CN117097297B - 一种滤波器、双工器、多工器和通信设备 - Google Patents
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Abstract
本公开实施例中提供了一种滤波器、双工器、多工器和通信设备，所述滤波器包括：输入端、输出端、一个或多个串联谐振器和一个或多个并联谐振器，其中所述一个或多个串联谐振器和/或所述一个或多个并联谐振器中的至少一个谐振器被串联拆分成两个或者更多个串联拆分谐振器。通过本公开的处理方案，提高了滤波器的二次非线性特性。
Description
技术领域
本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种滤波器、双工器、多工器和通信设备。
背景技术
随着移动通信技术的不断发展，频谱复杂化趋势日益加快，目前移动通信中所使用的频段数量已经从2000年初的4个频段大幅增加到今天的50多个频段。
频谱的复杂化使得对射频系统性能的要求越来越严苛，良好的射频滤波器性能可以提高射频系统的传输速率、寿命和可靠性，因此对滤波器性能的持续改善有着非常迫切的需求，对滤波器性能的持续改善主要体现在更低的插入损耗、更宽的带宽、更高的带外抑制、更高的滚降、更高的功率容量以及更好的非线性特性。
发明内容
有鉴于此，本公开实施例提供一种滤波器、双工器和多工器，至少部分解决现有技术中存在的问题。
第一方面，提供了一种滤波器，包括：输入端、输出端、一个或多个串联谐振器和一个或多个并联谐振器，其中所述一个或多个串联谐振器和/或所述一个或多个并联谐振器中的至少一个谐振器被串联拆分成两个或者更多个串联拆分谐振器。
根据本公开实施例的一种具体实现方式，靠近所述输出端的第一个串联谐振器和/或靠近所述输出端的第一个并联谐振器被串联拆分成两个或者更多个串联拆分谐振器。
根据本公开实施例的一种具体实现方式，所述滤波器还包括用于晶圆键合的金属密封环(501)，所述串联拆分谐振器的拆分谐振器区的至少一部分直接与所述金属密封环(501)直接相邻。
根据本公开实施例的一种具体实现方式，所述串联拆分谐振器的拆分谐振器区到所述金属密封环(501)的距离为并且所述串联拆分谐振器的拆分谐振器区到所述金属密封环(501)的投影长度为L，则寄生因数K小于预定阈值，其中
根据本公开实施例的一种具体实现方式，所述预定阈值小于等于10。
根据本公开实施例的一种具体实现方式，所述预定阈值小于等于8。
根据本公开实施例的一种具体实现方式，所述两个或者更多个串联拆分谐振器的面积相同。
根据本公开实施例的一种具体实现方式，所述两个或者更多个串联拆分谐振器的形状相同。
根据本公开实施例的一种具体实现方式，所述两个或者更多个串联拆分谐振器的面积为被拆分的谐振器的面积的2倍。
根据本公开实施例的一种具体实现方式，所述两个或者更多个串联拆分谐振器的平均谐振频率与被拆分的谐振器的谐振频率相同。
根据本公开实施例的一种具体实现方式，所述两个或者更多个串联拆分谐振器中任意相邻两个谐振器的极化方向相反。
根据本公开实施例的一种具体实现方式，所述两个或者更多个串联拆分谐振器中相邻两个谐振器的上电极相连；或者所述两个或者更多个串联拆分谐振器中相邻两个谐振器的下电极相连。
根据本公开实施例的一种具体实现方式，所述滤波器在所述输入端和/或所述输出端还包含LC匹配电路。
第二方面，提供了一种双工器，包含根据本公开第一方面及其任一实现方式中的滤波器。
第三方面，提供了一种多工器，包含根据本公开第一方面及其任一实现方式中的滤波器。
第四方面，提供了一种通信设备，包含根据本公开第一方面及其任一实现方式中的滤波器。
本公开实施例中的滤波器包括：输入端、输出端、一个或多个串联谐振器和一个或多个并联谐振器，其中所述一个或多个串联谐振器和/或所述一个或多个并联谐振器中的至少一个谐振器被串联拆分成两个或者更多个串联拆分谐振器。通过本公开的处理方案，提高了滤波器的二次非线性特性。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为一种改善滤波器非线性特性的设计方法；
