CN116855251A - 一种高选择性半导体芯片二氧化硅蚀刻液、制备方法及其应用 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种高选择性半导体芯片二氧化硅蚀刻液，其特征在于，按照重量分数计算，包括如下组分：复合功能剂0.1‑0.5份，氢氟酸0.2‑10份，氟化铵5‑40份，超纯水30‑80份。本发明的复合功能剂具由以下优良特性：良好的水溶性，高润湿性和保护基材免受腐蚀的功能。同时，本发明的半导体芯片二氧化硅蚀刻液、制备方法也具有更加优异的性能，其能够实现受控的蚀刻速率，改善蚀刻均匀性，提高蚀刻的选择性。本发明中对于蚀刻液蚀刻工艺无特殊要求，仅在浸泡和超纯水清洗的工艺下即可完成高质量的蚀刻，易于产业化应用，降本增效。
Description
技术领域
本发明属于半导体制造工艺领域，尤其涉及一种高选择性半导体芯片二氧化硅蚀刻液、制备方法及其应用。
背景技术
氧化硅，通常被称为二氧化硅，由于其优异的电绝缘性能、热稳定性以及耐化学和机械应力，是集成电路(IC)制造中广泛使用的材料。
蚀刻二氧化硅是集成电路(IC)制造中必不可少的工艺步骤。集成电路中二氧化硅的蚀刻解决方案在全球范围内一直在不断研究和开发。近年来，IC制造的进步使得蚀刻工艺越来越精确和可控，以实现符合摩尔定律的更小的特征尺寸和更高的密度。
集成电路(IC)的二氧化硅蚀刻技术难点包括实现被蚀刻材料二氧化硅与底层或周围层之间的高选择性，整个晶圆的均匀性以及对其余结构的最小损坏。其他挑战包括控制刻蚀速率、维护环境安全以及避免可能影响器件性能的污染。
目前，公开了一些半导体芯片二氧化硅蚀刻液，引用文献1公开了一种二氧化硅薄膜的蚀刻液，主要成分包括氢氟酸、氟化铵、添加剂、表面活性剂以及超纯水。
本发明的蚀刻液可用于蚀刻热氧化生长的二氧化硅薄膜、化学气相沉积/物理气相沉积生长的二氧化硅薄膜以及硼磷硅玻璃薄膜，通过调控蚀刻液中各组分的含量，可以满足不同制程的二氧化硅薄膜的蚀刻指标要求。
引用文献2公开了一种二氧化硅蚀刻液及其制备方法，该蚀刻液包括：氟化铵溶液20％～30％，氢氟酸3％～6％，余量为超纯水。本发明蚀刻液经过精密混配，去除产品中的杂质，蚀刻精度高，速度快。
因此，需要开发具有高蚀刻均匀性、防止硅基材腐蚀的蚀刻液，提高集成电路(IC)器件良率和一致稳定性。
引用文献：
引用文献1：CN111471463A；
引用文献2：CN104164237A。
发明内容
鉴于现有技术中存在的技术问题，本发明设计了一种高性能的二氧化硅蚀刻液，其一，实现受控的刻蚀速率和高选择性和高均一性蚀刻，提高器件的整体性能；其二，最大限度地减少由于表面活性剂气泡及反应气体残留导致的局部蚀刻缺陷问题。
为了解决上述存在的技术问题，本发明采用了以下方案：
一种高选择性半导体芯片二氧化硅蚀刻液，其特征在于，按照重量分数计算，包括如下组分：
其中，所述的复合功能剂为基于聚乙烯醇(PVA)的杂化材料，接枝有聚乙二醇(PEG)和硅烷偶联剂；
或者为聚二甲基硅氧烷(PDMS)和氨基官能化聚乙二醇(PEG)接枝的聚乙烯醇(PVA)共聚物。
进一步地，述的复合功能剂基于聚乙烯醇(PVA)的杂化材料，接枝有聚乙二醇(PEG)和硅烷偶联剂的结构式：
[-CH2-CH(OH)-]n-PVA-g-[-O-CH2-(CH2)m-O-]x-PEG-g-[-Si(OR)3]y
其中，
n代表PVA的聚合度(n＝35-200)；
m表示PEG的聚合度(m＝20-50)；
x表示PEG接枝的数量(x＝5-40)；
y表示硅烷偶联剂接枝的数量(y＝5-30)；
R代表烷基，所述烷基为C原子数小于8的直链烷基。
进一步地，所述的复合功能剂聚二甲基硅氧烷(PDMS)和氨基官能化聚乙二醇(PEG)接枝的聚乙烯醇(PVA)共聚物的结构式：
[-CH2-CHOH-]n-(Si(CH3)2-O)m-PEG-NH2
其中，
n代表PVA的聚合度(n＝20-400)；
m表示PDMS的聚合度(m＝10-50)；
PEG的分子量为Mn＝400-2000。
进一步地，所述复合功能剂基于聚乙烯醇(PVA)的杂化材料，接枝有聚乙二醇(PEG)和硅烷偶联剂的制备方法包括如下步骤：
步骤1：PVA溶液的制备
将PVA在50-70℃下溶解在水中以形成均匀PVA溶液的溶液；
所述PVA溶液的质量浓度为5％-15％；
步骤2：PEG-PVA混合溶液制备
将具有反应性端基的PEG添加到PVA溶液中，制备PEG-PVA混合溶液；
所述的反应性端基为羟基或胺基；
所述的反应性端基的PEG与到PVA溶液的添加比例为1:6-3：7；
步骤3：PEG-PVA混合溶液的pH值调整
使用缓冲液将PEG-PVA混合溶液的pH调节到4-7；
所述的缓冲液为质量浓度为2％-5％的磷酸盐或质量浓度为2％-5％的硼酸盐缓冲液；
步骤4：催化剂溶液的制备
将碳化二亚胺解在水中制备催化剂溶液；
所述的碳化二亚胺为1-乙基-3-(3-二甲氨基丙基)碳化二亚胺(EDC)；
所述的催化剂溶液的质量浓度为1％-5％；
步骤5：接枝反应制备PVA-PEG溶液
将步骤4制备的催化剂溶液加入步骤3调整过pH值的PVA-PEG混合溶液中；添加后，所述的催化剂的质量浓度为0.5％-4％；
并保持反应温度为50℃-70℃，反应时间为2-8h，不断搅拌混合物以确保均匀性；
步骤6：硅烷偶联剂溶液的制备
将硅烷偶联剂与反应性官能团溶解在溶剂中，制备硅烷偶联剂溶液；
所述的硅烷偶联剂与反应性官能团的质量比为1:1-1:5；
制备得到的硅烷偶联剂浓度为0.2％-3％；
所述反应性官能团为含有羧酸或胺基的物质；所述的溶剂为水或水-乙醇混合物；当溶剂为水-乙醇混合时，水-乙醇的添加比例为1:1-1:5；
步骤7：硅烷偶联剂接枝反应
将步骤6制备的硅烷偶联剂溶液添加到步骤5接枝反应PVA-PEG溶液中，并继续搅拌以确保适当混合；
将反应温度保持在50℃-80℃，反应时间为2-8h，不断搅拌；
步骤8：制备基于聚乙烯醇(PVA)的杂化材料，接枝有聚乙二醇(PEG)和硅烷偶联剂复合功能剂
硅烷偶联剂接枝反应完成后，通过纯化步骤，然后干燥，即可得到基于聚乙烯醇(PVA)的杂化材料，接枝有聚乙二醇(PEG)和硅烷偶联剂复合功能剂；
所述的纯化步骤为透析或过滤。
进一步地，所述复合功能剂聚二甲基硅氧烷(PDMS)和氨基官能化聚乙二醇(PEG)接枝的聚乙烯醇(PVA)共聚物的制备方法包括如下步骤：
步骤1：PVA溶液的制备
将将PVA在50-70℃下溶解在水中以形成均匀的溶液；所述PVA溶液的质量浓度为5％-15％；
步骤2：PVA溶液的pH值调整
使用缓冲液将步骤1制备的PVA溶液的pH值调整到6-8；
所述的缓冲液为质量浓度为2％-5％的磷酸盐或质量浓度为2％-5％的硼酸盐缓冲液；
步骤3：PDMS溶液的制备
在溶剂中溶解硅烷醇封端的PDMS来制备PDMS溶液；
所述的制备PDMS溶液的质量浓度为0.1％-5％；
所述的溶剂为四氢呋喃(THF)或二甲基甲酰胺(DMF)；
步骤4：PVA-PDMS混合溶液制备
将步骤3制备的PDMS溶液添加到步骤2调整过pH值的PVA溶液中，制备PVA-PDMS混合溶液，并继续搅拌以确保适当混合；
所述的PDMS溶液与调整过pH值的PVA溶液的添加比例为1:1-5；
步骤5：第一催化剂溶液的制备
将二月桂酸二丁基锡(DBTDL)溶解在溶剂中制备第一催化剂溶液；
所述的溶剂为四氢呋喃(THF)或二甲基甲酰胺(DMF)；
所述的第一催化剂溶液的质量浓度为0.5％-2％；
步骤6：PVA-PDMS接枝反应
将步骤5制备的第一催化剂溶液添加到步骤4制备PVA-PDMS混合溶液中；添加后，所述的第一催化剂的质量浓度为0.5％-4％；
并保持反应温度为50℃-70℃，反应时间为4-12小时，持续搅拌；
步骤7：PDMS改性PVA的制备
步骤6的PVA-PDMS接枝反应完成后，进行纯化步骤以获得PDMS改性PVA；所述的纯化步骤为沉淀、透析或过滤；
步骤8：PVA-PDMS链溶液的制备
在50℃-70℃条件下，将步骤7制备的PDMS改性PVA溶解在水中，制备PVA-PDMS链溶液；
步骤9：PVA-PDMS链溶液的pH值调整
用缓冲液将PVA-PDMS溶液的pH值调整到4-6；
所述的缓冲液为质量浓度为5％-10％的柠檬酸盐或质量浓度为2％-5％的硼酸盐缓冲液；
步骤10：氨基功能化PEG溶液的制备
在水中溶解氨基功能化PEG制备氨基功能化PEG溶液；
步骤11：PVA-PDMS-氨基功能化PEG混合物液
将步骤10制备得到的氨基功能化PEG溶液添加到步骤9调整过pH值的PVA-PDMS溶液中，得到PVA-PDMS-氨基功能化PEG混合物液，继续搅拌混匀；
所述的氨基功能化PEG溶液与调整过pH值的PVA-PDMS溶液的质量比为10:1-1:1；
步骤12：第二催化剂溶液的制备
将1-乙基-3-(3-二甲氨基丙基)碳二亚胺(EDC)溶解在水中来制备第二催化剂溶液；
所述的第二催化剂溶液的质量浓度为1％-5％；
步骤13：接枝反应
将步骤12制备的第二催化剂溶液添加到步骤11制备的PVA-PDMS-氨基功能化PEG混合物液中；
添加后，第二催化剂的质量浓度为0.5％-3％；
反应温度为40℃-60℃，反应时间为2-6h，持续搅拌；
步骤14：制备聚二甲基硅氧烷(PDMS)和氨基官能化聚乙二醇(PEG)接枝的聚乙烯醇(PVA)共聚物
步骤13的接枝反应完成后，继续进行纯化步骤，以获得聚二甲基硅氧烷(PDMS)和氨基官能化聚乙二醇(PEG)接枝的聚乙烯醇(PVA)共聚物；所述的纯化步骤为透析或过滤。
进一步地，步骤8所述的PVA-PDMS链溶液的质量浓度为0.5％-10％。
进一步地，步骤10所述的氨基功能化PEG为NH2-PEG-OH；所述的氨基功能化PEG溶液的质量浓度为0.5％-40％。
本发明还公开了一种高选择性半导体芯片二氧化硅蚀刻液的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1：分别称取各自用量的各个组份；
步骤2：将超纯水加入容器中；
步骤3：常温加入氟化铵；
步骤4：常温加入氢氟酸；
步骤5：将溶液加热至30-40℃；
步骤6：加入复合功能剂，保持溶液温度为30-40℃，再在该温度下搅拌至均匀透明，即得所述高选择性半导体芯片二氧化硅蚀刻液。
本发明还公开了一种高选择性半导体芯片二氧化硅蚀刻液用来蚀刻半导体芯片的蚀刻方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1：将所述二氧化硅蚀刻液在23-25℃下浸泡半导体芯片，浸泡时间为1-5分钟，得到浸泡后半导体芯片；
步骤2：到达设定的浸泡时间后，将半导体芯片置于超纯水中冲洗至少两次；
步骤3：高纯氮气干燥芯片，完成蚀刻。
本发明还公开了一种高选择性半导体芯片二氧化硅蚀刻液在蚀刻半导体芯片中的用途。
需要说明的是，在本发明中，选择的pH范围确保PEG上的反应性端基可以有效地与PVA主链上的羟基反应。
在本发明中，接枝反应的合适催化剂是碳化二亚胺，可以更优选为1-乙基-3-(3-二甲氨基丙基)碳化二亚胺(EDC)；原因在于，EDC可以激活PVA主链上的羟基，使它们能够与PEG上的羟基或胺基团反应。
在本发明中，可以通过调整反应时间以控制接枝程度和PEG链的长度；
在本发明中，可以调整反应时间以控制接枝度和接枝到PVA-PEG链上的硅烷偶联剂的量；
在本发明中，可以调整反应时间以控制接枝程度和接枝到PVA骨架上的PDMS的量；
在本发明中，可以通过调整反应时间以控制接枝程度和接枝到PVA-PDMS主链上的氨基官能化PEG的量。
需要说明的是，纯化步骤中，
过滤：将沉淀的化合物与溶液分离后，可以使用过滤纸或微孔滤膜进行过滤。过滤的目的是去除残留的杂质和固体颗粒，得到相对纯净的溶液。
透析：透析是一种分离和纯化溶液中溶质的方法。通过透析，可以去除较小分子量的杂质和离子，使得目标化合物得到进一步纯化。透析一般使用透析袋或透析膜，根据目标化合物和杂质的分子量差异，通过半透膜的作用将杂质从溶液中分离出来。
在纯化过程中，根据具体情况和目标纯化程度的要求，可以根据实验条件进行调整和优化。
此外，需要注意选择适当的溶剂和过滤器，以确保高效和有效地纯化目标化合物。
在本发明中提到的润湿剂：非离子表面活性剂和阴离子表面活性剂。优选的非离子表面活性剂包括，醇聚氧乙烯醚、烷基酚乙氧基化物、聚山梨醇酯、聚环氧乙烷和聚环氧丙烷的嵌段共聚物等；阴离子表面活性剂优选，烷基磺基琥珀酸酯、烷基二苯氧化物二磺酸盐类。
在本发明中氢氟酸：氢氟酸是溶液中的主要蚀刻剂，它与二氧化硅(SiO2)反应形成可溶性氟化硅络合物，有效去除氧化层。
总体反应为：
SiO2+4HF→SiF4(g)+2H2O
氟化铵：氟化铵充当缓冲剂，有助于维持溶液的pH值。它还与硅形成复杂的氟化物，促进更可控的蚀刻过程。
总体反应为：
SiO2+6NH4F→(NH4)2SiF6+2NH3+2H2O
需要注意的是，在本发明中，除非另有规定，涉及组成限定和描述的“包括”的具体含义，既包含了开放式的“包括”、“包含”等及其类似含义，也包含了封闭式的“由…组成”等及其类似含义。
本发明具有以下有益效果：
首先，本发明的聚乙烯醇(PVA)的杂化材料，接枝有聚乙二醇(PEG)和硅烷偶联剂 复合功能剂具有以下优良特性：
(1)水溶性好：PVA是一种水溶性聚合物，PEG的加入进一步增强了水溶性。PVA和PEG的亲水性使材料能够很好地溶解在水中，形成均匀且稳定的溶液。
(2)高润湿性：将硅烷偶联剂接枝到PVA骨架上，使复合功能剂能够与二氧化硅表面有较好的相互作用。硅烷偶联剂同时具有亲水和疏水功能，这使得它们能够与二氧化硅表面形成牢固的键合作用，并提高润湿性能。PEG的引入还有助于降低溶液的表面张力，进一步提高润湿性。
(3)保护硅基材免受腐蚀：由于硅烷偶联剂与二氧化硅表面牢固结合，在硅基材表面形成保护层，该保护层起到屏蔽作用，防止碱性氢氧化物与硅基板反应并腐蚀硅基板。
其次，本发明的聚二甲基硅氧烷(PDMS)和氨基官能化聚乙二醇(PEG)接枝的聚乙 烯醇(PVA)共聚物复合功能剂具有以下优良特性：
(1)良好的水溶性：聚乙烯醇(PVA)作为主链，提供水溶性和与蚀刻溶液的相容性。
(2)高消泡性能：PDMS接枝到PVA主链上，可与表面活性剂泡沫相互作用并使其不稳定。
当PDMS链段被引入发泡系统时，由于其疏水性，它们往往会聚集在气液界面。疏水性PDMS链段与气相比与水相更相容，因此它们迁移到气液界面，破坏表面活性剂分子在界面处的排列和堆积，降低了表面活性剂膜的稳定性。由于表面活性剂薄膜的稳定性因PDMS链段的存在而受到损害，泡沫中的气泡开始聚结并破裂。泡沫破裂后，疏水的PDMS链段留在气液界面，继续阻止新泡沫的形成。这使得PDMS链段在整个蚀刻过程中充当消泡剂，持续抑制泡沫的形成。
(3)快速气泡脱除性能：氨基官能化聚乙二醇(PEG)接枝到PVA骨架上，氨基中的氮原子可以与SiF4中的氟原子通过氢键或范德华力的弱相互作用下形成了瞬时复合物，这些复合物非共价结合，而是气体分子和官能团之间的动态和可逆相互作用。
由于PEG链和PVA骨架的水溶性，SiF4-PEG复合物通过蚀刻溶液从反应位点运走。这种运动可以通过蚀刻溶液的搅动或搅动来增强。一旦SiF4-PEG复合物被运离反应位点，将复合物结合在一起的弱力就会被破坏。
这个过程加速SiF4气体分子的释放，然后这些气体分子可以从蚀刻溶液中逸出到周围的大气中。在释放SiF4气体后，氨基功能化的PEG可以自由地与新的SiF4气体分子相互作用。这种再生能力使气体去除成分在整个蚀刻过程中保持有效，不断捕获和去除反应部位的SiF4气体。通过捕获和去除反应部位的SiF4气体，有助于提高反应效率，并最大限度地减少气体残留引起的蚀刻缺陷。
同时，本发明的半导体芯片二氧化硅蚀刻液、制备方法也具有如下有益效果：
(1)关于提高蚀刻选择性：
蚀刻溶液中复合功能剂的存在可最大程度的减少氢氟酸、氟化铵体系二氧化硅蚀刻液对基层材料的损伤，实现受控的蚀刻速率和高选择性，提高器件的整体性能。
(2)关于改善蚀刻均匀性：
蚀刻溶液中润湿剂和复合功能剂的存在在降低表面张力并改善基材的润湿性的同时，可最大限度地减少由于表面活性剂气泡及反应气体残留导致的局部蚀刻缺陷问题，使得蚀刻剂在整个表面上分布更均匀，从而导致蚀刻一致并减少缺陷。
(3)关于受控的蚀刻速率：
氢氟酸和氟化铵的组合确保二氧化硅层的受控和选择性蚀刻。氢氟酸提供主要的蚀刻作用，而氟化铵充当缓冲剂以维持溶液的pH值，从而实现更可控的蚀刻过程。
(4)本发明中二氧化硅蚀刻液蚀刻工艺无特殊要求，仅在浸泡和超纯水清洗的工艺下即可完成高质量的蚀刻，易于产业化应用，降本增效。
本发明的二氧化硅蚀刻液在半导体芯片湿法蚀刻领域具有非常良好的应用前景和大规模工业化推广潜力。
附图说明
图1：为本发明实施例1复合功能剂基于聚乙烯醇的杂化材料，接枝有聚乙二醇和硅烷偶联剂蚀刻后放大50000倍的SEM形貌图；
图2：为本发明实施例1制备的蚀刻液在SiO2表面的接触角示意图；
图3：为本发明实施例9复合功能剂聚二甲基硅氧烷和氨基官能化聚乙二醇接枝的聚乙烯醇共聚物蚀刻后放大50000倍的SEM形貌图；
图4：为本发明实施例9制备的蚀刻液进行震荡摇泡实验前照片；
图5：为本发明实施例9制备的蚀刻液进行震荡摇泡实验静置消泡后照片。
具体实施方式
下面结合具体实施例以及附图，对本发明做进一步说明：
下述表1-表3涉及第一种复合功能剂：聚乙烯醇的杂化材料，接枝有聚乙二醇和硅 烷偶联剂的相关实施例、对比例以及测试结果分析的情况：
表1实施例1-8
关于本发明中高选择性半导体芯片二氧化硅蚀刻液的制备方法如下：
步骤1：分别称取各自用量的各个组份；
步骤2：将超纯水加入容器中；
步骤3：常温加入氟化铵；
步骤4：常温加入氢氟酸；
步骤5：将溶液加热至30-40℃；
步骤6：加入复合功能剂，保持溶液温度为30-40℃，再在该温度下搅拌至均匀透明，即得所述高选择性半导体芯片二氧化硅蚀刻液。
关于本发明中复合功能剂基于聚乙烯醇(PVA)的杂化材料，接枝有聚乙二醇(PEG)
和硅烷偶联剂的制备方法包括如下步骤：
步骤1：PVA溶液的制备
将PVA在50-70℃下溶解在水中以形成均匀PVA溶液的溶液；
所述PVA溶液的质量浓度为5％-15％；
步骤2：PEG-PVA混合溶液制备
将具有反应性端基的PEG添加到PVA溶液中，制备PEG-PVA混合溶液；
所述的反应性端基为羟基或胺基；
所述的反应性端基的PEG与到PVA溶液的添加比例为1:6-3：7；
步骤3：PEG-PVA混合溶液的pH值调整
使用缓冲液将PEG-PVA混合溶液的pH调节到4-7；
所述的缓冲液为质量浓度为2％-5％的磷酸盐或质量浓度为2％-5％的硼酸盐缓冲液；
步骤4：催化剂溶液的制备
将碳化二亚胺解在水中制备催化剂溶液；
所述的碳化二亚胺为1-乙基-3-(3-二甲氨基丙基)碳化二亚胺(EDC)；
所述的催化剂溶液的质量浓度为1％-5％；
步骤5：接枝反应制备PVA-PEG溶液
将步骤4制备的催化剂溶液加入步骤3调整过pH值的PVA-PEG混合溶液中；添加后，所述的催化剂的质量浓度为0.5％-4％；
并保持反应温度为50℃-70℃，反应时间为2-8h，不断搅拌混合物以确保均匀性；
步骤6：硅烷偶联剂溶液的制备
将硅烷偶联剂与反应性官能团溶解在溶剂中，制备硅烷偶联剂溶液；
所述的硅烷偶联剂与反应性官能团的质量比为1:1-1:5；
制备得到的硅烷偶联剂浓度为0.2％-3％；
所述反应性官能团为含有羧酸或胺基的物质；所述的溶剂为水或水-乙醇混合物；当溶剂为水-乙醇混合时，水-乙醇的添加比例为1:1-1:5；
步骤7：硅烷偶联剂接枝反应
将步骤6制备的硅烷偶联剂溶液添加到步骤5接枝反应PVA-PEG溶液中，并继续搅拌以确保适当混合；
将反应温度保持在50℃-80℃，反应时间为2-8h，不断搅拌；
步骤8：制备基于聚乙烯醇(PVA)的杂化材料，接枝有聚乙二醇(PEG)和硅烷偶联剂复合功能剂
硅烷偶联剂接枝反应完成后，通过纯化步骤，然后干燥，即可得到基于聚乙烯醇(PVA)的杂化材料，接枝有聚乙二醇(PEG)和硅烷偶联剂复合功能剂；纯化步骤为透析或过滤。
需要说明的是，纯化步骤中
过滤：将沉淀的化合物与溶液分离后，可以使用过滤纸或微孔滤膜进行过滤。过滤的目的是去除残留的杂质和固体颗粒，得到相对纯净的溶液。
透析：透析是一种分离和纯化溶液中溶质的方法。通过透析，可以去除较小分子量的杂质和离子，使得目标化合物得到进一步纯化。透析一般使用透析袋或透析膜，根据目标化合物和杂质的分子量差异，通过半透膜的作用将杂质从溶液中分离出来。
在纯化过程中，根据具体情况和目标纯化程度的要求，可以根据实验条件进行调整和优化。
此外，需要注意选择适当的溶剂和过滤器，以确保高效和有效地纯化目标化合物。
本发明中的高选择性半导体芯片二氧化硅蚀刻液的蚀刻方法包含如下具体步骤：
步骤1：将所述二氧化硅蚀刻液在23-25℃下浸泡半导体芯片，浸泡时间为1-5分钟，得到浸泡后半导体芯片；
步骤2：到达设定的浸泡时间后，将半导体芯片置于超纯水中冲洗至少两次；
步骤3：高纯氮气干燥芯片，完成蚀刻。
表2对比例1-5
关于测试：
性能测试1：蚀刻残留验证
实验方式：浸泡实验；
样片：SiO2 Pattern Wafer(12寸)；
温度：23℃；
时间：60s；
测试仪器：扫描电子显微镜(SEM)；
蚀刻残留：扫描电子显微镜(SEM)观察残留情况。
性能测试2：膜层均一性测试(TTV)
实验方式：浸泡实验；
样片：SiO2 Dummy Wafer(12寸)；
温度：23℃；
时间：60s；
测试仪器：膜厚仪(均匀49点)；
蚀刻均一性测试：TTV＝膜厚最大–膜厚最小。
性能测试3：硅损伤验证
实验方式：浸泡实验；
样片：硅样片(2cm*2cm)；
温度：23℃；
时间：300s；
测试仪器：膜厚仪；
损伤速率计算公式：(膜厚前值-膜厚后值)/时间。
性能测试4：消泡时间验证
实验方式：震荡摇泡实验；
蚀刻液量：20mL；
温度：23℃；
震荡时间：10s；
测试仪器：目测；
消泡时间验证方法：观察并记录震荡静置后蚀刻液表面泡沫消除的时间。
性能测试5：蚀刻速率稳定性验证
实验方式：浸泡实验；
样片：SiO2 Dummy Wafer(2cm*2cm)；
温度：23℃；
时间：60s；
测试仪器：膜厚仪；
蚀刻速率稳定性测试：测试12h、24h、48h、72h的蚀刻速率，计算速率波动情况(蚀刻速率波动X＝最大速率-最小速率)最显微镜观察残留情况。
表3测试结果(复合功能剂为聚乙烯醇的杂化材料，接枝有聚乙二醇和硅烷偶联剂)
关于表3测试结果的分析说明：
第一，从表格中可以明显的看到，本发明实施例1-8制备的蚀刻液进行蚀刻后的半导体芯片上是无残留的。而对比例1-5是大部分存在残留情况的。从数据上可以证明本发明的蚀刻的选择性有了很大程度的提高。
同时，辅佐以图1进行说明，为本发明实施例1复合功能剂基于聚乙烯醇的杂化材料，接枝有聚乙二醇和硅烷偶联剂蚀刻后放大50000倍的SEM形貌图；使用本发明制备的蚀刻液进行蚀刻后，半导体芯片具有良好的蚀刻形貌。从上图也可以看出本发明的蚀刻液有力的改善了蚀刻的均匀性，也具有更好的选择性。
第二，本发明实施例制备的蚀刻液的蚀刻速率波动验证值和硅损伤验证值远小于对比例中各组的实验数值，其结果充分说明了，本发明实施例制备的蚀刻液进行蚀刻时的可最大程度的减少氢氟酸、氟化铵体系二氧化硅蚀刻液对硅材料的损伤，实现受控的蚀刻速率和高选择性，提高器件的整体性能。
第三，本发明实施例制备的蚀刻液的膜层均一性测试(TTV)数据与对比例所测得的数据甚至产生了巨大的差距，其充分说明本发明蚀刻溶液中该复合功能剂的存在有助于降低表面张力并改善基材的润湿性，这导致蚀刻剂在整个表面上分布更均匀，从而导致蚀刻一致并减少缺陷。
同时辅佐以图2进行说明，图2为本发明实施例1制备的蚀刻液在SiO2表面的接触角示意图；从图2可以看出本发明实施例1制备的蚀刻液在SiO2表面的接触角低，表现出较好的润湿性。
本发明的聚乙烯醇(PVA)的杂化材料，接枝有聚乙二醇(PEG)和硅烷偶联剂复合功 能剂具有以下优良特性：
(1)水溶性好：PVA是一种水溶性聚合物，PEG的加入进一步增强了水溶性。PVA和PEG的亲水性使材料能够很好地溶解在水中，形成均匀且稳定的溶液。
(2)高润湿性：将硅烷偶联剂接枝到PVA骨架上，使复合功能剂能够与二氧化硅表面有较好的相互作用。硅烷偶联剂同时具有亲水和疏水功能，这使得它们能够与二氧化硅表面形成牢固的键合作用，并提高润湿性能。PEG的引入还有助于降低溶液的表面张力，进一步提高润湿性。
(3)保护硅基材免受腐蚀：由于硅烷偶联剂与二氧化硅表面牢固结合，在硅基材表面形成保护层，该保护层起到屏蔽作用，防止碱性氢氧化物与硅基板反应并腐蚀硅基板。
下述表4-表5设计第二种复合功能剂：聚二甲基硅氧烷(PDMS)和氨基官能化聚乙 二醇(PEG)接枝的聚乙烯醇(PVA)共聚物的相关实施例，对比例和测试结果分析：
表4实施例9-16
关于本发明中高选择性半导体芯片二氧化硅蚀刻液的制备方法如下：
步骤1：分别称取各自用量的各个组份；
步骤2：将超纯水加入容器中；
步骤3：常温加入氟化铵；
步骤4：常温加入氢氟酸；
步骤5：将溶液加热至30-40℃；
步骤6：加入复合功能剂，保持溶液温度为30-40℃，再在该温度下搅拌至均匀透明，即得所述高选择性半导体芯片二氧化硅蚀刻液。
关于本发明中复合功能剂聚二甲基硅氧烷(PDMS)和氨基官能化聚乙二醇(PEG)接 枝的聚乙烯醇(PVA)共聚物的制备方法包括如下步骤：
步骤1：PVA溶液的制备
将将PVA在50-70℃下溶解在水中以形成均匀的溶液；所述PVA溶液的质量浓度为5％-15％；
步骤2：PVA溶液的pH值调整
使用缓冲液将步骤1制备的PVA溶液的pH值调整到6-8；
所述的缓冲液为质量浓度为2％-5％的磷酸盐或质量浓度为2％-5％的硼酸盐缓冲液；
步骤3：PDMS溶液的制备
在溶剂中溶解硅烷醇封端的PDMS来制备PDMS溶液；
所述的制备PDMS溶液的质量浓度为0.1％-5％；
所述的溶剂为四氢呋喃(THF)或二甲基甲酰胺(DMF)；
步骤4：PVA-PDMS混合溶液制备
