CN117174615A - 基板处理装置及基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

在供第一供给液及第二供给液分别流动的第一以及第二供给液管路(412、422)设置有第一以及第二浓度测定部(415、425)。第二供给液中的气体的溶解浓度比第一供给液低。第一以及第二分支管路(51、52)的一端分别连接于第一以及第二供给液管路中比浓度测定部更靠上游侧的位置。第一以及第二分支管路的另一端连接于混合部(57),且混合第一以及供给液来生成处理液。基于第一以及第二浓度测定部的测定值来控制第一以及第二分支管路的流量调整部(58),以使处理液中的气体的溶解浓度成为设定值。由此,能一边防止包含因浓度测定部所引起的颗粒等的供给液,包含在供给至基板的处理液中,一边能使处理液中的气体的溶解浓度高精度地调整至设定值。

Description

基板处理装置及基板处理方法
本申请是申请日为2017年11月28日、申请号为201780080649.0、发明名称为“基板处理方法及基板处理装置”的申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种通过处理液来处理基板的技术。
背景技术
以往,在半导体基板(以下,简称为“基板”)的制程中,使用基板处理装置通过处理液来对基板实施各种的处理。例如,通过对表面上形成有抗蚀剂的图案的基板供给药液,来对基板的表面进行蚀刻等的处理。另外,在蚀刻处理结束之后,亦进行通过剥离液来除去基板上的抗蚀剂,或通过清洗液来清洗基板的处理。
再者,在日本特许第4368188号公报(文献1)中,已揭示一种将基板浸渍于处理槽内的处理液中以对基板进行处理的基板处理装置。在该装置中,在将从处理槽溢流(overflow)出的处理液循环供给至处理槽的路径上,设置有将处理液的氮气浓度调整至规定的值的调整部。在调整部中,可供来自处理槽的处理液流动的供给路径,被分支成第一供给路径及第二供给路径的两个系统,之后,两者汇流而连接于处理槽。在第一供给路径设置有:使氮气溶解于处理液中的溶解部;第一氮浓度计;以及第一处理液阀。在第二供给路径设置有:使氮气从处理液中除气的除气部;第二氮浓度计;以及第二处理液阀。基于第一氮浓度计及第二氮浓度计等的测定值,来控制第一处理液阀及第二处理液阀的开闭,由此能获得具有作为目标的氮气浓度的处理液,且往处理槽供给。
可是,在利用处理液进行的基板的处理中,因处理液中的溶解氧的浓度,会使基板上的膜的蚀刻速率变动。虽然通过对贮存于罐内的处理液,进行氮气的起泡(bubbling)、或周围环境气体的减压等,能够使处理液中的溶解氧浓度降低,但是难以将处理液中的溶解氧浓度高精度地调整至任意的设定值。
另一方面,在文献1的调整部中,虽然能获得具有作为目标的氮气浓度的处理液,但是在该处理液中包含有通过浓度测定部后的液体。有的情况下,在通过浓度测定部后的液体中包含有因浓度测定部的接触液体部等所引起的颗粒或金属离子等。不佳的是包含因浓度测定部所引起的颗粒等的液体会包含在供给至基板的处理液中。
发明内容
本发明适用于通过处理液来处理基板的基板处理装置中,其目的在于一边防止包含因浓度测定部所引起的颗粒(particle)等的供给液,包含在供给至基板的处理液中,一边将处理液中的气体的溶解浓度高精度地调整至设定值。
本发明的基板处理装置,具备:第一供给液管路(line),供第一供给液连续地流动;第一浓度测定部,设置于所述第一供给液管路,用以测定所述第一供给液中的规定的气体的溶解浓度;第二供给液管路,供所述气体的溶解浓度比所述第一供给液低的第二供给液连续地流动;第二浓度测定部,设置于所述第二供给液管路,用以测定所述第二供给液中的所述气体的溶解浓度;处理液调整部,混合所述第一供给液和所述第二供给液,以生成所述气体的溶解浓度经调整后的处理液;基板处理部,将所述处理液供给至基板来处理所述基板;以及控制部,所述处理液调整部具备:第一分支管路,一端连接于所述第一供给液管路中比所述第一浓度测定部更靠上游侧的连接位置,且供所述第一供给液流动;第二分支管路,一端连接于所述第二供给液管路中比所述第二浓度测定部更靠上游侧的连接位置,且供所述第二供给液流动;流量调整部,设置于所述第一分支管路或所述第二分支管路;以及混合部,供所述第一分支管路的另一端、及所述第二分支管路的另一端连接,且通过混合所述第一供给液和所述第二供给液来生成所述处理液;所述控制部基于所述第一浓度测定部的测定值及所述第二浓度测定部的测定值来控制所述流量调整部,以使所述处理液中的所述气体的溶解浓度成为设定值。
依据本发明,可以一边防止包含因浓度测定部所引起的颗粒等的供给液,包含在供给至基板的处理液中,一边可以将处理液中的气体的溶解浓度高精度地调整至设定值。
在本发明的一较佳的方式中,所述处理液调整部还具备另一个流量调整部;所述流量调整部调整流动于所述第一分支管路的所述第一供给液的流量;所述另一个流量调整部调整流动于所述第二分支管路的所述第二供给液的流量。
在本发明的另一较佳的方式中,所述基板处理部具备:基板保持部,将基板保持为水平姿势;以及喷嘴,朝向所述基板吐出所述处理液。
在此情况下,较佳是所述基板处理部还具备另一个喷嘴;所述基板处理装置还具备:所述另一个喷嘴用的处理液调整部,混合所述第一供给液和所述第二供给液以生成所述另一个喷嘴用的处理液;所述另一个喷嘴用的所述处理液调整部具备与所述第一分支管路、所述第二分支管路、所述流量调整部及所述混合部同样构造的第一分支管路、第二分支管路、流量调整部及混合部;所述控制部控制所述另一个喷嘴用的所述处理液调整部的所述流量调整部,以使所述另一个喷嘴用的所述处理液中的所述气体的溶解浓度成为所述另一个喷嘴用的设定值;所述喷嘴将通过所述处理液调整部生成的所述处理液朝向所述基板的一主面吐出;所述另一个喷嘴将所述另一个喷嘴用的所述处理液朝向所述基板的另一主面吐出。
在本发明的更另一较佳的方式中,基板处理装置还具备:另一个基板处理部,处理另一个基板;以及所述另一个基板处理部用的处理液调整部,混合所述第一供给液和所述第二供给液以生成所述另一个基板处理部用的处理液;所述另一个基板处理部用的所述处理液调整部具备与所述第一分支管路、所述第二分支管路、所述流量调整部及所述混合部同样构造的第一分支管路、第二分支管路、流量调整部及混合部;所述控制部控制所述另一个基板处理部用的所述处理液调整部的所述流量调整部,以使所述另一个基板处理部用的所述处理液中的所述气体的溶解浓度成为所述另一个基板处理部用的设定值。
在本发明的一方式中,基板处理装置还具备:第一供给液罐,贮存所述第一供给液,且所述第一供给液暴露于所述气体中;以及第二供给液罐,贮存所述第二供给液,且从所述第二供给液中除掉所述气体;所述第一供给液管路通过从所述第一供给液罐取入所述第一供给液并往所述第一供给液罐回送,来与所述第一供给液罐一起形成第一循环流路;在所述第一循环流路中,在从所述第一浓度测定部沿着所述第一供给液的流动方向至所述连接位置为止之间的位置设置有过滤器;所述第二供给液管路通过从所述第二供给液罐取入所述第二供给液并往所述第二供给液罐回送,来与所述第二供给液罐一起形成第二循环流路;在所述第二循环流路中,在从所述第二浓度测定部沿着所述第二供给液的流动方向至所述连接位置为止之间的位置设置有过滤器。
在本发明的另一方式中,基板处理装置还具备:第三供给液管路,供第三供给液连续地流动;以及第三浓度测定部,设置于所述第三供给液管路,用以测定所述第三供给液中的所述气体的溶解浓度;所述处理液调整部具备:第三分支管路,一端连接于所述第三供给液管路中比所述第三浓度测定部更靠上游侧的连接位置,另一端连接于所述混合部,且供所述第三供给液流动;以及其他流量调整部,设置于所述第一分支管路至所述第三分支管路中的与所述流量调整部不同的分支管路;所述第一供给液及所述第二供给液为纯水,所述第三供给液为纯水以外的液体;在所述混合部中,通过混合所述第一供给液至所述第三供给液,来生成由纯水稀释后的所述第三供给液作为所述处理液;所述控制部基于所述第一浓度测定部至所述第三浓度测定部的测定值来控制所述流量调整部及所述其他流量调整部,以使所述处理液中的所述气体的溶解浓度成为所述设定值。
本发明亦适用于基板处理装置中的基板处理方法。