图2为体声波谐振器的结构示意图；
图3为体声波谐振器的电学符号表示；
图4a为谐振器串联拆分结构示意图；
图4b为谐振器串联拆分结构示意图；
图4c为谐振器谐振频率示意图；
图5为上电极互连的串联拆分结构示意图；
图6为下电极互连的串联拆分结构示意图；
图7为图5和图6所示结构的等效电路图；
图8为串联拆分谐振器的二阶非线性谐波频率特性；
图9为滤波器的拓扑结构示意图；
图10为滤波器的结构示意图；
图11为滤波器的结构示意图；
图12为滤波器部分版图的俯视图；
图13为滤波器非线性特性与拆分谐振器区到金属密封环的距离之间的关系；
图14为双工器的结构示意图。
在图中，40-输入端；44-输出端；12、14、16、18、20-串联谐振器；22、24、26、28-并联谐振器；106-下电极；108-压电薄膜层；110-上电极；200、202-有效谐振器区；204-互连金属区；306-谐振器；1、2-晶圆；304、305-键合金属层；303-穿硅过孔；302-芯片焊盘；301-植球；501-金属密封环。
具体实施方式
下面结合附图对本公开实施例进行详细描述。
以下通过特定的具体实例说明本公开的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本公开的其他优点与功效。显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。本公开还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本公开的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于本公开中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
需要说明的是，下文描述在所附权利要求书的范围内的实施例的各种方面。应显而易见，本文中所描述的方面可体现于广泛多种形式中，且本文中所描述的任何特定结构及/或功能仅为说明性的。基于本公开，所属领域的技术人员应了解，本文中所描述的一个方面可与任何其它方面独立地实施，且可以各种方式组合这些方面中的两者或两者以上。举例来说，可使用本文中所阐述的任何数目个方面来实施设备及/或实践方法。另外，可使用除了本文中所阐述的方面中的一或多者之外的其它结构及/或功能性实施此设备及/或实践此方法。
还需要说明的是，以下实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本公开的基本构想，图式中仅显示与本公开中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
另外，在以下描述中，提供具体细节是为了便于透彻理解实例。然而，所属领域的技术人员将理解，可在没有这些特定细节的情况下实践所述方面。
首先，参考图1，描述滤波器的结构及一种改善滤波器非线性特性的设计方法。在图1中，附图标记40指示输入端，附图标记44指示输出端，附图标记12、14、16、18和20指示串联谐振器，并且附图标记22、24、26和28指示并联谐振器。也就是说，滤波器至少包括输入端、输出端、串联谐振器和并联谐振器。
另外，为了改善滤波器的非线性特性，如图1所示，其将特定的谐振器进行了拆分。具体地，图1中所示的方案将除了信号输入端第一级谐振器12、22和信号输出端第一级谐振器20、28之外的至少一个串联谐振器(例如谐振器16)进行串联拆分，并将除了信号输入端第一级谐振器12、22和信号输出端第一级谐振器20、28之外的至少一个并联谐振器(例如谐振器24)进行串联拆分，以此来改善滤波器的非线性特性。术语“串联拆分”即将一个谐振器拆分为等效的两个或者更多个串联连接的谐振器，其具体含义将随后参考附图进行进一步的描述。
