CN117144367A - 一种ic封装载板用线路蚀刻溶液及其制备方法与应用 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种IC封装载板用线路蚀刻溶液及其制备方法与应用，涉及线路板制造技术领域。该线路蚀刻溶液，包括以下质量浓度组分：硫酸20‑60g/L，过氧化氢15‑25g/L，含铜离子的铜盐20‑40g/L，护岸剂0.2‑1g/L，稳定剂1‑2g/L，湿润剂0.3‑0.8g/L；其中，所述的护岸剂为丙炔醇、含咪唑基团的2‑巯基苯并噻唑类衍生物和单乙醇胺的混合物。本发明通过使用护岸剂，与体系中的硫酸、过氧化氢、含铜离子的铜盐以及其他成分的相互作用，利用其对线路中不同性质铜层的吸附保护差别，调整对不同性质铜层的蚀刻效率，形成差分蚀刻，改善了线路底部化学铜过蚀的问题。
Description
技术领域
本发明涉及线路板制造技术领域，尤其涉及一种IC封装载板用线路蚀刻溶液及其制备方法与应用。
背景技术
传统线路板的线路宽度一般都在50微米以上，类载板的线路宽度一般都在20微米以上，而IC封装载板的线路宽度一般要缩小到10微米以下，当线路越精细时，其制作难度也变得越来越大。当IC封装载板上的导线及间距达到几微米的级别时，蚀刻后保持良好线型成为保证产品质量的关键，因此IC封装载板的SAP（SAP：半加成法）工艺也对线路蚀刻溶液提出了更高的要求。
现在IC封装载板的线宽越来越小，一般都在10微米以下，甚至达5微米，由于线路与基板之间的结合面积本身很小，这时候蚀刻后线路形状就非常重要。理想的线路截面应该是标准的矩形，然而IC封装载板上线路底部与基板结合的化学铜层相对与线路主体由电镀形成的铜层以及其他类型线路板的覆铜板底铜来说，其结构相对疏松，晶粒更加粗大，在线路蚀刻时更容易被腐蚀，这样就会出现线路底部化学铜被腐蚀的更快，线路底部容易出现化学铜层过蚀的现象。这种情况会使线路与基板的接触面积变的更小，结合力变差，影响IC封装载板的可靠性。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明提供一种IC封装载板用线路蚀刻溶液及其制备方法与应用。具体包括以下技术方案：
第一方面，提供一种IC封装载板用线路蚀刻溶液，包括以下质量浓度组分：
硫酸 20-60g/L ，
过氧化氢 15-25g/L，
含铜离子的铜盐 20-40g/L，
护岸剂 0.2-1g/L，
稳定剂 1-2g/L ，
湿润剂 0.3-0.8g/L；
其中，所述的护岸剂为丙炔醇、含咪唑基团的2-巯基苯并噻唑类衍生物和单乙醇胺的混合物。
进一步的，所述的含咪唑基团的2-巯基苯并噻唑类衍生物的结构式为：
。
进一步的，所述的丙炔醇、含咪唑基团的2-巯基苯并噻唑类衍生物和单乙醇胺的质量比为1：（0.1-0.2）：（2-8）。
进一步的，所述的稳定剂为聚丙烯酰胺、硅酸镁、硅酸钠中的至少一种。
进一步的，所述的湿润剂选自分子量为400-1200的聚乙二醇中的至少一种。
进一步的，所述的含铜离子的铜盐选自氧化铜、硫酸铜中的一种或多种。
进一步的，所述的丙炔醇、含咪唑基团的2-巯基苯并噻唑类衍生物和单乙醇胺的质量比为1：0.15：4.85。
第二方面，提供如第一方面所述的IC封装载板用线路蚀刻溶液的制备方法，包括以下步骤：
a .将硫酸加入水，搅拌溶解，混合均匀；
b .将稳定剂加入步骤a得到的溶液，搅拌溶解，混合均匀；
c .将过氧化氢加入步骤b得到的溶液，搅拌溶解，混合均匀；
d .将湿润剂加入步骤c得到的溶液，搅拌溶解，混合均匀；
e .将护岸剂加入步骤d得到的溶液，搅拌溶解，混合均匀；
f .将含铜离子的铜盐加入步骤e得到的溶液，搅拌溶解，添加水至标准体积，即得到所述IC封装载板用线路蚀刻溶液。
第三方面，提供一种线路蚀刻方法，将第一方面所述的IC封装载板用线路蚀刻溶液喷淋到IC封装载板上，喷淋方式为采用水平传送设备进行上下喷淋。
进一步的，所述的喷淋的温度为25-35℃，喷淋的时间为30-90s，喷淋的压力为10-30PSI。
本发明提供的IC封装载板用线路蚀刻溶液，针对IC封装载板在SAP工艺中线路蚀刻时容易出现线路底部化学铜过蚀的问题，通过使用护岸剂，与线路蚀刻溶液体系中的硫酸、过氧化氢、含铜离子的铜盐以及其他成分的相互作用，利用其对线路中不同性质铜层的吸附保护差别，调整对不同性质铜层的蚀刻效率，形成差分蚀刻，改善了线路底部化学铜过蚀的问题，最终完成理想的线路形状蚀刻。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例3的IC封装载板用线路蚀刻溶液处理后的IC封装载板截面切片图；
图2为本发明对比例3的IC封装载板用线路蚀刻溶液处理后的IC封装载板截面切片图。
具体实施方式
下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
应当理解，当在本说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”和 “包含”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。
还应当理解，在此本发明说明书中所使用的术语仅仅是出于描述特定实施例的目的而并不意在限制本发明。如在本发明说明书和所附权利要求书中所使用的那样，除非上下文清楚地指明其它情况，否则单数形式的“一”、“一个”及“该”意在包括复数形式。
还应当进一步理解，在本发明说明书和所附权利要求书中使用的术语“和/ 或”是指相关联列出的项中的一个或多个的任何组合以及所有可能组合，并且包括这些组合。
为了更充分理解本发明的技术内容，下面结合具体实施例对本发明的技术方案进一步介绍和说明。
IC封装载板用线路蚀刻溶液的制备方法
a .将硫酸加入水，搅拌溶解，混合均匀；
b .将稳定剂加入步骤a得到的溶液，搅拌溶解，混合均匀；
c .将过氧化氢加入步骤b得到的溶液，搅拌溶解，混合均匀；
d .将湿润剂加入步骤c得到的溶液，搅拌溶解，混合均匀；
e .将护岸剂加入步骤d得到的溶液，搅拌溶解，混合均匀；
f .将含铜离子的铜盐加入步骤e得到的溶液，搅拌溶解，添加水至标准体积，即得到所述IC封装载板用线路蚀刻溶液。
线路蚀刻方法
将所述的IC封装载板用线路蚀刻溶液喷淋到IC封装载板上，喷淋方式为采用水平传送设备进行上下喷淋。优选的，所述的喷淋的温度为25-35℃，喷淋的时间为30-90s，喷淋的压力为10-30PSI。本实施例中，所述的喷淋的温度为30℃，喷淋的时间为60s，喷淋的压力为20PSI。
性能测试方法
1.稳定性：记录IC封装载板用线路蚀刻溶液在室温（25℃）下静置24小时后的过氧化氢的质量浓度，与开始相比，变化越少即为越稳定。
2.微蚀量（检测）：将100mm×100mmIC封装载板的双面覆铜板按线路蚀刻方法进行线路蚀刻，通过测量前后铜制品的重量变化，铜层被蚀刻去掉的厚度计做微蚀量，微蚀量控制在0.8-1.2微米之间较佳；
3.表面外观：取IC封装载板用线路蚀刻溶液处理IC封装载板，将线路蚀刻后的IC封装载板在10倍放大镜下观察，经过处理的铜表面外观色泽均匀、不发暗、无凹坑、无划痕、无残铜为合格；
4.化铜过蚀（检查）：取IC封装载板用线路蚀刻溶液处理IC封装载板，制作线路截面切片，后在金相显微镜测量观察，测量线路中化学铜层相对于电镀铜层过蚀的深度，单边小于0.5微米为合格；
5.蚀刻针孔数：取IC封装载板用线路蚀刻溶液处理IC封装载板，在AOI机器上检查，记录检测到蚀刻针孔数。
实施例1
一种IC封装载板用线路蚀刻溶液，包括以下质量浓度组分：
硫酸20g/L ，过氧化氢15g/L，含铜离子的铜盐（硫酸铜） 20g/L，护岸剂0.6g/L，稳定剂（聚丙烯酰胺）1.5g/L ，湿润剂（分子量为1000的聚乙二醇）0.5g/L；
其中，所述的护岸剂为丙炔醇、含咪唑基团的2-巯基苯并噻唑类衍生物和单乙醇胺的混合物；所述的丙炔醇、含咪唑基团的2-巯基苯并噻唑类衍生物和单乙醇胺的质量比为1：0.15：4.85。
所述的含咪唑基团的2-巯基苯并噻唑类衍生物的结构式为：
。
实施例1的IC封装载板用线路蚀刻溶液的制备方法，包括以下步骤：
a.将硫酸加入水，搅拌溶解，混合均匀；
b.将稳定剂加入步骤a得到的溶液，搅拌溶解，混合均匀；
c.将过氧化氢加入步骤b得到的溶液，搅拌溶解，混合均匀；
d.将湿润剂加入步骤c得到的溶液，搅拌溶解，混合均匀；
e.将护岸剂加入步骤d得到的溶液，搅拌溶解，混合均匀；
f.将含铜离子的铜盐加入步骤e得到的溶液，搅拌溶解，添加水至标准体积，即得到实施例1的IC封装载板用线路蚀刻溶液。
采用实施例1的IC封装载板用线路蚀刻溶液对IC封装载板进行线路蚀刻，将IC封装载板用线路蚀刻溶液喷淋到IC封装载板上，喷淋方式为采用水平传送设备进行上下喷淋，喷淋的温度为30℃，喷淋的时间为60s，喷淋的压力为20PSI。线路蚀刻完成后得到实施例1的IC封装载板。
按照表1中的配方配置实施例2-实施例9、对比例1-对比例12的IC封装载板用线路蚀刻溶液。其中，实施例2-实施例9、对比例1-对比例12与实施例1的IC封装载板用线路蚀刻溶液的区别之处仅在于组分的质量浓度，其余条件均相同。
表1 实施例2-实施例9、对比例1-对比例12的IC封装载板用线路蚀刻溶液配方（质量浓度）
对比例13
对比例13与实施例3相比，区别之处在于护岸剂中丙炔醇、含咪唑基团的2-巯基苯并噻唑类衍生物和单乙醇胺的质量比为1：0.15：10.85，其余条件均相同。
对比例14
对比例14与实施例3相比，区别之处在于护岸剂中丙炔醇、含咪唑基团的2-巯基苯并噻唑类衍生物和单乙醇胺的质量比为1：0.5：5.5，其余条件均相同。
对比例15
对比例15与实施例3相比，区别之处在于护岸剂中丙炔醇、含咪唑基团的2-巯基苯并噻唑类衍生物和单乙醇胺的质量比为1：0.5：10.5，其余条件均相同。
对比例16
对比例16与实施例3相比，区别之处在于护岸剂的质量浓度为1.2g/L、含铜离子的铜盐的质量浓度为45g/L，其余条件均相同。
对比例17
对比例17与实施例3相比，区别之处在于护岸剂的质量浓度为1.2g/L、稳定剂的质量浓度为3.0 g/L，其余条件均相同。
对比例18
对比例18与实施例3相比，区别之处在于护岸剂的质量浓度为1.2g/L、含铜离子的铜盐的质量浓度为45g/L、稳定剂的质量浓度为3.0 g/L，其余条件均相同。
实施例2-实施例9、对比例1-对比例18的IC封装载板用线路蚀刻溶液的制备方法和线路蚀刻方法均与实施例1相同。
将实施例1-实施例9的IC封装载板用线路蚀刻溶液进行线路蚀刻，线路蚀刻完成后得到实施例1-9的IC封装载板，进行性能测试，测试结果如表2所示：
表2 实施例1-9的IC封装载板用线路蚀刻溶液性能测试结果
由表2测试结果可知，本发明提供的IC封装载板用线路蚀刻溶液各组分之间相互配合，线路蚀刻溶液的稳定性较佳，可将铜面外观和微蚀量控制在理想范围内。
一、基于硫酸与过氧化氢质量浓度的影响
对比例1与实施例1不同之处在于硫酸的质量浓度为15g/L，其余条件均相同。对比例2与实施例1不同之处在于过氧化氢的质量浓度为35g/L，其余条件均相同。对实施例1、对比例1-2的IC封装载板用线路蚀刻溶液的IC封装载板做性能测试，测试结果如表3所示：
表3 实施例1、对比例1-2的IC封装载板用线路蚀刻溶液性能测试结果
由表3测试结果可知，当IC封装载板用线路蚀刻溶液中的硫酸质量浓度较低（对比例1）时，会出现微蚀量和表面外观不合格的现象。当IC封装载板用线路蚀刻溶液中的过氧化氢质量浓度较高（对比例2）时，会出现微蚀量、化铜过蚀不合格、蚀刻针孔数较多的现象。因此，IC封装载板用线路蚀刻溶液中的硫酸质量浓度优选为硫酸20-60g/L ，过氧化氢质量浓度优选为15-25g/L。
二、基于护岸剂质量浓度的影响
对比例3与实施例3不同之处在于IC封装载板用线路蚀刻溶液中没有护岸剂，其余条件均相同。对比例4与实施例3不同之处在于护岸剂的质量浓度为0.1g/L，其余条件均相同。对比例5与实施例3不同之处在于护岸剂的质量浓度为1.2g/L，其余条件均相同。对实施例3、对比例3-5的IC封装载板用线路蚀刻溶液的IC封装载板做性能测试，测试结果如表4所示：
表4 实施例3、对比例3-5的IC封装载板用线路蚀刻溶液性能测试结果
图1为本发明实施例3的IC封装载板用线路蚀刻溶液处理后的IC封装载板截面切片图，图2为本发明对比例3的IC封装载板用线路蚀刻溶液处理后的IC封装载板截面切片图。
由图1-图2和表4测试结果可知，当IC封装载板用线路蚀刻溶液中不含护岸剂（对比例3）时，会出现表面外观、化铜过蚀不合格、微蚀量过大、蚀刻针孔数较多的现象，当IC封装载板用线路蚀刻溶液中护岸剂的质量浓度较低（对比例4时），会出现表面外观、化铜过蚀不合格、少量蚀刻针孔的现象，当IC封装载板用线路蚀刻溶液中护岸剂的质量浓度较高（对比例5时），会出现稳定性较差、微蚀量较低、表面外观不合格的现象。因此，IC封装载板用线路蚀刻溶液中的护岸剂的质量浓度优选为0.2-1g/L。
三、基于稳定剂质量浓度的影响
对比例6与实施例3不同之处在于稳定剂的质量浓度为0.5g/L，其余条件均相同。对比例7与实施例3不同之处在于稳定剂的质量浓度为3.0g/L，其余条件均相同。对实施例3、对比例6-7的IC封装载板用线路蚀刻溶液的IC封装载板做性能测试，测试结果如表5所示：
表5 实施例3、对比例6-7的IC封装载板用线路蚀刻溶液性能测试结果
由表5测试结果可知，当IC封装载板用线路蚀刻溶液中稳定剂的质量浓度较低（对比例6时），会出现稳定性较差、微蚀量较高、表面外观不合格、化铜过蚀不合格、蚀刻针孔数较多的现象，当IC封装载板用线路蚀刻溶液中稳定剂的质量浓度较高（对比例7时），会出现微蚀量较低、表面外观不合格、蚀刻针孔数较多的现象。因此，IC封装载板用线路蚀刻溶液中的稳定剂的质量浓度优选为1-2g/L。
四、基于湿润剂质量浓度的影响
对比例8与实施例3不同之处在于湿润剂的质量浓度为0.1g/L，其余条件均相同。对比例9与实施例3不同之处在于湿润剂的质量浓度为1.5g/L，其余条件均相同。对实施例3、对比例8-9的IC封装载板用线路蚀刻溶液的IC封装载板做性能测试，测试结果如表6所示：
表6 实施例3、对比例8-9的IC封装载板用线路蚀刻溶液性能测试结果
由表6测试结果可知，当IC封装载板用线路蚀刻溶液中湿润剂的质量浓度较低（对比例8时），会出现表面外观不合格、蚀刻针孔数较多的现象，当IC封装载板用线路蚀刻溶液中湿润剂的质量浓度较高（对比例9时），会出现稳定性变差、微蚀量降低、表面外观不合格的现象。因此，IC封装载板用线路蚀刻溶液中的湿润剂的质量浓度优选为0.3-0.8g/L。
五、基于含铜离子的铜盐及其与湿润剂的共同影响
对比例10与实施例3不同之处在于含铜离子的铜盐的质量浓度为15g/L，其余条件均相同。对比例11与实施例3不同之处在于含铜离子的铜盐的质量浓度为45g/L，其余条件均相同。对比例12与实施例3不同之处在于含铜离子的铜盐的质量浓度为45g/L、湿润剂的质量浓度为1.5g/L，其余条件均相同。对实施例3、对比例10-12的IC封装载板用线路蚀刻溶液的IC封装载板做性能测试，测试结果如表7所示：
表7 实施例3、对比例10-12的IC封装载板用线路蚀刻溶液性能测试结果
由表7测试结果可知，当IC封装载板用线路蚀刻溶液中含铜离子的铜盐的质量浓度较低（对比例10时），会出现微蚀量过高和表面外观不合格的现象，当IC封装载板用线路蚀刻溶液中含铜离子的铜盐的质量浓度较高（对比例11时），会出现微蚀量过低和表面外观不合格的现象。因此，IC封装载板用线路蚀刻溶液中的含铜离子的铜盐的质量浓度优选为15-25g/L。
另外，从对比例12与对比例11的测试结果可知，对比例12由于含铜离子的铜盐与湿润剂的质量浓度均不在本发明的范围内，其效果比对比例11的测试结果更差，由此可见，本发明的IC封装载板用线路蚀刻溶液中含铜离子的铜盐与湿润剂具有协同作用。
六、基于护岸剂各组分质量比例的影响
对比例13-对比例15与实施例3相比，区别之处在于护岸剂各组分之间的质量比，其余条件均相同。对实施例3、对比例13-15的IC封装载板用线路蚀刻溶液的IC封装载板做性能测试，测试结果如表8所示：
表8 实施例3、对比例13-15的IC封装载板用线路蚀刻溶液性能测试结果
由表8测试结果可知，当丙炔醇、含咪唑基团的2-巯基苯并噻唑类衍生物和单乙醇胺的质量比中，单乙醇胺不在本发明范围内制备而成的IC封装载板用线路蚀刻溶液（对比例13）会出现化铜过蚀较高的现象。当丙炔醇、含咪唑基团的2-巯基苯并噻唑类衍生物和单乙醇胺的质量比中，含咪唑基团的2-巯基苯并噻唑类衍生物不在本发明范围内制备而成的IC封装载板用线路蚀刻溶液（对比例14）会出现化铜过蚀较高的现象。当丙炔醇、含咪唑基团的2-巯基苯并噻唑类衍生物和单乙醇胺的质量比中，单乙醇胺与含咪唑基团的2-巯基苯并噻唑类衍生物不在本发明范围内制备而成的IC封装载板用线路蚀刻溶液（对比例15）会出现表面外观不合格、化铜过蚀较高的现象。因此，IC封装载板用线路蚀刻溶液中的丙炔醇、含咪唑基团的2-巯基苯并噻唑类衍生物和单乙醇胺的质量比优选为1：（0.1-0.2）：（2-8）。
七、基于IC封装载板用线路蚀刻溶液各组分的影响
对比例16与实施例3相比，区别之处在于护岸剂的质量浓度为1.2g/L、含铜离子的铜盐的质量浓度为45g/L，其余条件均相同。对比例17与实施例3相比，区别之处在于护岸剂的质量浓度为1.2g/L、稳定剂的质量浓度为3.0 g/L，其余条件均相同。对比例18与实施例3相比，区别之处在于护岸剂的质量浓度为1.2g/L、含铜离子的铜盐的质量浓度为45g/L、稳定剂的质量浓度为3.0 g/L，其余条件均相同。对实施例3、对比例16-18的IC封装载板用线路蚀刻溶液的IC封装载板做性能测试，测试结果如表9所示：
表9 实施例3、对比例16-18的IC封装载板用线路蚀刻溶液性能测试结果
根据表9测试结果可知，IC载板的铜面微蚀粗化液中多种组分的质量浓度不在本发明范围（对比例16、对比例17、对比例18）内要比测试结果表4、表5、表7中单一组分质量浓度不在本发明范围内（对比例5、对比例7、对比例11）的测试效果更差，说明IC载板的铜面微蚀粗化液中各组分之间存在协同作用。
综上所述，本发明所述的IC载板的铜面微蚀粗化液，针对IC封装载板在SAP工艺中线路蚀刻时容易出现线路底部化学铜过蚀的问题，通过使用护岸剂，与线路蚀刻溶液体系中的硫酸、过氧化氢、含铜离子的铜盐以及其他成分的相互作用，利用其对线路中不同性质铜层的吸附保护差别，调整对不同性质铜层的蚀刻效率，形成差分蚀刻，改善了线路底部化学铜过蚀的问题，最终完成理想的线路形状蚀刻。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到各种等效的修改或替换，这些修改或替换都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种IC封装载板用线路蚀刻溶液，其特征在于，包括以下质量浓度组分：
硫酸 20-60g/L，
过氧化氢 15-25g/L，
含铜离子的铜盐 20-40g/L，
护岸剂 0.2-1g/L，
稳定剂 1-2g/L，
湿润剂 0.3-0.8g/L；
其中，所述的护岸剂为丙炔醇、含咪唑基团的2-巯基苯并噻唑类衍生物和单乙醇胺的混合物。
2.如权利要求1所述的IC封装载板用线路蚀刻溶液，其特征在于，所述的含咪唑基团的2-巯基苯并噻唑类衍生物的结构式为：
。
3.如权利要求1所述的IC封装载板用线路蚀刻溶液，其特征在于，所述的丙炔醇、含咪唑基团的2-巯基苯并噻唑类衍生物和单乙醇胺的质量比为1：（0.1-0.2）：（2-8）。
4.如权利要求3所述的IC封装载板用线路蚀刻溶液，其特征在于，所述的稳定剂为聚丙烯酰胺、硅酸镁、硅酸钠中的至少一种。
5.如权利要求4所述的IC封装载板用线路蚀刻溶液，其特征在于，所述的湿润剂选自分子量为400-1200的聚乙二醇中的至少一种。
6.如权利要求5所述的IC封装载板用线路蚀刻溶液，其特征在于，所述的含铜离子的铜盐选自氧化铜、硫酸铜中的一种或多种。
7.如权利要求6所述的IC封装载板用线路蚀刻溶液，其特征在于，所述的丙炔醇、含咪唑基团的2-巯基苯并噻唑类衍生物和单乙醇胺的质量比为1：0.15：4.85。
8.如权利要求1-7任意一项所述的IC封装载板用线路蚀刻溶液的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
a .将硫酸加入水，搅拌溶解，混合均匀；
b .将稳定剂加入步骤a得到的溶液，搅拌溶解，混合均匀；
c .将过氧化氢加入步骤b得到的溶液，搅拌溶解，混合均匀；
d .将湿润剂加入步骤c得到的溶液，搅拌溶解，混合均匀；
e .将护岸剂加入步骤d得到的溶液，搅拌溶解，混合均匀；
f .将含铜离子的铜盐加入步骤e得到的溶液，搅拌溶解，添加水至标准体积，即得到所述IC封装载板用线路蚀刻溶液。
9.一种线路蚀刻方法，其特征在于，将权利要求1-7任意一项所述的IC封装载板用线路蚀刻溶液喷淋到IC封装载板上，喷淋方式为采用水平传送设备进行上下喷淋。
10.如权利要求9所述的线路蚀刻方法，其特征在于，所述的喷淋的温度为25-35℃，喷淋的时间为30-90s，喷淋的压力为10-30PSI。
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