CN116904186A - 绿色荧光材料及其制备方法、发光器件 - Google Patents
绿色荧光材料及其制备方法、发光器件 Download PDFInfo
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Abstract
本申请涉及发光材料领域,涉及一种绿色荧光材料及其制备方法、发光器件。绿色荧光材料的化学式为BaMgSiO4;绿色荧光材料包括能够发绿光的氧空位。本申请提供的绿色荧光材料,其发光的原理为氧空位发光,实现了在BaMgSiO4单一基质材料中利用氧空位缺陷跃迁发绿光,从而获得了一种新的绿色荧光材料。本申请的绿色荧光材料,是一种新的非稀土能级发光的绿色荧光材料,本申请的这种绿色荧光材料不依赖于稀土离子,成本低、对环境友好,可以避免使用稀土元素,降低对环境和资源的影响。并且,本申请的绿色荧光材料具有良好的发光性能,可以通过控制氧空位的浓度来调整发光特性,以实现较高的量子产率和稳定性。
Description
技术领域
本申请涉及发光材料领域,具体而言,涉及一种绿色荧光材料及其制备方法、发光器件。
背景技术
绿色荧光粉具有广泛的应用前景,主要涉及以下几个领域:(1)白光LED:绿色荧光粉与蓝色LED芯片结合,可用于制备具有高亮度、高色渲染指数和高光效的白光LED照明产品。这些产品在住宅、商业、工业和室外照明等场景中有着广泛的应用。(2)显示器:绿色荧光粉可用于平板显示器、电视、手机、笔记本电脑等显示设备的背光源。采用绿色荧光粉的显示器具有高亮度、高对比度、低能耗和环保等优点。(3)生物成像:绿色荧光粉可用作生物标记物,用于生物成像和疾病诊断。其优异的发光性能有助于提高成像质量和灵敏度,为生物医学研究和临床应用提供新的解决方案。(4)安防标识:绿色荧光粉具有较长的余辉时间,可用于制备夜光标识、指示牌和安全出口等产品。这些产品有助于提高建筑物、交通工具和公共场所的安全性能。(5)光催化:绿色荧光粉可用于光催化剂的制备,通过光致发光过程促使化学反应进行。这种方法在环境净化、能源转换和化学合成等领域具有广泛的应用潜力。随着绿色荧光粉技术的不断进步,未来可能会出现更多的应用场景。
绿色荧光粉在研究和应用方面已经取得了很多进展。现有的绿色荧光粉主要包括以下材料:(1)磷酸盐荧光粉:例如,Ce3+/Tb3+掺杂的磷酸盐荧光粉。(2)硅酸盐荧光粉:如Sr2SiO4:Eu2+,Dy3+荧光粉。
发明内容
本申请实施例的目的在于提供一种新的绿色荧光材料及其制备方法、发光器件。
第一方面,本申请提供一种绿色荧光材料,绿色荧光材料的化学式为BaMgSiO4;绿色荧光材料包括能够发绿光的氧空位。
本申请提供的绿色荧光材料,其发光的原理为氧空位发光,实现了在BaMgSiO4单一基质材料中利用氧空位缺陷跃迁发绿光,从而获得了一种新的绿色荧光材料。
现有技术中,磷酸盐荧光粉、硅酸盐荧光粉类型的绿色荧光材料,其发绿光的原理均是稀土离子发光;即利用稀土离子发光实现材料发光。然而稀土离子作为不可再生资源,有着成本高、发光峰位固定和不环保等特点。本申请的绿色荧光材料,其发光原理为氧空位缺陷发光,与现有技术中常见的绿色荧光材料的发光原理均不相同,是一种新的非稀土能级发光的绿色荧光材料,本申请的这种绿色荧光材料不依赖于稀土离子,成本低、对环境友好,可以避免使用稀土元素,降低对环境和资源的影响。并且,本申请的绿色荧光材料具有良好的发光性能,可以通过控制氧空位的浓度来调整发光特性,以实现较高的量子产率和稳定性。
进一步地,本申请的绿色荧光材料是在烧结过程中,形成氧空位缺陷。在发光过程中,材料中价带电子被激发到导带,然后弛豫到氧空位缺陷能级,最后由氧空位缺陷能级跃迁至价带得到绿光。
进一步在,在本申请其他可选的实施例中,上述的氧空位的价带能量差为2.35eV-2.4eV。
在本申请的其他实施例中,绿色荧光材料的绿光光谱包括450nm-650nm。
本申请的绿色荧光材料具有宽光谱,可以覆盖绿光光谱。
在本申请的其他实施例中,绿色荧光材料的绿光光谱包括460nm-640nm。
