CN117040477A - 一种滤波器、多工器和通信设备 - Google Patents
一种滤波器、多工器和通信设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117040477A CN117040477A CN202211624746.0A CN202211624746A CN117040477A CN 117040477 A CN117040477 A CN 117040477A CN 202211624746 A CN202211624746 A CN 202211624746A CN 117040477 A CN117040477 A CN 117040477A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- resonator
- resonators
- series
- parallel
- filter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004891 communication Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 29
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 238000013461 design Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 4
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 101100194363 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) res2 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000009022 nonlinear effect Effects 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/56—Monolithic crystal filters
- H03H9/566—Electric coupling means therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/58—Multiple crystal filters
- H03H9/60—Electric coupling means therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
- H03H9/6433—Coupled resonator filters
- H03H9/644—Coupled resonator filters having two acoustic tracks
- H03H9/6456—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
- H03H9/703—Networks using bulk acoustic wave devices
- H03H9/706—Duplexers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
- H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
- H03H9/725—Duplexers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
本公开实施例中提供了一种滤波器、多工器和通信设备，该滤波器包括输入端、输出端、一个或多个串联谐振器和一个或多个并联谐振器；其中所述一个或多个串联谐振器中靠近所述输出端的第一个串联谐振器的并联谐振频率大于或等于所述一个或多个串联谐振器的平均并联谐振频率；和/或所述一个或多个并联谐振器中靠近所述输出端的第一个并联谐振器的串联谐振频率小于或等于所述一个或多个并联谐振器的平均串联谐振频率。通过本公开的方案，提高了滤波器的非线性特性。
Description
技术领域
本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种滤波器、多工器和通信设备。
背景技术
随着移动通信技术的不断发展，频谱复杂化趋势日益加快，目前移动通信中所使用的频段数量已经从2000年初的4个频段大幅增加到今天的50多个频段。
频谱的复杂化使得对射频系统性能的要求越来越严苛，良好的射频滤波器性能可以提高射频系统的传输速率、寿命和可靠性，因此对滤波器性能的持续改善有着非常迫切的需求，对滤波器性能的持续改善主要体现在更低的插入损耗、更宽的带宽、更高的带外抑制、更高的滚降、更高的功率容量以及更好的非线性特性。
发明内容
有鉴于此，本公开实施例提供一种滤波器、多工器和通信设备，至少部分解决现有技术中存在的问题。
第一方面，提供了一种滤波器，其包括：输入端、输出端、一个或多个串联谐振器和一个或多个并联谐振器；其中
所述一个或多个串联谐振器中靠近所述输出端的第一个串联谐振器的并联谐振频率大于或等于所述一个或多个串联谐振器的平均并联谐振频率；和/或
所述一个或多个并联谐振器中靠近所述输出端的第一个并联谐振器的串联谐振频率小于或等于所述一个或多个并联谐振器的平均串联谐振频率。
根据本公开实施例的一种具体实现方式，令所述一个或多个串联谐振器中靠近所述输出端的第一个串联谐振器的并联谐振频率为Fp，所述一个或多个串联谐振器的平均并联谐振频率为则/>
根据本公开实施例的一种具体实现方式，令所述一个或多个并联谐振器中靠近所述输出端的第一个并联谐振器的串联谐振频率为Fs，所述一个或多个并联谐振器的平均串联谐振频率为则/>
根据本公开实施例的一种具体实现方式，靠近所述输出端的第一级串联谐振器和/或第一级并联谐振器中的至少一个谐振器被串联非线性拆分成串联拆分谐振器或并联非线性拆分成并联拆分谐振器。
根据本公开实施例的一种具体实现方式，所述串联拆分谐振器的个数为2n个，所述并联拆分谐振器的个数为2m个，其中n、m等于1、2、3……。
根据本公开实施例的一种具体实现方式，所述串联拆分谐振器的面积相同，并且所述并联拆分谐振器的面积相同。
根据本公开实施例的一种具体实现方式，所述串联拆分谐振器的形状相同，并且所述并联拆分谐振器的形状相同。
根据本公开实施例的一种具体实现方式，所述串联拆分谐振器的面积为被拆分的谐振器的面积的2倍，并且所述并联拆分谐振器的面积为被拆分的谐振器的面积的1/2。
根据本公开实施例的一种具体实现方式，所述串联拆分谐振器的平均谐振频率与被拆分的谐振器的谐振频率相同，并且所述并联拆分谐振器的平均谐振频率与被拆分的谐振器的谐振频率相同。
根据本公开实施例的一种具体实现方式，所述串联拆分谐振器中任意两个相邻谐振器的极化方向相反，并且所述并联拆分谐振器中任意两个相邻谐振器的极化方向相反。
根据本公开实施例的一种具体实现方式，所述串联拆分谐振器中相邻谐振器的上电极相连或者所述下电极相连；并且所述并联拆分谐振器中相邻谐振器的上电极与下电极相连。
根据本公开实施例的一种具体实现方式，所述滤波器在所述输入端和/或所述输出端还包含LC匹配电路。
第二方面，提供了一种多工器，所述多工器包括根据本公开第一方面及其任一实现方式的滤波器。
第三方面，提供了一种通信设备，所述通信设备包括根据本公开第一方面及其任一实现方式的滤波器或者根据本公开第二方面所述的多工器。
本公开实施例中的滤波器包括输入端、输出端、一个或多个串联谐振器和一个或多个并联谐振器；其中所述一个或多个串联谐振器中靠近所述输出端的第一个串联谐振器的并联谐振频率大于或等于所述一个或多个串联谐振器的平均并联谐振频率；和/或所述一个或多个并联谐振器中靠近所述输出端的第一个并联谐振器的串联谐振频率小于或等于所述一个或多个并联谐振器的平均串联谐振频率。通过本公开的方案，提高了滤波器的非线性特性。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为本公开实施例提供的一种改善滤波器非线性特性的设计方法；
图2为本公开实施例的谐振器的结构示意图；
图3a为本公开实施例的谐振器的电学符号表示；
图3b为本公开实施例的谐振器的等效电学模型；
图4为本公开实施例的谐振器的阻抗频率特性；
图5为本公开实施例的带有谐振器极化方向的谐振器电学符号表示；
图6a为本公开实施例的一种串联拆分结构示意图；
图6b为本公开实施例的另一种串联拆分结构示意图；
图6c为本公开实施例的一种并联拆分结构示意图；
图7为本公开实施例的一种滤波器的电路拓扑结构；
图8为本公开实施例的信号输出端第一个串/并联谐振器的功率密度与滤波器通带的位置关系图；
图9为本公开实施例的滤波器非线性特性与信号输出端第一个串联谐振器的并联谐振频率的关系图；
图10为本公开实施例的滤波器非线性特性与信号输出端第一个并联谐振器的串联谐振频率的关系图；
图11为双工器的结构示意图。
在图中，40-输入端；44-输出端；12、14、16、18、20-串联谐振器；22、24、26、28-并联谐振器；106-下电极；108-压电薄膜层；110-上电极；210-第一滤波器；220-第二滤波器。
具体实施方式
下面结合附图对本公开实施例进行详细描述。
以下通过特定的具体实例说明本公开的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本公开的其他优点与功效。显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。本公开还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本公开的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于本公开中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
需要说明的是，下文描述在所附权利要求书的范围内的实施例的各种方面。应显而易见，本文中所描述的方面可体现于广泛多种形式中，且本文中所描述的任何特定结构及/或功能仅为说明性的。基于本公开，所属领域的技术人员应了解，本文中所描述的一个方面可与任何其它方面独立地实施，且可以各种方式组合这些方面中的两者或两者以上。举例来说，可使用本文中所阐述的任何数目个方面来实施设备及/或实践方法。另外，可使用除了本文中所阐述的方面中的一或多者之外的其它结构及/或功能性实施此设备及/或实践此方法。
还需要说明的是，以下实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本公开的基本构想，图式中仅显示与本公开中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
另外，在以下描述中，提供具体细节是为了便于透彻理解实例。然而，所属领域的技术人员将理解，可在没有这些特定细节的情况下实践所述方面。
首先，参考图1，描述滤波器的结构及一种改善滤波器非线性特性的设计方法。在图1中，附图标记40指示输入端，附图标记44指示输出端，附图标记12、14、16、18和20指示串联谐振器，并且附图标记22、24、26和28指示并联谐振器。也就是说，滤波器至少包括输入端、输出端、串联谐振器和并联谐振器。
另外，为了改善滤波器的非线性特性，如图1所示，其将特定的谐振器进行了拆分。具体地，图1中所示的方案将除了信号输入端第一级谐振器12、22和信号输出端第一级谐振器20、28之外的至少一个串联谐振器(例如谐振器16)进行串联非线性拆分，该被拆分的至少一个串联谐振器的面积小于信号输入端第一级谐振器12、22和信号输出端第一级谐振器20、28中至少一个谐振器的面积，并将除了信号输入端第一级谐振器12、22和信号输出端第一级谐振器20、28之外的至少一个并联谐振器(例如谐振器24)进行串联非线性拆分，该被拆分的至少一个并联谐振器的面积小于信号输入端第一级谐振器12、22和信号输出端第一级谐振器20、28中至少一个谐振器的面积，以此来改善滤波器的非线性特性。
在本公开实施例中，术语“串联拆分”是将一个谐振器拆分成等效的两个或者更多个相互串联的谐振器；术语“串联非线性拆分”是将一个谐振器拆分成等效的两个或者更多个相互串联的谐振器，且串联拆分后的两个或者更多个谐振器中彼此相邻的两个谐振器极化方向相反。
图1所示的设计方案对滤波器非线性特性的改善效果有限，这是因为当射频信号由信号输入端40输入时，在信号输出端44会产生二阶非线性谐波分量，靠近信号输入端40的谐振器产生的二阶非线性谐波分量被随后的谐振器抑制而衰减，但是靠近信号输出端44的第一级谐振器(包括第一个串联谐振器20和第一个并联谐振器28)产生的二阶非线性谐波分量没有谐振器或只有较少谐振器对其产生抑制作用，所以滤波器中靠近信号输出端44的谐振器对滤波器非线性影响是最大的，当按照图1所示的方法对谐振器进行拆分时，对滤波器非线性特性的改善效果有限。
