CN116981289A - 发光显示装置 - Google Patents

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金亨学
金炫营
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Abstract

实施例提供一种发光显示装置，所述发光显示装置包括：像素电路，设置在基底上；修复线，设置在所述基底上；连接电极，在所述基底的厚度方向上与所述修复线重叠；绝缘层，设置在所述像素电路和所述连接电极上；像素电极，设置在所述绝缘层上；以及连接部分，设置在所述绝缘层上。所述像素电极包括：第一电极部分，通过形成在所述绝缘层中的第一接触孔电连接到所述像素电路；和第二电极部分，通过形成在所述绝缘层中的第二接触孔电连接到所述连接电极。所述连接部分将所述第一电极部分和所述第二电极部分电连接。

Description

发光显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2022年4月29日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2022-0053639号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
本公开涉及一种包括发光二极管的发光显示装置。
背景技术
发光显示装置包括对应于像素的发光元件，并且可以通过控制多个发光元件中的每一个的亮度来显示图像。与诸如液晶显示器的光接收显示装置不同，发光显示装置不需要单独的光源(诸如背光灯)，并且因此发光显示装置的厚度和重量可以减少。此外，发光显示装置具有诸如高亮度、高对比度、高颜色再现性和高响应速度的特性，使得可以显示高质量的图像。
由于这些优点，发光显示装置正在被应用于诸如移动装置(诸如智能电话、平板计算机和膝上型计算机)、监视器和电视机的各种电子装置，并且作为用于车辆的显示装置正是突显的。
在本背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对背景的理解，并且因此，以上信息可以包含不构成对本领域普通技术人员而言已知的现有技术的信息。
发明内容
实施例在于提供一种可以修复有缺陷的像素的发光显示装置。
实施例提供一种发光显示装置，所述发光显示装置可以包括：像素电路，设置在基底上；修复线，设置在所述基底上；连接电极，在所述基底的厚度方向上与所述修复线重叠；绝缘层，设置在所述像素电路和所述连接电极上；像素电极，设置在所述绝缘层上；以及连接部分，设置在所述绝缘层上。所述像素电极可以包括：第一电极部分，通过形成在所述绝缘层中的第一接触孔电连接到所述像素电路；和第二电极部分，通过形成在所述绝缘层中的第二接触孔电连接到所述连接电极。所述连接部分可以将所述第一电极部分和所述第二电极部分电连接。
所述连接电极的宽度可以大于所述修复线的宽度。
所述发光显示装置还可以包括：像素限定层，设置在所述绝缘层上并且包括在所述厚度方向上分别与所述第一电极部分和所述第二电极部分重叠的第一开口和第二开口。所述像素限定层可以覆盖所述连接部分。
所述发光显示装置还可以包括：发光层，包括第一部分和第二部分，所述第一部分和所述第二部分分别设置在所述第一电极部分和所述第二电极部分上并且彼此分离。
所述像素电路可以包括晶体管，并且所述第一电极部分可以电连接到所述晶体管的电极。所述连接电极和所述晶体管的所述电极可以在相同的工艺中由相同的材料形成。
所述像素电路可以包括电容器。所述修复线和所述电容器的电极可以在相同的工艺中由相同的材料形成。
所述像素电极可以具有开口，所述开口在所述厚度方向上穿过所述像素电极并且所述开口设置在所述第一电极部分与所述第二电极部分之间。
所述发光显示装置还可以包括：虚拟像素电路，设置在所述基底上并且电连接到所述修复线。所述基底可以包括显示图像的显示区域和设置为与所述显示区域相邻的非显示区域。所述像素电路可以设置在所述显示区域中，并且所述虚拟像素电路可以设置在所述非显示区域中。
所述发光显示装置还可以包括：数据线，电连接到所述像素电路并且传输数据电压；以及栅极线，电连接到所述像素电路并且传输栅极信号。所述修复线和所述数据线可以在同一方向上延伸，或者所述修复线和所述栅极线可以在同一方向上延伸。
所述连接部分可以设置在所述第一电极部分和所述第二电极部分与所述绝缘层之间。
所述连接部分可以包括钛。
所述发光显示装置还可以包括：焊盘部分，包括多个焊盘。所述多个焊盘中的每一个可以包括多个电极层，并且所述多个电极层的最上层和所述连接部分可以在相同的工艺中由相同的材料形成。
所述最上层可以完全地覆盖所述多个电极层中的直接设置在所述最上层下方的电极层。
所述发光显示装置还可以包括：发光层，包括：第一部分，设置在所述第一电极部分上；第二部分，设置在所述第二电极部分上；和第三部分，设置在所述连接部分上。所述第一部分、所述第二部分和所述第三部分可以彼此一体。
所述连接部分的长度可以大于或等于大约4.5μm。
另一实施例提供一种发光显示装置，所述发光显示装置可以包括：像素电路和虚拟像素电路，所述像素电路和所述虚拟像素电路各自设置在基底上；修复线，电连接到所述虚拟像素电路；连接电极，在所述基底的厚度方向上与所述修复线重叠并且电连接到所述修复线；像素电极，包括：第一电极部分，电连接到所述像素电路；和第二电极部分，电连接到所述连接电极；以及发光层，包括：第一部分，设置在所述第一电极部分上；和第二部分，设置在所述第二电极部分上。所述第一电极部分和所述第二电极部分可以彼此分离。
所述发光显示装置还可以包括：像素限定层，设置在所述像素电极上并且包括在所述厚度方向上分别与所述第一电极部分和所述第二电极部分重叠的第一开口和第二开口。所述第一开口和所述第二开口可以彼此分离。
所述像素电路可以包括电容器。所述修复线和所述电容器的电极可以在相同的工艺中由相同的材料形成。
所述发光显示装置还可以包括：绝缘层，设置在所述修复线与所述连接电极之间。所述修复线可以穿过所述绝缘层激光焊接到所述连接电极。
所述发光显示装置还可以包括：绝缘层，设置在所述连接电极与所述像素电极之间，以及导电层，设置在所述绝缘层与所述第一电极部分和所述第二电极部分之间，并且与所述绝缘层、所述第一电极部分和所述第二电极部分接触。
根据实施例，可以修复发光显示装置的有缺陷的像素，并且可以防止整个有缺陷的像素变暗。根据实施例，还存在可以在整个说明书中认识到的有益效果。
附图说明
图1示出了根据实施例的发光显示装置的示意性透视图。
图2示出了根据实施例的像素的示意图。
图3示出了根据实施例的像素的示意图。
图4示出了根据实施例的有缺陷的像素的修复方法。
图5示出了根据实施例的有缺陷的像素的修复方法。
图6示出了根据实施例的发光显示装置的一个像素的等效电路的示意性电路图。
图7示出了根据实施例的发光显示装置的虚拟像素电路的等效电路的示意性电路图。
图8示出了根据实施例的发光显示装置中的设置在显示区域中的像素的示意性俯视平面图。
图9示出了沿图8的线A-A'截取的实施例的示意性截面图。
图10示出了沿图8的线B-B'截取的实施例的示意性截面图。
图11和图12示出了用于解释像素的修复的示意性截面图。
图13示出了沿图8的线B-B'截取的实施例的示意性截面图。
图14示出了用于解释像素的修复的示意性截面图。
图15示出了根据实施例的发光显示装置中的设置在显示区域中的像素的示意性俯视平面图。
图16示出了沿图15的线C-C'截取的实施例的示意性截面图。
图17和图18示出了用于解释像素的修复的示意性截面图。
图19示出了根据实施例的发光显示装置的焊盘部分的示意性截面图。
图20示出了根据实施例的发光显示装置的焊盘部分的示意性截面图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图更充分地描述本公开。
将理解的是，当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“耦接到”另一元件或层时，所述元件可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接耦接到所述另一元件或层，或者可以存在居间元件或层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接耦接到”另一元件或层时，不存在居间元件或居间层。为此，术语“连接”可以指具有或不具有居间元件的物理连接、电气连接和/或流体连接。另外，当元件被称为“与”另一元件“接触(in contact)”或“接触(contacted)”另一元件等时，所述元件可以与另一元件“电接触”或“物理接触”；或者与另一元件“间接接触”或“直接接触”。
此外，第一方向x、第二方向y和第三方向z不限于直角坐标系的三个轴(诸如x轴、y轴和z轴)，并且可以以更广泛的意义进行解释。例如，第一方向x、第二方向y和第三方向z可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。
在说明书和权利要求书中，短语“……中的至少一个(种/者)”出于其含义和解释的目的旨在包括“选自……的组中的至少一个(种/者)”的含义。例如，“A和B中的至少一个(种/者)”可以被理解为意味着“A、B、或者A和B”。
在说明书和权利要求书中，术语“和/或”出于其含义和解释的目的旨在包括术语“和”以及“或”的任意组合。例如，“A和/或B”可以被理解为意味着“A、B、或者A和B”。术语“和”以及“或”可以在连接或分离意义上使用并且可以被理解为等同于“和/或”。
除非在本文中另外定义或暗示，否则所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的技术人员所通常理解的相同的含义。还将理解的是，除非在说明书中明确地定义，否则术语(诸如在通用词典中定义的术语)应当被解释为具有与它们在相关领域的背景中的含义相一致的含义，而不应当以理想化的或过于形式化的意义进行解释。
图1示出了根据实施例的发光显示装置的示意性透视图。
参考图1，发光显示装置(在下文中，简称为“显示装置”)可以包括显示面板10、接合到显示面板10的柔性印刷电路膜20、以及包括集成电路芯片30等的驱动装置。
显示面板10可以包括与在其上显示图像的屏幕对应的显示区域DA、以及其中设置有用于生成和/或传输施加到显示区域DA的各种信号的电路和/或信号线的非显示区域NA。非显示区域NA可以设置为与显示区域DA相邻。在图1中，虚线四边形的内侧和外侧可以分别对应于显示区域DA和非显示区域NA。
在显示面板10的显示区域DA中，像素PX可以以矩阵形式设置。诸如栅极线、数据线和驱动电压线的信号线可以设置在显示区域DA中。栅极线可以基本上在第一方向x上延伸，并且数据线和驱动电压线可以基本上在第二方向y上延伸。栅极线、数据线和驱动电压线等可以连接到多个像素PX中的每一个，使得多个像素PX中的每一个可以从这些信号线接收栅极信号、数据电压和驱动电压等。像素PX可以被实现为诸如发光二极管的发光元件。
用于检测用户的接触触摸和/或非接触触摸的触摸传感器可以设置在显示区域DA中。尽管在图1中示出了基本上四边形的显示区域DA，但是显示区域DA可以具有除四边形的形状以外的各种形状，诸如其他多边形的形状、圆形的形状和椭圆形的形状等。
在显示面板10的非显示区域NA中，可以定位其中布置有用于从显示面板10的外部接收信号的焊盘的焊盘部分PP。焊盘部分PP可以沿显示面板10的一个边缘在第一方向x上延伸。柔性印刷电路膜20可以接合到焊盘部分PP，并且柔性印刷电路膜20的焊盘可以电连接到焊盘部分PP的焊盘。
产生和/或处理用于驱动显示面板10的各种信号的驱动单元可以定位在显示面板10的非显示区域NA中。驱动单元可以包括用于将数据电压施加到数据线的数据驱动器、用于将栅极信号施加到栅极线的栅极驱动器、以及用于控制数据驱动器和栅极驱动器的信号控制器。像素PX可以根据由栅极驱动器产生的栅极信号在预定的(或可选择的)时序接收数据电压。栅极驱动器可以集成在显示面板10上，并且可以定位在显示区域DA的至少一侧上。数据驱动器和信号控制器可以被提供为集成电路芯片(也被称为驱动IC芯片)30，并且集成电路芯片30可以安装在显示面板10的非显示区域NA中。集成电路芯片30可以安装在柔性印刷电路膜20上，以电连接到显示面板10。
图2和图3分别示出了根据实施例的像素的示意图。
参考图2和图3，一个像素PX(见图1)可以包括像素电路PC和连接到像素电路PC的发光元件LD。栅极线GL和数据线DL可以连接到像素电路PC。栅极线GL可以连接到栅极驱动器，并且可以基本上在第一方向x上延伸。数据线DL可以连接到数据驱动器，并且可以基本上在第二方向y上延伸。像素电路PC可以基于通过诸如栅极线GL和数据线DL的信号线施加的信号产生驱动电流ID，以将驱动电流ID施加到发光元件LD。
发光元件LD可以包括彼此连接的第一发光部分LDa和第二发光部分LDb。例如，一个发光元件LD可以被划分为第一发光部分LDa和第二发光部分LDb。第一发光部分LDa可以连接到像素电路PC，并且第二发光部分LDb可以通过第一发光部分LDa连接到像素电路PC。第一发光部分LDa和第二发光部分LDb可以被施加有相同的驱动电流ID。
修复线RL可以定位为与像素PX相邻。修复线RL可以连接到虚拟像素电路DPC。修复线RL可以如图2中所示基本上在第一方向x上延伸，或者可以如图3中所示基本上在第二方向y上延伸。虚拟像素电路DPC可以定位在非显示区域NA中。例如，虚拟像素电路DPC可以定位在栅极驱动器与显示区域DA之间。虚拟像素电路DPC可以从数据驱动器接收数据电压，以产生驱动电流ID'。由于虚拟像素电路DPC定位在非显示区域NA中，因此连接到虚拟像素电路DPC的修复线RL可以在非显示区域NA和显示区域DA中延伸。修复线RL可以在第一发光部分LDa有缺陷的情况下连接到第二发光部分LDb，以将驱动电流ID'施加到第二发光部分LDb。
图4和图5示出了根据实施例的有缺陷的像素的修复方法。
参考图4和图5，在第一发光部分LDa中发生缺陷的情况下，连接到第一发光部分LDa的第二发光部分LDb也可能不能正常地操作。为了使第二发光部分LDb与第一发光部分LDa分离，第二发光部分LDb可以与第一发光部分LDa断开。例如，第一发光部分LDa与第二发光部分LDb之间的连接部分可以被切断。由于第二发光部分LDb可以通过第一发光部分LDa接收驱动电流ID，因此在第二发光部分LDb与第一发光部分LDa断开的情况下，第二发光部分LDb不能接收驱动电流ID。因此，第二发光部分LDb可以连接到修复线RL，使得来自虚拟像素电路DPC的驱动电流ID'可以通过修复线RL施加到第二发光部分LDb。来自虚拟像素电路DPC的驱动电流ID'的强度可以与驱动电流ID的强度相同，或者可以大于驱动电流ID的强度。例如，在第一发光部分LDa有缺陷的情况下，即使第二发光部分LDb发射光，像素PX(见图1)的亮度也可能因为发光面积减少而降低。在更大的驱动电流ID'被施加到第二发光部分LDb的情况下，第二发光部分LDb可以更明亮地发射光，使得可以补偿由于第一发光部分LDa中的缺陷而导致的亮度降低。
在第一发光部分LDa有缺陷的情况下，可以维持或断开像素电路PC和第一发光部分LDa之间的连接。然而，在由于像素电路PC中的缺陷而在第一发光部分LDa中出现亮点的情况下，可以使像素电路PC和第一发光部分LDa断开。
即使在第二发光部分LDb中发生缺陷的情况下，第二发光部分LDb也可以与第一发光部分LDa断开。由于第一发光部分LDa连接到像素电路PC以接收驱动电流ID，因此没有必要将修复线RL连接到第一发光部分LDa。例如，在第二发光部分LDb中发生缺陷的情况下，第一发光部分LDa可以通过简单地断开第一发光部分LDa和第二发光部分LDb之间的连接来正常地操作。驱动电流ID的强度可以与第二发光部分LDb的正常操作期间施加的驱动电流ID的强度相同，或者可以大于第二发光部分LDb的正常操作期间施加的驱动电流ID的强度以补偿由于第二发光部分LDb的缺陷而导致的亮度降低。
如上所述，发光元件LD可以被划分为第一发光部分LDa和第二发光部分LDb，并且在发光部分LDa和LDb中的一者中发生缺陷的情况下，通过使第一发光部分LDa和第二发光部分LDb断开并且正常地操作发光部分LDa和LDb中的另一者，可以防止像素PX被显示为暗点。
图6示出了根据实施例的发光显示装置的一个像素的等效电路的示意性电路图，并且图7示出了根据实施例的发光显示装置的虚拟像素电路的等效电路的示意性电路图。
参考图6，像素PX可以包括连接到信号线GL1、GL2、GL3、GL4、DL、PL和IVL的晶体管T1至T7、存储电容器CST和发光二极管LED。在图6中示出的像素PX中，发光二极管LED可以被配置为发光元件LD(见图2和图3)，并且发光元件LD以外的组件可以构成像素电路PC(见图2和图3)。
晶体管T1至T7可以包括驱动晶体管T1、开关晶体管T2、补偿晶体管T3、初始化晶体管T4、操作控制晶体管T5、发光控制晶体管T6、以及旁路晶体管T7。
信号线GL1、GL2、GL3、GL4、DL、PL和IVL可以包括扫描线GL1、初始化控制线GL2、发光控制线GL3、旁路控制线GL4、数据线DL、驱动电压线PL和初始化电压线IVL。在图2至图5中示意性地示出为栅极线GL的布线可以被划分为扫描线GL1、初始化控制线GL2、发光控制线GL3和旁路控制线GL4。
扫描线GL1可以向开关晶体管T2和补偿晶体管T3传输扫描信号GW。初始化控制线GL2可以向初始化晶体管T4传输初始化控制信号GI。发光控制线GL3可以向操作控制晶体管T5和发光控制晶体管T6传输发光控制信号EM。旁路控制线GL4可以向旁路晶体管T7传输旁路信号GB。在其他实施例中，旁路控制线GL4可以连接到初始化控制线GL2。
数据线DL可以接收数据电压VDAT，并且驱动电压线PL和初始化电压线IVL可以分别接收驱动电压ELVDD和初始化电压VINT。初始化电压VINT可以初始化驱动晶体管T1。
各个晶体管T1至T7可以包括栅极电极G1至G7、第一电极S1至S7、以及第二电极D1至D7，并且存储电容器CST可以包括第一电极C1和第二电极C2。晶体管T1至T7和存储电容器CST的电极可以如图6中所示地连接。发光二极管LED的阳极可以通过发光控制晶体管T6连接到驱动晶体管T1的第二电极D1，并且可以接收驱动电流ID。发光二极管LED的阴极可以接收公共电压ELVSS。
在像素PX的电路结构中，晶体管的类型、晶体管的数量、电容器的数量以及它们之间的连接可以不同地改变。例如，补偿晶体管T3、初始化晶体管T4和/或旁路晶体管T7可以是N型晶体管。
虚拟像素电路DPC可以具有与像素电路PC的配置基本上相同或相似的配置。例如，参考图7，虚拟像素电路DPC可以包括也被包括在像素电路PC中的晶体管T1至T6和存储电容器CST，并且虚拟像素电路DPC可以包括晶体管T8和T9、以及泵浦电容器(pumpingcapacitor)CPP。晶体管T8和T9可以包括第一泵浦晶体管(pumping transistor)T8和第二泵浦晶体管T9。例如，与像素电路PC相比，虚拟像素电路DPC可以不包括旁路晶体管T7，并且还可以包括第一泵浦晶体管T8、第二泵浦晶体管T9和泵浦电容器CPP。修复线RL可以连接到发光控制晶体管T6和第一泵浦晶体管T8所连接到的节点。修复线RL可以传输由虚拟像素电路DPC产生的驱动电流ID'。
第一泵浦晶体管T8的栅极电极可以接收发光控制信号EM。第一泵浦晶体管T8的第一电极可以连接到发光控制晶体管T6的第二电极，并且第一泵浦晶体管T8的第二电极可以连接到第二泵浦晶体管T9的第一电极。第二泵浦晶体管T9的栅极电极可以接收初始化控制信号GI。第二泵浦晶体管T9的第二电极可以接收初始化电压VINT。泵浦电容器CPP的第一电极可以连接到第一泵浦晶体管T8和第二泵浦晶体管T9所连接到的节点，并且驱动电压ELVDD可以被施加到泵浦电容器CPP的第二电极。在第一泵浦晶体管T8通过发光控制信号EM导通的情况下，修复线RL和泵浦电容器CPP可以被连接，并且修复线RL的寄生电容器和泵浦电容器CPP可以被并联连接，使得可以减少由修复线RL的寄生电容器充电的电荷量。因此，可以防止图像质量下降，诸如由于修复线RL的寄生电容器而可能发生的亮度变化。第二泵浦晶体管T9可以根据初始化控制信号GI将泵浦电容器CPP的第一电极的电压初始化为初始化电压VINT。虚拟像素电路DPC可以不同地改变成包括能够补偿由于修复线RL等导致的电气特性的变化的电路结构。
图8示出了根据实施例的发光显示装置中的设置在显示区域中的像素的示意性俯视平面图，图9示出了沿图8的线A-A'截取的实施例的示意性截面图，并且图10示出了沿图8的线B-B'截取的实施例的示意性截面图。为了简化附图，在图8至图10中示出了用于示出图7中的实施例的特征的组件。
图8示出了设置在图1的显示面板10的显示区域DA中的像素PX1、PX2和PX3。尽管示出了三个像素，但是像素PX1、PX2和PX3可以以矩阵形式规则地设置在显示区域DA中。像素PX1、PX2和PX3可以包括第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3。第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3可以显示不同的颜色，并且它们中的每一者可以显示原色中的一种。例如，第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3中的一者可以显示红色，第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3中的另一者可以显示绿色，并且第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3中的再一者可以显示蓝色。例如，第一像素PX1可以显示红色，第二像素PX2可以显示绿色，并且第三像素PX3可以显示蓝色。第三像素PX3的区域/面积可以比第一像素PX1和/或第二像素PX2的区域/面积宽广。然而，本公开不限于此。第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3可以显示相同的颜色，并且第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3的面积可以基本上相同。
第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3可以设置为被均匀地分布。例如，第一像素PX1和第二像素PX2可以沿第一方向x交替地且重复地设置。第一像素PX1和第二像素PX2、以及第三像素PX3可以沿第二方向y交替地且重复地设置。像素PX1、PX2和PX3的布置可以不同地改变。
像素PX1、PX2和PX3中的每一者可以包括像素电极E1。像素电极E1可以包括第一电极部分E1a和第二电极部分E1b。第一电极部分E1a和第二电极部分E1b可以彼此分离。像素PX1、PX2和PX3中的每一者可以包括连接到第一电极部分E1a和第二电极部分E1b的连接部分E1c。连接部分E1c可以定位在第一电极部分E1a与第二电极部分E1b之间，以将第一电极部分E1a和第二电极部分E1b电连接。连接部分E1c可以定位在像素电极E1的一侧处或者像素电极E1的两侧处。连接部分E1c的位置可以不同地改变。
参考图8、图9和图10，显示面板10(见图1)可以包括基底SB以及定位在基底SB上的层和元件。
基底SB可以是包括聚合物树脂(诸如聚酰亚胺、聚酰胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯或它们的组合)的柔性基底。基底SB可以是多层的，并且例如，可以具有包括聚合物树脂的基体层和作为无机层的屏障层彼此交替地堆叠的结构。基底SB可以是玻璃基底。
缓冲层BF可以定位在基底SB上。缓冲层BF可以在形成半导体层AL的情况下阻挡来自基底SB的杂质，从而改善半导体层AL的特性并且使基底SB的表面平整化以减小对半导体层AL的应力。缓冲层BF可以包括诸如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)或氮氧化硅(SiOxNy)的无机绝缘材料，并且可以是单层或多层。缓冲层BF可以包括非晶硅(a-Si)。
半导体层AL可以定位在缓冲层BF上。半导体层AL可以被称为有源层。半导体层AL可以包括第一区、第二区、以及在第一区与第二区之间的沟道区。半导体层AL可以包括非晶硅、多晶硅和氧化物半导体中的至少一种。例如，半导体层AL可以包括低温多晶硅(LTPS)或者包含锌(Zn)、铟(In)、镓(Ga)和锡(Sn)中的至少一种的氧化物半导体材料。例如，半导体层AL可以包括氧化铟镓锌(IGZO)。
第一栅极绝缘层GI1可以定位在半导体层AL上。第一栅极绝缘层GI1可以包括诸如氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的无机绝缘材料，并且可以是单层或多层。第一栅极绝缘层GI1可以被称为第一无机绝缘层。
可以包括栅极电极GE和第一电极C1等的第一栅极导电层可以定位在第一栅极绝缘层GI1上。第一栅极导电层还可以包括图6中示出的扫描线GL1、初始化控制线GL2、发光控制线GL3和旁路控制线GL4中的至少一者。包括在第一栅极导电层中的构成元件可以在相同的工艺中由相同的材料形成。例如，栅极电极GE和第一电极C1等可以通过在第一栅极绝缘层GI1上沉积和图案化导电层来形成。栅极电极GE可以与半导体层AL的沟道区重叠。稍后描述的第一电极SE和第二电极DE可以与栅极电极GE和半导体层AL一起构成晶体管。第一栅极导电层可以包括诸如钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)等的金属，并且可以是单层或多层。
第二栅极绝缘层GI2可以定位在第一栅极导电层上。第二栅极绝缘层GI2可以包括诸如氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的无机绝缘材料，并且可以是单层或多层。第二栅极绝缘层GI2可以被称为第二无机绝缘层。
可以包括第二电极C2、上电极AE和修复线RL等的第二栅极导电层可以定位在第二栅极绝缘层GI2上。包括在第二栅极导电层中的构成元件可以在相同的工艺中由相同的材料形成。第二电极C2可以与第一电极C1重叠，以形成存储电容器CST(见图6)。第二电极C2和上电极AE可以是一个导电图案的不同部分。第二电极C2和上电极AE可以电连接。第二栅极导电层可以包括诸如钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)等的金属，并且可以是单层或多层。
层间绝缘层ILD可以定位在第二栅极绝缘层GI2和第二栅极导电层上。层间绝缘层ILD可以包括诸如氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的无机绝缘材料，并且可以是单层或多层。层间绝缘层ILD可以被称为第三无机绝缘层。
可以包括第一电极SE、第二电极DE和连接电极CE等的数据导电层可以定位在层间绝缘层ILD上。数据导电层还可以包括图6中示出的数据线DL、驱动电压线PL和初始化电压线IVL中的至少一者。包括在数据导电层中的构成元件可以在相同的工艺中由相同的材料形成，并且可以形成相同的层。第一电极SE和第二电极DE可以通过形成在绝缘层GI1、GI2和ILD中的接触孔分别连接到半导体层AL的第一区和第二区。第一电极SE和第二电极DE中的一者可以是源极电极，并且第一电极SE和第二电极DE中的另一者可以是漏极电极。晶体管可以包括第一电极SE和第二电极DE以及栅极电极GE和半导体层AL。连接电极CE可以在与第一方向x和第二方向y相交的第三方向z上与修复线RL重叠。连接电极CE可以比修复线RL具有大的宽度。例如，连接电极CE的宽度可以大于修复线RL的宽度。连接电极CE和修复线RL的宽度可以在第二方向y上测量。因此，连接电极CE和修复线RL可以在多个点处进行激光焊接。
数据导电层可以包括诸如铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、钛(Ti)、钼(Mo)、钨(W)或钽(Ta)的金属，并且可以是单层或多层。例如，数据导电层可以是诸如钛层-铜层或者钛层-铝层的双层。例如，数据导电层可以是诸如钛层-铝层-钛层的三层。
有机绝缘层VIA可以定位在数据导电层上。有机绝缘层VIA可以包括有机绝缘材料，诸如通用聚合物(诸如聚(甲基丙烯酸甲酯)和聚苯乙烯)、具有酚基基团的聚合物衍生物、丙烯酸基聚合物、酰亚胺基聚合物、聚酰亚胺、或硅氧烷基聚合物。有机绝缘层VIA也可以被称为平坦化层。
可以包括像素电极E1和连接部分E1c的像素导电层可以定位在有机绝缘层VIA上。像素电极E1可以是构成像素PX1、PX2和PX3中的每一者的发光元件LD(发光二极管LED(见图6))的阳极。像素电极E1可以包括彼此分离的第一电极部分E1a和第二电极部分E1b。连接部分E1c可以将第一电极部分E1a和第二电极部分E1b电连接。第一电极部分E1a可以通过形成在有机绝缘层VIA中的第一接触孔Ha连接到晶体管的第二电极DE。第一电极部分E1a可以被施加控制发光元件LD的亮度的驱动电流ID(见图6)。第一电极部分E1a所连接到的晶体管可以是连接到驱动晶体管T1的发光控制晶体管T6。第二电极部分E1b可以通过形成在有机绝缘层VIA中的第二接触孔Hb连接到连接电极CE。第一电极部分E1a、第二电极部分E1b和连接部分E1c可以彼此一体。连接部分E1c、第一电极部分E1a和第二电极部分E1b可以在相同的工艺中由相同的材料形成。像素导电层可以由反射导电材料或半透射导电材料制成，或者可以由透明导电材料制成。像素导电层可以包括诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的透明导电材料。像素导电层可以包括诸如锂(Li)、钙(Ca)、铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)或金(Au)的金属。像素导电层可以是多层的，并且可以具有例如三层结构(诸如ITO层-银(Ag)层-ITO层)。
随着像素电极E1被划分为第一电极部分E1a和第二电极部分E1b，在像素电极E1的第一电极部分E1a和第二电极部分E1b之间可以形成在厚度方向(对应于第三方向z)上穿过像素电极E1的开口OP。开口OP可以具有狭缝形状。开口OP可以排放由有机绝缘层VIA产生的气体。有机绝缘层VIA可以通过涂覆和固化包括有机溶剂、引发剂和粘合剂的有机绝缘材料来形成。在形成有机绝缘层VIA之后，在随后的工艺中和/或在显示装置的使用期间，残留在有机绝缘层VIA中的材料或分解后的材料可以作为气体被排放。这种现象被称为排气。例如，在制造显示面板之后，排放的气体可能传播到像素PX1、PX2和PX3，使像素PX1、PX2和PX3的发光层EL和/或公共电极E2转变或退化，并且可能引起像素PX1、PX2和PX3的发光区域缩小或减少。通过在像素电极E1中形成开口OP(例如，通过将像素电极E1分离成第一电极部分E1a和第二电极部分E1b)，可以通过开口OP平稳地排放气体，并且可以抑制缩小。
像素限定层PDL可以定位在有机绝缘层VIA和像素电极E1上。像素限定层PDL可以具有在第三方向z上与第一电极部分E1a重叠的第一开口OPa以及在第三方向z上与第二电极部分E1b重叠的第二开口OPb。第一开口OPa和第一发光部分LDa可以具有基本上相同的平面形状，并且第二开口OPb和第二发光部分LDb可以具有基本上相同的平面形状。第一开口OPa和第二开口OPb可以彼此分离。像素限定层PDL可以覆盖第一电极部分E1a和第二电极部分E1b中的每一者的边缘。像素限定层PDL可以覆盖连接部分E1c。像素限定层PDL可以包括有机绝缘材料，诸如通用聚合物(诸如聚(甲基丙烯酸甲酯)和聚苯乙烯)、具有酚基基团的聚合物衍生物、丙烯酸基聚合物、酰亚胺基聚合物、或硅氧烷基聚合物。
发光层EL可以定位在像素电极E1上。像素PX1、PX2和PX3中的每一者可以包括发光层EL。发光层EL可以包括与第一电极部分E1a对应的第一部分ELa和与第二电极部分E1b对应的第二部分ELb。第一部分ELa可以对应于第一发光部分LDa，并且第二部分ELb可以对应于第二发光部分LDb。第一部分ELa可以在第三方向z上与第一电极部分E1a重叠，并且第二部分ELb可以在第三方向z上与第二电极部分E1b重叠。第一部分ELa可以定位在像素限定层PDL的第一开口OPa中，并且第二部分ELb可以定位在像素限定层PDL的第二开口OPb中。第一部分ELa和第一发光部分LDa可以具有基本上相同的平面形状，并且第二部分ELb和第二发光部分LDb可以具有基本上相同的平面形状。第一部分ELa和第二部分ELb可以彼此分离。尽管发光层EL被分离成第一部分ELa和第二部分ELb，但是第一部分ELa和第二部分ELb可以定位在一个像素电极E1上，所述一个像素电极E1被施加基于相同的数据电压的相同的驱动电流ID，使得第一部分ELa和第二部分ELb可以发射具有基本上相同的每单位面积亮度的光。
公共电极E2可以定位在像素限定层PDL和发光层EL上。公共电极E2可以是发光元件LD(发光二极管LED)的阴极。在像素PX1、PX2和PX3中的每一者中，彼此重叠的像素电极E1、发光层EL和公共电极E2可以构成可以是发光二极管LED的发光元件LD。彼此重叠的第一电极部分E1a、第一部分ELa和公共电极E2可以构成第一发光部分LDa，并且彼此重叠的第二电极部分E1b、第二部分ELb和公共电极E2可以构成第二发光部分LDb。
覆盖层(未示出)可以定位在公共电极E2上，并且封装层(未示出)可以定位在覆盖层上。
图11和图12示出了用于解释像素的修复的示意性截面图。图11和图12可以分别对应于图9和图10。
参考图11和图12，在由于第一发光部分LDa中的在第一电极部分E1a和公共电极E2之间的短路而发生缺陷的情况下，第二发光部分LDb可能变暗。由于第二发光部分LDb的第二电极部分E1b通过连接部分E1c电连接到第一电极部分E1a，因此在第一发光部分LDa短路的情况下，第二发光部分LDb也可能短路，所以第二发光部分LDb可能变暗。为了防止第二发光部分LDb变暗，如图12中所示，第一电极部分E1a和第二电极部分E1b可以通过经由向连接部分E1c照射激光束切割连接部分E1c而被电分离。如图11中所示，修复线RL和连接电极CE可以通过向连接电极CE照射激光束而被激光焊接。定位在修复线RL与连接电极CE之间的层间绝缘层ILD可以通过激光焊接而被破坏，并且连接电极CE和修复线RL可以物理连接且电连接。由于第二电极部分E1b电连接到连接电极CE，因此第二电极部分E1b可以电连接到修复线RL。因此，第二电极部分E1b可以接收可以通过修复线RL传输的驱动电流ID'(见图7)，并且通常可以发射具有与驱动电流ID'的强度对应的亮度的光。由于连接电极CE比修复线RL具有大的宽度，因此它们可以在多个点处(例如，如示出的两个点处)进行激光焊接。因此，可以提高在修复线RL和连接电极CE之间的短路修复率。
在第二发光部分LDb中发生缺陷的情况下，第一电极部分E1a和第二电极部分E1b可以通过如图12中所示地切割连接部分E1c而被电分离。因此，第二电极部分E1b可以处于电浮置状态，并且第一发光部分LDa可以正常地发射光。
如上所述，在第一发光部分LDa或第二发光部分LDb中发生缺陷的情况下，通过切割连接第一电极部分E1a和第二电极部分E1b的连接部分E1c，可以防止另一发光部分由于有缺陷的发光部分而变为有缺陷的。在连接到像素电路PC的第一发光部分LDa中发生缺陷的情况下，可以通过将第二电极部分E1b电连接到修复线RL来正常地操作第二发光部分LDb。在第一发光部分LDa和第二发光部分LDb之中，其中未发生缺陷的发光部分可以容易地修复，并且可以防止像素PX(见图6)变暗。为了便于切割连接部分E1c，连接部分E1c的长度可以大于或等于大约4.5μm。连接部分E1c的长度可以在第一方向x(见图8)上测量。
尽管已经描述了其中修复线RL被包括在第二栅极导电层中的实施例，但是修复线RL可以设置在诸如第一栅极导电层、数据导电层、像素导电层和半导体层的其它导电层中。例如，修复线RL可以设置在包括栅极电极GE的第一栅极导电层中，并且激光焊接期间的连接电极CE与修复线RL之间的绝缘层ILD和GI2可以被破坏，使得修复线RL可以连接到连接电极CE。尽管已经描述了其中像素PX1、PX2和PX3中的每一者包括彼此分离的第一发光部分LDa和第二发光部分LDb的实施例，但是发光部分可以被包括在多个像素中的一些像素(例如，具有大的面积的第三像素PX3)中。
图13示出了沿图8的线B-B'截取的实施例的示意性截面图，并且图14示出了用于解释像素的修复的示意性截面图。
参考图13，与图10中示出的发光显示装置在像素电极E1和连接部分E1c的配置上存在差异。例如，像素电极E1可以包括彼此分离的第一电极部分E1a和第二电极部分E1b。第一电极部分E1a和第二电极部分E1b可以通过连接部分E1c电连接。连接部分E1c可以定位在第一电极部分E1a和第二电极部分E1b与有机绝缘层VIA之间。连接部分E1c的上表面可以与第一电极部分E1a和第二电极部分E1b接触，并且连接部分E1c的下表面可以与有机绝缘层VIA接触。为了平坦化第一电极部分E1a和第二电极部分E1b，连接部分E1c可以被形成为与第一电极部分E1a和第二电极部分E1b重叠。连接部分E1c可以是包括金属(诸如钛(Ti)、钽(Ta)、钨(W)、或铬(Cr))的导电层。例如，连接部分E1c可以是钛层。在连接部分E1c由与像素电极E1的导电层不同的导电层形成的情况下，连接部分E1c可以由比像素电极E1的材料更好地吸收激光能量或容易地被激光切割的材料制成，使得可以进一步容易地切割连接部分E1c。如图14中所示，可以通过在显示面板10(见图1)中照射激光束来切割连接部分E1c，并且第一电极部分E1a和第二电极部分E1b可以被电分离。
图15示出了根据实施例的发光显示装置中的设置在显示区域中的像素的示意性俯视平面图，并且图16示出了沿图15的线C-C′截取的实施例的示意性截面图。图17和图18示出了用于解释像素的修复的示意性截面图。具体地，图17和图18分别示出了沿图15的线C-C'和线D-D'截取的示意性截面图。
参考图15和图16，像素PX1、PX2和PX3中的每一者的发光元件LD可以包括第一发光部分LDa、第二发光部分LDb和第三发光部分LDc。第三发光部分LDc可以定位在第一发光部分LDa与第二发光部分LDb之间，以连接第一发光部分LDa和第二发光部分LDb。第一发光部分LDa、第二发光部分LDb和第三发光部分LDc可以基本上形成“Π”形状的发光区域。
像素电极E1可以包括第一电极部分E1a、第二电极部分E1b和连接部分E1c。第一电极部分E1a、第二电极部分E1b和连接部分E1c可以彼此一体。发光层EL可以包括定位在第一电极部分E1a上的第一部分ELa、定位在第二电极部分E1b上的第二部分ELb、以及定位在连接部分E1c上的第三部分ELc。第一部分ELa、第二部分ELb和第三部分ELc可以彼此一体。与上述实施例不同，连接部分E1c可以作为第三电极部分被包括在像素电极E1中，并且发光层EL也可以定位在连接部分E1c上，使得其中定位有连接部分E1c的区域可以是第三发光部分LDc。
即使在这样的像素结构中，在第一发光部分LDa或第二发光部分LDb中发生缺陷的情况下，如图17中所示，通过向连接部分E1c照射激光束以切割连接部分E1c，第一电极部分E1a和第二电极部分E1b也可以被电分离，并且可以防止另一发光部分由于有缺陷的发光部分而一起变为有缺陷的。如图18中所示，在连接到像素电路PC的第一发光部分LDa中发生缺陷的情况下，可以通过将第二电极部分E1b电连接到修复线RL来正常地操作第二发光部分LDb。在第一发光部分LDa和第二发光部分LDb之中，其中未发生缺陷的发光部分可以容易地修复，并且可以防止整个像素PX(见图6)变暗。
图19和图20分别示出了根据实施例的发光显示装置的焊盘部分的示意性截面图。
参考图19，示出了定位在图1中示出的显示面板10的焊盘部分PP中的多个焊盘之中的彼此相邻的第一焊盘P1和第二焊盘P2的截面结构。焊盘P1和P2中的每一者可以包括定位在基底SB上的第一电极层L1、第二电极层L2和第三电极层L3。第三电极层L3可以是焊盘P1和P2中的每一者的最上层。
第一焊盘P1的第一电极层L1可以包括在第一栅极导电层中，并且第二焊盘P2的第一电极层L1可以包括在第二栅极导电层中。然而，本公开不限于此，并且第一焊盘P1的第一电极层L1和第二焊盘P2的第一电极层L1两者都可以包括在第一栅极导电层中或者包括在第二栅极导电层中。第一电极层L1可以连接到诸如数据线的信号线和用于焊盘P1和P2的电连接的布线，或者可以是这种布线的延伸。第一电极层L1的边缘可以被第一栅极绝缘层GI1、第二栅极绝缘层GI2和层间绝缘层ILD包覆或者被第二栅极绝缘层GI2和层间绝缘层ILD包覆。
第一焊盘P1的第二电极层L2可以通过形成在第二栅极绝缘层GI2和层间绝缘层ILD中的接触孔与第一电极层L1接触。第二焊盘P2的第二电极层L2可以通过形成在第一栅极绝缘层GI1、第二栅极绝缘层GI2和层间绝缘层ILD中的接触孔与第一电极层L1接触。第二电极层L2可以包括在数据导电层中。
焊盘P1和P2中的每一者的第三电极层L3可以定位在第二电极层L2上。第三电极层L3可以是完全地覆盖第二电极层L2的覆盖层。第三电极层L3可以包括诸如钛(Ti)、钽(Ta)、钨(W)或铬(Cr)的耐腐蚀金属。第三电极层L3可以防止第二电极层L2在形成包括第二电极层L2的数据导电层之后，在用于形成像素电极E1(见图8或图15)的蚀刻工艺中被损坏。还可以防止或减少由于在蚀刻剂中产生的银离子(Ag+)与第二电极层L2之间的贾凡尼效应(galvanic effect)而在第二电极层L2上的银(Ag)颗粒的沉淀。第三电极层L3和图10中示出的实施例的连接部分E1c可以在相同的工艺中由相同的材料形成。可以不需要用于形成第三电极层L3的额外工艺步骤或不需要使用用于形成第三电极层L3的掩模。
参考图20，焊盘P1和P2中的每一者可以包括第一电极层L1、第二电极层L2、第三电极层L3和第四电极层L4。第四电极层L4可以是焊盘P1和P2中的每一者的最上层。第一电极层L1和第二电极层L2的配置可以与图19中示出的实施例的第一电极层L1和第二电极层L2的配置基本上相同。
第三电极层L3可以覆盖第二电极层L2。第三电极层L3可以包括诸如铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、钛(Ti)、钼(Mo)、钨(W)或钽(Ta)的金属，并且可以是单层或多层。显示区域DA(见图1)中的信号线GL1、GL2、GL3、GL4、DL、PL和IVL(见图6)中的至少一者可以与第三电极层L3在相同的工艺中由相同的材料形成，并且显示区域DA中的信号线GL1、GL2、GL3、GL4、DL、PL和IVL中的至少一者可以定位在例如图9中示出的有机绝缘层VIA与像素电极E1之间。
第四电极层L4可以是完全地覆盖第三电极层L3的覆盖层。第四电极层L4可以包括诸如钛(Ti)、钽(Ta)、钨(W)或铬(Cr)的耐腐蚀金属。第四电极层L4可以防止第三电极层L3在形成包括第三电极层L3的数据导电层之后，在用于形成像素电极E1的蚀刻工艺中被损坏，并且可以防止或减少在第三电极层L3上的银(Ag)颗粒的沉淀。第四电极层L4和根据图10中示出的实施例的连接部分E1c可以在相同的工艺中由相同的材料形成。
以上描述是本公开的技术特征的示例，并且本公开所属领域的技术人员将能够做出各种修改和变化。因此，上述的本公开的实施例可以单独地实现或彼此组合地实现。
因此，本公开中公开的实施例不旨在限制本公开的技术精神，而是旨在描述本公开的技术精神，并且本公开的技术精神的范围不被这些实施例限制。本公开的保护范围应当由所附权利要求来解释，并且应当被解释为等同范围内的全部技术精神被包括在本公开的范围中。

Claims (20)

1.一种发光显示装置，其中，所述发光显示装置包括：
像素电路，设置在基底上；
修复线，设置在所述基底上；
连接电极，在所述基底的厚度方向上与所述修复线重叠；
绝缘层，设置在所述像素电路和所述连接电极上；
像素电极，设置在所述绝缘层上；以及
连接部分，设置在所述绝缘层上，其中，
所述像素电极包括：
第一电极部分，通过形成在所述绝缘层中的第一接触孔电连接到所述像素电路；和
第二电极部分，通过形成在所述绝缘层中的第二接触孔电连接到所述连接电极，并且
所述连接部分将所述第一电极部分和所述第二电极部分电连接。
2.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，所述连接电极的宽度大于所述修复线的宽度。
3.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，所述发光显示装置还包括：
像素限定层，设置在所述绝缘层上并且包括在所述厚度方向上分别与所述第一电极部分和所述第二电极部分重叠的第一开口和第二开口，
其中，所述像素限定层覆盖所述连接部分。
4.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，所述发光显示装置还包括：
发光层，包括第一部分和第二部分，所述第一部分和所述第二部分分别设置在所述第一电极部分和所述第二电极部分上并且彼此分离。
5.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，
所述像素电路包括晶体管，
所述第一电极部分电连接到所述晶体管的电极，并且
所述连接电极和所述晶体管的所述电极在相同的工艺中由相同的材料形成。
6.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，
所述像素电路包括电容器，并且
所述修复线和所述电容器的电极在相同的工艺中由相同的材料形成。
7.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，
所述像素电极具有开口，所述开口在所述厚度方向上穿过所述像素电极并且所述开口设置在所述第一电极部分与所述第二电极部分之间。
8.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，所述发光显示装置还包括：
虚拟像素电路，设置在所述基底上并且电连接到所述修复线，其中，
所述基底包括显示图像的显示区域和设置为与所述显示区域相邻的非显示区域，
所述像素电路设置在所述显示区域中，并且
所述虚拟像素电路设置在所述非显示区域中。
9.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，所述发光显示装置还包括：
数据线，电连接到所述像素电路并且传输数据电压；以及
栅极线，电连接到所述像素电路并且传输栅极信号，其中
所述修复线和所述数据线在同一方向上延伸，或者
所述修复线和所述栅极线在同一方向上延伸。
10.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，
所述连接部分设置在所述第一电极部分和所述第二电极部分与所述绝缘层之间。
11.根据权利要求10所述的发光显示装置，其中，所述连接部分包括钛。
12.根据权利要求10所述的发光显示装置，其中，所述发光显示装置还包括：
焊盘部分，包括多个焊盘，其中，
所述多个焊盘中的每一个包括多个电极层，并且
所述多个电极层的最上层和所述连接部分在相同的工艺中由相同的材料形成。
13.根据权利要求12所述的发光显示装置，其中，
所述最上层完全地覆盖所述多个电极层中的直接设置在所述最上层下方的电极层。
14.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，所述发光显示装置还包括：
发光层，包括：
第一部分，设置在所述第一电极部分上；
第二部分，设置在所述第二电极部分上；和
第三部分，设置在所述连接部分上，
其中，所述第一部分、所述第二部分和所述第三部分彼此一体。
15.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，所述连接部分的长度大于或等于4.5μm。
16.一种发光显示装置，其中，所述发光显示装置包括：
像素电路和虚拟像素电路，所述像素电路和所述虚拟像素电路各自设置在基底上；
修复线，电连接到所述虚拟像素电路；
连接电极，在所述基底的厚度方向上与所述修复线重叠并且电连接到所述修复线；
像素电极，包括：
第一电极部分，电连接到所述像素电路；和
第二电极部分，电连接到所述连接电极；以及
发光层，包括：
第一部分，设置在所述第一电极部分上；和
第二部分，设置在所述第二电极部分上，
其中，所述第一电极部分和所述第二电极部分彼此分离。
17.根据权利要求16所述的发光显示装置，其中，所述发光显示装置还包括：
像素限定层，设置在所述像素电极上并且包括在所述厚度方向上分别与所述第一电极部分和所述第二电极部分重叠的第一开口和第二开口，
其中，所述第一开口和所述第二开口彼此分离。
18.根据权利要求16所述的发光显示装置，其中，
所述像素电路包括电容器，并且
所述修复线和所述电容器的电极在相同的工艺中由相同的材料形成。
19.根据权利要求16所述的发光显示装置，其中，所述发光显示装置还包括：
绝缘层，设置在所述修复线与所述连接电极之间，
其中，所述修复线穿过所述绝缘层激光焊接到所述连接电极。
20.根据权利要求16所述的发光显示装置，其中，所述发光显示装置还包括：
绝缘层，设置在所述连接电极与所述像素电极之间；以及
导电层，设置在所述绝缘层与所述第一电极部分和所述第二电极部分之间，并且与所述绝缘层、所述第一电极部分和所述第二电极部分接触。
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