CN114759899A - 一种低插损声波带通滤波器及其实现方法 - Google Patents
一种低插损声波带通滤波器及其实现方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114759899A CN114759899A CN202110024640.6A CN202110024640A CN114759899A CN 114759899 A CN114759899 A CN 114759899A CN 202110024640 A CN202110024640 A CN 202110024640A CN 114759899 A CN114759899 A CN 114759899A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- pass filter
- acoustic wave
- wave band
- resonator
- parallel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims abstract description 39
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims abstract description 39
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 44
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 238000013461 design Methods 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/547—Notch filters, e.g. notch BAW or thin film resonator filters
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02086—Means for compensation or elimination of undesirable effects
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/58—Multiple crystal filters
- H03H9/582—Multiple crystal filters implemented with thin-film techniques
- H03H9/586—Means for mounting to a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
- H03H9/588—Membranes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/58—Multiple crystal filters
- H03H9/582—Multiple crystal filters implemented with thin-film techniques
- H03H9/586—Means for mounting to a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
- H03H9/589—Acoustic mirrors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H2009/02165—Tuning
- H03H2009/02173—Tuning of film bulk acoustic resonators [FBAR]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
本发明公开了一种低插损声波带通滤波器及其实现方法，所述低插损声波带通滤波器包括级联的多个声波带通滤波器单元；所述声波带通滤波器单元包括一个串联谐振器和一个并联谐振器；所述并联谐振器的第一端接地，所述并联谐振器的第二端连接所述串联谐振器的任一端；多个所述声波带通滤波器单元中的每个声波带通滤波器单元的连接方式是一致的；一个所述声波带通滤波器单元具有一个匹配频率，所述级联的多个声波带通滤波器单元具有至少两个不同的匹配频率；所述声波带通滤波器单元的匹配频率是由所述声波带通滤波器单元内的串联谐振频率和并联谐振频率确定的，且所述串联谐振频率和所述并联谐振频率的差值小于等于预设差值。
Description
技术领域
本发明涉及无线通信技术领域，尤其涉及一种低插损声波带通滤波器 及其实现方法。
背景技术
手持移动通信产品正在迅速地往小型化和轻便化发展，而随着这些产 品尺寸的减小，价格也持续下降，但功能却逐渐增强。在这微型化的发展浪 潮中，作为无线通信系统的关键部件，高性能的射频滤波器扮演着极重要的 角色。滤波器厂商面临着在不改变甚至提高滤波器性能的前提下进一步缩 小滤波器体积的任务。而由于手持移动通信产品中各类耗能应用和器件的 不断增加，使得滤波器的低插入损耗对延长通话时间和电池寿命变得非常 重要。
利用谐振器设计射频滤波器电路的拓扑结构主要有梯形结构和网格状 结构，目前在高性能射频滤波器的设计中，梯形结构的设计方法较为流行。
在传统梯形结构声波带通滤波器中，所有谐振器组的频率匹配点需要 保持严格一致，才能实现比较优良的插损特性，经薄膜体声波谐振器级联形 成滤波器时，必须要对串联单元和并联单元的频率匹配点做优化，然而工艺 过程不可避免地会引起频率波动，谐振器组的损耗会在频率匹配点处叠加， 导致滤波器通带中心形成凹陷，使得产品性能下降。
发明内容