在本公开实施例中，通过对滤波器中对非线性特性影响最大的谐振器进行拆分，并对这些谐振器的谐振频率进行限定，以在不增加器件面积的情况下提升滤波器的非线性特性。应当理解的是，单独对滤波器中对非线性特性影响最大的谐振器进行拆分的技术方案以及对这些谐振器的谐振频率进行限定的方案也在本公开的保护范围之内。
接下来，参考图2，描述滤波器中所包含的谐振器的结构，在图2中：
106：下电极，可选材料为钼、金、铝、镁、钨、铜、铬等金属材料或多种金属组成的合金。
108：压电薄膜层，可选材料为单晶氮化铝、多晶氮化铝、氧化锌、PZT等材料，并且上述压电材料中可能包含按照一定原子比掺杂的稀土元素(例如Sc)。
110：上电极，可选材料为钼、金、铝、镁、钨、铜、铬等金属材料或多种金属组成的合金。
对于谐振器，在厚度方向上，上电极110和下电极108的一侧均设置有声学镜，从而使声波被限制在压电谐振腔内部。声学镜可以为一空气腔或者布拉格反射层或者为与电极材料声阻抗相差较大的其他材料，对于声学镜形成的方法和形式不做限定，并且声学镜也可以是在衬底之上由其他材料支撑形成。另外，在本公开实施例中，将上电极110、压电薄膜层108、下电极106与声学镜在层叠方向上相互重叠的区域称为谐振器的有效谐振区。
图2示出了滤波器所包含的谐振器的结构，对于滤波器而言，其至少包含如图2所示的一个串联谐振器和一个并联谐振器。
另外，图3a为谐振器的电学符号，图3b为谐振器的等效电路模型，在不考虑电路的损耗的情况下，谐振器可以简化为由电感L、电容C1和电容C2组成的谐振电路，该谐振电路的输入端和输出端之间，包含并联的两个电路，其中一个电路由电感L和电容C1串联而成，并且另一个电路为电容C2。
图3b所示的谐振电路具有两个谐振频率点，如图4所示，其中一个谐振频率点是谐振电路阻抗值达到极小值时的谐振频率Fs，将谐振频率Fs定义为该谐振器的串联谐振频点，并且谐振频率Fs对应的阻抗为串联谐振阻抗Rs，另一个谐振频率点是当谐振电路阻抗值达到极大值时的谐振频率Fp，将谐振频率Fp定义为该谐振器的并联谐振频点，并且谐振频率Fp对应的阻抗为并联谐振阻抗Rp。
另外，在压电薄膜层108厚度一定的条件下，上电极110和/或下电极106越厚，则谐振器的谐振频率越低。诸如梯形结构滤波器之类的滤波器为了实现具有一定带宽的通带，需要使得其中并联谐振器的谐振频率比串联谐振器的谐振频率低，串联谐振器的串联谐振频点在滤波器通带中心附近，并联谐振频点在滤波器通带高频端外部，并联谐振器的串联谐振频点在滤波器通带低频端外部，并联谐振频点在滤波器通带中心附近。
此外，图2所示的谐振器可以简化为如图5所示的带极化方向的谐振器电学符号。节点N1与谐振器R的上电极110相连，节点N2与谐振器R的下电极106相连。此时，谐振器R的基波谐振频率的半波长近似等于谐振器R的压电薄膜层108的厚度(即半波长谐振)。
在这种情况下，当上电极110为正极性时，下电极106为负极性，或者当上电极110为负极性时，下电极106为正极性，定义谐振器R的极化方向c为在谐振器R厚度方向上由节点N2指向节点N1。
另外，二阶非线性谐波的波长近似等于压电薄膜层108的厚度，即上电极110和下电极106为正极性时，压电薄膜层108的中心为负极性，或者上电极110和下电极106为负极性时，压电薄膜层108的中心为正极性。
当压电薄膜层108在谐振器R厚度方向上对称时，上电极110和下电极106具有相同的电势，所以不会产生二阶非线性谐波。然而为了得到良好的谐振器性能，通常压电薄膜层108在谐振器R的厚度方向上是不对称的，压电薄膜层108的不对称性使得其中电场不均匀分布，电场的不均匀分布使得在上电极110和下电极106产生二阶非线性谐波电势差，从而产生二阶非线性谐波。
这里的术语“对称”的含义是：压电薄膜层108一般为多晶择优取向结构(择优取向指在制备过程中，材料的晶轴沿同一方向排列)，声波沿晶轴方向传播时，波速最大，同时能得到稳定的谐振，但是在实际制造过程中，晶轴并非严格平行于厚度方向，而是略有倾斜，从而使得压电薄膜层108在厚度方向上不是完全对称的。
为了抑制二阶非线性谐波的产生，如参考图1所描述的，可以对谐振器进行拆分。接下来，参考图6a-图6c，描述谐振器的串联拆分和并联拆分。
在本公开实施例中，术语“串联拆分”即是将一个谐振器拆分成等效的2n(n等于1、2、3……)个相互串联的谐振器；术语“串联非线性拆分”即是将一个谐振器拆分成等效的2n个相互串联的谐振器，且串联拆分后的2n个谐振器中任意彼此相邻的两个谐振器极化方向相反。下面以n等于1为例进行说明，当n大于1时，图6a和图6b所述结构亦可视为串联拆分后的2n个谐振器中任意彼此相邻的两个谐振器。
图6a和图6b所示为理想情况下(不考虑寄生效应)谐振器被串联非线性拆分的电路拓扑结构。
图6a中谐振器R被等效拆分为两个相互串联的第一谐振器R1和第二谐振器R2，第一谐振器R1和第二谐振器R2这两个谐振器的面积和形状近似相等，且近似等于谐振器R面积的2倍，并且第一谐振器R1和第二谐振器R2的平均谐振频率与谐振器R的谐振频率近似相同。另外，第一谐振器R1和第二谐振器R2的极化方向相反(从信号T1端口或T2端口看，谐振器R1的极化方向c和谐振器R2的极化方向c是相反的即称为谐振器R1的极化方向c与谐振器R2的极化方向相反)，具体地，第一谐振器R1的上电极与第二谐振器R2的上电极相连(如图6a中的实线箭头所示)，且第一谐振器R1的下电极与外围电路相连，第二谐振器R2的下电极与外围电路相连。
图6b中谐振器R被等效拆分为两个相互串联的第一谐振器R1和第二谐振器R2，第一谐振器R1和第二谐振器R2这两个谐振器的面积和形状近似相等，且近似等于谐振器R面积的2倍，并且第一谐振器R1和第二谐振器R2的平均谐振频率与谐振器R的谐振频率近似相同。另外，第一谐振器R1和第二谐振器R2的极化方向相反(从信号T1端口或T2端口看，谐振器R1的极化方向c和谐振器R2的极化方向c是相反的即称为谐振器R1的极化方向c与谐振器R2的极化方向相反)，具体地，第一谐振器R1的下电极与第二谐振器R2的下电极相连(如图6b中的实线箭头所示)，且第一谐振器R1的上电极与外围电路相连，第二谐振器R2的上电极与外围电路相连。
在图6a和图6b所示的情况下，第一谐振器R1和第二谐振器R2产生的二阶非线性电压相互抵消，所以拆分后二阶非线性特性能够得到改善。
