CN116705621A - 一种引线框架及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种引线框架及其制备方法，包括：步骤一、选取铜带基板，并对铜带基板进行电镀前表面预处理；步骤二、将步骤一中铜带基板进行一次曝光，随后对一次曝光后的铜带基板进行电镀处理；步骤三、将电镀后的铜带基板进行退膜清洗，铜带基板清洗完成后进行蚀刻前预处理；步骤四、将步骤三中蚀刻预处理完成的铜带基板进行二次曝光，随后对二次曝光后的铜带基板进行表面蚀刻加工；步骤五、将步骤三中蚀刻加工完成后的铜带基板退膜清洗，烘干后贴带获得成品引线框架；本发明采用先电镀后蚀刻的方式制备引线框架，能够使得引线框架在蚀刻的图形转移工艺中可以做更精准、更小的线距和线宽。
Description
技术领域
本发明涉及引线框架技术领域，具体涉及一种引线框架及其制备方法。
背景技术
引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料(金丝、铝丝、铜丝)实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，是电子信息产业中重要的基础材料。
传统的引线框架采用在铜带基板上打孔的方式实现对引线框架的加工定位，然而打孔的方式进行配合定位时存在定位偏差，从而导致对引线框架芯片加工的精度降低。
发明内容
本发明的目的在于提供一种引线框架及其制备方法，解决现有引线框架加工定位精度低的技术问题。
本发明的目的可以通过以下技术方案实现：
一种引线框架及其制备方法，包括：
步骤一、选取铜带基板，并对铜带基板进行电镀前表面预处理；
步骤二、将步骤一中铜带基板进行一次曝光，随后对一次曝光后的铜带基板进行电镀处理；
步骤三、将电镀后的铜带基板进行退膜清洗，铜带基板清洗完成后进行蚀刻前预处理；
步骤四、将步骤三中蚀刻预处理完成的铜带基板进行二次曝光，随后对二次曝光后的铜带基板进行表面蚀刻加工；
步骤五、将步骤三中蚀刻加工完成后的铜带基板退膜清洗，烘干后贴带获得成品引线框架。
作为本发明进一步的方案：所述铜带基板电镀前表面预处理方法具体包括：
将引线框架铜带基板放入电解液中去除油污，将去除油污的引线框架放入活化溶液中进行活化处理，活化处理的铜带基板表面覆盖一层电镀膜。
作为本发明进一步的方案：所述铜带基板进行电镀处理方法具体包括：
对一次曝光后的引线框架进行显影，显影时间为120～140秒，显影后用清水冲洗并晾；对显影后的引线框架铜带基板表面镀铜，得到镀铜层；于所述镀铜层上第一次镀银，得到预镀银层；于所述预镀银层上第二次镀银，完成对铜带基板的电镀处理。
作为本发明进一步的方案：所述电镀后的铜带基板进行退膜清洗方法具体包括：
对完成电镀处理的引线框架的非功能区电解脱银，电镀完的引线框架进行退膜处理，喷洒去膜水去除引线框架上的电镀膜层，将处理完的引线框架用清水清洗完后晾干。
作为本发明进一步的方案：所述蚀刻前预处理方法具体包括：
将退膜清洗后的引线框架进行二次压膜，通过压膜机将干膜粘附在铜带基板表面，再在干膜的外面放上需要制作的产品图形，盖上盖板后真空固定图形在干膜上。
作为本发明进一步的方案：所述铜带基板进行表面蚀刻加工的方法包括：
对二次曝光后的引线框架进行二次显影，将没有发生光聚合反应的干膜去掉，随后将蚀刻液喷淋到二次显影后的铜带基板表面进行腐蚀，有干膜的地方受到干膜保护不被腐蚀使引线框架成型。
作为本发明进一步的方案：一种引线框架，其由如上所述的引线框架制备方法制备而成。
作为本发明进一步的方案：包括铜带基板，所述铜带基板上设有功能区，所述功能区内均匀设置有若干芯片，所述铜带基板靠近边缘位置设置有多个定位标记。
作为本发明进一步的方案：所述铜带基板上端靠近边缘位置处设置有二维码，所述二维码用于存储该引线框架的信息。
本发明的有益效果：
(1)通过定位标记可以对引线框架的加工进行准确定位，从而确保对引线框架加工的精度。
(2)采用镀银的方式在引线框架上生成二维码，镀银是在引线框架的铜带基板基础上进行镀层，并且利用引线框架铜带基板铜材的颜色与镀银层颜色的差异作为二维码的颜色识别，这种方式一方面可以通过在对引线框架精密图像加工的同时进行二维码的生成，从而提高二维码的生成效率，另一方面利用了铜材本身的特性，并且是采用镀层的方式防止对铜带基板造成损伤，确保了引线框架的自身性能。
(3)区别于传统的引线框架采用先蚀刻后电镀的制备工艺，本申请采用先电镀后蚀刻的方式制备引线框架，能够在需要银镀层的位置精准镀银，避免先蚀后镀工艺采取模具遮蔽不到的侧壁及背面不需要镀银层的地方镀上银，既节省贵金属银，又能让与注塑结合力更好的铜金属露出更多从而改善注塑结合力；同时还能够使得引线框架在蚀刻的图形转移工艺中可以做更精准、更小的线距和线宽，提高产品质量，避免材料浪费，节约成本。
附图说明
下面结合附图对本发明作进一步的说明。
图1是本发明引线框架的结构示意图。
图中：1、铜带基板；2、功能区；3、芯片；4、定位标记；5、二维码。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1所示，一种引线框架，包括铜带基板1，所述铜带基板1上设有功能区2，所述功能区2内均匀设置有若干芯片3，所述铜带基板1靠近边缘位置设置有多个定位标记4。所述铜带基板1上端靠近边缘位置处设置有二维码5，所述二维码5用于存储该引线框架的信息。
其中定位标记4和二维码5均采用电镀的方式加工到铜带基板1上，通过定位标记4可以对引线框架的加工进行准确定位，从而确保对引线框架加工的精度。
采用镀银的方式在引线框架上生成二维码5，镀银是在引线框架的铜带基板1基础上进行镀层，并且利用引线框架铜带基板1铜材的颜色与镀银层颜色的差异作为二维码5的颜色识别，这种方式一方面可以通过在对引线框架精密图像加工的同时进行二维码5的生成，从而提高二维码5的生成效率，另一方面利用了铜材本身的特性，并且是采用镀层的方式防止对铜带基板1造成损伤，确保了引线框架的自身性能。
本发明为一种引线框架及其制备方法，包括：
步骤一、选取铜带基板，并对铜带基板进行电镀前表面预处理；
步骤二、将步骤一中铜带基板进行一次曝光，随后对一次曝光后的铜带基板进行电镀处理；
步骤三、将电镀后的铜带基板进行退膜清洗，铜带基板清洗完成后进行蚀刻前预处理；
步骤四、将步骤三中蚀刻预处理完成的铜带基板进行二次曝光，随后对二次曝光后的铜带基板进行表面蚀刻加工；
步骤五、将步骤三中蚀刻加工完成后的铜带基板退膜清洗，烘干后贴带获得成品引线框架。
区别于传统的引线框架采用先蚀刻后电镀的制备工艺，本申请采用先电镀后蚀刻的方式制备引线框架，能够使得引线框架在蚀刻的图形转移工艺中可以做更精准、更小的线距和线宽，提高产品质量，避免材料浪费，节约成本。
所述铜带基板电镀前表面预处理方法具体包括：
将引线框架铜带基板放入电解液中去除油污，将去除油污的引线框架放入活化溶液中进行活化处理，活化处理的铜带基板表面覆盖一层电镀膜。
所述铜带基板进行电镀处理方法具体包括：
对一次曝光后的引线框架进行显影，显影时间为120～140秒，显影后用清水冲洗并晾；对显影后的引线框架铜带基板表面镀铜，得到镀铜层；于所述镀铜层上第一次镀银，得到预镀银层；于所述预镀银层上第二次镀银，完成对铜带基板的电镀处理。
所述电镀后的铜带基板进行退膜清洗方法具体包括：
对完成电镀处理的引线框架的非功能区电解脱银，对完成电解脱银的引线框架进行铜保护，铜保护处理防止镀层变色和铜层氧化，保证产品质量。电镀完的引线框架进行退膜处理，喷洒去膜水去除引线框架上的电镀膜层，将处理完的引线框架用清水清洗完后晾干。
将引线框架在室温下放入脱银液中电脱银20～38秒，然后用去离子水清洗吹干，该脱银液含脱银粉80～100g/L，该脱银液的电流密度为2～6安培/平方分米，使完成电镀处理的引线框架的非功能区电解脱银。最后将引线框架在室温下放入铜保护水中浸泡10～20秒，该铜保护水的浓度为50～100ml/L，在铜层表面形成一层有机保护膜，使铜层暴露在空气中不被氧化。
所述蚀刻前预处理方法具体包括：
将退膜清洗后的引线框架进行二次压膜，通过压膜机将干膜粘附在铜带基板表面，再在干膜的外面放上需要制作的产品图形，盖上盖板后真空固定图形在干膜上。具体为先将铜带基板浸湿再用压膜机将干膜压到铜带表面上，再在干膜的外面放上需要制作的产品图形，盖上盖板后真空固定图形在干膜上，所述干膜是由聚酯薄膜、光致抗蚀剂膜、聚乙烯保护膜三部分组成的感光材料。
所述铜带基板进行表面蚀刻加工的方法包括：
对二次曝光后的引线框架进行二次显影，将没有发生光聚合反应的干膜去掉，随后将蚀刻液喷淋到二次显影后的铜带基板表面进行腐蚀，有干膜的地方受到干膜保护不被腐蚀使引线框架成型。
以上对本发明的一个实施例进行了详细说明，但所述内容仅为本发明的较佳实施例，不能被认为用于限定本发明的实施范围。凡依本发明申请范围所作的均等变化与改进等，均应仍归属于本发明的专利涵盖范围之内。
Claims (9)
1.一种引线框架制备方法，其特征在于，包括：
步骤一、选取铜带基板，并对铜带基板进行电镀前表面预处理；
步骤二、将步骤一中铜带基板进行一次曝光，随后对一次曝光后的铜带基板进行电镀处理；
步骤三、将电镀后的铜带基板进行退膜清洗，铜带基板清洗完成后进行蚀刻前预处理；
步骤四、将步骤三中蚀刻预处理完成的铜带基板进行二次曝光，随后对二次曝光后的铜带基板进行表面蚀刻加工；
步骤五、将步骤三中蚀刻加工完成后的铜带基板退膜清洗，烘干后贴带获得成品引线框架。
2.根据权利要求1所述的一种引线框架制备方法，其特征在于，所述铜带基板电镀前表面预处理方法具体包括：
将引线框架铜带基板放入电解液中去除油污，将去除油污的引线框架放入活化溶液中进行活化处理，活化处理的铜带基板表面覆盖一层电镀膜。
3.根据权利要求1所述的一种引线框架制备方法，其特征在于，所述铜带基板进行电镀处理方法具体包括：
对一次曝光后的引线框架进行显影，显影时间为120～140秒，显影后用清水冲洗并晾；对显影后的引线框架铜带基板表面镀铜，得到镀铜层；于所述镀铜层上第一次镀银，得到预镀银层；于所述预镀银层上第二次镀银，完成对铜带基板的电镀处理。
4.根据权利要求1所述的一种引线框架制备方法，其特征在于，所述电镀后的铜带基板进行退膜清洗方法具体包括：
对完成电镀处理的引线框架的非功能区电解脱银，电镀完的引线框架进行退膜处理，喷洒去膜水去除引线框架上的电镀膜层，将处理完的引线框架用清水清洗完后晾干。
5.根据权利要求1所述的一种引线框架制备方法，其特征在于，所述蚀刻前预处理方法具体包括：
将退膜清洗后的引线框架进行二次压膜，通过压膜机将干膜粘附在铜带基板表面，再在干膜的外面放上需要制作的产品图形，盖上盖板后真空固定图形在干膜上。
6.根据权利要求1所述的一种引线框架制备方法，其特征在于，所述铜带基板进行表面蚀刻加工的方法包括：
对二次曝光后的引线框架进行二次显影，将没有发生光聚合反应的干膜去掉，随后将蚀刻液喷淋到二次显影后的铜带基板表面进行腐蚀，有干膜的地方受到干膜保护不被腐蚀使引线框架成型。
7.一种引线框架，其特征在于，其由如权利要求1-6任一项所述的引线框架制备方法制备而成。
8.根据权利要求7所述的一种引线框架，其特征在于，包括铜带基板，所述铜带基板上设有功能区，所述功能区内均匀设置有若干芯片，所述铜带基板靠近边缘位置设置有多个定位标记。
9.根据权利要求8所述的一种引线框架，其特征在于，所述铜带基板上端靠近边缘位置处设置有二维码，所述二维码用于存储该引线框架的信息。
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