CN116736508A - 晶圆对焦方法、电子设备及存储介质 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种晶圆对焦方法、电子设备及存储介质。该晶圆对焦方法包括：对吸附于陶瓷吸盘载台表面的晶圆标准片进行扫描，得到晶圆标准片的每一坐标位置对应的参考高度数据；基于每一坐标位置对应的参考高度数据确定陶瓷吸盘载台的平面度数据；以及基于平面度数据调节待测晶圆样片的对焦距离。利用本申请提供的技术方案，能够适配于陶瓷吸盘载台进行自动对焦，降低晶圆检测成本，提升晶圆检测精度。

Description

晶圆对焦方法、电子设备及存储介质

技术领域

本申请一般涉及视觉检测技术领域。更具体地，本申请涉及一种晶圆对焦方法、电子设备及存储介质。

背景技术

半导体晶圆自动化光学检测系统越来越收到晶圆厂家的青睐，随着光刻机的高速发展，目前所能刻蚀的最小线宽越来越小。刻蚀技术的提高也要求自动光学检测设备随之提高光学分辨率。现今的显微物镜已经由之前2X、5X级别提高到了现在的10X、20X级别，而随着显微镜倍率的提高，显微镜的景深也随之减小，10X、20X级别的显微镜景深仅有几微米，因此采用自动对焦是一个必须的选择。

现有对晶圆进行检测的机台中可以使用陶瓷吸盘载台来作为晶圆的载物台，用于对晶圆进行吸附固定。但是陶瓷吸盘载台的陶瓷材料对光的反射率较低，导致现有的自动对焦系统不适用于陶瓷吸盘载台来进行自动对焦。同时地，现有的自动对焦系价格昂贵，采用其进行检测的成本较高。

有鉴于此，亟需提供一种创新的晶圆对焦方法，以便适配于陶瓷吸盘载台进行自动对焦，降低晶圆检测成本，提升晶圆检测精度。

发明内容

为了至少解决如上所提到的一个或多个技术问题，本申请提出了晶圆对焦方法、电子设备及存储介质。该晶圆对焦方法，能够适配于陶瓷吸盘载台进行自动对焦，降低晶圆检测成本，提升晶圆检测精度。

在第一方面中，本申请提供一种晶圆对焦方法，包括：对吸附于陶瓷吸盘载台表面的晶圆标准片进行扫描，得到晶圆标准片的每一坐标位置对应的参考高度数据；基于每一坐标位置对应的参考高度数据确定陶瓷吸盘载台的平面度数据；以及基于平面度数据调节待测晶圆样片的对焦距离。

在一些实施例中，基于每一坐标位置对应的参考高度数据确定陶瓷吸盘载台的平面度数据包括：基于每一坐标位置对应的参考高度数据形成点云数据；对点云数据进行拟合处理，得到高度曲面数据；以及将高度曲面数据作为平面度数据。

在一些实施例中，基于每一坐标位置对应的参考高度数据形成点云数据包括：将每一坐标位置对应的参考高度数据和每一坐标位置的坐标信息导入点云文件，形成点云数据。

在一些实施例中，对点云数据进行拟合处理包括：通过最小二乘法对点云数据进行拟合处理。

在一些实施例中，通过最小二乘法对点云数据进行拟合处理包括：构建曲面模型；曲面模型为，其中，A、B、C、D、E和F为曲面系数；基于最小二乘法和点云数据对曲面模型进行拟合以确定曲面系数。

在一些实施例中，基于平面度数据调节待测晶圆样片的对焦距离包括：基于平面度数据确定待测晶圆样片当前坐标位置对应的参考高度数据；以及根据待测晶圆样片当前坐标位置对应的参考高度数据调整对焦距离。

在一些实施例中，根据待测晶圆样片当前坐标位置对应的参考高度数据调整对焦距离包括：根据待测晶圆样片当前坐标位置对应的参考高度数据调节对焦运动执行机构的高度数据。

在一些实施例中，对吸附于陶瓷吸盘载台表面的晶圆标准片进行扫描包括：设置扫描路径和扫描步长；以及通过激光位移传感器，基于扫描路径和扫描步长对吸附于陶瓷吸盘载台表面的晶圆标准片进行扫描。