在本公开实施例中，术语“并联拆分”即是将一个谐振器拆分成等效的2n(m等于1、2、3……)个相互并联的谐振器；术语“并联非线性拆分”即是将一个谐振器拆分成等效的2m个相互并联的谐振器，且并联拆分后的2m个谐振器中任意彼此相邻的两个谐振器极化方向相反。下面以m等于1为例进行说明，当n大于1时，图6c所述结构亦可视为并联拆分后的2n个谐振器中任意彼此相邻的两个谐振器。如图6c所示为理想情况下(不考虑寄生效应)谐振器被并联非线性拆分的电路拓扑结构，其中谐振器R被等效拆分为两个相互并联的第一谐振器R1和第二谐振器R2，第一谐振器R1和第二谐振器R2这两个谐振器的面积和形状近似相等，且近似等于谐振器R面积的1/2倍，第一谐振器R1和第二谐振器R2的平均谐振频率与谐振器R的谐振频率近似相同。另外，第一谐振器R1和第二谐振器R2的极化方向相反(从信号T1端口或T2端口看，谐振器R1的极化方向c和谐振器R2的极化方向c是相反的即称为谐振器R1的极化方向c与谐振器R2的极化方向相反)，在这种情况下，第一谐振器R1的上电极与第二谐振器R2的下电极相连，第一谐振器R1的下电极与第二谐振器R2的上电极相连，此时第一谐振器R1和第二谐振器R2这两个谐振器产生的二阶非线性电压相互抵消，所以拆分后二阶非线性特定能够得到改善。
以上描述了谐振器的串联非线性拆分和并联非线性拆分，但是在实际中，由于无法实现第一谐振器R1和第二谐振器R2这两个谐振器的面积和形状完全相等，且等于谐振器R面积的2倍(串联非线性拆分的情况)或1/2(并联非线性拆分的情况)，第一谐振器R1和第二谐振器R2的平均谐振频率与谐振器R的谐振频率相同，因此可以要求第一谐振器R1和第二谐振器R2这两个谐振器的面积和形状之差小于预定阈值，且第一谐振器R1和第二谐振器R2的面积与2倍或1/2谐振器R的面积之差小于预定阈值，第一谐振器R1和第二谐振器R2的平均谐振频率与谐振器R的谐振频率之差小于预定阈值。
以面积为例，假设拆分后第一谐振器R1的面积为a和第二谐振器R2的面积为b，此时要求第一谐振器R1和第二谐振器R2这两个谐振器的面积之差小于预定阈值(例如5％)，则要求|a-b|/((a+b)/2)＜5％。换句话说，在本公开实施例中，相等、近似相等可以理解为二者之差小于5％、3％或者其他的数值。
另外，在以上的描述中，“谐振器的面积和形状”是指谐振器的有效谐振区的面积和形状，并且如上所述，上电极110、压电薄膜层108、下电极106与声学镜在层叠方向上相互重叠的区域，称为谐振器的有效谐振区。
另外，串联非线性拆分和并联非线性拆分要求拆分的两个谐振器的面积和形状近似相同，这样两个谐振器的声学特性才能近似相同，从而实现二阶非线性电压相互抵消，但是实际制造过程中，由于存在工艺偏差，两个谐振器面积和形状不可能完全相同，所以本发明中加入“近似”一词。
此外，如图4所示的谐振器的阻抗频率特性，阻抗极小点对应的频率为串联谐振频率Fs，阻抗极大点对应的频率为并联谐振频率Fp。谐振器的谐振频率一般指其串联谐振频率Fs，第一谐振器R1的谐振频率和第二谐振器R2的谐振频率的平均值为平均谐振频率。
以上，描述了通过对谐振器进行串联非线性拆分或者并联非线性拆分以提高滤波器的非线性特性，接下来，描述通过对谐振器的频率进行限定来进一步提高滤波器的非线性特性。
图7所示为本公开实施例的一种滤波器的电路拓扑结构，该滤波器为梯型结构滤波器，并且包括串联谐振器Res1、Res2、Res3和Res4，以及并联谐振器Res5、Res6和Res7，其中串联谐振器Res4被等效拆分为两个相互串联的谐振器Res41和Res42，谐振器Res41和谐振器Res42的极化方向相反，另外并联谐振器Res7被等效拆分为两个相互串联的谐振器Res71和Res72，谐振器Res71和谐振器Res72的极化方向相反。
此外，对于图7中所示的滤波器，令串联谐振器Sn的串联谐振频率为Fs_Sn、并联谐振频率为Fp_Sn(n等于1～4)，并联谐振器Pn的串联谐振频率为Fs_Pn、并联谐振频率为Fp_Pn(n等于1～3)。
则串联谐振器的平均并联谐振频率为：
并联谐振器的平均串联谐振频率为：
此外，在图7中，IN为滤波器信号输入端，OUT为滤波器信号输出端，L1和L2分别为滤波器信号输入端IN串联电感和滤波器信号输出端OUT串联电感，L3、L4和L5为滤波器并联支路串联接地电感，即并联谐振器Res5、Res6和Res7分别通过串联接地电感L3、L4和L5接地。
为了实现更好的匹配，在信号输入端IN和/或信号输出端OUT可以包含LC匹配电路。图7所示滤波器结构只是示例，本发明对梯型结构滤波器级数、匹配方式及并联支路接地方式不做限定，也就是说串联谐振器的个数不限于4个，而可以是其他的个数，并且并联谐振器的个数不限于3个，而可以是其他的个数。
当射频信号由信号输入端IN输入时，在信号输出端OUT会产生二阶非线性谐波分量，其中靠近信号输入端IN的谐振器产生的二阶非线性谐波分量可以被随后的谐振器抑制而衰减，但是靠近信号输出端OUT的谐振器Res4产生的二阶非线性谐波分量没有谐振器对其产生抑制作用，所以滤波器中靠近信号输出端OUT的谐振器对滤波器非线性影响较大，需要采取相关措施改善滤波器的非线性特性。
通常情况下，如图7所示，可以通过将靠近滤波器信号输出端OUT的第一个串联谐振器和第一个并联谐振器进行串联或并联非线性拆分以改善滤波器的非线性特性，但是由于寄生参数的存在，拆分后的谐振器产生的非线性分量抵消效果有限，针对当前系统对滤波器非线性指标越来越高的要求，需要进一步提升滤波器的非线性特性。
因为谐振器产生的二阶非线性分量的大小与谐振器的功率密度呈正相关关系，因此谐振器的功率密度越大产生的二阶非线性分量越大，输出端OUT输出的二阶非线性信号越强。此外，在输入射频信号功率一定的条件下，谐振器的功率密度与其谐振频率又密切相关，本公开通过研究谐振器谐振频率与其产生的二阶非线性分量之间的关系，来进一步改善滤波器的非线性特性。
图8示出了信号输出端OUT第一个串联谐振器和并联谐振器的功率密度与滤波器通带的位置关系。其中，横坐标为频率，主坐标轴为插损，并且副坐标轴为谐振器的功率密度。术语“插损”是指某些器件或分支电路(滤波器、阻抗匹配器等)加进某一电路时，能量或增益的损耗。
在图8中，细实线为滤波器插损频率特性曲线，虚线为靠近信号输出端的第一个并联谐振器的功率密度频率特性曲线，该并联谐振器在滤波器通带左侧滚降附近的功率密度最大，并将该位置的功率密度称为第一最大功率密度；粗实线为靠近信号输出端的第一个串联谐振器的功率密度频率特性曲线，该串联谐振器在滤波器通带右侧滚降附近的功率密度最大，并将该位置的功率密度称为第二最大功率密度。可见，串联谐振器在滤波器通带右侧滚降处的功率密度最大，并且并联谐振器在滤波器通带左侧滚降处的功率密度最大。
表1信号输出端第一个串联谐振器的谐振频率与其功率密度之间的关系
表1所示为信号输出端第一个串联谐振器的并联谐振频率与第一最大功率密度之间的关系，其中参数指示滤波器中所有串联谐振器的并联谐振频率的平均值。以图7所示电路为例，其中将谐振器Res4的并联谐振频率设置为等于/>将谐振器Res7的串联谐振频率设置为等于/>在信号输入端IN输入功率为30dBm的高频信号，调整谐振器Res4的并联谐振频率，当谐振器Res4的并联谐振频率变化时，通过外围匹配电路将滤波器的性能调整到与之前性能相近，此时谐振器Res4不同的并联谐振频率对应的第一最大功率密度如表1所示。
具体地，当不改变谐振器Res4的并联谐振频率时，其第一最大功率密度为13w/mm2，当将谐振器Res4的并联谐振频率调整为原来的0.995倍时，其第一最大功率密度变为20w/mm2，即第一最大功率密度提高了53.8％；当将谐振器Res4的并联谐振频率调整为原来的1.005倍时，其第一最大功率密度变为8w/mm2，即第一最大功率密度减小了38.46％。
由上可知，谐振器Res4的并联谐振频率越高，第一最大功率密度越小，其所产生的二阶非线性谐波分量越小，滤波器的二阶非线性特性越好。
图9示出了滤波器非线性特性与信号输出端OUT第一个串联谐振器的并联谐振频率Fp之间的关系。其中，纵轴表示在信号输入端IN输入功率为30dBm的高频信号时，滤波器通带频率范围内滤波器的非线性最差点，横轴表示靠近信号输出端OUT的第一个串联谐振器的并联谐振频率Fp。由图可见，当靠近信号输出端OUT的第一个串联谐振器的并联谐振频率Fp等于时，滤波器非线性最差点在-17dBm；当靠近信号输出端OUT的第一个串联谐振器的并联谐振频率等于/>时，滤波器非线性最差点在-28dBm；当靠近信号输出端OUT的第一个串联谐振器的并联谐振频率等于/>时，滤波器非线性最差点在-35dBm。
也就是说，在原滤波器设计中Fp等于的基础上，只需要通过改变Fp到1.005倍的/>即可将滤波器的非线性提升7dB，之后再增加滤波器的Fp，滤波器的非线性提升变得不明显。此外，当Fp小于/>时，随着Fp的减小，滤波器非线性急剧恶化。综上，限定Fp大于等于/>进一步地Fp大于等于/>
可见，为了使得滤波器具有较优的非线性特性，需将靠近信号输出端OUT的第一个串联谐振器的并联谐振频率设置为大于等于进一步地，需要将靠近信号输出端OUT的第一个串联谐振器的并联谐振频率设置为大于等于
表2信号输出端第一个并联谐振器的谐振频率与其功率密度之间的关系
表2所示为信号输出端第一个并联谐振器的串联谐振频率与第二最大功率密度之间的关系，其中参数指示谐振器中所有并联谐振器的串联谐振频率的平均值。以图7所示电路为例，其中将谐振器Res4的并联谐振频率设置为等于/>将谐振器Res7的串联谐振频率设置为等于/>在信号输入端IN输入功率为30dBm的高频信号，调整谐振器Res7的串联谐振频率，当谐振器Res7的串联谐振频率变化时，通过外围匹配电路将滤波器的性能调整到与之前性能相近，此时谐振器Res7不同的并联谐振频率对应的第二最大功率密度如表2所示。
具体地，当不改变谐振器Res7的串联谐振频率时，其第二最大功率密度为11w/mm2，当将谐振器Res7的并联谐振频率调整为原来的0.995倍时，其第二最大功率密度变为7w/mm2，即第二最大功率密度降低了36.36％；当将谐振器Res7的并联谐振频率调整为原来的1.005倍时，其第二最大功率密度变为16w/mm2，即第二最大功率密度提高了45.45％。
由上可知，谐振器Res7的串联谐振频率越低，第二最大功率密度越小，其所产生的二阶非线性谐波分量越小，滤波器的二阶非线性特性越好。
图10示出了滤波器非线性特性与信号输出端OUT第一个并联谐振器的串联谐振频率Fs之间的关系。其中，纵轴表示在信号输入端IN输入功率为30dBm的高频信号时，滤波器通带频率范围内滤波器的非线性最差点，横轴表示靠近信号输出端OUT的第一个并联谐振器的串联谐振频率Fs。由图可见，当靠近信号输出端OUT的第一个并联谐振器的串联谐振频率Fs等于时，滤波器非线性最差点在-32dBm；当靠近信号输出端OUT的第一个并联谐振器的串联谐振频率等于/>时，滤波器非线性最差点在-28dBm；当靠近信号输出端OUT的第一个并联谐振器的串联谐振频率等/>时，滤波器非线性最差点在-14dBm。
也就是说，在原滤波器设计中Fs等于的基础上，只需要通过改变Fp到0.995倍的/>即可将滤波器的非线性提升4dB，之后再减小滤波器的Fs，滤波器的非线性提升变得不明显。此外，当Fs增大到/>时，随着Fs的增大，滤波器非线性急剧恶化。综上，限定Fs小于等于/>进一步地Fs小于等于/>
可见，为了使得滤波器具有较优的非线性特性，需将靠近信号输出端OUT的第一个并联谐振器的串联谐振频率设置为小于等于进一步地，需要将靠近信号输出端OUT的第一个并联谐振器的串联谐振频率设置为小于等于
综上所述，梯型结构滤波器中靠近信号输出端OUT的第一个串联谐振器和第一个并联谐振器对滤波器非线性特性的影响是最大的，谐振器上产生的二阶非线性电压的强弱与谐振器的功率密度直接相关，功率密度越大产生的二阶非线性电压越大，功率密度大小又与谐振器的相对谐振频率相关，串联谐振器的并联谐振频率在所有串联谐振器中较低时，其功率密度较大，并联谐振器的串联谐振频率在所有并联谐振器中较高时，其功率密度较大。换句话说，当串联谐振器的并联谐振频率比所有串联谐振器的平均并联谐振频率低时，其功率密度较大，并联谐振器的串联谐振频率比所有并联谐振器的平均串联谐振频率高时，其功率密度较大。
因此，在本公开实施例中，为了获得较好的非线性特性，限定如下：
靠近信号输出端的第一个串联谐振器的并联谐振频率Fp_Sn满足如下条件
靠近信号输出端的第一个并联谐振器的串联谐振频率Fs_Pm满足如下条件
更进一步地，靠近信号输出端的第一个串联谐振器的并联谐振频率Fp_Sn满足如下条件
靠近信号输出端的第一个并联谐振器的串联谐振频率Fs_Pm满足如下条件
如此，能够获得更好的非线性特性。
图11示出了一种双工器的结构示意图，其中的第一滤波器210和第二滤波器220中的每个可以为图7所示的梯形滤波器，并且也可以是其他类型的滤波器，并且这些滤波器包括输入端、输出端、一个或多个串联谐振器和一个或多个并联谐振器，其中，靠近信号输出端的第一个串联谐振器和/或靠近信号输出端的第一个并联谐振器进行串联非线性拆分或并联非线性拆分，同时满足：
