个刷新窗口子信号生成电路206输出4个第一刷新窗口子信号ReW<0>、ReW<1>、ReW<2>和ReW<3>到地址处理电路102,地址标志信号生成电路213输出地址标志信号Addr Flag到地址处理电路102。
结合图28和图30,在刷新控制电路101进行第二刷新操作的情况下,4个第一刷新指令SB CMD<0>、SB CMD<1>、SB CMD<2>和SB CMD<3>(图30中未示出)中均不包括有效脉冲,即4个第一刷新指令SB CMD<0>、SB CMD<1>、SB CMD<2>和SB CMD<3>均保持低电平,而第二刷新指令AB CMD中则包括了有效脉冲。从而,4个第一锁存器L1输出的4个计数信号BankCounter<0>、Bank Counter<1>、Bank Counter<2>和Bank Counter<3>均保持低电平(图30中未示出)。进而,信号选择电路212通过第八与门A8输出第三时钟信号AB CBR CLK。同时,4个第二锁存器L2的置位端通过4个第一或非门E1均接收第二刷新指令AB CMD,4个第二锁存器L2均输出4个相同的第二刷新窗口子信号ReW<AB>。
结合图9、图28和图30可知,在刷新控制电路101进行第二刷新操作的情况下,信号选择电路212输出第三时钟信号AB CBR CLK到地址处理电路102,4个刷新窗口子信号生成电路206输出4个相同的第二刷新窗口子信号ReW<AB>到地址处理电路102,地址标志信号生成电路213输出地址标志信号Addr Flag到地址处理电路102。
在本申请的一些实施例中,如图31所示,重复指令确定电路401包括:多个第八延时器H8、多个第九与门A9和第四或非门E4。多个第八延时器H8的输入端依次接收多个计数信号Bank Counter<0>~Bank Counter<m-1>。多个第九与门A9的第一输入端依次连接多个第八延时器H8的输出端,多个第九与门A9的第二输入端依次接收多个第一刷新指令SB CMD<0>~SB CMD<m-1>。第四或非门E4的输入端分别连接多个第九与门A9的输出端,第四或非门E4输出重复指令。
额外刷新标志信号生成电路402包括:第五锁存器L5。第五锁存器L5的置位端接收重复指令Extra CMD,第五锁存器L5的复位端接收刷新窗口信号Refresh Window,第五锁存器L5输出额外刷新标志信号Extra Refresh Flag。
本申请实施例中,结合图31和图7,以m=4为例,第一刷新指令SB CMD<0>中存在重复指令,该重复指令产生时,计数信号Bank Counter<0>为高电平;重复指令和置为高电平的计数信号Bank Counter<0>通过第九与门A9和第四或非门E4后,第四或非门E4输出重复指令Extra CMD到第五锁存器L5的置位端,触发额外刷新标志信号Extra Refresh Flag由低电平跳转为高电平。另外,刷新窗口信号Refresh Window的下降沿则触发额外刷新标志信号Extra Refresh Flag由高电平跳转为低电平。这样,即生成了一段高电平有效的额外刷新标志信号Extra Refresh Flag。
另一方面,对于第一刷新指令SB CMD<0>、SB CMD<1>、SB CMD<2>和SB CMD<3>中除重复指令外的脉冲(即常规指令),其对应的经过第一延时器H1的计数信号Bank Counter<0>、Bank Counter<1>、Bank Counter<2>和Bank Counter<3>的时序为低电平。常规指令和置为低电平的计数信号Bank Counter通过第九与门A9和第四或非门E4后,第四或非门E4输出的信号保持低电平,即不会生成重复刷新指令Extra CMD,这样,也就不会触发第五锁存器L5将额外刷新标志信号Extra Refresh Flag由低电平跳转为高电平。
可以理解的是,本申请实施例中的重复命令处理电路102,利用重复指令和对应的计数信号的电平,触发生成额外刷新标志信号,进而触发地址产生器103生成额外地址。这样,利用第一刷新指令中多余的重复指令,对有刷新需要的额外地址进行刷新,避免了指令的浪费,提高了刷新效率。
在本申请的一些实施例中,如图32所示,控制信号生成电路303包括:第十与门A10、第十反相器A10和第五或非门E5。第十与门A10的输入端分别对应接收多个刷新窗口子信号ReW。第十反相器D10的输入端接收地址标志信号Addr Flag。第五或非门E5的第一输入端连接第十与门A10的输出端,第五或非门E5的第二输入端连接第十反相器D10的输出端,第五或非门E5输出地址控制信号Addr Ctrl。
本申请实施例中,图33以m=4为例,结合图32和图33,在刷新控制电路进行第一刷新操作的情况下,第十与门A10的各输入端分别接收多个第一刷新窗口子信号ReW<0>、ReW<1>、ReW<2>和ReW<3>,则第十与门A10输出的信号ReW<And>恒为低电平,这样,地址控制信号Addr Ctrl与地址标志信号Addr Flag波形相同,也就是说,地址标志信号Addr Flag经过控制信号生成电路303后仍保持波形不变。
结合图32和图34,在刷新控制电路进行第二刷新操作的情况下,第十与门A10的各输入端均接收相同的第二刷新窗口子信号ReW<AB>,则第十与门A10输出的信号ReW<And>与第二刷新窗口子信号ReW<AB>波形相同,而信号ReW<And>的高电平区域覆盖了地址标志信号Addr Flag的高电平区域,这样,通过第五或非门E5,信号ReW<And>可以屏蔽地址标志信号Addr Flag的高电平区域,从而,地址控制信号Addr Ctrl恒为低电平,也就是说,地址标志信号Addr Flag经过控制信号生成电路303后被屏蔽。
需要说明的是,图33示出的多个第一刷新窗口子信号ReW<0>、ReW<1>、ReW<2>和ReW<3>与图16示出的多个第一刷新窗口子信号ReW<0>、ReW<1>、ReW<2>和ReW<3>波形相同,也就是说,图33中的多个第一刷新窗口子信号ReW<0>、ReW<1>、ReW<2>和ReW<3>可以按照图16的示例来得到。图34示出的第二刷新窗口子信号ReW<AB>与图17示出的第二刷新窗口子信号ReW<AB>波形相同,也就是说,图34中的第二刷新窗口子信号ReW<AB>可以按照图17的示例来得到。
在本申请的一些实施例中,如图35所示,地址选择电路304包括:加法器306和第一数据选择器MUX1。
加法器306的输入端连接地址计数器301。加法器306用于在刷新控制电路接收第一刷新指令时,从地址计数器301获取第一地址,在第一地址基础上进行累加,得到第二地址。
第一数据选择器MUX1的第一输入端连接地址计数器301,第一数据选择器MUX1的第二输入端连接加法器306,第一数据选择器MUX1的控制端接收地址控制信号Addr Ctrl,第一数据选择器MUX1的输出端作为地址选择电路304的输出端。第一数据选择器MUX1用于在刷新控制电路接收第一刷新指令时,从地址计数器301获取第一地址,并从加法器306获取第二地址,响应于地址控制信号Addr Ctrl,选择第一地址或第二地址进行输出。
本申请实施例中,参考图35和图36,在刷新控制电路接收第一刷新指令的情况下,地址计数器301接收到SameBank刷新时钟信号SB CBR CLK,即接收到第一时钟信号或第二时钟信号。
当地址计数器301接收到第一时钟信号时,由于第一时钟信号不包括有效脉冲,因此,不会触发地址计数器301改变第一地址。地址输出信号Addr Counter Output表征了地址计数器301所存储的第一地址,参考图36,当地址计数器301接收到第一时钟信号时,第一地址维持n不变。第一地址n直接被传输到第一数据选择器MUX1的第一输入端(即标“0”的输入端),同时,第一地址n通过加法器306后变为第二地址n+1,第二地址n+1被传输到第一数据选择器MUX1的第二输入端(即标“1”的输入端)。第一数据选择器MUX1输出的地址Add_1,则受控于地址控制信号Addr Ctrl,参考图36,第一数据选择器MUX1根据地址控制信号AddrCtrl的电平交替输出n和n+1。也就是说,当地址控制信号Addr Ctrl为低电平时,第一数据选择器MUX1将其第一输入端输入的第一地址n输出;当地址控制信号Addr Ctrl为高电平时,第一数据选择器MUX1将其第二输入端输入的第二地址n+1输出。第一数据选择器MUX1输出的每一组n和n+1都会用于Bank Group中对应的SameBank进行第一刷新操作,直至BankGroup中所有Bank完成第一刷新操作,即第一刷新操作的次数达到m(图36中以m=4为例),在这一过程中,地址计数器301所存储的第一地址一直维持n不变,即地址输出信号AddrCounter Output在第一刷新操作的次数达到m之前,一直维持n不变。
当第一刷新操作的次数达到m,即所有Bank均完成了本轮第一刷新操作后,地址计数器301接收到第二时钟信号,由于第二时钟信号包括了两个有效脉冲,因此,地址计数器301会在第一地址上累加2,即改变第一地址为第三地址。此时,Bank Group中所有Bank已经完成了上一轮第一刷新操作,在刷新控制电路接收到下一轮第一刷新指令后,可以按照第三地址进行下一轮第一刷新操作。
例如,当前的第一地址是0000,第一地址上累加1为第二地址0001,如此对各Bank进行第一刷新操作(Same Bank Refresh)。当所有bank完成本轮第一刷新操作后,地址计数器301受第二时钟信号中两个脉冲触发,对第一地址累加2,输出0010,再进行下一轮的第一刷新操作。
需要说明的是,图36与图2中示出的第一时钟信号或第二时钟信号波形相同,也就是说,图36示出的第一时钟信号或第二时钟信号可以通过图2的示例来得到。
可以理解的是,在Bank Group中的SameBank进行第一刷新操作时,会对一组SameBank中两个相邻地址(即第一地址和第二地址)进行第一刷新操作,且在这一过程中第一地址维持不变。而当Bank Group中的所有Bank完成了对两个相邻地址的第一刷新操作后,即Bank Group中所有Bank完成了上一轮第一刷新操作后,第一地址累加2变为第三地址,可以按照第三地址进行下一轮第一刷新操作。这样,可以按照地址的顺序对各Bank中的地址进行第一刷新操作,保证了刷新地址的连续性,避免了遗漏地址而未进行第一刷新操作。
本申请实施例中,参考图35,第一数据选择器MUX1还用于在刷新控制电路接收第二刷新指令时,从地址计数器301获取第四地址或第五地址,响应于地址控制信号AddrCtrl,将第四地址或第五地址输出。
参考图35和图37,在刷新控制电路接收第二刷新指令的情况下,地址计数器301接收到第三时钟信号AB CBR CLK。第三时钟信号AB CBR CLK中的每个有效脉冲,均会触发地址计数器301在第一地址上累加1。地址输出信号Addr Counter Output表征了地址计数器301所存储的第一地址,参考图37,地址输出信号Addr Counter Output在第三时钟信号ABCBR CLK的触发下累加。其中,图37示出的第三时钟信号AB CBR CLK包含了四个周期,每两个有效脉冲为一个周期,从而,在第一个周期内,第一地址n被触发改变为第四地址n+1和第五地址n+2;在第二个周期内,n+2作为第一地址被触发改变为第四地址n+3和第五地址n+4,依次类推。
