CN117134738B - 一种拓扑结构对称或者近似对称的声波滤波器及通信设备 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种拓扑结构对称或者近似对称的声波滤波器及通信设备，包括输入端口IN和输出端口OUT，输入端口IN和输出端口OUT之间设置有串联谐振电路，串联谐振电路包括N个串联谐振器Se；N个串联谐振器Se两端均连接有并联谐振电路，并联谐振电路均包括一个并联谐振器Sh；串联谐振电路中的N个串联谐振器Se位置对称设置；并联谐振电路为N+1条，且沿串联谐振电路方向位置对称设置；并联谐振器Sh均连接有对地电感G；本申请使得用于优化的参数更少和更小的调节范围，更容易通过设计获得良好的滤波器性能，同时结构和参数的对称，能够同时获得较好的输入和输出端匹配。

Description

一种拓扑结构对称或者近似对称的声波滤波器及通信设备

技术领域

本申请涉及通讯技术领域，具体地涉及一种拓扑结构对称或者近似对称的声波滤波器及通信设备。

背景技术

声波滤波器在射频通信系统中是最重要的器件之一，它的性能的好坏直接影响整个通信系统的性能。然而声波滤波器的设计难度较大，一方面要调节和优化的参数较多，且和工艺相关性较大；另一方面，声波滤波器的各项指标较难设计的较好，其中各项指标中，回波损耗作为衡量匹配的最重要的指标之一，它的好坏也直接决定了声波滤波器的综合性能。另外，声波滤波器的功率也是核心指标之一，影响它的因素较多，也是声波滤波器性能的瓶颈之一，功率是否满足要求直接决定了器件是否可以在系统中应用。

声波滤波器的设计过程中，拓扑结构的选取是非常重要的，也直接决定了设计难度，回波损耗和功率等性能。

现有技术是非对称或者非近似对称结构，因为输入和输出端结构和参数的不对称，在实际设计和实现过程中，因为输入和输出结构和参数不对称就会导致阻抗的不同，输入和输出难以同时形成较好的匹配，或者会牺牲其他的性能指标，比如插损，滚降等参数来实现良好的阻抗匹配，也就是较好的回波S11和S22；阻抗具有良好的匹配有非常重要的意义：一方面会使得能量在对应端口传播的时候，有较少的反射，可以保证能量大部分通过，避免了能量损失，另一方面，滤波器一般连接在其他有源器件之前或者之后，阻抗的严重不匹配会导致其他有源器件的工作状态处于非最优状态，对整个系统的性能有严重的恶化，对于频率更高(频率大于1.5GHz)的器件，这种阻抗匹配失配导致系统性能恶化的情况更加严重。

本背景技术描述的内容仅为了便于了解本领域的相关技术，不视作对现有技术的承认。

发明内容

本发明实施例的其他可选特征和技术效果一部分在下文描述，一部分可通过阅读本文而明白。

一种拓扑结构对称或者近似对称的声波滤波器，包括输入端口IN和输出端口OUT，所述输入端口IN和输出端口OUT之间设置有串联谐振电路，所述串联谐振电路包括N个串联谐振器Se；

所述N个串联谐振器Se两端均连接有并联谐振电路，所述并联谐振电路均包括一个并联谐振器Sh；

所述串联谐振电路中的N个串联谐振器Se位置对称设置；

所述并联谐振电路为N+1条，且沿串联谐振电路方向位置对称设置；

所述并联谐振器Sh均连接有对地电感G。

进一步的，所述输入端口IN和输出端口OUT均串联和/或并联有一个或多个匹配电感L。

进一步的，所述N为大于等于1的正整数。

进一步的，串联谐振电路和并联谐振电路并联位置对称的两部分串联谐振器Se和并联谐振器Sh分别为对应器件，对应器件之间有至少一个参数相同或者近似相同。

进一步的，所述参数包括面积、频率、机电耦合系数、各层层叠结构的尺寸和厚度。

进一步的，所述参数相同或者近似相同为同种参数差别范围不大于25％。

进一步的，所述参数相同或者近似相同为同种参数差别范围不大于5％。

进一步的，所述串联谐振电路中从远离至靠近对称中心的串联谐振器Se的频率依次递减。

进一步的，所述串联谐振电路中从远离至靠近对称中心的串联谐振器Se的面积依次递增或依次递减。

进一步的，所述并联谐振电路中从远离至靠近对称中心的并联谐振器Sh的频率依次递减增。

进一步的，所述并联谐振电路中从远离至靠近对称中心的并联谐振器Sh的面积依次递增或依次递减。

进一步的，所述串联谐振电路中靠近对称中心的串联谐振器Se的频率至少低于远离对称中心侧相邻两个串联谐振器Se中一个的频率。

进一步的，所述串联谐振电路中靠近对称中心的串联谐振器Se的面积至少小于远离对称中心侧相邻两个串联谐振器Se中一个的面积。

进一步的，所述并联谐振电路中靠近对称中心的并联谐振器Sh的频率至少大于远离对称中心侧相邻两个并联谐振器Sh中一个的频率。

进一步的，所述并联谐振电路中靠近对称中心的并联谐振器Sh的面积至少大于远离对称中心侧相邻两个并联谐振器Sh中一个的面积。

进一步的，所述串联谐振电路中所有串联谐振器Se的频率差小于或等于所有并联谐振电路中并联谐振器Sh的频率差。

进一步的，当所述串联谐振器Se的数量为奇数时，位于最中间的串联谐振器Se两侧的串联谐振器Se依次一一对应形成位置对称的串联谐振器Se。

进一步的，当所述串联谐振器Se的数量为偶数时，位于最中间的两个串联谐振器Se及其两侧的串联谐振器Se依次一一对应形成位置对称的串联谐振器Se。

进一步的，当所述并联谐振器Sh的数量为奇数时，位于最中间的并联谐振器Sh两侧的并联谐振器Sh依次一一对应形成位置对称的并联谐振器Sh。

进一步的，当所述并联谐振器Sh的数量为偶数时，位于最中间的两个并联谐振器Sh及其两侧的并联谐振器Sh依次一一对应形成位置对称的并联谐振器Sh。

进一步的，同一对地电感G连接一个或多个并联谐振器Sh。

进一步的，所述对地电感G的数量小于等于并联谐振器Sh的数量。

进一步的，靠近所述输入端口In和输出端口Out的第一个谐振器为并联谐振器Sh。

一种拓扑结构对称或者近似对称的声波滤波器的通信设备，含有一种拓扑结构对称或者近似对称的声波滤波器。

有益效果

本发明公开了一种拓扑结构对称或者近似对称的声波滤波器及通信设备，包括输入端口IN和输出端口OUT，输入端口IN和输出端口OUT之间设置有串联谐振电路，串联谐振电路包括N个串联谐振器Se；N个串联谐振器Se两端均连接有并联谐振电路，并联谐振电路均包括一个并联谐振器Sh；串联谐振电路中的N个串联谐振器Se位置对称设置；并联谐振电路为N+1条，且沿串联谐振电路方向位置对称设置；并联谐振器Sh均连接有对地电感G；本申请使得用于优化的参数更少和更小的调节范围，更容易通过设计获得良好的滤波器性能，同时结构和参数的对称，能够同时获得较好的输入和输出端匹配。

附图说明

以下，结合附图来详细说明本发明的实施例，所示出的元件不受附图所显示的比例限制，附图中相同或相似的附图标记表示相同或类似的元件，其中：

图1示出了本发明具体实施例一中一种拓扑结构对称或者近似对称的声波滤波器；

图2示出了本发明具体实施例二中一种拓扑结构对称或者近似对称的声波滤波器；

图3示出了本发明具体实施例三中一种拓扑结构对称或者近似对称的声波滤波器；

图4示出了本发明具体实施例四中一种拓扑结构对称或者近似对称的声波滤波器；

图5示出了本发明具体实施例五中一种拓扑结构对称或者近似对称的声波滤波器；

图6示出了本发明具体实施例六中一种拓扑结构对称或者近似对称的声波滤波器；

图7示出了本发明具体实施例七中一种拓扑结构对称或者近似对称的声波滤波器；

图8示出了本发明具体实施例八中一种拓扑结构对称或者近似对称的声波滤波器；

图9示出了本发明具体实施例九中一种拓扑结构对称或者近似对称的声波滤波器；

图10示出了本发明具体实施例十中一种拓扑结构对称或者近似对称的声波滤波器；

图11示出了本发明具体实施例十一中一种拓扑结构对称或者近似对称的声波滤波器；

图12示出了本发明具体实施例十二中一种拓扑结构对称或者近似对称的声波滤波器；

图13示出了本发明具体实施例十三中一种拓扑结构对称或者近似对称的声波滤波器；

图14示出了本发明具体实施例一种对地电感G和匹配电感L的连接方式；

图15示出了本发明具体实施例另一种对地电感G和匹配电感L的连接方式；

图16示出了本发明具体实施例另一种对地电感G和匹配电感L的连接方式；

图17示出了本发明具体实施例另一种对地电感G和匹配电感L的连接方式；

图18示出了本发明具体实施例中各个串联或者并联谐振器包含多个串联谐振器连接的情况示意图；

图19示出了本发明具体实施例中各个串联或者并联谐振器包含多个并联谐振器连接的情况；

图20示出了本发明和现有技术回波损耗对比曲线图。

具体实施方式

下面结合附图对本公开实施例进行详细描述。

以下通过特定的具体实例说明本公开的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本公开的其他优点与功效。显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。本公开还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本公开的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于本公开中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

需要说明的是，下文描述在所附权利要求书的范围内的实施例的各种方面。应显而易见，本文中所描述的方面可体现于广泛多种形式中，且本文中所描述的任何特定结构及/或功能仅为说明性的。基于本公开，所属领域的技术人员应了解，本文中所描述的一个方面可与任何其它方面独立地实施，且可以各种方式组合这些方面中的两者或两者以上。举例来说，可使用本文中所阐述的任何数目个方面来实施设备及/或实践方法。另外，可使用除了本文中所阐述的方面中的一或多者之外的其它结构及/或功能性实施此设备及/或实践此方法。

还需要说明的是，以下实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本公开的基本构想，图式中仅显示与本公开中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。

另外，在以下描述中，提供具体细节是为了便于透彻理解实例。然而，所属领域的技术人员将理解，可在没有这些特定细节的情况下实践所述方面。

在本发明提供一种拓扑结构对称或者近似对称的声波滤波器，包括输入端口IN和输出端口OUT，所述输入端口IN和输出端口OUT之间设置有串联谐振电路，所述串联谐振电路包括N个串联谐振器Se；

所述N个串联谐振器Se两端均连接有并联谐振电路，所述并联谐振电路均包括一个并联谐振器Sh；

所述串联谐振电路中的N个串联谐振器Se位置对称设置；

所述并联谐振电路为N+1条，且沿串联谐振电路方向位置对称设置；

所述并联谐振器Sh均连接有对地电感G。

优选的，所述输入端口IN和输出端口OUT均串联和/或并联有一个或多个匹配电感L，具体的，所述输入端口IN和输出端口OUT连接的匹配电感L称之为对应的匹配电感L，但是对应的匹配电感L之间的数量、连接方式、电感参数以及连接节点可以不同，除了匹配电感之外，也可根据需要增加匹配电容，匹配电容之间的数量、连接方式、电感参数以及连接节点也可以不同，本领域技术人员可以基于实际的生产需求对其进行设置；具体的，如图15和图16所示，输入端口IN分别连接匹配电感L1和匹配电感L2，输出端口连接有匹配电感L1’，匹配电感L1和匹配电感L1’的电感参数可以相同也可不同。

优选的，同一对地电感G连接一个或多个并联谐振器Sh；具体的，对地电感G间的参数可以相同、近似相同或不同，且对地电感G之间的数量、连接方式、电感参数以及连接节点可以不同，本领域技术人员可以基于实际的生产需求对其进行设置，因为对地电感G主要影响通带两侧带外抑制的零点位置，一般情况下，通带两侧带外抑制零点的位置不相同，因此也无需设置上述参数相同或者近似相同，如图14所示，并联谐振器Sh1和并联谐振器Sh2分别连接同一对地电感G1，并联谐振器Sh2’连接有对地电感G2’，并联谐振器Sh1’连接有对地电感G2’和对地电感G1’；如图17所示，并联谐振器Sh1和并联谐振器Sh2’分别连接同一对地电感G1，并联谐振器Sh2和并联谐振器Sh1’分别连接有对地电感G2’，对地电感G1’连接有对地电感G2，并联谐振器Sh1’连接有对地电感G1，其中所述的对地电感G1、对地电感G1’、对地电感G2’和对地电感G2的电感参数可以相同也可不同。

具体的，所述N为大于等于1的正整数。

优选的，串联谐振电路和并联谐振电路并联位置对称的两部分串联谐振器Se和并联谐振器Sh分别为对应器件，对应器件之间有至少一个参数相同或者近似相同；具体的，所述参数包括面积、频率、机电耦合系数、各层层叠结构的尺寸和厚度等；具体的，所述参数相同或者近似相同为同种参数差别范围不大于25％，优选的差别范围不大于5％。

优选的，所述串联谐振电路中从远离至靠近对称中心的串联谐振器Se的频率依次递减，面积依次递增或依次递减；所述并联谐振电路中从远离至靠近对称中心的并联谐振器Sh的频率依次递减增，面积依次递增或依次递减。

具体的，所述串联谐振电路中靠近对称中心的串联谐振器Se的频率至少低于远离对称中心侧相邻两个串联谐振器Se中一个的频率；所述串联谐振电路中靠近对称中心的串联谐振器Se的面积至少小于远离对称中心侧相邻两个串联谐振器Se中一个的面积；

所述并联谐振电路中靠近对称中心的并联谐振器Sh的频率至少大于远离对称中心侧相邻两个并联谐振器Sh中一个的频率；所述并联谐振电路中靠近对称中心的并联谐振器Sh的面积至少大于远离对称中心侧相邻两个并联谐振器Sh中一个的面积。

优选的，所述串联谐振电路中所有串联谐振器Se的频率差小于或等于所有并联谐振电路中并联谐振器Sh的频率差。

优选的，当所述串联谐振器Se的数量为奇数时，位于最中间的串联谐振器Se两侧的串联谐振器Se依次一一对应形成位置对称的串联谐振器Se，当所述串联谐振器Se的数量为偶数时，位于最中间的两个串联谐振器Se及其两侧的串联谐振器Se依次一一对应形成位置对称的串联谐振器Se；当所述并联谐振器Sh的数量为奇数时，位于最中间的并联谐振器Sh两侧的并联谐振器Sh依次一一对应形成位置对称的并联谐振器Sh；当所述并联谐振器Sh的数量为偶数时，位于最中间的两个并联谐振器Sh及其两侧的并联谐振器Sh依次一一对应形成位置对称的并联谐振器Sh。

实施例一，如图1所示，其中包含了输入端口IN和输出端口OUT，匹配电感L1和匹配电感L1’的一端连接到输入端口IN或输出端口OUT，另一端分别连接到串联谐振电路的两端；

拓扑结构中串联谐振电路包括三个串联谐振器Se，其依次分别为串联谐振器Se1、串联谐振器Se2和串联谐振器Se1’；并联谐振电路为四条，分别包括并联谐振器Sh1、并联谐振器Sh2、并联谐振器Sh2’和并联谐振器Sh1’；并联谐振电路均连接有对地电感G一端，对地电感G另一端接地，对地电感G分别为对地电感G1、对地电感G2、对地电感G2’和对地电感G1’；其中，以分割线A为对称线，将滤波器分割为左右对称的两部分，左右对称的两部分中的对应器件的至少一个参数相同或者近似相同；其中串联谐振器Se1和串联谐振器Se1’构成位置对称的对应器件，并联谐振器Sh1和并联谐振器Sh1’构成位置对称的对应器件，并联谐振器Sh2和并联谐振器Sh2’构成位置对称的对应器件，匹配电感L1和匹配电感L1’构成位置对称的对应器件；

对于串联谐振器Se和并联谐振器Sh，至少有一个谐振器的参数比如面积、频率或机电耦合系数等为相同或者近似相同，近似相同的定义为在25％以内，更优的，为5％以内；需要注意的是对地电感G1和对地电感G1’，对地电感G2和对地电感G2’虽然为对称位置，但并不需要为相同或者近似相同，因为对地电感G主要影响通带两侧带外抑制的零点位置，一般情况下，通带两侧带外抑制零点的位置不相同，因此也无需设置上述参数相同或者近似相同；另外，需要说明的是：三个串联谐振器Se上最大的频率差小于等于四个并联谐振器Sh间的最大的频率差。

同时，串联谐振器Se2的频率至少低于串联谐振器Se1和串联谐振器Se1’其中之一，并联谐振器Sh2和并联谐振器Sh2’的其中至少一个的频率高于并联谐振器Sh1和并联谐振器Sh1’其中至少一个的频率；串联谐振器Se2的面积至少小于串联谐振器Se1和串联谐振器Se1’其中之一，并联谐振器Sh2和并联谐振器Sh2’的其中至少一个的面积高于并联谐振器Sh1和并联谐振器Sh1’其中至少一个的面积，用于实现更佳的性能。

实施例二，如图2所示，其中包含了输入端口IN和输出端口OUT，匹配电感L1和匹配电感L1’的一端连接到输入端口IN或输出端口OUT，另一端分别连接到串联谐振电路的两端；

拓扑结构中串联谐振电路包括三个串联谐振器Se，其依次分别为串联谐振器Se1、串联谐振器Se2和串联谐振器Se1’；并联谐振电路为四条，分别包括并联谐振器Sh1、并联谐振器Sh2、并联谐振器Sh2’和并联谐振器Sh1’；并联谐振电路均连接有对地电感G一端，对地电感G另一端接地，对地电感G分别为对地电感G1和对地电感G1’，其中，并联谐振器Sh1和并联谐振器Sh2’共同连接对地电感G1，并联谐振器Sh2和并联谐振器Sh1’共同连接对地电感G1’，其在结构上仍然保持对称或者近似对称的结构；

其中，以分割线A为对称线，将滤波器分割为左右对称的两部分，左右对称的两部分中的对应器件的至少一个参数相同或者近似相同；其中串联谐振器Se1和串联谐振器Se1’构成位置对称的对应器件，并联谐振器Sh1和并联谐振器Sh1’构成位置对称的对应器件，并联谐振器Sh2和并联谐振器Sh2’构成位置对称的对应器件，匹配电感L1和匹配电感L1’构成位置对称的对应器件；

对于串联谐振器Se和并联谐振器Sh，至少有一个谐振器的参数比如面积、频率或机电耦合系数等为相同或者近似相同，近似相同的定义为在25％以内，更优的，为5％以内；需要注意的是对地电感G1和对地电感G1’虽然为对称位置，但并不需要为相同或者近似相同，因为对地电感G主要影响通带两侧带外抑制的零点位置，一般情况下，通带两侧带外抑制零点的位置不相同，因此也无需设置上述参数相同或者近似相同；另外，需要说明的是：三个串联谐振器Se上最大的频率差小于等于四个并联谐振器Sh间的最大的频率差。

同时，串联谐振器Se2的频率至少低于串联谐振器Se1和串联谐振器Se1’其中之一，并联谐振器Sh2和并联谐振器Sh2’的其中至少一个的频率高于并联谐振器Sh1和并联谐振器Sh1’其中至少一个的频率；串联谐振器Se2的面积至少小于串联谐振器Se1和串联谐振器Se1’其中之一，并联谐振器Sh2和并联谐振器Sh2’的其中至少一个的面积高于并联谐振器Sh1和并联谐振器Sh1’其中至少一个的面积，用于实现更佳的性能。

实施例三，如图3所示，其中包含了输入端口IN和输出端口OUT，匹配电感L1和匹配电感L1’的一端连接到输入端口IN或输出端口OUT，另一端分别连接到串联谐振电路的两端；

拓扑结构中串联谐振电路包括三个串联谐振器Se，其依次分别为串联谐振器Se1、串联谐振器Se2和串联谐振器Se1’；并联谐振电路为四条，分别包括并联谐振器Sh1、并联谐振器Sh2、并联谐振器Sh2’和并联谐振器Sh1’；并联谐振电路末端共同连接对地电感G1一端，其在结构上仍然保持对称或者近似对称的结构；

其中，以分割线A为对称线，将滤波器分割为左右对称的两部分，左右对称的两部分中的对应器件的至少一个参数相同或者近似相同；其中串联谐振器Se1和串联谐振器Se1’构成位置对称的对应器件，并联谐振器Sh1和并联谐振器Sh1’构成位置对称的对应器件，并联谐振器Sh2和并联谐振器Sh2’构成位置对称的对应器件，匹配电感L1和匹配电感L1’构成位置对称的对应器件；

对于串联谐振器Se和并联谐振器Sh，至少有一个谐振器的参数比如面积、频率或机电耦合系数等为相同或者近似相同，近似相同的定义为在25％以内，更优的，为5％以内；另外，需要说明的是：三个串联谐振器Se上最大的频率差小于等于四个并联谐振器Sh间的最大的频率差。

同时，串联谐振器Se2的频率至少低于串联谐振器Se1和串联谐振器Se1’其中之一，并联谐振器Sh2和并联谐振器Sh2’的其中至少一个的频率高于并联谐振器Sh1和并联谐振器Sh1’其中至少一个的频率；串联谐振器Se2的面积至少小于串联谐振器Se1和串联谐振器Se1’其中之一，并联谐振器Sh2和并联谐振器Sh2’的其中至少一个的面积高于并联谐振器Sh1和并联谐振器Sh1’其中至少一个的面积，用于实现更佳的性能。

实施例四，如图4所示，其中包含了输入端口IN和输出端口OUT，匹配电感L1和匹配电感L1’的一端连接到输入端口IN或输出端口OUT，另一端分别连接到串联谐振电路的两端；

拓扑结构中串联谐振电路包括三个串联谐振器Se，其依次分别为串联谐振器Se1、串联谐振器Se2和串联谐振器Se1’；并联谐振电路为四条，分别包括并联谐振器Sh1、并联谐振器Sh2、并联谐振器Sh2’和并联谐振器Sh1’；并联谐振电路均连接有同一对地电感G1一端，对地电感G1另一端接地；其中，以分割线A为对称线，将滤波器分割为左右对称的两部分，左右对称的两部分中的对应器件的至少一个参数相同或者近似相同；其中串联谐振器Se1和串联谐振器Se1’构成位置对称的对应器件，并联谐振器Sh1和并联谐振器Sh1’构成位置对称的对应器件，并联谐振器Sh2和并联谐振器Sh2’构成位置对称的对应器件，匹配电感L1和匹配电感L1’构成位置对称的对应器件；

对于串联谐振器Se和并联谐振器Sh，至少有一个谐振器的参数比如面积、频率或机电耦合系数等为相同或者近似相同，近似相同的定义为在25％以内，更优的，为5％以内；另外，需要说明的是：三个串联谐振器Se上最大的频率差小于等于四个并联谐振器Sh间的最大的频率差。

同时，串联谐振器Se2的频率至少低于串联谐振器Se1和串联谐振器Se1’其中之一，并联谐振器Sh2和并联谐振器Sh2’的其中至少一个的频率高于并联谐振器Sh1和并联谐振器Sh1’其中至少一个的频率；串联谐振器Se2的面积至少小于串联谐振器Se1和串联谐振器Se1’其中之一，并联谐振器Sh2和并联谐振器Sh2’的其中至少一个的面积高于并联谐振器Sh1和并联谐振器Sh1’其中至少一个的面积，用于实现更佳的性能。

实施例五，如图5所示，其中包含了输入端口IN和输出端口OUT，输入端口IN和输出端口OUT之间连接串联谐振电路，输入端口IN还连接有匹配电感L2一端，匹配电感L2另一端接地，输出端口OUT还连接有匹配电感L2’另一端，匹配电感L2另一端接地；

拓扑结构中串联谐振电路包括三个串联谐振器Se，其依次分别为串联谐振器Se1、串联谐振器Se2和串联谐振器Se1’；并联谐振电路为四条，分别包括并联谐振器Sh1、并联谐振器Sh2、并联谐振器Sh2’和并联谐振器Sh1’；并联谐振电路均连接有对地电感G一端，对地电感G另一端接地，对地电感G分别为对地电感G1、对地电感G2、对地电感G2’和对地电感G1’；其中，以分割线A为对称线，将滤波器分割为左右对称的两部分，左右对称的两部分中的对应器件的至少一个参数相同或者近似相同；其中串联谐振器Se1和串联谐振器Se1’构成位置对称的对应器件，并联谐振器Sh1和并联谐振器Sh1’构成位置对称的对应器件，并联谐振器Sh2和并联谐振器Sh2’构成位置对称的对应器件，匹配电感L2和匹配电感L2’构成位置对称的对应器件；

对于串联谐振器Se和并联谐振器Sh，至少有一个谐振器的参数比如面积、频率或机电耦合系数等为相同或者近似相同，近似相同的定义为在25％以内，更优的，为5％以内；需要注意的是对地电感G1和对地电感G1’，对地电感G2和对地电感G2’虽然为对称位置，但并不需要为相同或者近似相同，因为对地电感G主要影响通带两侧带外抑制的零点位置，一般情况下，通带两侧带外抑制零点的位置不相同，因此也无需设置上述参数相同或者近似相同；另外，需要说明的是：三个串联谐振器Se上最大的频率差小于等于四个并联谐振器Sh间的最大的频率差。

同时，串联谐振器Se2的频率至少低于串联谐振器Se1和串联谐振器Se1’其中之一，并联谐振器Sh2和并联谐振器Sh2’的其中至少一个的频率高于并联谐振器Sh1和并联谐振器Sh1’其中至少一个的频率；串联谐振器Se2的面积至少小于串联谐振器Se1和串联谐振器Se1’其中之一，并联谐振器Sh2和并联谐振器Sh2’的其中至少一个的面积高于并联谐振器Sh1和并联谐振器Sh1’其中至少一个的面积，用于实现更佳的性能。

实施例六，如图6所示，其中包含了输入端口IN和输出端口OUT，匹配电感L1和匹配电感L1’的一端连接到输入端口IN或输出端口OUT，另一端分别连接到串联谐振电路的两端；输入端口IN还连接有匹配电感L2一端，匹配电感L2另一端接地，输出端口OUT还连接有匹配电感L2’另一端，匹配电感L2另一端接地；

拓扑结构中串联谐振电路包括三个串联谐振器Se，其依次分别为串联谐振器Se1、串联谐振器Se2和串联谐振器Se1’；并联谐振电路为四条，分别包括并联谐振器Sh1、并联谐振器Sh2、并联谐振器Sh2’和并联谐振器Sh1’；并联谐振电路均连接有对地电感G一端，对地电感G另一端接地，对地电感G分别为对地电感G1、对地电感G2、对地电感G2’和对地电感G1’；其中，以分割线A为对称线，将滤波器分割为左右对称的两部分，左右对称的两部分中的对应器件的至少一个参数相同或者近似相同；其中串联谐振器Se1和串联谐振器Se1’构成位置对称的对应器件，并联谐振器Sh1和并联谐振器Sh1’构成位置对称的对应器件，并联谐振器Sh2和并联谐振器Sh2’构成位置对称的对应器件，匹配电感L1和匹配电感L1’构成位置对称的对应器件，匹配电感L2和匹配电感L2’构成位置对称的对应器件；

对于串联谐振器Se和并联谐振器Sh，至少有一个谐振器的参数比如面积、频率或机电耦合系数等为相同或者近似相同，近似相同的定义为在25％以内，更优的，为5％以内；需要注意的是对地电感G1和对地电感G1’，对地电感G2和对地电感G2’虽然为对称位置，但并不需要为相同或者近似相同，因为对地电感G主要影响通带两侧带外抑制的零点位置，一般情况下，通带两侧带外抑制零点的位置不相同，因此也无需设置上述参数相同或者近似相同；另外，需要说明的是：三个串联谐振器Se上最大的频率差小于等于四个并联谐振器Sh间的最大的频率差。

同时，串联谐振器Se2的频率至少低于串联谐振器Se1和串联谐振器Se1’其中之一，并联谐振器Sh2和并联谐振器Sh2’的其中至少一个的频率高于并联谐振器Sh1和并联谐振器Sh1’其中至少一个的频率；串联谐振器Se2的面积至少小于串联谐振器Se1和串联谐振器Se1’其中之一，并联谐振器Sh2和并联谐振器Sh2’的其中至少一个的面积高于并联谐振器Sh1和并联谐振器Sh1’其中至少一个的面积，用于实现更佳的性能。

实施例七，如图7所示，其中包含了输入端口IN和输出端口OUT，匹配电感L1和匹配电感L1’的一端连接到输入端口IN或输出端口OUT，另一端分别连接到串联谐振电路的两端；

拓扑结构中串联谐振电路包括四个串联谐振器Se，其依次分别为串联谐振器Se1、串联谐振器Se2、串联谐振器Se2’和串联谐振器Se1’；并联谐振电路为五条，分别包括并联谐振器Sh1、并联谐振器Sh2、并联谐振器Sh3、并联谐振器Sh2’和并联谐振器Sh1’；并联谐振电路均连接有对地电感G一端，对地电感G另一端接地，对地电感G分别为对地电感G1、对地电感G2、对地电感G3、对地电感G2’和对地电感G1’；

其中，以分割线A为对称线，将滤波器分割为左右对称的两部分，左右对称的两部分中的对应器件的至少一个参数相同或者近似相同；其中串联谐振器Se1和串联谐振器Se1’构成位置对称的对应器件，串联谐振器Se2和串联谐振器Se2’构成位置对称的对应器件，并联谐振器Sh1和并联谐振器Sh1’构成位置对称的对应器件，并联谐振器Sh2和并联谐振器Sh2’构成位置对称的对应器件，匹配电感L1和匹配电感L1’构成位置对称的对应器件；

对于串联谐振器Se和并联谐振器Sh，至少有一个谐振器的参数比如面积、频率或机电耦合系数等为相同或者近似相同，近似相同的定义为在25％以内，更优的，为5％以内；需要注意的是对地电感G1和对地电感G1’，对地电感G2和对地电感G2’虽然为对称位置，但并不需要为相同或者近似相同，因为对地电感G主要影响通带两侧带外抑制的零点位置，一般情况下，通带两侧带外抑制零点的位置不相同，因此也无需设置上述参数相同或者近似相同；另外，需要说明的是：四个串联谐振器Se上最大的频率差小于等于五个并联谐振器Sh间的最大的频率差。

同时，串联谐振器Se2和串联谐振器Se2’之一的频率至少低于串联谐振器Se1和串联谐振器Se1’其中之一，并联谐振器Sh2和并联谐振器Sh2’的其中至少一个的频率高于并联谐振器Sh1和并联谐振器Sh1’其中至少一个的频率，并联谐振器Sh3的频率高于并联谐振器Sh2和并联谐振器Sh2’其中之一的频率；串联谐振器Se2和串联谐振器Se2’之一的面积至少小于串联谐振器Se1和串联谐振器Se1’其中之一，并联谐振器Sh2和并联谐振器Sh2’的其中至少一个的面积高于并联谐振器Sh1和并联谐振器Sh1’其中至少一个的面积，并联谐振器Sh3的面积高于并联谐振器Sh2和并联谐振器Sh2’其中之一的面积，用于实现更佳的性能。

实施例八，如图8所示，其中包含了输入端口IN和输出端口OUT，匹配电感L1和匹配电感L1’的一端连接到输入端口IN或输出端口OUT，另一端分别连接到串联谐振电路的两端；

拓扑结构中串联谐振电路包括四个串联谐振器Se，其依次分别为串联谐振器Se1、串联谐振器Se2、串联谐振器Se2’和串联谐振器Se1’；并联谐振电路为五条，分别包括并联谐振器Sh1、并联谐振器Sh2、并联谐振器Sh3、并联谐振器Sh2’和并联谐振器Sh1’；并联谐振电路均连接有对地电感G一端，对地电感G另一端接地，对地电感G分别为对地电感G1、对地电感G3和对地电感G1’，其中，并联谐振器Sh1和并联谐振器Sh2共同接入对地电感G1，并联谐振器Sh2’和并联谐振器Sh1’共同接入对地电感G1’；

其中，以分割线A为对称线，将滤波器分割为左右对称的两部分，左右对称的两部分中的对应器件的至少一个参数相同或者近似相同；其中串联谐振器Se1和串联谐振器Se1’构成位置对称的对应器件，串联谐振器Se2和并联谐振器Se2’构成位置对称的对应器件，并联谐振器Sh1和并联谐振器Sh1’构成位置对称的对应器件，并联谐振器Sh2和并联谐振器Sh2’构成位置对称的对应器件，匹配电感L1和匹配电感L1’构成位置对称的对应器件；

对于串联谐振器Se和并联谐振器Sh，至少有一个谐振器的参数比如面积、频率或机电耦合系数等为相同或者近似相同，近似相同的定义为在25％以内，更优的，为5％以内；需要注意的是对地电感G1和对地电感G1’虽然为对称位置，但并不需要为相同或者近似相同，因为对地电感G主要影响通带两侧带外抑制的零点位置，一般情况下，通带两侧带外抑制零点的位置不相同，因此也无需设置上述参数相同或者近似相同；另外，需要说明的是：四个串联谐振器Se上最大的频率差小于等于五个并联谐振器Sh间的最大的频率差。

同时，串联谐振器Se2和串联谐振器Se2’之一的频率至少低于串联谐振器Se1和串联谐振器Se1’其中之一，并联谐振器Sh2和并联谐振器Sh2’的其中至少一个的频率高于并联谐振器Sh1和并联谐振器Sh1’其中至少一个的频率，并联谐振器Sh3的频率高于并联谐振器Sh2和并联谐振器Sh2’其中之一的频率；串联谐振器Se2和串联谐振器Se2’之一的面积至少小于串联谐振器Se1和串联谐振器Se1’其中之一，并联谐振器Sh2和并联谐振器Sh2’的其中至少一个的面积高于并联谐振器Sh1和并联谐振器Sh1’其中至少一个的面积，并联谐振器Sh3的面积高于并联谐振器Sh2和并联谐振器Sh2’其中之一的面积，用于实现更佳的性能。

实施例九，如图9所示，其中包含了输入端口IN和输出端口OUT，匹配电感L1和匹配电感L1’的一端连接到输入端口IN或输出端口OUT，另一端分别连接到串联谐振电路的两端；

拓扑结构中串联谐振电路包括四个串联谐振器Se，其依次分别为串联谐振器Se1、串联谐振器Se2、串联谐振器Se2’和串联谐振器Se1’；并联谐振电路为五条，分别包括并联谐振器Sh1、并联谐振器Sh2、并联谐振器Sh3、并联谐振器Sh2’和并联谐振器Sh1’；并联谐振电路均连接有对地电感G一端，对地电感G另一端接地，对地电感G分别为对地电感G1、对地电感G3和对地电感G1’，其中，并联谐振器Sh1连接对地电感G1，并联谐振器Sh1’连接对地电感G1’，并联谐振器Sh2、并联谐振器Sh3和并联谐振器Sh2’共同连接对地电感G3；

其中，以分割线A为对称线，将滤波器分割为左右对称的两部分，左右对称的两部分中的对应器件的至少一个参数相同或者近似相同；其中串联谐振器Se1和串联谐振器Se1’构成位置对称的对应器件，串联谐振器Se2和串联谐振器Se2’构成位置对称的对应器件，并联谐振器Sh1和并联谐振器Sh1’构成位置对称的对应器件，并联谐振器Sh2和并联谐振器Sh2’构成位置对称的对应器件，匹配电感L1和匹配电感L1’构成位置对称的对应器件；

对于串联谐振器Se和并联谐振器Sh，至少有一个谐振器的参数比如面积、频率或机电耦合系数等为相同或者近似相同，近似相同的定义为在25％以内，更优的，为5％以内；需要注意的是对地电感G1和对地电感G1’虽然为对称位置，但并不需要为相同或者近似相同，因为对地电感G主要影响通带两侧带外抑制的零点位置，一般情况下，通带两侧带外抑制零点的位置不相同，因此也无需设置上述参数相同或者近似相同；另外，需要说明的是：四个串联谐振器Se上最大的频率差小于等于五个并联谐振器Sh间的最大的频率差。

同时，串联谐振器Se2和串联谐振器Se2’之一的频率至少低于串联谐振器Se1和串联谐振器Se1’其中之一，并联谐振器Sh2和并联谐振器Sh2’的其中至少一个的频率高于并联谐振器Sh1和并联谐振器Sh1’其中至少一个的频率，并联谐振器Sh3的频率高于并联谐振器Sh2和并联谐振器Sh2’其中之一的频率；串联谐振器Se2和串联谐振器Se2’之一的面积至少小于串联谐振器Se1和串联谐振器Se1’其中之一，并联谐振器Sh2和并联谐振器Sh2’的其中至少一个的面积高于并联谐振器Sh1和并联谐振器Sh1’其中至少一个的面积，并联谐振器Sh3的面积高于并联谐振器Sh2和并联谐振器Sh2’其中之一的面积，用于实现更佳的性能。

实施例十，如图10所示，其中包含了输入端口IN和输出端口OUT，匹配电感L1和匹配电感L1’的一端连接到输入端口IN或输出端口OUT，另一端分别连接到串联谐振电路的两端；

拓扑结构中串联谐振电路包括四个串联谐振器Se，其依次分别为串联谐振器Se1、串联谐振器Se2、串联谐振器Se2’和串联谐振器Se1’；并联谐振电路为五条，分别包括并联谐振器Sh1、并联谐振器Sh2、并联谐振器Sh3、并联谐振器Sh2’和并联谐振器Sh1’；并联谐振电路均连接有对地电感G一端，对地电感G另一端接地，对地电感G分别为对地电感G1、对地电感G3和对地电感G1’，其中，并联谐振器Sh1和并联谐振器Sh2’共同连接对地电感G1，并联谐振器Sh1’和并联谐振器Sh2共同连接对地电感G1’，并联谐振器Sh3连接对地电感G3；

其中，以分割线A为对称线，将滤波器分割为左右对称的两部分，左右对称的两部分中的对应器件的至少一个参数相同或者近似相同；其中串联谐振器Se1和串联谐振器Se1’构成位置对称的对应器件，串联谐振器Se2和串联谐振器Se2’构成位置对称的对应器件，并联谐振器Sh1和并联谐振器Sh1’构成位置对称的对应器件，并联谐振器Sh2和并联谐振器Sh2’构成位置对称的对应器件，匹配电感L1和匹配电感L1’构成位置对称的对应器件；

对于串联谐振器Se和并联谐振器Sh，至少有一个谐振器的参数比如面积、频率或机电耦合系数等为相同或者近似相同，近似相同的定义为在25％以内，更优的，为5％以内；需要注意的是对地电感G1和对地电感G1’虽然为对称位置，但并不需要为相同或者近似相同，因为对地电感G主要影响通带两侧带外抑制的零点位置，一般情况下，通带两侧带外抑制零点的位置不相同，因此也无需设置上述参数相同或者近似相同；另外，需要说明的是：四个串联谐振器Se上最大的频率差小于等于五个并联谐振器Sh间的最大的频率差。

同时，串联谐振器Se2和串联谐振器Se2’之一的频率至少低于串联谐振器Se1和串联谐振器Se1’其中之一，并联谐振器Sh2和并联谐振器Sh2’的其中至少一个的频率高于并联谐振器Sh1和并联谐振器Sh1’其中至少一个的频率，并联谐振器Sh3的频率高于并联谐振器Sh2和并联谐振器Sh2’其中之一的频率；串联谐振器Se2和串联谐振器Se2’之一的面积至少小于串联谐振器Se1和串联谐振器Se1’其中之一，并联谐振器Sh2和并联谐振器Sh2’的其中至少一个的面积高于并联谐振器Sh1和并联谐振器Sh1’其中至少一个的面积，并联谐振器Sh3的面积高于并联谐振器Sh2和并联谐振器Sh2’其中之一的面积，用于实现更佳的性能。

实施例十一，如图11所示，其中包含了输入端口IN和输出端口OUT，匹配电感L1和匹配电感L1’的一端连接到输入端口IN或输出端口OUT，另一端分别连接到串联谐振电路的两端；

拓扑结构中串联谐振电路包括四个串联谐振器Se，其依次分别为串联谐振器Se1、串联谐振器Se2、串联谐振器Se2’和串联谐振器Se1’；并联谐振电路为五条，分别包括并联谐振器Sh1、并联谐振器Sh2、并联谐振器Sh3、并联谐振器Sh2’和并联谐振器Sh1’；并联谐振电路均连接有同一对地电感G3一端，对地电感G3另一端接地，；

其中，以分割线A为对称线，将滤波器分割为左右对称的两部分，左右对称的两部分中的对应器件的至少一个参数相同或者近似相同；其中串联谐振器Se1和串联谐振器Se1’构成位置对称的对应器件，串联谐振器Se2和串联谐振器Se2’构成位置对称的对应器件，并联谐振器Sh1和并联谐振器Sh1’构成位置对称的对应器件，并联谐振器Sh2和并联谐振器Sh2’构成位置对称的对应器件，匹配电感L1和匹配电感L1’构成位置对称的对应器件；

对于串联谐振器Se和并联谐振器Sh，至少有一个谐振器的参数比如面积、频率或机电耦合系数等为相同或者近似相同，近似相同的定义为在25％以内，更优的，为5％以内；另外，需要说明的是：四个串联谐振器Se上最大的频率差小于等于五个并联谐振器Sh间的最大的频率差。

同时，串联谐振器Se2和串联谐振器Se2’之一的频率至少低于串联谐振器Se1和串联谐振器Se1’其中之一，并联谐振器Sh2和并联谐振器Sh2’的其中至少一个的频率高于并联谐振器Sh1和并联谐振器Sh1’其中至少一个的频率，并联谐振器Sh3的频率高于并联谐振器Sh2和并联谐振器Sh2’其中之一的频率；串联谐振器Se2和串联谐振器Se2’之一的面积至少小于串联谐振器Se1和串联谐振器Se1’其中之一，并联谐振器Sh2和并联谐振器Sh2’的其中至少一个的面积高于并联谐振器Sh1和并联谐振器Sh1’其中至少一个的面积，并联谐振器Sh3的面积高于并联谐振器Sh2和并联谐振器Sh2’其中之一的面积，用于实现更佳的性能。

实施例十二，如图12所示，其中包含了输入端口IN和输出端口OUT，输入端口IN和输出端口OUT之间连接有串联谐振电路，输入端口IN还连接有匹配电感L2一端，匹配电感L2另一端接地，输出端口OUT还连接有匹配电感L2’一端，匹配电感L2’另一端接地；

拓扑结构中串联谐振电路包括四个串联谐振器Se，其依次分别为串联谐振器Se1、串联谐振器Se2、串联谐振器Se2’和串联谐振器Se1’；并联谐振电路为五条，分别包括并联谐振器Sh1、并联谐振器Sh2、并联谐振器Sh3、并联谐振器Sh2’和并联谐振器Sh1’；并联谐振电路均连接有对地电感G一端，对地电感G另一端接地，对地电感G分别为对地电感G1、对地电感G2、对地电感G3、对地电感G2’和对地电感G1’；

其中，以分割线A为对称线，将滤波器分割为左右对称的两部分，左右对称的两部分中的对应器件的至少一个参数相同或者近似相同；其中串联谐振器Se1和串联谐振器Se1’构成位置对称的对应器件，串联谐振器Se2和串联谐振器Se2’构成位置对称的对应器件，并联谐振器Sh1和并联谐振器Sh1’构成位置对称的对应器件，并联谐振器Sh2和并联谐振器Sh2’构成位置对称的对应器件，匹配电感L2和匹配电感L2’构成位置对称的对应器件；

对于串联谐振器Se和并联谐振器Sh，至少有一个谐振器的参数比如面积、频率或机电耦合系数等为相同或者近似相同，近似相同的定义为在25％以内，更优的，为5％以内；需要注意的是对地电感G1和对地电感G1’，对地电感G2和对地电感G2’虽然为对称位置，但并不需要为相同或者近似相同，因为对地电感G主要影响通带两侧带外抑制的零点位置，一般情况下，通带两侧带外抑制零点的位置不相同，因此也无需设置上述参数相同或者近似相同；另外，需要说明的是：四个串联谐振器Se上最大的频率差小于等于五个并联谐振器Sh间的最大的频率差。

同时，串联谐振器Se2和串联谐振器Se2’之一的频率至少低于串联谐振器Se1和串联谐振器Se1’其中之一，并联谐振器Sh2和并联谐振器Sh2’的其中至少一个的频率高于并联谐振器Sh1和并联谐振器Sh1’其中至少一个的频率，并联谐振器Sh3的频率高于并联谐振器Sh2和并联谐振器Sh2’其中之一的频率；串联谐振器Se2和串联谐振器Se2’之一的面积至少小于串联谐振器Se1和串联谐振器Se1’其中之一，并联谐振器Sh2和并联谐振器Sh2’的其中至少一个的面积高于并联谐振器Sh1和并联谐振器Sh1’其中至少一个的面积，并联谐振器Sh3的面积高于并联谐振器Sh2和并联谐振器Sh2’其中之一的面积，用于实现更佳的性能。

实施例十三，如图13所示，其中包含了输入端口IN和输出端口OUT，匹配电感L1和匹配电感L1’的一端连接到输入端口IN或输出端口OUT，另一端分别连接到串联谐振电路的两端；输入端口IN还连接有匹配电感L2一端，匹配电感L2另一端接地，输出端口OUT还连接有匹配电感L2’一端，匹配电感L2’另一端接地；

拓扑结构中串联谐振电路包括四个串联谐振器Se，其依次分别为串联谐振器Se1、串联谐振器Se2、串联谐振器Se2’和串联谐振器Se1’；并联谐振电路为五条，分别包括并联谐振器Sh1、并联谐振器Sh2、并联谐振器Sh3、并联谐振器Sh2’和并联谐振器Sh1’；并联谐振电路均连接有对地电感G一端，对地电感G另一端接地，对地电感G分别为对地电感G1、对地电感G2、对地电感G3、对地电感G2’和对地电感G1’；

其中，以分割线A为对称线，将滤波器分割为左右对称的两部分，左右对称的两部分中的对应器件的至少一个参数相同或者近似相同；其中串联谐振器Se1和串联谐振器Se1’构成位置对称的对应器件，串联谐振器Se2和串联谐振器Se2’构成位置对称的对应器件，并联谐振器Sh1和并联谐振器Sh1’构成位置对称的对应器件，并联谐振器Sh2和并联谐振器Sh2’构成位置对称的对应器件，匹配电感L1和匹配电感L1’构成位置对称的对应器件，匹配电感L2和匹配电感L2’构成位置对称的对应器件；

对于串联谐振器Se和并联谐振器Sh，至少有一个谐振器的参数比如面积、频率或机电耦合系数等为相同或者近似相同，近似相同的定义为在25％以内，更优的，为5％以内；需要注意的是对地电感G1和对地电感G1’，对地电感G2和对地电感G2’虽然为对称位置，但并不需要为相同或者近似相同，因为对地电感G主要影响通带两侧带外抑制的零点位置，一般情况下，通带两侧带外抑制零点的位置不相同，因此也无需设置上述参数相同或者近似相同；另外，需要说明的是：四个串联谐振器Se上最大的频率差小于等于五个并联谐振器Sh间的最大的频率差。

同时，串联谐振器Se2和串联谐振器Se2’之一的频率至少低于串联谐振器Se1和串联谐振器Se1’其中之一，并联谐振器Sh2和并联谐振器Sh2’的其中至少一个的频率高于并联谐振器Sh1和并联谐振器Sh1’其中至少一个的频率，并联谐振器Sh3的频率高于并联谐振器Sh2和并联谐振器Sh2’其中之一的频率；串联谐振器Se2和串联谐振器Se2’之一的面积至少小于串联谐振器Se1和串联谐振器Se1’其中之一，并联谐振器Sh2和并联谐振器Sh2’的其中至少一个的面积高于并联谐振器Sh1和并联谐振器Sh1’其中至少一个的面积，并联谐振器Sh3的面积高于并联谐振器Sh2和并联谐振器Sh2’其中之一的面积，用于实现更佳的性能。

本申请实施例一至实施例十三仅作为其中的示例，并不代表所有的情况，其中包含了本专利公开结构特征的，即以分割线A，两侧结构对称或者近似对称，其他情况也包含在本专利保护范围内，具体的，如图18和图19所示，其采用n个串联谐振电路和/或采用n个并联谐振电路，和/或n个串联谐振电路和n个并联谐振电路组合层叠形成的对称拓扑结构均包含在本专利保护范围内。

进一步的，本申请实施例一至实施例九的拓扑结构中，每个谐振器还可包括多个谐振器串联，多个谐振器并联，甚至串联加并联组合的形式。举例来讲，比如串联谐振器Se1在拓扑结构中只有一个，但是串联谐振器Se1(对于其他的串联谐振器Se1’、串联谐振器Se2、并联谐振器Sh1、并联谐振器Sh2、并联谐振器Sh1’和并联谐振器Sh2’等也是一样)中可以包含一个或多个如图18和图19结构进行串联和/或并联的组合形式，对于如图18和图19中的n，定义为大于等于1，当n大于1时，对应的面积关系定义就不适用了，需要用一个等效面积的概念来定义。

对于多个串联或者并联谐振器采用同样层叠结构的情况下，等效面积定义如下：

1.当谐振器连接形式为如图18中的形式时，等效面积为A＝1/(1/A1+1/A2+..1/An)

2.当谐振器连接形式为如图19中的形式时，等效面积A＝A1+A2+…An；

对于多个串联或者并联谐振器采用不同层叠结构的情况下(以谐振器2层叠结构不同为例)，等效面积定义如下：

1.当谐振器连接形式为如图18中的形式时，等效面积为A＝1/(a1/A1+a2*/A2+..an/An)

2.当谐振器连接形式为如图19中的形式时，等效面积A＝a1*A1+a2*A2+…an*An；

其中a1～an为一个面积折算系数，在0.2～5之间，其他谐振器具有不同的层叠结构同样也加入面积折算系数。

采用本申请拓扑结构对称或者近似对称的声波滤波器和现有技术中非拓扑结构对称或者近似对称的声波滤波器的回波损耗对比，如图20所示，其中粗线的两条为本申请的S11和S22(回波损耗一般通过S11和S22来表征，其中S11表征输入端的回波损耗，S22表征输出端的回波损耗)，细线的两条为对比例的S11和S22，从图中可以看出，一方面实施例的S11和S22重合或者近似重合，验证了上述描述的“通过对称或者近似对称结构可以保证输入匹配较好的同时，输出匹配也处于较好的水平”。另外，通过频率和等效面积的设置，整体的回波损耗优于对比例的回波损耗。

优选的，靠近输入端口In和输出端口Out的第一个谐振器为并联谐振器Sh，通过这种设置，可以通过避免功率直接施加在串联谐振器Se上，分流功率信号而改善滤波器的功率容量；进一步的，本申请在高频比如大于1.5GHz的滤波器中，具有更加明显的改善效果。

本发明提供一种拓扑结构对称或者近似对称的声波滤波器的通信设备，含有一种拓扑结构对称或者近似对称的声波滤波器。

以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (20)

1.一种拓扑结构对称或者近似对称的声波滤波器，其特征在于，包括输入端口IN和输出端口OUT，所述输入端口IN和输出端口OUT之间设置有串联谐振电路，所述串联谐振电路包括N个串联谐振器Se；

所述N个串联谐振器Se两端均连接有并联谐振电路，所述并联谐振电路均包括一个并联谐振器Sh；

所述串联谐振电路中的N个串联谐振器Se位置对称设置；

所述并联谐振电路为N+1条，且沿串联谐振电路方向位置对称设置；

所述并联谐振器Sh均连接有对地电感G；

所述串联谐振电路中从远离至靠近对称中心的串联谐振器Se的频率依次递减，面积依次递增或依次递减；所述并联谐振电路中从远离至靠近对称中心的并联谐振器Sh的频率依次递减，面积依次递增或依次递减。

2.根据权利要求1所述一种拓扑结构对称或者近似对称的声波滤波器，其特征在于，所述输入端口IN和输出端口OUT均串联和/或并联有一个或多个匹配电感L。

3.根据权利要求1所述一种拓扑结构对称或者近似对称的声波滤波器，其特征在于，所述N为大于等于1的正整数。

4.根据权利要求1所述一种拓扑结构对称或者近似对称的声波滤波器，其特征在于，串联谐振电路和并联谐振电路并联位置对称的两部分串联谐振器Se和并联谐振器Sh分别为对应器件，对应器件之间有至少一个参数相同或者近似相同。

5.根据权利要求4所述一种拓扑结构对称或者近似对称的声波滤波器，其特征在于，所述参数包括面积、频率、机电耦合系数、各层层叠结构的尺寸和厚度。

6.根据权利要求4所述一种拓扑结构对称或者近似对称的声波滤波器，其特征在于，所述参数相同或者近似相同为同种参数差别范围不大于25％。

7.根据权利要求4所述一种拓扑结构对称或者近似对称的声波滤波器，其特征在于，所述参数相同或者近似相同为同种参数差别范围不大于5％。

8.根据权利要求1所述一种拓扑结构对称或者近似对称的声波滤波器，其特征在于，所述串联谐振电路中靠近对称中心的串联谐振器Se的频率至少低于远离对称中心侧相邻两个串联谐振器Se中一个的频率。

9.根据权利要求8所述一种拓扑结构对称或者近似对称的声波滤波器，其特征在于，所述串联谐振电路中靠近对称中心的串联谐振器Se的面积至少小于远离对称中心侧相邻两个串联谐振器Se中一个的面积。

10.根据权利要求1所述一种拓扑结构对称或者近似对称的声波滤波器，其特征在于，所述并联谐振电路中靠近对称中心的并联谐振器Sh的频率至少大于远离对称中心侧相邻两个并联谐振器Sh中一个的频率。

11.根据权利要求10所述一种拓扑结构对称或者近似对称的声波滤波器，其特征在于，所述并联谐振电路中靠近对称中心的并联谐振器Sh的面积至少大于远离对称中心侧相邻两个并联谐振器Sh中一个的面积。

12.根据权利要求1所述一种拓扑结构对称或者近似对称的声波滤波器，其特征在于，所述串联谐振电路中所有串联谐振器Se的频率差小于或等于所有并联谐振电路中并联谐振器Sh的频率差。

13.根据权利要求1所述一种拓扑结构对称或者近似对称的声波滤波器，其特征在于，当所述串联谐振器Se的数量为奇数时，位于最中间的串联谐振器Se两侧的串联谐振器Se依次一一对应形成位置对称的串联谐振器Se。

14.根据权利要求1所述一种拓扑结构对称或者近似对称的声波滤波器，其特征在于，当所述串联谐振器Se的数量为偶数时，位于最中间的两个串联谐振器Se及其两侧的串联谐振器Se依次一一对应形成位置对称的串联谐振器Se。

15.根据权利要求1所述一种拓扑结构对称或者近似对称的声波滤波器，其特征在于，当所述并联谐振器Sh的数量为奇数时，位于最中间的并联谐振器Sh两侧的并联谐振器Sh依次一一对应形成位置对称的并联谐振器Sh。

16.根据权利要求1所述一种拓扑结构对称或者近似对称的声波滤波器，其特征在于，当所述并联谐振器Sh的数量为偶数时，位于最中间的两个并联谐振器Sh及其两侧的并联谐振器Sh依次一一对应形成位置对称的并联谐振器Sh。

17.根据权利要求1所述一种拓扑结构对称或者近似对称的声波滤波器，其特征在于，同一对地电感G连接一个或多个并联谐振器Sh。

18.根据权利要求1所述一种拓扑结构对称或者近似对称的声波滤波器，其特征在于，所述对地电感G的数量小于等于并联谐振器Sh的数量。

19.根据权利要求1所述一种拓扑结构对称或者近似对称的声波滤波器，其特征在于，靠近所述输入端口In和输出端口Out的第一个谐振器为并联谐振器Sh。

20.一种拓扑结构对称或者近似对称的声波滤波器的通信设备，其特征在于，含有权利要求1-19所述任意项一种拓扑结构对称或者近似对称的声波滤波器。