CN116598044A - 导电材料、导电基材及其复合集流体和应用 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种导电材料、导电基材及其复合集流体和应用。本发明的导电材料，包括聚合物和纳米导电材料添加剂，所述纳米导电材料添加剂包括纳米Ag2S前驱体、Ag2Se纳米线以及Ag2Te纳米线。所提供的导电材料提升了导电基材的导电性，将其应用于复合集流体时，可以使得到的复合集流体方阻降低、电池能量体积密度提高。

Description

导电材料、导电基材及其复合集流体和应用
技术领域
本发明涉及导电材料技术领域，具体涉及一种导电材料、导电基材及其复合集流体和应用，尤其涉及一种导电材料、导电基材、复合集流体、电极片、电池及用电装置。
背景技术
集流体是电池的部件之一，其作用是将电池活性物质产生的电流汇集起来以便形成较大的电流对外输出。目前，基于高分子聚合物膜的复合集流体得到新能源行业的广泛关注和应用。
常规的复合集流体的制备过程通常包括如下步骤：首先，采用物理气相沉积的方法，例如磁控溅射或者蒸镀，在聚合物膜上沉积一层铜或者铝，进而制备出具备一定导电能力的复合集流体半成品。然后，利用电镀法对复合集流体半成品进一步处理，增厚导电铜或者铝层，从而制备出复合集流体。
相比传统的铜箔集流体，基于高分子聚合物膜的复合集流体具备成本低、质量轻、内部绝缘性好等特点。这些特点使得复合集流体在电池中应用时能够降低电池的成本，提升电池的能量密度及安全性。
基于高分子聚合物膜的复合集流体具有树脂层两面复合有铜或者铝金属层的多层结构，随着电池温度的上升，复合集流体的温度也随之上升，当达到树脂层的材料的熔点时，该集流体的树脂层熔融而使极片破损，由此切断电流，从而改善电池的安全问题，但是，上述方式也增大了集流体的方阻。有关复合集流体的技术还需要进一步改进。
发明内容
本发明的目的在于至少在一定程度上解决现有技术的技术问题之一。为此，本发明的目的在于提供一种导电材料、导电基材、复合集流体、电极片、电池及其用电装置，以解决现有技术中的复合集流体的方阻大、电池能量体积密度低的技术问题。
为解决上述技术问题，本发明的技术方案如下：
在本发明的第一方面提供了一种导电材料，包括聚合物和纳米导电材料添加剂，所述纳米导电材料添加剂包括纳米Ag2S前驱体、Ag2Se纳米线和Ag2Te纳米线。通过添加纳米导电材料添加剂可以增加导电基材的表面粗糙度、减小了基材表面与金属层表面的表面能差异，最终增强了金属层与基材之间的粘结强度。而且三者缺一不可，由纳米Ag2S前驱体合成的纳米Ag2S颗粒可与线状的Ag2Se纳米线、Ag2Te纳米线混合后可形成相互连通的立体网络导电结构，有效的提升了导电基材的导电性，降低了方阻，使得到的复合集流体方阻降低、电池能量体积密度提高。当纳米导电材料添加剂中显著增加其中一种含量、缺少另一种的条件下，并不能达到相应的效果。
根据本发明的实施例，以上所述的导电材料还可以进一步包括如下技术特征：
根据本发明的实施例，按照重量份计，所述聚合物为83-99份所述纳米导电材料添加剂为1-17份。纳米导电材料添加剂的含量不宜过高，也不宜过低。纳米导电材料添加剂的含量过高，会影响导电材料在形成导电基材时的成膜的品质，纳米导电材料添加的含量过低，不能明显解决现有复合集流体的方阻大、电池能量体积密度低的问题。
根据本发明的实施例，所述纳米Ag2S前驱体、所述Ag2Se纳米线、所述Ag2Te纳米线的重量比为(1～7)：(1～7)：(1～4)，优选为(1.5～5)：(1.5～4)：(1.5～4)。根据本发明的实施例，纳米Ag2S前驱体、Ag2Se纳米线以及Ag2Te纳米线混合后形成相互连通的立体网络导电结构，有效的提升了基材的导电性。三者在合适的重量配比条件下，所形成的纳米导电材料增加了基材表面粗糙度、减小了基材表面与金属层表面的表面能差异，最终增强了金属层与基材之间的粘结强度。而且能够使得基材兼具良好的塑性和热电性能，不仅可以保证基材拉伸性能的同时有效地降低基材的热收缩率，而且有效提升了基材的耐热性能，更加有益于生产。
根据本发明的实施例，所述纳米Ag2S前驱体为N，N-二丁基二硫代氨基甲酸银。
根据本发明的实施例，所述Ag2Se纳米线的直径为100-300nm，长度为5μm-30μm。
根据本发明的实施例，所述Ag2Te纳米线的直径为100-300nm，长度为5μm-30μm。
根据本发明的实施例，所述聚合物为聚丙烯、聚乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚丙乙烯、聚氯乙烯、聚偏氟乙烯、聚四氟乙烯、聚苯硫醚、聚苯醚、聚苯乙烯和聚酰胺中的一种或多种。
本发明的第二方面提供了一种导电基材，通过本发明第一方面所述的导电材料进行熔融成型获得。
根据本发明的实施例，所述纳米Ag2S前驱体在熔融成型过程中原位合成纳米Ag2S颗粒，所述纳米Ag2S颗粒的直径为8-30nm，粒径为40-150nm。
本发明的第三方面提供一种复合集流体，包括第二方面所述的导电基材以及位于所述导电基材的至少一侧的金属层。
根据本发明的实施例，所述导电基材的厚度为1μm-8μm。
根据本发明的实施例，所述金属层为钛、银、铝、镍、铜及其合金中的一种或多种。
根据本发明的实施例，所述金属层的厚度为500nm-2000nm。
本发明还提供一种复合集流体的制备方法，包括如下步骤：
在1400-1800℃下，将金属层的金属原料熔化蒸发，蒸发后的金属原料的原子经冷却沉积在所述导电基材的至少一侧表面上，形成所述金属层，得到复合集流体。
本发明的第四方面还提供一种电极片，包括第三方面所述的复合集流体，以及附着于所述复合集流体至少一个表面的活性物质层。
本发明的第五方面还提供一种电池，包括第四方面所述的电极片。
本发明的第六方面还提供了一种用电装置，包括第五方面所述的电池。
本发明的上述方案至少包括以下有益效果：
(1)本发明所提供的导电材料含有纳米导电材料添加剂，所述纳米导电材料添加剂包括纳米Ag2S前驱体、Ag2Se纳米线以及Ag2Te纳米线。由纳米Ag2S前驱体合成的纳米Ag2S颗粒可与线状的Ag2Se纳米线、Ag2Te纳米线混合后可形成相互连通的立体网络导电结构，有效的提升了导电基材的导电性，降低了方阻，使得到的复合集流体方阻降低、电池能量体积密度提高。而且通过所提供的导电材料形成的导电基材作为高分子聚合物膜应用于复合集流体时，所述纳米导电材料增加了所述导电基材的表面粗糙度、减小了基材表面与金属层表面的表面能差异，最终增强了金属层与基材之间的粘结强度。另外，由纳米Ag2S前驱体合成的纳米Ag2S颗粒、Ag2Se纳米线以及Ag2Te纳米线的加入，使得导电基材兼具良好的塑性和热电性能，不仅可以在保证基材拉伸性能的同时有效地降低基材的热收缩率，而且能够有效提升基材的耐热性能，更加有益于生产。
(2)本发明所提供的导电基材，纳米Ag2S前驱体为原位合成纳米Ag2S颗粒的前驱体，在与Ag2Se纳米线或Ag2Te纳米线混合熔融的过程中，可以直接生长在Ag2Se纳米线或Ag2Te纳米线的表面，Ag2S颗粒在生长过程中，可以弥补Ag2Se纳米线或Ag2Te纳米线的表面缺陷，另外在受热过程中可以利用Se、Te改善Ag的间隙缺陷，更加有效提升了基材的导电散热性能。
(3)本发明的导电基材的制备方法，包括如下步骤：取聚合物、聚酰胺酰亚胺、纳米导电材料添加剂，混合均匀，熔融成型后，得到导电基材。纳米导电材料中的纳米Ag2S前驱体，在熔融成型的过程中即可自行原位合成纳米Ag2S颗粒，无需额外的合成操作，工艺简单。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，所描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
本文中所提到的“多”包括两个或者三个、四个等更多。
本发明提供了一种导电材料，包括聚合物和纳米导电材料添加剂，所述纳米导电材料添加剂包括纳米Ag2S前驱体、Ag2Se纳米线和Ag2Te纳米线。
根据本发明的实施方式，按照重量份计，所述聚合物为83-99份、所述纳米导电材料添加剂为1-17份。
根据本发明的实施方式，所述纳米Ag2S前驱体、所述Ag2Se纳米线、所述Ag2Te纳米线的重量比为(1～7)：(1～7)：(1～4)，优选为(1.5～5)：(1.5～4)：(1.5～4)。根据本发明的优选实施方式，所述纳米Ag2S前驱体、所述Ag2Se纳米线、所述Ag2Te纳米线的重量比为2：3：3。
根据本发明的实施方式，所述纳米Ag2S前驱体为N，N-二丁基二硫代氨基甲酸银。
根据本发明的实施方式，所述Ag2Se纳米线的直径为100-300nm，长度为5μm-30μm。根据具体实施方式，所述Ag2Se纳米线的直径为150-250nm，长度为10μm-20μm。根据具体实施方式，所述Ag2Se纳米线的直径为180-220nm，长度为15μm-18μm。
根据本发明的实施方式，所述Ag2Te纳米线的直径为100-300nm，长度为5μm-30μm。根据具体实施方式，所述Ag2Te纳米线的直径为150-250nm，长度为10μm-20μm。根据具体实施方式，所述Ag2Te纳米线的直径为180-220nm，长度为15μm-18μm。
根据本发明的实施方式，所述聚合物为聚丙烯、聚乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚丙乙烯、聚氯乙烯、聚偏氟乙烯、聚四氟乙烯、聚苯硫醚、聚苯醚、聚苯乙烯和聚酰胺中的一种或多种。根据本发明的优选实施方式，所述聚合物为聚对苯二甲酸乙二醇酯。
本发明还提供了一种导电基材，通过上述导电材料进行熔融成型获得。
根据本发明的实施方式，所述纳米Ag2S前驱体在熔融成型过程中原位合成纳米Ag2S颗粒，所述纳米Ag2S颗粒的直径为8-30nm，粒径为40-150nm。根据具体实施方式，所述纳米Ag2S颗粒的直径为12-20nm，粒径为80-120nm。根据具体实施方式，所述纳米Ag2S颗粒的直径为15-20nm，粒径为80-100nm。提到的直径是指是颗粒横截面的等效圆的直径；所提到的粒径指的是颗粒的长度。
本发明还提供了所述的导电基材的制备方法，包括如下步骤：将所述导电材料，熔融成型后，得到导电基材。
根据具体实施方式，所述的导电基材的制备方法包括如下步骤：所述导电材料依次进行结晶干燥、熔融挤出、铸片、拉伸和热定型处理，以便获得所述导电基材。
根据具体实施方式，将所述导电材料在120-220℃条件下进行结晶处理，并在150-180℃条件下进行干燥处理，所述结晶处理的时间为40-60min，所述干燥处理的时间为140-160min。所提到的结晶处理可以在结晶器内进行，所提到的干燥处理可以在干燥塔内进行。
根据具体实施方式，将所述干燥处理后的产物在200-350℃下进行熔融挤出。所提到的熔融可以在双螺杆挤出机内进行，形成的熔融料通过模头挤出。
根据具体实施方式，将挤出的熔融料流延到铸片辊上，经铸片辊及水冷的冷却处理成型，形成铸片。
根据具体实施方式，所述拉伸为双向拉伸，包括纵向拉伸和横向拉伸。根据具体实施方式，铸片在70-150℃(例如90-120℃)下预热，然后进行纵向拉伸处理，纵向拉伸的温度为90-170℃(例如110-150℃)，纵向拉伸倍率为(3～5)：1，在20-40℃下冷却成型；然后继续将膜片在70-150℃(例如90-120℃)下预热，然后进行横向拉伸处理，横向拉伸温度为90-170℃(例如110-150℃)，横向拉伸倍率为(3～5)：1，将横向拉伸得到的薄膜依次在120-250℃下(例如140-200℃)进行热定型处理，在20-40℃下冷却成型。
所提到的纳米Ag2S前驱体为任何一种可原位合成出直径为8-30nm，粒径为40-150nm的前驱体。根据具体实施方式，所提到的纳米Ag2S前驱体N,N-二丁基二硫代氨基甲酸银，可以通过本领域常规的技术方法获得，或者也可以直接商购获得。
根据具体实施方式，所述N,N-二丁基二硫代氨基甲酸银其通过如下方法得到：
将(C4H9)2NH、KOH溶于体积分数为90％～95％的乙醇溶液中，搅拌均匀后，再在冰水浴中，向其中加入CS2，以便得到混合溶液；
将所述混合溶液在15-35℃下搅拌10-14h，向其中加入乙醇、AgNO3的水溶液，然后在15-35℃下搅拌3-5h，以便获得反应液；
将所述反应液进行过滤分离，用乙醇或去离子水交替洗涤至滤液无色，最终洗涤后的产物干燥后就可得到N,N-二丁基二硫代氨基甲酸银。
所提到的Ag2Se纳米线可以通过本领域常用的方法获得，也可以通过商购获得，例如可以通过采用热蒸发的方法得到。根据具体实施方式，所述Ag2Se纳米线通过如下方法得到：称取Ag和Se，在Ar气保护下，将Ag和Se悬浮熔炼，以便获得熔炼产物；然后，将所述熔炼产物以及涂有Au胶纳米粒子的石英衬底放入石英管中，抽真空进行封管；调节石英管中的所述熔炼产物与石英衬底之间的距离为40-80mm，将石英管放入管式炉中，以4-8℃/min的升温速度，使所述管式炉的温度升至840-880℃，再加热300-460min，以便得到所述Ag2Se纳米线。
所提到的Ag2Te纳米线可以通过本领域常用的方法获得，也可以通过商购获得。根据具体实施方式，所述纳米导电材料添加剂中的Ag2Te纳米线采用如下方法得到：将AgNO3、Na2TeO3溶于水中，向其中加入水合肼、氨水，得到混合液；将所述混合液加热至160-200℃，再将其迅速转移至反应釜中置于160-200℃下，反应20-28h，以便得到Ag2Te纳米线。
本发明还提供一种复合集流体，包括所述的导电基材以及位于所述导电基材的至少一侧的金属层。
根据本发明的实施方式，所述导电基材的厚度为1μm-8μm。根据本发明的实施方式，所述金属层为钛、银、铝、镍、铜及其合金中的一种或多种。
根据本发明的实施方式，所述金属层的厚度为500nm-2000nm。
本发明还提供一种复合集流体的制备方法，包括如下步骤：
在1400-1800℃下，将金属层的金属原料熔化蒸发，蒸发后的金属原料的原子经冷却沉积在所述导电基材的至少一侧表面上，形成所述金属层，得到复合集流体。例如可以在1500～1600摄氏度下进行。
本发明还提供一种电极片，包括上述所述的复合集流体，以及附着于所述复合集流体至少一个表面的活性物质层。
本发明还提供一种电池，包括上述所述的电极片。
本发明还提供了一种用电装置，包括上述所述的电池。
本发明各实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市购获得的常规产品，以下仅提供本发明实施例所使用的部分试剂，不同厂家、型号的原料并不影响本发明技术方案的实施及技术效果的实现。
需要说明的是，对于实现本发明的目的而言，所述聚合物的选择并不唯一，还可以替换为聚乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚丙乙烯、聚氯乙烯、聚偏氟乙烯、聚四氟乙烯、聚苯硫醚、聚苯醚、聚苯乙烯和聚酰胺中的一种或多种。本领域技术人员可以根据实际需要选择适宜的聚合物。
实施例1
实施例1提供了一种导电材料、导电基材以及复合集流体。
1.纳米导电材料添加剂
Ag2S前驱体为任何一种可原位合成出直径为8-30nm，粒径为40-150nm的前驱体。其制备方法包括：首先，将6.46g(C4H9)2NH和2.80g氢氧化钾共溶于45mL无水乙醇和5mL去离子水中，剧烈搅拌均匀，然后在冰水浴中将4.56g CS2逐滴加至上述溶液中。滴加完成后，将混合溶液在室温下搅拌12h后加入100mL乙醇，得到预备溶液。然后将25mL 2.0mol/L的AgNO3水溶液缓慢加到预备溶液中，然后剧烈搅拌3h，在滴加AgNO3水溶液的过程中，溶液的颜色先从无色透明变为浅黄色，随后逐渐加深，最终变为橙黄色。将反应液进行过滤分离，过滤产物采用乙醇和去离子水交替洗涤至滤液无色。最后将洗涤得到的产物在60℃下干燥，即得N,N-二丁基二硫代氨基甲酸银[(C4H9)2NCS2Ag]粉末。所制备得到的Ag2S前驱体的直径为15-20nm左右，粒径为80nm-100nm左右。
Ag2Se纳米线通过热蒸发方法获得，包括如下步骤：a.是由分析纯的Ag丝和Se熔炼而成Ag2Se，按照材料成分进行称量配比，然后进行悬浮熔炼，过程中通Ar气保护并使用铜坩埚水冷。由于Se的熔点较低较容易挥发，熔炼前压成Se饼、熔炼的顺序是先将Ag丝放入坩埚中烧熔，然后放入Se饼，完成后再将所得铸锭翻转重新熔炼，避免成分偏析。b.然后将涂有Au胶纳米粒子的石英衬底、Ag2Se颗粒放入石英管中，抽真空进行封管。石英管密封以后，调节源与衬底之间距离为60mm，源置于温度较高区域，衬底置于低温区，然后将石英管放入管式炉中，设定加热温度为860℃，加热时间为360min，升温速率控制在6℃/min。所制备得到的Ag2Se纳米线的直径为200nm左右，长度在15μm左右。
Ag2Te纳米线的制备方法可采用任何一种可制备出直径为100-300nm，长度为5μm-30μm。包括如下步骤：准备Ag NO3 2mmol，Na2TeO3 1mmol，将二者溶解到30mL水溶液中，然后搅拌5分钟混合均匀。(2)用滴管分别取水合肼(80％)0.8mL、氨水(25％)0.8mL，迅速的滴入(1)中的混合溶液。(3)把真空干燥箱加热到180℃，再把(2)中的混合溶液迅速转移到容量为30mL的高压反应釜中，然后放到已经加热好的真空干燥箱中并且保持24小时。(4)反应结束后将反应釜取出，自然冷却至室温。所制备得到的Ag2Te纳米线的直径为200nm左右，长度在15μm左右。
2.导电材料
将2质量％N,N-二丁基二硫代氨基甲酸银[(C4H9)2NCS2Ag]粉末与92.0质量％聚对苯二甲酸乙二醇酯、3.0质量％Ag2Te纳米线、3.0质量％Ag2Se纳米线共混，得到混合物。
3.导电基材的制备
采用熔融-双向拉伸的方法进行制备，包括以下步骤：结晶干燥-熔融挤出-铸片-纵向拉伸-横向拉伸-热定型，制备所得为厚度为5微米的薄膜。该制备过程中N,N-二丁基二硫代氨基甲酸银[(C4H9)2NCS2Ag]会发生热分解反应并合成纳米Ag2S颗粒。
具体包括如下步骤：
将所述混合物依次输送到结晶器内和干燥塔内进行处理，在结晶器内180℃条件下处理50min，在干燥塔内150℃条件下干燥处理160min；干燥处理的产物在双螺杆挤出机内加热至280℃熔融，形成的熔融料通过模头挤出；挤出的熔融料流延到铸片辊上，经铸片辊及水冷的冷却处理成型，形成铸片；铸片在90℃下预热，然后进行纵向拉伸处理，纵向拉伸的温度为110℃，纵向拉伸倍率为4：1，在30℃下冷却成型；将膜片在90℃下预热，然后进行横向拉伸处理，横向拉伸温度为120℃，横向拉伸倍率为4：1，将横向拉伸得到的薄膜依次在140℃下进行热定型处理，在30℃下冷却成型，获得相应的薄膜。
4、复合集流体的制备
将制备的薄膜置于真空蒸镀的舱体内，以1500℃的高温将金属蒸发室内的高纯铜丝(纯度大于99.99％)熔化蒸发，蒸发后的金属原子经过真空镀膜室内的冷却系统，沉积在薄膜相背的两个表面，形成厚度为1μm的铜金属导电层，导电基材的厚度为5μm。
实施例2
实施例2提供了一种导电材料、导电基材以及复合集流体。
实施例2与实施例1基本相同，主要区别在于：将5质量％N,N-二丁基二硫代氨基甲酸银[(C4H9)2NCS2Ag]粉末与87.0质量％聚丙烯、4.0质量％Ag2Te纳米线、4.0质量％Ag2Se纳米线共混。
实施例3
实施例3提供了一种导电材料、导电基材以及复合集流体。
实施例3与实施例1基本相同，主要区别在于：将1.5质量％N,N-二丁基二硫代氨基甲酸银[(C4H9)2NCS2Ag]粉末与95.5质量％聚丙烯、1.5质量％Ag2Te纳米线、1.5质量％Ag2Se纳米线共混。
对比例1
对比例1所提供的导电基材，与实施例1的原料相同、制备方法相同，区别仅在于：不包括所述纳米导电材料添加剂。
对比例2
对比例2所提供的导电基材，与实施例1的原料相同、制备方法相同，区别仅在于：所述纳米导电材料添加剂中不包括Ag2Se纳米线以及Ag2Te纳米线。
对比例3
对比例3所提供的导电基材，与实施例1的原料相同、制备方法相同，区别仅在于：所述纳米导电材料添加剂中不包括Ag2Se纳米线。
对比例4
对比例4所提供的导电基材，与实施例1的原料相同、制备方法相同，区别仅在于：所述纳米导电材料添加剂中不包括Ag2Te纳米线。
效果对比例
为验证本发明所述的导电基材的技术效果，进行以下试验：
取实施例1-3、对比例1-4中制备得到的导电基材，按照GB/T 10003-2008的方法，在150℃下加热10min的条件下测试导电基材的热收缩率；
取实施例1-3、对比例1-4中制备得到的导电基材，按照实施例1中的方法制为复合集流体，利用四探针方阻仪测试方阻；
取实施例1-3、对比例1-4中制备得到的导电基材，将其成型为5μm的薄膜；在1mm厚的铝箔上粘接一层Permacel P-94双面胶，在双面胶的上方粘接薄膜状的所述导电基材，在所述导电基材的上方覆盖一层乙烯丙烯酸共聚物薄膜(杜邦Nurcel0903，厚度为50μm)，然后在1.3×105N/m2、120℃下热压10s，冷却至室温，裁成150mm×15mm的样条。将样条的乙烯丙烯酸共聚物薄膜固定于拉力机的上夹具，其余部分固定在下夹具，固定好后二者以180°的角度、100mm/min的速度进行剥离，测试剥离力，即得到所述导电基材与聚合物基膜(乙烯丙烯酸共聚物薄膜)的粘结力。
经实验，结果如下：
根据实施例1-3与对比例1-4的对比可知，本发明所提供的导电基材，具有更低的热收缩率及方阻，与金属层的粘合力也有显著提升。纳米Ag2S前驱体的添加可以有效提高粘结力，Ag2Se纳米线与Ag2Te纳米线对于热收缩率以及方阻的降低有一定的影响，Ag2Se纳米线与Ag2Te纳米线共同使用时，能够显著降低热收缩率以及方阻。尤其以实施例1表现出更佳的性能。
由技术常识可知，本发明可以通过其它的不脱离其精神实质或必要特征的实施方案来实现。因此，上述公开的实施方案，就各方面而言，都只是举例说明，并不是仅有的。所有在本发明范围内或在等同于本发明的范围内的改变均被本发明包含。

Claims (10)

1.一种导电材料，其特征在于，包括：聚合物和纳米导电材料添加剂，所述纳米导电材料添加剂包括纳米Ag2S前驱体、Ag2Se纳米线和Ag2Te纳米线；
任选地，按照重量份计，所述聚合物为83-99份、所述纳米导电材料添加剂为1-17份。
2.根据权利要求1所述的导电材料，其特征在于，所述纳米Ag2S前驱体、所述Ag2Se纳米线、所述Ag2Te纳米线的重量比为(1～7)：(1～7)：(1～4)，优选为(1.5～5)：(1.5～4)：(1.5～4)；
任选地，所述纳米Ag2S前驱体为N，N-二丁基二硫代氨基甲酸银。
3.根据权利要求2所述的导电材料，其特征在于，所述Ag2Se纳米线的直径为100-300nm，长度为5μm-30μm；
任选地，所述Ag2Te纳米线的直径为100-300nm，长度为5μm-30μm。
4.根据权利要求1所述的导电材料，其特征在于，所述聚合物为聚丙烯、聚乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚丙乙烯、聚氯乙烯、聚偏氟乙烯、聚四氟乙烯、聚苯硫醚、聚苯醚、聚苯乙烯和聚酰胺中的一种或多种。
5.一种导电基材，其特征在于，通过权利要求1～4中任一项所述的导电材料进行熔融成型获得；
任选地，所述纳米Ag2S前驱体在熔融成型过程中原位合成纳米Ag2S颗粒，所述纳米Ag2S颗粒的直径为8-30nm，粒径为40-150nm。
6.一种复合集流体，其特征在于，包括权利要求5所述的导电基材以及位于所述导电基材至少一侧的金属层。
7.根据权利要求6所述的复合集流体，其特征在于，所述导电基材的厚度为1μm-8μm；
任选地，所述金属层为钛、银、铝、镍、铜及其合金中的一种或多种；
任选地，所述金属层的厚度为500nm～2000nm。
8.一种电极片，其特征在于，包括权利要求6或7所述的复合集流体以及附着于所述复合集流体至少一个表面的活性物质层。
9.一种电池，其特征在于，包括权利要求8中所述的电极片。
10.一种用电装置，其特征在于，包括权利要求9所述的电池。
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