CN117120569A - 双面抗静电有机硅离型膜 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及双面抗静电有机硅离型膜，其中，由于优异的抗静电功能，因此当与粘合剂剥离时不会出现由于静电而引起的问题，以及由于固化层与基底之间的优异粘合性和固化层的高交联度，因此不存在物理特性根据时间推移、温度和湿度随时间而变化，并且离型特性稳定。

Description

双面抗静电有机硅离型膜
技术领域
本发明涉及双面抗静电有机硅离型膜，并且更具体地，涉及这样的双面抗静电有机硅离型膜：其中，由于优异的抗静电功能，因此当与粘合剂剥离时不会出现由于静电而引起的问题，以及由于固化层与基底之间的优异粘合性和固化层的高交联度，因此不存在物理特性根据时间推移、温度和湿度随时间而变化，并且离型特性稳定。
背景技术
目前，随着半导体、电气和电子以及显示器领域中的工业化的快速发展，在这些技术领域中合成树脂或合成纤维的使用显著增加。结果，在加工过程中出现了静电问题。
在通常用于保护粘合剂层的离型膜的领域中，对抗静电功能的需求持续增加。过去，将抗静电功能添加至粘合剂以解决由于在将离型膜与粘合剂层分离时产生的静电而引起的诸如污染和剥离缺陷的问题。然而，由于抗静电组分与粘合剂组分之间的不相容性，因此在实现足够的抗静电性能方面存在困难。因此，近来，除了粘合剂之外，将抗静电功能添加至离型层的趋势不断增加。
同时，用于精密材料应用的离型膜所需的离型特性包括取决于粘合剂的类型和目的的合适范围的剥离强度、防止离型层转移至粘合剂层并因此避免损害粘合剂层的功能性的高残留粘附性、防止对离型层造成损坏的对粘合剂中使用的溶剂的耐受性、以及在离型层与基底之间的高粘合性，从而确保离型层不会在加工过程期间由于摩擦而分离。另外地，由于因形成薄的粘合剂层，离型膜也被用作粘合剂载体膜，因此需要确保随温度和时间具有最小变化的稳定的离型特性。
此外，在OLED工艺中，与产量下降有关的问题与由于在过程操作期间辅助材料的使用和静电的产生而引起的问题例如外来物质的进入相关。因此，用于OLED工艺中使用的保护膜的辅助材料不仅需要粘合剂基底膜，而且还需要离型膜以在其两侧上具有抗静电功能性。
用于生产这样的在两侧上具有抗静电功能性的离型膜的现有技术主要涉及其中分开涂覆抗静电层和离型层的离线制造工艺。因此，在通过每种工艺进行涂覆加工期间，存在由外来颗粒和划痕引起的频繁的品质问题，从而导致显著的制造成本。
此外，离型膜的离型表面和相反表面上的抗静电组合物干扰有机硅离型涂层的固化，从而导致由于由固化不充分引起的涂覆层随时间变化而引起的物理特性降低。此外，当与粘合剂膜层合之后以卷形式卷绕或以片形式堆叠时，由于由粘合剂膜与离型膜之间的接触和时间推移引起的粘连问题，因此经常出现品质问题，例如各个片的不分离。
因此，发明人已发现，在两侧上具有抗静电功能性的有机硅离型膜可以经由在用于制造离型膜的有机硅离型涂覆组合物中将具有优异相容性的导电聚合物树脂和具有优异反应性的粘结剂混合物混合通过一次涂覆过程来制造。基于这些发现，本发明人完成了本发明。
(专利文献)
韩国专利公开第10-2015-0104477号
发明内容
技术问题
构思本发明以解决上述问题并且满足现有技术的要求。本发明的一个目的是提供这样的双面抗静电有机硅离型膜：当用作用于诸如半导体、电气和电子产品以及显示器的应用的离型膜时，由于其优异的抗静电特性而减少在与粘合剂剥离期间由静电引起的诸如产品污染和剥离缺陷的问题。
本发明的另一个目的是提供这样的双面抗静电有机硅离型膜：其具有优异的剥离强度和高的残留粘附性水平，而不损害粘合剂层的性能，从而允许其本身适当地用于各种应用，由于形成致密的固化层而实现固化层的优异耐久性，从而产生对有机溶剂的耐受性，对固化层和基底具有高粘合性，并且由于特性随温度和时间的最小变化而具有稳定的离型特性。
本发明的又一个目的是提供这样的双面抗静电有机硅离型膜：其解决了诸如由于出于实现优异抗静电功能的目的在两侧上构造抗静电层而引起的有机硅离型层的固化降低的问题和诸如在与离型膜和粘合剂膜层合之后各个片的不分离的问题。
根据以下优选实施方案的描述，本发明的以上目的和优点以及其他目的和优点将变得明显。
技术方案
以上目的通过双面抗静电有机硅离型膜来实现，所述双面抗静电有机硅离型膜包括：基底膜；抗静电有机硅离型层，所述抗静电有机硅离型层为位于基底膜的一侧上的抗静电有机硅离型组合物的固化层；以及抗静电层，所述抗静电层为位于基底膜的另一侧上的抗静电组合物的固化层。
优选地，抗静电组合物可以包含基于聚酯的粘结剂、抗静电颗粒、交联剂和表面活性剂。
优选地，抗静电颗粒可以为导电聚合物树脂。
优选地，导电聚合物树脂的平均直径可以为10nm至90nm，并且导电聚合物树脂可以为包含聚阴离子和聚噻吩的水性分散体或包含聚阴离子和聚噻吩衍生物的水性分散体。
优选地，相对于100重量份的基于聚酯的粘结剂，抗静电组合物可以包含10重量份至50重量份的抗静电颗粒。
优选地，抗静电组合物可以包含0.5重量％至3重量％的固体内容物。
优选地，抗静电层的干厚度可以为5nm至30nm。
优选地，抗静电有机硅离型组合物可以包含烯基聚硅氧烷、氢聚硅氧烷、导电聚合物树脂、粘结剂化合物和铂螯合物催化剂。
优选地，相对于100重量份的烯基聚硅氧烷，抗静电有机硅离型组合物可以包含1重量份至10重量份的氢聚硅氧烷、1重量份至5重量份的导电聚合物树脂、10重量份至20重量份的基于环氧的粘结剂化合物、和10ppm至1,000ppm的铂螯合物催化剂。
优选地，抗静电有机硅离型组合物可以包含2.5重量％至15重量％的固体内容物。
优选地，抗静电有机硅离型层的干厚度可以为0.01μm至10μm。
