CN116810503B - 一种等离子体约束环c型腔的加工方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种等离子体约束环C型腔的加工方法，属于半导体零部件加工技术领域，包括：S1、获取等离子体约束环待加工C型腔参数；S2、分别沿第一加工方向和第二加工方向将待加工C型腔分为若干加工区域，并且该若干加工区域在第一加工方向和第二加工方向上均为多个；S3、将砂轮置于等离子体约束环的环形空间内，分别旋转砂轮和等离子体约束环，并沿第一加工方向给进砂轮，分别沿加工区域依次进行磨削，以在等离子体约束环内形成C型腔。本申请采用将C型腔划分为多个加工区域，以减少砂轮与等离子体约束环的接触面积，并在砂轮的磨削面处留有间隙，方便磨削液进入到C型腔内部，提高磨削精度，提高C型腔的加工成型率。

Description

一种等离子体约束环C型腔的加工方法

技术领域

本发明属于半导体零部件加工技术领域，具体涉及一种等离子体约束环C型腔的加工方法。

背景技术

等离子体约束环（硅环）是半导体刻蚀设备的重要零部件，其主要用于夹持上电极硅环或下电极硅环，保护上下电极硅环边缘不被刻蚀或损伤，有效保证上下电极硅环的整体均匀性，其属于半导体刻蚀设备的关键零部件。

通常情况下，等离子体约束环需经过切片、精密加工和研磨等工序制备得到。其中，等离子约束环内部具备环型的C型腔体，其通常采用砂轮竖向磨削等离子体约束环的侧壁，以在等离子体约束环内得到C型腔。但是，由于等离子体约束环采用多晶硅材料进行制备得到，其脆性和硬度较高，由于C型腔的内壁较薄，且C型腔腔壁较深，在采用砂轮结构进行磨削时，砂轮本身震动、冷却液等无法浇注到腔壁深处，导致C型腔成型时极易发生破碎风险，造成良品率较低。

发明内容

针对现有技术的以上缺陷或改进需求中的一种或者多种，本发明提供了一种等离子体约束环C型腔的加工方法，用以解决现有加工方法在C型腔成型时容易造成等离子体约束环破裂的问题。

为实现上述目的，本发明提供一种等离子体约束环C型腔的加工方法，所述C型腔开设于所述等离子体约束环的环形内壁面上，其包括如下步骤：

S1、获取等离子体约束环待加工C型腔参数，所述参数包括第一加工方向和第二加工方向；

S2、分别沿第一加工方向和第二加工方向将待加工C型腔分为若干加工区域，所述若干加工区域在第一加工方向和第二加工方向上均为多个；

S3、将砂轮置于所述等离子体约束环的环形空间内，分别旋转砂轮和等离子体约束环，沿第一加工方向给进砂轮，分别沿若干所述加工区域依次磨削，以在等离子体约束环内形成C型腔；

其中，所述第一加工方向为待加工C型腔的深度方向，所述第二加工方向为待加工C型腔厚度方向。

作为本发明的进一步改进，所述步骤S2中若干加工区域的划分方式为：沿第一加工方向将待加工C型腔分为若干加工区域，各所述若干加工区域均至少包括沿第二加工方向依次设置的第一子加工区域、第二子加工区域和第三子加工区域；

