TW202336849A - 基板處理裝置 - Google Patents

基板處理裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW202336849A
TW202336849A TW112106015A TW112106015A TW202336849A TW 202336849 A TW202336849 A TW 202336849A TW 112106015 A TW112106015 A TW 112106015A TW 112106015 A TW112106015 A TW 112106015A TW 202336849 A TW202336849 A TW 202336849A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
substrate processing
processing apparatus
light
holding member
Prior art date
Application number
TW112106015A
Other languages
English (en)
Inventor
秋本紗希
Original Assignee
日商芝浦機械電子裝置股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商芝浦機械電子裝置股份有限公司 filed Critical 日商芝浦機械電子裝置股份有限公司
Publication of TW202336849A publication Critical patent/TW202336849A/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

本發明提供一種可使對基板進行支撐的支撐部輕量化，且可使處理中的基板的旋轉穩定的基板處理裝置。實施方式的基板處理裝置（1）具有：支撐部（13），對基板（W）進行支撐；旋轉機構（12），使支撐於支撐部（13）的基板（W）旋轉；以及供給部（15），向基板（W）供給處理液（L），支撐部（13）具有：保持構件（130），通過沿接近或離開基板（W）的方向進退來保持及釋放基板（W）；伸縮部（132），包含光刺激響應性材料，根據伸縮使保持構件（130）進退；以及照射部（134），對伸縮部（132）照射使伸縮部（132）伸縮的波長的光。

Description

基板處理裝置
本發明涉及一種基板處理裝置。
在製造半導體或液晶面板等的製造工序中，會使用如下基板處理裝置：向晶片或液晶基板等基板的被處理面供給處理液而對被處理面進行處理，在處理後，對被處理面進行清洗並使其乾燥。例如，向旋轉的基板供給處理液並逐片進行處理的單片式處理裝置與分批式處理裝置相比，可以高的水平使對各基板的處理的均勻性一致，因此隨著近年來的電路圖案的微細化而被廣泛利用。
在此種單片式基板處理裝置中，作為將基板支撐在旋轉的旋轉臺上的支撐機構，機械吸盤或真空吸盤等各種機構已得到實用化。在通過支撐機構將基板支撐在旋轉臺上的狀態下，向基板的中央供給處理液，由此處理液因離心力而向基板的外周擴散，從而對基板進行處理。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本專利特開平07-169732號公報
[發明所欲解決之課題]
然而，對旋轉台進行驅動的馬達通過其驅動軸來支撐直徑比基板大的旋轉台。在旋轉台及支撐機構的重量大的情況下，對馬達施加的負荷變大，容易產生偏心等，旋轉變得不穩定。但是，在機械吸盤或真空吸盤的情況下，支撐機構容易重量化，旋轉台也不得不大型化，因此旋轉容易變得不穩定。
另外，如專利文獻1所示，還提出了使用使旋轉體磁懸浮並旋轉的驅動機構的基板處理裝置。在所述情況下，在難以將由電或真空等動力源產生的驅動力傳遞至支撐機構的情況下，使用磁吸盤作為支撐機構。但是，在所述基板處理裝置中，無論是對旋轉體進行驅動的驅動機構還是對基板進行支撐的支撐機構均使用磁力，因此若將兩者接近配置則會產生磁性干涉。因此，在專利文獻1中，延長軸方向上的長度，確保支撐機構與驅動機構的距離，但由於支撐機構的位置遠離旋轉體，容易發生偏心旋轉，處理時的基板的偏心增大。
本發明的實施方式的目的在於提供一種可使對基板進行支撐的支撐部輕量化，且可使處理中的基板的旋轉穩定的基板處理裝置。 [解決課題之手段]
本發明的實施方式的基板處理裝置具有：支撐部，對基板進行支撐；旋轉機構，使支撐於所述支撐部的所述基板旋轉；以及供給部，向所述基板供給處理液，所述支撐部具有：保持構件，通過沿接近或離開所述基板的方向進退來保持及釋放所述基板；伸縮部，包含光刺激響應性材料，根據伸縮使所述保持構件進退；以及照射部，對所述伸縮部照射使所述伸縮部伸縮的波長的光。 [發明的效果]
本發明的實施方式可提供一種可使對基板進行支撐的支撐部輕量化，且可使處理中的基板的旋轉穩定的基板處理裝置。
以下，參照附圖對本發明的實施方式進行說明。 [概要] 如圖1所示，本實施方式的基板處理裝置1包括收容有進行各種處理的裝置的多個腔室1a，是針對在前一工序中收容於晶片匣（前開式標準晶片盒（Front Opening Unified Pod，FOUP））1b中搬送來的多片基板W而在各腔室1a內逐片進行處理的單片處理的裝置。未處理的基板W由搬送機器人1c從晶片匣1b中逐片取出，暫時載置於緩衝單元1d後，通過以下說明的各種裝置進行向各腔室1a的搬送及處理。
基板處理裝置1包含清洗裝置100、搬送裝置200、乾燥裝置300、控制裝置400。清洗裝置100利用處理液（清洗液）L對在前一工序中處理後的基板W進行清洗。搬送裝置200在緩衝單元1d與各腔室1a之間、各腔室1a之間搬送基板W。例如，搬送裝置200將在清洗裝置100中清洗後的基板W搬送至乾燥裝置300。乾燥裝置300通過在使利用清洗液清洗後的基板W旋轉的同時加熱來進行乾燥處理。控制裝置400對所述各裝置進行控制。
此外，通過本實施方式加以處理的基板W例如為半導體晶片。以下，將基板W的形成有圖案等的面作為被處理面。作為用於清洗處理的處理液L即清洗液，使用堿清洗液（氨過氧化氫混合物（ammonia peroxide mixture，APM））、超純水（去離子水（deionized water，DIW））、第一揮發性溶劑（異丙醇（isopropyl alcohol，IPA））。APM是氨水與過氧化氫水混合後的藥液，用於去除殘留有機物。也可使用氫氧化四甲基銨（tetramethyl ammonium hydroxide，TMAH）等而代替APM。DIW用於對APM處理後殘留於基板W的被處理面上的APM進行沖洗。IPA的表面張力比DIW小，揮發性高，因此用於對DIW進行置換而減少表面張力所引起的圖案塌毀。也可使用氫氟醚（hydrofluoroether，HFE）等而代替IPA。
[清洗裝置] 如圖2及圖3所示，清洗裝置100具有清洗室11、旋轉機構12、支撐部13、杯體14、供給部15。
（清洗室） 清洗室11是在內部進行清洗處理的容器。在清洗室11中設置有搬出或搬入基板W的開口11a，開口11a構成為能夠通過門11b進行打開/關閉。在此種清洗室11中收容有後述的旋轉機構12、支撐部13、杯體14、供給部15。
（旋轉機構） 旋轉機構12是經由支撐部13使基板W旋轉的機構。本實施方式的旋轉機構12是利用磁氣使支撐部13旋轉的磁懸浮式裝置。旋轉機構12具有轉子122、定子123。轉子122具有使支撐部13旋轉的作用。轉子122例如為環狀的形狀。轉子122的中央的貫通孔122a成為供排出處理液L的開口。轉子122是在圓周方向上以等間隔固定的多個永久磁鐵。定子123是沿著轉子122的外周與轉子122空出間隔而配置的電磁鐵。定子123例如為環狀的形狀。定子123通過來自未圖示的電源的電力供給來使轉子122磁懸浮，並通過電流來對轉子122的旋轉動作進行控制。即，定子123使轉子122以非接觸的方式旋轉。此外，為了避免圖的複雜性，在圖2及圖3中省略轉子122及定子123的外形線。
（支撐部） 支撐部13對基板W進行支撐。支撐部13設置在轉子122上。如圖5的（A）、圖5的（B）及圖6所示，支撐部13具有保持構件130、收容體131、伸縮部132、施力部133、照射部134。保持構件130是通過沿接近或離開基板W的方向進退來保持及釋放基板W的構件。保持構件130是包括水平方向的活塞部130a和在與此正交的方向上立起的柱部130b的倒T字形的構件，在柱部130b的上端具有傾斜面130c與吸盤銷130d。傾斜面130c是以從轉子122的中心側朝向外周緣變高的方式傾斜的面。吸盤銷130d是保持構件130的頂端，且是設置在傾斜面130c的上端的圓柱形狀的突起。
如圖5的（A）、圖5的（B）所示，收容體131是對保持構件130進行支撐並引導保持構件130的移動的容器。收容體131例如以等間隔固定在轉子122的內周（參照圖4）。收容體131是不使光通過的材料。另外，收容體131是具有耐熱性及耐化學品性的材料。收容體131例如由聚四氟乙烯（polytetrafluoroethylene，PTFE）等氟樹脂或聚醚醚酮（polyether ether ketone，PEEK）樹脂形成。收容體131具有引導室131a、以及夾著引導室131a而配設的一對施力室131b、131c。在引導室131a中，收容有保持構件130的柱部130b的下部，傾斜面130c與吸盤銷130d從上部的開口露出。
