CN116569672A - 显示基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

显示基板及其制备方法、显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN116569672A
CN116569672A CN202180003096.5A CN202180003096A CN116569672A CN 116569672 A CN116569672 A CN 116569672A CN 202180003096 A CN202180003096 A CN 202180003096A CN 116569672 A CN116569672 A CN 116569672A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
substrate
pixel
display substrate
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202180003096.5A
Other languages
English (en)
Inventor
黄海涛
徐传祥
于勇
吴慧利
崔钊
刘文渠
舒适
井丽娜
孟德天
倪子博
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN202310881416.8A priority Critical patent/CN116669473A/zh
Publication of CN116569672A publication Critical patent/CN116569672A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H10K59/80521—Cathodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H10K59/80515—Anodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/877—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

一种显示基板及其制备方法、显示装置，所述显示基板包括基底(10)、设置在所述基底(10)上的至少一个绝缘膜层以及设置在所述绝缘膜层远离所述基底(10)一侧的第一电极；其中：至少一个所述绝缘膜层远离所述基底(10)的一侧设置有凹凸结构，所述凹凸结构在所述基底(10)上的正投影与所述第一电极在所述基底(10)上的正投影包含重叠区域。

Description

显示基板及其制备方法、显示装置 技术领域
本公开实施例涉及但不限于显示技术领域，尤指一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)为主动发光显示器件，具有发光、超薄、广视角、高亮度、高对比度、较低耗电、极高反应速度等优点。依据驱动方式的不同，OLED可分为无源矩阵驱动(Passive Matrix，简称PM)型和有源矩阵驱动(Active Matrix，简称AM)型两种，其中AMOLED是电流驱动器件，采用独立的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)控制每个子像素，每个子像素皆可以连续且独立的驱动发光。
发明内容
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
本公开实施例提供了一种显示基板，包括：基底、设置在所述基底上的至少一个绝缘膜层以及设置在所述绝缘膜层远离所述基底一侧的第一电极；其中：至少一个所述绝缘膜层远离所述基底的一侧设置有凹凸结构，所述凹凸结构在所述基底上的正投影与所述第一电极在所述基底上的正投影包含重叠区域。
在示例性实施例中，所述显示基板包括：依次形成在所述基底上的平坦层、发光结构层、封装层和彩膜层，所述发光结构层包括像素定义层、阳极、阴极以及位于所述阳极和所述阴极之间的有机发光层，所述像素定义层包括多个像素开口，所述像素开口暴露出至少部分所述阳极；所述阴极覆盖所述像素定义层；
所述彩膜层包括间隔设置的黑矩阵和彩色滤光片，所述黑矩阵具有呈矩阵排列的多个开口区域，所述彩色滤光片至少部分填充于所述开口区域内，所述彩色滤光片与所述黑矩阵至少包括部分交叠区域，在所述交叠区域，所述彩色滤光片覆盖所述黑矩阵。
在示例性实施例中，至少一个所述绝缘膜层包括：所述像素定义层，所述第一电极包括：所述阴极。
在示例性实施例中，所述像素定义层包括多个第一凸起部，相邻的所述第一凸起部之间形成有第一凹陷部。
在示例性实施例中，所述第一凹陷部为环绕所述像素开口的凹槽，相邻所述凹槽之间的距离为所述黑矩阵的开口区域的边缘与所述像素定义层形成的像素开口的边缘之间的距离的1/8到7/8之间。
在示例性实施例中，相邻所述凹槽之间的距离在1微米至2微米之间。
在示例性实施例中，所述凹槽的宽度在0.8微米至1.5微米之间。
在示例性实施例中，所述第一凹陷部为环绕所述像素开口的开孔，所述开孔的宽度在0.5微米至1.8微米之间。
在示例性实施例中，多个所述开孔组成多个环形结构单元，至少一个环形结构单元包括N个围绕所述像素开口设置且相互平行的环形结构，最内层环形结构包括多个第一开孔，所述第一开孔与所述像素开口邻接，N为大于1的自然数。
在示例性实施例中，多个所述第一开孔之间形成锯齿状凸起，所述锯齿状凸起的宽度在0.8微米至1.5um之间。
在示例性实施例中，N为1至50之间的自然数。
在示例性实施例中，至少一个所述绝缘膜层包括：所述平坦层，所述第一电极包括：所述阳极。
在示例性实施例中，所述平坦层包括多个第二凸起部，相邻的所述第二凸起部之间形成有第二凹陷部。
在示例性实施例中，所述第二凸起部为锯齿形。
在示例性实施例中，所述第二凸起部与所述第二凹陷部之间的段差为所述平坦层的厚度的1/8到7/8之间。
在示例性实施例中，所述第二凸起部与所述第二凹陷部之间的段差在0.2微米至0.8微米之间。
在示例性实施例中，至少一个所述绝缘膜层包括所述像素定义层和所述平坦层，所述第一电极包括所述阴极和所述阳极；所述像素定义层远离所述基底的一侧设置有第一凹凸结构，所述第一凹凸结构在所述基底上的正投影与所述阴极在所述基底上的正投影包含重叠区域；所述平坦层远离所述基底的一侧设置有第二凹凸结构，所述第二凹凸结构在所述基底上的正投影与所述阳极在所述基底上的正投影包含重叠区域。
在示例性实施例中，所述显示基板还包括设置在所述封装层和所述彩膜层之间的触控结构层，所述触控结构层包括多个触控电极，所述黑矩阵在所述基底上的正投影包含所述触控电极在所述基底上的正投影。
本公开实施例还提供了一种显示装置，包括如前任一所述的显示基板。
本公开实施例提供了一种显示基板的制备方法，包括：在基底上形成至少一个绝缘膜层，至少一个所述绝缘膜层远离所述基底的一侧设置有凹凸结构；在所述绝缘膜层远离所述基底的一侧形成第一电极，所述凹凸结构在所述基底上的正投影与所述第一电极在所述基底上的正投影包含重叠区域。
在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
附图说明
附图用来提供对本公开技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开技术方案的限制。附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。
图1为一种显示装置的结构示意图；
图2为一种显示基板的平面结构示意图；
图3a和图3b为两种色分离现象示意图；
图4为本公开实施例的一种显示基板的结构示意图；
图5a和图5b为本公开色分离改善后的结果示意图；
图6为本公开实施例一种制备柔性基底图案后的显示基板结构示意图；
图7为本公开实施例一种制备驱动结构层图案后的显示基板结构示意图；
图8为本公开实施例一种形成平坦层图案后的显示基板结构示意图；
图9为本公开实施例一种形成阳极图案后的显示基板结构示意图；
图10为本公开实施例一种形成像素定义层图案后的显示基板结构示意图；
图11和图12为本公开实施例两种像素定义层的结构示意图；
图13为本公开实施例一种形成隔垫物层图案后的显示基板结构示意图；
图14为本公开实施例一种形成阴极图案后的显示基板结构示意图；
图15为本公开实施例一种形成封装层图案后的显示基板结构示意图；
图16为本公开实施例一种形成触控结构层图案后的显示基板结构示意图；
图17为本公开实施例一种形成彩膜层图案后的显示基板结构示意图；
图18为本公开实施例一种贴合盖板后的显示基板结构示意图；
图19为本公开实施例一种光学改善色分离测试模型结构示意图；
图20a和图20b为图19中的入射光沿着彩色滤光片长轴方向时的仿真结果示意图；
图21a和图21b为图19中的入射光沿着彩色滤光片短轴方向时的仿真结果示意图。
具体实施方式
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本公开的实施例进行详细说明。实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为各种各样的形式。因此，本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
本公开中的附图比例可以作为实际工艺中的参考，但不限于此。例如：沟道的宽长比、各个膜层的厚度和间距、各个信号线的宽度和间距，可以根据实际需要进行调整。显示基板中像素的个数和每个像素中子像素的个数也不是限定为图中所示的数量，本公开中所描述的附图仅是结构示意图，本公开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。
本说明书中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置，而不是为了在数量方面上进行限定的。
在本说明书中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述各构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在说明书中说明的词句，根据情况可以适当地更换。
在本说明书中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。
在本说明书中，晶体管是指至少包括栅电极、漏电极以及源电极这三个端子的元件。晶体管在漏电极(漏电极端子、漏区域或漏电极)与源电极(源电极端子、源区域或源电极)之间具有沟道区域，并且电流能够流过漏电 极、沟道区域以及源电极。注意，在本说明书中，沟道区域是指电流主要流过的区域。
在本说明书中，第一极可以为漏电极、第二极可以为源电极，或者第一极可以为源电极、第二极可以为漏电极。在使用极性相反的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下，“源电极”及“漏电极”的功能有时互相调换。因此，在本说明书中，“源电极”和“漏电极”可以互相调换，“源端”和“漏端”可以互相调换。
在本说明书中，“电连接”包括构成要素通过具有某种电作用的元件连接在一起的情况。“具有某种电作用的元件”只要可以进行连接的构成要素间的电信号的授受，就对其没有特别的限制。“具有某种电作用的元件”的例子不仅包括电极和布线，而且还包括晶体管等开关元件、电阻器、电感器、电容器、其它具有各种功能的元件等。
在本说明书中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态，因此，也包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态，因此，也包括85°以上且95°以下的角度的状态。
在本说明书中，“膜”和“层”可以相互调换。例如，有时可以将“导电层”换成为“导电膜”。与此同样，有时可以将“绝缘膜”换成为“绝缘层”。
本说明书中三角形、矩形、梯形、五边形或六边形等并非严格意义上的，可以是近似三角形、矩形、梯形、五边形或六边形等，可以存在公差导致的一些小变形，可以存在导角、弧边以及变形等。
本公开中的“约”，是指不严格限定界限，允许工艺和测量误差范围内的数值。
图1为一种显示装置的结构示意图。如图1所示，显示装置可以包括时序控制器、数据信号驱动器、扫描信号驱动器和像素阵列，时序控制器分别与数据信号驱动器和扫描信号驱动器连接，数据信号驱动器分别与多个数据信号线(D1到Dn)连接，扫描信号驱动器分别与多个扫描信号线(S1到Sm)连接。像素阵列可以包括多个子像素Pxij，i和j可以是自然数，至少一 个子像素Pxij可以包括电路单元和与电路单元连接的发光器件，电路单元可以包括至少一个扫描信号线、至少一个数据信号线和像素驱动电路。在一些示例性实施例中，时序控制器可以将适合于数据信号驱动器的规格的灰度值和控制信号提供到数据信号驱动器，可以将适合于扫描信号驱动器的规格的时钟信号、扫描起始信号等提供到扫描信号驱动器。数据信号驱动器可以利用从时序控制器接收的灰度值和控制信号来产生将提供到数据信号线D1、D2、D3、……和Dn的数据电压。例如，数据信号驱动器可以利用时钟信号对灰度值进行采样，并且以像素行为单位将与灰度值对应的数据电压施加到数据信号线D1至Dn，n可以是自然数。扫描信号驱动器可以通过从时序控制器接收时钟信号、扫描起始信号等来产生将提供到扫描信号线S1、S2、S3、……和Sm的扫描信号。例如，扫描信号驱动器可以将具有导通电平脉冲的扫描信号顺序地提供到扫描信号线S1至Sm。例如，扫描信号驱动器可以被构造为移位寄存器的形式，并且可以以在时钟信号的控制下顺序地将以导通电平脉冲形式提供的扫描起始信号传输到下一级电路的方式产生扫描信号，m可以是自然数。
图2为一种显示基板的平面结构示意图。如图2所示，显示基板可以包括以矩阵方式排布的多个像素单元P，多个像素单元P的至少一个包括出射第一颜色光线的第一子像素P1、出射第二颜色光线的第二子像素P2、出射第三颜色光线的第三子像素P3和出射第四颜色光线的第四子像素P4，四个子像素可以均包括电路单元和发光器件，电路单元可以包括扫描信号线、数据信号线和像素驱动电路，像素驱动电路分别与扫描信号线和数据信号线连接，像素驱动电路被配置为在扫描信号线的控制下，接收数据信号线传输的数据电压，向发光器件输出相应的电流。每个子像素中的发光器件分别与所在子像素的像素驱动电路连接，发光器件被配置为响应所在子像素的像素驱动电路输出的电流发出相应亮度的光。
在一些示例性实施例中，第一子像素P1可以是出射红色光线的红色子像素(R)，第二子像素P2可以是出射绿色光线的绿色子像素(G)，第三子像素P3可以是出射白色光线的白色子像素(W)，第四子像素P4可以是出射蓝色光线的蓝色子像素(B)。
在一些示例性实施例中，子像素的形状可以是矩形状、菱形、五边形或六边形。在一种示例性实施方式中，四个子像素可以采用水平并列方式排列，形成RWBG像素排布。在另一种示例性实施方式中，四个子像素可以采用正方形(Square)、钻石形(Diamond)或竖直并列等方式排列，本公开在此不做限定。
在另一些示例性实施方式中，多个像素单元P的至少一个可以包括一个出射红色光线的红色(R)子像素、一个出射绿色光线的绿色(G)子像素和一个出射蓝色光线的蓝色(B)子像素，或者可以包括一个出射红色光线的红色子像素、两个出射绿色光线的绿色子像素和一个出射蓝色光线的蓝色子像素，本公开在此不做限定。像素单元包括三个子像素时，三个子像素可以采用水平并列、竖直并列或品字方式排列，像素单元包括四个子像素时，四个子像素可以采用水平并列、竖直并列或正方形(Square)方式排列，本公开在此不做限定。
在一些示例性实施例中，水平方向依次设置的多个子像素称为像素行，竖直方向依次设置的多个子像素称为像素列，多个像素行和多个像素列构成阵列排布的像素阵列。
目前，OLED面板相对于液晶显示屏(Liquid Crystal Display，LCD)最显著的特点是全固态显示(不含液晶)，在弯曲甚至折叠能力上有明显优势。为了提高OLED产品弯折性能，需要持续减薄模组厚度，而防反射的圆偏光片和贴合的触控模组在整体厚度中占有较大比例。为了解决该问题，人们采用了将触控结构和彩色滤光片结构整合在OLED封装层上的方法，即薄膜封装层上的触控结构(Touch on TFE，TOT)技术和色阻结构(CF on Encapsulation，COE)技术，大幅降低了模组厚度。但COE技术会存在暗态色分离现象，即熄屏状态时，在光源照射下会看到明显反射光颜色分离的现象，影响用户对绝对黑画面的体验，如图3a和图3b所示。
经过分析验证发现，出现暗态色分离现象的主要原因是去掉了圆偏光片后，环境光经红绿蓝像素反射以及阴极和阳极对光的定向反射后被不同程度的改变了强度分布。一些技术通过在涂覆保护层(OC)中参杂散射粒子来对 光进行散射，以改善色分离现象，但是散射粒子的引入会降低光透过率，进而失去COE高透过率的优势。
本公开实施例提供了一种显示基板，包括：基底、设置在基底上的至少一个绝缘膜层以及设置在绝缘膜层远离基底一侧的第一电极；其中：至少一个绝缘膜层远离基底的一侧设置有凹凸结构，该凹凸结构在基底上的正投影与第一电极在基底上的正投影包含重叠区域。
本公开实施例提供的显示基板，通过将与第一电极相对位置的至少一个绝缘膜层进行处理，形成凹凸结构，干扰环境光反射的路径，破坏环境光的出射，改善了色分离现象，且本公开的显示基板制备过程简单，生产效率高，具有生产成本低和良品率高等优势，具有良好的应用前景。
图4为本公开实施例一种显示基板的剖面结构示意图，如图4所示，本公开实施例的显示基板包括：基底以及依次形成在基底上的平坦层95和发光结构层，发光结构层包括阳极51；至少一个绝缘膜层包括：平坦层95，第一电极包括：阳极51；
平坦层95远离基底的一侧设置有第二凹凸结构，第二凹凸结构在基底上的正投影与阳极51在基底上的正投影包含重叠区域。
本实施例所提供的显示基板，通过将与阳极51正对位置的平坦层95进行平缓起伏处理，使得阳极51形成一定的起伏波动的形貌，即形成了漫反射阳极，干扰环境光反射的路径，破坏环境光的出射，改善了色分离现象。如图5a和图5b所示，本公开实施例的显示基板，色分离现象大幅减轻，在暗态强光照射下可以保持较好的黑色，经用户体验测试有明显的效果。
在一些示例性实施例中，第二凹凸结构包括多个第二凸起部，相邻的第二凸起部之间形成有第二凹陷部。
在一些示例性实施例中，第二凸起部可以为锯齿形。
在一些示例性实施例中，第二凸起部与第二凹陷部之间的段差可以在0.2微米至0.8微米之间。
在一些示例性实施例中，发光结构层还包括像素定义层96，像素定义层 96包括多个像素开口，像素开口暴露出阳极51；像素定义层96远离基底的一侧设置有第一凹凸结构。
本实施例中，至少一个绝缘膜层包括：像素定义层96，第一电极包括：阴极，通过对像素定义层96也进行平缓起伏处理，使得像素定义层96形成凹凸起伏的形貌，从而在沉积阴极时也可以使得阴极形成凹凸不平的形貌，即形成了散射阴极面，干扰环境光反射的路径，破坏环境光的出射，进一步改善了色分离现象。
在一些示例性实施例中，第一凹凸结构包括多个第一凸起部，相邻的第一凸起部之间形成有第一凹陷部。
在一些示例性实施例中，第一凹陷部为环绕像素开口的凹槽，凹槽的宽度在0.8微米至1.5微米之间，相邻凹槽之间的距离在1微米至2微米之间。
在一些示例性实施例中，相邻凹槽之间的距离为黑矩阵的开口区域的边缘与像素定义层形成的像素开口的边缘之间的距离的1/8到7/8之间。
在另一些示例性实施例中，第一凹陷部为环绕像素开口的开孔，开孔的宽度在0.5微米至1.8微米之间。
在一些示例性实施例中，多个开孔组成多个环形结构单元，每个环形结构单元包括N个围绕像素开口设置且相互平行的环形结构，最内层环形结构包括多个第一开孔，第一开孔与像素开口邻接，多个第一开孔之间形成锯齿状凸起，每个锯齿状凸起的宽度在0.8微米至1.5um之间，N为大于1的自然数。
在一些示例性实施例中，N为1至50之间的自然数。
在一些示例性实施例中，N为3。
在一些示例性实施例中，发光结构层还包括有机发光层52和阴极53，其中，有机发光层52设置在阳极51上；阴极53设置在有机发光层52上，有机发光层52与阳极51连接，阴极53与有机发光层52连接，有机发光层52在阳极51和阴极53驱动下出射相应颜色的光线。有机发光层52和阴极53与第一凹凸结构和/或第二凹凸结构相对应的位置为非平坦表面。
在一些示例性实施例中，有机发光层52可以包括叠设的空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子阻挡层(EBL)、发光层(EML)、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。在一些示例性实施例中，所有子像素的空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层可以是连接在一起的共通层，所有子像素的发光层可以是连接在一起的共通层，或者可以是相互隔离的，相邻子像素的发光层可以有少量的交叠。在一些可能的实现方式中，显示基板可以包括其它膜层，本公开在此不做限定。
在一些示例性实施例中，显示基板还包括设置在发光结构层远离基底一侧的封装层98。封装层98可以包括叠设的第一封装层、第二封装层和第三封装层，第一封装层和第三封装层可以采用无机材料，第二封装层可以采用有机材料，第二封装层设置在第一封装层和第三封装层之间，可以保证外界水汽无法进入发光结构层。
在一些示例性实施例中，基底包括基底10、设置在基底10上的驱动结构层102。基底10可以是柔性基底，或者可以是刚性基底。每个子像素的驱动结构层102可以包括由多个晶体管和存储电容构成的像素驱动电路。阳极51通过平坦层95上开设的过孔与驱动结构层中的第一薄膜晶体管连接。
在一些示例性实施例中，如图4所示，显示基板还包括设置在封装层98远离基底一侧的彩膜层，彩膜层包括间隔设置的黑矩阵71和彩色滤光片72，黑矩阵71具有呈矩阵排列的多个开口区域，彩色滤光片72填充于开口区域内。在示例性实施例中，彩色滤光片72与黑矩阵71至少包括部分交叠区域。在黑矩阵71和彩色滤光片72的交叠区域，彩色滤光片72覆盖黑矩阵71。
在一些示例性实施例中，显示基板还包括设置在封装层98和彩膜层之间的触控结构层103，触控结构层103可以包括多个触控电极，黑矩阵71在基底上的正投影包含触控电极在基底上的正投影。
下面通过本实施例显示面板的制备过程进一步说明本实施例的技术方案。其中，本实施例中所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模 曝光、显影、刻蚀和剥离光刻胶等处理。本实施例中所说的“光刻工艺”包括涂覆膜层、掩模曝光、显影等处理，是相关技术中成熟的制备工艺。沉积可以采用选自溅射、蒸镀和化学气相沉积中的任意一种或多种，涂覆可以采用选自喷涂和旋涂中的任意一种或多种，刻蚀可以采用选自干刻和湿刻中的任意一种或多种。“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积或涂覆工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需构图工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。当在整个制作过程当中该“薄膜”还需构图工艺，则在构图工艺前称为“薄膜”，构图工艺后称为“层”。经过构图工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。本公开中所说的“A和B同层设置”是指，A和B通过同一次构图工艺同时形成。“A的正投影包含B的正投影”是指，B的正投影落入A的正投影范围内，或者A的正投影覆盖B的正投影。
在一些示例性实施例中，图4的显示基板的制备过程可以包括如下步骤：
(1)在玻璃载板1上制备柔性基底10。
本公开实施例的一个示例中，柔性基底10可以采用两层柔性层结构，柔性基底10包括在玻璃载板1上叠设的第一柔性材料层、第一无机材料层、半导体层、第二柔性材料层和第二无机材料层。第一柔性材料层、第二柔性材料层的材料可以采用聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)或经表面处理的聚合物软膜等材料，第一无机材料层、第二无机材料层的材料可以采用氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)等，用于提高基底的抗水氧能力，第一无机材料层、第二无机材料层也称之为阻挡(Barrier)层，半导体层的材料可以采用非晶硅(a-si)。
在一些示例性实施例中，以叠层结构PI1/Barrier1/a-si/PI2/Barrier2为例，柔性基底10的制备过程可以包括：先在玻璃载板1上涂布一层聚酰亚胺，固化成膜后形成第一柔性(PI1)层；随后在第一柔性层上沉积一层阻挡薄膜，形成覆盖第一柔性层的第一阻挡(Barrier1)层；然后在第一阻挡层上沉积一层非晶硅薄膜，形成覆盖第一阻挡层的非晶硅(a-si)层；然后在非晶硅层上再涂布一层聚酰亚胺，固化成膜后形成第二柔性(PI2)层；然后在第二柔性层上沉积一层阻挡薄膜，形成覆盖第二柔性层的第二阻挡(Barrier2) 层，完成柔性基底10的制备，如图6所示。
在其他示例中，柔性基底10可以采用一层柔性层结构，比如，柔性基底10包括叠设的柔性(PI)层和阻挡(Barrier)层。
(2)在柔性基底10上制备驱动结构层102图案。驱动结构层包括多条栅线和多条数据线，多条栅线和多条数据线垂直交叉限定出多个矩阵排布的像素单元，每个像素单元包括至少3个子像素，至少一个子像素包括至少一个第一薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)(在一种可能的实施例中，在屏下摄像头区域，至少一个子像素不设置TFT，只设置阳极)。第一薄膜晶体管可以是底栅结构，也可以是顶栅结构，可以是非晶硅(a-Si)薄膜晶体管，也可以是低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管或氧化物(Oxide)薄膜晶体管，在此不做限定。本实施例中，一个像素单元包括3个子像素，分别为红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B。当然，本实施例方案也适用于一个像素单元包括4个子像素(红色子像素R、绿色子像素G、蓝色子像素B和白色子像素W)情形。在一些示例性实施例中，驱动结构层的制备过程可以包括：
在柔性基底10上依次沉积第一绝缘薄膜和有源层薄膜，通过构图工艺对有源层薄膜进行构图，形成覆盖整个柔性基底10的第一绝缘层91，以及设置在第一绝缘层91上的有源层图案，有源层至少包括第一有源层11。在一示例性实施例中，第一绝缘层91称之为缓冲(Buffer)层，用于提高基底的抗水氧能力。
随后，依次沉积第二绝缘薄膜和第一金属薄膜，通过构图工艺对第一金属薄膜进行构图，形成覆盖有源层的第二绝缘层92，以及设置在第二绝缘层92上的第一栅电极层图案，第一栅电极层至少包括第一栅电极21和第一电容电极22、多条栅线(未示出)和多条栅引线(未示出)。在一示例性实施例中，第二绝缘层92称之为第一栅绝缘(GI1)层。
随后，依次沉积第三绝缘薄膜和第二金属薄膜，通过构图工艺对第二金属薄膜进行构图，形成覆盖第一栅电极层的第三绝缘层93，以及设置在第三绝缘层93上的第二栅电极层图案，第二栅电极层至少包括第二电容电极 31和第二栅引线(未示出)，第二电容电极31的位置与第一电容电极22的位置相对应。在一示例性实施例中，第三绝缘层93又称之为第二栅绝缘(GI2)层。
随后，沉积第四绝缘薄膜，通过构图工艺对第四绝缘薄膜进行构图，形成覆盖第二栅电极层的第四绝缘层94图案，第四绝缘层94上开设有多个第一过孔，多个第一过孔位置分别与第一有源层的两端位置相对应，多个第一过孔内的第四绝缘层94、第三绝缘层93和第二绝缘层92被刻蚀掉，分别暴露出第一有源层的表面。在一示例性实施例中，第四绝缘层94又称之为层间绝缘(ILD)层。
随后，沉积第三金属薄膜，通过构图工艺对第三金属薄膜进行构图，在第四绝缘层94上形成源漏金属层(SD)图案，源漏金属层至少包括第一源电极41、第一漏电极42、低压(VSS)线(未示出)、多条数据线(未示出)和多条数据引线(未示出)图案，第一源电极41和第一漏电极42分别通过第一过孔与第一有源层11的两端连接。在一示例性实施方式中，根据实际需要，源漏金属层还可以包括电源线(VDD)、补偿线和辅助阴极中的任意一种或多种。
至此，在柔性基底10上制备完成驱动结构层图案，如图7所示。第一有源层11、第一栅电极21、第一源电极41和第一漏电极42组成第一薄膜晶体管，第一电容电极22和第二电容电极31组成存储电容，多条栅引线和数据引线组成阵列基板栅极驱动(Gate Driver on Array，GOA)的驱动引线。
(3)在形成前述图案的柔性基底上涂覆第一平坦薄膜，通过构图工艺对第一平坦薄膜进行构图，形成覆盖整个柔性基底10的平坦(PLN)层95，如图8所示，平坦层95上设置有第二过孔V2，第二过孔V2内的平坦层95被刻蚀掉，暴露出第一薄膜晶体管的第一漏电极42的表面，平坦层95远离柔性基底10的一侧设置有第二凹凸结构951，第二凹凸结构951在柔性基底10上的正投影与后续形成的阳极51在柔性基底10上的正投影具有重叠区域，即在阳极51对应位置的平坦层95上形成起伏波动的形貌。
在一些示例性实施例中，第二凹凸结构951包括多个第二凸起部，相邻 的第二凸起部之间形成有第二凹陷部。
本实施例中，在对第一平坦薄膜进行构图时，掩膜版上的开口图形可以对应于第二凹凸结构951的第二凹陷部，由此，可以根据所需的第二凹凸结构951来设计掩膜版的开口图形的位置、形状以及布置方式，这样有利于简化显示基板的制造工序。
在一些示例性实施例中，第二凸起部可以为锯齿形。
在一些示例性实施例中，如图4所示，第二凸起部与第二凹陷部之间的段差h1可以为平坦层95的厚度h2的1/8到7/8之间。
在一些示例性实施例中，第二凸起部与第二凹陷部之间的段差h1可以为0.2微米至0.8微米。本实施例中，第二凸起部与第二凹陷部之间的段差指的是第二凸起部的最高点和第二凹陷部的最低点之间的高度差。
(4)在形成前述图案的基底上沉积透明导电薄膜，通过构图工艺对透明导电薄膜进行构图，形成阳极51图案，阳极51通过第二过孔V2与第一漏电极D连接。由于阳极51对应位置的平坦层95远离柔性基底的一侧具有起伏波动的形貌，因此，阳极51也可以形成起伏波动的形貌，也就可以形成漫反射阳极面。
在一些示例性实施例中，形成阳极51图案包括：在形成前述图案的基底上沉积第四金属薄膜，在第四金属薄膜上涂覆一层光刻胶，使用单色调掩膜版对光刻胶进行曝光，在阳极51所在位置形成未曝光区域，在其它位置形成完全曝光区域，显影去除完全曝光区域的光刻胶，随后刻蚀掉完全曝光区域第四金属薄膜，剥离光刻胶后形成阳极51图案，如图9所示。
由于本实施例显示面板为顶发射结构，因此阳极51为反射电极，可以采用具有高反射率的金属，如银Ag、金Au、钯Pd、铂Pt等，或这些金属的合金，或这些金属的复合层。实际实施时，还可以采用氧化铟锡ITO层和金属反射层的复合层结构，具有良好的导电性、高的反射率、良好的形态稳定性。
(5)在形成前述图案的基底上涂覆像素定义薄膜，通过掩膜、曝光、显影工艺，形成像素定义(PDL)层96图案，如图10所示，像素定义层96 上开设有像素开口K，像素开口K内的像素定义薄膜被显影掉，暴露出至少部分阳极51的表面，像素定义层96远离柔性基底10的一侧设置有第一凹凸结构961。像素开口K和第一凹凸结构961可以通过灰阶掩模设计实现。
在一些示例性实施例中，第一凹凸结构961在柔性基底10上的正投影与像素开口K在柔性基底10上的正投影不重叠。
在一些示例性实施例中，第一凹凸结构961位于像素定义层96靠近后续形成的有机发光层52的一侧位置，这样可以在像素定义层96接近发光区域的边缘位置形成起伏波动的形貌。
在一些示例性实施例中，如图10所示，第一凹凸结构961包括多个第一凸起部96a，相邻的第一凸起部96a之间形成有第一凹陷部96b。本公开实施例中，像素开口K内的像素定义层被全部显影掉，第一凹陷部96b内的像素定义层被部分显影掉，防止后续形成的阴极与阳极通过第一凹陷部96b发生短路。
在一些示例性实施例中，结合图4和图11所示，第一凹陷部96b为环绕像素开口K的凹槽，凹槽的宽度d1可以根据目前曝光设备的分辨率极限决定，相邻的凹槽之间的距离d2为后续形成的黑矩阵71的开口区域的边缘与像素定义层96形成的像素开口K的边缘之间的距离d3的1/8～7/8之间。
在一些示例性实施例中，如图11所示，第一凹陷部96b为环绕像素开口K的凹槽，凹槽的宽度d1在0.8微米至1.5微米之间，相邻凹槽之间的距离d2为1微米至2微米之间。
在另一些示例性实施例中，结合图4和图12所示，第一凹陷部96b包括环绕像素开口K的开孔，开孔的宽度d4可以根据目前曝光设备的分辨率极限决定。相邻开孔之间的距离d5为后续形成的黑矩阵71的开口区域的边缘与像素定义层96形成的像素开口K的边缘之间的距离d3的1/8～7/8之间。
示例性的，开孔的宽度d4可以在0.5微米至1.8微米之间。
在一些示例性实施例中，如图12所示，多个开孔组成多个环形结构单元96c，每个环形结构单元96c包括N个围绕像素开口K设置且相互平行的环形结构，最内层环形结构包括多个第一开孔96b1，第一开孔96b1与像素 开口K邻接，多个第一开孔96b1之间形成锯齿状凸起96a1，N为大于1的自然数。
在些示例性实施例中，如图12所示，锯齿状凸起96a1的宽度d6可以根据目前曝光设备的分辨率极限决定。相邻锯齿状凸起96a1之间的距离d7为后续形成的黑矩阵71的开口区域的边缘与像素定义层96形成的像素开口K的边缘之间的距离的1/8～7/8之间。
示例性的，锯齿状凸起96a1的宽度d6在0.8微米至1.5um之间。
在一些示例性实施例中，N在1至50之间。示例性的，N可以为3。
本实施例中，开孔的宽度设置在0.5微米至1.8微米之间，可以保证在像素开口曝开的同时而所设计的开孔曝不透，这样可以使得像素定义层96形成凹凸起伏的形貌，从而后续在沉积阴极53时也可以使得阴极53形成凹凸不平的形貌，也就可以形成散射阴极面。
(6)在形成前述图案的基底上涂覆有机材料薄膜，通过掩膜、曝光、显影工艺，形成隔垫物(PS)层97图案，如图13所示。
(7)在形成前述图案的基底上依次形成有机发光层52和阴极53，如图14所示。有机发光层52包括叠设的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层，形成在像素开口内，实现有机发光层52与阳极51连接。由于阳极51与第一晶体管的第一漏电极42连接，因而实现了有机发光层52的发光控制。阴极53与有机发光层52连接。由于阳极51和像素定义层96均具有起伏波动的形貌，因此，有机发光层52和阴极53也可以分别形成起伏波动的形貌，也就可以形成散射阴极面。在示例性实施方式中，阴极53可以是连通在一起的整体结构。
至此，在驱动电路层上制备完成发光结构层图案，发光结构层包括阳极、像素定义层、隔垫物层、有机发光层和阴极，有机发光层分别与阳极和阴极连接。
(8)在形成前述图案的基底上形成封装层98图案，如图15所示，封装层98可以采用无机材料/有机材料/无机材料的叠层结构，有机材料层设置在两个无机材料层之间。
在一些示例性实施例中，形成封装层98图案可以包括：先利用开放式掩膜板采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方式沉积第一无机薄膜，形成第一封装层。随后，利用喷墨打印工艺在第一封装层上喷墨打印有机材料，固化成膜后，形成第二封装层。随后，利用开放式掩膜板沉积第二无机薄膜，形成第三封装层，第一封装层、第二封装层和第三封装层组成封装层。在一些示例性实施例中，第一封装层和第三封装层可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或多种，可以是单层、多层或复合层，第二封装层可以采用树脂材料，形成无机材料/有机材料/无机材料的叠层结构，有机材料层设置在两个无机材料层之间，可以保证外界水汽无法进入发光结构层。
(9)在形成前述图案的基底上形成触控结构层103图案，如图16所示。
在一些示例性实施例中，触控结构层103可以包括叠层设置在封装层98上的缓冲层、第一触控电极层(即桥接层)、触控绝缘层(TLD)、第二触控电极层和保护层，多个第一触控电极、多个第二触控电极和多个第一连接部可以同层设置在第二触控电极层，并且可以通过同一次构图工艺形成，第一触控电极和第一连接部可以为相互连接的一体结构。第二连接部可以设置在第一触控电极层，通过过孔使相邻的第二触控电极相互连接，第二触控电极层与第一触控电极层之间设置有触控绝缘层。
在一些可能的实现方式中，多个第一触控电极、多个第二触控电极和多个第二连接部可以同层设置在第二触控电极层，第二触控电极和第二连接部可以为相互连接的一体结构，第一连接部可以设置在第一触控电极层，通过过孔使相邻的第一触控电极相互连接。
(10)在形成前述图案的基底上形成彩膜层图案，彩膜层包括同层设置的黑矩阵71和彩色滤光片72，黑矩阵71具有呈矩阵排列的多个开口区域，彩色滤光片72填充于开口区域内，彩色滤光片72与黑矩阵71至少包括部分交叠区域，在交叠区域，彩色滤光片72覆盖黑矩阵71，如图17所示。
在一些示例性实施例中，形成彩色滤光层图案包括：首先在形成前述图案的基底上涂覆混合了黑矩阵材料的高分子光刻胶层，经过曝光、显影，形 成黑矩阵71图形；然后，在形成前述图案的基底上涂覆混合了红色颜料的高分子光刻胶层，经过曝光、显影，形成红色区域的图形；采用相同的方法和步骤依次形成绿色区域的图形以及蓝色区域的图形。最终形成按照一定规则排列的红、绿、蓝三原色的彩色滤光片72。
(11)在形成前述图案的基底上进行薄膜封装工艺，形成涂覆保护层99图案；在形成涂覆保护层99图案的基底上涂覆光学胶100，在光学胶100上贴合盖板101，如图18所示。
(12)在制备完成上述膜层结构后，通过剥离工艺将显示基板从玻璃载板1上剥离，然后采用滚轮贴合方式在显示基板背面(柔性基底10远离膜层的一侧表面)贴附一层底膜，如图4所示。
通过上述过程，即完成本实施例图4所示的显示基板的制备。虽然本实施例的显示面板以顶发射结构进行了说明，但本实施例方案同样适用于底发射结构或双面发射结构，且同样适用于大尺寸或小尺寸显示面板。
本公开所示结构及其制备过程仅仅是一种示例性说明，在示例性实施方式中，可以根据实际需要变更相应结构以及增加或减少构图工艺。例如，每个显示单元可以包括3个或4个子像素。又如，像素驱动电路可以是5T1C或7T1C。再如，膜层结构中还可以设置其它电极或引线，本公开在此不做具体的限定。在示例性实施例中，源漏金属层也可以为双层结构，即，在垂直于显示基板的平面上，显示基板包括依次形成在基底上的第一绝缘层、有源层、第二绝缘层、第一栅电极层、第三绝缘层、第二栅电极层、第四绝缘层、第一源漏电极层、第一平坦层、第二源漏电极层和第二平坦层，第二源漏电极层至少包括阳极连接电极，阳极连接电极通过第一平坦层上的过孔与第一薄膜晶体管的漏电极连接，并通过第二平坦层上的过孔与阳极连接。
通过以上描述的显示基板的结构和制备流程可以看出，本公开所提供的显示基板，通过将与阳极正对的平坦层进行平缓起伏处理，使得阳极形成具有一定的起伏波动的形貌，即形成了漫反射阳极；同时，通过对像素定义层也进行平缓起伏处理，使得像素定义层形成凹凸起伏的形貌，从而在沉积阴极时也可以使得阴极形成凹凸不平的形貌，即形成了散射阴极面，这样在熄 屏状态下可以对外界环境光进入屏幕内时，散射阴阳极对光形成散射，破坏环境光出射方向，改善色分离现象，实现较好的熄屏效果，避免了在涂覆保护层中掺杂散射粒子会降低透过率的问题，无成本增加，且可以保持COE高透过率的优势，可应对未来5G及低功耗柔性产品需求。
一种光学改善色分离测试模型如图19所示，当入射光沿着彩色滤光片(CF)长轴方向时，仿真结果如图20a、图20b和表1所示，当入射光沿着彩色滤光片(CF)短轴方向时，仿真结果如图21a、图21b和表2所示。
表1
表2
本公开实施例的显示基板的制备工艺利用现有成熟的制备设备即可实现，对现有工艺改进较小，不需要增加工序和步骤既可以改善暗态色分离，可以很好地与现有制备工艺兼容，工艺实现简单，易于实施，生产效率高，生产成本低，良品率高。
在示例性实施方式中，本公开显示基板可以应用于具有像素驱动电路的显示装置中，如OLED、量子点显示(QLED)、发光二极管显示(Micro LED或Mini LED)或量子点发光二极管显示(QDLED)等，本公开在此不做限定。
本公开示例性实施例还提供了一种显示基板的制备方法，显示基板可以包括多个子像素；所述制备方法可以包括：
在基底上形成至少一个绝缘膜层，至少一个所述绝缘膜层远离所述基底的一侧设置有凹凸结构；
在所述绝缘膜层远离所述基底的一侧形成第一电极，所述凹凸结构在所述基底上的正投影与所述第一电极在所述基底上的正投影包含重叠区域。
本公开实施例还提供了一种显示装置，包括前述实施例的显示面板。显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
虽然本公开所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本公开而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何所属领域内的技术人员，在不脱离本公开所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (20)

  1. 一种显示基板，包括：基底、设置在所述基底上的至少一个绝缘膜层以及设置在所述绝缘膜层远离所述基底一侧的第一电极；其中：
    至少一个所述绝缘膜层远离所述基底的一侧设置有凹凸结构，所述凹凸结构在所述基底上的正投影与所述第一电极在所述基底上的正投影包含重叠区域。
  2. 根据权利要求1所述的显示基板，包括：依次形成在所述基底上的平坦层、发光结构层、封装层和彩膜层，所述发光结构层包括像素定义层、阳极、阴极以及位于所述阳极和所述阴极之间的有机发光层，所述像素定义层包括多个像素开口，所述像素开口暴露出至少部分所述阳极；所述阴极覆盖所述像素定义层；
    所述彩膜层包括间隔设置的黑矩阵和彩色滤光片，所述黑矩阵具有呈矩阵排列的多个开口区域，所述彩色滤光片至少部分填充于所述开口区域内，所述彩色滤光片与所述黑矩阵至少包括部分交叠区域，在所述交叠区域，所述彩色滤光片覆盖所述黑矩阵。
  3. 根据权利要求2所述的显示基板，其中，至少一个所述绝缘膜层包括：所述像素定义层，所述第一电极包括：所述阴极。
  4. 根据权利要求3所述的显示基板，其中，所述像素定义层包括多个第一凸起部，相邻的所述第一凸起部之间形成有第一凹陷部。
  5. 根据权利要求4所述的显示基板，其中，所述第一凹陷部为环绕所述像素开口的凹槽，相邻所述凹槽之间的距离为所述黑矩阵的开口区域的边缘与所述像素定义层形成的像素开口的边缘之间的距离的1/8到7/8之间。
  6. 根据权利要求5所述的显示基板，其中，相邻所述凹槽之间的距离在1微米至2微米之间。
  7. 根据权利要求5所述的显示基板，其中，所述凹槽的宽度在0.8微米 至1.5微米之间。
  8. 根据权利要求4所述的显示基板，其中，所述第一凹陷部为环绕所述像素开口的开孔，所述开孔的宽度在0.5微米至1.8微米之间。
  9. 根据权利要求8所述的显示基板，其中，多个所述开孔组成多个环形结构单元，至少一个环形结构单元包括N个围绕所述像素开口设置且相互平行的环形结构，最内层环形结构包括多个第一开孔，所述第一开孔与所述像素开口邻接，N为大于1的自然数。
  10. 根据权利要求9所述的显示基板，其中，多个所述第一开孔之间形成锯齿状凸起，所述锯齿状凸起的宽度在0.8微米至1.5um之间。
  11. 根据权利要求10所述的显示基板，其中，N为1至50之间的自然数。
  12. 根据权利要求2所述的显示基板，其中，至少一个所述绝缘膜层包括：所述平坦层，所述第一电极包括：所述阳极。
  13. 根据权利要求12所述的显示基板，其中，所述平坦层包括多个第二凸起部，相邻的所述第二凸起部之间形成有第二凹陷部。
  14. 根据权利要求13所述的显示基板，其中，所述第二凸起部为锯齿形。
  15. 根据权利要求13所述的显示基板，其中，所述第二凸起部与所述第二凹陷部之间的段差为所述平坦层的厚度的1/8到7/8之间。
  16. 根据权利要求13所述的显示基板，其中，所述第二凸起部与所述第二凹陷部之间的段差在0.2微米至0.8微米之间。
  17. 根据权利要求2所述的显示基板，其中，
    至少一个所述绝缘膜层包括所述像素定义层和所述平坦层，所述第一电极包括所述阴极和所述阳极；
    所述像素定义层远离所述基底的一侧设置有第一凹凸结构，所述第一凹凸结构在所述基底上的正投影与所述阴极在所述基底上的正投影包含重叠区域；
    所述平坦层远离所述基底的一侧设置有第二凹凸结构，所述第二凹凸结构在所述基底上的正投影与所述阳极在所述基底上的正投影包含重叠区域。
  18. 根据权利要求6所述的显示基板，还包括设置在所述封装层和所述彩膜层之间的触控结构层，所述触控结构层包括多个触控电极，所述黑矩阵在所述基底上的正投影包含所述触控电极在所述基底上的正投影。
  19. 一种显示装置，包括权利要求1至18任一所述的显示基板。
  20. 一种显示基板的制备方法，包括：
    在基底上形成至少一个绝缘膜层，至少一个所述绝缘膜层远离所述基底的一侧设置有凹凸结构；
    在所述绝缘膜层远离所述基底的一侧形成第一电极，所述凹凸结构在所述基底上的正投影与所述第一电极在所述基底上的正投影包含重叠区域。
CN202180003096.5A 2021-10-26 2021-10-26 显示基板及其制备方法、显示装置 Pending CN116569672A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310881416.8A CN116669473A (zh) 2021-10-26 2021-10-26 显示基板及其制备方法、显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/CN2021/126477 WO2023070328A1 (zh) 2021-10-26 2021-10-26 显示基板及其制备方法、显示装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310881416.8A Division CN116669473A (zh) 2021-10-26 2021-10-26 显示基板及其制备方法、显示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116569672A true CN116569672A (zh) 2023-08-08

Family

ID=86158996

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202180003096.5A Pending CN116569672A (zh) 2021-10-26 2021-10-26 显示基板及其制备方法、显示装置
CN202310881416.8A Pending CN116669473A (zh) 2021-10-26 2021-10-26 显示基板及其制备方法、显示装置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310881416.8A Pending CN116669473A (zh) 2021-10-26 2021-10-26 显示基板及其制备方法、显示装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20240023381A1 (zh)
EP (1) EP4333063A1 (zh)
CN (2) CN116569672A (zh)
WO (1) WO2023070328A1 (zh)

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6625835B2 (ja) * 2015-06-25 2019-12-25 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US10199607B2 (en) * 2016-06-30 2019-02-05 Lg Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device
CN109728197B (zh) * 2019-01-02 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法和显示装置
CN109524422A (zh) * 2019-01-07 2019-03-26 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、反射式显示面板和显示装置
CN111326636B (zh) * 2020-02-27 2021-04-27 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20240023381A1 (en) 2024-01-18
WO2023070328A1 (zh) 2023-05-04
EP4333063A1 (en) 2024-03-06
CN116669473A (zh) 2023-08-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11721122B2 (en) Display panel, manufacturing method thereof, and display apparatus
US7573191B2 (en) Organic EL device having a transflective layer and a light-reflective electrode constituting an optical resonator
US20220376209A1 (en) Display substrate and preparation method therefor, and display apparatus
US11744130B2 (en) Display substrate and preparation method thereof, and display apparatus
US20040224599A1 (en) Color filter, display device and electronic equipment, manufacturing method thereof, and apparatus for manufacturing display device
US20070222375A1 (en) System for displaying images including electroluminescent device and method for fabricating the same
US11232755B2 (en) Display substrate and manufacturing method therefor, and display device
EP4131398A1 (en) Display substrate and preparation method therefor, and display apparatus
US11864420B2 (en) Display panel with anode electrode comprising first transparent conductive layer and metal layer, and manufacturing method thereof, and display apparatus
CN114420871A (zh) 显示面板及其制备方法、显示装置
US7834960B2 (en) Thin film transistor array substrate structures
CN216719948U (zh) 显示基板、显示装置
WO2021189484A1 (zh) 显示基板及其制作方法、显示装置
US20220013603A1 (en) Display device and method of providing the same
US11974455B2 (en) Display device and method of manufacturing the same
CN116569672A (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
CN114420877B (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
WO2022226737A1 (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
CN215340637U (zh) 显示基板、彩膜基板、显示面板和显示装置
US20240172522A1 (en) Display substrate and preparation method therefor, and display apparatus
US20220181409A1 (en) Display device and method of manufacturing the same
CN116195380A (zh) 显示基板、显示装置
KR20220084811A (ko) 발광 소자, 그의 제조 방법 및 발광 소자를 포함하는 표시 장치 및 그의 제조 방법
CN115248516A (zh) 显示基板、彩膜基板、显示面板和显示装置
CN116546845A (zh) 一种显示基板及显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination