CN116897418A - 基板处理装置和搬送方法 - Google Patents

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Abstract

基板处理装置具有第一载置室、第二载置室、搬送机器人以及控制部，搬送机器人在第一载置室与第二载置室之间进行被搬送物的搬入和搬出，控制部构成为进行以下控制：a)，在从第一载置室搬出被搬送物时检测搬送机器人的叉上的被搬送物的位置来作为第一位置；b)，在从第一载置室向第一载置室的待机位置搬出被搬送物之后向第二载置室的待机位置搬送被搬送物；c)，在从第二载置室的待机位置向第二载置室搬入被搬送物时检测叉上的被搬送物的位置来作为第二位置；以及d)，基于第一位置和第二位置来控制b)中的搬送速度。

Description

基板处理装置和搬送方法
技术领域
本公开涉及一种基板处理装置和搬送方法。
背景技术
基板处理装置例如具备：基板搬送室，在该基板搬送室内置有对作为基板的一例的圆板状的半导体晶圆(以下，也称为晶圆。)W进行搬送的搬送机器人；以及多个基板处理室，所述多个基板处理室辐射状地配置于基板搬送室的周围。在这样的基板处理装置中，搬送机器人相对于各基板处理室进行晶圆W的搬入和搬出。在搬送晶圆W时，保持于搬送机器人的保持部的晶圆W有时由于加减速时的加速度而滑动。对此，提出了将晶圆W真空吸附于搬送机器人的保持部的方案(专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2001-219390号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开提供一种能够根据被搬送物的滑动量来使搬送机器人的动作速度最优化的基板处理装置和搬送方法。
用于解决问题的方案
本公开的一个方式的基板处理装置具有第一载置室、第二载置室、在第一载置室与第二载置室之间进行被搬送物的搬入和搬出的搬送机器人、以及控制部，控制部构成为进行以下控制：a)，控制基板处理装置，以在从第一载置室搬出被搬送物时检测搬送机器人的叉上的被搬送物的位置来作为第一位置；b)，控制基板处理装置，以在从第一载置室向第一载置室的待机位置搬出被搬送物之后向第二载置室的待机位置搬送被搬送物；c)，控制基板处理装置，以在从第二载置室的待机位置向第二载置室搬入被搬送物时检测叉上的被搬送物的位置来作为第二位置；以及d)，控制基板处理装置，以基于第一位置和第二位置来控制所述b)中的搬送速度。
发明的效果
根据本公开，能够根据被搬送物的滑动量来使搬送机器人的动作速度最优化。
附图说明
图1是示出本公开的第一实施方式中的基板处理装置的一例的概要俯视图。
图2是示出第一实施方式的搬送机器人的结构的一例的概要俯视图。
图3是示出由第一实施方式的传感器对探测到晶圆的边缘的探测时刻的一例的说明图。
图4是示出第一实施方式的右侧传感器的位置及左侧传感器的位置的获取方法的一例的说明图。
图5是示出晶圆的滑动量与搬送速度之间的关系的一个比较例的说明图。
图6是示出进行了维护的情况下的、晶圆的滑动量与搬送速度之间的关系的一个比较例的说明图。
图7是示出第一实施方式的搬送速度的上升容许范围的一例的图。
图8是示出搬送速度的上升容许范围内的晶圆的重心位置的一例的图。
图9是示出各动作中的、速度系数与加速度之间的关系的一例的图。
图10是示出第一实施方式中的搬送方法的速度控制处理的一例的流程图。
图11是示出第一实施方式中的搬送路径的一例的图。
图12是示出各搬送动作中的加速度的一例的图。
图13是示出第一实施方式中的搬送路径的偏移量的测定的一例的图。
图14是示出第一实施方式的确定的搬送路径中的速度控制处理的一例的图。
图15是示出第二实施方式中的搬送路径的一例的图。
图16是示出第二实施方式中的搬送路径的偏移量的测定的一例的图。
图17是示出第二实施方式的确定的搬送路径中的速度控制处理的一例的图。
图18是示出第三实施方式的基板处理室的结构的一例的图。
图19是示出第三实施方式中的搬送路径的一例的图。
图20是示出第四实施方式中的搬送机器人的速度与移动距离之间的关系的一例的图。
图21是示出第四实施方式中的搬送机器人的速度与移动距离之间的关系的一例的图。
具体实施方式
下面，基于附图详细地说明所公开的基板处理装置和搬送方法的实施方式。此外，不通过以下的实施方式来限定公开的技术。
如上所述，在搬送晶圆W时，保持于搬送机器人的保持部的晶圆W有时由于加减速时的加速度而滑动。在不具有对晶圆W进行真空吸附的机构的搬送机器人的保持部中，例如通过由树脂等构成的垫片来保持晶圆W。在该情况下，通过垫片的摩擦力来抑制晶圆W的滑动。然而，晶圆W的滑动容易度根据温度、背面的膜以及平坦度等之类的晶圆W的状态、垫片的状态而不同，因此，考虑最容易滑动的状态来设定搬送机器人的动作速度，因此，难以使动作速度提高。因此，期待设定适合各个状态的动作速度，也就是说，根据基板等被搬送物的滑动量来使搬送机器人的动作速度最优化。
(第一实施方式)
[基板处理装置10的结构]
图1是示出本公开的第一实施方式中的基板处理装置的一例的概要俯视图。基板处理装置10具有加载端口11、加载室12、加载互锁室13、基板搬送室14、基板处理室15以及控制部17。
加载端口11例如载置前开式晶圆传送盒(未图示)，该前开式晶圆传送盒是收容有规定张数的直径为φ300mm的晶圆W的承载件。加载端口11例如设置有三个。加载室12与加载端口11相邻，相对于前开式晶圆传送盒进行晶圆W的搬入和搬出。加载室12的内部总是为大气压气氛，在加载室12内配置有用于搬送晶圆W的搬送机器人(未图示)。加载室12在载置于加载端口11的前开式晶圆传送盒与加载互锁室13之间搬送晶圆W。
加载互锁室13是基板交接室，该加载互锁室13在隔着加载室12而与加载端口11相反的一侧配置有两个。加载互锁室13构成为其内部能够被选择性地切换为真空气氛或大气压气氛。加载互锁室13的内部在与加载室12连通时被设为大气压气氛，在与基板搬送室14连通时被设为真空气氛。加载互锁室13起到作为用于在加载室12与基板搬送室14之间搬送晶圆W的中间搬送室的作用。此外，加载互锁室13是加载互锁模块(LLM：Load Lock Module)的一例。
基板搬送室14例如在俯视时呈五边形，该基板搬送室14配置于隔着加载互锁室13而与加载室12相反的一侧。基板处理室15在基板搬送室14的周围辐射状地配置有六个，并分别与基板搬送室14连接。基板搬送室14的内部总是保持为规定的真空度，并配置有用于搬送晶圆W的搬送机器人16。搬送机器人16进行各基板处理室15之间、基板处理室15与加载互锁室13之间的晶圆W的搬送。此外，基板搬送室14是VTM(Vacuum Transfer Module：真空搬送模块)的一例。另外，搬送机器人16是基板搬送机构的一例。
控制部17例如是计算机，具备CPU(Central Processing Unit：中央处理器)、RAM(Random Access Memory：随机存取存储器)、ROM(Read Only Memory：只读存储器)、辅助存储装置等。CPU基于ROM或辅助存储装置中保存的程序来进行动作，以控制基板处理装置10的各构成要素的动作。
在基板处理装置10中，各基板处理室15与基板搬送室14经由闸阀18连接。闸阀18控制各基板处理室15与基板搬送室14的连通。各基板处理室15的内部被以规定的真空度保持真空，将晶圆W载置于配置在各基板处理室15的内部的载置台19，对该晶圆W实施规定的等离子体处理，例如等离子体蚀刻处理。此外，基板处理室15是工艺模块(PM：ProcessModule)的一例。
接着，使用图2来说明搬送机器人16。图2是示出第一实施方式的搬送机器人的结构的一例的概要俯视图。如图2所示，搬送机器人16具有：俯视时呈大致三角形的底座20，其在水平面内旋转自如；多关节臂21，其相对于该底座20沿水平方向伸缩自如；以及俯视时呈大致U字状的叉22，其安装于多关节臂21的前端，用于载置晶圆W。另外，底座20也构成为能够沿水平方向、具体为图1的上下方向移动。搬送机器人16内置有分别执行底座20的旋转、移动以及多关节臂21的伸缩的三个马达(未图示)。搬送机器人16通过底座20的旋转、移动以及多关节臂21的伸缩，来将载置于叉22的晶圆W搬送到期望的位置。
当在基板处理室15中对晶圆W实施等离子体蚀刻处理等的情况下，需要在载置台19上将晶圆W准确地载置于规定的位置。然而，晶圆W的位置由加载室12所附带的对准室(未图示)来调整，因此，在从加载室12经由加载互锁室13向基板处理室15搬送晶圆W时，晶圆W的位置有可能相对于期望的位置发生偏移。关于晶圆W的位置，有可能由于作用于晶圆W的惯性力矩等而例如使晶圆W的中心位置相对于叉22的重心位置发生偏移。例如，晶圆W的位置有时由于加减速时的加速度所引起的滑动而发生偏移。
为了测定这样的晶圆W的相对于期望的位置的偏移量(以下，也称为偏移量。)，在第一实施方式中，如图1所示，在基板搬送室14的内部且各基板处理室15前方，更具体地说，以与各闸阀18相向的方式配置有由两个位置传感器构成的传感器对23。下面，将一个传感器对23中的朝向基板处理室15处于右侧的位置传感器称为右侧传感器23a，将朝向基板处理室15处于左侧的位置传感器称为左侧传感器23b。
在各传感器对23中，右侧传感器23a和左侧传感器23b被配置为以比晶圆W的直径小的间隔彼此分离且均与通过搬送机器人16搬送的晶圆W的背面相向。右侧传感器23a和左侧传感器23b的各传感器探测晶圆W的外缘(以下，也称为边缘。)在其上方经过。控制部17根据搬送机器人16的三个马达的编码器值，来计算晶圆W的边缘经过右侧传感器23a、左侧传感器23b的上方时的、晶圆W的搬送机器人16的位置，具体为叉22的重心位置。
[晶圆W的偏移量的测定]
图3是示出由第一实施方式的传感器对探测到晶圆的边缘的探测时刻的一例的说明图。图4是示出第一实施方式的右侧传感器的位置及左侧传感器的位置的获取方法的一例的说明图。
如图3所示，在传感器对23相对于晶圆W的搬送方向(图中的箭头)向右偏离了的情况下，首先，晶圆W的左边缘经过左侧传感器23b的上方，计算此时的叉22的重心位置24a(图3的(B))。接着，晶圆W的右边缘经过右侧传感器23a的上方，计算此时的叉22的重心位置24b(图3的C))。之后，晶圆W的右边缘再次经过右侧传感器23a的上方，计算此时的叉22的重心位置24c(图3的(D))。进一步地，晶圆W的左边缘再次经过左侧传感器23b的上方，计算此时的叉22的重心位置24d(图3的(E))。即，在晶圆W经过传感器对23的上方时，计算叉22的四个重心位置24a～24d。
接着，如图4所示，在表示搬送机器人16的叉22的重心位置的移动的坐标系(以下，也称为搬送机器人坐标系。)中标记所计算出的叉22的四个重心位置24a～24d。首先，以左侧传感器23b经过晶圆W的左侧边缘时的叉22的重心位置24a、24d为中心来绘制与晶圆W的半径相同的半径为r的两个圆25a、25d(在图中用点划线示出)。获取两个圆25a、25d的交叉点来作为搬送机器人坐标系中的左侧传感器23b的位置26b。另外，以右侧传感器23a经过晶圆W的右侧边缘时的叉22的重心位置24b、24c为中心来绘制与晶圆W的半径相同的半径为r的两个圆25b、25c(在图中用双点划线示出)。获取两个圆25b、25c的交叉点来作为搬送机器人坐标系中的右侧传感器23a的位置26a。
在晶圆W的偏移量的测定中，预先获取搬送机器人坐标系中的右侧传感器23a的位置来作为基准右侧传感器位置，预先获取搬送机器人坐标系中的左侧传感器23b的位置来作为基准左侧传感器位置。接着，计算基准右侧传感器位置与右侧传感器23a的位置26a之差(偏移量)。在此，右侧传感器23a的位置26a被右侧传感器23a与晶圆W的右侧边缘交叉的位置影响，并且该交叉的位置被所搬送的晶圆W的位置影响。因而，被搬送的晶圆W的位置被反映到右侧传感器23a的位置26a中，因此，基准右侧传感器位置与右侧传感器23a的位置26a之间的偏移量同晶圆W的偏移量相对应。因此，在第一实施方式中，将基准右侧传感器位置与右侧传感器23a的位置26a之间的偏移量(由右侧传感器23a检测出的位置26a相对于基准右侧传感器位置的偏移量。)视为晶圆W的偏移量。
接下来，使用图4的获取方法根据重心位置24a、24d来获取左侧传感器23b的位置26b。并且，计算基准左侧传感器位置与左侧传感器23b的位置26b之差(偏移量)。被搬送的晶圆W的位置也被反映到在左侧传感器23b的位置26b中，因此，在第一实施方式中，将基准左侧传感器位置与左侧传感器23b的位置26b之间的偏移量视为晶圆W的偏移量。接着，对由右侧传感器23a检测出的位置26a与基准右侧传感器位置之间的偏移量、以及由左侧传感器23b检测出的位置26b与基准左侧传感器位置之间的偏移量进行平均化。获取平均化后的偏移量，来作为在控制搬送机器人的动作速度时使用的晶圆W的偏移量。此外，在获取到的偏移量中包含由叉22获取到晶圆W时的保持位置的相对于基准位置的偏移量、以及晶圆W在搬送期间滑动的滑动量。
[晶圆W的滑动量与搬送速度之间的关系]
接着，使用图5和图6来说明晶圆W的滑动量与搬送速度之间的关系。图5是示出晶圆的滑动量与搬送速度之间的关系的一个比较例的说明图。在图5中，将使搬送速度设为固定的情况作为比较例、将在搬送速度中反映晶圆W的滑动量的情况作为实施例来进行说明。另外，在图5和图6中，作为晶圆W的搬送的一例，列举了通过搬送机器人111、16相对于基板处理室110、15进行晶圆W的搬入和搬出的情况。
首先，在比较例中，设为随时间经过而从状态101到状态105地变化。在状态101中表示出在相对于基板处理室110搬入和搬出晶圆W时使晶圆W在搬送机器人111的叉上滑动的因素112少的状态。此外，因素112中例如包括晶圆W的温度、背面的膜及平坦度等状态、设置于叉上的垫片的状态。在图5和图6中，以因素112中包括的各状态越容易滑动则表示因素112的图形的数量越多的方式表示。
之后，当因素112逐渐增多而经过状态102成为状态103时，虽然滑动量增加，但是在容许范围内，继续进行晶圆W的搬入和搬出。进一步地，当经过状态104成为状态105时，滑动量超出叉能够保持晶圆W的容许范围，晶圆W会掉落。
另一方面，在实施例中也同样地设为随时间经过而从状态121到状态125地变化。在状态121中表示出在相对于基板处理室15搬入和搬出晶圆W时使晶圆W在搬送机器人16的叉22上滑动的因素112少的状态。此外，因素112与比较例的情况相同。
在状态122中，状态121中的滑动量为搬送速度的上升容许范围内，因此使用滑动量向搬送速度进行反馈来使搬送速度上升。在此后的状态123中，由于随时间经过而滑动量超过搬送速度的上升容许范围，因此状态123是向搬送速度进行反馈来使搬送速度下降了的状态。另外，在暂时使搬送速度下降了的情况下也有时会再次使搬送速度上升。在状态124、125中，一边向搬送速度反馈滑动量，一边使在状态123中暂时下降了的搬送速度逐渐上升。
图6是示出进行了维护的情况下的、晶圆的滑动量与搬送速度之间的关系的一个比较例的说明图。在图6中说明通过进行基板处理装置10的维护来使晶圆W的滑动的因素112复位了的情况下的搬送速度的变化。此外，在图6中也设为随时间经过而从比较例的状态131到状态135地变化、以及从实施例的状态141到状态145地变化。但是，扩大了维护的前后的时间轴，因此设为不存在时间经过所引起的因素112的变化的情况来进行说明。
在比较例中，状态131是紧挨在维护之前的状态，是晶圆W的滑动量变大了的状态。接着，在状态132中，进行基板处理装置的维护，将搬送机器人111的叉上的垫片更换为新品。状态133是紧接在维护之后的状态，之后，即使随时间经过而经过状态134、135，滑动量也不变化，且搬送速度也为固定。
在实施例中也同样地，状态141是紧挨在维护之前的状态，是根据因素112使搬送速度下降了的状态。接着，在状态142中，进行基板处理装置10的维护，将搬送机器人16的叉22上的垫片更换为新品。状态143是紧接在维护之后的状态，是滑动量少的状态。之后，对搬送速度反馈滑动量，随着经过状态144、145而使搬送速度逐渐上升。像这样，在图5和图6所示的实施例中，能够根据因素112来调整搬送速度，因此，能够使搬送机器人16的动作速度最优化。
[晶圆W的重心和搬送速度的上升容许范围]
接下来，使用图7至图9来说明晶圆W的重心与搬送速度的上升容许范围之间的关系。图7是示出第一实施方式的搬送速度的上升容许范围的一例的图。如图7所示，上升容许范围150被设定为晶圆W的搬送前的重心位置151的周围、例如圆形。此外，在以下的说明中，设为不存在晶圆W相对于叉22的偏移的情况来进行说明。即，设为晶圆W的搬送前的重心位置151同与通过叉22来保持晶圆W时的基准位置对应的重心位置相同。另外，为了进行说明，将上升容许范围150以比实际大的方式示出。
当对保持于叉22的晶圆W进行搬送时，晶圆W在叉22上产生滑动。搬送后的重心位置例如向重心位置152移动。在该情况下，设为晶圆W的滑动量是滑动量153。重心位置152在上升容许范围150内，因此对搬送机器人16进行控制，以使搬送速度上升。
图8是示出搬送速度的上升容许范围内的晶圆的重心位置的一例的图。图8的(A)是重心位置152超出了上升容许范围150的情况。在该情况下，对搬送机器人16进行控制以使搬送速度下降。在图8的(B)、(C)是重心位置152的滑动方向与图8的(A)为相反的方向但重心位置152在上升容许范围150内的情况。在该情况下，对搬送机器人16进行控制以使搬送速度上升。像这样，在将上升容许范围150设定为圆形的情况下，与晶圆W滑动的方向无关地、以相同的滑动量控制搬送速度。此外，上升容许范围150不限于圆形，例如也可以在能够由搬送机器人16修改搬送位置的范围内设为在加速度大的搬送方向上长的椭圆形、长方形。
图9是示出各动作中的、速度系数与加速度之间的关系的一例的图。在图9中，说明搬送机器人16的获取(Get)动作、载置(Put)动作以及搬送(Move)动作中的施加于晶圆W的加速度的设定值例以及使搬送速度上升了的情况下的加速度。在此，获取动作是叉22从基板载置室内的载置台获取晶圆W起到与该基板载置室对应的基板搬送室14内的待机位置为止的动作。另外，载置动作是从与基板载置室对应的基板搬送室14内的待机位置向该基板载置室内的载置台载置晶圆W的动作。另外，搬送动作是将晶圆W从与某个基板载置室对应的基板搬送室14内的待机位置搬送到与其它基板载置室对应的基板搬送室14内的待机位置的动作。此外，基板载置室中包括在加载互锁室13、基板处理室15以及多个基板搬送室14之间进行晶圆W的交接的交接模块(通路)。
在图9所示的表160表中示出在速度系数为100％、X％、A％、B％以及C％的情况下的各动作的加速度。速度系数为100％的栏中示出各动作中的加速度的最大值，也就是搬送速度最快的情况下的加速度。在获取动作中示出能够加速到0.70G，在载置动作中示出能够加速到0.71G，在搬送动作中示出能够加速到0.66G。此外，G表示重力加速度的单位。
速度系数为X％的栏表示使搬送速度上升时的设定值。速度系数为A％的栏、速度系数为B％的栏以及速度系数为C％的栏分别表示获取动作的初始值、载置动作的初始值以及搬送动作的初始值。在速度系数为A％的栏中，作为获取动作中的加速度的设定值设定有0.4G。此外，该情况下的载置动作的设定值Ap、搬送动作的设定值Am是根据获取动作的设置值即0.4G而唯一决定的值。
在速度系数为B％的栏中，作为载置动作中的加速度的设定值设定有0.4G。此外，该情况下的获取动作的设定值Bg、搬送动作的设定值Bm是根据载置动作的设置值即0.4G而唯一决定的值。在速度系数为C％的栏中，作为搬送动作中的加速度的设定值设定有0.4G。此外，该情况下的获取动作的设定值Cg、载置动作的设定值Cp是根据搬送动作的设置值即0.4G而唯一决定的值。
在速度系数为X％的栏中，作为搬送动作中的加速度的设定值，例如设定有相对于初始值即0.4G增加了0.01G而得到的0.41G。此外，该情况下的获取动作的设定值Xg、载置动作的设定值Xp是根据搬送动作的设置值即0.41G而唯一决定的值。此外，在搬送晶圆W时，将能够承受施加于晶圆W的加速度的力设为晶圆W的保持力。也就是说，当保持力由于经年劣化而下降时，即使加速度相同也变得容易滑动，滑动量会增加。此外，在经年劣化中，也有时与时间经过相应地重复产生滑动、或者停止产生滑动。
[搬送方法]
接着，说明第一实施方式中的搬送方法。图10是示出第一实施方式中的搬送方法的速度控制处理的一例的流程图。此外，在图10中，由于也能够应用于搬送晶圆W以外的被搬送物的情况，因此将第一基板载置室和第二基板载置室分别表示为第一载置室和第二载置室，将晶圆W表示为被搬送物。另外，关于图10所示的速度控制处理，以基板搬送室14中对搬送机器人16进行的控制为一例进行了说明，但是，也能够应用于加载室12的搬送机器人。
控制部17开始从第一载置室向基板搬送室14内的第一载置室的待机位置搬出被搬送物(步骤S101)。控制部17在搬出被搬送物时，通过第一载置室的搬入搬出口的位置检测传感器即传感器对23来检测被搬送物的保持位置。控制部17基于检测出的保持位置和保持被搬送物时的基准位置，检测被搬送物的重心位置的偏移量来作为第一位置(步骤S102)。
控制部17在向第一载置室的待机位置搬出被搬送物之后，从第一载置室的待机位置向基板搬送室14内的第二载置室的待机位置搬送被搬送物(步骤S103)。
控制部17开始从第二载置室的待机位置向第二载置室搬入被搬送物(步骤S104)。控制部17在搬入被搬送物时，通过第二载置室的搬入搬出口的位置检测传感器即传感器对23来检测被搬送物的保持位置。控制部17基于检测出的保持位置以及叉22的保持被搬送物时的基准位置，检测被搬送物的重心位置的偏移量来作为第二位置(步骤S105)。
控制部17计算第一位置与第二位置之差(步骤S106)。也就是说，控制部17计算搬送期间的被搬送物的移动量(滑动量)。控制部17判定计算出的差是否超过阈值(步骤S107)。阈值例如能够设为上升容许范围150的半径的1.5倍的值。另外，阈值既可以设为用于检测某种程度的滑动的阈值，例如也可以是上升容许范围150的半径的值、半径的0.8倍的值之类的任意的值。控制部17在判定为差为阈值以下的情况下(步骤S107：“否”)，对搬送机器人16进行反馈以使搬送速度上升(步骤S108)，并结束处理。
另一方面，控制部17在判定为差超过阈值的情况下(步骤S107：“是”)，对搬送机器人16进行反馈以使搬送速度下降(步骤S109)，并结束处理。像这样，能够根据被搬送物的滑动量来使搬送机器人16的动作速度最优化。另外，由于搬送速度被最优化，因此能够使基板处理装置10中的处理的生产率提高。并且，由于能够通过反馈控制来决定搬送速度的速度系数，因此能够减少用于设定搬送机器人16的速度系数的工时。
[偏移量的测定]
接下来，使用图11至图14来说明晶圆W的搬送路径中的偏移量(包括滑动量。)的测定。图11是示出第一实施方式中的搬送路径的一例的图。图11所示的步骤S1～S18示出从加载互锁室(LLM)13a向基板处理室(PM)15a的搬送路径、从基板处理室(PM)15a向基板处理室(PM)15b的搬送路径、以及从基板处理室(PM)15b向加载互锁室(LLM)13a的搬送路径。
图12是示出各搬送动作中的加速度的一例的图。图13是示出第一实施方式中的搬送路径的偏移量的测定的一例的图。在图12的表161中，将各搬送路径中的获取动作、搬送动作及载置动作的步骤编号与搬送动作中的加速度的初始值相对应地表示。在图13的表162中，表示出在步骤S1～S18中，搬送机器人16的叉22的动作、晶圆W的加速度、在X轴及Y轴上检测出的相对于叉22L及叉22R基准位置的偏移量。此外，搬送机器人16在两条多关节臂21的各多关节臂21具有叉22，在图11中，将靠加载互锁室13a侧的叉22(作为搬送机器人16来说是左侧。)设为叉22L，将远离加载互锁室13a侧的叉22(作为搬送机器人16来说是右侧。)设为叉22R。另外，被搬送的晶圆W有四张，因此分别设为晶圆W1～W4来加以区分。
首先，搬送机器人16使叉22L从基板搬送室14内的加载互锁室13a的待机位置14a移动到加载互锁室13a(步骤S1)。此时，叉22L是空的，在叉22R保持有在基板处理室15b中结束了处理的晶圆W1。此外，在表162中，也在偏移量的栏中示出了是保持有晶圆W1～W4还是空的。搬送机器人16使用叉22L通过获取动作来从加载互锁室13a获取晶圆W2(步骤S2)。此时，通过待机位置14a附近的传感器对23对获取到的晶圆W2测定相对于叉22L基准位置的偏移量。该偏移量例如设为X轴偏移量为0.051mm且Y轴偏移量为0.033mm。
搬送机器人16通过置换(Change)动作将位于待机位置14a的叉22L置换为叉22R(步骤S3)。搬送机器人16通过载置动作将保持于叉22R的处理完毕的晶圆W1载置于加载互锁室13a(步骤S4)。此时，通过待机位置14a附近的传感器对23对处理完毕的晶圆W1测定相对于叉22R基准位置的偏移量。该偏移量例如设为X轴偏移量为0.034mm且Y轴偏移量为0.059mm。此外，由于在叉22R保持有在基板处理室15b中处理完毕的晶圆W1，因此步骤S1～S4的晶圆W1、W2的加速度成为与从基板处理室15b向加载互锁室13a的搬送动作相匹配的0.3G。也就是说，与两个叉22L、22R中的加速度的上限低的一方相匹配。另外，控制部17基于在步骤S4中测定出的偏移量的结果，来对从待机位置14c起到待机位置14a为止的搬送路径中的搬送速度进行反馈。
搬送机器人16在使叉22R移动到待机位置14a之后(步骤S5)，通过搬送动作将保持于叉22L的晶圆W2搬送到基板处理室15a的待机位置14b附近(步骤S6)。也就是说，搬送机器人16进行移动，以使空的叉22R位于待机位置14b。此时，使晶圆W2的加速度从0.48G增加到0.49G来进行搬送。也就是说，在该搬送路径中，设为如进行了反馈的情况那样使搬送速度上升。即，在该搬送路径中，试验通过使搬送速度上升是否会产生滑动。在不产生滑动的情况下，进行反馈以使搬送速度上升。另一方面，在产生了滑动的情况下，进行反馈以使搬送速度下降。在该试验时，在其它搬送路径中以不产生滑动的范围内的搬送速度进行搬送。此外，从多个搬送路径中选择任意的一个搬送路径来进行上述试验。另外，在表162中，朝上的箭头表示使加速度相对于初始值上升了。
当叉22R移动到待机位置14b时，搬送机器人16使叉22R移动到基板处理室15a的载置台19(步骤S7)。此外，由于在叉22L保持有从加载互锁室13a获取到的晶圆W2，因此步骤S5、S7的晶圆W2的加速度成为与从加载互锁室13a向基板处理室15a的搬送动作相匹配的0.48G。
搬送机器人16使用叉22R通过获取动作来从基板处理室15a的载置台19获取处理完毕的晶圆W3(步骤S8)。此时，通过待机位置14b附近的传感器对23对获取到的晶圆W3测定相对于叉22R基准位置的偏移量。该偏移量例如设为X轴偏移量为0.066mm且Y轴偏移量为0.078mm。
搬送机器人16通过置换动作将位于待机位置14b的叉22R置换为叉22L(步骤S9)。搬送机器人16通过载置动作将保持于叉22L的晶圆W2载置于基板处理室15a的载置台19(步骤S10)。此时，通过待机位置14b附近的传感器对23对晶圆W2测定相对于叉22L基准位置的偏移量。该偏移量例如设为X轴偏移量为0.051mm且Y轴偏移量为0.033mm。另外，由于在步骤S10中测定出的偏移量与在步骤S2中测定出的偏移量一致，因此控制部17进行反馈以使从待机位置14a起到待机位置14b为止的搬送路径中的搬送速度上升。
搬送机器人16在使叉22L移动到待机位置14b之后(步骤S11)，通过搬送动作将保持于叉22R的晶圆W3搬送到基板处理室15b的待机位置14c附近(步骤S12)。也就是说，搬送机器人16进行移动，以使空的叉22L位于待机位置14c。此时，设为晶圆W3的加速度从0.38G增加到0.39G。也就是说，设为在该搬送路径中进行反馈以使搬送速度上升。
当叉22L移动到待机位置14c时，搬送机器人16使叉22L移动到基板处理室15b的载置台19(步骤S13)。此外，由于在叉22R保持有在基板处理室15a中处理完毕的晶圆W3，因此步骤S8～S11、S13的晶圆W3的加速度成为与从基板处理室15a向基板处理室15b的搬送动作相匹配的0.38G。
搬送机器人16使用叉22L通过获取动作来从基板处理室15b的载置台19获取处理完毕的晶圆W4(步骤S14)。此时，通过待机位置14c附近的传感器对23对获取到的晶圆W4测定相对于叉22L基准位置的偏移量。该偏移量例如设为X轴偏移量为0.072mm且Y轴偏移量为0.053mm。
搬送机器人16通过置换动作将位于待机位置14c的叉22L置换为叉22R(步骤S15)。搬送机器人16通过载置动作将保持于叉22R的晶圆W3载置于基板处理室15b的载置台19(步骤S16)。此时，通过待机位置14c附近的传感器对23对晶圆W3测定相对于叉22R基准位置的偏移量。该偏移量例如设为X轴偏移量为0.054mm且Y轴偏移量为0.085mm。另外，由于在步骤S16中测定出的偏移量与在步骤S8中测定出的偏移量不一致，因此控制部17进行反馈以使从待机位置14b到待机位置14c为止的搬送路径中的搬送速度下降。
搬送机器人16在使叉22R移动到待机位置14c之后(步骤S17)，通过搬送动作将保持于叉22L的晶圆W4搬送到加载互锁室13a的待机位置14a附近(步骤S18)。也就是说，搬送机器人16进行移动，以使空的叉22R位于待机位置14a位置。此时，晶圆W4的加速度从0.31G增加到0.32G。也就是说，设为在该搬送路径中进行反馈以使搬送速度上升。当步骤S18完成时，在叉22L与叉22R进行置换后的状态下返回步骤S1的场所。像这样，在第一实施方式中，基于作为基板载置室的一例的加载互锁室13a、基板处理室15a、15b附近的传感器对23中的两个部位的测定结果，来测定晶圆W的各搬送路径的偏移量。
接着，在图14中，说明确定的搬送路径中的搬送速度的反馈。图14是示出第一实施方式的确定的搬送路径中的速度控制处理的一例的图。在图14的表163中表示出在步骤S21～S32中搬送机器人16的叉22的动作、晶圆W的加速度、在X轴及Y轴上检测出的相对于叉22基准位置的偏移量。此外，在图14中，不进行叉22L、22R以及晶圆W1～W4的区分，而作为叉22和晶圆W进行说明。另外，在图14中，设为从第一基板载置室向第二基板载置室进行搬送且阈值为用于检测晶圆W的滑动的0.003mm。
搬送机器人16使用叉22通过获取动作来从第一基板载置室获取晶圆W(步骤S21)。此时，对获取到的晶圆W测定出的偏移量例如设为X轴偏移量为0.051mm且Y轴偏移量为0.033mm。
搬送机器人16通过搬送动作向第二基板载置室的待机位置搬送被保持于叉22的晶圆W(步骤S22)。此时，设为晶圆W的加速度从0.4G增加到0.41G。也就是说，设为在该搬送路径中进行反馈以使搬送速度上升。
搬送机器人16通过载置动作将保于叉22的晶圆W载置于第二基板载置室的载置台(步骤S23)。此时，对晶圆W测定出的偏移量例如设为X轴偏移量为0.051mm且Y轴偏移量为0.033mm。另外，由于在步骤S21中测定出的偏移量与在步骤S23中测定出的偏移量之差(滑动量)为0mm且为阈值以下，因此，控制部17进行反馈以使从第一基板载置室的待机位置起到第二基板载置室的待机位置为止的搬送路径中的搬送速度上升(步骤S24)。
接着，搬送机器人16使用叉22通过获取动作来从第一基板载置室获取晶圆W(步骤S25)。此时，对获取到的晶圆W测定出的偏移量例如设为X轴偏移量为0.066mm且Y轴偏移量为0.078mm。
搬送机器人16通过搬送动作向第二基板载置室的待机位置搬送被保持于叉22的晶圆W(步骤S26)。此时，晶圆W的加速度从0.41G增加到0.42G。
搬送机器人16通过载置动作将保持于叉22的晶圆W载置于第二基板载置室的载置台(步骤S27)。此时，对晶圆W测定出的偏移量例如设为X轴偏移量为0.082mm且Y轴偏移量为0.091mm。另外，由于在步骤S25中测定出的偏移量与在步骤S27中测定出的偏移量之差(滑动量)在X轴为0.016mm、在Y轴为0.013mm且超过阈值，因此控制部17进行反馈以使从第一基板载置室的待机位置起到第二基板载置室的待机位置为止的搬送路径中的搬送速度下降(步骤S28)。
接下来，搬送机器人16使用叉22通过获取动作从第一基板载置室获取晶圆W(步骤S29)。此时，对获取到的晶圆W测定出的偏移量例如设为X轴偏移量为0.044mm且Y轴偏移量为0.067mm。
搬送机器人16通过搬送动作向第二基板载置室的待机位置搬送被保持于叉22的晶圆W(步骤S30)。此时，由于在前一次的该搬送路径中偏移量之差(滑动量)超过了阈值，因此进行反馈以使晶圆W的加速度从0.42G下降到0.41G。
搬送机器人16通过载置动作将保持于叉22的晶圆W载置于第二基板载置室的载置台(步骤S31)。此时，对晶圆W测定出的偏移量例如设为X轴偏移量为0.040mm且Y轴偏移量为0.067mm。另外，由于在步骤S29中测定出的偏移量与在步骤S31中测定出的偏移量之差(滑动量)在X轴为0.004mm、在Y轴为0mm且超过阈值，因此，控制部17进行反馈以使从第一基板载置室的待机位置起到第二基板载置室的待机位置为止的搬送路径中的搬送速度下降(步骤S32)。像这样，在第一实施方式中，基于在确定的搬送路径中测定出的滑动量，对该搬送路径中的搬送速度进行反馈。也就是说，能够按搬送路径根据晶圆W的滑动量使搬送机器人16的动作速度最优化。
(第二实施方式)
在上述的第一实施方式中，使用了能够对一个搬送路径进行两次晶圆W的偏移量的测定的基板处理装置10，但是，也可以应用于能够对一个搬送路径进行一次晶圆W的偏移量的测定的基板处理装置，将该情况下的实施方式作为第二实施方式来进行说明。此外，通过对与第一实施方式的基板处理装置10相同的结构标注相同的附图标记，来省略对其重复的结构和动作的说明。
图15是示出第二实施方式中的搬送路径的一例的图。图15所示的基板处理装置200具有基板搬送室214来替代第一实施方式的基板搬送室14。另外，基板搬送室214具有位置检测传感器223来替代第一实施方式的传感器对23。在基板搬送室214内的远离各基板处理室15的位置即测定位置223a处配置有两个位置检测传感器223。位置检测传感器223对被搬送到测定位置223a的晶圆W测定相对于基准位置的偏移量。
图15所示的步骤S201～S218表示出从加载互锁室(LLM)13a向基板处理室(PM)15a的搬送、从基板处理室(PM)15a向基板处理室(PM)15b的搬送、以及从基板处理室(PM)15b向加载互锁室(LLM)13a的搬送中的路径。
图16是示出第二实施方式中的搬送路径的偏移量的测定的一例的图。在图16的表164中表示出在步骤S201～S218中搬送机器人16的叉22的动作、晶圆W的加速度、在X轴及Y轴上检测出的相对于叉22L及叉22R基准位置的偏移量。此外，与第一实施方式同样地，关于搬送机器人16，在图15中，将靠加载互锁室13a侧的叉22(作为搬送机器人16来说是左侧。)设为叉22L，将远离加载互锁室13a侧的叉22(作为搬送机器人16来说是右侧。)设为叉22R。另外，被搬送的晶圆W有四张，因此分别设为晶圆W1～W4来加以区分。
首先，搬送机器人16使叉22L从基板搬送室214内的加载互锁室13a的待机位置214a移动到加载互锁室13a(步骤S201)。此时，叉22L是空的，在叉22R保持有在基板处理室15b中结束了处理的晶圆W1。此外，在表164中在偏移量的栏中也示出了是保持有晶圆W1～W4还是空的。搬送机器人16使用叉22L过获取动作来从加载互锁室13a通获取晶圆W2(步骤S202)。
搬送机器人16通过置换动作将位于待机位置214a的叉22L置换为叉22R(步骤S203)。搬送机器人16通过载置动作将保持于叉22R的处理完毕的晶圆W1载置于加载互锁室13a(步骤S204)。此外，由于在叉22R保持有基板处理室15b中处理完毕的晶圆W1，因此步骤S201～S204中的晶圆W1、W2的加速度成为与从基板处理室15b向加载互锁室13a的搬送动作相匹配的0.3G。
搬送机器人16在使叉22R移动到待机位置214a之后(步骤S205)，通过搬送动作将保持于叉22L的晶圆W2经过测定位置223a搬送到基板处理室15a的待机位置214b附近(步骤S206)。也就是说，搬送机器人16进行移动，以使空的叉22R位于待机位置214b。在测定位置223a，通过位置检测传感器223对所搬送的晶圆W2测定相对于基准位置的偏移量。该偏移量例如设为X轴偏移量为0.051mm且Y轴偏移量为0.033mm。在步骤S206中的搬送中，晶圆W2的加速度设为从0.48G增加到0.49G。此外，在表164中，朝上的箭头表示使加速度相对于初始值上升了。也就是说，在该搬送路径中，设为进行反馈以使搬送速度上升。
当叉22R移动到待机位置214b时，搬送机器人16使叉22R移动到基板处理室15a的载置台19(步骤S207)。此外，由于在叉22L保持有从加载互锁室13a获取到的晶圆W2，因此步骤S205、S207的晶圆W2的加速度成为与从加载互锁室13a向基板处理室15a的搬送动作相匹配的0.48G。
搬送机器人16使用叉22R通过获取动作来从基板处理室15a的载置台19获取处理完毕的晶圆W3(步骤S208)。搬送机器人16通过置换动作将位于待机位置214b的叉22R置换为叉22L(步骤S209)。搬送机器人16通过载置动作将保持于叉22L的晶圆W2载置于基板处理室15a的载置台19(步骤S210)。
搬送机器人16在使叉22L移动到待机位置214b之后(步骤S211)，通过搬送动作将保持于叉22R的晶圆W3经过测定位置223a搬送到基板处理室15b的待机位置214c附近(步骤S212)。也就是说，搬送机器人16进行移动，以使空的叉22L位于待机位置214c。在测定位置223a，通过位置检测传感器223对搬送的晶圆W3测定相对于基准位置的偏移量。该偏移量例如设为X轴偏移量为0.066mm且Y轴偏移量为0.078mm。在步骤S212中的搬送中，晶圆W3的加速度设为从0.38G增加到0.39G。也就是说，在该搬送路径中，设为进行反馈以使搬送速度上升。
当叉22L移动到待机位置214c时，搬送机器人16使叉22L移动到基板处理室15b的载置台19(步骤S213)。此外，由于在叉22R保持有在基板处理室15a中处理完毕的晶圆W3，因此步骤S208～S211、S213的晶圆W3的加速度成为与从基板处理室15a向基板处理室15的搬送动作相匹配的0.38G。
搬送机器人16使用叉22L通过获取动作来从基板处理室15b的载置台19获取处理完毕的晶圆W4(步骤S214)。搬送机器人16通过置换动作将位于待机位置214c的叉22L置换为叉22R(步骤S215)。搬送机器人16通过载置动作将保持于叉22R的晶圆W3载置于基板处理室15b的载置台19(步骤S216)。
搬送机器人16在使叉22R移动到待机位置214c之后(步骤S217)，通过搬送动作将保持于叉22L的晶圆W4经过测定位置223a搬送到加载互锁室13a的待机位置214a附近(步骤S218)。也就是说，搬送机器人16进行移动，以使空的叉22R位于待机位置214a。在测定位置223a，通过位置检测传感器223对所搬送的晶圆W4测定相对于基准位置的偏移量。该偏移量例如设为X轴偏移量为0.072mm且Y轴偏移量为0.053mm。在步骤S218中的搬送中，晶圆W4的加速度设为从0.31G增加到0.32G。也就是说，在该搬送路径中，设为进行反馈以使搬送速度上升。当步骤S218完成时，在叉22L与叉22R进行置换后的状态下返回步骤S201的场所。像这样，在第二实施方式中，基于测定位置223a的位置检测传感器223的测定结果，来测定晶圆W的各搬送路径的偏移量。
接着，在图17中说明确定的搬送路径中的搬送速度的反馈。图17是示出第二实施方式的确定的搬送路径中的速度控制处理的一例的图。在图17的表165中表示出在步骤S221～S223中搬送机器人16的叉22的动作、晶圆W的加速度、在X轴及Y轴上测定出的相对于叉22基准位置的偏移量。另外，在表165中表示出在步骤S224～S226中进行基于测定出的偏移量的统计处理和搬送速度的控制。此外，在图17中不进行叉22L、22R以及晶圆W1～W4的区分，而作为叉22和晶圆W进行说明。另外，在图17中，设为从第一基板载置室向第二基板载置室进行搬送来进行说明。
搬送机器人16使用叉22通过获取动作来从第一基板载置室获取晶圆W(步骤S221)。搬送机器人16通过搬送动作将保持于叉22的晶圆W经过测定位置223a搬送到第二基板载置室的待机位置(步骤S222)。在测定位置223a，通过位置检测传感器223对搬送的晶圆W测定相对于基准位置的偏移量。该偏移量例如设为X轴偏移量为0.051mm且Y轴偏移量为0.033mm。在步骤S222中的搬送中，晶圆W的加速度设为从0.4G增加到0.41G。也就是说，在该搬送路径中，设为进行反馈以使搬送速度上升。
搬送机器人16通过载置动作将保持于叉22的晶圆W载置于第二基板载置室的载置台(步骤S223)。搬送机器人16将步骤S221～S223重复多次(例如50次)，控制部17获取偏移量的正态分布中的顶点数据(步骤S224)。搬送机器人16和控制部17将步骤S224重复多次，控制部17对偏移量的顶点数据的推移进行监视(步骤S225)。也就是说，控制部17判定是偏移量不变化的倾向(无滑动的倾向)还是偏移量增加的倾向。此外，设为在基板处理装置200的动作期间持续进行步骤S225。
控制部17在步骤S225中判定为偏移量不变化的倾向的情况下，进行反馈以使搬送机器人16的搬送速度上升。另一方面，控制部17在步骤S225中判定为偏移量增加的倾向的情况下，进行反馈以使搬送机器人16的搬送速度下降。即，控制部17基于步骤S225的偏移量的顶点数据来控制搬送机器人16的搬送速度(步骤S226)。像这样，在第二实施方式中，基于在确定的搬送路径中测定出的偏移量的变化的倾向，来对该搬送路径中的搬送速度进行反馈。也就是说，在第二实施方式的基板处理装置200中也能够按搬送路径根据晶圆W的滑动量来使搬送机器人16的动作速度最优化。
(第三实施方式)
在上述的第一实施方式和第二实施方式中，说明了作为被搬送物搬送晶圆W(基板)的情况，但也可以应用于搬送基板处理室15内的消耗构件的情况。另外，在上述的第一实施方式和第二实施方式中，使用了使真空气氛下的基板搬送室14中的搬送机器人16的动作速度最优化的基板处理装置10、200，但也可以应用于使大气压气氛下的加载室12中的搬送机器人的动作速度也最优化的基板处理装置。对于这些情况下的实施方式，作为第三实施方式进行说明。此外，通过对与第一实施方式的基板处理装置10相同的结构标注相同的附图标记，来省略对其重复的结构及动作的说明。
首先，使用图18来说明具备作为搬送对象的消耗构件的基板处理室15。图18是示出第三实施方式的基板处理室的结构的一例的图。如图18所示，基板处理室15由控制部17进行控制。基板处理室15是电容耦合型等离子体处理装置的一例。基板处理室15在其外部具备气体供给部320、电源330以及排气系统340。另外，基板处理室15是等离子体处理腔室，包括载置台(以下，也称为基板支承部。)19和气体导入部。气体导入部构成为向基板处理室15内导入至少一种处理气体。气体导入部包括喷淋头313。基板支承部19配置于基板处理室15内。喷淋头313配置于基板支承部19的上方。在一个实施方式中，喷淋头313构成基板处理室15的顶部(ceiling)的至少一部分。基板处理室15具有由喷淋头313、基板处理室15的侧壁15c以及基板支承部19规定出的等离子体处理空间15s。基板处理室15具有至少一个气体供给口和至少一个气体排出口，该至少一个气体供给口用于向等离子体处理空间15s供给至少一种处理气体，该至少一个气体排出口用于从等离子体处理空间排出气体。基板处理室15接地。喷淋头313及基板支承部19与基板处理室15的壳体电绝缘。
基板支承部19包括主体部191和环组件192。主体部191具有用于支承晶圆W的中央区域191a、以及用于支承环组件192的环状区域191b。主体部191的环状区域191b在俯视时包围主体部191的中央区域191a。晶圆W配置于主体部191的中央区域191a上，环组件192以包围主体部191的中央区域191a上的晶圆W的方式配置于主体部191的环状区域191b上。因而，中央区域191a也被称为用于支承晶圆W的基板支承面，环状区域191b也被称为用于支承环组件192的环支承面。
在一个实施方式中，主体部191包括基台1910和静电保持盘(chuck)1911。基台1910包括导电性构件。基台1910的导电性构件能够作为下部电极发挥功能。静电保持盘1911配置于基台1910上。静电保持盘1911包括陶瓷构件1911a以及配置于陶瓷构件1911a内的静电电极1911b。陶瓷构件1911a具有中央区域191a。在一个实施方式中，陶瓷构件1911a也具有环状区域191b。此外，如环状静电保持盘、环状绝缘构件这样的包围静电保持盘1911的其它构件也可以具有环状区域191b。另外，基台1910的外缘部的一部分也可以包括在环状区域191b中。在该情况下，环组件192既可以配置于环状静电保持盘或环状绝缘构件上，也可以配置于静电保持盘1911和环状绝缘构件双方上。同样地，也可以在基台1910的外缘部上配置有环组件192的一部分。另外，也可以在陶瓷构件1911a内配置有后述的与RF(Radio Frequency：射频)电源331以及/或者DC(Direct Current：直流)电源332连结的至少一个RF/DC电极。在该情况下，至少一个RF/DC电极作为下部电极发挥功能。在向至少一个RF/DC电极提供后述的偏压RF信号以及/或者DC信号的情况下，RF/DC电极也被称为偏压电极。此外，基台1910的导电性构件和至少一个RF/DC电极也可以作为多个下部电极发挥功能。另外，静电电极1911b也可以作为下部电极发挥功能。因而，基板支承部19包括至少一个下部电极。
环组件192包括一个或多个环状构件。在一个实施方式中，一个或多个环状构件包括一个或多个边缘环192a以及至少一个覆盖环192b。边缘环192a由导电性材料或绝缘材料形成，覆盖环192b由绝缘材料形成。边缘环192a和覆盖环192b是可更换的消耗构件的一例。
另外，基板支承部19也可以包括温度调节模块，该温度调节模块构成为将静电保持盘1911、环组件1912以及晶圆W中的至少一方调节为目标温度。温度调节模块也可以包括加热器、传热介质、流路1910a或者它们的组合。在流路1910a中流动盐水、气体这样的传热流体。在一个实施方式中，流路1910a形成于基台1910内，一个或多个加热器配置于静电保持盘1911的陶瓷构件1911a内。另外，基板支承部19也可以包括传热气体供给部，该传热气体供给部构成为向晶圆W的背面与中央区域191a之间的间隙供给传热气体。
喷淋头313构成为将来自气体供给部320的至少一种处理气体导入等离子体处理空间15s内。喷淋头313具有至少一个气体供给口313a、至少一个气体扩散室313b、多个气体导入口313c、以及上部电极313d。供给到气体供给口313a的处理气体通过气体扩散室313b从多个气体导入口313c导入等离子体处理空间15s内。上部电极313d是可更换的消耗构件的一例。此外，气体导入部除了喷淋头313以外也可以包括在形成于侧壁15c的一个或多个开口部安装的一个或多个侧部气体注入部(SGI：Side Gas Injector)。
气体供给部320也可以包括至少一个气体源321和至少一个流量控制器322。在一个实施方式中，气体供给部320构成为将至少一种处理气体从各自所对应的气体源321经由各自所对应的流量控制器322供给到喷淋头313。各流量控制器322例如也可以包括质量流量控制器或压力控制式流量控制器。并且，气体供给部320也可以包括对至少一种处理气体的流量进行调制或脉冲化的至少一个流量调制设备。
电源330包括经由至少一个阻抗匹配电路而与基板处理室15连结的RF电源331。RF电源331构成为向至少一个下部电极以及/或者至少一个上部电极供给至少一个RF信号(RF电力)。由此，从供给到等离子体处理空间15s的至少一个处理气体形成等离子体。因而，RF电源331能够作为构成为在基板处理室15中从一种或多种处理气体生成等离子体的等离子体生成部的至少一部分发挥功能。另外，通过向至少一个下部电极提供偏压RF信号，能够在晶圆W产生偏压电位，从而向晶圆W吸引所形成的等离子体中的离子成分。
在一个实施方式中，RF电源331包括第一RF生成部331a和第二RF生成部331b。第一RF生成部331a构成为：经由至少一个阻抗匹配电路而与至少一个下部电极以及/或者至少一个上部电极连结，来成等离子体生成用源RF信号(源RF电力)。在一个实施方式中，源RF信号具有10MHz～150MHz的范围内的频率。在一个实施方式中，第一RF生成部331a也可以构成为生成具有不同频率的多个源RF信号。所生成的一个或多个源RF信号被提供给至少一个下部电极以及/或者至少一个上部电极。
第二RF生成部331b构成为：经由至少一个阻抗匹配电路而与至少一个下部电极连结，来生成偏压RF信号(偏压RF电力)。偏压RF信号的频率既可以与源RF信号的频率相同，也可以不同。在一个实施方式中，偏压RF信号具有比源RF信号的频率低的频率。在一个实施方式中，偏压RF信号具有100kHz～60MHz的范围内的频率。在一个实施方式中，第二RF生成部331b也可以构成为生成具有不同频率的多个偏压RF信号。所生成的一个或多个偏压RF信号被提供给至少一个下部电极。另外，在各种实施方式中，也可以使源RF信号和偏压RF信号中的至少一方脉冲化。
另外，电源330也可以包括与基板处理室15连结的DC电源332。DC电源332包括第一DC生成部332a和第二DC生成部332b。在一个实施方式中，第一DC生成部332a构成为与至少一个下部电极连接来生成第一DC信号。所生成的第一偏压DC信号被施加到至少一个下部电极。在一个实施方式中，第二DC生成部332b构成为与至少一个上部电极连接来生成第二DC信号。所生成的第二DC信号被施加到至少一个上部电极。
在各种实施方式中，也可以使第一DC信号和第二DC信号中的至少一方脉冲化。在该情况下，电压脉冲的序列被施加到至少一个下部电极以及/或者至少一个上部电极。电压脉冲也可以具有矩形、梯形、三角形或者组合有这些形状的脉冲波形。在一个实施方式中，用于从DC信号生成电压脉冲的序列的波形生成部连接在第一DC生成部332a与至少一个下部电极之间。因而，第一DC生成部332a和波形生成部构成电压脉冲生成部。在第二DC生成部332b和波形生成部构成电压脉冲生成部的情况下，电压脉冲生成部与至少一个上部电极连接。电压脉冲既可以具有正的极性也可以具有负的极性。另外，电压脉冲的序列也可以在一个周期内包括一个或多个正极性电压脉冲以及一个或多个负极性电压脉冲。此外，第一及第二DC生成部332a、332b也可以追加设置于RF电源331，第一DC生成部332a也可以以替代第二RF生成部331b的方式设置。
排气系统340例如能够与设置于基板处理室15的底部的气体排出口15e连接。排气系统340也可以包括压力调整阀和真空泵。通过压力调整阀来调整等离子体处理空间15s内的压力。真空泵也可以包括涡轮分子泵、干式泵或它们的组合。
控制部17对可由使基板处理室15执行在本公开中叙述的各种工序的计算机执行的命令进行处理。控制部17能够构成为控制基板处理室15的各要素以执行在此叙述的各种工序。在一个实施方式中，控制部17的一部分或全部也可以包括于基板处理室15。控制部17也可以包括处理部17a1、存储部17a2以及通信接口17a3。控制部17例如由计算机17a实现。处理部17a1能够构成为通过从存储部17a2读出程序并执行所读出的程序来进行各种控制动作。该程序既可以预先保存在存储部17a2，也可以在需要时经由介质来获取。所获取到的程序保存于存储部17a2，通过处理部17a1从存储部17a2中读出并执行该程序。介质既可以是计算机17a能够读取的各种存储介质，也可以是与通信接口17a3连接的通信线路。处理部17a1也可以是CPU。存储部17a2也可以包括RAM、ROM、HDD(Hard Disk Drive：硬盘驱动器)、SSD(Solid State Drive：固态硬盘)或者它们的组合。通信接口17a3也可以经由LAN(LocalArea Network：局域网)等通信线路来与基板处理室15之间进行通信。
[基板处理装置300的结构和搬送路径]
接着，使用图19来说明第三实施方式所涉及的基板处理装置300的结构和大气侧的被搬送物的搬送路径中的偏移量的测定。图19是示出第三实施方式中的搬送路径的一例的图。图19所示的基板处理装置300示出第一实施方式中的基板处理装置10的加载端口11、加载室12的详情。另外，在基板处理装置300中图示出贮藏柜12b1以及与加载室12连接的对准室12a。并且，基板处理装置300将第一实施方式的基板处理装置10中的多个基板处理室15中的一个替换为贮藏柜12b2。
在加载室12内配置有用于搬送晶圆W等被搬送物的搬送机器人16a。搬送机器人16a构成为能够沿加载室12的长边方向移动，并且构成为转动、伸缩、升降自如。搬送机器人16a具有多关节臂21a和俯视时呈大致U字状的叉22a，叉22a安装于多关节臂21a的前端，用于载置晶圆W等被搬送物。搬送机器人16a在载置于加载端口11的前开式晶圆传送盒11a、对准室12a以及加载互锁室13之间进行晶圆W等被搬送物的搬送。此外，在被搬送物为基板处理室15的消耗构件的情况下，搬送机器人16a也与贮藏柜12b1之间进行消耗构件的搬送。
对准室12a连接于沿着加载室12的短边方向的一个侧面。但是，对准室12a也可以连接于沿着加载室12的长边方向的侧面。另外，对准室12a也可以设置于加载室12的内部。对准室12a具有支承台、光学传感器(均未图示)等。在此所述的对准室是检测被搬送物的位置的装置。
贮藏柜12b1连接于沿着加载室12的短手方向的与对准室12a相向的侧面。但是，贮藏柜12b1也可以连接于沿着加载室12的长边方向的侧面。另外，贮藏柜12b1也可以设置于加载室12的内部。贮藏柜12b1例如收容作为被搬送物的基板处理室15的消耗构件。
贮藏柜12b2经由闸阀18而与基板搬送室14连接。在贮藏柜12b2的内部保持真空的情况下，通过基板搬送室14的搬送机器人16对贮藏柜12b2进行被搬送物的搬入和搬出。另外，在贮藏柜12b2的内部向大气开放的情况下，例如从设置于与闸阀18相向的侧面的未图示的门对贮藏柜12b2进行被搬送物的搬入和搬出。贮藏柜12b2也与贮藏柜12b1同样地，例如收容作为被搬送物的基板处理室15的消耗构件。
与基板搬送室14的内部同样地，在加载室12且加载端口11、对准室12a、贮藏柜12b1、以及加载互锁室13前方配置有由两个位置传感器构成的传感器对23。传感器对23的详情以及偏移量的测定方法与第一实施方式相同，因此省略其说明。
另外，搬送方法也与第一实施方式相同，因此省略其说明。此外，在第三实施方式中，第一载置室及第二载置室与加载端口11、对准室12a、贮藏柜12a1以及加载互锁室13中的任一方对应。
图19所示的步骤S301～S308示出了从加载端口11的前开式晶圆传送盒11a1向对准室12a的搬送、以及从对准室12a向加载互锁室13a的搬送中的路径，来作为加载室12中的搬送路径的一例。此外，在图19的搬送路径的说明中，作为被搬送物，使用晶圆W来进行说明。
首先，搬送机器人16a使叉22a从加载室12内的前开式晶圆传送盒11a1的待机位置12c移动到前开式晶圆传送盒11a1内(步骤S301)。搬送机器人16a使用叉22a通过获取动作来从前开式晶圆传送盒11a1获取晶圆W，并使叉22a移动到待机位置12c(步骤S302)。此时，通过待机位置12c附近的传感器对23对获取到的晶圆W测定相对于叉22a基准位置的偏移量。
搬送机器人16a通过搬送动作从待机位置12c向对准室12a的待机位置12d搬送被保持于叉22a的晶圆W(步骤S303)。搬送机器人16a通过载置动作将保持于叉22a的晶圆W载置于对准室12a的支承台(步骤S304)。此时，通过待机位置12d附近的传感器对23对晶圆W测定相对于叉22a基准位置的偏移量。
搬送机器人16a在使叉22a移动到待机位置12d之后进行待机，直到对准室12a中的晶圆W的位置检测完成为止。搬送机器人16a使用叉22a通过获取动作来从对准室12a获取晶圆W，并使叉22a移动到待机位置12d(步骤S305)。此时，通过待机位置12d附近的传感器对23对晶圆W测定相对于叉22a基准位置的偏移量。
搬送机器人16a通过搬送动作来从待机位置12d向加载互锁室13a的待机位置12e搬送被保持于叉22a的晶圆W(步骤S306)。搬送机器人16a通过载置动作将保持于叉22a的晶圆W载置于加载互锁室13a(步骤S307)。此时，通过待机位置12e附近的传感器对23对晶圆W测定相对于叉22a基准位置的偏移量。搬送机器人16a使叉22a移动到待机位置12e(步骤S308)。像这样，在第三实施方式中，基于作为载置室的一例的加载端口11、对准室12a以及加载互锁室13附近的传感器对23中的、两个部位的测定结果，来测定晶圆W的各搬送路径中的偏移量。另外，与第一实施方式同样地，控制部17根据测定出的偏移量来进行搬送速度的反馈。即，在第三实施方式中，即使在作为大气搬送室的加载室12中，也能够根据被搬送物(晶圆W、消耗构件)的滑动量来使搬送机器人16a的动作速度最优化。
此外，在上述的各实施方式中，通过叉22、22a的保持部的垫片的摩擦力抑制了被搬送物(晶圆W)的滑动，但是不限于此。例如，在搬送机器人16a的叉22a上使用能够进行真空吸附的垫片的情况下，在偏移量变大时，也可以通过使吸附力增加来抑制滑动。
另外，在上述的第三实施方式中，将晶圆W作为被搬送物的一例来说明了搬送路径，但是不限于此。例如，也能够应用于搬送基板处理室15的消耗构件的情况。在该情况下，例如在通过基板搬送室14的搬送机器人16将基板处理室15内的消耗构件搬送到加载互锁室13并通过加载室12的搬送机器人16a从加载互锁室13搬送到贮藏柜12a1的搬送路径中，能够根据消耗构件的滑动量来使搬送机器人16、16a的动作速度最优化。同样地，在通过搬送机器人16a将收容于贮藏柜12a1的消耗构件经过对准室12a搬送到加载互锁室13并通过搬送机器人16从加载互锁室13搬送到基板处理室15的搬送路径中，能够根据消耗构件的滑动量来使搬送机器人16、16a的动作速度最优化。
另外，同样地，例如在通过基板搬送室14的搬送机器人16将基板处理室15的消耗构件搬送到贮藏柜12a2的搬送路径中，能够根据消耗构件的滑动量来使搬送机器人16的动作速度最优化。同样地，在通过搬送机器人16将贮藏柜12a2的消耗构件搬送到基板处理室15的搬送路径中，能够根据消耗构件的滑动量来使搬送机器人16的动作速度最优化。
(第四实施方式)
上述的各实施方式中，使用加速度对搬送速度进行了控制，但也可以使用最高速度来进行控制，对于该情况下的实施方式，作为第四实施方式进行说明。此外，通过对与第一、第三实施方式的基板处理装置10、300相同的结构标准相同的附图标记，来省略对其重复的结构及动作的说明。
图20和图21是示出第四实施方式中的搬送机器人的速度与移动距离之间的关系的一例的图。图20所示的曲线350表示出对搬送机器人16、16a的搬送速度规定最高速度并且限制了加速度或最高速度的情况。曲线351表示以下情况：以作为基准的加速度加速，当达到作为基准的最高速度时，一边维持该速度一边仅移动规定距离，之后以作为基准的减速度(负的加速度)减速，最后到达目标位置。
曲线352表示以下情况：使加速度低于基准，当达到作为基准的最高速度时，一边维持该速度一边仅移动规定距离，之后以低于基准的减速度减速，最后到达目标位置。曲线353表示以下情况：以作为基准的加速度加速，之后一边作为最高速度而维持低于基准的速度一边仅移动规定距离，之后以作为基准的减速度减速，最后到达目标位置。也就是说，曲线352是相对于曲线351而言仅变更了加速度的模式，曲线353是相对于曲线351而言仅变更了最高速度的模式。此外，也可以设定变更加速度和最高速度这两方的模式。如曲线352、353所示那样的控制例如能够应用于偏移量超过阈值而使搬送速度下降的反馈中。
图21所示的曲线360表示以下情况：对于搬送机器人16、16a的搬送速度使加速度或最高速度从基准增加或上升。与曲线351同样地，曲线361表示以下情况：以作为基准的加速度加速，当达到作为基准的最高速度时，一边维持该速度一边仅移动规定距离，之后以作为基准的减速度减速，最后到达目标位置。曲线362表示以下情况：以作为基准的加速度加速，当达到高于基准的最高速度时，一边维持该速度一边仅移动规定距离，之后以作为基准的减速度减速，最后到达目标位置。曲线363表示以下情况：以高于基准的加速度加速，当达到作为基准的最高速度时，一边维持该速度一边仅移动规定距离，之后以高于基准的减速度减速，最后到达目标位置。也就是说，曲线362是相对于曲线361仅变更了最高速度的模式，曲线363是相对于曲线361仅变更了加速度的模式。此外，也可以设定变更加速度和最高速度这两方的模式。如曲线362、363所示那样的控制例如能够应用于偏移量为阈值以下且使搬送速度上升的反馈中。
另外，关于搬送速度，也可以设为从曲线351～353、361～363中选择几个不同的模式并将搬送时间最短的模式应用于之后的搬送。例如，在某个批次开始时，从曲线351～353、361～363中选择几个不同的模式，从第一张晶圆W起按顺序仅以所选择的数量的不同的模式搬送晶圆W。也可以将所选择的模式中的搬送时间最短的模式应用于该批次之后的晶圆W的搬送、后续的批次中的晶圆W的搬送。像这样，在第四实施方式中，能够进一步缩短搬送机器人16、16a的搬送时间。也就是说，能够使搬送机器人16、16a的动作速度进一步最优化。此外，也可以使用通过计算各模式的搬送时间而求出的结果来进行搬送时间最短的模式的选择。另外，曲线350、360所示的搬送速度的模式除了被搬送物为晶圆W以外，例如也能够应用于被搬送物为基板处理室15的消耗构件的情况。
此外，在上述的各实施方式中，说明了基板搬送室14为一个的基板处理装置10、200、300，但是不限于此。例如，也可以构成为具有将两个基板搬送室14连接并且在基板搬送室14间进行晶圆W的交接的交接模块(通路)的结构。
以上，根据第一、第三实施方式，基板处理装置(10、300)具有第一载置室(11a、12a、12b1、13、15)、第二载置室(11a、12a、12b1、13、15)、搬送机器人(16、16a)以及控制部17，搬送机器人(16、16a)在第一载置室与第二载置室之间进行被搬送物的搬入和搬出。控制部17构成为进行以下控制a)，控制基板处理装置，以在从第一载置室搬出被搬送物(晶圆W、消耗构件)时检测搬送机器人的叉(22、22a)上的被搬送物的位置来作为第一位置。控制部17构成为进行以下控制b)，控制基板处理装置，以在从第一载置室向第一载置室的待机位置搬出基板之后向第二载置室的待机位置搬送被搬送物。控制部17构成为进行以下控制c)，控制基板处理装置，以在从第二载置室的待机位置向第二载置室搬入被搬送物时检测叉上的被搬送物的位置来作为第二位置。控制部17构成为进行以下控制d)，控制基板处理装置，以基于第一位置和第二位置来控制b)中的搬送速度。其结果，能够根据被搬送物的滑动量来使搬送机器人的动作速度最优化。
另外，根据第一、第三实施方式，被搬送物的位置由设置于第一载置室及第二载置室的搬入搬出口的位置检测传感器(传感器对23)来检测。其结果，能够按被搬送物的搬送反馈搬送速度。
另外，根据第一、第三实施方式，在d)中，基于第一位置与第二位置之差来控制搬送速度。其结果，能够按被搬送物的搬送反馈搬送速度。
另外，根据第一、第三实施方式，在d)中，在差超过阈值的情况下，使搬送速度下降。其结果，能够按被搬送物的搬送反馈搬送速度。
另外，根据第一、第三实施方式，在d)中，在差为阈值以下的情况下，使搬送速度上升。其结果，能够按被搬送物的搬送反馈搬送速度。
另外，根据第四实施方式，在d)中，作为搬送速度的控制，控制最高速度和加速度中的一个或多个。其结果，能够进一步缩短搬送时间。
另外，根据第一、第三实施方式，在d)中，在进行要按与搬送过被搬送物的路径相同的路径来搬送的被搬送物的搬送时，反馈搬送速度。其结果，能够按搬送路径使搬送速度最优化。
另外，根据第一实施方式，第一载置室和第二载置室是加载互锁模块、工艺模块以及交接模块中的任一模块。其结果，能够使各模块间的搬送速度最优化。
另外，根据第三实施方式，第一载置室和第二载置室是加载端口、对准室、贮藏柜以及加载互锁模块中的任一个。其结果，能够使大气压气氛下的各模块等之间的搬送速度最优化。
另外，根据各实施方式，被搬送物是基板。其结果，能够根据基板的滑动量来使搬送机器人的动作速度最优化。
另外，根据各实施方式，被搬送物是聚焦环、覆盖环以及上部电极中的一个或多个消耗构件。其结果，能够根据消耗构件的滑动量来使搬送机器人的动作速度最优化。
另外，根据第二实施方式，基板处理装置200具有第一载置室(13、15)、第二载置室(13、15)、搬送机器人16、位置检测传感器223以及控制部17，搬送机器人16在第一载置室与第二载置室之间被搬送物(晶圆W)的搬入和搬出，位置检测传感器223测定被搬送物的相对于基准位置的偏移量。控制部17构成为进行以下控制a)，控制基板处理装置200，以从第一载置室的待机位置向位置检测传感器223的测定位置搬送被搬送物。控制部17构成为进行以下控制b)，控制基板处理装置200，以在测定位置处测定偏移量。控制部17构成为进行以下控制c)，控制基板处理装置200，以从测定位置向第二载置室的待机位置搬送被搬送物。控制部17构成为进行以下控制d)，控制基板处理装置200，以基于测定出的偏移量来控制a)和c)中的搬送速度。其结果，能够根据被搬送物的滑动量来使搬送机器人的动作速度最优化。
应该认为本公开的各实施方式在所有方面均为例示，而非限制性的。上述的各实施方式也可以不脱离所附权利要求书及其主旨地以各种方式进行省略、置换、变更。
另外，在上述的各实施方式中说明了搬送机器人16具有两条多关节臂21的情况，但是不限于此。例如，也可以是，搬送机器人16具有一条或三条以上的多关节臂21。
另外，上述的各实施方式在结构和处理内容不矛盾的范围内能够适当组合。
附图标记说明
10、200、300：基板处理装置；11：加载端口；11a：前开式晶圆传送盒；12：加载室；12a：对准室；12b1、12b2：贮藏柜；13：加载互锁室；14、214：基板搬送室；15：基板处理室；16、16a：搬送机器人；17：控制部；22、22a：叉；23：传感器对；192：环组件；192a：边缘环；192b：覆盖环；223：位置检测传感器；313d：上部电极；W：晶圆。

Claims (18)

1.一种基板处理装置，具有：
第一载置室；
第二载置室；
搬送机器人，其在所述第一载置室与所述第二载置室之间进行被搬送物的搬入和搬出；以及
控制部，
其中，所述控制部构成为进行以下控制：
a)，控制所述基板处理装置，以在从所述第一载置室搬出所述被搬送物时检测所述搬送机器人的叉上的所述被搬送物的位置来作为第一位置；
b)，控制所述基板处理装置，以在从所述第一载置室向所述第一载置室的待机位置搬出所述被搬送物之后向所述第二载置室的待机位置搬送所述被搬送物；
c)，控制所述基板处理装置，以在从所述第二载置室的待机位置向所述第二载置室搬入所述被搬送物时检测所述叉上的所述被搬送物的位置来作为第二位置；以及
d)，控制所述基板处理装置，以基于所述第一位置和所述第二位置来控制所述b)中的搬送速度。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述被搬送物的位置由设置于所述第一载置室及所述第二载置室的搬入搬出口的位置检测传感器来检测。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
在所述d)中，基于所述第一位置与所述第二位置之差来控制所述搬送速度。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，
在所述d)中，在所述差超过阈值的情况下，使所述搬送速度下降。
5.根据权利要求3或4所述的基板处理装置，其中，
在所述d)中，在所述差为阈值以下的情况下，使所述搬送速度上升。
6.根据权利要求3～5中的任一项所述的基板处理装置，其中，
在所述d)中，作为所述搬送速度的控制，控制最高速度和加速度中的一个或多个。
7.根据权利要求1～6中的任一项所述的基板处理装置，其中，
在所述d)中，在进行要按与搬送过所述被搬送物的路径相同的路径来搬送的被搬送物的搬送时，反馈所述搬送速度。
8.根据权利要求1～7中的任一项所述的基板处理装置，其中，
所述第一载置室和所述第二载置室是加载互锁模块、工艺模块以及交接模块中的任一模块。
9.根据权利要求1～7中的任一项所述的基板处理装置，其中，
所述第一载置室和所述第二载置室是加载端口、对准室、贮藏柜以及加载互锁模块中的任一个。
10.根据权利要求1～9中的任一项所述的基板处理装置，其中，
所述被搬送物是基板。
11.根据权利要求1～9中的任一项所述的基板处理装置，其中，
所述被搬送物是聚焦环、覆盖环以及上部电极中的一个或多个消耗构件。
12.一种基板处理装置，具备：
第一载置室；
第二载置室；
搬送机器人，其在所述第一载置室与所述第二载置室之间进行被搬送物的搬入和搬出；
位置检测传感器，其测定所述被搬送物的相对于基准位置的偏移量；以及
控制部，
其中，所述控制部构成为进行以下控制：
a)，控制所述基板处理装置，以从所述第一载置室的待机位置向所述位置检测传感器的测定位置搬送所述被搬送物；
b)，控制所述基板处理装置，以在所述测定位置处测定所述偏移量；
c)，控制所述基板处理装置，以从所述测定位置向所述第二载置室的待机位置搬送所述被搬送物；以及
d)，控制所述基板处理装置，以基于测定出的所述偏移量来控制所述a)和所述c)中的搬送速度。
13.根据权利要求12所述的基板处理装置，其中，
在所述d)中，在进行要按与搬送过所述被搬送物的路径相同的路径搬送的被搬送物的搬送时，反馈所述搬送速度。
14.根据权利要求12或13所述的基板处理装置，其中，
所述第一载置室和所述第二载置室是加载互锁模块、工艺模块以及交接模块中的任一模块。
15.根据权利要求12或13所述的基板处理装置，其中，
所述第一载置室和所述第二载置室是加载端口、对准室、贮藏柜以及加载互锁模块中的任一个。
16.根据权利要求12～15中的任一项所述的基板处理装置，其中，
所述被搬送物是基板。
17.根据权利要求12～15中的任一项所述的基板处理装置，其中，
所述被搬送物是聚焦环、覆盖环以及上部电极中的一个或多个消耗构件。
18.一种基板处理装置中的搬送方法，
所述基板处理装置具备：
第一载置室；
第二载置室；以及
搬送机器人，其在所述第一载置室与所述第二载置室之间进行被搬送物的搬入和搬出，
所述搬送方法包括以下工序：
工序a)，在从所述第一载置室搬出所述被搬送物时，检测所述搬送机器人的叉上的所述被搬送物的位置来作为第一位置；
工序b)，在从所述第一载置室向所述第一载置室的待机位置搬出所述被搬送物之后，向所述第二载置室的待机位置搬送所述被搬送物；
工序c)，在从所述第二载置室的待机位置向所述第二载置室搬入所述被搬送物时，检测所述叉上的所述被搬送物的位置来作为第二位置；以及
工序d)，基于所述第一位置和所述第二位置来控制所述工序b)中的搬送速度。
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