在第二方面中，本申请提供一种电子设备，包括：

处理器；以及存储器，其上存储有用于晶圆对焦的程序代码，当所述程序代码被所述处理器执行时，使所述电子设备实现如上所述的方法。

在第三方面中，本申请提供一种非暂时性机器可读存储介质，其上存储有用于晶圆对焦的程序代码，当所述程序代码由处理器执行时，能够实现如上所述的方法。

本申请提供的技术方案可以包括以下有益效果：

本申请提供的晶圆对焦方法、电子设备及存储介质，通过对吸附于陶瓷吸盘载台表面的晶圆标准片进行扫描，得到晶圆标准片的每一坐标位置对应的参考高度数据。由于晶圆标准片上料至陶瓷吸盘载台后，陶瓷吸盘载台会对晶圆标准片进行真空吸附，从而晶圆标准片会紧贴在陶瓷吸盘载台上，因此晶圆标准片的平面度能够和陶瓷吸盘载台的平面度保持一致。进而可以基于晶圆标准片的每一坐标位置对应的参考高度数据确定陶瓷吸盘载台的平面度数据。从而规避了陶瓷吸盘载台的陶瓷材料对光的反射率较低而无法实现自动对焦的缺点，同时由于晶圆标准片与实际的待测晶圆样片规格基本一致，因此能够依据该平面度数据来对待测晶圆样片进行对焦距离的调整。

进一步地，本申请可以基于平面度数据调节待测晶圆样片的对焦距离，由于晶圆标准片的每一坐标位置对应的参考高度数据已标定成为该平面度数据，因此在调节待测晶圆样片的对焦距离时只需要根据标定好的平面度数据进行实时移动对焦即可，从而减少了计算偏差补偿高度带来的时间损耗，大大提升了待测晶圆样片在检测过程中的对焦速度，提升晶圆检测效率和晶圆检测精度。

总的来说，本申请能够适配于陶瓷吸盘载台进行自动对焦，降低晶圆检测成本，提升晶圆检测精度。

附图说明

通过参考附图阅读下文的详细描述，本申请示例性实施方式的上述以及其他目的、特征和优点将变得易于理解。在附图中，以示例性而非限制性的方式示出了本申请的若干实施方式，并且相同或对应的标号表示相同或对应的部分，其中：

图1示出了本申请一些实施例的晶圆对焦方法的示例性流程图；

图2示出了本申请另一些实施例的晶圆对焦方法的示例性流程图；

图3示出了本申请再一些实施例的晶圆对焦方法的示例性流程图；

图4是本申请实施例示出的电子设备的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。为了说明的简单和清楚，在认为合适的情况下，可以在附图中重复附图标记以指示对应或类似的元件。另外，本申请阐述了许多具体细节以便提供对本文所述实施例的透彻理解。然而，本领域普通技术人员将理解，可以在没有这些具体细节的情况下实践本文描述的实施例。在其他情况下，没有详细描述公知的方法、过程和组件，以免模糊本文描述的实施例。而且，该描述不应被视为限制本文描述的实施例的范围。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

应当理解，本申请披露的权利要求、说明书及附图中的可能术语“第一”或“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。本申请的说明书和权利要求书中使用的术语“包括”和“包含”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。

还应当理解，在此本申请说明书中所使用的术语仅仅是出于描述特定实施例的目的，而并不意在限定本申请。如在本申请说明书和权利要求书中所使用的那样，除非上下文清楚地指明其它情况，否则单数形式的“一”、“一个”及“该”意在包括复数形式。还应当进一步理解，在本申请说明书和权利要求书中使用的术语“和/或”是指相关联列出的项中的一个或多个的任何组合以及所有可能组合，并且包括这些组合。

如在本说明书和权利要求书中所使用的那样，术语“如果”可以依据上下文被解释为“当... 时”或“一旦”或“响应于确定”或“响应于检测到”。类似地，短语“如果确定”或“如果检测到[所描述条件或事件]”可以依据上下文被解释为意指“一旦确定”或“响应于确定”或“一旦检测到[所描述条件或事件]”或“响应于检测到[所描述条件或事件]”。

刻蚀技术的提高也要求自动光学检测设备随之提高光学分辨率。现今的显微物镜已经由之前2X、5X级别提高到了现在的10X、20X级别，而随着显微镜倍率的提高，显微镜的景深也随之减小，10X、20X级别的显微镜景深仅有几微米，因此采用自动对焦是一个必须的选择。现有对晶圆进行检测的机台中可以使用陶瓷吸盘载台来作为晶圆的载物台，用于对晶圆进行吸附固定。但是陶瓷吸盘载台的陶瓷材料对光的反射率较低，导致现有的自动对焦系统不适用于陶瓷吸盘载台来进行自动对焦。同时地，现有的自动对焦系价格昂贵，采用其进行检测的成本较高。

有鉴于此，亟需提供一种创新的晶圆对焦方法，以便适配于陶瓷吸盘载台进行自动对焦，降低晶圆检测成本，提升晶圆检测精度。

下面结合附图来详细描述本申请的具体实施方式。

图1示出了本申请一些实施例的晶圆对焦方法的示例性流程图，请参阅图1，本申请实施例示出的晶圆对焦方法可以包括：

在步骤S101中，对吸附于陶瓷吸盘载台表面的晶圆标准片进行扫描，得到晶圆标准片的每一坐标位置对应的参考高度数据。前述的陶瓷吸盘载台是用于放置晶圆标准片或待测晶圆样片的，材质为陶瓷的载物台，其能够对放置在其表面上的晶圆标准片或待测晶圆样片进行真空吸附，以达到固定晶圆标准片或待测晶圆样片的效果。

在本申请实施例中，对待测晶圆样片进行检测的机台可以包含但不限于具有X轴、Y轴、Z轴和R轴的运动机构、陶瓷吸盘载台和显微镜等部件。其中，X轴、Y轴、R轴和陶瓷吸盘载台可以位于机台台面，X轴、Y轴和R轴用于输送晶圆标准片或待测晶圆样片，陶瓷吸盘载台用于吸附固定晶圆标准片或待测晶圆样片。由于X轴、Y轴和R轴在生产过程只能将每个轴的直线度和平面度做到一定参数范围内，同时陶瓷载台也有一定平面度参数，通常陶瓷载台的平面度为3μm-5μm。因此，当X轴、Y轴、R轴和陶瓷吸盘载台生产出来后，就会在固定的位置有固定的平面度数据。当X轴、Y轴和R轴进行运动扫描时，整个陶瓷吸盘载台都会上下跳动，整个机台扫描区域的高度方向跳动数据通常在10μm左右。在这种情况下，若显微镜达到10X、20X的级别时，容易造成对焦不准确的情况。

进一步地，由于陶瓷吸盘载台的材质是陶瓷，陶瓷材料对光的反射率较低，因此在本申请实施例中需要借助晶圆标准片来对陶瓷吸盘载台的平面度进行预扫描。通过对晶圆标准片进行扫描，从而能够搜集获取得到晶圆标准片中的每一坐标位置对应的参考高度数据。可以理解的是，在本申请实施例中，该参考高度数据为显微镜在每一坐标位置处能够清晰对焦的高度数据。

在步骤S102中，基于每一坐标位置对应的参考高度数据确定陶瓷吸盘载台的平面度数据。在本申请实施例中，可以基于每一坐标位置对应的参考高度数据确定陶瓷吸盘载台的曲面数据，然后将该曲面数据作为陶瓷吸盘载台的平面度数据。

在步骤S103中，基于平面度数据调节待测晶圆样片的对焦距离。在本申请实施例中，可以理解的是，由于晶圆标准片的每一坐标位置对应的参考高度数据已标定成为该平面度数据，因此在调节待测晶圆样片的对焦距离时只需要根据标定好的平面度数据进行实时移动对焦即可，即是将对焦距离调节成为平面度数据中在当前坐标位置下对应的高度数据。

本申请提供的晶圆对焦方法、电子设备及存储介质，通过对吸附于陶瓷吸盘载台表面的晶圆标准片进行扫描，得到晶圆标准片的每一坐标位置对应的参考高度数据。由于晶圆标准片上料至陶瓷吸盘载台后，陶瓷吸盘载台会对晶圆标准片进行真空吸附，从而晶圆标准片会紧贴在陶瓷吸盘载台上，因此晶圆标准片的平面度能够和陶瓷吸盘载台的平面度保持一致。进而可以基于晶圆标准片的每一坐标位置对应的参考高度数据确定陶瓷吸盘载台的平面度数据。从而规避了陶瓷吸盘载台的陶瓷材料对光的反射率较低而无法实现自动对焦的缺点，同时由于晶圆标准片与实际的待测晶圆样片规格基本一致，因此能够依据该平面度数据来对待测晶圆样片进行对焦距离的调整。进一步地，本申请可以基于平面度数据调节待测晶圆样片的对焦距离，由于晶圆标准片的每一坐标位置对应的参考高度数据已标定成为该平面度数据，因此在调节待测晶圆样片的对焦距离时只需要根据标定好的平面度数据进行实时移动对焦即可，从而减少了计算偏差补偿高度带来的时间损耗，大大提升了待测晶圆样片在检测过程中的对焦速度，提升晶圆检测效率和晶圆检测精度。总的来说，本申请能够适配于陶瓷吸盘载台进行自动对焦，降低晶圆检测成本，提升晶圆检测精度。

在一些实施例中，可以通过激光位移传感器来对晶圆标准片进行扫描，以确定陶瓷吸盘载台的平面度数据。下文将结合图2来对陶瓷吸盘载台的平面度数据的确定步骤进行详细描述。图2示出了本申请另一些实施例的晶圆对焦方法的示例性流程图，请参阅图2，本申请实施例示出的晶圆对焦方法可以包括：

在步骤S201中，对吸附于陶瓷吸盘载台表面的晶圆标准片进行扫描，得到晶圆标准片的每一坐标位置对应的参考高度数据。前述的激光位移传感器是指利用激光技术进行测量的传感器，其可以由激光器、激光检测器和测量电路组成，能够精确非接触测量被测物体的位置、位移等变化。

本申请实施例中，可以将激光位移传感器安装于显微镜前端，进而设置激光位移传感器在晶圆标准片的扫描路径，并且设置运动机构的扫描步长，进而能够通过运动机构带动激光位移传感器沿扫描路径进行运动，从而通过激光位移传感器，基于扫描路径和扫描步长对吸附于陶瓷吸盘载台表面的晶圆标准片进行扫描。同时地，在扫描过程中记录每一坐标位置对应的参考高度数据。

在步骤S202中，基于每一坐标位置对应的参考高度数据形成点云数据。在本申请实施例中，可以通过3D软件，将每一坐标位置对应的参考高度数据和每一坐标位置的坐标信息导入点云文件，形成点云数据。前述的3D软件示例性地可以是3ds MAX，可以理解的是，在实际应用中，能够形成点云数据的软件是多样的，需根据实际应用情况确定合适的软件，本申请在此方面不作任何限制。

在步骤S203中，对点云数据进行拟合处理，得到高度曲面数据并将高度曲面数据作为平面度数据。点云拟合曲面算法是将点云数据拟合成一个二次或高次曲面模型的算法。在本申请实施例中，可以通过最小二乘法对点云数据进行拟合处理。最小二乘法是通过最小化点到曲面距离的平方和来拟合曲面模型。可以理解的是，在实际应用中，还可以采用三角剖分算法、隐式曲面算法、基于贝叶斯学习的算法和深度学习算法等方式来对点云数据进行拟合处理，需根据实际应用情况来选择合适的方式来进行点云数据的拟合，本申请在此方面不作任何限制。

作为示例，通过最小二乘法对点云数据进行拟合处理可以具体包括：首先构建曲面模型。示例性地，曲面模型可以为，其中，A、B、C、D、E和F为曲面系数。然后，可以基于最小二乘法和点云数据对曲面模型进行拟合以确定曲面系数。具体地，第一步可以在点云数据中选取一组控制点作为曲面的控制网格，并根据这些控制点生成曲面网格。第二步可以针对于点云数据中的每个点计算每个点分别到曲面的距离。第三步可以通过最小化点到曲面的距离的平方和来求解曲面系数。第四步可以重复第二步至第三步的执行内容，直至拟合误差达到预设的精度要求。

可以理解的是，通过最小二乘法对点云数据进行拟合处理的具体处理方式可以是多样的，还可以通过Point cloud to NURBS软件来拟合NURBS曲面模型，其拟合NURBS曲面模型的算法也是基于最小二乘法，具体来说，该算法将点云数据视为一个离散的数据集，然后通过最小化点到曲面的距离的平方和来拟合NURBS曲面模型，使得拟合的NURBS曲面与点云数据之间的误差最小。在实际应用中，需根据实际应用情况来选择合适的方式来进行拟合处理，本申请在此方面不作任何限制。

在一些实施例中，可以将平面度数据作为实时自动对焦的数据依据。下文将结合图3来对待测晶圆样片的对焦距离的调整过程进行详细描述。图3示出了本申请再一些实施例的晶圆对焦方法的示例性流程图，请参阅图3，本申请实施例示出的晶圆对焦方法可以包括：

在步骤S301中，基于平面度数据确定待测晶圆样片当前坐标位置对应的参考高度数据。在本申请实施例中，由于待测晶圆样片与晶圆标准片的规格是一致的，因此，待测晶圆样片上的各个坐标位置与晶圆标准片上的各个坐标位置是一一对应的。从而在待测晶圆样片的检测过程中，当显微镜经过当前的坐标位置时，可以利用当前坐标位置的坐标信息在平面度数据中映射确定得到相应的参考高度数据，该参考高度数据可以作为显微镜实时自动对焦的数据依据，可以实现物显微镜至待测晶圆样片的距离与显微镜至晶圆标准片的距离一致。

在步骤S302中，根据待测晶圆样片当前坐标位置对应的参考高度数据调整对焦距离。具体地，可以根据待测晶圆样片当前坐标位置对应的参考高度数据调节对焦运动执行机构（即Z轴）的高度数据，从而实现对焦距离的调整。可以理解的是，由于有参考高度数据作为数据依据，因此在待测晶圆样片的检测过程中是无需开启激光位移传感器的，只需要依据参考高度数据来实时调整对焦运动执行机构的高度数据即可实现实时对焦。由于在检测过程中减少了获取激光位移传感器的耗时，同时减少了计算高度偏差和将高度偏差传输至对焦运动执行机构的耗时，因此在检测过程中能够极大提升晶圆对焦效率，从而提升了晶圆检测效率，降低了对焦成本。

与前述应用功能实现方法实施例相对应，本申请还提供了一种用于执行晶圆对焦方法的电子设备及相应的实施例。

图4示出可以实施本申请实施例的晶圆对焦方法的电子设备400的硬件配置的框图。如图4所示，电子设备400可以包括处理器410和存储器420。在图4的电子设备400中，仅示出了与本实施例有关的组成元素。因此，对于本领域普通技术人员而言显而易见的是：电子设备400还可以包括与图4中所示的组成元素不同的常见组成元素。比如：定点运算器。

电子设备400可以对应于具有各种处理功能的计算设备，例如，用于生成神经网络、训练或学习神经网络、将浮点型神经网络量化为定点型神经网络、或者重新训练神经网络的功能。例如，电子设备400可以被实现为各种类型的设备，例如个人计算机（PC）、服务器设备、移动设备等。

处理器410控制电子设备400的所有功能。例如，处理器410通过执行电子设备400上的存储器420中存储的程序，来控制电子设备400的所有功能。处理器410可以由电子设备400中提供的中央处理单元(CPU)、图形处理单元(GPU)、应用处理器(AP)、人工智能处理器芯片（IPU）等来实现。然而，本申请不限于此。

在一些实施例中，处理器410可以包括输入/输出（I/O）单元411和计算单元412。I/O单元411可以用于接收各种数据，例如晶圆标准片的每一坐标位置对应的参考高度数据。示例性地，计算单元412可以用于基于经由I/O单元411接收的每一坐标位置对应的参考高度数据确定陶瓷吸盘载台的平面度数据；进而基于平面度数据调节待测晶圆样片的对焦距离。此平面度数据例如可以由I/O单元411输出。输出数据可以提供给存储器420以供其他设备（未示出）读取使用，也可以直接提供给其他设备使用。

存储器420是用于存储电子设备400中处理的各种数据的硬件。例如，存储器420可以存储电子设备400中的处理过的数据和待处理的数据。存储器420可存储处理器410已处理或要处理的晶圆对焦方法过程中涉及的数据集，例如，晶圆标准片的每一坐标位置对应的参考高度数据等。此外，存储器420 可以存储要由电子设备400驱动的应用、驱动程序等。例如：存储器420可以存储与将由处理器410执行的晶圆对焦方法有关的各种程序。存储器420可以是DRAM，但是本申请不限于此。存储器420可以包括易失性存储器或非易失性存储器中的至少一种。非易失性存储器可以包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存、相变RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻RAM(RRAM)、铁电RAM (FRAM)等。易失性存储器可包括动态RAM(DRAM)、静态RAM(SRAM)、同步DRAM(SDRAM)、PRAM、MRAM、RRAM、铁电RAM(FeRAM)等。在实施例中，存储器420可以包括硬盘驱动器(HDD)、 固态驱动器(SSD)、高密度闪存(CF)、安全数字(SD)卡、微安全数字(Micro-SD)卡、迷你安全数字(Mini-SD)卡、极限数字(xD)卡、高速缓存（caches）或记忆棒中的至少一项。

综上，本说明书实施方式提供的电子设备400的存储器420和处理器410实现的具体功能，可以与本说明书中的前述实施方式相对照解释，并能够达到前述实施方式的技术效果，这里便不再赘述。

在本实施方式中，处理器410可以按任何适当的方式实现。例如，处理器410可以采取例如微处理器或处理器以及存储可由该（微）处理器执行的计算机可读程序代码（例如软件或固件）的计算机可读介质、逻辑门、开关、专用集成电路（Application SpecificIntegrated Circuit，ASIC）、可编程逻辑控制器和嵌入微控制器的形式等等。

还应当理解，本文示例的执行指令的任何模块、单元、组件、服务器、计算机、终端或设备可以包括或以其他方式访问计算机可读介质，诸如存储介质、计算机存储介质或数据存储设备（可移除的）和/或不可移动的）例如磁盘、光盘或磁带。计算机存储介质可以包括以用于存储信息的任何方法或技术实现的易失性和非易失性，可移动和不可移动介质，例如计算机可读指令、数据结构、程序模块或其他数据。

虽然本文已经示出和描述了本申请的多个实施例，但对于本领域技术人员显而易见的是，这样的实施例只是以示例的方式来提供。本领域技术人员可以在不偏离本申请思想和精神的情况下想到许多更改、改变和替代的方式。应当理解的是在实践本申请的过程中，可以采用对本文所描述的本申请实施例的各种替代方案。所附权利要求书旨在限定本申请的保护范围，并因此覆盖这些权利要求范围内的等同或替代方案。

Claims (10)

1.一种晶圆对焦方法，其特征在于，包括：

对吸附于陶瓷吸盘载台表面的晶圆标准片进行扫描，得到所述晶圆标准片的每一坐标位置对应的参考高度数据；

基于每一坐标位置对应的参考高度数据确定所述陶瓷吸盘载台的平面度数据；以及

基于所述平面度数据调节待测晶圆样片的对焦距离。

2.根据权利要求1所述的晶圆对焦方法，其特征在于，所述基于每一坐标位置对应的参考高度数据确定所述陶瓷吸盘载台的平面度数据包括：

基于每一坐标位置对应的参考高度数据形成点云数据；

对所述点云数据进行拟合处理，得到高度曲面数据；以及

将所述高度曲面数据作为所述平面度数据。

3.根据权利要求2所述的晶圆对焦方法，其特征在于，所述基于每一坐标位置对应的参考高度数据形成点云数据包括：

将每一坐标位置对应的参考高度数据和每一坐标位置的坐标信息导入点云文件，形成所述点云数据。

4.根据权利要求2所述的晶圆对焦方法，其特征在于，所述对所述点云数据进行拟合处理包括：

通过最小二乘法对所述点云数据进行拟合处理。

5.根据权利要求4所述的晶圆对焦方法，其特征在于，所述通过最小二乘法对所述点云数据进行拟合处理包括：

构建曲面模型；所述曲面模型为，其中，A、B、C、D、E和F为曲面系数；

基于所述最小二乘法和所述点云数据对所述曲面模型进行拟合以确定所述曲面系数。

6. 根据权利要求1所述的晶圆对焦方法，其特征在于，所述基于所述平面度数据调节待测晶圆样片的对焦距离包括：

基于所述平面度数据确定所述待测晶圆样片当前坐标位置对应的参考高度数据；以及

根据所述待测晶圆样片当前坐标位置对应的参考高度数据调整所述对焦距离。

7.根据权利要求6所述的晶圆对焦方法，其特征在于，所述根据所述待测晶圆样片当前坐标位置对应的参考高度数据调整所述对焦距离包括：

根据所述待测晶圆样片当前坐标位置对应的参考高度数据调节对焦运动执行机构的高度数据。

8. 根据权利要求1所述的晶圆对焦方法，其特征在于，所述对吸附于陶瓷吸盘载台表面的晶圆标准片进行扫描包括：

设置扫描路径和扫描步长；以及

通过激光位移传感器，基于所述扫描路径和所述扫描步长对吸附于陶瓷吸盘载台表面的晶圆标准片进行扫描。

9. 一种电子设备，其特征在于，包括：

处理器；以及

存储器，其上存储有用于晶圆对焦的程序代码，当所述程序代码被所述处理器执行时，使所述电子设备实现如权利要求1-8中任一项所述的方法。

10.一种非暂时性机器可读存储介质，其上存储有用于晶圆对焦的程序代码，当所述程序代码由处理器执行时，使得实现如权利要求1-8中任一项所述的方法。