CN116895585A - 用于制造显示装置的设备和方法 - Google Patents

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Abstract

本申请涉及用于制造显示装置的设备和方法。用于制造显示装置的设备包括：台；面板单元，设置在台上并且包括第一对准线和平行于第一对准线延伸的第二对准线；场施加部分，向面板单元的第一对准线和第二对准线提供对准信号；以及发光元件，在第一对准线和第二对准线之间对准。对准信号具有相同的正积分值和负积分值，具有与对准信号的负峰值电压不同的正峰值电压并且具有与对准信号的负脉冲宽度不同的正脉冲宽度。

Description

用于制造显示装置的设备和方法
技术领域
本公开涉及用于制造显示装置的设备和方法。
背景技术
随着多媒体技术的发展，显示装置变得越来越重要。因此，已经使用了各种显示装置，诸如有机发光二极管(OLED)显示装置、液晶显示(LCD)装置等。
通常，显示装置包括用于显示图像的显示面板，诸如发光显示面板或LCD面板。发光显示面板可以通过使用发光元件发射光来显示图像。具体地，发光二极管(LED)(诸如使用有机材料作为荧光材料的OLED和使用无机材料作为荧光材料的无机LED)可以用作发光元件。用于制造显示装置的设备可以通过使用对准信号来在显示装置中对准无机LED。
发明内容
本公开的方面提供了用于制造显示装置的设备和方法，其可以通过改善发光元件的对准和偏转的效率来改善显示装置的发射效率。
然而，本公开的方面不限于本文中所阐述的那些。通过参考下面给出的本公开的详细描述，本公开的以上和其它方面对于本公开所属领域中的普通技术人员将变得更加显而易见。
根据本公开的实施方式，用于制造显示装置的设备可以包括：台；面板单元，设置在台上并且包括第一对准线以及平行于第一对准线延伸的第二对准线；场施加部分，向面板单元的第一对准线和第二对准线提供对准信号；以及发光元件，在第一对准线和第二对准线之间对准。对准信号可以具有相同的正积分值和负积分值，具有与对准信号的负峰值电压不同的正峰值电压并且具有与对准信号的负脉冲宽度不同的正脉冲宽度。
对准信号可以与可以施加到第一对准线和第二对准线的第一对准信号和第二对准信号之间的电势差对应。
在对准信号的正脉冲宽度小于对准信号的负脉冲宽度的情况下，对准信号的正峰值电压可以比对准信号的负峰值电压高。
在对准信号是具有T的周期、A的正脉冲宽度和B的正峰值电压(其中T、A、B可以是正实数)的矩形波的情况下，对准信号的负脉冲宽度可以是T-A，并且对准信号的负峰值电压可以是-(A×B)/(T-A)。
在对准信号的阈值电压为零的情况下，对准信号的净直流(DC)电压可以为零。
在对准信号的阈值电压超出对准信号的负峰值电压的情况下，对准信号的净DC电压可以最大化。
随着面板单元的RC值增加，对准信号的净DC电压可以降低。
设备还可以包括：电压输出器，生成并输出对准信号；放大器，放大对准信号，并且将放大的对准信号提供到场施加部分；控制器，向电压输出器提供确定对准信号的波形的控制信号；发射驱动器，从控制器接收发射时序信号，并且输出发射驱动信号；以及光照射部分，从发射驱动器接收发射驱动信号，并且向面板单元施加光。
控制器可以使控制信号和发射时序信号同步，使得对准信号和发射时序信号可以具有相同的频率。
根据本公开的实施方式，用于制造显示装置的设备可以包括：台；面板单元，设置在台上并且包括第一对准线以及平行于第一对准线延伸的第二对准线；场施加部分，向面板单元的第一对准线和第二对准线提供对准信号；以及发光元件，在第一对准线和第二对准线之间对准。对准信号可以具有与对准信号的负峰值电压不同的正峰值电压，具有与对准信号的负脉冲宽度不同的正脉冲宽度，并且具有0的初始直流(DC)分量。
在对准信号的正脉冲宽度小于对准信号的负脉冲宽度的情况下，对准信号的正峰值电压可以比对准信号的负峰值电压高。
在对准信号是具有T的周期、A的正脉冲宽度和B的正峰值电压(其中T、A、B可以是正实数)的矩形波的情况下，对准信号的负脉冲宽度可以是T-A，并且对准信号的负峰值电压可以是-(A×B)/(T-A)。
在对准信号的阈值电压为零的情况下，对准信号的净DC电压可以为零。
在对准信号的阈值电压超出对准信号的负峰值电压的情况下，对准信号的净DC电压可以最大化。
随着面板单元的RC值增加，对准信号的净DC电压可以降低。
根据本公开的实施方式，制造显示装置的方法可以包括：准备面板单元，面板单元包括第一对准线以及平行于第一对准线延伸的第二对准线；向第一对准线和第二对准线提供对准信号，对准信号具有相同的正积分值和负积分值，具有与对准信号的负峰值电压不同的正峰值电压并且具有与对准信号的负脉冲宽度不同的正脉冲宽度；以及在第一对准线与第二对准线之间对准发光元件。
在对准信号的正脉冲宽度小于对准信号的负脉冲宽度的情况下，对准信号的正峰值电压可以比对准信号的负峰值电压高。
在对准信号是具有T的周期、A的正脉冲宽度和B的正峰值电压(其中T、A、B可以是正实数)的矩形波的情况下，对准信号的负脉冲宽度可以是T-A，并且对准信号的负峰值电压可以是-(A×B)/(T-A)。
在对准信号的阈值电压为零的情况下，对准信号的净直流(DC)电压可以为零。
在对准信号的阈值电压超出对准信号的负峰值电压的情况下，对准信号的净DC电压可以最大化。
根据本公开的前述和其它实施方式，通过提供具有相同的正积分值和负积分值、具有与其负峰值电压不同的正峰值电压并且具有与其负脉冲宽度不同的正脉冲宽度的对准信号，可以改善发光元件的对准和偏转的效率。因此，可以改善显示装置的发射效率。
应当注意，本公开的效果不限于上面所描述的那些，并且本公开的其它效果将从以下描述中显而易见。
附图说明
通过参考附图详细描述本公开的实施方式，本公开的以上和其它方面以及特征将变得更加显而易见，在附图中：
图1是根据本公开的实施方式的显示装置的示意性立体图；
图2是图1的显示装置的示意性平面图；
图3是图1的显示装置的像素的示意性平面图；
图4是图1的显示装置的发光元件的示意性立体图；
图5是沿着图3的线I-I'截取的示意性剖视图；
图6是根据本公开的实施方式的母衬底的示意性平面图；
图7是图6的面板单元的示意性平面图；
图8是根据本公开的实施方式的用于制造显示装置的设备的示意性剖视图；
图9是图8的设备的示意性框图；
图10是示出根据本公开的实施方式的在显示装置的制造中使用的矩形波对准信号的示意性波形图；
图11是示出根据图10的实施方式的不同RC值的净DC电压的示意图；
图12是示出根据本公开的实施方式的在显示装置的制造期间的正弦波对准信号的示意性波形图；
图13是示出根据图12的实施方式的不同RC值的净DC电压的示意图；
图14是示出根据本公开的实施方式的在显示装置的制造期间的三角波对准信号的示意性波形图；
图15是示出根据图14的实施方式的不同RC值的净DC电压的示意图；
图16是示出根据本公开的实施方式的在显示装置的制造期间的半锯齿波对准信号的示意性波形图；
图17是示出根据图16的实施方式的不同RC值的净DC电压的示意图；
图18是示出根据本公开的实施方式的在显示装置的制造期间的锯齿波对准信号的示意性波形图；
图19是示出根据图18的实施方式的不同RC值的净DC电压的示意图；
图20是示出根据本公开的实施方式的不同锯齿对称的偏转率的示意图；
图21是根据本公开的实施方式的具有初始DC分量的对准信号的示意性波形图；
图22是根据本公开的另一实施方式的具有初始DC分量的对准信号的波形图；
图23是根据本公开的实施方式的改变的矩形波对准信号的示意性波形图；
图24是示出不同RC值的改变的矩形波对准信号的示意性波形图；
图25是示出根据图24的实施方式的不同RC值的净DC电压的示意图；
图26是示出根据本公开的实施方式的不同对准信号的净DC电压的示意图；以及
图27是示出根据本公开的实施方式的制造显示装置的方法的示意性流程图。
具体实施方式
在以下描述中，出于解释的目的，阐述了许多具体细节，以提供对本公开的各种实施方式或实现方式的透彻理解。如本文中所使用的，“实施方式”和“实现方式”是可互换的词，它们是采用本文中所公开的本公开的一个或多个方面的装置或方法的非限制性示例。然而，显而易见，可以在没有这些具体细节或具有一个或多个等同布置的情况下实践各种实施方式。在其它情况下，结构和装置以框图形式示出，以避免不必要地混淆各种实施方式。此外，各种实施方式可以是不同的，但不必是排他性的。例如，在不背离本公开的情况下，实施方式的特定形状、配置和特性可以在其它实施方式中使用或实现。
除非另外指定，否则所说明的实施方式应理解为提供其中可以在实践中实施本公开的一些方式的变化细节的特征。因此，除非另外指定，否则在不背离本公开的情况下，各种实施方式的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(在下文中，单独或统称为“元件”)可以以其它方式组合、分离、互换和/或重新布置。
附图中的交叉影线和/或阴影的使用通常被提供来阐明相邻元件之间的边界。因此，除非指定，否则交叉影线或阴影的存在或缺失都不传达或表示对特定材料、材料性质、尺寸、比例、所示元件之间的共性和/或元件的任何其它特性、属性、性质等的任何偏好或要求。
此外，在附图中，出于清楚和/或描述的目的，可以夸大元件的尺寸和相对尺寸。在实施方式可以不同地实施的情况下，可以与所描述的顺序不同地执行特定工艺顺序。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时执行，或者以与所描述的顺序相反的顺序执行。相同的附图标记表示相同的元件。
当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“联接到”另一元件或层时，它可以直接在另一元件或层上、直接连接到或直接联接到另一元件或层，或者可以存在居间的元件或层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接联接到”另一元件或层时，可以不存在居间的元件或层。为此，术语“连接”可以指具有或不具有居间的元件的物理连接、电连接和/或流体连接。
此外，X轴、Y轴和Z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且因此X轴、Y轴和Z轴可以在更宽泛的意义上解释。例如，X轴、Y轴和Z轴可以彼此垂直，或者可以表示可以彼此不垂直的不同方向。
出于本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个”和“从由X、Y和Z组成的群组中选择的至少一个”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z或X、Y和Z中的两个或更多个的任何组合，诸如例如XYZ、XYY、YZ和ZZ。如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关列出项目中的一个或多个的任何和所有组合。例如，“A和/或B”可以理解为意指包括“A、B或者A和B”的任何组合。术语“和”和“或”可以以结合或分离的意义使用，并且可以理解为等同于“和/或”。
尽管可以在本文中使用术语“第一”、“第二”等来描述各种类型的元件，但是这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不背离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。
出于描述的目的，可以在本文中使用空间相对术语，诸如“下面”、“下方”、“之下”、“下”、“上方”、“上”、“之上”、“更高”、“侧”(例如，如在“侧壁”中)等，并且从而描述如附图中所示的一个元件与另一元件(多个元件)的关系。除了附图中描绘的定向之外，空间相对术语旨在包含设备在使用、操作和/或制造中的不同定向。例如，如果附图中的设备被翻转，则被描述为在其它元件或特征“下方”或“下面”的元件将随之被定向在其它元件或特征“上方”。因此，术语“下方”可以包含上方和下方两种定向。此外，设备可以以其它方式定向(例如，旋转90度或处于其它定向)，并且因此，本文中使用的空间相对描述语应被相应地解释。
本文中所使用的术语是出于描述特定实施方式的目的，并且不旨在限制。如本文中所使用的，单数形式“一(a)”、“一个(an)”和“该(the)”旨在还包括复数形式，除非上下文另有明确表示。此外，当在本说明书中使用时，术语“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、“包括(includes)”和/或“包括(including)”指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其群组的存在，但不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其群组的存在或添加。还注意的是，如本文中所使用的，术语“基本上”、“约”和其它类似的术语用作近似术语而不用作程度术语，并且因此用于为将由本领域普通技术人员认识到的测量值、计算值和/或提供值中的固有偏差留有余量。仅作为一组示例，“约”可以意指在一个或多个标准偏差内，或在所述值的±30％、±20％、±10％、±5％内。
本文中参考作为理想化实施方式和/或中间结构的示意图的剖视图和/或分解图描述各种实施方式。因此，应预期例如由于制造技术和/或公差而导致的图的形状的变型。因此，在文中所公开的实施方式不应一定被解释为限于特定示出的区域形状，而是应包括例如由制造而导致的形状的偏差。以这种方式，附图中所示的区域在本质上可以是示意性的，并且这些区域的形状可以不反映装置的区域的实际形状，并且不一定旨在进行限制。
如本领域中惯用的那样，针对功能性块、单元、部分和/或模块，描述了并且在附图中示出了一些实施方式。本领域技术人员将理解，这些块、单元、部分和/或模块通过可以使用基于半导体的制造技术或其他制造技术形成的、诸如逻辑电路、离散组件、微处理器、硬布线电路、存储器元件、布线连接器等的电气电路(或光学电路)物理上地实现。在块、单元、部分和/或模块通过微处理器或其他类似硬件实现的情况下，可以使用软件(例如，微代码)对它们进行编程并控制它们以执行本文中所讨论的各种功能，并且可以可选地通过固件和/或软件来驱动它们。还设想到，每个块、单元、部分和/或模块可以通过专用硬件来实现，或者可以实现为用于执行一些功能的专用硬件与用于执行其它功能的处理器(例如，一个或多个编程式微处理器和关联电路)的组合。在不背离本公开的范围的情况下，一些实施方式的每个块、单元、部分和/或模块可以在物理上分离成两个或更多个交互且离散的块、单元、部分和/或模块。此外，在不背离本公开的范围的情况下，一些实施方式的块、单元、部分和/或模块可以在物理上组合成更复杂的块、单元、部分和/或模块。
除非本文中另有定义或暗示，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域中的普通技术人员所通常理解的含义的相同的含义。还将理解，这类术语(诸如在常用字典中定义的术语)应被解释为具有与它们在相关领域和公开的上下文中的含义一致的含义，并且不应被解释为理想化或过于形式化的含义，除非在本文中清楚地如此定义。
在下文中，将参考附图描述本公开的详细实施方式。
图1是根据本公开的实施方式的显示装置的示意性立体图。
参考图1，显示装置10可以显示运动图像或静止图像。例如，显示装置10可以应用于便携式电子装置，诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、移动通信终端、电子记事本、电子书(e-book)、便携式多媒体播放器(PMP)、导航装置或超移动PC(UMPC)。在另一示例中，显示装置10可以用作电视(TV)、笔记本计算机、监视器、广告牌或物联网(IoT)装置的显示单元。在另一示例中，显示装置10可以应用于可穿戴装置，诸如智能手表、手表电话、眼镜显示器或头戴式显示器(HMD)。在另一示例中，显示装置10可以应用于车辆的仪表板、中央仪表板或中央信息显示器(CID)、可以代替侧视镜的车辆的车内镜显示器或者设置在车辆的前座椅的后部处的娱乐显示器。
在平面图中，显示装置10可以具有大致矩形形状。例如，在平面图中，显示装置10可以具有大致矩形形状，其具有在第一方向(或X轴方向)上的长边以及在第二方向(或Y轴方向)上的短边。显示装置10的短边和长边相交的拐角可以是圆润的或直角的。显示装置10的平面形状不限于矩形形状，并且显示装置10可以形成为各种其它形状，诸如另一多边形形状、圆形形状或椭圆形形状。
显示装置10可以包括显示面板100、电路板200和显示驱动器300。显示面板100可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。
显示区域DA可以包括显示图像的像素。显示区域DA可以通过多个发射区域或开口区域发射光。显示面板100可以包括包含开关元件的像素电路、限定发射区域或开口区域的像素限定膜以及自发光元件。例如，自发光元件可以包括包含有机发光层的有机发光二极管(OLED)、包含量子点发光层的量子点发光二极管(LED)、包含无机半导体的无机LED和/或微LED，但是本公开不限于此。
非显示区域NDA可以设置在显示区域DA周围。非显示区域NDA可以限定为显示面板100的边缘区域。非显示区域NDA可以包括向栅极线提供栅极信号的栅极驱动器、电连接显示驱动器300和显示区域DA的扇出线以及连接到电路板200的焊盘单元。
电路板200可以经由各向异性导电膜(ACF)附接到显示面板100的焊盘单元。电路板200的引线可以电连接到显示面板100的焊盘单元。电路板200可以是印刷电路板(PCB)、柔性PCB(FPCB)或诸如膜上芯片(COF)的柔性膜。
显示驱动器300可以输出用于驱动显示面板100的信号和电压。显示驱动器300可以向数据线提供数据电压。显示驱动器300可以向电力线提供电源电压并且可以向栅极驱动器提供栅极控制信号。显示驱动器300可以形成为集成电路(IC)，并且可以安装在电路板200上。在其它实施方式中，显示驱动器300可以以玻璃上芯片(COG)方式或塑料上芯片(COP)方式或者经由超声接合安装在显示面板100上。
图2是图1的显示装置的示意性平面图。
参考图2，显示面板100可以包括栅极线GL、数据线DL、像素SP、栅极驱动器GIC、栅极控制线GCL、第一浮置线FL1和第二浮置线FL2、第一连接线FCL1、第二连接线FCL2、第三连接线FCL3、第四连接线FCL4、显示焊盘DP以及栅极焊盘GP。
栅极线GL、数据线DL和像素SP可以设置在显示面板100的显示区域DA中。
栅极线GL可以在第一方向(或X轴方向)上延伸，并且可以在第二方向(或Y轴方向)上彼此间隔开。栅极线GL可以将来自栅极驱动器GIC的栅极信号提供至像素SP。
数据线DL可以在第二方向(或Y轴方向)上延伸，并且可以在第一方向(或X轴方向)上彼此间隔开。数据线DL可以通过显示焊盘DP电连接到显示驱动器300。数据线DL可以将来自显示驱动器300的数据电压提供至像素SP。
像素SP可以包括第一像素SP1、第二像素SP2和第三像素SP3，并且第一像素SP1、第二像素SP2和第三像素SP3可以发射不同颜色的光。三个像素SP(即，第一像素SP1、第二像素SP2和第三像素SP3)可以形成单个像素组，但是本公开不限于此。在其它实施方式中，四个像素SP可以形成单个像素组。
第一像素SP1、第二像素SP2和第三像素SP3可以布置在第一方向(或X轴方向)和第二方向(或Y轴方向)上。第一像素SP1、第二像素SP2和第三像素SP3可以布置成矩阵。第一像素SP1、第二像素SP2和第三像素SP3可以依次布置在第一方向(或X轴方向)上。第一像素SP1、第二像素SP2或第三像素SP3可以在第二方向(或Y轴方向)上重复地布置成列，但是本公开不限于此。
像素SP中的每一个可以包括第一电极RME1和第二电极RME2。第一电极RME1和第二电极RME2可以在第二方向(或Y轴方向)上延伸，并且可以在第一方向(或X轴方向)上彼此间隔开。一个像素SP的第一电极RME1和第二电极RME2可以与另一像素SP的第一电极RME1和第二电极RME2绝缘。例如，像素SP的第一电极RME1和第二电极RME2可以分别与第一方向(或X轴方向)或第二方向(或Y轴方向)上的相邻像素SP的第一电极RME1和第二电极RME2间隔开。例如，一个像素SP的第二电极RME2可以电连接到第二方向(或Y轴方向)上的相邻像素SP的第二电极RME2。
多个发光元件可以设置在像素SP中的每一个的第一电极RME1和第二电极RME2之间。在像素SP中的每一个中，发光元件的第一端可以电连接到第一电极RME1，并且发光元件的第二端可以电连接到第二电极RME2。在像素SP中的每一个中，发光元件可以根据从第一电极RME1流向第二电极RME2的驱动电流发射光。
栅极驱动器GIC、栅极控制线GCL、第一浮置线FL1和第二浮置线FL2、第一连接线FCL1、第二连接线FCL2、第三连接线FCL3、第四连接线FCL4、显示焊盘DP以及栅极焊盘GP可以设置在显示面板100的非显示区域NDA中。
栅极驱动器GIC可以通过栅极控制线GCL电连接到栅极焊盘GP。栅极驱动器GIC可以通过栅极焊盘GP电连接到电路板200。栅极驱动器GIC可以基于来自电路板200的栅极控制信号生成栅极信号，并且可以将栅极信号依次提供到栅极线GL。
栅极驱动器GIC可以设置在非显示区域NDA的左边缘和右边缘上，但是本公开不限于此。在其它实施方式中，栅极驱动器GIC可以仅设置在非显示区域NDA的左边缘和右边缘中的一个上。
第一浮置线FL1和第二浮置线FL2、第一连接线FCL1、第二连接线FCL2、第三连接线FCL3和第四连接线FCL4可以在显示装置10的制造期间向像素SP提供第一对准信号和第二对准信号。第一浮置线FL1和第二浮置线FL2、第一连接线FCL1、第二连接线FCL2、第三连接线FCL3和第四连接线FCL4可以在发光元件的对准期间电连接到像素SP的第一电极RME1或第二电极RME2。一旦完成像素SP中的每一个中的发光元件的对准，第一浮置线FL1和第二浮置线FL2、第一连接线FCL1、第二连接线FCL2、第三连接线FCL3和第四连接线FCL4可以不再连接到像素SP的第一电极RME1和第二电极RME2、栅极线GL以及数据线DL，而是可以与像素SP的第一电极RME1和第二电极RME2、栅极线GL以及数据线DL电隔离。因此，在完成显示装置10的制造的情况下，第一浮置线FL1和第二浮置线FL2、第一连接线FCL1、第二连接线FCL2、第三连接线FCL3和第四连接线FCL4可以不再接收电压。在其它实施方式中，第一浮置线FL1和第二浮置线FL2、第一连接线FCL1、第二连接线FCL2、第三连接线FCL3和第四连接线FCL4可以接收地电压或者具有预定或可选电平的直流电压以防止静电。
第一浮置线FL1和第二浮置线FL2可以在第一方向(或X轴方向)上延伸，并且可以在第二方向(或Y轴方向)上彼此间隔开。第一浮置线FL1和第二浮置线FL2可以沿着非显示区域NDA的上边缘设置。
第一浮置线FL1可以连接在第一连接线FCL1和第三连接线FCL3之间。第一连接线FCL1和第三连接线FCL3可以在第二方向(或Y轴方向)上延伸。第一连接线FCL1可以从第一浮置线FL1朝向显示面板100的上边缘延伸。第三连接线FCL3可以从第一浮置线FL1朝向显示区域DA延伸。第一连接线FCL1可以连接到母衬底(未示出)的第一对准焊盘(未示出)。
第二浮置线FL2可以连接在第二连接线FCL2和第四连接线FCL4之间。第二连接线FCL2和第四连接线FCL4可以在第二方向(或Y轴方向)上延伸。第二连接线FCL2可以从第二浮置线FL2朝向显示面板100的上边缘延伸。第四连接线FCL4可以从第二浮置线FL2朝向显示区域DA延伸。第二连接线FCL2可以连接到母衬底的第二对准焊盘。
显示焊盘DP和栅极焊盘GP可以沿着非显示区域NDA的下边缘设置。可以设置在非显示区域NDA的下边缘的左侧或右侧上的电路板200可以连接到显示焊盘DP和栅极焊盘GP，并且在非显示区域NDA的下边缘的中间的电路板200可以连接到显示焊盘DP。连接到设置在非显示区域NDA的下边缘的左侧上的电路板200的栅极焊盘GP可以设置在显示焊盘DP的左侧上。连接到设置在非显示区域NDA的下边缘的右侧上的电路板200的栅极焊盘GP可以设置在显示焊盘DP的右侧上。
图3是图1的显示装置的像素的示意性平面图。
参考图3，像素SP可以包括可以发射不同颜色的光的第一像素SP1、第二像素SP2和第三像素SP3。三个像素SP可以形成单个像素组，但是形成单个像素组的像素SP的数量没有特别限制。在其它实施方式中，四个像素SP可以形成单个像素组。像素SP中的每一个可以限定为用于发射光的最小单元。
第一像素SP1可以发射第一颜色光，第二像素SP2可以发射第二颜色光，并且第三像素SP3可以发射第三颜色光。例如，第一颜色光可以是具有610nm至650nm的峰值波长的红光，第二颜色光可以是具有510nm至550nm的峰值波长的绿光，并且第三颜色光可以是具有440nm至480nm的峰值波长的蓝光。然而，本公开不限于该示例。
第一像素SP1、第二像素SP2和第三像素SP3中的每一个可以包括第一电极RME1、第二电极RME2、第一接触电极CTE1、第二接触电极CTE2和发光元件ED。
第一像素SP1、第二像素SP2和第三像素SP3的第一电极RME1可以是在第一像素SP1、第二像素SP2和第三像素SP3之间分离的像素电极，并且第一像素SP1、第二像素SP2和第三像素SP3的第二电极RME2可以是在第一像素SP1、第二像素SP2和第三像素SP3之间分离的公共电极。例如，第一像素SP1、第二像素SP2和第三像素SP3中的每一个的第一电极RME1可以是电连接到发光元件ED的第一端的阳极，并且第一像素SP1、第二像素SP2和第三像素SP3中的每一个的第二电极RME2可以是电连接到发光元件ED的第二端的阴极。第一像素SP1、第二像素SP2和第三像素SP3中的每一个的第一电极RME1和第二电极RME2可以在第二方向(或Y轴方向)上延伸。第一像素SP1、第二像素SP2和第三像素SP3中的每一个的第一电极RME1和第二电极RME2可以在第一方向(或X轴方向)上彼此间隔开，并且可以彼此电绝缘。
第一像素SP1、第二像素SP2和第三像素SP3中的每一个的第一电极RME1可以通过第一接触孔CNT1连接到像素电路。第一像素SP1、第二像素SP2和第三像素SP3中的每一个的第一电极RME1可以通过第一接触孔CNT1电连接到薄膜晶体管(TFT)的源电极或漏电极。第一像素SP1、第二像素SP2和第三像素SP3中的每一个的第二电极RME2可以通过第四接触孔CNT4电连接到电力线。
第一像素SP1、第二像素SP2和第三像素SP3中的每一个可以包括一个第一电极RME1和一个第二电极RME2，但是本公开不限于此。在其它实施方式中，第一像素SP1、第二像素SP2和第三像素SP3中的每一个可以包括两个或更多个第一电极RME1或者两个或更多个第二电极RME2。在其它实施方式中，第一像素SP1、第二像素SP2和第三像素SP3中的每一个可以包括一个第一电极RME1和两个第二电极RME2。
第一像素SP1、第二像素SP2和第三像素SP3中的每一个的第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2可以在第二方向(或Y轴方向)上延伸。第一像素SP1、第二像素SP2和第三像素SP3中的每一个的第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2可以在第一方向(或X轴方向)上彼此间隔开，并且可以彼此电绝缘。第一像素SP1、第二像素SP2和第三像素SP3中的每一个的第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2的第二方向(或Y轴方向)上的长度可以小于第一像素SP1、第二像素SP2和第三像素SP3中的每一个的第一电极RME1和第二电极RME2的第二方向(或Y轴方向)上的长度。第一像素SP1、第二像素SP2和第三像素SP3中的每一个的第一接触电极CTE1的第一方向(或X轴方向)上的长度可以小于第一像素SP1、第二像素SP2和第三像素SP3中的每一个的第一电极RME1的第一方向(或X轴方向)上的长度。第一像素SP1、第二像素SP2和第三像素SP3中的每一个的第二接触电极CTE2的第一方向(或X轴方向)上的长度可以小于第一像素SP1、第二像素SP2和第三像素SP3中的每一个的第二电极RME2的第一方向(或X轴方向)上的长度。
在第一像素SP1、第二像素SP2和第三像素SP3中的每一个中，第一接触电极CTE1可以在第三方向(或Z轴方向)上与第一电极RME1重叠，并且可以通过第二接触孔CNT2连接到第一电极RME1。在第一像素SP1、第二像素SP2和第三像素SP3中的每一个中，第二接触电极CTE2可以在第三方向(或Z轴方向)上与第二电极RME2重叠，并且可以通过第三接触孔CNT3连接到第二电极RME2。
在第一像素SP1、第二像素SP2和第三像素SP3中的每一个中，第一接触电极CTE1可以与发光元件ED的第一端接触，并且第二接触电极CTE2可以与发光元件ED的第二端接触。因此，在第一像素SP1、第二像素SP2和第三像素SP3中的每一个中，发光元件ED的第一端可以通过第一接触电极CTE1电连接到第一电极RME1，并且发光元件ED的第二端可以通过第二接触电极CTE2电连接到第二电极RME2。
第一像素SP1、第二像素SP2和第三像素SP3中的每一个的发光元件ED可以彼此间隔开。第一像素SP1、第二像素SP2和第三像素SP3中的每一个的发光元件ED可以在第一方向(或X轴方向)上延伸，并且可以在第二方向(或Y轴方向)上彼此间隔开。第一像素SP1、第二像素SP2和第三像素SP3中的每一个的发光元件ED可以设置在可以由堤或像素限定膜限定的第一开口区域OA1中。在第一像素SP1、第二像素SP2和第三像素SP3中的每一个中，发光元件ED的第一端可以与第一接触电极CTE1接触，并且发光元件ED的第二端可以与第二接触电极CTE2接触。在第一像素SP1、第二像素SP2和第三像素SP3中的每一个中，发光元件ED的第一端可以在第三方向(或Z轴方向)上与第一电极RME1重叠，并且发光元件ED的第二端可以在第三方向(或Z轴方向)上与第二电极RME2重叠。
第一像素SP1、第二像素SP2和第三像素SP3中的每一个的发光元件ED可以具有杆形状、线形状或管形状。例如，第一像素SP1、第二像素SP2和第三像素SP3中的每一个的发光元件ED可以具有柱形形状或杆形状。在另一示例中，第一像素SP1、第二像素SP2和第三像素SP3中的每一个的发光元件ED可以具有诸如立方体形状或矩形平行六面体形状的多面体形状或者诸如六边形棱柱形状的多边形棱柱形状。在另一示例中，第一像素SP1、第二像素SP2和第三像素SP3中的每一个的发光元件ED可以具有在一个方向上延伸并且具有部分倾斜的形状的截锥形状。第一像素SP1、第二像素SP2和第三像素SP3中的每一个的发光元件ED可以具有几微米或几纳米的尺寸，并且可以是包括无机半导体的无机LED。在第一像素SP1、第二像素SP2和第三像素SP3中的每一个中，发光元件ED可以通过在彼此面对的第一电极RME1和第二电极RME2之间在特定方向上形成的电场在第一电极RME1和第二电极RME2之间对准。
在第一像素SP1、第二像素SP2和第三像素SP3中的每一个中，堤或像素限定膜可以限定第一开口区域OA1或第二开口区域OA2。第一开口区域OA1可以是可以设置发光元件ED的发射区域。第二开口区域OA2可以是像素SP的第一电极RME1和第二电极RME2与另一像素SP的第一电极RME1和第二电极RME2分离的区域。第二方向(或Y轴方向)上的两个相邻像素SP的第一电极RME1可以通过两个相邻像素SP中的一个的第二开口区域OA2彼此间隔开。第二方向(或Y轴方向)上的两个相邻像素SP的第二电极RME2可以通过两个相邻像素SP中的一个的第二开口区域OA2彼此间隔开。
在一些实施方式中，第一像素SP1、第二像素SP2和第三像素SP3中的每一个的第一开口区域OA1和第二开口区域OA2可以形成为单个开口区域。
图4是图1的显示装置的发光元件的示意性立体图。
参考图4，发光元件ED可以包括第一半导体部分111、第二半导体部分113、有源层115、电极层117和绝缘膜118。发光元件ED可以具有沿着纵向方向的长度h。
第一半导体部分111可以设置在有源层115上。第一半导体部分111可以通过电极层117和第一接触电极CTE1电连接到第一电极RME1。例如，在发光元件ED发射蓝光或绿光的情况下，第一半导体部分111可以包括具有化学式AlxGayIn1-x-yN(其中0≤x≤1，0≤y≤1并且0≤x+y≤1)的半导体材料。例如，第一半导体部分111可以包括掺杂有p型掺杂剂的至少一种半导体材料，诸如AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN或InN或者其组合。第一半导体部分111可以是可以掺杂有镁(Mg)(p型掺杂剂)的p-GaN。第一半导体部分111可以具有0.05μm至0.10μm的长度，但是本公开不限于此。
第二半导体部分113可以通过第二接触电极CTE2电连接到第二电极RME2。第二半导体部分113可以包括n型半导体。例如，在发光元件ED发射蓝光的情况下，第二半导体部分113可以包括具有化学式AlxGayIn1-x-yN(其中0≤x≤1，0≤y≤1并且0≤x+y≤1)的半导体材料。例如，第二半导体部分113可以包括掺杂有n型掺杂剂的至少一种半导体材料，诸如AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN或InN。第二半导体部分113可以是可以掺杂有硅(Si)(n型掺杂剂)的n-GaN。第二半导体部分113可以具有1.5μm至5μm的长度，但是本公开不限于此。
第一半导体部分111和第二半导体部分113中的每一个可以形成为单层。例如，第一半导体部分111和第二半导体部分113中的每一个可以包括诸如包覆层或拉伸应变势垒减小(TSBR)层的层。
有源层115可以设置在第一半导体部分111和第二半导体部分113之间。有源层115可以包括具有单量子阱结构或多量子阱结构的材料。多个量子层和多个阱层可以在有源层115中彼此交替堆叠。当电子-空穴对响应于通过第一半导体部分111和第二半导体部分113施加到有源层115的电信号而复合在一起时，有源层115可以发射光。例如，在有源层115包括诸如AlGaN或AlGaInN的材料的情况下，有源层115可以发射蓝光。在有源层115具有其中量子层和阱层可以彼此交替堆叠的多量子阱结构的情况下，量子层可以包括诸如AlGaN或AlGaInN的材料，并且阱层可以包括诸如GaN或AlInN的材料，在此情况下，有源层115可以发射蓝光。
在其它实施方式中，有源层115可以具有其中具有大能带隙的半导体材料和具有小能带隙的半导体材料可以彼此交替堆叠的结构，并且取决于由有源层115发射的光的波长带，有源层115可以包括III族半导体材料、IV族半导体材料和/或V族半导体材料。由有源层115发射的光的颜色没有特别限制，并且有源层115可以发射红光或绿光。有源层115可以具有0.05μm或0.10μm的长度，但是本公开不限于此。
由有源层115发射的光可以在发光元件ED的纵向方向上并且通过发光元件ED的两侧输出。由有源层115发射的光的方向性没有特别限制。
电极层117可以是欧姆接触电极。在其它实施方式中，电极层117可以是肖特基接触电极。发光元件ED可以包括至少一个电极层117。在发光元件ED连接到第一接触电极CTE1的情况下，电极层117可以减小发光元件ED和第一接触电极CTE1之间的电阻。电极层117可以包括导电金属。例如，电极层117可以包括铝(Al)、钛(Ti)、铟(In)、金(Au)、银(Ag)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)和铟锡锌氧化物(ITZO)中的至少一种。电极层117可以包括掺杂有n型掺杂剂或p型掺杂剂的半导体材料。
绝缘膜118可以围绕第一半导体部分111、第二半导体部分113、有源层115和电极层117的外表面。绝缘膜118可以保护发光元件ED。例如，绝缘膜118可以围绕发光元件ED的侧面，并且可以暴露发光元件ED的纵向方向上的两端。
绝缘膜118可以包括绝缘材料，诸如，例如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氮化铝(AlN)或氧化铝(Al2O3)。因此，绝缘膜118可以防止在有源层115放置成与发光元件ED的电极(电信号可以传输至其)直接接触的情况下可能发生的任何电短路。绝缘膜118可以保护发光元件ED的外表面，并且因此可以防止发光元件ED的发射效率降低。
绝缘膜118的外表面可以进行表面处理。在显示面板100的制造期间，发光元件ED可以在分散在预定或可选的墨水中的同时喷射到每个电极上，并且因此可以对准。由于绝缘膜118的表面可以进行疏水处理或亲水处理，因此发光元件ED可以能够保持分散在墨水中而不与其它发光元件ED聚集。
图5是沿着图3的线I-I'截取的示意性剖视图。
参考图5，显示面板100可以包括衬底SUB、缓冲层BF、薄膜晶体管TFT、栅极绝缘膜GI、存储电容器CST、第一层间绝缘膜ILD1和第二层间绝缘膜ILD2、连接电极CNE、电力线VL、平坦化层OC、堤图案BP、第一电极RME1、第二电极RME2、第一绝缘膜PAS1、堤SB、发光元件ED、第二绝缘膜PAS2、第一接触电极CTE1、第二接触电极CTE2、第三绝缘膜PAS3以及波长转换层QDL。
衬底SUB可以是基础衬底或基础构件。衬底SUB可以支承显示面板100。衬底SUB可以是可弯曲、可折叠和/或可卷曲的柔性衬底。例如，衬底SUB可以包括诸如聚酰亚胺的聚合物树脂，但是本公开不限于此。在另一示例中，衬底SUB可以包括玻璃材料或金属材料。
缓冲层BF可以设置在衬底SUB上。缓冲层BF可以包括能够防止空气或湿气渗透的无机材料。例如，缓冲层BF可以包括彼此交替堆叠的无机膜。
薄膜晶体管TFT可以设置在缓冲层BF上并且可以形成像素SP的像素电路。例如，薄膜晶体管TFT可以是驱动晶体管或开关晶体管。薄膜晶体管TFT可以包括半导体区域ACT、漏电极DE、源电极SE和栅电极GE。
半导体区域ACT、漏电极DE和源电极SE可以设置在缓冲层BF上。半导体区域ACT可以在厚度方向上与栅电极GE重叠，并且可以通过栅极绝缘膜GI与栅电极GE绝缘。漏电极DE和源电极SE可以通过用半导体区域ACT的材料形成导体来获得。
栅电极GE可以设置在栅极绝缘膜GI上。栅电极GE可以与半导体区域ACT重叠，且栅极绝缘膜GI插置在其之间。
栅极绝缘膜GI可以设置在半导体区域ACT、漏电极DE和源电极SE上。例如，栅极绝缘膜GI可以覆盖半导体区域ACT、漏电极DE、源电极SE和缓冲层BF，并且可以使半导体区域ACT和栅电极GE绝缘。
存储电容器CST可以包括第一电容器电极CPE1和第二电容器电极CPE2。第一电容器电极CPE1可以设置在栅极绝缘膜GI上，并且第二电容器电极CPE2可以设置在第一层间绝缘膜ILD1上。当第一电容器电极CPE1和第二电容器电极CPE2在第三方向(或Z轴方向)上彼此重叠时，可以在第一电容器电极CPE1和第二电容器电极CPE2之间形成电容。
第一层间绝缘膜ILD1可以设置在栅电极GE、第一电容器电极CPE1和栅极绝缘膜GI上。第二层间绝缘膜ILD2可以设置在第二电容器电极CPE2和第一层间绝缘膜ILD1上。第一层间绝缘膜ILD1、第二层间绝缘膜ILD2和栅极绝缘膜GI中的每一个可以包括可以由连接电极CNE穿透的接触孔。
连接电极CNE可以设置在第二层间绝缘膜ILD2上。连接电极CNE可以电连接薄膜晶体管TFT的源电极SE和第一电极RME1。连接电极CNE可以通过形成在第一层间绝缘膜ILD1、第二层间绝缘膜ILD2和栅极绝缘膜GI中的每一个中的接触孔连接到源电极SE。
电力线VL可以在第二层间绝缘膜ILD2上与连接电极CNE间隔开。电力线VL可以连接到可以插入到第四接触孔CNT4中的第二电极RME2。电力线VL可以是向第二电极RME2提供低电势电压的低电势线，但是本公开不限于此。
平坦化层OC可以设置在连接电极CNE、电力线VL和第二层间绝缘膜ILD2上，并且可以使薄膜晶体管TFT的顶部平坦化。平坦化层OC可以包括可以由第一电极RME1穿过的第一接触孔CNT1和可以由第二电极RME2穿过的第四接触孔CNT4。平坦化层OC可以包括有机材料。
堤图案BP可以设置在平坦化层OC上。堤图案BP可以至少部分地从平坦化层OC的顶表面突出。堤图案BP可以设置在像素SP的第一开口区域OA1中。发光元件ED可以设置在堤图案BP之间。堤图案BP中的每一个可以具有倾斜侧，并且由发光元件ED发射的光可以由堤图案BP上的第一电极RME1和第二电极RME2反射。例如，堤图案BP可以包括诸如聚酰亚胺的有机绝缘材料。
第一电极RME1可以设置在平坦化层OC和堤图案BP上。第一电极RME1可以设置在发光元件ED中的每一个的一侧上的堤图案BP上。第一电极RME1可以设置在堤图案BP中的一个的倾斜侧上，以反射由发光元件ED发射的光。第一电极RME1可以插入可以设置在平坦化层OC中的第一接触孔CNT1中，并且因此可以连接到连接电极CNE。第一电极RME1可以通过第一接触电极CTE1电连接到发光元件ED的第一端。例如，第一电极RME1可以从像素SP的像素电路接收与发光元件ED的亮度对应的电压。
第二电极RME2可以设置在平坦化层OC和堤图案BP上。第二电极RME2可以设置在发光元件ED中的每一个的另一侧上的堤图案BP上。第二电极RME2可以设置在堤图案BP中的一个的倾斜侧上，以反射由发光元件ED发射的光。第二电极RME2可以通过第二接触电极CTE2电连接到发光元件ED的第二端。例如，第二电极RME2可以从电力线VL接收低电势电压。
第一电极RME1和第二电极RME2可以包括具有高反射率的导电材料。例如，第一电极RME1和第二电极RME2可以包括Ag、铜(Cu)、铝(Al)、镍(Ni)和镧(La)中的至少一种。在另一示例中，第一电极RME1和第二电极RME2可以包括诸如ITO、IZO和/或ITZO的材料。在另一示例中，第一电极RME1和第二电极RME2中的每一个可以包括透明导电材料和具有高反射率的金属的多层，或者可以包括包含透明导电材料和具有高反射率的金属的单层。第一电极RME1和第二电极RME2可以具有ITO/Ag/ITO、ITO/Ag/IZO或ITO/Ag/ITZO/IZO的堆叠。
第一绝缘膜PAS1可以设置在平坦化层OC以及第一电极RME1和第二电极RME2上。第一绝缘膜PAS1可以保护第一电极RME1和第二电极RME2并且使第一电极RME1和第二电极RME2绝缘。第一绝缘膜PAS1可以防止发光元件ED在发光元件ED的对准期间与第一电极RME1和第二电极RME2直接接触并且被第一电极RME1和第二电极RME2损坏。
堤SB可以在第一绝缘膜PAS1上设置在第一开口区域OA1和第二开口区域OA2之间。堤SB可以沿着像素SP的边界设置，以将像素SP的发光元件ED与另一像素SP的发光元件ED分离。堤SB可以具有预定或可选的高度，并且可以包括诸如聚酰亚胺的有机绝缘材料。
发光元件ED可以设置在第一绝缘膜PAS1上。发光元件ED可以在第一电极RME1和第二电极RME2之间彼此平行地对准。发光元件ED的长度可以大于第一电极RME1和第二电极RME2之间的距离。发光元件ED中的每一个可以包括半导体层，并且发光元件ED中的每一个的第一端和第二端可以基于半导体层来限定。发光元件ED的第一端可以设置在第一电极RME1上，并且发光元件ED的第二端可以设置在第二电极RME2上。发光元件ED的第一端可以通过第一接触电极CTE1电连接到第一电极RME1，并且发光元件ED的第二端可以通过第二接触电极CTE2电连接到第二电极RME2。
发光元件ED可以具有几微米或几纳米的尺寸，并且可以是包括无机半导体的无机LED。发光元件ED可以通过在彼此面对的第一电极RME1和第二电极RME2之间在特定方向上形成的电场在第一电极RME1和第二电极RME2之间对准。
第二绝缘膜PAS2可以设置在发光元件ED、堤SB和第一绝缘膜PAS1上。例如，第二绝缘膜PAS2可以部分地覆盖发光元件ED，但是可以不覆盖发光元件ED中的每一个的两端。第二绝缘膜PAS2可以在显示装置10的制造期间保护和固定发光元件ED。第二绝缘膜PAS2可以填充第一绝缘膜PAS1和发光元件ED之间的空间。
第一接触电极CTE1可以设置在第一绝缘膜PAS1上，并且可以插入到设置在第一绝缘膜PAS1中的第二接触孔CNT2中，以连接到第一电极RME1。例如，第二接触孔CNT2可以设置在堤图案BP中的一个上，但是本公开不限于此。第一接触电极CTE1的一端可以连接到堤图案BP中的一个上的第一电极RME1，并且第一接触电极CTE1的另一端可以连接到发光元件ED的第一端。
第二接触电极CTE2可以设置在第一绝缘膜PAS1上，并且可以插入到可以设置在第一绝缘膜PAS1中的第三接触孔CNT3中，以连接到第二电极RME2。例如，第三接触孔CNT3可以设置在堤图案BP中的一个上，但是本公开不限于此。第二接触电极CTE2的一端可以连接到发光元件ED的第二端，并且第二接触电极CTE2的另一端可以连接到堤图案BP中的一个上的第二电极RME2。
第三绝缘膜PAS3可以设置在第一接触电极CTE1和第二绝缘膜PAS2上。第三绝缘膜PAS3可以使第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2绝缘。
波长转换层QDL可以在第一开口区域OA1中设置在第三绝缘膜PAS3和第二接触电极CTE2上。在平面图中，波长转换层QDL可以被堤SB围绕。波长转换层QDL可以转换或偏移入射光的峰值波长。例如，波长转换层QDL可以将来自发光元件ED的蓝光转换成红光或绿光，并且可以输出红光或绿光。在另一示例中，波长转换层QDL可以使来自发光元件ED的蓝光透射通过其。
图6是根据本公开的实施方式的母衬底的示意性平面图，并且图7是图6的面板单元的示意性平面图。已经给出的元件或特征的描述将被省略或简化。
参考图6和图7，母衬底MSUB可以包括第一面板单元CEL1、第二面板单元CEL2、第一对准焊盘AP1、第二对准焊盘AP2、第三对准焊盘AP3和第四对准焊盘AP4。母衬底MSUB可以包括两个面板单元，即，第一面板单元CEL1和第二面板单元CEL2，但是包括在母衬底MSUB中的面板单元CEL的数量没有特别限制。
第一面板单元CEL1可以设置在母衬底MSUB的第一侧上，并且第二面板单元CEL2可以设置在母衬底MSUB的第二侧上。第一面板单元CEL1和第二面板单元CEL2可以关于第二方向(或Y轴方向)上的轴对称。第一对准焊盘AP1和第二对准焊盘AP2可以关于第二方向(或Y轴方向)上的轴与第三对准焊盘AP3和第四对准焊盘AP4对称。例如，第一对准焊盘AP1和第二对准焊盘AP2可以设置在第一面板单元CEL1的右侧上，并且第三对准焊盘AP3和第四对准焊盘AP4可以设置在第二面板单元CEL2的左侧上。
参考图7，第一面板单元CEL1可以包括像素SP、栅极驱动器GIC、栅极线GL、数据线DL、第一对准线AL1、第二对准线AL2、第一连接线FCL1、第二连接线FCL2、显示焊盘DP和栅极焊盘GP。
第一对准线AL1可以包括第一水平对准线HAL1和第一竖直对准线VAL1。第一水平对准线HAL1可以与图2的第一浮置线FL1基本上相同。第一水平对准线HAL1可以通过第一连接线FCL1电连接到第一对准焊盘AP1。第一竖直对准线VAL1可以在第二方向(或Y轴方向)上从第一水平对准线HAL1延伸。第一竖直对准线VAL1可以连接到可以在第二方向(或Y轴方向)上布置成列的第一像素SP1、第二像素SP2和第三像素SP3。
第二对准线AL2可以包括第二水平对准线HAL2和第二竖直对准线VAL2。第二水平对准线HAL2可以与图2的第二浮置线FL2基本上相同。第二水平对准线HAL2可以通过第二连接线FCL2电连接到第二对准焊盘AP2。第二竖直对准线VAL2可以在第二方向(或Y轴方向)上从第二水平对准线HAL2延伸。第二竖直对准线VAL2可以连接到在第二方向(或Y轴方向)上布置成列的第一像素SP1、第二像素SP2和第三像素SP3。
第一对准线AL1可以通过第一连接线FCL1电连接到第一对准焊盘AP1，并且第二对准线AL2可以通过第二连接线FCL2电连接到第二对准焊盘AP2。第一竖直对准线VAL1和第二竖直对准线VAL2可以设置在显示面板100的所有像素SP中，并且第二对准信号可以通过第二对准焊盘AP2施加到第二对准线AL2。通过由来自第一对准线AL1的第一对准信号和来自第二对准线AL2的第二对准信号形成的电场，多个发光元件ED可以在第一竖直对准线VAL1和第二竖直对准线VAL2之间对准。
在发光元件ED对准之后，第一竖直对准线VAL1和第二竖直对准线VAL2可以断开。因此，第一竖直对准线VAL1可以划分成图2的第三连接线FCL3和多个第一电极RME1，并且第二竖直对准线VAL2可以划分成图2的第四连接线FCL4和多个第二电极RME2。
第一面板单元CEL1和第二面板单元CEL2可以通过划线工艺切割。因此，第一面板单元CEL1和第二面板单元CEL2中的每一个可以形成为图2的显示面板100。
图8是根据本公开的实施方式的用于制造显示装置的设备的示意性剖视图，并且图9是图8的设备的示意性框图。
参考图6、图7、图8和图9，用于制造显示装置的设备1000可以向多个面板单元CEL中的每一个提供对准信号。设备1000可以通过第一对准焊盘AP1和第二对准焊盘AP2向第一面板单元CEL1提供对准信号，并且通过第三对准焊盘AP3和第四对准焊盘AP4向第二面板单元CEL2提供对准信号。设备1000可以通过向第一面板单元CEL1和第二面板单元CEL2中的每一个施加对准信号来对准第一像素SP1、第二像素SP2和第三像素SP3中的每一个中的发光元件ED。
设备1000可以包括台1100、台孔1110、台支承件1120、台移动单元1130、支承销1140、销支承件1150、电压输出单元1200(电压输出器)、放大器1300、开关单元1400、场施加单元1500(场施加部分)、探针移动单元1510、发射驱动器1600、光照射单元1700(光照射部分)以及控制单元1800(控制器)。
台1100可以具有平坦顶表面并且可以稳定地支承母衬底MSUB。台1100可以通过台移动单元1130提升或下降。台1100可以包括穿透台1100的台孔1110。支承销1140和销支承件1150可以穿过台孔1110。台孔1110可以布置在第一方向(或X轴方向)和第二方向(或Y轴方向)上。例如，台孔1110可以以第一距离的间隔布置在第一方向(或X轴方向)上，并且以第二距离的间隔布置在第二方向(或Y轴方向)上。
台支承件1120可以设置在台1100下方并且可以支承台1100。台移动单元1130和销支承件1150可以设置在台支承件1120上。台支承件1120可以具有各种形状。
台移动单元1130可以连接到台1100的底部。台移动单元1130可以支承台1100的底部的边缘。台移动单元1130可以基于来自控制单元1800的台控制信号来提升或下降台1100。台移动单元1130可以包括电机作为移动台1100的电力源。
响应于从控制单元1800接收到具有第一电压的台控制信号，台移动单元1130可以将台1100提升到预定或可选的高度。响应于从控制单元1800接收到具有第二电压的台控制信号，台移动单元1130可以将台1100下降到预定或可选的高度。
支承销1140可以在母衬底MSUB被放入或取出设备1000的同时支承母衬底MSUB。支承销1140可以通过台1100的台孔1110连接到设置在台1100下方的销支承件1150。
在台1100通过台移动单元1130降低的情况下，支承销1140可以从台1100的顶表面突出。在台1100通过台移动单元1130升高的情况下，支承销1140可以插入到台孔1110中，并且因此可以不从台1100的顶表面突出。因此，在台1100通过台移动单元1130升高的情况下，母衬底MSUB可以安装在台1100的顶表面上。
电压输出单元1200可以基于来自控制单元1800的控制信号CS生成对准信号，并且可以向放大器1300提供对准信号。对准信号可以包括第一对准信号AS1和第二对准信号AS2。参考图9并进一步参考图7，第一对准信号AS1可以通过第一对准焊盘AP1施加到面板单元CEL中的每一个的第一对准线AL1，并且第二对准信号AS2可以通过第二对准焊盘AP2施加到面板单元CEL中的每一个的第二对准线AL2。例如，第一对准信号AS1和第二对准信号AS2可以是交流(AC)信号或直流(DC)信号。
电压输出单元1200可以包括信号发生器。电压输出单元1200可以输出具有预定或可选的频率的矩形波、正弦波、三角波、脉冲波、半锯齿波、锯齿波、锯齿复合波和反向锯齿复合波中的至少一个。例如，锯齿复合波可以包括具有不同频率或幅度的锯齿波。反向锯齿复合波可以包括具有不同频率或幅度的反向锯齿波。电压输出单元1200可以基于控制信号CS来确定输出波形的类型、幅度和频率。
放大器1300可以从电压输出单元1200接收第一对准信号AS1和第二对准信号AS2。放大器1300可以放大第一对准信号AS1和第二对准信号AS2中的至少一个，并将其提供到开关单元1400。因此，从放大器1300输出的第一对准信号AS1和第二对准信号AS2的幅度可以大于从电压输出单元1200输出的第一对准信号AS1和第二对准信号AS2的幅度。例如，在第二对准信号AS2是地电压或接近于地电压的DC电压的情况下，放大器1300可以不放大第二对准信号AS2。
开关单元1400可以连接到放大器1300。开关单元1400可以包括至少一个开关和/或至少一个多路复用器。在发光元件ED的对准期间，开关单元1400可以从放大器1300接收第一对准信号AS1和第二对准信号AS2。开关单元1400可以接收第一对准信号AS1和第二对准信号AS2，并将第一对准信号AS1和第二对准信号AS2提供到场施加单元1500。例如，开关单元1400可以向所有场施加单元1500共同提供第一对准信号AS1和第二对准信号AS2。在另一示例中，开关单元1400可以选择性地向场施加单元1500中的一些提供第一对准信号AS1和第二对准信号AS2。
场施加单元1500可以设置在台1100的两侧上。场施加单元1500可以设置在台1100的第一侧上，以向第一面板单元CEL1提供对准信号。场施加单元1500可以设置在台1100的第二侧上，以向第二面板单元CEL2提供对准信号。场施加单元1500可以包括探针头HBD、探针引脚PP、主体部分BD和联接部分CM。
探针引脚PP可以设置在探针头HBD下方。探针引脚PP可以包括导电材料，诸如，例如金属材料。探针引脚PP的数量可以与第一对准焊盘AP1、第二对准焊盘AP2、第三对准焊盘AP3和第四对准焊盘AP4的数量对应。在发光元件ED的对准期间，探针引脚PP可以连接到第一对准焊盘AP1和第二对准焊盘AP2，或者连接到第三对准焊盘AP3和第四对准焊盘AP4。
主体部分BD可以在第二方向(或Y轴方向)上延伸。主体部分BD可以设置在探针头HBD和联接部分CM之间。主体部分BD的一端可以由联接部分CM支承，并且主体部分BD的另一端可以支承探针头HBD。主体部分BD可以通过探针移动单元1510中的一个与联接部分CM一起提升或下降，并且可以向探针头HBD提供对准信号。例如，主体部分BD和探针头HBD可以彼此形成为一个主体。在另一示例中，主体部分BD和探针头HBD可以设置为单独的元件。
联接部分CM可以在第三方向(或Z轴方向)上延伸。联接部分CM可以设置在主体部分BD下方。联接部分CM可以从主体部分BD的一端在第三方向(或Z轴方向)上延伸。联接部分CM可以设置在主体部分BD和探针移动单元1510中的一个之间。联接部分CM可以通过探针移动单元1510中的一个提升或下降。
探针移动单元1510可以连接到台1100的侧面。探针移动单元1510可以基于来自控制单元1800的模块移动信号来提升或下降场施加单元1500。探针移动单元1510可以包括电机作为用于移动场施加单元1500的电力源。
响应于从控制单元1800接收到具有第一电压的模块移动信号，探针移动单元1510可以将场施加单元1500提升到预定或可选的高度。响应于从控制单元1800接收到具有第二电压的模块移动信号，探针移动单元1510可以将场施加单元1500下降到预定或可选的高度。
在探针移动单元1510降低的情况下，场施加单元1500中的每一个的探针引脚PP可以放置成与母衬底MSUB的连接到第一面板单元CEL1的第一对准焊盘AP1和第二对准焊盘AP2接触。第一对准信号AS1和第二对准信号AS2可以经由探针引脚PP施加到母衬底MSUB上的第一面板单元CEL1。因此，多个发光元件ED可以在第一面板单元CEL1的像素SP中的每一个中对准。在探针移动单元1510升高的情况下，探针引脚PP可以与母衬底MSUB的第一对准焊盘AP1和第二对准焊盘AP2分离开。
发射驱动器1600可以从控制单元1800接收发射时序信号LTS，并且可以向光照射单元1700提供发射驱动信号LDS。光照射单元1700可以包括LED，并且可以基于发射驱动信号LDS以预定或可选的占空比输出光。因此，控制单元1800可以通过控制施加发射驱动信号LDS的时序来控制光照射单元1700的光照射时序。
光照射单元1700可以设置在台1100上方，并且可以包括LED。光照射单元1700可以将光照射到台1100上的面板单元CEL中的每一个上。光照射单元1700可以覆盖台1100的整个顶表面或母衬底MSUB的整个顶表面。例如，光照射单元1700的面积可以大于台1100的面积或母衬底MSUB的面积。在另一示例中，光照射单元1700在第一方向(或X轴方向)上的长度可以大于台1100在第一方向(或X轴方向)上的长度，并且光照射单元1700在第二方向(或Y轴方向)上的长度可以大于台1100在第二方向(或Y轴方向)上的长度。光照射单元1700在第一方向(或X轴方向)上的长度可以大于母衬底MSUB在第一方向(或X轴方向)上的长度，并且光照射单元1700在第二方向(或Y轴方向)上的长度可以大于母衬底MSUB在第二方向(或Y轴方向)上的长度。
例如，光照射单元1700可以将光施加到母衬底MSUB的第一面板单元CEL1和第二面板单元CEL2上。在该示例中，场施加单元1500可以向第一面板单元CEL1和第二面板单元CEL2两者共同提供对准信号。在另一示例中，光照射单元1700可以选择性地将光施加到第一面板单元CEL1和第二面板单元CEL2中的一个。在该示例中，场施加单元1500可以选择性地将对准信号施加到第一面板单元CEL1和第二面板单元CEL2中的一个。
每个发光元件ED可以包括p型第一半导体层、n型第二半导体层和有源层。有源层可以由来自光照射单元1700的光激发。p型第一半导体层中的空穴可以朝向n型第二半导体层移动，并且n型第二半导体层中的电子可以朝向p型第一半导体层移动。强永久偶极矩可以在从p型第一半导体层到n型第二半导体层的方向上生成。因此，在由来自光照射单元1700的光激发的情况下，每个发光元件ED可以限定为在其纵向方向上具有极性的颗粒。
控制单元1800可以控制设备1000的所有元件的操作。控制单元1800可以通过向台移动单元1130提供台控制信号来控制台1100的上下移动。控制单元1800可以通过向电压输出单元1200提供控制信号CS来确定第一对准信号AS1和第二对准信号AS2的波形。第一对准信号AS1和第二对准信号AS2的波形可以由第一对准信号AS1和第二对准信号AS2的类型、幅度和频率来确定。控制单元1800可以通过向探针移动单元1510提供模块移动信号来控制场施加单元1500的上下移动。控制单元1800可以通过向发射驱动器1600提供发射时序信号LTS来控制光照射单元1700的驱动时序。控制单元1800可以使控制信号CS和发射时序信号LTS同步。例如，第一对准信号AS1和发射时序信号LTS可以被控制成具有相同的频率并且在其之间具有预定或可选的相位差。
图10是示出根据本公开的实施方式的在显示装置的制造中使用的矩形波对准信号的示意性波形图，图11是示出根据图10的实施方式的不同RC值的净DC电压(net DCvoltage)的示意图。图10的矩形波可以与第一对准信号AS1和第二对准信号AS2之间的电势差对应。
参考图10和图11，场施加单元1500可以向第一对准焊盘AP1提供第一对准信号AS1并且向第二对准焊盘AP2提供第二对准信号AS2。第一对准信号AS1和第二对准信号AS2之间的电势差可以与输入电压Vin对应。输入电压Vin可以是具有预定或可选的频率的矩形波。例如，输入电压Vin可以具有从18秒至19秒的一个周期和从19秒至20秒的另一周期。输入电压Vin可以具有1V的正峰值电平和-1V的负峰值电平。由于输入电压Vin的正积分值和负积分值可以基本上相同，因此输入电压Vin的初始DC分量可以为零。
取决于由每个面板单元CEL的电性质确定的RC值，输入电压Vin可以引起RC延迟。在每个面板单元CEL具有0.01的RC值的情况下，0.01-RC矩形波可以比输入电压Vin更延迟。在每个面板单元CEL具有0.05的RC值的情况下，0.05-RC矩形波可以比0.01-RC矩形波更延迟。在每个面板单元CEL具有0.1的RC值的情况下，0.1-RC矩形波可以比0.05-RC矩形波更延迟。在每个面板单元CEL具有0.5的RC值的情况下，0.5-RC矩形波可以比0.1-RC矩形波更延迟。0.01-RC矩形波、0.05-RC矩形波和0.1-RC矩形波可以具有1V的正峰值电压和-1V的负峰值电压。0.5-RC矩形波可以具有0.5V的正峰值电压和-0.5V的负峰值电压。由于0.01-RC矩形波、0.05-RC矩形波、0.1-RC矩形波和0.5-RC矩形波中的每一个的正积分值和负积分值可以基本上相同，因此0.01-RC矩形波、0.05-RC矩形波、0.1-RC矩形波和0.5-RC矩形波中的每一个的初始DC分量可以为零。
净DC电压VDC可以通过抵消超出阈值电压Vth的正积分值和负积分值来导出。这里，阈值电压Vth可以通过拉动每个发光元件ED的力(诸如通过感应偶极子产生的力)来确定。参考图10和图11，在阈值电压Vth小于输入电压Vin的情况下，图10的矩形波的净DC电压VDC可以接近于零，并且可以不发生离子迁移(“零离子迁移率”)。即使在阈值电压Vth增加的情况下，图10的矩形波的净DC电压VDC仍然可以接近于零，并且图10的矩形波的偏转率可以低至零(“零偏转率”)。这里，图10的矩形波的净DC电压VDC可以与用于偏转每个发光元件ED的有效电压对应。
图12是示出根据本公开的实施方式的在显示装置的制造中使用的正弦波对准信号的示意性波形图，图13是示出根据图12的实施方式的不同RC值的净DC电压的示意图。图12的正弦波可以与第一对准信号AS1和第二对准信号AS2之间的电势差对应。
参考图12和图13，场施加单元1500可以向第一对准焊盘AP1提供第一对准信号AS1并且向第二对准焊盘AP2提供第二对准信号AS2。第一对准信号AS1和第二对准信号AS2之间的电势差可以与输入电压Vin对应。输入电压Vin可以是具有预定或可选的频率的正弦波。例如，输入电压Vin可以具有从18秒至19秒的一个周期和从19秒至20秒的另一周期。输入电压Vin可以具有1V的正峰值电平和-1V的负峰值电平。由于输入电压Vin的正积分值和负积分值可以基本上相同，因此输入电压Vin的初始DC分量可以为零。
取决于由每个面板单元CEL的电性质确定的RC值，输入电压Vin可以引起RC延迟。在每个面板单元CEL具有0.01的RC值的情况下，0.01-RC正弦波可以与输入电压Vin类似。在每个面板单元CEL具有0.05的RC值的情况下，0.05-RC正弦波可以比0.01-RC正弦波更延迟。在每个面板单元CEL具有0.1的RC值的情况下，0.1-RC正弦波可以比0.05-RC正弦波更延迟。在每个面板单元CEL具有0.5的RC值的情况下，0.5-RC正弦波可以比0.1-RC正弦波更延迟。0.05-RC正弦波可以具有比0.01-RC正弦波低的正峰值电压，并且0.1-RC正弦波可以具有比0.05-RC正弦波低的正峰值电压，并且0.5-RC正弦波可以具有比0.1-RC正弦波低的正峰值电压。由于0.01-RC正弦波、0.05-RC正弦波、0.1-RC正弦波和0.5-RC正弦波中的每一个的正积分值和负积分值可以基本上相同，因此0.01-RC正弦波、0.05-RC正弦波、0.1-RC正弦波和0.5-RC正弦波中的每一个的初始DC分量可以为零。
净DC电压VDC可以通过抵消超出阈值电压Vth的正积分值和负积分值来导出。参考图12和图13，在阈值电压Vth比输入电压Vin低的情况下，图12的正弦波的净DC电压VDC可以接近于零，并且可以不发生离子迁移(“零离子迁移率”)。即使阈值电压Vth增加，图12的正弦波的净DC电压VDC仍然可以接近于零，并且图12的正弦波的偏转率可以低至零(“零偏转率”)。
图14是示出根据本公开的实施方式的在显示装置的制造中使用的三角波对准信号的示意性波形图，图15是示出根据图14的实施方式的不同RC值的净DC电压的示意图。图14的三角波可以与第一对准信号AS1和第二对准信号AS2之间的电势差对应。
参考图14和图15，场施加单元1500可以向第一对准焊盘AP1提供第一对准信号AS1并且向第二对准焊盘AP2提供第二对准信号AS2。第一对准信号AS1和第二对准信号AS2之间的电势差可以与输入电压Vin对应。输入电压Vin可以是具有预定或可选的频率的三角波。例如，输入电压Vin可以具有从18秒至19秒的一个周期和从19秒至20秒的另一周期。输入电压Vin可以具有1V的正峰值电平和-1V的负峰值电平。由于输入电压Vin的正积分值和负积分值可以基本上相同，因此输入电压Vin的初始DC分量可以为零。
取决于由每个面板单元CEL的电性质确定的RC值，输入电压Vin可以引起RC延迟。在每个面板单元CEL具有0.01的RC值的情况下，0.01-RC三角波可以与输入电压Vin类似。在每个面板单元CEL具有0.05的RC值的情况下，0.05-RC三角波可以比0.01-RC三角波更延迟。在每个面板单元CEL具有0.1的RC值的情况下，0.1-RC三角波可以比0.05-RC三角波更延迟。在每个面板单元CEL具有0.5的RC值的情况下，0.5-RC三角波可以比0.1-RC三角波更延迟。0.05-RC三角波可以具有比0.01-RC三角波低的正峰值电压，并且0.1-RC三角波可以具有比0.05-RC三角波低的正峰值电压，并且0.5-RC三角波可以具有比0.1-RC三角波低的正峰值电压。由于0.01-RC三角波、0.05-RC三角波、0.1-RC三角波和0.5-RC三角波中的每一个的正积分值和负积分值可以基本上相同，因此0.01-RC三角波、0.05-RC三角波、0.1-RC三角波和0.5-RC三角波中的每一个的初始DC分量可以为零。
净DC电压VDC可以通过抵消超出阈值电压Vth的正积分值和负积分值来导出。参考图14和图15，在阈值电压Vth比输入电压Vin低的情况下，图14的三角波的净DC电压VDC可以接近于零，并且可以不发生离子迁移(“零离子迁移率”)。即使阈值电压Vth增加，图14的三角波的净DC电压VDC仍然可以接近于零，并且图14的三角波的偏转率可以低至零(“零偏转率”)。
图16是示出根据本公开的实施方式的在显示装置的制造中使用的半锯齿波对准信号的示意性波形图，并且图17是示出根据图16的实施方式的不同RC值的净DC电压的示意图。图16的半锯齿波可以与第一对准信号AS1和第二对准信号AS2之间的电势差对应，并且可以是介于三角波和锯齿波之间的中间波形。
参考图16和图17，场施加单元1500可以向第一对准焊盘AP1提供第一对准信号AS1并且向第二对准焊盘AP2提供第二对准信号AS2。第一对准信号AS1和第二对准信号AS2之间的电势差可以与输入电压Vin对应。输入电压Vin可以是具有预定或可选的频率的半锯齿波。例如，输入电压Vin可以具有从18秒至19秒的一个周期和从19秒至20秒的另一周期。输入电压Vin可以具有1V的正峰值电平和-1V的负峰值电平。由于输入电压Vin的正积分值和负积分值可以基本上相同，因此输入电压Vin的初始DC分量可以为零。
取决于由每个面板单元CEL的电性质确定的RC值，输入电压Vin可以引起RC延迟。在每个面板单元CEL具有0.01的RC值的情况下，0.01-RC半锯齿波可以与输入电压Vin类似。在每个面板单元CEL具有0.05的RC值的情况下，0.05-RC半锯齿波可以比0.01-RC半锯齿波更延迟。在每个面板单元CEL具有0.1的RC值的情况下，0.1-RC半锯齿波可以比0.05-RC半锯齿波更延迟。在每个面板单元CEL具有0.5的RC值的情况下，0.5-RC半锯齿波可以比0.1-RC半锯齿波更延迟。0.05-RC半锯齿波可以具有比0.01-RC半锯齿波低的正峰值电压，并且0.1-RC半锯齿波可以具有比0.05-RC半锯齿波低的正峰值电压，并且0.5-RC半锯齿波可以具有比0.1-RC半锯齿波低的正峰值电压。
由于0.01-RC半锯齿波的正积分值和负积分值可以基本上相同，因此0.01-RC半锯齿波的初始DC分量可以为零。因此，在阈值电压Vth比输入电压Vin低的情况下，0.01-RC半锯齿波的净DC电压VDC可以接近于零，并且可以不发生离子迁移(“零离子迁移率”)。即使阈值电压Vth增加，0.01-RC半锯齿波的净DC电压VDC仍然可以接近于零，并且0.01-RC半锯齿波的偏转率可以低至零。
0.05-RC半锯齿波的正积分值可以略微大于0.05-RC半锯齿波的负积分值。因此，在阈值电压Vth比输入电压Vin低的情况下，0.05-RC半锯齿波的净DC电压VDC可以接近于零，并且可以不发生离子迁移。在阈值电压Vth增加的情况下，0.05-RC半锯齿波的净DC电压VDC可以略微增加，使得0.05-RC半锯齿波的偏转率可以略微改善。例如，在阈值电压Vth与输入电压Vin的比例(即，Vth/Vin)为0.8的情况下，0.05-RC半锯齿波的净DC电压VDC可以达到其最大值。
0.1-RC半锯齿波的正积分值可以大于0.1-RC半锯齿波的负积分值。因此，在阈值电压Vth比输入电压Vin低的情况下，0.1-RC半锯齿波的净DC电压VDC可以接近于零，并且可以不发生离子迁移。在阈值电压Vth增加的情况下，0.1-RC半锯齿波的净DC电压VDC可以略微增加，使得0.1-RC半锯齿波的偏转率可以略微改善。例如，在阈值电压Vth与输入电压Vin的比例(即，Vth/Vin)为0.6的情况下，0.1-RC半锯齿波的净DC电压VDC可以达到其最大值。
0.5-RC半锯齿波的正积分值可以大于0.5-RC半锯齿波的负积分值。因此，在阈值电压Vth比输入电压Vin低的情况下，0.5-RC半锯齿波的净DC电压VDC可以大于零，并且可以发生离子迁移。例如，在阈值电压Vth与输入电压Vin的比例(即，Vth/Vin)为0.2的情况下，0.5-RC半锯齿波的净DC电压VDC可以达到其最大值。在阈值电压Vth增加的情况下，0.5-RC半锯齿波的净DC电压VDC可以接近于零，使得0.5-RC半锯齿波的偏转率可以为零(或接近于零)。
图18是示出根据本公开的实施方式的在显示装置的制造中使用的锯齿波对准信号的示意性波形图，并且图19是示出根据图18的实施方式的不同RC值的净DC电压的示意图。图18的锯齿波可以与第一对准信号AS1和第二对准信号AS2之间的电势差对应。
参考图18和图19，场施加单元1500可以向第一对准焊盘AP1提供第一对准信号AS1并且向第二对准焊盘AP2提供第二对准信号AS2。第一对准信号AS1和第二对准信号AS2之间的电势差可以与输入电压Vin对应。输入电压Vin可以是具有预定或可选的频率的锯齿波。例如，输入电压Vin可以具有从18.2秒至19.2秒的一个周期和从19.2秒至20.2秒的另一周期。输入电压Vin可以具有1V的正峰值电平和-1V的负峰值电平。由于输入电压Vin的正积分值和负积分值可以基本上相同，因此输入电压Vin的初始DC分量可以为零。
取决于由每个面板单元CEL的电性质确定的RC值，输入电压Vin可以引起RC延迟。在每个面板单元CEL具有0.01的RC值的情况下，0.01-RC锯齿波可以比输入电压Vin更延迟。在每个面板单元CEL具有0.05的RC值的情况下，0.05-RC锯齿波可以比0.01-RC锯齿波更延迟。在每个面板单元CEL具有0.1的RC值的情况下，0.1-RC锯齿波可以比0.05-RC锯齿波更延迟。在每个面板单元CEL具有0.5的RC值的情况下，0.5-RC锯齿波可以比0.1-RC锯齿波更延迟。0.01-RC锯齿波可以具有与输入电压Vin类似的正峰值电压，但是可以具有比输入电压Vin高的负峰值电压。0.05-RC锯齿波可以具有比0.01-RC锯齿波高的负峰值电压，0.1-RC锯齿波可以具有比0.05-RC锯齿波高的负峰值电压，并且0.5-RC锯齿波可以具有比0.1-RC锯齿波高的负峰值电压。
0.01-RC锯齿波的正积分值可以略微大于0.01-RC锯齿波的负积分值。因此，在阈值电压Vth比输入电压Vin低的情况下，0.01-RC锯齿波的净DC电压VDC可以接近于零，并且可以不发生离子迁移(“零离子迁移率”)。在阈值电压Vth增加的情况下，0.01-RC锯齿波的净DC电压VDC可以略微增加，使得0.01-RC锯齿波的偏转率可以略微改善。例如，在阈值电压Vth与输入电压Vin的比例(即，Vth/Vin)为0.8的情况下，0.01-RC锯齿波的净DC电压VDC可以达到其最大值。
0.05-RC锯齿波的正积分值可以大于0.05-RC锯齿波的负积分值。因此，在阈值电压Vth比输入电压Vin低的情况下，0.05-RC锯齿波的净DC电压VDC可以接近于零，并且可以不发生离子迁移(“零离子迁移率”)。在阈值电压Vth增加的情况下，0.05-RC锯齿波的净DC电压VDC可以增加，使得0.05-RC锯齿波的偏转率可以得到改善(“改善的偏转率”)。例如，在阈值电压Vth与输入电压Vin的比例(即，Vth/Vin)为0.8的情况下，0.05-RC锯齿波的净DC电压VDC可以达到其最大值。0.05-RC锯齿波的最大净DC电压可以比0.01-RC锯齿波的最大净DC电压高。
0.1-RC锯齿波的正积分值可以大于0.1-RC锯齿波的负积分值。因此，在阈值电压Vth比输入电压Vin低的情况下，0.1-RC锯齿波的净DC电压VDC可以接近于零，并且可以不发生离子迁移(“零离子迁移率”)。在阈值电压Vth增加的情况下，0.1-RC锯齿波的净DC电压VDC可以增加，使得0.1-RC锯齿波的偏转率可以得到改善。例如，在阈值电压Vth与输入电压Vin的比例(即，Vth/Vin)为0.6的情况下，0.1-RC锯齿波的净DC电压VDC可以达到其最大值。0.1-RC锯齿波的最大净DC电压可以比0.05-RC锯齿波的最大净DC电压高。
0.5-RC锯齿波的正积分值可以大于0.5-RC锯齿波的负积分值。因此，在阈值电压Vth比输入电压Vin低的情况下，0.5-RC锯齿波的净DC电压VDC可以大于零，并且可以发生离子迁移。例如，在阈值电压Vth与输入电压Vin的比例(即，Vth/Vin)为0.2的情况下，0.5-RC锯齿波的净DC电压VDC可以达到其最大值。
图20是示出根据本公开的实施方式的不同锯齿对称的偏转率的示意图。
参考图20，具有接近于100％的锯齿对称的对准信号可以与图18的锯齿波对应。具有接近于100％的锯齿对称的锯齿波可以具有92％的中值偏转率。具有相对低的锯齿对称的对准信号可以与图16的半锯齿波对应。具有接近于95％的锯齿对称的锯齿波可以具有61％的中值偏转率。因此，图18的锯齿波的偏转率可以比图16的半锯齿波的偏转率更优异。
图21是示出根据本公开的实施方式的具有初始DC分量的对准信号的示意性波形图。图21的对准信号可以与第一对准信号AS1和第二对准信号AS2之间的电势差对应。
参考图21，对准信号可以具有预定或可选的频率。在一个周期T期间，对准信号可以具有正峰值电压HV和负峰值电压LV。对准信号的正积分值可以小于对准信号的负积分值。因此，对准信号可以具有负初始DC分量。因此，在阈值电压Vth相对低的情况下，可以发生离子迁移，并且因此，对准信号的输入效率可以降低。
图22是根据本公开的另一实施方式的具有初始DC分量的对准信号的示意性波形图。图22的对准信号可以与第一对准信号AS1和第二对准信号AS2之间的电势差对应。
参考图22，在一个周期T期间，对准信号可以具有正峰值电压HV和负峰值电压LV。对准信号的正积分值可以大于对准信号的负积分值。因此，对准信号可以具有正初始DC分量。因此，在阈值电压Vth相对低的情况下，可以发生离子迁移，并且因此，对准信号的输入效率可以降低。
图23是根据本公开的实施方式的改变的矩形波对准信号的示意性波形图。图24是示出不同RC值的改变的矩形波对准信号的示意性波形图。图25是示出根据图24的实施方式的不同RC值的净DC电压的示意图。图23和图24的改变的矩形波可以与第一对准信号AS1和第二对准信号AS2之间的电势差对应。
参考图23至图25，场施加单元1500可以向第一对准焊盘AP1提供第一对准信号AS1并且向第二对准焊盘AP2提供第二对准信号AS2。第一对准信号AS1和第二对准信号AS2之间的电势差可以与输入电压Vin对应。输入电压Vin可以是具有预定或可选的频率的锯齿波。例如，输入电压Vin可以具有从18秒至19秒的一个周期T和从19秒至20秒的另一周期T。
输入电压Vin的正峰值电压可以与输入电压Vin的负峰值电压不同，并且输入电压Vin的正脉冲宽度可以与输入电压Vin的负脉冲宽度不同。输入电压Vin可以具有持续A(其中A是正实数)秒的B(其中B是正实数)的电压(V)以及持续(T-A)秒的-(A×B)/(T-A)的电压(V)。参考图23，A＝0.25，B＝1.5，并且T＝1。然而，本公开不限于此。输入电压Vin可以具有1.5V的正峰值电压和-0.5V的负峰值电压。输入电压Vin可以具有0.25秒的正脉冲宽度和0.75秒的负脉冲宽度。输入电压Vin的正积分值(即，A×B)可以与输入电压Vin的负积分值(即，A×B)基本上相同，并且输入电压Vin的输入DC分量可以为零。
取决于由每个面板单元CEL的电性质确定的RC值，输入电压Vin可以引起RC延迟。在每个面板单元CEL具有0.01的RC值的情况下，0.01-RC改变的矩形波可以比输入电压Vin更延迟。在每个面板单元CEL具有0.05的RC值的情况下，0.05-RC改变的矩形波可以比0.01-RC改变的矩形波更延迟。在每个面板单元CEL具有0.1的RC值的情况下，0.1-RC改变的矩形波可以比0.05-RC改变的矩形波更延迟。在每个面板单元CEL具有0.5的RC值的情况下，0.5-RC改变的矩形波可以比0.1-RC改变的矩形波更延迟。0.01-RC改变的矩形波和0.05-RC改变的矩形波可以具有1.5V的正峰值电压和-0.5V的负峰值电压。0.1-RC改变的矩形波可以具有比0.05-RC改变的矩形波低的正峰值电压，并且0.5-RC改变的矩形波可以具有比0.1-RC改变的矩形波低的正峰值电压。
0.01-RC改变的矩形波的正积分值和负积分值可以相同。因此，在阈值电压Vth比输入电压Vin低的情况下，0.01-RC改变的矩形波的净DC电压VDC可以接近于零，并且可以不发生离子迁移(“零离子迁移率”)。在阈值电压Vth增加的情况下，0.01-RC改变的矩形波的净DC电压VDC显著增加，使得0.01-RC改变的矩形波的偏转率可以最大化(“最大偏转率”)。例如，在阈值电压Vth与输入电压Vin的比例(即，Vth/Vin)为0.6或更大的情况下，0.01-RC改变的矩形波的净DC电压VDC可以达到其最大值。
0.05-RC改变的矩形波的正积分值和负积分值可以相同。因此，在阈值电压Vth比输入电压Vin低的情况下，0.05-RC改变的矩形波的净DC电压VDC可以接近于零，并且可以不发生离子迁移(“零离子迁移率”)。在阈值电压Vth增加的情况下，0.05-RC改变的矩形波的净DC电压VDC显著增加，使得0.05-RC改变的矩形波的偏转率可以最大化(“最大偏转率”)。例如，在阈值电压Vth与输入电压Vin的比例(即，Vth/Vin)为0.6的情况下，0.05-RC改变的矩形波的净DC电压VDC可以达到其最大值。0.05-RC改变的矩形波的最大净DC电压可以比0.01-RC改变的矩形波的最大净DC电压低。
0.1-RC改变的矩形波的正积分值和负积分值可以相同。因此，在阈值电压Vth比输入电压Vin低的情况下，0.1-RC改变的矩形波的净DC电压VDC可以接近于零，并且可以不发生离子迁移(“零离子迁移率”)。在阈值电压Vth增加的情况下，0.1-RC改变的矩形波的净DC电压VDC显著增加，使得0.1-RC改变的矩形波的偏转率可以最大化(“最大偏转率”)。例如，在阈值电压Vth与输入电压Vin的比例(即，Vth/Vin)为0.6的情况下，0.1-RC改变的矩形波的净DC电压VDC可以达到其最大值。0.1-RC改变的矩形波的最大净DC电压可以比0.05-RC改变的矩形波的最大净DC电压低。因此，改变的矩形波的RC值越大，改变的矩形波的最大净DC电压越小。
图26是示出根据本公开的实施方式的不同对准信号的净DC电压的示意图。图26比较了图18的锯齿波的净DC电压、图21和图22的对准信号以及图23和图24的改变的矩形波。
参考图26，在阈值电压Vth比输入电压Vin低的情况下，图18的锯齿波的净DC电压VDC可以接近于零，并且可以不发生离子迁移(“零离子迁移率”)。因此，图18的锯齿波可以改善对准信号的输入效率。在阈值电压Vth增加的情况下，图18的锯齿波的净DC电压VDC可以增加，使得图18的锯齿波的偏转率可以得到改善(“改善的偏转率”)。
在阈值电压Vth比输入电压Vin低的情况下，图21和图22的对准信号的净DC电压VDC可以大于零，并且可以发生离子迁移。因此，图21和图22的对准信号的输入效率可以降低，并且电力消耗可以增加。
在阈值电压Vth比输入电压Vin低的情况下，图23和图24的改变的矩形波的净DC电压VDC可以接近于零，并且可以不发生离子迁移(“零离子迁移率”)。因此，图23和图24的改变的矩形波可以改善对准信号的输入效率。
在阈值电压Vth增加的情况下，图23和图24的改变的矩形波的净DC电压VDC可以显著增加，使得图23和图24的改变的矩形波的偏转率可以最大化(“最大偏转率”)。例如，在阈值电压Vth超出图23和图24的改变的矩形波的负峰值电压的情况下，图23和图24的改变的矩形波的负积分值可以收敛至零，并且图23和图24的改变的矩形波的正积分值可以变得显著大于图23和图24的改变的矩形波的负积分值。因此，设备1000可以通过改善发光元件ED的对准和偏转的效率来改善显示装置10的发射效率。
图27是示出根据本公开的实施方式的制造显示装置的方法的示意性流程图。
参考图27，设备1000可以向面板单元CEL中的每一个提供对准信号。可以准备各自包括第一对准线AL1和第二对准线AL2的面板单元CEL(S110)。
场施加单元1500可以向第一对准线AL1和第二对准线AL2提供在其之间具有预定或可选的电势差的第一对准信号AS1和第二对准信号AS2(S120)。第一对准线AL1可以通过第一对准焊盘AP1接收第一对准信号AS1，并且第二对准线AL2可以通过第二对准焊盘AP2接收第二对准信号AS2。图23和图24的改变的矩形波可以与第一对准信号AS1和第二对准信号AS2之间的电势差对应。图23和图24的改变的矩形波的正峰值电压可以与图23和图24的改变的矩形波的负峰值电压不同，并且图23和图24的改变的矩形波的正脉冲宽度可以与图23和图24的改变的矩形波的负脉冲宽度不同。图23和图24的改变的矩形波的正积分值(即，A×B)可以与图23和图24的改变的矩形波的负积分值(即，A×B)基本上相同。
设备1000可以通过向第一面板单元CEL1和第二面板单元CEL2提供对准信号来在第一对准线AL1和第二对准线AL2之间对准第一像素SP1、第二像素SP2和第三像素SP3中的每一个中的发光元件ED(S130)。
本文中已经公开了实施方式，并且尽管使用了术语，但是它们仅在一般和描述性的意义上使用和解释，并且不是出于限制的目的。在一些情况下，如将对于本领域普通技术人员显而易见的，除非另有特别指示，否则结合实施方式描述的特征、特性和/或元件可以单独使用或与结合其它实施方式描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此，本领域普通技术人员将理解，在不背离本公开的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上进行各种改变。

Claims (20)

1.用于制造显示装置的设备，包括：
台；
面板单元，设置在所述台上，并且包括：
第一对准线；以及
第二对准线，平行于所述第一对准线延伸；
场施加部分，向所述面板单元的所述第一对准线和所述第二对准线提供对准信号；以及
发光元件，在所述第一对准线和所述第二对准线之间对准，
其中，所述对准信号具有相同的正积分值和负积分值，具有与所述对准信号的负峰值电压不同的正峰值电压并且具有与所述对准信号的负脉冲宽度不同的正脉冲宽度。
2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述对准信号与施加到所述第一对准线和所述第二对准线的第一对准信号和第二对准信号之间的电势差对应。
3.根据权利要求1所述的设备，其中，在所述对准信号的所述正脉冲宽度小于所述对准信号的所述负脉冲宽度的情况下，所述对准信号的所述正峰值电压比所述对准信号的所述负峰值电压高。
4.根据权利要求1所述的设备，其中，在所述对准信号是具有T的周期、A的所述正脉冲宽度和B的所述正峰值电压的矩形波的情况下，其中T、A、B是正实数，所述对准信号的所述负脉冲宽度是T-A，并且所述对准信号的所述负峰值电压是-(A×B)/(T-A)。
5.根据权利要求4所述的设备，其中，在所述对准信号的阈值电压为零的情况下，所述对准信号的净直流电压为零。
6.根据权利要求4所述的设备，其中，在所述对准信号的阈值电压超出所述对准信号的所述负峰值电压的情况下，所述对准信号的净直流电压最大化。
7.根据权利要求4所述的设备，其中，随着所述面板单元的RC值增加，所述对准信号的净直流电压降低。
8.根据权利要求1所述的设备，还包括：
电压输出器，生成并输出所述对准信号；
放大器，放大所述对准信号，并且将放大的所述对准信号提供到所述场施加部分；
控制器，向所述电压输出器提供确定所述对准信号的波形的控制信号；
发射驱动器，从所述控制器接收发射时序信号，并且输出发射驱动信号；以及
光照射部分，从所述发射驱动器接收所述发射驱动信号，并且向所述面板单元施加光。
9.根据权利要求8所述的设备，其中，所述控制器使所述控制信号和所述发射时序信号同步，使得所述对准信号和所述发射时序信号具有相同的频率。
10.用于制造显示装置的设备，包括：
台；
面板单元，设置在所述台上，并且包括：
第一对准线；以及
第二对准线，平行于所述第一对准线延伸；
场施加部分，向所述面板单元的所述第一对准线和所述第二对准线提供对准信号；以及
发光元件，在所述第一对准线和所述第二对准线之间对准，
其中，所述对准信号具有与所述对准信号的负峰值电压不同的正峰值电压，具有与所述对准信号的负脉冲宽度不同的正脉冲宽度，并且具有0的初始直流分量。
11.根据权利要求10所述的设备，其中，在所述对准信号的所述正脉冲宽度小于所述对准信号的所述负脉冲宽度的情况下，所述对准信号的所述正峰值电压比所述对准信号的所述负峰值电压高。
12.根据权利要求10所述的设备，其中，在所述对准信号是具有T的周期、A的所述正脉冲宽度和B的所述正峰值电压的矩形波的情况下，其中T、A、B是正实数，所述对准信号的所述负脉冲宽度是T-A，并且所述对准信号的所述负峰值电压是-(A×B)/(T-A)。
13.根据权利要求12所述的设备，其中，在所述对准信号的阈值电压为零的情况下，所述对准信号的净直流电压为零。
14.根据权利要求12所述的设备，其中，在所述对准信号的阈值电压超出所述对准信号的所述负峰值电压的情况下，所述对准信号的净直流电压最大化。
15.根据权利要求12所述的设备，其中，随着所述面板单元的RC值增加，所述对准信号的净直流电压降低。
16.制造显示装置的方法，包括：
准备面板单元，所述面板单元包括：
第一对准线；以及
第二对准线，平行于所述第一对准线延伸；
向所述第一对准线和所述第二对准线提供对准信号，所述对准信号具有相同的正积分值和负积分值，具有与所述对准信号的负峰值电压不同的正峰值电压并且具有与所述对准信号的负脉冲宽度不同的正脉冲宽度；以及
在所述第一对准线与所述第二对准线之间对准发光元件。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，在所述对准信号的所述正脉冲宽度小于所述对准信号的所述负脉冲宽度的情况下，所述对准信号的所述正峰值电压比所述对准信号的所述负峰值电压高。
18.根据权利要求16所述的方法，其中，在所述对准信号是具有T的周期、A的所述正脉冲宽度和B的所述正峰值电压的矩形波的情况下，其中T、A、B是正实数，所述对准信号的所述负脉冲宽度是T-A，并且所述对准信号的所述负峰值电压是-(A×B)/(T-A)。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，在所述对准信号的阈值电压为零的情况下，所述对准信号的净直流电压为零。
20.根据权利要求18所述的方法，其中，在所述对准信号的阈值电压超出所述对准信号的所述负峰值电压的情况下，所述对准信号的净直流电压最大化。
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