上述的目的及其他目的、特征、方式及优点参照附图并通过以下所进行的本发明的详细说明而能明白。
附图说明
图1是显示基板处理装置的俯视图。
图2是显示供给液箱柜(cabinet)、处理液调整部及基板处理部的结构的示意图。
图3A是显示基板处理装置中的基板的处理的流程的示意图。
图3B是显示处理液的生成的处理的流程的示意图。
图4是显示连接于两个基板处理部的两个处理液调整部的结构的示意图。
图5是显示基板处理装置的另一例的示意图。
具体实施方式
图1是显示本发明的一实施方式的基板处理装置1的俯视图。基板处理装置1是对大致圆板状的半导体基板9(以下,简称为“基板9”)供给处理液来处理基板9的装置。
基板处理装置1具备基板处理单元11、分度器(indexer)部12、供给液箱柜4及控制部10。控制部10负责基板处理装置1的整体控制。基板处理单元11具备多个基板处理部3以及搬运室21。多个基板处理部3以包围搬运室21的方式所配置。虽然在图1已图示四个基板处理部3,但是亦可在上下方向(与图1的纸面垂直的方向)层叠多个基板处理部3,来设置更多的基板处理部3。如后面所述,在各个基板处理部3中,将处理液供给至基板9来处理基板9。搬运室21是朝向图1的横向扩展的空间,在搬运室21的中央设置有基板搬运机械手22。基板搬运机械手22进行基板9往各个基板处理部3的搬入、以及基板9从基板处理部3的搬出。
分度器部12配置于朝向横向扩展的搬运室21的一方侧的端部附近。在分度器部12设置有分度器机械手121。在分度器部12的与基板处理单元11的相反侧设置有省略图示的收容盒(cassette)载置部。在收容盒载置部中排列配置有多个收容盒。在各个收容盒收容有层叠成多层的多个基板9。分度器机械手121进行基板9往各收容盒的搬入、以及基板9从收容盒的搬出。另外,分度器机械手121在与基板搬运机械手22之间进行基板9的交接。供给液箱柜4具有第一供给液罐41及第二供给液罐42。第一供给液罐41及第二供给液罐42经由后述的处理液调整部连接于各个基板处理部3。
图2是显示供给液箱柜4、处理液调整部5a、5b及基板处理部3的结构的示意图。基板处理部3是逐张处理基板9的单张式的装置,且具备基板保持部33、上部喷嘴31、下部喷嘴32、杯体34及腔室35。基板保持部33具有将朝向上下方向的中心轴作为中心的圆板状的基底(base)部331。在基底部331的上表面设置有多个卡盘销332。多个卡盘销332配置于将中心轴作为中心的圆周上。在基板保持部33保持基板9时,多个卡盘销32按压于基板9的外周部。由此,基板9能在基底部331以水平姿势保持。基底部331的上表面与基板9的下表面平行,两者空出间隙地相互地相向。
在基底部331的下表面的中央安装有将中心轴作为中心的轴部333。通过省略图示的基板旋转机构旋转轴部333,基板9就能与基板保持部33一起将中心轴作为中心来旋转。基底部331及轴部333为中空状。在基底部331及轴部333的中空部设置有朝向上下方向延伸的下部喷嘴32。如后面所述,下部喷嘴32用的处理液调整部5b连接于下部喷嘴32,且从该处理液调整部5b对下部喷嘴32供给有处理液。该处理液从设置于下部喷嘴32的上端面的中央的吐出口朝向上方吐出。
上部喷嘴31配置于基板9的上方,且朝向上下方向延伸。如后面所述,上部喷嘴31用的处理液调整部5a连接于上部喷嘴31,且从该处理液调整部5a对上部喷嘴31供给有处理液。该处理液从设置于上部喷嘴31的下端面的中央的吐出口朝向下方吐出。杯体34为包围基底部331的周围的大致筒状。在后面所述的基板9的处理中,从旋转的基板9飞散的处理液通过杯体34的内周面所承接并回收。腔室35将基板保持部33、上部喷嘴31、下部喷嘴32及杯体34收容于内部。
如已述那样,供给液箱柜4具有第一供给液罐41及第二供给液罐42。第一供给液罐41贮存第一供给液,第二供给液罐42贮存第二供给液。第一供给液罐41的内部经由大气开放管路411来与外部连接。亦即,第一供给液罐41的内部开放于大气中。第一供给液罐41内的第一供给液,原则上总是暴露于空气中的氧,且在第一供给液中能维持氧的溶解浓度、即溶解氧浓度比较高的状态(大致饱和溶解氧浓度)。例如,第一供给液的溶解氧浓度为9000ppb以上。
在第二供给液罐42连接有氮气管路421。氮气管路421的一端连接于氮气的供给源,另一端配置于第二供给液罐42的第二供给液中。在氮气管路421的该另一端设置有气泡(bubble)产生用的喷嘴。通过氮气的供给源对氮气管路421供给氮气,就会在第二供给液罐42的第二供给液中产生氮气的气泡(起泡),且增大第二供给液中的氮气的浓度。由此,第二供给液中的溶解氧会被除掉,亦即第二供给液中的溶解氧会被除气。氮气的起泡,原则上总是进行,在第二供给液能维持溶解氧浓度比较低的状态。例如,第二供给液的溶解氧浓度,为50ppb以下。再者,在第二供给液罐42中,亦可通过减压等来减低第二供给液的溶解氧浓度。
在本处理例中,第一供给液及第二供给液为相同种类的液体,而两者的溶解氧浓度则有差异。亦即,第二供给液的溶解氧浓度比第一供给液的溶解氧浓度更低。第一供给液及第二供给液,例如是SC1(ammonia/hydrogen peroxide mixture;氨水过氧化氢混合液)、SC2(hydrochloric acid/hydrogen peroxide mixture;盐酸过氧化氢混合液)、SPM(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture;硫酸过氧化氢混合液)、氢氟酸、缓冲氢氟酸(buffered hydrofluoric acid)(氢氟酸与氟化铵(ammonium fluoride)的混合液)等。再者,在第一供给液罐41及第二供给液罐42亦连接有省略图示的供给液补充部,当第一供给液罐41及第二供给液罐42内的供给液变少时,供给液就补充至第一供给液罐41及第二供给液罐42。
在第一供给液罐41连接有与第一供给液罐41一起形成第一循环流路410的第一供给液管路412。亦即,第一供给液管路412的两端连接于第一供给液罐41。在第一供给液管路412设置有泵413。通过驱动泵413,就能从第一供给液罐41使第一供给液取入至第一供给液管路412。第一供给液从第一供给液管路412的一端往另一端连续地流动,且往第一供给液罐41回送。如此,第一供给液循环于第一循环流路410。第一循环流路410中的第一供给液的循环,原则上总是进行。
在第一供给液管路412还设置有过滤器414及第一浓度测定部415。在第一供给液管路412沿着第一供给液的流动方向,亦即从上述一端朝向另一端依顺序地配置有过滤器414及第一浓度测定部415。过滤器414除去第一供给液中所包含的颗粒。过滤器414亦能够除去第一供给液中所包含的微量的金属(金属离子等)。第一浓度测定部415串联(inline)设置于第一供给液管路412,且具有与流动于第一供给液管路412内的第一供给液相接触的接触液体部。第一浓度测定部415测定第一供给液中的溶解氧浓度。第一浓度测定部415的测定值在每隔规定时间输出至控制部10。再者,在第一循环流路410中设置有加热器等,第一供给液的温度亦可被调整(在后述的第二循环流路420中同样)。
与第一供给液罐41的第一供给液管路412同样,在第二供给液罐42亦连接有第二供给液管路422。第二供给液管路422与第二供给液罐42一起形成第二循环流路420。通过驱动设置于第二供给液管路422的泵423,就能从第二供给液罐42使第二供给液取入至第二供给液管路422。第二供给液从第二供给液管路422的一端往另一端连续地流动,且往第二供给液罐42回送。如此,第二供给液循环于第二循环流路420。第二循环流路420中的第二供给液的循环,原则上总是进行。
在第二供给液管路422中,沿着第二供给液的流动方向,亦即从上述一端朝向另一端依顺序地配置有过滤器424及第二浓度测定部425。过滤器424与过滤器414同样地除去第二供给液中所包含的颗粒或微量的金属(金属离子等)。第二浓度测定部425串联设置于第二供给液管路422,且具有与流动于第二供给液管路422内的第二供给液相接触的接触液体部。第二浓度测定部425测定第二供给液中的溶解氧浓度。第二浓度测定部425的测定值在每隔规定时间输出至控制部10。