在施力室131b、施力室131c中插入保持構件130的活塞部130a的兩端。如圖5的（A）所示，通過活塞部130a的施力室131b側的端部被施力，傾斜面130c及吸盤銷130d朝遠離基板W的方向移動。如圖5的（B）所示，通過活塞部130a的施力室131c側的端部被施力，傾斜面130c及吸盤銷130d朝接近基板W的方向移動。另外，在施力室131b的底部設置有使光透過的窗部131d。窗部131d包括開口或嵌入至開口的石英等透明構件。
伸縮部132包含光刺激響應性材料。光刺激響應性材料是通過光刺激而伸縮的材料。此外，在以下的說明中所謂“伸縮”包含體積的膨脹及收縮的含義。伸縮部132根據由光刺激響應性材料的體積變化而產生的伸縮來使保持構件130進退。光刺激響應性材料例如是以水凝膠為基材的凝膠，包括環狀多糖的環糊精、利用特定的波長可逆地發生結構變化的偶氮苯。光刺激響應性材料具有如下性質：環糊精與偶氮苯作為主體-客體分子發揮作用，偶氮苯通過紫外線（Ultraviolet，UV）光的刺激而組入至環糊精，由此使其體積小於原來的體積。此種光刺激響應性材料通過波長不同的兩種光進行伸縮。本實施方式的伸縮部132通過照射UV光而體積收縮，維持其形狀（參照圖5的（B））。另外，伸縮部132通過在收縮的狀態下照射可見光而恢復至原來的體積，維持其形狀（參照圖5的（A））。
伸縮部132是長方體形狀的構件，收容在施力室131b中。伸縮部132的其中一個側面與施力室131b的內壁相接，另一個側面與活塞部130a的施力室131b側的端部相接。因此，利用伸縮部132對活塞部130a的端部施力，由此吸盤銷130d被維持在遠離基板W的位置（參照圖5的（A））。
施力部133對抗伸縮部132伸張的方向而賦予施加的力。本實施方式的施力部133是壓縮螺旋彈簧。施力部133收容在施力室131c中。施力部133的其中一個端部與施力室131c的內壁相接，另一個側面與活塞部130a的施力室131c側的端部相接。因此，當伸縮部132收縮時，利用施力部133對活塞部130a的端部施力，傾斜面130c及吸盤銷130d朝接近基板W的方向移動（參照圖5的（B））。
所述圖5的（B）是保持構件130處於通過與基板W的邊緣部相接而保持基板W的關閉位置的狀態，圖5的（A）是保持構件130處於通過遠離基板W的邊緣部而釋放基板W的打開位置的狀態。多個保持構件130以所述方式進行在關閉位置與打開位置之間移動的打開/關閉動作。
保持構件130與轉子122的水平面平行且空開間隔地保持基板W。在本實施方式中，保持構件130及包括所述保持構件130的收容體131沿著轉子122的內周等間隔地設置有六個。各保持構件130設置在傾斜面130c朝向轉子122的旋轉中心並接近或離開基板W的外緣的方向上。通過保持構件130處於關閉位置，六個吸盤銷130d與基板W的外緣相接而抓持基板W。
照射部134向伸縮部132照射使伸縮部132伸縮的波長的光。照射部134具有框架134a、UV光源134b、可見光光源134c。框架134a是配置在轉子122的下方的環狀形狀的構件，剖面為方筒形狀。作為框架134a的材質，使用對處理液L具有耐受性的材質，例如氟樹脂或PEEK樹脂等。框架134a支撐固定在腔室1a內，不與轉子122獨立地旋轉。
UV光源134b是輸出UV光的發光構件。可見光光源134c是輸出可見光的發光構件。本實施方式的UV光源134b、可見光光源134c是具有指向性的激光二極管。UV光源134b、可見光光源134c收容在框架134a中，由透過石英等光的罩134d覆蓋。另外，UV光源134b、可見光光源134c為了保護不受處理液L的影響而利用PTFE等塗布。
如圖4及圖6所示，多個UV光源134b以與各收容體131的窗部131d相同的間隔在周向上配置，並設置為射出光朝向位於正上方的各個窗部131d。多個可見光光源134c在夾著各UV光源134b的周向的兩側各配置一個，並設置為射出光朝向位於UV光源134b的正上方的窗部131d。
（杯體） 如圖2所示，杯體14是接受從基板W飛散的處理液L的構件。杯體14以從周圍包圍基板W的方式形成為圓筒形狀。杯體14的周壁的上部朝向徑向的內側傾斜。杯體14接受從旋轉的基板W飛散的處理液L，使其向下方流動。在杯體37的底表面形成有用於排出流落的處理液L的排出口（未圖示）。
（供給部） 供給部15向基板W供給處理液L。供給部15具有向基板W供給處理液L、DIW的多個噴嘴15a。噴嘴15a被設置成能夠通過未圖示的臂在基板W的中心的正上方與從基板W退避的位置之間擺動。在本實施方式中，噴嘴15a通過向支撐於支撐部13並通過旋轉機構12旋轉的基板W的被處理面（上表面）供給處理液L來進行清洗處理。更具體而言，在清洗處理中，從噴嘴15a向基板W的被處理面供給APM進行APM清洗，在APM清洗後，從噴嘴15a對基板W的上下表面利用DIW進行純水淋洗處理，由此利用DIW對殘留在基板W的表面的APM進行沖洗。由此，基板W的被處理面被DIW充滿。
此外，在本實施方式中，在轉子122的中央存在貫通孔122a，框架134a為環狀，因此基板W的下表面露出。因此，也可將噴嘴15a也設置在基板W的下側，供給DIW或清潔的氣體（N2等）進行清洗，由此去除繞到基板W的下表面的汙物。
[搬送裝置] 如圖1及圖2所示，搬送裝置200具有處理裝置20。處理裝置20具有對基板W進行抓持的機械手21以及移動機構22。機械手21抓持基板W。移動機構22使機械手21移動。搬送裝置200在緩衝單元1d與各種裝置之間、各種裝置之間搬送基板W。例如，將從晶片匣取出的基板W從緩衝單元1d搬入清洗裝置100。另外，移動機構22通過使機械手21移動，將清洗結束後的基板W從清洗裝置100搬出，在基板W的被處理面上形成有DIW的液膜的狀態下，將其搬入乾燥裝置300。此外，在基板W的被處理面上形成有DIW的液膜的狀態下進行搬送的原因在於，在基板W的搬送過程中防止顆粒附著於基板W的被處理面上。
[乾燥裝置] 如圖2所示，乾燥裝置300具有乾燥室31、支撐部32、驅動機構33、供給部34、供給部35、加熱部36、杯體37。乾燥室31是用於在內部對基板W進行乾燥處理的腔室1a。乾燥室31上設置有用於將基板W搬出或搬入的開口31a。開口31a設置成能夠通過門31b進行打開/關閉。在此種乾燥室31中收容有後述的供給部34、加熱部36。
另外，在乾燥室31中，為了供給清潔的氣體（N2等），設置了連接有包含未圖示的供氣裝置的供氣部的導入口31c。另外，在乾燥室31中設置了連接有包含排氣裝置的排氣部的排出口31d，以使對基板W進行加熱時產生的揮發性溶劑的蒸氣不會充滿乾燥室31內而可排出。
支撐部32具有通過多個保持構件130對基板W進行保持並旋轉的旋轉台32a。驅動機構33是具有馬達等驅動源並使支撐於支撐部32的基板W旋轉的機構。供給部34具有被引導至基板W上的噴嘴34a，為了調整覆液的DIW的膜厚而向基板W供給DIW。供給部35具有被引導至基板W上的噴嘴35a，例如向基板W供給IPA等揮發性溶劑作為處理液L。由此，在清洗裝置100中對通過DIW而覆液後的基板W供給IPA，DIW被置換為IPA。
加熱部36是對基板W進行加熱的裝置。加熱部36具有設置在乾燥室31內的上部的鹵素燈、紅外線燈等燈36a。杯體37以從周圍包圍基板W的方式形成為圓筒形狀。杯體37接受從旋轉的基板W飛散的處理液L，使其向下方流動。
[控制裝置] 控制裝置400是對基板處理裝置1的各部進行控制的計算機。控制裝置400具有處理器、存儲器、驅動電路，所述處理器執行程序，所述存儲器存儲程序或動作條件等各種信息，所述驅動電路驅動各組件。此外，控制裝置400具有輸入裝置、顯示裝置，所述輸入裝置輸入信息，所述顯示裝置顯示信息。
控制裝置400對清洗裝置100、搬送裝置200、乾燥裝置300進行控制。例如，控制裝置400對轉子122的旋轉、保持構件130的移動、供給部15對處理液L的供給等進行控制。特別是控制裝置400使轉子122停止，以使在基板W的搬入搬出時，各收容體131的窗部131d位於各照射部134的正上方。另外，控制裝置400使各照射部134的UV光源134b及可見光光源134c發光，以使在基板W的搬入搬出時，通過伸縮部132伸縮而使保持構件130打開/關閉。
[動作] 除了參照所述的圖1～圖6以外，還參照圖7的流程圖來對如以上那樣的本實施方式的基板處理裝置1的動作進行說明。此外，通過按照如下的程序對基板W進行處理來製造基板W的基板製造方法也是本實施方式的一形態。
首先，如圖1至圖3所示，收容有多片在前一工序中處理完成的基板W的晶片匣1b設置在基板處理裝置1上。在所述狀態下，搬送機器人1c逐片取出基板W（步驟S01），並將其載置於緩衝單元1d（步驟S02）。搬送裝置200的機械手21將載置於緩衝單元1d上的基板W搬入至清洗裝置100的轉子122的正上方，並載置於保持構件130的傾斜面130c上（步驟S03）。
通過照射部134的UV光源134b發光，使UV光照射至伸縮部132（步驟S04）。於是，伸縮部132收縮，因此保持構件130通過施力部133的施加的力朝關閉方向移動，基板W的外緣沿著傾斜面130c被推起而與吸盤銷130d抵接，從而保持基板W（步驟S05）。
旋轉機構12運轉，轉子122旋轉，由此在使由保持構件130保持的基板W旋轉的同時進行清洗處理（步驟S06）。即，供給部15向基板W的被處理面的旋轉中心供給APM並利用堿進行淋洗處理後，通過供給DIW進行純水淋洗處理，從而停止旋轉。
在搬送裝置200的機械手21插入至基板W的下方並對基板W進行支撐後，照射部134的可見光光源134c發光，從而向伸縮部132照射可見光（步驟S07）。於是，收縮的伸縮部132膨脹而恢復至原來的體積，因此保持構件130對抗施力部133的施加的力朝打開方向移動（步驟S08）。然後，機械手21在使通過DIW而覆液後的基板W上升後，搬出至腔室1a的外部，並搬入至乾燥裝置300（步驟S09）。
在乾燥裝置300中，對從乾燥室31的開口31a搬入的基板W進行乾燥處理（步驟S10）。即，在使由支撐部32的保持構件32b保持的基板W旋轉的同時，利用供給部34供給DIW，然後通過供給部35供給作為揮發性溶劑的IPA來作為處理液L，從而將DIW置換為IPA。之後，通過利用加熱部36的燈36a點亮規定時間，將基板W急速加熱至發生萊頓弗羅斯特現象的溫度。由此，進行瞬間去除IPA的液膜的乾燥處理。
停止利用加熱部36的加熱並進行冷卻，在停止基板W的旋轉後，搬送裝置200將基板W從開口31a搬出，並載置於緩衝單元1d（步驟S11）。搬送機器人1c將處理完成的基板W從緩衝單元1d返回至晶片匣1b（步驟S12）。
[效果] （1）如以上那樣的本實施方式的基板處理裝置1具有：支撐部13，對基板W進行支撐；旋轉機構12，使支撐於支撐部13的基板W旋轉；以及供給部15，向基板W供給處理液L，支撐部13具有：保持構件130，通過沿接近或離開基板W的方向進退來保持及釋放基板W；伸縮部132，包含光刺激響應性材料，根據伸縮使保持構件130進退；以及照射部134，對伸縮部132照射使伸縮部132伸縮的波長的光。
如此，可通過對光刺激響應性材料照射光來使保持及釋放基板W的保持構件130進退，因此與機械吸盤或真空吸盤的情況相比，可使支撐部13輕量化，可減少旋轉機構12的負荷，因此可使旋轉穩定。另外，由於使用光以使保持構件130進退，故不妨礙旋轉機構12的旋轉。進而，由於可通過光遠程操作保持構件130，因此也可在基板W的與被處理面相反側的面上設置空間，增加使噴嘴15a擺動進行清洗等設計或工藝的自由度。
（2）旋轉機構12具有：轉子122，設置有支撐部13；以及定子123，使轉子122以非接觸的方式旋轉。如此，以非接觸的方式旋轉的轉子122的旋轉容易變得不穩定，但由於可使支撐部13輕量化而實現轉子122的輕量化，因此可使旋轉穩定。特別是只要使伸縮部132伸縮的照射部134以非接觸的方式照射光即可，因此不需要傳送電力以使保持構件130進退的纜線等。
（3）旋轉機構12通過磁氣使轉子122旋轉。如此，即便是利用磁氣的旋轉機構12，由於使保持構件130進退的伸縮部132為光刺激響應性材料，因此也不會產生磁力干涉。因此，可將保持構件130配置在接近旋轉機構12的位置，可抑制裝置的大型化。如此，由於不需要考慮磁力干涉，因此增加保持構件130的配置的自由度。另外，不需要加長旋轉的軸，也不會導致旋轉的不穩定化。
（4）具有施力部133，所述施力部133對抗伸縮部132伸張的方向而對保持構件130賦予施加的力。因此，可順利地進行保持構件130朝與伸縮部132伸張的方向相反的方向的移動。另外，通過利用施力部133的施加的力保持基板W，可利用強的保持力穩定地保持基板W，從而可減少吸盤脫落。
（5）照射部134包含波長不同的兩種光源。作為兩種光源，例如使用UV光源134b、可見光光源134c。因此，不需要可移動的機構部分，僅對兩種光源的發光進行控制，便可切換保持構件130對基板W的保持及釋放。而且，由於可通過光源的發光控制使保持構件130運行，因此也容易進行多個保持構件130的同步。
（6）光源包含激光光源。因此，由於光的指向性高，因此可效率良好地照射至被定位的伸縮部132，可防止進入操作者的視野的可能性。例如，如所述實施方式那樣，與保持構件130進退的水平方向不同，從下方朝向上方照射，由此光不易從裝置的側方漏出。
（變形例） 本實施方式並不限定於所述那樣的形態，也能夠構成以下的變形例。
（1）也可在旋轉機構12使基板W旋轉進行處理的期間，切換對基板W進行保持的支撐部13。例如，如圖8所示，在夾著支撐部13而相向的位置（上下）配置兩個照射部134。另外，如圖4所示，將多個支撐部13區分為交替存在的α與β。而且，例如關於α的支撐部13，如圖9的（A）、圖9的（B）所示，構成為從下側的照射部134向下側的窗部131d入射的光照射至伸縮部132。關於β的支撐部13，如圖9的（C）、圖9的（D）所示，構成為從上側的照射部134向上側的窗部131d入射的光照射至伸縮部132。此外，將下側的照射部134及α的支撐部13稱為第一照射部及第一支撐部。另外，將上側的照射部134及β的支撐部13稱為第二照射部及第二支撐部。
此外，在圖9的（A）～圖9的（D）中，構成為：以光能夠入射的方式，伸縮部132的位置與施力部133的位置和圖4所示的形態相反，通過伸縮部132對保持構件130向關閉位置施力，通過施力部133對保持構件130向打開位置施力。因此，在處於關閉位置時照射可見光，在處於打開位置時照射UV光。
在以上的形態中，在搬入基板W時，通過來自兩個照射部134的可見光的照射，可使所有的保持構件130處於保持基板W的關閉位置。在搬出基板W時，通過來自兩個照射部134的UV光的照射，可使所有的保持構件130處於從基板W釋放的打開位置。
但是，在通過轉子122使基板W旋轉的同時進行處理時，例如反復進行由所有的保持構件130進行保持→由α的保持構件130進行保持→由所有的保持構件130進行保持→由β的保持構件130進行保持的動作。即，通過自利用所有的保持構件130對基板W進行保持的狀態，從下側的照射部134照射UV光，僅使α的保持構件130遠離基板W。接下來，通過從下側的照射部134照射可見光，使所有的保持構件130恢復至對基板W進行保持的狀態。然後，通過從上側的照射部134照射UV光，僅使β的保持構件130遠離基板W。進而，通過從上側的照射部134照射可見光，使所有的保持構件130恢復至對基板W進行保持的狀態。
如此，通過在維持旋轉過程中的基板W的保持的同時，使一部分保持構件130遠離基板W，可減少處理液L滯留在基板W與保持構件130的接觸部位而損害基板W表面的處理均勻性的情況。此外，在所述情況下，優選為將照射部134的光源設為指向性低的發光二極管（light emitting diode，LED）。或者，優選為在周向上連續配置比所述實施方式多的UV光源134b及可見光光源134c。由此，即便在旋轉過程中，也能夠容易使光從窗部131d入射至伸縮部132。
（2）如圖10的（A）所示，也可在收容伸縮部132的施力室131b的內壁設置使光反射的反射鏡131e。由此，從窗部131d射入的光被反射鏡131e反射，也照射至伸縮部132的裡側，因此可提高伸縮效率或響應性。
（3）如圖10的（B）、圖10的（C）所示，也可構成為通過在保持構件130設置覆蓋引導室131a的上端的開口的罩130e，可防止處理液L向收容體131內流入。特別是如圖10的（C）所示，也可構成為在罩130e與收容體131的外壁之間形成由彎曲的通氣路形成的迷宮結構。
（4）也可設置處理液L不易滯留的結構。例如，如圖10的（C）所示，也可將收容體131的上表面設為朝向外緣變低的傾斜面。另外，如圖11所示，也可通過將照射部134中的框架134a的罩134d的上表面設為向上凸出的曲面，形成朝向外緣變低的傾斜面。
（5）照射部134的光源的配置並不限定於所述例示的形態。例如，如圖12所示，可將作為UV光源134b、可見光光源134c的微小的發光元件密集地配置在特定部位，可從大致相同的部位射出不同波長的光。另外，也可將與圖12相同的配置的UV光源134b與可見光光源134c鋪設在環狀的框架134a的整個區域。通過在框架134a的整個區域鋪設微小的發光元件，整體上可構成環狀的UV光源與環狀的可見光光源。在所述情況下，在俯視時框架134a與保持構件130的窗部131d所描繪的軌道重疊。結果，無論α或β的保持構件130位於哪個位置，均可將下側或上側的照射部134的光照射至α或β的保持構件130內部的伸縮部132。
（6）作為旋轉機構12，並不限定於磁懸浮式機構，不限定於以非接觸的方式使轉子122旋轉的機構。也可應用圖2例示那樣的馬達驅動的旋轉台32a。
（7）關於作為基板處理裝置1中的處理對象的基板W及處理液L，也不限定於所述例示者。另外，基板處理裝置1中的處理也不限定於所述例示的處理。例如，基板處理裝置1可進行蝕刻處理而代替清洗處理。在所述情況下，處理液L也可為混合了磷酸或硫酸與過氧化氫水的藥液（硫酸過氧化氫混合物（sulfuric acid hydrogen peroxide mixture，SPM））。
[其他實施方式] 以上對本發明的實施方式及各部的變形例進行了說明，但所述實施方式或各部的變形例是作為一例來提示，並非意圖限定發明的範圍。上文所述的這些新穎的實施方式能夠以其他各種形態加以實施，可在不脫離發明主旨的範圍內進行各種省略、置換、變更。這些實施方式及其變形包含在發明的範圍或主旨內，並且包含在權利要求書記載的發明中。
1:基板處理裝置 1a:腔室 1b:晶片匣 1c:搬送機器人 1d:緩衝單元 11:清洗室 11a:開口 11b:門 12:旋轉機構 13:支撐部 14:杯體 15:供給部 15a、34a、35a:噴嘴 20:處理裝置 21:機械手 22:移動機構 31:乾燥室 31a:開口 31b:門 31c:導入口 31d:排出口 32:支撐部 32a:旋轉台 32b:保持構件 33:驅動機構 34、35:供給部 36:加熱部 36a:燈 37:杯體 100:清洗裝置 122:轉子 122a:貫通孔 123:定子 130:保持構件 130a:活塞部 130b:柱部 130c:傾斜面 130d:吸盤銷 130e:罩 131:收容體 131a:引導室 131b:施力室 131c:施力室 131d:窗部 131e:反射鏡 132:伸縮部 133:施力部 134:照射部 134a:框架 134b:UV光源 134c:可見光光源 134d:罩 200:搬送裝置 300:乾燥裝置 400:控制裝置 L:處理液（清洗液） S01～S12:步驟 W:基板
圖1是表示實施方式的基板處理裝置的簡化結構圖。 圖2是表示圖1的基板處理裝置的清洗裝置及乾燥裝置的結構圖。 圖3是表示清洗裝置的內部結構圖的縱剖面圖。 圖4是表示旋轉體、支撐部及照射部的平面圖。 圖5的（A）、圖5的（B）是圖4的A-A箭視剖面圖。 圖6是圖4的B-B箭視剖面圖。 圖7是表示實施方式的基板處理的程序的流程圖。 圖8是表示在處理過程中切換對基板進行保持的保持構件的變形例的內部結構圖。 圖9的（A）～圖9的（D）是表示圖8的變形例中使用的支撐部的剖面圖。 圖10的（A）～圖10的（C）是表示支撐部的變形例的剖面圖。 圖11是表示照射部的變形例的剖面圖。 圖12是表示光源配置的變形例的平面圖。
1:基板處理裝置
1a:腔室
1b:晶片匣
1c:搬送機器人
1d:緩衝單元
20:處理裝置
21:機械手
22:移動機構
100:清洗裝置
200:搬送裝置
300:乾燥裝置
400:控制裝置
W:基板

Claims (10)

  1. 一種基板處理裝置，其特徵在於，具有： 支撐部，對基板進行支撐； 旋轉機構，使支撐於所述支撐部的所述基板旋轉；以及 供給部，向所述基板供給處理液， 所述支撐部具有： 保持構件，通過沿接近或離開所述基板的方向進退來保持及釋放所述基板； 伸縮部，包含光刺激響應性材料，根據伸縮使所述保持構件進退；以及 照射部，對所述伸縮部照射使所述伸縮部伸縮的波長的光。
  2. 如請求項1所述的基板處理裝置，其特徵在於， 所述旋轉機構具有： 轉子，設置有所述支撐部；以及 定子，使所述轉子以非接觸的方式旋轉。
  3. 如請求項2所述的基板處理裝置，其特徵在於，所述旋轉機構通過磁氣使所述轉子旋轉。
  4. 如請求項1所述的基板處理裝置，其特徵在於，所述照射部包含所述波長不同的兩種光源。
  5. 如請求項2所述的基板處理裝置，其特徵在於，所述照射部包含所述波長不同的兩種光源。
  6. 如請求項4所述的基板處理裝置，其特徵在於，兩種所述光源包含紫外線光源、可見光光源。
  7. 如請求項6所述的基板處理裝置，其特徵在於，所述光刺激響應性材料是當受到紫外線光的照射時體積收縮，當在體積收縮的狀態下受到可見光的照射時恢復到原來的體積的材料。
  8. 如請求項4至7中任一項所述的基板處理裝置，其特徵在於，所述光源包含激光光源。
  9. 如請求項4至7中任一項所述的基板處理裝置，其特徵在於，所述光源包含發光二極管。
  10. 如請求項1至7中任一項所述的基板處理裝置，其特徵在於，具有施力部，所述施力部對抗所述伸縮部伸張的方向而對所述保持構件賦予施力。
TW112106015A 2022-03-09 2023-02-20 基板處理裝置 TW202336849A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022-036689 2022-03-09
JP2022036689A JP2023131751A (ja) 2022-03-09 2022-03-09 基板処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202336849A true TW202336849A (zh) 2023-09-16

Family

ID=87915736

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW112106015A TW202336849A (zh) 2022-03-09 2023-02-20 基板處理裝置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2023131751A (zh)
KR (1) KR20230132700A (zh)
CN (1) CN116741698A (zh)
TW (1) TW202336849A (zh)

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07169732A (ja) 1993-12-13 1995-07-04 Ebara Corp ウエハ洗浄装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20230132700A (ko) 2023-09-18
CN116741698A (zh) 2023-09-12
JP2023131751A (ja) 2023-09-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101580707B1 (ko) 액 처리 장치, 액 처리 방법 및 그 액 처리 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 기록 매체
KR101590661B1 (ko) 액처리 장치, 액처리 방법 및 기억 매체
US9307653B2 (en) Substrate cleaning method, substrate cleaning apparatus and storage medium for cleaning substrate
JP6222817B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
KR102433558B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US9555452B2 (en) Substrate treatment method and substrate treatment apparatus
US20140060573A1 (en) Substrate treatment method and substrate treatment apparatus
JP2011204944A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP7160624B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
CN108701602B (zh) 基板处理装置
TW202336849A (zh) 基板處理裝置
KR102343636B1 (ko) 기판 처리 장치
JP7182880B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
CN107851571B (zh) 基板处理方法及基板处理装置
JP7182879B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
KR102276002B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
TWI830265B (zh) 基板處理方法以及基板處理裝置
KR20230053160A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US20230176485A1 (en) Apparatus for treating substrate and method for treating substrate
KR20230053158A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP6885753B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP6740359B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
KR20230098470A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
TW202414571A (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
KR20230053155A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법