CN115021710A - 体声波滤波器及其谐波抑制方法和多工器以及通信设备 - Google Patents

Abstract

本发明涉及滤波器技术领域，特别地涉及一种体声波滤波器及其谐波抑制方法和多工器以及通信设备，滤波器包括由多个低频谐振器组成的第一梯形拓扑结构，其中，滤波器在高次谐波区域存在第一传输峰值和第二传输峰值，该体声波滤波器谐波抑制方法包括：在第一拓扑结构输出端和所述滤波器的输出端之间设置高频谐振器组，高频谐振器组包括至少一个第一高频谐振器和/或至少一个第二高频谐振器；调整第一高频谐振器和第二高频谐振器的谐振频率在滤波器的谐波区域中的位置，从而抑制第一传输峰值和第二传输峰值。本发明提供的技术方案，采用增加高频谐振器组的方式，改善高次谐波对滤波器带外抑制的影响。

Description

体声波滤波器及其谐波抑制方法和多工器以及通信设备

技术领域

本发明涉及滤波器技术领域，特别地涉及一种体声波滤波器及其谐波抑制方法和多工器以及通信设备。

背景技术

移动通信向着多频段、多制式方向快速发展，作为射频前端关键器件的滤波器、多工器得到广泛关注，特别是在近些年发展最迅速的个人移动通信领域更是得到了广泛的应用。目前，在个人移动通信领域如手机终端得到广泛应用的滤波器、双工器多是由表面声波谐振器或体声波谐振器构成。相对于表面声波谐振器，体声波谐振器性能更具优势，体声波谐振器具有Q值高、频率覆盖范围广、散热性能好等特性，更适合未来5G甚至6G通信的发展需求。一方面由于体声波谐振器其谐振由机械波产生，而非电磁波作为谐振来源，机械波的波长比电磁波波长短很多，因此，体声波谐振器及其组成的滤波器体积相对传统的电磁滤波器尺寸大幅度减小；另一方面，由于压电晶体的晶向生长目前能够良好控制，谐振器的损耗极小，品质因数高，能够应对陡峭过渡带和低插入损耗等复杂设计要求。

通常情况下，体声波谐振器适合1.2GHz频率以上的频段，其不适合1.2GHz频率以下频段的原因为：当频率较低时，压电层较厚，因此导致谐振器面积较大，不利于产品小型化，但是，目前随着掺钪氮化铝技术和工艺的出现，这个问题已经被解决；另外，谐振频率较低时，谐振器的高次谐振幅度很强，谐振器组成的梯型拓扑结构除了形成一个基频通带外，还会在高频段即谐振器的高次谐振频率附近形成一个插损较差的滤波器伪通带，因此会导致滤波器的带外抑制，特别是高频段抑制恶化会影响滤波器的正常使用。

图1是现有的低频体声波谐振器的阻抗曲线图。该低频体声波谐振器使用典型的叠层结构，如图1所示，阻抗曲线包括2个谐振区域，即基频谐振区和谐波谐振区，其中，基频谐振区频率较低，谐振在900MHz左右，包括串联谐振频点和并联谐振频点，并联谐振频点的阻抗Rp为6500欧姆左右；谐波谐振区频率较高，谐振在3000MHz左右，包括串联谐振频点和并联谐振频点，并联谐振频点的Rp为800欧姆，具有较高的阻抗值。

图2是现有的滤波器中串联谐振器和并联谐振器的阻抗曲线图；图3是现有的滤波器的传输曲线图。如图2所示，图中实线为串联谐振器的阻抗曲线，串联谐振器的阻抗曲线和图1所示的阻抗曲线完全一样，该曲线同样包括2个谐振区域，即基频谐振区和谐波谐振区；图2中虚线为并联谐振器的阻抗曲线，该并联谐振器采用通常的加载质量负载的方法实现移频，该阻抗曲线和串联谐振器的阻抗曲线类似，包括2个谐振区域，即基频谐振区和谐波谐振区，基频谐振区频率较低，谐振在865MHz左右，包括串联谐振频点和并联谐振频点，其中，并联谐振频点的阻抗Rp为6500欧姆左右，谐波谐振区频率较高，谐振在2900MHz左右，包括串联谐振频点和并联谐振频点，其中，并联谐振频点的Rp为800欧姆，具有较高的阻抗值。通过对比两条曲线可知，并联谐振器基频的并联谐振频点位于串联谐振器基频的串联谐振频点附近，由多个上述串并联谐振器组成一个梯型拓扑结构的滤波器，其会在基频形成一个通带，即图3中900MHz附近的通带，另外，参考图3所示，在2900MHz附近也形成一个伪通带，此伪通带的存在恶化了该频率附近的带外抑制，其严重影响体声波滤波器在低频段的使用和推广，因此需要加以克服。

目前，针对这种谐振器高次谐波导致的带外抑制恶化，一般的技术手段是在滤波器的输入或输出端添加一个由电感、电容组成的LC谐振电路，并且使得该LC谐振电路的谐振频率刚好位于滤波器的谐波谐振区域，一般该LC谐振电路能额外带来30dB左右的抑制，所以通过该技术手段，可使得低频体声波滤波器的高次谐波抑制得到有效改善，一般可以改善到30dB以上。图4是现有的滤波器的改善后的拓扑结构。如图4所示，改善后的滤波器由两部分组成，第一部分为梯型结构滤波器11，第二部分为LC谐振电路12，LC谐振电路12由一个电容和一个电感串联组成，梯型结构滤波器11串接于输入端口1和输出端口2之间，LC谐振电路12一端接于输出端口2，另一端接地。需要说明的是，LC谐振电路12也可以一端接于输入端口1，另一端接地。

图5是现有滤波器的传输曲线改善效果图。如图5所示，图中实线为梯型结构滤波器11的传输曲线，图中所示的标号1所指线段为谐波区域，其抑制较差，而图中虚线2为LC谐振电路的传输曲线，其谐振位置刚好位于谐波抑制最差处，可以带来30dB左右的抑制，由此可以改善低频体声波滤波器的高次谐波抑制。但是，LC谐振电路在形成谐波抑制的同时，还要求其不能对基频通带产生较大的影响，否则基频通带插损会恶化，所以一般该LC谐振电路由小电容、大电感组成，电感值一般要大于4nH，然而大于4nH的电感在基板中难以实现，并且无法集成，不利于低频滤波器的小型化。

由此可知，为了使体声波谐振器能够在低频滤波器中得到应用，如何利用体声波谐振器技术减少高次谐波对滤波器带外抑制的影响，仍是待解决的技术问题。

发明内容

本发明提供了一种体声波滤波器及其谐波抑制方法和多工器以及通信设备，有助于改善高次谐波对滤波器带外抑制的影响。

本发明的一个方面，提供了一种体声波滤波器谐波抑制方法，所述滤波器包括由多个低频谐振器组成的第一梯形拓扑结构，其中，所述滤波器在高次谐波区域存在第一传输峰值和第二传输峰值，该方法包括：在所述第一拓扑结构输出端和所述滤波器的输出端之间设置高频谐振器组，所述高频谐振器组包括至少一个第一高频谐振器和/或至少一个第二高频谐振器，其中，第一高频谐振器为第一高频串联谐振器或第一高频并联谐振器，第二高频谐振器为第二高频并联谐振器；调整第一高频谐振器和/或第二高频谐振器的谐振频率在滤波器的谐波区域中的位置，从而抑制第一传输峰值和第二传输峰值。

可选地，所述方法还包括：通过在第一高频谐振器上增加质量负载，使所述第一高频串联谐振器的并联谐振频率或所述第一高频并联谐振器的串联谐振频率低于所述第二并联谐振器的串联谐振频率。

可选地，所述方法还包括：将第一高频谐振器的面积设置为第二高频谐振器面积的4至6倍，从而减小高频谐振器组对滤波器通带插损的影响。

本发明的另一个方面，还提供一种体声波滤波器，包括低频谐振器组和高频谐振器组；低频谐振器组包括多个低频串联谐振器和多个低频并联谐振器组成的第一梯形拓扑结构，高频谐振器组包括至少一个第一高频谐振器和/或至少一个第二高频谐振器组成的第二拓扑结构，其中，第一高频谐振器为第一高频串联谐振器或第一高频并联谐振器，第二高频谐振器为第二高频并联谐振器；第一梯形拓扑结构的输入端与滤波器输入端连接，第一梯形拓扑结构的输出端与第二拓扑结构的输入端连接，第二拓扑结构的输出端与滤波器输出端连接。

可选地，所述第二拓扑结构包括一个第一高频串联谐振器和一个第二高频并联谐振器；第一高频串联谐振器的第一端与第一拓扑结构的输出端连接，第二端与滤波器输出端连接；第二高频并联谐振器的第一端与第一高频串联谐振器的第一端或第二端连接，第二高频并联谐振器的第二端接地。

可选地，所述第二拓扑结构包括两个第一高频串联谐振器和一个第二高频并联谐振器；两个第一高频串联谐振器互相串联，并且二者串联在第一拓扑结构的输出端与滤波器输出端之间；第二高频并联谐振器的第一端连接于两个第一高频串联谐振器之间，第二端接地。

可选地，所述第二拓扑结构包括一个第一高频串联谐振器和两个第二高频并联谐振器；第一高频串联谐振器串联在第一拓扑结构的输出端与滤波器输出端之间；两个第二高频并联谐振器的第一端分别与第一高频串联谐振器的两端连接，两个第二高频并联谐振器的第二端接地。

可选地，所述第二拓扑结构包括两个第二高频并联谐振器；两个第二高频并联谐振器的第一端与滤波器输出端连接，第二端接地。

可选地，所述第一高频谐振器的顶电极上设有质量负载层，并且所述第一高频串联谐振器的并联谐振频率或所述第一高频并联谐振器的串联谐振频率低于所述第二并联谐振器的串联谐振频率。

可选地，所述第一高频谐振器的面积设置为所述第二高频谐振器面积的4至6倍。

本发明的又一个方面，还提供了一种多工器，包括上述体声波滤波器。

本发明的再一个方面，还提供了一种通信设备，包括上述体声波滤波器。

根据本发明的技术方案，滤波器由低频谐振器组和高频谐振器组组成，并且串接在一起，其中，低频谐振器组通过梯型拓扑结构设置覆盖基频频段，而高频谐振器组由2-3个谐振器组成，可以形成L型、T型或π型拓扑结构，在高频谐振器组中，高频串联谐振器的并联谐振频率位于低频滤波器的谐波区域的第一个传输峰值中心位置，高频并联谐振器的串联谐振频率位于低频滤波器的谐波区域的第二个传输峰值中心位置，由此可以抑制伪通带，改善谐波抑制；另外，相较于传统的串接LC谐振电路方案，本发明的技术方案可以使滤波器进一步缩小尺寸，有利于产品小型化。

附图说明

为了说明而非限制的目的，现在将根据本发明的优选实施例、特别是参考附图来描述本发明，其中：

图1是现有的低频体声波谐振器的阻抗曲线图；

图2是现有的滤波器中串联谐振器和并联谐振器的阻抗曲线图；

图3是现有的滤波器的传输曲线图；

图4是现有的滤波器的改善后的拓扑结构；

图5是现有滤波器的传输曲线改善效果图；

图6是本发明实施方式提供的滤波器的拓扑结构之一；

图7是图6中滤波器的低频谐振器组的传输曲线和高频谐振器阻抗曲线对比图；

图8是本发明实施方式提供的滤波器的低频谐振器组的传输曲线和高频谐振器组的传输曲线对比图；

图9为本发明实施方式提供的滤波器传输曲线对比图；

图10是本发明实施方式提供的滤波器的拓扑结构之二；

图11是本发明实施方式提供的滤波器的拓扑结构之三；

图12是本发明实施方式提供的滤波器的拓扑结构之四；

图13是本发明实施方式提供的滤波器的拓扑结构之五；

图14是本发明实施方式提供的滤波器的结构示意图。

具体实施方式

本发明实施方式中，采用增加高频谐振器组的方式，改善高次谐波对滤波器带外抑制的影响，以下具体加以说明。

本发明实施方式提供了一种采用混合谐振器改善高次谐波抑制的解决方案，该方案需要添加的高频谐振器数量较少，占用面积较少，与上述LC谐振电路方案相比，在滤波器小型化方面，有较大的优势。图6是本发明实施方式提供的滤波器的拓扑结构之一。

如图6所示，该滤波器由两部分组成，即低频谐振器组和高频谐振器组，其中，低频谐振器组形成的子滤波器覆盖频率范围880-915MHz，其梯型拓扑结构为5-4结构(本实施方式以5-4结构为例，但并不限于5-4结构，可以是任意的M-N结构，M和N为自然数)，包含1个串联支路和4个并联支路，串联支路由低频串联谐振器S11、S12、S13、S14和S15依次连接组成，串接于端口1和端口2之间，4个并联支路分别一端接于相邻低频串联谐振器之间，另一端接地，每条并联支路包括一个低频并联谐振器，如第一并联支路包括低频并联谐振器P11，第二并联支路包括低频并联谐振器P12，第三并联支路包括低频并联谐振器P13，第四并联支路包括低频并联谐振器P14。调整低频谐振器的叠层厚度使得低频串联谐振器的串联谐振频率位于滤波器基频的中心频率，而低频并联谐振器P11、P12、P13和P14需要加载质量负载，使得其串联谐振频率都低于低频串联谐振器的串联谐振频率，同时使得低频并联谐振器P11、P12、P13和P14的并联谐振频率位于滤波器基频的中心频率附近。通过优化低频串联谐振器的面积以及低频并联谐振器的质量负载，使得该低频谐振器组的基频插损、临带抑制满足指标要求。

图7是图6中滤波器的低频谐振器组的传输曲线和高频谐振器阻抗曲线对比图。如图7所示，图中实线为低频谐振器组所形成的传输曲线，由于低频谐振器高次谐波幅值较大的原因，会导致滤波器在高次谐波区域会出现二个较大的峰值。为了抑制这两个峰值，需要在端口2和端口3之间设置两个高频谐振器，以形成L型拓扑结构，其中，如图6所示，拓扑结构中高频串联谐振器S21串接于端口2和端口3之间，高频并联谐振器P21一端接于端口3，另一端接地。如图7所示，要说明的是高频串联谐振器S21的并联谐振频率位于滤波器的谐波区域的第一个传输峰值中心位置，并联谐振器的串联谐振频率位于滤波器的谐波区域的第二个传输峰值中心位置。即在该高频谐振器组中，高频串联谐振器S21的并联谐振频率低于高频并联谐振器P21的串联谐振频率，所以相对于高频并联谐振器P21，高频串联谐振器S21需要加载质量负载，另外为了减少对滤波器通带插损的影响，高频串联谐振器S21的面积要远大于高频并联谐振器P21，一般可设置高频串联谐振器S21的面积为高频并联谐振器P21面积的4-6倍之间。图7中的虚线1为高频串联谐振器S21的阻抗曲线，其并联谐振频点在3.17GHz，此位置刚好是滤波器的谐波区域的第一个传输峰值中心位置，虚线2为高频并联谐振器P21的阻抗曲线，其串联谐振频点在3.36GHz，此位置刚好是滤波器的谐波区域的第二个传输峰值中心位置。

图8是本发明实施方式提供的滤波器的低频谐振器组的传输曲线和高频谐振器组的传输曲线对比图；图9为本发明实施方式提供的滤波器传输曲线对比图。如图8所示，由高频串联谐振器S21、高频并联谐振器P21组成的L型拓扑结构，其传输曲线为图8中的粗虚线1，在3-3.6GHz范围内有个抑制凹坑，抑制度在14-25dB之间，同时在滤波器的基频通带引入的传输损耗接近于0dB。如图9所示，图中粗实线为只有低频谐振器的滤波器传输曲线，从图中可以看到，在谐波区域有两个传输峰值，虚线为增加高频谐振器组后的滤波器传输曲线，如图9所示，在谐波区域两个峰值抑制度都改善了17dB左右，使得该区域的抑制水平整体都大于30dB。

图10是本发明实施方式提供的滤波器的拓扑结构之二。如图10所示，该拓扑结构与图6所示的拓扑结构之一相比，两者的主要区别在于，在高频谐振器组中，高频并联谐振器P21的位置不同，图10中，高频串联谐振器S21和高频并联谐振器P21仍然组成一个L型拓扑结构，高频串联谐振器S21仍串接在端口2和端口3之间，但高频并联谐振器P21一端接端口2，另一端接地。图10所示的滤波器中，高频串联谐振器S21的特性不变，高频并联谐振器P21的特性也不变，该滤波器特性与图6所示的滤波器的特性相同，此处便不再一一赘述。

图11是本发明实施方式提供的滤波器的拓扑结构之三。如图11所示，该滤波器由两部分组成，即低频谐振器组和高频谐振器组组成，其中，低频谐振器组形成的子滤波器的梯型拓扑结构与图6中所示的梯型拓扑结构相同，此处便不再赘述。调整低频谐振器的叠层厚度使得低频串联谐振器的串联谐振频率位于滤波器基频的中心频率，而低频并联谐振器P11、P12、P13和P14需要加载质量负载，使得其串联谐振频率都低于低频串联谐振器的串联谐振频率，同时使得低频并联谐振器P11、P12、P13和P14的并联谐振频率位于滤波器基频的中心频率附近。通过优化低频串联谐振器的面积以及低频并联谐振器的质量负载，使得该低频谐振器组的基频插损、临带抑制满足指标要求。

如图11所示，高频谐振器组包含三个高频谐振器，三个高频谐振器组成T型拓扑结构，其串接于端口2和端口3，其中，高频串联谐振器S21和S22串联在一起，然后串接于端口2和端口3之间，高频并联谐振器P21一端接于高频串联谐振器S21和S22之间的节点，另一端接地。其中，高频串联谐振器S21和S22的并联谐振频率位于滤波器的谐波区域的第一个传输峰值中心位置，高频并联谐振器P21的串联谐振频率位于滤波器的谐波区域的第二个传输峰值中心位置。即在该高频谐振器组中，高频串联谐振器的并联谐振频率低于高频并联谐振器的串联谐振频率，所以相对于高频并联谐振器P21高频串联谐振器S21和S22需要加载质量负载，另外为了减少对滤波器通带插损的影响，高频串联谐振器S21和S22的面积相当，并且要远大于高频并联谐振器P21，一般可设置高频串联谐振器S21和S22的面积为高频并联谐振器P21面积的4-6倍之间。

图12是本发明实施方式提供的滤波器的拓扑结构之四。如图12所示，该滤波器与图11所示的拓扑结构之一相比，两者的主要区别在于，高频谐振器组的拓扑结构不同，图12中，高频谐振器组的拓扑结构包括1个高频串联谐振器和2个高频并联谐振器，三者组成一个π型拓扑结构，高频串联谐振器S21串接在端口2和端口3之间，高频并联谐振器P21一端接端口2，另一端接地，高频并联谐振器P22一端接端口3，另一端接地。高频串联谐振器的特性不变，高频并联谐振器的特性也不变，该滤波器特性与图11所示的滤波器的特性相同，此处便不再一一赘述

图13是本发明实施方式提供的滤波器的拓扑结构之五。如图13所示，该滤波器拓扑结构中，低频谐振器组的拓扑结构不变，在高频谐振器组的拓扑结构中，没有高频串联谐振器，包括两个高频并联谐振器，高频并联谐振器P21一端接端口2，另一端接地，高频并联谐振器P22一端接端口2，另一端接地。其中，高频并联谐振器P21的串联谐振频率位于滤波器的谐波区域的第一个传输峰值中心位置，而高频并联谐振器P22的串联谐振频率位于滤波器的谐波区域的第二个传输峰值中心位置，即在该高频谐振器组中，高频并联谐振器P21的串联谐振频率低于高频并联谐振器P22的串联谐振频率，所以相对于高频并联谐振器P22，高频并联谐振器P21需要加载质量负载。

图14是本发明实施方式提供的滤波器的结构示意图。如图14所示，图中，封装基板为有机材料，低频谐振器制作在晶圆502上，该晶圆倒置焊接在基板501上，高频谐振器制作在晶圆503上，该晶圆同样倒置焊接在基板501上，晶圆502和晶圆503通过过孔在基板501上实现电气连接，从而构成一个完整的滤波器。

根据本发明实施方式的技术方案，滤波器由低频谐振器组和高频谐振器组组成，并且串接在一起，其中，低频谐振器组通过梯型拓扑结构设置覆盖基频频段，而高频谐振器组由2-3个谐振器组成，可以形成L型、T型或π型拓扑结构，在高频谐振器组中，高频串联谐振器的并联谐振频率位于低频滤波器的谐波区域的第一个传输峰值中心位置，高频并联谐振器的串联谐振频率位于低频滤波器的谐波区域的第二个传输峰值中心位置，由此可以抑制伪通带，改善谐波抑制；另外，相较于传统的串接LC谐振电路方案，本发明实施方式的技术方案可以使滤波器进一步缩小尺寸，有利于产品小型化。

上述具体实施方式，并不构成对本发明保护范围的限制。本领域技术人员应该明白的是，取决于设计要求和其他因素，可以发生各种各样的修改、组合、子组合和替代。任何在本发明的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明保护范围之内。

Claims (12)

1.一种体声波滤波器谐波抑制方法，所述滤波器包括由多个低频谐振器组成的第一梯形拓扑结构，其中，所述滤波器在高次谐波区域存在第一传输峰值和第二传输峰值，其特征在于，该方法包括：

在所述第一拓扑结构输出端和所述滤波器的输出端之间设置高频谐振器组，所述高频谐振器组包括至少一个第一高频谐振器和/或至少一个第二高频谐振器，其中，第一高频谐振器为第一高频串联谐振器或第一高频并联谐振器，第二高频谐振器为第二高频并联谐振器；

调整第一高频谐振器和/或第二高频谐振器的谐振频率在滤波器的谐波区域中的位置，从而抑制第一传输峰值和第二传输峰值。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

通过在第一高频谐振器上增加质量负载，使所述第一高频串联谐振器的并联谐振频率或所述第一高频并联谐振器的串联谐振频率低于所述第二并联谐振器的串联谐振频率。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

将第一高频谐振器的面积设置为第二高频谐振器面积的4至6倍，从而减小高频谐振器组对滤波器通带插损的影响。

4.一种体声波滤波器，其特征在于，包括低频谐振器组和高频谐振器组；

低频谐振器组包括多个低频串联谐振器和多个低频并联谐振器组成的第一梯形拓扑结构，高频谐振器组包括至少一个第一高频谐振器和/或至少一个第二高频谐振器组成的第二拓扑结构，其中，第一高频谐振器为第一高频串联谐振器或第一高频并联谐振器，第二高频谐振器为第二高频并联谐振器；

第一梯形拓扑结构的输入端与滤波器输入端连接，第一梯形拓扑结构的输出端与第二拓扑结构的输入端连接，第二拓扑结构的输出端与滤波器输出端连接。

5.根据权利要求4所述的体声波滤波器，其特征在于，

所述第二拓扑结构包括一个第一高频串联谐振器和一个第二高频并联谐振器；

第一高频串联谐振器的第一端与第一拓扑结构的输出端连接，第二端与滤波器输出端连接；

第二高频并联谐振器的第一端与第一高频串联谐振器的第一端或第二端连接，第二高频并联谐振器的第二端接地。

6.根据权利要求4所述的体声波滤波器，其特征在于，所述第二拓扑结构包括两个第一高频串联谐振器和一个第二高频并联谐振器；

两个第一高频串联谐振器互相串联，并且二者串联在第一拓扑结构的输出端与滤波器输出端之间；

第二高频并联谐振器的第一端连接于两个第一高频串联谐振器之间，第二端接地。

7.根据权利要求4所述的体声波滤波器，其特征在于，所述第二拓扑结构包括一个第一高频串联谐振器和两个第二高频并联谐振器；

第一高频串联谐振器串联在第一拓扑结构的输出端与滤波器输出端之间；

两个第二高频并联谐振器的第一端分别与第一高频串联谐振器的两端连接，两个第二高频并联谐振器的第二端接地。

8.根据权利要求4所述的体声波滤波器，其特征在于，

所述第二拓扑结构包括两个第二高频并联谐振器；

两个第二高频并联谐振器的第一端与滤波器输出端连接，第二端接地。

9.根据权利要求4至8中任一项所述的体声波滤波器，其特征在于，所述第一高频谐振器的顶电极上设有质量负载层，并且所述第一高频串联谐振器的并联谐振频率或所述第一高频并联谐振器的串联谐振频率低于所述第二并联谐振器的串联谐振频率。

10.根据权利要求4至8中任一项所述的体声波滤波器，其特征在于，所述第一高频谐振器的面积设置为所述第二高频谐振器面积的4至6倍。

11.一种多工器，其特征在于，包括多个如权利要求4至10中任一项所述的体声波滤波器。

12.一种通信设备，其特征在于，包括如权利要求4至10中任一项所述的体声波滤波器。

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