基板处理装置1还具备上部喷嘴31用的处理液调整部5a、以及下部喷嘴32用的处理液调整部5b。上部喷嘴31用的处理液调整部5a具备第一分支管路51、第二分支管路52、纯水导入管路53、液体回收管路54、排液管路55、喷嘴送液管路56及混合部57。第一分支管路51的一端连接于第一供给液管路412中的过滤器414与第一浓度测定部415之间的连接位置P1a。如已述那样,在第一供给液管路412中,因第一供给液从过滤器414侧朝向第一浓度测定部415流动,故而连接位置P1a是在第一供给液管路412中比第一浓度测定部415更靠上游侧的位置。第一分支管路51的另一端连接于混合部57。流动于第一供给液管路412的第一供给液的一部分流入第一分支管路51且供给至混合部57。在第一分支管路51设置有流量调整部58。流量调整部58具备流量计581及流量调整阀582。在流量调整部58中,基于流量计581的输出值来控制流量调整阀582的开启度,调整流动于第一分支管路51的第一供给液的流量。
第二分支管路52的一端连接于第二供给液管路422中的过滤器424与第二浓度测定部425之间的连接位置P2a。连接位置P2a是在第二供给液管路422中比第二浓度测定部425更靠上游侧的位置。第二分支管路52的另一端连接于混合部57。流动于第二供给液管路422的第二供给液的一部分流入第二分支管路52且供给至混合部57。在第二分支管路52与第一分支管路51同样地设置有流量调整部58。通过流量调整部58就能调整流动于第二分支管路52的第二供给液的流量。纯水导入管路53连接纯水供给部531和混合部57。在纯水导入管路53亦与第一分支管路51同样地设置有流量调整部58,且能调整流动于纯水导入管路53的纯水(DIW:Deionized Water;去离子水)的流量。
液体回收管路54连接混合部57和液体回收部541。排液管路55连接混合部57和排液部551。在排液管路55设置有喷射器(ejector)552。通过驱动喷射器552,混合部57中的后述的混合本体570内部的液体,就能经由排液管路55往排液部551排出。喷嘴送液管路56连接混合部57和上部喷嘴31。
混合部57例如是复合阀装置(混合阀(mixing valve)),且具备混合本体570、和多个开闭阀571~576。混合本体570具有液体混合用的内部空间。上述第一分支管路51、第二分支管路52、纯水导入管路53、液体回收管路54、排液管路55及喷嘴送液管路56分别经由多个开闭阀571~576连接于混合本体570的内部空间。多个开闭阀571~576的开闭通过控制部10控制。混合本体570的内部空间亦可经由其他的开闭阀来连接于其他的结构。
下部喷嘴32用的处理液调整部5b具有与上部喷嘴31用的处理液调整部5a同样的构造。亦即,下部喷嘴32用的处理液调整部5b具备第一分支管路51、第二分支管路52、纯水导入管路53、液体回收管路54、排液管路55、喷嘴送液管路56及混合部57。第一分支管路51的一端连接于第一供给液管路412中的过滤器414与第一浓度测定部415之间的连接位置P1b,另一端连接于混合部57。在第一分支管路51设置有流量调整部58。第二分支管路52的一端连接于第二供给液管路422中的过滤器424与第二浓度测定部425之间的连接位置P2b,另一端连接于混合部57。在第二分支管路52设置有流量调整部58。纯水导入管路53连接纯水供给部531和混合部57。在纯水导入管路53设置有流量调整部58。
液体回收管路54连接混合部57和液体回收部541。排液管路55连接混合部57和排液部551。在排液管路55设置有喷射器552。喷嘴送液管路56连接混合部57和下部喷嘴32。混合部57具备混合本体570、和多个开闭阀571~576。上述第一分支管路51、第二分支管路52、纯水导入管路53、液体回收管路54、排液管路55及喷嘴送液管路56分别经由多个开闭阀571~576连接于混合本体570的内部空间。
图3A是显示基板处理装置1中的基板9的处理的流程的示意图。在以下的说明中着眼于一个基板处理部3来说明基板9的处理。图3A的处理对多个基板9依顺序地重复进行。
在基板处理部3中,通过基板搬运机械手22(参照图1)使基板9搬运至腔室35内部,且通过基板保持部33保持(步骤S11)。基板9通过基板旋转机构以规定的液体处理速度来旋转。此时,在上部喷嘴31用的处理液调整部5a及下部喷嘴32用的处理液调整部5b中,混合部57的全部的开闭阀571~576被闭合。
接着,在各个处理液调整部5a、5b中,混合部57的开闭阀571、572被开启。由此,在混合本体570的内部空间供给有第一供给液及第二供给液,且在该内部空间生成属于第一供给液与第二供给液的混合液的处理液。与处理液的生成并行,在上部喷嘴31用的处理液调整部5a及下部喷嘴32用的处理液调整部5b中,开始溶解浓度调整动作(步骤S12)。
在基板处理装置1中,关于从上部喷嘴31所吐出的处理液,溶解氧(DissolvedOxygen)的所期望的浓度值事先被设定为DO设定值。DO设定值是流动于第一供给液管路412的第一供给液的溶解氧浓度、与流动于第二供给液管路422的第二供给液的溶解氧浓度之间的值。另外,应从上部喷嘴31所吐出的处理液的流量亦事先被设定为流量设定值。就溶解浓度调整动作而言,在上部喷嘴31用的处理液调整部5a中通过控制部10来控制第一分支管路51及第二分支管路52的流量调整部58,以使混合本体570(的内部空间)内部的处理液中的溶解氧浓度成为DO设定值,且使在吐出后述的处理液时从混合本体570所排出的处理液的流量成为流量设定值。
第一分支管路51及第二分支管路52的流量调整部58的控制基于第一浓度测定部415的测定值及第二浓度测定部425的测定值进行。例如,当将第一浓度测定部415的测定值设为C1,将第二浓度测定部425的测定值设为C2,将上部喷嘴31用的DO设定值设为C,将流量设定值设为V时,以流动于第一分支管路51的第一供给液的流量X1、及流动于第二分支管路52的第二供给液的流量X2满足(C1×X1+C2×X2=C×V)的方式,来控制第一分支管路51及第二分支管路52的流量调整部58。
在此,当仅着眼于上部喷嘴31用的处理液的生成时,就如图3B所示,在基板处理装置1中,通过第一浓度测定部415所进行的第一供给液中的溶解氧浓度的测定(步骤S121)、通过第二浓度测定部425所进行的第二供给液中的溶解氧浓度的测定(步骤S122)、通过混合部57中的第一供给液与第二供给液的混合所进行的处理液的生成(步骤S123)、以及基于第一浓度测定部415及第二浓度测定部425的测定值所进行的流量调整部58的控制(步骤S124)相互地并行地重复进行。再者,图3B中虚线的矩形所示的处理(步骤S122a)在后述的图5的基板处理装置1中进行。
同样地,关于从下部喷嘴32所吐出的处理液,溶解氧的所期望的浓度值事先被设定作另一个DO设定值。另外,应从下部喷嘴32所吐出的处理液的流量亦事先被设定为另一个流量设定值。就控制部10而言,在下部喷嘴32用的处理液调整部5b中控制第一分支管路51及第二分支管路52的流量调整部58,以使混合本体570内部的处理液中的溶解氧浓度成为该另一个DO设定值,且使从混合本体570所排出的处理液的流量成为该另一个流量设定值。第一分支管路51及第二分支管路52的流量调整部58的控制基于第一浓度测定部415及第二浓度测定部425的测定值进行。即便是在下部喷嘴32用的处理液的生成中,仍与上部喷嘴31用的处理液的生成同样地进行图3B的处理。
在各个处理液调整部5a、5b中,混合部57的开闭阀574亦被开启。由此,混合本体570内部的处理液能经由液体回收管路54排出至液体回收部541(所谓的预分配(pre-dispensing))。亦即,通过液体回收部541来进行回收混合本体570内部的处理液的处理液回收处理(步骤S13)。在进行处理液回收处理的期间,在上部喷嘴31用的处理液调整部5a中,使混合本体570内部的处理液的溶解氧浓度稳定在上部喷嘴31用的DO设定值附近。另外,在下部喷嘴32用的处理液调整部5b中,使混合本体570内部的处理液的溶解氧浓度稳定在下部喷嘴32用的DO设定值附近。在液体回收部541所回收来的处理液在实施例如过滤处理等之后再利用。
当从处理液回收处理的开始起经过规定时间时,混合部57的开闭阀574就会被闭合,并且开闭阀576会被开启。在上部喷嘴31用的处理液调整部5a中,混合本体570内部的处理液经由喷嘴送液管路56导引至上部喷嘴31,且朝向基板9的上表面的中央部吐出(步骤S14)。由此,溶解氧浓度已调整至上部喷嘴31用的DO设定值后的处理液,就会以上部喷嘴31用的流量设定值的流量连续地供给至基板9的上表面。同样地,在下部喷嘴32用的处理液调整部5b中,混合本体570内部的处理液经由喷嘴送液管路56导引至下部喷嘴32,且朝向基板9的下表面的中央部吐出。由此,溶解氧浓度已调整至下部喷嘴32用的DO设定值后的处理液,就会以下部喷嘴32用的流量设定值的流量连续地供给至基板9的下表面。
处理液通过基板9的旋转而往上表面及下表面的外周部扩展。由此,能对基板9的上表面进行通过上部喷嘴31用的处理液所进行的处理,且对基板9的下表面进行通过下部喷嘴32用的处理液所进行的处理。从基板9的外周缘飞散的处理液用杯体34来承接并回收。由杯体34所回收的处理液亦可再利用。
当从处理液的供给开始起经过规定时间时,在各个处理液调整部5a、5b中,混合部57的开闭阀571、572会被闭合,且停止来自上部喷嘴31及下部喷嘴32的处理液的吐出。另外,停止第一分支管路51及第二分支管路52的流量调整部58的控制,亦即停止溶解浓度调整动作(步骤S15)。
接着,通过将混合部57的开闭阀573开启,纯水就能从纯水供给部531经由纯水导入管路53导入至混合本体570内部。混合本体570内部的纯水经由喷嘴送液管路56导引至上部喷嘴31及下部喷嘴32,且朝向基板9的上表面及下表面的中央部吐出。如此,通过对基板9的上表面及下表面连续地供给纯水,就能对基板9进行冲洗(rinse)处理(步骤S16)。从旋转的基板9的外周缘飞散的纯水用杯体34来承接并回收。
当从纯水的供给开始起经过规定时间时,在各个处理液调整部5a、5b中,混合部57的开闭阀573就会被闭合,且停止来自上部喷嘴31及下部喷嘴32的纯水的吐出。另外,开启开闭阀575,并且开始喷射器552的驱动。由此,混合本体570内部的纯水会被吸入(被回吸(suck back))至排液管路55内,且往排液部551排出。亦即,进行排出混合本体570内部的纯水的纯水排出处理(步骤S17)。通过排除混合本体570内部的纯水,就能抑制在对下一个基板9的处理中纯水和处理液在混合本体570内部混合在一起。在纯水排出处理中,残留于喷嘴送液管路56内部的纯水亦能排除某程度。当从喷射器552的驱动开始起经过规定时间时,开闭阀575、576就会被闭合,并且亦停止喷射器552的驱动。
在基板处理部3中,与纯水排出处理并行进行,使基板9的转速提升至比液体处理速度还大的干燥速度。由此,能进行除去基板9上的纯水的干燥处理(步骤S18)。当从干燥处理的开始起经过规定时间时,基板9的旋转就会停止。在基板处理部3中,亦可另外设置有IPA(isopropyl alcohol;异丙醇)供给部,且在干燥处理之前,基板9上的纯水被置换成IPA。在干燥处理之后,基板9通过基板搬运机械手22从腔室35搬出(步骤S19)。在基板处理部3中,对多个基板9依顺序地重复进行上述步骤S11至步骤S19的处理。
如以上所说明,在基板处理装置1中,在可供第一供给液连续地流动的第一供给液管路412设置有第一浓度测定部415,在可供第二供给液连续地流动的第二供给液管路422设置有第二浓度测定部425。在第一供给液管路412连接有第一分支管路51的一端,在第二供给液管路422连接有第二分支管路52的一端。第一分支管路51及第二分支管路52的另一端连接于混合部57,且通过混合第一供给液和第二供给液来生成处理液。在控制部10中,基于第一浓度测定部415及第二浓度测定部425的测定值来控制第一分支管路51及第二分支管路52的流量调整部58,以使处理液中的溶解氧浓度成为DO设定值。由此,可以将供给至基板9的处理液中的溶解氧浓度高精度地调整至DO设定值。
另外,即便是在流动于第一供给液管路412及第二供给液管路422的第一供给液及第二供给液的溶解氧浓度有变动的情况下,仍可以将处理液响应性良好地(迅速地)调整至DO设定值。在基板处理装置1中,能够轻易地针对每个基板9来变更DO设定值,或在对一个基板9的处理液的供给中变更DO设定值。
可是,有的情况下,在通过浓度测定部后的液体中包含有因浓度测定部的接触液体部等所引起的颗粒或金属离子等,且不佳的是包含因浓度测定部所引起的颗粒等的供给液,会包含在供给至基板的处理液中。相对于此,在基板处理装置1中,在第一供给液管路412中比第一浓度测定部415更靠上游侧的接触位置P1a、P1b连接有第一分支管路51,在第二供给液管路422中比第二浓度测定部425更靠上游侧的连接位置P2a、P2b连接有第二分的管路52。由此,可以防止包含因第一浓度测定部415及第二浓度测定部425所引起的颗粒等的第一供给液及第二供给液,包含在供给至基板9的处理液中,结果,可以防止通过处理液所致的基板9的污染。
另外,在第一循环流路410中,在从第一浓度测定部415沿着第一供给液的流动方向至连接位置P1a、P1b之间的位置设置有过滤器414。另外,在第二循环流路420中,在从第二浓度测定部425沿着第二供给液的流动方向至连接位置P2a、P2b之间的位置设置有过滤器424。由此,能通过过滤器414、424适当地除去通过第一浓度测定部415及第二浓度测定部425后的第一供给液及第二供给液中的颗粒等,且能防止包含在供给至基板9的处理液中。
在此,亦能考虑在各个第一分支管路51、第二分支管路52中设置除去颗粒等的过滤器。然而,在此情况下,对连接于第一供给液管路412及第二供给液管路422的全部的第一分支管路51、第二分支管路52而言就需要过滤器,如此会增大基板处理装置的制造成本。另外,因过滤器需要交换或清洗等,故而即便是在基板处理装置1中的维护的容易性的观点来看,过滤器的个数仍是较少为佳。换言之,在第一供给液管路412及第二供给液管路422设置过滤器414、424的基板处理装置1中,可以削减基板处理装置的制造成本,并且可以提高维护的容易性。
如已述那样,因图3A的处理对多个基板9重复进行,故而在对刚刚之前的基板9的处理中从第一供给液管路412及第二供给液管路422流入的第一供给液及第二供给液,会滞留在第一分支管路51及第二分支管路52中。在所滞留的第一供给液及第二供给液中,有时溶解氧浓度会变化,在此情况下,就无法在刚开启混合部57的开闭阀571、572之后,高精度地调整处理液的溶解氧浓度。在基板处理装置1中,通过对基板9供给处理液之前,进行回收混合本体570内部的处理液的处理液回收处理,就可以防止如此的处理液被利用于基板9的处理中。
另外,基板处理装置1具备:属于互为同样的构造的上部喷嘴31用的处理液调整部5a、以及下部喷嘴32用的处理液调整部5b。在控制部10中控制处理液调整部5a中的第一分支管路51及第二分支管路52的流量调整部58,以使上部喷嘴31用的处理液中的溶解氧浓度成为上部喷嘴31用的DO设定值;另外,控制处理液调整部5b中的第一分支管路51及第二分支管路52的流量调整部58,以使下部喷嘴32用的处理液中的溶解氧浓度成为下部喷嘴32用的DO设定值。然后,通过处理液调整部5a生成的上部喷嘴31用的处理液通过上部喷嘴31朝向基板9的上表面吐出,通过处理液调整部5b所生成的下部喷嘴32用的处理液通过下部喷嘴32朝向基板9的下表面吐出。由此,可以对基板9的双面分别赋予溶解氧浓度已分别单独高精度地调整后的上部喷嘴31用的处理液及下部喷嘴32用的处理液,且可以适当地处理基板9的双面。另外,通过两个处理液调整部5a、5b具有同样的构造,就可容易进行基板处理装置1的设计。
在上述中,虽然已针对着眼于一个基板处理部3的基板9的处理加以说明,但是在基板处理装置1中,亦能设置另一个基板处理部用的处理液调整部。图4是显示供给液箱柜4、处理液调整部5a、5c及两个基板处理部3、3A的结构的示意图。供给液箱柜4、处理液调整部5a及连接有处理液调整部5a的基板处理部3与图2的供给液箱柜4、处理液调整部5a及基板处理部3相同。
另一个基板处理部3A具有与基板处理部3同样的构造。亦即,基板处理部3A具备与基板处理部3的上部喷嘴31、下部喷嘴32、基板保持部33、杯体34及腔室35同样构造的上部喷嘴31、下部喷嘴32、基板保持部33、杯体34及腔室35。基板处理部3A例如是被使用于与在基板处理部3所处理的基板9不同的另一个基板9的处理。在基板处理部3A的上部喷嘴31连接有处理液调整部5c,在下部喷嘴32连接有省略图示的处理液调整部。在以下的说明中,虽然是着眼于基板处理部3、3A的上部喷嘴31用的处理液调整部5a、5c,但是下部喷嘴32用的处理液调整部亦为同样。
基板处理部3A用的处理液调整部5c具有与基板处理部3用的处理液调整部5a同样的构造。亦即,处理液调整部5c具备第一分支管路51、第二分支管路52、纯水导入管路53、液体回收管路54、排液管路55、喷嘴送液管路56及混合部57。第一分支管路51的一端连接于第一供给液管路412中的过滤器414与第一浓度测定部415之间的连接位置P1c,另一端连接于混合部57。在第一分支管路51设置有流量调整部58。第二分支管路52的一端连接于第二供给液管路422中的过滤器424与第二浓度测定部425之间的连接位置P2c,另一端连接于混合部57。在第二分支管路52设置有流量调整部58。纯水导入管路53连接纯水供给部531和混合部57。在纯水导入管路53设置有流量调整部58。
液体回收管路54连接混合部57和液体回收部541。排液管路55连接混合部57和排液部551。在排液管路55设置有喷射器552。喷嘴送液管路56连接混合部57和基板处理部3A的上部喷嘴31。混合部57具备混合本体570、和多个开闭阀571~576。上述第一分支管路51、第二分支管路52、纯水导入管路53、液体回收管路54、排液管路55及喷嘴送液管路56分别经由多个开闭阀571~576连接于混合本体570的内部空间。与基板处理部3用的处理液调整部5a同样,在基板处理部3A用的处理液调整部5c中,通过在混合部57中混合第一供给液和第二供给液,来生成基板处理部3A用的处理液。
在基板处理装置1的控制部10中,控制处理液调整部5a中的第一分支管路51及第二分支管路52的流量调整部58,以使基板处理部3用的处理液中的溶解氧浓度成为基板处理部3用的DO设定值。实际上,从混合本体570所排出的处理液的流量亦与流量设定值一致(在处理液调整部5c中同样);另外,控制处理液调整部5c中的第一分支管路51及第二分支管路52的流量调整部58,以使基板处理部3A用的处理液中的溶解氧浓度成为基板处理部3A用的DO设定值。然后,通过处理液调整部5a所生成的处理液在基板处理部3中供给至基板9,通过处理液调整部5c所生成的处理液在基板处理部3A中供给至基板9。由此可以对不同的基板分别赋予溶解氧浓度分别单独高精度地调整后的基板处理部3用的处理液及基板处理部3A用的处理液,且可以适当地处理这些基板9。另外,通过两个处理液调整部5a、5c具有同样的构造,就可容易进行基板处理装置1的设计。再者,关于在基板处理部3中供给至基板9的处理液的生成、以及在基板处理部3A中供给至基板9的处理液的生成,亦进行图3B的处理。
图5是显示基板处理装置1的另一例的示意图,且显示供给液箱柜6、处理液调整部7a、7b及基板处理部3的结构。在图5的基板处理装置1中,供给液箱柜6及处理液调整部7a、7b的结构与图2的供给液箱柜4及处理液调整部5a、5b不同。其他的结构与图2同样,且对相同的结构标注相同的附图标记。
供给液箱柜6具有第三供给液罐63。第三供给液罐63贮存第三供给液。第三供给液是纯水以外的液体,例如是药液。在第三供给液罐63设置有与图2的第二供给液罐42同样的结构。具体而言,在第三供给液罐63连接有氮气管路631。通过氮气的起泡,就能除掉第三供给液中的溶解氧,亦即,能使第三供给液中的溶解氧除气。氮气的起泡原则上总是进行,在第三供给液中能维持溶解氧浓度比较低的状态。例如,第三供给液的溶解氧浓度,为50ppb以下。
在第三供给液罐63连接有第三供给液管路632。第三供给液管路632与第三供给液罐63一起形成循环流路630。通过驱动设置于第三供给液管路632的泵633,就能从第三供给液罐63使第三供给液取入至第三供给液管路632。第三供给液从第三供给液管路632的一端往另一端连续地流动,且往第三供给液罐63回送。如此,第三供给液循环于第三循环流路630。第三循环流路630中的第三供给液的循环,原则上总是进行。另外,在第三供给液管路632中沿着第三供给液的流动方向依顺序地配置有过滤器634及第三浓度测定部635。过滤器634除去第三供给液中所包含的颗粒或微量的金属(金属离子等)。第三浓度测定部635串联设置于第三供给液管路632,用以测定第三供给液中的溶解氧浓度。
供给液箱柜6还具备第一供给液管路612、和第二供给液管路622。第一供给液管路612连接于外部的未除气纯水供给部81,第二供给液管路622连接于外部的除气完成纯水供给部82。未除气纯水供给部81及除气完成纯水供给部82,例如是设置于可供基板处理装置1设置的工厂的设备。未除气纯水供给部81使纯水(以下,称为“未除气纯水”)连续地流动至设置于工厂内的循环管路,以便能够将所生成的纯水在保持原样的状态下供给至工厂内的各个装置。第一供给液管路612从未除气纯水的循环管路取入未除气纯水,且经由省略图示的过滤器等往未除气纯水的循环管路回送。在基板处理装置1处理基板9时,在第一供给液管路612中,未除气纯水连续地流动。再者,在第一供给液管路612中,从未除气纯水的循环管路所取入的未除气纯水可以不回送至该循环管路,而废弃(第二供给液管路622中同样)。
除气完成纯水供给部82利用氮气的起泡或减压模块(module)等来进行纯水的除气,且使除气完成纯水连续地流动至设置于工厂内的循环管路,而能使除气完成纯水供给至工厂内的各装置中。第二供给液管路622从除气完成纯水的循环管路取入除气完成纯水,且经由省略图示的过滤器等往除气完成纯水的循环管路回送。在基板处理装置1处理基板9时,在第二供给液管路622中,除气完成纯水连续地流动。在以下的说明中,将流动于第一供给液管路612的未除气纯水称为“第一供给液”,将流动于第二供给液管路622的除气完成纯水称为“第二供给液”。
在第一供给液管路612串联设置有第一浓度测定部615。第一浓度测定部615测定第一供给液中的溶解氧浓度。在第二供给液管路622串联设置有第二浓度测定部625。第二浓度测定部625测定第二供给液中的溶解氧浓度。如已述那样,第二供给液为除气完成纯水,第一供给液为未除气纯水,第二供给液的溶解氧浓度比第一供给液的溶解氧浓度更低。
上部喷嘴31用的处理液调整部7a具备第一分支管路71、第二分支管路72、第三分支管路73、液体回收管路74、排液管路75、喷嘴送液管路76及混合部77。第一分支管路71的一端连接于在第一供给液管路612中比第一浓度测定部615更靠上游侧的连接位置。连接位置是在到达第一浓度测定部615之前第一供给液所通过的位置。第一分支管路71的另一端连接于混合部77。流动于第一供给液管路612的第一供给液的一部分流入第一分支管路71且供给至混合部77。在第一分支管路71设置有流量调整部78。流量调整部78与图2的流量调整部58同样的结构。能通过流量调整部78来调整流动于第一分支管路71的第一供给液的流量。
第二分支管路72的一端连接于在第二供给液管路622中比第二浓度测定部625更靠上游侧的连接位置。第二分支管路72的另一端连接于混合部77。流动于第二供给液管路622的第二供给液的一部分流入第二分支管路72且供给至混合部77。在第二分支管路72设置有流量调整部78,且能调整流动于第二分支管路72的第二供给液的流量。
第三分支管路73的一端连接于第三供给液管路632中的过滤器634与第三浓度测定部635之间的连接位置。连接位置是在第三供给液管路632中比第三浓度测定部635更靠上游侧的位置。第三分支管路73的另一端连接于混合部77。流动于第三供给液管路632的第三供给液的一部分流入第三分支管路73且供给至混合部77。在第三分支管路73设置有流量调整部78。通过流量调整部78,就能调整流动于第三分支管路73的第三供给液的流量。液体回收管路74、排液管路75及喷嘴送液管路76与图2的液体回收管路54、排液管路55及喷嘴送液管路56相同。
混合部77与图2的混合部57同样地具备混合本体770、和多个开闭阀771~776。上述第一分支管路71、第二分支管路72、第三分支管路73、液体回收管路74、排液管路75及喷嘴送液管路76分别经由多个开闭阀771~776连接于混合本体770的内部空间。通过第一供给液至第三供给液在混合部77中混合,就能生成由纯水所稀释后的第三供给液作为处理液。下部喷嘴32用的处理液调整部7b具有与上部喷嘴31用的处理液调整部7a同样的构造。
在基板处理装置1中,对通过各个处理液调整部7a、7b所生成的处理液,事先设定所期望的溶解氧浓度的值、以及第三供给液(药液)的稀释率的值,作为DO设定值及稀释率设定值。在控制部10中,控制该处理液调整部7a、7b中的第一分支管路71至第三分支管路73的流量调整部78,以使该处理液中的溶解氧浓度成为DO设定值,且使处理液中的第三供给液的稀释率成为稀释率设定值。第一分支管路71至第三分支管路73的流量调整部78的控制,基于第一浓度测定部615至第三浓度测定部635的测定值进行。然后,通过处理液调整部7a、7b所生成的处理液在基板处理部3中分别供给至基板9的上表面及下表面。实际上,处理液的流量亦与所期望的流量设定值一致。
当仅着眼于处理液的生成时,在图5的基板处理装置1中,通过第一浓度测定部615所进行的第一供给液中的溶解氧浓度的测定(图3B:步骤S121)、通过第二浓度测定部625所进行的第二供给液中的溶解氧浓度的测定(步骤S122)、通过第三浓度测定部635所进行的第三供给液中的溶解氧浓度的测定(步骤S122a)、通过混合部77中的第一供给液至第三供给液的混合所进行的处理液的生成(步骤S123)、以及基于第一浓度测定部615至第三浓度测定部635的测定值所进行的流量调整部78的控制(步骤S124)相互地并行地重复进行。
如以上,在图5的基板处理装置1中,能基于第一浓度测定部615至第三浓度测定部635的测定值来控制第一分支管路71至第三分支管路73的流量调整部78。由此,可以一边用纯水将第三供给液高精度地稀释至稀释率设定值,一边将处理液中的溶解氧浓度高精度地调整至DO设定值。另外,虽然流动于工厂内的循环管路的除气完成纯水及未除气纯水的溶解氧浓度有时会不稳定,且大幅地变动,但是即便是在如此的情况下,仍可以高精度地调整供给至基板9的处理液的溶解氧浓度及稀释率。
在基板处理装置1中,在第一供给液管路612中比第一浓度测定部615更靠上游侧的连接位置连接有第一分支管路71,在第二供给液管路622中比第二浓度测定部625更靠上游侧的连接位置连接有第二分支管路72。进而,在第三供给液管路632中比第三浓度测定部635更靠上游侧的连接位置连接有第三分支管路73。由此,可以防止包含因第一浓度测定部615至第三浓度测定部635所引起的颗粒等的第一供给液至第三供给液,包含在供给至基板9的处理液中,可以防止基板9的污染。
在上述基板处理装置1中能够进行各种的变化。
在图2及图4所示的处理液调整部5a至处理液调整部5c中,亦可省略第一分支管路51及第二分支管路52中的一方的分支管路中的流量调整部58。在此情况下,亦可以根据该一方的分支管路中的供给液的流量,来控制另一方的分支管路中的流量调整部58,由此将处理液中的溶解氧浓度高精度地调整至设定值。如此,在处理液调整部5a至处理液调整部5c中,只要流量调整部58设置于第一分支管路51或第二分支管路52即可。
同样地,在图5所示的处理液调整部7a、7b中,亦可省略第一分支管路71至第三分支管路73中的一方的分支管路中的流量调整部78。在此情况下,亦可以根据该一方的分支管路中的供给液的流量,来控制其余的分支管路中的流量调整部78,由此将处理液中的溶解氧浓度高精度地调整至设定值。如此,在处理液调整部7a至7c中,只要流量调整部78设置于第一分支管路71或第二分支管路72,进而在第一分支管路71至第三分支管路73中的与该流量调整部78不同的分支管路设置有另一个流量调整部78即可。
另一方面,在图2及图4的处理液调整部5a至处理液调整部5c中,高精度地调整供给至基板9的处理液的流量的观点上,较佳是在第一分支管路51及第二分支管路52的双方设置有流量调整部58。同样地,在图5的处理液调整部7a、7b中,高精度地调整供给至基板9的处理液的流量的观点上,较佳是在第一分支管路71至第三分支管路73的全部设置有流量调整部78。
图2及图4所示的处理液调整部5a至处理液调整部5c,亦可与图5所示的供给液箱柜6组合在一起。例如,对已连接于未除气纯水供给部81的第一供给液管路612连接有第一分支管路51,对已连接于除气完成纯水供给部82的第二供给液管路622连接有第二分支管路52。由此,生成高精度地调整溶解氧浓度后的纯水作为处理液。另外,图5的供给液箱柜6中的第一供给液管路612及第二供给液管路622,亦可与图2的供给液箱柜4中的第一供给液管路412及第二供给液管路422同样地连接于第一供给液罐及第二供给液罐。在此情况下,在第一供给液罐及第二供给液罐中贮存有纯水。在具有各个供给液的供给液罐的基板处理装置1中可以将大量的处理液稳定地供给至基板9。
在上述实施方式中,虽然是通过处理液调整部5a至处理液调整部5c、7a、7b来调整处理液中的溶解氧浓度,但是亦可调整处理液中的其他种类的气体的溶解浓度。在此情况下,亦与上述处理例同样,流动于两个供给液管路中的一方的供给液管路的供给液的该气体的溶解浓度,设为比流动于另一方的供给液管路的供给液的该气体的溶解浓度更低。另外,在该两个供给液管路的各个供给液管路设置有测定供给液中的该气体的溶解浓度的浓度测定部。然后,在经由分别连接于该两个供给液管路的两个分支管路混合供给液时,设置于该两个分支管路的流量调整部基于两个浓度测定部的测定值控制。由此,能够将属于供给液的混合液的处理液中的该气体的溶解浓度高精度地调整至设定值。
在基板处理装置的基板处理部中,亦可通过将基板浸渍于处理槽内部的处理液中来处理基板。在此情况下,亦可以通过将在处理液调整部5a至处理液调整部5c、7a、7b的混合部57、77所生成的处理液(溶解氧浓度经调整后的处理液),供给至处理槽内,来适当地处理基板9。另一方面,在具有处理槽的基板处理装置中,因通常处理槽内部的处理液会暴露于空气中,故而要将处理槽内部的处理液的溶解氧浓度维持为恒定并非易事。另外,要迅速地变更处理槽内部的处理液的溶解氧浓度亦是困难的。从而,在通过溶解氧浓度已高精度地调整至设定值后的处理液来适当地处理基板9,或通过不同的溶解氧浓度的处理液来依顺序地处理多个基板9的情况下,较佳是从已连接于处理液调整部5a至处理液调整部5c、7a、7b的喷嘴朝向基板9吐出处理液。
在第一供给液与第二供给液的混合率未成为问题的情况下,第一供给液和第二供给液亦可为不同种类的液体。
在基板处理装置1中所处理的基板并未被限定于半导体基板,亦可为玻璃基板或其他的基板。
上述实施方式及各变化例中的结构,只要不会彼此矛盾亦可适当地组合在一起。
虽然已详细描写并说明发明,但是已述的说明是例示而非为限定。从而,可谓只要在未脱离本发明的范围内,仍能够实现多种变化或方式。
【附图标记的说明】
1基板处理装置
3、3A基板处理部
5a~5c、7a、7b处理液调整部
9基板
10控制部
31上部喷嘴
32下部喷嘴
33基板保持部
41第一供给液罐
42第二供给液罐
51、71第一分支管路
52、72第二分支管路
57、77混合部
58、78流量调整部
73第三分支管路
410第一循环流路
412、612第一供给液管路
414、424、634过滤器
415、615第一浓度测定部
420第二循环流路
422、622第二供给液管路
425、625第二浓度测定部
632第三供给液管路
635第三浓度测定部
P1a~P1c、P2a~P2c连接位置
S11~S19、S121~S124、S122a步骤

Claims (15)

1.一种基板处理装置,通过处理液来处理基板,具备:
第一供给液管路,形成第一循环流路,供第一供给液连续地流动;
第一浓度测定部,设置于所述第一供给液管路,用以测定所述第一供给液中的规定的气体的溶解浓度;
第一过滤器,设置于所述第一循环流路的所述第一供给液管路;
第二供给液管路,形成第二循环流路,供所述气体的溶解浓度比所述第一供给液低的第二供给液连续地流动;
第二浓度测定部,设置于所述第二供给液管路,用以测定所述第二供给液中的所述气体的溶解浓度;
第二过滤器,设置于所述第二循环流路的所述第二供给液管路;
处理液调整部,混合所述第一供给液和所述第二供给液,以生成所述气体的溶解浓度经调整后的处理液;
基板处理部,将所述处理液供给至基板来处理所述基板;以及
控制部,
所述处理液调整部具备:
第一分支管路,一端连接于所述第一供给液管路,从所述第一循环流路分支,供所述第一供给液流动;
第二分支管路,一端连接于所述第二供给液管路,从所述第二循环流路分支,供所述第二供给液流动;
流量调整部,设置于所述第一分支管路或所述第二分支管路;以及
混合部,供所述第一分支管路的另一端、及所述第二分支管路的另一端连接,且通过混合所述第一供给液和所述第二供给液来生成所述处理液;
所述控制部基于所述第一浓度测定部的测定值及所述第二浓度测定部的测定值来控制所述流量调整部,以使所述处理液中的所述气体的溶解浓度成为设定值。
2.如权利要求1所述的基板处理装置,其中,
在所述第一循环流路中,在从所述第一浓度测定部沿着所述第一供给液流动方向至连接所述第一分支管路的所述一端的连接位置为止之间的位置设置有所述第一过滤器,
在所述第二循环流路中,在从所述第二浓度测定部沿着所述第二供给液流动方向至连接所述第二分支管路的所述一端的连接位置为止之间的位置设置有所述第二过滤器。
3.如权利要求1所述的基板处理装置,其中,还具备:
第一供给液罐,贮存所述第一供给液,且所述第一供给液暴露于所述气体中;以及
第二供给液罐,贮存所述第二供给液,且从所述第二供给液中除掉所述气体,
所述第一供给液管路通过从所述第一供给液罐取入所述第一供给液并往所述第一供给液罐回送,来与所述第一供给液罐一起形成所述第一循环流路;
所述第二供给液管路通过从所述第二供给液罐取入所述第二供给液并往所述第二供给液罐回送,来与所述第二供给液罐一起形成所述第二循环流路。
4.如权利要求1所述的基板处理装置,其中,
所述处理液调整部还具备另一个流量调整部;
所述流量调整部调整流动于所述第一分支管路的所述第一供给液的流量;
所述另一个流量调整部调整流动于所述第二分支管路的所述第二供给液的流量。
5.如权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置,其中,
所述基板处理部具备:
基板保持部,将基板保持为水平姿势;以及
喷嘴,朝向所述基板吐出所述处理液。
6.如权利要求5所述的基板处理装置,其中,
所述基板处理部还具备另一个喷嘴,
所述基板处理装置还具备:所述另一个喷嘴用的处理液调整部,混合所述第一供给液和所述第二供给液以生成所述另一个喷嘴用的处理液;
所述另一个喷嘴用的所述处理液调整部具备与所述第一分支管路、所述第二分支管路、所述流量调整部及所述混合部同样构造的第一分支管路、第二分支管路、流量调整部及混合部;
所述控制部控制所述另一个喷嘴用的所述处理液调整部的所述流量调整部,以使所述另一个喷嘴用的所述处理液中的所述气体的溶解浓度成为所述另一个喷嘴用的设定值;
所述喷嘴将通过所述处理液调整部生成的所述处理液朝向所述基板的一主面吐出;
所述另一个喷嘴将所述另一个喷嘴用的所述处理液朝向所述基板的另一主面吐出。
7.如权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置,其中,还具备:
另一个基板处理部,处理另一个基板;以及
所述另一个基板处理部用的处理液调整部,混合所述第一供给液和所述第二供给液以生成所述另一个基板处理部用的处理液,
所述另一个基板处理部用的所述处理液调整部具备与所述第一分支管路、所述第二分支管路、所述流量调整部及所述混合部同样构造的第一分支管路、第二分支管路、流量调整部及混合部;
所述控制部控制所述另一个基板处理部用的所述处理液调整部的所述流量调整部,以使所述另一个基板处理部用的所述处理液中的所述气体的溶解浓度成为所述另一个基板处理部用的设定值。
8.如权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置,其中,还具备:
第三供给液管路,供第三供给液连续地流动;以及
第三浓度测定部,设置于所述第三供给液管路,用以测定所述第三供给液中的所述气体的溶解浓度,
所述处理液调整部还具备:
第三分支管路,一端连接于所述第三供给液管路中比所述第三浓度测定部更靠上游侧的连接位置,另一端连接于所述混合部,且供所述第三供给液流动;以及
其他流量调整部,设置于所述第一分支管路至所述第三分支管路中的与所述流量调整部不同的分支管路;
所述第一供给液及所述第二供给液为纯水,所述第三供给液为纯水以外的液体;
在所述混合部中,通过混合所述第一供给液至所述第三供给液,来生成由纯水所稀释后的所述第三供给液作为所述处理液;
所述控制部基于所述第一浓度测定部至所述第三浓度测定部的测定值来控制所述流量调整部及所述其他流量调整部,以使所述处理液中的所述气体的溶解浓度成为所述设定值。
9.一种基板处理方法,其为基板处理装置中的基板处理方法,
所述基板处理装置具备:
第一供给液管路,形成第一循环流路,供第一供给液连续地流动;
第一浓度测定部,设置于所述第一供给液管路;
第一过滤器,设置于所述第一循环流路的所述第一供给液管路;
第二供给液管路,形成第二循环流路,供规定的气体的溶解浓度比所述第一供给液低的第二供给液连续地流动;
第二浓度测定部,设置于所述第二供给液管路;
第二过滤器,设置于所述第二循环流路的所述第二供给液管路;
处理液调整部,用以生成所述气体的溶解浓度经调整后的处理液;以及
基板处理部,将所述处理液供给至基板来处理所述基板,
所述处理液调整部具备:
第一分支管路,一端连接于所述第一供给液管路,从所述第一循环流路分支,供所述第一供给液流动;
第二分支管路,一端连接于所述第二供给液管路,从所述第二循环流路分支,供所述第二供给液流动;
流量调整部,设置于所述第一分支管路或所述第二分支管路;以及
混合部,供所述第一分支管路的另一端、及所述第二分支管路的另一端连接,
所述基板处理方法具备:
工序a),通过所述第一浓度测定部来测定所述第一供给液中的所述气体的溶解浓度;
工序b),通过所述第二浓度测定部来测定所述第二供给液中的所述气体的溶解浓度;
工序c),在所述混合部中,通过混合所述第一供给液和所述第二供给液来生成所述处理液;
工序d),与所述c)工序并行,基于所述第一浓度测定部的测定值及所述第二浓度测定部的测定值来控制所述流量调整部,以使所述处理液中的所述气体的溶解浓度成为设定值;以及
工序e),在所述基板处理部中将所述处理液供给至所述基板。
10.如权利要求9所述的基板处理方法,其中,
在所述第一循环流路中,在从所述第一浓度测定部沿着所述第一供给液流动方向至连接所述第一分支管路的所述一端的连接位置为止之间的位置设置有所述第一过滤器,
在所述第二循环流路中,在从所述第二浓度测定部沿着所述第二供给液流动方向至连接所述第二分支管路的所述一端的连接位置为止之间的位置设置有所述第二过滤器。
11.如权利要求9所述的基板处理方法,其中,
所述处理液调整部还具备另一个流量调整部;
在所述工序d)中,通过所述流量调整部来调整流动于所述第一分支管路的所述第一供给液的流量,且通过所述另一个流量调整部来调整流动于所述第二分支管路的所述第二供给液的流量。
12.如权利要求9至11中任一项所述的基板处理方法,其中,
所述基板处理部具备:
基板保持部,将所述基板保持为水平姿势;以及
喷嘴,朝向所述基板吐出所述处理液。
13.如权利要求12所述的基板处理方法,其中,
所述基板处理部还具备另一个喷嘴;
所述基板处理装置还具备:所述另一个喷嘴用的处理液调整部,混合所述第一供给液和所述第二供给液以生成所述另一个喷嘴用的处理液;
所述另一个喷嘴用的所述处理液调整部具备与所述第一分支管路、所述第二分支管路、所述流量调整部及所述混合部同样构造的第一分支管路、第二分支管路、流量调整部及混合部;
在所述另一个喷嘴用的所述处理液调整部中进行与所述工序c)及工序d)同样的处理;
在所述另一个喷嘴用的所述处理液调整部中的所述工序d)中,控制所述另一个喷嘴用的所述处理液调整部的所述流量调整部,以使所述另一个喷嘴用的所述处理液中的所述气体的溶解浓度成为所述另一个喷嘴用的设定值;
从所述喷嘴使通过所述处理液调整部生成的所述处理液朝向所述基板的一主面吐出;
从所述另一个喷嘴使所述另一个喷嘴用的所述处理液朝向所述基板的另一主面吐出。
14.如权利要求9至11中任一项所述的基板处理方法,其中,
所述基板处理装置还具备:
另一个基板处理部,处理另一个基板;以及
所述另一个基板处理部用的处理液调整部,混合所述第一供给液和所述第二供给液以生成所述另一个基板处理部用的处理液;
所述另一个基板处理部用的所述处理液调整部具备与所述第一分支管路、所述第二分支管路、所述流量调整部及所述混合部同样构造的第一分支管路、第二分支管路、流量调整部及混合部;
在所述另一个基板处理部用的所述处理液调整部中进行与所述工序c)及工序d)同样的处理;
在所述另一个基板处理部用的所述处理液调整部中的所述工序d)中,控制所述另一个基板处理部用的所述处理液调整部的所述流量调整部,以使所述另一个基板处理部用的所述处理液中的所述气体的溶解浓度成为所述另一个基板处理部用的设定值。
15.如权利要求9至11中任一项所述的基板处理方法,其中,所述基板处理装置还具备:
第三供给液管路,供第三供给液连续地流动;以及
第三浓度测定部,设置于所述第三供给液管路;
所述处理液调整部还具备:
第三分支管路,一端连接于所述第三供给液管路中比所述第三浓度测定部更靠上游侧的连接位置,另一端连接于所述混合部,且供所述第三供给液流动;以及
其他流量调整部,设置于所述第一分支管路至所述第三分支管路中的与所述流量调整部不同的分支管路;
所述第一供给液及所述第二供给液为纯水,所述第三供给液为纯水以外的液体;
所述基板处理方法还具备通过所述第三浓度测定部来测定所述第三供给液中的所述气体的溶解浓度的工序;
在所述工序c)中,在所述混合部,通过混合所述第一供给液至所述第三供给液,来生成由纯水稀释后的所述第三供给液作为所述处理液;
在所述工序d)中,基于所述第一浓度测定部至所述第三浓度测定部的测定值来控制所述流量调整部及所述其他流量调整部,以使所述处理液中的所述气体的溶解浓度成为所述设定值。
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110520965B (zh) * 2017-04-06 2023-06-02 东京毅力科创株式会社 供液装置和供液方法
JP7220537B2 (ja) 2018-09-20 2023-02-10 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP7170511B2 (ja) * 2018-11-16 2022-11-14 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP7190892B2 (ja) * 2018-12-12 2022-12-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および処理液濃縮方法
JP6851515B2 (ja) * 2019-03-15 2021-03-31 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP7202230B2 (ja) * 2019-03-20 2023-01-11 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP7264729B2 (ja) * 2019-05-31 2023-04-25 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP2021048336A (ja) * 2019-09-20 2021-03-25 三菱電機株式会社 処理液生成方法、処理液生成機構、半導体製造装置及び半導体製造方法
KR102319966B1 (ko) * 2019-12-31 2021-11-02 세메스 주식회사 액 공급 유닛, 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법
KR102206711B1 (ko) * 2020-11-05 2021-01-25 김흥구 도펀트 가스 혼합 시스템
CN117836911A (zh) * 2021-08-27 2024-04-05 东京毅力科创株式会社 基板处理方法和基板处理系统
TWI804275B (zh) * 2022-04-14 2023-06-01 欣興電子股份有限公司 蝕刻裝置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09232273A (ja) 1996-02-28 1997-09-05 Sumitomo Sitix Corp 半導体ウエーハの洗浄方法及び洗浄装置
JP3801446B2 (ja) 2001-01-15 2006-07-26 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4891492B2 (ja) 2001-05-31 2012-03-07 株式会社ディスコ エッチングシステム
KR100863782B1 (ko) 2002-03-08 2008-10-16 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판처리방법
JP2003332322A (ja) 2002-03-08 2003-11-21 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP4472234B2 (ja) * 2002-06-12 2010-06-02 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および不活性ガス濃度制御方法
JP4368188B2 (ja) 2003-12-09 2009-11-18 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US20050271985A1 (en) 2004-06-07 2005-12-08 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Method, apparatus and system for rinsing substrate with pH-adjusted rinse solution
JP4553781B2 (ja) 2004-06-07 2010-09-29 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法、基板処理装置および基板処理システム
JP6300139B2 (ja) 2012-05-15 2018-03-28 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法および基板処理システム
JP5955766B2 (ja) 2012-12-28 2016-07-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US11004674B2 (en) 2013-09-25 2021-05-11 Organo Corporation Substrate treatment method and substrate treatment equipment
CN106104762B (zh) * 2014-03-10 2018-12-11 株式会社斯库林集团 基板处理系统以及管道清洗方法
TW201600183A (zh) 2014-06-16 2016-01-01 Kurita Water Ind Ltd 元件用Ge基板之洗淨方法,洗淨水供給裝置及洗淨裝置
JP6325919B2 (ja) 2014-07-02 2018-05-16 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
US9460944B2 (en) 2014-07-02 2016-10-04 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate treating apparatus and method of treating substrate

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