CN116802509A - 低成本的b方法高压隔离筛选测试 - Google Patents
低成本的b方法高压隔离筛选测试 Download PDFInfo
- Publication number
- CN116802509A CN116802509A CN202280011994.XA CN202280011994A CN116802509A CN 116802509 A CN116802509 A CN 116802509A CN 202280011994 A CN202280011994 A CN 202280011994A CN 116802509 A CN116802509 A CN 116802509A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- test
- electronic device
- voltage signal
- test voltage
- signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 288
- 238000002955 isolation Methods 0.000 title claims abstract description 59
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 238000012216 screening Methods 0.000 title description 6
- 230000004044 response Effects 0.000 claims abstract description 18
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 6
- 238000013100 final test Methods 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 102100021908 3-mercaptopyruvate sulfurtransferase Human genes 0.000 description 4
- 102100031048 Coiled-coil domain-containing protein 6 Human genes 0.000 description 4
- 101000753843 Homo sapiens 3-mercaptopyruvate sulfurtransferase Proteins 0.000 description 4
- 101000777370 Homo sapiens Coiled-coil domain-containing protein 6 Proteins 0.000 description 4
- 101000640206 Tityus serrulatus Alpha-mammal toxin Ts2 Proteins 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 241000288140 Gruiformes Species 0.000 description 1
- 208000037656 Respiratory Sounds Diseases 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 206010037833 rales Diseases 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/50—Testing of electric apparatus, lines, cables or components for short-circuits, continuity, leakage current or incorrect line connections
- G01R31/52—Testing for short-circuits, leakage current or ground faults
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2853—Electrical testing of internal connections or -isolation, e.g. latch-up or chip-to-lead connections
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/12—Testing dielectric strength or breakdown voltage ; Testing or monitoring effectiveness or level of insulation, e.g. of a cable or of an apparatus, for example using partial discharge measurements; Electrostatic testing
- G01R31/14—Circuits therefor, e.g. for generating test voltages, sensing circuits
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Relating To Insulation (AREA)
Abstract
一种方法(100)包括:将AC测试电压信号(VT)施加(110)到电子器件的端子,该AC测试电压信号(VT)具有300Hz至100kHz的测试频率(F1);感测(112)在AC测试电压信号(VT)的施加期间该电子器件的电流信号(IT);以及响应于电流信号(IT)小于电流阈值(ITH),将电子器件(200)标识(115)为通过隔离测试。在将电子器件标识(115)为通过隔离测试之后,方法(100)包括:将第二AC测试电压信号(VT)施加(116)到电子器件的端子,该第二AC测试电压信号(VT)具有300Hz至100kHz的第二测试频率(F2);测量(118)在施加第二AC测试电压信号(VT)期间该电子器件的放电;以及响应于放电小于放电阈值(DTH),将电子器件(200)标识(121)为通过放电测试。
