CN116741698A - 基板处理装置 - Google Patents

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CN116741698A CN202310114882.3A CN202310114882A CN116741698A CN 116741698 A CN116741698 A CN 116741698A CN 202310114882 A CN202310114882 A CN 202310114882A CN 116741698 A CN116741698 A CN 116741698A
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Abstract

本发明提供一种可使对基板进行支撑的支撑部轻量化，且可使处理中的基板的旋转稳定的基板处理装置。实施方式的基板处理装置(1)具有：支撑部(13)，对基板(W)进行支撑；旋转机构(12)，使支撑于支撑部(13)的基板(W)旋转；以及供给部(15)，向基板(W)供给处理液(L)，支撑部(13)具有：保持构件(130)，通过沿接近或离开基板(W)的方向进退来保持及释放基板(W)；伸缩部(132)，包含光刺激响应性材料，根据伸缩使保持构件(130)进退；以及照射部(134)，对伸缩部(132)照射使伸缩部(132)伸缩的波长的光。

Description

基板处理装置
技术领域
本发明涉及一种基板处理装置。
背景技术
在制造半导体或液晶面板等的制造工序中，会使用如下基板处理装置：向晶片或液晶基板等基板的被处理面供给处理液而对被处理面进行处理，在处理后，对被处理面进行清洗并使其干燥。例如，向旋转的基板供给处理液并逐片进行处理的单片式处理装置与分批式处理装置相比，可以高的水平使对各基板的处理的均匀性一致，因此随着近年来的电路图案的微细化而被广泛利用。
在此种单片式基板处理装置中，作为将基板支撑在旋转的旋转台上的支撑机构，机械吸盘或真空吸盘等各种机构已得到实用化。在通过支撑机构将基板支撑在旋转台上的状态下，向基板的中央供给处理液，由此处理液因离心力而向基板的外周扩散，从而对基板进行处理。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利特开平07-169732号公报
发明内容
[发明所要解决的问题]
然而，对旋转台进行驱动的马达通过其驱动轴来支撑直径比基板大的旋转台。在旋转台及支撑机构的重量大的情况下，对马达施加的负荷变大，容易产生偏心等，旋转变得不稳定。但是，在机械吸盘或真空吸盘的情况下，支撑机构容易重量化，旋转台也不得不大型化，因此旋转容易变得不稳定。
另外，如专利文献1所示，还提出了使用使旋转体磁悬浮并旋转的驱动机构的基板处理装置。在所述情况下，在难以将由电或真空等动力源产生的驱动力传递至支撑机构的情况下，使用磁吸盘作为支撑机构。但是，在所述基板处理装置中，无论是对旋转体进行驱动的驱动机构还是对基板进行支撑的支撑机构均使用磁力，因此若将两者接近配置则会产生磁性干涉。因此，在专利文献1中，延长轴方向上的长度，确保支撑机构与驱动机构的距离，但由于支撑机构的位置远离旋转体，容易发生偏心旋转，处理时的基板的偏心增大。
本发明的实施方式的目的在于提供一种可使对基板进行支撑的支撑部轻量化，且可使处理中的基板的旋转稳定的基板处理装置。
[解决问题的技术手段]
本发明的实施方式的基板处理装置具有：支撑部，对基板进行支撑；旋转机构，使支撑于所述支撑部的所述基板旋转；以及供给部，向所述基板供给处理液，所述支撑部具有：保持构件，通过沿接近或离开所述基板的方向进退来保持及释放所述基板；伸缩部，包含光刺激响应性材料，根据伸缩使所述保持构件进退；以及照射部，对所述伸缩部照射使所述伸缩部伸缩的波长的光。
[发明的效果]
本发明的实施方式可提供一种可使对基板进行支撑的支撑部轻量化，且可使处理中的基板的旋转稳定的基板处理装置。
