CN116941045A - 半导体材料、发光器件、显示面板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
公开了一种半导体材料、发光器件、显示面板及显示装置，半导体材料包括：第一元素的氧化物、第二元素的氧化物、第三元素的氧化物、第四元素的氧化物与第五元素的化合物中的至少两种，且至少包括第一元素的氧化物与第五元素的化合物；第一元素包括In、Zn、Sn、Cd、Tl、Pb中至少一种，第二元素包括Ta、Ga、W、Ba、V、Hf、Nb中至少一种，第三元素包括Sn、Zr、Cr、Si中至少一种，第四元素包括Zn、Al、Sn、Ta、Hf、Zr、Ti中至少一种，第五元素的化合物包括MxA，M包括Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Tb和Dy中至少一种；A包括O、N、S、Se、Te、Br、I、As和B中至少一种。半导体材料迁移率高，稳定性好，可以提高TFT迁移率和提高稳定性。
Description
本公开涉及显示技术领域，具体涉及一种半导体材料、发光器件、显示面板及显示装置。
薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)是显示装置的核心器件，显示装置中的每一个像素均依赖薄膜晶体管进行开关和驱动。根据薄膜晶体管的有源层的半导体材料的不同，薄膜晶体管主要包括氧化物薄膜晶体管和非晶硅薄膜晶体管。氧化物薄膜晶体管具有较高的迁移率，可以提高显示装置的分辨率，在显示装置中的应用越来越广泛。
氧化物薄膜晶体管的有源层分别连接氧化物薄膜晶体管的源极和漏极，在氧化物薄膜晶体管工作时，有源层中产生载流子，有源层连接的源极和漏极导通，使得该氧化物薄膜晶体管导通开始工作。氧化物薄膜晶体管的有源层为半导体材料，半导体材料的迁移率目前较低，容易受到光的影响，影响氧化物薄膜晶体管的稳定性。
发明内容
本公开实施例提供了一种半导体材料、发光器件、显示面板及显示装置。
第一方面，本公开实施例提供一种半导体材料，包括：第一元素的氧化物、第二元素的氧化物、第三元素的氧化物、第四元素的氧化物与第五元素的化合物中的至少两种，且至少包括第一元素的氧化物与第五元素的化合物；
所述第一元素包括In、Zn、Sn、Cd、Tl、Pb中的至少一种；
所述第二元素包括Ta、Ga、W、Ba、V、Hf、Nb中的至少一种；
所述第三元素包括Sn、Zr、Cr、Si中的至少一种；
所述第四元素包括Zn、Al、Sn、Ta、Hf、Zr、Ti中的至少一种；
第五元素的化合物包括M
xA，M包括Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Tb和Dy中的至少一种；A包括O、N、S、Se、Te、Br、I、As和B中的至少一种，x 大于零。
可选地，第一元素的氧化物、第二元素的氧化物、第三元素的氧化物、第四元素的氧化物与第五元素的化合物的质量比为(55％～90％)：(0％～10％)：(0％～10％)：(0％～10％)：(0.0001％～15％)。
可选地，所述第一元素包括In、Zn、Sn的至少一种；和/或
所述第二元素包括Ta、Ga、W中的至少一种；和/或
所述第三元素包括Sn；和/或
所述第四元素包括Zn、Al、Ta中的至少一种；和/或
M包括Pr、Sm、Tb中的至少一种，A包括O、N、B中的至少一种。
可选地，所述半导体材料包括：第一元素的氧化物、第二元素的氧化物、第三元素的氧化物与第五元素的化合物，所述第一元素为In，所述第二元素为Ta，所述第三元素为Sn，第五元素的化合物为Pr的氧化物；或者
所述半导体材料包括：第一元素的氧化物、第二元素的氧化物、第四元素的氧化物与第五元素的化合物，所述第一元素为In，所述第二元素为Ta，所述第四元素为Zn，第五元素的化合物为Pr的氧化物；或者
所述半导体材料包括：第一元素的氧化物、第二元素的氧化物、第三元素的氧化物、第四元素的氧化物与第五元素的化合物，所述第一元素为In，所述第二元素为Ta，所述第三元素为Sn、所述第四元素为Al，第五元素的化合物为Tb的B化物；或者
所述半导体材料包括：第一元素的氧化物、第二元素的氧化物、第四元素的氧化物与第五元素的化合物，所述第一元素为In与Zn，所述第二元素为Ta，所述第四元素为Al，第五元素的化合物为Tb的B化物；或者
所述半导体材料包括：第一元素的氧化物、第二元素的氧化物、第三元素的氧化物与第五元素的化合物，所述第一元素为In，所述第二元素为W，所述第三元素为Sn，第五元素的化合物为Tb的B化物；或者
所述半导体材料包括：第一元素的氧化物、第二元素的氧化物、第三元素的氧化物与第五元素的化合物，所述第一元素为In，所述第二元素为Ta，所述第四元素为Zn，第五元素的化合物为Tb的氧化物；或者
所述半导体材料包括：第一元素的氧化物、第二元素的氧化物、第三元 素的氧化物、第四元素的氧化物与第五元素的化合物，所述第一元素为In，所述第二元素为Ta，所述第三元素为Sn、所述第四元素为Zn，第五元素的化合物为Pr的氧化物；或者
所述半导体材料包括：第一元素的氧化物、第二元素的氧化物、第三元素的氧化物、第四元素的氧化物与第五元素的化合物，所述第一元素为In，所述第二元素为Ta，所述第三元素为Sn、所述第四元素为Zn，第五元素的化合物为Tb的B化物。
第二方面，本公开实施例提供一种发光器件，包括半导体薄膜，所述半导体薄膜包括上述实施例中所述的半导体材料。
可选地，所述半导体薄膜的载流子浓度小于或等于5×10
19cm
-3。
可选地，所述半导体薄膜的迁移率为30～200cm
2/Vs。
可选地，所述半导体薄膜的厚度为20nm-100nm。
可选地，所述半导体薄膜中具有微晶结构。
可选地，所述发光器件还包括：
基板，所述基板上具有栅极层；
栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极层；
所述半导体薄膜设置在所述栅极绝缘层上，所述半导体薄膜上具有源极和漏极。
第三方面，本公开实施例提供一种显示面板，包括上述实施例中所述的发光器件。
第四方面，本公开实施例提供一种显示装置，包括上述实施例中所述的显示面板。
图1是铝的氧化物形成微晶结构的一个电镜图；
图2是图1中局部A的一个放大示意图；
图3是实施例1中InTaSnPrO
y半导体材料薄膜的TFT特性曲线；
图4是实施例1中InTaSnPrO
y半导体材料薄膜的光照稳定性测试曲线；
图5是本公开实施例中发光器件的一个结构示意图；
图6是实施例4中InTaZnPrO
y半导体材料薄膜的TFT特性曲线；
图7是实施例4中InTaSnPrO
y半导体材料薄膜的光照稳定性测试曲线。
附图标记
基板10；栅极层11；
栅极绝缘层20；
半导体薄膜30；
源极31；漏极32。
下面结合附图1至图7所示，通过具体的实施例对本公开实施例提供的半导体材料进行详细地说明。
本公开实施例的半导体材料包括：第一元素的氧化物、第二元素的氧化物、第三元素的氧化物、第四元素的氧化物与第五元素的化合物中的至少两种，，且至少包括第一元素的氧化物与第五元素的化合物。比如，半导体材料包括：第一元素的氧化物、第二元素的氧化物、第三元素的氧化物、第五元素的化合物，或者半导体材料包括：第一元素的氧化物、第二元素的氧化物、第三元素的氧化物、第四元素的氧化物与第五元素的化合物。第一元素、第二元素、第三元素、第四元素与第五元素中总共可以包括至少四种元素，比如五种，第一元素、第二元素、第三元素、第四元素与第五元素中分别具有一种元素，第一元素、第二元素、第三元素、第四元素与第五元素中的元素不同。第一元素可以包括In(铟)、Zn(锌)、Sn(锡)、Cd(镉)、Tl(铊)、Pb(铅)中的至少一种，比如，第一元素可以包括In和Zn，第一元素的氧化物可以包括IZO(氧化铟锌)，可以提高材料的迁移率提高。第一元素可以是阳离子最外层电子层为大半径ns轨道的金属元素，迁移率高。