所述步骤S3包括：砂轮沿第一加工方向依次研磨各加工区域，各所述加工区域研磨顺序为，砂轮研磨第二子加工区域，然后研磨第一子加工区域或第三子加工区域。

作为本发明的进一步改进，所述步骤S3具体包括：

S301、砂轮沿第一加工方向给进，研磨第二子加工区域，砂轮退回第二子加工区域研磨起点；

S302、沿第二加工方向移动砂轮，使得砂轮沿第一加工方向正对所述第一子加工区域，砂轮沿第一加工方向给进，研磨第一子加工区域，砂轮退回第一子加工区域研磨起点；

S303、沿第二加工方向移动砂轮，使得砂轮沿第一加工方向正对所述第三子加工区域，砂轮沿第一加工方向给进，研磨第三子加工区域，砂轮退回第三子加工区域研磨起点；

S304、沿第二加工方向移动砂轮，砂轮沿第一加工方向移动以对第一加工方向上各加工区域研磨，重复步骤S301~S303。

作为本发明的进一步改进，所述步骤S3中，所述砂轮研磨时还包括向所述砂轮与所述等离子体约束环的磨削面处添加磨削液。

作为本发明的进一步改进，所述磨削液以所述砂轮厚度方向两侧添加至所述等离子体约束环的磨削面，所述磨削液供给量为20~30L/min。

作为本发明的进一步改进，所述加工区域沿第一加工方向包括4个加工区域，所述待加工区域沿第二加工方向包括3个加工区域；

所述第一子加工区域和所述第三子加工区域在第一加工方向上的长度为5~15mm，在第二加工方向上的长度为5~10mm；

所述第二子加工区域在第一加工方向上的长度为5~15mm，在第二加工方向上的长度为15~25mm。

作为本发明的进一步改进，所述砂轮的转速为1500~4500r/min，所述等离子体约束环的转速为20~30r/min。

作为本发明的进一步改进，所述砂轮沿第一加工方向的给进速率为0.3~0.5mm/min，所述砂轮每旋转一圈对等离子体约束环的研磨厚度为0.03~0.1mm。

作为本发明的进一步改进，所述砂轮与所述等离子体约束环的转动方向相反。

作为本发明的进一步改进，所述等离子体约束环的加工采用数控设备进行，所述数控设备包括旋转台，设于所述旋转台上方的驱动轴，所述驱动轴竖向设置，所述驱动轴朝向所述旋转台一端连有砂轮，所述驱动轴连接所述砂轮处设有第一驱动机构，所述驱动轴背离所述旋转台一端连有第二驱动机构和第三驱动机构；

所述第一驱动机构用于驱动所述砂轮转动，所述第二驱动机构用于驱动所述驱动轴竖向升降，所述第三驱动机构用于驱动所述驱动轴沿水平面任一方向移动；

所述数控设备驱动所述砂轮对各子加工区域磨削具体包括如下步骤：

第二驱动机构带动砂轮竖向升降，使得砂轮磨削面沿第一加工方向正对其中一子加工区域；

第一驱动机构带动砂轮转动，向砂轮与等离子体约束环的接触面处供给磨削液；第三驱动机构带动砂轮沿第一加工方向运动并进行磨削。

上述改进技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。

总体而言，通过本发明所构思的以上技术方案与现有技术相比，具有的有益效果包括：

（1）本发明的等离子体约束环C型腔的加工方法，其通过将等离子体约束环的待加工C型腔划分为多个加工区域的方式，使得砂轮每次磨削的量减少，其一方面能够减少砂轮磨削面与等离子体约束环的接触面积，减少磨削时产生的发热和震动，同时将C型腔区域在深度和厚度方向划分为多个区域的方式，使得砂轮的上下两侧与磨削面处留有间隙，方便磨削液进入到C型腔内部，降低磨削产生的碎屑等对磨削时产生的影响，减少磨削震动，提高磨削精度，提高C型腔的加工成型率。同时，采用本申请中的等离子体约束环C型腔的加工方法，其制备得到的等离子体约束环表面基本无裂痕、崩边、振纹和划痕等，同时C型腔内表面光滑，通过卡尺检测得到C型腔的开设厚度误差在±0.05mm内，C型腔的开设深度在±0.03mm内，整体C型腔的内径尺寸误差在±0.02mm以内，通过本申请中加工方法加工得到的等离子体约束环能够极大程度提高与上下电极硅环的适配性，提高上下电极硅环的加工精度。

（2）本发明的等离子体约束环C型腔的加工方法，其通过采用侧向磨削的方式，其相对于竖向磨削，能够大幅降低砂轮与磨削面的接触面积；同时将C型腔分为多个区域加工的方式，能进一步降低砂轮与磨削面的接触面积，进而降低磨削阻力，减少工件和砂轮磨削时产生的震动，避免磨削加工精度不足或等离子体约束环碎裂。

（3）本发明的等离子体约束环C型腔的加工方法，由于其将C型腔划分为多个区域，使得砂轮磨削时，磨削液更容易进入到磨削面处，其可以降低磨削液的供给量和供给压力，降低磨削液损耗，提高磨削精度；同时，降低每次磨削接触面积能够降低砂轮的磨损率，提高C型腔的加工成型率。

附图说明

图1是本发明实施例中等离子体约束环C型腔加工方法的流程示意图；

图2是本发明实施例中等离子体约束环C型腔磨削加工时的磨削示意图；

图3是本发明实施例中等离子体约束环的整体结构示意图。

在所有附图中，同样的附图标记表示相同的技术特征，具体为：

1、砂轮；2、等离子体约束环；3、第一子加工区域；4、第二子加工区域；5、第三子加工区域。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。此外，下面所描述的本发明各个实施方式中所涉及到的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

实施例：

请参阅图1~3，本发明优选实施例中的等离子体约束环C型腔的加工方法，其包括如下步骤：

S1、获取等离子体约束环2待加工C型腔参数，所述参数包括第一加工方向和第二加工方向；

S2、分别沿第一加工方向和第二加工方向将待加工C型腔分为若干加工区域，并且该若干加工区域在第一加工方向和第二加工方向上均为多个；

S3、将砂轮1置于等离子体约束环2的环形空间内，分别旋转砂轮1和等离子体约束环2，并沿第一加工方向给进砂轮1，分别沿加工区域依次进行磨削，以在等离子体约束环2内形成C型腔。

其中，上述第一加工方向为待加工C型腔的深度方向，第二加工方向为代加工区域的厚度方向。

具体地，本申请中的等离子体约束环2为环形结构，其C型腔开设在等离子体约束环2的环形内壁面上。

在现有等离子体约束环C型腔的成型工艺中，现有技术主要采用竖向磨削方式，也即砂轮1的圆盘面与磨削面接触，其接触面较大，且砂轮1给到等离子体约束环2的压力较大，而C型腔的底面处壁面较薄，在C型腔即将磨削成型时极易发生震动，导致整个等离子体约束环2直接碎裂。并且，现有磨削技术大多采用一次成型，导致随着磨削深度的逐渐增加，磨削也难以进入到磨削面处，导致磨削震动加剧，进一步加深等离子体约束环2破裂的可能。

基于现有技术的问题，本申请在成型时采用侧向磨削方式，将砂轮1的环形面与磨削面接触，降低接触面，减少砂轮1和等离子体约束环2的震动幅度，降低等离子体约束环2破裂的风险。同时，将C型腔划分为多个加工区域的方式，并在第一加工方向和第二加工方向上均存在多个加工区域的方式，使得砂轮1在与等离子体约束环2进行磨削时，砂轮1的两侧至少有一侧与等离子体约束环2之间留有间隙，方便磨削液进入到磨削面处，进而提高磨削精度，降低磨削时产生的振动，提高等离子体约束环2成品率。

作为本发明的优选实施例，本申请中步骤S2若干加工区域的划分方式为：沿第一加工方向将待加工C型腔分为若干加工区域，各所述若干加工区域均至少包括沿第二加工方向依次设置的第一子加工区域3、第二子加工区域4和第三子加工区域5。在将C型腔划分为多个加工区域时，首先沿第一加工方向划分为若干加工区域，并且将加工区域分为沿第二加工方向布置的第一子加工区域3、第二子加工区域4和第三子加工区域5。

对应地，在将C型腔按上述方式划分后，本申请中步骤S3的加工方式也对应调整。步骤S3包括：砂轮1沿第一加工方向依次研磨各加工区域，各所述加工区域研磨顺序为，砂轮1研磨第二子加工区域4，然后研磨第一子加工区域3或第三子加工区域5。具体地，第二子加工区域4位于第二加工方向的中部，第一子加工区域3和第三子加工区域5在第二子加工区域4的两侧。由于，第二子加工区域4的两侧还具有第一子加工区域3和第三子加工区域5，砂轮1磨削过程中即便震动将部分第一子加工区域3和第三子加工区域5磨削，其也不会对C型腔的磨削精度产生影响。在将第二子加工区域4磨削完全后，不论是对第一子加工区域3还是第三子加工区域5进行磨削，砂轮1的另一侧都具备与外部接触的间隙，方便磨削液进入到磨削面处，进而大幅提高磨削精度。

可选地，本申请中沿第二加工方向还可分为3个以上的子加工区域，其子加工区域的划分数量可根据砂轮1的厚度、C型腔的厚度进行选择。

值得注意的是，如图2所示，本申请中砂轮1研磨的是等离子体约束环2的其中一侧，在实际砂轮1磨削过程中，等离子体约束环2也在转动，使得砂轮1磨削的是环形区域，也即，每个子加工区域均为环形区域。

作为本发明的进一步优选实施例，本申请中步骤S3具体包括：

S301、砂轮1沿第一加工方向给进，研磨第二子加工区域4，砂轮1退回第二子加工区域4研磨起点；

S302、沿第二加工方向移动砂轮1，使得砂轮1沿第一加工方向正对第一子加工区域3，砂轮1沿第一加工方向给进，研磨第一子加工区域3，砂轮1退回第一子加工区域3研磨起点；

S303、沿第二加工方向移动砂轮1，使得砂轮1沿第一加工方向正对第三子加工区域5，砂轮1沿第一加工方向给进，研磨第三子加工区域5，砂轮1退回第三子加工区域5研磨起点；

S304、沿第二加工方向移动砂轮1，砂轮1沿第一加工方向移动以对第一加工方向上加工区域研磨，重复步骤S301~S303。

在利用砂轮1对C型腔进行磨削时，砂轮1的每次磨削都是沿第一加工方向进行磨削，以确保每次加工磨削面积，因此在完成第一子加工区域3磨削完成后，需要退回到第二子加工区域4和第三子加工区域5的磨削起点，以沿第一加工方向运动并进行磨削。在将第一子加工区域3、第二子加工区域4和第三子加工区域5磨削完全后，砂轮1再沿第一加工方向移动，以对在第一加工方向上的另一组子加工区域进行研磨，如此往复，直到最后完成C型腔的加工。

进一步优选地，在上述步骤S3中，砂轮1研磨时还包括向砂轮1与等离子体约束环2的磨削面处添加磨削液。在用砂轮1进行研磨时，还需要通过管路将磨削液喷入到C型腔内壁处，以降低砂轮1与等离子体约束环2的磨削温度、降低产生碎屑对壁面的磨损、提高砂轮1与等离子体约束环2的磨削精度。

进一步的，上述磨削液的供给量为20~30L/min，优选为25L/min。值得注意的是，常规磨削过程中，随着磨削深度的推进，由于砂轮1与等离子体约束环2之间的间隙非常小，需要采用较大的磨削液供给量与供给压力，常规磨削时磨削液的供给量达到75L/min~100L/min，才能实现将磨削液冲入到磨削面处，并且效果不佳。而本申请磨削过程中，第二子加工区域4磨削时，其对第一子加工区域3和第三子加工区域5的磨损并不影响C型腔整体加工精度。当第二子加工区域4磨削完成后，第二子加工区域4处形成间隙，使得磨削液很容易进入到磨削面处，可极大程度降低磨削液的供给量。

进一步的，作为本发明的具体实施例，本申请中的加工区域沿第一加工方向包括4个加工区域，其沿第二加工方向包括3个加工区域。并且，第一子加工区域3和第三子加工区域5在第一加工方向上的长度为5~15mm，在第二加工方向上的长度为5~10mm；第二子加工区域4在第一加工方向上的长度为5~15mm，在第二加工方向上的长度为12~25mm。

值得注意的是，砂轮1优先对第二子加工区域4进行加工，因此第二子加工区域4在第二方向上的长度为15~25mm，第一子加工区域3和第三子加工区域5在第二加工方向上的长度根据C型腔加工厚度决定，其减去砂轮1厚度后均分即可得到第一子加工区域3和第三子加工区域5在第二加工方向上的长度。

同时，由于第一子加工区域3和第三子加工区域5在第二加工方向上的长度与第二子加工区域4不同；当砂轮1沿第一方向加工第一子加工区域3和第三子加工区域5时，砂轮1的上边缘与第一子加工区域3的上边缘贴合，砂轮1沿第二加工方向上多出的部分位于第二子加工区域4；砂轮1的下边缘与第三子加工区域5的下边缘贴合，砂轮1沿第二加工方向上多出的部分同样位于第二子加工区域，以保证第一子加工区域3和第三子加工区域5的加工精度。当然，根据实际加工情况，各子加工区域在第一加工方向上的长度也可适应调整，一切以保证在等离子体约束环2内形成符合加工要求的C型腔为准。

进一步地，作为本发明的优选实施例，本申请中砂轮1的转速为1500~4500r/min，等离子体约束环2的转速为20~30r/min。通常情况下，当砂轮1与等离子体约束环2共同转动时，由于存在两个运动端，并且砂轮1对等离子体约束环2进行磨削，二者属于硬接触，使得二者发生相对振动的频率更高。但是为了实现等离子体约束环2内环形腔体的一次成型，并使得其内部C型腔整体环形更为规整，本申请适当降低砂轮1转动速度，并赋予等离子体约束环2一个相对较小的转速，在基本不提高二者的相对振动频率的前提下，在等离子体约束环2内磨削形成环形空腔结构，提高等离子体约束环2的成型效率。

进一步地，本申请中砂轮1沿第一加工方向的给进速率为0.3~0.5mm/min，且砂轮1每旋转一圈对等离子体约束环2的研磨厚度在0.03~0.1mm。本申请中砂轮1沿第一加工方向的给进速率与砂轮1和等离子体约束环2的转速相关，在转速较高时，需对应降低给进速率，以降低砂轮1和等离子体约束环2的振动。对应地，砂轮1每旋转一圈对等离子体约束环2的研磨厚度与砂轮1给进速率、转速及等离子体约束环2的转速相关，通过确保砂轮1每次旋转的研磨厚度保障研磨精度和等离子体约束环2的振动频率，以确保良品率。

值得注意的是，由于本申请中等离子体约束环2也需要转动，其与下方旋转台连接较为紧密，以避免磨削过程中旋转台与等离子体约束环2的相对位移增加等离子体约束环2振动的可能。作为其中一种可选实施例，本申请中的等离子体约束环2通过石蜡与旋转台进行固定，由于磨削液的存在，磨削时等离子体约束环2与旋转台接触面温度不高，通过石蜡可实现等离子体约束环2与旋转台稳定连接，二者相接面基本无间隙；当磨削完成后，通过对旋转台加热，石蜡融化，等离子体约束环2可对应取下，避免了常规夹具等对等离子体约束环2夹紧施力的问题，避免夹持造成的等离子体约束环2表面磨损或碎裂的问题。

进一步优选地，该砂轮1与等离子体约束环2的转动方向相反。当砂轮1对等离子体约束环2进行磨削时，二者转动方向相反，能够加快C型腔的成型效率。

进一步地，本申请中的等离子体约束环2采用数控设备进行加工，其包括旋转台，旋转台用于放置等离子体约束环2，并将等离子体约束环2进行固定，方便加工；该旋转台的上方设有驱动轴，驱动轴竖向设置，驱动轴朝向旋转台的一端连有砂轮1，并在驱动轴连接砂轮1处设置第一驱动机构，第一驱动机构用于带动砂轮1旋转，以进行磨削；驱动轴背离砂轮1的一端连有第二驱动机构和第三驱动机构，第二驱动机构用于带动驱动轴竖向升降，使得砂轮1可沿第二加工方向移动，以沿第一加工方向正对各子加工区域；第三驱动机构用于地洞驱动轴沿水平面任一方向移动，使得砂轮1沿等离子体约束环2内壁面进行移动，以实现给进磨削。

具体地，上述数控设备驱动砂轮1对各子加工区域的磨削具体包括：

旋转台固定等离子体约束环2，并带动等离子体约束环2转动；

第二驱动机构带动砂轮1竖向升降，使得砂轮1磨削面沿第一加工方向正对其中一子加工区域；

第一驱动机构带动砂轮1转动，向砂轮1与等离子体约束环2的接触面处供给磨削液；第三驱动机构带动砂轮1沿第一加工方向运动并进行磨削。

在完成其中一个子加工区域的磨削后，第三驱动机构带动砂轮1退回到原始为止，然后第二驱动机构带动砂轮1竖向升降，使得砂轮1对正另一子加工区域，然后第三驱动机构带动砂轮1进行磨削，如此往复，完成对所有加工区域的磨削工作。

采用本申请中的等离子体约束环C型腔的加工方法，其制备得到的等离子体约束环表面基本无裂痕、崩边、振纹和划痕等，同时C型腔内表面光滑，通过卡尺检测得到C型腔的开设厚度误差在±0.05mm内，C型腔的开设深度在±0.03mm内，整体C型腔的内径尺寸误差在±0.02mm以内。通过本申请中的加工方法加工得到的等离子体约束环能够极大程度提高与上下电极硅环的适配性，提高上下电极硅环的加工精度。

本领域的技术人员容易理解，以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (2)

1.一种等离子体约束环C型腔的加工方法，所述C型腔开设于所述等离子体约束环的环形内壁面上，所述等离子体约束环采用多晶硅材料制备，其特征在于，包括如下步骤：

S1、获取等离子体约束环待加工C型腔参数，所述参数包括第一加工方向和第二加工方向；

S2、分别沿第一加工方向和第二加工方向将待加工C型腔分为若干加工区域，所述若干加工区域在第一加工方向和第二加工方向上均为多个；

S3、将砂轮置于所述等离子体约束环的环形空间内，分别旋转砂轮和等离子体约束环，沿第一加工方向给进砂轮，分别沿若干所述加工区域依次磨削，以在等离子体约束环内形成C型腔；

其中，所述第一加工方向为待加工C型腔的深度方向，所述第二加工方向为待加工C型腔厚度方向；

所述步骤S2中若干加工区域的划分方式为：沿第一加工方向将待加工C型腔分为若干加工区域，各所述若干加工区域均至少包括沿第二加工方向依次设置的第一子加工区域、第二子加工区域和第三子加工区域；

所述步骤S3包括：砂轮沿第一加工方向依次研磨各加工区域，各所述加工区域研磨顺序为，砂轮研磨第二子加工区域，然后研磨第一子加工区域或第三子加工区域；

所述步骤S3具体包括：

S301、砂轮沿第一加工方向给进，研磨第二子加工区域，砂轮退回第二子加工区域研磨起点；

S302、沿第二加工方向移动砂轮，使得砂轮沿第一加工方向正对所述第一子加工区域，砂轮沿第一加工方向给进，研磨第一子加工区域，砂轮退回第一子加工区域研磨起点；

S303、沿第二加工方向移动砂轮，使得砂轮沿第一加工方向正对所述第三子加工区域，砂轮沿第一加工方向给进，研磨第三子加工区域，砂轮退回第三子加工区域研磨起点；

S304、沿第二加工方向移动砂轮，砂轮沿第一加工方向移动以对第一加工方向上各加工区域研磨，重复步骤S301~S303；

所述步骤S3中，所述砂轮研磨时还包括向所述砂轮与所述等离子体约束环的磨削面处添加磨削液；

所述磨削液以所述砂轮厚度方向两侧添加至所述等离子体约束环的磨削面，所述磨削液供给量为20~30L/min；

所述加工区域沿第一加工方向包括4个加工区域，所述加工区域沿第二加工方向包括3个加工区域；

所述第一子加工区域和所述第三子加工区域在第一加工方向上的长度为5~15mm，在第二加工方向上的长度为5~10mm；

所述第二子加工区域在第一加工方向上的长度为5~15mm，在第二加工方向上的长度为15~25mm；

所述砂轮的转速为1500~4500r/min，所述等离子体约束环的转速为20~30r/min；

所述砂轮沿第一加工方向的给进速率为0.3~0.5mm/min，所述砂轮每旋转一圈对等离子体约束环的研磨厚度为0.03~0.1mm；

所述砂轮与所述等离子体约束环的转动方向相反。

2.根据权利要求1所述的等离子体约束环C型腔的加工方法，其特征在于，所述等离子体约束环的加工采用数控设备进行，所述数控设备包括旋转台，设于所述旋转台上方的驱动轴，所述驱动轴竖向设置，所述驱动轴朝向所述旋转台一端连有砂轮，所述驱动轴连接所述砂轮处设有第一驱动机构，所述驱动轴背离所述旋转台一端连有第二驱动机构和第三驱动机构；

所述第一驱动机构用于驱动所述砂轮转动，所述第二驱动机构用于驱动所述驱动轴竖向升降，所述第三驱动机构用于驱动所述驱动轴沿水平面任一方向移动；

所述数控设备驱动所述砂轮对各子加工区域磨削具体包括如下步骤：

第二驱动机构带动砂轮竖向升降，使得砂轮磨削面沿第一加工方向正对其中一子加工区域；

第一驱动机构带动砂轮转动，向砂轮与等离子体约束环的接触面处供给磨削液；第三驱动机构带动砂轮沿第一加工方向运动并进行磨削。