CN116895999A - 萤光部件、萤光部件的制造方法以及发光装置 - Google Patents

萤光部件、萤光部件的制造方法以及发光装置 Download PDF

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CN116895999A CN202310335114.0A CN202310335114A CN116895999A CN 116895999 A CN116895999 A CN 116895999A CN 202310335114 A CN202310335114 A CN 202310335114A CN 116895999 A CN116895999 A CN 116895999A
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Abstract

提供一种能够有效率地输出光的萤光部件。萤光部件包括萤光部及包围部,萤光部具有第1面与第2面,包围部连接于第1面的外缘并连接于第2面的外缘,在垂直于第1面的平面视下,第1面是具有朝着第1方向,垂直于第1方向的第2方向的宽度变宽的第1区域的形状,第2面的第2方向的最大宽度大于第1面的第2方向的最小宽度并小于最大宽度。

Description

萤光部件、萤光部件的制造方法以及发光装置
技术领域
本发明涉及一种萤光部件、萤光部件的制造方法以及具有萤光部件的发光装置。
背景技术
专利文献1公开了一种光学配件,其包括含萤光体的透光部件、以包围透光部件的方式被设置在侧方的光反射部件。还公开了从发光元件发出的光射入透光部件的发光装置的形态。
<现有技术文献>
<专利文献>
专利文献1:(日本)特开2019-9406号公报
发明内容
<本发明要解决的问题>
提供一种可搭载于发光装置并能够有效率地输出光的萤光部件。
<用于解决问题的手段>
一实施方式公开的萤光部件包括具有第1面与第2面的萤光部、连接于所述第1面的外缘并连接于所述第2面的外缘的包围部,在垂直于所述第1面的平面视下,所述第1面是具有朝着第1方向与所述第1方向垂直的第2方向的宽度变宽的第1区域的形状,所述第2面的所述第2方向的最大宽度大于所述第1面的所述第2方向的最小宽度并小于最大宽度。
一实施方式公开的具有第1面、第2面以及作为所述第1面的相反侧面的第3面的萤光部件的制造方法,包括:准备基材的工序,所述基材具有多个萤光部与包围部,所述多个萤光部分别具有所述第3面,所述第3面是具有朝着第1方向与所述第1方向垂直的第2方向的宽度变宽的区域的形状,所述包围部包围所述多个萤光部的所述第3面的外缘;在所述多个萤光部分别设置所述第2面的工序,在垂直于所述第3面的平面视下,沿着与所述第2方向平行的、以大于所述区域的所述第2方向的最小宽度并小于最大宽度之宽度通过的直线,从所述第3面朝着所述第1面方向切削所述基材,切削至不及所述第1面的位置;只对所述基材的所述包围部进行切断,以使多个萤光部单片化的工序。
一实施方式公开的发光装置具有发光元件、所述萤光部件以及用于形成配置所述发光元件及所述萤光部件的内部空间的封装体,从所述发光元件射出的光射入所述萤光部件的所述第2面,从所述萤光部件的所述第1面射出的光被射出到所述封装体的外部。
<发明的效果>
在实施方式公开的1个或多个发明的至少一个中,期待获得可搭载于发光装置并能够有效率地输出光的萤光部件。
附图说明
图1是各实施方式的发光装置的斜视图。
图2是从第1实施方式的发光装置上卸下盖部件之后的状态的斜视图。
图3是图2的状态下的俯视图。
图4是图1的IV-IV剖面线的剖面图。
图5是从上方观视各实施方式的萤光部件的斜视图。
图6是从下方观视各实施方式的萤光部件的斜视图。
图7是各实施方式的萤光部件的俯视图。
图8是各实施方式的萤光部件的仰视图。
图9是从入射面侧观视各实施方式的萤光部件的侧面图。
图10是各实施方式的萤光部的斜视图。
图11是各实施方式的包围部的斜视图。
图12A是用于说明各实施方式的萤光部件的制造方法中的第1工序的模式图。
图12B是用于说明各实施方式的萤光部件的制造方法中的第2工序的模式图。
图12C是用于说明各实施方式的萤光部件的制造方法中的第3工序的模式图。
图13是从第2实施方式的发光装置上卸下盖部件之后的状态的俯视图。
图14是图1的XIV-XIV剖面线的剖面图。
具体实施方式
在本说明书或权利要求书中,关于三角形或四角形等的多角形,多角形的角部经过倒棱、倒角、倒圆等加工之后的形状也包括在内,称为多角形,此外,不仅限于角部(边的端部),对边的中间部分进行加工之后的形状也可同样称为多角形。即,以多角形作为基础的同时对局部进行加工的形状,均属于本说明书以及权利要求书中记载的“多角形”的解释范畴内。
另外,不限于多角形,表示梯形或圆形或凹凸等特定形状的用语也与此同样。另外,涉及形成这些形状的各边的情况也同样。即,在某一个边,即使在角部或中间部分经过加工的情况下,经过加工的部分也包含于“边”的解释内。此外,需要对未经局部加工的“多角形”或“边”以及经过加工的形状进行区分的情况下,注明“严密意义的”,例如,记载为“严密意义的四角形”等。
另外,本说明书或权利要求书中记载的上下(上方/下方)、左右、表背、前后(前方/后方)、近前与进深等仅表示相对的位置、朝向、方向等的关系,与使用时的关系不一致也无妨。
另外,使用箭头表示在面上的X方向、Y方向以及Z方向等的方向。该箭头的方向在同一实施方式的多个附图中是相匹配的。另外,附图中标为X、Y以及Z的箭头的方向为正方向,与其相反的方向为负方向。例如,箭头的前方标有X的方向表示此为X方向且为正方向。并且,将X方向且是正方向的方向称为“X的正方向”,将与其相反的方向称为“X的负方向”。关于Y方向以及Z方向也同样。
另外,在本说明书中,例如在说明结构要素等时会使用“部件”或“部”。“部件”是指作为物理性单体对待的对象。作为物理性单体对待的对象,也可以说是在制造工序中可作为一个配件处理的对象。相对而言,“部”指可以不作物理性单体对待的对象。例如,对1个部件的一部分进行局部性处理时,可以使用“部”。
在此,上述对“部件”与“部”的区分表述,并非表示在等同原则的解释中有意识地限定权利范围的意思。即,即使权利要求书中包括记载为“部件”的结构要素,也并不表示申请人认为仅以此为依据,将该结构要素作为物理性单体对待是本发明的应用中不可或缺的事项。
另外,在本说明书或权利要求书中,在某结构要素存在多个且要分别区分开来表述的情况下,有时会在该结构要素的开头附记“第1”、“第2”,以示区分。另外,也有在本说明书与权利要求书中需区分的对象相异的情况。因此,即使权利要求书中记载有与本说明书相同附记的结构要素,根据该结构要素所确定的对象可能在本说明书以及权利要求书中并不一致。
例如,在本说明书中存在以附记“第1”、“第2”、“第3”进行区分的结构要素,要将本说明书中附记“第1”以及“第3”的结构要素记载于权利要求书中时,便于理解起见,权利要求书中将通过会附记“第1”、“第2”来区分结构要素。在这种情况下,权利要求书中附记“第1”、“第2”的结构要素分别相当于本说明书中的附记“第1”、“第3”的结构要素。并且,该规则的应用对象并不限定于结构要素,亦可本着合理性及灵活性应用对于其他对象。
以下,说明用于实施本发明的方式。并且,通过参照附图来说明用于实施本发明的具体方式。在此,用于实施本发明的方式并不限定于该具体的方式。即,图示的实施方式并非是实现本发明的唯一方式。此外,各附图中展示的部件的大小或位置关系,便于理解起见,有时会有扩张表示。
<第1实施方式>
说明第1实施方式的发光装置1。图1至图11是用于说明发光装置1的例示性方式的附图。图1是发光装置1的斜视图。图2是从发光装置1上卸下盖部件16之后的状态的斜视图。图3是从发光装置1上卸下盖部件16之后的状态的俯视图。图4是图1的IV-IV剖面线的剖面图。图5是从上方观视萤光部件40的斜视图。图6是从下方观视萤光部件40的斜视图。图7是萤光部件40的俯视图。在此,图7中以影线表示第1区域42M与第2区域42N。图8是萤光部件40的仰视图。在此,图8中以影线表示光反射膜46。图9是从萤光部件40的入射面侧观视萤光部件40的侧面图。在此,图9中以影线表示光控制膜45。图10是从上方观视萤光部41的斜视图。图11是从上方观视包围部43的斜视图。在此,图11是透视图,以能够明确表示包围部43的内侧面44D。
发光装置1具有多个结构要素。多个结构要素包括封装体10A、发光元件20、基台30、萤光部件40、保护元件50以及多个布线60。在此,发光装置1还可以包含其他结构要素。另外,发光装置1也可以不包括在此列出的多个结构要素中的一部分。
首先,关于各结构要素进行说明。
(封装体10A)
封装体10A具有基部14A、框部15以及盖部17。并且,封装体10A具有基部件11A与盖部件16。基部件11A具有基部14A与框部15,盖部件16具有盖部17。此外,基部件11A具有安装基板12A与框部件13。安装基板12A具有基部14A,框部件13具有框部15。
封装体10A在内部形成封闭空间。该内部空间是被密封的空间。另外,该内部空间是在由规定的氛围气体密封的状态下密封的空间。
基部14A具有上面以及下面。基部14A的外形在俯视下是矩形。该矩形可以是具有长边与短边的矩形。另外,俯视下所见的基部14A的外形也可以不是矩形。若未特别注明排除正方形,矩形可以包含正方形在内。在图示的封装体10A中,该矩形的长边方向与X方向为同一方向,短边方向与Y方向为同一方向。
基部14A具有第1安装面141。例如,基部14A的上面可作为第1安装面141。在第1安装面141上安装其他结构要素。第1安装面141可作为用于配置其他结构要素的配置区域。
框部15具有1个或多个内侧面,以及1个或多个外侧面。框部15的内侧面与基部14A的上面相交,并从基部14A的上面向上方延伸。框部15在俯视下形成包围基部14A的上面的框。框部15在俯视下形成矩形的框。该矩形可以是具有长边与短边的矩形。在图示的封装体10A中,该矩形的长边方向与X方向为同一方向,短边方向与Y方向为同一方向。
框部15具有阶差部151。在此,构成阶差部151的表面仅包括上面,以及与该上面相交并向下方延伸侧面。即,与该上面相交并向上方延伸的侧面不包括在构成阶差部151的表面中。阶差部151在俯视下被设置在由框部15的外侧面划定的框的内侧。阶差部151的侧面可以构成框部15的内侧面。框部15具有可构成阶差部151的侧面的内侧面,以及构成与该阶差部151的上面相交并向上方延伸的侧面的内侧面。阶差部151的侧面与第1安装面141相交。
阶差部151沿着由框部15构成的框而设置。阶差部151并非是沿着框的全周设置,而是沿着框的一部分设置。在此,也可以沿着全周设置。阶差部151沿着框部15的矩形框的一个边设置。该一个边是框的长边。
在阶差部151的上面设置1个或多个金属膜。设置在阶差部151的上面的金属膜,与设置在封装体10A外面的金属膜电连接。
盖部17具有上面与下面。盖部17的下面与基部14A的上面相对。盖部17使规定波长的光透射。盖部17从下面至上面全程具有透光性。在此,对规定波长的光具有透光性的意思是指对规定波长的光的透射率为80%以上。
由基部14A的上面、框部15的内侧面以及盖部17的下面划定封装体10A的内部空间。
基部件11A具有第1上面以及位于第1上面之上方的第2上面。第2上面在俯视下包围第1上面。在基部件11A中,形成有凹形状。第1上面是基部14A的上面。第2上面与框部的外侧面以及内侧面相交。基部件11A还具有第3上面,其位于第1上面的上方且第2上面的下方。第3上面是阶差部151的上面。
安装基板12A被形成为平板形状。俯视下的安装基板12A被包含在框部15的外缘的内侧。在安装基板12A的上面的周缘区域,安装基板12A与框部件13接合。盖部件16被形成为平板形状。俯视下,盖部件16大于安装基板12A的外缘形状。
安装基板12A的主材料是金属,或是包含金属的复合物。例如,安装基板12A的主材料是铜。框部件13的主材料是陶瓷。例如,框部件13的主材料是氮化铝、氮化硅或者氧化铝的任一种。盖部件16的主材料例如是石英、碳化硅、蓝宝石或者玻璃的任一种。阶差部151的金属膜能够使用Ni/Au(按Ni、Au之顺序叠层的金属膜)或Ti/Pt/Au(按Ti、Pt、Au之顺序叠层的金属膜)等。
在此,主材料是指,在作为对象的形成物中的重量或体积所占比率最多的材料。其中,在由1种材料形成作为对象的形成物的情况下,该材料即是主材料。即,以某材料作为主材料,包括该材料的所占比率为100%的情况。
还可以是安装基板12A与框部件13由相同材料一体化形成的基部件11A。通过用金属制作安装基板12A,可以获得散热性良好的基部件11A,但并不限定于这种基部件11A。
取代于框部15,也可以是基部14A具有阶差部151。通过将阶差部151一体设置在框部15,能够实现封装体10A的小型化,但并不限定于这种封装体10A。
(发光元件20)
发光元件20具有射出光的光出射面。发光元件20具有上面、下面以及多个侧面。发光元件20的侧面成为光出射面。发光元件20具有1个或多个光出射面。
发光元件20的上面的形状是具有长边与短边的矩形。此外,发光元件20的上面的形状也可以不是矩形。在发光元件20,能够采用半导体激光元件。另外,在发光元件20不限定于半导体激光元件,还可以采用发光二极管等。
在发光元件20,能够采用例如射出蓝色光的发光元件、射出绿色光的发光元件,或者射出红色光的发光元件。在此,发光元件20还可以采用射出其他颜色的光的发光元件。
在此,蓝色的光是指发光峰值波长在420nm~494nm范围内的光。绿色光是指发光峰值波长在495nm~570nm范围内的光。红色光是指发光峰值波长在605nm~750nm范围内的光。