Description
背景技术
高压封装电子器件包括在不同电压水平下操作的电路,不同电压域之间具有高压隔离。例如,高压电容器可以提供在不同电压域中操作的发送电路与接收电路之间的隔离。其他隔离电路包括变压器或光隔离部件。对于所有这些高压隔离技术,隔离电路都需要对隔离进行高压测试。虽然集成隔离电路系统可以在制造期间被测试,但由于标准所要求的测试时间较长,因此用于高压隔离筛选的封装级最终测试插入具有高成本。
发明内容
在一方面,一种方法包括:将AC测试电压信号施加到电子器件的端子,该AC测试电压信号具有100Hz以上的测试频率;感测在AC测试电压信号的施加期间该电子器件的电流信号;以及响应于电流信号小于电流阈值,将电子器件标识为通过隔离测试。
在另一方面,一种方法包括:将AC测试电压信号施加到电子器件的端子,该AC测试电压信号具有100Hz以上的测试频率;测量在AC测试电压信号的施加期间电子器件的局部放电;以及响应于局部放电小于局部放电阈值,将电子器件标识为通过局部放电测试。
在另一方面,一种系统包括测试端子、AC电源和信号处理系统。测试端子被适配成耦合至电子器件的端子。AC电源具有耦合至测试端子的输出端。AC电源被配置成将第一AC测试电压信号施加到测试端子持续0.1秒以上0.5秒以下的第一持续时间。第一AC测试电压信号具有100Hz以上的测试频率,并且第一AC测试电压信号具有1kV RMS以上10kV RMS以下的幅度。信号处理系统具有电压感测输入端和电流感测输入端。电压感测输入端耦合到测试端子,并且电流感测输入端耦合到电流传感器,以便感测在第一AC测试电压信号的施加期间电子器件的电流信号。信号处理系统被配置为响应于电流信号小于电流阈值,将电子器件标识为通过隔离测试。AC电源被配置为在电子器件被标识为通过隔离测试之后,将第二AC测试电压信号施加到测试端子持续0.1秒以上0.5秒以下的第二持续时间,该第二AC测试电压信号具有100Hz以上的第二测试频率,并且该第二AC测试电压信号具有1kV RMS以上5kV RMS以下的幅度。信号处理系统被配置为测量在第二AC测试电压信号的施加期间电子器件的局部放电,并且响应于局部放电小于局部放电阈值,将电子器件标识为通过局部放电测试。
附图说明
图1是用于制造电子器件的方法的流程图。
图2是封装电子器件的立体图。
图3是被配置为使用高频双极性AC测试信号来测试封装电子器件的隔离的最终器件测试系统的示意图。
图4是被配置为使用高频单极性AC测试信号来测试封装电子器件的隔离的最终器件测试系统的示意图。
图5是示出了测试电压波形的图,其图示了隔离测试中所施加的高频AC电压的幅度。
具体实施方式
在附图中,相同的附图标记自始至终指代相同的元件,并且各种特征不一定按比例绘制。此外,术语“耦合(couple)”或“耦合(couples)”包括间接或直接电连接或机械连接或其组合。例如,如果第一器件耦合到第二器件或与第二器件耦合,则该连接可以是直接电连接,或经由一个或多个中间器件和连接件的间接电连接。各种电路、系统和/或部件的一个或多个工作特点是在下文中在功能背景下描述的,这些功能在一些情况下由当电路系统被供电和工作时各种结构的配置和/或互连产生。
图1示出了用于制造电子器件的方法100。方法100包括102处的晶片加工、104处的晶片探针测试、106处的管芯仿真以及108处的封装。在108处的封装之后,示例方法100包括在封装电子器件的最终测试时进行的两步隔离认证测试。在一个示例中,隔离测试被实施,以测试高压加强隔离或基本隔离是否遵照VDE 0884-11和支持IEC标准(比如IEC 60747-17或IEC 60664-1或其修订版)。在下文图示和描述的一个示例中,隔离测试是在电子器件插入到最终测试系统的插座或其他固定装置中的情况下分两个步骤执行的,该最终测试系统的示例在下文图3和图4中示出,其比如为可从马萨诸塞州北雷丁的泰瑞达公司购得的Teradyne eagle测试系统ETS-88,该测试系统被配置为实现单点、多点和索引并行测试应用的高吞吐量低成本测试。该两步测试包括初始隔离测试和局部放电测试。另一个示例实施单步测试,其在同一的高压波形期间将隔离测试和局部放电测试相结合。如先前所讨论的,用于高压隔离筛选的封装级最终测试的成本随测试所需时间的长度而变化。
方法100为集成电路或其他电子器件制造应用提供了具有成本效益的大批量测试,以便筛选出不满足适用隔离标准的封装电子器件或者经加工晶片的单独电路。在所图示的示例中,由AC电源将高频单极性和/或双极性AC测试电压信号施加到所测试的电子器件(例如,称为被测器件或DUT)的端子,以在晶片或器件测试时提供高dv/dt电压应力来评估器件隔离。使用高频AC测试电压信号有助于在预期隔离性能方面对器件进行可靠筛选,同时缩短测试时间。缩短的测试时间进而使得电子器件的制造成本降低。
示例两步隔离测试开始于图1中110处的隔离测试(测试1),在该隔离测试中,将第一AC测试电压信号V1施加到电子器件的端子。第一AC测试电压信号VT具有幅度V1和100Hz以上的第一测试频率F1。在一个示例中,第一测试频率F1为1MHz以下,比如为100kHz以下。在一个示例中,第一测试频率F1在1kHz以上10kHz以下。在另一示例中,第一测试频率F1在1.5kHz以上2.5kHz以下,比如大约为2.0kHz(在所使用的测试设备的容差内)。在一种实施方式中,第一AC测试电压信号VT的幅度V1在5kV RMS以上20kV RMS以下。在另一示例中,第一AC测试电压信号VT的幅度V1在3kV RMS以上10kV RMS以下,比如大约为7kV RMS(在所使用的测试设备的容差内)。在一个示例中,第一AC测试电压信号VT被施加到电子器件的端子的第一持续时间TST1在0.01秒以上0.5秒以下,比如大约为0.1秒(在所使用的测试设备的容差内)。在一种实施方式中,第一AC测试电压信号VT为正弦波。在另一种实施方式中,第一AC测试电压信号VT为方波。这提供了所施加信号的增强的dv/dt,从而用要求更高的波形来测试器件隔离,该波形更能代表应用并使得缩短隔离测试。在一个示例中,第一AC测试电压信号VT作为双极性信号被施加在所测试的器件的第一端子与第二端子之间(例如,下文图3)。在另一示例中,第一AC测试电压信号VT作为单极性方波信号被施加。