靠近信号输出端的第一个串联谐振器的并联谐振频率Fp_Sn满足如下条件
靠近信号输出端的第一个并联谐振器的串联谐振频率Fs_Pm满足如下条件
更进一步地，靠近信号输出端的第一个串联谐振器的并联谐振频率Fp_Sn满足如下条件
靠近信号输出端的第一个并联谐振器的串联谐振频率Fs_Pm满足如下条件
本发明所述双工器只作为示例，不起限制性作用，本发明所述结构亦可应用于三工器、四工器等多工器，或者包含上述滤波器或多工器的电子设备。
另外，本公开实施例还提供了一种通信设备，该通信设备包含如上参考附图描述的滤波器或双工器或多工器，其具体内容在此不再赘述，另外通信设备例如可以是射频前端、滤波放大模块等中间产品，也可以是手机、WIFI、无人机等终端产品或基站产品。
因此，本公开实施例提供了以下的方案：
1.一种滤波器，包括：输入端、输出端、一个或多个串联谐振器和一个或多个并联谐振器；其中
所述一个或多个串联谐振器中靠近所述输出端的第一个串联谐振器的并联谐振频率大于或等于所述一个或多个串联谐振器的平均并联谐振频率；和/或
所述一个或多个并联谐振器中靠近所述输出端的第一个并联谐振器的串联谐振频率小于或等于所述一个或多个并联谐振器的平均串联谐振频率。
2.根据1所述的滤波器，令所述一个或多个串联谐振器中靠近所述输出端的第一个串联谐振器的并联谐振频率为Fp，所述一个或多个串联谐振器的平均并联谐振频率为则/>
3.根据1所述的滤波器，令所述一个或多个并联谐振器中靠近所述输出端的第一个并联谐振器的串联谐振频率为Fs，所述一个或多个并联谐振器的平均串联谐振频率为则/>
4.根据1-3中任一项所述的滤波器，靠近所述输出端的第一级串联谐振器和/或第一级并联谐振器中的至少一个谐振器被串联非线性拆分成串联拆分谐振器或并联非线性拆分成并联拆分谐振器。
5.根据4所述的滤波器，所述串联拆分谐振器的个数为2n个，所述并联拆分谐振器的个数为2m个，其中n、m等于1、2、3……。
6.根据4所述的滤波器，所述串联拆分谐振器的面积相同，并且所述并联拆分谐振器的面积相同。
7.根据4所述的滤波器，所述串联拆分谐振器的形状相同，并且所述并联拆分谐振器的形状相同。
8.根据4所述的滤波器，所述串联拆分谐振器的面积为被拆分的谐振器的面积的2倍，并且所述并联拆分谐振器的面积为被拆分的谐振器的面积的1/2。
9.根据4所述的滤波器，所述串联拆分谐振器的平均谐振频率与被拆分的谐振器的谐振频率相同，并且所述并联拆分谐振器的平均谐振频率与被拆分的谐振器的谐振频率相同。
10.根据4所述的滤波器，所述串联拆分谐振器中任意两个相邻谐振器的极化方向相反，并且所述并联拆分谐振器中任意两个相邻谐振器的极化方向相反。
11.根据10所述的滤波器，所述串联拆分谐振器中相邻谐振器的上电极相连或者所述下电极相连；并且
所述并联拆分谐振器中相邻谐振器的上电极与下电极相连。
12.根据1所述的滤波器，所述滤波器在所述输入端和/或所述输出端还包含LC匹配电路。
13.一种多工器，包括根据1-12中任一项所述的滤波器。
14.一种通信设备，包括根据1-12中任一项所述的滤波器或者根据13所述的多工器。
以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (14)
1.一种滤波器，其特征在于，包括：输入端、输出端、一个或多个串联谐振器和一个或多个并联谐振器；其中所述一个或多个串联谐振器中靠近所述输出端的第一个串联谐振器的并联谐振频率大于或等于所述一个或多个串联谐振器的平均并联谐振频率；和/或
所述一个或多个并联谐振器中靠近所述输出端的第一个并联谐振器的串联谐振频率小于或等于所述一个或多个并联谐振器的平均串联谐振频率。
2.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，令所述一个或多个串联谐振器中靠近所述输出端的第一个串联谐振器的并联谐振频率为Fp，所述一个或多个串联谐振器的平均并联谐振频率为则/>
3.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，令所述一个或多个并联谐振器中靠近所述输出端的第一个并联谐振器的串联谐振频率为Fs，所述一个或多个并联谐振器的平均串联谐振频率为则/>
4.根据权利要求1-3中任一项所述的滤波器，其特征在于，靠近所述输出端的第一级串联谐振器和/或第一级并联谐振器中的至少一个谐振器被串联非线性拆分成串联拆分谐振器或并联非线性拆分成并联拆分谐振器。
5.根据权利要求4所述的滤波器，其特征在于，所述串联拆分谐振器的个数为2n个，所述并联拆分谐振器的个数为2m个，其中n、m等于1、2、3……。
6.根据权利要求4所述的滤波器，其特征在于，所述串联拆分谐振器的面积相同，并且所述并联拆分谐振器的面积相同。
7.根据权利要求4所述的滤波器，其特征在于，所述串联拆分谐振器的形状相同，并且所述并联拆分谐振器的形状相同。
8.根据权利要求4所述的滤波器，其特征在于，所述串联拆分谐振器的面积为被拆分的谐振器的面积的2倍，并且所述并联拆分谐振器的面积为被拆分的谐振器的面积的1/2。
9.根据权利要求4所述的滤波器，其特征在于，所述串联拆分谐振器的平均谐振频率与被拆分的谐振器的谐振频率相同，并且所述并联拆分谐振器的平均谐振频率与被拆分的谐振器的谐振频率相同。
10.根据权利要求4所述的滤波器，其特征在于，所述串联拆分谐振器中任意两个相邻谐振器的极化方向相反，并且所述并联拆分谐振器中任意两个相邻谐振器的极化方向相反。
11.根据权利要求10所述的滤波器，其特征在于，
所述串联拆分谐振器中相邻谐振器的上电极相连或者所述下电极相连；并且
所述并联拆分谐振器中相邻谐振器的上电极与下电极相连。
12.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述滤波器在所述输入端和/或所述输出端还包含LC匹配电路。
13.一种多工器，其特征在于，包括根据权利要求1-12中任一项所述的滤波器。
14.一种通信设备，其特征在于，包括根据权利要求1-12中任一项所述的滤波器或者根据权利要求13所述的多工器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211624746.0A CN117040477B (zh) | 2022-12-16 | 2022-12-16 | 一种滤波器、多工器和通信设备 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211624746.0A CN117040477B (zh) | 2022-12-16 | 2022-12-16 | 一种滤波器、多工器和通信设备 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117040477A true CN117040477A (zh) | 2023-11-10 |