例如,从发光元件20射出发光峰值波长为320nm~530nm的范围的光,典型的是430nm~480nm范围的光。
在此,关于作为发光元件20的一例的半导体激光元件进行说明。半导体激光元件在俯视下其外形为一方的对边为长边,另一方的对边为短边的矩形。从半导体激光元件射出的光(激光)发散。另外,从半导体激光元件的出射端面射出发散光。半导体激光元件的出射端面可以说是发光元件20的光出射面。
从半导体激光元件射出的光,在与光的出射端面平行的面上形成椭圆形状的远场图形(以下称之为“FFP”)。FFP是在远离出射端面的位置上的出射光的形状及光强度分布。
在此,通过FFP的楕圆形状的中心的光,换言之,FFP的光强度分布中的峰值强度的光,也称之为光轴行进光或者通过光轴的光。另外,在FFP的光强度分布中,将相对于峰值强度值具有1/e2以上的强度的光,称之为主要部分的光。
从半导体激光元件射出的光的FFP的形状,在与光的出射端面平行的面上,是叠层方向的尺寸大于与叠层方向垂直的方向的尺寸的楕圆形状。叠层方向是指半导体激光元件中包含活性层的多个半导体层被叠层的方向。与叠层方向垂直的方向也可以说是半导体层的面方向。另外,可以将FFP的楕圆形状的长径方向称为半导体激光元件的快轴方向,将短径方向称为半导体激光元件的慢轴方向。
将基于FFP的光强度分布的峰值光强度的1/e2的光强度的光发散的角度,作为半导体激光元件的光的发散角。发散角除了峰值光强度的1/e2的光强度之外,例如也可以根据峰值光强度的半值的光强度求出。在本说明书的说明中,仅称为“发散角”时,意指峰值光强度的1/e2的光强度的光的发散角。在此,可以说快轴方向的发散角大于慢轴方向的发散角。
在发光元件20,例如能够采用慢轴方向的发散角为2度至30度的半导体激光元件。在发光元件20,例如能够采用快轴方向的发散角为5度至120度的半导体激光元件。
作为发出蓝色光的半导体激光元件,或者发出绿色光的半导体激光元件,可以举出包含氮化物半导体的半导体激光元件。作为氮化物半导体,例如能够使用GaN、InGaN以及AlGaN。作为发出红色光的半导体激光元件,能够使用包含InAlGaP类或GaInP类、GaAs类或AlGaAs类的半导体的结构。
(基台30)
基台30具有上面以及下面。基台30被构成为长方体的形状。基台30在俯视下的外形是具有长边以及短边的矩形。基台30的上下方向的宽度最小。基台30的上下方向的宽度可以是50μm以上1000μm以下。在此,基台30的形状可以不限于长方体。基台30例如能够使用氮化硅、氮化铝或者碳化硅形成。另外,在接合面设置有用于进行接合的金属膜。
(萤光部件40)
萤光部件40具有萤光部41与包围部43。萤光部件40的表面包括萤光部41的表面以及包围部43的表面。在萤光部件40,萤光部41的一部分被露出,其他部分被包围部43所包围。包围部43被设置在萤光部41的被露出面之外的表面。
另外,萤光部件40还可以具有光控制膜45。另外,萤光部件40可以具有光反射膜46。
萤光部41被形成为具有多个面42。多个面42包括上面42A、下面42B以及多个侧面42C。在萤光部件40,上面42A被露出。多个侧面42C包括萤光部件40中从包围部43露出的侧面42C、萤光部件40中未从包围部43露出的侧面42C。萤光部件40中未从包围部43露出的侧面42C与包围部43相接。
多个面42包括第1面42D以及第2面42E。第1面42D以及第2面42E分别在萤光部件40露出。换言之,设有包围部43的萤光部41的表面不包括第1面42D以及第2面42E。第1面42D与第2面42E并非平行。例如,萤光部41的上面42A可成为第1面42D,萤光部41的侧面42C可成为第2面42E。多个面42包括作为第1面42D的相反侧的面的第3面42F。第2面42E与第3面42F相交。
多个面42包括与第3面42F相交的第4面42P以及第5面42Q。第4面42P以及第5面42Q均不在萤光部件40露出。另外,多个面42包括与第3面42F相交的第6面42R以及第7面42S。第6面42R以及第7面42S均不在萤光部件40露出。
第4面42P以及第5面42Q在第2面42E相交。第4面42P以及第5面42Q在第1面42D相交。第1面42D不与第2面42E相交。第1面42D与第4面42P以及第5面42Q相交。第1面42D与第6面42R以及第7面42S相交。第4面42P、第5面42Q、第6面42R以及第7面42S是相对于第1面42D垂直的平面。另外,这些也可以与第1面42D非垂直,或者非平面。
包围部43与萤光部41的第1面42D的外缘连接。包围部43与萤光部41的第2面42E的外缘连接。包围部43与萤光部41的第3面42F的外缘连接。包围部43与萤光部41的第4面42P以及第5面42Q相接。包围部43与萤光部41的第6面42R以及第7面42S相接。
包围部43被形成为具有多个面44。多个面44包括上面44A、下面44B、外侧面44C及内侧面44D。另外,多个面44包括多个外侧面44C与多个内侧面44D。在萤光部件40,上面44A以及外侧面44C被露出。在萤光部件40,内侧面44D与萤光部41相接。
多个外侧面44C包括与萤光部41的第1面42D的外缘连接,并在与第1面42D相同的方向上扩展的第1面44E。包围部43的第1面44E包围萤光部41的第1面42D。多个面44包括与萤光部41的第2面42E的外缘连接,并在与第2面42E相同的面方向上扩展的第2面44F。
多个外侧面44C包括作为第1面44E的相反侧的面的第3面44G。包围部43的第3面44G与萤光部41的第3面42F的外缘连接,并在与第3面42F相同的面方向上扩展。
多个外侧面44C包括与包围部43的第1面44E以及第2面44F相交的第4面44H。包围部43的第4面44H相较于萤光部41的第2面42E而言,更靠近包围部43的第1面44E。包围部43的第4面44H不与萤光部41的第2面42E连接。多个外侧面44C包括与包围部43的第1面44E以及第3面44G相交的1个或多个第5面44I。
在图示的萤光部件40中,1个或多个第5面44I包括分别与包围部43的第2面44F以及第4面44H相交的2个第5面44I、与这2个第5面44I相交的另一个第5面44I。
多个内侧面44D与萤光部41的第4面42P以及第5面42Q相接。与第4面42P相接的内侧面44D以及与第5面42Q相接的内侧面44D分别连接于萤光部41的第1面42D的外缘。此外,还与萤光部41的第3面42F的外缘连接。
多个内侧面44D与萤光部41的第6面42R以及第7面42S相接。与第6面42R相接的内侧面44D以及与第7面42S相接的内侧面44D分别连接于萤光部41的第1面42D的外缘。此外,还与萤光部41的第3面42F的外缘连接。
