CN117157276A - 化合物、有机电致发光元件用材料、有机电致发光元件和电子设备 - Google Patents

化合物、有机电致发光元件用材料、有机电致发光元件和电子设备 Download PDF

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CN117157276A CN202280028880.6A CN202280028880A CN117157276A CN 117157276 A CN117157276 A CN 117157276A CN 202280028880 A CN202280028880 A CN 202280028880A CN 117157276 A CN117157276 A CN 117157276A
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高桥佑典
池田洁
田中将太
深见拓人
泽藤司
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Idemitsu Kosan Co Ltd
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Abstract

提供进一步改善有机EL元件的性能的化合物和有机电致发光元件用材料、元件性能得到进一步改善的有机电致发光元件、以及包含这样的有机电致发光元件的电子设备，提供下述式(1)所示的化合物、包含该化合物的有机电致发光元件用材料、包含该化合物的有机电致发光元件、以及包含这样的有机电致发光元件的电子设备。式中的各符号与说明书中的定义相同。

Description

化合物、有机电致发光元件用材料、有机电致发光元件和电子 设备
技术领域
本发明涉及化合物、有机电致发光元件用材料、有机电致发光元件和包含该有机电致发光元件的电子设备。
背景技术
一般而言，有机电致发光元件(以下有时也记为“有机EL元件”)由阳极、阴极、以及夹在阳极与阴极之间的有机层构成。若在两电极间施加电压，则将电子从阴极侧注入发光区域、将空穴从阳极侧注入发光区域，所注入的电子与空穴在发光区域中发生复合而生成激发态，激发态恢复到基态时放出光。因此，开发高效地将电子或空穴传输至发光区域并使电子与空穴容易复合的材料在得到高性能有机EL元件方面是重要的。
专利文献1～9中公开了用作有机电致发光元件用材料的化合物。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2017-22194号公报
专利文献2：韩国公报10-2020-0043850公报
专利文献3：韩国公报10-2018-0124735公报
专利文献4：国际公开第2019/050153号
专利文献5：日本特开2018-65806号公报
专利文献6：韩国公报10-2016-0035971公报
专利文献7：国际公开第2020/175948号
专利文献8：国际公开第2020/149609号
专利文献9：韩国公报10-1854886公报
发明内容
发明要解决的问题
以往，已经报道了大量有机EL元件用的化合物，但是依然寻求进一步使有机EL元件的性能提高的化合物。
本发明是为了解决上述的课题而作出的，目的在于提供进一步改善有机EL元件的性能的化合物和有机电致发光元件用材料、元件性能得到进一步改善的有机EL元件、以及包含这样的有机EL元件的电子设备。
用于解决问题的手段
本发明人等对于包含新型化合物的有机EL元件的性能反复进行深入研究，结果发现，包含下述式(1)、下述式(2)或下述式(3)所示的化合物的有机EL元件性能得到进一步的改善。
在一个方案中，本发明提供下述式(1)所示的化合物。
[化学式1]
式(1)中，
N*为中心氮原子。
选自R1A～R5A中的1个为与*a1键合的单键。
选自R1B～R5B中的1个为与*b1键合的单键。
选自R11A～R15A中的1个为与*a2键合的单键。
选自R11B～R15B中的1个为与*b2键合的单键。
选自R21A～R25A中的1个为与*a3键合的单键。
选自R21B～R25B中的1个为与*b3键合的单键。
并非上述单键的R1A～R5A、并非上述单键的R1B～R5B、并非上述单键的R11A～R15A、并非上述单键的R11B～R15B、并非上述单键的R21A～R25A、和并非上述单键的R21B～R25B各自独立地为氢原子、未取代的碳数1～6的烷基、或者未取代的苯基。
在并非上述单键的R1A～R5A、并非上述单键的R1B～R5B、并非上述单键的R11A～R15A、并非上述单键的R11B～R15B、并非上述单键的R21A～R25A、以及并非上述单键的R21B～R25B每个分组中，由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成取代或未取代的成环原子数3以上且6以下的单环、或者不相互键合而不形成环。
m1为0或1，
n1为0或1，
m1≥n1。其中，
在m1和n1为0时，*b1与中心氮原子N*键合，
在m1为1且n1为0时，选自R1A～R5A中的1个为与*b1键合的单键。
m2为0或1，
n2为0或1，
m2≥n2。其中，
在m2和n2为0时，*b2与中心氮原子N*键合，
在m2为1且n2为0时，选自R11A～R15A中的1个为与*b2键合的单键。
m3为0或1，
n3为0或1，
m3≥n3。其中，
在m3和n3为0时，*b3与中心氮原子N*键合，
在m3为1且n3为0时，选自R21A～R25A中的1个为与*b3键合的单键。
满足下述(i)～(vi)之中的至少1项。
(i)R2A或R4A为与*a1键合的单键
(ii)R2B或R4B为与*b1键合的单键
(iii)R12A或R14A为与*a2键合的单键
(iV)R12B或R14B为与*b2键合的单键
(V)R22A或R24A为与*a3键合的单键
(vi)R22B或R24B为与*b3键合的单键
m1、m2、m3、n1、n2和n3中的至少1个为1。
并非上述单键的R1A～R5A、并非上述单键的R1B～R5B、并非上述单键的R11A～R15A、并非上述单键的R11B～R15B、并非上述单键的R21A～R25A和并非上述单键的R21B～R25B中所包含的氢原子之中的至少1个为氘原子。
Ar1和Ar2各自独立地由下述式(1-a)～下述式(1-f)中的任一式表示，Ar3由下述式(1-g)和下述式(1-h)中的任一式表示。
在Ar1由下述式(1-f)表示时，m1为0且n1为0、或者m1为1且n1为0。
在Ar2由下述式(1-f)表示时，m2为0且n2为0、或者m2为1且n2为0。
[化学式2]
式(1-a)中，
**表示与上述*b1或上述*b2的键合位置。
R31～R35各自独立地为氢原子、未取代的碳数1～6的烷基、或者未取代的苯基。
R31～R35不存在由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成环的情况。
[化学式3]
式(1-b)中，
**表示与上述*b1或上述*b2的键合位置。
选自R41～R48中的1个为与*b键合的单键。
并非上述单键的R41～R48各自独立地为氢原子、未取代的碳数1～6的烷基、或者未取代的苯基。
并非上述单键的R41～R48不存在由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成环的情况。
[化学式4]
式(1-c)中，
**表示与上述*b1或上述*b2的键合位置。
选自R51～R62中的1个为与*c键合的单键。
并非上述单键的R51～R62各自独立地为氢原子、未取代的碳数1～6的烷基、或者未取代的苯基。
并非上述单键的R51～R62不存在由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成环的情况。
[化学式5]
式(1-d)中，
**表示与上述*b1或上述*b2的键合位置。
选自R71～R80中的1个为与*d键合的单键。
并非上述单键的R71～R80各自独立地为氢原子、未取代的碳数1～6的烷基、或者未取代的苯基。
并非上述单键的R71～R80不存在由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成环的情况。
[化学式6]
式(1-e)中，
**表示与上述*b1或上述*b2的键合位置。
X为CRARB。
RA和RB各自独立地为取代或未取代的碳数1～6的烷基、取代或未取代的成环碳数6～12的芳基、或者成环碳数5～10的杂环基。
RA和RB相互键合而形成取代或未取代的单环、相互键合而形成取代或未取代的稠环、或者不相互键合而不形成环。
选自R91～R98中的1个为与*e键合的单键。
并非上述单键的R91～R98各自独立地为氢原子、未取代的碳数1～6的烷基、或者未取代的苯基。
并非上述单键的R91～R98中由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成取代或未取代的成环原子数3以上且6以下的单环、或者不相互键合而不形成环。
[化学式7]
式(1-f)中，
**表示与上述*b1或上述*b2的键合位置。
选自R101～R105中的1个为与*f1键合的单键，选自R101～R105中的另1个为与*f2键合的单键。
并非上述单键的R101～R105、R111～R115和R121～R125各自独立地为氢原子、未取代的碳数1～6的烷基、或者未取代的苯基。
并非上述单键的R101～R105不存在由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成环的情况。
在上述R111～R115、以及上述R121～R125每个分组中，由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成取代或未取代的成环原子数3以上且6以下的单环、或者不相互键合而不形成环。
[化学式8]
式(1-g)中，
***表示与上述*b3的键合位置。
o1为0、1或2。
选自R131～R138中的1个为与*g键合的单键。
*x1为与并非上述与*g键合的单键的R131～R138中的任一个键合的单键。
并非上述单键的R131～R138各自独立地为氢原子。
并非上述单键的R131～R138不存在由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成环的情况。
[化学式9]
式(1-h)中，
***表示与上述*b3的键合位置。
o2为0、1或2。
选自R141～R150中的1个为与*h键合的单键。
*x2为与并非上述与*h键合的单键的R141～R150中的任一个键合的单键。
并非上述单键的R141～R150各自独立地为氢原子。
并非上述单键的R141～R150不存在由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成环的情况。
其中，上述式(1)中，排除下述(i)～(iii)的情况。
(i)上述Ar1和上述Ar2中的一者由上述式(1-d)表示，上述Ar1和上述Ar2中的另一者由上述式(1-a)～上述(1-c)、上述(1-e)和上述(1-f)中的任一式表示，并且上述Ar3由上述*h为与上述R149或上述R150键合的单键的上述式(1-h)表示的情况；
(ii)上述Ar1和上述Ar2中的一者由上述*d为与上述R79或上述R80键合的单键的上述式(1-d)表示，上述Ar1和上述Ar2中的另一者由上述式(1-a)～上述(1-c)、上述(1-e)和上述(1-f)中的任一式表示，并且上述Ar3由上述式(1-h)表示的情况；
(iii)上述Ar1和上述Ar2中的一者由上述*d为与上述R79或上述R80键合的单键的上述式(1-d)表示，上述Ar1和上述Ar2中的另一者由上述式(1-d)表示，并且上述Ar3由上述式(1-g)表示的情况。
其中，在m3＝n3＝0时，并非上述单键的R1A～R5A、并非上述单键的R1B～R5B、并非上述单键的R11A～R15A、并非上述单键的R11B～R15B、并非上述单键的R131～R138和并非上述单键的R141～R150中所包含的氢原子之中的至少1个为氘原子。
另外，在一个方案中，本发明提供下述式(2)所示的化合物。
[化学式10]
式(2)中，
N*为中心氮原子。
选自R1C～R5C中的1个为与*c1键合的单键。
选自R1D～R5D中的1个为与*d1键合的单键。
并非上述单键的R1C～R5C、并非上述单键的R1D～R5D、R11C～R14C、R21C～R24C和R161～R169各自独立地为氢原子、未取代的碳数1～6的烷基、或者未取代的苯基。
在并非上述单键的R1C～R5C、并非上述单键的R1D～R5D、R11C～R14C、以及R21C～R24C每个分组中，由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成取代或未取代的成环原子数3以上且6以下的单环、或者不相互键合而不形成环。
R161～R169不存在由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成环的情况。
m4为0或1，
n4为0或1，
m4≥n4。其中，在m4和n4为0时，*d1与中心氮原子N*键合，
在m4为1且n4为0时，选自R1C～R5C中的1个为与*d1键合的单键。
m5为0或1，
在m5为0时，选自R171～R180中的1个为与*c2键合的单键，
在m5为1时，R25C为与*c2键合的单键，选自R171～R180中的1个为与*d2键合的单键。
并非上述单键的R171～R180各自独立地为氢原子、未取代的碳数1～6的烷基、或者未取代的苯基。
并非上述单键的R171～R180不存在由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成环的情况。
并非上述单键的R1C～R5C、并非上述单键的R1D～R5D、R11C～R14C和R21C～R24C中所包含的氢原子之中的至少1个为氘原子。
Ar4由下述式(1-a)～下述式(1-c)、下述式(1-e)和下述式(1-f)中的任一式表示。
在Ar4由下述式(1-f)表示时，m4为0且n4为0、或者m4为1且n4为0。
[化学式11]
式(1-a)中，
**表示与上述*d1的键合位置。
R31～R35各自独立地为氢原子、未取代的碳数1～6的烷基、或者未取代的苯基。
R31～R35不存在由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成环的情况。
[化学式12]
式(1-b)中，
**表示与上述*d1的键合位置。
选自R41～R48中的1个为与*b键合的单键。
并非上述单键的R41～R48各自独立地为氢原子、未取代的碳数1～6的烷基、或者未取代的苯基。
并非上述单键的R41～R48不存在由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成环的情况。
[化学式13]
式(1-c)中，
**表示与上述*d1的键合位置。
选自R51～R62中的1个为与*c键合的单键。
并非上述单键的R51～R62各自独立地为氢原子、未取代的碳数1～6的烷基、或者未取代的苯基。
并非上述单键的R51～R62不存在由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成环的情况。
[化学式14]
式(1-e)中，
11表示与上述*d1的键合位置。
X为CRARB。
RA和RB各自独立地为取代或未取代的碳数1～6的烷基、取代或未取代的成环碳数6～12的芳基、或者成环碳数5～10的杂环基。
RA和RB相互键合而形成取代或未取代的单环、相互键合而形成取代或未取代的稠环、或者不相互键合而不形成环。
选自R91～R98中的1个为与*e键合的单键。
并非上述单键的R91～R98各自独立地为氢原子、未取代的碳数1～6的烷基、或者未取代的苯基。
并非上述单键的R91～R98中由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成取代或未取代的成环原子数3以上且6以下的单环、或者不相互键合而不形成环。
[化学式15]
式(1-f)中，
**表示与上述*d1的键合位置。
选自R101～R105中的1个为与*f1键合的单键，选自R101～R105中的另1个为与*f2键合的单键。
并非上述单键的R101～R105、R111～R115和R121～R125各自独立地为氢原子、未取代的碳数1～6的烷基、或者未取代的苯基。
并非上述单键的R101～R105不存在由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成环的情况。
在上述R111～R115、以及上述R121～R125每个分组中，由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成取代或未取代的成环原子数3以上且6以下的单环、或者不相互键合而不形成环。
此外，在一个方案中，本发明提供下述式(3)所示的化合物。
[化学式16]
式(3)中，
N*为中心氮原子。
选自R1E～R5E中的1个为与*e1键合的单键。
选自R1F～R5F中的1个为与*f11键合的单键。
并非上述单键的R1E～R5E、并非上述单键的R1F～R5F、R11E～R14E和R21E～R24E各自独立地为氢原子、未取代的碳数1～6的烷基、或者未取代的苯基。
在并非上述单键的R1E～R5E、并非上述单键的R1F～R5F、R11E～R14E、以及R21E～R24E每个分组中，由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成取代或未取代的成环原子数3以上且6以下的单环、或者不相互键合而不形成环。
m6为1，
n6为0或1。其中，
在m6为1且n6为0时，选自R1E～R5E中的1个为与*f11键合的单键。
m7为0或1，
在m7为0时，R189或R190为与*e2键合的单键，
在m7为1时，R15E为与*e2键合的单键，R189或R190为与*f12键合的单键。
R181～R188和并非上述单键的R189或R190各自独立地为氢原子、未取代的碳数1～6的烷基、或者未取代的苯基。
R181～R188和并非上述单键的R189或R190不存在由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成环的情况。
m8为0或1，
在m8为0时，选自R191～R200中的1个为与*e3键合的单键，
在m8为1时，R25E为与*e3键合的单键，选自R191～R200中的1个为与*f13键合的单键。
并非上述单键的R191～R200各自独立地为氢原子、未取代的碳数1～6的烷基、或者未取代的苯基。
并非上述单键的R191～R200不存在由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成环的情况。
满足下述(i)～(ii)之中的至少1项。
(i)R2E或R4E为与*e1键合的单键；
(ii)R2F或R4F为与*f11键合的单键。
并非上述单键的R1E～R5E、并非上述单键的R1F～R5F、R11E～R14E和R21E～R24E中所包含的氢原子之中的至少1个为氘原子。
Ar5由下述式(1-b)、下述式(1-c)、下述式(1-e)和下述式(1-f)中的任一式表示。
在Ar5由下述式(1-f)表示时，m6为0且n6为0、或者m6为1且n6为0。
[化学式17]
式(1-b)中，
**表示与上述*f11的键合位置。
选自R41～R48中的1个为与*b键合的单键。
并非上述单键的R41～R48各自独立地为氢原子、未取代的碳数1～6的烷基、或者未取代的苯基。
并非上述单键的R41～R48不存在由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成环的情况。
[化学式18]
式(1-c)中，
**表示与上述*f11的键合位置。
选自R51～R62中的1个为与*c键合的单键。
并非上述单键的R51～R62各自独立地为氢原子、未取代的碳数1～6的烷基、或者未取代的苯基。
并非上述单键的R51～R62不存在由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成环的情况。
[化学式19]
/>
式(1-e)中，
**表示与上述*f11的键合位置。
X为CRARB。
RA和RB各自独立地为取代或未取代的碳数1～6的烷基、取代或未取代的成环碳数6～12的芳基、或者成环碳数5～10的杂环基。
RA和RB相互键合而形成取代或未取代的单环、相互键合而形成取代或未取代的稠环、或者不相互键合而不形成环。
选自R91～R98中的1个为与*e键合的单键。
并非上述单键的R91～R98各自独立地为氢原子、未取代的碳数1～6的烷基、或者未取代的苯基。
并非上述单键的R91～R98中由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成取代或未取代的成环原子数3以上且6以下的单环、或者不相互键合而不形成环。
[化学式20]
式(1-f)中，
**表示与上述*f11的键合位置。
选自R101～R105中的1个为与*f1键合的单键，选自R101～R105中的另1个为与*f2键合的单键。
并非上述单键的R101～R105、R111～R115和R121～R125各自独立地为氢原子、未取代的碳数1～6的烷基、或者未取代的苯基。
并非上述单键的R101～R105不存在由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成环的情况。
在上述R111～R115、以及上述R121～R125每个分组中，由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成取代或未取代的成环原子数3以上且6以下的单环、或者不相互键合而不形成环。
在另一方案中，本发明提供包含上述式(1)、上述式(2)或上述式(3)所示的化合物的有机电致发光元件用材料。
在又一方案中，本发明提供一种有机电致发光元件，其是具有阴极、阳极和位于该阴极与该阳极之间的有机层的有机电致发光元件，该有机层包含发光层，该有机层的至少1层包含上述式(1)、上述式(2)或上述式(3)所示的化合物。
在又一方案中，本发明提供包含上述有机电致发光元件的电子设备。
发明的效果
包含上述式(1)、上述式(2)或上述式(3)所示的化合物的有机EL元件表现出改善了的元件性能。
附图说明
图1是表示本发明的一个方案涉及的有机EL元件的层构成的一例的示意图。
图2是表示本发明的一个方案涉及的有机EL元件的层构成的另一例子的示意图。
图3是表示本发明的一个方案涉及的有机EL元件的层构成的此外的另一例子的示意图。
具体实施方式
[定义]
在本说明书中，氢原子意味着包含中子数不同的同位素、即氕(protium)、氘(deuterium)和氚(tritium)。
在本说明书中，在化学结构式中，没有明确显示“R”等符号和表示氘原子的“D”的可键合位置设为键合有氢原子、即氕原子、氘原子或氚原子。
在本说明书中，成环碳数是指原子以环状键合的结构的化合物(例如单环化合物、稠环化合物、桥环化合物、碳环化合物和杂环化合物)的构成该环自身的原子之中的碳原子的数量。该环被取代基取代时，取代基中所含的碳不包括在成环碳数中。下文中记载的“成环碳数”只要没有另行记载就同样设定。例如，苯环的成环碳数为6，萘环的成环碳数为10，吡啶环的成环碳数为5，呋喃环的成环碳数为4。另外，例如9，9-二苯基芴基的成环碳数为13，9，9’-螺双芴基的成环碳数为25。
另外，在苯环上作为取代基例如取代有烷基时，该烷基的碳数不包括在苯环的成环碳数中。因此，取代有烷基的苯环的成环碳数为6。另外，在萘环上作为取代基例如取代有烷基时，该烷基的碳数不包括在萘环的成环碳数中。因此，取代有烷基的萘环的成环碳数为10。
在本说明书中，成环原子数是指原子以环状键合的结构(例如单环、稠环和联环(ring assemblies))的化合物(例如单环化合物、稠环化合物、桥环化合物、碳环化合物和杂环化合物)的构成该环自身的原子的数量。不构成环的原子(例如对构成环的原子的键进行封端的氢原子)、该环被取代基取代时的取代基中所含的原子不包括在成环原子数中。下文中记载的“成环原子数”只要没有另行记载就同样设定。例如，吡啶环的成环原子数为6，喹唑啉环的成环原子数为10，呋喃环的成环原子数为5。例如，键合于吡啶环的氢原子或构成取代基的原子的数量不包括在吡啶成环原子数的数量中。因此，键合有氢原子或取代基的吡啶环的成环原子数为6。另外，例如喹唑啉环的碳原子上键合的氢原子或构成取代基的原子不包括在喹唑啉环的成环原子数的数量中。因此，键合有氢原子或取代基的喹唑啉环的成环原子数为10。
在本说明书中，“取代或未取代的碳数XX～YY的ZZ基”这样的表述中的“碳数XX～YY”表示ZZ基为未取代时的碳数，发生了取代时的取代基的碳数不包括在内。在此，“YY”大于“XX”，“XX”是指1以上的整数，“YY”是指2以上的整数。
在本说明书中，“取代或未取代的原子数XX～YY的ZZ基”这样的表述中的“原子数XX～YY”表示ZZ基为未取代时的原子数，发生了取代时的取代基的原子数不包括在内。在此，“YY”大于“XX”，“XX”是指1以上的整数，“YY”是指2以上的整数。
在本说明书中，未取代的ZZ基是表示“取代或未取代的ZZ基”为“未取代的ZZ基”的情况，取代的ZZ基表示“取代或未取代的ZZ基”为“取代的ZZ基”的情况。
在本说明书中，表述为“取代或未取代的ZZ基”时的“未取代”是指ZZ基中的氢原子未与取代基发生置换。“未取代的ZZ基”中的氢原子为氕原子、氘原子或氚原子。
另外，在本说明书中，表述为“取代或未取代的ZZ基”时的“取代”是指，ZZ基中的1个以上的氢原子与取代基发生了置换。表述为“被AA基取代的BB基”时的“取代”也同样地是指BB基中的1个以上的氢原子与AA基发生了置换。
“本说明书中记载的取代基”
以下对本说明书中记载的取代基进行说明。
本说明书中记载的“未取代的芳基”的成环碳数只要本说明书中没有另行记载，则为6～50，优选为6～30，更优选为6～18。
本说明书中记载的“未取代的杂环基”的成环原子数只要本说明书中没有另行记载，则为5～50，优选为5～30，更优选为5～18。
本说明书中记载的“未取代的烷基”的碳数只要本说明书中没有另行记载，则为1～50，优选为1～20，更优选为1～6。
本说明书中记载的“未取代的烯基”的碳数只要本说明书中没有另行记载，则为2～50，优选为2～20，更优选为2～6。
本说明书中记载的“未取代的炔基”的碳数只要本说明书中没有另行记载，则为2～50，优选为2～20，更优选为2～6。
本说明书中记载的“未取代的环烷基”的成环碳数只要本说明书中没有另行记载，则为3～50，优选为3～20，更优选为3～6。
本说明书中记载的“未取代的亚芳基”的成环碳数只要本说明书中没有另行记载，则为6～50，优选为6～30，更优选为6～18。
本说明书中记载的“未取代的二价杂环基”的成环原子数只要本说明书中没有另行记载，则为5～50，优选为5～30，更优选为5～18。
本说明书中记载的“未取代的亚烷基”的碳数只要本说明书中没有另行记载，则为1～50，优选为1～20，更优选为1～6。
·“取代或未取代的芳基”