在本申请的其他实施例中,绿色荧光材料通过255nm-365nm紫外光激发能够得到中心波长为500nm~550nm的绿光。
在本申请的其他实施例中,绿色荧光材料的激发光源包括255nm~365nm紫外光。
在本申请的其他实施例中,绿色荧光材料通过255nm-365nm紫外光激发能够得到中心波长为520nm的绿光。
在本申请的其他实施例中,绿色荧光材料的晶型为BaMgSiO4的晶型。
BaMgSiO4晶体自身不具有发光性能,本申请的绿色荧光材料未改变BaMgSiO4晶体的晶型,而是在其内部形成大量氧空位缺陷,从而获得了能够发绿光的氧空位,实现了在BaMgSiO4单一基质材料中利用氧空位缺陷跃迁发绿光。
第二方面,本申请提供一种绿色荧光材料的制备方法,包括:
将BaMgSiO4的原料混合物在空气气氛下于1200℃~1400℃烧结至少24小时,使BaMgSiO4产生氧空位且氧空位能够发绿光。
本申请通过将BaMgSiO4的原料混合物在空气气氛下于1200℃~1400℃烧结至少24小时,使得BaMgSiO4在空气气氛下长时间烧结,产生氧空位而晶型不会发现变化;利用氧空位缺陷跃迁发光,实现了在BaMgSiO4单一基质材料中获得宽光谱绿光的绿色荧光材料。可以解决现有绿色荧光粉发光主要来源于稀土离子发光的局限。
进一步地,本申请上述的制备方法,通过控制烧结至少24小时,可以获得大量能够发绿光的氧空位。进一步地,本申请上述的制备方法,可以通过控制烧结时间,控制BaMgSiO4中氧空位的浓度、调解BaMgSiO4中氧空位缺陷的能量位置,得到想要的荧光发射,以实现较高的量子产率和稳定性。
进一步可选地,在本申请一些实施方式中,上述的BaMgSiO4中氧空位缺陷的价带能量差为2.35eV-2.4eV,在这一范围内,可以获得较好的荧光效果。
在本申请的其他实施例中,制备BaMgSiO4的原料混合物包括:
将碳酸钡、氧化镁、二氧化硅混合均匀后,于800℃~1000℃预烧至少4小时;然后压制成坯体。
在本申请的其他实施例中,压制成坯体,包括:
将预烧后的粉体压制成型,然后于230Mpa~250Mpa冷等静压60s~240s。
在本申请的其他实施例中,将碳酸钡、氧化镁、二氧化硅混合均匀,包括:
将碳酸钡、氧化镁、二氧化硅按照摩尔比为1:(1~a):(1~b)混合,然后球磨。
第三方面,本申请提供一种发光器件,发光器件包括第一方面提供的绿色荧光材料;或者发光器件包括第二方面提供的绿色荧光材料的制备方法制得的绿色荧光材料。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,应当理解,以下附图仅示出了本申请的某些实施例,因此不应被看作是对范围的限定,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为实施例1制得的材料的XRD图谱;
图2为实施例1制得的材料在332nm紫外光激发下的发射光谱图;
图3为对比例1制得的材料在332nm紫外光激发下的发射光谱图;
图4为实施例1制得的材料在332nm紫外光激发下的发光实物图;
图5为对比例1制得的材料在332nm紫外光激发下的发光实物图;
图6为实施例1制得的材料通过332nm紫外光激发的色度坐标图;
图7为实施例1、对比例1制得的材料的EPR图谱(图中,实施例1对应上方具有高峰的谱线,对比例1对应下方具有低峰的谱线)。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此,以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围,而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
在本申请实施例的描述中,需要理解的是,指示方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,或者是该申请产品使用时惯常摆放的方位或位置关系,或者是本领域技术人员惯常理解的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。
在本申请实施例的描述中,还需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“设置”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
本申请实施方式提供一种绿色荧光材料,绿色荧光材料的化学式为BaMgSiO4;绿色荧光材料包括能够发绿光的氧空位。
本申请提供的绿色荧光材料,其发光的原理为氧空位发光,实现了在BaMgSiO4单一基质材料中利用氧空位缺陷跃迁发绿光,从而获得了一种新的绿色荧光材料。
现有技术中,磷酸盐荧光粉、硅酸盐荧光粉、钙钛矿荧光粉类型的绿色荧光材料,其发绿光的原理均是稀土离子发光;即利用稀土离子发光实现材料发光。然而稀土离子作为不可再生资源,有着成本高、发光峰位固定和不环保等特点。本申请的绿色荧光材料,其发光原理为氧空位缺陷发光,与现有技术中常见的绿色荧光材料的发光原理均不相同,是一种新的非稀土能级发光的绿色荧光材料,本申请的这种绿色荧光材料不依赖于稀土离子,成本低、对环境友好,可以避免使用稀土元素,降低对环境和资源的影响。并且,本申请的绿色荧光材料具有良好的发光性能,可以通过控制氧空位的浓度来调整发光特性,以实现较高的量子产率和稳定性。
进一步地,本申请的绿色荧光材料是在烧结过程中,形成氧空位缺陷。在发光过程中,材料中价带电子被激发到导带,然后弛豫到氧空位缺陷能级,最后由氧空位缺陷能级跃迁至价带得到绿光。
进一步地,在本申请一些实施方式中,上述的BaMgSiO4中氧空位缺陷的价带能量差为2.35eV-2.4eV,在这一范围内,可以获得较好的荧光效果。
示例性地,在本申请一些实施方式中,上述的BaMgSiO4中氧空位缺陷的价带能量差为2.36eV、2.37eV、2.38eV、2.39eV或者以上任意两个数值之间的范围。
进一步地,在本申请一些实施方式中,上述绿色荧光材料的最佳激发光源可以通过激发光谱实验获得。
通过测量绿色荧光材料的发光通量(即强度)随激发光波长的转变而取得的光谱,称为激发光谱。
进一步可选地,在本申请一些实施方式中,上述的激发光谱实验按照以下步骤进行:
通过扫描激发单色器,使不同波长的入射光照射激发上述的绿色荧光材料,发出的荧光通过固定波长的发射单色器而照射到检测器上,检测其荧光强度,最后通过记录仪记录荧光强度与激发光波长的关系曲线,即为激发光谱。选择激发光谱中最大荧光强度区间对应的激发光波长区间,作为该绿色荧光材料的最佳激发光源区间。
本申请荧光材料可以于255nm~365nm紫外光作为激发光源,激发该BaMgSiO4绿色荧光材料发出绿光。
进一步可选地,绿色荧光材料通过255nm-365nm紫外光作为激发光源,激发该BaMgSiO4绿色荧光材料发出绿光。
进一步地,在本申请一些实施方式中,绿色荧光材料通过255nm-365nm紫外光激发能够得到中心波长为500nm~550nm的绿光。
示例性地,在本申请一些实施方式中,上述的绿色荧光材料通过260nm、270nm、280nm、290nm、300nm、310nm、320nm、330nm、340nm、350nm或者360nm的紫外光激发能够得到中心波长为500nm、510nm、520nm、530nm、540nm或者550nm的绿光。
进一步可选地,在本申请一些实施方式中,绿色荧光材料通过255nm-365nm紫外光激发能够得到中心波长为520nm的绿光。
本申请的绿色荧光材料是在烧结过程中,形成氧空位缺陷。在发光过程中,材料中价带电子被激发到导带,然后弛豫到氧空位缺陷能级,最后由氧空位缺陷能级跃迁至价带得到中心波长为520nm的绿光。
示例性地,在本申请一些实施方式中,可以在锚定520nm的发射峰,通过激发光谱实验,找出250-450nm最佳激发光源。
进一步地,通过在最佳激发光源的激发下得到绿光荧光发射光谱。
进一步地,在本申请一些实施方式中,绿色荧光材料的绿光光谱包括450nm-650nm。
本申请的绿色荧光材料具有宽光谱,可以覆盖绿光光谱。
进一步地,在本申请一些实施方式中,绿色荧光材料的绿光光谱包括460nm-640nm。
示例性地,在本申请一些实施方式中,上述的绿色荧光材料的绿光光谱为470nm、490nm、500nm、530nm、550nm、580nm、600nm、620nm或者630nm。
进一步地,在本申请一些实施方式中,BaMgSiO4绿色荧光材料的晶型为六方晶系。
BaMgSiO4晶体自身不具有发绿光性能,本申请的绿色荧光材料未改变BaMgSiO4晶体的晶型,而是在其内部形成大量氧空位缺陷,从而获得了能够发绿光的氧空位,实现了在BaMgSiO4单一基质材料中利用氧空位缺陷跃迁发绿光。
本申请一些实施方式提供一种绿色荧光材料的制备方法,包括:
将BaMgSiO4的原料混合物在空气气氛下于1200℃~1400℃烧结至少24小时,使BaMgSiO4产生氧空位且氧空位能够发绿光。
本申请通过将BaMgSiO4的原料混合物在空气气氛下于1200℃~1400℃烧结至少24小时,使得BaMgSiO4在空气气氛下长时间烧结,产生氧空位而晶型不会发现变化;利用氧空位缺陷跃迁发光,实现了在BaMgSiO4单一基质材料中获得宽光谱绿光的绿色荧光材料。可以解决现有绿色荧光粉发光主要来源于稀土离子发光的局限。
进一步地,本申请上述的制备方法,通过控制烧结至少24小时,可以获得大量能够发绿光的氧空位。进一步地,本申请上述的制备方法,可以通过控制烧结时间,控制BaMgSiO4中氧空位的浓度、调解BaMgSiO4中氧空位缺陷的能量位置和电子跃迁几率,得到想要的荧光发射,以实现较高的量子产率和稳定性。
进一步地,在本申请一些实施方式中,绿色荧光材料的制备方法,包括以下步骤:
步骤S1、制备BaMgSiO4的原料混合物。
进一步地,在本申请一些实施方式中,将碳酸钡、氧化镁、二氧化硅混合均匀后,于800℃~1000℃预烧至少4小时;然后压制成坯体。
进一步地,在本申请一些实施方式中,将碳酸钡、氧化镁、二氧化硅混合均匀,包括:
将碳酸钡、氧化镁、二氧化硅按照摩尔比为1:1:1混合,然后球磨。
进一步地,在本申请一些实施方式中,球磨包括:将前述获得的混合料中加入适量乙醇和分散剂,置于球磨罐中,双向球磨12h~24h。
示例性地,在本申请一些实施方式中,上述球磨时间13h、14h、15h、16h、17h、18h、19h、20h、21h、22h、23h或者24h。
进一步可选地,上述的分散剂可以选择油酸等。
进一步地,在本申请一些实施方式中,上述将碳酸钡、氧化镁、二氧化硅混合均匀后,于800℃~1000℃预烧至少4小时包括:
将前述球磨均匀的混合料烘干、研磨;然后在炉中于800℃~1000℃预烧至少4小时。
通过预烧,能够使材料更加纯净,从而有利于获得显色良好的绿色荧光材料。
示例性地,在本申请一些实施方式中,上述的预烧温度可以选择810℃、820℃、830℃、850℃、860℃、870℃或者880℃。
示例性地,在本申请一些实施方式中,上述的预烧时间可以选择4小时、5小时、6小时、7小时或者8小时。
进一步地,在本申请一些实施方式中,上述压制成坯体,包括:
将预烧后的粉体压制成型,然后于230Mpa~250Mpa冷等静压60s~240s。
进一步可选地,上述压制成坯体,包括:
将预烧后的粉体压制成型,然后于231Mpa~249Mpa冷等静压61s~239s。
示例性地,上述压制成坯体,包括:
将预烧后的粉体压制成型,然后于232Mpa、235Mpa、236Mpa、238Mpa、240Mpa、242Mpa、243Mpa、245Mpa或者248Mpa冷等静压65s、70s、75s、80s、100s、150s或者200s。
示例性地,将前述预烧的好粉体研磨过筛,采用干压成型压制成素坯然后在冷等静压机中240Mpa冷等60s~240s。
步骤S2、将BaMgSiO4的原料混合物在空气气氛下于1200℃~1400℃烧结至少24小时,使BaMgSiO4产生氧空位且氧空位能够发绿光。
进一步可选地,在本申请一些实施方式中,将BaMgSiO4的原料混合物在空气气氛下于1201℃~1399℃烧结至少24小时~48小时。
示例性地,在本申请一些实施方式中,将BaMgSiO4的原料混合物在空气气氛下于1205℃、1210℃、1215℃、1220℃、1225℃、1230℃、1250℃、1280℃、1300℃、1350℃、1380℃、1390℃或者1395℃烧结至少25小时、28小时、30小时、35小时、40小时或者45小时。
示例性地,在本申请一些实施方式中,将前述步骤S1制得的成型素坯放入管式炉在空气条件下1200℃~1400℃烧结至少24小时制备得到BaMgSiO4绿色荧光材料。
本申请绿色荧光材料的制备方法,采用固相法制备,制备工艺简单,周期短,原料简单廉价,有利于工业化大规模生产。本申请制得的BaMgSiO4绿色荧光材料其发光原理是非稀土离子能级跃迁发光,成本更低。本申请制得的BaMgSiO4绿色荧光材料绿光光谱覆盖450nm~650nm,可以有效覆盖整个绿光区域,能够显著提升显色指数,可以实现健康照明,应用范围广泛。
本申请一些实施方式提供一种发光器件,该发光器件包括前述任一实施方式提供的绿色荧光材料;或者该发光器件包括前述任一实施方式提供的绿色荧光材料的制备方法制得的绿色荧光材料。
在本申请一些实施方式中,上述发光器件的激发光源包括255nm~365nm紫外光。
进一步可选地,在本申请一些实施方式中,上述的发光器件可以是绿光LED发光器件、白光LED发光器件、显示器、安防标识等。也可以应用于生物成像、光催化。
下面列举了一些具体实施例以更好地对本申请进行说明。
实施例1
提供一种绿色荧光材料,按照以下步骤制备:
(a)称量:按照摩尔比为1:1:1,将碳酸钡(Ba2CO3),氧化镁(MgO),二氧化硅(SiO2)准确称量;
(b)球磨:将步骤(a)称量得到的所有原料中加入适量乙醇和分散剂,置于球磨罐中,双向球磨24h;
(c)煅烧:将步骤(b)球磨后的浆体转移至玻璃皿中,烘干后研磨,在箱式炉900℃预烧4h。
(e)成型:将步骤(c)预烧好的粉体研磨过筛,采用干压成型压制成素坯然后在冷等静压机中于240Mpa冷等200s。
(f)烧结:将步骤(e)成型好的素坯放入管式炉在空气条件下于1300℃烧结24h制备得到BaMgSiO4荧光陶瓷。
实施例2
提供一种绿色荧光材料,按照以下步骤制备:
(a)称量:按照摩尔比为1:1:1,将碳酸钡(Ba2CO3),氧化镁(MgO),二氧化硅(SiO2)准确称量;
(b)球磨:将步骤(a)称量得到的所有原料中加入适量乙醇和分散剂,置于球磨罐中,双向球磨24h;
(c)煅烧:将步骤(b)球磨后的浆体转移至玻璃皿中,烘干后研磨,在箱式炉900℃预烧4h。
(e)成型:将步骤(c)预烧好的粉体研磨过筛,采用干压成型压制成素坯然后在冷等静压机中于240Mpa冷等200s。
(f)烧结:将步骤(e)成型好的素坯放入管式炉在空气条件下于1300℃烧结30h制备得到BaMgSiO4荧光陶瓷。
实施例3
提供一种绿色荧光材料,按照以下步骤制备:
(a)称量:按照摩尔比为1:1:1,将碳酸钡(Ba2CO3),氧化镁(MgO),二氧化硅(SiO2)准确称量;
(b)球磨:将步骤(a)称量得到的所有原料中加入适量乙醇和分散剂,置于球磨罐中,双向球磨24h;
(c)煅烧:将步骤(b)球磨后的浆体转移至玻璃皿中,烘干后研磨,在箱式炉900℃预烧4h。
(e)成型:将步骤(c)预烧好的粉体研磨过筛,采用干压成型压制成素坯然后在冷等静压机中于240Mpa冷等200s。
(f)烧结:将步骤(e)成型好的素坯放入管式炉在空气条件下于1300℃烧结48h制备得到BaMgSiO4荧光陶瓷。
对比例1
提供一种绿色荧光材料,按照以下步骤制备:
(a)称量:按照摩尔比为1:1:1,将碳酸钡(Ba2CO3),氧化镁(MgO),二氧化硅(SiO2)准确称量;
(b)球磨:将步骤(a)称量得到的所有原料中加入适量乙醇和分散剂,置于球磨罐中,双向球磨24h;
(c)煅烧:将步骤(b)球磨后的浆体转移至玻璃皿中,烘干后研磨,在箱式炉900℃预烧4h。
(e)成型:将步骤(c)预烧好的粉体研磨过筛,采用干压成型压制成素坯然后在冷等静压机中于240Mpa冷等200s。
(f)烧结:将步骤(e)成型好的素坯放入管式炉在空气条件下于1300℃烧结2h制备得到BaMgSiO4荧光陶瓷。
实验例
对实施例和对比例制得的材料性能进行检测。实施例2和3与实施例1具有类似的性能,以下以实施例1作为示例进行说明。
1、晶型检测
采用X射线衍射对实施例1制得的材料的晶型进行检测。结果如图1。
从图1可以看出,本申请实施例1制得的材料组分单一,样品纯净。
从图1可以看出,本申请制备方法不会改变BaMgSiO4晶型。
2、发光性能检测
(1)发射光谱对实施例1和对比例1制得的材料的发射光谱图进行检测。结果如图2和图3。
从图2和图3分别示出了实施例1和对比例1制得的材料在332nm紫外光激发下的发射光谱图;
从图2可以看出,实施例1的材料通过332nm紫外光激发能够得到中心波长为520nm的绿光。
图3示出对比例1材料的发光图谱;对比例1为空气烧结2小时,可以看出发光是位于380nm的蓝紫光,不能发绿光。
(2)发射实物
对实施例1和对比例1制得的材料通过332nm紫外光激发,结果如图4和图5。
从图4可以看出,实施例1制得的材料通过332nm紫外光激发,可以发出绿光;从图5可以看出,对比例1制得的材料发蓝紫光。
3、色度性能检测
对实施例1制得的材料通过332nm紫外光激发,考察色度坐标,结果如图6。
从图6可以看出,本申请实施例1制得的材料色度坐标在绿色范围内,色度纯净、无杂光,显色指数高。
4、氧空位检测
对实施例1、对比例1制得的材料的氧空位进行检测。
采用EPR表征实施例1、对比例1制得的材料的氧空位。
结果见说明书附图7。
从图7可以看出,实施例1制得的绿色荧光材料的EPR图谱中相对与对比例1空气烧结2小时,实施例1烧结24小时氧空位更多;可以发绿光。
以上所描述的实施例是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围,而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
Claims (10)
1.一种绿色荧光材料,其特征在于,所述绿色荧光材料的化学式为BaMgSiO4;所述绿色荧光材料包括能够发绿光的氧空位。
2.根据权利要求1所述的绿色荧光材料,其特征在于,
所述绿色荧光材料的绿光光谱包括450nm-650nm。
3.根据权利要求1所述的绿色荧光材料,其特征在于,
所述绿色荧光材料的绿光光谱包括460nm-640nm。
4.根据权利要求1所述的绿色荧光材料,其特征在于,
所述绿色荧光材料通过255nm~365nm紫外光激发能够得到中心波长为500nm~550nm的绿光。
5.根据权利要求4所述的绿色荧光材料,其特征在于,
所述绿色荧光材料通过255nm~365nm紫外光激发能够得到中心波长为520nm的绿光。
6.根据权利要求1-5任一项所述的绿色荧光材料,其特征在于,
所述绿色荧光材料的晶型为六方晶系。
7.根据权利要求1-6任一项所述的绿色荧光材料的制备方法,其特征在于,包括:
将BaMgSiO4的原料混合物在空气气氛下于1200℃~1400℃烧结至少24小时,使所述BaMgSiO4产生氧空位且所述氧空位能够发绿光。
8.根据权利要求7所述的绿色荧光材料的制备方法,其特征在于,
制备所述BaMgSiO4的原料混合物包括:
将碳酸钡、氧化镁、二氧化硅混合均匀后,于800℃~1000℃预烧至少4小时;然后压制成坯体;
可选地,所述压制成坯体,包括:
将预烧后的粉体压制成型,然后于230Mpa~250Mpa冷等静压60s~240s。
9.根据权利要求8所述的绿色荧光材料的制备方法,其特征在于,
所述将所述碳酸钡、氧化镁、二氧化硅混合均匀,包括:
将所述碳酸钡、氧化镁、二氧化硅按照摩尔比为1:1:1混合,然后球磨。
10.一种发光器件,其特征在于,所述发光器件包括权利要求1-6任一项所述的绿色荧光材料;或者所述发光器件包括权利要求7-9任一项所述的绿色荧光材料的制备方法制得的绿色荧光材料。
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