与萤光部41的第4面42P相接的内侧面44D,连接于萤光部41的第2面42E的外缘。与萤光部41的第5面42Q相接的内侧面44D,连接于萤光部41的第2面42E的外缘。与萤光部41的第6面42R相接的内侧面44D,不连接于萤光部41的第2面42E的外缘。与萤光部41的第7面42S相接的内侧面44D,不连接于萤光部41的第2面42E的外缘。
萤光部41的第1面42D,在与第1面42D垂直的平面视下,具有朝着第1方向,与该第1方向垂直的第2方向的宽度变宽的第1区域42M。萤光部41的第1面42D,在与第1面42D垂直的平面视下,具有朝着第1方向,第2方向的宽度变窄的第2区域42N。第2区域42N相较于第1区域42M位于第1方向侧。在图示的萤光部件40中,第1方向与X的正方向是相同方向,第2方向与Y方向是相同方向。另外,与第1方向以及第2方向垂直的第3方向是与Z方向相同的方向。
萤光部41的第1面42D具有第1边421以及第2边422,第1边421以及第2边422形成第1区域42M。萤光部41的第1面42D具有第3边423以及第4边424,第3边423以及第4边424形成第2区域42N。萤光部41的第1面42D是四角形的形状。另外,萤光部41的第1面42D是棱形的形状。另外,萤光部41的第1面42D是矩形的形状。此外,第1边421、第2边422、第3边423以及第4边424构成该四角形的各边。
第4面42P与第1边421相交,第5面42Q与第2边422相交。第6面42R与第3边423相交,第7面42S与第4边424相交。
连接第1边421与第3边423的交点以及第2边422与第4边424的交点的假想直线,成为第1区域42M与第2区域42N的边界。第1区域42M由第1边421、第2边422以及该假想线划定。第2区域42N由第3边423、第4边424以及该假想线划定。该假想线与第2方向平行。
萤光部41的第2面42E的外形为细长形状。在从第2面42E侧俯视时,与可将第2面42E线对称地一分为二的假想线平行的第4方向的长度,大于垂直于第4方向的第5方向的长度。在图示的萤光部件40中,第4方向与Z方向是相同方向,第5方向与Y方向是相同方向。可以说萤光部41的第2面42E是第3方向的最大宽度大于第2方向的最大宽度的形状。
萤光部41的第2面42E的第2方向的最大宽度大于萤光部41的第1面42D的第2方向的最小宽度。另外,萤光部41的第2面42E的第2方向的最大宽度大于萤光部41的第1面42D的第1区域中的第2方向的最小宽度。
萤光部41的第2面42E的第2方向的最大宽度小于萤光部41的第1面42D的第2方向的最大宽度。另外,萤光部41的第2面42E的第2方向的最大宽度小于萤光部41的第1面42D的第1区域中的第2方向的最大宽度。
萤光部41的第2面42E的第2方向的最大宽度大于萤光部41的第1面42D的第2方向的最小宽度,且小于最大宽度。在图示的萤光部件40中,第1面42D的第2方向的最小宽度是第1边421与第2边422的交点,可以说宽度为0。另外,第1面42D的第2方向的最大宽度等同于从第1边421与第3边423的交点至第2边422与第4边424的交点的距离。
在垂直于萤光部41的第1面42D的平面视下,萤光部41的第2面42E被包含在第1区域42M。在垂直于萤光部41的第1面42D的平面视下,萤光部41的第2面42E与第1区域42M重叠,但不与第2区域42N重叠。萤光部41的第2面42E的面积小于萤光部41的第1面42D的面积。
萤光部41的第1面42D与第2面42E满足如下关系,即,具有通过第1区域42M的同时垂直于第1面42D的假想线,并且贯穿萤光部41的第2面42E的假想线。从萤光部41的第2面42E的上端至第1面42D的第3方向的距离小于第2面42E的第3方向的长度。
萤光部41的第3面42F的面积小于萤光部41的第1面42D的面积。第3面42F,在垂直于萤光部41的第1面42D的平面视下,具有与第1边421部分重叠的边、与第2边422部分重叠的边、与连接第1边421的中途点与第2边422的中途点的直线重叠的第5边425。该第1边421的中途点相较于第1边421的中点而言位于接近第1边421与第2边422的交点的位置。该第2边422的中途点相较于第2边422的中点而言位于接近第1边421与第2边422的交点的位置。萤光部41的第5边425是萤光部41的第2面42E与第3面42F的交线。
在垂直于萤光部41的第1面42D的平面视下,第1面42D的形状包含第3面42F的形状。在垂直于萤光部41的第1面42D的平面视下,第1区域42M具有与第3面42F重叠的区域、不与第3面42F重叠但与第2面42E重叠的区域。在垂直于萤光部41的第1面42D的平面视下,第2区域42N具有与第3面42F重叠的区域,但不具有与第2面42E重叠的区域。
包围部43的第1面44E具有构成第1面44E的外缘的一部分的第1边441。在垂直于萤光部41的第1面42D的平面视下,萤光部41的第1边421相对于包围部43的第1边441倾斜。在垂直于萤光部41的第1面42D的平面视下,萤光部41的第2边422相对于包围部43的第1边441倾斜。倾斜,换言之,表示即不平行也不垂直的意思。在此,平行以及垂直容许有±8度的差。
由通过萤光部41的第1边421的直线与通过包围部43的第1边441的直线构成的第1角的角度,与由通过萤光部41的第2边422直线与通过包围部43的第1边441的直线构成的第2角的角度是相同角度。在此,相同角度容许有5度以内的角度差。第1角以及第2角的角度为10度以上80度以下。
包围部43的第1面44E还具有构成第1面44E的外缘的一部分的第2边442以及第3边443。第2边442以及第3边443均与第1边441相交。第1角的角度,与由通过萤光部41的第1边421的直线与通过包围部43的第2边442的直线构成的角的角度是相同角度。第2角的角度,与由通过萤光部41的第2边422的直线与通过包围部43的第3边443的直线构成的角的角度是相同角度。在此,相同角度容许有5度以内的角度差。
包围部43的第1面44E还具有构成第1面44E的外缘的一部分的第4边444。包围部43的第1面44E的外缘是矩形的形状。在此,第1边441、第2边442、第3边443以及第4边444成为该矩形的各边。
在图示的萤光部件40中,萤光部41的第1边421与第2边422的交点位于连接包围部43的第1边441的中点与第4边444的中点的线上。另外,萤光部41的第3边423与第4边424的交点位于该线上。萤光部41的第1边421与第3边423的交点以及第2边422与第4边424的交点位于连接包围部43的第2边442的中点与第3边443的中点的线上。
包围部43的第1边441的长度大于萤光部41的第1边421或者第2边422的长度的根2倍,且4倍以下。在第1角以及第2角为45度的情况下,通过设定为大于根2倍,能够由外缘为矩形的第1面44E,在俯视下包围萤光部41。另外,通过设定为4倍以下,能够抑制萤光部件40的大小。
包围部43的第1边441是包围部43的第1面44E与第4面44H的交线。包围部43具有作为包围部43的第2面44F与第4面44H的交线的第5边445。在垂直于第4面44H的平面视下,第2面44F的面积大于第4面44H的面积。在垂直于第4面44H的平面视下,包围部43的第4面44H不与萤光部41的第2面42E重叠。
在垂直于第4面44H的平面视下,关于第4方向,包围部43的第4面44H的长度为包围部43的第2面44F的长度的150%以下。在垂直于第4面44H的平面视下,关于第4方向,包围部43的第2面44F的长度大于萤光部41的第2面42E的长度,且为萤光部41的第2面42E的长度的150%以下。
萤光部41的第2面42E以及包围部43的第2面44F具有平面区域以及与平面区域连接的曲面区域。平面区域构成垂直于第1方向的平面。第2面42E的平面区域与萤光部41的第3面42F相交,第2面44F的平面区域与包围部43的第3面44G相交。第2面44F的曲面区域相较于第2面42E的曲面区域而言,朝着与第1方向相反的方向延伸。第2面44F的曲面区域与包围部43的第4面44H相交。
第2面42E的平面区域,除了与第2面42E的曲面区域以及第3面42F连接的部分以外,被第2面44F的平面区域包围。第2面42E的曲面区域,除了与第2面42E的平面区域连接的部分以外,被第2面44F的曲面区域包围。在垂直于平面区域的平面视下的萤光部41的第2面42E的面积,小于在垂直于第1面42D的平面视下的萤光部41的第1面42D的面积。
光控制膜45使特定波长的光透射,而对另一特定的波长的光进行反射。光控制膜45被设置在萤光部41的第2面42E上。光控制膜45被设置在萤光部41的第2面42E的整个面。光控制膜45被设置在萤光部41的第2面42E上以及包围部43的第2面44F上。光控制膜45被设置在包围部43的第2面44F的整个面。
光反射膜46对射入光反射膜46的光进行反射。光反射膜46对射入光反射膜46的光的90%以上进行反射。被光反射膜46反射的光的波长可以有限制。例如,光反射膜46对可视光的光进行反射。或者,光反射膜46对300nm~1000nm的波长的光进行反射。光反射膜46被设置在萤光部41的第3面42F上。光反射膜46被设置在萤光部41的第3面42F的整个面。光反射膜46被设置在萤光部41的第3面42F上以及包围部43的第3面44G上。光反射膜46被设置在包围部43的第3面44G的整个面。
萤光部41包含萤光体。作为萤光体,可以举出由铈激活的钇·铝·石榴石(YAG)、由铈激活的镥·铝·石榴石(LAG)、由铕激活的硅酸盐((Sr,Ba)2SiO4)、α赛隆萤光体、β赛隆萤光体等。其中,YAG萤光体的耐热性良好。
萤光部41优选以光照射不易分解的无机材料作为主材料形成。萤光部41的主材料,例如有陶瓷。在此,主材料可以不限定于陶瓷。另外,萤光部41可以由萤光体单晶形成。作为陶瓷,例如可以举出氧化铝、氮化铝、氧化硅、氧化钇、氧化锆或氧化镁。萤光部41例如是以陶瓷作为主材料形成的烧结体。萤光部41,例如,能够通过对萤光体与氧化铝等的透光性材料进行烧结而形成。萤光体的含量相对于陶瓷的总体积可以是0.05体积%~50体积%。另外,还可以使用例如对萤光体的粉体进行烧结,实质上仅由萤光体构成的陶瓷。
包围部43的主材料例如是陶瓷。作为用为主材料的陶瓷,例如可以举出氧化铝、氮化铝、氧化硅、氧化钇、氧化锆或氧化镁等。包围部43例如是以陶瓷作为主材料形成的烧结体。在此,作为包围部43的主材料也可以不使用陶瓷。
可以通过将萤光部41与包围部43一体形成,以形成萤光部件40。例如,通过对萤光部41与包围部43进行一体烧结,能够形成萤光部件40。关于萤光部件40的制造方法,详情后述。
光控制膜45可由多种电介质层经叠层而形成多层膜的电介质多层膜构成。作为电介质层,能够采用氧化硅、氧化铌、氧化铝、氮化铝、氧化钛、氧化钽等。通过适当地组合这些材料,制作成符合目的的电介质多层膜。光反射膜46例如可由银、铝等的金属或电介质多层膜形成。
(保护元件50)
保护元件50是用于防止过剩的电流流入特定的元件(例如发光元件20)而导致破损的结构。作为保护元件50,例如可以举出稳压二极管。另外,作为稳压二极管,能够采用由Si形成的结构。
(布线60)
布线60是以两端作为接合部的线状的导电性材料。两端的接合部成为与其他结构要素的接合部分。布线60例如是金属线。金属可以采用例如金、铝、银、铜等。
接下来,关于具有上述结构要素的发光装置1进行说明。
(发光装置1)
在发光装置1中,发光元件20被配置在封装体10A的内部空间。发光元件20被配置在封装体10A的基部14A。发光元件20被配置在基部14A的第1安装面141。发光元件20被配置在封装体10A的配置区域。发光元件20射出从光出射面朝向框部15的方向的光。发光元件20射出从光出射面射向第1方向的光。
发光元件20利用基台30被安装在封装体10A。通过利用基台3,能够提高发光元件20的发光点。发光元件20被配置成其光出射面与基台30的1个侧面朝向同一方向的方式。另外,发光元件20的光出射面,例如与框部15的内侧面或外侧面平行。在此,平行容许有±10度的差。
发光元件20被配置成,俯视下发光元件20的长边与框部15构成的框的长边方向对齐的方式。由此,能够实现发光装置1的小型化。在利用基台30的情况下,基台30的长边也与框部15构成的框的长边方向对齐配置,有利于发光装置1的小型化。
在发光装置1中,保护元件50被配置在封装体10A的内部空间。保护元件50被安装在基台30上。
发光元件20,俯视下,在与长边方向平行的假想线将基台30一分为二的情况下,被配置在接近框部15的阶差部151的区域。另一方面,保护元件50被配置在距离框部15的阶差部151较远的区域。通过这样配置,能够使发光元件20射出的光的光轴接近发光装置1的短边方向的中心。
为了将发光元件20电连接于基部件11A,设有多个布线60。多个布线60中包括,两端中的一端的接合部接合于发光元件20,另一端的接合部接合于阶差部151的上面的布线60。另外,多个布线60中包括,两端中的一端的接合部接合于基台30,另一端的接合部接合于阶差部151的上面的布线60。该布线,在上述距离框部15的阶差部151较远的区域,与基台30接合。
用于将发光元件20电连接于基部件11A的布线60全部都接合在沿着框部15的框的一边设置的阶差部151。通过这种方式,只需沿着框部15的框的一边设置阶差部151既可,能够实现发光装置1的小型化。
在发光装置1中,萤光部件40被配置在封装体10A的内部空间。萤光部件40被配置在基部14A的第1安装面141。萤光部件40被配置在封装体10A的配置区域。发光元件20射出从光出射面朝向萤光部件40的光。从发光元件20射出的光射入萤光部件40的萤光部41。萤光部件40被配置在从发光元件20沿着第1方向前进的位置上。即,可以说萤光部件40被配置在从发光元件20的配置位置朝着第1方向前进远离的位置。
萤光部件40以第3面42F与基部14A之上面相对的朝向,被配置在基部14A。萤光部件40以第2面42E与发光元件20的光出射面相对的朝向被配置。从发光元件20射出的光射入萤光部件40的第2面42E。可以说萤光部件40的第2面42E是用于接受从发光元件20射出的光射入的光入射面。在萤光部件40的侧面设有光入射面。从发光元件20射出的主要部分的光,在光入射面上被包含在光入射面的外缘内。
根据通过萤光部件40的第2面42E射入的光,萤光部41射出萤光。从萤光部件40的第1面42D,射出源于发光元件20的光或由萤光部41生成的萤光。第1面42D也可以仅射出萤光,但是例如通过混合射出由发光元件20射出的蓝色光与由萤光体生成的黄色萤光,能够射出白色的光。即,可以说从萤光部件40的第1面42D,可以射出源于发光元件20的光以及由萤光部41生成的萤光。
萤光部41根据发光元件20射出的光,发出将该光变换成不同的波长之后的光(萤光)。在此,由萤光部41发出的萤光的一部分可以是与发光元件20射出的光具有相同波长的光。可以说萤光部41是根据发光元件20射出的光,从第1面42D射出波长变换后的光的波长变换部。另外,可以说萤光部件40是具有波长变换部的波长变换部件。
从萤光部件40的第1面42D向上方射出光。从萤光部件40的第1面42D射出的光,向封装体10A的外部射出。可以说第1面42D是萤光部件40的光出射面。在萤光部件40的上面设有光出射面。
在此,发光装置1并不限定于以第1面42D作为光出射面,以第2面42E作为光入射面的形态。另外,发光装置1也并不限定于以萤光部件40的侧面作为光入射面,以上面作为光出射面的形态。例如,萤光部件40可以是以某侧面作为光入射面,以另一侧面作为光出射面。
如图示的发光装置1,将作为萤光部件40的侧面的第2面42E设为光入射面,并将作为上面的第1面42D设为光出射面时,萤光部件40的第1面42D上的第1区域,在垂直于第1面42D的平面视下,形成从最接近发光元件20的点或边朝向第1方向,第2方向的宽度增宽的形状。另外,在垂直于第1面42D的平面视下,第2面42E的至少80%以上的区域被包含在,相对于通过最接近第1面42D的发光元件20的点或边并与第2方向平行的假想线而言沿着第1方向更离的区域中。另外,在垂直于第1面42D的平面视下,第2面42E的至少80%以上的区域被包含在第1面42D的外缘的内侧(不包括外缘)。另外,在垂直于第1面42D的平面视下,第2面42E的至少80%以上的区域被包含在第1面42D的第1区域的内侧(不包括外缘)。
发光元件20射出在垂直于第1方向的平面上,第3方向比第2方向长的形状的光。例如,从作为半导体激光元件的发光元件20,以FFP的快轴方向与第3方向平行、慢轴方向与第2方向平行的方式射出光(激光)。在此所述的平行均容许有±8度的差。从发光元件20射出的主要部分的光,在垂直于第1方向的平面上,具有第3方向比第2方向长的形状。
萤光部件40的第2面42E是第3方向的最大宽度大于第2方向的最大宽度的形状,以使光入射面的形状对应射入光入射面的光的形状。由此,能够抑制从萤光部41的光入射面射出的光,有效率地从萤光部件40的光出射面输出光。
萤光部件40的第2面42E的第2方向的最大宽度为射入第2面42E主要部分的光的FFP的短径的长度的5倍以下。萤光部件40的第2面42E的第3方向的最大宽度为射入第2面42E的主要部分的光的FFP的长径的长度的5倍以下。通过以这样的条件使光入射面的形状对应射入光入射面的光的形状,能够从萤光部件40的光出射面有效率地输出光。
在萤光部件40的光入射面上的第2方向的最大宽度与第3方向的最大宽度之比率,被控制在从发光元件20射出的光的第2方向的最大宽度与第3方向的最大宽度之比率的50%至200%之间。由此,能够抑制从萤光部41的光入射面被射出的光,有效率地从萤光部件40的光出射面输出光。
在图示的发光装置1中,第3方向与第4方向为相同方向,第2方向与第5方向为相同方向。从作为半导体激光元件的发光元件20,以FFP的快轴方向与第4方向平行、慢轴方向与第5方向平行的方式射出光。这种发光装置1,能够有效率地输出光。
在发光装置1中,从发光元件20射出的光,射入第2面42E的平面区域。从发光元件20射出的主要部分的光射入第2面42E的平面区域,并且,也可能射入曲面区域。通过使光射入平面区域以及曲面区域,能够使光有效率地射入第2面42E,从而有效率地输出光。
或者,从发光元件20射出的主要部分的光,也可以是射入第2面42E的平面区域,但不射入曲面区域的形态。若不利用曲面区域,能够控制射入第2面42E的主要部分的光的前进方向,改善射出的光的颜色不均。
相对于射入第2面42E的光的第3方向的长度,萤光部件40的第3方向的长度为1.2倍以上3倍以下。通过设为1.2倍以上,能够使光入射面的上端与光出射面分离,通过设为3倍以下,能够抑制萤光部件40的尺寸。萤光部件40在第3方向上过短时,无法使光充分扩散,因此从亮度不均或颜色不均的观点而言,射出的光的品质可能不足。另一方面,萤光部件40在第3方向上过长时,从光出射面射出的光的取出效率可能会恶化。通过将萤光部件40的第3方向的长度控制在该范围内,能够有效率地输出光。
萤光部件40,由于第3面42F与第2面42E相交,第2面42E构成萤光部件40的外缘的下端的一部分。如上所述,由于光入射面延伸至萤光部件40的下端,因此更容易将发光元件20发出的光收入萤光部41,能够有效率地输出光。
另一方面,萤光部件40,由于第1面42D与第2面42E不相交,包围部43的面44可明确区分光入射面与光出射面,因此能够从光出射面有效率地取出出射光。
在发光装置1中,萤光部41的第1面42D与第2面42E的形状满足第1面42D的第2方向的最大宽度大于第2面42E的第2方向的最大宽度的条件。通过在满足该条件的前提下设计第1面42D与第2面42E的形状,能够提供可有效率地输出光的发光装置1。
萤光部件40的第1边441与第2方向平行。萤光部件40的第2边442与第1方向平行。萤光部件40的第3边443与第1方向平行。萤光部件40的第4边444与第2方向平行。在此所说的平行均允许具有±10度的差。
在萤光部件40中,包围部43抑制射入萤光部41的光或在萤光部41形成的萤光从光入射面或光出射面以外被射出。另外,包围部43也构成对射入萤光部41的光或在萤光部41形成的萤光进行反射的光反射部。尤其是,萤光部41的与未露出的面相接的区域的近旁,作为反射区域发挥功能。例如,在通过烧结形成包围部43时,通过在该区域的近旁设置空隙,能够使之具有反射功能。因此,包围部43与萤光部41的第1面42D以及第2面42E的外缘连接的情况,可能有利于从光出射面有效率地输出光。在发光装置1中,来自发光元件20的射入萤光部41的光,以及在萤光部41生成的萤光被光反射部(包围部43)反射。
从第2面42E射入并在萤光部41前进的光,在与第4面42P、第5面42Q、第6面42R以及第7面42S相接的包围部43的内侧面44D的近傍被反射。如上所述,通过在被包围的部分有效率地反射光,能够从光出射面有效率地射出光。
另外,萤光部41通过具有第2区域42N,具有与第2区域42N的外缘相交的第6面42R以及第7面42S,利用与这些面42相接的包围部43的反射功能,能够从光出射面有效率地输出光。
在发光装置1中,从第2面42E的上端到第1面42D为止的第3方向的距离小于从第2面42E的上端到第1安装面141为止的第3方向的距离。通过以满足该条件的方式设计萤光部件40的形状,发光装置1能够有效率地输出光。在图示的发光装置1中,从第2面42E的上端至第1面42D为止的第3方向的距离小于第2面42E的第3方向的长度。
俯视下,萤光部件40的第1方向的宽度为,框部15的1个或多个内侧面的框的第1方向的宽度的10%以上50%以下。另外,俯视下,从发光元件20至萤光部件40的第1方向的最大长度(关于第1方向,从萤光部件40至最远的发光元件20上的点与从发光元件20至最远的萤光部件40上的点之间的长度)为框部15的1个或多个内侧面的框的第1方向的宽度的50%以上且未满100%。如上所述,通过抑制萤光部件40的第1方向的大小,能够制造成小型的发光装置1。
连接萤光部件40的第1边421与第2边422的交点以及第3边423与第4边424的交点的假想线,与发光元件20射出的光的光轴平行。另外,俯视下,该假想线与光的光轴重叠。在此所说的平行,允许假想线与光轴构成的角在10度以内。由此,能够确保与光轴重叠的直线上的,从光入射面至第6面42R或第7面42S为止的距离较长,从而相对地提高萤光的波长变换效率。由此,能够降低为了获得必要的萤光所需要的萤光部41的高度,有效率地输出光。
在光控制膜45透射的光的波长范围中包含从发光元件20射出光的发光峰值波长。被光控制膜45反射的光的波长范围中包含在萤光部41生成的萤光的峰值波长。光控制膜45对例如440nm至650nm的波长范围的光的80%以上进行反射。通过将光控制膜45设置在萤光部件40的光入射面,能够有效率地输出光。
光反射膜46对于从光入射面射入萤光部41光、以及在萤光部41生成的萤光进行反射。通过将向下方前进的光反射向上方,能够从光出射面有效率地输出光。
(萤光部件40的制造方法)
参考图12A至图12C,说明萤光部件40的制造方法的一例。能够通过包含多个工序的制造方法,制造萤光部件40。该多个工序包含:准备具有多个萤光部41的基材1A的工序(以下,称为第1工序);切削基材1A设置第2面42E的工序(以下,称为第2工序);以及,对多个萤光部41进行单片化的工序(以下,称为第3工序)。另外,该多个工序中还可以包含在第2面42E上设置光控制膜45的工序、在第3面42F上设置光反射膜46的工序。此外,还可以包含其他工序。
图12A是在第1工序中准备基材1A的模式图。图12B是表示在第2工序中为了设置第2面42E如何切削基材1A的模式图。在图12B中,以虚线表示被切削的部分。图12C是表示在第3工序中为了将连接有多个萤光部件40的基材1A单片化成各萤光部件40,如何切断基材1A的模式图。在图12C中,由虚线表示被切断的部分。
在第1工序准备的基材1A是多个萤光部41彼此相离排列,并以包围多个萤光部41的全侧面的方式设置有包围部43的基材1A(参照图12A)。多个萤光部41是四角柱的形状。多个萤光部41被配置成俯视下相邻的萤光部41的四角形的交点彼此最接近,且四角形的对角彼此平行的排列方式。
在图12A中,多个萤光部41沿着第2方向排列配置。并且,在第1方向上配置有多个沿着第2方向排列的多个萤光部41。另外,萤光部41的第3面42F朝向上面。
在第1工序中准备的基材1A具有多个萤光部41与包围部43,多个萤光部41分别具有第3面42F,该第3面42F的形状包括垂直于第1方向的第2方向的宽度朝着第1方向变宽的第3区域42L。包围部43包围多个萤光部41的第3面42F的外缘。
在第1工序中准备的基材1A中,多个萤光部41分别具有包括第1区域42M的形状的第1面42D。在第1工序中准备的基材1A的萤光部41不具有第2面42E。
在第2工序中,在垂直于第3面42F的平面视下,沿着与第2方向平行,且宽度大于第3区域42L中的第2方向的最小宽度且小于最大宽度的直线,从第3面42F朝向第1面42D的方向对基材1A进行切削,切削至不及第1面42D的位置。通过这样切削,在多个萤光部41分别形成第2面42E。另外,通过这样切削,形成第3面42F的第5边425。
在第2工序中,对第2方向上排列配置的多个萤光部41一并进行切削。在第1工序中,通过将多个萤光部41的交点配置成彼此相对的方式,因此能够一并进行切削。
在第3工序中,仅切断构成基材1A的萤光部41与包围部43中的包围部43,使多个萤光部41单片化。通过在上下方向进行切断,能够对多个萤光部41进行单片化。另外,单片化的萤光部41分别与具有第2面44F以及第4面44H的包围部连接。
在第3工序中,只对基材1A的包围部43进行切断,以实现分别具有第1面42D、第2面42E以及第3面42F的多个萤光部件40的单片化。随着多个萤光部件40的单片化而被单片化的各个萤光部41中,第1面42D、第2面42E以及第3面42F被露出,其他面42被包围部43覆盖。另外,通过这样切断,形成包围部43的第4面44H。如上所述,多个萤光部41经单片化分别成为多个萤光部件40的一部分。
第2工序中的切削与第3工序中的切断,可以使用相同的切割装置进行。在第2工序中,控制切割装置进行到接近切断的程度,而在第3工序中,控制切割装置进行到切断的程度。在第2工序以及第3工序中,均能够沿着直线状进行切削或切断,因此能够简单地制造成萤光部件40。
<第2实施方式>
对第2实施方式的发光装置2进行说明。发光装置2的封装体的形状不同于第1实施方式。图13以及图14是用于说明发光装置2的例示性的形态的附图。另外,图1以及图5至图12C也可以用作说明发光装置2的附图。图13是从发光装置2中卸下盖部件16的状态的俯视图。图14是沿着图1的XIV-XIV剖面线的剖面图。
发光装置2具有多个结构要素。多个结构要素包括封装体10B、发光元件20、基台30、萤光部件40、保护元件50以及多个布线60。另外,封装体10B具有基部14B。另外,封装体10B具有基部件11B。
在上述第1实施方式的发光装置1以及各结构要素的相关说明中,除了与发光装置2所涉及的图1以及图5乃至图14等附图矛盾的内容之外,全部内容可用于发光装置2的说明。关于不矛盾的全部内容,为了避免重复,在此不再赘述。
另外,关于第1实施方式的封装体10A的相关说明,除了与第2实施方式的封装体10B所涉及的附图矛盾的内容之外,也可用于封装体10B的说明。在此,第1实施方式中的封装体10A、基部件11A、安装基板12A以及基部14A分别对应于第2实施方式中的封装体10B、基部件11B、安装基板12B以及基部14B。
(封装体10B)
在封装体10B中,基部14B具有第2安装面142。第2安装面142设置在比第1安装面141更为下方侧。第2安装面142在俯视下被第1安装面141包围。在基部14B,可以说形成有被第1安装面141包围的凹部143。
(发光装置2)
在发光装置2中,在第1安装面141上配置萤光部件40,在第2安装面142上配置发光元件20。由此,相较于第1实施方式的发光装置1而言,相对于萤光部件40,能够将从发光元件20射出的光的发光点设置在较低位置。通过缩短从发光点至光反射膜46的距离,可使光入射面的面积相对变小,有效率地输出光。
以上,说明了本发明的各实施方式,但本发明的发光装置并不严密限定于各实施形态的发光装置。即,并不表示本发明只能够通过各实施方式公开的发光装置的外形或结构才能实现。本发明并不要求充分必要地具备所有的结构要素,可适当应用。例如,在权利要求书中未记载实施方式所公开的发光装置的结构要素的一部分的情况下,关于该一部分的结构要素,允许替换、省略、形状变更、材料变更等由本领域技术人员进行设计的自由度,在此基础上确定应用权利要求书中记载的发明。
各实施方式中记载的发光装置,能够使用于智能照明或间接照明等照明器具、车前灯、头带式显示器、投影机、显示器等。
符号说明
1、2发光装置
10A、10B封装体
11A、11B基部件
12A、12B安装基板
13框部件
14A、14B基部
141第1安装面
142第2安装面
143凹部
15框部
151阶差部
16盖部件
17盖部
20发光元件
30基台
40萤光部件
41萤光部
42面
42A上面
42B下面
42C侧面
42D第1面
42E第2面
42F第3面
42P第4面
42Q第5面
42R第6面
42S第7面
421第1边
422第2边
423第3边
424第4边
425第5边
42M第1区域
42N第2区域
43包围部
44面
44A上面
44B下面
44C外侧面
44D内侧面
44E第1面
44F第2面
44G第3面
44H第4面
44I第5面
441第1边
442第2边
443第3边
444第4边
445第5边
45光控制膜
46光反射膜
50保护元件
60布线
1A基材
42L第3区域

Claims (16)

1.一种萤光部件,包括:
萤光部,具有第1面与第2面;及
包围部,连接于所述第1面的外缘,并连接于所述第2面的外缘,
在垂直于所述第1面的平面视下,所述第1面是具有朝着第1方向与所述第1方向垂直的第2方向的宽度变宽的第1区域的形状,
所述第2面的所述第2方向的最大宽度,大于所述第1面的所述第2方向的最小宽度并小于最大宽度。
2.根据权利要求1所述的萤光部件,其中,
在垂直于所述第1面的平面视下,所述第2面被包含在所述第1区域。
3.根据权利要求1或2所述的萤光部件,其中,
所述第2面与所述第1面并非平行。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的萤光部件,其中,
所述第2面是垂直于所述第1方向以及第2方向的第3方向的最大宽度大于所述第2方向的最大宽度的形状。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的萤光部件,其中,
所述萤光部具有与所述第1面为相反侧的第3面,
所述第3面的面积小于所述第1面。
6.根据权利要求5所述的萤光部件,其中,
所述第1面具有形成所述第1区域的第1边以及第2边,
所述第3面,在垂直于所述第1面的平面视下,具有与所述第1边局部重叠的边、与所述第2边局部重叠的边、以及与连接所述第1边的中途点以及所述第2边的中途点的直线重叠的边。
7.根据权利要求5或6所述的萤光部件,其中,
所述第2面与所述第3面相交,但不与所述第1面相交。
8.根据权利要求5至7中的任一项所述的萤光部件,其中,
在垂直于所述第1面的平面视下,所述第1面的形状包含所述第3面的形状,
所述第1区域包括与所述第3面重叠的区域、以及不与所述第3面重叠但与所述第2面重叠的区域。
9.根据权利要求1至5中的任一项所述的萤光部件,其中,
在垂直于所述第1面的平面视下,所述第1面具有形成所述第1区域的第1边以及第2边、形成第2区域的第3边以及第4边,所述第2区域是朝着所述第1方向,所述第2方向的宽度变窄的区域,
在垂直于所述第1面的平面视下,所述第2面被包含在所述第1面,并与所述第1区域重叠,但不与所述第2区域重叠。
10.根据权利要求1至9中的任一项所述的萤光部件,其中,
所述第1面是四角形的形状。
11.一种具有第1面、第2面以及作为所述第1面的相反侧面的第3面的萤光部件的制造方法,包括:
准备基材的工序,所述基材具有多个萤光部以及包围部,所述多个萤光部分别具有所述第3面,且所述第3面是具有朝着第1方向与所述第1方向垂直的第2方向的宽度变宽的区域的形状,所述包围部包围所述多个萤光部的所述第3面的外缘;
在所述多个萤光部分别形成所述第2面的工序,在垂直于所述第3面的平面视下,沿着与所述第2方向平行的、以大于所述区域中的所述第2方向的最小宽度并小于最大宽度之宽度通过的直线,从所述第3面朝着所述第1面的方向切削所述基材,切削至不及所述第1面的位置;及
只对所述基材的所述包围部进行切断,以使所述多个萤光部单片化的工序。
12.根据权利要求11所述的制造方法,其中,
在准备所述基材的工序中,所述多个萤光部分别具有所述第1面,所述第1面是具有朝着第1方向与所述第1方向垂直的第2方向的宽度变宽的区域的形状,
在使所述多个萤光部单片化的工序中,只对所述基材的所述包围部进行切断,实现分别具有所述第1面、所述第2面以及所述第3面的多个萤光部件的单片化。
13.一种发光装置,包括:
发光元件;
根据权利要求1至10中的任一项所述的萤光部件;及
形成用于配置所述发光元件以及所述萤光部件的内部空间的封装体,
从所述发光元件射出的光,射入所述萤光部件的所述第2面,
从所述萤光部件的所述第1面射出的光,向所述封装体的外部射出。
14.根据权利要求13所述的发光装置,其中,
所述萤光部件被配置在从所述发光元件朝向所述第1方向前进的位置。
15.根据权利要求13或14所述的发光装置,其中,
所述发光元件,在垂直于所述第1方向的平面上,射出相较于所述第2方向而言在垂直于所述第1方向以及第2方向的方向上更长的形状的光。
16.根据权利要求15所述的发光装置,其中,
所述发光元件是半导体激光元件,射出用于形成以所述第2方向作为慢轴、以垂直于所述第1方向以及第2方向的方向作为快轴的远场图形的激光。
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