作为本说明书中记载的“取代或未取代的芳基”的具体例(具体例组G1)，可以举出以下的未取代的芳基(具体例组G1A)和取代的芳基(具体例组G1B)等。(在此，未取代的芳基是指“取代或未取代的芳基”为“未取代的芳基”的情况，取代的芳基是指“取代或未取代的芳基”为“取代的芳基”的情况。)在本说明书中，仅表述为“芳基”时，包括“未取代的芳基”和“取代的芳基”这两者。
“取代的芳基”是指“未取代的芳基”的1个以上的氢原子与取代基发生了置换后的基团。作为“取代的芳基”，例如可以举出下述具体例组G1A的“未取代的芳基”的1个以上的氢原子与取代基发生了置换后的基团、以及下述具体例组G1B的取代的芳基的例子等。需要说明的是，在此列举的“未取代的芳基”的例子以及“取代的芳基”的例子仅为一例，本说明书中记载的“取代的芳基”中也包括下述具体例组G1B的“取代的芳基”中的芳基自身的碳原子上键合的氢原子进一步与取代基发生了置换后的基团、以及下述具体例组G1B的“取代的芳基”中的取代基的氢原子进一步与取代基发生了置换后的基团。
·未取代的芳基(具体例组G1A)：
苯基、
对联苯基、
间联苯基、
邻联苯基、
对三联苯-4-基、
对三联苯-3-基、
对三联苯-2-基、
间三联苯-4-基、
间三联苯-3-基、
间三联苯-2-基、
邻三联苯-4-基、
邻三联苯-3-基、
邻三联苯-2-基、
1-萘基、
2-萘基、
蒽基、
苯并蒽基、
菲基、
苯并菲基、非那烯基、
芘基、
基、
苯并基、
三亚苯基、
苯并三亚苯基、
并四苯基、
并五苯基、
芴基、
9，9’-螺双芴基、
苯并芴基、
二苯并芴基、
荧蒽基、
苯并荧蒽基、
苝基、和
从下述通式(TEMP-1)～(TEMP-15)所示的环结构除去1个氢原子由此衍生的一价芳基。
[化学式21]
[化学式22]
·取代的芳基(具体例组G1B)：
邻甲苯基、
间甲苯基、
对甲苯基、
对二甲苯基、
间二甲苯基、
邻二甲苯基、
对异丙基苯基、
间异丙基苯基、
邻异丙基苯基、
对叔丁基苯基、
间叔丁基苯基、
邻叔丁基苯基、
3，4，5-三甲基苯基、
9，9-二甲基芴基、
9，9-二苯基芴基
9，9-双(4-甲基苯基)芴基、
9，9-双(4-异丙基苯基)芴基、
9，9-双(4-叔丁基苯基)芴基、
氰基苯基、
三苯基甲硅烷基苯基、
三甲基甲硅烷基苯基、
苯基萘基、
萘基苯基、和
从上述通式(TEMP-1)～(TEMP-15)所示的环结构衍生的一价基团的1个以上的氢原子与取代基发生了置换后的基团。
·“取代或未取代的杂环基”
本说明书中记载的“杂环基”是成环原子中包含至少1个杂原子的环状的基团。作为杂原子的具体例，可以举出氮原子、氧原子、硫原子、硅原子、磷原子和硼原子。本说明书中记载的“杂环基”是单环的基团或者稠环的基团。
本说明书中记载的“杂环基”是芳香族杂环基或者非芳香族杂环基。
作为本说明书中记载的“取代或未取代的杂环基”的具体例(具体例组G2)，可以举出以下的未取代的杂环基(具体例组G2A)以及取代的杂环基(具体例组G2B)等。(在此，未取代的杂环基是指“取代或未取代的杂环基”为“未取代的杂环基”的情况，取代的杂环基是指“取代或未取代的杂环基”为“取代的杂环基”的情况。)在本说明书中，仅表述为“杂环基”时包括“未取代的杂环基”和“取代的杂环基”这两者。
“取代的杂环基”是指“未取代的杂环基”的1个以上的氢原子与取代基发生了置换后的基团。“取代的杂环基”的具体例可以举出下述具体例组G2A的“未取代的杂环基”的氢原子发生了取代后的基团、以及下述具体例组G2B的取代的杂环基的例子等。需要说明的是，在此列举的“未取代的杂环基”的例子、“取代的杂环基”的例子仅为一例，本说明书中记载的“取代的杂环基”中还包括具体例组G2B的“取代的杂环基”中的杂环基自身的成环原子上键合的氢原子进一步与取代基发生了置换后的基团、以及具体例组G2B的“取代的杂环基”中的取代基的氢原子进一步与取代基发生了置换后的基团。
具体例组G2A例如包括以下的包含氮原子的未取代的杂环基(具体例组G2A1)、包含氧原子的未取代的杂环基(具体例组G2A2)、包含硫原子的未取代的杂环基(具体例组G2A3)以及从下述通式(TEMP-16)～(TEMP-33)所示的环结构除去1个氢原子由此衍生的一价杂环基(具体例组G2A4)。
具体例组G2B例如包括以下的包含氮原子的取代的杂环基(具体例组G2B1)、包含氧原子的取代的杂环基(具体例组G2B2)、包含硫原子的取代的杂环基(具体例组G2B3)以及从下述通式(TEMP-16)～(TEMP-33)所示的环结构衍生的一价杂环基的1个以上的氢原子与取代基发生了置换后的基团(具体例组G2B4)。
·包含氮原子的未取代的杂环基(具体例组G2A1)：
吡咯基、
咪唑基、
吡唑基、
三唑基、
四唑基、
噁唑基、
异噁唑基、
噁二唑基、
噻唑基、
异噻唑基、
噻二唑基、
吡啶基、
哒嗪基、
嘧啶基、
吡嗪基、
三嗪基、
吲哚基、
异吲哚基、
吲嗪基、喹嗪基、
喹啉基、
异喹啉基、
噌啉基、
酞嗪基、
喹唑啉基、
喹喔啉基、
苯并咪唑基、
吲唑基、
菲咯啉基、
菲啶基、
吖啶基、
吩嗪基、
咔唑基、
苯并咔唑基、
吗啉基、
吩噁嗪基、
吩噻嗪基、
氮杂咔唑基、和二氮杂咔唑基。
·包含氧原子的未取代的杂环基(具体例组G2A2)：呋喃基、
噁唑基、
异噁唑基、
噁二唑基、
呫吨基、
苯并呋喃基、
异苯并呋喃基、
二苯并呋喃基、
萘并苯并呋喃基、
苯并噁唑基、
苯并异噁唑基、
吩噁嗪基、
吗啉基、
二萘并呋喃基、
氮杂二苯并呋喃基、
二氮杂二苯并呋喃基、
氮杂萘并苯并呋喃基、和
二氮杂萘并苯并呋喃基。
·包含硫原子的未取代的杂环基(具体例组G2A3)：
噻吩基、
噻唑基、
异噻唑基、
噻二唑基、
苯并噻吩基(benzothienyl)、
异苯并噻吩基(isobenzothienyl)、
二苯并噻吩基(dibenzothienyl)、
萘并苯并噻吩基(naphthobenzothienyl)、
苯并噻唑基、苯并异噻唑基、
吩噻嗪基、
二萘并噻吩基(dinaphthothienyl)、
氮杂二苯并噻吩基(azadibenzothienyl)、
二氮杂二苯并噻吩基(diazadibenzothienyl)、
氮杂萘并苯并噻吩基(azanaphthobenzothienyl)和
二氮杂萘并苯并噻吩基(diazanaphthobenzothienyl)。
·从下述通式(TEMP-16)～(TEMP-33)所示的环结构除去1个氢原子由此衍生的一价杂环基(具体例组G2A4)：
[化学式23]
[化学式24]
在上述通式(TEMP-16)～(TEMP-33)中，XA和YA各自独立地为氧原子、硫原子、NH或CH2。其中，XA和YA之中至少1个为氧原子、硫原子或NH。
在上述通式(TEMP-16)～(TEMP-33)中，XA和YA的至少任一个为NH或CH2时，从上述通式(TEMP-16)～(TEMP-33)所示的环结构衍生的一价杂环基包括从这些NH或CH2除去1个氢原子而得到的一价基团。
·包含氮原子的取代的杂环基(具体例组G2B1)：
(9-苯基)咔唑基、
(9-联苯基)咔唑基、
(9一苯基)苯基咔唑基、
(9-萘基)咔唑基、
二苯基咔唑-9-基、
苯基咔唑-9-基、
甲基苯并咪唑基、
乙基苯并咪唑基、
苯基三嗪基、
联苯基三嗪基、
二苯基三嗪基、
苯基喹唑啉基、和
联苯基喹唑啉基。
·包含氧原子的取代的杂环基(具体例组G2B2)：
苯基二苯并呋喃基、
甲基二苯并呋喃基、
叔丁基二苯并呋喃基、和
螺[9H-呫吨-9，9’-[9H]芴]的一价残基。
·包含硫原子的取代的杂环基(具体例组G2B3)：
苯基二苯并噻吩基、
甲基二苯并噻吩基、
叔丁基二苯并噻吩基、和
螺[9H-噻吨-9，9’-[9H]芴]的一价残基。
·从上述通式(TEMP-16)～(TEMP-33)所示的环结构衍生的一价杂环基的1个以上的氢原子与取代基发生了置换后的基团(具体例组G2B4)：
上述“一价杂环基的1个以上的氢原子”是指，选自该一价杂环基的成环碳原子上键合的氢原子、XA和YA的至少任一个为NH时的氮原子上键合的氢原子以及XA和YA中的一者为CH2时的亚甲基的氢原子中的1个以上的氢原子。
·“取代或未取代的烷基”
作为本说明书中记载的“取代或未取代的烷基”的具体例(具体例组G3)，可以举出以下的未取代的烷基(具体例组G3A)和取代的烷基(具体例组G3B)。(在此，未取代的烷基是指“取代或未取代的烷基”为“未取代的烷基”的情况，取代的烷基是指“取代或未取代的烷基”为“取代的烷基”的情况。)以下，仅表述为“烷基”时，包括“未取代的烷基”和“取代的烷基”这两者。
“取代的烷基”是指“未取代的烷基”中的1个以上的氢原子与取代基发生了置换后的基团。作为“取代的烷基”的具体例，可以举出下述的“未取代的烷基”(具体例组G3A)中的1个以上的氢原子与取代基发生了置换后的基团以及取代的烷基(具体例组G3B)的例子等。在本说明书中，“未取代的烷基”中的烷基是指链状的烷基。因此，“未取代的烷基”包括作为直链的“未取代的烷基”以及作为支链状的“未取代的烷基”。需要说明的是，在此列举的“未取代的烷基”的例子、“取代的烷基”的例子仅为一例，本说明书中记载的“取代的烷基”还包括具体例组G3B的“取代的烷基”中的烷基自身的氢原子进一步与取代基发生了置换后的基团以及具体例组G3B的“取代的烷基”中的取代基的氢原子进一步与取代基发生了置换后的基团。
·未取代的烷基(具体例组G3A)：
甲基、
乙基、
正丙基、
异丙基、
正丁基、
异丁基、
仲丁基、和
叔丁基。
·取代的烷基(具体例组G3B)：
七氟丙基(包括异构体)、
五氟乙基、
2，2，2-三氟乙基、和
三氟甲基。
·“取代或未取代的烯基”
作为本说明书中记载的“取代或未取代的烯基”的具体例(具体例组G4)，可以举出以下的未取代的烯基(具体例组G4A)以及取代的烯基(具体例组G4B)等。(在此，未取代的烯基是指“取代或未取代的烯基”为“未取代的烯基”的情况，“取代的烯基”是指“取代或未取代的烯基”为“取代的烯基”的情况。)在本说明书中，仅仅表述为“烯基”时，包括“未取代的烯基”和“取代的烯基”这两者。
“取代的烯基”是指“未取代的烯基”中的1个以上的氢原子与取代基发生了置换后的基团。作为“取代的烯基”的具体例，可以举出下述的“未取代的烯基”(具体例组G4A)具有取代基的基团以及取代的烯基(具体例组G4B)的例子等。需要说明的是，在此列举的“未取代的烯基”的例子、“取代的烯基”的例子仅为一例，本说明书中记载的“取代的烯基”还包括具体例组G4B的“取代的烯基”中的烯基自身的氢原子进一步与取代基发生了置换后的基团以及具体例组G4B的“取代的烯基”中的取代基的氢原子进一步与取代基发生了置换后的基团。
·未取代的烯基(具体例组G4A)：
乙烯基、
烯丙基、
1-丁烯基、
2-丁烯基、和
3-丁烯基。
·取代的烯基(具体例组G4B)：
1，3-丁二烯基、
1-甲基乙烯基、
1-甲基烯丙基、
1，1-二甲基烯丙基、
2-甲基烯丙基、和
1，2-二甲基烯丙基。
·“取代或未取代的炔基”
作为本说明书中记载的“取代或未取代的炔基”的具体例(具体例组G5)，可以举出以下的未取代的炔基(具体例组G5A)等。(在此，未取代的炔基是指“取代或未取代的炔基”为“未取代的炔基”的情况。)以下仅表述为“炔基”时，包括“未取代的炔基”和“取代的炔基”这两者。
“取代的炔基”是指“未取代的炔基”中的1个以上的氢原子与取代基发生了置换后的基团。作为“取代的炔基”的具体例，可以举出下述的“未取代的炔基”(具体例组G5A)中的1个以上的氢原子与取代基发生了置换后的基团等。
·未取代的炔基(具体例组G5A)：
乙炔基。
·“取代或未取代的环烷基”
作为本说明书中记载的“取代或未取代的环烷基”的具体例(具体例组G6)，可以举出以下的未取代的环烷基(具体例组G6A)以及取代的环烷基(具体例组G6B)等。(在此，未取代的环烷基是指“取代或未取代的环烷基”为“未取代的环烷基”的情况，取代的环烷基是指“取代或未取代的环烷基”为“取代的环烷基”的情况。)在本说明书中，仅表述为“环烷基”时，包括“未取代的环烷基”和“取代的环烷基”这两者。
“取代的环烷基”是指“未取代的环烷基”中的1个以上的氢原子与取代基发生了置换后的基团。作为“取代的环烷基”的具体例，可以举出下述的“未取代的环烷基”(具体例组G6A)中的1个以上的氢原子与取代基发生了置换后的基团以及取代的环烷基(具体例组G6B)的例子等。需要说明的是，在此列举的“未取代的环烷基”的例子、“取代的环烷基”的例子仅为一例，本说明书中记载的“取代的环烷基”还包括具体例组G6B的“取代的环烷基”中的环烷基自身的碳原子上键合的1个以上的氢原子与取代基发生了置换后的基团以及具体例组G6B的“取代的环烷基”中的取代基的氢原子进一步与取代基发生了置换后的基团。
·未取代的环烷基(具体例组G6A)：
环丙基、
环丁基、
环戊基、
环己基、
1-金刚烷基、
2-金刚烷基、
1-降冰片基、和
2-降冰片基。
·取代的环烷基(具体例组G6B)：
4-甲基环己基。
·“-Si(R901)(R902)(R903)所示的基团”
作为本说明书中记载的-Si(R901)(R902)(R903)所示的基团的具体例(具体例组G7)，可以举出
-Si(G1)(G1)(G1)、
-Si(G1)(G2)(G2)、
-Si(G1)(G1)(G2)、
-Si(G2)(G2)(G2)、
-Si(G3)(G3)(G3)和
-Si(G6)(G6)(G6)。此处，
G1为具体例组G1中记载的“取代或未取代的芳基”。
G2为具体例组G2中记载的“取代或未取代的杂环基”。
G3为具体例组G3中记载的“取代或未取代的烷基”。
G6为具体例组G6中记载的“取代或未取代的环烷基”。-Si(G1)(G1)(G1)中的多个G1相互相同或者不同。
-Si(G1)(G2)(G2)中的多个G2相互相同或者不同。
-Si(G1)(G1)(G2)中的多个G1相互相同或者不同。
-Si(G2)(G2)(G2)中的多个G2相互相同或者不同。
-Si(G3)(G3)(G3)中的多个G3相互相同或者不同。
-Si(G6)(G6)(G6)中的多个G6相互相同或者不同。
·“-O-(R904)所示的基团”
作为本说明书中记载的-O-(R904)所示的基团的具体例(具体例组G8)，可以举出
-O(G1)、
-O(G2)、
-O(G3)和
-O(G6)。
此处，
G1为具体例组G1中记载的“取代或未取代的芳基”。
G2为具体例组G2中记载的“取代或未取代的杂环基”。
G3为具体例组G3中记载的“取代或未取代的烷基”。
G6为具体例组G6中记载的“取代或未取代的环烷基”。
·“-S-(R905)所示的基团”
作为本说明书中记载的-S-(R905)所示的基团的具体例(具体例组G9)，可以举出
-S(G1)、
-S(G2)、
-S(G3)和
-S(G6)。
此处，
G1为具体例组G1中记载的“取代或未取代的芳基”。
G2为具体例组G2中记载的“取代或未取代的杂环基”。
G3为具体例组G3中记载的“取代或未取代的烷基”。
G6为具体例组G6中记载的“取代或未取代的环烷基”。
·“-N(R906)(R907)所示的基团”
作为本说明书中记载的-N(R906)(R907)所示的基团的具体例(具体例组G10)，可以举出
-N(G1)(G1)、
-N(G2)(G2)、
-N(G1)(G2)、
-N(G3)(G3)和
-N(G6)(G6)。此处，
G1为具体例组G1中记载的“取代或未取代的芳基”。
G2为具体例组G2中记载的“取代或未取代的杂环基”。
G3为具体例组G3中记载的“取代或未取代的烷基”。
G6为具体例组G6中记载的“取代或未取代的环烷基”。
-N(G1)(G1)中的多个G1相互相同或者不同。
-N(G2)(G2)中的多个G2相互相同或者不同。
-N(G3)(G3)中的多个G3相互相同或者不同。
-N(G6)(G6)中的多个G6相互相同或者不同。
·“卤素原子”
作为本说明书中记载的“卤素原子”的具体例(具体例组G11)，可以举出氟原子、氯原子、溴原子以及碘原子等。
·“取代或未取代的氟烷基”
本说明书中记载的“取代或未取代的氟烷基”是指“取代或未取代的烷基”中的构成烷基的碳原子上键合的至少1个氢原子与氟原子发生了置换后的基团，也包括“取代或未取代的烷基”中的构成烷基的碳原子上键合的全部氢原子经氟原子置换后的基团(全氟基团)。“未取代的氟烷基”的碳数只要本说明书中没有另行记载，则为1～50，优选为1～30，更优选为1～18。“取代的氟烷基”是指“氟烷基”的1个以上的氢原子与取代基发生了置换后的基团。需要说明的是，本说明书中记载的“取代的氟烷基”中也包括“取代的氟烷基”中的烷基链的碳原子上键合的1个以上的氢原子进一步与取代基发生了置换后的基团以及“取代的氟烷基”中的取代基的1个以上的氢原子进一步与取代基发生了置换后的基团。作为“未取代的氟烷基”的具体例，可以举出上述“烷基”(具体例组G3)中的1个以上的氢原子与氟原子发生了置换后的基团的例子等。
●“取代或未取代的卤烷基”
本说明书中记载的“取代或未取代的卤烷基”是指“取代或未取代的烷基”中的构成烷基的碳原子上键合的至少1个氢原子与卤素原子发生了置换后的基团，也包括“取代或未取代的烷基”中的构成烷基的碳原子上键合的全部氢原子经卤素原子取代后的基团。“未取代的卤烷基”的碳数只要本说明书中没有另行记载，则为1～50，优选为1～30，更优选为1～18。“取代的卤烷基”是指“卤烷基”的1个以上的氢原子与取代基发生了置换后的基团。需要说明的是，本说明书中记载的“取代的卤烷基”还包括“取代的卤烷基”中的烷基链的碳原子上键合的1个以上的氢原子进一步与取代基发生了置换后的基团以及“取代的卤烷基”中的取代基的1个以上的氢原子进一步与取代基发生了置换后的基团。作为“未取代的卤烷基”的具体例，可以举出上述“烷基”(具体例组G3)中的1个以上的氢原子与卤素原子发生了置换后的基团的例子等。卤烷基有时称为卤代烷基。
·“取代或未取代的烷氧基”
作为本说明书中记载的“取代或未取代的烷氧基”的具体例，为-O(G3)所示的基团，在此，G3为具体例组G3中记载的“取代或未取代的烷基”。“未取代的烷氧基”的碳数只要本说明书中没有另行记载，则为1～50，优选为1～30，更优选为1～18。
·“取代或未取代的烷硫基”
作为本说明书中记载的“取代或未取代的烷硫基”的具体例，为-S(G3)所示的基团，在此，G3为具体例组G3中记载的“取代或未取代的烷基”。“未取代的烷硫基”的碳数只要本说明书中没有另行记载，则为1～50，优选为1～30，更优选为1～18。
·“取代或未取代的芳氧基”
作为本说明书中记载的“取代或未取代的芳氧基”的具体例，为-O(G1)所示的基团，在此，G1为具体例组G1中记载的“取代或未取代的芳基”。“未取代的芳氧基”的成环碳数只要本说明书中没有另行记载，则为6～50，优选为6～30，更优选为6～18。
·“取代或未取代的芳硫基”
作为本说明书中记载的“取代或未取代的芳硫基”的具体例，为一S(G1)所示的基团，在此，G1为具体例组G1中记载的“取代或未取代的芳基”。“未取代的芳硫基”的成环碳数只要本说明书中没有另行记载，则为6～50，优选为6～30，更优选为6～18。
·“取代或未取代的三烷基甲硅烷基”
作为本说明书中记载的“三烷基甲硅烷基”的具体例，为-Si(G3)(G3)(G3)所示的基团，在此，G3为具体例组G3中记载的“取代或未取代的烷基”。-Si(G3)(G3)(G3)中的多个G3相互相同或不同。“三烷基甲硅烷基”的各烷基的碳数只要本说明书中没有另行记载，则为1～50，优选为1～20，更优选为1～6。
·“取代或未取代的芳烷基”
作为本说明书中记载的“取代或未取代的芳烷基”的具体例，为-(G3)-(G1)所示的基团，在此，G3为具体例组G3中记载的“取代或未取代的烷基”，G1为具体例组G1中记载的“取代或未取代的芳基”。因此，“芳烷基”为“烷基”的氢原子与作为取代基的“芳基”发生了置换后的基团，为“取代的烷基”的一个方案。“未取代的芳烷基”为取代有“未取代的芳基”的“未取代的烷基”，“未取代的芳烷基”的碳数只要本说明书中没有另行记载，则为7～50，优选为7～30，更优选为7～18。
作为“取代或未取代的芳烷基”的具体例，可以举出苄基、1-苯基乙基、2-苯基乙基、1-苯基异丙基、2-苯基异丙基、苯基叔丁基、α-萘基甲基、1-α-萘基乙基、2-α-萘基乙基、1-α-萘基异丙基、2-α-萘基异丙基、β-萘基甲基、1-β-萘基乙基、2-β-萘基乙基、1-β-萘基异丙基以及2-β-萘基异丙基等。
本说明书中记载的取代或未取代的芳基只要本说明书中没有另行记载，则优选为苯基、对联苯基、间联苯基、邻联苯基、对三联苯-4-基、对三联苯-3-基、对三联苯-2-基、间三联苯-4-基、间三联苯-3-基、间三联苯-2-基、邻三联苯-4-基、邻三联苯-3-基、邻三联苯-2-基、1-萘基、2-萘基、蒽基、菲基、芘基、基、三亚苯基、芴基、9，9’-螺双芴基、9，9-二甲基芴基以及9，9-二苯基芴基等。
本说明书中记载的取代或未取代的杂环基只要本说明书中没有另行记载，则优选为吡啶基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、苯并咪唑基、菲咯啉基、咔唑基(1-咔唑基、2-咔唑基、3-咔唑基、4-咔唑基或9-咔唑基)、苯并咔唑基、氮杂咔唑基、二氮杂咔唑基、二苯并呋喃基、萘并苯并呋喃基、氮杂二苯并呋喃基、二氮杂二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、萘并苯并噻吩基、氮杂二苯并噻吩基、二氮杂二苯并噻吩基、(9-苯基)咔唑基((9-苯基)咔唑-1-基、(9-苯基)咔唑-2-基、(9-苯基)咔唑-3-基或(9-苯基)咔唑-4-基)、(9-联苯基)咔唑基、(9-苯基)苯基咔唑基、二苯基咔唑-9-基、苯基咔唑-9-基、苯基三嗪基、联苯基三嗪基、二苯基三嗪基、苯基二苯并呋喃基以及苯基二苯并噻吩基等。
在本说明书中，咔唑基只要本说明书中没有另行记载，则具体而言为以下任一个基团。
[化学式25]
在本说明书中，(9-苯基)咔唑基只要本说明书中没有另行记载，则具体而言为以下任一个基团。
[化学式26]
上述通式(TEMP-Cz1)～(TEMP-Cz9)中，*表示键合位置。
在本说明书中，二苯并呋喃基以及二苯并噻吩基只要本说明书中没有另行记载，则具体而言为以下任一个基团。
[化学式27]
上述通式(TEMP-34)～(TEMP-41)中，*表示键合位置。
本说明书中记载的取代或未取代的烷基只要本说明书中没有另行记载，则优选为甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基以及叔丁基等。
·“取代或未取代的亚芳基”
本说明书中记载的“取代或未取代的亚芳基”只要没有另行记载，就是从上述“取代或未取代的芳基”除去芳基环上的1个氢原子由此衍生的二价基团。作为“取代或未取代的亚芳基”的具体例(具体例组G12)，可以举出从具体例组G1中记载的“取代或未取代的芳基”除去芳基环上的1个氢原子由此衍生的二价基团等。
·“取代或未取代的二价杂环基”
本说明书中记载的“取代或未取代的二价杂环基”只要没有另行记载，就是从上述“取代或未取代的杂环基”除去杂环上的1个氢原子由此衍生的二价基团。作为“取代或未取代的二价杂环基”的具体例(具体例组G13)，可以举出从具体例组G2中记载的“取代或未取代的杂环基”除去杂环上的1个氢原子由此衍生的二价基团等。
·“取代或未取代的亚烷基”
本说明书中记载的“取代或未取代的亚烷基”只要没有另行记载，就是从上述“取代或未取代的烷基”除去烷基链上的1个氢原子由此衍生的二价基团。作为“取代或未取代的亚烷基”的具体例(具体例组G14)，可以举出从具体例组G3中记载的“取代或未取代的烷基”除去烷基链上的1个氢原子由此衍生的二价基团等。
本说明书中记载的取代或未取代的亚芳基只要本说明书中没有另行记载，则优选为下述通式(TEMP-42)～(TEMP-68)中的任一基团。
[化学式28]
[化学式29]
上述通式(TEMP-42)～(TEMP-52)中，Q1～Q10各自独立地为氢原子或取代基。
上述通式(TEMP-42)～(TEMP-52)中，*表示键合位置。
[化学式30]
上述通式(TEMP-53)～(TEMP-62)中，Q1～Q10各自独立地为氢原子或取代基。
式Q9和Q10可以经由单键相互键合而形成环。
上述通式(TEMP-53)～(TEMP-62)中，*表示键合位置。
[化学式31]
上述通式(TEMP-63)～(TEMP-68)中，Q1～Q8各自独立地为氢原子或取代基。
上述通式(TEMP-63)～(TEMP-68)中，*表示键合位置。
本说明书中记载的取代或未取代的二价杂环基只要本说明书中没有另行记载，则优选为下述通式(TEMP-69)～(TEMP-102)中的任一基团。
[化学式32]
[化学式33]
[化学式34]
上述通式(TEMP-69)～(TEMP-82)中，Q1～Q9各自独立地为氢原子或取代基。
[化学式35]
[化学式36]
[化学式37]
[化学式38]
上述通式(TEMP-83)～(TEMP-102)中，Q1～Q8各自独立地为氢原子或取代基。
以上是对于“本说明书中记载的取代基”的说明。
·“键合而形成环的情况”
在本说明书中，表述为“由…相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成取代或未取代的单环、或者相互键合而形成取代或未取代的稠环、或者不相互键合”的情况，是指“由…相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成取代或未取代的单环”的情况、“由…相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成取代或未取代的稠环”的情况和“由…相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上不相互键合”的情况。
以下，对于本说明书中的“由…相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成取代或未取代的单环”的情况以及“由…相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成取代或未取代的稠环”的情况(以下有时将这些情况合称为“键合而形成环的情况”。)进行说明。以母骨架为蒽环的下述通式(TEMP-103)所示的蒽化合物的情况为例进行说明。
[化学式391
例如，在由R921～R930之中的“相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成环”的情况中，由成为1组的相邻的2个组成的组是指，R921与R922的组、R922与R923的组、R923与R924的组、R924与R930的组、R930与R925的组、R925与R926的组、R926与R927的组、R927与R928的组、R928与R929的组、以及R929与R921的组。
上述“1组以上”是指，由上述相邻的2个以上基团组成的组中的2组以上可以同时形成环。例如，在R921与R922相互键合而形成环QA而且同时R925与R926相互键合而形成环QB时，上述通式(TEMP-103)所示的蒽化合物由下述通式(TEMP-104)表示。
[化学式40]
“由相邻的2个以上基团组成的组”形成环的情况不仅包括如前述例子那样由相邻的“2个”组成的组发生键合的情况，还包括由相邻的“3个以上”组成的组发生键合的情况。例如，是指R921与R922相互键合而形成环QA，并且R922与R923相互键合而形成环QC，由相互相邻的3个(R921、R922和R923)组成的组相互键合而形成环并稠合于蒽母骨架的情况，这种情况下，上述通式(TEMP-103)所示的蒽化合物由下述通式(TEMP-105)表示。在下述通式(TEMP-105)中，环QA和环QC共有R922。
[化学式41]
所形成的“单环”或“稠环”中，作为所形成的环仅其自身的结构，可以为饱和的环也可以为不饱和的环。即便是“由相邻的2个组成的组中的1组”形成“单环”或“稠环”的情况下，该“单环”或“稠环”也可以形成饱和的环或不饱和的环。例如，在上述通式(TEMP-104)中所形成的环QA和环QB各自为“单环”或“稠环”。另外，在上述通式(TEMP-105)中所形成的环QA以及环QC为“稠环”。上述通式(TEMP-105)的环QA与环QC通过环QA与环QC稠合而形成了稠环。上述通式(TMEP-104)的环QA如果为苯环，则环QA为单环。上述通式(TMEP-104)的环QA如果为萘环，则环QA为稠环。
“不饱和的环”是指芳香族烃环或芳香族杂环。“饱和的环”是指脂肪族烃环或非芳香族杂环。
作为芳香族烃环的具体例，可以举出具体例组G1中作为具体例举出的基团被氢原子封端而成的结构。
作为芳香族杂环的具体例，可以举出具体例组G2中作为具体例举出的芳香族杂环基被氢原子封端而成的结构。
作为脂肪族烃环的具体例，可以举出具体例组G6中作为具体例举出的基团被氢原子封端而成的结构。
“形成环”是指，仅由母骨架的多个原子形成环，或者由母骨架的多个原子与另外的1个以上的任选元素形成环。例如，上述通式(TEMP-104)所示的R921与R922相互键合而形成的环QA是指由R921所键合的蒽骨架的碳原子、R922所键合的蒽骨架的碳原子与1个以上的任选元素形成环。作为具体例，在由R921与R922形成环QA的情况之中，在由R921所键合的蒽骨架的碳原子、R922所键合的蒽骨架的碳原子和4个碳原子形成单环的不饱和的环的情况下，由R921与R922形成的环为苯环。
在此，“任选元素”只要本说明书中没有另行记载，则优选为选自由碳元素、氮元素、氧元素以及硫元素组成的组中的至少1种元素。在任选元素中(例如碳元素或氮元素的情况下)，不形成环的键可以被氢原子等封端，也可以被后述的“任选取代基”所取代。在包含碳元素以外的任选元素时，所形成的环为杂环。
构成单环或稠环的“1个以上的任选元素”只要本说明书中没有另行记载，则优选为2个以上且15个以下，更优选为3个以上且12个以下，进一步优选为3个以上且5个以下。
本说明书中只要没有另行记载，则“单环”以及“稠环”之中优选为“单环”。
本说明书中只要没有另行记载，则“饱和的环”以及“不饱和的环”之中优选为“不饱和的环”。
本说明书中只要没有另行记载，则“单环”优选为苯环。
本说明书中只要没有另行记载，则“不饱和的环”优选为苯环。
“由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上”“相互键合而形成取代或未取代的单环”的情况下或者“相互键合而形成取代或未取代的稠环”的情况下，本说明书中只要没有另行记载，则优选为由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成由母骨架的多个原子和1个以上且15个以下的选自由碳元素、氮元素、氧元素以及硫元素组成的组中的至少1种元素形成的取代或未取代的“不饱和的环”。
上述的“单环”或“稠环”具有取代基时的取代基例如为后述的“任选取代基”。上述的“单环”或“稠环”具有取代基时的取代基的具体例为在上述的“本说明书中记载的取代基”的项中所描述过的取代基。
上述的“饱和的环”或“不饱和的环”具有取代基时的取代基例如为后述的“任选取代基”。上述的“单环”或“稠环”具有取代基时的取代基的具体例为在上述的“本说明书中记载的取代基”的项中所描述过的取代基。
以上是对于“由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成取代或未取代的单环”的情况以及“由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成取代或未取代的稠环”的情况(“键合而形成环的情况”)的说明。
·表述为“取代或未取代的”时的取代基
在本说明书中的一个实施方式中，上述表述为“取代或未取代的”时的取代基(在本说明书中，有时称为“任选取代基”。)例如为选自由
未取代的碳数1～50的烷基、
未取代的碳数2～50的烯基、
未取代的碳数2～50的炔基、
未取代的成环碳数3～50的环烷基、
-Si(R901)(R902)(R903)、
-O-(R904)、
-S-(R905)、
-N(R906)(R907)、
卤素原子、氰基、硝基、
未取代的成环碳数6～50的芳基、和
未取代的成环原子数5～50的杂环基
组成的组中的基团等，
此处，R901～R907各自独立地为
氢原子、
取代或未取代的碳数1～50的烷基、
取代或未取代的成环碳数3～50的环烷基、
取代或未取代的成环碳数6～50的芳基、或者取代或未取代的成环原子数5～50的杂环基。
在R901存在2个以上的情况下，2个以上的R901相互相同或者不同，
在R902存在2个以上的情况下，2个以上的R902相互相同或者不同，
在R903存在2个以上的情况下，2个以上的R903相互相同或者不同，
在R904存在2个以上的情况下，2个以上的R904相互相同或者不同，
在R905存在2个以上的情况下，2个以上的R905相互相同或者不同，
在R906存在2个以上的情况下，2个以上的R906相互相同或者不同，
在R907存在2个以上的情况下，2个以上的R907相互相同或者不同。
在一个实施方式中，上述表述为“取代或未取代的”时的取代基为选自由
碳数1～50的烷基、
成环碳数6～50的芳基、和
成环原子数5～50的杂环基
组成的组中的基团。
在一个实施方式中，上述表述为“取代或未取代的”时的取代基为选自由
碳数1～18的烷基、
成环碳数6～18的芳基、和
成环原子数5～18的杂环基
组成的组中的基团。
上述任选取代基的各基团的具体例是在上述的“本说明书中记载的取代基”的项中所描述的取代基的具体例。
在本说明书中只要没有另行记载，则可以由相邻的任选取代基彼此形成“饱和的环”或“不饱和的环”，优选形成取代或未取代的饱和的五元环、取代或未取代的饱和的六元环、取代或未取代的不饱和的五元环或者取代或未取代的不饱和的六元环，更优选形成苯环。
在本说明书中只要没有另行记载，则任选取代基可以还具有取代基。作为任选取代基进一步具有的取代基，则与上述任选取代基同样。
在本说明书中，使用“AA～BB”表示的数值范围是指以“AA～BB”的前面记载的数值AA作为下限值、以“AA～BB”的后面记载的数值BB作为上限值而包含的范围。
以下，对本发明的化合物进行说明。
本发明的一个方案涉及的化合物由下述式(1)表示。
其中，以下有时将式(1)和后述的式(1)中所包含的各式所示的本发明的化合物仅称为“发明化合物(1)”或“发明化合物”。
[化学式42]
以下，对式(1)和后述的式(1)中所包含的各式中的符号进行说明。需要说明的是，相同符号具有相同含义。
式(1)中，N*为中心氮原子。
式(1)中，选自R1A～R5A中的1个为与*a1键合的单键。
式(1)中，选自R1B～R5B中的1个为与*b1键合的单键。
式(1)中，选自R11A～R15A中的1个为与*a2键合的单键。
式(1)中，选自R11B～R15B中的1个为与*b2键合的单键。
式(1)中，选自R21A～R25A中的1个为与*a3键合的单键。
式(1)中，选自R21B～R25B中的1个为与*b3键合的单键。
式(1)中，满足下述(i)～(vi)之中的至少1项。
(i)R2A或R4A为与*a1键合的单键
(ii)R2B或R4B为与*b1键合的单键
(iii)R12A或R14A为与*a2键合的单键
(iv)R12B或R14B为与*b2键合的单键
(v)R22A或R24A为与*a3键合的单键
(vi)R22B或R24B为与*b3键合的单键
即，发明化合物(1)具有至少1个呈间位的键合结构。
式(1)中，并非单键的R1A～R5A、并非单键的R1B～R5B、并非单键的R11A～R15A、并非单键的R11B～R15B、并非单键的R21A～R25A和并非单键的R21B～R25B各自独立地为氢原子、未取代的碳数1～6的烷基、或者未取代的苯基，优选为氢原子。
式(1)中，在并非单键的R1A～R5A、并非单键的R1B～R5B、并非单键的R11A～R15A、并非单键的R11B～R15B、并非单键的R21A～R25A、以及并非单键的R21B～R25B每个分组中，由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成取代或未取代的成环原子数3以上且6以下的单环、或者不相互键合而不形成环。
并非上述单键的R1A～R5A、并非上述单键的R1B～R5B、并非上述单键的R11A～R15A、并非上述单键的R11B～R15B、并非上述单键的R21A～R25A、和并非上述单键的R21B～R25B表示的未取代的烷基优选为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、或者叔丁基，更优选为甲基、乙基、异丙基、或者叔丁基，进一步优选为甲基或者叔丁基。
由并非上述单键的R1A～R5A、并非上述单键的R1B～R5B、并非上述单键的R11A～R15A、并非上述单键的R11B～R15B、并非上述单键的R21A～R25A和并非上述单键的R21B～R25B形成的未取代的成环原子数3以上且6以下的单环例如为苯环、环己烷环，优选为苯环。
式(1)中，
ml为0或1，
n1为0或1，
m1≥n1。其中，
在m1和n1为0时，*b1与中心氮原子N*键合，
m1为1且n1为0时，选自R1A～R5A中的1个为与*b1键合的单键。
式(1)中，可以m1和n1为0，也可以m1为1且n1为0，也可以m1和n1为1。
此处，“m1≥n1”是指，在中心氮原子N*与Ar1之间存在的连接基团为1个的情况下，不表述为“ml为0且n1为1”而是表述为“m1为1且n1为0”，即限定环B1不与中心氮原子N*直连。
式(1)中，
m2为0或1，
n2为0或1，
m2≥n2。其中，
在m2和n2为0时，*b2与中心氮原子N*键合，
在m2为1且n2为0时，选自R11A～R15A中的1个为与*b2键合的单键。
式(1)中，可以m2和n2为0，也可以m1为2且n2为0，也可以m2和n2为1。
此处，“m2≥n2”是指，在中心氮原子N*与Ar2之间存在的连接基团为1个的情况下，不表述为“m2为0且n2为1”而是表述为“m2为1且n2为0”，即规定环B2不与中心氮原子N*直连。
式(1)中，
m3为0或1，
n3为0或1，
m3≥n3。其中，
在m3和n3为0时，*b3与中心氮原子N*键合，
在m3为1且n3为0时，选自R21A～R25A中的1个为与*b3键合的单键。
式(1)中，可以m3和n3为0，也可以m3为2且n3为0，也可以m3和n3为1。
此处，“m3≥n3”是指，在中心氮原子N*与Ar3之间存在的连接基团为1个的情况下，不表述为“m3为0且n3为1”而是表述为“m3为1且n2为0”，即限定环B3不与中心氮原子N*直连。
式(1)中，可以m3和n3为0，也可以m3为1且n3为0，也可以m3和n3为1，优选m3为1且n3为0、或者m3为1且n3为1。
式(1)中，在m3为1且n3为0、或者m3为1且n3为1的情况下，优选满足下述(i)～(iii)中的至少任一项。
(i)R22A或R24A为与*a3键合的单键。
(ii)R22A或R24A为与*b3键合的单键。
(iii)R22B或R24B为与*b3键合的单键。
换言之，发明化合物(1)优选为下述式(1-1)～下述式(1-4B)所示的化合物。
[化学式43]
[化学式44]
[化学式45]
[化学式46]
[化学式47]
/>
[化学式48]
式(1-1)～式(1-4B)中，
N*、R1A～R5A、R1B～R5B、R11A～R15A、R11B～R15B、R21A～R25A、R21B～R25B、a1、b1、a2、b2、b3、m1、n1、m2、n2、Ar1、Ar2和Ar3与上述(1)中的定义相同。
式(1)中，m1、m2、m3、n1、n2和n3中的至少1个为1。
即，发明化合物(1)具有至少1个的作为连接基团的亚苯基。
式(1)中，Ar1和Ar2各自独立地由下述式(1-a)～下述式(1-f)中的任一式表示，Ar3由下述式(1-g)和下述式(1-h)中的任一式表示。
[化学式49]
式(1-a)中，**表示与*b1或*b2的键合位置。
式(1-a)中，R31～R35各自独立地为氢原子、未取代的碳数1～6的烷基、或者未取代的苯基，优选为氢原子。
式(1-a)中，R31～R35不存在由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成环的情况。
上述R31～R35表示的未取代的烷基优选为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、或者叔丁基，更优选为甲基、乙基、异丙基、或者叔丁基，进一步优选为甲基或者叔丁基。
[化学式50]
式(1-b)中，**表示与*b1或*b2的键合位置。
式(1-b)中，选自R41～R48中的1个为与*b键合的单键，优选R41或R48为与*b键合的单键。
式(1-b)中，并非单键的R41～R48各自独立地为氢原子、未取代的碳数1～6的烷基、或者未取代的苯基，优选为氢原子。
式(1-b)中，并非单键的R41～R48不存在由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成环的情况。
并非上述单键的R41～R48表示的未取代的烷基优选为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、或者叔丁基，更优选为甲基、乙基、异丙基、或者叔丁基，进一步优选为甲基或者叔丁基。
[化学式51]
式(1-c)中，**表示与*b1或*b2的键合位置。
式(1-c)中，选自R51～R62中的1个为与*c键合的单键。
式(1-c)中，并非单键的R51～R62各自独立地为氢原子、未取代的碳数1～6的烷基、或者未取代的苯基，优选为氢原子。
式(1-c)中，并非单键的R51～R62不存在由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成环的情况。
并非上述单键的R51～R62表示的未取代的烷基优选为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、或者叔丁基，更优选为甲基、乙基、异丙基、或者叔丁基，进一步优选为甲基或者叔丁基。
[化学式52]
式(1-d)中，**表示与*b1或*b2的键合位置。
式(1-d)中，选自R71～R80中的1个为与*d键合的单键。
式(1-d)中，并非单键的R71～R80各自独立地为氢原子、未取代的碳数1～6的烷基、或者未取代的苯基，优选为氢原子。
式(1-d)中，并非单键的R71～R80不存在由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成环的情况。
并非上述单键的R71～R80表示的未取代的烷基优选为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、或者叔丁基，更优选为甲基、乙基、异丙基、或者叔丁基，进一步优选为甲基或者叔丁基。
[化学式53]
式(1-e)中，**表示与*b1或*b2的键合位置。
式(1-e)中，X为CRARB。
式(1-e)中，RA和RB各自独立地为取代或未取代的碳数1～6的烷基、取代或未取代的成环碳数6～12的芳基、或者成环碳数5～10的杂环基。
式(1-e)中，RA和RB相互键合而形成取代或未取代的单环、相互键合而形成取代或未取代的稠环、或者不相互键合而不形成环。
上述RA和RB表示的未取代的烷基优选为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、或者叔丁基，更优选为甲基、乙基、异丙基、或者叔丁基，进一步优选为甲基或者叔丁基。
上述RA和RB表示的未取代的芳基优选为苯基、联苯基、或者萘基，更优选为苯基。
上述RA和RB表示的未取代的杂环基优选为吡啶基、或者喹唑啉基。
由上述RA和RB形成的未取代的单环例如为苯环、环戊烷环、环己烷环。
由上述RA和RB形成的未取代的稠环例如为萘环、蒽环。
另外，在RA和RB相互键合而形成未取代的单环或未取代的稠环的情况下，RA和RB也可以与这两个基团所键合的芴骨架一起形成环而形成例如螺二芴骨架、螺[9H-芴-9，1’-环戊烷]骨架。
式(1-e)中，选自R91～R98中的1个为与*e键合的单键。
式(1-e)中，并非单键的R91～R98各自独立地为氢原子、未取代的碳数1～6的烷基、或者未取代的苯基，优选为氢原子。
式(1-e)中，并非单键的R91～R98中由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成取代或未取代的成环原子数3以上且6以下的单环、或者不相互键合而不形成环。
并非上述单键的R91～R98表示的未取代的烷基优选为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、或者叔丁基，更优选为甲基、乙基、异丙基、或者叔丁基，进一步优选为甲基或者叔丁基。
由并非上述单键的R91～R98形成的未取代的成环原子数3以上且6以下的单环例如为苯环、环己烷环，优选为苯环。
[化学式54]
式(1-f)中，**表示与*b1或*b2的键合位置。
式(1-f)中，选自R101～R105中的1个为与*f1键合的单键，选自R101～R105中的另1个为与*f2键合的单键。
式(1-f)中，并非单键的R101～R105、R111～R115和R121～R125各自独立地为氢原子、未取代的碳数1～6的烷基、或者未取代的苯基，优选为氢原子。
式(1-f)中，并非单键的R101～R105不存在由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成环的情况。
式(1-f)中，在R111～R115、以及R121～R125每个分组中，由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成取代或未取代的成环原子数3以上且6以下的单环、或者不相互键合而不形成环。
并非上述单键的R101～R105、上述R111～R115和上述R121～R125表示的未取代的烷基优选为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、或者叔丁基，更优选为甲基、乙基、异丙基、或者叔丁基，进一步优选为甲基或者叔丁基。
由上述R111～R115和上述R121～R125形成的未取代的成环原子数3以上且6以下的单环例如为苯环、环己烷环，优选为苯环。
[化学式55]
式(1-g)中，***表示与*b3的键合位置。
o1为0、1或2。
选自R131～R138中的1个为与*g键合的单键，优选R131或R138为与*g键合的单键。
*x1为与并非上述与*g键合的单键的R131～R138中的任一个键合的单键。
并非单键的R131～R138各自独立地为氢原子。
并非单键的R131～R138不存在由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成环的情况。
[化学式56]
式(1-h)中，***表示与*b3的键合位置。
o2为0、1或2。
选自R141～R150中的1个为与*h键合的单键。
*x2为与并非上述与*h键合的单键的R141～R150中的任一个键合的单键。
并非单键的R141～R150各自独立地为氢原子。
并非单键的R141～R150不存在由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成环的情况。
式(1)中，排除下述(i)～(iii)的情况。
(i)Ar1和Ar2中的一者由式(1-d)表示，上述Ar1和上述Ar2中的另一者由上述式(1-a)～上述(1-c)、上述(1-e)和上述(1-f)中的任一式表示，并且Ar3由*h为与R149或R150键合的单键的式(1-h)表示的情况；
(ii)Ar1和Ar2中的一者由*d为与R79或R80键合的单键的式(1-d)表示，上述Ar1和上述Ar2中的另一者由上述式(1-a)～上述(1-c)、上述(1-e)和上述(1-f)中的任一式表示，并且Ar3由式(1-h)表示的情况；
(iii)Ar1和Ar2中的一者由*d为与R79或R80键合的单键的式(1-d)表示，Ar1和Ar2中的另一者由式(1-d)表示，并且Ar3由式(1-g)表示的情况。
换言之，发明化合物(1)不包括下述式(A)～(L)所示的化合物。
[化学式57]
[化学式58]
[化学式59]
[化学式60]
[化学式61]
[化学式62]
[化学式63]
[化学式64]
[化学式65]
[化学式66]
[化学式67]
[化学式68]
式(A)～式(L)中，
N*、R1A～R5A、R1B～R5B、R11A～R15A、R11B～R15B、R21A～R25A、R21B～R25B、R71～R80、R131～R138、R141～R150、a1、b1、a2、b2、a3、b3、d、g、h、x1、x2、o1、o2、m1、n1、m2、n2、m3、n3、Ar1和Ar2与上述式(1)、上述式(1-d)、上述式(1-g)和上述式(1-h)中的定义相同。其中，Ar1和Ar2并非上述式(1-d)。
式(1)中，优选Ar1和Ar2中的至少任一个由上述式(1-b)或上述式(1-d)表示，Ar1和Ar2更优选均由上述式(1-b)或上述式(1-d)表示。
换言之，发明化合物(1)优选为下述式(1-5)～下述式(1-8)中的任一式所示的化合物，更优选为下述式(1-9)～下述式(1-12)中的任一式所示的化合物。
[化学式69]
/>
[化学式70]
[化学式71]
[化学式72]
[化学式73]
[化学式74]
[化学式75]
[化学式76]
式(1-5)～式(1-12)中，
N*、R1A～R5A、R1B～R5B、R11A～R15A、R11B～R15B、R21A～R25A、R21B～R25B、R41～R48、R71～R80、a1、b1、a2、b2、a3、b3、b、d、m1、n1、m2、n2、m3、n3、Ar1、Ar2和Ar3与上述式(1)、上述式(1-b)和上述式(1-d)中的定义相同。
式(1)中，在Ar1由上述式(1-f)表示时，m1为0且n1为0、或者m1为1且n1为0。
换言之，发明化合物(1)在Ar1由上述式(1-f)表示时，为下述式(1-13)或下述式(1-14)所示的化合物。
[化学式77]
/>
[化学式78]
式(1-13)和式(1-14)中，
N*、R1A～R5A、R11A～R15A、R11B～R15B、R21A～R25A、R21B～R25B、R101～R105、R111～R115、R121～R125、b1、a2、b2、a3、b3、f1、f2、m2、n2、m3、n3、Ar2和Ar3与上述式(1)和上述式(1-f)中的定义相同。
式(1)中，在Ar2由上述式(1-f)表示时，m2为0且n2为0、或者m2为1且n2为0。
换言之，发明化合物(1)在Ar2为上述式(1-f)所示的化合物时，为下述式(1-15)或下述式(1-16)所示的化合物。
[化学式79]
[化学式80]
式(1-15)和式(1-16)中，
N*、R1A～R5A、R1B～R5B、R11A～R15A、R21A～R25A、R21B～R25B、R101～R105、R111～R115、R121～R125、a1、b1、b2、a3、b3、f1、f2、m1、n1、m3、n3、Ar1和Ar3与上述式(1)和上述式(1-f)中的定义相同。
式(1)中，在m3为1且n3为0、或者m3为1且n3为1的情况下，在Ar1由上述式(1-b)或上述式(1-d)表示时，优选m1为1且n1为0、或者m1为1且n1为1。
换言之，在发明化合物(1)为下述式(1-17)或下述式(1-18)所示的化合物时，优选m1为1。
[化学式81]
[化学式82]
式(1-17)和式(1-18)中，
N*、R1A～R5A、R1B～R5B、R11A～R15A、R11B～R15B、R21A～R25A、R21B～R25B、R41～R48、R71～R80、a1、b1、a2、b2、a3、b3、b、d、m1、n1、m2、n2、n3、Ar2和Ar3与上述式(1)、上述式(1-b)和上述式(1-d)中的定义相同。
式(1)中，在m3为1且n3为0、或者m3为1且n3为1的情况下，在Ar2由上述式(1-b)或上述式(1-d)表示时，优选m2为1且n2为0、或者m2为1且n2为1。
换言之，在发明化合物(1)为下述式(1-19)或下述式(1-20)所示的化合物时，优选m2为1。
[化学式83]
/>
[化学式84]
式(1-19)和式(1-20)中，
N*、R1A～R5A、R1B～R5B、R11A～R15A、R11B～R15B、R21A～R25A、R21B～R25B、R41～R48、R71～R80、a1、b1、a2、b2、a3、b3、b、d、m1、n1、m2、n2、n3、Ar1和Ar3与上述式(1)、上述式(1-b)和上述式(1-d)中的定义相同。
优选的是，在Ar1由式(1-b)或式(1-d)表示的情况下，满足下述(i)和(ii)中的至少任一项，在Ar2由式(1-b)或式(1-d)表示的情况下，满足下述(iii)和(iv)中的至少任一项。
(i)R2A或R4A为与*a1键合的单键；
(ii)R2B或R4B为与*b1键合的单键；
(iii)R12A或R14A为与*a2键合的单键；
(iv)R12B或R14B为与*b2键合的单键。
换言之，在发明化合物(1)为上述式(1-5)或上述式(1-6)所示的化合物时，优选为下述式(1-5-1)～下述式(1-6-4)中的任一式，在发明化合物(1)为上述式(1-7)或上述式(1-8)所示的化合物时，优选为下述式(1-7-1)～下述式(1-8-4)中的任一式。
[化学式85]
[化学式861
[化学式87]
[化学式88]
[化学式89]
[化学式90]
[化学式91]
[化学式92]
[化学式93]
[化学式94]
[化学式95]
[化学式96]
[化学式97]
[化学式98]
[化学式99]
[化学式100]
式(1-5-1)～式(1-8-8)中，
N*、R1A～R5A、R1B～R5B、R11A～R15A、R11B～R15B、R21A～R25A、R21B～R25B、R41～R48、R71～R80、a1、b1、a2、b2、a3、b3、b、d、m1、n1、m2、n2、m3、n3、Ar1、Ar2和Ar3与上述式(1)、上述式(1-b)和上述式(1-d)中的定义相同。
在发明化合物(1)中，作为Ar1、Ar2、Ar3的组合，可以举出
Ar1：式(1-a)；Ar2：式(1-a)；Ar3：式(1-g)、
Ar1：式(1-a)；Ar2：式(1-b)；Ar3：式(1-g)、
Ar1：式(1-a)；Ar2：式(1-c)；Ar3：式(1-g)、
Ar1：式(1-a)；Ar2：式(1-d)；Ar3：式(1-g)、
Ar1：式(1-a)；Ar2：式(1-e)；Ar3：式(1-g)、
Ar1：式(1-a)；Ar2：式(1-f)；Ar3：式(1-g)、
Ar1：式(1-b)；Ar2：式(1-a)；Ar3：式(1-g)、
Ar1：式(1-b)；Ar2：式(1-b)；Ar3：式(1-g)、
Ar1：式(1-b)；Ar2：式(1-c)；Ar3：式(1-g)、
Ar1：式(1-b)；Ar2：式(1-d)；Ar3：式(1-g)、
Ar1：式(1-b)；Ar2：式(1-e)；Ar3：式(1-g)、
Ar1：式(1-b)；Ar2：式(1-f)；Ar3：式(1-g)、
Ar1：式(1-c)；Ar2：式(1-a)；Ar3：式(1-g)、
Ar1：式(1-c)；Ar2：式(1-b)；Ar3：式(1-g)、
Ar1：式(1-c)；Ar2：式(1-c)；Ar3：式(1-g)、
Ar1：式(1-c)；Ar2：式(1-d)；Ar3：式(1-g)、
Ar1：式(1-c)；Ar2：式(1-e)；Ar3：式(1-g)、
Ar1：式(1-c)；Ar2：式(1-f)；Ar3：式(1-g)、
Ar1：式(1-d)；Ar2：式(1-a)；Ar3：式(1-g)、
Ar1：式(1-d)；Ar2：式(1-b)；Ar3：式(1-g)、
Ar1：式(1-d)；Ar2：式(1-c)；Ar3：式(1-g)、
Ar1：式(1-d)；Ar2：式(1-d)；Ar3：式(1-g)、
Ar1：式(1-d)；Ar2：式(1-e)；Ar3：式(1-g)、
Ar1：式(1-d)；Ar2：式(1-f)；Ar3：式(1-g)、
Ar1：式(1-e)；Ar2：式(1-a)；Ar3：式(1-g)、
Ar1：式(1-e)；Ar2：式(1-b)；Ar3：式(1-g)、
Ar1：式(1-e)；Ar2：式(1-c)；Ar3：式(1-g)、
Ar1：式(1-e)；Ar2：式(1-d)；Ar3：式(1-g)、
Ar1：式(1-e)；Ar2：式(1-e)；Ar3：式(1-g)、
Ar1：式(1-e)；Ar2：式(1-f)；Ar3：式(1-g)、
Ar1：式(1-f)；Ar2：式(1-a)；Ar3：式(1-g)、
Ar1：式(1-f)；Ar2：式(1-b)；Ar3：式(1-g)、
Ar1：式(1-f)；Ar2：式(1-c)；Ar3：式(1-g)、
Ar1：式(1-f)；Ar2：式(1-d)；Ar3：式(1-g)、
Ar1：式(1-f)；Ar2：式(1-e)；Ar3：式(1-g)、
Ar1：式(1-f)；Ar2：式(1-f)；Ar3：式(1-g)、
Ar1：式(1-a)；Ar2：式(1-a)；Ar3：式(1-h)、
Ar1：式(1-a)；Ar2：式(1-b)；Ar3：式(1-h)、
Ar1：式(1-a)；Ar2：式(1-c)；Ar3：式(1-h)、
Ar1：式(1-a)；Ar2：式(1-d)；Ar3：式(1-h)、
Ar1：式(1-a)；Ar2：式(1-e)；Ar3：式(1-h)、
Ar1：式(1-a)；Ar2：式(1-f)；Ar3：式(1-h)、
Ar1：式(1-b)；Ar2：式(1-a)；Ar3：式(1-h)、
Ar1：式(1-b)；Ar2：式(1-b)；Ar3：式(1-h)、
Ar1：式(1-b)；Ar2：式(1-c)；Ar3：式(1-h)、
Ar1：式(1-b)；Ar2：式(1-d)；Ar3：式(1-h)、
Ar1：式(1-b)；Ar2：式(1-e)；Ar3：式(1-h)、
Ar1：式(1-b)；Ar2：式(1-f)；Ar3：式(1-h)、
Ar1：式(1-c)；Ar2：式(1-a)；Ar3：式(1-h)、
Ar1：式(1-c)；Ar2：式(1-b)；Ar3：式(1-h)、
Ar1：式(1-c)；Ar2：式(1-c)；Ar3：式(1-h)、
Ar1：式(1-c)；Ar2：式(1-d)；Ar3：式(1-h)、
Ar1：式(1-c)；Ar2：式(1-e)；Ar3：式(1-h)、
Ar1：式(1-c)；Ar2：式(1-f)；Ar3：式(1-h)、
Ar1：式(1-d)；Ar2：式(1-a)；Ar3：式(1-h)、
Ar1：式(1-d)；Ar2：式(1-b)；Ar3：式(1-h)、
Ar1：式(1-d)；Ar2：式(1-c)；Ar3：式(1-h)、
Ar1：式(1-d)；Ar2：式(1-d)；Ar3：式(1-h)、
Ar1：式(1-d)；Ar2：式(1-e)；Ar3：式(1-h)、
Ar1：式(1-d)；Ar2：式(1-f)；Ar3：式(1-h)、
Ar1：式(1-e)；Ar2：式(1-a)；Ar3：式(1-h)、
Ar1：式(1-e)；Ar2：式(1-b)；Ar3：式(1-h)、
Ar1：式(1-e)；Ar2：式(1-c)；Ar3：式(1-h)、
Ar1：式(1-e)；Ar2：式(1-d)；Ar3：式(1-h)、
Ar1：式(1-e)；Ar2：式(1-e)；Ar3：式(1-h)、
Ar1：式(1-e)；Ar2：式(1-f)；Ar3：式(1-h)、
Ar1：式(1-f)；Ar2：式(1-a)；Ar3：式(1-h)、
Ar1：式(1-f)；Ar2：式(1-b)；Ar3：式(1-h)、
Ar1：式(1-f)；Ar2：式(1-c)；Ar3：式(1-h)、
Ar1：式(1-f)；Ar2：式(1-d)；Ar3：式(1-h)、
Ar1：式(1-f)；Ar2：式(1-e)；Ar3：式(1-h)、和
Ar1：式(1-f)；Ar2：式(1-f)；Ar3：式(1-h)。
发明化合物(1)优选为下述(i)～(iii)中的任一化合物。
(i)Ar1由式(1-a)～式(1-c)、式(1-e)或式(1-f)表示、Ar2由式(1-a)～式(1-c)、式(1-e)或式(1-f)表示并且Ar3由式(1-h)表示的化合物；
(ii)Ar1由式(1-d)表示、Ar2由式(1-a)～式(1-c)、式(1-e)或式(1-f)表示并且Ar3由式(1-g)表示的化合物；
(iii)Ar1由式(1-a)～式(1-c)、式(1-e)或式(1-f)表示、Ar2由式(1-d)表示并且Ar3由式(1-g)表示的化合物。
换言之，发明化合物(1)优选为以下的Ar1、Ar2、Ar3的组合。
Ar1：式(1-a)；Ar2：式(1-d)；Ar3：式(1-g)、
Ar1：式(1-b)；Ar2：式(1-d)；Ar3：式(1-g)、
Ar1：式(1-c)；Ar2：式(1-d)；Ar3：式(1-g)、
Ar1：式(1-d)；Ar2：式(1-a)；Ar3：式(1-g)、
Ar1：式(1-d)；Ar2：式(1-b)；Ar3：式(1-g)、
Ar1：式(1-d)；Ar2：式(1-c)；Ar3：式(1-g)、
Ar1：式(1-d)；Ar2：式(1-e)；Ar3：式(1-g)、
Ar1：式(1-d)；Ar2：式(1-f)；Ar3：式(1-g)、
Ar1：式(1-e)；Ar2：式(1-d)；Ar3：式(1-g)、
Ar1：式(1-f)；Ar2：式(1-d)；Ar3：式(1-g)、
Ar1：式(1-a)；Ar2：式(1-a)；Ar3：式(1-h)、
Ar1：式(1-a)；Ar2：式(1-b)；Ar3：式(1-h)、
Ar1：式(1-a)；Ar2：式(1-c)；Ar3：式(1-h)、
Ar1：式(1-a)；Ar2：式(1-e)；Ar3：式(1-h)、
Ar1：式(1-a)；Ar2：式(1-f)；Ar3：式(1-h)、
Ar1：式(1-b)；Ar2：式(1-a)；Ar3：式(1-h)、
Ar1：式(1-b)；Ar2：式(1-b)；Ar3：式(1-h)、
Ar1：式(1-b)；Ar2：式(1-c)；Ar3：式(1-h)、
Ar1：式(1-b)；Ar2：式(1-e)；Ar3：式(1-h)、
Ar1：式(1-b)；Ar2：式(1-f)；Ar3：式(1-h)、
Ar1：式(1-c)；Ar2：式(1-a)；Ar3：式(1-h)、
Ar1：式(1-c)；Ar2：式(1-b)；Ar3：式(1-h)、
Ar1：式(1-c)；Ar2：式(1-c)；Ar3：式(1-h)、
Ar1：式(1-c)；Ar2：式(1-e)；Ar3：式(1-h)、
Ar1：式(1-c)；Ar2：式(1-f)；Ar3：式(1-h)、
Ar1：式(1-e)；Ar2：式(1-a)；Ar3：式(1-h)、
Ar1：式(1-e)；Ar2：式(1-b)；Ar3：式(1-h)、
Ar1：式(1-e)；Ar2：式(1-c)；Ar3：式(1-h)、
Ar1：式(1-e)；Ar2：式(1-e)；Ar3：式(1-h)、
Ar1：式(1-e)；Ar2：式(1-f)；Ar3：式(1-h)、
Ar1：式(1-f)；Ar2：式(1-a)；Ar3：式(1-h)、
AT1：式(1-f)；Ar2：式(1-b)；Ar3：式(1-h)、
Ar1：式(1-f)；Ar2：式(1-c)；Ar3：式(1-h)、
Ar1：式(1-f)；Ar2：式(1-e)；Ar3：式(1-h)、或者
Ar1：式(1-f)；Ar2：式(1-f)；Ar3：式(1-h)。
式(1)中，并非单键的R1A～R5A、并非单键的R1B～R5B、并非单键的R11A～R15A、并非单键的R11B～R15B、并非单键的R21A～R25A和并非单键的R21B～R25B中所包含的氢原子之中的至少1个为氘原子。
换言之，上述式(1)所示的化合物具有并非单键的R1A～R5A、并非单键的R1B～R5B、并非单键的R11A～R15A、并非单键的R11B～R15B、并非单键的R21A～R25A和并非单键的R21B～R25B中所包含的氢原子之中的至少一个为氘原子的结构。
对于发明化合物(1)中所包含的氘原子之后具体进行说明。
优选的是，并非单键的R1A～R5A、并非单键的R11A～R15A和并非单键的R21A～R25A中所包含的氢原子之中的至少1个为氘原子。
其中，在m3＝n3＝0时，并非上述单键的R1A～R5A、并非上述单键的R1B～R5B、并非上述单键的R11A～R15A、并非上述单键的R11B～R15B、作为上述Ar3的式(1-g)中的并非上述单键的R131～R138和作为上述Ar3的式(1-h)中的并非上述单键的R141～R150中所包含的氢原子之中的至少1个为氘原子。
在发明化合物(1)的一个方案中，下述(1)～(18)之中的至少1个为氘原子。
(1)并非单键的R1A～R5A表示的氢原子；
(2)与并非单键的R1A～R5A表示的烷基直连的氢原子；
(3)与并非单键的R1A～R5A表示的苯基直连的氢原子；
(4)并非单键的R1B～R5B表示的氢原子；
(5)与并非单键的R1B～R5B表示的烷基直连的氢原子；
(6)与并非单键的R1B～R5B表示的苯基直连的氢原子；
(7)并非单键的R11A～R15A表示的氢原子；
(8)与并非单键的R11A～R15A表示的烷基直连的氢原子；
(9)与并非单键的R11A～R15A表示的苯基直连的氢原子；
(10)并非单键的R11B～R15B表示的氢原子；
(11)与并非单键的R11B～R15B表示的烷基直连的氢原子；
(12)与并非单键的R11B～R15B表示的苯基直连的氢原子；
(13)并非单键的R21A～R25A表示的氢原子；
(14)与并非单键的R21A～R25A表示的烷基直连的氢原子；
(15)与并非单键的R21A～R25A表示的苯基直连的氢原子；
(16)并非单键的R21B～R25B表示的氢原子；
(17)与并非单键的R21B～R25B表示的烷基直连的氢原子；
(18)与并非单键的R21B～R25B表示的苯基直连的氢原子。
在发明化合物(1)的一个方案中，R3A与*a1键合的环A1、R3B与*b1键合的环B1、R13A与*a2键合的环A2、R13B与*b2键合的环B2、R23A与*a3键合的环A3和R23B与*b3键合的环B3所具有的氢原子之中的至少1个为氘原子。
本发明的一个方案涉及的化合物由下述式(2)表示。
其中，以下有时将式(2)和后述的式(2)中所包含的各式所示的本发明的化合物仅称为“发明化合物(2)”或“发明化合物”。
[化学式101]
式(2)中，N*为中心氮原子。
式(2)中，选自R1C～R5C中的1个为与*c1键合的单键。
式(2)中，选自R1D～R5D中的1个为与*d1键合的单键。
式(2)中，并非单键的R1C～R5C、并非单键的R1D～R5D、R11C～R14C、R21C～R24C和R161～R169各自独立地为氢原子、未取代的碳数1～6的烷基、或者未取代的苯基。
式(2)中，在并非单键的R1C～R5C、并非单键的R1D～R5D、R11C～R14C、以及R21C～R24C每个分组中，由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成取代或未取代的成环原子数3以上且6以下的单环、或者不相互键合而不形成环。
式(2)中，R161～R169不存在由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成环的情况。
并非上述单键的R1C～R5C、并非上述单键的R1D～R5D、上述R11C～R14C、上述R21C～R24C和上述R161～R169表示的未取代的烷基优选为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、或者叔丁基，更优选为甲基、乙基、异丙基、或者叔丁基，进一步优选为甲基或者叔丁基。
由并非上述单键的R1C～R5C、并非上述单键的R1D～R5D、上述R11C～R14C和上述R21C～R24C形成的未取代的成环原子数3以上且6以下的单环例如为苯环、环己烷环，优选为苯环。
式(2)中，m4为0或1，n4为0或1，m4≥n4。其中，在m4和n4为0时，*d1与中心氮原子N*键合，在m4为1且n4为0时，选自R1C～R5C中的1个为与*d1键合的单键。
式(2)中，m5为0或1，在m5为0时，选自R171～R180中的1个为与*c2键合的单键，在m5为1时，R25C为与*c2键合的单键，选自R171～R180中的1个为与*d2键合的单键。
换言之，发明化合物(2)为下述式(2-1)或下述式(2-2)所示的化合物，在下述式(2-1)所示的化合物的情况下，选自R171～R180中的1个为与*c2键合的单键，在下述式(2-2)所示的化合物的情况下，为下述式(2-2-1)所示的化合物，选自R171～R180中的1个为与*d2键合的单键。
[化学式102]
[化学式103]
[化学式104]
式(2-1)、式(2-2)和式(2-2-1)中，N*、R1C～R5C、R1D～R5D、R11C～R14C、R21C～R24C、R161～R169、R171～R180、m4、n4、*c1、*c2、*d1和*d2与上述式(2)中的定义相同。
式(2)中，并非单键的R171～R180各自独立地为氢原子、未取代的碳数1～6的烷基、或者未取代的苯基。
式(2)中，并非单键的R171～R180不存在由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成环的情况。
并非上述单键的R171～R180表示的未取代的烷基优选为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、或者叔丁基，更优选为甲基、乙基、异丙基、或者叔丁基，进一步优选为甲基或者叔丁基。
式(2)中，Ar4由下述式(1-a)～下述式(1-c)、下述式(1-e)和下述式(1-f)中的任一式表示。
[化学式105]
式(1-a)中，**表示与*d1的键合位置。
式(1-a)中，R31～R35各自独立地为氢原子、未取代的碳数1～6的烷基、或者未取代的苯基，优选为氢原子。
式(1-a)中，R31～R35不存在由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成环的情况。
上述R31～R35表示的未取代的烷基优选为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、或者叔丁基，更优选为甲基、乙基、异丙基、或者叔丁基，进一步优选为甲基或者叔丁基。
[化学式106]
式(1-b)中，**表示与*d1的键合位置。
式(1-b)中，选自R41～R48中的1个为与*b键合的单键，优选R41或R48为与*b键合的单键。
式(1-b)中，并非单键的R41～R48各自独立地为氢原子、未取代的碳数1～6的烷基、或者未取代的苯基，优选为氢原子。
式(1-b)中，并非单键的R41～R48不存在由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成环的情况。
并非上述单键的R41～R48表示的未取代的烷基优选为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、或者叔丁基，更优选为甲基、乙基、异丙基、或者叔丁基，进一步优选为甲基或者叔丁基。
[化学式107]
式(1-c)中，**表示与*d1的键合位置。
式(1-c)中，选自R51～R62中的1个为与*c键合的单键。
式(1-c)中，并非单键的R51～R62各自独立地为氢原子、未取代的碳数1～6的烷基、或者未取代的苯基，优选为氢原子。
式(1-c)中，并非单键的R51～R62不存在由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成环的情况。
并非上述单键的R51～R62表示的未取代的烷基优选为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、或者叔丁基，更优选为甲基、乙基、异丙基、或者叔丁基，进一步优选为甲基或者叔丁基。
[化学式108]
式(1-e)中，**表示与*d1的键合位置。
式(1-e)中，X为CRARB。
式(1-e)中，RA和RB各自独立地为取代或未取代的碳数1～6的烷基、取代或未取代的成环碳数6～12的芳基、或者成环碳数5～10的杂环基。
式(1-e)中，RA和RB相互键合而形成取代或未取代的单环、相互键合而形成取代或未取代的稠环、或者不相互键合而不形成环。
上述RA和RB表示的未取代的烷基优选为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、或者叔丁基，更优选为甲基、乙基、异丙基、或者叔丁基，进一步优选为甲基或者叔丁基。
上述RA和RB表示的未取代的芳基优选为苯基、联苯基、或者萘基，更优选为苯基。
上述RA和RB表示的未取代的杂环基优选为吡啶基、或者喹唑啉基。
由上述RA和RB形成的未取代的单环例如为苯环、环戊烷环、环己烷环。
由上述RA和RB形成的未取代的稠环例如为萘环、蒽环。
另外，在RA和RB相互键合而形成未取代的单环或未取代的稠环的情况下，RA和RB也可以与这两个基团所键合的芴骨架一起形成环而形成例如螺二芴骨架、螺[9H-芴-9，1’-环戊烷]骨架。
式(1-e)中，选自R91～R98中的1个为与*e键合的单键。
式(1-e)中，并非单键的R91～R98各自独立地为氢原子、未取代的碳数1～6的烷基、或者未取代的苯基，优选为氢原子。
式(1-e)中，并非单键的R91～R98中由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成取代或未取代的成环原子数3以上且6以下的单环、或者不相互键合而不形成环。
并非上述单键的R91～R98表示的未取代的烷基优选为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、或者叔丁基，更优选为甲基、乙基、异丙基、或者叔丁基，进一步优选为甲基或者叔丁基。
由并非上述单键的R91～R98形成的未取代的成环原子数3以上且6以下的单环例如为苯环、环己烷环，优选为苯环。
[化学式109]
式(1-f)中，**表示与*d1的键合位置。
式(1-f)中，选自R101～R105中的1个为与*f1键合的单键，选自R101～R105中的另1个为与*f2键合的单键。
式(1-f)中，并非单键的R101～R105、R111～R115和R121～R125各自独立地为氢原子、未取代的碳数1～6的烷基、或者未取代的苯基，优选为氢原子。
式(1-f)中，并非单键的R101～R105不存在由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成环的情况。
式(1-f)中，在R111～R115、以及R121～R125每个分组中，由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成取代或未取代的成环原子数3以上且6以下的单环、或者不相互键合而不形成环。
并非上述单键的R101～R105、上述R111～R115和上述R121～R125表示的未取代的烷基优选为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、或者叔丁基，更优选为甲基、乙基、异丙基、或者叔丁基，进一步优选为甲基或者叔丁基。
由上述R111～R115和上述R121～R125形成的未取代的成环原子数3以上且6以下的单环例如为苯环、环己烷环，优选为苯环。
式(2)中，在Ar4由上述式(1-f)表示时，m4为0且n4为0、或者m4为1且n4为0。
换言之，发明化合物(2)在Ar4为上述式(1-f)所示的化合物时，为下述式(2-3)或下述式(2-4)所示的化合物。
[化学式110]
[化学式111]
式(2-3)和式(2-4)中，N*、R1C～R5C、R11C～R14C、R21C～R24C、R101～R105、R111～R115、R121～R125、R161～R169、R171～R180、m5、*c2、*d1、*d2、*f1和*f2与上述式(2)和上述式(1-f)中的定义相同。
式(2)中，并非单键的R1C～R5C、并非单键的R1D～R5D、R11C～R14C和R21C～R24C中所包含的氢原子之中的至少1个为氘原子。
换言之，上述式(2)所示的化合物具有并非单键的R1C～R5C、并非单键的R1D～R5D、R11C～R14C和R21C～R24C中所包含的氢原子之中的至少一个为氘原子的结构。
对于发明化合物(2)中所包含的氘原子之后进行具体说明。
优选的是，并非单键的R1C～R5C、R11C～R14C和R21C～R24中所包含的氢原子之中的至少1个为氘原子。
在发明化合物(2)的一个方案中，下述(1)～(12)之中的至少1个为氘原子。
(1)并非单键的R1C～R5C表示的氢原子；
(2)与并非单键的R1C～R5C表示的烷基直连的氢原子；
(3)与并非单键的R1C～R5C表示的苯基直连的氢原子；
(4)并非单键的R1D～R5D表示的氢原子；
(5)与并非单键的R1D～R5D表示的烷基直连的氢原子；
(6)与并非单键的R1D～R5D表示的苯基直连的氢原子；
(7)R11C～R14C表示的氢原子；
(8)与R11C～R14C表示的烷基直连的氢原子；
(9)与R11C～R14C表示的苯基直连的氢原子；
(10)R21C～R24C表示的氢原子；
(11)与R21C～R24C表示的烷基直连的氢原子；
(12)与R21C～R24C表示的苯基直连的氢原子；
本发明的一个方案涉及的化合物由下述式(3)表示。
其中，以下有时将式(3)和后述的式(3)中所包含的各式所示的本发明的化合物仅称为“发明化合物(3)”或“发明化合物”。
[化学式112]
式(3)中，N*为中心氮原子。
式(3)中，选自R1E～R5E中的1个为与*e1键合的单键。
式(3)中，选自R1F～R5F中的1个为与*f11键合的单键。
式(3)中，并非单键的R1E～R5E、并非单键的R1F～R5F、R11E～R14E和R21E～R24E各自独立地为氢原子、未取代的碳数1～6的烷基、或者未取代的苯基。
式(3)中，在并非单键的R1E～R5E、并非单键的R1F～R5F、R11E～R14E、以及R21E～R24E每个分组中，由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成取代或未取代的成环原子数3以上且6以下的单环、或者不相互键合而不形成环。
并非上述单键的R1E～R5E、并非上述单键的R1F～R5F、上述R11E～R14E和上述R21E～R24E表示的未取代的烷基优选为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、或者叔丁基，更优选为甲基、乙基、异丙基、或者叔丁基，进一步优选为甲基或者叔丁基。
由并非上述单键的R1E～R5E、并非上述单键的R1F～R5F、上述R11E～R14E和上述R21E～R24E形成的未取代的成环原子数3以上且6以下的单环例如为苯环、环己烷环，优选为苯环。
式(3)中，m6为1，n6为0或1。
其中，式(3)中，在m6为1且n6为0时，选自R1E～R5E中的1个为与*f11键合的单键。
式(3)中，m7为0或1，在m7为0时，R189或R190为与*e2键合的单键，在m7为1时，R15E为与*e2键合的单键，R189或R190为与*f12键合的单键。
式(3)中，R181～R188和并非单键的R189或R190各自独立地为氢原子、未取代的碳数1～6的烷基、或者未取代的苯基。
式(3)中，R181～R188和并非单键的R189或R190不存在由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成环的情况。
上述R181～R188和并非上述单键的R189或R190表示的未取代的烷基优选为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、或者叔丁基，更优选为甲基、乙基、异丙基、或者叔丁基，进一步优选为甲基或者叔丁基。
式(3)中，m8为0或1，在m8为0时，选自R191～R200中的1个为与*e3键合的单键，在m8为1时，R25E为与*e3键合的单键，选自R191～R200中的1个为与*f13键合的单键。
式(3)中，并非单键的R191～R200各自独立地为氢原子、未取代的碳数1～6的烷基、或者未取代的苯基。
式(3)中，并非单键的R191～R200不存在由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成环的情况。
并非上述单键的R191～R200表示的未取代的烷基优选为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、或者叔丁基，更优选为甲基、乙基、异丙基、或者叔丁基，进一步优选为甲基或者叔丁基。
式(3)中，满足下述(i)～(ii)之中的至少1项。
(i)R2E或R4E为与*e1键合的单键；
(ii)R2F或R4F为与*f11键合的单键。
换言之，发明化合物(3)为下述式(3-1)～下述式(3-4)中的任一式所示的化合物。
[化学式113]
[化学式114]
[化学式115]
[化学式116]
式(3-1)～式(3-4)中，N*、R1E～R5E、R1F～R5F、R11E～R14E、R21E～R24E、R181～R190、R191～R200、m6、n6、m7、m8、*e1、*e2、*e3、*f11、*f12和*f13与上述式(3)中的定义相同。
将上述“式(3)中，m7为0或1，在m7为0时，R189或R190为与*e2键合的单键，在m7为1时，R15E为与*e2键合的单键，R189或R190为与*f12键合的单键。”换一种说法，是指发明化合物(3)为下述式(3-5)或下述式(3-6)所示的化合物，在下述式(3-5)所示的化合物的情况下，为下述式(3-5-1)或下述式(3-5-2)，在下述式(3-6)所示的化合物的情况下，为下述式(3-6-1)或下述式(3-6-2)。
[化学式117]
[化学式1181
[化学式119]
[化学式120]
[化学式121]
[化学式122]
式(3-5)、式(3-5-1)、式(3-5-2)、式(3-6)、式(3-6-1)和式(3-6-2)中，N*、R1E～R5E、R1F～R5F、R11E～R14E、R21E～R24E、R181～R190、R191～R200、m6、n6、m8、*e1、*e2、*e3、*f11、*f12和*f13与上述式(3)中的定义相同。
将上述“式(3)中，m8为0或1，在m8为0时，选自R191～R200中的1个为与*e3键合的单键，在m8为1时，R25E为与*e3键合的单键，选自R191～R200中的1个为与*f13键合的单键。”换一种说法，是指发明化合物(3)为下述式(3-7)或下述式(3-8)所示的化合物，在下述式(3-7)所示的化合物的情况下，选自R191～R200中的1个为与*e3键合的单键，在下述式(3-8)所示的化合物的情况下，为下述式(3-8-1)所示的化合物，选自R191～R200中的1个为与*f13键合的单键。
[化学式123]
[化学式124]
[化学式125]
式(3-7)、式(3-8)和式(3-8-1)中，N*、R1E～R5E、R1F～R5F、R11E～R14E、R21E～R24E、R181～R190、R191～R200、m6、n6、m7、*e1、*e2、*e3、*f11、*f12和*f13与上述式(3)中的定义相同。
式(3)中，Ar5由下述式(1-b)、下述式(1-c)、下述式(1-e)和下述式(1-f)中的任一式表示。
[化学式126]
式(1-b)中，**表示与上述*f11的键合位置。
式(1-b)中，选自R41～R48中的1个为与*b键合的单键，优选R41或R48为与*b键合的单键。
式(1-b)中，并非单键的R41～R48各自独立地为氢原子、未取代的碳数1～6的烷基、或者未取代的苯基，优选为氢原子。
式(1-b)中，并非单键的R41～R48不存在由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成环的情况。
并非上述单键的R41～R48表示的未取代的烷基优选为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、或者叔丁基，更优选为甲基、乙基、异丙基、或者叔丁基，进一步优选为甲基或者叔丁基。
[化学式127]
/>
式(1-c)中，**表示与上述*f11的键合位置。
式(1-c)中，选自R51～R62中的1个为与*c键合的单键。
式(1-c)中，并非单键的R51～R62各自独立地为氢原子、未取代的碳数1～6的烷基、或者未取代的苯基，优选为氢原子。
式(1-c)中，并非单键的R51～R62不存在由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成环的情况。
并非上述单键的R51～R62表示的未取代的烷基优选为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、或者叔丁基，更优选为甲基、乙基、异丙基、或者叔丁基，进一步优选为甲基或者叔丁基。
[化学式128]
式(1-e)中，**表示与*f11的键合位置。
式(1-e)中，X为CRARB。
式(1-e)中，RA和RB各自独立地为取代或未取代的碳数1～6的烷基、取代或未取代的成环碳数6～12的芳基、或者成环碳数5～10的杂环基。
式(1-e)中，RA和RB相互键合而形成取代或未取代的单环、相互键合而形成取代或未取代的稠环、或者不相互键合而不形成环。
上述RA和RB表示的未取代的烷基优选为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、或者叔丁基，更优选为甲基、乙基、异丙基、或者叔丁基，进一步优选为甲基或者叔丁基。
上述RA和RB表示的未取代的芳基优选为苯基、联苯基、或者萘基，更优选为苯基。
上述RA和RB表示的未取代的杂环基优选为吡啶基、或者喹唑啉基。
由上述RA和RB形成的未取代的单环例如为苯环、环戊烷环、环己烷环。
由上述RA和RB形成的未取代的稠环例如为萘环、蒽环。
另外，在RA和RB相互键合而形成未取代的单环或未取代的稠环的情况下，RA和RB也可以与这两个基团所键合的芴骨架一起形成环而形成例如螺二芴骨架、螺[9H-芴-9，1’-环戊烷]骨架。
式(1-e)中，选自R91～R98中的1个为与*e键合的单键。
式(1-e)中，并非单键的R91～R98各自独立地为氢原子、未取代的碳数1～6的烷基、或者未取代的苯基，优选为氢原子。
式(1-e)中，并非单键的R91～R98中由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成取代或未取代的成环原子数3以上且6以下的单环、或者不相互键合而不形成环。
并非上述单键的R91～R98表示的未取代的烷基优选为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、或者叔丁基，更优选为甲基、乙基、异丙基、或者叔丁基，进一步优选为甲基或者叔丁基。
由并非上述单键的R91～R98形成的未取代的成环原子数3以上且6以下的单环例如为苯环、环己烷环，优选为苯环。
[化学式129]
式(1-f)中，**表示与上述*f11的键合位置。
式(1-f)中，选自R101～R105中的1个为与*f1键合的单键，选自R101～R105中的另1个为与*f2键合的单键。
式(1-f)中，并非单键的R101～R105、R111～R115和R121～R125各自独立地为氢原子、未取代的碳数1～6的烷基、或者未取代的苯基，优选为氢原子。
式(1-f)中，并非单键的R101～R105不存在由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成环的情况。
式(1-f)中，在R111～R115、以及R121～R125每个分组中，由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成取代或未取代的成环原子数3以上且6以下的单环、或者不相互键合而不形成环。
并非上述单键的R101～R105、上述R111～R115和上述R121～R125表示的未取代的烷基优选为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、或者叔丁基，更优选为甲基、乙基、异丙基、或者叔丁基，进一步优选为甲基或者叔丁基。
由上述R111～R115和上述R121～R125形成的未取代的成环原子数3以上且6以下的单环例如为苯环、环己烷环，优选为苯环。
式(3)中，在Ar5由上述式(1-f)表示时，m6为0且n6为0、或者m6为1且n6为0。
换言之，发明化合物(3)在Ar5由上述式(1-f)表示时，为上述式(3-9)或上述式(3-10)所示的化合物。
[化学式130]
[化学式131]
式(3-9)和式(3-10)中，N*、R1E～R5E、R11E～R14E、R21E～R24E、R101～R105、R111～R115、R121～R125、R181～R190、R191～R200、m7、m8、*e2、*e3、*f1、*f2、*f11、*f12和*f13与上述式(3)和上述式(1-f)中的定义相同。
式(3)中，并非单键的R1E～R5E、并非单键的R1F～R5F、R11E～R14E和R21E～R24E中所包含的氢原子之中的至少1个为氘原子。
换言之，上述式(3)所示的化合物具有并非单键的R1E～R5E、并非单键的R1F～R5F、R11E～R14E和R21E～R24E中所包含的氢原子之中的至少一个为氘原子的结构。
对于发明化合物(3)中所包含的氘原子之后进行具体说明。
优选的是，并非单键的R1E～R5E、上述R11E～R14E和上述R21E～R24E中所包含的氢原子之中的至少1个为氘原子。
在发明化合物(3)的一个方案中，下述(1)～(12)之中的至少1个为氘原子。
(1)并非单键的R1E～R5E表示的氢原子；
(2)与并非单键的R1E～R5E表示的烷基直连的氢原子；
(3)与并非单键的R1E～R5E表示的苯基直连的氢原子；
(4)并非单键的R1F～R5F表示的氢原子；
(5)与并非单键的R1F～R5F表示的烷基直连的氢原子；
(6)与并非单键的R1F～R5F表示的苯基直连的氢原子；
(7)R11E～R14E表示的氢原子；
(8)与R11E～R14E表示的烷基直连的氢原子；
(9)与R11E～R14E表示的苯基直连的氢原子；
(10)R21E～R24E表示的氢原子；
(11)与R21E～R24E表示的烷基直连的氢原子；
(12)与R21E～R24E表示的苯基直连的氢原子；
如上所述，在本说明书中使用的“氢原子”包含氕原子、氘原子和氚原子。发明化合物也可以包含天然来源的氘原子。
另外，可以通过使原料化合物的一部分或全部使用经氘代的化合物，从而向发明化合物中刻意导入氘原子。
发明化合物的氘代率依赖于所使用的原料化合物的氘代率。即便使用了规定的氘代率的原料，也可以以天然来源的一定比例包含氕同位素。因此，下述所示的发明化合物的氘代率的方案相对于仅对化学式所示的氘原子的数量进行计数而求出的比例，包括考虑了天然来源的微量同位素的比率。
发明化合物的氘代率优选为1％以上，更优选为3％以上，进一步优选为5％以上，更进一步优选为10％以上，更进一步优选为50％以上。
发明化合物可以为所有氢原子为氘原子的(即，发明化合物的氘代率为100％)氘体。
发明化合物可以为包含经氘代的化合物和未氘代的化合物的混合物、具有不同氘代率的2种以上的化合物的混合物。这样的混合物的氘代率优选为1％以上，更优选为3％以上，进一步优选为5％以上，更进一步优选为10％以上，更进一步优选为50％以上且低于100％。
另外，相对于发明化合物中的全部氢原子数，氘原子数的各自的比例优选为1％以上，更优选为3％以上，进一步优选为5％以上，更进一步优选为10％以上且为100％以下。
上述各式的定义中所包含的表述为“取代或未取代的”时的取代基(任选取代基)的详情与“表述为“取代或未取代的”时的取代基”中的记载相同。
本领域技术人员参考后述的合成例和公知的合成方法能够容易地制造发明化合物。
以下示出发明化合物的具体例，不限定于以下的例示化合物。
下述具体例中，D表示氘原子。
需要说明的是，发明化合物(1)的具体例示于下述(1-1-1)～(1-1-9)，发明化合物(2)的具体例示于下述(2-1)～(2-7)，发明化合物(3)的具体例示于下述(3)。
(1-1-1)
[化学式132]
(1-1-2)
[化学式133]
(1-1-3)
[化学式134]
(1-1-4)
[化学式135]
其中，(1-1-4)中所示出的上述8个化合物之中，最下段右侧的化合物以外的上述7个化合物为比较示例化合物。
(1-1-5)
[化学式136]
其中，(1-1-5)中所示出的上述8个化合物之中，最上段右侧的化合物和最下段左侧的上述2个化合物为比较示例化合物。
(1-1-6)
[化学式137]
(1-1-7)
[化学式138]
(1-1-8)
[化学式139]
(1-1-9)
[化学式140]
(1-1-10)
[化学式141]
(1-2-1)
[化学式142]
(1-2-2)
[化学式143]
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[化学式144]
(1-2-4)
[化学式145]
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[化学式146]
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[化学式147]
(1-2-7)
[化学式148]
(1-2-8)
[化学式149]
(1-2-9)
[化学式150]
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[化学式151]
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[化学式152]
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[化学式153]
(1-3-3)
[化学式154]
(1-3-4)
[化学式155]
(1-3-5)
[化学式156]
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[化学式157]
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[化学式158]
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[化学式159]
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[化学式160]
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[化学式163]
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[化学式164]
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[化学式165]
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[化学式166]
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[化学式167]
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[化学式168]
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[化学式170]
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[化学式172]
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[化学式173]
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[化学式174]
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[化学式175]
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[化学式176]
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[化学式177]
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[化学式178]
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[化学式181]
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[化学式182]
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[化学式183]
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[化学式187]
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[化学式190]
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[化学式192]
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[化学式193]
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[化学式194]
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[化学式195]
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[化学式196]
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[化学式198]
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[化学式199]
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[化学式200]
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[化学式201]
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[化学式202]
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[化学式203]
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[化学式204]
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[化学式205]
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[化学式206]
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[化学式207]
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[化学式208]
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[化学式209]
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[化学式210]
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[化学式211]
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[化学式212]
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[化学式213]
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[化学式214]
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[化学式215]
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[化学式216]
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[化学式217]
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[化学式219]
(1-6-9)
[化学式220]
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[化学式221]
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[化学式222]
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[化学式223]
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[化学式224]
(1-6-14)
[化学式225]
(1-6-15)
[化学式226]
(1-6-16)
[化学式227]
(1-6-17)
[化学式228]
(1-6-18)
[化学式229]
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[化学式230]
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[化学式231]
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[化学式232]
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[化学式233]
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[化学式234]
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[化学式235]
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[化学式236]
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[化学式237]
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[化学式238]
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[化学式239]
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[化学式240]
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[化学式242]
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[化学式243]
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[化学式244]
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[化学式245]
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[化学式246]
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[化学式247]
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[化学式248]
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[化学式249]
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[化学式250]
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[化学式251]
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[化学式252]
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[化学式253]
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[化学式254]
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[化学式255]
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[化学式256]
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[化学式257]
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[化学式258]
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[化学式259]
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[化学式260]
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[化学式261]
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[化学式262]
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[化学式263]
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[化学式264]
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[化学式266]
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[化学式268]
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[化学式270]
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[化学式271]
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[化学式272]
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[化学式273]
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[化学式274]
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[化学式275]
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[化学式276]
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[化学式277]
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[化学式278]
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[化学式279]
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[化学式280]
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[化学式281]
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[化学式282]
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[化学式283]
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[化学式284]
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[化学式285]
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[化学式286]
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[化学式287]
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[化学式288]
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[化学式289]
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[化学式290]
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[化学式291]
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[化学式292]
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[化学式293]
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[化学式294]
(1-9-15)
[化学式295]
(1-9-16)
[化学式296]
(1-9-17)
[化学式297]
(1-9-18)
[化学式298]
(1-9-19)
[化学式299]
(1-9-20)
[化学式300]
(1-9-21)
[化学式301]
(1-9-22)
[化学式302]
(1-9-23)
[化学式303]
(1-9-24)
[化学式304]
(1-9-25)
[化学式305]
(1-9-26)
[化学式306]
(1-9-27)
[化学式307]
(1-9-28)
[化学式308]
(1-9-29)
[化学式309]
(1-9-30)
[化学式310]
(1-9-31)
[化学式311]
(1-10)
[化学式312]
(2-1)
[化学式313]
(2-2)
[化学式314]
(2-3)
[化学式315]
(2-4)
[化学式316]
其中，(2-4)中所示出的上述8个化合物之中，第3段的2个化合物为比较示例化合物。
(2-5)
[化学式317]
其中，(2-5)中所示出的上述6个化合物之中，第2段的左侧的1个化合物为比较示例化合物。
(2-6)
[化学式318]
其中，(2-6)中所示出的上述8个化合物之中，第2段～最终段的6个化合物为比较示例化合物。
(2-7)
[化学式319]
(3)
[化学式320]
[化学式321]
[化学式322]
[化学式323]
[化学式324]
有机EL元件用材料
作为本发明的一个方案的有机EL元件用材料包含发明化合物。有机EL元件用材料中的发明化合物的含量为1质量％以上(包含100％)，优选为10质量％以上(包含100％)，更优选为50质量％以上(包含100％)，进一步优选为80质量％以上(包含100％)，特别优选为90质量％以上(包含100％)。作为本发明的一个方案的有机EL元件用材料对于有机EL元件的制造有用。
在本发明的一个方案中，发明化合物优选为空穴传输层材料。
在本发明的一个方案中，有机EL元件用材料优选还包含发明化合物的氕体。上述氕体是指发明化合物中的全部氢原子为氕原子的化合物。
发明化合物与发明化合物的氕体的混合摩尔比率(发明化合物：氕体)优选为10：90～90：10，更优选为20：80～80：20，进一步优选为30：70～70：30，特别优选为40：60～60：40。
本发明的一个方案涉及的有机电致发光元件用材料为空穴传输层材料。
有机电致发光元件用材料中的发明化合物的含量优选为1质量％以上(包含100％)，更优选为10质量％以上(包含100％)，进一步优选为50质量％以上(包含100％)，更进一步优选为80质量％以上(包含100％)，特别优选为90质量％以上(包含100％)。
有机EL元件
作为本发明的一个方案的有机EL元件包含阳极、阴极和配置于该阳极与阴极之间的有机层。该有机层包含发光层，该有机层的至少一层包含发明化合物。
作为包含发明化合物的有机层的例子，可以举出设置于阳极与发光层之间的空穴传输区域(空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、激子阻挡层等)、发光层、间隔层、设置于阴极与发光层之间的电子传输区域(电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层等)等，不限于此。发明化合物优选用作荧光或磷光EL元件的空穴传输区域或发光层的材料，更优选用作空穴传输区域的材料，进一步优选用作空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层或激子阻挡层的材料，特别优选用作空穴注入层或空穴传输层的材料。
作为本发明的一个方案的有机EL元件可以为荧光或磷光发光型的单色发光元件，也可以为荧光/磷光混合型的白色发光元件，可以为具有单一发光单元的简易型，也可以为具有多个发光单元的串联型，其中，优选为荧光发光型的元件。此处，“发光单元”是指：包含有机层，其中至少一层为发光层且所注入的空穴与电子通过发生复合由此发光的最小单位。
例如，作为简易型有机EL元件的典型元件构成，可以举出以下的元件构成。
(1)阳极/发光单元/阴极
另外，上述发光单元也可以为具有多个磷光发光层、荧光发光层的多层型，这种情况下，在各发光层之间也可以出于防止在磷光发光层中生成的激子扩散至荧光发光层的目的而具有间隔层。以下示出简易型发光单元的典型层构成。括弧内的层是任选的。
(a)(空穴注入层/)空穴传输层/荧光发光层/电子传输层(/电子注入层)
(b)(空穴注入层/)空穴传输层/磷光发光层/电子传输层(/电子注入层)
(c)(空穴注入层/)空穴传输层/第1荧光发光层/第2荧光发光层/电子传输层(/电子注入层)
(d)(空穴注入层/)空穴传输层/第1磷光发光层/第2磷光发光层/电子传输层(/电子注入层)
(e)(空穴注入层/)空穴传输层/磷光发光层/间隔层/荧光发光层/电子传输层(/电子注入层)
(f)(空穴注入层/)空穴传输层/第1磷光发光层/第2磷光发光层/间隔层/荧光发光层/电子传输层(/电子注入层)
(g)(空穴注入层/)空穴传输层/第1磷光发光层/间隔层/第2磷光发光层/间隔层/荧光发光层/电子传输层(/电子注入层)
(h)(空穴注入层/)空穴传输层/磷光发光层/间隔层/第1荧光发光层/第2荧光发光层/电子传输层(/电子注入层)
(i)(空穴注入层/)空穴传输层/电子阻挡层/荧光发光层/电子传输层(/电子注入层)
(j)(空穴注入层/)空穴传输层/电子阻挡层/磷光发光层/电子传输层(/电子注入层)
(k)(空穴注入层/)空穴传输层/激子阻挡层/荧光发光层/电子传输层(/电子注入层)
(l)(空穴注入层/)空穴传输层/激子阻挡层/磷光发光层/电子传输层(/电子注入层)
(m)(空穴注入层/)第1空穴传输层/第2空穴传输层/荧光发光层/电子传输层(/电子注入层)
(m1)(空穴注入层/)第1空穴传输层/第2空穴传输层/第3空穴传输层/荧光发光层/电子传输层(/电子注入层)
(n)(空穴注入层/)第1空穴传输层/第2空穴传输层/磷光发光层/电子传输层(/电子注入层)
(n1)(空穴注入层/)第1空穴传输层/第2空穴传输层/第3空穴传输层/磷光发光层/电子传输层(/电子注入层)
(o)(空穴注入层/)第1空穴传输层/第2空穴传输层/荧光发光层/第1电子传输层/第2电子传输层(/电子注入层)
(o1)(空穴注入层/)第1空穴传输层/第2空穴传输层/第3空穴传输层/荧光发光层/第1电子传输层/第2电子传输层(/电子注入层)
(p)(空穴注入层/)第1空穴传输层/第2空穴传输层/磷光发光层/第1电子传输层/第2电子传输层(/电子注入层)
(p1)(空穴注入层/)第1空穴传输层/第2空穴传输层/第3空穴传输层/磷光发光层/第1电子传输层/第2电子传输层(/电子注入层)
(q)(空穴注入层/)空穴传输层/荧光发光层/空穴阻挡层/电子传输层(/电子注入层)
(r)(空穴注入层/)空穴传输层/磷光发光层/空穴阻挡层/电子传输层(/电子注入层)
(s)(空穴注入层/)空穴传输层/荧光发光层/激子阻挡层/电子传输层(/电子注入层)
(t)(空穴注入层/)空穴传输层/磷光发光层/激子阻挡层/电子传输层(/电子注入层)
上述各磷光或荧光发光层可以设为分别显示相互不同的发光色的发光层。具体而言，在上述发光单元(f)中，可以举出(空穴注入层/)空穴传输层/第1磷光发光层(红色发光)/第2磷光发光层(绿色发光)/间隔层/荧光发光层(蓝色发光)/电子传输层这样的层构成等。
需要说明的是，在各发光层与空穴传输层或间隔层之间可以适当设置电子阻挡层。另外，在各发光层与电子传输层之间可以适当设置空穴阻挡层。通过设置电子阻挡层、空穴阻挡层，由此可以将电子或空穴封闭在发光层内而提高发光层中的电荷的复合概率，从而提高发光效率。
另外，在空穴传输层为包含2个以上空穴传输层的多层结构的情况下，上述多层结构中的与发光层相邻的空穴传输层、例如上述2层结构的第2空穴传输层或上述3层结构的第3空穴传输层可以具有作为电子阻挡层的功能。即，在空穴传输层为包含2个以上空穴传输层的多层结构的情况下，上述多层结构中的与发光层相邻的空穴传输层也可以用作电子阻挡层。
作为串联型有机EL元件的典型元件构成，可以举出以下的元件构成。
(2)阳极/第1发光单元/中间层/第2发光单元/阴极
此处，作为上述第1发光单元和第2发光单元，例如可以各自独立地选自上述的发光单元。
上述中间层通常也被称作中间电极、中间导电层、电荷产生层、电子提取层、连接层、中间绝缘层，可以使用向第1发光单元供给电子、向第2发光单元供给空穴的公知的材料构成。
图1是表示本发明的一个方案涉及的有机EL元件的构成的一例的示意图。有机EL元件1具有基板2、阳极3、阴极4、以及配置于该阳极3与阴极4之间的发光单元10。发光单元10具有发光层5。在发光层5与阳极3之间具有空穴传输区域6(空穴注入层、空穴传输层等)，在发光层5与阴极4之间具有电子传输区域7(电子注入层、电子传输层等)。另外，分别地可以在发光层5的阳极3侧设置电子阻挡层(未图示)，在发光层5的阴极4侧设置空穴阻挡层(未图示)。由此，可以将电子、空穴封闭在发光层5中而进一步提高发光层5中的激子的生成效率。
图2是表示本发明的一个方案涉及的有机EL元件的另一构成的示意图。有机EL元件11具有基板2、阳极3、阴极4、以及配置于该阳极3与阴极4之间的发光单元20。发光单元20具有发光层5。配置于阳极3与发光层5之间的空穴传输区域由空穴注入层6a、第1空穴传输层6b和第2空穴传输层6c形成。另外，配置于发光层5与阴极4之间的电子传输区域由第1电子传输层7a和第2电子传输层7b形成。
图3为表示本发明的一个方案涉及的有机EL元件的此外的另一构成的示意图。有机EL元件12具有基板2、阳极3、阴极4和配置于该阳极3与阴极4之间的发光单元30。发光单元30具有发光层5。配置于阳极3与发光层5之间的空穴传输区域由空穴注入层6a、第1空穴传输层6b、第2空穴传输层6c和第3空穴传输层6d形成。另外，配置于发光层5与阴极4之间的电子传输区域由第1电子传输层7a和第2电子传输层7b形成。
需要说明的是，在本发明中，将与荧光掺杂剂材料(荧光发光材料)组合的主体称为荧光主体，将与磷光掺杂剂材料组合的主体称为磷光主体。荧光主体与磷光主体并不仅根据分子结构进行区分。即，磷光主体是指形成含有磷光掺杂剂的磷光发光层的材料，不意味着不能够用作形成荧光发光层的材料。对于荧光主体也是同样的。
基板
基板用作有机EL元件的支撑体。作为基板，例如可以使用玻璃、石英、塑料等的板。另外，也可以使用挠性基板。作为挠性基板，例如可以举出由聚碳酸酯、聚芳酯、聚醚砜、聚丙烯、聚酯、聚氟乙烯、聚氯乙烯形成的塑料基板等。另外，也可以使用无机蒸镀膜。
阳极
形成于基板上的阳极优选使用功函数大的(具体而言4.0eV以上)金属、合金、导电性化合物、和它们的混合物等。具体而言，例如可以举出：氧化铟-氧化锡(ITO：Indium TinOxide，铟锡氧化物)、含有硅或氧化硅的氧化铟-氧化锡、氧化铟-氧化锌、含有氧化钨和氧化锌的氧化铟、石墨烯等。此外，可以举出金(Au)、铂(Pt)、镍(Ni)、钨(W)、铬(Cr)、钼(Mo)、铁(Fe)、钴(Co)、铜(Cu)、钯(Pd)、钛(Ti)、或者上述金属的氮化物(例如氮化钛)等。
通常通过溅射法将这些材料成膜。例如，氧化铟-氧化锌可以通过使用相对于氧化铟添加1～10wt％的氧化锌而成的靶利用溅射法形成，含有氧化钨和氧化锌的氧化铟可以通过使用相对于氧化铟含有氧化钨0.5～5wt％、氧化锌0.1～1wt％的靶利用溅射法形成。此外，也可以通过真空蒸镀法、涂布法、喷墨法、旋涂法等进行制作。
空穴传输区域
如上所述，上述有机层可以包含位于上述阳极与上述发光层之间的空穴传输区域。空穴传输区域由空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层等构成。优选空穴传输区域包含发明化合物。优选构成空穴传输层的这些层之中的至少一个层包含发明化合物，尤其更优选空穴传输层包含发明化合物。
与阳极相邻地形成的空穴注入层使用与阳极的功函数无关地容易进行空穴注入的材料形成，因此，可以使用通常用作电极材料的材料(例如金属、合金、导电性化合物和它们的混合物、属于元素周期表的第一族或第二族的元素)。
也可以使用作为功函数小的材料的属于元素周期表的第一族或第二族的元素、即锂(Li)、铯(Cs)等碱金属、和镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)等碱土金属、和包含它们的合金(例如MgAg、AlLi)、铕(Eu)、镱(Yb)等稀土金属和包含它们的合金等。需要说明的是，在使用碱金属、碱土金属、和包含它们的合金形成阳极时，可以使用真空蒸镀法、溅射法。此外，在使用银浆等时，可以使用涂布法、喷墨法等。
空穴注入层
空穴注入层是包含空穴注入性高的材料(空穴注入性材料)的层，形成于阳极与发光层之间、或者在空穴传输层存在的情况下形成于空穴传输层与阳极之间。
作为发明化合物以外的空穴注入性材料，可以使用钼氧化物、钛氧化物、钒氧化物、铼氧化物、钌氧化物、铬氧化物、锆氧化物、铪氧化物、钽氧化物、银氧化物、钨氧化物、锰氧化物等。
作为空穴注入层材料，也可以举出作为低分子有机化合物的4，4’，4”-三(N，N-二苯基氨基)三苯胺(简称：TDATA)、4，4’，4”-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]三苯胺(简称：MTDATA)、4，4’-双[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]联苯(简称：DPAB)、4，4’-双(N-{4-[N’-(3-甲基苯基)-N’-苯基氨基]苯基}-N-苯基氨基)联苯(简称：DNTPD)、1，3，5-三[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]苯(简称：DPA3B)、3-[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(简称：PCzPCA1)、3，6-双[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(简称：PCzPCA2)、3-[N-(1-萘基)-N-(9-苯基咔唑-3-基)氨基]-9-苯基咔唑(简称：PCzPCN1)等芳香族胺化合物等。
也可以使用高分子化合物(低聚物、树状高分子、聚合物等)。例如可以举出：聚(N-乙烯基咔唑)(简称：PVK)、聚(4-乙烯基三苯胺)(简称：PVTPA)、聚[N-(4-{N’-[4-(4-二苯基氨基)苯基]苯基-N’-苯基氨基}苯基)甲基丙烯酰胺](简称：PTPDMA)、聚[N，N’-双(4-丁基苯基)-N，N’-双(苯基)联苯胺](简称：Poly-TPD)等高分子化合物。另外，也可以使用聚(3，4-亚乙二氧基噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/聚(苯乙烯磺酸)(PAni/PSS)等添加了酸的高分子化合物。
此外，也优选使用下述式(K)所示的六氮杂苯并菲(HAT)化合物等受主材料。
[化学式325]
(上述式中，R221～R226各自独立地表示氰基、-CONH2、羧基、或者-COOR227(R227表示碳数1～20的烷基或碳数3～20的环烷基)。另外，选自R221和R222、R223和R224以及R225和R226中的相邻的2个可以相互键合而形成-CO-O-CO-所示的基团。)
作为R227，可以举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、环戊基、环己基等。
空穴传输层
空穴传输层是包含空穴传输性高的材料(空穴传输性材料)的层，形成于阳极与发光层之间、或者在空穴注入层存在的情况下形成于空穴注入层与发光层之间。可以将发明化合物单独或者与下述的化合物组合而用于空穴传输层。
空穴传输层可以为单层结构，也可以为包含2个以上的层的多层结构。例如，空穴传输层为包含第1空穴传输层(阳极侧)和第2空穴传输层(阴极侧)的2层结构。即，上述空穴传输区域可以包含阳极侧的第1空穴传输层和阴极侧的第2空穴传输层。另外，空穴传输层可以为包含第1空穴传输层(阳极侧)、第2空穴传输层和第3空穴传输层(阴极侧)的3层结构。即，上述空穴传输区域可以包含阳极侧的第1空穴传输层、阴极侧的第3空穴传输层和位于两者之间的第2空穴传输层。在本发明的一个方案中，上述单层结构的空穴传输层优选与发光层相邻，另外，上述多层结构中的最接近阴极的空穴传输层、例如、上述2层结构的空穴传输层中的第2空穴传输层、上述3层结构的空穴传输层中的第3空穴传输层优选与发光层相邻。在本发明的另一方案中，可以在上述单层结构的空穴传输层与发光层之间、或者在上述多层结构中的最接近发光层的空穴传输层与发光层之间夹有后述的电子阻挡层等。另外，如上所述，在空穴传输层为包含2个以上空穴传输层的多层结构的情况下，上述多层结构中的与发光层相邻的空穴传输层也可以用作电子阻挡层。
在本发明涉及的有机电致发光元件的一个方案中，上述2层结构的空穴传输层中的上述第1空穴传输层和上述第2空穴传输层中的至少一者包含发明化合物。具体而言，在上述2层结构的空穴传输层中，发明化合物可以包含于第1空穴传输层和第2空穴传输层中的一者，也可以包含于这两者。
在本发明的一个方案中，发明化合物优选仅包含于第1空穴传输层，在另一方案中，发明化合物优选仅包含于第2空穴传输层，在此外的另一方案中，发明化合物优选包含于第1空穴传输层和第2空穴传输层。
另外，在本发明涉及的有机电致发光元件的另一个方案中，上述3层结构的空穴传输层中的上述第1空穴传输层、上述第2空穴传输层和上述第3空穴传输层中的至少一层包含发明化合物。具体而言，在上述3层结构的空穴传输层中，发明化合物可以包含于第1空穴传输层、第2空穴传输层和第3空穴传输层中的任一个层，也可以包含于任两个层，也可以包含于所有层。
更具体而言，可以为发明化合物仅包含于第1空穴传输层的方案、发明化合物仅包含于第2空穴传输层的方案、发明化合物仅包含于第3空穴传输层的方案、发明化合物仅包含于第1和第2空穴传输层的方案、发明化合物仅包含于第2和第3空穴传输层的方案、发明化合物仅包含于第1和第3空穴传输层的方案和发明化合物包含于第1～第3空穴传输层的所有层的方案中的任一方案。
在本发明的一个方案中，上述第1空穴传输层和上述第2空穴传输层中的一者或这两者中所包含的发明化合物、在上述第1～第3空穴传输层中的任一个层、上述第1～第3空穴传输层中的任两个层或者上述第1～第3空穴传输层的所有层中所包含的发明化合物从制造成本的观点出发优选为氕体。
上述氕体是指，发明化合物中的所有氢原子为氕原子的发明化合物。
因此，本发明包括上述第1空穴传输层和上述第2空穴传输层中的一者或这两者包含实质上仅包含氕体的发明化合物的有机EL元件、在上述第1～第3空穴传输层中的任一个层、上述第1～第3空穴传输层中的任两个层或者上述第1～第3空穴传输层的所有层中所包含的发明化合物包含实质上仅包含氕体的发明化合物的有机EL元件。“实质上仅包含氕体的发明化合物”是指，相对于发明化合物的总量，氕体的含有比例为90摩尔％以上，优选为95摩尔％以上，更优选为99摩尔％以上(各自包含100％)。
作为发明化合物以外的空穴传输层材料，例如可以使用芳香族胺化合物、咔唑衍生物、蒽衍生物等。
作为芳香族胺化合物，例如可以举出：4，4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(简称：NPB)、N，N’-双(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-[1，1’-联苯]-4，4’-二胺(简称：TPD)、4-苯基-4’-(9-苯基芴-9-基)三苯胺(简称：BAFLP)、4，4’-双[N-(9，9-二甲基芴-2-基)-N-苯基氨基]联苯(简称：DFLDPBi)、4，4’，4”-三(N，N-二苯基氨基)三苯胺(简称：TDATA)、4，4’，4”-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]三苯胺(简称：MTDATA)、以及4，4’-双[N-(螺-9，9’-双芴-2-基)-N-苯基氨基]联苯(简称：BSPB)。上述化合物具有10-6cm2/Vs以上的空穴迁移率。
作为咔唑衍生物，例如可以举出4，4’-二(9-咔唑基)联苯(简称：CBP)、9-[4-(9-咔唑基)苯基]-10-苯基蒽(简称：CzPA)、以及9-苯基-3-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(简称：PCzPA)。
作为蒽衍生物，例如可以举出2-叔丁基-9，10-二(2-萘基)蒽(简称：t-BuDNA)、9，10-二(2-萘基)蒽(简称：DNA)、以及9，10-二苯基蒽(简称：DPAnth)。
也可以使用聚(N-乙烯基咔唑)(简称：PVK)、聚(4-乙烯基三苯胺)(简称：PVTPA)等高分子化合物。
其中，只要是空穴传输性高于电子传输性的化合物则可以使用上述以外的化合物。
发光层的掺杂剂材料
发光层是包含发光性高的材料(掺杂剂材料)的层，可以使用各种材料。例如，可以将荧光发光材料、磷光发光材料用作掺杂剂材料。荧光发光材料是由单重激发态发光的化合物，磷光发光材料是由三重激发态发光的化合物。
作为可以用于发光层的蓝色系的荧光发光材料，可以使用芘衍生物、苯乙烯基胺衍生物、衍生物、荧蒽衍生物、芴衍生物、二胺衍生物、三芳基胺衍生物等。具体而言，可以举出N，N’-双[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N，N’-二苯基芪-4，4’-二胺(简称：YGA2S)、4-(9H-咔唑-9-基)-4’-(10-苯基-9-蒽基)三苯胺(简称：YGAPA)、4-(10-苯基-9-蒽基)-4’-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(简称：PCBAPA)等。
作为可以用于发光层的绿色系的荧光发光材料，可以使用芳香族胺衍生物等。具体而言，可以举出N-(9，10-二苯基-2-蒽基)-N，9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(简称：2PCAPA)、N-[9，10-双(1，1’-联苯-2-基)-2-蒽基]-N，9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(简称：2PCABPhA)、N-(9，10-二苯基-2-蒽基)-N，N’，N’-三苯基-1，4-苯二胺(简称：2DPAPA)、N-[9，10-双(1，1’-联苯-2-基)-2-蒽基]-N，N’，N’-三苯基-1，4-苯二胺(简称：2DPABPhA)、N-[9，10-双(1，1’-联苯-2-基)]-N-[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N-苯基蒽-2-胺(简称：2YGABPhA)、N，N，9-三苯基蒽-9-胺(简称：DPhAPhA)等。
作为可以用于发光层的红色系的荧光发光材料，可以使用并四苯衍生物、二胺衍生物等。具体而言，可以举出N，N，N’，N’-四(4-甲基苯基)并四苯-5，11-二胺(简称：p-mPhTD)、7，14-二苯基-N，N，N’，N’-四(4-甲基苯基)苊并[1，2-a]荧蒽-3，10-二胺(简称：p-mPhAFD)等。
在本发明的一个方案中，优选发光层包含荧光发光材料(荧光掺杂剂材料)。
作为可以用于发光层的蓝色系的磷光发光材料，可以使用铱络合物、锇络合物、铂络合物等金属络合物。具体而言，可以举出双[2-(4’，6’-二氟苯基)吡啶-N，C2’]铱(III)四(1-吡唑基)硼酸盐(简称：FIr6)、双[2-(4’，6’-二氟苯基)吡啶-N，C2’]铱(III)吡啶甲酸盐(简称：FIrpic)、双[2-(3’，5’双三氟甲基苯基)吡啶-N，C2’]铱(III)吡啶甲酸盐(简称：Ir(CF3ppy)2(pic))、双[2-(4’，6’-二氟苯基)吡啶-N，C2’]铱(III)乙酰丙酮盐(简称：FIracac)等。
作为可以用于发光层的绿色系的磷光发光材料，可使用铱络合物等。可以举出三(2-苯基吡啶-N，C2’)铱(III)(简称：Ir(ppy)3)、双(2-苯基吡啶-N，C2’)铱(III)乙酰丙酮盐(简称：Ir(ppy)2(acac))、双(1，2-二苯基-1H-苯并咪唑)合铱(III)乙酰丙酮盐(简称：Ir(pbi)2(acac))、双(苯并[h]喹啉)铱(III)乙酰丙酮盐(简称：Ir(bzq)2(acac))等。
作为可以用于发光层的红色系的磷光发光材料，可使用铱络合物、铂络合物、铽络合物、铕络合物等金属络合物。具体而言，可以举出双[2-(2’-苯并[4，5-α]噻吩基)吡啶-N，C3’]铱(III)乙酰丙酮盐(简称：Ir(btp)2(acac))、双(1-苯基异喹啉-N，C2’)铱(III)乙酰丙酮盐(简称：Ir(piq)2(acac))、(乙酰丙酮根)双[2，3-双(4-氟苯基)喹喔啉]合铱(III)(简称：Ir(Fdpq)2(acac))、2，3，7，8，12，13，17，18-八乙基-21H，23H-卟啉铂(II)(简称：PtOEP)等有机金属络合物。
另外，三(乙酰丙酮根)(单菲咯啉)铽(III)(简称：Tb(acac)3(Phen))、三(1，3-二苯基-1，3-丙二酮基)(单菲咯啉)铕(III)(简称：Eu(DBM)3(Phen))、三[1-(2-噻吩甲酰基)-3，3，3-三氟丙酮合](单菲咯啉)铕(III)(简称：Eu(TTA)3(Phen))等稀土金属络合物由于是来自稀土金属离子的发光(不同多重度间的电子跃迁)，因此可以用作磷光发光材料。
在本发明的一个方案中，优选发光层包含磷光发光材料(磷光掺杂剂材料)。
发光层的主体材料
发光层可以设为将上述掺杂剂材料分散在其他材料(主体材料)中的构成。优选使用最低未占轨道能级(LUMO能级)比掺杂剂材料高、最高已占轨道能级(HOMO能级)比掺杂剂材料低的材料。
作为主体材料，例如使用
(1)铝络合物、铍络合物、或者锌络合物等金属络合物、
(2)噁二唑衍生物、苯并咪唑衍生物、或者菲咯啉衍生物等杂环化合物、
(3)咔唑衍生物、蒽衍生物、菲衍生物、芘衍生物、或者衍生物等稠合芳香族化合物、
(4)三芳基胺衍生物或稠合多环芳香族胺衍生物等芳香族胺化合物。
例如，可以使用：三(8-羟基喹啉)铝(III)(简称：Alq)、三(4-甲基-8-羟基喹啉)铝(III)(简称：Almq3)、双(10-羟基苯并[h]喹啉)铍(II)(简称：BeBq2)、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(4-苯基苯酚)合铝(III)(简称：BAlq)、双(8-羟基喹啉)锌(II)(简称：Znq)、双[2-(2-苯并噁唑基)苯酚]合锌(II)(简称：ZnPBO)、双[2-(2-苯并噻唑基)苯酚]合锌(II)(简称：ZnBTZ)等金属络合物；
2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑(简称：PBD)、1，3-双[5-(对叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑-2-基]苯(简称：OXD-7)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1，2，4-三唑(简称：TAZ)、2，2’，2”-(1，3，5-苯三基)三(1-苯基-1H-苯并咪唑)(简称：TPBI)、红菲咯啉(简称：BPhen)、浴铜灵(简称：BCP)等杂环化合物；
9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(简称：CzPA)、3，6-二苯基-9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(简称：DPCzPA)、9，10-双(3，5-二苯基苯基)蒽(简称：DPPA)、9，10-二(2-萘基)蒽(简称：DNA)、2-叔丁基-9，10-二(2-萘基)蒽(简称：t-BuDNA)、9，9’-联蒽(简称：BANT)、9，9’-(芪-3，3’-二基)二菲(简称：DPNS)、9，9’-(芪-4，4’-二基)二菲(简称：DPNS2)、3，3’，3”-(苯-1，3，5-三基)三芘(简称：TPB3)、9，10-二苯基蒽(简称：DPAnth)、6，12-二甲氧基-5，11-二苯基等稠合芳香族化合物；和
N，N-二苯基-9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(简称：CzA1PA)、4-(10-苯基-9-蒽基)三苯胺(简称：DPhPA)、N，9-二苯基-N-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(简称：PCAPA)、N，9-二苯基-N-{4-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]苯基}-9H-咔唑-3-胺(简称：PCAPBA)、N-(9，10-二苯基-2-蒽基)-N，9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(简称：2PCAPA)、4，4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(简称：NPB或-NPD)、N，N’-双(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-[1，1’-联苯]-4，4’-二胺(简称：TPD)、4，4’-双[N-(9，9-二甲基芴-2-基)-N-苯基氨基]联苯(简称：DFLDPBi)、4，4’-双[N-(螺-9，9’-双芴-2-基)-N-苯基氨基]联苯(简称：BSPB)等芳香族胺化合物。主体材料可以使用两种以上。
尤其，在蓝色荧光元件的情况下，优选使用下述的蒽化合物作为主体材料。
[化学式326]
[化学式327]
[化学式328]
电子传输层
电子传输层是包含电子传输性高的材料(电子传输性材料)的层，形成于发光层与阴极之间、或者在电子注入层存在的情况下形成于电子注入层与发光层之间。
电子传输层可以是单层结构，也可以是包含2个以上的层的多层结构。例如，电子传输层可以是包含第1电子传输层(阳极侧)和第2电子传输层(阴极侧)的2层结构。在本发明的一个方案中，上述单层结构的电子传输层优选与发光层相邻，或者上述多层结构中的最接近阳极的电子传输层、例如上述2层结构的第1电子传输层优选与发光层相邻。在本发明的另一方案中，在上述单层结构的电子传输层与发光层之间、或者在上述多层结构中的最接近发光层的电子传输层与发光层之间，可以夹有后述的空穴阻挡层等。
电子传输层例如可以使用
(1)铝络合物、铍络合物、锌络合物等金属络合物、
(2)咪唑衍生物、苯并咪唑衍生物、吖嗪衍生物、咔唑衍生物、菲咯啉衍生物等杂芳香族化合物、
(3)高分子化合物。
作为金属络合物，例如可以举出：三(8-羟基喹啉)铝(III)(简称：Alq)、三(4-甲基-8-羟基喹啉)铝(简称：Almq3)、双(10-羟基苯并[h]喹啉)铍(简称：BeBq2)、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(4-苯基苯酚)合铝(III)(简称：BAlq)、双(8-羟基喹啉)锌(II)(简称：Znq)、双[2-(2-苯并噁唑基)苯酚]合锌(II)(简称：ZnPBO)、双[2-(2-苯并噻唑基)苯酚]合锌(II)(简称：ZnBTZ)。
作为杂芳香族化合物，例如可以举出：2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑(简称：PBD)、1，3-双[5-(对叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑-2-基]苯(简称：OXD-7)、3-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-5-(4-联苯基)-1，2，4-三唑(简称：TAZ)、3-(4-叔丁基苯基)-4-(4-乙基苯基)-5-(4-联苯基)-1，2，4-三唑(简称：p-EtTAZ)、红菲咯啉(简称：BPhen)、浴铜灵(简称：BCP)、4，4’-双(5-甲基苯并噁唑-2-基)芪(简称：BzOs)。
作为高分子化合物，例如可以举出聚[(9，9-二己基芴-2，7-二基)-co-(吡啶-3，5-二基)](简称：PF-Py)、聚[(9，9-二辛基芴-2，7-二基)-co-(2，2’-联吡啶-6，6’-二基)](简称：PF-BPy)。
上述材料是具有10-6cm2/VS以上的电子迁移率的材料。需要说明的是，只要是电子传输性高于空穴传输性的材料，则可以将上述以外的材料用于电子传输层。
电子注入层
电子注入层为包含电子注入性高的材料的层。电子注入层可以使用锂(Li)、铯(Cs)等碱金属、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)等碱土金属、铕(Eu)、镱(Yb)等稀土金属和包含这些金属的化合物。作为这样的化合物，例如可以举出碱金属氧化物、碱金属卤化物、含有碱金属的有机络合物、碱土金属氧化物、碱土金属卤化物、含有碱土金属的有机络合物、稀土金属氧化物、稀土金属卤化物和含有稀土金属的有机络合物。另外，也可以将多种的这些化合物混合使用。
此外，也可以使用使具有电子传输性的材料中含有碱金属、碱土金属、或者它们的化合物而成的物质、具体而言使Alq中含有镁(Mg)而成的物质等。需要说明的是，在这种情况下，可以更高效地进行从阴极的电子注入。
或者，电子注入层也可以使用将有机化合物和供电子体(供体)混合而成的复合材料。这样的复合材料由于有机化合物从供电子体接受电子，因此电子注入性和电子传输性优异。此时，作为有机化合物，优选为所接受的电子的传输优异的材料，具体而言，可以使用例如上述的构成电子传输层的材料(金属络合物、杂芳香族化合物等)。作为供电子体，只要是对有机化合物表现出供电子性的材料即可。具体而言，优选碱金属、碱土金属和稀土金属，可以举出锂、铯、镁、钙、铒、镱等。另外，优选碱金属氧化物、碱土金属氧化物，可以举出锂氧化物、钙氧化物、钡氧化物等。另外，也可以使用氧化镁这样的路易斯碱。另外，也可以使用四硫富瓦烯(简称：TTF)等有机化合物。
阴极
阴极优选使用功函数小的(具体而言3.8eV以下)金属、合金、导电性化合物和它们的混合物等。作为这样的阴极材料的具体例，可以举出属于元素周期表的第一族或第二族的元素、即锂(Li)、铯(Cs)等碱金属、以及镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)等碱土金属和包含它们的合金(例如MgAg、AlLi)、铕(Eu)、镱(Yb)等稀土金属和包含它们的合金等。
需要说明的是，在使用碱金属、碱土金属、包含它们的合金形成阴极时，可以使用真空蒸镀法、溅射法。另外，在使用银浆等时，可以使用涂布法、喷墨法等。
需要说明的是，通过设置电子注入层，可以与功函数的大小无关地使用Al、Ag、ITO、石墨烯、含有硅或氧化硅的氧化铟-氧化锡等各种各样的导电性材料形成阴极。这些导电性材料可以使用溅射法、喷墨法、旋涂法等进行成膜。
绝缘层
有机EL元件由于对超薄膜施加电场，因而容易产生因泄漏、短路导致的像素缺陷。为了防止这种情况，也可以在一对电极间插入由绝缘性的薄膜层形成的绝缘层。
作为可用于绝缘层的材料，例如可以举出氧化铝、氟化锂、氧化锂、氟化铯、氧化铯、氧化镁、氟化镁、氧化钙、氟化钙、氮化铝、氧化钛、氧化硅、氧化锗、氮化硅、氮化硼、氧化钼、氧化钌、氧化钒等。需要说明的是，也可以使用它们的混合物、层叠物。
间隔层
对于上述间隔层而言，例如将荧光发光层和磷光发光层层叠的情况下，是指出于不使在磷光发光层中生成的激子扩散至荧光发光层、或者调整载流子平衡的目的，而设置于荧光发光层与磷光发光层之间的层。另外，间隔层也可以设置于多个磷光发光层之间。
间隔层由于设置于发光层间，因此优选为兼具电子传输性和空穴传输性的材料。另外，为了防止相邻的磷光发光层内的三重态能量的扩散，三重态能量优选为2.6eV以上。作为用于间隔层的材料，可以举出与上述的用于空穴传输层的材料同样的材料。
阻挡层
也可以将电子阻挡层、空穴阻挡层、激子阻挡层等阻挡层与发光层相邻地设置。电子阻挡层是指，防止电子从发光层泄漏至空穴传输层的层，空穴阻挡层是指防止空穴从发光层泄漏至电子传输层的层。激子阻挡层具有防止在发光层中生成的激子扩散至周边的层而将激子封闭在发光层内的功能。
上述有机EL元件的各层可以通过以往公知的蒸镀法、涂布法等形成。例如可以利用真空蒸镀法、分子束蒸镀法(MBE法)等蒸镀法，或者使用了形成层的化合物的溶液的、基于浸涂法、旋涂法、流延法、棒涂法、辊涂法等涂布法的公知方法形成。
各层的膜厚没有特别限制，通常而言若膜厚过薄则容易产生针孔等缺陷，反之若过厚则需要高驱动电压、效率变差，因此通常为5nm～10μm，更优选为10nm～0.2μm。
作为本发明的有机EL元件的实施方式，例如可以举出：第2空穴传输层包含本发明的化合物、第1空穴传输层不包含本发明的化合物的第1实施方式；第1空穴传输层和第2空穴传输层均包含本发明的化合物的第2实施方式；第1空穴传输层包含本发明的化合物、第2空穴传输层不包含本发明的化合物的第3实施方式；等。
电子设备
上述有机EL元件可以用于有机EL面板模块等显示部件、电视、移动电话、个人电脑等显示装置、以及照明、车辆用灯具的发光装置等电子设备。
实施例
以下，使用实施例对本发明进行进一步的详细说明，本发明不限定于以下内容。
实施例1的有机EL元件的制造中使用的化合物1
[化学式329]
实施例2的有机EL元件的制造中使用的化合物2
[化学式330]
实施例3的有机EL元件的制造中使用的化合物3[化学式331]
实施例4的有机EL元件的制造中使用的化合物5[化学式332]
实施例5的有机EL元件的制造中使用的化合物6
[化学式333]
实施例6的有机EL元件的制造中使用的化合物7
[化学式334]
实施例7的有机EL元件的制造中使用的化合物8
[化学式335]
比较例1的有机EL元件的制造中使用的比较化合物1
[化学式336]
比较例2的有机EL元件的制造中使用的比较化合物2[化学式337]
比较例3的有机EL元件的制造中使用的比较化合物3
[化学式338]
比较例4的有机EL元件的制造中使用的比较化合物4
[化学式339]
比较例5的有机EL元件的制造中使用的比较化合物5
[化学式340]
比较例6的有机EL元件的制造中使用的比较化合物6
[化学式341]
实施例和比较例的有机EL元件的制造中使用的其他化合物
[化学式342]
[化学式343]
有机EL元件的制作
实施例1
将25mm×75mm×1.1mm的带ITO透明电极(阳极)的玻璃基板(Geomatec株式会社制)在异丙醇中进行5分钟超声波清洗后，进行30分钟UV臭氧清洗。ITO的膜厚设为130nm。
将清洗后的带透明电极的上述玻璃基板安装于真空蒸镀装置的基板架，首先在形成有透明电极的一侧的面上以覆盖透明电极的方式共蒸镀化合物HT-1和化合物HA而形成了膜厚10nm的空穴注入层。化合物HT-1与化合物HA的质量比(HT-1∶HA)为97∶3。
接着，在空穴注入层上蒸镀化合物HT-1而形成了膜厚80nm的第1空穴传输层。
接着，在该第1空穴传输层上蒸镀作为化合物HT-2的化合物1而形成了膜厚10nm的第2空穴传输层。
接着，在该第2空穴传输层上共蒸镀化合物BH-1(主体材料)和化合物BD-1(掺杂剂材料)而形成了膜厚25nm的发光层。化合物BH与化合物BD的质量比(BH-1∶BD-1)为96∶4。
接着，在该发光层之上蒸镀化合物ET-1而形成了膜厚10nm的第1电子传输层。
接着，在该第1电子传输层上蒸镀化合物ET-2而形成了膜厚15nm的第2电子传输层。
接着，在该第2电子传输层上蒸镀LiF而形成了膜厚1nm的电子注入性电极。
然后，在该电子注入性电极上蒸镀金属Al而形成了膜厚50nm的金属阴极。
以下示出如此所得到的实施例1的有机EL元件的层构成。
ITO(130)/HT-1∶HA＝97∶3(10)/HT-1(80)/HT-2(10)/BH-1∶BD-1＝96∶4(25)/ET-1(10)/ET-2(15)/LiF(1)/Al(50)
需要说明的是，在上述层构成中，括弧内的数字为膜厚(nm)，比为质量比。
比较例1
对于第2空穴传输层材料，如下述表1所示将化合物1替换为比较化合物1，除此以外与实施例1同样地制作了有机EL元件。
有机EL元件的评价
寿命的测定
对于所得到的有机EL元件，对有机EL元件施加电压使电流密度为50mA/cm2，进行了95％寿命(LT95)的评价。在此，95％寿命(LT95)是指，在恒电流驱动时亮度降低至初始亮度的95％为止的时间(hr)。
结果示于表1。
[表1]
表1
由表1的结果明确可知，满足本发明的限定的单胺(实施例1的化合物1)相较于不满足本发明的限定的单胺(比较例1的比较化合物1)，表现出显著改善的LT95的值。
实施例2～5和比较例2～4的有机EL元件的制造中使用的其他化合物
[化学式344]
[化学式345]
[化学式346]
有机EL元件的制作
实施例2
将25mm×75mm×1.1mm的带ITO透明电极(阳极)的玻璃基板(Geomatec株式会社制)在异丙醇中进行5分钟超声波清洗后，进行30分钟UV臭氧清洗。ITO的膜厚设为130nm。
将清洗后的带透明电极的上述玻璃基板安装于真空蒸镀装置的基板架，首先在形成有透明电极的一侧的面上以覆盖透明电极的方式共蒸镀化合物HT-3和化合物HA而形成了膜厚10nm的空穴注入层。化合物HT-3与化合物HA的质量比(HT-3∶HA)为97∶3。
接着，在空穴注入层上蒸镀化合物HT-3而形成了膜厚80nm的第1空穴传输层。
接着，在该第1空穴传输层上蒸镀作为化合物HT-2的化合物2而形成了膜厚10nm的第2空穴传输层。
接着，在该第2空穴传输层上共蒸镀化合物BH-2(主体材料)和化合物BD-1(掺杂剂材料)而形成了膜厚25nm的发光层。化合物BH-2与化合物BD-1的质量比(BH-2∶BD-1)为96∶4。
接着，在该发光层之上蒸镀化合物ET-3而形成了膜厚5nm的第1电子传输层。
接着，在该第1电子传输层上共蒸镀化合物ET-4和化合物Liq而形成了膜厚20nm的第2电子传输层。化合物ET-4与Liq的质量比(ET-4∶Liq)为50∶50。
接着，在该第2电子传输层上蒸镀LiF而形成了膜厚1nm的电子注入性电极。
然后，在该电子注入性电极上蒸镀金属Al而形成了膜厚50nm的金属阴极。
以下示出如此所得到的实施例2的有机EL元件的层构成。
ITO(130)/HT-3∶HA＝97∶3(10)/HT-3(80)/HT-2(10)/BH-2∶BD-1＝96∶4(25)/ET-3(5)/ET-4∶Liq＝50∶50(20)/LiF(1)/Al(50)
需要说明的是，在上述层构成中，括弧内的数字为膜厚(nm)，比为质量比。
比较例2
对于第2空穴传输层材料，如下述表2所示将化合物2替换为比较化合物2，除此以外与实施例2同样地制作了有机EL元件。
实施例3
对于第2空穴传输层材料，如下述表2所示将化合物2替换为化合物3，除此以外与实施例2同样地制作了有机EL元件。
实施例4
对于第2空穴传输层材料，如下述表2所示将化合物2替换为化合物5，除此以外与实施例2同样地制作了有机EL元件。
比较例3
对于第2空穴传输层材料，如下述表2所示将化合物2替换为比较化合物3，除此以外与实施例2同样地制作了有机EL元件。
实施例5
对于第2空穴传输层材料，如下述表2所示将化合物2替换为化合物6，除此以外与实施例2同样地制作了有机EL元件。
比较例4
对于第2空穴传输层材料，如下述表2所示将化合物2替换为比较化合物4，除此以外与实施例2同样地制作了有机EL元件。
有机EL元件的评价
寿命的测定
对于所得到的有机EL元件，对有机EL元件施加电压使电流密度为50mA/cm2，进行了95％寿命(LT95)的评价。在此，95％寿命(LT95)是指，在恒电流驱动时亮度降低至初始亮度的95％为止的时间(hr)。
结果示于表2。
[表2]
表2
实施例6～7和比较例5～6的有机EL元件的制造中使用的其他化合物
[化学式347]
[化学式348]
有机EL元件的制作
实施例6
将25mm×75mm×1.1mm的带ITO透明电极(阳极)的玻璃基板(Geomatec株式会社制)在异丙醇中进行5分钟超声波清洗后，进行30分钟UV臭氧清洗。ITO的膜厚设为130nm。
将清洗后的带透明电极的上述玻璃基板安装于真空蒸镀装置的基板架，首先在形成有透明电极的一侧的面上以覆盖透明电极的方式共蒸镀化合物HT-4和化合物HA而形成了膜厚10nm的空穴注入层。化合物HT-4与化合物HA的质量比(HT-4∶HA)为97∶3。
接着，在空穴注入层上蒸镀化合物HT-4而形成了膜厚80nm的第1空穴传输层。
接着，在该第1空穴传输层上蒸镀作为化合物HT-2的化合物7而形成了膜厚10nm的第2空穴传输层。
接着，在该第2空穴传输层上共蒸镀化合物BH-3(主体材料)和化合物BD-1(掺杂剂材料)而形成了膜厚25nm的发光层。化合物BH-3与化合物BD-1的质量比(BH-3∶BD-1)为96∶4。
接着，在该发光层之上蒸镀化合物ET-1而形成了膜厚10nm的第1电子传输层。
接着，在该第1电子传输层上蒸镀化合物ET-2而形成了膜厚15nm的第2电子传输层。
接着，在该第2电子传输层上蒸镀LiF而形成了膜厚1nm的电子注入性电极。
然后，在该电子注入性电极上蒸镀金属Al而形成了膜厚50nm的金属阴极。
以下示出如此所得到的实施例2的有机EL元件的层构成。
ITO(130)/HT-4∶HA＝97∶3(10)/HT-4(80)/HT-2(10)/BH-3∶BD-1＝96∶4(25)/ET-1(10)/ET-2(15)/LiF(1)/Al(50)
需要说明的是，在上述层构成中，括弧内的数字为膜厚(nm)，比为质量比。
实施例7
对于第2空穴传输层材料，如下述表3所示将化合物7替换为化合物8，除此以外与实施例6同样地制作了有机EL元件。
比较例5
对于第2空穴传输层材料，如下述表3所示将化合物7替换为比较化合物5，除此以外与实施例6同样地制作了有机EL元件。
比较例6
对于第2空穴传输层材料，如下述表3所示将化合物7替换为比较化合物6，除此以外与实施例6同样地制作了有机EL元件。
有机EL元件的评价
寿命的测定
对于所得到的有机EL元件，对有机EL元件施加电压使电流密度为50mA/cm2，进行了95％寿命(LT95)的评价。在此，95％寿命(LT95)是指，在恒电流驱动时亮度降低至初始亮度的95％为止的时间(hr)。
结果示于表3。
[表3]
表3
/>
<化合物的合成>
合成实施例1：中间体A的合成
[化学式349]
<<中间体A-2的合成>>
在氩气氛下，使中间体A-1(2.9g、16.18mmol)、DMF(55ml)混合，在0℃添加N-溴琥珀酰亚胺(5.76g、32.4mmol)。添加水和乙酸乙酯进行萃取，将所得到的有机层在减压下进行蒸馏，得到了中间体A-2。中间体A-2不进行精制而供于下一反应。
<<中间体A的合成>>
在氩气氛下，使中间体A-2(6.41g、19.12mmol)、1-萘基硼酸(8.22g、47.8mmol)、双(二叔丁基(4-二甲氨基苯基)膦)二氯化钯(II)(406mg、0.574mmol)、1，4-二噁烷(100ml)混合，添加磷酸钾水溶液。在110℃加热搅拌7小时，放置冷却后，将混合物过滤，利用柱色谱和重结晶进行精制，从而得到了中间体A(4.9g)。产率为71％(2道工序)。
合成实施例2：中间体B的合成
[化学式350]
<<中间体B-2的合成>>
在氩气氛下，使中间体B-1(2.87g、10.0mmol)、1-萘基硼酸(1.81g、10.5mmol)、四(三苯基膦)钯(0)(462mg、0.400mmol)、2M磷酸钾水溶液10mL(20.0mmol)、1，4-二噁烷(50ml)混合，在80℃加热搅拌7小时，放置冷却后，将混合物过滤，利用柱色谱进行精制，从而得到了2.87g的白色固体。
<<中间体B的合成>>
在氩气氛下，将中间体B-2(4.31g、15.0mmol)、3-(1-萘基)苯胺(1.95g、18.0mmol)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.366g、0.400mmol)、BINAP(0.498g、0.800mmol)、叔丁醇钠(2.11g、22.0mmol)、甲苯100mL的混合物在100℃搅拌7小时。将反应液冷却至室温后，进行了减压浓缩。将所得到的残渣利用硅胶柱色谱和重结晶进行精制，从而得到了4.53g的白色固体。产率为71％。
合成实施例3：化合物C的合成
[化学式351]
在合成实施例2的中间体B-2的合成中，代替1-萘基硼酸而使用2-菲基硼酸，除此以外进行与合成实施例2的中间体B-2的合成同样的操作，从而得到了白色固体。
合成实施例4：化合物D的合成
[化学式352]
在合成实施例2的中间体B的合成中，代替中间体B-2而使用1-碘萘，除此以外进行与合成实施例2的中间体B的合成同样的操作，从而得到了白色固体。
合成实施例5：化合物E的合成
[化学式353]
在氩气氛下，使1-溴-8-苯基萘(14.2g、50.0mmol)、3-氯苯硼酸(10.2g、65.0mmol)、四(三苯基膦)钯(0)(2.31g、2.0mmol)、磷酸钾(2.3g、105mmol)、甲苯(255mL)、乙醇(169mL)、水(76mL)混合，在80℃加热搅拌3小时。放置冷却后，添加250mL的水进行搅拌，对有机层进行萃取，利用水进行了清洗。利用硫酸镁对有机层进行了干燥后，进行了减压浓缩。利用柱色谱进行精制，从而得到了12.8g的白色固体。
合成实施例6：化合物F的合成
[化学式354]
/>
在合成实施例2的中间体B-2的合成中，代替1-萘基硼酸而使用9-菲基硼酸，除此以外进行与合成实施例2的中间体B-2的合成同样的操作，从而得到了白色固体。
合成实施例7：化合物G的合成
[化学式355]
在合成实施例2的中间体B-2的合成中，代替1-萘基硼酸而使用3-(1-萘基)苯基硼酸，除此以外进行与合成实施例2的中间体B-2的合成同样的操作，从而得到了白色固体。
合成实施例8：化合物H的合成
[化学式356]
在合成实施例2的中间体B的合成中，代替中间体B-2而使用2-(4-溴苯基)菲，除此以外进行与合成实施例2的中间体B的合成同样的操作，从而得到了白色固体。
合成实施例9：化合物I的合成
[化学式357]
在合成实施例2的中间体B的合成中，代替中间体B-2而使用4-溴-1，1’：3’，1”-三联苯，除此以外进行与合成实施例2的中间体B的合成同样的操作，从而得到了白色固体。
合成实施例10：化合物1的合成
[化学式358]
在氩气氛下，将中间体A(3.87g、9.0mmol)、1-(4’-溴[1，1’-联苯]-3-基)萘(3.56g、9.9mmol)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.17g、0.18mmol)、三叔丁基鏻四氟硼酸盐(0.21g、0.72mmol)、叔丁醇钠(1.21g、12.6mmol)、二甲苯90mL的混合物在110℃搅拌7小时。将反应液冷却至室温后，进行了减压浓缩。将所得到的残渣利用硅胶柱色谱和重结晶进行精制，从而得到了4.38g的白色固体。产率为69％。
所得到的物质进行质谱分析的结果，为化合物1，相对于分子量707.95，m/e＝708。
合成实施例11：化合物2的合成
[化学式3591
在合成实施例10的化合物1的合成中，代替中间体A而使用中间体B，代替1-(4’-氯[1，1’-联苯]-3-基)萘而使用中间体C，除此以外进行与合成实施例10的化合物1的合成同样的操作，从而得到了3.84g的白色固体。产率为56％。
所得到的物质进行质谱分析的结果，为化合物2，相对于分子量681.91，m/e＝682。
合成实施例12：化合物3的合成
[化学式360]
在合成实施例10的化合物1的合成中，代替中间体A而使用中间体D，代替1-(4’-氯[1，1’-联苯]-3-基)萘而使用中间体C，除此以外进行与合成实施例10的化合物1的合成同样的操作，从而得到了3.26g的白色固体。产率为54％。
所得到的物质进行质谱分析的结果，为化合物3，相对于分子量601.79，m/e＝602。
合成实施例13：化合物4的合成
[化学式361]
在合成实施例10的化合物1的合成中，代替1-(4’-氯[1，1’-联苯]-3-基)萘而使用中间体E，除此以外进行与合成实施例10的化合物1的合成同样的操作，从而得到了4.36g的白色固体。产率为62％。
所得到的物质进行质谱分析的结果，为化合物4，相对于分子量707.95，m/e＝708。
合成实施例14：化合物5的合成
[化学式362]
在合成实施例10的化合物1的合成中，代替中间体A而使用中间体H，代替1-(4’-溴[1，1’-联苯]-3-基)萘而使用中间体J，除此以外进行与合成实施例10的化合物1的合成同样的操作，从而得到了3.26g的白色固体。产率为47％。
所得到的物质进行质谱分析的结果，为化合物5，相对于分子量604.80，m/e＝605。
合成实施例15：化合物6的合成
[化学式363]
在合成实施例10的化合物1的合成中，代替中间体A而使用中间体I，代替1-(4’-氯[1，1’-联苯]-3-基)萘而使用中间体F，除此以外进行与合成实施例10的化合物1的合成同样的操作，从而得到了3.92g的白色固体。产率为62％。
所得到的物质进行质谱分析的结果，为化合物6，相对于分子量703.92，m/e＝704。
合成实施例16：化合物7的合成
[化学式364]
在合成实施例10的化合物1的合成中，代替中间体A而使用N-[1，1’-联苯]-4-基-[1，1’-联苯]-4-胺，代替1-(4’-氯[1，1’-联苯]-3-基)萘而使用中间体G，除此以外进行与合成实施例10的化合物1的合成同样的操作，从而得到了4.19g的白色固体。产率为77％。
所得到的物质进行质谱分析的结果，为化合物7，相对于分子量603.80，m/e＝604。
合成实施例17：化合物8的合成
[化学式365]
在合成实施例10的化合物1的合成中，代替中间体A而使用N-[1，1’-联苯]-4-基-3’-(1-萘基)-[1，1’-联苯]-4-胺，代替1-(4’-氯[1，1’-联苯]-3-基)萘而使用中间体B-2，除此以外进行与合成实施例10的化合物1的合成同样的操作，从而得到了3.82g的白色固体。产率为65％。
所得到的物质进行质谱分析的结果，为化合物8，相对于分子量653.86，m/e＝654。
符号说明
1、11 有机EL元件
2 基板
3 阳极
4 阴极
5 发光层
6 空穴传输区域(空穴传输层)
6a 空穴注入层
6b 第1空穴传输层
6c 第2空穴传输层
6d 第3空穴传输层
7 电子传输区域(电子传输层)
7a 第1电子传输层
7b 第2电子传输层
10、20 发光单元

Claims (30)

1.下述式(1)所示的化合物，
式(1)中，
N*为中心氮原子，
选自R1A～R5A中的1个为与*a1键合的单键，
选自R1B～R5B中的1个为与*b1键合的单键，
选自R11A～R15A中的1个为与*a2键合的单键，
选自R11B～R15B中的1个为与*b2键合的单键，
选自R21A～R25A中的1个为与*a3键合的单键，
选自R21B～R25B中的1个为与*b3键合的单键，
并非所述单键的R1A～R5A、并非所述单键的R1B～R5B、并非所述单键的R11A～R15A、并非所述单键的R11B～R15B、并非所述单键的R21A～R25A、和并非所述单键的R21B～R25B各自独立地为氢原子、未取代的碳数1～6的烷基、或者未取代的苯基，
在并非所述单键的R1A～R5A、并非所述单键的R1B～R5B、并非所述单键的R11A～R15A、并非所述单键的R11B～R15B、并非所述单键的R21A～R25A、以及并非所述单键的R21B～R25B每个分组中，由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成取代或未取代的成环原子数3以上且6以下的单环、或者不相互键合而不形成环，
m1为0或1，
n1为0或1，
m1≥n1，其中，
在m1和n1为0时，*b1与中心氮原子N*键合，
在m1为1且n1为0时，选自R1A～R5A中的1个为与*b1键合的单键，
m2为0或1，
n2为0或1，
m2≥n2，其中，
在m2和n2为0时，*b2与中心氮原子N*键合，
在m2为1且n2为0时，选自R11A～R15A中的1个为与*b2键合的单键，
m3为0或1，
n3为0或1，
m3≥n3，其中，
在m3和n3为0时，*b3与中心氮原子N*键合，
在m3为1且n3为0时，选自R21A～R25A中的1个为与*b3键合的单键，
所述化合物满足下述(i)～(vi)之中的至少1项，
(i)R2A或R4A为与*a1键合的单键
(ii)R2B或R4B为与*b1键合的单键
(iii)R12A或R14A为与*a2键合的单键
(iv)R12B或R14B为与*b2键合的单键
(v)R22A或R24A为与*a3键合的单键
(vi)R22B或R24B为与*b3键合的单键
m1、m2、m3、n1、n2和n3中的至少1个为1，
并非所述单键的R1A～R5A、并非所述单键的R1B～R5B、并非所述单键的R11A～R15A、并非所述单键的R11B～R15B、并非所述单键的R21A～R25A、和并非所述单键的R21B～R25B中所包含的氢原子之中的至少1个为氘原子，
Ar1和Ar2各自独立地由下述式(1-a)～下述式(1-f)中的任一式表示，Ar3由下述式(1-g)和下述式(1-h)中的任一式表示，
在Ar1由下述式(1-f)表示时，m1为0且n1为0、或者m1为1且n1为0，
在Ar2由下述式(1-f)表示时，m2为0且n2为0、或者m2为1且n2为0，
式(1-a)中，
**表示与所述*b1或所述*b2的键合位置，
R31～R35各自独立地为氢原子、未取代的碳数1～6的烷基、或者未取代的苯基，
R31～R35不存在由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成环的情况，
式(1-b)中，
**表示与所述*b1或所述*b2的键合位置，
选自R41～R48中的1个为与*b键合的单键，
并非所述单键的R41～R48各自独立地为氢原子、未取代的碳数1～6的烷基、或者未取代的苯基，
并非所述单键的R41～R48不存在由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成环的情况，
式(1-c)中，
**表示与所述*b1或所述*b2的键合位置，
选自R51～R62中的1个为与*c键合的单键，
并非所述单键的R51～R62各自独立地为氢原子、未取代的碳数1～6的烷基、或者未取代的苯基，
并非所述单键的R51～R62不存在由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成环的情况，
式(1-d)中，
**表示与所述*b1或所述*b2的键合位置，
选自R71～R80中的1个为与*d键合的单键，
并非所述单键的R71～R80各自独立地为氢原子、未取代的碳数1～6的烷基、或者未取代的苯基，
并非所述单键的R71～R80不存在由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成环的情况，
式(1-e)中，
**表示与所述*b1或所述*b2的键合位置，
X为CRARB，
RA和RB各自独立地为取代或未取代的碳数1～6的烷基、取代或未取代的成环碳数6～12的芳基、或者成环碳数5～10的杂环基，
RA和RB相互键合而形成取代或未取代的单环、相互键合而形成取代或未取代的稠环、或者不相互键合而不形成环，
选自R91～R98中的1个为与*e键合的单键，
并非所述单键的R91～R98各自独立地为氢原子、未取代的碳数1～6的烷基、或者未取代的苯基，
并非所述单键的R91～R98中由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成取代或未取代的成环原子数3以上且6以下的单环、或者不相互键合而不形成环，
式(1-f)中，
**表示与所述*b1或所述*b2的键合位置，
选自R101～R105中的1个为与*f1键合的单键，选自R101～R105中的另1个为与*f2键合的单键，
并非所述单键的R101～R105、R111～R115和R121～R125各自独立地为氢原子、未取代的碳数1～6的烷基、或者未取代的苯基，
并非所述单键的R101～R105不存在由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成环的情况，
在所述R111～R115、以及所述R121～R125每个分组中，由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成取代或未取代的成环原子数3以上且6以下的单环、或者不相互键合而不形成环，
式(1-g)中，
***表示与所述*b3的键合位置，
o1为0、1或2，
选自R131～R138中的1个为与*g键合的单键，
*x1为与并非所述与*g键合的单键的R131～R138中的任一个键合的单键，
并非所述单键的R131～R138各自独立地为氢原子，
并非所述单键的R131～R138不存在由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成环的情况，
式(1-h)中，
***表示与所述*b3的键合位置，
o2为0、1或2，
选自R141～R150中的1个为与*h键合的单键，
*x2为与并非所述与*h键合的单键的R141～R150中的任一个键合的单键，
并非所述单键的R141～R150各自独立地为氢原子，
并非所述单键的R141～R150不存在由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成环的情况，
其中，所述式(1)中，排除下述(i)～(iii)的情况，
(i)所述Ar1和所述Ar2中的一者由所述式(1-d)表示，所述Ar1和所述Ar2中的另一者由所述式(1-a)～所述(1-c)、所述(1-e)和所述(1-f)中的任一式表示，并且所述Ar3由所述*h为与所述R149或所述R150键合的单键的所述式(1-h)表示的情况；
(ii)所述Ar1和所述Ar2中的一者由所述*d为与所述R79或所述R80键合的单键的所述式(1-d)表示，所述Ar1和所述Ar2中的另一者由所述式(1-a)～所述(1-c)、所述(1-e)和所述(1-f)中的任一式表示，并且所述Ar3由所述式(1-h)表示的情况；
(iii)所述Ar1和所述Ar2中的一者由所述*d为与所述R79或所述R80键合的单键的所述式(1-d)表示，所述Ar1和所述Ar2中的另一者由所述式(1-d)表示，并且所述Ar3由所述式(1-g)表示的情况，
其中，在m3＝n3＝0时，并非所述单键的R1A～R5A、并非所述单键的R1B～R5B、并非所述单键的R11A～R15A、并非所述单键的R11B～R15B、并非所述单键的R131～R138和并非所述单键的R141～R150中所包含的氢原子之中的至少1个为氘原子。
2.根据权利要求1所述的化合物，其中，
m3为1且n3为0、或者m3为1且n3为1。
3.根据权利要求2所述的化合物，其满足下述(i)～(iii)中的至少任一项，
(i)R22A或R24A为与*a3键合的单键；
(ii)R22A或R24A为与*b3键合的单键；
(iii)R22B或R24B为与*b3键合的单键。
4.根据权利要求2或3所述的化合物，其中，
在所述Ar1由所述式(1-b)或所述式(1-d)表示的情况下，m1为1且n1为0、或者m1为1且n1为1，在所述Ar2由所述式(1_b)或所述式(1-d)表示的情况下，m2为1且n2为0、或者m2为1且n2为1。
5.根据权利要求4所述的化合物，其中，
在所述Ar1由所述式(1_b)或所述式(1-d)表示的情况下，满足下述(i)和(ii)中的至少任一项，在所述Ar2由所述式(1_b)或所述式(1-d)表示的情况下，满足下述(iii)和(iv)中的至少任一项，
(i)R2A或R4A为与*a1键合的单键；
(ii)R2B或R4B为与*b1键合的单键；
(iii)R12A或R14A为与*a2键合的单键；
(iv)R12B或R14B为与*b2键合的单键。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的化合物，其中，
所述Ar1和所述Ar2中的至少任一个由所述式(1-b)或所述(1-d)表示。
7.根据权利要求6所述的化合物，其中，
所述Ar1和所述Ar2均由所述式(1-b)或所述(1-d)表示。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的化合物，其中，
所述式(1-b)中，所述R41或所述R48为所述与*b键合的单键，所述式(1-g)中，所述R131或所述R138为所述与*g键合的单键。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的化合物，其为下述(i)～(iii)中的任一化合物：
(i)所述Ar1由所述式(1-a)～所述式(1-c)、所述式(1-e)或所述式(1-f)表示，所述Ar2由所述式(1-a)～所述式(1-c)、所述式(1-e)或所述式(1-f)表示，并且所述Ar3由所述式(1-h)表示的化合物；
(ii)所述Ar1由所述式(1-d)表示，所述Ar2由所述式(1-a)～所述式(1-c)、所述式(1-e)或所述式(1-f)表示，并且所述Ar3由所述式(1-g)表示的化合物；
(iii)所述Ar1由所述式(1-a)～所述式(1-c)、所述式(1-e)或所述式(1-f)表示，所述Ar2由所述式(1-d)表示，并且所述Ar3由所述式(1-g)表示的化合物。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的化合物，其中，
并非所述单键的R1A～R5A、并非所述单键的R11A～R15A、和并非所述单键的R21A～R25A中所包含的氢原子之中的至少1个为氘原子。
11.根据权利要求1～9中任一项所述的化合物，其中，
下述(1)～(18)之中的至少1个为氘原子，
(1)并非所述单键的R1A～R5A表示的氢原子；
(2)与并非所述单键的R1A～R5A表示的烷基直连的氢原子；
(3)与并非所述单键的R1A～R5A表示的苯基直连的氢原子；
(4)并非所述单键的R1B～R5B表示的氢原子；
(5)与并非所述单键的R1B～R5B表示的烷基直连的氢原子；
(6)与并非所述单键的R1B～R5B表示的苯基直连的氢原子；
(7)并非所述单键的R11A～R15A表示的氢原子；
(8)与并非所述单键的R11A～R15A表示的烷基直连的氢原子；
(9)与并非所述单键的R11A～R15A表示的苯基直连的氢原子；
(10)并非所述单键的R11B～R15B表示的氢原子；
(11)与并非所述单键的R11B～R15B表示的烷基直连的氢原子；
(12)与并非所述单键的R11B～R15B表示的苯基直连的氢原子；
(13)并非所述单键的R21A～R25A表示的氢原子；
(14)与并非所述单键的R21A～R25A表示的烷基直连的氢原子；
(15)与并非所述单键的R21A～R25A表示的苯基直连的氢原子；
(16)并非所述单键的R21B～R25B表示的氢原子；
(17)与并非所述单键的R21B～R25B表示的烷基直连的氢原子；
(18)与并非所述单键的R21B～R25B表示的苯基直连的氢原子。
12.根据权利要求1～11中任一项所述的化合物，其中，
R3A与*a1键合的环A1、R3B与*b1键合的环B1、R13A与*a2键合的环A2、R13B与*b2键合的环B2、R23A与*a3键合的环A3和R23B与*b3键合的环B3所具有的氢原子之中的至少1个为氘原子。
13.根据权利要求1～12中任一项所述的化合物，其中，
所述式(1)所示的化合物的氘代率为10％以上。
14.下述式(2)所示的化合物，
式(2)中，
N*为中心氮原子，
选自R1C～R5C中的1个为与*c1键合的单键，
选自R1D～R5D中的1个为与*d1键合的单键，
并非所述单键的R1C～R5C、并非所述单键的R1D～R5D、R11C～R14C、R21C～R24C和R161～R169各自独立地为氢原子、未取代的碳数1～6的烷基、或者未取代的苯基，
在并非所述单键的R1C～R5C、并非所述单键的R1D～R5D、R11C～R14C、以及R21C～R24C每个分组中，由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成取代或未取代的成环原子数3以上且6以下的单环、或者不相互键合而不形成环，
R161～R169不存在由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成环的情况，
m4为0或1，
n4为0或1，
m4≥n4，其中，在m4和n4为0时，*d1与中心氮原子N*键合，
在m4为1且n4为0时，选自R1C～R5C中的1个为与*d1键合的单键，
m5为0或1，
在m5为0时，选自R171～R180中的1个为与*c2键合的单键，
在m5为1时，R25C为与*c2键合的单键，选自R171～R180中的1个为与*d2键合的单键，
并非所述单键的R171～R180各自独立地为氢原子、未取代的碳数1～6的烷基、或者未取代的苯基，
并非所述单键的R171～R180不存在由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成环的情况，
并非所述单键的R1C～R5C、并非所述单键的R1D～R5D、R11C～R14C和R21C～R24C中所包含的氢原子之中的至少1个为氘原子，
Ar4由下述式(1-a)～下述式(1-c)、下述式(1-e)和下述式(1-f)中的任一式表示，
在Ar4由下述式(1-f)表示时，m4为0且n4为0、或者m4为1且n4为0，
式(1-a)中，
**表示与所述*d1的键合位置，
R31～R35各自独立地为氢原子、未取代的碳数1～6的烷基、或者未取代的苯基，
R31～R35不存在由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成环的情况，
式(1_b)中，
**表示与所述*d1的键合位置，
选自R41～R48中的1个为与*b键合的单键，
并非所述单键的R41～R48各自独立地为氢原子、未取代的碳数1～6的烷基、或者未取代的苯基，
并非所述单键的R41～R48不存在由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成环的情况，
式(1-c)中，
**表示与所述*d1的键合位置，
选自R51～R62中的1个为与*c键合的单键，
并非所述单键的R51～R62各自独立地为氢原子、未取代的碳数1～6的烷基、或者未取代的苯基，
并非所述单键的R51～R62不存在由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成环的情况，
式(1-e)中，
**表示与所述*d1的键合位置，
X为CRARB，
RA和RB各自独立地为取代或未取代的碳数1～6的烷基、取代或未取代的成环碳数6～12的芳基、或者成环碳数5～10的杂环基，
RA和RB相互键合而形成取代或未取代的单环、相互键合而形成取代或未取代的稠环、或者不相互键合而不形成环，
选自R91～R98中的1个为与*e键合的单键，
并非所述单键的R91～R98各自独立地为氢原子、未取代的碳数1～6的烷基、或者未取代的苯基，
并非所述单键的R91～R98中由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成取代或未取代的成环原子数3以上且6以下的单环、或者不相互键合而不形成环，
式(1-f)中，
**表示与所述*d1的键合位置，
选自R101～R105中的1个为与*f1键合的单键，选自R101～R105中的另1个为与*f2键合的单键，
并非所述单键的R101～R105、R111～R115和R121～R125各自独立地为氢原子、未取代的碳数1～6的烷基、或者未取代的苯基，
并非所述单键的R101～R105不存在由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成环的情况，
在所述R111～R115、以及所述R121～R125每个分组中，由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成取代或未取代的成环原子数3以上且6以下的单环、或者不相互键合而不形成环。
15.根据权利要求14所述的化合物，其中，
并非所述单键的R1C～R5C、所述R11C～R14C以及所述R21C～R24中所包含的氢原子之中的至少1个为氘原子。
16.根据权利要求14所述的化合物，其中，
下述(1)～(12)之中的至少1个为氘原子，
(1)并非所述单键的R1C～R5C表示的氢原子；
(2)与并非所述单键的R1C～R5C表示的烷基直连的氢原子；
(3)与并非所述单键的R1C～R5C表示的苯基直连的氢原子；
(4)并非所述单键的R1D～R5D表示的氢原子；
(5)与并非所述单键的R1D～R5D表示的烷基直连的氢原子；
(6)与并非所述单键的R1D～R5D表示的苯基直连的氢原子；
(7)所述R11C～R14C表示的氢原子；
(8)与所述R11C～R14C表示的烷基直连的氢原子；
(9)与所述R11C～R14C表示的苯基直连的氢原子；
(10)所述R21C～R24C表示的氢原子；
(11)与所述R21C～R24C表示的烷基直连的氢原子；
(12)与所述R21C～R24C表示的苯基直连的氢原子。
17.根据权利要求14～16中任一项所述的化合物，其中，所述式(2)所示的化合物的氘代率为10％以上。
18.下述式(3)所示的化合物，
式(3)中，
N*为中心氮原子，
选自R1E～R5E中的1个为与*e1键合的单键，
选自R1F～R5F中的1个为与*f11键合的单键，
并非所述单键的R1E～R5E、并非所述单键的R1F～R5F、R11E～R14E和R21E～R24E各自独立地为氢原子、未取代的碳数1～6的烷基、或者未取代的苯基，
在并非所述单键的R1E～R5E、并非所述单键的R1F～R5F、R11E～R14E、以及R21E～R24E每个分组中，由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成取代或未取代的成环原子数3以上且6以下的单环、或者不相互键合而不形成环，
m6为1，n6为0或1，其中，在m6为1且n6为0时，选自R1E～R5E中的1个为与*f11键合的单键，
m7为0或1，
在m7为0时，R189或R190为与*e2键合的单键，
在m7为1时，R15E为与*e2键合的单键，R189或R190为与*f12键合的单键，
R181～R188和并非所述单键的R189或R190各自独立地为氢原子、未取代的碳数1～6的烷基、或者未取代的苯基，
R181～R188和并非所述单键的R189或R190不存在由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成环的情况，
m8为0或1，
在m8为0时，选自R191～R200中的1个为与*e3键合的单键，
在m8为1时，R25E为与*e3键合的单键，选自R191～R200中的1个为与*f13键合的单键，
并非所述单键的R191～R200各自独立地为氢原子、未取代的碳数1～6的烷基、或者未取代的苯基，
并非所述单键的R191～R200不存在由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成环的情况，
所述化合物满足下述(i)～(ii)之中的至少1项，
(i)R2E或R4E为与*e1键合的单键；
(ii)R2F或R4F为与*f11键合的单键，
并非所述单键的R1E～R5E、并非所述单键的R1F～R5F、R11E～R14E和R21E～R24E中所包含的氢原子之中的至少1个为氘原子，
Ar5由下述式(1-b)、下述式(1-c)、下述式(1-e)和下述式(1-f)中的任一式表示，
在Ar5由下述式(1-f)表示时，m6为0且n6为0、或者m6为1且n6为0，
式(1-b)中，
**表示与所述*f11的键合位置，
选自R41～R48中的1个为与*b键合的单键，
并非所述单键的R41～R48各自独立地为氢原子、未取代的碳数1～6的烷基、或者未取代的苯基，
并非所述单键的R41～R48不存在由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成环的情况，
式(1-c)中，
**表示与所述*f11的键合位置，
选自R51～R62中的1个为与*c键合的单键，
并非所述单键的R51～R62各自独立地为氢原子、未取代的碳数1～6的烷基、或者未取代的苯基，
并非所述单键的R51～R62不存在由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成环的情况，
式(1-e)中，
**表示与所述*f11的键合位置，
X为CRARB，
RA和RB各自独立地为取代或未取代的碳数1～6的烷基、取代或未取代的成环碳数6～12的芳基、或者成环碳数5～10的杂环基，
RA和RB相互键合而形成取代或未取代的单环、相互键合而形成取代或未取代的稠环、或者不相互键合而不形成环，
选自R91～R98中的1个为与*e键合的单键，
并非所述单键的R91～R98各自独立地为氢原子、未取代的碳数1～6的烷基、或者未取代的苯基，
并非所述单键的R91～R98中由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成取代或未取代的成环原子数3以上且6以下的单环、或者不相互键合而不形成环，
式(1-f)中，
**表示与所述*f11的键合位置，
选自R101～R105中的1个为与*f1键合的单键，选自R101～R105中的另1个为与*f2键合的单键，
并非所述单键的R101～R105、R111～R115和R121～R125各自独立地为氢原子、未取代的碳数1～6的烷基、或者未取代的苯基，
并非所述单键的R101～R105不存在由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成环的情况，
在所述R111～R115、以及所述R121～R125每个分组中，由相邻的2个以上基团组成的组中的1组以上相互键合而形成取代或未取代的成环原子数3以上且6以下的单环、或者不相互键合而不形成环。
19.根据权利要求18所述的化合物，其中，
并非所述单键的R1E～R5E、所述R11E～R14E和所述R21E～R24E中所包含的氢原子之中的至少1个为氘原子。
20.根据权利要求18所述的化合物，其中，
下述(1)～(12)之中的至少1个为氘原子，
(1)并非所述单键的R1E～R5E表示的氢原子；
(2)与并非所述单键的R1E～R5E表示的烷基直连的氢原子；
(3)与并非所述单键的R1E～R5E表示的苯基直连的氢原子；
(4)并非所述单键的R1F～R5F表示的氢原子；
(5)与并非所述单键的R1F～R5F表示的烷基直连的氢原子；
(6)与并非所述单键的R1F～R5F表示的苯基直连的氢原子；
(7)所述R11E～R14E表示的氢原子；
(8)与所述R11E～R14E表示的烷基直连的氢原子；
(9)与所述R11E～R14E表示的苯基直连的氢原子；
(10)所述R21E～R24E表示的氢原子；
(11)与所述R21E～R24E表示的烷基直连的氢原子；
(12)与所述R21E～R24E表示的苯基直连的氢原子。
21.根据权利要求18～20中任一项所述的化合物，其中，
所述式(3)所示的化合物的氘代率为10％以上。
22.一种有机电致发光元件用材料，其包含权利要求1～21中任一项所述的化合物。
23.根据权利要求22所述的有机电致发光元件用材料，其中，
还包含权利要求1～21中任一项所述的化合物的氕体，该氕体是全部氢原子为氕原子的化合物。
24.根据权利要求22或23所述的有机电致发光元件用材料，其为空穴传输层材料。
25.一种有机电致发光元件，其具有阴极、阳极和位于该阴极与该阳极之间的有机层，该有机层包含发光层，该有机层的至少1层包含权利要求1～21中任一项所述的化合物。
26.根据权利要求25所述的有机电致发光元件，其中，
所述有机层包含位于所述阳极与所述发光层之间的空穴传输区域，该空穴传输区域包含权利要求1～21中任一项所述的化合物。
27.根据权利要求26所述的有机电致发光元件，其中，
所述空穴传输区域包含阳极侧的第1空穴传输层和阴极侧的第2空穴传输层，
所述第1空穴传输层和所述第2空穴传输层中的至少一者包含权利要求1～21中任一项所述的化合物。
28.根据权利要求25～27中任一项所述的有机电致发光元件，其中，
所述发光层包含荧光掺杂剂材料。
29.根据权利要求25～27中任一项所述的有机电致发光元件，其中，
所述发光层包含磷光掺杂剂材料。
30.一种电子设备，其包含权利要求25～29中任一项所述的有机电致发光元件。
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