附图说明
图1是表示实施方式的基板处理装置的简化结构图。
图2是表示图1的基板处理装置的清洗装置及干燥装置的结构图。
图3是表示清洗装置的内部结构图的纵剖面图。
图4是表示旋转体、支撑部及照射部的平面图。
图5的(A)、图5的(B)是图4的A-A箭视剖面图。
图6是图4的B-B箭视剖面图。
图7是表示实施方式的基板处理的程序的流程图。
图8是表示在处理过程中切换对基板进行保持的保持构件的变形例的内部结构图。
图9的(A)～图9的(D)是表示图8的变形例中使用的支撑部的剖面图。
图10的(A)～图10的(C)是表示支撑部的变形例的剖面图。
图11是表示照射部的变形例的剖面图。
图12是表示光源配置的变形例的平面图。
[附图标记说明]
1：基板处理装置
1a：腔室
1b：晶片匣
1c：搬送机器人
1d：缓冲单元
11：清洗室
11a：开口
11b：门
12：旋转机构
13：支撑部
14：杯体
15：供给部
15a、34a、35a：喷嘴
20：处理装置
21：机械手
22：移动机构
31：干燥室
31a：开口
31b：门
31c：导入口
31d：排出口
32：支撑部
32a：旋转台
32b：保持构件
33：驱动机构
34、35：供给部
36：加热部
36a：灯
37：杯体
100：清洗装置
122：转子
122a：贯通孔
123：定子
130：保持构件
130a：活塞部
130b：柱部
130c：倾斜面
130d：吸盘销
130e：罩
131：收容体
131a：引导室
131b：施力室
131c：施力室
131d：窗部
131e：反射镜
132：伸缩部
133：施力部
134：照射部
134a：框架
134b：UV光源
134c：可见光光源
134d：罩
200：搬送装置
300：干燥装置
400：控制装置
L：处理液(清洗液)
S01～S12：步骤
W：基板
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。
[概要]
如图1所示，本实施方式的基板处理装置1包括收容有进行各种处理的装置的多个腔室1a，是针对在前一工序中收容于晶片匣(前开式标准晶片盒(Front Opening UnifiedPod，FOUP))1b中搬送来的多片基板W而在各腔室1a内逐片进行处理的单片处理的装置。未处理的基板W由搬送机器人1c从晶片匣1b中逐片取出，暂时载置于缓冲单元1d后，通过以下说明的各种装置进行向各腔室1a的搬送及处理。
基板处理装置1包含清洗装置100、搬送装置200、干燥装置300、控制装置400。清洗装置100利用处理液(清洗液)L对在前一工序中处理后的基板W进行清洗。搬送装置200在缓冲单元1d与各腔室1a之间、各腔室1a之间搬送基板W。例如，搬送装置200将在清洗装置100中清洗后的基板W搬送至干燥装置300。干燥装置300通过在使利用清洗液清洗后的基板W旋转的同时加热来进行干燥处理。控制装置400对所述各装置进行控制。
此外，通过本实施方式加以处理的基板W例如为半导体晶片。以下，将基板W的形成有图案等的面作为被处理面。作为用于清洗处理的处理液L即清洗液，使用碱清洗液(氨过氧化氢混合物(ammonia peroxide mixture，APM))、超纯水(去离子水(deionized water，DIW))、第一挥发性溶剂(异丙醇(isopropyl alcohol，IPA))。APM是氨水与过氧化氢水混合后的药液，用于去除残留有机物。也可使用氢氧化四甲基铵(tetramethyl ammoniumhydroxide，TMAH)等而代替APM。DIW用于对APM处理后残留于基板W的被处理面上的APM进行冲洗。IPA的表面张力比DIW小，挥发性高，因此用于对DIW进行置换而减少表面张力所引起的图案塌毁。也可使用氢氟醚(hydrofluoroether，HFE)等而代替IPA。
[清洗装置]
如图2及图3所示，清洗装置100具有清洗室11、旋转机构12、支撑部13、杯体14、供给部15。
(清洗室)
清洗室11是在内部进行清洗处理的容器。在清洗室11中设置有搬出或搬入基板W的开口11a，开口11a构成为能够通过门11b进行打开/关闭。在此种清洗室11中收容有后述的旋转机构12、支撑部13、杯体14、供给部15。
(旋转机构)
旋转机构12是经由支撑部13使基板W旋转的机构。本实施方式的旋转机构12是利用磁气使支撑部13旋转的磁悬浮式装置。旋转机构12具有转子122、定子123。转子122具有使支撑部13旋转的作用。转子122例如为环状的形状。转子122的中央的贯通孔122a成为供排出处理液L的开口。转子122是在圆周方向上以等间隔固定的多个永久磁铁。定子123是沿着转子122的外周与转子122空出间隔而配置的电磁铁。定子123例如为环状的形状。定子123通过来自未图示的电源的电力供给来使转子122磁悬浮，并通过电流来对转子122的旋转动作进行控制。即，定子123使转子122以非接触的方式旋转。此外，为了避免图的复杂性，在图2及图3中省略转子122及定子123的外形线。
(支撑部)
支撑部13对基板W进行支撑。支撑部13设置在转子122上。如图5的(A)、图5的(B)及图6所示，支撑部13具有保持构件130、收容体131、伸缩部132、施力部133、照射部134。保持构件130是通过沿接近或离开基板W的方向进退来保持及释放基板W的构件。保持构件130是包括水平方向的活塞部130a和在与此正交的方向上立起的柱部130b的倒T字形的构件，在柱部130b的上端具有倾斜面130c与吸盘销130d。倾斜面130c是以从转子122的中心侧朝向外周缘变高的方式倾斜的面。吸盘销130d是保持构件130的顶端，且是设置在倾斜面130c的上端的圆柱形状的突起。
如图5的(A)、图5的(B)所示，收容体131是对保持构件130进行支撑并引导保持构件130的移动的容器。收容体131例如以等间隔固定在转子122的内周(参照图4)。收容体131是不使光通过的材料。另外，收容体131是具有耐热性及耐化学品性的材料。收容体131例如由聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene，PTFE)等氟树脂或聚醚醚酮(polyether etherketone，PEEK)树脂形成。收容体131具有引导室131a、以及夹着引导室131a而配设的一对施力室131b、131c。在引导室131a中，收容有保持构件130的柱部130b的下部，倾斜面130c与吸盘销130d从上部的开口露出。
在施力室131b、施力室131c中插入保持构件130的活塞部130a的两端。如图5的(A)所示，通过活塞部130a的施力室131b侧的端部被施力，倾斜面130c及吸盘销130d朝远离基板W的方向移动。如图5的(B)所示，通过活塞部130a的施力室131c侧的端部被施力，倾斜面130c及吸盘销130d朝接近基板W的方向移动。另外，在施力室131b的底部设置有使光透过的窗部131d。窗部131d包括开口或嵌入至开口的石英等透明构件。
伸缩部132包含光刺激响应性材料。光刺激响应性材料是通过光刺激而伸缩的材料。此外，在以下的说明中所谓“伸缩”包含体积的膨胀及收缩的含义。伸缩部132根据由光刺激响应性材料的体积变化而产生的伸缩来使保持构件130进退。光刺激响应性材料例如是以水凝胶为基材的凝胶，包括环状多糖的环糊精、利用特定的波长可逆地发生结构变化的偶氮苯。光刺激响应性材料具有如下性质：环糊精与偶氮苯作为主体-客体分子发挥作用，偶氮苯通过紫外线(Ultraviolet，UV)光的刺激而组入至环糊精，由此使其体积小于原来的体积。此种光刺激响应性材料通过波长不同的两种光进行伸缩。本实施方式的伸缩部132通过照射UV光而体积收缩，维持其形状(参照图5的(B))。另外，伸缩部132通过在收缩的状态下照射可见光而恢复至原来的体积，维持其形状(参照图5的(A))。
伸缩部132是长方体形状的构件，收容在施力室131b中。伸缩部132的其中一个侧面与施力室131b的内壁相接，另一个侧面与活塞部130a的施力室131b侧的端部相接。因此，利用伸缩部132对活塞部130a的端部施力，由此吸盘销130d被维持在远离基板W的位置(参照图5的(A))。
施力部133对抗伸缩部132伸张的方向而赋予施加的力。本实施方式的施力部133是压缩螺旋弹簧。施力部133收容在施力室131c中。施力部133的其中一个端部与施力室131c的内壁相接，另一个侧面与活塞部130a的施力室131c侧的端部相接。因此，当伸缩部132收缩时，利用施力部133对活塞部130a的端部施力，倾斜面130c及吸盘销130d朝接近基板W的方向移动(参照图5的(B))。
所述图5的(B)是保持构件130处于通过与基板W的边缘部相接而保持基板W的关闭位置的状态，图5的(A)是保持构件130处于通过远离基板W的边缘部而释放基板W的打开位置的状态。多个保持构件130以所述方式进行在关闭位置与打开位置之间移动的打开/关闭动作。
保持构件130与转子122的水平面平行且空开间隔地保持基板W。在本实施方式中，保持构件130及包括所述保持构件130的收容体131沿着转子122的内周等间隔地设置有六个。各保持构件130设置在倾斜面130c朝向转子122的旋转中心并接近或离开基板W的外缘的方向上。通过保持构件130处于关闭位置，六个吸盘销130d与基板W的外缘相接而抓持基板W。
照射部134向伸缩部132照射使伸缩部132伸缩的波长的光。照射部134具有框架134a、UV光源134b、可见光光源134c。框架134a是配置在转子122的下方的环状形状的构件，剖面为方筒形状。作为框架134a的材质，使用对处理液L具有耐受性的材质，例如氟树脂或PEEK树脂等。框架134a支撑固定在腔室1a内，不与转子122独立地旋转。
UV光源134b是输出UV光的发光构件。可见光光源134c是输出可见光的发光构件。本实施方式的UV光源134b、可见光光源134c是具有指向性的激光二极管。UV光源134b、可见光光源134c收容在框架134a中，由透过石英等光的罩134d覆盖。另外，UV光源134b、可见光光源134c为了保护不受处理液L的影响而利用PTFE等涂布。
如图4及图6所示，多个UV光源134b以与各收容体131的窗部131d相同的间隔在周向上配置，并设置为射出光朝向位于正上方的各个窗部131d。多个可见光光源134c在夹着各UV光源134b的周向的两侧各配置一个，并设置为射出光朝向位于UV光源134b的正上方的窗部131d。
(杯体)
如图2所示，杯体14是接受从基板W飞散的处理液L的构件。杯体14以从周围包围基板W的方式形成为圆筒形状。杯体14的周壁的上部朝向径向的内侧倾斜。杯体14接受从旋转的基板W飞散的处理液L，使其向下方流动。在杯体37的底表面形成有用于排出流落的处理液L的排出口(未图示)。
(供给部)
供给部15向基板W供给处理液L。供给部15具有向基板W供给处理液L、DIW的多个喷嘴15a。喷嘴15a被设置成能够通过未图示的臂在基板W的中心的正上方与从基板W退避的位置之间摆动。在本实施方式中，喷嘴15a通过向支撑于支撑部13并通过旋转机构12旋转的基板W的被处理面(上表面)供给处理液L来进行清洗处理。更具体而言，在清洗处理中，从喷嘴15a向基板W的被处理面供给APM进行APM清洗，在APM清洗后，从喷嘴15a对基板W的上下表面利用DIW进行纯水淋洗处理，由此利用DIW对残留在基板W的表面的APM进行冲洗。由此，基板W的被处理面被DIW充满。
此外，在本实施方式中，在转子122的中央存在贯通孔122a，框架134a为环状，因此基板W的下表面露出。因此，也可将喷嘴15a也设置在基板W的下侧，供给DIW或清洁的气体(N2等)进行清洗，由此去除绕到基板W的下表面的污物。
[搬送装置]
如图1及图2所示，搬送装置200具有处理装置20。处理装置20具有对基板W进行抓持的机械手21以及移动机构22。机械手21抓持基板W。移动机构22使机械手21移动。搬送装置200在缓冲单元1d与各种装置之间、各种装置之间搬送基板W。例如，将从晶片匣取出的基板W从缓冲单元1d搬入清洗装置100。另外，移动机构22通过使机械手21移动，将清洗结束后的基板W从清洗装置100搬出，在基板W的被处理面上形成有DIW的液膜的状态下，将其搬入干燥装置300。此外，在基板W的被处理面上形成有DIW的液膜的状态下进行搬送的原因在于，在基板W的搬送过程中防止颗粒附着于基板W的被处理面上。
[干燥装置]
如图2所示，干燥装置300具有干燥室31、支撑部32、驱动机构33、供给部34、供给部35、加热部36、杯体37。干燥室31是用于在内部对基板W进行干燥处理的腔室1a。干燥室31上设置有用于将基板W搬出或搬入的开口31a。开口31a设置成能够通过门31b进行打开/关闭。在此种干燥室31中收容有后述的供给部34、加热部36。
另外，在干燥室31中，为了供给清洁的气体(N2等)，设置了连接有包含未图示的供气装置的供气部的导入口31c。另外，在干燥室31中设置了连接有包含排气装置的排气部的排出口31d，以使对基板W进行加热时产生的挥发性溶剂的蒸气不会充满干燥室31内而可排出。
支撑部32具有通过多个保持构件130对基板W进行保持并旋转的旋转台32a。驱动机构33是具有马达等驱动源并使支撑于支撑部32的基板W旋转的机构。供给部34具有被引导至基板W上的喷嘴34a，为了调整覆液的DIW的膜厚而向基板W供给DIW。供给部35具有被引导至基板W上的喷嘴35a，例如向基板W供给IPA等挥发性溶剂作为处理液L。由此，在清洗装置100中对通过DIW而覆液后的基板W供给IPA，DIW被置换为IPA。
加热部36是对基板W进行加热的装置。加热部36具有设置在干燥室31内的上部的卤素灯、红外线灯等灯36a。杯体37以从周围包围基板W的方式形成为圆筒形状。杯体37接受从旋转的基板W飞散的处理液L，使其向下方流动。
[控制装置]
控制装置400是对基板处理装置1的各部进行控制的计算机。控制装置400具有处理器、存储器、驱动电路，所述处理器执行程序，所述存储器存储程序或动作条件等各种信息，所述驱动电路驱动各组件。此外，控制装置400具有输入装置、显示装置，所述输入装置输入信息，所述显示装置显示信息。
控制装置400对清洗装置100、搬送装置200、干燥装置300进行控制。例如，控制装置400对转子122的旋转、保持构件130的移动、供给部15对处理液L的供给等进行控制。特别是控制装置400使转子122停止，以使在基板W的搬入搬出时，各收容体131的窗部131d位于各照射部134的正上方。另外，控制装置400使各照射部134的UV光源134b及可见光光源134c发光，以使在基板W的搬入搬出时，通过伸缩部132伸缩而使保持构件130打开/关闭。
[动作]
除了参照所述的图1～图6以外，还参照图7的流程图来对如以上那样的本实施方式的基板处理装置1的动作进行说明。此外，通过按照如下的程序对基板W进行处理来制造基板W的基板制造方法也是本实施方式的一形态。
首先，如图1至图3所示，收容有多片在前一工序中处理完成的基板W的晶片匣1b设置在基板处理装置1上。在所述状态下，搬送机器人1c逐片取出基板W(步骤S01)，并将其载置于缓冲单元1d(步骤S02)。搬送装置200的机械手21将载置于缓冲单元1d上的基板W搬入至清洗装置100的转子122的正上方，并载置于保持构件130的倾斜面130c上(步骤S03)。
通过照射部134的UV光源134b发光，使UV光照射至伸缩部132(步骤S04)。于是，伸缩部132收缩，因此保持构件130通过施力部133的施加的力朝关闭方向移动，基板W的外缘沿着倾斜面130c被推起而与吸盘销130d抵接，从而保持基板W(步骤S05)。
旋转机构12运转，转子122旋转，由此在使由保持构件130保持的基板W旋转的同时进行清洗处理(步骤S06)。即，供给部15向基板W的被处理面的旋转中心供给APM并利用碱进行淋洗处理后，通过供给DIW进行纯水淋洗处理，从而停止旋转。
在搬送装置200的机械手21插入至基板W的下方并对基板W进行支撑后，照射部134的可见光光源134c发光，从而向伸缩部132照射可见光(步骤S07)。于是，收缩的伸缩部132膨胀而恢复至原来的体积，因此保持构件130对抗施力部133的施加的力朝打开方向移动(步骤S08)。然后，机械手21在使通过DIW而覆液后的基板W上升后，搬出至腔室1a的外部，并搬入至干燥装置300(步骤S09)。
在干燥装置300中，对从干燥室31的开口31a搬入的基板W进行干燥处理(步骤S10)。即，在使由支撑部32的保持构件32b保持的基板W旋转的同时，利用供给部34供给DIW，然后通过供给部35供给作为挥发性溶剂的IPA来作为处理液L，从而将DIW置换为IPA。之后，通过利用加热部36的灯36a点亮规定时间，将基板W急速加热至发生莱顿弗罗斯特现象的温度。由此，进行瞬间去除IPA的液膜的干燥处理。
停止利用加热部36的加热并进行冷却，在停止基板W的旋转后，搬送装置200将基板W从开口31a搬出，并载置于缓冲单元1d(步骤S11)。搬送机器人1c将处理完成的基板W从缓冲单元1d返回至晶片匣1b(步骤S12)。
[效果]
(1)如以上那样的本实施方式的基板处理装置1具有：支撑部13，对基板W进行支撑；旋转机构12，使支撑于支撑部13的基板W旋转；以及供给部15，向基板W供给处理液L，支撑部13具有：保持构件130，通过沿接近或离开基板W的方向进退来保持及释放基板W；伸缩部132，包含光刺激响应性材料，根据伸缩使保持构件130进退；以及照射部134，对伸缩部132照射使伸缩部132伸缩的波长的光。
如此，可通过对光刺激响应性材料照射光来使保持及释放基板W的保持构件130进退，因此与机械吸盘或真空吸盘的情况相比，可使支撑部13轻量化，可减少旋转机构12的负荷，因此可使旋转稳定。另外，由于使用光以使保持构件130进退，故不妨碍旋转机构12的旋转。进而，由于可通过光远程操作保持构件130，因此也可在基板W的与被处理面相反侧的面上设置空间，增加使喷嘴15a摆动进行清洗等设计或工艺的自由度。
(2)旋转机构12具有：转子122，设置有支撑部13；以及定子123，使转子122以非接触的方式旋转。如此，以非接触的方式旋转的转子122的旋转容易变得不稳定，但由于可使支撑部13轻量化而实现转子122的轻量化，因此可使旋转稳定。特别是只要使伸缩部132伸缩的照射部134以非接触的方式照射光即可，因此不需要传送电力以使保持构件130进退的缆线等。
(3)旋转机构12通过磁气使转子122旋转。如此，即便是利用磁气的旋转机构12，由于使保持构件130进退的伸缩部132为光刺激响应性材料，因此也不会产生磁力干涉。因此，可将保持构件130配置在接近旋转机构12的位置，可抑制装置的大型化。如此，由于不需要考虑磁力干涉，因此增加保持构件130的配置的自由度。另外，不需要加长旋转的轴，也不会导致旋转的不稳定化。
(4)具有施力部133，所述施力部133对抗伸缩部132伸张的方向而对保持构件130赋予施加的力。因此，可顺利地进行保持构件130朝与伸缩部132伸张的方向相反的方向的移动。另外，通过利用施力部133的施加的力保持基板W，可利用强的保持力稳定地保持基板W，从而可减少吸盘脱落。
(5)照射部134包含波长不同的两种光源。作为两种光源，例如使用UV光源134b、可见光光源134c。因此，不需要可移动的机构部分，仅对两种光源的发光进行控制，便可切换保持构件130对基板W的保持及释放。而且，由于可通过光源的发光控制使保持构件130运行，因此也容易进行多个保持构件130的同步。
(6)光源包含激光光源。因此，由于光的指向性高，因此可效率良好地照射至被定位的伸缩部132，可防止进入操作者的视野的可能性。例如，如所述实施方式那样，与保持构件130进退的水平方向不同，从下方朝向上方照射，由此光不易从装置的侧方漏出。
(变形例)
本实施方式并不限定于所述那样的形态，也能够构成以下的变形例。
(1)也可在旋转机构12使基板W旋转进行处理的期间，切换对基板W进行保持的支撑部13。例如，如图8所示，在夹着支撑部13而相向的位置(上下)配置两个照射部134。另外，如图4所示，将多个支撑部13区分为交替存在的α与β。而且，例如关于α的支撑部13，如图9的(A)、图9的(B)所示，构成为从下侧的照射部134向下侧的窗部131d入射的光照射至伸缩部132。关于β的支撑部13，如图9的(C)、图9的(D)所示，构成为从上侧的照射部134向上侧的窗部131d入射的光照射至伸缩部132。此外，将下侧的照射部134及α的支撑部13称为第一照射部及第一支撑部。另外，将上侧的照射部134及β的支撑部13称为第二照射部及第二支撑部。
此外，在图9的(A)～图9的(D)中，构成为：以光能够入射的方式，伸缩部132的位置与施力部133的位置和图4所示的形态相反，通过伸缩部132对保持构件130向关闭位置施力，通过施力部133对保持构件130向打开位置施力。因此，在处于关闭位置时照射可见光，在处于打开位置时照射UV光。
在以上的形态中，在搬入基板W时，通过来自两个照射部134的可见光的照射，可使所有的保持构件130处于保持基板W的关闭位置。在搬出基板W时，通过来自两个照射部134的UV光的照射，可使所有的保持构件130处于从基板W释放的打开位置。
但是，在通过转子122使基板W旋转的同时进行处理时，例如反复进行由所有的保持构件130进行保持→由α的保持构件130进行保持→由所有的保持构件130进行保持→由β的保持构件130进行保持的动作。即，通过自利用所有的保持构件130对基板W进行保持的状态，从下侧的照射部134照射UV光，仅使α的保持构件130远离基板W。接下来，通过从下侧的照射部134照射可见光，使所有的保持构件130恢复至对基板W进行保持的状态。然后，通过从上侧的照射部134照射UV光，仅使β的保持构件130远离基板W。进而，通过从上侧的照射部134照射可见光，使所有的保持构件130恢复至对基板W进行保持的状态。
如此，通过在维持旋转过程中的基板W的保持的同时，使一部分保持构件130远离基板W，可减少处理液L滞留在基板W与保持构件130的接触部位而损害基板W表面的处理均匀性的情况。此外，在所述情况下，优选为将照射部134的光源设为指向性低的发光二极管(light emitting diode，LED)。或者，优选为在周向上连续配置比所述实施方式多的UV光源134b及可见光光源134c。由此，即便在旋转过程中，也能够容易使光从窗部131d入射至伸缩部132。
(2)如图10的(A)所示，也可在收容伸缩部132的施力室131b的内壁设置使光反射的反射镜131e。由此，从窗部131d射入的光被反射镜131e反射，也照射至伸缩部132的里侧，因此可提高伸缩效率或响应性。
(3)如图10的(B)、图10的(C)所示，也可构成为通过在保持构件130设置覆盖引导室131a的上端的开口的罩130e，可防止处理液L向收容体131内流入。特别是如图10的(C)所示，也可构成为在罩130e与收容体131的外壁之间形成由弯曲的通气路形成的迷宫结构。
(4)也可设置处理液L不易滞留的结构。例如，如图10的(C)所示，也可将收容体131的上表面设为朝向外缘变低的倾斜面。另外，如图11所示，也可通过将照射部134中的框架134a的罩134d的上表面设为向上凸出的曲面，形成朝向外缘变低的倾斜面。
(5)照射部134的光源的配置并不限定于所述例示的形态。例如，如图12所示，可将作为UV光源134b、可见光光源134c的微小的发光元件密集地配置在特定部位，可从大致相同的部位射出不同波长的光。另外，也可将与图12相同的配置的UV光源134b与可见光光源134c铺设在环状的框架134a的整个区域。通过在框架134a的整个区域铺设微小的发光元件，整体上可构成环状的UV光源与环状的可见光光源。在所述情况下，在俯视时框架134a与保持构件130的窗部131d所描绘的轨道重叠。结果，无论α或β的保持构件130位于哪个位置，均可将下侧或上侧的照射部134的光照射至α或β的保持构件130内部的伸缩部132。
(6)作为旋转机构12，并不限定于磁悬浮式机构，不限定于以非接触的方式使转子122旋转的机构。也可应用图2例示那样的马达驱动的旋转台32a。
(7)关于作为基板处理装置1中的处理对象的基板W及处理液L，也不限定于所述例示者。另外，基板处理装置1中的处理也不限定于所述例示的处理。例如，基板处理装置1可进行蚀刻处理而代替清洗处理。在所述情况下，处理液L也可为混合了磷酸或硫酸与过氧化氢水的药液(硫酸过氧化氢混合物(sulfuric acid hydrogen peroxide mixture，SPM))。
[其他实施方式]
以上对本发明的实施方式及各部的变形例进行了说明，但所述实施方式或各部的变形例是作为一例来提示，并非意图限定发明的范围。上文所述的这些新颖的实施方式能够以其他各种形态加以实施，可在不脱离发明主旨的范围内进行各种省略、置换、变更。这些实施方式及其变形包含在发明的范围或主旨内，并且包含在权利要求记载的发明中。

Claims (10)

1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：
支撑部，对基板进行支撑；
旋转机构，使支撑于所述支撑部的所述基板旋转；以及
供给部，向所述基板供给处理液，
所述支撑部具有：
保持构件，通过沿接近或离开所述基板的方向进退来保持及释放所述基板；
伸缩部，包含光刺激响应性材料，根据伸缩使所述保持构件进退；以及
照射部，对所述伸缩部照射使所述伸缩部伸缩的波长的光。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述旋转机构具有：
转子，设置有所述支撑部；以及
定子，使所述转子以非接触的方式旋转。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，所述旋转机构通过磁气使所述转子旋转。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述照射部包含所述波长不同的两种光源。
5.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，所述照射部包含所述波长不同的两种光源。
6.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，两种所述光源包含紫外线光源、可见光光源。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，所述光刺激响应性材料是当受到紫外线光的照射时体积收缩，当在体积收缩的状态下受到可见光的照射时恢复到原来的体积的材料。
8.根据权利要求4至7中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述光源包含激光光源。
9.根据权利要求4至7中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述光源包含发光二极管。
10.根据权利要求1至7中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，具有施力部，所述施力部对抗所述伸缩部伸张的方向而对所述保持构件赋予施力。
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