第二元素可以包括Ta(钽)、Ga(镓)、W(钨)、Ba(钡)、V(钒)、Hf(铪)、Nb(铌)中的至少一种，比如，第二元素可以包括Ta或Nb，第二元素的氧化物可以包括五氧化二钽(Ta
2O
5)。Ga、W常温下不受空气侵蚀，Ta(钽)原子序数为73，具有极高的抗腐蚀性。第二元素具有较好的抗H (氢)固氧作用。第三元素可以包括Sn(锡)、Zr(锆)、Cr(铬)、Si(硅)中的至少一种，比如，第三元素可以包括Sn或Cr，第三元素的氧化物可以包括SnO
2，第三元素的氧化物可以包括Cr
2O
3、CrO
3和CrO
2中的一种或多种。第三元素可以为Sn，通过第三元素可以提高抗酸蚀能力。第四元素可以包括Zn(锌)、Al(铝)、Sn(锡)、Ta(钽)、Hf(铪)、Zr(锆)、Ti(钛)中的至少一种，比如，第四元素可以包括Zn或Al，第四元素可以包括Zn与Sn。通过第四元素可以提高形成微晶的能力，有利于提高稳定性。第五元素的化合物可以包括M
xA，M包括Ce(铈)、Pr(镨)、Nd(钕)、Pm(钷)、Sm(钐)、Tb(铽)和Dy(镝)中的至少一种；A包括O(氧)、N(氮)、S(硫)、Se(硒)、Te(碲)、Br(溴)、I(碘)、As(砷)和B(硼)中的至少一种，x大于零。比如，M
xA可以为CeO
2或CeS，M
xA可以包括PrBr
3、Pr
2Br
5、PrI
2、PrI
3、Pr
2I
5、PrO
2、Pr
2O
3、PrSe、PrTe、Pr
2Te
3与PrN中的至少一种。M元素发生f-d跃迁所需的最小能量可以大于2.48eV且小于2.64eV。半导体材料可以为非晶，半导体材料中可以具有微晶结构。
通过在半导体材料中添加上述化合物，可以使得本公开中半导体材料的迁移率高，具有较好的稳定性，利用本公开中的半导体材料制备氧化物薄膜晶体管的有源层，可以提高TFT迁移率和提高稳定性。半导体材料可以制作靶材、柔性或者玻璃基薄膜晶体管器件及显示器，比如可以应用于包含半导体材料的叠层沟道制作的柔性或者玻璃基薄膜晶体管及显示器，可以提高显示效果。
在一些实施例中，第一元素的氧化物、第二元素的氧化物、第三元素的氧化物、第四元素的氧化物与第五元素的化合物的质量比可以为(55％～90％)：(0％～10％)：(0％～10％)：(0％～10％)：(0.0001％～15％)。可选地，第一元素的氧化物、第二元素的氧化物、第三元素的氧化物、第四元素的氧化物与第五元素的化合物的质量比可以为(55％～90％)：(0.0001％～5％)：(5％～10％)：(3％～5％)：(1％～10％)。比如，第一元素的氧化物、第二元素的氧化物、第三元素的氧化物、第四元素的氧化物与第五元素的化合物的质量比可以为70％：5％：10％：5％：10％，具体的质量比例可以根据实际情况合理的调整。
在本公开的实施例中，第一元素可以包括In、Zn、Sn的至少一种。可选 地，第二元素可以包括Ta、Ga、W中的至少一种。可选地，第三元素可以包括Sn。可选地，第四元素可以包括Zn、Al、Ta中的至少一种。M可以包括Pr、Sm、Tb中的至少一种，A可以包括O、N、B中的至少一种。比如，第一元素可以为In，第二元素可以为Ta，第三元素可以为Sn，第四元素可以为Zn，M可以为Pr，A可以包括O或B。可以使得材料具有较高的迁移率、抗H固氧，抗酸蚀能力，整体稳定性较好，不容易受到光的影响。
在一些实施例中，半导体材料可以包括：第一元素的氧化物、第二元素的氧化物、第三元素的氧化物与第五元素的化合物，所述第一元素为In，所述第二元素为Ta，所述第三元素为Sn，第五元素的化合物为Pr的氧化物。
可选地，半导体材料可以包括：第一元素的氧化物、第二元素的氧化物、第四元素的氧化物与第五元素的化合物，所述第一元素为In，所述第二元素为Ta，所述第四元素为Zn，第五元素的化合物为Pr的氧化物。
可选地，半导体材料包括：第一元素的氧化物、第二元素的氧化物、第三元素的氧化物、第四元素的氧化物与第五元素的化合物，第一元素为In，第二元素为Ta，第三元素为Sn，第四元素为Al，第五元素的化合物为Tb的B化物。
可选地，半导体材料包括：第一元素的氧化物、第二元素的氧化物、第四元素的氧化物与第五元素的化合物，第一元素为In与Zn，第二元素为Ta，第四元素为Al，第五元素的化合物为Tb的B化物。
可选地，半导体材料可以包括：第一元素的氧化物、第二元素的氧化物、第三元素的氧化物与第五元素的化合物，所述第一元素为In，所述第二元素为W，所述第三元素为Sn，第五元素的化合物为Tb的B化物(铽的硼化物)。
可选地，半导体材料可以包括：第一元素的氧化物、第二元素的氧化物、第三元素的氧化物与第五元素的化合物，所述第一元素为In，所述第二元素为Ta，所述第四元素为Zn，第五元素的化合物为Tb的氧化物。
可选地，半导体材料可以包括：第一元素的氧化物、第二元素的氧化物、第三元素的氧化物、第四元素的氧化物与第五元素的化合物，第一元素为In，第二元素为Ta，第三元素为Sn、第四元素为Zn，第五元素的化合物为Pr的氧化物。
可选地，半导体材料可以包括：第一元素的氧化物、第二元素的氧化物、第三元素的氧化物、第四元素的氧化物与第五元素的化合物，第一元素为In，第二元素为Ta，第三元素为Sn、第四元素为Zn，第五元素的化合物为Tb的B化物。
本公开实施例提供一种发光器件，包括半导体薄膜，半导体薄膜可以包括上述实施例中所述的半导体材料材料。具有上述实施例中半导体材料材料的发光器件，发光效果好，稳定性高。
在一些实施例中，半导体薄膜的载流子浓度可以小于或等于5×10
19cm
-3，半导体薄膜的载流子浓度可以为4×10
19cm
-3。载流子浓度越大，材料越偏向于导体，阈值电压Vth越容易负偏，载流子浓度可以小于或等于5×10
19cm
-3能保证Vth可控的值。
可选地，半导体薄膜的迁移率为30～200cm
2/Vs，比如，半导体薄膜的迁移率为40cm
2/Vs。
可选地，半导体薄膜的厚度为20nm-100nm，比如，半导体薄膜的厚度可以为30nm、40nm或50nm，具体的厚度可以根据发光器件的实际情况选择。
在一些实施例中，所述半导体薄膜中具有微晶结构，有利于提高迁移率以及稳定性。
在本公开的实施例中，如图5所示，发光器件还包括：基板10、栅极绝缘层20，基板10上具有栅极层11，栅极绝缘层20覆盖栅极层11，半导体薄膜30设置在栅极绝缘层20上，半导体薄膜30上具有源极31和漏极32。半导体薄膜30可以作为有源层，半导体薄膜30可以分别连接源极31和漏极32，在氧化物薄膜晶体管工作时，有源层中产生载流子，有源层连接的源极31和漏极32导通，使得该氧化物薄膜晶体管导通开始工作。半导体薄膜30作为有源层不易受到光的影响，有源层受到光线照射的情况下不会产生光生载流子，保证氧化物薄膜晶体管的稳定性，保证发光器件的稳定性。
实施例1
