CN116762474A - 显示装置 - Google Patents

显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN116762474A
CN116762474A CN202180092422.4A CN202180092422A CN116762474A CN 116762474 A CN116762474 A CN 116762474A CN 202180092422 A CN202180092422 A CN 202180092422A CN 116762474 A CN116762474 A CN 116762474A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
display device
sub
light shielding
polarizing plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202180092422.4A
Other languages
English (en)
Inventor
榊原裕介
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Publication of CN116762474A publication Critical patent/CN116762474A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/02—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/02—Details
    • H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
    • H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8793—Arrangements for polarized light emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023—Direction of light emission
    • H10K2102/3026—Top emission

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

显示装置(30)包括：发光元件(20)，其设置在基板(1)上，且包含：反射可见光的第一电极(2)、透射可见光的第二电极(7)以及在第一电极(2)与第二电极(7)之间具备的发光层(5)；子像素(RSP)，其为发光元件(20)在俯视下的发光区域；偏光板(9)，其在作为从发光元件(20)出射光的方向的光出射方向(LD)的发光元件(20)之上，在俯视时，设置成与子像素(RSP)的一部分重叠；以及遮光层(10)，其在子像素(RSP)的周围的至少一部分，在光出射方向(LD)上，比偏光板(9)设置得更高。

Description

显示装置
技术领域
本公开涉及包括发光元件的显示装置。
背景技术
近年来，例如作为发光元件，具备QLED(Quantum dot Light Emitting Diode：量子点发光二极管)或OLED(Organic Light Emitting Diode：有机发光二极管)的显示装置备受关注。
但是，在这些显示装置中，为了从发光元件取出光，通常使用发光元件具备有反射电极的构成，存在由该反射电极引起的外部光反射而难以视觉辨认图像这样的问题、在发光元件的非发光时难以表现完全的黑这样的问题。
专利文献1中记载了在具备OLED的显示装置中，通过遮光部件和偏光板，来降低由反射电极产生的外部光反射。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本国专利特开2010-085645号公报
发明内容
本发明所要解决的技术问题
然而，在专利文献1所记载的显示装置中，由于设置于观察者侧的偏光板设置于显示区域的整个面，所以从发光元件出射的光全部通过偏光板。由于来自发光元件的光为随机偏振光，因此，来自发光元件的光的约一半左右会被偏光板吸收，因此，存在能够从发光元件取出的光的强度降低的问题。
本公开的一方面鉴于上述问题点而完成的，其目的在于，提供一种显示装置，其使由反射电极引起的外部光反射不被视觉辨认，同时提高了来自发光元件的光的取出。
解决问题的方案
本公开的显示装置为了解决上述问题，包括：发光元件，其设置在基板上，且包含：反射可见光的第一电极、透射可见光的第二电极、以及在所述第一电极与所述第二电极之间具备的发光层；子像素，其为所述发光元件在俯视下的发光区域；偏光板，其在作为从所述发光元件出射光的方向的光出射方向的所述发光元件之上，在俯视时，设置成与所述子像素的一部分重叠；以及遮光层，其在所述子像素的周围的至少一部分，在所述光出射方向上，比所述偏光板设置得更高。
发明效果
根据本公开的一个方面，可以提供一种提高了来自发光元件的光的取出的显示装置，其使由反射电极(第一电极)引起的外部光反射不被视觉辨认，同时提高了来自发光元件的光的取出。
附图说明
图1是示出实施方式1的显示装置的概略构成的俯视图。
图2是示出实施方式1的显示装置的显示区域的俯视图。
图3的(a)是图2所示的显示装置的A-A’线的剖视图，图3的(b)是示出实施方式1的显示装置的变形例的图。
图4的(a)、图4的(b)、图4的(c)、图4的(d)、图4的(e)以及图4的(f)是用于说明在实施方式1的显示装置以及实施方式1的显示装置的变形例中，能够使外部光反射不被视觉辨认并且提高了来自发光元件的光的取出的原因的图。
图5是用于说明在实施方式1的显示装置中遮光层的高度与设置偏光板的区域的关系的图。
图6是用于说明在实施方式1的显示装置中遮光层的高度与子像素的尺寸的关系的图。
图7的(a)、图7的(b)、图7的(c)和图7的(d)是用于说明从实施方式1的显示装置所具备的发光元件取出的光的发光强度的角度依赖性的图。
图8是示出从实施方式1的显示装置所具备的发光元件取出的光的每个放射角的发光强度的图。
图9的(a)、图9的(b)和图9的(c)是示出实施方式1的显示装置所具备的偏光板的制造工序的一个例子的图。
图10是示出在实施方式1的显示装置上载置有检查用偏光板的状态的图。
图11是示出实施方式2的显示装置的显示区域的俯视图。
图12是图11所示的B-B’线的剖视图。
图13的(a)是用于说明在实施方式2的显示装置中遮光层的高度与设置偏光板的区域的关系的图，图13的(b)是用于说明在实施方式2的显示装置中遮光层的高度与子像素的尺寸的关系的图。
图14是示出实施方式3的显示装置的显示区域的俯视图。
图15是示出实施方式4的显示装置的显示区域的俯视图。
图16的(a)是实施方式5的显示装置的显示区域的剖视图，图16的(b)是实施方式5的显示装置的变形例的显示区域的剖视图。
图17是示出实施方式6的显示装置的显示区域的俯视图。
图18的(a)是实施方式7的显示装置的显示区域的剖视图，图18的(b)是实施方式7的显示装置的变形例的显示区域的剖视图。
具体实施方式
基于图1至图18说明本发明的实施方式，如下所述。以下，为了便于说明，有时对与在特定的实施方式中说明的构成具有同一功能的构成，标注相同的附图标记，并省略其说明。
〔实施方式1〕
图1是示出实施方式1的显示装置30的概略构成的俯视图。
如图1所示，显示装置30包括边框区域NDA和显示区域DA。在显示装置30的显示区域DA中具备多个像素PIX，各像素PIX分别包含红色子像素RSP、绿色子像素GSP和蓝色子像素BSP。在本实施方式中，以各像素PIX由红色子像素RSP、绿色子像素GSP、蓝色子像素BSP构成的情况为一个例子进行说明，但并不限于此。例如，各像素PIX除了红色子像素RSP、绿色子像素GSP和蓝色子像素BSP以外，也可以包括其他颜色的子像素。
图2是示出实施方式1的显示装置30的显示区域DA的俯视图。
如图2所示，显示装置30的显示区域DA中具备多个像素PIX，各像素PIX分别包括红色子像素RSP、绿色子像素GSP以及蓝色子像素BSP。红色子像素RSP是后述的发光元件(发出红色光的发光元件)在俯视下的发光区域，绿色子像素GSP是后述的发光元件(发出绿色光的发光元件)在俯视下的发光区域，蓝色子像素BSP是后述的发光元件(发出蓝色光的发光元件)在俯视下的发光区域。
图2所示的显示装置30的显示区域DA是作为从后述的发光元件出射光的方向的光出射方向的显示装置30的面(显示面)。
图3的(a)是图2所示的显示装置30的A-A’线的剖视图。
如图3的(a)所示，发光元件20设置在包含晶体管的基板1上，且包括反射可见光的第一电极2、透射可见光的第二电极7、以及设置在第一电极2与第二电极7之间的发光层5。此外，基板1所包含的未图示的晶体管的漏极电极与反射可见光的第一电极2电连接。
本实施方式中，以反射可见光的第一电极2为阳极，透射可见光的第二电极7为阴极，发光层5为包含量子点(QD)的发光层，且在第一电极2与发光层5之间具备空穴传输层4并在发光层5与第二电极7之间具备电子传输层6的发光元件20为一个例子进行说明，但并不限于此。例如，可以在第一电极2与空穴传输层4之间还具备未图示的空穴注入层，也可以在电子传输层6与第二电极7之间还具备未图示的电子注入层。另外，在第一电极2与发光层5之间，可以适当省略空穴传输层4以及未图示的空穴注入层中的至少一方，在发光层5与第二电极7之间，也可以适当省略电子传输层6以及未图示的电子注入层中的至少一方。
在本实施方式中，以显示装置30具备顶部发射型的发光元件20的情况为一个例子进行说明，但并不限于此，显示装置也可以具备底部发射型的发光元件，对于这种情况，将在实施方式7中后述。
如图3的(a)所示，在发光元件20具有依次层叠结构的层叠膜的情况下，即，在从基板1侧起依次层叠阳极、空穴传输层4、发光层5、电子传输层6、阴极的情况下，由于阴极配置为比阳极靠上层，因此为了形成顶部发射型，只要将反射可见光的第一电极2设为阳极，且将透射可见光的第二电极7设为阴极即可。另一方面，虽未图示，但在发光元件20具有反转结构的层叠膜的情况下，即，在从基板1侧起依次层叠阴极、电子传输层6、发光层5、空穴传输层4和阳极的情况下，由于阳极配置为比阴极靠上层，因此为了形成顶部发射型，只要将反射可见光的第一电极2设为阴极，且将透射可见光的第二电极7设为阳极即可。如上所述，由于发光元件20是顶部发射型，因此，从发光元件20出射光的方向即光出射方向LD如图3的(a)所示那样是上方向。
在本实施方式中，以显示装置30具备堤3的情况为一个例子进行说明，但并不限于此，显示装置30也可以不具备堤3。如图3的(a)所示，堤3形成为覆盖第一电极2的端部，在第一电极2上且被堤3包围的区域设置有空穴传输层4以及发光层5。
发光元件20在俯视下的发光区域由在俯视时第一电极2、发光层5和第二电极7重叠的区域确定。在发光元件20的情况下，由于发光层5的大小比第一电极2的大小或第二电极7的大小小，因此，根据发光层5的大小确定发光元件20在俯视下的发光区域。
基板1包括支承基板、用于驱动发光元件20的未图示的晶体管、与所述晶体管的各电极电连接的布线以及各种绝缘膜。所述支承基板可以是例如由聚酰亚胺等形成的树脂基板，也可以是玻璃基板。
反射可见光的第一电极2能够由反射可见光的电极材料形成。作为反射可见光的电极材料，只要能够反射可见光且具有导电性即可，并无特别限定，例如可列举出：Al、Mg、Li、Ag等金属材料或所述金属材料的合金或所述金属材料与透明金属氧化物(例如，氧化铟锡(indium tin oxide)，氧化铟锌(indium zinc oxide)，氧化铟镓锌(indium galliumzinc oxide)等)的层叠体或所述合金与所述透明金属氧化物的层叠体等。
另一方面，透射可见光的第二电极7能够由透射可见光的电极材料形成。作为透射可见光的电极材料，只要能够透射可见光且具有导电性即可，并无特别限定，例如可列举透明金属氧化物(例如，氧化铟锡(indium tin oxide)，氧化铟锌(indium zinc oxide)，氧化铟镓锌(indium gallium zinc oxide)等)或由Al、Mg、Li、Ag等金属材料构成的薄膜等。
堤3例如可以通过在涂布了感光性聚酰亚胺或者感光性丙烯酸等的有机材料后通过光刻法图案化从而形成。
作为用于空穴传输层4的材料，只要是能够使空穴向发光层5内的传输稳定化的空穴传输性材料，则没有特别限定。其中，空穴传输性材料优选为空穴迁移率高的材料。而且，空穴传输性材料优选为能够防止从阴极移动过来的电子穿透的材料(电子阻挡性材料)。
作为用于未图示的空穴注入层的材料，只要是能够使空穴向发光层5内的注入稳定化的空穴注入性材料，则没有特别限定。
在本实施方式中，以发光层5具备量子点(QD)的情况、即发光层5是QLED用的发光层的情况为一个例子进行说明，但并不限于此，发光层5例如也可以是通过蒸镀法形成的OLED用的发光层。
在本实施方式中，以显示装置30仅具备QLED作为发光元件的情况为一个例子进行说明，但并不限定于此，显示装置30只要具备QLED及OLED中的至少一方作为发光元件即可。
图2所示的红色子像素RSP是具备发出红色光的发光层的发光元件在俯视下的发光区域，图2所示的绿色子像素GSP是具备发出绿色光的发光层的发光元件在俯视下的发光区域，图2所示的蓝色子像素BSP是具备发出蓝色光的发光层的发光元件在俯视下的发光区域。
包含量子点(QD)的发光层5通过按照下述那样，例如可以是发出红色的发光层、发出绿色的发光层及发出蓝色的发光层中的任一个。为了使具备包含量子点(QD)的发光层5的发光元件20以不同颜色发光，能够使用相同材料的不同粒径的核来构成。例如，发出红色的发光层使用粒径最大的核，发出蓝色的发光层使用粒径最小的核，发出绿色的发光层可以使用具有发出红色的发光层中使用的核的粒径与发出蓝色的发光层中使用的核的粒径之间的粒径的核。另外，为了使具备包含量子点(QD)的发光层5的发光元件20以不同颜色发光，也可以使用不同材料的核来构成。
作为用于电子传输层6的材料，只要是能够将从阴极注入的电子传输至发光层5内的电子传输性材料即可，并无特别限定。其中，电子传输性材料优选为电子迁移率高的材料。而且，电子传输性材料优选为能够防止从阳极移动过来的空穴穿透的材料(空穴阻挡性材料)。由此，能够提高发光层5内的空穴和电子的复合效率。
作为用于未图示的电子注入层的材料，只要是能够使电子向发光层5内的注入稳定化的电子注入性材料，则没有特别限定。
在本实施方式中，如图3的(a)所示，以显示装置30在发光元件20与偏光板9之间的整个显示区域DA具备1/4波长板8的情况为一个例子进行说明，但并不限于此，例如，优选1/4波长板8以在俯视时至少与偏光板9重叠的方式设置在发光元件20与偏光板9之间。此外，也可以适当省略1/4波长板8。
通过设置1/4波长板8，能够使外部光通过偏光板9而成为偏振光之后，通过1/4波长板8，被反射可见光的第一电极2反射之后，再次通过1/4波长板8的偏振光不能通过偏光板9。因此，能够进一步使由反射可见光的第一电极2引起的外部光反射不被视觉辨认。
此外，即使只是偏光板9，也能够通过偏光板9抑制随机偏振光即外部光向发光元件20中的用于反射可见光的第一电极2入射的量，因此，能够使由反射可见光的第一电极2引起的外部光反射不被视觉辨认。
1/4波长板8例如可以粘贴来形成，也可以涂布来形成，其形成方法没有特别限定。
如图2及图3的(a)所示，在显示装置30中，在从发光元件20出射光的方向即光出射方向LD的发光元件20上，以在俯视时与红色子像素RSP、绿色子像素GSP及蓝色子像素BSP的各自的一部分重叠的方式设置有偏光板9。而且，遮光层10在红色子像素RSP、绿色子像素GSP及蓝色子像素BSP各自的周围的至少一部分，在光出射方向LD上，比偏光板9设置得更高。
根据上述构成，以在俯视时与红色子像素RSP、绿色子像素GSP及蓝色子像素BSP各自的一部分重叠的方式设置偏光板9，因此，在俯视时，偏光板9不与红色子像素RSP、绿色子像素GSP及蓝色子像素BSP各自的剩余的一部分重叠。因此，能够提高从红色子像素RSP、绿色子像素GSP以及蓝色子像素BSP各自的剩余的一部分光的取出。另外，通过遮光层10能够减少外部光的入射，因而能够减少由第一电极2引起的外部光反射。另外，由于能够通过遮光层10来遮挡被第一电极2反射的外部光，因而能够使由第一电极2反射的外部光被视觉辨认。另外，通过偏光板9，能够减少由第一电极2引起的外部光反射，并且能够使由第一电极2反射的外部光被视觉辨认。
由此，能够实现使第一电极2的外部光反射不被视觉辨认并使来自发光元件20的光的取出提高的显示装置30。
在本实施方式中，如图2以及图3的(a)所示，以将遮光层10形成为包含分别沿着红色子像素RSP、绿色子像素GSP以及蓝色子像素BSP各自的相互对置的两个边、即左边以及右边形成的直线状的第一遮光壁和直线状的第二遮光壁为一个例子进行说明，但并不限于此。此外，红色子像素RSP、绿色子像素GSP以及蓝色子像素BSP各自的相互对置的两个边也可以是上边以及下边。
根据上述构成，由于遮光层10包括形成为直线状的部分，因此除了将偏光板9图案化以外的方法，例如能够设置成粘贴直线状的偏光板等。
在本实施方式中，如图2及图3的(a)所示，偏光板9在遮光层10的上述第一遮光壁与上述第二遮光壁之间的中间位置包括与遮光层10分离地形成为直线状的部分。
在如本实施方式的发光元件20那样涂布将量子点(QD)分散在溶剂中的发光材料来制造的发光元件中，由于上述溶剂的表面张力，发光层5的周边部形成为比发光层5的中央部厚的情况下，红色子像素RSP、绿色子像素GSP以及蓝色子像素BSP各自的周边部的发光亮度容易比红色子像素RSP、绿色子像素GSP以及蓝色子像素BSP各自的中央部的发光亮度高。根据上述构成，由于偏光板9设置为在俯视时与红色子像素RSP、绿色子像素GSP及蓝色子像素BSP各自的中央部重叠，所以在红色子像素RSP、绿色子像素GSP及蓝色子像素BSP各自的中央部的发光亮度比红色子像素RSP、绿色子像素GSP及蓝色子像素BSP各自的周边部的发光亮度低的显示装置的情况下，能够提高来自发光元件20的光的取出。
偏光板9例如可以粘贴而形成，也可以如后述那样，通过涂布、曝光和显影进行图案化而形成，其形成方法没有特别限定。
遮光层10只要由遮光性材料形成，在本实施方式中，以遮光层10包含吸收可见光的材料的情况为一个例子进行说明，但并不限定于此。作为吸收可见光的材料，例如能够列举出炭黑等，但并不限定于此。在本实施方式中，例如使用以能够确保遮光性的程度含有炭黑的负型的感光性树脂进行涂布、曝光和显影，形成具有规定形状和规定高度的遮光层10。
在遮光层10包含吸收可见光的材料的情况下，通过遮光层10，能够进一步减少由第一电极2引起的外部光反射，并且能够进一步使由第一电极2反射的外部光不被视觉辨认。
在本实施方式中，如图3的(a)所示，以在发光元件20上以包围偏光板9的方式设置透明板13，且遮光层10设置于透明板13上的情况为一个例子进行说明，但并不限定于此。
根据上述构成，发光元件20的上部由于偏光板9以外的部分被透明板13覆盖，因此能够提高显示装置30的可靠性。
图3的(b)是示出实施方式1的显示装置30的变形例的图。
如图3的(b)所示，遮光层10也可以设置于发光元件20与偏光板9之间的整个显示区域DA所具备的1/4波长板8上。
在本实施方式中，如图3的(a)以及图3的(b)所示，将遮光层10设置为在俯视时与堤3的至少一部分重叠，但并不限定于此。
根据上述构成，遮光层10在俯视时不与红色子像素RSP、绿色子像素GSP以及蓝色子像素BSP各自重叠，因而能够提高来自发光元件20的光的取出。
本实施方式中，如图3的(a)和图3的(b)所示，设置密封层12，使得密封层12覆盖偏光板9，并且在俯视时，至少与红色子像素RSP、绿色子像素GSP及蓝色子像素BSP各自的整体重叠。密封层12例如能够由氮、空气等形成，以使折射率n成为1。此外，通过后述的实施方式2对具备折射率n大于1的密封层的构成进行说明。
此外，在能够通过遮光层10和密封玻璃11封入构成密封层12的气体的构成的情况下，例如，通过在氮气气氛下进行将密封玻璃11粘贴在遮光层10上的工序，从而能够用氮气形成密封层12。另一方面，在无法通过遮光层10和密封玻璃11封入构成密封层12的气体的构成的情况下，密封层12用空气形成。根据上述构成，可以在作为从发光元件20出射光的方向的光出射方向LD上设置折射率n为1的密封层12。
图4的(a)、图4的(b)、图4的(c)、图4的(d)、图4的(e)以及图4的(f)是用于说明在显示装置30以及显示装置30的变形例中，能够使外部光反射不被视觉辨认并且提高了来自发光元件20的光的取出的原因的图。此外，在图4的(a)～图4的(f)中，θ1例如为40°，θ2例如为70°。
另外，在图4的(a)～图4的(f)中，在以发光元件20在俯视下的发光区域即子像素RSP·GSP·BSP的任意点为原点的情况下，将相对于通过所述原点的平面内的第一轴的平面内的任意角度设为φ，将相对于第二轴R的任意角度设为θ，所述第二轴R通过所述原点并在自子像素RSP·GSP·BSP起的铅垂方向上与所述第一轴正交。
如图4的(a)所示，当用户在相对于第二轴R的角度θ在0°≤θ＜θ1的范围内观察显示装置30的显示区域DA时(正面观察时)，在发光元件20的出射光之中，还存在通过偏光板9的光L2，但由于存在通过未设置偏光板9的部分的光L1，因此能够改善来自发光元件20的光取出。
如图4的(b)所示，当用户在相对于第二轴R的角度θ在θ1≤θ＜θ2的范围内观察显示装置30的显示区域DA时(稍微倾斜观察时)，对于来自发光元件20的出射光L3中的角度θ比较小的光而言，能够改善来自发光元件20的光取出。另一方面，对于来自发光元件20的出射光L3中的角度θ比较大的光而言，存在被遮光层10遮光的光，因此，来自发光元件20的光取出减少。
如图4的(c)所示，当用户在相对于第二轴R的角度θ在θ2≤θ的范围内观察显示装置30的显示区域DA时(倾斜观察时)，来自发光元件20的出射光L4被遮光层10遮光，因此用户无法视觉辨认显示区域DA的图像。
如上所述，在显示装置30的情况下，特别是能够使正面方向上的来自发光元件20的光的取出提高。
如图4的(d)所示，当用户在相对于第二轴R的角度θ在0°≤θ＜θ1的范围内观察显示装置30的显示区域DA时(正面观察时)，由反射可见光的第一电极2引起的外部光的反射由于存在通过没有设置偏光板9的部分的光L5因而被视觉辨认。但是，在像这样用户存在于正面的位置的情况下，难以认为用户成为外部光的光源，因此不需要考虑。
如图4的(e)所示，当用户在相对于第二轴R的角度θ在θ1≤θ＜θ2的范围内观察显示装置30的显示区域DA时(稍微倾斜观察时)，由于外部光L6入射到设置有偏光板9的部分，因此，由反射可见光的第一电极2引起的外部光L6的反射光能够通过偏光板9来减少。外部光L6’入射到没有设置偏光板9的部分，被反射可见光的第一电极2反射，因此，能够通过遮光层10来减少。外部光L6”入射到遮光层10，因此能够通过遮光层10来减少。
如图4的(f)所示，当用户在θ2≤θ的范围内观察显示装置30的显示区域DA时(倾斜观察时)，外部光L7被遮光层10遮光，因此能够减少由反射可见光的第一电极2引起的外部光的反射。
如上所述，在显示装置30的情况下，由于能够减少由反射可见光的第一电极2引起的外部光的反射，因此，能够使由反射可见光的第一电极2引起的外部光反射不被视觉辨认。
优选的是，在本实施方式的显示装置30中，将设置偏光板9的区域以如下方式确定。
优选的是，在以发光元件20在俯视下的发光区域即子像素RSP·GSP·BSP的任意点为原点的情况下，将相对于通过所述原点的平面内的第一轴的平面内的任意角度设为φ，将相对于第二轴R的任意角度设为θ，所述第二轴R通过所述原点并在自子像素RSP·GSP·BSP起的铅垂方向上与所述第一轴正交，当将角度φ在0°以上且360°以下的范围内变化并且角度θ在0°以上且60°以下的范围内变化的光朝向子像素RSP·GSP·BSP照射时，通过遮光层10，在子像素RSP·GSP·BSP中产生阴影区域，偏光板9设置在所述阴影区域以外的区域。
如上所述，如果确定设置偏光板9的区域，则能够仅将偏光板9设置于产生效果的区域，因此能够实现进一步提高向正面方向的光的取出的显示装置30。
图5是用于说明在实施方式1的显示装置30中遮光层10的高度H与设置偏光板9的区域的关系的图。
优选的是，当将遮光层10的高度设为H，且将在形成有遮光层10的面上与遮光层10及偏光板9垂直，并在遮光层10与偏光板9之间引出的直线之中的最长的直线的长度设为W时，以由tanθ1＝W/H以及0°＜θ1＜90°定义的θ1满足θ1≤45°的方式，确定遮光层10的高度H以及最长的直线的长度W。
在以满足θ1≤45°的方式来确定遮光层10的高度H以及最长的直线的长度W的构成的情况下，当用户在相对于第二轴R的角度θ在0°≤θ＜θ1(θ1≤45°)范围内观察显示装置30的显示区域DA时(正面观察时)，由于用户存在于正面的位置，因此，难以认为会有外部光进入，能够实现向正面附近的外部光反射的降低。
图6是用于说明在实施方式1的显示装置30中遮光层10的高度H与子像素RSP·GSP·BSP的尺寸之间的关系的图。
优选的是，当将遮光层10的高度设为H，且将在形成有遮光层10的面上与遮光层10垂直的方向的子像素RSP·GSP·BSP的宽度设为L时，以由tanθ2＝L/H以及0°＜θ2＜90°定义的θ2满足θ2≥60°的方式来确定遮光层10的高度H以及子像素RSP·GSP·BSP的宽度L。
在以满足θ2≥60°的方式确定遮光层10的高度H以及子像素RSP·GSP·BSP的宽度L的构成的情况下，来自发光元件20的出射光在相对于第二轴R的角度θ为至少0°～60°的范围内能够被视觉辨认。
在本实施方式中，例如，以使θ1为40°且θ2为70°的方式，将遮光层10的高度H设为36μm、子像素RSP·GSP·BSP的宽度L设为100μm、最长的直线的长度W设为31μm。
图7的(a)、图7的(b)、图7的(c)以及图7的(d)是用于说明从实施方式1的显示装置30所具备的发光元件20取出的光的发光强度的角度依赖性的图。
如图7的(a)所示，当用户在相对于第二轴R的角度θ在0°≤θ＜θ1的范围内观察显示装置30的显示区域DA时(正面观察时)，即0≤tanθ≤W/H时，发光元件20的发光强度与W+r(L-2W)+(W-Htanθ)成比例。在此，r是偏光板9的某一区域的亮度，将没有偏光板9的区域的亮度设为1时，r为0.4左右。
如图7的(b)所示，当用户在相对于第二轴R的角度θ在θ1≤θ＜θ2的范围内观察显示装置30的显示区域DA时(稍微倾斜观察时)且角度θ比较小时，即W/H＜tanθ≤(L-W)/H时，发光元件20的发光强度与W+r(L-W-Htanθ)成比例。
如图7的(c)所示，当用户在相对于第二轴R的角度θ在θ1≤θ＜θ2的范围内观察显示装置30的显示区域DA时(稍微倾斜观察时)且角度θ比较大时，即(L-W)/H＜tanθ≤L/H时，发光元件20的发光强度与L-Htanθ成比例。
如图7的(d)所示，当用户在相对于第二轴R的角度θ在θ2≤θ≤90°的范围内观察显示装置30的显示区域DA时(倾斜观察时)，即(L-W)/H＜tanθ≤L/H时，发光元件20的发光强度为0。
图8是示出从实施方式1的显示装置30所具备的发光元件20取出的光的每个放射角的发光强度的图。
图8所示的以往例是在显示装置的整体显示区域具备偏光板9而不具备遮光层10的构成，是对于总放射角将朗伯乘以r(＝0.4)倍而得到的结果。
在图8所示的实施例1(实施方式1的显示装置30)的情况下，放射角θ在0°～50°的范围内，与以往例相比，来自发光元件20的光取出增加。另外，在实施例1的情况下，在放射角θ在51°～70°的范围内，与以往例相比，来自发光元件20的光取出减少。而且，在实施例1的情况下，放射角θ在71°～90°的范围内没有来自发光元件20的光取出。
由以上可知，显示装置30特别是提高了来自正面方向上的发光元件20的取出光的显示装置。进而，根据显示装置30，当用户在相对于第二轴R的角度θ为71°～90°的范围内观察显示装置30的显示区域DA时，无法视觉辨认，因此，例如在将显示装置30应用于移动用的显示装置的情况等，能够实现能够保护用户的隐私的显示装置。
图9的(a)、图9的(b)以及图9的(c)是示出实施方式1的显示装置30所具备的偏光板9的制造工序的一个例子的图。
在本实施方式中，以粘贴偏光板9而形成的情况为一个例子进行了说明，但并不限于此，偏光板9也可以如下形成。
如图9的(a)所示，例如在1/4波长板8上涂布含有二色性色素的聚合性液晶化合物后，使溶剂干燥，使聚合性液晶化合物9a取向。然后，如图9的(b)所示，在经由光掩模PM的开口K对聚合性液晶化合物9a向规定位置照射紫外线(UV)时，被照射紫外线的部分聚合，成为偏光板9，未照射紫外线的部分未聚合而直接残留。然后，如图9的(c)所示，通过用溶剂清洗，能够将偏光板9形成在规定位置。
图10是示出将检查用偏光板19载置在实施方式1的显示装置30上的状态的图。
如图10所示，例如在显示装置30的检查时等，在偏光板9上载置偏光方向与偏光板9正交的检查用偏光板19。此外，检查用偏光板19是仅在出货检查时使用的检查用偏光板，因此，优选能够从显示装置30容易地装卸。
通过将检查用偏光板19载置在偏光板9上，能够遮挡子像素RSP·GSP·BSP的中央部的发光，能够检查子像素RSP·GSP·BSP的中央部以外的仅外侧的发光。此外，子像素RSP·GSP·BSP的中央部以外的外侧例如为由于堤3的影响而容易产生涂布不均、膜厚不均的部分。
〔实施方式2〕
接着，基于图11、图12以及图13，对本发明的实施方式2进行说明。本实施方式的显示装置30a在具备由折射率n大于1的树脂或无机膜构成的密封层14这一方面以及未设置密封玻璃11这一方面，与实施方式1中说明的显示装置30不同。除此之外，如实施方式1中说明的那样。为了便于说明，对与在实施方式1的附图所示的构件具有相同功能的构件，标注相同的附图标记，并省略其说明。
图11是示出实施方式2的显示装置30a的显示区域DA的俯视图。
图12是图11所示的B-B’线的剖视图。
如图11和图12所示，在显示装置30a中设置有密封层14，密封层14覆盖偏光板9，并且在俯视时，至少与子像素RSP·GSP·BSP整体重叠。此外，密封层14由折射率n大于1的树脂或无机膜构成。作为折射率n大于1的树脂，例如可以列举出丙烯酸树脂、环氧树脂等，但并不限定于此。另外，作为折射率n比1大的无机膜，例如能够列举出氧化硅膜、氮化硅膜等，但不限定于此。
在显示装置30a的情况下，由于具备由树脂或无机膜构成的密封层14，因此能够提高显示装置30a的可靠性。
图13的(a)是用于说明在实施方式2的显示装置30a中遮光层10a的高度H与设置偏光板9的区域的关系的图，图13的(b)是用于说明在实施方式2的显示装置30a中遮光层10a的高度H与子像素RSP·GSP·BSP的尺寸的关系的图。
优选的是，如图13的(a)所示，当将密封层14的折射率设为n，且将遮光层10a的高度设为H，且将在形成有遮光层10a的面内与遮光层10a以及偏光板9垂直并在遮光层10a与偏光板9之间引出的直线之中的最长的直线的长度设为W时，相对于用tanθ’
1＝W/H以及0°＜θ’1＜90°来定义的θ’1，当用sinθ1＝n×sin
θ’1以及0°＜θ1＜90°来定义θ1时，优选以满足θ1≤45°的方式来确定密封层14的折射率n、遮光层10a的高度H以及最长的直线的长度W。
在以满足θ1≤45°的方式确定密封层14的折射率n、遮光层10a的高度H以及最长的直线的长度W的构成的情况下，当用户在相对于第二轴R的角度θ在0°≤θ＜θ1(θ1≤45°)的范围内观察显示装置30a的显示区域DA时(正面观察时)，由于用户存在于正面的位置，因此，难以考虑会有外部光进入，能够实现向正面附近的外部光反射的降低。
优选的是，如图13的(b)所示，优选地，当将密封层14的折射率设为n，将遮光层10a的高度设为H，将在形成有遮光层10a的面内与遮光层10a垂直的方向的子像素RSP·GSP·BSP的宽度设为L时，在由tanθ’2＝L/H以及0°＜θ’2＜90°定义的θ’2，由sinθ2＝n×sinθ’2以及0°＜θ2＜90°定义θ2时，确定密封层14的折射率n、遮光层10a的高度以及子像素RSP·GSP·BSP的宽度L，以便满足θ2≥60°。
在以满足θ2≥60°的方式确定密封层14的折射率n、遮光层10a的高度H以及子像素RSP·GSP·BSP的宽度L的构成的情况下，来自发光元件20的出射光在相对于第二轴R的角度θ为至少0°～60°的范围内能够被视觉辨认。
能够根据密封层14的折射率n，维持图13的(b)所示的θ2为实施方式1的情况下的θ2的同时，增大遮光层10a的高度H。相应地，能够增大图13的(a)所示的W，因此能够提高正面方向上的来自发光元件20的光的取出。
在本实施方式中，例如，以使θ1为20°且θ2为70°的方式，使用了遮光层10a的高度H为124μm、子像素RSP·GSP·BSP的宽度L为100μm、最长的直线的长度W为29μm、并且密封层14的折射率n为1.5的材料。
此外，θ’1以及θ’2小于密封层14的折射率n为1.5时的临界角θc＝42°，θ’1为13°，θ’2为39°。
〔实施方式3〕
接着，基于图14，对本发明的实施方式3进行说明。在本实施方式的显示装置30b中，在遮光层10b包含仅包围子像素RSP·GSP·BSP的角部的多个岛状的遮光壁这一方面、以及偏光板9a从子像素RSP·GSP·BSP的中心设置到没有被遮光层10b覆盖的子像素RSP·GSP·BSP的多个端部这一方面，与实施方式1～2中说明的显示装置30·30a不同。除此之外，如在实施方式1～2中所说明的那样。为了便于说明，对与在实施方式1及2的附图所示的构件具有相同功能的构件，标注相同的附图标记，并省略其说明。
图14是示出实施方式3的显示装置30b的显示区域DA的俯视图。
如图14所示，显示装置30b所具备的遮光层10b包括仅包围子像素RSP·GSP·BSP的角部的多个岛状的遮光壁。
根据上述构成，在上述多个岛状的遮光壁之间形成有空间，利用这样的空间，除了将偏光板9a图案化以外的方法，例如能够设置成粘贴直线状的偏光板9a等。
如图14所示，显示装置30b所具备的偏光板9a从子像素RSP·GSP·BSP的中心设置到没有被遮光层10b覆盖的子像素RSP·GSP·BSP的多个端部，即设置到没有被所述多个岛状的遮光壁的每一个遮光壁覆盖的子像素RSP·GSP·BSP的多个端部。
另外，如图14所示，子像素RSP·GSP·BSP形成为矩形状，所述多个岛状的遮光壁设置在矩形状的子像素RSP·GSP·BSP的四角的各角部。
根据上述构成，能够实现在左右方向以及上下方向的任一方向上都不能视觉辨认由第一电极2引起的外部光反射并且提高了向正面方向的光的取出的显示装置30b。另外，在子像素RSP·GSP·BSP的中央部的发光亮度比子像素RSP·GSP·BSP的周边部的发光亮度低的显示装置的情况下，能够提高来自发光元件20的光的取出。
〔实施方式4〕
接着，基于图15，对本发明的实施方式4进行说明。在本实施方式的显示装置30c中，在遮光层10c以包围子像素RSP·GSP·BSP的方式形成这一方面，与实施方式1～3中说明的显示装置30·30a·30b不同。除此之外，如在实施方式1～3中所说明的那样。为了便于说明，对与在实施方式1～3的附图所示的构件具有相同功能的构件，标注相同的附图标记，并省略其说明。
图15是示出实施方式4的显示装置30c的显示区域DA的俯视图。
如图15所示，显示装置30c所具备的遮光层10c以包围子像素RSP·GSP·BSP的方式形成。
根据上述构成，在左右方向以及上下方向的任一方向上均能够使由第一电极2引起的外部光反射不被视觉辨认。
如图15所示，显示装置30c所具备的偏光板9b与遮光层10c分离地形成，在俯视时与子像素RSP·GSP·BSP的中心部重叠。
根据上述构成，能够实现在左右方向以及上下方向的任一方向上都不能视觉辨认由第一电极2引起的外部光反射并且提高了向正面方向的光的取出的显示装置30c。另外，在子像素RSP·GSP·BSP的中央部的发光亮度比子像素RSP·GSP·BSP的周边部的发光亮度低的显示装置的情况下，能够提高来自发光元件20的光的取出。
〔实施方式5〕
接着，基于图16，对本发明的实施方式5进行说明。在本实施方式的显示装置中，在遮光层10d是在堤3的上部的表面形成有吸收可见光的材料15的部分这一方面，与实施方式1～4中说明的显示装置30·30a·30b·30c不同。除此之外，如在实施方式1～4中所说明的那样。为了便于说明，对与在实施方式1～4的附图所示的构件具有相同功能的构件，标注相同的附图标记，并省略其说明。
图16的(a)是实施方式5的显示装置的显示区域的剖视图，图16的(b)是实施方式5的显示装置的变形例的显示区域的剖视图。
如图16的(a)所示，在实施方式5的显示装置中，以覆盖反射可见光的第一电极2的端部的方式具备堤3，遮光层10d是在堤3的上部的表面形成有吸收可见光的材料15的部分。即，堤3形成为高达与密封玻璃11接触的程度，在堤3的上部且在其表面形成有吸收可见光的材料15的部分是遮光层10d。此外，吸收可见光的材料15例如也可以是包含炭黑的负型感光性树脂。
根据上述构成，也可以不考虑堤3与遮光层10d的对位。
此外，图16的(b)所示的实施方式5的显示装置的变形例在没有具备透明板13这一方面，与图16的(a)所示的实施方式5的显示装置不同。
〔实施方式6〕
接着，基于图17，对本发明的实施方式6进行说明。本实施方式的显示装置30d中，在遮光层10e仅设置在特定颜色的子像素的周围这一方面，与实施方式1～5中说明的显示装置不同。除此之外，如在实施方式1～5中所说明的那样。为了便于说明，对与在实施方式1～5的附图所示的构件具有相同功能的构件，标注相同的附图标记，并省略其说明。
图17是示出实施方式6的显示装置30d的显示区域DA的俯视图。
如图17所示，显示装置30d所具备的遮光层10e仅设置在特定颜色的子像素、即红色的子像素RSP以及蓝色的子像素BSP的周围。在本实施方式中，以说明遮光层10e仅设置在红色的子像素RSP以及蓝色的子像素BSP的周围的情况为一个例子，但并不限定于此。
此外，在显示装置30d中，也可以将偏光板9以覆盖像素PIX的右端及左端以外的部分整体的方式形成。这是因为，像素PIX的右端和左端成为遮光层10e的阴影区域，因此也可以不设置偏光板9。
〔实施方式7〕
接着，基于图18，对本发明的实施方式7进行说明。本实施方式的显示装置在具备底部发射型的发光元件20a这一方面上与实施方式1～6中说明的显示装置不同。除此之外，如在实施方式1～6中所说明的那样。为了便于说明，对与在实施方式1～6的附图所示的构件具有相同功能的构件，标注相同的附图标记，并省略其说明。
图18的(a)是实施方式7的显示装置的显示区域的剖视图，图18的(b)是实施方式7的显示装置的变形例的显示区域的剖视图。
如图18的(a)和图18的(b)所示，发光元件20a是底部发射型的发光元件。
如图18的(a)和图18的(b)所示，在发光元件20a具有依次层叠结构的层叠膜的情况下，即，在从基板1侧起依次层叠阳极、空穴传输层4、发光层5、电子传输层6、阴极的情况下，由于阴极配置为比阳极靠上层，因此为了形成底部发射型，只要将反射可见光的第一电极7r设为阴极，且将透射可见光的第二电极2t设为阳极即可。另一方面，虽未图示，但在发光元件20a具有反转结构的层叠膜的情况下，即，在从基板1侧起依次层叠阴极、电子传输层6、发光层5、空穴传输层4和阳极的情况下，由于阳极配置为比阴极靠上层，因此为了形成底部发射型，只要将反射可见光的第一电极7r设为阳极，且将透射可见光的第二电极2t设为阴极即可。如上所述，发光元件20a为底部发射型，因此，从发光元件20a出射光的方向即光出射方向LD如图18的(a)和图18的(b)所示那样是下方向。
此外，图18的(b)所示的实施方式7的显示装置的变形例在没有具备透明板13这一方面，与图18的(a)所示的实施方式7的显示装置不同。
〔总结〕
〔方面1〕
一种显示装置，其特征在于，包括：
发光元件，其设置在基板上，且包含：反射可见光的第一电极、透射可见光的第二电极、以及在所述第一电极与所述第二电极之间具备的发光层；
子像素，其为所述发光元件在俯视下的发光区域；
偏光板，其在作为从所述发光元件出射光的方向的光出射方向的所述发光元件之上，在俯视时，设置成与所述子像素的一部分重叠；以及
遮光层，其在所述子像素的周围的至少一部分，在所述光出射方向上，比所述偏光板设置得更高。
〔方面2〕
在方式1所述的显示装置中，所述遮光层包含：直线状的第一遮光壁，其沿着所述子像素的相互对置的两个边的各边形成；以及直线状的第二遮光壁。
〔方面3〕
在方面2所述的显示装置中，所述偏光板在所述第一遮光壁与所述第二遮光壁之间的中间位置包含与所述遮光层分离地形成为直线状的部分。
〔方面4〕
在方面1所述的显示装置中，所述遮光层包含多个岛状的遮光壁，所述多个岛状的遮光壁仅包围所述子像素的角部。
〔方面5〕
在方面4所述的显示装置中，所述偏光板从所述子像素的中心设置到没有被所述多个岛状的遮光壁的每一个遮光壁覆盖的所述子像素的多个端部。
〔方面6〕
在方面1所述的显示装置中，所述遮光层以包围所述子像素的方式形成。
〔方面7〕
在方面6所述的显示装置中，
所述偏光板与所述遮光层分离地形成，
所述偏光板在俯视时，与所述子像素的中心部重叠。
〔方面8〕
在方面1至7中的任一个所述的显示装置中，
在所述发光元件之上设置有透明板，所述透明板以包围所述偏光板的方式设置，
所述遮光层设置在所述透明板上。
〔方面9〕
在方面4或5所述的显示装置中，
所述子像素形成为矩形状，
所述多个岛状的遮光壁设置在矩形状的所述子像素的四个角的各角部。
〔方面10〕
在方面1至9中的任一个所述的显示装置中，
包括堤，所述堤覆盖所述第一电极或所述第二电极的端部，所述遮光层在俯视时，与所述堤的至少一部分重叠。
〔方面11〕
在方面1至10中的任一个所述的显示装置中，所述遮光层包含吸收可见光的材料。
〔方面12〕
在方面1至10中的任一个所述的显示装置中，
包括堤，所述堤覆盖所述第一电极或所述第二电极的端部，所述遮光层是在所述堤的上部的表面形成有吸收可见光的材料的部分。
〔方面13〕
在方面1至12中的任一个所述的显示装置中，
在以所述子像素的任意点为原点的情况下，将相对于通过所述原点的平面内的第一轴的该平面内的任意角度设为φ，将相对于第二轴的任意角度设为θ，所述第二轴通过所述原点并在自所述子像素起的铅垂方向上与所述第一轴正交，
当将角度φ在0°以上且360°以下的范围内变化并且角度θ在0°以上且60°以下的范围内变化的光朝向所述子像素照射时，通过所述遮光层，在所述子像素中产生阴影区域，
所述偏光板设置在所述阴影区域以外的区域。
〔方面14〕
在方面1至13中的任一个所述的显示装置中，设置有密封层，使得所述密封层覆盖所述偏光板，并且在俯视时，至少与所述子像素整体重叠。
〔方面15〕
在方面14所述的显示装置中，
当将所述密封层的折射率设为n，且
将所述遮光层的高度设为H，且
将在形成有所述遮光层的面内与所述遮光层以及所述偏光板垂直并在所述遮光层与所述偏光板之间引出的直线之中的最长的直线的长度设为W时，
相对于用tanθ’1＝W/H以及0°＜θ’1＜90°来定义的θ’1，当用sinθ1＝n×sinθ’1以及0°＜θ1＜90°来定义θ1时，
以满足θ1≤45°的方式来确定所述折射率n、所述高度H以及所述最长的直线的长度W。
〔方面16〕
在方面14或15所述的显示装置中，
当将所述密封层的折射率设为n，且
将所述遮光层的高度设为H，且
将在形成有所述遮光层的面内与所述遮光层垂直的方向的所述子像素的宽度设为L时，
相对于用tanθ’2＝L/H以及0°＜θ’2＜90°来定义的θ’2，当用sinθ2＝n×sinθ’2以及0°＜θ2＜90°来定义θ2时，以满足θ2≥60°的方式来确定所述折射率n、所述高度H以及所述子像素的宽度L。
〔方面17〕
方面1至16中的任一个所述的显示装置包括：1/4波长板，其在所述发光元件与所述偏光板之间，在俯视时，以至少与所述偏光板重叠的方式设置。
〔附加事项〕
本发明不限于上述各实施方式，能在权利要求所示的范围中进行各种变更，将在不同的实施方式中分别公开的技术手段适当组合而得到的实施方式也包含于本发明的技术范围。而且，能够通过组合各实施方式分别公开的技术方法来形成新的技术特征。
工业上的实用性
本发明能够利用在显示装置中。
附图标记说明
1 基板
2 反射可见光的第一电极
2t 透射可见光的第二电极
7 透射可见光的第二电极
7r 反射可见光的第一电极
8 1/4波长板
9、9a、9b 偏光板
10、10a、10b、10c、10d、10e 遮光层
11 密封玻璃
12 密封层
13 透明板
14 密封层
15 吸收可见光的材料
19 检查用偏光板
20、20a 发光元件
30、30a、30b、30c、30d 显示装置
DA 显示区域
NDA 边框区域
PIX 像素
RSP、GSP、BSP 子像素
LD 光出射方向

Claims (17)

1.一种显示装置，其特征在于，包括：
发光元件，其设置在基板上，且包含：反射可见光的第一电极、透射可见光的第二电极、以及在所述第一电极与所述第二电极之间具备的发光层；
子像素，其为所述发光元件在俯视下的发光区域；
偏光板，其在作为从所述发光元件出射光的方向的光出射方向的所述发光元件之上，在俯视时，设置成与所述子像素的一部分重叠；以及
遮光层，其在所述子像素的周围的至少一部分，在所述光出射方向上，比所述偏光板设置得更高。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述遮光层包含：直线状的第一遮光壁，其沿着所述子像素的相互对置的两个边的各边形成；以及直线状的第二遮光壁。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
所述偏光板在所述第一遮光壁与所述第二遮光壁之间的中间位置包含与所述遮光层分离地形成为直线状的部分。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述遮光层包含多个岛状的遮光壁，所述多个岛状的遮光壁仅包围所述子像素的角部。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，
所述偏光板从所述子像素的中心设置到没有被所述多个岛状的遮光壁的每一个遮光壁覆盖的所述子像素的多个端部。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述遮光层以包围所述子像素的方式形成。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，
所述偏光板与所述遮光层分离地形成，
所述偏光板在俯视时，与所述子像素的中心部重叠。
8.根据权利要求1至7中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
在所述发光元件之上设置有透明板，所述透明板以包围所述偏光板的方式设置，
所述遮光层设置在所述透明板上。
9.根据权利要求4或5所述的显示装置，其特征在于，
所述子像素形成为矩形状，
所述多个岛状的遮光壁设置在矩形状的所述子像素的四个角的各角部。
10.根据权利要求1至9中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
包括堤，所述堤覆盖所述第一电极或所述第二电极的端部，
所述遮光层在俯视时，与所述堤的至少一部分重叠。
11.根据权利要求1至10中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述遮光层包含吸收可见光的材料。
12.根据权利要求1至10中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
包括堤，所述堤覆盖所述第一电极或所述第二电极的端部，
所述遮光层是在所述堤的上部的表面形成有吸收可见光的材料的部分。
13.根据权利要求1至12中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
在以所述子像素的任意点为原点的情况下，将相对于通过所述原点的平面内的第一轴的该平面内的任意角度设为φ，将相对于第二轴的任意角度设为θ，所述第二轴通过所述原点并在自所述子像素起的铅垂方向上与所述第一轴正交，
当将角度φ在0°以上且360°以下的范围内变化并且角度θ在0°以上且60°以下的范围内变化的光朝向所述子像素照射时，通过所述遮光层，在所述子像素中产生阴影区域，
所述偏光板设置在所述阴影区域以外的区域。
14.根据权利要求1至13中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
设置有密封层，使得所述密封层覆盖所述偏光板，并且在俯视时，至少与所述子像素整体重叠。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其特征在于，
当将所述密封层的折射率设为n，且
将所述遮光层的高度设为H，且
将在形成有所述遮光层的面内与所述遮光层以及所述偏光板垂直并在所述遮光层与所述偏光板之间引出的直线之中的最长的直线的长度设为W时，
相对于用tanθ’1＝W/H以及0°＜θ’1＜90°来定义的θ’1，
当用sinθ1＝n×sinθ’1以及0°＜θ1＜90°来定义θ1时，