图1所示的设计方案对滤波器非线性特性的改善效果有限，这是因为当射频信号由信号输入端40输入时，在信号输出端44会产生二阶非线性谐波，虽然靠近信号输入端40的谐振器产生的二阶非线性谐波被随后的谐振器抑制而衰减，但是靠近信号输出端44的第一级谐振器(包括第一个串联谐振器20和第一个并联谐振器28)产生的二阶非线性谐波没有受到谐振器的抑制作用，所以滤波器中靠近信号输出端44的谐振器对滤波器的非线性影响最大，因此，按照图1所示的这种方案对谐振器进行拆分，对滤波器的非线性特性的改善效果有限。
在本公开实施例中，通过对滤波器中进行串联拆分的谐振器在电路中的位置进行限定，以减小串联拆分的谐振器的寄生电容效应，从而进一步改善滤波器的非线性特性。
具体地，在本公开实施例中，为了进一步改善滤波器的非线性特性，靠近输出端的第一个串联谐振器和/或靠近输出端的第一个并联谐振器被串联拆分成两个或者更多个拆分谐振器。具体地，以图1的滤波器结构为例，可以对靠近信号输出端的第一个串联谐振器20进行串联拆分，并且还可以将靠近输出端的第一个并联谐振器28进行串联拆分，以此来改善滤波器的非线性特性。
为了更好地描述串联拆分以及串联拆分的谐振器的寄生电容效应，接下来，参考图2，描述滤波器中所包含的谐振器的结构，在图2中：
106：下电极，可选材料为钼、金、铝、镁、钨、铜、铬等金属材料或多种金属组成的合金。
108：压电薄膜层，可选材料为单晶氮化铝、多晶氮化铝、氧化锌、PZT等材料，并包含在上述材料中按照一定原子比掺杂的稀土元素(例如Sc)。
110：上电极，可选材料为钼、金、铝、镁、钨、铜、铬等金属材料或多种金属组成的合金。
如图所示，在厚度方向上，上电极110和下电极108的一侧均设置有声学镜，从而使声波被限制在压电谐振腔内部。声学镜可以为一空气腔或者布拉格反射层或者为与电极材料声阻抗相差较大的其他材料，对于声学镜形成的方法和形式不做限定，并且声学镜也可以是在衬底之上由其他材料支撑形成。另外，上电极110、压电薄膜层108、下电极106与声学镜在层叠方向上相互重叠的区域，称为谐振器的有效谐振器区。
图2示出了滤波器所包含的谐振器的结构，对于滤波器而言，其至少包含如图2所示的一个串联谐振器和一个并联谐振器。
此外，图2所示的谐振器可以简化为如图3所示的谐振器电学符号。节点N1与谐振器R的上电极110相连，节点N2与谐振器R的下电极106相连。此时，谐振器R的基波谐振频率的半波长近似等于谐振器R的压电薄膜层108的厚度(即半波长谐振)。
在这种情况下，当上电极110为正极性时，下电极106为负极性，或者当上电极110为负极性时，下电极106为正极性，定义谐振器R的极化方向c为在谐振器R厚度方向上由节点N2指向节点N1。
另外，二阶非线性谐波的波长近似等于压电薄膜层108的厚度，即上电极110和下电极106为正极性时，压电薄膜层108的中心为负极性，或者上电极110和下电极106为负极性时，压电薄膜层108的中心为正极性。
当压电薄膜层108在谐振器R厚度方向上对称时，上电极110和下电极106具有相同的电势，所以不会产生二阶非线性谐波。然而为了得到良好的谐振器性能，通常压电薄膜层108在谐振器R的厚度方向上是不对称的，压电薄膜层108的不对称性使得其中电场不均匀分布，电场的不均匀分布使得在上电极110和下电极106产生二阶非线性谐波电势差，从而产生二阶非线性谐波。
这里的术语“对称”是指压电薄膜层108一般为多晶择优取向结构(择优取向指在制备过程中，材料的晶轴沿同一方向排列)，声波沿晶轴方向传播时，波速最大，同时能得到稳定的谐振，但是在实际制造过程中，晶轴并非严格平行于厚度方向，而是略有倾斜，从而使得压电薄膜层108在厚度方向上不是完全对称的。