将步骤3制备的PDMS溶液添加到步骤2调整过pH值的PVA溶液中，制备PVA-PDMS混合溶液，并继续搅拌以确保适当混合；
所述的PDMS溶液与调整过pH值的PVA溶液的添加比例为1:1-5；
步骤5：第一催化剂溶液的制备
将二月桂酸二丁基锡(DBTDL)溶解在溶剂中制备第一催化剂溶液；
所述的溶剂为四氢呋喃(THF)或二甲基甲酰胺(DMF)；
所述的第一催化剂溶液的质量浓度为0.5％-2％；
步骤6：PVA-PDMS接枝反应
将步骤5制备的第一催化剂溶液添加到步骤4制备PVA-PDMS混合溶液中；添加后，所述的第一催化剂的质量浓度为0.5％-4％；
并保持反应温度为50℃-70℃，反应时间为4-12小时，持续搅拌；
步骤7：PDMS改性PVA的制备
步骤6的PVA-PDMS接枝反应完成后，进行纯化步骤以获得PDMS改性PVA；所述的纯化步骤为沉淀、透析或过滤；
步骤8：PVA-PDMS链溶液的制备
在50℃-70℃条件下，将步骤7制备的PDMS改性PVA溶解在水中，制备PVA-PDMS链溶液；
步骤8所述的PVA-PDMS链溶液的质量浓度为0.5％-10％。
步骤9：PVA-PDMS链溶液的pH值调整
用缓冲液将PVA-PDMS溶液的pH值调整到4-6；
所述的缓冲液为质量浓度为5％-10％的柠檬酸盐或质量浓度为2％-5％的硼酸盐缓冲液；
步骤10：氨基功能化PEG溶液的制备
在水中溶解氨基功能化PEG制备氨基功能化PEG溶液；
步骤10所述的氨基功能化PEG为NH2-PEG-OH；所述的氨基功能化PEG溶液的质量浓度为0.5％-40％。
步骤11：PVA-PDMS-氨基功能化PEG混合物液
将步骤10制备得到的氨基功能化PEG溶液添加到步骤9调整过pH值的PVA-PDMS溶液中，得到PVA-PDMS-氨基功能化PEG混合物液，继续搅拌混匀；
所述的氨基功能化PEG溶液与调整过pH值的PVA-PDMS溶液的质量比为10:1-1:1；
步骤12：第二催化剂溶液的制备
将1-乙基-3-(3-二甲氨基丙基)碳二亚胺(EDC)溶解在水中来制备第二催化剂溶液；
所述的第二催化剂溶液的质量浓度为1％-5％；
步骤13：接枝反应
将步骤12制备的第二催化剂溶液添加到步骤11制备的PVA-PDMS-氨基功能化PEG混合物液中；
添加后，第二催化剂的质量浓度为0.5％-3％；
反应温度为40℃-60℃，反应时间为2-6h，持续搅拌；
步骤14：制备聚二甲基硅氧烷(PDMS)和氨基官能化聚乙二醇(PEG)接枝的聚乙烯醇(PVA)共聚物
步骤13的接枝反应完成后，继续进行纯化步骤，以获得聚二甲基硅氧烷(PDMS)和氨基官能化聚乙二醇(PEG)接枝的聚乙烯醇(PVA)共聚物；所述的纯化步骤为透析或过滤。
需要说明的是，纯化步骤中
过滤：将沉淀的化合物与溶液分离后，可以使用过滤纸或微孔滤膜进行过滤。过滤的目的是去除残留的杂质和固体颗粒，得到相对纯净的溶液。
透析：透析是一种分离和纯化溶液中溶质的方法。通过透析，可以去除较小分子量的杂质和离子，使得目标化合物得到进一步纯化。透析一般使用透析袋或透析膜，根据目标化合物和杂质的分子量差异，通过半透膜的作用将杂质从溶液中分离出来。
在纯化过程中，根据具体情况和目标纯化程度的要求，可以根据实验条件进行调整和优化。
此外，需要注意选择适当的溶剂和过滤器，以确保高效和有效地纯化目标化合物。
本发明中的高选择性半导体芯片二氧化硅蚀刻液的蚀刻方法包含如下具体步骤：
步骤1：将所述二氧化硅蚀刻液在23-25℃下浸泡半导体芯片，浸泡时间为1-5分钟，得到浸泡后半导体芯片；
步骤2：到达设定的浸泡时间后，将半导体芯片置于超纯水中冲洗至少两次；
步骤3：高纯氮气干燥芯片，完成蚀刻。
表5测试结果
(复合功能剂为聚二甲基硅氧烷和氨基官能化聚乙二醇接枝的聚乙烯醇共聚物)：
关于表5测试结果的分析说明：
第一，从表格中可以明显的看到，本发明实施例9-16制备的蚀刻液进行蚀刻后的半导体芯片上是无残留的。而对比例6-10是大部分存在残留情况的。从数据上可以证明本发明的蚀刻的选择性有了很大程度的提高。
同时，辅佐以图3进行说明，图3为本发明实施例9复合功能剂聚二甲基硅氧烷和氨基官能化聚乙二醇接枝的聚乙烯醇共聚物蚀刻后放大50000倍的SEM形貌图；使用本发明制备的蚀刻液进行蚀刻后，半导体芯片具有良好的蚀刻形貌。从上图也可以看出本发明的蚀刻液有力的改善了蚀刻的均匀性，也具有更好的选择性。
第二，本发明实施例制备的蚀刻液的蚀刻速率波动验证值远小于对比例中各组的实验数值。
其结果充分说明了，本发明实施例制备的蚀刻液进行蚀刻时能够的实现蚀刻速率的受控性和高选择性，提高器件的整体性能。
第三，本发明实施例制备的蚀刻液的膜层均一性测试(TTV)数据与对比例所测得的数据甚至产生了巨大的差距。其充分说明本发明蚀刻溶液中复合功能剂的存在有助于降低表面张力并改善基材的润湿性，这导致蚀刻剂在整个表面上分布更均匀，从而导致蚀刻一致并减少缺陷。
第四，从消泡时间验证值来看，本发明使用的聚二甲基硅氧烷和氨基官能化聚乙二醇接枝的聚乙烯醇共聚物具有更优异的消泡效率，更有益于实现蚀刻液的高效性，高选择性和均匀性。
辅助以图4和图5进行说明，其中，图4为本发明实施例9制备的蚀刻液进行震荡摇泡实验前照片；图5：为本发明实施例9制备的蚀刻液进行震荡摇泡实验静置消泡后照片，震荡后，从图4到图5的效果的时间为8.32s，大大提升的消泡的效率。
本发明的聚二甲基硅氧烷(PDMS)和氨基官能化聚乙二醇(PEG)接枝的聚乙烯醇 (PVA)共聚物复合功能剂具有以下优良特性：
(1)良好的水溶性：聚乙烯醇(PVA)作为主链，提供水溶性和与蚀刻溶液的相容性。
(2)高消泡性能：PDMS接枝到PVA主链上，可与表面活性剂泡沫相互作用并使其不稳定。
当PDMS链段被引入发泡系统时，由于其疏水性，它们往往会聚集在气液界面。疏水性PDMS链段与气相比与水相更相容，因此它们迁移到气液界面，破坏表面活性剂分子在界面处的排列和堆积，降低了表面活性剂膜的稳定性。由于表面活性剂薄膜的稳定性因PDMS链段的存在而受到损害，泡沫中的气泡开始聚结并破裂。泡沫破裂后，疏水的PDMS链段留在气液界面，继续阻止新泡沫的形成。这使得PDMS链段在整个蚀刻过程中充当消泡剂，持续抑制泡沫的形成。
(3)快速气泡脱除性能：氨基官能化聚乙二醇(PEG)接枝到PVA骨架上，氨基中的氮原子可以与SiF4中的氟原子通过氢键或范德华力的弱相互作用下形成了瞬时复合物，这些复合物非共价结合，而是气体分子和官能团之间的动态和可逆相互作用。
由于PEG链和PVA骨架的水溶性，SiF4-PEG复合物通过蚀刻溶液从反应位点运走。这种运动可以通过蚀刻溶液的搅动或搅动来增强。一旦SiF4-PEG复合物被运离反应位点，将复合物结合在一起的弱力就会被破坏。
这个过程加速SiF4气体分子的释放，然后这些气体分子可以从蚀刻溶液中逸出到周围的大气中。在释放SiF4气体后，氨基功能化的PEG可以自由地与新的SiF4气体分子相互作用。这种再生能力使气体去除成分在整个蚀刻过程中保持有效，不断捕获和去除反应部位的SiF4气体。通过捕获和去除反应部位的SiF4气体，有助于提高反应效率，并最大限度地减少气体残留引起的蚀刻缺陷。
上面结合实施例和附图对本发明进行了示例性的描述，显然本发明的实现并不受上述方式的限制，只要采用了本发明的方法构思和技术方案进行的各种改进，或未经改进将本发明的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本发明的保护范围内。
Claims (10)
1.一种高选择性半导体芯片二氧化硅蚀刻液，其特征在于，按照重量分数计算，包括如下组分：
其中，所述的复合功能剂为基于聚乙烯醇(PVA)的杂化材料，接枝有聚乙二醇(PEG)和硅烷偶联剂；
或者为聚二甲基硅氧烷(PDMS)和氨基官能化聚乙二醇(PEG)接枝的聚乙烯醇(PVA)共聚物。
2.根据权利要求1所述的高选择性半导体芯片二氧化硅蚀刻液，其特征在于：
所述的复合功能剂基于聚乙烯醇(PVA)的杂化材料，接枝有聚乙二醇(PEG)和硅烷偶联剂的结构式：
[-CH2-CH(OH)-]n-PVA-g-[-O-CH2-(CH2)m-O-]x-PEG-g-[-Si(OR)3]y
其中，
n代表PVA的聚合度(n＝35-200)；
m表示PEG的聚合度(m＝20-50)；
x表示PEG接枝的数量(x＝5-40)；
y表示硅烷偶联剂接枝的数量(y＝5-30)；
R代表烷基，所述烷基为C原子数小于8的直链烷基。
3.根据权利要求1或2所述的高选择性半导体芯片二氧化硅蚀刻液，其特征在于：
所述的复合功能剂聚二甲基硅氧烷(PDMS)和氨基官能化聚乙二醇(PEG)接枝的聚乙烯醇(PVA)共聚物的结构式：
[-CH2-CHOH-]n-(Si(CH3)2-O)m-PEG-NH2
其中，
n代表PVA的聚合度(n＝20-400)；
m表示PDMS的聚合度(m＝10-50)；
PEG的分子量为Mn＝400-2000。
4.根据权利要求3所述的高选择性半导体芯片二氧化硅蚀刻液，其特征在于：
所述复合功能剂基于聚乙烯醇(PVA)的杂化材料，接枝有聚乙二醇(PEG)和硅烷偶联剂的制备方法包括如下步骤：
步骤1：PVA溶液的制备
将PVA在50-70℃下溶解在水中以形成均匀PVA溶液的溶液；
所述PVA溶液的质量浓度为5％-15％；
步骤2：PEG-PVA混合溶液制备
将具有反应性端基的PEG添加到PVA溶液中，制备PEG-PVA混合溶液；
所述的反应性端基为羟基或胺基；
所述的反应性端基的PEG与到PVA溶液的添加比例为1:6-3：7；
步骤3：PEG-PVA混合溶液的pH值调整
使用缓冲液将PEG-PVA混合溶液的pH调节到4-7；
所述的缓冲液为质量浓度为2％-5％的磷酸盐或质量浓度为2％-5％的硼酸盐缓冲液；
步骤4：催化剂溶液的制备
将碳化二亚胺解在水中制备催化剂溶液；
所述的碳化二亚胺为1-乙基-3-(3-二甲氨基丙基)碳化二亚胺(EDC)；
所述的催化剂溶液的质量浓度为1％-5％；
步骤5：接枝反应制备PVA-PEG溶液
将步骤4制备的催化剂溶液加入步骤3调整过pH值的PVA-PEG混合溶液中；添加后，所述的催化剂的质量浓度为0.5％-4％；
并保持反应温度为50℃-70℃，反应时间为2-8h，不断搅拌混合物以确保均匀性；
步骤6：硅烷偶联剂溶液的制备
将硅烷偶联剂与反应性官能团溶解在溶剂中，制备硅烷偶联剂溶液；
所述的硅烷偶联剂与反应性官能团的质量比为1:1-1:5；
制备得到的硅烷偶联剂浓度为0.2％-3％；
所述反应性官能团为含有羧酸或胺基的物质；所述的溶剂为水或水-乙醇混合物；当溶剂为水-乙醇混合时，水-乙醇的添加比例为1:1-1:5；
步骤7：硅烷偶联剂接枝反应
将步骤6制备的硅烷偶联剂溶液添加到步骤5接枝反应PVA-PEG溶液中，并继续搅拌以确保适当混合；
将反应温度保持在50℃-80℃，反应时间为2-8h，不断搅拌；
步骤8：制备基于聚乙烯醇(PVA)的杂化材料，接枝有聚乙二醇(PEG)和硅烷偶联剂复合功能剂
硅烷偶联剂接枝反应完成后，通过纯化步骤，然后干燥，即可得到基于聚乙烯醇(PVA)的杂化材料，接枝有聚乙二醇(PEG)和硅烷偶联剂复合功能剂；
所述的纯化步骤为透析或过滤。
5.根据权利要求3所述的高选择性半导体芯片二氧化硅蚀刻液，其特征在于：
所述复合功能剂聚二甲基硅氧烷(PDMS)和氨基官能化聚乙二醇(PEG)接枝的聚乙烯醇(PVA)共聚物的制备方法包括如下步骤：
步骤1：PVA溶液的制备
将将PVA在50-70℃下溶解在水中以形成均匀的溶液；所述PVA溶液的质量浓度为5％-15％；
步骤2：PVA溶液的pH值调整
使用缓冲液将步骤1制备的PVA溶液的pH值调整到6-8；
所述的缓冲液为质量浓度为2％-5％的磷酸盐或质量浓度为2％-5％的硼酸盐缓冲液；
步骤3：PDMS溶液的制备
在溶剂中溶解硅烷醇封端的PDMS来制备PDMS溶液；
所述的制备PDMS溶液的质量浓度为0.1％-5％；
所述的溶剂为四氢呋喃(THF)或二甲基甲酰胺(DMF)；
步骤4：PVA-PDMS混合溶液制备
将步骤3制备的PDMS溶液添加到步骤2调整过pH值的PVA溶液中，制备PVA-PDMS混合溶液，并继续搅拌以确保适当混合；
所述的PDMS溶液与调整过pH值的PVA溶液的添加比例为1:1-5；
步骤5：第一催化剂溶液的制备
将二月桂酸二丁基锡(DBTDL)溶解在溶剂中制备第一催化剂溶液；
所述的溶剂为四氢呋喃(THF)或二甲基甲酰胺(DMF)；
所述的第一催化剂溶液的质量浓度为0.5％-2％；
步骤6：PVA-PDMS接枝反应
将步骤5制备的第一催化剂溶液添加到步骤4制备PVA-PDMS混合溶液中；添加后，所述的第一催化剂的质量浓度为0.5％-4％；
并保持反应温度为50℃-70℃，反应时间为4-12小时，持续搅拌；
步骤7：PDMS改性PVA的制备
步骤6的PVA-PDMS接枝反应完成后，进行纯化步骤以获得PDMS改性PVA；所述的纯化步骤为沉淀、透析或过滤；
步骤8：PVA-PDMS链溶液的制备
在50℃-70℃条件下，将步骤7制备的PDMS改性PVA溶解在水中，制备PVA-PDMS链溶液；
步骤9：PVA-PDMS链溶液的pH值调整
用缓冲液将PVA-PDMS溶液的pH值调整到4-6；
所述的缓冲液为质量浓度为5％-10％的柠檬酸盐或质量浓度为2％-5％的硼酸盐缓冲液；
步骤10：氨基功能化PEG溶液的制备
在水中溶解氨基功能化PEG制备氨基功能化PEG溶液；
步骤11：PVA-PDMS-氨基功能化PEG混合物液
将步骤10制备得到的氨基功能化PEG溶液添加到步骤9调整过pH值的PVA-PDMS溶液中，得到PVA-PDMS-氨基功能化PEG混合物液，继续搅拌混匀；
所述的氨基功能化PEG溶液与调整过pH值的PVA-PDMS溶液的质量比为10:1-1:1；
步骤12：第二催化剂溶液的制备
将1-乙基-3-(3-二甲氨基丙基)碳二亚胺(EDC)溶解在水中来制备第二催化剂溶液；
所述的第二催化剂溶液的质量浓度为1％-5％；
步骤13：接枝反应
将步骤12制备的第二催化剂溶液添加到步骤11制备的PVA-PDMS-氨基功能化PEG混合物液中；
添加后，第二催化剂的质量浓度为0.5％-3％；
反应温度为40℃-60℃，反应时间为2-6h，持续搅拌；
步骤14：制备聚二甲基硅氧烷(PDMS)和氨基官能化聚乙二醇(PEG)接枝的聚乙烯醇(PVA)共聚物
步骤13的接枝反应完成后，继续进行纯化步骤，以获得聚二甲基硅氧烷(PDMS)和氨基官能化聚乙二醇(PEG)接枝的聚乙烯醇(PVA)共聚物；所述的纯化步骤为透析或过滤。
6.根据权利要求5所述的高选择性半导体芯片二氧化硅蚀刻液的制备方法，其特征在于：步骤8所述的PVA-PDMS链溶液的质量浓度为0.5％-10％。
7.根据权利要求5所述的高选择性半导体芯片二氧化硅蚀刻液的制备方法，其特征在于：步骤10所述的氨基功能化PEG为NH2-PEG-OH；
所述的氨基功能化PEG溶液的质量浓度为0.5％-40％。
8.一种权利要求1-7所述的高选择性半导体芯片二氧化硅蚀刻液的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1：分别称取各自用量的各个组份；
步骤2：将超纯水加入容器中；
步骤3：常温加入氟化铵；
步骤4：常温加入氢氟酸；
步骤5：将溶液加热至30-40℃；
步骤6：加入复合功能剂，保持溶液温度为30-40℃，再在该温度下搅拌至均匀透明，即得所述高选择性半导体芯片二氧化硅蚀刻液。
9.一种权利要求1-7所述的高选择性半导体芯片二氧化硅蚀刻液用来蚀刻半导体芯片的蚀刻方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1：将所述二氧化硅蚀刻液在23-25℃下浸泡半导体芯片，浸泡时间为1-5分钟，得到浸泡后半导体芯片；
步骤2：到达设定的浸泡时间后，将半导体芯片置于超纯水中冲洗至少两次；
步骤3：高纯氮气干燥芯片，完成蚀刻。
10.一种权利要求1-7所述的高选择性半导体芯片二氧化硅蚀刻液在蚀刻半导体芯片中的用途。
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Citations (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003257952A (ja) * | 2002-03-04 | 2003-09-12 | Kishimoto Sangyo Co Ltd | 絶縁膜エッチング剤 |
| US20050107498A1 (en) * | 2002-02-21 | 2005-05-19 | Karl Kolter | Rapidly soluble film covering based on polyvinylalcohol-polyether graft copolymers combined with components containing hydroxyl, amide, or ester functions |
| KR20070107383A (ko) * | 2006-05-03 | 2007-11-07 | 램테크놀러지 주식회사 | 실리콘 산화막 식각용 용액 제조방법 |
| KR20100112821A (ko) * | 2009-04-10 | 2010-10-20 | 주식회사 포스코 | 고분자가 도입된 용액 내 분산안정성이 우수한 나노 금속분말 제조방법, 상기 금속분말을 포함하는 수지조성물, 이를 이용한 표면처리 강판 |
| US20120046415A1 (en) * | 2010-08-20 | 2012-02-23 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming block copolymers, methods of forming a self-assembled block copolymer structure and related compositions |
| US20130131357A1 (en) * | 2011-06-02 | 2013-05-23 | Beijing University Of Chemical Technology | Method for preparing white carbon black modified by silane coupling agent |
| CN104164237A (zh) * | 2013-05-16 | 2014-11-26 | 江阴江化微电子材料股份有限公司 | 一种二氧化硅蚀刻液及其制备方法 |
| CN109054652A (zh) * | 2018-09-06 | 2018-12-21 | 王贤萍 | 一种新型金属抛光液 |
| CN111471463A (zh) * | 2020-04-24 | 2020-07-31 | 湖北兴福电子材料有限公司 | 一种二氧化硅薄膜的蚀刻液 |
| US20210009855A1 (en) * | 2018-09-21 | 2021-01-14 | Qingdao university of technology | Alumina sol-silane composite material and preparation method and application thereof |
| CN113544822A (zh) * | 2019-03-07 | 2021-10-22 | 关东化学株式会社 | 氮化硅蚀刻液组合物 |
| CN114085326A (zh) * | 2021-12-06 | 2022-02-25 | 铨盛聚碳科技股份有限公司 | 一种接枝交联剂、其制备方法、以及含有其的抗冲改性剂和应用 |
| CN114350367A (zh) * | 2021-12-16 | 2022-04-15 | 湖北兴福电子材料有限公司 | 一种低泡且蚀刻均匀的蚀刻液 |
| CN114891509A (zh) * | 2021-12-14 | 2022-08-12 | 湖北兴福电子材料有限公司 | 一种高选择性的缓冲氧化物蚀刻液 |
| CN114989827A (zh) * | 2022-08-04 | 2022-09-02 | 广东粤港澳大湾区黄埔材料研究院 | 含硅氧烷类化合物的氮化硅蚀刻液及其制备方法和应用 |
| CN116103047A (zh) * | 2022-09-20 | 2023-05-12 | 湖北兴福电子材料股份有限公司 | 一种高选择性蚀刻掺杂氧化硅/碳氮化硅的蚀刻液 |
-
2023
- 2023-06-30 CN CN202310795462.6A patent/CN116855251A/zh active Pending
Patent Citations (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050107498A1 (en) * | 2002-02-21 | 2005-05-19 | Karl Kolter | Rapidly soluble film covering based on polyvinylalcohol-polyether graft copolymers combined with components containing hydroxyl, amide, or ester functions |
| JP2003257952A (ja) * | 2002-03-04 | 2003-09-12 | Kishimoto Sangyo Co Ltd | 絶縁膜エッチング剤 |
| KR20070107383A (ko) * | 2006-05-03 | 2007-11-07 | 램테크놀러지 주식회사 | 실리콘 산화막 식각용 용액 제조방법 |
| KR20100112821A (ko) * | 2009-04-10 | 2010-10-20 | 주식회사 포스코 | 고분자가 도입된 용액 내 분산안정성이 우수한 나노 금속분말 제조방법, 상기 금속분말을 포함하는 수지조성물, 이를 이용한 표면처리 강판 |
| US20120046415A1 (en) * | 2010-08-20 | 2012-02-23 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming block copolymers, methods of forming a self-assembled block copolymer structure and related compositions |
| US20130131357A1 (en) * | 2011-06-02 | 2013-05-23 | Beijing University Of Chemical Technology | Method for preparing white carbon black modified by silane coupling agent |
| CN104164237A (zh) * | 2013-05-16 | 2014-11-26 | 江阴江化微电子材料股份有限公司 | 一种二氧化硅蚀刻液及其制备方法 |
| CN109054652A (zh) * | 2018-09-06 | 2018-12-21 | 王贤萍 | 一种新型金属抛光液 |
| US20210009855A1 (en) * | 2018-09-21 | 2021-01-14 | Qingdao university of technology | Alumina sol-silane composite material and preparation method and application thereof |
| CN113544822A (zh) * | 2019-03-07 | 2021-10-22 | 关东化学株式会社 | 氮化硅蚀刻液组合物 |
| CN111471463A (zh) * | 2020-04-24 | 2020-07-31 | 湖北兴福电子材料有限公司 | 一种二氧化硅薄膜的蚀刻液 |
| CN114085326A (zh) * | 2021-12-06 | 2022-02-25 | 铨盛聚碳科技股份有限公司 | 一种接枝交联剂、其制备方法、以及含有其的抗冲改性剂和应用 |
| CN114891509A (zh) * | 2021-12-14 | 2022-08-12 | 湖北兴福电子材料有限公司 | 一种高选择性的缓冲氧化物蚀刻液 |
| CN114350367A (zh) * | 2021-12-16 | 2022-04-15 | 湖北兴福电子材料有限公司 | 一种低泡且蚀刻均匀的蚀刻液 |
| CN114989827A (zh) * | 2022-08-04 | 2022-09-02 | 广东粤港澳大湾区黄埔材料研究院 | 含硅氧烷类化合物的氮化硅蚀刻液及其制备方法和应用 |
| CN116103047A (zh) * | 2022-09-20 | 2023-05-12 | 湖北兴福电子材料股份有限公司 | 一种高选择性蚀刻掺杂氧化硅/碳氮化硅的蚀刻液 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 赖小娟;: "高分子表面活性剂的合成及其应用", 中国洗涤用品工业, no. 01, 15 February 2007 (2007-02-15), pages 32 - 35 * |
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Legal Events
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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