以满足θ1≤45°的方式来确定所述折射率n、所述高度H以及所述最长的直线的长度W。
16.根据权利要求14或15所述的显示装置，其特征在于，
当将所述密封层的折射率设为n，且
将所述遮光层的高度设为H，且
将在形成有所述遮光层的面内与所述遮光层垂直的方向的所述子像素的宽度设为L时，
相对于用tanθ’2＝L/H以及0°＜θ’2＜90°来定义的θ’2，
当用sinθ2＝n×sinθ’2以及0°＜θ2＜90°来定义θ2时，
以满足θ2≥60°的方式来确定所述折射率n、所述高度H以及所述子像素的宽度L。
17.根据权利要求1至16中的任一项所述的显示装置，其特征在于，包括：
1/4波长板，其在所述发光元件与所述偏光板之间，在俯视时，以至少与所述偏光板重叠的方式设置。
CN202180092422.4A 2021-02-04 2021-02-04 显示装置 Pending CN116762474A (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2021/004082 WO2022168224A1 (ja) 2021-02-04 2021-02-04 表示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116762474A true CN116762474A (zh) 2023-09-15

Family

ID=82740980

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202180092422.4A Pending CN116762474A (zh) 2021-02-04 2021-02-04 显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20240090277A1 (zh)
CN (1) CN116762474A (zh)
WO (1) WO2022168224A1 (zh)

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6510655B2 (ja) * 2015-09-03 2019-05-08 富士フイルム株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
KR102016565B1 (ko) * 2017-11-30 2019-08-30 엘지디스플레이 주식회사 전계발광표시장치
WO2019176918A1 (ja) * 2018-03-16 2019-09-19 富士フイルム株式会社 エレクトロルミネッセンス表示装置
KR102510787B1 (ko) * 2018-05-31 2023-03-15 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR20200080729A (ko) * 2018-12-27 2020-07-07 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
CN110600514A (zh) * 2019-08-29 2019-12-20 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光二极管显示面板及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2022168224A1 (ja) 2022-08-11
US20240090277A1 (en) 2024-03-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102143299B1 (ko) 표시장치 및 전자기기
CN108922916B (zh) 发光装置以及电子设备
US11362150B2 (en) Display device having lens corresponding to pixel, and electronic apparatus
JP6686497B2 (ja) 電気光学装置及び電子機器
US7402939B2 (en) Organic EL display
JP2018081815A (ja) 表示装置
KR20120022609A (ko) 유기 ｅｌ 장치, 유기 ｅｌ 장치의 제조 방법 및, 전자 기기
US11552274B2 (en) Display device having pixel electrode and color filter, and electronic apparatus
JP5982745B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器
TWI676163B (zh) 具有發白光區域的顯示裝置
JP2007220395A (ja) エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器
US11029789B2 (en) Touch structure and method of manufacturing the same, touch substrate and touch display device
WO2012063700A1 (ja) 光拡散板、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、及び電子機器
JP2019185887A (ja) 発光装置、表示装置および撮像装置
US20220328795A1 (en) Display device and electronic apparatus
US20220310726A1 (en) Display panel and display device
JP2018022624A (ja) 表示装置、表示装置の製造方法
JP6337581B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置、及び電子機器
KR101957145B1 (ko) 유기발광소자표시장치 및 그 제조방법
JP6318693B2 (ja) 表示装置及び電子機器
CN116762474A (zh) 显示装置
US11342538B2 (en) Organic EL display device having reflection transmission portion, and electronic apparatus
EP4145528A1 (en) Display panel and display apparatus
JP2014038782A (ja) 電気光学装置、及び電子機器
US20230061856A1 (en) Organic Light Emitting Diodes

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination