CN116768633A - 一种半导体用AlN组成成分及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种半导体用AlN组成成分及其制造方法，包括CAS玻璃、Y2O3、MgO与CaCO3，所述CAS玻璃添加量以0.5～2wt％为宜，所述Y2O3、MgO与CaCO3烧结添加剂含量以0.5～2wt％为宜，所述CAS玻璃包括CaO、SiO2与Al2O3，所述CaO的组成成分为20～60mol％，所述Al2O3的组成成分为10～40mol％，所述SiO2的组成成分为0.1～10mol％。本发明所述的一种半导体用AlN组成成分及其制造方法，改善了AlN烧结时使用的烧结助剂的组成成分，从而改善了绝缘特性，将glass作为AlN的烧结添加剂应用，在开发新组成成分的同时，改善半导体用AlN的电气特性本质问题。
Description
技术领域
本发明涉及半导体领域，特别涉及一种半导体用AlN组成成分及其制造方法。
背景技术
半导体用AlN是一种氧化铝，氮化铝(AlN)是具有320W/m·K优秀导热率的材料，适用于半导体、加热器及散热基板的静电吸盘(ESC)。在这些应用程序中，为了应用于Johnsen-Rahbeck型ESC，需要109Ω·cm以上的优秀绝缘特性，随着科技的不断发展，人们对于半导体用AlN的制造工艺要求也越来越高。
现有的半导体在使用时存在一定的弊端，由于半导体设备的操作温度上升到400℃以上，为了抑制热冲击对设备的损坏，需要100W/m·K以上的高导热特性。已知只有AlN是满足这种需求特性的物质，但已知商业AlN粉末与热碳还原法合成，含有约0.7重量％的氧气。这些氧缺陷和铝(Al)空隙通过取代AlN的氮(N)离子来影响热及电传导特性。即，为了在半导体制造设备中成功应用AlN，控制组成成分以在应用高电场时不会发生绝缘破坏非常重要。影响AlN电导的因素有2次相的组成、孔隙度、晶体大小、形状等，但尚未阐明这种相关性的具体方程。即,在400度以上的高温下发生绝缘破坏的不良问题尚未完全解决。因此，应增强AlN本身的绝缘性。为此，用少量添加剂烧结AlN很重要，同时尽量减少氧杂质。然而，大多数AlN烧结中都添加了稀土等氧化物添加剂，难以去除氧杂质，其他添加剂也存在制造成本高的缺点，为此，我们提出一种半导体用AlN组成成分及其制造方法，作为这种半导体用AlN的成分，提出了glass。
发明内容
解决的技术问题：针对现有技术的不足，本发明提供了一种半导体用AlN组成成分及其制造方法，改善了AlN烧结时使用的烧结助剂的组成成分，从而改善了绝缘特性，将glass作为AlN的烧结添加剂应用，在开发新组成成分的同时，改善半导体用AlN的电气特性本质问题，可以有效解决背景技术中的问题。
技术方案：为实现上述目的，本发明采取的技术方案为：一种半导体用AlN组成成分，包括CAS玻璃、Y2O3、MgO与CaCO3，所述CAS玻璃添加量以0.5～2wt％为宜，所述Y2O3、MgO与CaCO3烧结添加剂含量以0.5～2wt％为宜，所述CAS玻璃包括CaO、SiO2与Al2O3，所述CaO的组成成分为20～60mol％，所述Al2O3的组成成分为10～40mol％，所述SiO2的组成成分为0.1～10mol％。
作为本申请一种优选的技术方案，所述CAS玻璃为全部或添加1wt％MgO时，AlN的体积密度随着CAS玻璃含量的增加而增加。
作为本申请一种优选的技术方案，所述Y2O3和CAS玻璃添加量为1wt％时，体积密度最高，为3.23g/cm3。
作为本申请一种优选的技术方案，所述CAS玻璃添加量增加到2wt％时，体积密度几乎接近于3.21g/cm3。
作为本申请一种优选的技术方案，所述MgO添加量为1wt％时，其散装密度降低0.8％～1.7％，所述CAS玻璃添加量为2wt％时，其体积密度为3.21g/cm3。
一种半导体用AlN组成的制造方法，包括以下操作步骤：
S1：CAS玻璃添加量以0.5～2wt％为宜，Y2O3、MgO等AlN烧结添加剂含量以0.5～2wt％为宜，CAS玻璃即glass，且glass和Y2O3、MgO、CaCO3等添加或配比后直接添加，可能有助于提高AlN的体积电阻特性；
S2：使用的CAS玻璃组成成分是20～60mol％CaO、10～40mol％Al2O3和0.1～10mol％SiO2；
S3：取原料中562g，24h混匀后放入1L大小的铂坩埚中，之后在1480℃中熔融淬火得到玻璃卷曲；
S4：为了从获得的玻璃卷曲中制备玻璃粉，在第一次粉碎中，在纳米激发下粗粉碎成数十微米大小，在第二次粉碎中，使用氧化锆球进行干式球磨粉碎，在48小时的三次粉碎中，以氧化锆球和乙醇为溶剂，湿式球磨24小时；
S5：玻璃粉在100℃下干燥24h，最终得到平均粒径为2～4μm的玻璃粉，之后根据用途，可以通过atrition milling、biz milling等制造纳米尺寸的玻璃粉末。
作为本申请一种优选的技术方案，所述S2步骤中CaO和Al2O3在所有条件下均在26°附近发生反应，检出2级相，根据CAS玻璃含量，峰值呈现出发达的趋势。
作为本申请一种优选的技术方案，所述S4步骤中玻璃粉制备采用三次粉碎的方式，得到平均粒径为2～4μm的玻璃粉。
有益效果：与现有技术相比，本发明提供了一种半导体用AlN组成成分及其制造方法，具备以下有益效果：该一种半导体用AlN组成成分及其制造方法，改善了AlN烧结时使用的烧结助剂的组成成分，从而改善了绝缘特性，将glass作为AlN的烧结添加剂应用，在开发新组成成分的同时，改善半导体用AlN的电气特性本质问题，整个半导体用AlN结构简单，操作方便，使用的效果相对于传统方式更好。
附图说明
图1为本发明一种半导体用AlN组成成分及其制造方法中根据烧结添加剂在1700℃下烧结3小时的AlN体积密度的示意图。
图2为本发明一种半导体用AlN组成成分及其制造方法中用烧结添加剂烧结的AlN的X射线衍射图案的示意图。
图3为本发明一种半导体用AlN组成成分及其制造方法中根据烧结添加剂含量在烧结AlN中的断裂面SEM图像的示意图。
图4为本发明一种半导体用AlN组成成分及其制造方法中关于烧结添加剂和CAS玻璃含量，在1700℃烧结的AlN中2次相的TEM-EDS图像的示意图。
图5为本发明一种半导体用AlN组成成分及其制造方法中1700℃下使用烧结助剂烧结的AlN的烧结特性的示意图。
图6为本发明一种半导体用AlN组成成分及其制造方法中AlN体积电阻率随温度变化的示意图。
图7为本发明一种半导体用AlN组成成分及其制造方法中在1700℃下烧结的2.0wt.％CAS玻璃和添加1wt.％Y2O3的AlN的TEM图像的示意图。
图8为本发明一种半导体用AlN组成成分及其制造方法中2.0wt.％CAS玻璃和添加1wt.％MgO的AlN在1700℃下烧结的TEM图像的示意图。
图9为本发明一种半导体用AlN组成成分及其制造方法中烧结添加剂及温度下AlN的活化能的示意图。
具体实施方式
下面将结合附图和具体实施方式对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，但是本领域技术人员将会理解，下列所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例，仅用于说明本发明，而不应视为限制本发明的范围。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
如图1-9所示，一种半导体用AlN组成成分，包括CAS玻璃、Y2O3、MgO与CaCO3，CAS玻璃添加量以0.5～2wt％为宜，Y2O3、MgO与CaCO3烧结添加剂含量以0.5～2wt％为宜，CAS玻璃包括CaO、SiO2与Al2O3，CaO的组成成分为20～60mol％，Al2O3的组成成分为10～40mol％，SiO2的组成成分为0.1～10mol％，改善了AlN烧结时使用的烧结助剂的组成成分，从而改善了绝缘特性，将glass作为AlN的烧结添加剂应用，在开发新组成成分的同时，改善半导体用AlN的电气特性本质问题。
进一步的，CAS玻璃为全部或添加1wt％MgO时，AlN的体积密度随着CAS玻璃含量的增加而增加。
进一步的，Y2O3和CAS玻璃添加量为1wt％时，体积密度最高，为3.23g/cm3。
进一步的，CAS玻璃添加量增加到2wt％时，体积密度几乎接近于3.21g/cm3。
进一步的，MgO添加量为1wt％时，其散装密度降低0.8％～1.7％，CAS玻璃添加量为2wt％时，其体积密度为3.21g/cm3。
一种半导体用AlN组成的制造方法，包括以下操作步骤：
S1：CAS玻璃添加量以0.5～2wt％为宜，Y2O3、MgO等AlN烧结添加剂含量以0.5～2wt％为宜，CAS玻璃即glass，且glass和Y2O3、MgO、CaCO3等添加或配比后直接添加，可能有助于提高AlN的体积电阻特性；
S2：使用的CAS玻璃组成成分是20～60mol％CaO、10～40mol％Al2O3和0.1～10mol％SiO2；
S3：取原料中562g，24h混匀后放入1L大小的铂坩埚中，之后在1480℃中熔融淬火得到玻璃卷曲；
S4：为了从获得的玻璃卷曲中制备玻璃粉，在第一次粉碎中，在纳米激发下粗粉碎成数十微米大小，在第二次粉碎中，使用氧化锆球进行干式球磨粉碎，在48小时的三次粉碎中，以氧化锆球和乙醇为溶剂，湿式球磨24小时；
S5：玻璃粉在100℃下干燥24h，最终得到平均粒径为2～4μm的玻璃粉，之后根据用途，可以通过atrition milling、biz milling等制造纳米尺寸的玻璃粉末。
进一步的，S2步骤中CaO和Al2O3在所有条件下均在26°附近发生反应，检出2级相，根据CAS玻璃含量，峰值呈现出发达的趋势。
进一步的，S4步骤中玻璃粉制备采用三次粉碎的方式，得到平均粒径为2～4μm的玻璃粉。
实施例：
图1为AlN在1700℃氮气气氛下减压烧结3h后的烧结添加剂含量散装密度。结果表明，当仅使用CAS玻璃或添加1wt.％MgO时，AlN的体积密度随着CAS玻璃含量的增加而增加。当Y2O3和CAS玻璃添加量为1wt.％时，体积密度最高，为3.23g/cm3，当CAS玻璃添加量增加到2wt％时，体积密度几乎接近于3.21g/cm3。当添加1wt.％MgO时，其散装密度比其他条件低0.8％～1.7％。当添加2wt％CAS玻璃时，其体积密度为3.21g/cm3，与其他成分相似。这些结果表明，考虑到前人研究中仅使用1wt.％CAS玻璃在1850℃下烧结的烧结密度值约为3.23g/cm3，即使在1700℃下也确保了烧结性。
图2显示了根据烧结添加剂含量对AlN的X射线衍射模式。图2(a)是仅使用CAS玻璃时，根据CAS玻璃含量的XRD模式。图2(b)为添加1wt.％Y2O3的情况，图2(c)为添加1wt.％MgO的情况。结果表明，CaO和Al2O3在所有条件下均在26°附近发生反应，检出2级相，根据CAS玻璃含量，峰值呈现出发达的趋势。当添加1wt.％Y2O3时，观察到钇铝石榴石(Y3Al5O12)相。对于MgO，观察到未知峰值，但相对的峰值强度非常弱。该结果表明，剩余的2级相可能会影响AlN的烧结特性。
图3显示了烧结的AlN试样断裂面的BSE(backscatteredelectron)图像.图3(a)为仅添加0.5wt.％CAS玻璃，3(b)为仅添加2.0wt.％CAS玻璃。图3(c)为0.5wt.％CAS玻璃中添加1.0wt.％Y2O3的情况，图3(d)为2.0wt.％CAS玻璃中添加1.0wt.％Y2O3的情况。图3(e)为0.5wt.％CAS玻璃中添加1.0wt.％MgO的情况，图3(f)为2.0wt.％CAS玻璃中添加1.0wt.％MgO的情况。当仅使用CAS玻璃时，晶粒大小随着CAS玻璃含量的增加而增加，如图3(a)和图3(b)所示。但后向散射电子差异不显著，2次相区分不明显。另一方面，当添加1wt.％Y2O3和0.5wt.％CAS玻璃时，2次相从AlN中分离出来，观察到Y2O3部分为白色，如图3(c)所示。考虑到此时Al2O3-Y2O3的共熔点为1760℃，当CAS玻璃含量为0.5wt.％时，2次相的润湿角较高，呈现出孤立的形状。如图3(c)所示。图S1中，考虑到CAS玻璃的沸点在1380℃左右，当CAS玻璃含量为2.0wt.％时，2次相的润湿角降低。因此，观察到以连续线性形式位于AlN晶粒系之间的2次相，如图3(d)所示。当添加1wt.％MgO时，2次相没有明显区分，如图3(e)和图3(f)所示。然而，即使CAS游离含量增加到2.0wt.％，与图3(b)不同，我们观察到AlN的晶粒生长受到抑制，如图3(f)所示。添加5wt％的Mg-Ca-Al-Si-O系玻璃(MCAS玻璃)，在1600℃下也可确保AlN烧结性的实验结果得以报道。也就是说，玻璃对AlN液相烧结过程中的晶粒生长有积极影响，但MgO却表现出抵消这种添加效果的趋势。
图4是TEM分析结果，以确定烧结的AlN的2次相。通过EDS分析第2相的成分，在所有条件下AlN颗粒中均未检测到氧气，第2相中检测到Ca和氧气。特别是添加Y2O3时，在2次相中检测到Y、Si和O元素，如图4(b)所示，说明添加剂与氧反应形成2次相。然而，在单独添加CASglass或MgO的情况下，Si和Mg从Ca中分离出来，图4(a)和图4(c)。TEM分析结果表明，Si和Mg在图3(a)和图3(e)的微观结构中分布均匀。
可以推断，这些微观结构的变化不仅会影响AlN的电特性，还会影响其他主要特性。图5是根据添加剂含量对1700℃烧结的AlN样品的代表性烧结特性进行拟合的结果。图5(a)表示导热图，5(b)表示弯曲强度。当仅使用CAS玻璃时，电导率随着CAS玻璃含量的增加而从约70增加到96W/m·K，如图5(a)所示。这可能是由于CAS玻璃含量不同，密度从3.07g/cm3增加到3.19g/cm3，增加了约3.9％。添加1wt.％Y2O3和1wt.％CAS玻璃时，导热率在108W/m·K时最高，当CAS玻璃大于1wt.％时，导热率呈下降趋势。这是由于CAS玻璃含量大于1wt.％时的密度值几乎相似，可以推测为由于微观结构引起的物性变化。众所周知，当2面角大于120°时，2次相被孤立，当2面角在60～120°之间时，沿谷物的边缘渗透。认为二次相具有孤立形态的AlN的热传导度高于连续形态。如图3(d)的微观结构所示，晶粒体系中2次相的比例增加，与AlN晶粒接触的面变小，导致导热性降低。对于MgO，83～85W/m·K的热导率随CAS玻璃含量的增加无差异。判断这些结果是由于仅添加Y2O3或CAS玻璃时AlN颗粒相对较大，如图3(b)和图3(d)所示，与添加MgO的情况相比，仅添加Y2O3或CAS玻璃时AlN颗粒相对较大。
图5(b)显示了烧结AlN的弯曲强度，具有添加剂含量。结果表明，在所有条件下，强度均随CAS玻璃含量的增加而增加。对于Y2O3，弯曲强度随着CAS玻璃含量的增加，从229MPa增加到300MPa。这与单独使用CAS玻璃的情况相似。AlN通过调节2次相的2面角来显着提高连续性形态时的机械强度。因此，本研究也认为，随着玻璃含量的增加，2面角降低，AlN颗粒间2次相易湿，强度提高。添加MgO后，其强度从236MPa增加到352MPa，优于单独使用Y2O3或CAS玻璃。这是由于CASglass含量较高时，假设2次相的润湿角足够小，粒系润湿良好，如Fig.3(f)所示，AlN粒度小于其他情况，故判断为2.0重量。然而，当仅添加CAS玻璃时，GrAlN大小相似，但强度较低，如图3(a)所示。从图1的结果可以判断，这是因为密度低了约5％。
图6为含有添加剂的，在1700℃下烧结的AlN的高温体积电阻率。结果表明，单独使用CAS玻璃时，500℃时的体积电阻率为107Ω·cm，与Francis和Worrell报道的相似。对于Y2O3，CAS玻璃含量低于2重量％时，其值低于高温下体积电阻测定的限值。然而，当添加2wt.％CAS玻璃时，Y2O3在500℃时显示出109Ω·cm。该结果表明，2次相的分布对体积电阻率有很大的影响，如图3(d)的微观组织所观察到的。对于MgO，体积阻力值一般较高，添加2wt.％CAS玻璃时，550℃下体积阻力大于109Ω·cm的体积阻力最高。以下Arrhenius方程代表电导率的重要温度依赖性。
活化能:电导率采用直流(DC)电阻计测得的体积电阻率的倒数，按线性范围将温度区间除以200～300℃、300～400℃、400～550℃计算。计算出的各温度区间活化能如图9所示。在所有条件下，不同温度的活化能呈现不同的值。也就是说，没有显示出完美的线性。其中最大的特点是添加MgO时，在300～400℃的中温范围内，活化能先降低，后在高温下显著增加。这意味着随着AlN的传导机制在高温下发生变化，添加MgO后体积电阻率下降缓慢。
Zulfequar和Kumar报告说，在280-560℃范围内，DC电场中AlN的活化能为1.17eV。场外.在AlNal中添加0.2at.％的Ca或Y、Mg、Ce、Si、Cr时，第一，在AC多频电场中，AlN的活化能为1.15eV，范围为400～700℃。实验结果表明，随着温度的升高，活化能在400～950℃范围内增加到1.76eV，700～1200℃范围内增加到2.50eV，Francis和Worrell报告AlN在600-1000℃范围内的活化能为1.82eV，Yahagi和Goto报告了使用2wt.％Y2O3时在900-1500℃范围内的活化能为1.75eV。均采用交流电场，前人研究综述表明，低温下活化能较低，高温下活化能较高。这一趋势与本研究结果一致，但由于温度范围在中等范围内，因此被认为具有不同的活化能值。AlN的活化能代表不同的值，因为温度范围、组成、氧缺陷、碳杂质、2次相、微观结构、粒径、孔隙率等多种参数都会产生复杂的影响。然而，在低温下，缺陷的集中实际上与温度无关，并且平衡时间比测量电导率所需的时间要长得多。在这种情况下，导致离子转运的活化能明显较低，即对于本研究结果而言，观察到的活化能是指缺陷的离子传递能。
为了确定体积电阻率随微观结构变化的变化，通过TEM和EDS分析AlN的三重点，结果如Fig.7和Fig.8所示，Fig.7(a)是观察到的照片。AlN的三重点，添加了1wt.％Y2O3和2wt.％CAS玻璃。图7(b)为高分辨率观察到的粒径图。在这里，清楚地观察到AlN颗粒之间的非晶质形状。图7(c)为用EDS对它们进行线扫描的结果，检出2次相成分。这一结果意味着添加证据表明，与之前的研究一样，在粒系中形成的非晶态表现出肖特基屏障效应并增强了AlN的体积电阻率。
图8是用1wt.％MgO和2wt.％CAS玻璃对AlN的三重点进行TEM和EDS观察的结果。图8(a)是AlN三重点的TEM图。图8(b)为高分辨率观察到的粒径图。与图7(b)不同，观察到没有液相，以晶粒系存在。即添加MgO后，在粒系附近不同原子排列的区域变宽，形成双肖特基屏障。这种微观结构的变化被认为对改善体积阻力是有效的。图8(c)是它们用EDS进行LineScan的结果，仍然没有检测到Mg和Si。此时对晶粒体系的观察表明，Mg检测不均匀。该结果如图S3所示。这意味着MgO或SiO2不溶于液相，直接溶于AlN的可能性较大。
改善了AlN烧结时使用的烧结助剂的组成成分，从而改善了绝缘特性，将glass作为AlN的烧结添加剂应用，在开发新组成成分的同时，改善半导体用AlN的电气特性本质问题。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二(一号、二号)等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。
Claims (8)
1.一种半导体用AlN组成成分，包括CAS玻璃、Y2O3、MgO与CaCO3，其特征在于：所述CAS玻璃添加量以0.5～2wt％为宜，所述Y2O3、MgO与CaCO3烧结添加剂含量以0.5～2wt％为宜，所述CAS玻璃包括CaO、SiO2与Al2O3，所述CaO的组成成分为20～60mol％，所述Al2O3的组成成分为10～40mol％，所述SiO2的组成成分为0.1～10mol％。
2.根据权利要求1所述的一种半导体用AlN组成成分，其特征在于：所述CAS玻璃为全部或添加1wt％MgO时，AlN的体积密度随着CAS玻璃含量的增加而增加。
3.根据权利要求1所述的一种半导体用AlN组成成分，其特征在于：所述Y2O3和CAS玻璃添加量为1wt％时，体积密度最高，为3.23g/cm3。
4.根据权利要求1所述的一种半导体用AlN组成成分，其特征在于：所述CAS玻璃添加量增加到2wt％时，体积密度几乎接近于3.21g/cm3。
5.根据权利要求1所述的一种半导体用AlN组成成分，其特征在于：所述MgO添加量为1wt％时，其散装密度降低0.8％～1.7％，所述CAS玻璃添加量为2wt％时，其体积密度为3.21g/cm3。
6.一种半导体用AlN组成的制造方法，其特征在于：包括以下操作步骤：
S1：CAS玻璃添加量以0.5～2wt％为宜，Y2O3、MgO等AlN烧结添加剂含量以0.5～2wt％为宜，CAS玻璃即glass，且glass和Y2O3、MgO、CaCO3等添加或配比后直接添加，可能有助于提高AlN的体积电阻特性；
S2：使用的CAS玻璃组成成分是20～60mol％CaO、10～40mol％Al2O3和0.1～10mol％SiO2；
S3：取原料中562g，24h混匀后放入1L大小的铂坩埚中，之后在1480℃中熔融淬火得到玻璃卷曲；
S4：为了从获得的玻璃卷曲中制备玻璃粉，在第一次粉碎中，在纳米激发下粗粉碎成数十微米大小，在第二次粉碎中，使用氧化锆球进行干式球磨粉碎，在48小时的三次粉碎中，以氧化锆球和乙醇为溶剂，湿式球磨24小时；
S5：玻璃粉在100℃下干燥24h，最终得到平均粒径为2～4μm的玻璃粉，之后根据用途，可以通过atrition milling、biz milling等制造纳米尺寸的玻璃粉末。
7.根据权利要求6所述的一种半导体用AlN组成的制造方法，其特征在于：所述S2步骤中CaO和Al2O3在所有条件下均在26°附近发生反应，检出2级相，根据CAS玻璃含量，峰值呈现出发达的趋势。
8.根据权利要求6所述的一种半导体用AlN组成的制造方法，其特征在于：所述S4步骤中玻璃粉制备采用三次粉碎的方式，得到平均粒径为2～4μm的玻璃粉。
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