CN116581216A - 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管,涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片包括衬底和依次设于衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、V形坑层、多量子阱层、位错屏蔽层、电子阻挡层和P型GaN层;所述位错屏蔽层包括依次生长于所述多量子阱层上的三维SiNx层、三维YGaN层和二维Mg、Cr共掺GaN层,其中,x为0.5~1。实施本发明,可提升发光二极管的发光效率、抗静电能力。
Description
技术领域
本发明涉及半导体光电器件领域,尤其涉及一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管。
背景技术
由于缺少合适的同质衬底材料,GaN材料通常都是在异质衬底上进行外延生长。由于GaN与衬底之间存在巨大的晶格失配和热失配,导致其外延沉积的GaN存在大量的穿透位错,位错附近晶体场受位错影响发生改变,在合适的生长条件下会诱导产生V形缺陷,也就是所谓的V形坑。研究表明,V形坑可以起到屏蔽位错的作用,提升有源区质量,提升发光二极管外延片的发光效率。但同时,V坑侧壁也会成为电子溢出的通道,造成电子向P型区泄露,这会导致抗静电能力下降。此外,为了填平V坑层,往往需要沉积较厚的P型层,这也提升了该层的吸光,影响发光效率。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于,提供一种发光二极管外延片及其制备方法,其可提升发光二极管的发光效率和抗静电能力。
本发明还要解决的技术问题在于,提供一种发光二极管。
为了解决上述问题,本发明公开了一种发光二极管外延片,其包括衬底和依次设于所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、V形坑层、多量子阱层、位错屏蔽层、电子阻挡层和P型GaN层;所述位错屏蔽层包括依次生长于所述多量子阱层上的三维SiNx层、三维YGaN层和二维Mg、Cr共掺GaN层,其中,x为0.5~1。
作为上述技术方案的改进,所述三维SiNx层的厚度为1nm~50nm,所述三维YGaN层的厚度为1nm~100nm,所述二维Mg、Cr共掺GaN层的厚度为10nm~200nm。
作为上述技术方案的改进,所述三维SiNx层的厚度为5nm~15nm,所述三维YGaN层的厚度为20nm~30nm,所述二维Mg、Cr共掺GaN层的厚度为40nm~80nm。
作为上述技术方案的改进,所述三维YGaN层中Y组分占比为0.01~0.5;
所述二维Mg、Cr共掺GaN层中,Mg的掺杂浓度为1×1019cm-3~1×1021cm-3,Cr的掺杂浓度为1×1020cm-3~5×1021cm-3。
作为上述技术方案的改进,所述三维YGaN层中Y组分占比为0.02~0.25;
所述二维Mg、Cr共掺GaN层中,Mg的掺杂浓度为5×1019cm-3~5×1020cm-3,Cr的掺杂浓度为5×1020cm-3~5×1021cm-3。
相应的,本发明还公开了一种发光二极管外延片的制备方法,用于制备上述的发光二极管外延片,其包括:
提供衬底,在所述衬底上依次生长缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、V形坑层、多量子阱层、位错屏蔽层、电子阻挡层和P型GaN层;所述位错屏蔽层包括依次生长于所述多量子阱层上的三维SiNx层、三维YGaN层和二维Mg、Cr共掺GaN层,其中,x为0.5~1。
作为上述技术方案的改进,所述三维SiNx层通过PECVD生长,其SiH4流量为5sccm~15sccm,NH3流量为40sccm~80sccm,N2流量为80sccm~100sccm,射频功率为15W~22W,腔体压强为50Pa~100Pa。
作为上述技术方案的改进,所述三维YGaN层通过MOCVD生长,其生长温度为800℃~1000℃,生长压力为300torr~600torr,V/III比为200~500;
所述二维Mg、Cr共掺GaN层通过MOCVD生长,其生长温度为900℃~1100℃,生长压力为50torr~200torr,V/III比为2000~3000。
作为上述技术方案的改进,所述三维YGaN层的生长载气为N2;
所述二维Mg、Cr共掺GaN层的生长载气为N2和H2的混合气体,且N2和H2的体积比为1:1~1:20。
相应的,本发明还公开了一种发光二极管,其包括上述的发光二极管外延片。
实施本发明,具有如下有益效果:
本发明的发光二极管外延片中,在多量子阱层与电子阻挡层之间引入了位错屏蔽层,其包括依次层叠的三维SiNx层、三维YGaN层和二维Mg、Cr共掺GaN层。其中,三维SiNx层(x=0.5~1)主要呈非晶状态,其可将沿V形坑向上延伸的穿透位错更改为侧向延伸,进而通过三维YGaN层有效扭转、弛豫。再通过二维Mg、Cr共掺GaN层填平,防止电子经由V形坑侧壁溢出至P型GaN层,也为后续电子阻挡层、P型GaN层生长提供了平整的表面,使得P型GaN层在较小的厚度下就能连接成面状结构,降低了其厚度,减少了光吸收,从而提升了发光效率和抗静电能力。此外,本发明的Cr、Mg共掺的GaN层可提供一定量的空穴,促进其通过空穴侧壁进入多量子阱层,提升发光效率。Cr的掺杂可降低Mg的激活能,减少Ga空位的产生,提升空穴浓度,也使得空穴在该层中均匀分布,减少漏电,提高发光二极管的电学性能。
附图说明
图1是本发明一实施例中发光二极管外延片的结构示意图;
图2是本发明一实施例中位错屏蔽层的结构示意图;
图3是本发明一实施例中发光二极管外延片的制备方法流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面对本发明作进一步地详细描述。
参考图1、图2,本发明公开了一种发光二极管外延片,包括衬底1和依次设于衬底1上的缓冲层2、非掺杂GaN层3、N型GaN层4、V形坑层5、多量子阱层6、位错屏蔽层7、电子阻挡层8和P型GaN层9。其中,位错屏蔽层7包括依次层叠于多量子阱层6上的三维SiNx层71(x=0.5~1)、三维YGaN层72和二维Mg、Cr共掺GaN层73。其中,三维SiNx层71和三维YGaN层72共同更改了穿透位错的延伸方向,并对其进行弛豫,避免其后续延伸造成电子泄露,提升抗静电性能;也防止产生非辐射复合中心,消耗空穴,提升发光效率。此外,三维SiNx层71主要呈非晶态结构,其可有效缓冲三维YGaN层72与末垒层(GaN层)之间的应力,防止增加的应力进一步提升穿透位错的密度。进一步的,通过在三维YGaN层72上生长二维Mg、Cr共掺GaN层73,可有效填平V形坑,为后续生长的电子阻挡层8、P型GaN层9提供平滑的表面。进而将传统的P型GaN层9(带有V形坑层结构的)的厚度由200nm~300nm降低至10nm~50nm,减少其吸光,提升发光效率。此外,降低P型GaN层9的厚度也意味着Mg的总掺杂量降低,Mg对P型GaN层的晶体质量的不利影响降低,外延片的表面平整度提升。
其中,三维SiNx层71中x为0.5~1,当x>1时,层结构趋向晶态化,势垒过高,影响空穴进入多量子阱层6,降低发光效率。当x<0.5时,三维SiNx层71中赋存的H过多,影响后续二维Mg、Cr共掺GaN层73的Mg掺杂。三维SiNx层71的厚度为1nm~50nm,优选的为5nm~20nm,更优选的为5nm~15nm。
其中,三维YGaN层72中Y组分的占比为0.01~0.5,当其占比>0.5时,YGaN与末垒层(GaN)的晶格差异较大,容易形成新的位错。当其占比<0.01时,难以有效扭折、弛豫位错。优选的,Y组分的占比为0.02~0.25,更优选的为0.1~0.25,这种三维YGaN层72与末垒层(GaN)的晶格常数更为接近,防止产生新的位错,同时对经V形坑延伸而上的穿透位错的弛豫能力也最强。
三维YGaN层72的厚度为1nm~100nm,优选的为20nm~50nm,更优选的为20nm~30nm。
其中,二维Mg、Cr共掺GaN层73中Mg的掺杂浓度为1×1019cm-3~1×1021cm-3,由于引入了Cr,在提升Mg的掺杂浓度的情况下该层晶体质量良好,故提供了较多的空穴,提升了经由V形坑侧壁进入多量子阱层6的概率,提升了发光效率。优选的二维Mg、Cr共掺GaN层73中Mg的掺杂浓度为5×1019cm-3~5×1020cm-3,更优选的为5×1019cm-3~1×1020cm-3。
其中,二维Mg、Cr共掺GaN层73中Cr的掺杂浓度为1×1020cm-3~5×1021cm-3,该浓度范围可起到良好的受主补偿效应,提升空穴产生量,同时也不影响GaN的晶体质量。优选的,Cr的掺杂浓度为5×1020cm-3~5×1021cm-3,更优选的为5×1020cm-3~1×1021cm-3。
二维Mg、Cr共掺GaN层73的厚度为10nm~200nm,以更好的填平V形坑以及三维SiNx层71、三维YGaN层72。优选的,其厚度为40nm~80nm。
其中,衬底1可为蓝宝石衬底、硅衬底、SiC衬底、ZnO衬底或GaN衬底,但不限于此。
其中,缓冲层2可为AlN层,但不限于此。其厚度为10nm~50nm,示例性的为15nm、20nm、25nm、30nm、40nm或45nm,但不限于此。
其中,非掺杂GaN层3的厚度0.8μm~3μm,示例性的为0.9μm、1.3μm、1.7μm、2.1μm或2.4μm,但不限于此。
其中,N型GaN层4的掺杂元素为Si或Ge,但不限于此,优选的为Si。N型GaN层4的掺杂浓度为1×1018cm-3~5×1019cm-3,示例性的为3×1018cm-3、6×1018cm-3、9×1018cm-3、3×1019cm-3或4×1019cm-3,但不限于此。N型GaN层4的厚度为1μm~3μm,示例性的为1.2μm、1.6μm、2μm、2.4μm、2.8μm或2.9μm,但不限于此。
其中,V形坑层5为由InaGa1-aN层(a=0.1~0.2)和GaN层交叠生长的所得周期性结构,周期数为3~10。其中,单个InaGa1-aN层的厚度为2nm~5nm,示例性的为2.5nm、3nm、3.5nm、4nm、4.4nm或4.8nm,但不限于此。单个GaN层的厚度为5nm~10nm,示例性的为6nm、7nm、8nm或9nm,但不限于此。
其中,多量子阱层6为交替堆叠的InGaN量子阱层和AlGaN量子垒层,堆叠周期数3~15。单个InGaN量子阱层的厚度为3nm~5nm,示例性的为3.3nm、3.7nm、4.1nm、4.5nm或4.9nm,但不限于此。单个AlGaN量子垒层的厚度为5nm~15nm,示例性的为6nm、8nm、10nm、12nm或14nm,但不限于此。
其中,电子阻挡层8为AlGaN层或AlInGaN层,但不限于此。优选的为AlInGaN层。其厚度为30nm~50nm,示例性的为34nm、38nm、42nm或46nm,但不限于此。
其中,P型GaN层9中的P型掺杂元素为Mg、Be或Zn,但不限于此。优选的为Mg。P型GaN层9中P型掺杂浓度为1×1019cm-3~1×1021cm-3,示例性的为3×1019cm-3、7×1019cm-3、1×1020cm-3、4×1020cm-3或8×1020cm-3,但不限于此。P型GaN层9的厚度为10nm~50nm,示例性的为15nm、17nm、22nm、24nm、30nm、40nm或45nm,但不限于此。
相应的,参考图3,本发明还公开了一种发光二极管外延片的制备方法,用于制备上述的发光二极管外延片,其包括以下步骤:
S1:提供衬底;
S2:在衬底上依次生长缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、V形坑层、多量子阱层、位错屏蔽层、电子阻挡层和P型GaN层;
具体的,步骤S2包括:
S21:在衬底上生长缓冲层;
其中,可采用MOCVD或PVD生长AlN层作为缓冲层,但不限于此。
S22:在缓冲层上生长非掺杂GaN层;
其中,在本发明的一个实施例之中,在MOCVD中生长非掺杂GaN层,生长温度为1050℃~1150℃,生长压力为100torr~500torr。
S23:在非掺杂GaN层上生长N型GaN层;
其中,在本发明的一个实施例之中,在MOCVD中生长N型GaN层,生长温度为1100℃~1200℃,生长压力为100torr~500torr。
S24:在N型GaN层上生长V形坑层;
其中,在本发明的一个实施例之中,在MOCVD中周期性生长InaGa1-aN层和GaN层,直至得到V形坑层。其中,InaGa1-aN层的生长温度为750℃~850℃,生长压力为100torr~200torr。GaN层的生长温度为850℃~900℃,生长压力为100torr~200torr。
S25:在V形坑层上生长多量子阱层;
其中,在本发明的一个实施例之中,在MOCVD中周期性生长InGaN量子阱层和AlGaN量子垒层,以形成多量子阱层。其中,InGaN量子阱层的生长温度为750℃~900℃,生长压力为100torr~300torr。AlGaN量子垒层的生长温度为800℃~900℃,生长压力为100torr~300torr。
S26:在多量子阱层上生长位错屏蔽层;
具体的,步骤S26包括:
S261:在多量子阱层上生长三维SiNx层;
其中,可通过PECVD、PVD生长非化学计量比的三维SiNx层。优选的,在本发明的一个实施例之中,三维SiNx层通过PECVD生长,其SiH4流量为5sccm~15sccm,NH3流量为40sccm~80sccm,N2流量为80sccm~100sccm,射频功率为15W~22W,腔体压强为50Pa~100Pa。
S262:在三维SiNx层上生长三维YGaN层;
其中,在本发明的一个实施例之中,三维YGaN层通过MOCVD生长,其生长温度为800℃~1000℃,生长压力为300torr~600torr,V/III比为200~500。其中,V/III比是指N源与Ga源的摩尔比。基于上述生长条件,一者促进了Y源的扩散,有效调整了三维YGaN层中Y组分的占比,二者促进了三维生长。
其中,三维YGaN层的生长载气为N2和/或H2,优选的为N2,其可有效促进三维生长。
S263:在三维YGaN层上生长二维Mg、Cr共掺GaN层;
其中,在本发明的一个实施例之中,在MOCVD中生长二维Mg、Cr共掺GaN层;其生长温度为900℃~1100℃,生长压力为50torr~200torr,V/III比为2000~3000。基于该生长条件,可促进二维生长。
其中,二维Mg、Cr共掺GaN层的生长载气为N2和/或H2,优选的为N2和H2的混合气体,且N2和H2的体积比为1:1~1:20。
S27:在二维Mg、Cr共掺GaN层上生长电子阻挡层;
其中,在本发明的一个实施例之中,通过MOCVD生长AlInGaN层,作为电子阻挡层。其生长温度为900℃~1000℃,生长压力为100torr~300torr。
S28:在电子阻挡层上生长P型GaN层;
其中,在本发明的一个实施例之中,通过MOCVD生长P型GaN层。其生长温度为1000℃~1100℃,生长压力为100torr~300torr。
下面以具体实施例对本发明进行进一步说明:
实施例1
参考图1~图2,本实施例提供一种发光二极管外延片,其包括衬底1和依次设于衬底1上的缓冲层2、非掺杂GaN层3、N型GaN层4、V形坑层5、多量子阱层6、位错屏蔽层7、电子阻挡层8和P型GaN层9。
其中,衬底1为蓝宝石衬底,缓冲层2为AlN层,其厚度为30nm。非掺杂GaN层3的厚度为1.5μm。N型GaN层4的厚度为2μm,掺杂元素为Si,Si的掺杂浓度为8×1018cm-3。
其中,V形坑层5为周期性结构,周期数为8,每个周期均包括依次层叠的InaGa1-aN层(a=0.12)和GaN层,单个InaGa1-aN层的厚度为3nm,单个GaN层的厚度为8nm。
其中,多量子阱层6为周期性结构,周期数为10,每个周期均包括依次层叠的InGaN量子阱层和AlGaN量子垒层。其中,单个InGaN量子阱层的厚度为3nm,单个GaN量子垒层的厚度为11nm。
其中,位错屏蔽层7包括依次层叠于多量子阱层6上的三维SiNx层71(x=0.8)、三维YGaN层72和二维Mg、Cr共掺GaN层73。三维SiNx层71的厚度为22nm。三维YGaN层72中Y组分的占比为0.4,厚度为8nm。二维Mg、Cr共掺GaN层73中Mg的掺杂浓度为3×1019cm-3,Cr的掺杂浓度为4×1020cm-3,厚度为38nm。
其中,电子阻挡层8为AlInGaN层,其厚度为45nm。P型GaN层9的厚度为45nm,掺杂元素为Mg,掺杂浓度为5×1020cm-3。
本实施例中用于发光二极管外延片的制备方法,包括以下步骤:
(1)提供衬底;
(2)在衬底上生长缓冲层;
其中,通过PVD生长AlN,作为缓冲层。
(3)在缓冲层上生长非掺杂GaN层;
其中,在MOCVD中生长非掺杂GaN层,生长温度为1120℃,生长压力为300torr。
(4)在非掺杂GaN层上生长N型GaN层;
其中,在MOCVD中生长N型GaN层,生长温度为1130℃,生长压力为300torr。
(5)在N型GaN层上生长V形坑层;
其中,在MOCVD中周期性生长InaGa1-aN层和GaN层,直至得到V形坑层。其中,InaGa1- aN层的生长温度为760℃,生长压力为150torr。GaN层的生长温度为880℃,生长压力为150torr。
(6)在V形坑层上生长多量子阱层;
其中,在MOCVD中周期性生长InGaN量子阱层和AlGaN量子垒层,以形成多量子阱层。其中,InGaN量子阱层的生长温度为780℃,生长压力为200torr。AlGaN量子垒层的生长温度为880℃,生长压力为200torr。
(7)在Mg掺AlGaN层上生长三维SiNx层;
其中,三维SiNx层通过PECVD生长,其SiH4流量为13sccm,NH3流量为42sccm,N2流量为85sccm,射频功率为20W,腔体压强为80Pa。
(8)在三维SiNx层上生长三维YGaN层;
其中,三维YGaN层通过MOCVD生长,其生长温度为830℃,生长压力为550torr,V/III比为300。其生长载气为N2和H2的混合气体,且N2和H2的体积比为1:20。
(9)在三维YGaN层上生长二维Mg、Cr共掺GaN层;
其中,在MOCVD中生长二维Mg、Cr共掺GaN层;其生长温度为1050℃,生长压力为150torr,V/III比为2700。其生长载气为N2。
(10)在二维Mg、Cr共掺GaN层上生长电子阻挡层;
其中,通过MOCVD生长AlInGaN层,作为电子阻挡层。其生长温度为930℃,生长压力为150torr。
(11)在电子阻挡层上生长P型GaN层;
其中,通过MOCVD生长P型GaN层。其生长温度为1050℃,生长压力为200torr。
实施例2
本实施例提供一种发光二极管外延片,其与实施例1的区别在于:
三维YGaN层72的生长载气为N2;二维Mg、Cr共掺GaN层的生长载气为N2和H2的混合气体,且N2和H2的体积比为1:10。
其余均与实施例1相同。
实施例3
本实施例提供一种发光二极管外延片,其与实施例2的区别在于:
三维SiNx层71的厚度为12nm。三维YGaN层72的厚度为25nm。二维Mg、Cr共掺GaN层73的厚度为50nm。
其余均与实施例2相同。
实施例4
本实施例提供一种发光二极管外延片,其与实施例3的区别在于:
三维YGaN层72中Y组分占比为0.2。
其余均与实施例3相同。
实施例5
本实施例提供一种发光二极管外延片,其与实施例4的区别在于:
二维Mg、Cr共掺GaN层73中,Mg的掺杂浓度为7.5×1019cm-3,Cr的掺杂浓度为6.5×1020cm-3。
其余均与实施例4相同。
对比例1
本对比例提供一种发光二极管外延片,其与实施例1的区别在于,不包括位错屏蔽层7,也不包括该层的制备步骤。其余均与实施例1相同。
对比例2
本对比例提供一种发光二极管外延片,其与实施例1的区别在于,不包括三维SiNx层,也不包括该层的制备步骤。其余均与实施例1相同。
对比例3
本对比例提供一种发光二极管外延片,其与实施例1的区别在于,不包括三维YGaN层,也不包括该层的制备步骤。其余均与实施例1相同。
对比例4
本对比例提供一种发光二极管外延片,其与实施例1的区别在于,不包括二维Mg、Cr共掺GaN层,也不包括该层的制备步骤。其余均与实施例1相同。
将实施例1~实施例5,对比例1~对比例4所得的发光二极管外延片加工制作成10×24mil具有垂直结构的LED芯片,测试其抗静电能力和发光亮度,具体的测试方法为:
(1)亮度:在通入电流120mA时,测试所得芯片的亮度,每个实施例、对比例各测试10个,取平均值。并以对比例1为基准,计算亮度提升率;
(2)抗静电性能测试:在HBM(人体放电模型)模型下运用静电仪对基芯片的抗静电性能进行测试,测试芯片能承受反向8000V静电的通过比例,每个实施例、对比例各测试10个,取平均值。
具体结果如下:
由表中可以看出,当在传统的发光二极管结构(对比例1)中添加本发明的位错屏蔽层时,有效提升了发光效率,抗静电能力。
以上所述是发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种发光二极管外延片,其特征在于,包括衬底和依次设于所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、V形坑层、多量子阱层、位错屏蔽层、电子阻挡层和P型GaN层;所述位错屏蔽层包括依次生长于所述多量子阱层上的三维SiNx层、三维YGaN层和二维Mg、Cr共掺GaN层,其中,x为0.5~1。
2.如权利要求1所述的发光二极管外延片,其特征在于,所述三维SiNx层的厚度为1nm~50nm,所述三维YGaN层的厚度为1nm~100nm,所述二维Mg、Cr共掺GaN层的厚度为10nm~200nm。
3.如权利要求1或2所述的发光二极管外延片,其特征在于,所述三维SiNx层的厚度为5nm~15nm,所述三维YGaN层的厚度为20nm~30nm,所述二维Mg、Cr共掺GaN层的厚度为40nm~80nm。
4.如权利要求1所述的发光二极管外延片,其特征在于,所述三维YGaN层中Y组分占比为0.01~0.5;
所述二维Mg、Cr共掺GaN层中,Mg的掺杂浓度为1×1019cm-3~1×1021cm-3,Cr的掺杂浓度为1×1020cm-3~5×1021cm-3。
5.如权利要求1或4所述的发光二极管外延片,其特征在于,所述三维YGaN层中Y组分占比为0.02~0.25;
所述二维Mg、Cr共掺GaN层中,Mg的掺杂浓度为5×1019cm-3~5×1020cm-3,Cr的掺杂浓度为5×1020cm-3~5×1021cm-3。
6.一种发光二极管外延片的制备方法,用于制备如权利要求1~5任一项所述的发光二极管外延片,其特征在于,包括:
提供衬底,在所述衬底上依次生长缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、V形坑层、多量子阱层、位错屏蔽层、电子阻挡层和P型GaN层;所述位错屏蔽层包括依次生长于所述多量子阱层上的三维SiNx层、三维YGaN层和二维Mg、Cr共掺GaN层,其中,x为0.5~1。
7.如权利要求6所述的发光二极管外延片的制备方法,其特征在于,所述三维SiNx层通过PECVD生长,其SiH4流量为5sccm~15sccm,NH3流量为40sccm~80sccm,N2流量为80sccm~100sccm,射频功率为15W~22W,腔体压强为50Pa~100Pa。
8.如权利要求6所述的发光二极管外延片的制备方法,其特征在于,所述三维YGaN层通过MOCVD生长,其生长温度为800℃~1000℃,生长压力为300torr~600torr,V/III比为200~500;
所述二维Mg、Cr共掺GaN层通过MOCVD生长,其生长温度为900℃~1100℃,生长压力为50torr~200torr,V/III比为2000~3000。
9.如权利要求6所述的发光二极管外延片的制备方法,其特征在于,所述三维YGaN层的生长载气为N2;
所述二维Mg、Cr共掺GaN层的生长载气为N2和H2的混合气体,且N2和H2的体积比为1:1~1:20。
10.一种发光二极管,其特征在于,包括如权利要求1~5任一项所述的发光二极管外延片。
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