同时,地址控制信号Addr Ctrl保持低电平,从而,第一数据选择器MUX1仅仅将其第一输入端接收到第四地址和第五地址进行输出,也就是说,第一数据选择器MUX1输出的地址Add_1与地址输出信号Addr Counter Output保持一致。这样,可以按照地址的顺序对所有Bank中的地址进行第二刷新操作,避免了遗漏地址而未进行第二刷新操作。
需要说明的是,图37与图5示出的第三时钟信号AB CBR CLK波形相同,也就是说,图37示出的第三时钟信号AB CBR CLK可以通过图5的示例来得到。
可以理解的是,在Bank Group中的所有Bank进行第二刷新操作时,地址计数器301根据第三时钟信号AB CBR CLK生成连续的地址(包括第四地址和第五地址),并将这些连续的地址通过地址选择电路304输出,以使得所有Bank中的各地址依次完成第二刷新操作(即All Bank Refresh)。这样,可以按照地址的顺序对所有Bank中的地址进行第二刷新操作,保证了刷新地址的连续性,避免了遗漏地址而未进行第二刷新操作。同时,采用一套地址产生器便可以灵活进行两种刷新操作,这样,提高了电路的兼容性。
在本申请的一些实施例中,如图35所示,额外地址生成电路305包括:第十一反相器D11、第二数据选择器MUX2和地址延时模块307。
第十一反相器D11的输入端连接地址选择电路304的输出端(即连接第一数据选择器MUX1的输出端)。第十一反相器D11用于在刷新控制电路接收第一刷新指令时,从地址选择电路304获取第一地址或第二地址中的目标位,并将第一地址或第二地址中的目标位取反后输出。
第二数据选择器MUX2的第一输入端连接地址选择电路304的输出端(即连接第一数据选择器MUX1的输出端),第二数据选择器MUX2的第二输入端连接第十一反相器D11的输出端。第二数据选择器MUX2用于在刷新控制电路接收第一刷新指令,且第二数据选择器MUX2的控制端未接收到额外刷新标志信号Extra Refresh Flag时,从地址选择电路304获取第一地址或第二地址中的目标位,并将第一地址或第二地址中的目标位输出。或者,第二数据选择器MUX2用于在刷新控制电路接收第一刷新指令,且第二数据选择器MUX2的控制端接收到额外刷新标志信号Extra Refresh Flag时,从第十一反相器D11获取取反后的第一地址或第二地址中的目标位,并将取反后的第一地址或第二地址中的目标位输出。
地址延时模块307的输入端连接地址选择电路304的输出端。地址延时模块307用于在刷新控制电路接收第一刷新指令时,从地址选择电路304获取第一地址或第二地址中的其他位,将第一地址或第二地址中的其他位延时后输出,其中,其他位为除目标位以外的地址位。
本申请实施例中,参考图35,额外地址生成电路305从地址选择电路304所接收的地址Add_1,被分为两部分传输,其中,地址Add_1的目标位被传输到第二数据选择器MUX2的第一输入端(即标“0”的输入端),地址Add_1的目标位经过第十一反相器D11取反后被传输到第二数据选择器MUX2的第二输入端(即标“1”的输入端),地址Add_1中除目标位以外的其他位被传输到地址延时模块307。也就是说,第二数据选择器MUX2根据额外刷新标志信号Extra Refresh Flag,选择地址Add_1的目标位进行输出,或者,选择取反后的地址Add_1的目标位进行输出。同时,由于地址Add_1的目标位在经过第二数据选择器MUX2和第十一反相器D11后,会在时序上有所延后,因此,地址Add_1中除目标位以外的其他位需要经过地址延时模块307,以匹配时序。
本申请实施例中,结合图35和图38,在刷新控制电路接收第一刷新指令并进行第一刷新操作时,若第一刷新指令中存在重复指令,如图38中的第一刷新指令SB CMD<0>中存在重复指令,则额外刷新标志信号Extra Refresh Flag被输出为高电平到第二数据选择器MUX2的控制端;此时,第二数据选择器MUX2选择取反后的地址Add_1的目标位进行输出,从而,额外地址生成电路305输出额外地址k或k+1作为待刷新地址Address。相应的,在刷新控制电路接收第一刷新指令并进行第一刷新操作时,若第一刷新指令中不存在重复指令,如图38中第一刷新指令SB CMD<0>~SB CMD<1>中的常规脉冲对应的时序位置,则额外刷新标志信号Extra Refresh Flag被输出为低电平到第二数据选择器MUX2的控制端;此时,第二数据选择器MUX2选择未取反的地址Add_1的目标位进行输出,从而,额外地址生成电路305输出第一地址n或第二地址n+1作为待刷新地址Address,即额外地址生成电路305将地址选择电路304输出的地址Add_1输出作为待刷新地址Address。
本申请实施例中,参考图35,在刷新控制电路接收第二刷新指令并进行第二刷新操作时,地址选择电路304输出的地址Add_1包括第四地址或第五地址。此时,额外刷新标志信号Extra Refresh Flag保持低电平,因此,第二数据选择器MUX2选择未取反的地址Add_1的目标位进行输出,从而,额外地址生成电路305输出第四地址或第五地址作为待刷新地址Address,即额外地址生成电路305将地址选择电路304输出的地址Add_1输出作为待刷新地址Address。
可以理解的是,地址产生器103在额外刷新标志信号Extra Refresh Flag的触发下,通过第二数据选择器MUX2选择地址Add_1中的目标位或者取反后的目标位进行输出,从而,可以在所述第一刷新指令中出现多余的重复指令时,输出额外地址。如此,利用第一刷新指令中多余的重复指令,对有刷新需要的额外地址进行刷新,避免了指令的浪费,提高了刷新效率。
需要说明的是,在本申请中,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。
上述本申请实施例序号仅仅为了描述,不代表实施例的优劣。本申请所提供的几个方法实施例中所揭露的方法,在不冲突的情况下可以任意组合,得到新的方法实施例。本申请所提供的几个产品实施例中所揭露的特征,在不冲突的情况下可以任意组合,得到新的产品实施例。本申请所提供的几个方法或设备实施例中所揭露的特征,在不冲突的情况下可以任意组合,得到新的方法实施例或设备实施例。
以上所述,仅为本申请的具体实施方式,但本申请的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此,本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (28)
1.一种刷新地址产生电路,其特征在于,所述刷新地址产生电路包括:
刷新控制电路,用于依次接收多个第一刷新指令并对应进行多次第一刷新操作,当所述第一刷新操作的次数小于m时输出第一时钟信号,m为大于或等于1的整数;
重复命令处理电路,耦接所述刷新控制电路,用于接收所述第一刷新指令,在所述第一刷新指令中出现重复指令时输出额外刷新标志信号;
地址产生器,耦接所述刷新控制电路和所述重复命令处理电路,且预存第一地址,用于在接收到所述第一时钟信号,且未接收到所述额外刷新标志信号时,响应于所述第一时钟信号输出待刷新地址,或者,在接收到所述额外刷新标志信号时,响应于所述额外刷新标志信号输出额外地址;其中,所述待刷新地址包括所述第一地址或第二地址,所述第二地址相邻于所述第一地址;所述额外地址和所述第一地址的差值大于预设阈值。
2.根据权利要求1所述的刷新地址产生电路,其特征在于,
所述刷新控制电路,还用于当所述第一刷新操作的次数等于m时输出第二时钟信号;
所述地址产生器,还用于接收所述第二时钟信号,响应于所述第二时钟信号改变所述第一地址为第三地址。
3.根据权利要求2所述的刷新地址产生电路,其特征在于,所述刷新控制电路包括:
刷新窗口信号生成电路,用于接收多个所述第一刷新指令和刷新窗口复位信号,根据多个所述第一刷新指令和所述刷新窗口复位信号生成刷新窗口信号;其中,所述刷新窗口信号的脉冲持续时间为所述刷新控制电路执行一次刷新操作的窗口时间,所述刷新窗口复位信号用于在一次刷新操作结束后对所述刷新窗口信号生成电路进行复位;
时钟脉冲生成电路,耦接所述刷新窗口信号生成电路,用于接收刷新窗口信号和所述第一刷新指令,在所述时钟脉冲生成电路接收的所述第一刷新指令的数量小于或等于m且第m次所述第一刷新操作结束前,生成所述第一时钟信号,或者,在第m次所述第一刷新操作结束后,生成所述第二时钟信号。
4.根据权利要求3所述的刷新地址产生电路,其特征在于,所述时钟脉冲生成电路包括:
计数电路,用于接收所述第一刷新指令和计数复位信号,对所述第一刷新指令进行计数,并输出计数信号,以及,根据所述计数复位信号进行复位;
计数复位信号生成电路,耦接所述计数电路和所述刷新窗口信号生成电路,用于在第m次所述第一刷新操作结束后,生成所述计数复位信号;
第一脉冲生成子电路,耦接所述计数复位信号生成电路,用于在所述第一刷新指令小于m个时,根据所述计数信号生成所述第一时钟信号,或者,在所述第一刷新指令等于m个时根据所述计数复位信号生成所述第二时钟信号。
5.根据权利要求3所述的刷新地址产生电路,其特征在于,所述刷新窗口信号生成电路包括:
多个刷新窗口子信号生成电路,用于接收刷新窗口复位信号且分别依次对应接收多个所述第一刷新指令,根据多个所述第一刷新指令和所述刷新窗口复位信号依次输出多个刷新窗口子信号;
刷新窗口子信号处理电路,耦接多个所述刷新窗口子信号生成电路,用于依次接收多个所述刷新窗口子信号,对所述刷新窗口子信号进行逻辑运算,输出所述刷新窗口信号。
6.根据权利要求5所述的刷新地址产生电路,其特征在于,所述刷新控制电路,还用于接收第二刷新指令并进行第二刷新操作;其中,
多个所述刷新窗口子信号生成电路,还用于同时接收所述第二刷新指令和所述刷新窗口复位信号,根据所述第二刷新指令和所述刷新窗口复位信号一一对应生成相同的多个所述刷新窗口子信号;
所述刷新窗口子信号处理电路,还用于接收多个所述刷新窗口子信号,并将所述刷新窗口子信号进行逻辑运算,输出所述刷新窗口信号。
7.根据权利要求5所述的刷新地址产生电路,其特征在于,所述刷新控制电路还包括:
第二脉冲生成子电路,耦接所述刷新窗口信号生成电路,用于接收刷新窗口信号和地址命令信号,在所述刷新控制电路开始进行所述第一刷新操作或所述第二刷新操作时生成所述第三时钟信号的第一脉冲,并根据所述地址命令信号的第一脉冲输出所述第三时钟信号的第二脉冲,从而输出所述第三时钟信号;
内部刷新窗口信号生成电路,接收所述第三时钟信号,用于根据所述第三时钟信号生成所述内部刷新窗口信号;其中,所述内部刷新窗口信号的第一脉冲在所述第三时钟信号的第一脉冲之后产生,且在所述第三时钟信号的第二脉冲产生之前结束;所述内部刷新窗口信号的第二脉冲在所述第三时钟信号的第二脉冲之后产生,且在所述刷新窗口信号的脉冲结束之前结束;
地址命令信号生成电路,用于根据所述内部刷新窗口信号的下降沿生成所述地址命令信号的第一脉冲和第二脉冲;其中,所述地址命令信号的第一脉冲用于生成所述内部刷新窗口信号的第二脉冲以及所述第三时钟信号的第二脉冲;
刷新窗口复位信号生成电路,接收所述内部刷新窗口信号,用于根据所述内部刷新窗口信号的第二脉冲的下降沿生成所述刷新窗口复位信号的脉冲。
8.根据权利要求7所述的刷新地址产生电路,其特征在于,所述刷新控制电路还包括:
信号选择电路,耦接所述计数电路、所述第一脉冲生成子电路和所述第二脉冲生成子电路,用于接收所述计数信号、所述第一时钟信号、所述第二时钟信号和所述第三时钟信号,在所述刷新控制电路进行所述第一刷新操作时,根据所述计数信号输出所述第一时钟信号或所述第二时钟信号,或者,在所述刷新控制电路进行所述第二刷新操作时,根据计数信号输出所述第三时钟信号。
9.根据权利要求7所述的刷新地址产生电路,其特征在于,所述刷新控制电路还包括:
地址标志信号生成电路,耦接所述地址命令信号生成电路和所述刷新窗口信号生成电路,用于接收所述地址命令信号和所述刷新窗口信号,根据所述地址命令信号的第一个上升沿生成地址标志信号的上升沿,根据所述刷新窗口信号的下降沿生成所述地址标志信号的下降沿。
10.根据权利要求4所述的刷新地址产生电路,其特征在于,所述重复命令处理电路包括:
重复指令确定电路,耦接所述计数电路,用于接收所述第一刷新指令和所述计数信号,在所述第一刷新指令中未出现重复指令时不进行输出,以及,在所述第一刷新指令中出现重复指令时输出所述重复指令;
额外刷新标志信号生成电路,耦接所述重复指令确定电路和所述刷新窗口信号生成电路,用于接收所述重复指令和所述刷新窗口信号,根据所述重复指令和所述刷新窗口信号生成所述额外刷新标志信号;其中,所述额外刷新标志信号的上升沿是根据所述重复指令的有效脉冲而生成的,所述额外刷新标志信号的下降沿是根据所述刷新窗口信号的下降沿而生成的。
11.根据权利要求8所述的刷新地址产生电路,其特征在于,所述地址产生器包括:
地址计数器,耦接所述信号选择电路,用于预存所述第一地址,根据所述第二时钟信号改变所述第一地址为第三地址,或者,根据所述第三时钟信号改变所述第一地址并输出第四地址和第五地址;所述第一地址、所述第四地址和所述第五地址为依次连续的三个地址;
地址处理电路,耦接所述地址计数器、所述刷新窗口子信号生成电路和所述重复命令处理电路,用于在所述刷新控制电路进行所述第一刷新操作时接收所述地址标志信号,并获取所述第一地址,若未接收到所述额外刷新标志信号,则根据所述地址标志信号输出所述第一地址或所述第二地址,若接收到所述额外刷新标志信号,则在所述额外刷新标志信号的窗口时间内输出所述额外地址;
所述地址处理电路,还用于在所述刷新控制电路进行所述第二刷新操作时,依次获取所述第四地址和所述第五地址,并根据多个所述刷新窗口子信号依次输出所述第四地址和所述第五地址。
12.根据权利要求11所述的刷新地址产生电路,其特征在于,所述地址处理电路包括:
控制信号生成电路,耦接所述刷新窗口子信号生成电路和所述地址标志信号生成电路,用于接收多个所述刷新窗口子信号和所述地址标志信号,根据多个所述刷新窗口子信号和所述地址标志信号生成地址控制信号;
地址选择电路,耦接所述地址计数器和所述控制信号生成电路,用于在所述刷新控制电路接收所述第一刷新指令时,在所述地址控制信号的上升沿到来前输出所述第一地址,或者,在所述地址控制信号的上升沿到来后在所述第一地址的基础上进行累加,得到并输出所述第二地址;所述地址选择电路,还用于在所述刷新控制电路接收所述第二刷新指令时,响应于所述地址控制信号,依次输出所述第四地址和所述第五地址;
额外地址生成电路,耦接所述地址选择电路,用于在所述刷新控制电路进行所述第一刷新操作,且所述额外地址生成电路未接收到所述额外刷新标志信号时,接收并输出所述第一地址和所述第二地址;或者,在所述刷新控制电路进行所述第一刷新操作,且所述额外地址生成电路接收到所述额外刷新标志信号时,接收所述第一地址和所述第二地址,根据所述额外刷新标志信号将所述第一地址和所述第二地址中的目标位取反,得到并输出所述额外地址,其中,所述目标位为所述第一地址和所述第二地址中高于预设位的任一地址位;或者,在所述刷新控制电路进行所述第二刷新操作时,接收并输出所述第四地址或所述第五地址。
13.根据权利要求4所述的刷新地址产生电路,其特征在于,所述计数电路包括:
多个第一反相器,多个所述第一反相器的输入端依次接收多个所述第一刷新指令;
第二反相器,所述第二反相器的输入端接收所述计数复位信号;
多个第一锁存器,多个所述第一锁存器的置位端依次对应连接多个所述第一反相器的输出端,多个所述第一锁存器的复位端均连接所述第二反相器的输出端,多个所述第一锁存器依次对应输出多个所述计数信号。
14.根据权利要求4所述的刷新地址产生电路,其特征在于,所述计数复位信号生成电路包括:
第一与门,所述第一与门的输入端接收多个所述计数信号;
第三反相器,所述第三反相器的输入端接收所述刷新窗口信号;
第二与门,所述第二与门的输入端分别连接所述第一与门的输出端和所述第三反相器的输出端;
第一延时器,所述第一延时器的输入端连接所述第二与门的输出端;
第四反相器,所述第四反相器的输入端连接所述第一延时器的输出端;
第三与门,所述第三与门的输入端分别连接所述第二与门的输出端和所述第四反相器的输出端,所述第三与门输出所述计数复位信号。
15.根据权利要求4所述的刷新地址产生电路,其特征在于,所述第一脉冲生成子电路包括:
第二延时器,所述第二延时器的输入端接收所述计数复位信号;
第三延时器,所述第三延时器的输入端连接所述第二延时器的输出端;
第一或门,所述第一或门的输入端分别连接所述第二延时器的输出端和所述第三延时器的输出端,所述第一或门输出所述第一时钟信号或所述第二时钟信号。
16.根据权利要求6所述的刷新地址产生电路,其特征在于,所述刷新窗口子信号包括:第一刷新窗口子信号或第二刷新窗口子信号;每个所述刷新窗口子信号生成电路包括:
第一或非门,当所述刷新控制电路进行所述第一刷新操作时,所述第一或非门的第一输入端接收对应的所述第一刷新指令,或者,当所述刷新控制电路进行所述第二刷新操作时,所述第一或非门的第二输入端接收所述第二刷新指令;
第二锁存器,所述第二锁存器的置位端连接所述第一或非门的输出端,所述第二锁存器的复位端接收所述刷新窗口复位信号;当所述刷新控制电路进行所述第一刷新操作时,所述第二锁存器输出对应的所述第一刷新窗口子信号,或者,当所述刷新控制电路进行所述第二刷新操作时,所述第二锁存器输出对应的所述第二刷新窗口子信号。
17.根据权利要求16所述的刷新地址产生电路,其特征在于,所述刷新窗口子信号处理电路包括:
第二或门,当所述刷新控制电路进行所述第一刷新操作时,所述第二或门的输入端分别接收多个所述第一刷新窗口子信号,或者,当所述刷新控制电路进行所述第二刷新操作时,所述第二或门的输入端分别接收相同的多个所述第二刷新窗口子信号;所述第二或门输出所述刷新窗口信号。
18.根据权利要求7所述的刷新地址产生电路,其特征在于,所述第二脉冲生成子电路包括:
第四延时器,所述第四延时器的输入端接收所述刷新窗口信号;
第五反相器,所述第五反相器的输入端连接所述第四延时器的输出端;
第四与门,所述第四与门的第一输入端接收所述刷新窗口信号,所述第四与门的第二输入端连接所述第五反相器的输出端;
第六反相器,所述第六反相器的输入端接收地址标志信号;
第五与门,所述第五与门的第一输入端连接所述第六反相器的输出端,所述第五与门的第二输入端接收所述地址命令信号;
第二或非门,所述第二或非门的输入端分别连接所述第四与门的输出端和所述第五与门的输出端;
第七反相器,所述第七反相器的输入端连接所述第二或非门的输出端,所述第七反相器输出所述第三时钟信号。
19.根据权利要求7所述的刷新地址产生电路,其特征在于,所述地址命令信号生成电路包括:
第八反相器,所述第八反相器的输入端接收所述内部刷新窗口信号;
第五延时器,所述第五延时器的输入端连接所述第八反相器的输入端,接收所述内部刷新窗口信号;
第六与门,所述第六与门的输入端分别连接所述第八反相器的输出端和所述第五延时器的输出端,所述第六与门输出所述地址命令信号。
20.根据权利要求19所述的刷新地址产生电路,其特征在于,所述内部刷新窗口信号生成电路包括:
第三锁存器,所述第三锁存器的置位端接收所述第三时钟信号,所述第三锁存器的复位端连接所述第八反相器的输出端,所述第三锁存器输出所述内部刷新窗口信号。
21.根据权利要求7所述的刷新地址产生电路,其特征在于,所述刷新窗口复位信号生成电路包括:
第六延时器,所述第六延时器的输入端接收地址标志信号;
第七与门,所述第七与门的第一输入端连接所述第六延时器的输出端,所述第七与门的第二输入端接收所述内部刷新窗口信号;
第七延时器,所述第七延时器的输入端连接所述第七与门的输出端,所述第七延时器输出所述刷新窗口复位信号。
22.根据权利要求8所述的刷新地址产生电路,其特征在于,所述信号选择电路包括:
第三或非门,所述第三或非门的输入端分别接收多个所述计数信号;
第三或门,所述第三或门的第一输入端接收所述第一时钟信号或所述第二时钟信号,所述第三或门的第二输入端接收所述第三时钟信号;
第八与门,所述第八与门的第一输入端连接所述第三或非门的输出端,所述第八与门的第二输入端连接所述第三或门的输出端,所述第八与门输出所述第一时钟信号、所述第二时钟信号或所述第三时钟信号。
23.根据权利要求9所述的刷新地址产生电路,其特征在于,所述地址标志信号生成电路包括:
第九反相器,所述第九反相器的输入端接收所述地址命令信号;
第四锁存器,所述第四锁存器的置位端连接所述第九反相器的输出端,所述第四锁存器的复位端接收所述刷新窗口信号,所述第四锁存器输出所述地址标志信号。
24.根据权利要求10所述的刷新地址产生电路,其特征在于,所述重复指令确定电路包括:
多个第八延时器,多个所述第八延时器的输入端依次接收多个所述计数信号;
多个第九与门,多个所述第九与门的第一输入端依次连接多个所述第八延时器的输出端,多个所述第九与门的第二输入端依次接收多个所述第一刷新指令;
第四或非门,所述第四或非门的输入端分别连接多个所述第九与门的输出端,所述第四或非门输出所述重复指令。
25.根据权利要求10所述的刷新地址产生电路,其特征在于,所述额外刷新标志信号生成电路包括:
第五锁存器,所述第五锁存器的置位端接收所述重复指令,所述第五锁存器的复位端接收所述刷新窗口信号,所述第五锁存器输出所述额外刷新标志信号。
26.根据权利要求12所述的刷新地址产生电路,其特征在于,所述控制信号生成电路包括:
第十与门,所述第十与门的输入端分别对应接收多个所述刷新窗口子信号;
第十反相器,所述第十反相器的输入端接收所述地址标志信号;
第五或非门,所述第五或非门的第一输入端连接所述第十与门的输出端,所述第五或非门的第二输入端连接所述第十反相器的输出端,所述第五或非门输出所述地址控制信号。
27.根据权利要求12所述的刷新地址产生电路,其特征在于,所述地址选择电路包括:加法器和第一数据选择器;
所述加法器的输入端连接所述地址计数器;所述加法器用于在所述刷新控制电路接收所述第一刷新指令时,获取所述第一地址,在所述第一地址基础上进行累加,得到所述第二地址;
所述第一数据选择器的第一输入端连接所述地址计数器,所述第一数据选择器的第二输入端连接所述加法器,所述第一数据选择器的控制端接收所述地址控制信号,所述第一数据选择器的输出端作为所述地址选择电路的输出端;
所述第一数据选择器,用于在所述刷新控制电路接收所述第一刷新指令时,从所述地址计数器获取所述第一地址,并从所述加法器获取所述第二地址,响应于所述地址控制信号,选择所述第一地址或所述第二地址进行输出;
所述第一数据选择器,还用于在所述刷新控制电路接收所述第二刷新指令时,从所述地址计数器获取所述第四地址或所述第五地址,响应于所述地址控制信号,将所述第四地址或所述第五地址输出。
28.根据权利要求27所述的刷新地址产生电路,其特征在于,所述额外地址生成电路包括:第十一反相器、第二数据选择器和地址延时模块;
所述第十一反相器的输入端连接所述地址选择电路的输出端;所述第十一反相器,用于在所述刷新控制电路接收所述第一刷新指令时,从所述地址选择电路获取所述第一地址或所述第二地址中的目标位,并将所述第一地址或所述第二地址中的目标位取反后输出;
所述第二数据选择器的第一输入端连接所述地址选择电路的输出端,所述第二数据选择器的第二输入端连接所述第十一反相器的输出端;所述第二数据选择器,用于在所述刷新控制电路接收所述第一刷新指令,且所述第二数据选择器的控制端未接收到所述额外刷新标志信号时,从所述地址选择电路获取所述第一地址或所述第二地址中的目标位,并将所述第一地址或所述第二地址中的目标位输出;或者,在所述刷新控制电路接收所述第一刷新指令,且所述第二数据选择器的控制端接收到所述额外刷新标志信号时,从所述第十一反相器获取取反后的所述第一地址或所述第二地址中的目标位,并将取反后的所述第一地址或所述第二地址中的目标位输出;
所述地址延时模块的输入端连接所述地址选择电路的输出端;所述地址延时模块,用于在所述刷新控制电路接收所述第一刷新指令时,从所述地址选择电路获取所述第一地址或所述第二地址中的其他位,将所述第一地址或所述第二地址中的其他位延时后输出;所述其他位为除目标位以外的地址位。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210604076.XA CN117198358A (zh) | 2022-05-30 | 2022-05-30 | 一种刷新地址产生电路 |
PCT/CN2022/123849 WO2023231263A1 (zh) | 2022-05-30 | 2022-10-08 | 一种刷新地址产生电路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210604076.XA CN117198358A (zh) | 2022-05-30 | 2022-05-30 | 一种刷新地址产生电路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN117198358A true CN117198358A (zh) | 2023-12-08 |
Family
ID=88987467
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202210604076.XA Pending CN117198358A (zh) | 2022-05-30 | 2022-05-30 | 一种刷新地址产生电路 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN117198358A (zh) |
WO (1) | WO2023231263A1 (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN117393015A (zh) * | 2023-12-11 | 2024-01-12 | 浙江力积存储科技有限公司 | 一种三维存储器架构及其刷新方法和存储器 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8630141B2 (en) * | 2011-01-28 | 2014-01-14 | Micron Technology, Inc. | Circuits and methods for providing refresh addresses and alternate refresh addresses to be refreshed |
KR20130129786A (ko) * | 2012-05-21 | 2013-11-29 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 리프래쉬 방법과 이를 이용한 반도체 메모리 장치 |
KR101974108B1 (ko) * | 2012-07-30 | 2019-08-23 | 삼성전자주식회사 | 리프레쉬 어드레스 생성기, 이를 포함하는 휘발성 메모리 장치 및 휘발성 메모리 장치의 리프레쉬 방법 |
KR20160023274A (ko) * | 2014-08-22 | 2016-03-03 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 장치 및 이를 포함하는 메모리 시스템 |
US11152078B1 (en) * | 2020-08-28 | 2021-10-19 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for refreshing memories with redundancy |
-
2022
- 2022-05-30 CN CN202210604076.XA patent/CN117198358A/zh active Pending
- 2022-10-08 WO PCT/CN2022/123849 patent/WO2023231263A1/zh unknown
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN117393015A (zh) * | 2023-12-11 | 2024-01-12 | 浙江力积存储科技有限公司 | 一种三维存储器架构及其刷新方法和存储器 |
CN117393015B (zh) * | 2023-12-11 | 2024-03-22 | 浙江力积存储科技有限公司 | 一种三维存储器架构及其刷新方法和存储器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2023231263A1 (zh) | 2023-12-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7606089B2 (en) | Data strobe signal generator for generating data strobe signal based on adjustable preamble value and semiconductor memory device with the same | |
CN114822633A (zh) | 一种刷新地址产生电路 | |
US4586181A (en) | Test pattern generating apparatus | |
US20020131313A1 (en) | High frequency range four bit prefetch output data path | |
US7843743B2 (en) | Data output circuit for semiconductor memory apparatus | |
CN117198358A (zh) | 一种刷新地址产生电路 | |
CN117198357A (zh) | 一种刷新地址产生电路 | |
JP3778579B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
US6853317B2 (en) | Circuit and method for generating mode register set code | |
EP4325499A1 (en) | Refresh address generation circuit | |
US7649802B2 (en) | Method for controlling time point for data output in synchronous memory device | |
US20230386546A1 (en) | Refresh address generation circuit and method, memory, and electronic device | |
US5815460A (en) | Memory circuit sequentially accessible by arbitrary address | |
TW202347330A (zh) | 刷新地址產生電路及方法、存儲器、電子設備 | |
US6191974B1 (en) | Nonvolatile semiconductor memory | |
US6804161B2 (en) | Semiconductor device, refreshing method thereof, memory system, and electronic instrument | |
US4293931A (en) | Memory refresh control system | |
JPH06124586A (ja) | 半導体記憶装置 | |
US6996697B2 (en) | Method of writing a group of data bytes in a memory and memory device | |
US7257726B2 (en) | Circuit for generating wait signal in semiconductor device | |
US6366634B2 (en) | Accelerated carry generation | |
CN117765999A (zh) | 一种命令解码电路及其方法、半导体存储器 | |
CN117134748A (zh) | 一种延时电路和存储器 | |
US7751276B2 (en) | Semiconductor memory device capable of performing page mode operation | |
JPS63136814A (ja) | デイジタル遅延回路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |