CN116973602A - 针压装置、半导体测试设备及其测试方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种针压装置、半导体测试设备及其测试方法，所述针压装置包括：固定底座；升降单元，设于固定底座上；承载单元，设于升降单元远离固定底座一端；薄膜压力传感单元，设于承载单元表面，其具有多个呈阵列排布的压力感应点，利用压力感应点与探针卡相接触以获取探针卡的针压数据；处理单元，与薄膜压力传感单元信号连接，利用针压数据获得探针卡针尖的压力数据及位置数据，以检测探针卡。本发明中，利用薄膜压力传感单元获取针压数据判定探针卡下压的OD数据及针尖的状态，从而达到较佳检测CP测试过程中探针卡及其下压操作的目的，以避免带伤量产CP测试引起较大损失，保证CP测试高效运行，并有利于提高CP测试的成本。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种针压装置、半导体测试设备及其测试方法。
背景技术
目前半导体产品讲求轻薄短小，集成电路体积越来越小、功能越来越强，且管脚数越来越多，为了降低芯片封装所占的面积与改善IC效能，现阶段倒装芯片方式封装普遍被应用于绘图芯片、芯片组、存储器及中央处理器等。上述高阶封装方式单价高昂，如果能在封装前进行芯片测试，发现有不良品，即进行标记，直到后段封装工艺前将这些标记的不良品舍弃，可省下不必要的封装成本。由此，硅片上芯片的探针测试(Chip Probing)即初测成为在集成电路制造过程中的一个重要的工序。
由于待测芯片的焊盘(PAD)表面存在氧化层，所以探针卡针尖必须施加一定的压力至焊盘表面，量产测试中常规是通过更改OD量来调节针压，确保探针能刺穿氧化层。实际量产测试过程中，OD过小使得探针针压过小，可能刺不破氧化层，引起接触(CONT)测试失效从而造成无谓的良率损失；OD过大使得探针占压过大，可能直接刺穿被刺die，甚至有可能直接扎裂晶圆，造成整片晶圆报废，并且还会因此快速消耗探针卡的使用寿命(磨损针尖)。
此外，即使量产测试前调试到一个合适的OD值，随着量产测试过程中出现针尖玷污、针尖位置偏移、针尖磨损甚至烧短等异常情况，会再次造成测试异常失效、被测芯片遭刺穿等恶劣影响。
发明内容
本发明的目的在于提供一种针压装置、半导体测试设备及其测试方法，用以高效且低成本地执行CP测试。
为解决上述技术问题，本发明提供的针压装置，用于检测半导体测试过程中的探针卡，包括：
固定底座；
升降单元，设于所述固定底座上；
承载单元，设于所述升降单元远离所述固定底座一端，与所述升降单元配合以实现升降；
薄膜压力传感单元，设于所述承载单元表面，其具有多个呈阵列排布的压力感应点，利用所述压力感应点与所述探针卡相接触以获取所述探针卡的针压数据；
处理单元，与所述薄膜压力传感单元信号连接，利用所述针压数据获得所述探针卡针尖的压力数据及位置数据，以检测所述探针卡。
可选的，所述升降单元包括：
若干导轨，设于所述固定底座上，且与所述承载单元滑动连接；
螺母，设于所述承载单元上；
丝杠，与所述螺母相配合；
步进电机，设于所述固定底座上，与所述丝杠传动连接，以驱动所述丝杠旋转，使所述承载单元升降。
可选的，所述薄膜压力传感单元包括一面状的压强垫。
可选的，所述薄膜压力传感单元包括若干压力传感器，若干所述压力传感器阵列布置于所述承载单元的表面。
基于本发明的另一方面，还提供一种半导体测试设备，利用探针卡执行CP测试，包括：
测试台，用于承载待测试的基板；
悬臂装置，设于所述测试台上方，其上设有所述探针卡朝向所述测试台；
清针装置，用于清洁所述探针卡的针尖；
针压装置，包括固定底座；升降单元，设于所述固定底座上；承载单元，设于所述升降单元远离所述固定底座一端，与所述升降单元配合以实现升降；薄膜压力传感单元，设于所述承载单元表面，其具有多个呈阵列排布的压力感应点，利用所述压力感应点与所述探针卡相接触以获取所述探针卡的针压数据；处理单元，与所述薄膜压力传感单元信号连接，利用所述针压数据获得所述探针卡针尖的压力数据及位置数据，以检测所述探针卡；
移动承载台，用于承载并移动所述测试台、所述清针装置及所述针压装置。
可选的，在利用所述针压装置检测所述探针卡时，所述薄膜压力传感单元表面与所述测试台上基板表面齐平。
基于本发明的另一方面，还提供一种半导体测试方法，包括：
在对基板执行CP测试前，将所述CP测试的探针卡在如上述的针压装置上执行针压操作，并建立所述探针卡的针压标准范围，所述针压标准范围包括所述探针卡针尖的压力数据及位置数据；
在对基板执行所述CP测试中，采用所述针压装置获取所述探针卡的针压数据以判定所述探针卡下压的OD数据及所述探针卡针尖的状态，并根据所述针压数据评估对所述探针卡执行清针操作的方式及频率。
可选的，在对基板执行CP测试前，执行针压操作以建立所述探针卡的针压标准范围的步骤包括：
所述探针卡以第一OD值在所述针压装置上执行针压操作，以获取所述探针卡针尖的位置数据，以评估所述探针卡针尖的状态；
若所述探针卡的状态正常，结合所述探针卡及所述基板的信息，以第二OD值执行针压操作获取对应的压力数据，并以此建立所述探针卡的针压标准范围，其中，所述第二OD值大于所述第一OD值。
可选的，采用所述针压装置执行所述针压操作，获取所述探针卡的针压数据的步骤包括：
所述探针卡以第一OD值在所述针压装置上执行针压操作，以获取所述探针卡针尖的位置数据，以评估所述探针卡针尖的状态；
所述探针卡以第二OD值在所述针压装置上执行针压操作，以获取所述探针卡的压力数据，以评估所述探针卡下压的OD数据，其中，所述第二OD值大于所述第一OD值。
可选的，采用所述针压装置执行所述针压操作，获取所述探针卡的针压数据的步骤包括：
所述探针卡在所述针压装置上以初始OD值执行针压操作，并逐渐增加OD值直至所述探针卡至少一个针尖的针压大于或等于预设针压时停止，获取所述探针卡针尖的位置数据及OD数据，用于评估所述探针卡针尖的状态及下压的OD数据。
综上所述，本发明在执行CP测试的半导体设备中设置针压装置，针压装置上设有薄膜压力传感单元，利用薄膜压力传感单元上的压力感应点与探针卡针尖相接触以获取探针卡的针压数据，通过针压数据判定探针卡下压的OD数据及探针卡针尖的状态，从而达到较佳监测CP测试过程中探针卡及其下压操作的目的，用于及时维修探针卡及调整下压的OD数据，以避免带伤量产CP测试引起较大损失，保证CP测试高效运行，并有利于提高CP测试的成本。而且，还根据针压数据评估对探针卡执行清针操作的方式及频率，以尽量减轻执行清针操作的程度(例如减少研磨量)及减少执行清针操作的频率，从而减少因清针操作所引起的损耗，以延长探针卡的使用寿命。
附图说明
本领域的普通技术人员应当理解，提供的附图用于更好地理解本发明，而不对本发明的范围构成任何限定。
图1为实施例一提供的针压装置的示意图；
图2为实施例三及实施例四提供的半导体测试方法的流程图。
附图中：10-固定底座；20-升降单元；21-导轨；22-丝杠；23-步进电机；24-螺母；31-承载单元；32-薄膜压力传感单元；33-处理单元。
具体实施方式
为使本发明的目的、优点和特征更加清楚，以下结合附图和具体实施例对本发明作进一步详细说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且未按比例绘制，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。此外，附图所展示的结构往往是实际结构的一部分。特别的，各附图需要展示的侧重点不同，有时会采用不同的比例。
如在本发明中所使用的，单数形式“一”、“一个”以及“该”包括复数对象，术语“或”通常是以包括“和/或”的含义而进行使用的，术语“若干”通常是以包括“至少一个”的含义而进行使用的，术语“至少两个”通常是以包括“两个或两个以上”的含义而进行使用的，此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者至少两个该特征，除非内容另外明确指出外。
实施例一
实施例一提供了一种针压装置。
图1为实施例一提供的针压装置的示意图。
如图1所示，本实施例提供的针压装置，包括固定底座10、升降单元20、承载单元31、薄膜压力传感单元32及处理单元33。升降单元20设于固定底座10上；承载单元31设于升降单元远离固定底座10一端，与升降单元配合以实现升降；薄膜压力传感单元32，设于承载单元表面，其具有多个呈阵列排布的压力感应点，利用压力感应点与探针卡相接触以获取探针卡的针压数据；处理单元33与薄膜压力传感单元32信号连接，利用针压数据获得探针卡针尖的压力数据及位置数据，以检测探针卡。
请继续参照图1，升降单元20可包括若干导轨21、螺母24、丝杠22及步进电机23。至少两个导轨21竖直设于固定底座10上，丝杠22可设于两导轨21之间，丝杠22靠近固定底座10一端可与步进电机23传动连接，丝杠22远离固定底座10一端可设有螺母24。螺母24固定于承载单元31上，且与丝杠22转动连接，利用步进电机23驱动丝杠22旋转，并进而驱动螺母24升降，即驱动承载单元31升降。此外，在其他实施例中，还可利用承载单元31上设置的螺孔(具有螺纹结构的孔)作为螺母24与丝杠22配合以实现升降。
请继续参照图1，承载单元31靠近固定底座10的部分与导轨21、螺母24及丝杠22等配合以实现其升降，承载单元31远离固定底座10的一面(表面)用于承载薄膜压力传感单元32。薄膜压力传感单元32具有多个呈阵列排布的压力感应点，利用压力感应点与探针卡相接触以获取探针卡的针压数据，其中，相邻压力感应点之间的间距小于或等于探针卡针尖的最小间距，以使探针卡的与薄膜压力传感单元32相接触每个针尖均可对应一压力感应点。而且，薄膜压力传感单元32的压力感应点还可具有较高的精度，例如其精度小于或等于10克。
在一示例中，薄膜压力传感单元32可例如为一面状的压强垫，其形状可与基板或探针卡的形状相匹配，例如圆形。压力传感单元包括多个均匀分布的压力测试结构作为压力感应点，用于获取探针卡针尖的针压数据。
在其他示例中，薄膜压力传感单元32包括若干压力传感器，若干压力传感器阵列布置于承载单元31的表面，每个压力传感器均作为其中的一压力感应点，用于获取探针卡针尖的针压数据。
请继续参照图1，处理单元33与薄膜压力传感单元32信号连接，利用针压数据获得探针卡针尖的压力数据及位置数据，以检测探针卡。另外，本实施例的针压装置还可包括显示单元，与处理单元33信号连接，用于显示探针卡的检测结果，该检测结果包括探针卡每个针尖的坐标数据及压力数据(即OD值数据)，用以判定探针卡的整体状态，并以此评估探针卡后续的使用状态，例如是否需要停机修改探测卡、是否需要降低探针卡的清针方式及清针频率等。在一些情形中，若探针卡针尖发生异常磨损或烧短将可能导致压力数据偏小，若针尖上附着有沾污将可能导致压力数据偏大，若针尖位置偏移将导致其坐标数据异常。
在一示例中，处理单元33可为电脑主机，电脑的屏幕则可为显示单元，并且，步进电机23也可与处理单元33信号连接以控制其升降。此外，还可将步进电机23利用处理单元33接入量产测试系统以自动读取基板的厚度，从而自动调节承载单元31的高度。
实施例二
实施例二提供了一种半导体测试设备。
本实施例提供的半导体测试设备包括测试台、悬臂装置、清针装置、针压装置及移动承载台。测试台用于承载待测试的基板，以在测试台进行CP测试。悬臂装置上设置有用于探针夹头用于固定探针卡，探针卡针尖朝向测试台。清针装置，用于清洁探针卡的针尖。移动承载台可承载并移动上述的测试台、清针装置及针压装置，包括水平移动以使测试台、清针装置或针压装置对准探针卡，及垂直移动以使测试台、清针装置或针压装置朝探针卡靠近以执行相应的CP测试、清针操作或针压操作。针压装置可包括固定底座、升降单元、承载单元、薄膜压力传感单元及处理单元。升降单元设于固定底座上；承载单元设于升降单元远离固定底座一端，与升降单元配合以实现升降；薄膜压力传感单元，设于承载单元表面，其具有多个呈阵列排布的压力感应点，利用压力感应点与探针卡相接触以获取探针卡的针压数据；处理单元与薄膜压力传感单元信号连接，利用针压数据获得探针卡针尖的压力数据及位置数据，以检测探针卡。针压装置的具体设置可参考实施一，在此不做赘述。其中，探针卡可为任意合适类型的针卡，例如悬臂式滩镇卡、垂直式探针卡或MEMS探针卡。探针卡电性连接有与待测试的基板(芯片)对应的测试载板。在CP测试前或CP测试中，针压装置的薄膜压力传感单元表面可与测试台上基板表面齐平，以便于模拟CP测试时的状态测量探针卡下压时的OD值。而且，针压装置可和测试台相邻设置，以减少移动探针卡执行针压操作的行程。
需要说明的是，本实施例中的下压仅为便于理解和说明，实际中是以测试台、清针装置及针压装置向上挤压(上压)为主，本实施例并以上压或下压的方式为限制。
实施例三
实施例三提供了一种半导体测试方法。
图2为实施例三提供的半导体测试方法的流程图。
如图2所示，本实施例提供的半导体测试方法，包括：
S01：在对基板执行CP测试前，将CP测试的探针卡在如上述的针压装置上执行针压操作，并建立探针卡的针压标准范围，所述针压标准范围包括所述探针卡针尖的压力数据及位置数据；
S02：在对基板执行CP测试中，采用针压装置获取探针卡的针压数据以判定探针卡下压的OD数据及探针卡针尖的状态，并根据针压数据评估对探针卡执行清针操作的方式及频率。
在步骤S01中，在基板量产CP测试前，可利用针压装置建立该基板及该探针卡的针压标准范围。具体步骤可包括：首先，将探针卡以第一OD值在针压装置上执行针压操作，以获取探针卡每个针尖的位置数据，以评估探针卡针尖的状态。其中，第一OD值可小于基板正常测试时的OD值，以防止探针卡针尖存在异常状态损坏薄膜压力传感单元。应理解，若探针卡针尖位置存在异常状态，例如针尖的位置偏移、针尖异常变短(磨损、烧短)或针尖异常变长(附着异物)等，检测探针卡的针压数据并不具有实际意义。
基板正常测试时OD值及其允许波动范围可根据焊盘材质及基板厚度等设定，焊盘材质越容易刺破、基板厚度越薄，则基板正常测试时的OD值设置越小，反之亦反之；基板厚度越厚，则基板正常测试时OD值的允许波动范围越大。第一OD值及其允许波动范围可和基板正常测试同理设置。当然，将探针卡以第一OD值执行针压操作时，处理单元获得与第一OD至相对应的压力数据(针压数据)，并以此作为探针卡以第一OD值执行针压测试时标准范围的压力数据。以基板正常实施时OD值为50微米～100微米为例，第一OD值可为10微米～30微米，与第一OD值相应的标准针压范围可为0.5g～5g，若经针压操作获得探针卡所有针尖的实际压力数据均在该标准针压范围内，则可通过针尖的位置数据计算所有针尖之间的相对位置是否在允许误差范围内，以初步判定探针卡针尖的状态。探针卡针尖间相对位置(间距)的允许误差范围可与焊盘的开口尺寸(例如长和宽)及针尖间的间距呈近似正相关。
在此说明的是，探针卡针尖间相对位置的正常状态(针压标准范围的位置数据)除相邻针尖间间距正常外，还包括间隔多个针尖的两个针尖间(不相邻)的间距正常，以防止累积误差导致偏移。
接着，在探针卡的状态正常的基础上，结合基板(产品)及探针卡的信息，对探针卡设置以合适的第二OD值在针压装置上执行针压操作，以获取探针卡相应的压力数据，并以此建立探针卡的针压标准范围，用以评估探针卡下压的实际OD数据与设定OD数据的差异，其中，第二OD值大于第一OD值。优选的，第二OD值可为(或尽量接近)基板正常CP测试时的OD值，即以基板正常CP测试时的设定OD值执行针压操作，并获得与之相应的压力数据及其允许波动范围，以作为探针卡的针压标准范围，用于评估探针卡的OD数据是否正常。当然，还可以第二OD值执行针压操作时，利用针尖的位置数据计算所有针尖之间的相对位置是否在允许误差范围内，以判定探针卡的状态，也即是针压标准范围包括探针卡针尖的压力数据及位置数据。
在步骤S02中，在对基板执行CP测试过程中，采用针压装置获取探针卡的针压数据以判定探针卡下压的OD数据及探针卡针尖的状态，并根据针压数据评估对探针卡执行清针操作的方式及频率。
采用针压装置获取探针卡的针压数据的具体步骤可参考前述建立针压标准范围的过程，其可包括以第一OD值执行针压操作以判断探针卡针尖的状态及针尖的位置数据，以第二OD值执行针压操作以判断探针卡下压的OD数据(模拟正常CP测试基板时)，从而达到较佳监测CP测试过程中探针卡及其下压操作的目的，用于及时维修探针卡及调整下压的OD数据，以避免带伤量产CP测试引起较大损失，保证CP测试高效运行，并有利于提高CP测试的成本。