| CN117040477B CN117040477B (zh) | 2024-01-23 |
Family
ID=88623170
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202211624746.0A Active CN117040477B (zh) | 2022-12-16 | 2022-12-16 | 一种滤波器、多工器和通信设备 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117040477B (zh) |
Citations (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5204613A (en) * | 1991-05-02 | 1993-04-20 | Wavetek Microwave, Inc. | Rf power sensor having improved linearity over greater dynamic range |
| US5854579A (en) * | 1997-08-25 | 1998-12-29 | Motorola Inc. | Saw filter using low-pass configuration and method of providing the same |
| CN103427779A (zh) * | 2012-05-16 | 2013-12-04 | 中兴通讯股份有限公司 | 一种梯形结构声波窄带带通滤波器 |
| US20150002241A1 (en) * | 2013-06-27 | 2015-01-01 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Duplexer |
| CN106026964A (zh) * | 2015-07-22 | 2016-10-12 | 邱星星 | 可调薄膜体声波谐振器和滤波器 |
| US10193509B1 (en) * | 2017-07-28 | 2019-01-29 | Avago Technologies International Sales Pte. Limited | Power amplifier harmonic matching network |
| CN109428561A (zh) * | 2017-08-28 | 2019-03-05 | 株式会社村田制作所 | 功率放大电路 |
| CN110135037A (zh) * | 2019-05-06 | 2019-08-16 | 贵州中科汉天下微电子有限公司 | 一种体声波谐振器纵波模式下材料参数的提取方法 |
| CN110995195A (zh) * | 2019-11-15 | 2020-04-10 | 天津大学 | 滤波器 |
| CN111211752A (zh) * | 2020-02-26 | 2020-05-29 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 滤波器及其制造方法、多工器和通信设备 |
| CN111917392A (zh) * | 2020-04-14 | 2020-11-10 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 压电滤波器及其带外抑制改善方法、多工器、通信设备 |
| CN114759899A (zh) * | 2021-01-08 | 2022-07-15 | 觉芯电子(无锡)有限公司 | 一种低插损声波带通滤波器及其实现方法 |
| CN115021710A (zh) * | 2021-03-04 | 2022-09-06 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 体声波滤波器及其谐波抑制方法和多工器以及通信设备 |
| US20220368313A1 (en) * | 2021-05-17 | 2022-11-17 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Ladder-type filter and multiplexer |
| CN115473509A (zh) * | 2021-06-10 | 2022-12-13 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 滤波器、多工器和电子设备 |
-
2022
- 2022-12-16 CN CN202211624746.0A patent/CN117040477B/zh active Active
Patent Citations (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5204613A (en) * | 1991-05-02 | 1993-04-20 | Wavetek Microwave, Inc. | Rf power sensor having improved linearity over greater dynamic range |
| US5854579A (en) * | 1997-08-25 | 1998-12-29 | Motorola Inc. | Saw filter using low-pass configuration and method of providing the same |
| CN103427779A (zh) * | 2012-05-16 | 2013-12-04 | 中兴通讯股份有限公司 | 一种梯形结构声波窄带带通滤波器 |
| US20150002241A1 (en) * | 2013-06-27 | 2015-01-01 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Duplexer |