为了抑制二阶非线性谐波的产生，如参考图1所描述的，可以对谐振器进行拆分。其中图4a为谐振器R被等效拆分为两个相互串联的第一谐振器R1和第二谐振器R2，第一谐振器R1和第二谐振器R2这两个谐振器的面积和形状近似相等，且面积近似等于谐振器R面积的2倍，并且第一谐振器R1和第二谐振器R2的平均谐振频率与谐振器R的谐振频率近似相同。第一谐振器R1和第二谐振器R2的极化方向相同(从信号T1端口或T2端口看，谐振器R1和谐振器R2的极化方向c是相同的即称为谐振器R1的极化方向c与谐振器R2的极化方向c相同)，即第一谐振器R1的上电极与第二谐振器R2的下电极相连(如图4a中的实线箭头所示)，或者第一谐振器R1的下电极与第二谐振器R2的上电极相连(如图4a中的虚线箭头所示)，此时第一谐振器R1与第二谐振器R2这两个谐振器产生的二阶非线性电压相互叠加，所以拆分后二阶非线性特性没有改善。
图4b中谐振器R被等效拆分为两个相互串联的第一谐振器R1和第二谐振器R2，第一谐振器R1和第二谐振器R2这两个谐振器的面积和形状近似相等，且近似等于谐振器R面积的2倍，第一谐振器R1和第二谐振器R2的平均谐振频率与谐振器R的谐振频率近似相同。第一谐振器R1和第二谐振器R2的极化方向相反(从信号T1端口或T2端口看，谐振器R1的极化方向c和谐振器R2的极化方向c是相反的即称为谐振器R1的极化方向c与谐振器R2的极化方向相反)，即第一谐振器R1的上电极与第二谐振器R2的上电极相连(如图4b中的实线箭头所示)，或者第一谐振器R1的下电极与第二谐振器R2的下电极相连(如图4b中的虚线箭头所示)，此时第一谐振器R1和第二谐振器R2产生的二阶非线性电压相互抵消，所以拆分后二阶非线性特定能够得到改善。
在实际中，由于无法实现第一谐振器R1和第二谐振器R2这两个谐振器的面积和形状完全相等，且等于谐振器R面积的2倍，第一谐振器R1和第二谐振器R2的平均谐振频率与谐振器R的谐振频率相同，因此可以要求第一谐振器R1和第二谐振器R2这两个谐振器的面积和形状之差小于预定阈值，且第一谐振器R1和第二谐振器R2的面积与2倍谐振器R的面积之差小于预定阈值，第一谐振器R1和第二谐振器R2的平均谐振频率与谐振器R的谐振频率之差小于预定阈值。
以面积为例，假设拆分后第一谐振器R1的面积为a和第二谐振器R2的面积为b，此时要求第一谐振器R1和第二谐振器R2这两个谐振器的面积之差小于预定阈值(例如5％)，则要求|a-b|/((a+b)/2)＜5％。换句话说，在本公开实施例中，相等、近似相等可以理解为二者之差小于5％、3％或者其他的数值。
另外，在本公来实施例中，术语“串联拆分”即是将一个谐振器拆分成等效的两个或者更多个串联的谐振器；术语“串联非线性拆分”即是将一个谐振器拆分成等效的两个或者更多个相互串联的谐振器，且串联拆分后的两个或者更多个谐振器中彼此相邻的两个谐振器极化方向相反。
另外，在以上的描述中，“谐振器的面积和形状”是指谐振器的有效谐振器区的面积和形状(如图12中五边形所示)，并且如上所述，上电极110、压电薄膜层108、下电极106与声学镜在层叠方向上相互重叠的区域，称为谐振器的有效谐振器区。
另外，串联拆分要求拆分的两个谐振器的面积和形状近似相同，这样两个谐振器的声学特性才能近似相同，从而实现二阶非线性分量的充分抵消，但是实际制造过程中，由于存在工艺偏差，两个谐振器面积和形状不可能完全相同，所以本发明中加入“近似”一词。
此外，图4c所示为谐振器的阻抗频率特性，阻抗极小点对应的频率为串联谐振频率Fs，阻抗极大点对应的频率为并联谐振频率Fp。谐振器的谐振频率一般指其串联谐振频率Fs，第一谐振器R1的谐振频率和第二谐振器R2的谐振频率的平均值为平均谐振频率。
图5所示为通过上电极互连的串联非线性拆分结构(对应图4b中的实线箭头所示电路)，即第一谐振器的上电极与第二谐振器的上电极相连。其中附图标记200和202所示区域分别为串联非线性拆分后的两个谐振器的有效谐振器区，附图标记204所示区域为两个谐振器之间进行电连接的互连金属区，互连金属区的互连金属由上电极构成，在这种情况下，串联非线性拆分谐振器的有效谐振器区200、202和互连金属区204所构成的区域206对应的上电极与其周围的地结构会产生寄生电容Cp，该寄生电容Cp会影响拆分后非线性特性的改善效果。