特别的，本实施例还可根据针压数据评估对探针卡执行清针操作的方式及频率，以尽量减轻执行清针操作的程度(例如减少研磨量)及减少执行清针操作的频率，从而减少因清针操作所引起的损耗，以延长探针卡的使用寿命。应理解，正常CP测试对探针卡针尖的消耗其实相对较小，而清针操作(例如研磨)则严重消耗针尖而降低针尖的使用寿命，相较于以固定频率(例如间隔时间或测试数量)执行清针操作以避免带伤进行CP测试，本实施例可通过检测探针卡针尖状态及下压OD数据而根据实际需要执行清针操作，即避免了带伤进行CP测试，又同时避免了不必要的清针操作以延长探针卡的使用寿命。而且，相较于以固定研磨量的方式执行清针操作，本实施例可通过检测探针卡针尖状态而根据实际需要执行清针操作而根据实际需要设定合适研磨量的方式执行清针操作，既保证了清针操作的效果，又避免过度研磨导致针尖寿命额外损失。
此外，还可在对探针卡执行清针操作后，采用针压装置检测探针卡，以评估清针操作的效果及探针卡的状态。
在实际中，以第二OD值执行针压操作时，若存在较多(例如至少3个)的压力数据偏小(CONT fail)，则可在此基础上适当增大下压OD值，用于评估是否为建立针压标准范围的第二OD值设置较小所致。
实施例四
实施例四提供了一种半导体测试方法。
图2为实施例四提供的半导体测试方法的流程图。
如图2所示，本实施例提供的半导体测试方法，包括：
S01：在对基板执行CP测试前，将CP测试的探针卡在如上述的针压装置上执行针压操作，并建立探针卡的针压标准范围，所述针压标准范围包括所述探针卡针尖的压力数据及位置数据；
S02：在对基板执行CP测试中，采用针压装置获取探针卡的针压数据以判定探针卡下压的OD数据及探针卡针尖的状态，并根据针压数据评估对探针卡执行清针操作的方式及频率。
其中，本实施例的步骤S01可与实施例三的步骤S01相同，用于获得基板及探针卡的针压标准范围。
在本实施例的步骤S02中可采用与实施例三不同的方法获取探针卡的针压数据，用以判定探针卡下压的OD数据及探针卡针尖的状态。
具体的，探针卡在针压装置上以初始OD值执行针压操作，并逐渐增加OD值直至探针卡至少一个针尖的针压大于或等于预设针压时停止，获取探针卡针尖的位置数据及OD数据，用于评估探针卡针尖的状态及下压的OD数据。其中，初始OD值可为0，即从针尖与基板刚开始接触就检测针尖的针压，或者，初始OD值为相对正常CP测试时较小且大于0的OD值，以提高检测效率。
在逐渐增加OD值的过程，检测到任一个或任几个针尖的针压大于或等于预设针压则立即停止增加OD值，预设针压(例如5g～10g)可属于上述正常CP测试时的针压标准范围，可防止异常针尖危害针压装置的薄膜压力传感单元从而保护探针卡及针压装置，并在该OD值下获取获取探针卡所有针尖的位置数据及OD数据，用于评估探针卡针尖的状态及下压的OD数据。相较于实施例三中采用两步分别获得探针卡针尖的状态及下压的OD数据，本实施例可一步获得上述两个数据，有利于简化评估过程。
此外，相较于实施例三，由于本实施例中并不需要第一OD值检测探针卡的状态，本实施例还可在步骤S01中省略建立与第一OD值相关的针压标准范围，而仅需建立与正常CP测试相应的针压标准范围即可。
综上所述，本发明在执行CP测试的半导体设备中设置针压装置，针压装置上设有薄膜压力传感单元，利用薄膜压力传感单元上的压力感应点与探针卡针尖相接触以获取探针卡的针压数据，通过针压数据判定探针卡下压的OD数据及探针卡针尖的状态，从而达到较佳监测CP测试过程中探针卡及其下压操作的目的，用于及时维修探针卡及调整下压的OD数据，以避免带伤量产CP测试引起较大损失，保证CP测试高效运行，并有利于提高CP测试的成本。而且，还根据针压数据评估对探针卡执行清针操作的方式及频率，以尽量减轻执行清针操作的程度(例如减少研磨量)及减少执行清针操作的频率，从而减少因清针操作所引起的损耗，以延长探针卡的使用寿命。
上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。
Claims (10)
1.一种针压装置，用于检测半导体测试过程中的探针卡，其特征在于，包括：
固定底座；
升降单元，设于所述固定底座上；
承载单元，设于所述升降单元远离所述固定底座一端，与所述升降单元配合以实现升降；
薄膜压力传感单元，设于所述承载单元表面，其具有多个呈阵列排布的压力感应点，利用所述压力感应点与所述探针卡相接触以获取所述探针卡的针压数据；
处理单元，与所述薄膜压力传感单元信号连接，利用所述针压数据获得所述探针卡针尖的压力数据及位置数据，以检测所述探针卡。
2.根据权利要求1所述的针压装置，其特征在于，所述升降单元包括：
若干导轨，设于所述固定底座上，且与所述承载单元滑动连接；
螺母，设于所述承载单元上；
丝杠，与所述螺母相配合；
步进电机，设于所述固定底座上，与所述丝杠传动连接，以驱动所述丝杠旋转，使所述承载单元升降。
3.根据权利要求1或2所述的针压装置，其特征在于，所述薄膜压力传感单元包括一面状的压强垫。
4.根据权利要求1或2所述的针压装置，其特征在于，所述薄膜压力传感单元包括若干压力传感器，若干所述压力传感器阵列布置于所述承载单元的表面。
5.一种半导体测试设备，利用探针卡执行CP测试，其特征在于，包括：
测试台，用于承载待测试的基板；
悬臂装置，设于所述测试台上方，其上设有所述探针卡朝向所述测试台；
清针装置，用于清洁所述探针卡的针尖；
针压装置，包括固定底座；升降单元，设于所述固定底座上；承载单元，设于所述升降单元远离所述固定底座一端，与所述升降单元配合以实现升降；薄膜压力传感单元，设于所述承载单元表面，其具有多个呈阵列排布的压力感应点，利用所述压力感应点与所述探针卡相接触以获取所述探针卡的针压数据；处理单元，与所述薄膜压力传感单元信号连接，利用所述针压数据获得所述探针卡针尖的压力数据及位置数据，以检测所述探针卡；
移动承载台，用于承载并移动所述测试台、所述清针装置及所述针压装置。
6.根据权利要求5所述的半导体测试设备，其特征在于，在利用所述针压装置检测所述探针卡时，所述薄膜压力传感单元表面与所述测试台上基板表面齐平。
7.一种半导体测试方法，其特征在于，包括：
在对基板执行CP测试前，将所述CP测试的探针卡在如权利要求1至4中任一项所述的针压装置上执行针压操作，并建立所述探针卡的针压标准范围，所述针压标准范围包括所述探针卡针尖的压力数据及位置数据；
在对基板执行所述CP测试中，采用所述针压装置获取所述探针卡的针压数据以判定所述探针卡下压的OD数据及所述探针卡针尖的状态，并根据所述针压数据评估对所述探针卡执行清针操作的方式及频率。
8.根据权利要求7所述的半导体测试方法，其特征在于，在对基板执行CP测试前，执行针压操作以建立所述探针卡的针压标准范围的步骤包括：
所述探针卡以第一OD值在所述针压装置上执行针压操作，以获取所述探针卡针尖的位置数据，以评估所述探针卡针尖的状态；
若所述探针卡的状态正常，结合所述探针卡及所述基板的信息，以第二OD值执行针压操作获取对应的压力数据，并以此建立所述探针卡的针压标准范围，其中，所述第二OD值大于所述第一OD值。
9.根据权利要求7或8所述的半导体测试方法，其特征在于，采用所述针压装置执行所述针压操作，获取所述探针卡的针压数据的步骤包括：
所述探针卡以第一OD值在所述针压装置上执行针压操作，以获取所述探针卡针尖的位置数据，以评估所述探针卡针尖的状态；
所述探针卡以第二OD值在所述针压装置上执行针压操作，以获取所述探针卡的压力数据，以评估所述探针卡下压的OD数据。
10.根据权利要求7或8所述的半导体测试方法，其特征在于，采用所述针压装置执行所述针压操作，获取所述探针卡的针压数据的步骤包括：
所述探针卡在所述针压装置上以初始OD值执行针压操作，并逐渐增加OD值直至所述探针卡至少一个针尖的针压大于或等于预设针压时停止，获取所述探针卡针尖的位置数据及OD数据，用于评估所述探针卡针尖的状态及下压的OD数据。
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