优选地，抗静电有机硅离型层可以包括其中表现出有机硅离型特性的硅离子与表现出抗静电特性的硫离子的强度比(Si-/S-)小于1的抗静电区域和其中强度比超过10的硅离型区域。
优选地，抗静电有机硅离型层的强度比(Si-/S-)在最远离与基底膜的边界的最上部处可以为10至10,000，以及在为与基底膜的边界的最下部处可以为0.001至1。
优选地，抗静电区域与有机硅离型区域之间的厚度比可以满足以下表达式1：
(表达式1)
1/10<AV/RV<1/3，
其中AV可以为抗静电区域的厚度，以及RV可以为有机硅离型区域的厚度。
优选地，抗静电层的摩擦系数值可以为0.05至0.3。
优选地，抗静电层的水接触角可以为70度至80度。
优选地，在具有两个或更多个相同的层合膜的堆叠状态下，在80℃下老化6个月之后分离层合膜期间，粘合剂基底膜与抗静电有机硅离型层之间的界面处的剪切强度可以为5N/m2或更小，在所述层合膜中，由粘合剂和粘合剂基底膜组成的粘合剂膜层合在抗静电有机硅离型层上。
优选地，抗静电有机硅离型层的表面电阻可以为1×104Ω/sq至1×109Ω/sq。
优选地，抗静电层的表面电阻可以为1×104Ω/sq至1×1010Ω/sq。
优选地，抗静电有机硅离型层可以同时满足以下表达式2至3，
(表达式2)
5≤RF≤30
(表达式3)
80≤SA≤100，
其中RF(g/英寸)可以为抗静电有机硅离型层的剥离强度以及SA(％)可以为抗静电有机硅离型层的残留粘附率。
有益效果
根据本发明，双面抗静电有机硅离型膜在两侧上具有抗静电特性，从而提供诸如解决在将离型膜与粘合剂层分离时由静电引起的诸如污染和剥离缺陷的问题的优点。
另外地，在抗静电层和抗静电有机硅离型层中不存在固化抑制因素，从而产生优异的剥离强度和高的残留粘附性水平，而不损害粘合剂层的功能性。
此外，抗静电层和抗静电有机硅离型层具有优异的固化水平和耐久性，从而表现出对有机溶剂的优异耐溶剂性、对基底的高粘合性、以及减少的由摩擦引起的抗静电层和抗静电有机硅离型层的分离。
此外，抗静电层的表面的水接触角和摩擦系数值在特定范围内，即使在与粘合剂膜层合并且以卷卷绕或以片形式堆叠之后进行延长的老化后，这也可以有助于阻止各个片的粘连或不分离。
然而，本发明的效果不限于上述效果，并且根据以下描述，本领域技术人员将清楚地理解未提及的其他效果。
附图说明
图1为根据本发明的一个实施方案的双面抗静电有机硅离型膜的示意性截面图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图更充分地描述本发明的示例性实施方案，使得本发明可以容易地被本领域技术人员投入实践。本发明可以以许多不同的形式体现并且不应被解释为仅限于本文阐述的实施方案。
在附图中，为了清楚起见，将层和区域的厚度放大。在整个说明书中，相同的附图标记指示相同的要素。将理解，当诸如层、膜、区域或基底的要素被称为在另一要素“上”时，其可以直接在其他要素上或者还可以存在中间要素。相比之下，当要素被称为“直接在”另一要素“上”时，不存在中间要素。
如本文所使用的，术语“包含(comprise)”、“包含(comprising)”、“包括(include)”、“包括(including)”、“含有”、“特征在于”、“具有(has)”、或“具有(having)”、或其任何其他变体旨在涵盖非排他性的包括。例如，包括要素的列表的过程、方法、制品或装置不一定仅限于那些要素，而是可以包括未明确列出的或者这样的组成、过程、方法、制品或装置所固有的其他要素。此外，除非明确相反地说明，否则“或”是指包含性的“或”，而不是指排他性的“或”。
除非另有定义，否则本文使用的所有技术术语和科学术语具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。在冲突的情况下，以本说明书(包括定义)为准。尽管与本文描述的方法和材料类似或等同的方法和材料可以用于本发明的实践或测试，但是本文描述了合适的方法和材料。
在下文中，将参照附图详细地描述本发明。
图1为根据本发明的一个实施方案的双面抗静电有机硅离型膜的示意性截面图。参照图1，根据本发明的一个方面的双面抗静电有机硅离型膜100包括：基底膜120；抗静电有机硅离型层110，所述抗静电有机硅离型层110为位于基底膜的一侧上的抗静电有机硅离型组合物的固化层；以及抗静电层130，所述抗静电层130为位于基底膜的另一侧上的抗静电组合物的固化层。
在此，抗静电有机硅离型层110具有抗静电特性和有机硅离型特性二者，而抗静电层130具有抗静电特性。这些抗静电特性和有机硅离型特性在通过在单个在线过程中将抗静电有机硅离型组合物和抗静电组合物涂覆在基底膜的两侧上来制造离型膜期间同时实现。
在一个实施方案中，形成抗静电层130的抗静电组合物可以包含基于聚酯的粘结剂、抗静电颗粒、交联剂和表面活性剂。
在一个实施方案中，抗静电颗粒可以为导电聚合物树脂。例如，抗静电颗粒优选为包含聚阴离子和聚噻吩的水性分散体或包含聚阴离子和聚噻吩衍生物的水性分散体。聚阴离子为酸性聚合物，包括聚合羧酸、聚合磺酸、聚乙烯基磺酸等。聚合羧酸的实例包括聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸、聚马来酸等。聚合磺酸的实例包括聚苯乙烯磺酸等。然而，它们不限于这些实例。优选的是相对于聚噻吩或聚噻吩衍生物，聚阴离子以过量的固体内容物重量比存在，因此赋予导电性。在这方面，在本发明的实例中，使用包含0.5重量％的聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)和0.8重量％的聚苯乙烯磺酸的水性分散体，但不限于此。
优选地，聚阴离子与聚噻吩或聚噻吩衍生物的重量比大于1且小于5，更优选大于1且小于3。
此外，通过使用具有平均直径的范围为10nm至90nm的颗粒尺寸的水性分散体，导电聚合物树脂优选表现出稳定的抗静电性能。在这种情况下，当导电聚合物树脂的平均直径小于10nm时，不能实现抗静电性能，因为因降低分子量，分子变得比特定距离相距更远。另外地，在在线拉伸期间，较小的平均直径导致降低的抗静电性能。相反，如果导电聚合物树脂的平均直径超过90nm，则其无法均匀地分布在固化层内，从而导致表面电阻的显著变化，并因此阻碍适当的抗静电性能。
在一个实施方案中，相对于100重量份的基于聚酯的粘结剂，抗静电组合物优选地包含10重量份至50重量份的抗静电颗粒。如果抗静电颗粒以小于10重量份的量包含在内，则它们不能均匀地分布在基底膜中，因此防止获得优异的表面电阻特性。相反，如果抗静电颗粒的量超过50重量份，则粘度增加，从而导致显著的涂覆缺陷，例如棱纹、彩虹斑或混浊，从而导致差的外观。
在一个实施方案中，基于聚酯的粘结剂优选作为用于抗静电组合物的粘结剂。当使用基于三聚氰胺的粘结剂、基于丙烯酸的粘结剂、基于唑啉的粘结剂或基于氨基甲酸酯的粘结剂时，难以实现优异的表面电阻特性，并且它们充当用于有机硅离型层的固化抑制剂，从而使有机硅离型特性劣化。另外地，当位于膜的相反侧上的抗静电层和抗静电有机硅离型层在以卷卷绕之后经历延长的老化时，它们变得易于粘连，从而由于抗静电有机硅离型层的后固化抑制效应而引起残留粘附率的降低。
在一个实施方案中，作为优选的用于抗静电组合物的交联剂，可以使用选自基于异氰酸酯的树脂、基于羰基酰亚胺的树脂、基于唑啉的树脂和基于环氧的树脂中的一种或更多种树脂。相对于100重量份的导电聚合物树脂，所添加的交联剂树脂的量优选为200重量份至600重量份。在这种情况下，如果交联剂的含量小于200重量份，则耐久性可能劣化，并且由于在摩擦或用有机溶剂清洗之前和之后难以保持抗静电性能而可能发生变白。另一方面，如果其超过600重量份，则交联剂的绝缘效果变得显著，从而潜在地导致抗静电性能的降低和与抗静电特性有关的耐久性的降低。
在一个实施方案中，抗静电组合物优选稀释至包含0.5重量％至3重量％的固体内容物，然后涂覆在聚酯基底膜上。当抗静电组合物的固体内容物小于0.5重量％时，固化层的厚度变得过薄，从而导致差的涂覆覆盖率，并因此导致外观和物理特性的降低。当其超过3重量％时，抗静电组合物的粘度增加，从而导致显著的涂覆缺陷。
在一个实施方案中，抗静电层130的干厚度优选为5nm至30nm。当干厚度小于5nm时，抗静电层的差的覆盖率可能导致差的外观以及由于未涂覆而引起的表面电阻特性降低。当其超过30nm时，由于与另一侧上的抗静电有机硅离型层110接触和卷绕期间的延长老化而可能出现粘连。
在一个实施方案中，抗静电层130的摩擦系数值优选为0.05至0.3。当摩擦系数值小于0.05时，强光滑性可能导致诸如卷绕的卷的滑动部分和划痕外观缺陷的问题。当其超过0.3时，不足的光滑性可能导致在与粘合剂膜层合并且以堆叠片结构包装之后堆叠片的分离期间各个片的不分离。
在一个实施方案中，抗静电层130的水接触角优选为70度至80度。当水接触角小于70度时，由于高表面能，因此表面可能容易被污染，并且与另一侧上的抗静电有机硅离型层的接触力增加，从而使得其易于粘连。另一方面，当水接触角超过80度时，在以卷卷绕或与粘合剂膜层合之后光滑性增加，这可能导致诸如卷绕的卷的滑动部分和划痕外观缺陷的问题。
在一个实施方案中，优选的是在具有两个或更多个相同的层合膜的堆叠状态下，在80℃下老化6个月之后分离层合膜期间，粘合剂基底膜与抗静电有机硅离型层110之间的界面处的剪切强度(拉伸强度)为5N/m2或更小，在所述层合膜中，由粘合剂和粘合剂基底膜组成的粘合剂膜层合在抗静电有机硅离型层110上。当粘合剂基底膜与抗静电有机硅离型层之间的界面处的剪切强度(拉伸强度)超过5N/m2时，在分离期间出现诸如各个片的不分离的问题。
另外地，对用于本发明的抗静电有机硅离型组合物的溶剂的类型不存在具体的限制，只要其可以分散本发明的固体内容物并且可以被涂覆在聚酯基底膜上即可。然而，优选以使用水作为主要介质的水性涂覆溶液的状态涂覆抗静电有机硅离型组合物。
根据本发明的一个实施方案的抗静电有机硅离型层110可以通过以下来形成：经由已知的方法例如棒涂、反向辊涂、凹版辊涂或本领域已知的其他方法将上述抗静电有机硅离型组合物施加到基底膜120上一次或更多次。
在一个实施方案中，用于形成抗静电有机硅离型层110的抗静电有机硅离型组合物可以包含烯基聚硅氧烷、氢聚硅氧烷、导电聚合物树脂、粘结剂化合物和铂螯合物催化剂。另外地，在一个实施方案中，抗静电有机硅离型组合物还可以包含含有阳离子和阴离子二者的离子表面活性剂。
抗静电有机硅离型组合物的烯基聚硅氧烷可以具有下式1的结构。
[式1]
在此，m和n各自独立地为10至500的范围内的整数。应注意，m和n不表示嵌段键；它们各自仅表示各个单元的总和。
因此，在式1中，每个单元是无规或嵌段键合的。此外，R1、R2、R3各自选自由-CH3、-CH＝CH2、-CH2CH＝CH2、-CH2CH2CH2CH2CH＝CH2组成的烷基或烯基。烯基可以存在于分子的任何部分中，但是至少两个烯基优选地存在于一个分子中。
此外，抗静电有机硅离型组合物的氢聚硅氧烷可以具有下式2的结构。
[式2]
在此，a为1至200的范围内的整数，以及b为1至400的范围内的整数。应注意，a和b不表示嵌段键；它们各自仅表示各个单元的总和。因此，在式2中，每个单元是无规或嵌段键合的。
由式1表示的烯基聚硅氧烷和由式2表示的氢聚硅氧烷可以呈线性、支化、放射状或环状形式中的任一者，并且还可以使用它们的混合物。另外地，相对于100重量份的烯基聚硅氧烷，烯基聚硅氧烷和氢聚硅氧烷的混合物优选地使用1重量份至10重量份的氢聚硅氧烷。使用小于1重量份的氢聚硅氧烷可能导致过量的未反应的烯基聚硅氧烷，从而导致不充分的固化并且不能实现稳定的离型特性。相反，使用大于10重量份的氢聚硅氧烷可能导致过量的未反应的氢聚硅氧烷，这可能使剥离特性劣化。
此外，抗静电有机硅离型组合物使用导电聚合物树脂以赋予抗静电性能。导电聚合物树脂优选为包含聚阴离子和聚噻吩的水性分散体或包含聚阴离子和聚噻吩衍生物的水性分散体。聚阴离子为酸性聚合物，包括聚合羧酸、聚合磺酸、聚乙烯基磺酸等。聚合羧酸的实例包括聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸、聚马来酸等。聚合磺酸的实例包括聚苯乙烯磺酸等。然而，它们不限于这些实例。
此外，优选的是相对于聚噻吩或聚噻吩衍生物，聚阴离子以过量的固体内容物重量比存在，因此赋予导电性。在本发明的实例中，使用包含0.5重量％的聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)和0.8重量％的聚苯乙烯磺酸的水性分散体，但不限于此。优选地，聚阴离子与聚噻吩或聚噻吩衍生物的重量比大于1且小于5，更优选大于1且小于3。
此外，通过使用具有平均直径的范围为10nm至90nm的颗粒尺寸的水性分散体，导电聚合物树脂优选表现出稳定的抗静电性能。在这种情况下，如果导电聚合物树脂的平均直径超过90nm，则其无法均匀地分布在固化层内，从而导致表面电阻的显著变化，并因此阻碍适当的抗静电性能。当导电聚合物树脂的平均直径小于10nm时，不能实现抗静电性能，因为因降低分子量，分子变得比特定距离相距更远。另外地，在在线拉伸期间，较小的平均直径导致降低的抗静电性能。
在一个实施方案中，相对于100重量份的烯基聚硅氧烷，导电聚合物树脂优选地以1重量份至5重量份的量包含在内。如果相对于100重量份的烯基聚硅氧烷，导电聚合物树脂的含量小于1重量份，则抗静电特性不足，从而导致降低的表面电阻特性。如果其超过5重量份，则其可能干扰有机硅的固化，从而导致劣化的离型特性。
另外地，抗静电有机硅离型组合物可以包含粘结剂化合物以增强抗静电有机硅离型层与基底膜之间的粘合性，改善抗静电有机硅离型层的耐溶剂性和耐久性，以及通过调节交联密度来实现稳定的离型特性和抗静电特性，并且通过增加导电聚合物树脂的相容性来实现均匀的抗静电特性。
这样的粘结剂化合物可以包括基于硅烷的化合物和基于非硅烷的多官能化合物。更具体地，粘结剂化合物中基于非硅烷的多官能化合物与基于硅烷的化合物的重量比优选为2至20。基于硅烷的化合物可以包括基于环氧硅烷的化合物、基于氨基硅烷的化合物、基于乙烯基硅烷的化合物、基于甲基丙烯酰氧基硅烷的化合物和基于异氰酸酯硅烷的化合物中的至少一者，而基于非硅烷的多官能化合物可以为包含环氧官能团的基于环氧的多官能化合物。
环氧多官能化合物由于其优异的可拉伸性和与导电聚合物的相容性而是优选的。相容性随N、C、O含量而改变，以及导电聚合物树脂的官能团中烯基的存在由于溶胀效应而增强了可拉伸性。基于环氧的多官能化合物具有选自基于氨基的官能团、基于羟基的官能团、基于醛的官能团、基于酯的官能团、基于乙烯基的官能团、基于丙烯酸的官能团、基于酰亚胺的官能团、基于氰基的官能团和基于异氰酸酯的官能团中的一个或更多个官能团，并且在一个分子内优选地具有三个或更多个官能团。
在一个实施方案中，相对于100重量份的烯基聚硅氧烷，作为基于环氧的粘结剂化合物的粘结剂化合物优选地以10重量份至20重量份的量包含在内。如果粘结剂化合物的含量小于10重量份，则固化层与基底之间的粘合性低，从而导致固化层的剥离或者由于导电聚合物树脂的相容性降低而引起的不均匀的抗静电性能。如果粘结剂化合物的含量超过20重量份，则其影响剥离强度和残留粘附率，从而导致劣化的离型特性。
在一个实施方案中，抗静电有机硅离型组合物包含铂螯合物催化剂以有助于烯基聚硅氧烷和氢聚硅氧烷的加成反应。铂螯合物催化剂优选地以10ppm至1,000ppm的量包含在抗静电有机硅离型组合物中。
在一个实施方案中，抗静电组合物优选稀释至包含2.5重量％至15重量％的固体内容物，然后涂覆在聚酯基底膜上。当抗静电有机硅离型组合物的固体内容物小于2.5重量％时，不能获得均匀的固化层，从而导致无法实现稳定的离型特性和抗静电特性。当其超过15重量％时，在膜之间发生粘连，引起涂覆组合物对基底的差的粘合性，导致有机硅转移问题，并使涂层的外观劣化。
此外，对用于本发明的抗静电有机硅离型组合物的溶剂的类型不存在具体的限制，只要其可以分散本发明的固体内容物并且可以被涂覆在聚酯基底膜上即可。优选地，以使用水作为主要介质的水性涂覆溶液的形式涂覆抗静电有机硅离型组合物。
根据本发明的一个实施方案的双面抗静电有机硅离型膜的抗静电有机硅离型层110可以通过以下来形成：经由已知的方法例如棒涂、反向辊涂、凹版辊涂或本领域已知的其他方法将上述抗静电有机硅离型组合物施加到基底膜120上一次或更多次。
此外，根据本发明的一个实施方案的基底膜120优选地为聚酯基底膜，并且其厚度优选为15μm至300μm。如果基底膜的厚度小于15μm，则由于由外力引起的变形程度增加而使其不能满足载体膜的要求。如果膜厚度超过300μm，则存在低经济可行性的问题。
在一个实施方案中，抗静电有机硅离型层110的干厚度优选为0.01μm至10μm。当抗静电有机硅离型层的干厚度小于0.01μm时，可能无法形成均匀的抗静电有机硅离型层。当其超过10μm时，位于聚酯基底膜120的一侧上的抗静电层130的表面与位于另一侧上的抗静电有机硅离型层110的表面之间可能发生粘连。
在一个实施方案中，抗静电有机硅离型层110可以包括其中表现出有机硅离型特性的硅离子(Si-)和表现出抗静电特性的硫离子(S-)的强度(或计数)比(Si-/S-)小于1的抗静电区域，和其中强度比(Si-/S-)超过10的硅离型区域。该强度比可以通过TOF-SIMS测量，并表示单一固化层内硅离子与硫离子的相对比率。
在一个实施方案中，抗静电有机硅离型层110的强度比(Si-/S-)在最远离与基底膜120的边界的最上部处为10至10,000，以及在为与基底膜的边界的最下部处为0.001至1。这允许在单一固化层内同时实现优异的抗静电特性和有机硅离型特性。优选地，最上部处的强度比可以为100至5,000。这可以使得能够同时实现两种特性，因为代表有机硅离型特性的硅离子和代表抗静电特性的硫离子以类似于相分离结构的层状结构实现。
在一个实施方案中，抗静电有机硅离型层110中抗静电区域与有机硅离型区域之间的厚度比优选满足以下表达式1。当表达式1的值小于1/10时，可能使抗静电有机硅离型层的表面电阻特性劣化，而当其超过1/3时，可能使抗静电有机硅离型层的离型特性劣化。
(表达式1)
1/10＜AV/RV＜1/3
在此，AV为抗静电区域的厚度，以及RV为有机硅离型区域的厚度。
在一个实施方案中，抗静电有机硅离型层110的表面电阻(Ω/sq)优选为1×104至1×109。
在一个实施方案中，抗静电层130的表面电阻优选为1×104Ω/sq至1×1010Ω/sq。
在一个实施方案中，优选抗静电有机硅离型层110同时满足以下表达式2和3。
(表达式2)
5≤RF≤30
(表达式3)
80≤SA≤100
在此，RF(g/英寸)为抗静电有机硅离型层的剥离强度，以及SA(％)为抗静电有机硅离型层的残留粘附率。
在这种情况下，如果抗静电有机硅离型层的剥离强度小于5g/英寸，则存在在剥离过程之前的储存或转移期间过早剥离的问题。如果其超过30g/英寸，则存在剥离强度过大而引起其中粘合剂层可能在剥离期间一起脱落的剥离缺陷的问题。此外，如果抗静电有机硅离型层的残留粘附率小于80％，则其可能使粘合剂层的性能劣化。
在下文中，将参照实施例和比较例详细地描述本发明的配置和产生的效果。然而，提供本实施例以更具体地描述本发明，并且本发明的范围不限于这些实施例。
[实施例1]
为了在经电晕处理的聚酯基底膜(Toray Advanced Materials Korea Inc.，Excel1-50μm)的一侧上形成抗静电有机硅离型层，通过将以下组分的混合物在水中稀释以实现5重量％的固体内容物来制备抗静电有机硅离型组合物：100重量份的烯基聚硅氧烷(Dow Corning Corporation的产品)、3重量份的氢聚硅氧烷(Dow Corning Corporation的产品)、2.5重量份的导电聚合物树脂(包含0.5重量％的聚3,4-亚乙基二氧噻吩和0.8重量％的聚苯乙烯磺酸(分子量Mn＝150,000)的水性分散体，平均颗粒尺寸50nm)、10重量份的基于环氧的粘结剂化合物(Esprix Technologies的产品)、50ppm的铂螯合物催化剂(DowCorning Corporation的产品)、以及0.2重量份的离子表面活性剂(二辛基磺基琥珀酸钠盐)。
为了在基底膜的另一侧上形成抗静电层，通过将以下组分的混合物在水中稀释以实现1.5重量％的固体内容物来制备抗静电组合物：1.5重量份的导电聚合物树脂(包含0.5重量％的聚3,4-亚乙基二氧噻吩和0.8重量％的聚苯乙烯磺酸(分子量Mn＝150,000)的水性分散体，平均颗粒尺寸50nm)、6重量份的基于环氧的交联剂(Esprix Technologies的产品)、10重量份的基于聚酯的粘结剂化合物(Base Korea Co.,Ltd.的产品)、以及0.3重量份的基于二醇的表面活性剂(Evonik的产品)。
将制备的抗静电有机硅离型组合物和抗静电组合物同时涂覆到聚酯基底膜的两侧上。在涂覆之后，将聚酯基底膜在180℃下干燥50秒以制造双面抗静电有机硅离型膜。
[实施例2]
以与实施例1中相同的方式制备双面抗静电有机硅离型膜，不同之处在于，在抗静电有机硅离型组合物中，相对于100重量份的烯基聚硅氧烷，以10重量份的量使用氢聚硅氧烷。
[实施例3]
以与实施例1中相同的方式制备双面抗静电有机硅离型膜，不同之处在于，在抗静电有机硅离型组合物中，相对于100重量份的烯基聚硅氧烷，以1重量份的量使用氢聚硅氧烷。
[实施例4]
以与实施例1中相同的方式制备双面抗静电有机硅离型膜，不同之处在于，在抗静电有机硅离型组合物中，相对于100重量份的烯基聚硅氧烷，以1重量份的量使用导电聚合物树脂。
[实施例5]
以与实施例1中相同的方式制备双面抗静电有机硅离型膜，不同之处在于，在抗静电有机硅离型组合物中，相对于100重量份的烯基聚硅氧烷，以5重量份的量使用导电聚合物树脂。
[实施例6]
以与实施例1中相同的方式制备双面抗静电有机硅离型膜，不同之处在于抗静电有机硅离型组合物中使用的基于环氧的粘结剂化合物的量为15重量份。
[实施例7]
以与实施例1中相同的方式制备双面抗静电有机硅离型膜，不同之处在于抗静电有机硅离型组合物中使用的基于环氧的粘结剂化合物的量为20重量份。
[实施例8]
以与实施例1中相同的方式制备双面抗静电有机硅离型膜，不同之处在于用水稀释抗静电有机硅离型组合物以具有2.5重量％的固体内容物。
[实施例9]
以与实施例1中相同的方式制备双面抗静电有机硅离型膜，不同之处在于用水稀释抗静电组合物以具有1.0重量％的固体内容物。
[实施例10]
以与实施例1中相同的方式制备双面抗静电有机硅离型膜，不同之处在于用水稀释抗静电组合物以具有2.0重量％的固体内容物。
[实施例11]
以与实施例1中相同的方式制备双面抗静电有机硅离型膜，不同之处在于抗静电组合物包含1重量份的导电聚合物树脂。
[实施例12]
以与实施例1中相同的方式制备双面抗静电有机硅离型膜，不同之处在于抗静电组合物包含3重量份的导电聚合物树脂。
[实施例13]
以与实施例1中相同的方式制备双面抗静电有机硅离型膜，不同之处在于抗静电组合物包含5重量份的基于聚酯的粘结剂。
[实施例14]
以与实施例1中相同的方式制备双面抗静电有机硅离型膜，不同之处在于抗静电组合物包含20重量份的基于聚酯的粘结剂。
[实施例15]
以与实施例1中相同的方式制备双面抗静电有机硅离型膜，不同之处在于抗静电组合物包含3重量份的基于环氧的交联剂。
[实施例16]
以与实施例1中相同的方式制备双面抗静电有机硅离型膜，不同之处在于抗静电组合物包含10重量份的基于环氧的交联剂。
[实施例17]
以与实施例1中相同的方式制备双面抗静电有机硅离型膜，不同之处在于用水稀释抗静电组合物以具有0.5重量％的固体内容物。
[实施例18]
以与实施例1中相同的方式制备双面抗静电有机硅离型膜，不同之处在于用水稀释抗静电组合物以具有3重量％的固体内容物。
[比较例]
[比较例1]
以与实施例1中相同的方式制备双面抗静电有机硅离型膜，不同之处在于，在抗静电有机硅离型组合物中，相对于100重量份的烯基聚硅氧烷，以0.5重量份的量使用氢聚硅氧烷。
[比较例2]
以与实施例1中相同的方式制备双面抗静电有机硅离型膜，不同之处在于，在抗静电有机硅离型组合物中，相对于100重量份的烯基聚硅氧烷，以11重量份的量使用氢聚硅氧烷。
[比较例3]
以与实施例1中相同的方式制备双面抗静电有机硅离型膜，不同之处在于，在抗静电有机硅离型组合物中，相对于100重量份的烯基聚硅氧烷，以0.5重量份的量使用导电聚合物树脂。
[比较例4]
以与实施例1中相同的方式制备双面抗静电有机硅离型膜，不同之处在于，在抗静电有机硅离型组合物中，相对于100重量份的烯基聚硅氧烷，以7重量份的量使用导电聚合物树脂。
[比较例5]
以与实施例1中相同的方式制备双面抗静电有机硅离型膜，不同之处在于抗静电有机硅离型组合物中使用的基于环氧的粘结剂化合物的量为21重量份。
[比较例6]
以与实施例1中相同的方式制备双面抗静电有机硅离型膜，不同之处在于抗静电有机硅离型组合物中使用的基于环氧的粘结剂化合物的量为5重量份。
[比较例7]
以与实施例1中相同的方式制备双面抗静电有机硅离型膜，不同之处在于用水稀释抗静电有机硅离型组合物以具有2重量％的固体内容物。
[比较例8]
以与实施例1中相同的方式制备双面抗静电有机硅离型膜，不同之处在于用水稀释抗静电有机硅离型组合物以具有20重量％的固体内容物。
[比较例9]
以与实施例1中相同的方式制备双面抗静电有机硅离型膜，不同之处在于未向抗静电有机硅离型组合物中添加粘结剂化合物。
[比较例10]
以与实施例1中相同的方式制备双面抗静电有机硅离型膜，不同之处在于未向抗静电有机硅离型组合物中添加导电聚合物树脂。
[比较例11]
以与实施例1中相同的方式制备双面抗静电有机硅离型膜，不同之处在于除去包含在抗静电组合物中的基于聚酯的粘结剂化合物。
[比较例12]
以与实施例1中相同的方式制备双面抗静电有机硅离型膜，不同之处在于除去包含在抗静电组合物中的基于环氧的交联剂。
[比较例13]
以与实施例1中相同的方式制备双面抗静电有机硅离型膜，不同之处在于在抗静电组合物中使用10重量份的基于三聚氰胺的粘结剂化合物代替10重量份的基于聚酯的粘结剂化合物。
[比较例14]
以与实施例1中相同的方式制备双面抗静电有机硅离型膜，不同之处在于在抗静电组合物中使用10重量份的基于丙烯酸的粘结剂化合物代替10重量份的基于聚酯的粘结剂化合物。
[比较例15]
以与实施例1中相同的方式制备双面抗静电有机硅离型膜，不同之处在于在抗静电组合物中使用10重量份的基于唑啉的粘结剂化合物代替10重量份的基于聚酯的粘结剂化合物。
[比较例16]
以与实施例1中相同的方式制备双面抗静电有机硅离型膜，不同之处在于向抗静电组合物中添加10重量份的基于氨基甲酸乙酯的粘结剂化合物代替10重量份的基于聚酯的粘结剂化合物。
[比较例17]
以与实施例1中相同的方式制备双面抗静电有机硅离型膜，不同之处在于用水稀释抗静电组合物以具有3.5重量％的固体内容物。
[比较例18]
以与实施例1中相同的方式制备双面抗静电有机硅离型膜，不同之处在于用水稀释抗静电组合物以具有0.3重量％的固体内容物。
使用根据实施例1至18和比较例1至18的双面抗静电有机硅离型膜通过以下实验例测量物理特性，并且结果示于下表1和2中。
[实验例]
1.抗静电特性
在将样品放置在具有23℃的温度和50％RH的湿度的环境中的情况下，使用表面电阻测量仪器(Mitsubishi，MCP-T600)，根据JIS K7194测量抗静电层和抗静电有机硅离型层的表面电阻。
2.剥离强度的测量
在用双面粘合带将离型膜附接至冷轧不锈钢板使得抗静电硅离型层在顶部之后，将粘合带(TESA 7475)放置在抗静电有机硅离型层的顶部上并用2kg压力辊按压，然后在测量剥离强度之前在室温下放置1至7天。使用AR-1000(Chem-Instrument)以180°的剥离角和0.3mpm的剥离速度进行剥离强度测量。进行五次测量，并且计算平均值(g/英寸)并从小数点后一位四舍五入为整数。
3.残留粘附率的测量
将粘合带(Nitto 31B)放置在抗静电有机硅离型层上，并在室温下用2kg压力辊按压30分钟。之后，将粘合带从固化层上剥离并附接至冷轧不锈钢板以测量剥离强度。
此外，为了比较的目的，将先前未使用的粘合带(Nitto 31B)附接至冷轧不锈钢板，并测量剥离强度。
此时，使用AR-1000(Chem-Instrument)以180°的剥离角和0.3mpm的剥离速度测量剥离强度。进行五次测量，并计算平均值。根据以下等式1计算残留粘附率。
(等式1)
4.水接触角的测量
对测量为5cm×5cm的双面抗静电有机硅离型膜样品的抗静电有机硅离型层的表面上的水接触角进行测量。使用DROPMASTER 300(KYOWA INTERFACE SCIENCE)进行水接触角测量，并由三次测量结果计算平均值。
5.干厚度的测量
对测量为5cm×5cm的双面抗静电有机硅离型膜样品的抗静电有机硅离型层的干厚度进行测量。使用椭偏仪Elli-SE(Ellipso Technology)进行厚度测量，并由三次测量结果计算平均值。
6.剪切强度的测量
粘合剂膜的基底膜与抗静电有机硅离型层之间的界面处的剪切强度(N/m2)是在具有两个或更多个相同的层合膜的堆叠状态下在80℃下老化6个月之后分离层合膜期间测量的，在所述层合膜中，粘合剂膜(3M丙烯酸粘合剂-30μm+Toray Advanced MaterialsKorea Inc.的XD500-50μm)被层合在测量为5cm×5cm的双面有机硅离型膜的抗静电有机硅离型层上。使用TAXplus50(UK SMS)进行剪切强度测量，并且由三次测量结果计算平均值。
7.摩擦系数的测量
对测量为5cm×5cm的双面抗静电有机硅离型膜的摩擦系数进行测量。制备两片双面抗静电有机硅离型膜，并测量抗静电层的表面的摩擦系数。使用14FW(HEIDON Corp.)进行摩擦系数测量，并由三次测量结果计算平均值。
8.涂层外观(缺陷面积的测量)
对测量为5cm×5cm的双面抗静电有机硅离型膜样品的抗静电有机硅离型层中的气泡缺陷的面积进行测量。测量5cm×5cm离型膜样品内的气泡缺陷的最长长度，并以圆形计算面积。然后计算气泡缺陷的总面积(cm2)。基于根据以下提供的等式2和指定的标准计算的气泡缺陷面积的比率来评估气泡缺陷的程度(涂层外观)。
(等式2)
气泡缺陷面积比(％)＝气泡缺陷面积/25cm2×100(％)
◎：0％或更大且小于1％
○：1％或更大且小于2％
△：2％或更大且小于5％
X：5％或更大
9.耐溶剂性的测量
测量双面抗静电有机硅离型膜样品的抗静电有机硅离型层表面对溶剂的耐受性。耐溶剂性测量包括将甲基乙基酮施加至拭子，并在将拭子保持在45度的角度下的同时，在100g的负荷下使拭子在抗静电有机硅离型层上往复运动10个循环。基于以下标准评估涂覆表面的耐溶剂性状态。
◎：优异
○：良好
△：一般
X：差
10.涂污的测量
用拇指摩擦双面抗静电有机硅离型膜样品的抗静电有机硅离型层的表面五次，然后目视检查。基于以下标准进行评估。
◎：在评估之后无变化(无涂污)
○：轻微涂污，但在使用期间没有问题(轻微涂污)
△：固化层变得模糊，好像油被涂抹(涂污)
X：固化层被絮化并脱落(擦掉)
11.片可分离性的测量
将粘合剂膜和双面抗静电有机硅离型膜层合成单片，并且在层合片的堆叠状态下，测量是否存在其中两个或更多个层合片在分离时粘在一起的任何不分离现象。如果没有出现类似于粘连的不分离现象，则将其标记为“○”。如果出现类似于粘连的不分离现象，则将其标记为“X”。
[表1]
[表2]
如上表1所示，可以看出，根据本发明的实施例1至18的双面抗静电有机硅离型膜表现出优异的涂层外观、优异的抗静电有机硅离型层的涂污特性、两侧上合适的表面电阻和剥离强度的值以及优异的残留粘附率。此外，基底膜的两侧上的涂覆的固化层的交联度优异，并且在抗静电层与抗静电有机硅离型层之间不存在后固化抑制因素。因此，即使在用粘合剂加工和层合之后在高温下进行延长的老化之后，也不存在各个片的不分离，例如粘连。
更具体地，可以观察到在根据本发明的实施例2和3以及比较例1和2的双面抗静电有机硅离型膜中，剥离强度和残留粘附率与抗静电有机硅离型层的交联度相关并随其变化。
此外，可以看出，在根据本发明的实施例4至7的双面抗静电有机硅离型膜中，基于其中抗静电硅离型层的抗静电特性由于基于环氧的粘结剂化合物和导电聚合物树脂而保持相同的组成，随着导电聚合物和基于环氧的粘结剂化合物的含量增加，表面电阻特性优异。
此外，可以观察到，在根据本发明的实施例9、10、17和18的双面抗静电有机硅离型膜中，抗静电有机硅离型层的干厚度越厚，离型特性越好。此外，可以确定，抗静电层的厚度不影响抗静电有机硅离型层，但是剪切强度随着干厚度值相关地变化。
此外，可以观察到，在根据本发明的实施例11和12的双面抗静电有机硅离型膜中，抗静电层中的导电聚合物树脂的含量越高，表面电阻特性越好。
此外，在根据本发明的实施例13和14的双面抗静电有机硅离型膜中，抗静电层中的基于聚酯的粘结剂的含量不影响抗静电有机硅离型层，但是剪切强度值随着干厚度相关地变化。
此外，在根据本发明的实施例15和16的双面抗静电有机硅离型膜中，表面电阻特性随着抗静电层中的基于环氧的交联剂的含量相关地变化。
相反，如表2中可以看出，在根据比较例1和2的双面抗静电有机硅离型膜中，抗静电有机硅离型层的固化程度导致不足的残留粘附率或过大的剥离强度。
此外，在根据比较例3至6的双面抗静电有机硅离型膜中，当抗静电有机硅离型层中的导电聚合物树脂或基于环氧的粘结剂化合物的含量过低或过高时，表面电阻特性降低，或者抗静电有机硅离型层的固化水平降低。
此外，可以观察到，在根据比较例7和8的双面抗静电有机硅离型膜中，当抗静电有机硅离型组合物的固体内容物太低或太高时，表面电阻特性降低或者剥离强度增加，并且随着剪切强度值增加，出现诸如各个片的不分离的问题。
此外，可以看出，在根据比较例9至16的双面抗静电有机硅离型膜中，当在抗静电有机硅离型组合物中未混合粘结剂混合物或导电聚合物树脂时，由于抗静电组合物的粘结剂化合物的组成而使抗静电有机硅离型层的后固化受到阻碍，导致降低的残留粘附率，或者抗静电层的水接触角超过本发明的范围或者其剪切强度值增加，出现诸如各个片的不分离的问题。
此外，可以看出，在根据比较例17和18的双面抗静电有机硅离型膜中，当抗静电层的干厚度过厚时，随着剪切强度值增加，出现诸如各个片的不分离的问题，而当抗静电层的干厚度过薄时，表面电阻特性降低。
如上所述，根据本发明的双面抗静电有机硅离型膜可以合适地用于各种目的，而不限于此。此外，本发明可以提供用于在精密材料领域中使用的具有优异品质的双面抗静电有机硅离型膜，其通过具有适当范围内的剥离强度和高的残留粘附性水平，可以适当地用于其预期目的，而不损害粘合剂层的功能性。
此外，根据本发明的双面抗静电有机硅离型膜具有优异的固化层耐久性、优异的对有机溶剂的耐溶剂性、对基底的高粘合性、以及减少的由摩擦引起的固化层脱落。此外，由于优异的抗静电性能，可以解决由静电引起的诸如污染和剥离缺陷的问题。
虽然已经参照本发明的某些示例性实施方案示出和描述了本发明，但本发明不应被解释为限于本文阐述的实施方案，并且在不脱离本发明的精神和范围的情况下，本领域普通技术人员可以在本发明中进行各种形式和细节上的改变。
(附图标记)
100：双面抗静电有机硅离型膜
110：抗静电有机硅离型层
120：基底膜
130：抗静电层

Claims (20)

1.一种双面抗静电有机硅离型膜，包括：
基底膜；
抗静电有机硅离型层，所述抗静电有机硅离型层为位于所述基底膜的一侧上的抗静电有机硅离型组合物的固化层；以及
抗静电层，所述抗静电层为位于所述基底膜的另一侧上的抗静电组合物的固化层。
2.根据权利要求1所述的双面抗静电有机硅离型膜，其中所述抗静电组合物包含基于聚酯的粘结剂、抗静电颗粒、交联剂和表面活性剂。
3.根据权利要求2所述的双面抗静电有机硅离型膜，其中所述抗静电颗粒为导电聚合物树脂。
4.根据权利要求3所述的双面抗静电有机硅离型膜，其中所述导电聚合物树脂的平均直径为10nm至90nm，并且所述导电聚合物树脂为包含聚阴离子和聚噻吩的水性分散体或包含聚阴离子和聚噻吩衍生物的水性分散体。
5.根据权利要求2所述的双面抗静电有机硅离型膜，其中相对于100重量份的所述基于聚酯的粘结剂，所述抗静电组合物包含10重量份至50重量份的抗静电颗粒。
6.根据权利要求1所述的双面抗静电有机硅离型膜，其中所述抗静电组合物包含0.5重量％至3重量％的固体内容物。
7.根据权利要求1所述的双面抗静电有机硅离型膜，其中所述抗静电层的干厚度为5nm至30nm。
8.根据权利要求1所述的双面抗静电有机硅离型膜，其中所述抗静电有机硅离型组合物包含烯基聚硅氧烷、氢聚硅氧烷、导电聚合物树脂、粘结剂化合物和铂螯合物催化剂。
9.根据权利要求1所述的双面抗静电有机硅离型膜，其中相对于100重量份的烯基聚硅氧烷，所述抗静电有机硅离型组合物包含1重量份至10重量份的氢聚硅氧烷、1重量份至5重量份的导电聚合物树脂、10重量份至20重量份的基于环氧的粘结剂化合物、和10ppm至1,000ppm的铂螯合物催化剂。
10.根据权利要求1所述的双面抗静电有机硅离型膜，其中所述抗静电有机硅离型组合物包含2.5重量％至15重量％的固体内容物。
11.根据权利要求1所述的双面抗静电有机硅离型膜，其中所述抗静电有机硅离型层的干厚度为0.01μm至10μm。
12.根据权利要求1所述的双面抗静电有机硅离型膜，其中所述抗静电有机硅离型层包括其中表现出有机硅离型特性的硅离子与表现出抗静电特性的硫离子的强度比(Si-/S-)小于1的抗静电区域和其中强度比超过10的硅离型区域。
13.根据权利要求11所述的双面抗静电有机硅离型膜，其中所述抗静电有机硅离型层的强度比(Si-/S-)在最远离与所述基底膜的边界的最上部处为10至10,000，以及在为与所述基底膜的边界的最下部处为0.001至1。
14.根据权利要求12所述的双面抗静电有机硅离型膜，其中所述抗静电区域与所述有机硅离型区域之间的厚度比满足以下表达式1：
(表达式1)
1/10<AV/RV<1/3，
其中AV为所述抗静电区域的厚度，以及RV为所述有机硅离型区域的厚度。
15.根据权利要求1至14中的一项所述的双面抗静电有机硅离型膜，所述抗静电层的摩擦系数值为0.05至0.3。
16.根据权利要求1至14中的一项所述的双面抗静电有机硅离型膜，其中所述抗静电层的水接触角为70度至80度。
17.根据权利要求1至14中的一项所述的双面抗静电有机硅离型膜，其中在具有两个或更多个相同的层合膜的堆叠状态下，在80℃下老化6个月之后分离层合膜期间，粘合剂基底膜与所述抗静电有机硅离型层之间的界面处的剪切强度为5N/m2或更小，在所述层合膜中，由粘合剂和所述粘合剂基底膜组成的粘合剂膜层合在所述抗静电有机硅离型层上。
18.根据权利要求1至14中的一项所述的双面抗静电有机硅离型膜，其中所述抗静电有机硅离型层的表面电阻为1×104Ω/sq至1×109Ω/sq。
19.根据权利要求1至14中的一项所述的双面抗静电有机硅离型膜，其中所述抗静电层的表面电阻可以为1×104Ω/sq至1×1010Ω/sq。
20.根据权利要求1至14中的一项所述的双面抗静电有机硅离型膜，其中所述抗静电有机硅离型层同时满足以下表达式2至表达式3，
(表达式2)
5≤RF≤30
(表达式3)
80≤SA≤100，
其中RF(g/英寸)为所述抗静电有机硅离型层的剥离强度以及SA(％)为所述抗静电有机硅离型层的残留粘附率。
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