本发明的目的在于提供一种低插损声波带通滤波器及其实现方法，通 过优化调节滤波器中谐振器组的频率匹配点，使每个谐振器组的频率匹配 点均在通带内合理分布，避免现有技术中谐振器组带来的损耗叠加，可以有 效降低滤波器通带中心的插入损耗。
为达到上述目的，本发明提供了一种低插损声波带通滤波器，包括级联 的多个声波带通滤波器单元；
所述声波带通滤波器单元包括一个串联谐振器和一个并联谐振器；
所述并联谐振器的第一端接地，所述并联谐振器的第二端连接所述串 联谐振器的任一端；多个所述声波带通滤波器单元中的每个声波带通滤波 器单元的连接方式是一致的；
一个所述声波带通滤波器单元具有一个匹配频率，所述级联的多个声 波带通滤波器单元具有至少两个不同的匹配频率；
所述声波带通滤波器单元的匹配频率是由所述声波带通滤波器单元内 的串联谐振频率和并联谐振频率确定的，且所述串联谐振频率和所述并联 谐振频率的差值小于等于预设差值。
可选地，一个所述声波带通滤波器单元内的所述串联谐振器和/或所述 并联谐振器采用薄膜体声波谐振器；
所述薄膜体声波谐振器包括第一主谐振区域和第一次谐振区域，所述 第一主谐振区域具有第一占空比η1，所述第一次谐振区域具有第二占空比 η2；
所述声波带通滤波器单元内的所述串联谐振频率和所述并联谐振频率 的改变分别通过调节所述第一占空比η1和/或所述第二占空比η2实现。
可选地，一个所述声波带通滤波器单元内的所述串联谐振器和/或所述 并联谐振器采用薄膜体声波谐振器；
所述薄膜体声波谐振器包括第二主谐振区域和第二次谐振区域，所述 第二次谐振区域包含厚度d2和宽度w的特征；
所述声波带通滤波器单元内的所述并联谐振频率的改变通过调节所述 厚度d2和/或所述宽度w实现。
本发明还提供了一种低插损声波带通滤波器的实现方法，包括：
利用一个串联谐振器和一个并联谐振器构成一个声波带通滤波器单元；
级联多个所述声波带通滤波器单元；
其中，一个所述声波带通滤波器单元具有一个匹配频率，所述级联的多 个声波带通滤波器单元具有至少两个不同的匹配频率；
所述声波带通滤波器单元的匹配频率是由所述声波带通滤波器单元内 的串联谐振频率和并联谐振频率确定的，且所述串联谐振频率和所述并联 谐振频率的差值小于等于预设差值。
可选地，所述并联谐振器的第一端接地，所述并联谐振器的第二端连接 所述串联谐振器的任一端，形成一个所述声波带通滤波器单元；多个所述声 波带通滤波器单元中的每个声波带通滤波器单元的连接方式是一致的。
可选地，一个所述声波带通滤波器单元内的所述串联谐振器和/或所述 并联谐振器采用薄膜体声波谐振器；
所述薄膜体声波谐振器包括第一主谐振区域和第一次谐振区域，所述 第一主谐振区域具有第一占空比η1，所述第一次谐振区域具有第二占空比 η2；
所述声波带通滤波器单元内的所述串联谐振频率和所述并联谐振频率 的改变分别通过调节所述第一占空比η1和/或所述第二占空比η2实现。
可选地，所述声波带通滤波器单元内的所述串联谐振频率和所述并联 谐振频率的改变分别通过调节所述第一占空比η1和/或所述第二占空比η2实现，包括：
若所述级联的多个声波带通滤波器单元具有五个匹配频率f1、f2、f3、 f4和f5，且所述五个匹配频率依次相差13MHz，所述串联谐振频率对所述 第一占空比η1变化量的平均值为13MHz/0.1，则确定所述f1、f2、f3、f4和 f5对应的串联谐振器的第一占空比
和
分别为 0.3、0.4、0.5、0.6和0.7；
根据所述f1、f2、f3、f4和f5分别确定对应的并联谐振器的第二占空比
和
基于确定的所述
所述
所述
所述
所述
所 述
所述
所述
所述
和所述
调整光刻板中对应的 图形区域，通过一次刻蚀实现多个所述串联谐振频率和多个所述并联谐振 频率的差异调节。
可选地，一个所述声波带通滤波器单元内的所述串联谐振器和/或所述 并联谐振器采用薄膜体声波谐振器；
所述薄膜体声波谐振器包括第二主谐振区域和第二次谐振区域，所述 第二次谐振区域包含厚度d2和宽度w的特征；
所述声波带通滤波器单元内的所述并联谐振频率的改变通过调节所述 厚度d2和/或所述宽度w实现。
可选地，所述声波带通滤波器单元内的所述并联谐振频率的改变通过 调节所述厚度d2和/或所述宽度w实现，包括：
若所述级联的多个声波带通滤波器单元具有五个匹配频率f1、f2、f3、 f4和f5，且所述五个匹配频率依次相差13MHz，所述并联谐振频率对有效 面积A变化量的平均值为3.33MHz/1000μm2，其中，所述有效面积A为所 述厚度d2和所述宽度w的乘积，则确定所述f1、f2、f3、f4和f5对应的并联 谐振器的有效面积A201、A202、A203、A204和A205分别为700μm2、4600μm2、 8500μm2、12400μm2和16300μm2；
设置所述厚度d2为500nm，根据所述有效面积A201、A202、A203、A204和A205分别确定对应的w201、w202、w203、w204和w205；
基于确定的所述w201、所述w202、所述w203、所述w204和所述w205，调整光 刻板中对应的图形区域，通过一次刻蚀实现多个所述并联谐振频率的差异 调节。
可选地，所述薄膜体声波谐振器还包括基底和谐振器堆叠结构；
所述基底上与所述谐振器堆叠结构连接的一面设有反射镜，所述反射 镜为空腔结构或布拉格反射器；
所述谐振器堆叠结构包括第一电极层、压电薄膜层和第二电极层，所述 第一电极层、所述压电薄膜层和所述第二电极层依次层叠连接。
与现有技术相比，本发明的技术方案具有如下有益效果：
(1)本发明的低插损声波带通滤波器及其实现方法通过优化调节滤波 器中谐振器组的频率匹配点，使每个谐振器组的频率匹配点均在通带内合 理分布，避免现有技术中谐振器组带来的损耗叠加，可以有效降低滤波器通 带中心的插入损耗；
(2)本发明的低插损声波带通滤波器及其实现方法通过调节谐振器的 占空比或者次谐振区域的有效面积的参数，通过一次刻蚀即可实现多个谐 振频率的差异调节，无需额外的工艺步骤，避免每个谐振器依次调节，可以 降低制备工艺的难度及成本；
(3)本发明的低插损声波带通滤波器及其实现方法在实现串联谐振频 率和并联谐振器频率差异微调的同时，使谐振器具有较高的Q值，可以减 少声波的横向泄漏，进一步降低级联后滤波器的通带插入损耗。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述 中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是 本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动 的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是现有技术的梯形结构带通滤波器的频率匹配点示意图；
图2是本申请实施例的一种可选的梯形结构带通滤波器的方框图；
图3是本申请实施例的一种可选的梯形结构带通滤波器的频率匹配点 示意图；
图4是本申请实施例的一种可选的梯形结构带通滤波器的频率匹配点 示意图；
图5是本申请实施例的一种可选的梯形结构带通滤波器的频率响应曲 线图；
图6是本申请实施例的一种可选的薄膜体声波谐振器的结构示意图；
图7是本申请实施例的一种可选的薄膜体声波谐振器的结构示意图；
图8是本申请实施例的一种可选的梯形结构带通滤波器的方框图；
图9是本申请实施例的一种可选的梯形结构带通滤波器的方框图；
图10是本申请实施例的一种可选的梯形结构带通滤波器的方框图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进 行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例， 而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有 做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的 范围。
此处所称的“一个实施例”或“实施例”是指可包含于本发明至少一 个实现方式中的特定特征、结构或特性。在本发明的描述中，需要理解的是， 术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重 要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第 二”的特征可以明示或者隐含的包括一个或者更多个该特征。而且，术语 “第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序 或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描 述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。
随着无线终端多功能化技术的发展，对频率器件提出了微型化、低功耗、 低成本、高性能的要求。相较于传统技术的滤波器，薄膜体声波滤波器(FBAR) 以其在高频应用下的优势成为当今5G技术万众瞩目的焦点，FBAR具有较低 的插入损耗、高的矩形系数等优势，因此被广泛应用在当今无线通讯系统当 中。FBAR谐振器同时具有对外界环境因素的频率敏感性，可以根据其频率 的变化反应外界条件的改变，可用作生物化学、医学诊断以及环境监测等传 感器领域。
FBAR是一种利用纵向体声波进行谐振的技术，通过压电薄膜的逆压电 效应将电能量转化为纵向声波进行谐振，谐振器只能使特定频率的波通过。 因声波的传播速度相较于电磁波而言要小5个数量级左右，使得工作于同 样频率条件下的FBAR尺寸远小于介质陶瓷器件，其工作频率由其谐振器的 纵向有效区域厚度决定：
其中：vl为谐振器中传输的纵向声波速度，d为谐振区薄膜厚度。
薄膜体声波谐振器是决定射频信号在滤波器中进出质量的重要元件， 谐振器的各项指标决定组成的滤波器性能：机电耦合系数决定于滤波器的 宽带大小，谐振频率决定于滤波器的衰减点，品质因数Q是决定于滤波器 插入损耗的因素之一，对薄膜体声波谐振器Q值的相关专利研究已完成申 请。其次，在采用梯形拓扑结构的滤波器设计时，串联谐振器和并联谐振器 的频率点匹配程度也对滤波器插入损耗有着较大的影响。因此，如何提高串 联和并联谐振器的频率匹配程度是设计高性能滤波器的另一个重要因素， 也是时常会被忽略。
随着5G时代的到来，滤波器的工作频率越来越高，对插入损耗的要求 也越来越严格，单一对薄膜体声波谐振器Q值的优化可能并不能满足5G对 插入损耗的要求。因此，需要在保持高Q值谐振器的同时，优化串联和并联 谐振器的频率匹配点，避免所有谐振器组在中心频率处损耗叠加，实现有效 降低通带中心插入损耗的技术效果。
基于梯形拓扑结构的带通滤波器设计，现有技术方案主要是将串联谐 振器的串联谐振频率和并联谐振器的并联谐振频率完全匹配于通带中心 (如图1所示，每个谐振器组的频率点均位于某通带中心频率f0处)，每 个谐振器组均采用相同的设计，在实际工艺过程中频率点无法实现完全匹 配，若相隔较远会使滤波器的插入损耗增大，每个谐振器组均在此形成损耗 叠加，导致最终的插入损耗偏离理想设计值。
基于现有技术方案，本申请实施例提出优化调节滤波器排布中谐振器 组的频率匹配点，每个谐振器组的频率匹配点均位于通带内合理分布，可采 用等间距或根据所需要的频率范围进行设计。串联支路谐振器的串联谐振 频率在通带中心具有最小的阻抗，而并联支路谐振器的并联谐振频率在通 带中心具有最大的阻抗，以保证信号从串联支路通过形成通带。本专利采用 分布式频率匹配点，避免现有技术内部谐振器组带来的损耗叠加，有效降低 滤波器中心的插入损耗。增强抵抗因工艺导致的频率波动，降低工艺难度， 同时满足滤波器的工作性能，加工可靠性及加工成本等技术要求。
实施例一
