CN116812961A - 一种工业副产品石膏的清洁化处理方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种工业副产品石膏的清洁化处理方法，属于固废处理技术领域。本申请中清洁化处理的辅助处理试剂起到关键性作用，其中柠檬酸、草酸可能利于工业副产品中杂质较多的石膏，有效溶解一些难溶的重金属离子，其中磷酸三丁酯可以对于石膏中难溶的有机物进行萃取溶解，其中醋酸钠可以中和石膏的部分强碱物质，其中复合菌剂起到最关键的作用，一方面利用发酵有效降解石膏中无用的物质并转换成有机物，另一方面在紫外催化作用下结合次氯酸钠降低地衣芽孢杆菌、唐菖蒲伯克霍尔德氏菌的毒性，起到操作后期杀死作用。
Description
技术领域
本发明属于固废处理技术领域，具体地说，涉及一种工业副产品石膏的清洁化处理方法。
背景技术
副产品石膏是湿法磷酸生产中排出的含酸废渣，通常每生产1吨P2O5就产生4.5～5.0吨石膏。石膏长期堆放不仅占用大量土地，增加费用，还污染环境。据估计，每年世界石膏排放量约3亿吨，其处理和综合利用已成为全球性问题，寻找其有效利用途径迫在眉捷。迄今世界石膏平均利用率只有2％～3％，我国为3％～6％。石膏中含有少量的磷、氟等有害成分，致使再生利用的成本较高，通常作为废物排放。大部分石膏采用露天堆放和倾入大海两种方式处理，只有极少的部分得到利用。一方面，石膏露天堆放占用大量的土地，给企业造成很大负担；另一方面，石膏排放造成严重污染环境。从60年代至今，不少国家都在致力于石膏的工业化应用研究工作，在理论上和实践上都取得了不少的成果。当前，石膏主要应用在以下几个方面：1)作土壤改良剂；2)作水泥缓凝剂；3)生产建筑石膏和石膏水泥；4)制硫酸铵；5)制取硫酸钾；
6)制备硫酸联产水泥。
大量石膏的排放问题，一直困扰着世界各地有湿法磷酸生产装置的企业，从20世纪40年代开始，国内外众多企业和科研机构一直在探索石膏的处理问题，可分为两类处理思路，即末端治理法和源头削减污染法(即清洁生产)，属于末端治理法的研究有：(1)石膏堆场选址、防渗处理，加速固化等。(2)对排出的含多种杂质的石膏进行净化处理后，用于生产造纸填料和建材。建材包括：水泥、水泥缓凝剂、石膏制品、墙粉等。(3)生产肥料硫酸钾、硫酸。(4)石膏转化为碳酸钙和硫磺法，即近年由美国人詹姆斯发明的詹氏处理硫酸钙工艺。目前该新工艺在我国某些大型集团做过试验。该工艺用转窑还原石膏制硫化钙，用硫化氢浸取硫化钙，可得20％的硫氢化钙溶液，再将此硫氢化钙溶液碳化得硫化氢和碳酸钙，所得硫化氢一部分循环，一部分经氧化回收成硫磺。小试结果令人满意，但由于缺乏中试资金，因而其经济可行性有待证明，该工艺预算投资较大。
属于削减污染的处置法(即清洁生产)：在磷酸生产过程中，通过改变工艺流程，使产出的石膏外观洁白，仅含微量杂质，因此可代替天然石膏用于各行各业。该流程大大减少磷酸工艺过程中废渣的排放量，石膏废渣量为原传统工艺的10％～40％。但当前大部分分离技术落后，缺乏有效控制手段，导致石膏的有效利用率较低。
发明内容
针对现有技术存在的上述不足，本发明的目的在于提供一种工业副产品石膏的清洁化处理方法，本申请中清洁化处理的辅助处理试剂起到关键性作用，其中柠檬酸、草酸可能利于工业副产品中杂质较多的石膏，有效溶解一些难溶的重金属离子，其中磷酸三丁酯可以对于石膏中难溶的有机物进行萃取溶解，其中醋酸钠可以中和石膏的部分强碱物质，其中复合菌剂起到最关键的作用，一方面利用发酵有效降解石膏中无用的物质并转换成有机物，另一方面在紫外催化作用下结合次氯酸钠降低地衣芽孢杆菌、唐菖蒲伯克霍尔德氏菌的毒性，起到操作后期杀死作用。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种工业副产品石膏的清洁化处理方法，
包括以下步骤：
(1)回收工业副产品石膏，并进行粉碎处理；
(2)将步骤(1)粉碎处理后的粉末，加入辅助处理试剂，25℃反应5d后，离心取沉淀物；
(3)对于离心沉淀物，使用紫外催化设备进行降解处理。
上述所述的工业副产品石膏的清洁化处理方法，
步骤(1)中粉碎后的石膏的粒径范围为2mm-6mm；
其中粉碎处理的设备为高速研磨机，其中粉碎处理过程中设置冷却系统进行降温。
上述所述的工业副产品石膏的清洁化处理方法，
步骤(2)中辅助处理试剂，以重量份计，包括以下组分：
所述的复合菌剂为地衣芽孢杆菌、唐菖蒲伯克霍尔德氏菌及黑曲霉三者的混合物，其中三者的比例为1：3：7，其中地衣芽孢杆菌、唐菖蒲伯克霍尔德氏菌及黑曲霉均采购自北纳创联生物科技有限公司。
上述所述的工业副产品石膏的清洁化处理方法，
步骤(2)中辅助处理试剂，以重量份计，包括以下组分：
所述的复合菌剂为地衣芽孢杆菌、唐菖蒲伯克霍尔德氏菌及黑曲霉三者的混合物，其中三者的比例为1：3：7，其中地衣芽孢杆菌、唐菖蒲伯克霍尔德氏菌及黑曲霉均采购自北纳创联生物科技有限公司。
上述所述的工业副产品石膏的清洁化处理方法，
步骤(2)中辅助处理试剂，以重量份计，包括以下组分：
所述的复合菌剂为地衣芽孢杆菌、唐菖蒲伯克霍尔德氏菌及黑曲霉三者的混合物，其中三者的比例为1：3：7，其中地衣芽孢杆菌、唐菖蒲伯克霍尔德氏菌及黑曲霉均采购自北纳创联生物科技有限公司。
上述所述的工业副产品石膏的清洁化处理方法，
步骤(2)中离心得到的溶液送至自来水厂进行后续分离处理。
上述所述的工业副产品石膏的清洁化处理方法，
步骤(3)中沉淀物加入质量倍数为十倍的盐酸；
其中盐酸的质量浓度为10％。
上述所述的工业副产品石膏的清洁化处理方法，
步骤(3)中添加盐酸后的沉淀物使用250nm的紫外灯进行照射5h；
同时在沉淀物中次氯酸钠，其中次氯酸钠的添加质量为沉淀物的1/10。
上述所述的工业副产品石膏的清洁化处理方法，
其中紫外灯照射处理进行工业控制的加载模型如下：
依据工业控制内核代码与数据相对位置不变这一原理，有：
Dactual-Dactual_imageBase＝Ddefault-Ddefault_imageBase (Ⅰ)
式中，Dactual_imageBase是内核代码加载基地址；Dactual是内核代码中数据的正确值地址；Ddefault_imageBase是影子内核加载基地址；Ddefault是重定向表给出的需要修复的重定向数据地址。
上述所述的工业副产品石膏的清洁化处理方法，
据工业控制的加载基地址与内核代码的加载基地址之间的偏移，确定每一个工业控制的调用函数地址：
NewSSDTFuncAddr＝OrigSSDTFuncAddr+Δ (Ⅱ)
式中，NewSSDTFuncAddr是内核SSDT表中的某个系统调用函数地址；OrigSSDTFuncAddr是内核SSDT表中对应的系统调用函数地址；Δ是加载基地址与内核加载基地址之间的偏移量。
与现有技术先比，本发明的有益效果是：
本申请中清洁化处理的辅助处理试剂起到关键性作用，其中柠檬酸、草酸可能利于工业副产品中杂质较多的石膏，有效溶解一些难溶的重金属离子，其中磷酸三丁酯可以对于石膏中难溶的有机物进行萃取溶解，其中醋酸钠可以中和石膏的部分强碱物质，其中复合菌剂起到最关键的作用，一方面利用发酵有效降解石膏中无用的物质并转换成有机物，另一方面在紫外催化作用下结合次氯酸钠降低地衣芽孢杆菌、唐菖蒲伯克霍尔德氏菌的毒性，起到操作后期杀死作用。
具体实施方式
下面将对本发明实施例中的技术方案进行详细描述，所描述的实施例仅是本发明的部分实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。下面结合具体实施例对本发明进一步进行描述。
制备实施例1
工业副产品石膏的清洁化处理方法，
包括以下步骤：
(1)回收工业副产品石膏，并进行粉碎处理；
(2)将步骤(1)粉碎处理后的粉末，加入辅助处理试剂，25℃反应5d后，离心取沉淀物；
(3)对于离心沉淀物，使用紫外催化设备进行降解处理。
上述所述的工业副产品石膏的清洁化处理方法，
步骤(1)中粉碎后的石膏的粒径范围为2mm-6mm；
其中粉碎处理的设备为高速研磨机，其中粉碎处理过程中设置冷却系统进行降温。
上述所述的工业副产品石膏的清洁化处理方法，
步骤(2)中辅助处理试剂，以重量份计，包括以下组分：
所述的复合菌剂为地衣芽孢杆菌、唐菖蒲伯克霍尔德氏菌及黑曲霉三者的混合物，其中三者的比例为1：3：7，其中地衣芽孢杆菌、唐菖蒲伯克霍尔德氏菌及黑曲霉均采购自北纳创联生物科技有限公司。
上述所述的工业副产品石膏的清洁化处理方法，
步骤(2)中离心得到的溶液送至自来水厂进行后续分离处理。
上述所述的工业副产品石膏的清洁化处理方法，
步骤(3)中沉淀物加入质量倍数为十倍的盐酸；
其中盐酸的质量浓度为10％。
上述所述的工业副产品石膏的清洁化处理方法，
步骤(3)中添加盐酸后的沉淀物使用250nm的紫外灯进行照射5h；
同时在沉淀物中次氯酸钠，其中次氯酸钠的添加质量为沉淀物的1/10。
上述所述的工业副产品石膏的清洁化处理方法，
其中紫外灯照射处理进行工业控制的加载模型如下：
依据工业控制内核代码与数据相对位置不变这一原理，有：
Dactual-Dactual_imageBase＝Ddefault-Ddefault_imageBase (Ⅰ)
式中，Dactual_imageBase是内核代码加载基地址；Dactual是内核代码中数据的正确值地址；Ddefault_imageBase是影子内核加载基地址；Ddefault是重定向表给出的需要修复的重定向数据地址。
上述所述的工业副产品石膏的清洁化处理方法，
据工业控制的加载基地址与内核代码的加载基地址之间的偏移，确定每一个工业控制的调用函数地址：
NewSSDTFuncAddr＝OrigSSDTFuncAddr+Δ (Ⅱ)
式中，NewSSDTFuncAddr是内核SSDT表中的某个系统调用函数地址；OrigSSDTFuncAddr是内核SSDT表中对应的系统调用函数地址；Δ是加载基地址与内核加载基地址之间的偏移量。
制备实施例2
工业副产品石膏的清洁化处理方法，
包括以下步骤：
(1)回收工业副产品石膏，并进行粉碎处理；
(2)将步骤(1)粉碎处理后的粉末，加入辅助处理试剂，25℃反应5d后，离心取沉淀物；
(3)对于离心沉淀物，使用紫外催化设备进行降解处理。
上述所述的工业副产品石膏的清洁化处理方法，
步骤(1)中粉碎后的石膏的粒径范围为2mm-6mm；
其中粉碎处理的设备为高速研磨机，其中粉碎处理过程中设置冷却系统进行降温。
上述所述的工业副产品石膏的清洁化处理方法，
步骤(2)中辅助处理试剂，以重量份计，包括以下组分：
所述的复合菌剂为地衣芽孢杆菌、唐菖蒲伯克霍尔德氏菌及黑曲霉三者的混合物，其中三者的比例为1：3：7，其中地衣芽孢杆菌、唐菖蒲伯克霍尔德氏菌及黑曲霉均采购自北纳创联生物科技有限公司。
上述所述的工业副产品石膏的清洁化处理方法，
步骤(2)中离心得到的溶液送至自来水厂进行后续分离处理。
上述所述的工业副产品石膏的清洁化处理方法，
步骤(3)中沉淀物加入质量倍数为十倍的盐酸；
其中盐酸的质量浓度为10％。
上述所述的工业副产品石膏的清洁化处理方法，
步骤(3)中添加盐酸后的沉淀物使用250nm的紫外灯进行照射5h；
同时在沉淀物中次氯酸钠，其中次氯酸钠的添加质量为沉淀物的1/10。
上述所述的工业副产品石膏的清洁化处理方法，
其中紫外灯照射处理进行工业控制的加载模型如下：
依据工业控制内核代码与数据相对位置不变这一原理，有：
Dactual-Dactual_imageBase＝Ddefault-Ddefault_imageBase (Ⅰ)
式中，Dactual_imageBase是内核代码加载基地址；Dactual是内核代码中数据的正确值地址；Ddefault_imageBase是影子内核加载基地址；Ddefault是重定向表给出的需要修复的重定向数据地址。
上述所述的工业副产品石膏的清洁化处理方法，
据工业控制的加载基地址与内核代码的加载基地址之间的偏移，确定每一个工业控制的调用函数地址：
NewSSDTFuncAddr＝OrigSSDTFuncAddr+Δ (Ⅱ)
式中，NewSSDTFuncAddr是内核SSDT表中的某个系统调用函数地址；OrigSSDTFuncAddr是内核SSDT表中对应的系统调用函数地址；Δ是加载基地址与内核加载基地址之间的偏移量。
制备实施例3
工业副产品石膏的清洁化处理方法，
包括以下步骤：
(1)回收工业副产品石膏，并进行粉碎处理；
(2)将步骤(1)粉碎处理后的粉末，加入辅助处理试剂，25℃反应5d后，离心取沉淀物；
(3)对于离心沉淀物，使用紫外催化设备进行降解处理。
上述所述的工业副产品石膏的清洁化处理方法，
步骤(1)中粉碎后的石膏的粒径范围为2mm-6mm；
其中粉碎处理的设备为高速研磨机，其中粉碎处理过程中设置冷却系统进行降温。
上述所述的工业副产品石膏的清洁化处理方法，
步骤(2)中辅助处理试剂，以重量份计，包括以下组分：
所述的复合菌剂为地衣芽孢杆菌、唐菖蒲伯克霍尔德氏菌及黑曲霉三者的混合物，其中三者的比例为1：3：7，其中地衣芽孢杆菌、唐菖蒲伯克霍尔德氏菌及黑曲霉均采购自北纳创联生物科技有限公司。
上述所述的工业副产品石膏的清洁化处理方法，
步骤(2)中离心得到的溶液送至自来水厂进行后续分离处理。
上述所述的工业副产品石膏的清洁化处理方法，
步骤(3)中沉淀物加入质量倍数为十倍的盐酸；
其中盐酸的质量浓度为10％。
上述所述的工业副产品石膏的清洁化处理方法，
步骤(3)中添加盐酸后的沉淀物使用250nm的紫外灯进行照射5h；
同时在沉淀物中次氯酸钠，其中次氯酸钠的添加质量为沉淀物的1/10。
上述所述的工业副产品石膏的清洁化处理方法，
其中紫外灯照射处理进行工业控制的加载模型如下：
依据工业控制内核代码与数据相对位置不变这一原理，有：
Dactual-Dactual_imageBase＝Ddefault-Ddefault_imageBase (Ⅰ)
式中，Dactual_imageBase是内核代码加载基地址；Dactual是内核代码中数据的正确值地址；Ddefault_imageBase是影子内核加载基地址；Ddefault是重定向表给出的需要修复的重定向数据地址。
上述所述的工业副产品石膏的清洁化处理方法，
据工业控制的加载基地址与内核代码的加载基地址之间的偏移，确定每一个工业控制的调用函数地址：
NewSSDTFuncAddr＝OrigSSDTFuncAddr+Δ (Ⅱ)
式中，NewSSDTFuncAddr是内核SSDT表中的某个系统调用函数地址；OrigSSDTFuncAddr是内核SSDT表中对应的系统调用函数地址；Δ是加载基地址与内核加载基地址之间的偏移量。
对比实施例1
工业副产品石膏的清洁化处理方法，
包括以下步骤：
(1)回收工业副产品石膏，并进行粉碎处理；
(2)将步骤(1)粉碎处理后的粉末，加入辅助处理试剂，25℃反应5d后，离心取沉淀物；
(3)对于离心沉淀物，使用紫外催化设备进行降解处理。
上述所述的工业副产品石膏的清洁化处理方法，
步骤(1)中粉碎后的石膏的粒径范围为2mm-6mm；
其中粉碎处理的设备为高速研磨机，其中粉碎处理过程中设置冷却系统进行降温。
上述所述的工业副产品石膏的清洁化处理方法，
步骤(2)中辅助处理试剂，以重量份计，包括以下组分：
磷酸三丁酯 6份；
醋酸钠 7份；
复合菌剂 4份；
所述的复合菌剂为地衣芽孢杆菌、唐菖蒲伯克霍尔德氏菌及黑曲霉三者的混合物，其中三者的比例为1：3：7，其中地衣芽孢杆菌、唐菖蒲伯克霍尔德氏菌及黑曲霉均采购自北纳创联生物科技有限公司。
上述所述的工业副产品石膏的清洁化处理方法，
步骤(2)中离心得到的溶液送至自来水厂进行后续分离处理。
上述所述的工业副产品石膏的清洁化处理方法，
步骤(3)中沉淀物加入质量倍数为十倍的盐酸；
其中盐酸的质量浓度为10％。
上述所述的工业副产品石膏的清洁化处理方法，
步骤(3)中添加盐酸后的沉淀物使用250nm的紫外灯进行照射5h；
同时在沉淀物中次氯酸钠，其中次氯酸钠的添加质量为沉淀物的1/10。
上述所述的工业副产品石膏的清洁化处理方法，
其中紫外灯照射处理进行工业控制的加载模型如下：
依据工业控制内核代码与数据相对位置不变这一原理，有：
Dactual-Dactual_imageBase＝Default-Ddefault_imageBase (Ⅰ)
式中，Dactual_imageBase是内核代码加载基地址；Dactual是内核代码中数据的正确值地址；Dactual_imageBase是影子内核加载基地址；Ddefault是重定向表给出的需要修复的重定向数据地址。
上述所述的工业副产品石膏的清洁化处理方法，
据工业控制的加载基地址与内核代码的加载基地址之间的偏移，确定每一个工业控制的调用函数地址：
NewSSDTFuncAddr＝OrigSSDTFuncAddr+Δ (Ⅱ)
式中，NewSSDTFuncAddr是内核SSDT表中的某个系统调用函数地址；OrigSSDTFuncAddr是内核SSDT表中对应的系统调用函数地址；Δ是加载基地址与内核加载基地址之间的偏移量。
对比实施例2
工业副产品石膏的清洁化处理方法，
包括以下步骤：
(1)回收工业副产品石膏，并进行粉碎处理；
(2)将步骤(1)粉碎处理后的粉末，加入辅助处理试剂，25℃反应5d后，离心取沉淀物；
(3)对于离心沉淀物，使用紫外催化设备进行降解处理。
上述所述的工业副产品石膏的清洁化处理方法，
步骤(1)中粉碎后的石膏的粒径范围为2mm-6mm；
其中粉碎处理的设备为高速研磨机，其中粉碎处理过程中设置冷却系统进行降温。
上述所述的工业副产品石膏的清洁化处理方法，
步骤(2)中辅助处理试剂，以重量份计，包括以下组分：
柠檬酸 50份；
草酸 18份；
复合菌剂 4份；
所述的复合菌剂为地衣芽孢杆菌、唐菖蒲伯克霍尔德氏菌及黑曲霉三者的混合物，其中三者的比例为1：3：7，其中地衣芽孢杆菌、唐菖蒲伯克霍尔德氏菌及黑曲霉均采购自北纳创联生物科技有限公司。
上述所述的工业副产品石膏的清洁化处理方法，
步骤(2)中离心得到的溶液送至自来水厂进行后续分离处理。
上述所述的工业副产品石膏的清洁化处理方法，
步骤(3)中沉淀物加入质量倍数为十倍的盐酸；
其中盐酸的质量浓度为10％。
上述所述的工业副产品石膏的清洁化处理方法，
步骤(3)中添加盐酸后的沉淀物使用250nm的紫外灯进行照射5h；
同时在沉淀物中次氯酸钠，其中次氯酸钠的添加质量为沉淀物的1/10。
上述所述的工业副产品石膏的清洁化处理方法，
其中紫外灯照射处理进行工业控制的加载模型如下：
依据工业控制内核代码与数据相对位置不变这一原理，有：
Dactual-Dactual_imageBase＝Ddefault-Ddefault_imageBase (Ⅰ)
式中，Dactual_imageBase是内核代码加载基地址；Dactual是内核代码中数据的正确值地址；Ddefault_imageBase是影子内核加载基地址；Ddefault是重定向表给出的需要修复的重定向数据地址。
上述所述的工业副产品石膏的清洁化处理方法，
据工业控制的加载基地址与内核代码的加载基地址之间的偏移，确定每一个工业控制的调用函数地址：
NewSSDTFuncAddr＝OrigSSDTFuncAddr+Δ (Ⅱ)
式中，NewSSDTFuncAddr是内核SSDT表中的某个系统调用函数地址；OrigSSDTFuncAddr是内核SSDT表中对应的系统调用函数地址；Δ是加载基地址与内核加载基地址之间的偏移量。
对比实施例3
工业副产品石膏的清洁化处理方法，
包括以下步骤：
(1)回收工业副产品石膏，并进行粉碎处理；
(2)将步骤(1)粉碎处理后的粉末，加入辅助处理试剂，25℃反应5d后，离心取沉淀物；
(3)对于离心沉淀物，使用紫外催化设备进行降解处理。
上述所述的工业副产品石膏的清洁化处理方法，
步骤(1)中粉碎后的石膏的粒径范围为2mm-6mm；
其中粉碎处理的设备为高速研磨机，其中粉碎处理过程中设置冷却系统进行降温。
上述所述的工业副产品石膏的清洁化处理方法，
步骤(2)中辅助处理试剂，以重量份计，包括以下组分：
所述的复合菌剂为唐菖蒲伯克霍尔德氏菌及黑曲霉的混合物，其中两者的比例为3：7，其中唐菖蒲伯克霍尔德氏菌及黑曲霉均采购自北纳创联生物科技有限公司。
上述所述的工业副产品石膏的清洁化处理方法，
步骤(2)中离心得到的溶液送至自来水厂进行后续分离处理。
上述所述的工业副产品石膏的清洁化处理方法，
步骤(3)中沉淀物加入质量倍数为十倍的盐酸；
其中盐酸的质量浓度为10％。
上述所述的工业副产品石膏的清洁化处理方法，
步骤(3)中添加盐酸后的沉淀物使用250nm的紫外灯进行照射5h；
同时在沉淀物中次氯酸钠，其中次氯酸钠的添加质量为沉淀物的1/10。
上述所述的工业副产品石膏的清洁化处理方法，
其中紫外灯照射处理进行工业控制的加载模型如下：
依据工业控制内核代码与数据相对位置不变这一原理，有：
Dactual-Dactual_imageBase＝Ddefault-Ddefault_imageBase (Ⅰ)
式中，Dactual_imageBase是内核代码加载基地址；Dactual是内核代码中数据的正确值地址；Dactual_imageBase是影子内核加载基地址；Ddefault是重定向表给出的需要修复的重定向数据地址。
上述所述的工业副产品石膏的清洁化处理方法，
据工业控制的加载基地址与内核代码的加载基地址之间的偏移，确定每一个工业控制的调用函数地址：
NewSSDTFuncAddr＝OrigSSDTFuncAddr+Δ (Ⅱ)
式中，NewSSDTFuncAddr是内核SSDT表中的某个系统调用函数地址；OrigSSDTFuncAddr是内核SSDT表中对应的系统调用函数地址；Δ是加载基地址与内核加载基地址之间的偏移量。
应用实施例1
将制备实施例1-3的方法及对比实施例1-3的方法进行如下的比对测试：
表1测试结果
| 纯度(％) | 白度(％) | 回收率(％) | |
| 制备实施例1 | 99.6 | 41.2 | 92.7 |
| 制备实施例2 | 99.6 | 41.4 | 93.1 |
| 制备实施例3 | 99.8 | 41.9 | 93.8 |
| 对比实施例1 | 92.3 | 37.8 | 81.3 |
| 对比实施例2 | 90.4 | 35.2 | 80.7 |
| 对比实施例3 | 85.9 | 33.1 | 77.4 |
结合表1的数据来看，本申请中清洁化处理的辅助处理试剂起到关键性作用，其中柠檬酸、草酸可能利于工业副产品中杂质较多的石膏，有效溶解一些难溶的重金属离子，其中磷酸三丁酯可以对于石膏中难溶的有机物进行萃取溶解，其中醋酸钠可以中和石膏的部分强碱物质，其中复合菌剂起到最关键的作用，一方面利用发酵有效降解石膏中无用的物质并转换成有机物，另一方面在紫外催化作用下结合次氯酸钠降低地衣芽孢杆菌、唐菖蒲伯克霍尔德氏菌的毒性，起到操作后期杀死作用。
以上示意性的对本发明及其实施方式进行了描述，该描述没有限制性，所示的也只是本发明的实施方式之一，实际的结构并不局限于此。所以，如果本领域的普通技术人员受其启示，在不脱离本发明创造宗旨的情况下，不经创造性的设计出与该技术方案相似的结构方式及实施例，均应属于本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种工业副产品石膏的清洁化处理方法，其特征在于，
包括以下步骤：
(1)回收工业副产品石膏，并进行粉碎处理；
(2)将步骤(1)粉碎处理后的粉末，加入辅助处理试剂，25℃反应5d后，离心取沉淀物；
(3)对于离心沉淀物，使用紫外催化设备进行降解处理。
2.根据权利要求1所述的工业副产品石膏的清洁化处理方法，其特征在于，
步骤(1)中粉碎后的石膏的粒径范围为2mm-6mm；
其中粉碎处理的设备为高速研磨机，其中粉碎处理过程中设置冷却系统进行降温。
3.根据权利要求1所述的工业副产品石膏的清洁化处理方法，其特征在于，
步骤(2)中辅助处理试剂，以重量份计，包括以下组分：
所述的复合菌剂为地衣芽孢杆菌、唐菖蒲伯克霍尔德氏菌及黑曲霉三者的混合物，其中三者的比例为1：3：7，其中地衣芽孢杆菌、唐菖蒲伯克霍尔德氏菌及黑曲霉均采购自北纳创联生物科技有限公司。
4.根据权利要求3所述的工业副产品石膏的清洁化处理方法，其特征在于，
步骤(2)中辅助处理试剂，以重量份计，包括以下组分：
所述的复合菌剂为地衣芽孢杆菌、唐菖蒲伯克霍尔德氏菌及黑曲霉三者的混合物，其中三者的比例为1：3：7，其中地衣芽孢杆菌、唐菖蒲伯克霍尔德氏菌及黑曲霉均采购自北纳创联生物科技有限公司。
5.根据权利要求1所述的工业副产品石膏的清洁化处理方法，其特征在于，
步骤(2)中辅助处理试剂，以重量份计，包括以下组分：
所述的复合菌剂为地衣芽孢杆菌、唐菖蒲伯克霍尔德氏菌及黑曲霉三者的混合物，其中三者的比例为1：3：7，其中地衣芽孢杆菌、唐菖蒲伯克霍尔德氏菌及黑曲霉均采购自北纳创联生物科技有限公司。
6.根据权利要求1所述的工业副产品石膏的清洁化处理方法，其特征在于，
步骤(2)中离心得到的溶液送至自来水厂进行后续分离处理。
7.根据权利要求1所述的工业副产品石膏的清洁化处理方法，其特征在于，
步骤(3)中沉淀物加入质量倍数为十倍的盐酸；
其中盐酸的质量浓度为10％。
8.根据权利要求7所述的工业副产品石膏的清洁化处理方法，其特征在于，
步骤(3)中添加盐酸后的沉淀物使用250nm的紫外灯进行照射5h；
同时在沉淀物中次氯酸钠，其中次氯酸钠的添加质量为沉淀物的1/10。
9.根据权利要求8所述的工业副产品石膏的清洁化处理方法，其特征在于，
其中紫外灯照射处理进行工业控制的加载模型如下：
依据工业控制内核代码与数据相对位置不变这一原理，有：
Dactual-Dactual_imageBase＝Ddefault-Ddefault_imageBase (Ⅰ)
式中，Dactual_imageBase是内核代码加载基地址；Dactual是内核代码中数据的正确值地址；Ddefault_imageBase是影子内核加载基地址；Ddefault是重定向表给出的需要修复的重定向数据地址。
10.根据权利要求9所述的工业副产品石膏的清洁化处理方法，其特征在于，
据工业控制的加载基地址与内核代码的加载基地址之间的偏移，确定每一个工业控制的调用函数地址：
NewSSDTFuncAddr＝OrigSSDTFuncAddr+Δ (Ⅱ)
式中，NewSSDTFuncAddr是内核SSDT表中的某个系统调用函数地址；OrigSSDTFuncAddr是内核SSDT表中对应的系统调用函数地址；Δ是加载基地址与内核加载基地址之间的偏移量。
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