| CN106026964A (zh) * | 2015-07-22 | 2016-10-12 | 邱星星 | 可调薄膜体声波谐振器和滤波器 |
| US10193509B1 (en) * | 2017-07-28 | 2019-01-29 | Avago Technologies International Sales Pte. Limited | Power amplifier harmonic matching network |
| CN109428561A (zh) * | 2017-08-28 | 2019-03-05 | 株式会社村田制作所 | 功率放大电路 |
| CN110135037A (zh) * | 2019-05-06 | 2019-08-16 | 贵州中科汉天下微电子有限公司 | 一种体声波谐振器纵波模式下材料参数的提取方法 |
| CN110995195A (zh) * | 2019-11-15 | 2020-04-10 | 天津大学 | 滤波器 |
| CN111211752A (zh) * | 2020-02-26 | 2020-05-29 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 滤波器及其制造方法、多工器和通信设备 |
| CN111917392A (zh) * | 2020-04-14 | 2020-11-10 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 压电滤波器及其带外抑制改善方法、多工器、通信设备 |
| CN114759899A (zh) * | 2021-01-08 | 2022-07-15 | 觉芯电子(无锡)有限公司 | 一种低插损声波带通滤波器及其实现方法 |
| CN115021710A (zh) * | 2021-03-04 | 2022-09-06 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 体声波滤波器及其谐波抑制方法和多工器以及通信设备 |
| US20220368313A1 (en) * | 2021-05-17 | 2022-11-17 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Ladder-type filter and multiplexer |
| CN115473509A (zh) * | 2021-06-10 | 2022-12-13 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 滤波器、多工器和电子设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN117040477B (zh) | 2024-01-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1432133B1 (en) | Duplexer and communication apparatus | |
| US8525620B2 (en) | BAW resonator filter bandwidth and out-of-band frequency rejection | |
| US20160218695A1 (en) | Ladder filter | |
| US6300849B1 (en) | Distributed element filter | |
| JPH07283688A (ja) | 弾性表面波フィルター | |
| CN115021710A (zh) | 体声波滤波器及其谐波抑制方法和多工器以及通信设备 | |
| US6208223B1 (en) | Receiving filter of a saw separator with greater electrode interdigitated width in first stage parallel resonator | |
| US8988170B2 (en) | Elastic wave filter device and communication apparatus equipped with the same | |
| CN215897689U (zh) | 谐波抑制电路、功率放大器模组、通信系统及芯片 | |
| CN111953314A (zh) | 滤波器设计方法和滤波器、多工器、通信设备 | |
| CN117040477B (zh) | 一种滤波器、多工器和通信设备 | |
| US7286028B2 (en) | Surface acoustic wave filter and device employing it | |
| US6867665B2 (en) | Filters implemented in integrated circuits | |
| CN117040476B (zh) | 一种滤波器、双工器、多工器以及通信设备 | |
| EP1895659B1 (en) | Piezoelectric thin-film filter | |
| CN117559958A (zh) | 一种滤波器、双工器、多工器以及通信设备 | |
| CN117013986B (zh) | 一种滤波器、双工器、多工器和通信设备 | |
| CN117097297B (zh) | 一种滤波器、双工器、多工器和通信设备 | |
| Menzel et al. | A capacitively coupled waveguide filter with wide stop-band | |
| CN221575321U (zh) | 拓扑结构、滤波器、多工器及通信设备 | |
| CN115996038B (zh) | 一种滤波器、多工器以及通信设备 | |
| US20240097714A1 (en) | Multiplexer | |
| JPH08154030A (ja) | 弾性表面波素子 | |
| US20240072763A1 (en) | Acoustic wave device and method of manufacturing acoustic wave device | |
| CN116800221A (zh) | 一种射频集成电路及射频前端装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |