CN117040479A - 一种声波滤波器、通信设备和电子设备 - Google Patents
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Abstract
本公开实施例中提供了一种声波滤波器、通信设备和电子设备,该声波滤波器,包括输入端、输出端、接地端、至少一个谐振器和复合散热结构,其中所述复合散热结构与所述至少一个谐振器中的至少一个呈环绕关系,所述复合散热结构包括:第一散热层;至少一个散热孔;以及第二散热层,其中所述第一散热层经由所述至少一个散热孔与所述第二散热层连接。通过本公开的处理方案,提高了声波滤波器的散热能力。
Description
技术领域
本公开涉及通信技术领域,具体涉及一种声波滤波器、通信设备和电子设备。
背景技术
随着技术的日益发展,对于滤波器的功率承受力指标的要求也越来越高,滤波器的功率承受能力直接决定了器件信号传输的可靠性及工作寿命。因此改善滤波器的功率承受力是一个非常重要的课题,可以避免器件失效,提高设备在高功率情况下的稳定性。
声波滤波器的功率承受能力与器件的工作温度直接相关,因此当降低器件的工作温度时,即可以有效的改善器件的功率承受能力,因此,需要提高器件的散热能力。
现有技术中,声波滤波器主要通过在输入输出端口和接地端口通过“金属盘-导通孔-金属盘”的结构散热,当功率足够大时,由于功率信号的传输路径单一,以“金属盘-导通孔-金属盘”并不足以保证当前器件有足够的散热能力,很容易使热量聚集,造成局部温度过高,使器件产生不可逆的损伤,甚至烧毁器件,导致通信设备无法工作。
发明内容
有鉴于此,本公开实施例提供一种声波滤波器、通信设备和电子设备,至少部分解决现有技术中存在的问题。
本实施例中提供的可以改善功率承受力(即提高散热能力)的声波滤波器,通过设置复合散热结构,即通过以“第一散热层-散热孔-第二散热层”构成的散热通道,将声波滤波器产生的热量通过散热孔有效的传导出去,减少热量的聚集,以此改善谐振器的散热,有效提高声波滤波器的散热能力以及功率承受力。
具体的,通过在谐振器和/或输入端、输出端以及接地端等器件周围设置呈环绕关系的复合散热结构,从而作为器件额外的散热通道,可以有效的将热量通过散热孔传导出去,以提高声波滤波器的散热能力。此外,通过增加复合散热结构的面积以及散热孔的数量,可以将声波滤波器中的其他器件的热量也传导出去,散热效果更加,从而进一步改善散热能力。
另外通过将密封结构与复合散热结构进行连接,可以最大化散热结构的面积,以进一步提高散热能力。
具体地,本公开实施例提供了以下的技术方案:
第一方面,本公开实施例提供了一种声波滤波器,其特征在于,包括输入端、输出端、接地端、至少一个谐振器和复合散热结构,其中
所述复合散热结构与所述至少一个谐振器中的至少一个呈环绕关系,所述复合散热结构包括:
第一散热层(3);
至少一个散热孔(5);以及
第二散热层(4),其中
所述第一散热层(3)经由所述至少一个散热孔(5)与所述第二散热层(4)连接。
根据本公开实施例的一种具体实现方式,所述复合散热结构与所述至少一个谐振器中的至少一个呈环绕关系包括:
所述第一散热层(3)与第二判定区域的至少两条边相交,且相交长度大于所述第二判定区域外周长的百分之15;
所述第二判定区域的定义为在第一判定区域每条边以外,每条边与所述第一判定区域的每条边平行,且每两条对应边距离为60μm的环状区域,所述第二判定区域的外周长为所述第二判定区域外环图形的周长;
所述第一判定区域为所述谐振器上下电极共同覆盖的区域。
根据本公开实施例的一种具体实现方式,所述复合散热结构与所述至少一个谐振器中的至少一个呈环绕关系还包括:
所述第一散热层(3)与所述第二判定区域的至少两条边相交,且所述相交长度大于所述第二判定区域外周长的百分之30。
根据本公开实施例的一种具体实现方式,所述复合散热结构与所述至少一个谐振器中的至少一个呈环绕关系还包括:
所述第一散热层(3)与所述第二判定区域的至少两条边相交,且所述相交长度大于所述第二判定区域外周长的百分之50。
根据本公开实施例的一种具体实现方式,所述复合散热结构与所述至少一个谐振器中的至少一个呈环绕关系还包括:
所述第一散热层(3)与所述第二判定区域相交,
且所述第一散热层(3)与第二判定区域的相交面积大于所述第二判定区域面积的百分之10和/或所述第一散热层(3)与所述第二判定区域的相交面积大于所述第一散热层(3)面积的百分之50。
根据本公开实施例的一种具体实现方式,所述复合散热结构与所述至少一个谐振器中的至少一个呈环绕关系还包括:
所述第一散热层(3)与所述第二判定区域相交,
且所述第一散热层(3)与第二判定区域的相交面积大于所述第二判定区域面积的百分之20和/或所述第一散热层(3)与所述第二判定区域的相交面积大于所述第一散热层(3)面积的百分之50。
根据本公开实施例的一种具体实现方式,所述复合散热结构与所述至少一个谐振器中的至少一个呈环绕关系还包括:
所述第一散热层(3)与所述第二判定区域相交,
且所述第一散热层(3)与第二判定区域的相交面积大于所述第二判定区域面积的百分之30和/或所述第一散热层(3)与所述第二判定区域的相交面积大于所述第一散热层(3)面积的百分之50。
根据本公开实施例的一种具体实现方式,所述第一散热层(3)的面积至少为10μm2;
根据本公开实施例的一种具体实现方式,当所述第一散热层(3)包含至少两个散热孔时,每两个所述散热孔的距离至少为5μm。
根据本公开实施例的一种具体实现方式,所述第一散热层(3)经由所述至少一个散热孔与所述第二散热层连接包括:
所述散热孔与所述第一散热层(3)的刻蚀角度为60度~120度。
根据本公开实施例的一种具体实现方式,所述复合散热结构与所述至少一个谐振器中的至少一个呈环绕关系还包括:
所述复合散热结构与所述至少一个谐振器中的至少一个以及所述输入端、所述输出端和/或所述接地端中的至少一个呈环绕关系。
根据本公开实施例的一种具体实现方式,所述至少一个谐振器包括串联级谐振器。
根据本公开实施例的一种具体实现方式,所述串联级谐振器包括与所述输入端距离最短的串联级谐振器。
根据本公开实施例的一种具体实现方式,所述至少一个谐振器还包括与所述输入端距离最短的串联级谐振器以及与所述输入端距离最短的并联级谐振器。
根据本公开实施例的一种具体实现方式,所述复合散热结构的材料包括:导热材料。
根据本公开实施例的一种具体实现方式,还包括:
所述第一散热层(3)的宽度不小于10μm。
根据本公开实施例的一种具体实现方式,所述声波滤波器还包括包括第一衬底(1)、第二衬底(2)和密封结构(6),其中
所述第一衬底(1)用于制造所述至少一个谐振器;
所述第二衬底(2)用于所述声波滤波器的封装;并且
所述密封结构(6)用于所述第一衬底(1)和所述第二衬底(2)的键合以将所述至少一个谐振器密封于所述第一衬底(1)和所述第二衬底(2)之间。
根据本公开实施例的一种具体实现方式,所述第一散热层(3)位于所述密封结构(6)与所述谐振器之间。
根据本公开实施例的一种具体实现方式,所述第一散热层(3)与所述密封结构(6)非电连接。
根据本公开实施例的一种具体实现方式,所述第一散热层(3)与所述串联级谐振器以及所述输入端连接。
根据本公开实施例的一种具体实现方式,所述散热孔(5)中的至少一个被设置于所述第一衬底(1)。
根据本公开实施例的一种具体实现方式,所述散热孔(5)中的至少一个被设置于所述第二衬底(2)。
根据本公开实施例的一种具体实现方式,与所述串联谐振器呈环绕关系的复合散热结构的散热孔(5)被设置于所述第二衬底(2),与所述接地端呈环绕关系的复合散热结构的散热孔(5)被设置于所述第一衬底(1)。
根据本公开实施例的一种具体实现方式,所述与所述串联谐振器呈环绕关系的复合散热结构与所述输入端相连,且材质相同;所述与所述接地端呈环绕关系的复合散热结构与所述接地端相连,且材质相同。
第二方面,本公开实施例提供了一种通信设备,所述通信设备包括根据前述第一方面及其任一实现方式所述的声波滤波器。
第三方面,本公开实施例提供了一种电子设备,所述电子设备包括前述第二方面所述的通信设备。
本公开实施例中的声波滤波器包括输入端、输出端、接地端、至少一个谐振器和复合散热结构,其中所述复合散热结构与所述至少一个谐振器中的至少一个呈环绕关系,所述复合散热结构包括:第一散热层;至少一个散热孔;以及第二散热层,其中所述第一散热层经由所述至少一个散热孔与所述第二散热层连接。通过本公开的处理方案,提高了声波滤波器的散热能力。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为现有技术的声波滤波器的物理布图结构;
图2a为本公开实施例的声波滤波器的剖面图;
图2b为本公开实施例的声波滤波器的物理布图结构;
图3a为本公开实施例的声波滤波器与复合散热结构的环绕判定示意图;
图3b为本公开实施例的声波滤波器与复合散热结构的另一种环绕判定示意图;
图4为本公开实施例的另一个声波滤波器的物理布图结构;
图5为本公开实施例的另一个声波滤波器的物理布图结构;
图6为本公开实施例的另一个声波滤波器的物理布图结构;
图7为本公开实施例的另一个声波滤波器的物理布图结构;
图8a为本公开另一个实施例的声波滤波器的剖面图;
图8b为本公开实施例的另一个声波滤波器的物理布图结构;
图9为本公开实施例的另一个声波滤波器的物理布图结构。
在图中,1-衬底,2-衬底,3-散热层,4-散热层,5-散热孔,6-密封环,7-金属焊盘,8-金属焊盘,9-通孔。
具体实施方式
下面结合附图对本公开实施例进行详细描述。
以下通过特定的具体实例说明本公开的实施方式,本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本公开的其他优点与功效。显然,所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例,而不是全部的实施例。本公开还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用,本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用,在没有背离本公开的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是,在不冲突的情况下,以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于本公开中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本公开保护的范围。
需要说明的是,下文描述在所附权利要求书的范围内的实施例的各种方面。应显而易见,本文中所描述的方面可体现于广泛多种形式中,且本文中所描述的任何特定结构及/或功能仅为说明性的。基于本公开,所属领域的技术人员应了解,本文中所描述的一个方面可与任何其它方面独立地实施,且可以各种方式组合这些方面中的两者或两者以上。举例来说,可使用本文中所阐述的任何数目个方面来实施设备及/或实践方法。另外,可使用除了本文中所阐述的方面中的一或多者之外的其它结构及/或功能性实施此设备及/或实践此方法。
还需要说明的是,以下实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本公开的基本构想,图式中仅显示与本公开中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制,其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变,且其组件布局型态也可能更为复杂。
另外,在以下描述中,提供具体细节是为了便于透彻理解实例。然而,所属领域的技术人员将理解,可在没有这些特定细节的情况下实践所述方面。
首先,参考图1描述现有技术的声波滤波器,图1为声波滤波器的物理布图结构。
由以上的描述可见,现有技术中仅通过在输入端IN、输出端OUT和接地端G上的“金属盘-通孔-金属盘”的结构散热,当工作功率足够大时,功率信号的传输路径就显得十分单一,没有额外的散热通道,很容易使热量聚集,造成局部温度过高,导致器件产生不可逆的损伤,甚至烧毁器件,导致通信设备无法工作。
基于此,本公开实施例从改善器件的散热层面出发,通过在器件空间允许的范围内,增加以“第一散热层-散热孔-第二散热层”构成的复合散热结构,以环绕谐振器或输入端、输出端以及接地端,以作为额外的散热通道,将热量通过散热孔从第一散热层传递到第二散热层,以将热量有效的传导出去,减少热量的聚集,以此改善谐振器的散热,有效提高了器件的散热能力以及功率承受力。
接下来,参考图2a-图9描述本公开实施例的声波滤波器。
首先参考图2a、图2b来描述本公开实施例的声波滤波器,其中图2a为本公开实施例的声波滤波器的剖面图,其为沿图2b中的b1位置截取所得到的剖面,图2b为本公开实施例的声波滤波器的物理布图结构。
如图2a所示,声波滤波器包括第一衬底1、第二衬底2、第一散热层3、第二散热层4、散热孔5、密封结构6、第一金属焊盘7、第二金属焊盘8、通孔9和谐振器Sh1、Se1。
其中,第一衬底1是用于制造谐振器的衬底,并且第二衬底2是用于晶圆级封装的衬底。制作衬底的材料可选为单晶硅、砷化镓、蓝宝石、石英、碳化硅、SOI等,优选的衬底材料为单晶硅。
复合散热层(包括第一散热层3和第二散热层4)用于传导被环绕的谐振器产生的热量,其材料可选导热性好的介质材料、金属材料或多种材料的组合,如金、铝、铜、钨、钛钨、钛、钼、铂、钌、铱等。容易理解的,当选用金属材料时,由复合散热层构成的复合散热结构还同时具有低电阻率的特性,可以有利于降低串联谐振器的阻抗,从而提高串联谐振频率附近的Q值。
散热孔5用于将第一散热层3吸收的热量传导到第二散热层4,其材料可选导热性好的介质材料、金属材料或多种材料的组合,如金、铝、铜、钨、钛钨、钛、钼、铂、钌、铱等。因此,散热孔与复合散热层之间可以为电连接,也可以为非电连接,基于此,复合散热结构可以同时具备电连接的特性,从而可以直接与输入输出端或谐振器的电极连接。散热孔5与第一散热层3之间的刻蚀角度α为60度~120度。
密封环6用于将制作滤波器的第一衬底1和进行晶圆级封装的第二衬底2进行键合,即第一衬底1和第二衬底2通过密封环6进行晶圆键合,同时还可以将滤波器除密封环以外包括第一散热层3、第一金属焊盘7以及谐振器密封于内部,避免外部环境对谐振器的影响。
金属焊盘(包括第一金属焊盘7和第二金属焊盘8)用于衬底之间的电连接,其可以通过金属通孔9连接在一起。
通孔9为穿过衬底的开口,并且涂覆有导电材料,从而经由电路径“第一金属焊盘7-通孔9-第二金属焊盘8”形成从衬底的“后侧”到衬底的“前侧”的电连接。
参考图2b,描述本公开实施例的声波滤波器的物理布图结构,该物理布图结构为声波滤波器的一部分,其中包含至少一个谐振器、一个输入端、一个接地端以及环绕谐振器的复合散热装置。在本实施例中至少一个谐振器可以包含一个串联谐振器和一个并联谐振器,也可以仅包含一个串联谐振器。
在本实施例中,在传统声波滤波器的基础上设置了复合散热结构,且复合散热结构与至少一个谐振器中的至少一个呈环绕关系。可以理解的,即可以将被环绕的谐振器产生的热量,通过第一散热层吸收,再基于散热孔将热量继续传递到第二散热层,再通过第二散热层传导到外界,即可以有效的减少被环绕的谐振器的工作热量的聚集。
可以理解的,在本实施例中描述的仅为声波滤波器中的一部分,并不是复合散热结构仅环绕一个谐振器,并仅将一个谐振器的热量传递出去,还可以是环绕多个谐振器,以及谐振器周围的输入端、输出端和接地端等端口,复合散热结构可以直接环绕所有器件,也可以是多个复合散热结构环绕多个器件,在本实施例中只需要存在复合散热结构环绕至少一个谐振器即可,即可以保证有效的将被复合散热结构环绕的谐振器产生的热量通过复合散热结构传导到外界。
容易理解的,在本实施例中,复合散热结构的形状可以是矩形、圆形或其他不规则形状,只需要能保证复合散热结构可以有效环绕被环绕的谐振器以及其他器件即可。
应当易理解的,在本公开实施例中,复合散热结构包括至少一个散热孔,也就是说,散热孔可以有一个,也可以有多个。在实际情况中,散热孔的数量应当与复合散热结构的面积呈正比,且在这里复合散热结构的面积指物理布图结构中可视的复合散热结构的面积,也就是散热层的横截面积(包含散热孔),容易理解的,在一般情况下第一散热层的面积与第二散热层的面积相等。
在其中一个实施例中,被环绕的谐振器的边界与复合散热结构的间距应小于60μm,在实际应用中,当间距小于30μm时,效果更佳。另外,复合散热结构与谐振器的间距不一定相同,也可以不同。
在另一些实施例中,复合散热结构外围散热层的走线角度需要保证尽量圆滑,当改变走线时,改变角度处的走线角度需要使用直角或钝角,以免器件在工作时,因谐振器振动断裂或产生应力的问题。
在一些实施例中,如图3a所示,图3a为本公开实施例的声波滤波器与复合散热结构的环绕判定示意图。对环绕关系进行了进一步的判定,在本实施例中,复合散热结构与至少一个谐振器中的至少一个呈环绕关系包括:第一散热层3与第二判定区域S2的至少两条边相交,且相交长度L1大于第二判定区域S2外周长的百分之15;第一判定区域S1为谐振器上下电极共同覆盖的区域;第二判定区域S2的定义为在第一判定区域S1每条边以外,每条边与第一判定区域S1的每条边平行,且每两条对应边的距离为60μm的区域。
在一些实施例中,当复合散热结构与输入端、输出端以及接地端中的至少一个相连时,输入端、输出端以及接地端的端口的范围也一同算入第一散热层3。
容易理解的,在本实施例中,定义了谐振器的边界,也就是第一判定区域S1,以及谐振器外边界,也就是第二判定区域S2,基于此,可以更清晰的看出复合散热结构是否与被环绕的谐振器呈环绕关系;容易理解的,第一判定区域S1为谐振器上下电极共同覆盖的区域;第二判定区域S2以第一判定区域S1的图形为内环,以第一判定区域S1的每条边以外,每条边与第一判定区域S1的对应边平行,且距离为60μm的图形为外环,组成的环状图形,该环状图形可以为不规则环状图形,也可以为规则环状图形。图3a中的Lt即第二判定区域S2的外周长。环绕的判定标准即L1/Lt>15%。
在另一个实施例中,对环绕关系的判定标准为:第一散热层3与第二判定区域S2的至少两条边相交,且相交长度L1大于第二判定区域S2外周长的百分之30。
在另一个实施例中,对环绕关系的判定标准为:第一散热层3与第二判定区域S2的至少两条边相交,且相交长度L1大于第二判定区域S2外周长的百分之50。
在其中一些实施例中,如3b所示,图3b为本公开实施例的声波滤波器与复合散热结构的另一种环绕判定示意图。对环绕关系进行了进一步的判定,在本实施例中,复合散热结构与至少一个谐振器中的至少一个呈环绕关系包括:第一散热层3与第二判定区域S2相交,且第一散热层3与第二判定区域S2的相交区域S3面积大于第二判定区域S2面积的百分之10和/或第一散热层3与第二判定区域S2的相交区域S3面积大于第一散热层3面积的百分之50。
在本实施例中,规定了除了通过环绕周长进行判定的方式以外的,通过相交面积判定环绕的方式,基于上述实施例。可以更清晰的判定复合散热结构是否与谐振器呈环绕关系。
在另一个实施例中,对环绕判定的标准为:第一散热层3与第二判定区域S2相交,且第一散热层3与第二判定区域S2的相交区域S3面积大于第二判定区域S2面积的百分之20和/或第一散热层3与第二判定区域S2的相交区域S3面积大于第一散热层3面积的百分之50。
在另一个实施例中,对环绕判定的标准为:第一散热层3与第二判定区域S2相交,且第一散热层3与第第二判定区域S2的相交区域S3面积大于第二判定区域S2面积的百分之30和/或第一散热层3与第二判定区域S2相交区域S3面积大于第一散热层3面积的百分之50。
在本公开的一些实施例中,第一散热层3的面积至少为10μm2。
在本公开的一些实施例中,当第一散热层3至少包含两个散热孔时,每两个散热孔的距离至少为5μm。
可以理解的,复合散热结构中,散热层面积越大,其吸收热量的速度也就越快,吸收热量也就越多;为了保证第一散热层的热量能够高效的传导到第二散热层,散热孔的数量需要随散热层的面积增加而增加,且两个散热孔的距离不宜太近,以保证散热层的均匀散热。
接下来,参考图4,图4为本公开实施例的另一个声波滤波器的物理布图结构。在图4所示的结构中,复合散热结构与至少一个谐振器中的至少一个以及输入端、输出端和/或接地端中的至少一个呈环绕关系。
容易理解的,复合散热结构除了可以使谐振器散热,还可以使输出端、输入端以及接地端等器件散热,只需保证复合散热结构与需要进行散热对的器件呈环绕关系即可。在本实施例中,增加了复合散热结构的面积以及通孔的数量,可以有效的提高复合散热结构的散热能力,将声波滤波器中大部分器件的热量有效的传导出去,可以有效的提高器件的功率承受力。
在一些实施例中,被复合散热结构环绕的谐振器包括串联级谐振器。
可以理解的,在声波滤波器中,串联级谐振器的阻抗较高,产生热量也较高,因此更希望复合散热结构环绕的器件为串联级谐振器,以保证热量可以及时传导出去。
在另一些实施例中,被复合散热结构环绕的串联级谐振器包括与输入端距离最短的串联级谐振器。
容易理解的,在声波滤波器中,与输入端距离最短的串联级谐振器产生的热量较高于其他距离较远的串联级谐振器,因此更希望被环绕的谐振器为距离输入端距离最短的串联级谐振器。
在本公开的一些实施例中,被复合散热结构环绕的谐振器包括与输入端距离最短的串联级谐振器以及与输入端距离最短的并联级谐振器。
可以理解的,在声波滤波器中,与输入端距离最短的串联级谐振器以及与输入端距离最短的并联级谐振器产生的热量要较高于其他谐振器,因此,在本实施例中,复合散热结构需要同时环绕与输入端距离最短的串联级谐振器以及与输入端距离最短的并联级谐振器,以保证热量可以及时通过第一散热层3传导到第二散热层4,保证散热能力。
在本公开的一些实施例中,第一散热层3的宽度不小于10μm。
由于需要保证散热能力,以及保证散热结构的稳定传输,在本实施例中需要保证第一散热层3的宽度,以及与其对应的第二散热层的宽度都不小于10μm。基于此,复合散热结构才可以保证声波谐振器的散热能力。
在一些实施例中,如图5所示,图5为本公开实施例的另一个声波滤波器的物理布图结构。第一散热层3位于密封结构6与谐振器之间。
在本实施例中,复合散热结构环绕所有谐振器,以增加散热区域,提高所有器件的功率承受力,还由于散热结构与密封结构一样,同时包围住了滤波器的所有器件,因此还起到了屏蔽保护的作用,提高了器件的可靠性。
在另一个实施例中,如图6所示,图6为为本公开实施例的另一个声波滤波器的物理布图结构。第一散热层3与密封结构6非电连接。
容易理解的,密封结构6的材料为非金属材料,因此第一散热层3无需与密封结构6保持间距,可以直接连接,且由于密封结构6的材料,因此其为非电连接。基于此,可以最大化复合散热结构的尺寸,最大化了散热面积,提高了声波滤波器的散热能力。
在其中一个实施例中,如图7所示,图7为为本公开实施例的另一个声波滤波器的物理布图结构。第一散热层3与串联级谐振器Se1以及输入端IN连接。
在本实施例中,第一散热层3直接与串联级谐振器Se1以及输入端连接,且当第一散热层3为导电材料时,复合散热结构与串联级谐振器Se1以及输入端IN电连接。如此增加了器件与复合散热结构的有效接触,更高的提升了散热效率;以及,当复合散热结构的材料为金属材料时,该复合散热结构同时还具备了低电阻的特性,有利于降低串联级谐振器的阻抗,提高了串联谐振频率附近的Q值。
在本公开的另一个实施例中,如图8a所示,图8a为本公开的另一个实施例中声波滤波器的剖面图。散热孔5中的至少一个被设置于第一衬底1。以及,散热孔5中的至少一个被设置于第二衬底2。也就是说在本实施例中,被设置于第二衬底2的散热孔5对应的复合散热结构的第二散热层4位于衬底2上,被设置于第一衬底1的散热孔5对应的复合散热结构的第二散热层4位于衬底1上。
在另一个实施例中,如图8a以及图8b所示,图8b为另一个实施例中声波滤波器的物理结构,图8a为沿图8b中b2位置截取所得到的剖面。所示与串联级谐振器呈环绕关系的复合散热结构的散热孔5被设置于第二衬底2,与接地端呈环绕关系的复合散热结构的散热孔5被设置于第一衬底1。
在本实施例中,输入输出端的通孔9与散热孔5被设置于第二衬底2的复合散热结构连接,组成复合散热结构a,新的复合结构围绕串联级谐振器se1,以将串联级谐振器Se1的热量通过通孔9以及散热孔5传导出去,同时,输入输出端的通孔9接入到信号层,接地端的通孔9以及环绕接地端的复合散热结构b接到地层,该复合散热结构b也就是散热孔5被设置于第一衬底1。基于此,在有效散热的同时,还减少了信号与地之间的干扰。另外,在本实施例中,谐振器至少包括声学反射镜和下电极、压电层、上电级的层叠结构。
在本公开的一些实施例中,如图9所示,图9为本公开的一些实施例中声波滤波器的物理结构。如图所示,当复合散热结构a的材质与输入pad处的第一金属焊盘7的材质一致时,复合散热结构a则直接与输入端连接;当复合散热结构b的材质与被环绕的谐振器Sh3的下电极材质以及接地端的材质一致时,复合散热结构b则直接与被环绕的谐振器Sh3的下电极以及接地端连接。基于此,复合散热结构的面积随之增大,散热孔随之增多,散热能力则随之增强。另外由于复合散热结构a和复合散热结构b的材质不同,对应的,其散热孔5以及第二散热层4的位置也不同,可以有效的减少信号与地之间的串扰。
此外,本公开实施例还提供了一种通信设备,该通信设备包含如上参考图2a-图9描述的声波滤波器,其具体内容在此不再赘述。
另外,本公开实施例还提供了一种电子设备,该电子设备包含如上所述的通信设备,并且电子设备例如可以是射频前端、滤波放大模块等中间产品,也可以是手机、WIFI、无人机等终端产品或基站产品。
因此,本公开实施例提供了以下的技术方案:
1.一种声波滤波器,包括输入端、输出端、接地端、至少一个谐振器和复合散热结构,其中
所述复合散热结构与所述至少一个谐振器中的至少一个呈环绕关系,所述复合散热结构包括:
第一散热层(3);
至少一个散热孔(5);以及
第二散热层(4),其中
所述第一散热层(3)经由所述至少一个散热孔(5)与所述第二散热层(4)连接。
2.根据1所述的声波滤波器,所述复合散热结构与所述至少一个谐振器中的至少一个呈环绕关系包括:
所述第一散热层(3)与第二判定区域相交,且相交长度大于所述第二判定区域外周长的百分之15;
所述第二判定区域的定义为在第一判定区域每条边以外,每条边与所述第一判定区域的每条边平行,且每两条对应边距离为60μm的环状区域,所述第二判定区域的外周长为所述第二判定区域外环图形的周长;
所述第一判定区域为所述谐振器上下电极共同覆盖的区域。
3.根据2所述的声波滤波器,所述复合散热结构与所述至少一个谐振器中的至少一个呈环绕关系还包括:
所述第一散热层(3)与所述第二判定区域的至少两条边相交,且所述相交长度大于所述第二判定区域外周长的百分之30。
4.根据2所述的声波滤波器,所述复合散热结构与所述至少一个谐振器中的至少一个呈环绕关系还包括:
所述第一散热层(3)与所述第二判定区域的至少两条边相交,且所述相交长度大于所述第二判定区域外周长的百分之50。
5.根据2所述的声波滤波器,所述复合散热结构与所述至少一个谐振器中的至少一个呈环绕关系还包括:
所述第一散热层(3)与所述第二判定区域相交,
且所述第一散热层(3)与第二判定区域的相交面积大于所述第二判定区域面积的百分之10和/或所述第一散热层(3)与所述第二判定区域的相交面积大于所述第一散热层(3)面积的百分之50。
6.根据5所述的声波滤波器,所述复合散热结构与所述至少一个谐振器中的至少一个呈环绕关系还包括:
所述第一散热层(3)与所述第二判定区域相交,
且所述第一散热层(3)与第二判定区域的相交面积大于所述第二判定区域面积的百分之20和/或所述第一散热层(3)与所述第二判定区域的相交面积大于所述第一散热层(3)面积的百分之50。
7.根据5所述的声波滤波器,所述复合散热结构与所述至少一个谐振器中的至少一个呈环绕关系还包括:
所述第一散热层(3)与所述第二判定区域相交,
且所述第一散热层(3)与第二判定区域的相交面积大于所述第二判定区域面积的百分之30和/或所述第一散热层(3)与所述第二判定区域的相交面积大于所述第一散热层(3)面积的百分之50。
8.根据1所述的声波滤波器,所述第一散热层(3)的面积至少为10μm2;
9.根据1所述的声波滤波器,当所述第一散热层(3)包含至少两个散热孔时,每两个所述散热孔的距离至少为5μm。
10.根据1所述的声波滤波器,所述第一散热层(3)经由所述至少一个散热孔与所述第二散热层连接包括:
所述散热孔与所述第一散热层(3)的刻蚀角度为60度~120度。
11.根据1所述的声波滤波器,所述复合散热结构与所述至少一个谐振器中的至少一个呈环绕关系还包括:
所述复合散热结构与所述至少一个谐振器中的至少一个以及所述输入端、所述输出端和/或所述接地端中的至少一个呈环绕关系。
12.根据11所述的声波滤波器,所述至少一个谐振器包括串联级谐振器。
13.根据12所述的声波滤波器,所述串联级谐振器包括与所述输入端距离最短的串联级谐振器。
14.根据13所述的声波滤波器,所述至少一个谐振器还包括与所述输入端距离最短的串联级谐振器以及与所述输入端距离最短的并联级谐振器。
15.根据1所述的声波滤波器,所述复合散热结构的材料包括:导热材料。
16.根据1所述的声波滤波器,还包括:
所述第一散热层(3)的宽度不小于10μm。
17.根据1-16所述的声波滤波器,所述声波滤波器还包括包括第一衬底(1)、第二衬底(2)和密封结构(6),其中
所述第一衬底(1)用于制造所述至少一个谐振器;
所述第二衬底(2)用于所述声波滤波器的封装;并且
所述密封结构(6)用于所述第一衬底(1)和所述第二衬底(2)的键合以将所述至少一个谐振器密封于所述第一衬底(1)和所述第二衬底(2)之间。
18.根据17所述的声波滤波器,所述第一散热层(3)位于所述密封结构(6)与所述谐振器之间。
19.根据18所述的声波滤波器,所述第一散热层(3)与所述密封结构(6)非电连接。
20.根据17所述的声波滤波器,所述第一散热层(3)与所述串联级谐振器以及所述输入端连接。
21.根据17所述的声波滤波器,所述散热孔(5)中的至少一个被设置于所述第一衬底(1)。
22.根据21所述的声波滤波器,所述散热孔(5)中的至少一个被设置于所述第二衬底(2)。
23.根据22所述的声波滤波器,与所述串联谐振器呈环绕关系的复合散热结构的散热孔(5)被设置于所述第二衬底(2),与所述接地端呈环绕关系的复合散热结构的散热孔(5)被设置于所述第一衬底(1)。
24.根据23所述的声波滤波器,所述与所述串联谐振器呈环绕关系的复合散热结构与所述输入端相连,且材质相同;所述与所述接地端呈环绕关系的复合散热结构与所述接地端相连,且材质相同。
25.一种通信设备,包括根据1-24所述的声波滤波器。
26.一种电子设备,包括根据25所述的通信设备。
以上所述,仅为本公开的具体实施方式,但本公开的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此,本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (26)
1.一种声波滤波器,其特征在于,包括输入端、输出端、接地端、至少一个谐振器和复合散热结构,其中
所述复合散热结构与所述至少一个谐振器中的至少一个呈环绕关系,所述复合散热结构包括:
第一散热层(3);
至少一个散热孔(5);以及
第二散热层(4),其中
所述第一散热层(3)经由所述至少一个散热孔(5)与所述第二散热层(4)连接。
2.根据权利要求1所述的声波滤波器,其特征在于,所述复合散热结构与所述至少一个谐振器中的至少一个呈环绕关系包括:
所述第一散热层(3)与第二判定区域的至少两条边相交,且相交长度大于所述第二判定区域外周长的百分之15;
所述第二判定区域的定义为在第一判定区域每条边以外,每条边与所述第一判定区域的每条边平行,且每两条对应边距离为60μm的环状区域,所述第二判定区域的外周长为所述第二判定区域外环图形的周长;
所述第一判定区域为所述谐振器上下电极共同覆盖的区域。
3.根据权利要求2所述的声波滤波器,其特征在于,所述复合散热结构与所述至少一个谐振器中的至少一个呈环绕关系还包括:
所述第一散热层(3)与所述第二判定区域的至少两条边相交,且所述相交长度大于所述第二判定区域外周长的百分之30。
4.根据权利要求2所述的声波滤波器,其特征在于,所述复合散热结构与所述至少一个谐振器中的至少一个呈环绕关系还包括:
所述第一散热层(3)与所述第二判定区域的至少两条边相交,且所述相交长度大于所述第二判定区域外周长的百分之50。
5.根据权利要求2所述的声波滤波器,其特征在于,所述复合散热结构与所述至少一个谐振器中的至少一个呈环绕关系还包括:
所述第一散热层(3)与所述第二判定区域相交,
且所述第一散热层(3)与第二判定区域的相交面积大于所述第二判定区域面积的百分之10和/或所述第一散热层(3)与所述第二判定区域的相交面积大于所述第一散热层(3)面积的百分之50。
6.根据权利要求5所述的声波滤波器,其特征在于,所述复合散热结构与所述至少一个谐振器中的至少一个呈环绕关系还包括:
所述第一散热层(3)与所述第二判定区域相交,
且所述第一散热层(3)与第二判定区域的相交面积大于所述第二判定区域面积的百分之20和/或所述第一散热层(3)与所述第二判定区域的相交面积大于所述第一散热层(3)面积的百分之50。
7.根据权利要求5所述的声波滤波器,其特征在于,所述复合散热结构与所述至少一个谐振器中的至少一个呈环绕关系还包括:
所述第一散热层(3)与所述第二判定区域相交,
且所述第一散热层(3)与第二判定区域的相交面积大于所述第二判定区域面积的百分之30和/或所述第一散热层(3)与所述第二判定区域的相交面积大于所述第一散热层(3)面积的百分之50。
8.根据权利要求1所述的声波滤波器,其特征在于,所述第一散热层(3)的面积至少为10μm2。
9.根据权利要求1所述的声波滤波器,其特征在于,当所述第一散热层(3)包含至少两个散热孔时,每两个所述散热孔的距离至少为5μm。
10.根据权利要求1所述的声波滤波器,其特征在于,所述第一散热层(3)经由所述至少一个散热孔与所述第二散热层连接包括:
所述散热孔与所述第一散热层(3)的刻蚀角度为60度~120度。
11.根据权利要求1所述的声波滤波器,其特征在于,所述复合散热结构与所述至少一个谐振器中的至少一个呈环绕关系还包括:
所述复合散热结构与所述至少一个谐振器中的至少一个以及所述输入端、所述输出端和/或所述接地端中的至少一个呈环绕关系。
12.根据权利要求11所述的声波滤波器,其特征在于,所述至少一个谐振器包括串联级谐振器。
13.根据权利要求12所述的声波滤波器,其特征在于,所述串联级谐振器包括与所述输入端距离最短的串联级谐振器。
14.根据权利要求13所述的声波滤波器,其特征在于,所述至少一个谐振器还包括与所述输入端距离最短的串联级谐振器以及与所述输入端距离最短的并联级谐振器。
15.根据权利要求1所述的声波滤波器,其特征在于,所述复合散热结构的材料包括:导热材料。
16.根据权利要求1所述的声波滤波器,其特征在于,还包括:
所述第一散热层(3)的宽度不小于10μm。
17.根据权利要求1-16所述的声波滤波器,其特征在于,所述声波滤波器还包括包括第一衬底(1)、第二衬底(2)和密封结构(6),其中
所述第一衬底(1)用于制造所述至少一个谐振器;
所述第二衬底(2)用于所述声波滤波器的封装;并且
所述密封结构(6)用于所述第一衬底(1)和所述第二衬底(2)的键合以将所述至少一个谐振器密封于所述第一衬底(1)和所述第二衬底(2)之间。
18.根据权利要求17所述的声波滤波器,其特征在于,所述第一散热层(3)位于所述密封结构(6)与所述谐振器之间。
19.根据权利要求18所述的声波滤波器,其特征在于,所述第一散热层(3)与所述密封结构(6)非电连接。
20.根据权利要求19所述的声波滤波器,其特征在于,所述第一散热层(3)与所述串联级谐振器以及所述输入端连接。
21.根据权利要求17所述的声波滤波器,其特征在于,所述散热孔(5)中的至少一个被设置于所述第一衬底(1)。
22.根据权利要求21所述的声波滤波器,其特征在于,所述散热孔(5)中的至少一个被设置于所述第二衬底(2)。
23.根据权利要求22所述的声波滤波器,其特征在于,与所述串联谐振器呈环绕关系的复合散热结构的散热孔(5)被设置于所述第二衬底(2),与所述接地端呈环绕关系的复合散热结构的散热孔(5)被设置于所述第一衬底(1)。
24.根据权利要求23所述的声波滤波器,其特征在于,所述与所述串联谐振器呈环绕关系的复合散热结构与所述输入端相连,且材质相同;所述与所述接地端呈环绕关系的复合散热结构与所述接地端相连,且材质相同。
25.一种通信设备,其特征在于,包括根据权利要求1-24所述的声波滤波器。
26.一种电子设备,其特征在于,包括根据权利要求25所述的通信设备。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202211609951.XA CN117040479B (zh) | 2022-12-14 | 2022-12-14 | 一种声波滤波器、通信设备和电子设备 |
Applications Claiming Priority (1)
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Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013093456A (ja) * | 2011-10-26 | 2013-05-16 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 電子モジュールとその製造方法 |
US20140368296A1 (en) * | 2013-06-18 | 2014-12-18 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Acoustic wave device |
US20190097599A1 (en) * | 2017-09-26 | 2019-03-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Composite device |
US20190280670A1 (en) * | 2018-03-12 | 2019-09-12 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Acoustic wave device, module, and multiplexer |
US20190348963A1 (en) * | 2016-10-27 | 2019-11-14 | Avago Technologies International Sales Pte. Limited | Bulk acoustic wave resonator having openings in an active area and a pillar beneath the opening |
US20200144984A1 (en) * | 2018-11-06 | 2020-05-07 | Skyworks Solutions, Inc. | Acoustic wave device with high thermal conductivity layer on interdigital transducer |
CN111193486A (zh) * | 2018-11-14 | 2020-05-22 | 天津大学 | 散热结构、带散热结构的体声波谐振器、滤波器和电子设备 |
CN111262542A (zh) * | 2020-02-27 | 2020-06-09 | 杭州见闻录科技有限公司 | 一种具有散热结构的体声波谐振器及制造工艺 |
US20210159877A1 (en) * | 2019-11-26 | 2021-05-27 | Skyworks Solutions, Inc. | Stacked temperature compensated acoustic wave device with high thermal conductivity |
CN215344516U (zh) * | 2021-04-21 | 2021-12-28 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 滤波器和滤波器装置以及基站 |
CN216056953U (zh) * | 2021-09-02 | 2022-03-15 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 滤波器和电子设备 |
US20220329227A1 (en) * | 2020-11-19 | 2022-10-13 | Skyworks Solutions, Inc. | Packaged acoustic wave devices with multi-layer piezoelectric substrate with seal ring spaced from piezoelectric layers |
-
2022
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Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013093456A (ja) * | 2011-10-26 | 2013-05-16 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 電子モジュールとその製造方法 |
US20140368296A1 (en) * | 2013-06-18 | 2014-12-18 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Acoustic wave device |
US20190348963A1 (en) * | 2016-10-27 | 2019-11-14 | Avago Technologies International Sales Pte. Limited | Bulk acoustic wave resonator having openings in an active area and a pillar beneath the opening |
US20190097599A1 (en) * | 2017-09-26 | 2019-03-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Composite device |
US20190280670A1 (en) * | 2018-03-12 | 2019-09-12 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Acoustic wave device, module, and multiplexer |
US20200144984A1 (en) * | 2018-11-06 | 2020-05-07 | Skyworks Solutions, Inc. | Acoustic wave device with high thermal conductivity layer on interdigital transducer |
CN111193486A (zh) * | 2018-11-14 | 2020-05-22 | 天津大学 | 散热结构、带散热结构的体声波谐振器、滤波器和电子设备 |
US20210159877A1 (en) * | 2019-11-26 | 2021-05-27 | Skyworks Solutions, Inc. | Stacked temperature compensated acoustic wave device with high thermal conductivity |
CN111262542A (zh) * | 2020-02-27 | 2020-06-09 | 杭州见闻录科技有限公司 | 一种具有散热结构的体声波谐振器及制造工艺 |
US20220329227A1 (en) * | 2020-11-19 | 2022-10-13 | Skyworks Solutions, Inc. | Packaged acoustic wave devices with multi-layer piezoelectric substrate with seal ring spaced from piezoelectric layers |
CN215344516U (zh) * | 2021-04-21 | 2021-12-28 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 滤波器和滤波器装置以及基站 |
CN216056953U (zh) * | 2021-09-02 | 2022-03-15 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 滤波器和电子设备 |
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Publication number | Publication date |
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