本公开实施例中的一种半导体材料可以制备成半导体材料薄膜，半导体材料薄膜为：可以通过陶瓷靶磁控溅射方式在氧化铟半导体薄膜中掺入少量 Ta的氧化物以提高抗H固氧能力，掺入少量Sn的氧化物以提高抗酸蚀能力，掺入Pr的氧化物以改善光照稳定性。形成InTaSnPrO
y(y大于零)半导体材料，InTaSnPrO
y半导体材料表示In、Ta、Sn、Pr四种元素的氧化物，In的氧化物所占的质量比为86％，Ta的氧化物所占的质量比为3％，Sn的氧化物所占在的质量比为8％，Pr的氧化物所占的质量比为3％。
InTaSnPrO
y半导体材料薄膜的厚度为50nm，载流子浓度小于5×10
19cm
-3。TFT特性可以如图3所示以及表1所示，TFT特性的阈值电压为1.5V，迁移率为40cm
2/Vs。
表1 TFT特性测试数据
NBTIS(负偏压温度稳定性，Negative bias temperature illumination stability测试条件：白光6000nits照射，Vgs＝-30V，Time＝3600s)。如图4所示，图4为光照稳定性测试曲线，光照稳定性的阈值电压偏移量ΔVth＝-1.7V，稳定性较好。
实施例2
本实施例的一种半导体材料薄膜，可以通过陶瓷靶磁控溅射方式在氧化铟半导体薄膜中掺入少量Ta的氧化物提高抗H固氧能力、少量Sn的氧化物提高抗酸蚀能力、少量Al的氧化物形成微晶结构(如图1和图2所示)、TbB
6改善光照稳定性。形成TbB
x:InTaSnAlO
y半导体材料，y大于零，In、Ta、Sn、 Al四种元素的氧化物以及Tb的B化物(TbB
6)，In的氧化物所占的质量比为83％，Ta的氧化物所占的质量比为3％，Sn的氧化物所占的质量比为8％，Al的氧化物所占的质量比为3％，Tb的B化物所占的质量比为3％。TbB
x:InTaSnAlO
y半导体材料薄膜的厚度为30nm，载流子浓度小于5×10
19cm
-3。TFT特性的阈值电压为0.6V，迁移率为65cm
2/Vs。NBTIS(负偏压温度稳定性，Negative bias temperature illumination stability测试条件：白光6000nits照射，Vgs＝-30V，Time＝3600s)。体现光照稳定性的阈值电压偏移量ΔVth为-0.8V。
实施例3
半导体材料为InTaSnPrO
y材料，y大于零，InTaSnPrO
y表示In、Ta、Sn、Pr四种元素的氧化物。也即是，半导体材料包括：第一元素的氧化物、第二元素的氧化物、第三元素的氧化物与第五元素的化合物，第一元素为In，第二元素为Ta，第三元素为Sn，第五元素的化合物为Pr的氧化物。
In的氧化物、Ta的氧化物、Sn的氧化物与Pr的氧化物的质量比例为：90％：1.2％：8％：0.8％，半导体材料薄膜的厚度为30nm，载流子浓度小于5×10
19cm
-3；TFT特性阈值电压为-1.2V，迁移率为76cm
2/Vs，体现光照稳定性的阈值电压偏移量ΔVth为-3.5V。
实施例4
半导体材料为InTaZnPrO
y材料，y大于零，InTaZnPrO
y表示In、Ta、Zn、Pr四种元素的氧化物。也即是，半导体材料可以包括：第一元素的氧化物、第二元素的氧化物、第四元素的氧化物与第五元素的化合物，第一元素为In，第二元素为Ta，第四元素为Zn，第五元素的化合物为Pr的氧化物，In的氧化物、Ta的氧化物、Zn的氧化物与Pr的氧化物的质量比例为：90％、2％、6.5％、1.5％。
半导体材料薄膜的厚度为30nm，载流子浓度小于5×10
19cm
-3；TFT特性可以如图6所示以及表2所示，迁移率为49cm
2/Vs。
表2 TFT特性测试数据
NBTIS(负偏压温度稳定性，Negative bias temperature illumination stability测试条件：白光6000nits照射，Vgs＝-30V，Time＝3600s)。如图7所示，图7为光照稳定性测试曲线，光照稳定性的阈值电压偏移量ΔVth为-2.5V，稳定性较好。
实施例5
半导体材料为InWSnTbOB
y材料，y大于零，InWSnTbOB
y表示In、Ta、Sn三种元素的氧化物以及Tb的B化物。也即是，半导体材料包括：第一元素的氧化物、第二元素的氧化物、第三元素的氧化物与第五元素的化合物，第一元素为In，第二元素为W，第三元素为Sn，第五元素的化合物为Tb的B化物。In的氧化物、W的氧化物、Sn的氧化物与Tb的B化物的质量比例为：90％:2％:6％:2％，半导体材料薄膜的厚度为30nm，载流子浓度小于5×10
19cm
-3；TFT特性的阈值电压为0.6V，迁移率为48cm
2/Vs，体现光照稳定性的阈值电压偏移量ΔVth为-1.3V。
实施例6
半导体材料为InTaZnTbO材料，InTaZnTbO表示In、Ta、Zn的氧化物以及Tb的氧化物。也即是，半导体材料包括：第一元素的氧化物、第二元素的氧化物、第三元素的氧化物与第五元素的氧化物，第一元素为In，第二元素 为Ta，第四元素为Zn，第五元素的化合物为Tb的氧化物。In的氧化物、Ta的氧化物、Zn的氧化物与Tb的氧化物的质量比例为：85％：2％：8％：5％，半导体材料薄膜的厚度为50nm，载流子浓度小于5×10
19cm
-3；TFT特性的阈值电压为1.1V，迁移率为35cm
2/Vs，体现光照稳定性的阈值电压偏移量ΔVth为-0.2V。
实施例7
半导体材料为InTaZnSnPrO材料，InTaZnSnPrO表示In、Ta、Zn、Sn、Pr五种元素的氧化物。也即是，半导体材料包括：第一元素的氧化物、第二元素的氧化物、第三元素的氧化物、第四元素的氧化物与第五元素的化合物，第一元素为In，第二元素为Ta，第三元素为Sn，第四元素为Zn，第五元素的化合物为Pr的氧化物。In的氧化物、Ta的氧化物、Sn的氧化物、Zn的氧化物与Pr的氧化物的质量比例为：81％：2％：6.5％：9％：1.5％，半导体材料薄膜的厚度为30nm，载流子浓度小于5×10
19cm
-3；TFT特性的阈值电压为0.4V，迁移率为41cm
2/Vs，体现光照稳定性的阈值电压偏移量ΔVth为-1.8V。
上述实施例中的半导体材料薄膜迁移率较高，稳定性好。
本公开实施例提供一种显示面板，包括上述实施例中所述的发光器件，具有上述实施例中发光器件的显示面板，显示效果较好，稳定性好。
本公开实施例提供一种显示装置，包括上述实施例中所述的显示面板，具有上述实施例中显示面板的显示装置，显示效果较好，稳定性好。
以上所述仅是本公开的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本公开原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视本公开的保护范围。
Claims (12)
- 一种半导体材料，包括：第一元素的氧化物、第二元素的氧化物、第三元素的氧化物、第四元素的氧化物与第五元素的化合物中的至少两种，且至少包括第一元素的氧化物与第五元素的化合物；所述第一元素包括In、Zn、Sn、Cd、Tl、Pb中的至少一种；所述第二元素包括Ta、Ga、W、Ba、V、Hf、Nb中的至少一种；所述第三元素包括Sn、Zr、Cr、Si中的至少一种；所述第四元素包括Zn、Al、Sn、Ta、Hf、Zr、Ti中的至少一种；第五元素的化合物包括M xA，M包括Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Tb和Dy中的至少一种；A包括O、N、S、Se、Te、Br、I、As和B中的至少一种，x大于零。
- 根据权利要求1所述的半导体材料，其中，第一元素的氧化物、第二元素的氧化物、第三元素的氧化物、第四元素的氧化物与第五元素的化合物的质量比为(55％～90％)：(0％～10％)：(0％～10％)：(0％～10％)：(0.0001％～15％)。
- 根据权利要求1所述的半导体材料，其中，所述第一元素包括In、Zn、Sn的至少一种；和/或所述第二元素包括Ta、Ga、W中的至少一种；和/或所述第三元素包括Sn；和/或所述第四元素包括Zn、Al、Ta中的至少一种；和/或M包括Pr、Sm、Tb中的至少一种，A包括O、N、B中的至少一种。
- 根据权利要求1所述的半导体材料，其中，所述半导体材料包括：第一元素的氧化物、第二元素的氧化物、第三元素的氧化物与第五元素的化合物，所述第一元素为In，所述第二元素为Ta，所述第三元素为Sn，第五元素的化合物为Pr的氧化物；或者所述半导体材料包括：第一元素的氧化物、第二元素的氧化物、第四元素的氧化物与第五元素的化合物，所述第一元素为In，所述第二元素为Ta，所述第四元素为Zn，第五元素的化合物为Pr的氧化物；或者所述半导体材料包括：第一元素的氧化物、第二元素的氧化物、第三元素的氧化物、第四元素的氧化物与第五元素的化合物，所述第一元素为In，所述第二元素为Ta，所述第三元素为Sn、所述第四元素为Al，第五元素的化合物为Tb的B化物；或者所述半导体材料包括：第一元素的氧化物、第二元素的氧化物、第四元素的氧化物与第五元素的化合物，所述第一元素为In与Zn，所述第二元素为Ta，所述第四元素为Al，第五元素的化合物为Tb的B化物；或者所述半导体材料包括：第一元素的氧化物、第二元素的氧化物、第三元素的氧化物与第五元素的化合物，所述第一元素为In，所述第二元素为W，所述第三元素为Sn，第五元素的化合物为Tb的B化物；或者所述半导体材料包括：第一元素的氧化物、第二元素的氧化物、第三元素的氧化物与第五元素的化合物，所述第一元素为In，所述第二元素为Ta，所述第四元素为Zn，第五元素的化合物为Tb的氧化物；或者所述半导体材料包括：第一元素的氧化物、第二元素的氧化物、第三元素的氧化物、第四元素的氧化物与第五元素的化合物，所述第一元素为In，所述第二元素为Ta，所述第三元素为Sn、所述第四元素为Zn，第五元素的化合物为Pr的氧化物；或者所述半导体材料包括：第一元素的氧化物、第二元素的氧化物、第三元素的氧化物、第四元素的氧化物与第五元素的化合物，所述第一元素为In，所述第二元素为Ta，所述第三元素为Sn、所述第四元素为Zn，第五元素的化合物为Tb的B化物。
- 一种发光器件，包括半导体薄膜，所述半导体薄膜包括权利要求1-4中任一项所述的半导体材料。
- 根据权利要求5所述的发光器件，其中，所述半导体薄膜的载流子浓度小于或等于5×10 19cm -3。
- 根据权利要求5所述的发光器件，其中，所述半导体薄膜的迁移率为30～200cm 2/Vs。
- 根据权利要求5所述的发光器件，其中，所述半导体薄膜的厚度为20nm-100nm。
- 根据权利要求5所述的发光器件，其中，所述半导体薄膜中具有微晶结构。
- 根据权利要求5所述的发光器件，其中，还包括：基板，所述基板上具有栅极层；栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极层；所述半导体薄膜设置在所述栅极绝缘层上，所述半导体薄膜上具有源极和漏极。
- 一种显示面板，包括权利要求5-10中任一项所述的发光器件。
- 一种显示装置，包括权利要求11所述的显示面板。
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