图6所示为通过下电极互连的串联拆分结构(对应图4b中的虚线箭头所示电路)，即第一谐振器的下电极与第二谐振器的下电极相连。其中附图标记200和202所示区域分别为串联非线性拆分后的两个谐振器的有效谐振器区，附图标记204所示区域为两个谐振器之间进行电连接的互连金属区，互连金属区的互连金属由下电极构成，在这种情况下，串联非线性拆分谐振器的有效谐振器区200、202和互连金属区204所构成的区域206对应的下电极与其周围的地结构会产生寄生电容Cp，该寄生电容Cp会影响拆分后非线性特性的改善效果。
图7所示为图5和图6所示结构的等效电路图。第一谐振器R1和第二谐振器R2的平均谐振频率为Fs，平均并联谐振频率为Fp，平均有效机电耦合系数为11.0％，仿真寄生电容Cp值为0.005pF
图8所示为串联非线性拆分谐振器的二阶非线性谐波的频率特性。在端口T1输入功率为22dBm的高频信号，在端口T2会有二阶非线性谐波输出，三角形标记的曲线为图7所示电路寄生电容Cp等于0时的仿真结果(即无寄生电容)，圆形标记的曲线为图7所示电路寄生电容等于0.005pF时的仿真结果。由图可见，由于寄生电容Cp的存在，二阶非线性谐波会在2倍的基频Fp附近处产生一个较高的尖峰(二阶非线性谐波对应频率为2*Fp附近)，即由于寄生电容的存在使得2*Fp频率附近产生一个幅度为15dB的尖峰。
图9所示为滤波器拓扑结构示意图。所述滤波器为串联谐振器Res1～Res4和并联谐振器Res5～Res8组成的梯型结构滤波器。IN为滤波器信号输入端口，OUT为滤波器信号输出端口，L1和L2为滤波器IN端口串联电感和OUT端口串联电感，L3、L4、L5和L6为滤波器并联支路串联接地电感。为了实现更好的匹配，在信号输入端IN和/或信号输出端OUT可以包含LC匹配电路。图9所示滤波器结构只是示例，本发明对梯型结构滤波器级数、匹配方式及并联支路接地方式不做限定，在这种情况下，当射频信号由信号输入端IN输入时，在信号输出端OUT会产生二阶非线性谐波。
图10所示为滤波器的结构示意图。附图标记306为谐振器，该谐振器可以是薄膜体声波谐振器(FBAR)或者固态装配型谐振器(SMR)亦或是其他类似结构谐振器，谐振器306设置在晶圆1的下表面；附图标记305为晶圆1的键合金属层；附图标记304为晶圆2的键合金属层，附图标记303为穿硅过孔(TSV-Through SiliconVia)，通过键合金属层305和键合金属层304之间的键合可以实现晶圆1与晶圆2的垂直导通；附图标记302为芯片焊盘，芯片焊盘302经由植球301通过倒装焊(Flip Chip)与外部电路进行电连接(亦可通过引线300键合-Wire Bonding与外部电路进行电连接，如图11所示)；301～305可选的材料为钼、金、铝、镁、钨、铜，铬等金属材料或多种金属组成的合金材料。
需特殊说明上述晶圆级封装形式只是示例，本发明对具体的封装结构不做限定。
接下来，参考图12，描述通过对滤波器中进行串联拆分的谐振器在版图中的位置限定，以减小串联拆分的谐振器的寄生电容效应。图12所示为滤波器部分版图的俯视图，其将图9所示的滤波器中并联谐振器Res8串联拆分为第一谐振器Res8-1和第二谐振器Res8-2，第一谐振器Res8-1和第二谐振器Res8-2通过下电极进行电连接(亦可通过上电极进行电连接)，拆分谐振器下电极的外围轮廓(当通过上电极进行电连接时，为拆分谐振器上电极的外围轮廓)构成拆分谐振器区。附图标记501为用于晶圆键合的设置在晶圆1和晶圆2上的金属密封环，为了实现良好的静电放电(ESD)，金属密封环501通常与地相连，所述拆分谐振器区至少有一部分直接与金属密封环直接相邻。当拆分谐振器区与金属密封环501相邻时，图7中所示的寄生电容Cp会比较大，使得滤波器的非线性特性变差。当拆分谐振器区直接与金属密封环501相邻时，拆分谐振器区靠近金属密封环501的一侧存在多个折线段a1、a2、a3、a4和a5，每个折线段距离金属密封环的平均距离定义为折线段两个端点到金属密封环最小垂直距离的平均值(两垂线相互平行)，例如折线段a1到金属密封环501的平均距离为(d1+d2)/2，上述所有面对金属密封环501的折线段距离金属密封环501的平均距离的平均值为拆分谐振器区到金属密封环的距离
拆分谐振器区到金属密封环501的投影长度L＝L1+L2，定义拆分谐振器与金属密封环之间的寄生电容因数
所述寄生因数K越大，图7中所示的寄生电容Cp越大，滤波器的非线性特性就会越差，因此在本公开实施例中，要求寄生因数K的值小于等于10，优选地小于等于8。
应当理解的是，在本公开实施例中，任何一个并联支路上的谐振器都可以进行拆分，且可以对一个或者多个并联支路的谐振器进行拆分，并且可以将谐振器拆分为两个或者更多个谐振器，例如，可以将一个谐振器拆分为2个、4个、6个或者更多个谐振器。另外，任何一个串联支路上的谐振器都可以进行拆分，且可以对一个或者多个串联支路的谐振器进行拆分，并且可以将谐振器拆分为两个或者更多个谐振器，例如，可以将一个谐振器拆分为2个、4个、6个或者更多个谐振器。
在这种情况下，拆分谐振器区到金属密封环的距离以及拆分谐振器区到金属密封环的投影长度L可以参考以上的描述。
如图13所示为滤波器非线性特性与之间的关系。在滤波器信号输入端输入22dBm的射频信号，信号输出端伴随产生非线性谐波。
由图可见，以并联谐振器Res8进行拆分为例，滤波器中谐振器排布不变，通过调整金属密封环的大小来调节K进行仿真，如图13的仿真结果所示，当拆分谐振器区到金属密封环的投影长度L一定时，拆分谐振器区到金属密封环的距离越小，K值越大，滤波器的非线性特性越差，当K小于8时K对滤波器非线性变的几乎无影响了，因此，在本公开实施例中，优选的，K的最大值为8。
本发明通过对滤波器中并联谐振器进行串联拆分后的拆分谐振器区与金属密封环之间距离进行限定，减小寄生电容，从而能够进一步改善滤波器的非线性特性。
此外，图14为双工器结构示意图。第一滤波器Filter1连接在天线端口Ant和第一端口T1之间，第二滤波器Filter2连接在天线端口Ant和第二端口T2之间。Filter1和Filter2通带没有交叠，Filter1可通过其对应通带频率的信号，抑制其他频率的信号，Filter2可通过其对应通带频率的信号，抑制其他频率的信号，本发明所述滤波器包含于图示双工器中。
本发明所述双工器只作为示例，不起限制性作用，本发明所述结构亦可应用于三工器、四工器等多工器。
另外，本公开实施例还提供了一种通信设备，该通信设备包含如上参考图1-图14描述的声波滤波器或双工器或多工器，其具体内容在此不再赘述，另外通信设备例如可以是射频前端、滤波放大模块等中间产品，也可以是手机、WIFI、无人机等终端产品或基站产品。
因此，本公开实施例提供了如下的方案：
1.一种滤波器，包括：输入端、输出端、一个或多个串联谐振器和一个或多个并联谐振器，其中所述一个或多个串联谐振器和/或所述一个或多个并联谐振器中的至少一个谐振器被串联拆分成两个或者更多个串联拆分谐振器。
2.根据1所述的滤波器，靠近所述输出端的第一个串联谐振器和/或靠近所述输出端的第一个并联谐振器被串联拆分成两个或者更多个串联拆分谐振器。
3.根据1或2所述的滤波器，所述滤波器还包括用于晶圆键合的金属密封环(501)，所述串联拆分谐振器的拆分谐振器区的至少一部分直接与所述金属密封环(501)直接相邻。
4.根据3所述的滤波器，所述串联拆分谐振器的拆分谐振器区到所述金属密封环(501)的距离为并且所述串联拆分谐振器的拆分谐振器区到所述金属密封环(501)的投影长度为L，则寄生因数K小于预定阈值，其中
5.根据4所述的滤波器，所述预定阈值小于等于10。
6.根据4所述的滤波器，所述预定阈值小于等于8。
7.根据1所述的滤波器，所述两个或者更多个串联拆分谐振器的面积相同。
8.根据1所述的滤波器，所述两个或者更多个串联拆分谐振器的形状相同。
9.根据1所述的滤波器，所述两个或者更多个串联拆分谐振器的面积为被拆分的谐振器的面积的2倍。
10.根据1所述的滤波器，所述两个或者更多个串联拆分谐振器的平均谐振频率与被拆分的谐振器的谐振频率相同。
11.根据1所述的滤波器，所述两个或者更多个串联拆分谐振器中任意相邻两个谐振器的极化方向相反。
12.根据11所述的滤波器，所述两个或者更多个串联拆分谐振器中相邻两个谐振器的上电极相连；或者所述两个或者更多个串联拆分谐振器中相邻两个谐振器的下电极相连。
13.根据11所述的滤波器，所述滤波器在所述输入端和/或所述输出端还包含LC匹配电路。
14.一种双工器，包含根据1-13中任一项所述的滤波器。
15.一种多工器，包含根据1-13中任一项所述的滤波器。
16.一种通信设备，包含根据1-13中任一项所述的滤波器。
以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (13)
1.一种滤波器，其特征在于，包括：输入端、输出端、一个或多个串联谐振器和一个或多个并联谐振器，其中所述一个或多个串联谐振器和/或所述一个或多个并联谐振器中的至少一个谐振器被串联拆分成两个或者更多个串联拆分谐振器；
靠近所述输出端的第一个串联谐振器和/或靠近所述输出端的第一个并联谐振器被串联拆分成两个或者更多个串联拆分谐振器；
所述滤波器还包括用于晶圆键合的金属密封环(501)，所述串联拆分谐振器的拆分谐振器区的至少一部分直接与所述金属密封环(501)直接相邻；
所述串联拆分谐振器的拆分谐振器区到所述金属密封环(501)的距离为即所有面对金属密封环(501)的折线段距离金属密封环(501)的平均距离的平均值，并且所述串联拆分谐振器的拆分谐振器区到所述金属密封环(501)的相邻的两个边的总投影长度为L，则寄生因数K小于预定阈值，其中
2.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述预定阈值小于等于10。
3.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述预定阈值小于等于8。
4.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述两个或者更多个串联拆分谐振器的面积相同。
5.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述两个或者更多个串联拆分谐振器的形状相同。
6.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述两个或者更多个串联拆分谐振器的面积为被拆分的谐振器的面积的2倍。
7.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述两个或者更多个串联拆分谐振器的平均谐振频率与被拆分的谐振器的谐振频率相同。
8.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述两个或者更多个串联拆分谐振器中任意相邻两个谐振器的极化方向相反。
9.根据权利要求8所述的滤波器，其特征在于，所述两个或者更多个串联拆分谐振器中相邻两个谐振器的上电极相连；或者所述两个或者更多个串联拆分谐振器中相邻两个谐振器的下电极相连。
10.根据权利要求8所述的滤波器，其特征在于，所述滤波器在所述输入端和/或所述输出端还包含LC匹配电路。
11.一种双工器，其特征在于，包含根据权利要求1-10中任一项所述的滤波器。
12.一种多工器，其特征在于，包含根据权利要求1-10中任一项所述的滤波器。
13.一种通信设备，其特征在于，包含根据权利要求1-10中任一项所述的滤波器。
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