如图2所示，本申请实施例提供了一种低插损声波带通滤波器，包括 级联的多个声波带通滤波器单元201，202，203，204，205，……，20n； 该声波带通滤波器单元201包括一个串联谐振器201-1和一个并联谐振器 201-2；其中，并联谐振器201-2的第一端接地，并联谐振器201-2的第二 端连接串联谐振器201-1的任一端；声波带通滤波器单元201，202，203，204，205，……，20n与声波带通滤波器单元201类似；声波带通滤波器单 元201具有一个匹配频率f1，声波带通滤波器单元201，202，203，204， 205，……，20n具有匹配频率f2、f3、f4、f5……，fn，该级联的多个声波 带通滤波器单元具有至少两个不同的匹配频率，即匹配频率f1、f2、f3、f4、 f5……，fn中至少有两种频率值；该声波带通滤波器单元的匹配频率是由声 波带通滤波器单元内的串联谐振频率fs和并联谐振频率fp确定的，且该串联 谐振频率fs和并联谐振频率fp的差值小于等于预设差值，即串联谐振频率fs等于或接近并联谐振频率fp。
实施例二
请参见图3和图6，本申请实施例提供了一种低插损声波带通滤波器， 包括五个声波带通滤波器单元，该五个声波带通滤波器单元具有五个不同 的匹配频率f1、f2、f3、f4和f5，如图3所示，f1、f2、f3、f4和f5等间距分 布在通带内，以滤波器等效级联电路为标准，从输入端开始至输出端，依次 为每个谐振器组合分配频率点(f1至f5)，相较于图1所示的现有技术，将 频率点在通带内进行分散，避免串联谐振频率和并联谐振频率不匹配而引 起的损耗在同一点处叠加，即可有效降低通带内部的插入损耗。
需要说明的是，匹配频率的数量并不限于上述的五个，可根据实际滤波 器设计中，串联谐振器和并联谐振器的组合数量进行通带划分；频率点的分 配不限于从输入端至输出端，同时也包含其他顺序的简单更改，应包含于本 实施例中。
本实施例中的声波带通滤波器单元内的串联谐振器并联谐振器采用图 6所示的薄膜体声波谐振器；该薄膜体声波谐振器包括第一主谐振区域601 和两个第一次谐振区域602组成的声阻抗调谐结构，两个第一次谐振区域 602位于第一主谐振区域601的两侧，其中，第一主谐振区域601具有第一 占空比η1，第一次谐振区域602具有第二占空比η2；声波带通滤波器单元内 的串联谐振频率fs和并联谐振频率fp的改变分别通过调节该第一占空比η1和/或第二占空比η2实现。
本申请实施例中，占空比定义为：一个周期内图形区宽度W与周期T (图形区与非图形区总宽度)之间的比值。如图6中所示(图6中所示的 第一次谐振区域602以包括三个第一单元为例)，若W2为第一次谐振区域 602中一个单元的图形区宽度(即图6中一个凸起和一个凹陷的总宽度)， 第一次谐振区域602中一个单元的周期为T2(即图6中图形区和非图形区 的总宽度)，第一次谐振区域602的占空比为W2与周期T2的比值；若W1 为第一主谐振区域601中一个单元的图形宽度，第一主谐振区域601中一 个单元的周期为T1，第一主谐振区域601的占空比为W1与T1的比值。
图6所示的薄膜体声波谐振器还包括基底603和谐振器堆叠结构；基 底603上与谐振器堆叠结构连接的一面设有反射镜604，反射镜604为空腔 结构或布拉格反射器(DBR)；谐振器堆叠结构包括第一电极层605(厚度 0.1μm至0.4μm)、压电薄膜层606(厚度0.5μm至2μm)和第二电极层 607(厚度0.1μm至0.4μm)，第一电极层605、压电薄膜层606和第二电 极层607依次层叠连接。
本申请实施例中，基底603可以为高阻硅基底(电阻率1k-100kΩ·cm)、 砷化镓或蓝宝石等；声阻抗调谐结构与第二电极层607可以为相同的金属 材料，也可以为不同金属材料，第二电极层607的金属材料可以为钼(Mo)、 铝(Al)、铂(Pt)、钨(W)、金(Au)等；第一电极层605的材料可以 为钼(Mo)、铝(Al)、铂(Pt)、钨(W)、金(Au)等；压电薄膜层606 可选择为氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)、锆钛酸铅(PZT)等材料或掺杂 材料，例如，本申请实施例采用的压电薄膜层606为氮化铝(AlN)，也可 以是稀土元素(如钪(Sc)等)掺杂的氮化铝AlN。
本申请实施例中，第二电极层607之上可以覆盖一层保护电极被氧化 的钝化层薄膜。
本申请实施例中，谐振器堆叠结构还可以包括种子层或支撑层608；以 支撑层608为例，支撑层608包括相对应的第一面和第二面，支撑层608的 第一面与基底603层叠连接，支撑层608的第二面与第一电极层605层叠 连接。即支撑层608、第一电极层605、压电薄膜层606和第二电极层607 由下至上依次层叠连接。
本申请实施例中，声阻抗调谐结构为亚波长声学微结构，所述声学亚波 长可表示为微结构的横向宽度w需要小于纵向声波传播的波长λl，进一步地 可以小于λl/2，纵波波长λl可从谐振器等效膜层厚度计算得到，公式如下：
其中，vl为压电薄膜中的纵波声速，tn和vn分别为各膜层厚度及纵波声 速。
本申请实施例提供的低插损声波带通滤波器由图6的薄膜体声波谐振 器组成，该薄膜体声波谐振器在第二电极层607上设置声阻抗调谐结构， 该声阻抗调谐结构为亚波长声学微结构；通过调整多个谐振器的第一占空 比η1和/或第二占空比η2可以实现多个谐振器的频率差异调节，将频率点在 通带内进行分散，避免串联谐振频率和并联谐振频率不匹配而引起的损耗 在同一点处叠加；同时，通过调整占空比及周期，可以使得第一主谐振区域 601和第一次谐振区域602的声阻抗不同，不匹配程度提高，能够形成多层 横向声波的反射界面，限制声波能量从谐振器边缘处泄漏，提高谐振器的品 质因数Q值。且该薄膜体声波谐振器的制造方法完全基于成熟的MEMS半导 体工艺技术，可通过现有的设备进行可重复的大批量生产，无需引入其他传 统工艺，大大降低了成本。
实施例三
请参见图3和图7，本实施例中与实施例二同样采用等间距分布的频率 点，不同的是，本实施例中的薄膜体声波谐振器为图7所示的结构，包括第 二主谐振区域701和两个第二次谐振区域702组成的声阻抗调谐结构，该 两个第二次谐振区域702分别位于第二主谐振区域701的两侧，其中，第 二次谐振区域702包含厚度dx和宽度w的特征；声波带通滤波器单元内的 并联谐振频率fp的改变通过调节厚度d2和/或宽度w实现。
图7所示的薄膜体声波谐振器还包括高阻硅基底703(电阻率1k- 100kΩ·cm)以及谐振器堆叠结构，基底703上与谐振器堆叠结构连接的一 面设有反射镜708，反射镜708为空腔结构或布拉格反射器(DBR)；谐振 器堆叠结构包括种子层或支撑层704(10nm至50nm)、第一电极层705 (0.1μm至0.4μm)、压电薄膜层706(0.5μm至2μm)以及第一电极层707(0.1μm至0.4μm)，第一电极层707之上可以覆盖一层保护电极被 氧化的钝化层薄膜(图中未显示)，各层材料与实施例二中图6的相同。
在具体实施中，第二次谐振区域702的主要作用是增强横向声波的反 射，避免能量泄漏，提高谐振器的品质因数Q值。根据其等效电路可知，第 二次谐振区域702的结构参数的变化仅改变谐振器的并联谐振频率fp，而 串联谐振频率fs不会发生变化，串联谐振频率fs决定于第二主谐振区域701 的膜层厚度d1。即合理微调并联谐振器的凸起结构参数，包括其厚度d2和 横向宽度w，能够更快地实现串联谐振器和并联谐振器的频率匹配，弥补工艺制备上带来的误差，d1和d2均可以在100nm至800nm范围内取值，w可以 在1μm至100μm范围内取值。第二主谐振区域701的膜层厚度d1一般不 进行调节，因其变化会导致串联谐振频率和并联谐振频率同时改变，频率完 全匹配较难实现。需要说明的是，凸起结构宽度w的调节需要根据横向声 波的色散关系来共同确定，尽量保证为其波长的四分之一，即w＝0.25× (2n+1)×λ，其中，n为正整数。
实施例四
如图4所示，本申请实施例提供了一种低插损声波带通滤波器，包括 五个声波带通滤波器单元，该五个声波带通滤波器单元具有五个不同的匹 配频率f1、f2、f3、f4和f5，如图3所示，f1、f2、f3、f4和f5采用的是渐变 式分布在通带内，频率匹配点由通带中心向两端变化，中心分布较分散，两 端分布较密集，实际的排布规律需要根据滤波器S参数性能进行调整。通 带中心的插入损耗对频率匹配程度较敏感，通常会出现大大小小的凹陷，因 此通带中心的频率点间隔应大于两端频率点间隔。
需要说明的是，本申请实施例的频率点在通带上的划分并不限于上述 实施例二至四中的两种形式，频率匹配点也可以根据滤波器通带纹波进行 优化，将频率点调整至纹谷，可以有效减小通带纹波的抖动幅值，也可以是 其他的划分形式。
图5是本申请实施例的一种可选的梯形结构带通滤波器的频率响应曲 线图，其中菱形曲线为现有技术的带通滤波器，正方形曲线为频率点等间距 分布的带通滤波器，三角形曲线为频率点渐变式分布的带通滤波器。
相较于现有技术设计的滤波器，本申请实施例的带通滤波器的通带插 入损耗均能达到减小的有益技术效果，其通带附近的纹波抖动变得更加平 坦。
实施例五
本申请实施例还提供了一种低插损声波带通滤波器的实现方法，包括：
结合图2、图3和图6所示，利用一个串联谐振器和一个并联谐振器构 成一个声波带通滤波器单元；级联五个声波带通滤波器单元(201，202，203， 204，205)；其中，每个声波带通滤波器单元具有一个匹配频率，该级联的 五个声波带通滤波器单元具有五个不同的匹配频率；该声波带通滤波器单 元的匹配频率是由声波带通滤波器单元内的串联谐振频率和并联谐振频率 确定的，且串联谐振频率和并联谐振频率的差值小于等于预设差值。
其中，并联谐振器的第一端接地，并联谐振器的第二端连接串联谐振器 的任一端，形成一个声波带通滤波器单元，多个声波带通滤波器单元中的每 个声波带通滤波器单元的连接方式是一致的。
该声波带通滤波器单元内的串联谐振器和并联谐振器采用薄膜体声波 谐振器；该薄膜体声波谐振器包括第一主谐振区域601和第一次谐振区域 602，第一主谐振区域601具有第一占空比η1，第一次谐振区域602具有第 二占空比η2；声波带通滤波器单元内的串联谐振频率fs和并联谐振频率fp的 改变分别通过调节第一占空比η1和/或第二占空比η2实现。
具体地，声波带通滤波器单元内的串联谐振频率fs和并联谐振频率fp的 改变分别通过调节第一占空比η1和/或第二占空比η2实现，包括：
若级联的多个声波带通滤波器单元具有五个匹配频率f1、f2、f3、f4和 f5，且该五个匹配频率依次相差13MHz(等间距分布)，串联谐振频率fs对 第一占空比η1变化量的平均值为13MHz/0.1；则确定f1、f2、f3、f4和f5对 应的串联谐振器的第一占空比
和
分别为0.3、 0.4、0.5、0.6和0.7；相应地，根据f1、f2、f3、f4和f5分别确定对应的并 联谐振器的第二占空比
和
基于确定的
和
调整光刻板中 对应的图形区域，通过一次刻蚀实现多个串联谐振频率fs和多个并联谐振频 率fp的差异调节。
实施例六
本申请实施例还提供了一种低插损声波带通滤波器的实现方法，包括：
结合图2、图3和图7所示，利用一个串联谐振器和一个并联谐振器构 成一个声波带通滤波器单元；级联五个声波带通滤波器单元(201，202，203， 204，205)；其中，每个声波带通滤波器单元具有一个匹配频率，该级联的 五个声波带通滤波器单元具有五个不同的匹配频率；该声波带通滤波器单 元的匹配频率是由声波带通滤波器单元内的串联谐振频率和并联谐振频率 确定的，且串联谐振频率和并联谐振频率的差值小于等于预设差值。
其中，并联谐振器的第一端接地，并联谐振器的第二端连接串联谐振器 的任一端，形成一个声波带通滤波器单元，多个声波带通滤波器单元中的每 个声波带通滤波器单元的连接方式是一致的。
该声波带通滤波器单元内的串联谐振器和并联谐振器采用薄膜体声波 谐振器；该薄膜体声波谐振器包括第二主谐振区域701和第二次谐振区域 702，第二次谐振区域702包含厚度d2和宽度w的特征；该声波带通滤波器 单元内的并联谐振频率fp的改变通过调节厚度d2和/或宽度w实现。
具体地，声波带通滤波器单元内的并联谐振频率fp的改变通过调节厚度 d2和/或宽度w实现，包括：
若级联的多个声波带通滤波器单元具有五个匹配频率f1、f2、f3、f4和 f5，且所述五个匹配频率依次相差13MHz(等间距分布)，并联谐振频率fp对有效面积A变化量的平均值为3.33MHz/1000μm2，其中，有效面积A为 所述厚度d2和所述宽度w的乘积；则确定f1、f2、f3、f4和f5对应的并联谐 振器的有效面积A201、A202、A203、A204和A205分别为700μm2、4600μm2、8500μm2、 12400μm2和16300μm2；预设厚度d2为500nm，根据有效面积A201、A202、A203、 A204和A205分别确定对应的w201、w202、w203、w204和w205；基于确定的w201、w202、 w203、w204和w205，调整光刻板中对应的图形区域，通过一次刻蚀实现多个所 述并联谐振频率的差异调节。
在具体实施中，第二次谐振区域702的主要作用是增强横向声波的反 射，避免能量泄漏，提高谐振器的品质因数Q值。根据其等效电路可知，第 二次谐振区域702的结构参数的变化仅改变谐振器的并联谐振频率fp，而 串联谐振频率fs不会发生变化，串联谐振频率fs决定于第二主谐振区域701 的膜层厚度d1。即合理微调并联谐振器的凸起结构参数，包括其厚度d2和 横向宽度w，能够更快地实现串联谐振器和并联谐振器的频率匹配，弥补工艺制备上带来的误差，d1和d2均可以在100nm至800nm范围内取值，w可以 在1μm至100μm范围内取值。第二主谐振区域701的膜层厚度d1一般不 进行调节，因其变化会导致串联谐振频率和并联谐振频率同时改变，频率完 全匹配较难实现。需要说明的是，凸起结构宽度w的调节需要根据横向声 波的色散关系来共同确定，尽量保证为其波长的四分之一，即w＝0.25× (2n+1)×λ，其中，n为正整数。
d1和d2均可在100nm至800nm范围内取值，w可以在1μm至100μm范 围内取值，此时，若并联谐振器的有效面积A201、A202、A203、A204和A205分别 确定为700μm2、4600μm2、8500μm2、12400μm2和16300μm2，由n取值不 同而不同，根据有效面积A合理调整横向宽度w和谐振器总面积S即可。 具体地，其中，图2中的并联谐振器201-2的宽度w201可以是3.5μm，总面 积S201为18700μm2；d1-201厚度可以是223.7nm；d2-201厚度可以是500nm。并 联谐振器202-2、203-2、204-2、205-2类似，需要根据滤波器的工作频率 进行调整。
实施例七
本申请实施例的低插损声波带通滤波器的实现方法中，串联谐振器和 并联谐振器的组合不仅可以采用上述的实施例中的方式，也可以是如图 8～10所示的组合方式，其中图8对应4个匹配频率，图9对应3个匹配频 率，图10对应两个匹配频率，即谐振器A的组合、谐振器B的组合、谐振 器C的组合、谐振器D的组合分别对应一个匹配频率，且每个组合内至少 包含一个串联谐振器和一个并联谐振器，其串联谐振频率和并联谐振频率 需要严格按照频率点匹配，匹配方法均可以运用上述实施例五和实施例六 中的方法对串联谐振频率和并联谐振频率进行微调，实现匹配。
需要说明的是，图8仅对谐振器的组合方式做说明性示意，并非 完全按照图示进行组合，即相同频率组合之间还可以存在其他频率的 组合；图示中的A、B、C、D标注仅作为谐振器的归类，前后相同标 注的谐振器并不代表有结构参数或频率上的一致性。另外，频率匹配 点个数也不局限于2-4个，根据实际滤波器的通带性能不同而不同。 合理设计谐振器的频率匹配点个数、通带位置以及谐振器的组合方式， 分散频率匹配点，避免由谐振频率不匹配引起的损耗叠加，能够使滤 波器具有更好的通带插损特性。
需要说明的是，本申请实施例的低插损声波带通滤波器及其实现方法 不仅应用于上述的薄膜体声波滤波器(FBAR)中，也能够在固态装配型谐振 器(SMR)、声表面波谐振器(SAW)或其他具有类似原理谐振器中的应用。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通 技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰， 这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种低插损声波带通滤波器，其特征在于，包括级联的多个声波带通滤波器单元；
所述声波带通滤波器单元包括一个串联谐振器和一个并联谐振器；
所述并联谐振器的第一端接地，所述并联谐振器的第二端连接所述串联谐振器的任一端；多个所述声波带通滤波器单元中的每个声波带通滤波器单元的连接方式是一致的；
一个所述声波带通滤波器单元具有一个匹配频率，所述级联的多个声波带通滤波器单元具有至少两个不同的匹配频率；
所述声波带通滤波器单元的匹配频率是由所述声波带通滤波器单元内的串联谐振频率和并联谐振频率确定的，且所述串联谐振频率和所述并联谐振频率的差值小于等于预设差值。
2.根据权利要求1所述的低插损声波带通滤波器，其特征在于，一个所述声波带通滤波器单元内的所述串联谐振器和/或所述并联谐振器采用薄膜体声波谐振器；
所述薄膜体声波谐振器包括第一主谐振区域和第一次谐振区域，所述第一主谐振区域具有第一占空比η1，所述第一次谐振区域具有第二占空比η2；
所述声波带通滤波器单元内的所述串联谐振频率和所述并联谐振频率的改变分别通过调节所述第一占空比η1和/或所述第二占空比η2实现。
3.根据权利要求1所述的低插损声波带通滤波器，其特征在于，一个所述声波带通滤波器单元内的所述串联谐振器和/或所述并联谐振器采用薄膜体声波谐振器；
所述薄膜体声波谐振器包括第二主谐振区域和第二次谐振区域，所述第二次谐振区域包含厚度d2和宽度w的特征；
所述声波带通滤波器单元内的所述并联谐振频率的改变通过调节所述厚度d2和/或所述宽度w实现。
4.一种低插损声波带通滤波器的实现方法，其特征在于，包括：
利用一个串联谐振器和一个并联谐振器构成一个声波带通滤波器单元；
级联多个所述声波带通滤波器单元；
其中，一个所述声波带通滤波器单元具有一个匹配频率，所述级联的多个声波带通滤波器单元具有至少两个不同的匹配频率；
所述声波带通滤波器单元的匹配频率是由所述声波带通滤波器单元内的串联谐振频率和并联谐振频率确定的，且所述串联谐振频率和所述并联谐振频率的差值小于等于预设差值。
5.根据权利要求4所述的低插损声波带通滤波器的实现方法，其特征在于，所述并联谐振器的第一端接地，所述并联谐振器的第二端连接所述串联谐振器的任一端，形成一个所述声波带通滤波器单元；多个所述声波带通滤波器单元中的每个声波带通滤波器单元的连接方式是一致的。
6.根据权利要求4所述的低插损声波带通滤波器的实现方法，其特征在于，一个所述声波带通滤波器单元内的所述串联谐振器和/或所述并联谐振器采用薄膜体声波谐振器；
所述薄膜体声波谐振器包括第一主谐振区域和第一次谐振区域，所述第一主谐振区域具有第一占空比η1，所述第一次谐振区域具有第二占空比η2；
所述声波带通滤波器单元内的所述串联谐振频率和所述并联谐振频率的改变分别通过调节所述第一占空比η1和/或所述第二占空比η2实现。
7.根据权利要求6所述的低插损声波带通滤波器的实现方法，所述声波带通滤波器单元内的所述串联谐振频率和所述并联谐振频率的改变分别通过调节所述第一占空比η1和/或所述第二占空比η2实现，包括：
若所述级联的多个声波带通滤波器单元具有五个匹配频率f1、f2、f3、f4和f5，且所述五个匹配频率依次相差13MHz，所述串联谐振频率对所述第一占空比η1变化量的平均值为13MHz/0.1，则确定所述f1、f2、f3、f4和f5对应的串联谐振器的第一占空比
和
分别为0.3、0.4、0.5、0.6和0.7；
根据所述f1、f2、f3、f4和f5分别确定对应的并联谐振器的第二占空比
和
基于确定的所述
所述
所述
所述
所述
所述
所述
所述
所述
和所述
调整光刻板中对应的图形区域，通过一次刻蚀实现多个所述串联谐振频率和多个所述并联谐振频率的差异调节。
8.根据权利要求4所述的低插损声波带通滤波器的实现方法，其特征在于，一个所述声波带通滤波器单元内的所述串联谐振器和/或所述并联谐振器采用薄膜体声波谐振器；
所述薄膜体声波谐振器包括第二主谐振区域和第二次谐振区域，所述第二次谐振区域包含厚度d2和宽度w的特征；
所述声波带通滤波器单元内的所述并联谐振频率的改变通过调节所述厚度d2和/或所述宽度w实现。
9.根据权利要求6所述的低插损声波带通滤波器的实现方法，所述声波带通滤波器单元内的所述并联谐振频率的改变通过调节所述厚度d2和/或所述宽度w实现，包括：
若所述级联的多个声波带通滤波器单元具有五个匹配频率f1、f2、f3、f4和f5，且所述五个匹配频率依次相差13MHz，所述并联谐振频率对有效面积A变化量的平均值为3.33MHz/1000μm2，其中，所述有效面积A为所述厚度d2和所述宽度w的乘积则确定所述f1、f2、f3、f4和f5对应的并联谐振器的有效面积A201、A202、A203、A204和A205分别为700μm2、4600μm2、8500μm2、12400μm2和16300μm2；
设置所述厚度d2为500nm，根据所述有效面积A201、A202、A203、A204和A205分别确定对应的w201、w202、w203、w204和w205；
基于确定的所述w201、所述w202、所述w203、所述w204和所述w205，调整光刻板中对应的图形区域，通过一次刻蚀实现多个所述并联谐振频率的差异调节。
10.根据权利要求6～9任意一项所述的低插损声波带通滤波器的实现方法，其特征在于，所述薄膜体声波谐振器还包括基底和谐振器堆叠结构；
所述基底上与所述谐振器堆叠结构连接的一面设有反射镜，所述反射镜为空腔结构或布拉格反射器；
所述谐振器堆叠结构包括第一电极层、压电薄膜层和第二电极层，所述第一电极层、所述压电薄膜层和所述第二电极层依次层叠连接。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110024640.6A CN114759899A (zh) | 2021-01-08 | 2021-01-08 | 一种低插损声波带通滤波器及其实现方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110024640.6A CN114759899A (zh) | 2021-01-08 | 2021-01-08 | 一种低插损声波带通滤波器及其实现方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114759899A true CN114759899A (zh) | 2022-07-15 |
Family
ID=82325263
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110024640.6A Pending CN114759899A (zh) | 2021-01-08 | 2021-01-08 | 一种低插损声波带通滤波器及其实现方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114759899A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116169452A (zh) * | 2022-12-15 | 2023-05-26 | 北京芯溪半导体科技有限公司 | 滤波器设计方法、装置及相关设备 |
| CN117040477A (zh) * | 2022-12-16 | 2023-11-10 | 北京芯溪半导体科技有限公司 | 一种滤波器、多工器和通信设备 |
-
2021
- 2021-01-08 CN CN202110024640.6A patent/CN114759899A/zh active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116169452A (zh) * | 2022-12-15 | 2023-05-26 | 北京芯溪半导体科技有限公司 | 滤波器设计方法、装置及相关设备 |
| CN116169452B (zh) * | 2022-12-15 | 2023-09-22 | 北京芯溪半导体科技有限公司 | 滤波器设计方法、装置及相关设备 |
| CN117040477A (zh) * | 2022-12-16 | 2023-11-10 | 北京芯溪半导体科技有限公司 | 一种滤波器、多工器和通信设备 |
| CN117040477B (zh) * | 2022-12-16 | 2024-01-23 | 北京芯溪半导体科技有限公司 | 一种滤波器、多工器和通信设备 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN113615083A (zh) | 带有半λ介电层的横向激励的薄膜体声波谐振器 | |
| EP2930845B1 (en) | Low-insertion-loss piezoelectric acoustic wave band-pass filter and realization method thereof | |
| CN113765495A (zh) | 用于大功率应用的使用yx切割的铌酸锂的横向激励的薄膜体声波谐振器 | |
| US20240080012A1 (en) | Resonant cavity surface acoustic wave (saw) filters | |
| US7170370B2 (en) | Filter device capable of obtaining attenuation characteristic of sharpness in narrow band width and branching filter using the same | |
| EP2128980A2 (en) | Acoustic wave device and high-frequency filter using the same | |
| US20050127794A1 (en) | Surface acoustic wave device and manufacturing method thereof | |
| US7075214B2 (en) | Piezoelectric resonator and electronic component provided therewith | |
| JP4836748B2 (ja) | バルク音響波共振子及びフィルタ装置並びに通信装置 | |
| CN114759899A (zh) | 一种低插损声波带通滤波器及其实现方法 | |
| EP1523097B1 (en) | Air-gap type FBAR, method for fabricating the same, and filter and duplexer using the same | |
| CN115913167A (zh) | 一种多传输零点的声表面波滤波器及信号处理电路 | |
| US10886893B2 (en) | Reduced-size guided-surface acoustic wave (SAW) devices | |
| CN112350681A (zh) | 一种频率可调的薄膜体声波谐振器 | |
| CN116800220A (zh) | 在母线-电极间隙中具有间隙介电条的横向激发薄膜体声学谐振器 | |
| US20230412142A1 (en) | Piezoelectric layer arrangements in acoustic wave devices and related methods | |
| US11777470B2 (en) | Interdigital transducer arrangements for surface acoustic wave devices | |
| CN115037263A (zh) | 一种横向激励的薄膜体声波谐振器及滤波器 | |
| CN111817687A (zh) | 滤波器设计方法和滤波器、多工器、通信设备 | |
| CN116248072B (zh) | 一种声波滤波器及信号处理电路 | |
| Pensala et al. | Laterally acoustically coupled BAW filters at 3.6 GHz | |
| US20230208386A1 (en) | Reflective structures for surface acoustic wave devices | |
| Fachberger et al. | NSPUDT resonator on langasite | |
| KR20030027430A (ko) | 박막 벌크 어쿠스틱 공진기와 이를 이용한 대역통과 필터및 그 제조방법 | |
| CN114189225A (zh) | 一种薄膜体声波谐振器及应用其的滤波器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |