CN116804272A - 一种lpcvd挡板式石英舟及其制备工艺 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种LPCVD挡板式石英舟，由形成石英舟主体部分的作为硅片载体的至少三根槽棒、与槽棒两端分别固定相连的顶板与底板、顶板与底板之间的若干块挡板以及每两块挡板间设置用于使湍流收缩区扩大的气流导向板构成，挡板的尺寸大于置放于槽棒的硅片置放槽上的硅片尺寸。本发明还公开了LPCVD挡板式石英舟的制备工艺，混合石英砂、树脂及玻璃纤维原料后将混合原料倒入电炉熔融；熔融后的混合原料倒入模具，冷却后取出，取出后磨削、切割、修整表面；随后进行船体组装，组装好后置入高温炉退火，最后酸洗水洗。本发明既可选择较大的挡板间距以提高淀积速率，却不担心形成“中心效应”，使膜均匀性变差。

Description

一种LPCVD挡板式石英舟及其制备工艺

技术领域

本发明涉及一种LPCVD挡板式石英舟及其制备工艺。

背景技术

石英舟作为半导体工业用石英制品，其作为晶圆（硅片）的载体，采用纯石英晶体制成，具有非常高的防水性能和抗腐蚀性能，因此以其的特性被广泛应用在一些特殊的领域，一般用于氧化扩散、LPCVD等重要工序。

石英舟的制备过程一般为：混合石英砂等原料，后将混合料倒入电炉熔融，然后倒入模具，冷却后取出，然后磨削、切割、修整表面，再进行船体组装，然后置入高温炉退火，最后酸洗水洗。公开号为CN114920448A的专利：一种石英舟的制备方法，该石英舟包括法兰和沟棒，包括以下的步骤：将沟棒的端部研磨倒角处理，将该端部与法兰接触，倒角与法兰侧壁共同形成堆料槽，再采用堆料方法一层层地填补堆料槽，使每一层堆料与沟棒、法兰熔融。其能够解决沟棒和法兰焊接过程中长时间动火导致的变形问题。公开号为CN116313950A的专利：一种石英舟成型方法及使用该方法制得的石英舟，属于半导体设备制备的技术领域，石英舟成型方法包括加工槽棒并确定槽棒尺寸：确定顶板、底板尺寸并对顶板和底板进行铣面处理；安装槽棒、底板和顶板，包括安装设备，所述安装设备包括支撑板，所述支撑板上设有定位槽棒的定位组件，所述支撑板上一端设有安装顶板的安装组件，另一端设有安装底板的运输组件，所述安装组件和所述运输组件之间设有驱动两者同时移动的驱动组件；将顶板、槽棒和底板相互固定，形成石英舟。但目前石英舟的制备，在船体组装工序及之前的工序，为了达到要求（一般是具备一定功能，如上述现有技术，避免焊接过程中长时间动火导致的变形、更快安装槽棒，提高工作效率），其制备工艺的工效仍较为低下，特别是有一些其他要功能求的石英舟，制备时将更加麻烦。

另外，刘忠在《半导体技术》杂志上发表的论文《LPCVD挡板式石英舟的研制》中提到：反应剂浓度在硅径向分布不均匀是造成淀积膜不均匀的主要原因。依据雷诺数关系式，在石英管径、反应流速不变的LPCVD系统中，增大绕体直径可增大雷诺数，变层流为湍流。所以在LPCVD系统中，希望湍流发生在两片硅片之间，使得反应剂粒子在硅片径向表面上均匀分布。其采用大于硅片的薄石英圆片，作载硅片的模拟挡板代替原被绕体--小直径硅片，减少绕体边缘与管壁间隙，增大挡板间的雷诺数的值。其还发现：当两挡板间间距增大时，两挡板间截取的湍区域长，单位间距内平均反应剂粒子数少，相对淀积速率慢。但两挡板间距宽，其间总的反应粒子数多，绝对淀积速率快。而随挡板间间距值增大单片均匀性变差。湍流区越厚，总的反应剂粒子数越多，淀积速率就越快。必然出现硅片中心膜厚，边缘膜薄，与“边缘效应”相反的所谓“中心效应”，使膜均匀性变差。所以为了兼顾膜均匀性与淀积速率，其采用了折中的方式，选择两挡板间间距值的范围在9~14mm，不敢选择太大的挡板间距以保证膜均匀性，但这样必然使得淀积速率不会太快。

发明内容

本发明的目的在于，克服现有技术中存在的缺陷，提供一种LPCVD挡板式石英舟，既可选择较大的挡板间距以提高淀积速率，却不担心形成“中心效应”，使膜均匀性变差。

为实现上述目的，本发明的技术方案是设计一种LPCVD挡板式石英舟，由形成石英舟主体部分的作为硅片载体的至少三根槽棒、与槽棒两端分别固定相连的顶板与底板、顶板与底板之间的若干块挡板以及每两块挡板间设置用于使湍流收缩区扩大的气流导向板构成，挡板的尺寸大于置放于槽棒的硅片置放槽上的硅片尺寸。每两块挡板间设置用于使湍流收缩区扩大的气流导向板，可以避免选取大挡板间距时产生的“中心效应”而引起的置放于石英舟上的硅片成膜均匀性不会的问题。挡板尺寸大于硅片尺寸，减少绕体边缘与管壁间隙，增大挡板间的雷诺数的值，在相邻硅片间形成所需的湍流，使得淀积膜均匀。

进一步的技术方案是，气流导向板及挡板均与槽棒固定相连或一体设置；所述顶板、底板及挡板均与槽棒的旋转轴线垂直设置；两相邻挡板间的间距为17~23mm。两相邻挡板间的间距选取得较大，保证更快的绝对淀积速率。

进一步的技术方案是，每两块挡板间的气流导向板设有一块且为矩形板，气流导向板与槽棒的旋转轴线垂直设置，气流导向板高度上低于挡板且其上设置若干个通孔，气流导向板位于两块挡板的中间位置且其长度与挡板长度一致。为避免气流导向板影响湍流区长度，气流导向板高度上低于挡板，气流导向板上设置若干个通孔能进一步避免由于从槽棒上凸起设置的气流导向板对原本较长的湍流区的影响，尽可能降低由于设置气流导向板而使得湍流区长度变小而影响淀积速率的问题。气流导向板高度不高，并且其板面上设置通孔，尽可能地保持了湍流区较长的特征，尽可能减少由于气流导向板的设置而影响湍流区长度，避免由于原本一个湍流区（也即两挡板之间的一个湍流区）由于气流导向板的加入变成两个湍流区（也即两挡板及气流导向板三块板之间的两个湍流区）。

另一种技术方案为，每两块挡板间的气流导向板设有四块且固定连接或一体设置在与石英舟配套的石英管的管内壁上，四块气流导向板两两一对设置，两对气流导向板相对设置且高度上位于石英舟高度的一半位置处；气流导向板长度小于挡板长度的一半；

每两块挡板间的四块气流导向板均为弧形板，每对气流导向板的一板侧面固定相连，另一相对板侧面与石英管的管内壁相连；弧形板的弯曲方向为其中部更向每对气流导向板的竖直面靠拢。气流导向板设置在石英舟高度的一半位置处，最小化气流导向板的加入对两挡板间长湍流区的影响，气流导向板其弯曲方向的设置改变了原本长湍流区中间反应剂粒子少（也即“中心效应”）的问题，将原本边缘处湍流少的区域增加了湍流，一定程度上解决了“中心效应”，保证了成膜的均匀性。

进一步的技术方案为，槽棒轴向上设置若干个由硅片置放槽外壁向内壁方向尺寸逐渐减小的缩孔。石英舟底部的硅片置放槽的槽板上设置由外壁向内壁方向尺寸逐渐减小的缩孔以增大硅片表面的湍流情况，并且避免边缘由于槽棒（或者说硅片置放槽的槽侧壁）的遮挡而影响硅片底部的膜淀积。

进一步的技术方案为，缩孔为喇叭孔形状。这样使得气流从缩孔进入后在硅片底部表面及硅片底部表面上方形成一定的湍流，保证成膜的均匀性。

进一步的技术方案为，硅片置放槽的槽侧壁边缘呈云线形。这样设置也是进一步减少硅片底部由于遮挡而影响淀积膜均匀性的问题，既避免由于太浅的硅片置放槽的设置导致硅片置放及随石英舟转运过程中的不稳，还增大了硅片底部暴露面积，尽可能保证淀积膜的均匀性。

本发明还公开的技术方案为，制备LPCVD挡板式石英舟的工艺，由如下依次进行的工艺步骤构成：

S1：混合石英砂、树脂及玻璃纤维原料后将混合原料倒入电炉熔融；

S2：熔融后的混合原料倒入模具，冷却后取出，取出后磨削、切割、修整表面；

S3：随后进行船体组装，组装好后置入高温炉退火，最后酸洗水洗；

模具的凸模上设有用于形成槽棒上硅片置放槽的第一凸起，与凸模相适配的凹模上设有用于形成硅片置放槽薄侧壁的第二凸起，第二凸起设有两个且位于第一凸起的两侧。在模具设计上，由于石英舟底部的硅片置放槽的槽板边缘呈云线形，石英舟此部位对应的模具厚度更厚，使得底部的硅片置放槽的槽板边缘相较于槽板底部更薄，配合切割工序时切割线{或不设置此工序}，再配合酸洗水洗工序可加工出云线形边缘，节省工序，也避免依靠切割工序切割出云线形边缘时容易发生的出现裂纹或破碎等缺。

进一步的技术方案为，在S2步骤中，切割槽棒或顶板、底板工序时，还对槽棒的硅片置放槽的槽侧壁上切割出云线形的切割线。切割其他部件如槽棒、顶板、底板及挡板均为直接切割下，而槽侧壁壁面上的云线形的切割线只是在槽侧壁表面类似于刻痕，刻出并不贯穿槽侧壁的切割线（也即类似于盲孔，不贯穿槽侧壁），避免依靠切割工序切割出云线形边缘时容易发生的出现裂纹或破碎等缺。

进一步的技术方案为，在S3步骤中，酸洗水洗时先针对石英舟整体采用低压酸洗水洗，后针对硅片置放槽的槽侧壁边缘进行局部的高压酸洗水洗。

本发明的优点和有益效果在于：每两块挡板间设置用于使湍流收缩区扩大的气流导向板，可以避免选取大挡板间距时产生的“中心效应”而引起的置放于石英舟上的硅片成膜均匀性不会的问题。挡板尺寸大于硅片尺寸，减少绕体边缘与管壁间隙，增大挡板间的雷诺数的值，在相邻硅片间形成所需的湍流，使得淀积膜均匀。

两相邻挡板间的间距选取得较大，保证更快的绝对淀积速率。

为避免气流导向板影响湍流区长度，气流导向板高度上低于挡板，气流导向板上设置若干个通孔能进一步避免由于从槽棒上凸起设置的气流导向板对原本较长的湍流区的影响，尽可能降低由于设置气流导向板而使得湍流区长度变小而影响淀积速率的问题。气流导向板高度不高，并且其板面上设置通孔，尽可能地保持了湍流区较长的特征，尽可能减少由于气流导向板的设置而影响湍流区长度，避免由于原本一个湍流区（也即两挡板之间的一个湍流区）由于气流导向板的加入变成两个湍流区（也即两挡板及气流导向板三块板之间的两个湍流区）。

气流导向板设置在石英舟高度的一半位置处，最小化气流导向板的加入对两挡板间长湍流区的影响，气流导向板其弯曲方向的设置改变了原本长湍流区中间反应剂粒子少（也即“中心效应”）的问题，将原本边缘处湍流少的区域增加了湍流，一定程度上解决了“中心效应”，保证了成膜的均匀性。

石英舟底部的硅片置放槽的槽板上设置由外壁向内壁方向尺寸逐渐减小的缩孔以增大硅片表面的湍流情况，并且避免边缘由于槽棒（或者说硅片置放槽的槽侧壁）的遮挡而影响硅片底部的膜淀积。

缩孔为喇叭孔形状。这样使得气流从缩孔进入后在硅片底部表面及硅片底部表面上方形成一定的湍流，保证成膜的均匀性。

硅片置放槽的槽侧壁边缘呈云线形。这样设置也是进一步减少硅片底部由于遮挡而影响淀积膜均匀性的问题，既避免由于太浅的硅片置放槽的设置导致硅片置放及随石英舟转运过程中的不稳，还增大了硅片底部暴露面积，尽可能保证淀积膜的均匀性。

在模具设计上，由于石英舟底部的硅片置放槽的槽板边缘呈云线形，石英舟此部位对应的模具厚度更厚，使得底部的硅片置放槽的槽板边缘相较于槽板底部更薄，配合切割工序时切割线{或不设置此工序}，再配合酸洗水洗工序可加工出云线形边缘，节省工序，也避免依靠切割工序切割出云线形边缘时容易发生的出现裂纹或破碎等缺。

切割其他部件如槽棒、顶板、底板及挡板均为直接切割下，而槽侧壁壁面上的云线形的切割线只是在槽侧壁表面类似于刻痕，刻出并不贯穿槽侧壁的切割线（也即类似于盲孔，不贯穿槽侧壁），避免依靠切割工序切割出云线形边缘时容易发生的出现裂纹或破碎等缺。

附图说明

图1是本发明一种LPCVD挡板式石英舟实施例一的示意图；

图2是图1中气流导向板、通孔及其附近部件的局部放大示意图；

图3是图2中缩孔、浅槽及其附近部件的局部放大示意图；

图4是图1的侧视图；

图5是图4中槽棒未加工出云线形边缘的示意图；

图6是图5加工出云线形边缘后的示意图；

图7是加工出本发明实施例一中的槽棒的模具的部分上模及与之匹配的下模的示意图；

图8是本发明实施例1中两挡板间未设置气流导向板时的气流模型示意图；

图9是本发明实施例二的示意图；

图10是图9的俯视图；

图11是图10中气流导向板及其附近部件的局部放大示意图；

图12是图10中A-A向剖视图；

图13是本发明实施例三中框形定位工装的示意图；

图14是图13中右下角处减速电机及其附近部件的局部放大示意图；

图15是本发明实施例三的俯视图；

图16是图15中最左侧标号滑块及其附近部件的局部放大示意图；

图17是图16中夹板及其附近部件的局部放大示意图。

图中：1、槽棒；2、顶板；3、底板；4、挡板；5、气流导向板；6、通孔；7、缩孔；8、槽侧壁边缘；9、浅槽；10、第一凸起；11、第二凸起；12、切割线；13、石英管；14、硅片置放槽；15、底滑轨；16、龙门架；17、连接板；18、紧固螺栓；19、滑块；20、夹板；21、减速电机；22、连接孔；23、气缸；24、顶块；25、小顶块。

实施方式

下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。

实施例一

如图1至图8所示（为便于图示，图1仅示出最下方的一根槽棒，另两根槽棒省略未示出，石英管也未示出；图1仅示出部分气流导向板、浅槽、硅片置放槽，未全部示出；图4中槽棒为透视显示），本发明是一种LPCVD挡板式石英舟，由形成石英舟主体部分的作为硅片载体的三根槽棒1、与槽棒1两端分别固定相连的顶板2与底板3、顶板2与底板3之间的若干块挡板4以及每两块挡板4间设置用于使湍流收缩区扩大的气流导向板5构成，挡板4的尺寸大于置放于槽棒1的硅片置放槽14上的硅片尺寸。气流导向板5及挡板4均与槽棒1固定相连；所述顶板2、底板3及挡板4均与槽棒1的旋转轴线垂直设置；两相邻挡板4间的间距为17~23mm。每两块挡板4间的气流导向板5设有一块且为矩形板，气流导向板5与槽棒1的旋转轴线垂直设置，气流导向板5高度上低于挡板4且其上设置若干个通孔6，气流导向板5位于两块挡板4的中间位置且其长度与挡板4长度一致。槽棒1轴向上设置若干个由硅片置放槽14外壁向内壁方向尺寸逐渐减小的缩孔7。缩孔7为喇叭孔形状。硅片置放槽14的槽侧壁边缘8呈云线形。

制备LPCVD挡板式石英舟的工艺，由如下依次进行的工艺步骤构成：

S1：混合石英砂、树脂及玻璃纤维原料后将混合原料倒入电炉熔融；

S2：熔融后的混合原料倒入模具，冷却后取出，取出后磨削、切割、修整表面；

S3：随后进行船体组装，组装好后置入高温炉退火，最后酸洗水洗；模具的凸模上设有用于形成槽棒1上硅片置放槽14的第一凸起10，与凸模相适配的凹模上设有用于形成硅片置放槽14薄侧壁的第二凸起11，第二凸起11设有两个且位于第一凸起10的两侧。（对应的，槽棒1上等距间隔设置若干个硅片置放槽14，相邻硅片置放槽14之间设有槽深远小于硅片置放槽14槽深的浅槽9，浅槽9的槽口尺寸大于槽底部尺寸以形成硅片置放槽14的槽侧壁边缘8相较于槽侧壁底部更薄的情况）在S2步骤中，切割槽棒1或顶板2、底板3工序时，还对槽棒1的硅片置放槽14的槽侧壁上切割出云线形的切割线12。在S3步骤中，酸洗水洗时先针对石英舟整体采用低压酸洗水洗，后针对硅片置放槽14的槽侧壁边缘8进行局部的高压酸洗水洗。在成型模具中成型时，仅通过第一凸起10、第二凸起11形成浅槽和硅片置放槽，对于硅片置放槽的云线形边缘，本也可以直接在成型模具中通过型腔等设置形成，但为方便脱模，摒弃这一思路，采取云线形边缘后续加工的方式，脱模简单快速并且脱模时极少会出现损坏已成型的工件的情况。至于缩孔及云线形边缘通过后续加工加工而出。

工作原理如下：

结合图8可知，两挡板间距足够远时，形成“中心效应”，那么如何改变气流方向，使得更易形成湍流，避免两端反应剂粒子少，而中心区域多。在石英舟底部每两块挡板间设置气流导向板（设置气流导向板的区域的槽棒处则无法设置硅片置放槽，作为避空部，确实要稍微减少本石英舟的硅片载片量），但改变了气流流向，可使得湍流收缩区扩大。

虽然采用酸洗水洗形成云线形边缘会出现一些边缘未形成缺口（也即无法形成所有的云线形边缘的每段云线），但这是可接受的，采用粗放的方式，不追求每个云线形边缘的每段云线都加工出，既一定程度上起到了所要的效果，还避免将槽侧壁边缘的全部云线段加工出容易出现的大面积槽侧板（即槽侧壁）被损毁的风险，也节省了工时。

实施例二

与实施例一的不同在于，如图9至图12所示（为便于图示，图9仅示出一根槽棒；图10中槽棒未示出），每两块挡板4间的气流导向板5设有四块且固定连接在与石英舟配套的石英管13的管内壁上，四块气流导向板5两两一对设置，两对气流导向板5相对设置且高度上位于石英舟高度的一半位置处；气流导向板5长度小于挡板4长度的一半；

每两块挡板4间的四块气流导向板5均为弧形板，每对气流导向板5的一板侧面固定相连，另一相对板侧面与石英管13的管内壁相连；弧形板的弯曲方向为其中部更向每对气流导向板5的竖直面靠拢。

气流导向板设置在石英舟高度的一半位置处，最小化气流导向板的加入对两挡板间长湍流区的影响，气流导向板其弯曲方向的设置改变了原本长湍流区中间反应剂粒子少（也即“中心效应”）的问题，将原本边缘处湍流少的区域增加了湍流，一定程度上解决了“中心效应”，保证了成膜的均匀性。

实施例三

与实施例一的不同在于，如图13至17所示（为便于图示，图13中仅示出两对滑块），制备LPCVD挡板式石英舟的工艺中，S2步骤及S3步骤中处理工序不同，不同之处在于：在S2步骤的最后对槽棒进行初步酸洗水洗；在S3步骤中，在船体组装时，在对顶板、底板、挡板和槽棒定位的过程中，采用框形定位工装对顶板、底板、挡板、气流导向板和槽棒进行定位夹紧，框形定位工装包括两相对平行设置的底滑轨15，一对底滑轨15上滑动设置两个龙门架16，每个龙门架16的底部均设置连接板17，连接板17上设置螺纹孔，与螺纹孔适配设置紧固螺栓18用于在龙门架移动至合适位置后紧固固定龙门架，保持两龙门架16的相对距离在框形定位工装工作时不变，每个龙门架上滑动设置有至少两个滑块19，滑块上可拆卸式连接有夹板20用于夹持顶板2或底板或挡板或气流导向板，滑块19通过丝杠螺母机构与减速电机21相连，减速电机21固定连接在龙门架上，滑块19端部设置与夹板连接的连接孔22，通过多个滑块（每两个相邻滑块构成一对以夹住挡板或气流导向板；顶板通过与龙门架最边缘的一对滑块相连的夹板以顶住顶板，最为顶板的限位部，底板通过与龙门架另一最边缘的一对滑块相连的夹板以顶住底板，作为底板的限位部）限定每块挡板及每块气流导向板的位置，限位好后将顶板、底板、气流导向板、挡板与槽棒焊接（当然，挡板及气流导向板上均设置用于槽棒穿过的通孔，顶板及底板上设置与槽棒适配的用于槽棒插入的盲孔），夹板上还固定设置气缸23或液压缸，夹板与顶板平行设置，气缸23与夹板20垂直设置，气缸的活塞杆上固定设置顶块24，顶块24上滑动设置小顶块25（小顶块25相对于顶块24可竖向上下滑动），小顶块25用于抵靠抵压槽棒上的硅片置放槽的更薄的槽板边缘。

这样在定位的过程中，通过压力更大的局部顶块（具体是顶块位置到位后调整小顶块使得小顶块深入浅槽9后顶住硅片置放槽14的槽侧壁）配合更薄的槽板边缘，在定位的过程（顶板及底板定位至槽棒的过程中）中也形成部分云线形边缘（配合定位组装前的初步酸洗工序能够更好初步形成云线形边缘）。 再配合最终的酸洗水洗形成云线形边缘，可以在酸洗水洗时针对边缘处设置更高的水压以便于形成云线形边缘。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种LPCVD挡板式石英舟，其特征在于，由形成石英舟主体部分的作为硅片载体的至少三根槽棒、与槽棒两端分别固定相连的顶板与底板、顶板与底板之间的若干块挡板以及每两块挡板间设置用于使湍流收缩区扩大的气流导向板构成，挡板的尺寸大于置放于槽棒的硅片置放槽上的硅片尺寸。

2.根据权利要求1所述的一种LPCVD挡板式石英舟，其特征在于，所述气流导向板及挡板均与槽棒固定相连或一体设置；所述顶板、底板及挡板均与槽棒的旋转轴线垂直设置；两相邻挡板间的间距为17~23mm。

3.根据权利要求2所述的一种LPCVD挡板式石英舟，其特征在于，每两块挡板间的气流导向板设有一块且为矩形板，气流导向板与槽棒的旋转轴线垂直设置，气流导向板高度上低于挡板且其上设置若干个通孔，气流导向板位于两块挡板的中间位置且其长度与挡板长度一致。

4.根据权利要求2所述的一种LPCVD挡板式石英舟，其特征在于，每两块挡板间的气流导向板设有四块且固定连接或一体设置在与石英舟配套的石英管的管内壁上，四块气流导向板两两一对设置，两对气流导向板相对设置且高度上位于石英舟高度的一半位置处；气流导向板长度小于挡板长度的一半；

每两块挡板间的四块气流导向板均为弧形板，每对气流导向板的一板侧面固定相连，另一相对板侧面与石英管的管内壁相连；弧形板的弯曲方向为其中部更向每对气流导向板的竖直面靠拢。

5.根据权利要求3或4所述的一种LPCVD挡板式石英舟，其特征在于，所述槽棒轴向上设置若干个由硅片置放槽外壁向内壁方向尺寸逐渐减小的缩孔。

6.根据权利要求5所述的一种LPCVD挡板式石英舟，其特征在于，所述缩孔为喇叭孔形状。

7.根据权利要求6所述的一种LPCVD挡板式石英舟，其特征在于，所述硅片置放槽的槽侧壁边缘呈云线形。

8.制备如权利要求7所述LPCVD挡板式石英舟的工艺，其特征在于，由如下依次进行的工艺步骤构成：

S1：混合石英砂、树脂及玻璃纤维原料后将混合原料倒入电炉熔融；

S2：熔融后的混合原料倒入模具，冷却后取出，取出后磨削、切割、修整表面；

S3：随后进行船体组装，组装好后置入高温炉退火，最后酸洗水洗；

模具的凸模上设有用于形成槽棒上硅片置放槽的第一凸起，与凸模相适配的凹模上设有用于形成硅片置放槽薄侧壁的第二凸起，第二凸起设有两个且位于第一凸起的两侧。

9.根据权利要求8所述的一种LPCVD挡板式石英舟的制备工艺，其特征在于，在所述S2步骤中，切割槽棒或顶板、底板工序时，还对槽棒的硅片置放槽的槽侧壁上切割出云线形的切割线。

10.根据权利要求8或9所述的一种LPCVD挡板式石英舟的制备工艺，其特征在于，在所述S3步骤中，酸洗水洗时先针对石英舟整体采用低压酸洗水洗，后针对硅片置放槽的槽侧壁边缘进行局部的高压酸洗水洗。