感测在施加第一AC测试电压信号VT期间所测试的器件的电流信号,该电流信号表示所测试的器件响应于第一AC测试电压信号VT的施加而产生的漏电流。在112处确定漏电流是否小于电流阈值ITH。如果漏电流大于或等于电流阈值ITH(112处为否),则所测试的器件(DUT)被标识为未通过第一测试。在一个示例中,响应于确定器件未通过第一测试,终止对器件的测试。否则(112处为是)响应于电流信号IT小于电流阈值ITH,方法100继续到115处的将电子器件标识为通过隔离测试。
在将电子器件标识为通过隔离测试之后,方法100在116处继续。在116处,该方法进一步包括将第二AC测试电压信号(也标记为VT)施加到电子器件的端子。在一个示例中,第二AC测试电压信号VT具有第二幅度V2和100Hz以上的第二测试频率F2。在一个示例中,第二测试频率F2为1MHz以下,比如为100kHz以下。在一个示例中,第二测试频率F2等于第一测试频率F1。在另一示例中,第一测试频率和第二测试频率不同。在一个示例中,第二测试频率F2为1kHz以上10kHz以下。在另一示例中,第二测试频率F2为1.5kHz以上2.5kHz以下,比如大约为2.0kHz(在所使用的测试设备的容差内)。在一个示例中,第二AC测试电压信号VT具有1kV RMS以上5kV RMS以下的第二幅度V2,比如为大约3kV RMS。在一种实施方式中,第二AC测试电压信号VT为正弦波。在另一种实施方式中,第二AC测试电压信号VT为方波。在这些示例或另一示例中,第二AC测试电压信号VT被施加到电子器件200的端子的持续时间TST2在0.01秒以上0.5秒以下,比如大约为0.1秒(在所使用的测试设备的容差内)。
方法100还包括测量在第二AC测试电压信号VT的施加期间电子器件的局部放电118。在一个示例中,通过以下方式在118处测量局部放电:感测在第二AC测试电压信号VT的施加期间电子器件200的电流信号IT;对电流信号IT进行滤波以去除电流信号IT中的第二测试频率F2成分,从而产生经滤波的信号;以及对经滤波的信号进行积分以生成表示在第二AC测试电压信号VT的施加期间所测试的电子器件的局部放电的局部放电信号。在118处确定所测试的器件的局部放电是否小于局部放电阈值DTH。如果所测量的电子器件局部放电大于或等于阈值DTH(118处为否),则在120处将所测试的器件标识为未通过局部放电测试(例如,测试2,检测到局部放电)。否则,响应于局部放电小于局部放电阈值DTH(118处为是),在121处将电子器件200标识为通过局部放电测试,并且在122处将所测试的器件标识为通过两步隔离测试(例如,两部分IEC B方法测试)。
现在参考图2至图5,图2示出了根据方法100制造的封装电子器件200在108处的封装之后的图示。该示例中的电子器件200是集成电路,该集成电路具有小外形集成电路(SOIC)封装结构202(例如,塑封材料)以及鸥翼形引线204、206、208、210、212、214、216、218和220,这些鸥翼形引线从封装结构202的相反侧向外且向下延伸,以用于焊接到主印刷电路板(PCB,未示出)上。电子器件200还包括具有电子部件(例如,电阻器、电容器、晶体管等)的一个或多个半导体管芯(未示出)。
在一种实施方式中,电子器件200是多管芯封装的电子器件,其具有例如在两个或更多个不同的电压水平或电压域下操作的多个半导体管芯(未示出)、以及提供不同电压域之间的隔离屏障的隔离电路系统(例如,电容器、变压器、光电耦合器等)。在一个示例中,电子器件200具有用于第一半导体管芯与第二半导体管芯之间的通信的内部隔离部件,例如包括穿过隔离电路(该隔离电路包括电容器、变压器、光电耦合器等)的5V无线局域网(WAN)连接件。在另一示例中,电子器件200包括在马达控制应用中使用的高压隔离屏障(例如,1000V RMS)。在另一示例中,电子器件200包括用于电动车辆(EV)或混合动力电动车辆(HEV)的充电电路系统的电路系统,其中在高压域与低压域之间有1000V DC隔离屏障,该电路系统包括半导体管芯和/或具有耐高压(HV)电压额定值的其他电路部件(例如,HV电容器、HV变压器、光隔离部件等)。
图3示出了被配置为根据方法100使用高频双极性AC测试信号来测试封装电子器件200的隔离的最终器件测试系统300。系统300被图示为用于测试封装电子器件200的最终测试系统。
所图示的系统300包括插座302,该插座具有测试端子304和306,这些测试端子被适配成在电子器件200的相应引线204和206插入插座302时与之接合并提供电连接。系统300还包括AC电源310,该AC电源具有输出端,该输出端分别具有第一输出端子311和第二输出端子312。AC电源310的输出端子311和312耦合到插座302的相应测试端子306和304。该示例中的AC电源310具有耦合到测试系统300的电路接地端313的接地端子或参考端子。AC电源310还包括一个或多个控制输入端,该控制输入端被配置为接收相应的控制信号以设置输出电压VT和频率(例如,第一测试频率F1和第二测试频率F2)。在一种实施方式中,AC电源310包括用于通信消息传送的通信接口(未示出),该通信接口允许AC电源310接收设定点电压值和频率值。
在所图示的示例中,AC电源310包括接收设定点电压信号或值VSP的第一输入端314和接收设定点频率信号或值FSP的第二输入端316。在操作中,AC电源310在输出端311、312处提供AC测试电压信号VT,该AC测试电压信号具有对应于设定点电压信号VSP的幅度和对应于设定点频率信号FSP的频率。另外,在一种实施方式中,AC电源310被配置为根据信号波形信号或值来选择性地将AC测试电压信号VT作为例如正弦波或方波提供。
测试系统300还包括测试控制器320(例如,标记为DUT测试控制),该测试控制器具有第一控制输出端321,其耦合到AC电源310的第一输入端314以向AC电源310提供设定点电压信号或值VSP。该示例中的测试控制器320还包括第二控制输出端322,其耦合到第二输入端316以向AC电源310提供设定点频率信号FSP。在一种实施方式中,测试控制器320包括输入端324。
该示例中的测试系统300还包括信号处理系统330,该信号处理系统具有电压感测输入端,该电压感测输入端具有耦合到AC电源输出端子311的端子331、以及耦合到AC电源输出端子312的第二感测输入端子332。信号处理系统330还包括电流感测输入端334,该电流感测输入端耦合到电流传感器333,以便感测在第一AC测试电压信号VT的施加期间电子器件200的电流信号IT。信号处理系统330还包括耦合到测试控制器320的输入端324的输出端338,例如以便将感测到的和/或所测量的或计算出的信号或值传送到测试控制器320。在一个示例中,测试控制器320和信号处理系统330包括模拟电路系统以及一个或多个逻辑或处理器电路,这些电路被编程或可编程为实施用于对封装电子器件200进行最终测试的测试功能。另外,在一个示例中,测试控制器320与多个AC电源310和相关联的信号处理系统330进行接口连接,以便同时对安装在相应插座302中的多个封装电子器件200执行测试。
在大体上根据上述方法100的操作中,AC电源310将第一AC测试电压信号VT作为双极性(例如差分)电压信号向(例如,跨)输出端子311和312以及测试端子304和306施加持续0.01秒以上0.5秒以下的第一持续时间TST1。此外,在操作中,AC电源310根据在相应的输入端314和316处接收到的电压设定点和频率设定点来操作,以例如上文结合图1所述地提供具有100Hz以上的测试频率F1以及3kV RMS以上10kV RMS以下的幅度V1的第一AC测试电压信号VT。在操作中,信号处理系统333测量(例如,感测)在第一AC测试电压信号VT的施加期间电子器件200的电流IT,并确定器件电流IT是否小于电流阈值ITH。响应于电流信号IT小于电流阈值ITH,信号处理系统333将电子器件200标识为通过隔离测试(例如,测试1)。在一种实施方式中,信号处理系统330具有输出端336,该输出端例如向外部主机系统(未示出)提供通过/未通过信号,其指示所测试的电子器件200是已经通过还是未通过隔离测试和局部放电测试中的一者或两者。
另外,在电子器件200被标识为通过隔离测试之后,AC电源310将第二AC测试电压信号VT施加到测试端子304、306持续0.01秒以上0.5秒以下的第二持续时间TST2。根据来自测试控制器320的经调整电压和/或频率设定点信号或值,在该示例中,第二AC测试电压信号VT具有100Hz以上的第二测试频率F2以及1kV RMS以上5kV RMS以下的幅度V2。信号处理系统330测量在第二AC测试电压信号VT的施加期间电子器件200的局部放电。响应于局部放电小于局部放电阈值DTH,信号处理系统330将电子器件200标识为通过局部放电测试,并向测试控制器320和/或在输出端336处提供通过/未通过指示。
在一种实施方式中,如上文结合图1所讨论的,信号处理系统330通过以下方式测量器件局部放电:感测在第二AC测试电压信号VT的施加期间电子器件200的电流信号IT;对电流信号IT进行滤波以去除电流信号IT中的第二测试频率F2成分,从而产生经滤波的信号;以及对经滤波的信号进行积分以生成表示在第二AC测试电压信号VT的施加期间所测试的电子器件的局部放电的局部放电信号。在一个示例中,信号处理系统330包括模拟电路系统,该模拟电路系统用于实施电流信号滤波和积分以产生模拟局部放电信号,该模拟局部放电信号被与表示局部放电阈值DTH的模拟电压进行比较。在另一种实施方式中,信号处理系统330包括模数转换电路系统,并在数字域中执行滤波和/或积分以及阈值比较。
图4示出了被配置为使用高频单极性AC测试信号来测试封装电子器件200的隔离的另一最终器件测试系统400。测试系统400包括插座302、AC电源310、测试控制器320和信号处理系统330,并且其大体上如上文结合图3所讨论地进行操作。然而,在该示例中,AC电源310被连接以将AC测试电压信号VT作为单极性(例如,单端)电压信号提供给插座302的端子304和306。在该示例中,AC电源310的输出端子312耦合到测试系统400的电路接地端313。
图5示出了包括测试电压信号波形502的图500,该测试电压信号波形表示在上述测试系统300或400的操作中的两步隔离测试的一种实施方式中AC测试电压信号VT的幅度。在该示例中,AC测试电压信号VT(曲线502)开始于0V RMS,并且AC电源310使得AC电压幅度在第一时间段t1(例如,大约0.03秒)期间以相当高的dv/dt斜升至第一幅度V1(例如,大约为7kV RMS,10kV峰峰值)。AC电源310使得AC测试电压信号VT维持在第一幅度V1持续0.01秒以上0.5秒以下、比如大约0.1秒(在测试系统300、400的容差内)的第一持续时间TST1,然后使AC测试电压信号VT在第二时间段t2(例如,大约为0.03秒)期间斜降至第二幅度V2。在该示例中,第一测试的持续时间tini,b为t1+TST1+t2(例如,大约为0.36秒)。这比通过施加60Hz的AC高压信号持续大约1.2秒的持续时间来执行隔离测试要快得多,从而显著缩短了测试时间并降低了制造成本。
图5的示例中的局部放电测试(例如,测试2)也比通过施加60Hz的信号进行的测试要快得多。在图5的示例中,第二测试包括允许AC测试电压信号VT稳定在第二幅度V2的建立时间段t3(例如,大约0.03秒),并且AC电源310使AC测试电压信号VT维持在幅度V2持续0.01秒以上0.5秒以下、比如大约为0.1秒(在测试系统300、400的容差内)的第二持续时间TST2,然后使AC测试电压信号VT在第四时间段t4(例如,大约0.03秒)期间斜降至零。在该示例中,局部放电测试的持续时间tm为t3+TST2+t4(例如,大约为0.36秒)。同样,与通过施加60Hz的信号进行的局部放电测试相比,这显著缩短了测试时间并降低了成本。在一个示例中,60Hz高压B方法测试涉及在AC正弦波形的60个周期内进行测试以评估所测试的器件的高压应力性能(这对应于每个测试步骤施加60Hz的信号维持1秒),而所描述的示例有助于使用高压高频的AC测试电压信号VT在AC正弦波或方波的60个甚至更多个周期(例如,600个周期)内进行测试,以进行隔离测试和局部放电测试二者。在其他实施方式中,使用这种高压高频的AC测试电压信号VT来执行单个测试,以进行隔离测试或局部放电测试。所描述的方法100和所图示的测试系统300、400有助于在短得多的测试时间内实现期望的隔离测试和/或局部放电测试来筛选封装器件200,从而显著降低制造成本。与60Hz的正弦波测试相比,高频AC测试电压信号VT的使用还提供了增强dv/dt的益处,并且在某些示例中,方波的使用在所施加AC测试电压信号VT的dv/dt方面提供了进一步增强。例如,如下表1所示。
所描述的示例还可以与其他成本降低增强结合采用,这些成本降低增强包括使用更低成本的测试设备、同时测试更多器件、以及通过缩短建立时间来进一步缩短测试时间。
在权利要求的范围内,对所描述的示例进行修改是可能的,并且其他实施方式也是可能的。
Claims (20)
1.一种用于制造电子器件的方法,所述方法包括:
向所述电子器件的端子施加AC测试电压信号,所述AC测试电压信号具有100Hz以上的测试频率;
感测在所述AC测试电压信号的施加期间所述电子器件的电流信号;以及
响应于所述电流信号小于电流阈值,将所述电子器件标识为通过隔离测试。
2.根据权利要求1所述的方法,其中:
所述测试频率为1kHz以上10kHz以下;并且
所述AC测试电压信号具有1kV RMS以上20kV RMS以下的幅度。
3.根据权利要求2所述的方法,其中:
所述测试频率为1.5kHz以上2.5kHz以下;并且
所述AC测试电压信号具有3kV RMS以上10kV RMS以下的幅度。
4.根据权利要求3所述的方法,其中,将所述AC测试电压信号施加到所述电子器件的端子持续0.01秒以上0.5秒以下的持续时间。
5.根据权利要求3所述的方法,其中,所述AC测试电压信号为正弦波。
6.根据权利要求3所述的方法,其中,所述AC测试电压信号为方波。
7.根据权利要求3所述的方法,其中,所述AC测试电压信号作为双极性信号被施加在所述电子器件的端子与第二端子之间。
8.根据权利要求3所述的方法,进一步包括:
在将所述电子器件标识为通过所述隔离测试后,将第二AC测试电压信号施加到所述电子器件的端子,所述第二AC测试电压信号具有100Hz以上的第二测试频率;
测量在所述第二AC测试电压信号的施加期间所述电子器件的局部放电;以及
响应于所述局部放电小于局部放电阈值,将所述电子器件标识为通过局部放电测试。
9.根据权利要求8所述的方法,其中,测量所述电子器件的局部放电包括:
感测在所述第二AC测试电压信号的施加期间所述电子器件的电流信号;
对所述电流信号进行滤波以去除所述电流信号中的第二测试频率成分,以产生经滤波的信号;以及
对经滤波的信号进行积分,以生成表示在所述第二AC测试电压信号的施加期间所述电子器件的局部放电的局部放电信号。
10.根据权利要求8所述的方法,其中,所述第二测试频率等于所述测试频率。
11.根据权利要求10所述的方法,其中,所述第二AC测试电压信号具有1kV RMS以上5kVRMS以下的幅度。
12.根据权利要求11所述的方法,其中,将所述第二AC测试电压信号施加到所述电子器件的所述端子持续0.01秒以上0.5秒以下的持续时间。
13.根据权利要求11所述的方法,其中,所述第二AC测试电压信号为正弦波。
14.根据权利要求11所述的方法,其中,所述第二AC测试电压信号为方波。
15.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:
在将所述电子器件标识为通过所述隔离测试后,将第二AC测试电压信号施加到所述电子器件的端子,所述第二AC测试电压信号具有100Hz以上的第二测试频率;
测量在所述第二AC测试电压信号的施加期间所述电子器件的局部放电;以及
响应于所述局部放电小于局部放电阈值,将所述电子器件标识为通过局部放电测试。
16.一种用于制造电子器件的方法,所述方法包括:
向所述电子器件的端子施加AC测试电压信号,所述AC测试电压信号具有100Hz以上的测试频率;
测量在所述AC测试电压信号的施加期间所述电子器件的局部放电;以及
响应于所述局部放电小于局部放电阈值,将所述电子器件标识为通过局部放电测试。
17.根据权利要求16所述的方法,其中,测量所述电子器件的局部放电包括:
感测在所述AC测试电压信号的施加期间所述电子器件的电流信号;
对所述电流信号进行滤波以去除所述电流信号中的测试频率成分,以产生经滤波的信号;以及
对经滤波的信号进行积分,以生成表示在所述AC测试电压信号的施加期间所述电子器件的局部放电的局部放电信号。
18.根据权利要求16所述的方法,其中,所述AC测试电压信号具有1kV RMS以上5kV RMS以下的幅度。
19.根据权利要求16所述的方法,其中,将所述AC测试电压信号施加到所述电子器件的端子持续0.01秒以上0.5秒以下的持续时间。
20.一种用于测试电子器件的系统,所述系统包括:
测试端子,所述测试端子被适配成耦合到所述电子器件的端子;
AC电源,所述AC电源具有输出端,所述输出端耦合到所述测试端子,所述AC电源被配置为将第一AC测试电压信号施加到所述测试端子持续0.01秒以上0.5秒以下的第一持续时间,所述第一AC测试电压信号具有100Hz以上的测试频率,并且所述第一AC测试电压信号具有3kV RMS以上10kV RMS以下的幅度;
信号处理系统,所述信号处理系统具有电压感测输入端和电流感测输入端,所述电压感测输入端耦合到所述测试端子,并且所述电流感测输入端耦合到电流传感器以感测在所述第一AC测试电压信号的施加期间所述电子器件的电流信号,所述信号处理系统被配置为响应于所述电流信号小于电流阈值,将所述电子器件标识为通过隔离测试;
所述AC电源被配置为在所述电子器件被标识为通过所述隔离测试之后,将第二AC测试电压信号施加到所述测试端子持续0.01秒以上0.5秒以下的第二持续时间,所述第二AC测试电压信号具有100Hz以上的第二测试频率,并且所述第二AC测试电压信号具有1kV RMS以上5kV RMS以下的幅度;
所述信号处理系统被配置为:测量在所述第二AC测试电压信号的施加期间所述电子器件的局部放电;以及响应于所述放电小于局部放电阈值,将所述电子器件标识为通过局部放电测试。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US202163143203P | 2021-01-29 | 2021-01-29 | |
US63/143,203 | 2021-01-29 | ||
US17/512,382 US20220244320A1 (en) | 2021-01-29 | 2021-10-27 | Low cost method-b high voltage isolation screen test |
US17/512,382 | 2021-10-27 | ||
PCT/US2022/013478 WO2022164740A1 (en) | 2021-01-29 | 2022-01-24 | Low cost method-b high voltage isolation screen test |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN116802509A true CN116802509A (zh) | 2023-09-22 |
Family
ID=82611368
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202280011994.XA Pending CN116802509A (zh) | 2021-01-29 | 2022-01-24 | 低成本的b方法高压隔离筛选测试 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220244320A1 (zh) |
CN (1) | CN116802509A (zh) |
WO (1) | WO2022164740A1 (zh) |
Family Cites Families (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU176014A1 (ru) * | 1964-06-10 | 1965-10-26 | А. А. Бурнашев, И. П. Захаров , И. П. Мамаев | Способ испб1тания электрической прочностиизоляции |
US3969711A (en) * | 1975-04-25 | 1976-07-13 | Litton Systems, Inc. | Line isolation monitor and alarm |
US4140965A (en) * | 1976-02-25 | 1979-02-20 | Optron, Inc. | Isolation voltage test apparatus |
SU714316A1 (ru) * | 1977-10-03 | 1980-02-05 | Предприятие П/Я А-3313 | Устройство дл испытани прочности изол ции переменным током |
FR2647220B1 (fr) * | 1989-05-19 | 1991-07-05 | Merlin Gerin | Controleur d'isolement numerique pour reseau electrique |
JP2975039B2 (ja) * | 1990-02-23 | 1999-11-10 | 松下電器産業株式会社 | モータ用巻線コイルの巻装異常検出装置 |
US5142432A (en) * | 1991-10-21 | 1992-08-25 | General Motors Corporation | Fault detection apparatus for a transformer isolated transistor drive circuit for a power device |
US5747892A (en) * | 1997-01-06 | 1998-05-05 | Brunswick Corporation | Galvanic isolator fault monitor |
US6172862B1 (en) * | 1999-06-11 | 2001-01-09 | Anthony J. Jonnatti | Partial discharge relay and monitoring device |
US6573728B2 (en) * | 2001-08-29 | 2003-06-03 | International Business Machines Corporation | Method and circuit for electrical testing of isolation resistance of large capacitance network |
US7226828B2 (en) * | 2004-04-27 | 2007-06-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Architecture to monitor isolation integrity between floating gate and source line |
US7219022B2 (en) * | 2005-06-30 | 2007-05-15 | Allegro Microsystems, Inc. | Methods and apparatus for detecting failure of an isolation device |
EP1994460B1 (en) * | 2006-03-10 | 2017-11-15 | Commergy Technologies Limited | A power converter |
US7924019B2 (en) * | 2008-01-16 | 2011-04-12 | Lear Corporation | System and method for fault isolation and leakage current detection |
JP5738511B2 (ja) * | 2008-06-26 | 2015-06-24 | 株式会社東芝 | 回転電機巻線の製造工程内絶縁試験方法及び回転電機巻線の製造方法 |
US8762083B2 (en) * | 2008-07-28 | 2014-06-24 | Littelfuse, Inc. | Intelligent fuse holder and circuit protection methods |
EP2204660B1 (de) * | 2008-12-30 | 2018-06-27 | Omicron electronics GmbH | Vorrichtung und verfahren zum bestimmen von teilentladungen an einer elektrischen komponente |
US8164298B2 (en) * | 2009-03-26 | 2012-04-24 | GM Global Technology Operations LLC | System and method for detecting loss of isolation while an AC motor is operating |
GB201001867D0 (en) * | 2010-02-05 | 2010-03-24 | Kitchener Renato | Real time, non-disruptive, IEC61158-2 spur short circuit testing method for active device couplers |
US8344865B2 (en) * | 2010-10-29 | 2013-01-01 | GM Global Technology Operations LLC | Method and apparatus for monitoring a vehicular propulsion system battery |
DE102011050590A1 (de) * | 2011-05-24 | 2012-11-29 | Sma Solar Technology Ag | Isolationsüberwachung mit einem Prüfsignal variabler Frequenz |
US9188634B2 (en) * | 2013-03-15 | 2015-11-17 | Power Integrations, Inc. | Isolation testing of semiconductor devices |
US9377502B2 (en) * | 2013-12-19 | 2016-06-28 | Infineon Technologies Ag | Testing of semiconductor devices and devices, and designs thereof |
EP2947668B1 (de) * | 2014-05-21 | 2023-08-02 | Siemens Energy Global GmbH & Co. KG | Stromkreisanordnung für eine Hochspannungsprüfanlage |
FI126901B (en) * | 2014-09-12 | 2017-07-31 | Enics Ag | Procedure and system for testing an electronic device |
WO2016098644A1 (ja) * | 2014-12-18 | 2016-06-23 | 三菱電機株式会社 | 電力機器の部分放電判定方法、部分放電判定装置、部分放電判定システム、これらを用いて部分放電判定された電力機器、および部分放電判定方法を含む電力機器の製造方法 |
JP6671891B2 (ja) * | 2015-08-21 | 2020-03-25 | 学校法人 芝浦工業大学 | 電子部品試験装置、電子部品試験方法 |
US10338131B2 (en) * | 2015-11-24 | 2019-07-02 | Texas Instruments Incorporated | System and method for high voltage stress testing plurality of parallel units |
US10871514B2 (en) * | 2016-05-10 | 2020-12-22 | Texas Instruments Incorporated | High-voltage isolator testing |
US10805123B2 (en) * | 2018-03-07 | 2020-10-13 | Texas Instruments Incorporated | Crosstalk generation and detection for digital isolators |
EP3608152B1 (en) * | 2018-08-06 | 2022-06-22 | Ningbo Geely Automobile Research & Development Co. Ltd. | Method for detecting an isolation fault |
US11598821B2 (en) * | 2019-01-22 | 2023-03-07 | Knowles Electronics, Llc. | Leakage current detection from bias voltage supply of microphone assembly |
FR3112863B1 (fr) * | 2020-07-24 | 2023-05-26 | Schneider Electric Ind Sas | Procédés, dispositifs et systèmes pour détecter un défaut d’isolement dans une installation électrique |
US11750231B2 (en) * | 2020-09-30 | 2023-09-05 | Skyworks Solutions, Inc. | Peak and gain calibration of a receiver in an isolation product |
-
2021
- 2021-10-27 US US17/512,382 patent/US20220244320A1/en active Pending
-
2022
- 2022-01-24 CN CN202280011994.XA patent/CN116802509A/zh active Pending
- 2022-01-24 WO PCT/US2022/013478 patent/WO2022164740A1/en active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20220244320A1 (en) | 2022-08-04 |
WO2022164740A1 (en) | 2022-08-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN1083577C (zh) | 处理器接触检测装置和测试集成电路装置的方法 | |
EP0342784B1 (en) | Program controlled in-circuit test of analog to digital converters | |
EP0862061B1 (en) | Circuit board inspection apparatus and method | |
ATE203851T1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum zugriff auf inneren prüfschaltungen in einer integrierten schaltung | |
US10184962B2 (en) | Removable transient voltage detector | |
US20070162799A1 (en) | Burn-in test signal generating circuit and burn-in testing method | |
US11227805B2 (en) | System and method for surge-testing a gallium nitride transistor device | |
CN116802509A (zh) | 低成本的b方法高压隔离筛选测试 | |
JP3631275B2 (ja) | 半導体試験装置のピン試験回路 | |
KR100986928B1 (ko) | 파워 모듈을 테스트하기 위한 방법 및 장치 | |
US7535243B2 (en) | Method and program for controlling an apparatus for measurement of characteristics of a semiconductor device under test | |
Mallarapu et al. | Iddq testing on a custom automotive IC | |
RU2311653C1 (ru) | Способ разделения аналоговых интегральных схем по надежности | |
US10955462B2 (en) | Apparatus and method for frequency characterization of an electronic system | |
Petri et al. | The influence of voltage form on the insulation resilience of inverter-fed low voltage traction machines with hairpin windings | |
JP6541456B2 (ja) | 試験装置 | |
KR100382248B1 (ko) | 두 개의 스테이션용 테스터에 한 개의 핸들러를 장착하는반도체 소자의 전기적 검사시스템 및 그 검사방법 | |
TWI824686B (zh) | 檢測電路 | |
KR100231649B1 (ko) | 커패시터 충전회로를 갖는 검사용 기판 및 이를이용한 집적회로 검사 방법 | |
KR101050111B1 (ko) | 자동 테스트 시스템의 차등 신호 발생 장치 및 그 방법 | |
WO2008072401A1 (ja) | 試験装置および検出方法 | |
CN113791333A (zh) | 芯片测试装置与芯片测试系统 | |
JPH04326073A (ja) | 半導体装置の測定装置 | |
KR20160061761A (ko) | 반도체 소자들의 테스트를 위한 인터페이스 장치 | |
Thouabtia | Development and Implementation of a Measurement Method for a High-Performance Common-Mode Transient Immunity Test |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |