CN117153758B - 一种用于半导体晶圆厚度检测仪的定位结构 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 38
- 238000013519 translation Methods 0.000 claims abstract description 19
- 230000000712 assembly Effects 0.000 claims abstract description 12
- 238000000429 assembly Methods 0.000 claims abstract description 12
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 44
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B21/00—Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant
- G01B21/02—Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant for measuring length, width, or thickness
- G01B21/08—Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant for measuring length, width, or thickness for measuring thickness
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
本发明涉及半导体晶圆定位领域，公开了一种用于半导体晶圆厚度检测仪的定位结构，包括安装座、定位组件、测厚组件、定位电机和平移电机，安装座上表面设置有数据处理器，数据处理器与测厚组件、定位电机和平移电机电性连接。定位组件包括定位台、转动齿轮、夹紧齿轮、夹紧组件、固定器和转动环，定位组件与安装座转动连接，定位电机带动定位组件转动，固定器设置在定位台上表面，固定器与夹紧齿轮滑动连接。夹紧组件数量为三，三个夹紧组件的推板其中的两个为与半导体晶圆相配合的弧面，另一个推板为平面。平移电机带动测厚组件移动。
Description
技术领域
本发明涉及半导体晶圆定位领域，特别是涉及一种用于半导体晶圆厚度检测仪的定位结构。
背景技术
晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅，高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅，硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆，在芯片制作过程中常常用到。在对半导体晶圆进行测试时需要对晶圆的厚度进行检测，但是在对晶圆厚度检测时，通常都是将晶圆放置在固定的器具内，测量不同点位厚度时需要重新调节晶圆的位置，无法对某个具体的点位进行针对性的测量。
发明内容
（一）技术问题
针对现有技术的不足，本发明提供了一种用于半导体晶圆厚度检测仪的定位结构，解决现有定位装置测量不同点位厚度时需要重新调节晶圆的位置，无法针对具体点位进行针对性测量的问题。
（二）技术方案
为解决上述问题，本发明提供一种用于半导体晶圆厚度检测仪的定位结构，包括安装座、定位组件、测厚组件、定位电机和平移电机，所述安装座上表面设置有数据处理器和转动槽，所述数据处理器固定安装在所述安装座上表面，所述数据处理器与所述测厚组件、所述定位电机和所述平移电机电性连接，所述转动槽设置在所述安装座上表面中心位置，所述安装座设置有测厚孔，所述测厚孔贯穿所述安装座上表面且所述测厚孔与所述转动槽同轴心，所述安装座上表面还设置有滑动槽；
所述定位组件包括定位台、转动齿轮、夹紧齿轮、夹紧组件、固定器和转动环，所述转动环设置在所述定位台下表面，所述转动环与所述定位台同轴心，所述转动环与所述转动槽同轴心，所述转动环与所述转动槽转动连接，所述转动齿轮套接在所述定位台外侧，所述转动齿轮与所述定位台固定连接，所述夹紧组件固定安装在所述定位台上表面，所述夹紧组件包括夹紧壳、伸缩壳、推板、调节齿轮、连接杆、连接轴和弹簧，所述夹紧壳后侧上端设置有调节槽，所述调节齿轮与所述夹紧壳转动连接，所述连接杆与所述调节齿轮下端面转动连接，所述连接杆安装在所述调节齿轮下端非轴心处，所述连接杆末端与所述伸缩壳转动连接，所述连接轴设置在所述伸缩壳前端，所述连接轴与所述伸缩壳滑动连接，所述弹簧套接在所述连接轴外侧，所述推板固定安装在所述连接轴前端，所述弹簧设置在所述推板与所述伸缩壳之间；
所述夹紧组件数量为三，均匀分布在所述定位台上表面，所述夹紧齿轮的宽度与所述调节槽高度相配合，所述夹紧齿轮分别与三个所述夹紧组件的调节齿轮相啮合；其中两个所述夹紧组件的所述推板前端侧壁为与半导体晶圆相配合的弧面，另一个所述推板的前端侧壁为平面；
所述固定器设置在所述定位台上表面，所述固定器与所述夹紧齿轮滑动连接，所述固定器设置有固定螺栓，通过拧紧固定螺栓以实现对夹紧齿轮位置的固定；
所述定位电机的输出轴末端设置有与所述转动齿轮相啮合的齿轮，所述定位电机带动所述转动齿轮转动；
所述测厚组件包括测厚支架、上测厚仪、下测厚仪、上限位台、下限位台和移动齿条，所述上测厚仪设置在所述测厚支架前端上侧，所述下测厚仪设置在所述测厚支架的前端下侧，所述上测厚仪与所述下测厚仪同轴心，所述移动齿条设置在所述下限位台下表面，所述测厚支架与所述滑动槽滑动连接，所述平移电机的输出轴的末端安装有与所述移动齿条相啮合的齿轮。
所述安装座上表面还设置有连接孔，所述滑动槽的中线与所述测厚孔的直径共线，所述连接孔设置在所述安装座上表面并贯穿所述安装座上表面。
所述滑动槽贯穿所述安装座上表面。
所述平移电机固定安装在所述安装座内侧上表面。
所述定位电机固定安装在所述安装座内侧上表面，所述定位电机的输出轴穿过所述连接孔。
所述夹紧组件还设置有橡胶垫，所述橡胶垫固定安装在所述推板前端侧壁。
所述定位台整体为圆环状，所述定位台内缘直径大于所述测厚孔外缘直径。
所述推板的高度与半导体晶圆的厚度相配合。
（三）有益效果
本发明的优点为：
1.定位组件设置有三个推板，三个推板中有一个推板为平面，另外俩个推板为弧面，平面的推板与半导体晶圆的平面相贴合，完成对半导体晶圆初始位置的判定，通过转动夹紧齿轮实现对晶圆位置的固定。
2.定位组件设置有转动齿轮，通过定位电机带动转动齿轮进行转动从而带动定位组件转动，通过数据处理器对定位电机运动的计算得出半导体晶圆实时的角度方向。
3.测厚组件底部设置有移动齿条，移动齿条在平移电机的带动下滑动，数据处理器对平移电机的运动计算得出测厚组件测量的点位，通过数据处理器对定位电机和平移电机的控制和数据的处理最终实现对晶圆测量点位的精准控制。
附图说明
图1为本发明一种用于半导体晶圆厚度检测仪的定位结构立体结构示意图；
图2为图1所示一种用于半导体晶圆厚度检测仪的定位结构的剖视图；
图3为本发明安装座的剖视图；
图4为本发明定位组件的立体结构示意图；
图5为图4所示定位组件的剖视图；
图6为本发明测厚组件的立体结构示意图；
图7为本发明夹紧组件的立体结构示意图；
图8为图7所示夹紧组件的剖面图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
请参阅图1-图8，本发明提供了一种技术方案：一种用于半导体晶圆厚度检测仪的定位结构100，包括安装座1、定位组件2、测厚组件3、定位电机4和平移电机。
安装座1上表面设置有数据处理器11、转动槽12、滑动槽13、连接孔14和测厚孔15，数据处理器11固定安装在安装座1上表面，数据处理器11与测厚组件3、定位电机4和平移电机5电性连接，数据处理器11用以控制定位电机4和平移电机5的运动，并对定位电机4和平移电机5的运动速度和运动时长进行计算，最终得出半导体晶圆目前的具体位置和测厚组件3的位置，数据处理器11控制测厚组件进行工作并对测厚组件3测量的数据进行处理，最终计算得出测量点的厚度。安装座1上表面中心位置设置有转动槽12，转动槽12用以安装定位组件2。测厚孔15贯穿安装座1上表面且测厚孔15与转动槽12同轴心，测厚组件3通过测厚孔15测量半导体晶圆的厚度，滑动槽13的中线与测厚孔15的直径共线，滑动槽13用以安装测厚组件3。
定位组件2包括定位台21、转动齿轮22、夹紧齿轮23、夹紧组件24、固定器25和转动环26，转动环26设置在定位台21下表面，转动环26与转动槽12同轴心，转动环26与转动槽12转动连接。定位台21整体为圆环状，定位台21内缘直径大于测厚孔15的外缘直径，定位台21与转动环26同轴心。转动齿轮22套接在定位台21外侧，二者通过焊接的方式固定连接。固定器25设置在定位台21上表面，固定器25与夹紧齿轮23滑动连接，固定器25设置有固定螺栓，通过拧紧固定螺栓以实现对夹紧齿轮23位置的固定。
夹紧组件24包括夹紧壳241、伸缩壳243、推板244、调节齿轮245、连接杆246、橡胶垫249、连接轴247和弹簧248，夹紧壳241后侧上端设置有调节槽242，调节槽242的高度与夹紧齿轮23的宽度相配合。调节齿轮245与夹紧壳241转动连接，连接杆246与调节齿轮245下端转动连接，连接杆246连接在调节齿轮245下端非轴心处，连接杆246与调节齿轮245形成简易的凸轮连杆结构。连接杆246末端与伸缩壳243转动连接，伸缩壳243在连杆246的作用下实现往复运动。连接轴247设置在伸缩壳243前端，连接轴247与伸缩壳243滑动连接，弹簧248套接在连接轴247外侧，推板244固定安装在连接轴247前端，弹簧248设置在推板244与伸缩壳243之间，推板244的高度与半导体晶圆的厚度相配合，橡胶垫249通过粘合的方式固定安装在推板244前端侧壁。夹紧组件24的数量为三，均匀分布在定位台21上表面，三个夹紧组件24的推板244其中的两个为与半导体晶圆相配合的弧面，另一个推板244为平面，平面的推板244与半导体晶圆的平面相对应。
夹紧齿轮23与三个夹紧组件24的调节齿轮245相啮合，通过转动夹紧齿轮23带动三个调节齿轮245转动，调节齿轮245转动带动连接杆246活动，连接杆246推动伸缩壳243向外侧移动，推板244与半导体晶圆紧密贴合，最终实现对半导体晶圆的固定。
测厚组件3包括测厚支架31、上测厚仪32、下测厚仪33、上限位台34、下限位台35和移动齿条36，上测厚仪32设置在测厚支架31的前端上侧，下测厚仪33设置在测厚支架31的前端下侧，上测厚仪32与下测厚仪33同轴心，上测厚仪32与下测厚仪33均为现有技术，因此本发明不做详细描述，上测厚仪32与下测厚仪33用以测量半导体晶圆的厚度。上限位台34和下限位台35用以限制测厚支架31与安装座1只能在水平方向内移动，测厚支架31宽度与滑动槽13跨度相配合，测厚支架31与滑动槽13滑动连接，移动齿条36设置在下限位台35下表面。
定位电机4固定安装在安装座1内侧上表面，定位电机4的输出轴穿过连接孔14，定位电机4的输出轴末端安装有与转动齿轮22相啮合的齿轮，定位电机4带动转动齿轮22转动，从而实现定位组件2整体的转动，使半导体晶圆转动到合适的角度。
平移电机5固定安装在安装座1内侧上表面，平移电机5的输出轴的末端安装有与移动齿条36相啮合的齿轮，平移电机5带动测厚组件3移动。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该发明产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
Claims (8)
1.一种用于半导体晶圆厚度检测仪的定位结构，其特征在于：包括安装座、定位组件、测厚组件、定位电机和平移电机，所述安装座上表面设置有数据处理器和转动槽，所述数据处理器固定安装在所述安装座上表面，所述数据处理器与所述测厚组件、所述定位电机和所述平移电机电性连接，所述转动槽设置在所述安装座上表面中心位置，所述安装座设置有测厚孔，所述测厚孔贯穿所述安装座上表面且所述测厚孔与所述转动槽同轴心，所述安装座上表面还设置有滑动槽；
所述定位组件包括定位台、转动齿轮、夹紧齿轮、夹紧组件、固定器和转动环，所述转动环设置在所述定位台下表面，所述转动环与所述定位台同轴心，所述转动环与所述转动槽同轴心，所述转动环与所述转动槽转动连接，所述转动齿轮套接在所述定位台外侧，所述转动齿轮与所述定位台固定连接，所述夹紧组件固定安装在所述定位台上表面，所述夹紧组件包括夹紧壳、伸缩壳、推板、调节齿轮、连接杆、连接轴和弹簧，所述夹紧壳后侧上端设置有调节槽，所述调节齿轮与所述夹紧壳转动连接，所述连接杆与所述调节齿轮下端面转动连接，所述连接杆安装在所述调节齿轮下端非轴心处，所述连接杆末端与所述伸缩壳转动连接，所述连接轴设置在所述伸缩壳前端，所述连接轴与所述伸缩壳滑动连接，所述弹簧套接在所述连接轴外侧，所述推板固定安装在所述连接轴前端，所述弹簧设置在所述推板与所述伸缩壳之间；
所述夹紧组件数量为三，均匀分布在所述定位台上表面，所述夹紧齿轮的宽度与所述调节槽高度相配合，所述夹紧齿轮分别与三个所述夹紧组件的调节齿轮相啮合；其中两个所述夹紧组件的所述推板前端侧壁为与半导体晶圆相配合的弧面，另一个所述推板的前端侧壁为平面；
所述固定器设置在所述定位台上表面，所述固定器与所述夹紧齿轮滑动连接，所述固定器设置有固定螺栓，通过拧紧固定螺栓以实现对夹紧齿轮位置的固定；
所述定位电机的输出轴末端设置有与所述转动齿轮相啮合的齿轮，所述定位电机带动所述转动齿轮转动；
所述测厚组件包括测厚支架、上测厚仪、下测厚仪、上限位台、下限位台和移动齿条，所述上测厚仪设置在所述测厚支架前端上侧，所述下测厚仪设置在所述测厚支架的前端下侧，所述上测厚仪与所述下测厚仪同轴心，所述移动齿条设置在所述下限位台下表面，所述测厚支架与所述滑动槽滑动连接，所述平移电机的输出轴的末端安装有与所述移动齿条相啮合的齿轮。
2.根据权利要求1所述的一种用于半导体晶圆厚度检测仪的定位结构，其特征在于：所述安装座上表面还设置有连接孔，所述滑动槽的中线与所述测厚孔的直径共线，所述连接孔设置在所述安装座上表面并贯穿所述安装座上表面。
3.根据权利要求2所述的一种用于半导体晶圆厚度检测仪的定位结构，其特征在于：所述滑动槽贯穿所述安装座上表面。
4.根据权利要求1所述的一种用于半导体晶圆厚度检测仪的定位结构，其特征在于：所述平移电机固定安装在所述安装座内侧上表面。
5.根据权利要求2所述的一种用于半导体晶圆厚度检测仪的定位结构，其特征在于：所述定位电机固定安装在所述安装座内侧上表面，所述定位电机的输出轴穿过所述连接孔。
6.根据权利要求1所述的一种用于半导体晶圆厚度检测仪的定位结构，其特征在于：所述夹紧组件还设置有橡胶垫，所述橡胶垫固定安装在所述推板前端侧壁。
7.根据权利要求1所述的一种用于半导体晶圆厚度检测仪的定位结构，其特征在于：所述定位台整体为圆环状，所述定位台内缘直径大于所述测厚孔外缘直径。
8.根据权利要求1所述的一种用于半导体晶圆厚度检测仪的定位结构，其特征在于：所述推板的高度与半导体晶圆的厚度相配合。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311419827.1A CN117153758B (zh) | 2023-10-30 | 2023-10-30 | 一种用于半导体晶圆厚度检测仪的定位结构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311419827.1A CN117153758B (zh) | 2023-10-30 | 2023-10-30 | 一种用于半导体晶圆厚度检测仪的定位结构 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117153758A CN117153758A (zh) | 2023-12-01 |
| CN117153758B true CN117153758B (zh) | 2023-12-22 |
Family
ID=88902993
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202311419827.1A Active CN117153758B (zh) | 2023-10-30 | 2023-10-30 | 一种用于半导体晶圆厚度检测仪的定位结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117153758B (zh) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115332135A (zh) * | 2022-10-10 | 2022-11-11 | 江苏和睿半导体科技有限公司 | 一种半导体晶片测厚设备及方法 |
| CN217877627U (zh) * | 2022-07-11 | 2022-11-22 | 涌淳半导体(无锡)有限公司 | 一种多尺寸晶圆厚度检测装置 |
| CN218069784U (zh) * | 2022-01-18 | 2022-12-16 | 麦斯克电子材料股份有限公司 | 一种半导体晶圆厚度精度检测用定位装置 |
| CN116598245A (zh) * | 2023-06-14 | 2023-08-15 | 深圳市芯诚诺半导体有限公司 | 一种半导体晶圆定位装置及半导体晶圆加工定位方法 |
-
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN218069784U (zh) * | 2022-01-18 | 2022-12-16 | 麦斯克电子材料股份有限公司 | 一种半导体晶圆厚度精度检测用定位装置 |
| CN217877627U (zh) * | 2022-07-11 | 2022-11-22 | 涌淳半导体(无锡)有限公司 | 一种多尺寸晶圆厚度检测装置 |
| CN115332135A (zh) * | 2022-10-10 | 2022-11-11 | 江苏和睿半导体科技有限公司 | 一种半导体晶片测厚设备及方法 |
| CN116598245A (zh) * | 2023-06-14 | 2023-08-15 | 深圳市芯诚诺半导体有限公司 | 一种半导体晶圆定位装置及半导体晶圆加工定位方法 |
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|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |