CN116195380A - 显示基板、显示装置 - Google Patents

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CN116195380A CN202180001906.3A CN202180001906A CN116195380A CN 116195380 A CN116195380 A CN 116195380A CN 202180001906 A CN202180001906 A CN 202180001906A CN 116195380 A CN116195380 A CN 116195380A
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Abstract

一种显示基板和显示装置。显示基板包括显示区(100)和周边区，周边区包括位于显示区(100)一侧的弯折区(300)，还包括第一裂纹检测线(201)；第一裂纹检测线(201)包括第一引线段(201a)、第二引线段(201b)、第三引线段(201c)和第四引线段(201d)，第一引线段(201a)和第四引线段(201d)至少部分位于弯折区(300)，第二引线段(201b)和第三引线段(201c)至少部分围绕显示区(100)，第一引线段(201a)的一端通过第一过孔(K1)与第二引线段(201b)的一端连接，第二引线段(201b)的另一端通过第二过孔(K2)与第三引线段(201c)的一端连接，第三引线段(201c)的另一端与第四引线段(201d)的一端连接。显示基板包括像素界定层(20)和触控绝缘层(25)，像素界定层(20)在第一过孔(K1)远离显示区(100)的一侧具有第一边界(BL1)，触控绝缘层(25)在第一过孔(K1)远离显示区(100)的一侧具有第二边界(BL2)，第二边界(BL2)位于第一边界(BL1)远离显示区(100)的一侧。

Description

显示基板、显示装置 技术领域
本公开实施例涉及但不限于显示技术领域，尤指一种显示基板、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)为主动发光显示器件，具有自发光、广视角、高对比度、低耗电、极高反应速度、轻薄、可弯曲和成本低等优点。随着显示技术的不断发展，以OLED为发光器件、由薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)进行信号控制的柔性显示装置(Flexible Display)已成为目前显示领域的主流产品。
发明内容
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
本公开提供了一种显示基板，包括显示区和位于所述显示区外围的周边区，所述周边区包括位于所述显示区一侧的弯折区；
第一裂纹检测线，位于所述周边区，且至少部分围绕所述显示区，所述第一裂纹检测线包括第一引线段、第二引线段、第三引线段和第四引线段，所述第一引线段和所述第四引线段至少部分位于所述弯折区，所述第二引线段和所述第三引线段至少部分围绕所述显示区，所述第一引线段的一端通过第一过孔与所述第二引线段的一端连接，所述第二引线段的另一端通过第二过孔与所述第三引线段的一端连接，所述第三引线段的另一端与所述第四引线段的一端连接；
所述显示基板包括衬底基板、位于所述衬底基板上的驱动电路层、位于所述驱动电路层远离所述衬底基板一侧的像素界定层和发光结构层、位于所述像素界定层和所述发光结构层远离所述衬底基板一侧的触控结构层，所述 像素界定层在所述显示区中具有多个第一开口，所述多个第一开口被配置为容纳所述发光结构层；
所述触控结构层包括触控绝缘层和位于所述触控绝缘层远离所述像素界定层一侧的触控电极层；
其中，所述像素界定层在所述第一过孔远离所述显示区的一侧具有第一边界，所述触控绝缘层在所述第一过孔远离所述显示区的一侧具有第二边界，所述第二边界位于所述第一边界远离所述显示区的一侧；
所述像素界定层在所述周边区具有第二开口，所述第一过孔在所述衬底基板的正投影位于所述第二开口在所述衬底基板的正投影中。
在示例性实施方式中，所述第一边界和所述第二边界的最短距离大于20微米。
在示例性实施方式中，所述显示基板还包括位于所述驱动电路层和所述像素界定层之间的第一平坦层，所述第一平坦层在远离所述第一过孔的一侧具有第三边界，所述第二边界位于所述第三边界远离所述显示区的一侧。
在示例性实施方式中，所述第二边界和所述第三边界的最短距离大于20微米。
在示例性实施方式中，所述第一过孔和所述第二过孔距离所述第二边界的最短距离相等。
在示例性实施方式中，所述显示基板还包括第三过孔，所述第三过孔位于所述第一过孔靠近所述显示区的一侧，所述第三过孔电连接所述第二引线段和所述第三引线段。
在示例性实施方式中，所述第二过孔在所述衬底基板的正投影位于所述第二开口在所述衬底基板的正投影中。
在示例性实施方式中，所述触控绝缘层覆盖所述第三过孔以及至少部分所述第三引线段。
在示例性实施方式中，所述第二边界位于所述弯折区，所述第三边界位于所述第一边界靠近所述显示区的一侧。
在示例性实施方式中，所述显示基板还包括位于所述弯折区远离所述显示区一侧的多个焊盘；所述显示基板还包括测试电路，所述测试电路位于所述弯折区和所述多个焊盘之间，所述第一引线段的另一端电连接所述测试电路。
在示例性实施方式中，所述测试电路包括多个测试单元，所述多个测试单元中的至少一个测试单元包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管的控制端连接测试控制线，所述第一晶体管和所述第二晶体管的第一端被配置为电连接数据线，所述第一晶体管的第二端被配置为电连接所述第一裂纹检测线，所述第二晶体管的第二端被配置为电连接检测数据线。
在示例性实施方式中，所述第四引线段的另一端与所述多个焊盘中的至少一个电连接。
在示例性实施方式中，所述显示区包括依次连接的第一边缘、第二边缘、第三边缘以及第四边缘，所述第一过孔位于靠近所述第一边缘的所述周边区。
在示例性实施方式中，所述第二引线段位于靠近所述第一边缘、所述第二边缘、所述第三边缘和所述第四边缘的所述周边区；所述第三引线段位于靠近所述第一边缘、所述第二边缘、所述第三边缘和所述第四边缘的所述周边区；所述显示区包括摄像头孔，所述第三引线段围绕所述摄像头孔绕线。
在示例性实施方式中，所述显示基板还包括第二裂纹检测线，所述第二裂纹检测线位于所述周边区且至少部分围绕所述显示区，所述第二裂纹检测线包括第一端和第二端，所述第一端和所述第二端分别连接所述多个焊盘中的至少一个。
在示例性实施方式中，所述第二裂纹检测线相对于所述显示区的中心线左右对称。
在示例性实施方式中，所述第一裂纹检测线包括第一子线和第二子线，所述第二裂纹检测线包括第三子线和第四子线，其中：所述第一子线位于靠近所述第三边缘和第四边缘的周边区，所述第二子线位于靠近所述第二边缘和第三边缘的周边区；所述第三子线位于靠近所述第三边缘和第四边缘的周 边区，所述第四子线位于靠近所述第二边缘和第三边缘的周边区。
在示例性实施方式中，所述第一过孔包括两个，所述第二过孔包括两个，两个所述第一过孔相对于所述显示区的中心线左右对称，两个所述第二过孔相对于所述显示区的中心线左右对称。
在示例性实施方式中，所述第一过孔和所述第二过孔位于所述显示区和所述弯折区之间。
在示例性实施方式中，所述驱动电路层包括在衬底基板上依次层叠设置的有源层、第一栅金属层、第二栅金属层、第一源漏金属层和第二源漏金属层，所述第一引线段、第二引线段和第四引线段与所述第一栅金属层、第二栅金属层、第一源漏金属层和第二源漏金属层中的任意一层或多层同层设置；所述第三引线段与所述触控电极层同层设置。
本公开还提供了一种显示装置，包括前述任一项的显示基板。
在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
附图说明
附图用来提供对本公开技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开的技术方案的限制。附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。
图1为一种显示基板的结构示意图；
图2为一种显示基板的像素排布结构示意图；
图3为一种显示基板的剖面结构示意图；
图4为本公开示例性实施例一种显示基板的结构示意图；
图5a和图5b为图4中A区域的两种放大结构示意图；
图6a为显示区以及图5a中BB’区域的一种剖面结构示意图；
图6b为显示区以及图5a中CC’区域的一种剖面结构示意图；
图7a为显示区以及图5b中DD’区域的一种剖面结构示意图；
图7b为显示区以及图5b中EE’区域的一种剖面结构示意图；
图8为本公开示例性实施例一种测试电路的结构示意图；
图9为显示区以及图5a中BB’区域形成第五绝缘层图案后的示意图；
图10为显示区以及图5a中CC’区域形成第五绝缘层图案后的示意图；
图11为显示区以及图5a中BB’区域形成第二源漏金属层图案后的示意图；
图12为显示区以及图5a中CC’区域形成第二源漏金属层图案后的示意图；
图13为显示区以及图5a中BB’区域形成第一平坦层图案后的示意图；
图14为显示区以及图5a中CC’区域形成第一平坦层图案后的示意图；
图15为显示区以及图5a中BB’区域形成封装层图案后的示意图；
图16为显示区以及图5a中CC’区域形成封装层图案后的示意图。
具体实施方式
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本公开的实施例进行详细说明。注意，实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为各种各样的形式。因此，本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了各构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的一个方式并不一定限定于该尺寸，附图中各部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。
本说明书中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置，而不是为了在数量方面上进行限定的。
在本说明书中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述各构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在说明书中说明的词句，根据情况可以适当地更换。
在本说明书中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。
在本说明书中，晶体管是指至少包括栅电极、漏电极以及源电极这三个端子的元件。晶体管在漏电极(漏电极端子、漏区域或漏电极)与源电极(源电极端子、源区域或源电极)之间具有沟道区域，并且电流能够流过漏电极、沟道区域以及源电极。注意，在本说明书中，沟道区域是指电流主要流过的区域。
在本说明书中，第一极可以为漏电极、第二极可以为源电极，或者第一极可以为源电极、第二极可以为漏电极。在使用极性相反的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下，“源电极”及“漏电极”的功能有时互相调换。因此，在本说明书中，“源电极”和“漏电极”可以互相调换。
在本说明书中，“电连接”包括构成要素通过具有某种电作用的元件连接在一起的情况。“具有某种电作用的元件”只要可以进行连接的构成要素间的电信号的授受，就对其没有特别的限制。“具有某种电作用的元件”的例子不仅包括电极和布线，而且还包括晶体管等开关元件、电阻器、电感器、电容器、其它具有各种功能的元件等。
在本说明书中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态，因此，也包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态，因此，也包括85°以上且95°以下的角度的状态。
在本说明书中，“膜”和“层”可以相互调换。例如，有时可以将“导电层”换成为“导电膜”。与此同样，有时可以将“绝缘膜”换成为“绝缘层”。
本公开中的“约”，是指不严格限定界限，允许工艺和测量误差范围内的数值。
图1为一种显示装置的结构示意图。如图1所示，OLED显示装置可以包括时序控制器、数据驱动器、扫描驱动器和像素阵列，像素阵列可以包括多个扫描信号线(S1到Sm)、多个数据信号线(D1到Dn)和多个子像素Pxij。在示例性实施方式中，时序控制器可以将适合于数据驱动器的规格的灰度值和控制信号提供到数据驱动器，可以将适合于扫描驱动器的规格的时钟信号、扫描起始信号等提供到扫描驱动器。数据驱动器可以利用从时序控制器接收的灰度值和控制信号来产生将提供到数据信号线D1、D2、D3、……和Dn的数据电压。例如，数据驱动器可以利用时钟信号对灰度值进行采样，并且以子像素行为单位将与灰度值对应的数据电压施加到数据信号线D1至Dn，n可以是自然数。扫描驱动器可以通过从时序控制器接收时钟信号、扫描起始信号等来产生将提供到扫描信号线S1、S2、S3、……和Sm的扫描信号。例如，扫描驱动器可以将具有导通电平脉冲的扫描信号顺序地提供到扫描信号线S1至Sm。例如，扫描驱动器可以被构造为移位寄存器的形式，并且可以以在时钟信号的控制下顺序地将以导通电平脉冲形式提供的扫描起始信号传输到下一级电路的方式产生扫描信号，m可以是自然数。子像素阵列可以包括多个像素子Pxij。每个像素子Pxij可以连接到对应的数据信号线和对应的扫描信号线，i和j可以是自然数。子像素Pxij可以指其中晶体管连接到第i扫描信号线且连接到第j数据信号线的子像素。
图2为一种显示基板的平面结构示意图。如图2所示，显示基板可以包括以矩阵方式排布的多个像素单元P，多个像素单元P的至少一个包括出射第一颜色光线的第一发光单元(子像素)P1、出射第二颜色光线的第二发光 单元P2和出射第三颜色光线的第三发光单元P3，第一发光单元P1、第二发光单元P2和第三发光单元P3均包括像素驱动电路和发光器件。第一发光单元P1、第二发光单元P2和第三发光单元P3中的像素驱动电路分别与扫描信号线、数据信号线和发光信号线连接，像素驱动电路被配置为在扫描信号线和发光信号线的控制下，接收数据信号线传输的数据电压，向所述发光器件输出相应的电流。第一发光单元P1、第二发光单元P2和第三发光单元P3中的发光器件分别与所在发光单元的像素驱动电路连接，发光器件被配置为响应所在发光单元的像素驱动电路输出的电流发出相应亮度的光。
在示例性实施方式中，像素单元P中可以包括红色(R)发光单元、绿色(G)发光单元和蓝色(B)发光单元，或者可以包括红色发光单元、绿色发光单元、蓝色发光单元和白色发光单元，本公开在此不做限定。在示例性实施方式中，像素单元中发光单元的形状可以是矩形状、菱形、五边形或六边形。像素单元包括三个发光单元时，三个发光单元可以采用水平并列、竖直并列或品字方式排列，像素单元包括四个发光单元时，四个发光单元可以采用水平并列、竖直并列或正方形(Square)方式排列，本公开在此不做限定。
图3为一种显示基板的剖面结构示意图，示意了一个子像素的结构。如图3所示，在垂直于显示基板的平面上，显示基板可以包括衬底基板10、设置在衬底基板10上的驱动电路层102、设置在驱动电路层102远离衬底基板10一侧的发光结构层103以及设置在发光结构层103远离衬底基板10一侧的封装层104。在一些可能的实现方式中，显示基板可以包括其它膜层，如设置在封装层104上的触控结构层105等，本公开在此不做限定。
在示例性实施方式中，衬底基板10可以是柔性衬底基板，或者可以是刚性衬底基板。在示例性实施方式中，柔性衬底基板可以包括叠设的第一柔性材料层、第一无机材料层、半导体层、第二柔性材料层和第二无机材料层。第一、第二柔性材料层的材料可以采用聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)或经表面处理的聚合物软膜等材料，第一、第二无机材料层的材料可以采用氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)等，用于提高衬底基板的抗水氧能力，第一、第二无机材料层也称为阻挡(Barrier)层，半导体层的材料 可以采用非晶硅(a-si)。驱动电路层102可以包括构成像素驱动电路的多个晶体管和存储电容，图3中以每个子像素中包括一个晶体管101和一个存储电容101a为例进行示意。发光结构层103可以包括阳极19、像素界定层(PDL)20、有机发光层21和阴极22，阳极19通过过孔与第一连接电极17a连接，第一连接电极17a通过过孔与晶体管101的漏电极连接，有机发光层21与阳极19连接，阴极22与有机发光层21连接，有机发光层21在阳极19和阴极22驱动下出射相应颜色的光线。封装层104可以包括叠设的第一封装层401、第二封装层402和第三封装层403，第一封装层401和第三封装层403可以采用无机材料，第二封装层402可以采用有机材料，第二封装层402设置在第一封装层401和第三封装层403之间，可以保证外界水汽无法进入发光结构层103。
在示例性实施方式中，触控结构层105可以包括叠层设置在封装层104上的缓冲层、第一触控电极层(即桥接层)、触控绝缘层、第二触控电极层和保护层，多个第一触控电极、多个第二触控电极和多个第一连接部可以同层设置在第二触控电极层，并且可以通过同一次构图工艺形成，第一触控电极和第一连接部可以为相互连接的一体结构。第二连接部可以设置在第一触控电极层，通过过孔使相邻的第二触控电极相互连接，第二触控电极层与第一触控电极层之间设置有触控绝缘层。在一些可能的实现方式中，多个第一触控电极、多个第二触控电极和多个第二连接部可以同层设置在第二触控电极层，第二触控电极和第二连接部可以为相互连接的一体结构，第一连接部可以设置在第一触控电极层，通过过孔使相邻的第一触控电极相互连接。在示例性实施方式中，第一触控电极可以是驱动电极(Tx)，第二触控电极可以是感应电极(Rx)，或者，第一触控电极可以是感应电极(Rx)，第二触控电极可以是驱动电极(Tx)。
随着显示装置的发展，OLED显示技术展现出了巨大的潜力。OLED优良的显示性能使得其具有广泛的应用空间，但技术的发展对屏幕的集成化提出了更高的要求，柔性多层一体化集成触控(Flexible Multi-Layer On Cell，FMLOC)技术将屏幕与触控集成为一体，使得显示装置的集成度大幅提高，FMLOC技术已经成为显示行业的发展趋势。
使用FMLOC技术时，不仅基板可能存在裂纹，FMLOC也可能存在裂纹。一旦出现裂纹，哪怕是微小的裂纹，水汽都很容易沿着裂纹渗透进入显示面板内，影响显示面板内的走线或者电路，造成显示不良和寿命减少。
本公开实施例提供了一种显示基板，通过第一裂纹检测线对驱动电路层进行检测，第二裂纹检测线对触控结构层进行检测，实现了对驱动电路层和触控结构层的裂纹的分别检测，从而可以检测出裂纹产生的具体位置，有利于在产品生产和相关不良解析过程中对裂纹进行准确定位，提高了产品良率。
裂纹检测分为背板(BP)段检测和模组段检测，BP段检测将测试单元引脚(ET pin)和第一裂纹检测线电连接进行检测；模组段检测，将柔性线路板引脚(FPC pin)和第二裂纹检测线电连接进行检测，(可选的，先将第二裂纹检测线连接到驱动芯片(IC)的输入引脚上，再通过走线将驱动芯片的输出引脚和FPC pin电连接)。
第一裂纹检测线有两个回路，在显示面板的左右两侧各有一个回路，第一裂纹检测线的一端通过测试单元中的一个或多个第一晶体管与一根或多根绿色数据线连接，另一端通过引脚接高电压(VGH)信号，VGH信号可以由FPC提供。
检测原理：当发生裂纹时，在黑画面下出现绿色亮线，可判断有裂纹产生；
通常当显示基板周边没有裂纹出现，第一裂纹检测线为高电压(6V)，被输入到相应的子像素，使得流过该子像素的发光器件(例如OLED)的电流比较小。该发光器件几乎不发光，呈现黑态。
根据电流公式：
ID1＝K(Vgs-Vth) 2
＝K[(Vdata+Vth-VDD)-Vth] 2
＝K(Vdata-VDD) 2
在上述公式中，Vth表示第一晶体管T1的阈值电压，Vgs表示第一晶体管T1的栅极和源极之间的电压，K为一常数值。
在显示面板有裂纹的情况下，可以认为此时的检测电压信号近似为0V。流过该列子像素的发光器件的电流比较大，发光器件发光，绿色像素会被点亮，即黑态画面出现绿色亮线，判断显示面板出现裂纹。
为了同时实现触控结构层和背板(BP)的裂纹检测，需要通过过孔将背板(BP)膜层和FMLOC膜层中的触控走线进行连接，背板第二源漏金属层(SD2)上方通过将第一平坦层(PLN)和像素界定层(PDL)膜层挖掉，同时在FMLOC工艺中将触控绝缘层(TLD)进行挖孔设计，实现FMLOC工艺中第二触控电极层(TMB)金属和背板第二源漏金属层金属进行搭接，从而实现芯片端(IC)的信号可以从IC端经过BP膜层传递到FMLOC膜层，从而实现裂纹检测功能。
但在工艺过程中发现，TLD本身为无机层，厚度有300nm。FMLOC工艺在进行第一道工艺时，首先进行一层无机层的CVD沉积，形成一层缓冲层，其厚度会有200nm。为了能有效的实现BP膜层和FMLOC膜层的搭接，需要对TLD工艺进行刻蚀，且必须是过刻，才能保证将200nm的缓冲层过刻掉。但实际在工艺中，TLD的过刻远远不止这么多，还会继续往下过刻，会将BP的有机膜层进行刻蚀，继续刻蚀200nm～300nm之间。由于TLD的刻蚀边界位于第一平坦层上方，而覆盖第二源漏金属层的第一平坦层的厚度本身较薄，大概在400nm～500nm之间，当TLD过刻工艺波动较大时，就会造成过刻，使得第二源漏金属层的金属裸露出来，同时形成凹槽，TMB金属会在此处发生残留(Remain)，从而就会造成第二裂纹检测线上的第二源漏金属层金属通过TMB和第一裂纹检测线上的第二源漏金属层金属连接一起，造成短路，进而无法进行正常的裂纹功能检测。
图4为本公开示例性实施例一种显示基板的结构示意图，图5a和图5b为图4中A区域的两种放大结构示意图。如图4、图5a和图5b所示，本公开实施例提供了一种显示基板，该显示基板包括：显示区100和位于显示区外围的周边区，周边区包括位于显示区100一侧的弯折区300。
该显示基板包括：第一裂纹检测线201，位于周边区，且至少部分围绕显示区100，第一裂纹检测线201包括第一引线段201a、第二引线段201b、第三引线段201c和第四引线段201d，第一引线段201a和第四引线段201d 至少部分位于弯折区300，第二引线段201b和第三引线段201c至少部分围绕显示区100，第一引线段201a的一端通过第一过孔与第二引线段201b的一端连接，第二引线段201b的另一端通过第二过孔与第三引线段201c的一端连接，第三引线段201c的另一端与第四引线段201d的一端连接。
图6a为显示区以及图5a中BB’区域的一种剖面结构示意图，图6b为显示区以及图5a中CC’区域的一种剖面结构示意图，图7a为显示区以及图5b中DD’区域的一种剖面结构示意图，图7b为显示区以及图5b中EE’区域的一种剖面结构示意图。如图6a、图6b、图7a和图7b所示，在示例性实施方式中，在垂直于显示基板的平面内，显示基板可以包括衬底基板10、设置在衬底基板10上的驱动电路层102、设置在驱动电路层102远离衬底基板10一侧的像素界定层(PDL)20和发光结构层103、设置在像素界定层20和发光结构层103远离衬底基板10一侧的封装层104以及设置在封装层104远离衬底基板10一侧的触控结构层105。像素界定层20在显示区100中具有多个第一开口(图中未示出)，多个第一开口被配置为容纳发光结构层103。
触控结构层105包括触控绝缘层(TLD)25和位于触控绝缘层25远离像素界定层20一侧的第二触控电极层(TMB)26；其中，像素界定层20在第一过孔K1远离显示区100的一侧具有第一边界BL1，触控绝缘层25在第一过孔K1远离显示区100的一侧具有第二边界BL2，第二边界BL2位于第一边界BL1远离显示区100的一侧。
像素界定层20在周边区具有第二开口O2，第一过孔K1在衬底基板10上的正投影位于第二开口O2在衬底基板10上的正投影中。在另一些示例性实施方式中，第一过孔K1在衬底基板10上的正投影也可以与第二开口O2在衬底基板10上的正投影部分交叠。
在示例性实施方式中，如图6a、图6b、图7a和图7b所示，在垂直于衬底基板10的平面内，驱动电路层102包括在衬底基板上依次层叠设置的第一绝缘层11、有源层、第二绝缘层12、第一栅金属层、第三绝缘层13、第二栅金属层、第四绝缘层14、第一源漏金属层、第五绝缘层15、第二平坦层16和第二源漏金属层。
在示例性实施方式中，如图6a、图6b、图7a和图7b所示，在垂直于衬底基板10的平面内，触控结构层105包括缓冲层、设置在缓冲层上的第一触控电极层(TMA)、设置在第一触控电极层上的触控绝缘层(TLD)25、位于触控绝缘层25上的第二触控电极层(TMB)26以及位于第二触控电极层26上的保护层。
在示例性实施方式中，第二裂纹检测线202、第一引线段201a、第三引线段201c和第四引线段201d与第一栅金属层、第二栅金属层、第一源漏金属层和第二源漏金属层中的任意一层或多层同层设置，第二引线段201b与第二触控电极层或第一触控电极层同层设置。
在示例性实施方式中，如图6a、图6b、图7a和图7b所示，第三引线段201c与第二栅金属层同层设置，第二裂纹检测线202、第一引线段201a和第四引线段201d与第二源漏金属层同层设置，第二引线段201b与第二触控电极层26同层设置。
在示例性实施方式中，如图5a和图5b所示，第一边界BL1和第二边界BL2之间的最短距离d1大于20微米。
在示例性实施方式中，如图5a、图6a和图6b所示，该显示基板还包括位于驱动电路层102和像素界定层20之间的第一平坦层(PLN)18，第一平坦层18在远离第一过孔K1的一侧具有第三边界BL3，第二边界BL2位于第三边界BL3远离显示区100的一侧。
在示例性实施方式中，如图5a所示，第二边界BL2和第三边界BL3的最短距离d2大于20微米。
在示例性实施方式中，如图5a和图5b所示，第一过孔K1和第二过孔K2距离第二边界BL2的最短距离相等。
在示例性实施方式中，如图5a和图5b所示，该显示基板还包括第三过孔K3，第三过孔K3位于第一过孔K1靠近显示区100的一侧，第三过孔K3电连接第二引线段201b和第三引线段201c。
在示例性实施方式中，如图5a和图5b所示，第二过孔K2在衬底基板10上的正投影位于第二开口O2在衬底基板10上的正投影中。
在示例性实施方式中，如图6b和图7b所示，触控绝缘层25覆盖第三过孔K3以及至少部分第三引线段201c。
在示例性实施方式中，如图5a所示，第二边界BL2位于弯折区300，第三边界BL3位于第一边界BL1靠近显示区100的一侧。
在示例性实施方式中，如图4所示，显示基板还包括位于弯折区300远离显示区100一侧的多个焊盘Pad；
显示基板还包括测试电路CT，测试电路CT位于弯折区300和多个焊盘Pad之间，第一引线段201a的另一端电连接测试电路CT。
图8为本公开实施例一种测试电路的结构示意图，如图8所示，在示例性实施方式中，测试电路CT包括多个测试单元CT1，多个测试单元CT1中的至少一个测试单元包括第一晶体管T1和第二晶体管T2，第一晶体管T1和第二晶体管T2的控制端连接测试控制线SWD，第一晶体管T1和第二晶体管T2的第一端被配置为电连接数据线Data，第一晶体管T1的第二端被配置为电连接第一裂纹检测线201，第二晶体管T2的第二端被配置为电连接检测数据线CTD。
在示例性实施方式中，如图4所示，第四引线段201d的另一端与多个焊盘Pad中的至少一个电连接。
在示例性实施方式中，如图4、图5a和图5b所示，显示区100包括依次连接的第一边缘1001、第二边缘1002、第三边缘1003以及第四边缘1004，第一过孔K1位于靠近所述第一边缘1001的周边区。
在示例性实施方式中，第二引线段201b位于靠近第一边缘1001、第二边缘1002、第三边缘1003和第四边缘1004的周边区。
第三引线段201c位于靠近第一边缘1001、第二边缘1002、第三边缘1003和第四边缘1004的周边区。
在示例性实施方式中，如图4所示，显示区包括摄像头孔101，第三引线段201c围绕摄像头孔101绕线。
在示例性实施方式中，如图4所示，该显示基板还包括第二裂纹检测线 202，第二裂纹检测线202位于周边区且至少部分围绕显示区100，第二裂纹检测线202包括第一端和第二端，第一端和第二端分别连接多个焊盘Pad中的至少一个。
在示例性实施方式中，如图4所示，第二裂纹检测线202相对于显示区100的中心线O左右对称。
在示例性实施方式中，如图4所示，第一裂纹检测线201包括位于中心线O一侧的第一子线2011和位于中心线O另一侧的第二子线2012，第二裂纹检测线202包括位于中心线O一侧的第三子线2021和位于中心线O另一侧的第四子线2022，其中：
第一子线2011位于靠近第一边缘1001、第三边缘1003和第四边缘1004的周边区，第二子线2012位于靠近第一边缘1001、第二边缘1002和第三边缘1003的周边区；
第三子线2021位于靠近第一边缘1001、第三边缘1003和第四边缘1004的周边区，第四子线2022位于靠近第一边缘1001、第二边缘1002和第三边缘1003的周边区。
本公开实施例中，第一裂纹检测线201通过亮线检测，可检测背板是否出现裂纹情况；第二裂纹检测线202通过电阻检测，可检测背板是否出现裂纹情况。
在示例性实施方式中，第一过孔K1包括两个，第二过孔K2包括两个，两个第一过孔K1相对于显示区100的中心线O左右对称，两个第二过孔K2相对于显示区100的中心线O左右对称。
在示例性实施方式中，第一过孔K1和第二过孔K2位于显示区100和弯折区300之间。
本公开实施例的显示基板，通过使像素界定层20在第一过孔K1远离显示区100的一侧具有第一边界BL1，使触控绝缘层25在第一过孔K1远离显示区100的一侧具有第二边界BL2，第二边界BL2位于第一边界BL1远离显示区100的一侧，使得在对触控绝缘层25进行刻蚀时，即便产生过刻，也不会使得第一裂纹检测线201和第二裂纹检测线202发生短路，提高了产品 的品质和良率。
下面通过显示基板的制备过程进行示例性说明。本公开所说的“图案化工艺”，对于金属材料、无机材料或透明导电材料，包括涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，对于有机材料，包括涂覆有机材料、掩模曝光和显影等处理。沉积可以采用溅射、蒸镀、化学气相沉积中的任意一种或多种，涂覆可以采用喷涂、旋涂和喷墨打印中的任意一种或多种，刻蚀可以采用干刻和湿刻中的任意一种或多种，本公开不做限定。“薄膜”是指将某一种材料在衬底基板上利用沉积、涂覆或其它工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需图案化工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。若在整个制作过程当中该“薄膜”需图案化工艺，则在图案化工艺前称为“薄膜”，图案化工艺后称为“层”。经过图案化工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。本公开所说的“A和B同层设置”是指，A和B通过同一次图案化工艺同时形成，膜层的“厚度”为膜层在垂直于显示基板方向上的尺寸。本公开示例性实施例中，“B的正投影位于A的正投影的范围之内”，是指B的正投影的边界落入A的正投影的边界范围内，或者A的正投影的边界与B的正投影的边界重叠。
在示例性实施方式中，显示基板的一种制备过程可以包括如下操作。
(1)首先，在衬底基板10上制备驱动电路层102图案。驱动电路层102包括多条栅线和多条数据线，多条栅线和多条数据线交叉限定出多个矩阵排布的像素单元，每个像素单元包括至少3个子像素，每个子像素包括薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)。本实施例中，一个像素单元包括3个子像素，分别为红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B。当然，本实施例方案也适用于一个像素单元包括4个子像素(红色子像素R、绿色子像素G、蓝色子像素B和白色子像素W)情形。
在示例性实施方式中，衬底基板10可以是柔性衬底基板，或者可以是刚性衬底基板。在示例性实施方式中，柔性衬底基板可以包括叠设的第一柔性材料层、第一无机材料层、半导体层、第二柔性材料层和第二无机材料层。第一、第二柔性材料层的材料可以采用聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)或经表面处理的聚合物软膜等材料，第一、第二无机材料层 的材料可以采用氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)等，用于提高衬底基板的抗水氧能力，第一、第二无机材料层也称为阻挡(Barrier)层，半导体层的材料可以采用非晶硅(a-si)。在示例性实施方式中，以一种叠层结构为例，其制备过程可以包括：先在玻璃载板上涂布一层聚酰亚胺，固化成膜后形成第一柔性(PI1)层；随后在第一柔性层上沉积一层阻挡薄膜，形成覆盖第一柔性层的第一阻挡(Barrier1)层；然后在第一阻挡层上沉积一层非晶硅薄膜，形成覆盖第一阻挡层的非晶硅(a-si)层；然后在非晶硅层上再涂布一层聚酰亚胺，固化成膜后形成第二柔性(PI2)层；然后在第二柔性层上沉积一层阻挡薄膜，形成覆盖第二柔性层的第二阻挡(Barrier2)层，完成衬底基板10的制备。
在示例性实施方式中，驱动电路层102的制备过程可以包括：
在衬底基板10上依次沉积第一绝缘薄膜和有源层薄膜，通过构图工艺对有源层薄膜进行构图，形成覆盖整个衬底基板10的第一绝缘层11，以及设置在第一绝缘层11上的有源层图案，有源层图案形成在显示区100，至少包括第一有源层。本次构图工艺后，周边区包括设置在衬底基板10上的第一绝缘层11。
随后，依次沉积第二绝缘薄膜和第一金属薄膜，通过构图工艺对第一金属薄膜进行构图，形成覆盖有源层图案的第二绝缘层12，以及设置在第二绝缘层12上的第一栅金属层图案，第一栅金属层图案形成在显示区100，至少包括第一栅电极、第一电容电极、多条栅线(未示出)和多条栅引线(未示出)。本次构图工艺后，周边区包括在衬底基板10上叠设的第一绝缘层11和第二绝缘层12。
随后，依次沉积第三绝缘薄膜和第二金属薄膜，通过构图工艺对第二金属薄膜进行构图，形成覆盖第一栅金属层的第三绝缘层13，以及设置在第三绝缘层13上的第二栅金属层图案，第二栅金属层图案形成在显示区100，至少包括第二电容电极和第二栅引线(未示出)，第二电容电极的位置与第一电容电极的位置相对应。本次构图工艺后，周边区包括在衬底基板10上叠设的第一绝缘层11、第二绝缘层12和第三绝缘层13。第一栅金属层和第二栅金属层中的至少一层还包括第二裂纹检测线202以及第一裂纹检测线 201的第三引线段201c。
随后，沉积第四绝缘薄膜，通过构图工艺对第四绝缘薄膜进行构图，形成覆盖第二栅金属层的第四绝缘层14图案，第四绝缘层14上开设有多个第一开孔，多个第一开孔形成在显示区100，其位置分别与第一有源层的两端位置相对应，多个第一开孔内的第四绝缘层14、第三绝缘层13和第二绝缘层12被刻蚀掉，分别暴露出第一有源层的表面。本次构图工艺后，周边区包括在衬底基板10上叠设的第一绝缘层11、第二绝缘层12、第三绝缘层13和第四绝缘层14。
随后，沉积第三金属薄膜，通过构图工艺对第三金属薄膜进行构图，在第四绝缘层14上形成源漏金属层图案，源漏金属层形成在显示区100，至少包括第一源电极、第一漏电极、低压(VSS)线(未示出)、多条数据线(未示出)和多条数据引线(未示出)图案，第一源电极和第一漏电极分别通过第一开孔与第一有源层连接。在一示例性实施方式中，根据实际需要，源漏金属层还可以包括电源线(VDD)、补偿线和辅助阴极中的任意一种或多种，源漏金属层也称之为第一源漏金属层(SD1)。本次构图工艺后，周边区包括在衬底基板10上叠设的第一绝缘层11、第二绝缘层12、第三绝缘层13和第四绝缘层14。
随后，沉积第五绝缘薄膜，形成覆盖源漏金属层的第五绝缘层15图案。本次构图工艺后，周边区包括设置在衬底基板10上的复合绝缘层，复合绝缘层包括叠设的第一绝缘层11、第二绝缘层12、第三绝缘层13、第四绝缘层14和第五绝缘层15，如图9和图10所示；
在形成前述图案的衬底基板10上涂覆第二平坦薄膜，形成覆盖整个衬底基板10的第二平坦(PLN)层16，通过构图工艺在第二平坦层16上形成第二开孔，第二开孔形成在显示区100，第二开孔内的第二平坦层16和第五绝缘层15被刻蚀掉，暴露出第一晶体管101的第一漏电极的表面。本次构图工艺后，周边区包括设置在衬底基板10上的复合绝缘层和设置在复合绝缘层上的第二平坦层16；在示例性实施例中，第二平坦层16和第五绝缘层15上还可以设置第三过孔K3，第三过孔K3暴露出第三引线段201c。
在形成前述图案的衬底基板上沉积第四金属薄膜，通过构图工艺对第四金属薄膜进行构图，在第二平坦层16上形成金属导电层图案，金属导电层至少包括第一连接电极17a、第二连接电极17b、第一引线段201a、第四引线段201d，第一连接电极17a形成在显示区100，通过第二开孔与第一晶体管101的第一漏电极连接，第二连接电极17b、第一引线段201a和第四引线段201d形成在周边区，第二连接电极17b配置为通过第三过孔K3连接后续形成的第二引线段201b和第三引线段201c，第四引线段201d可以通过中间多个绝缘层上的过孔与第三引线段201c电连接，如图11至图12所示。在一示例性实施方式中，金属导电层也称之为第二源漏金属层(SD2)，根据实际设计，第二源漏金属层还可以包括电源线、电源引线、低压引线和辅助阴极中的任意一种或多种。
在形成前述图案的衬底基板10上涂覆第一平坦薄膜，通过掩膜、曝光、显影工艺，在第二平坦层16上形成第一平坦层(PLN)18图案。在显示区100，第一平坦层18上开设有第三开孔，第三开孔内的第一平坦层18被显影掉，暴露出第一连接电极17的表面。在周边区，第一平坦层18上开设有第三开口O3，第三开口O3内的第一平坦层18被显影掉，暴露出第一引线段201a和第二连接电极17b的表面，如图13至图14所示。在另一些示例性实施方式中，第一平坦层18上也可以不设置第三开口O3，在周边区，第一平坦层18覆盖第一引线段201a和第二连接电极17b。
至此，在衬底基板10上制备完成驱动结构层图案。第一有源层、第一栅电极、第一源电极和第一漏电极组成第一晶体管101，第一电容电极和第二电容电极组成第一存储电容102，多条栅引线和数据引线组成阵列基板栅极驱动(Gate Driver on Array，简称GOA)的驱动引线。在一示例性实施方式中，第一晶体管101可以是像素驱动电路中的驱动晶体管，驱动晶体管可以是薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)。
(2)在形成前述图案的衬底基板10上制备发光结构层103和封装层104图案，如图15至图16所示。在示例性实施方式中，发光结构层103的制备过程可以包括：
在形成前述图案的衬底基板10上沉积透明导电薄膜，通过构图工艺对 透明导电薄膜进行构图，形成阳极19图案，阳极19形成在显示区100，通过第三开孔与第一连接电极17连接；
在形成前述图案的衬底基板10上涂覆像素定义薄膜，通过掩膜、曝光、显影工艺，形成像素定义层(PDL)20图案，像素界定层20形成在显示区100和周边区，显示区100的像素界定层20上开设有第一开口，第一开口内的像素定义薄膜被显影掉，暴露出阳极19的表面，周边区的像素界定层20上开设有第二开口O2，第二开口O2内的像素定义薄膜被显影掉，暴露出第三开口O3，也即暴露出第一引线段201a和第二连接电极17b的表面；
在形成前述图案的衬底基板上涂覆有机材料薄膜，通过掩膜、曝光、显影工艺，形成多个隔离柱(PS)图案(未示出)；
在形成前述图案的衬底基板上依次形成有机发光层21和阴极22。有机发光层21可以包括叠设的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层，形成在显示区100，实现有机发光层21与阳极19连接。由于阳极19与第一连接电极17连接，第一连接电极17与第一晶体管101的漏电极连接，因而实现了有机发光层21的发光控制。阴极22与有机发光层21连接；
在形成前述图案的基础上形成封装层104，封装层104形成在显示区100，采用无机材料/有机材料/无机材料的叠层结构，有机材料层设置在两个无机材料层之间。
(3)在形成前述图案的衬底基板上形成触控结构层105图案，触控结构层105可以包括叠层设置在封装层104上的缓冲层、第一触控电极层(即桥接层)、触控绝缘层(TLD)25、第二触控电极层26和保护层27，多个第一触控电极、多个第二触控电极和多个第一连接部可以同层设置在第二触控电极层26，并且可以通过同一次构图工艺形成，第一触控电极和第一连接部可以为相互连接的一体结构。第二连接部可以设置在第一触控电极层，通过过孔使相邻的第二触控电极相互连接，第二触控电极层26与第一触控电极层之间设置有触控绝缘层25。在一些可能的实现方式中，多个第一触控电极、多个第二触控电极和多个第二连接部可以同层设置在第二触控电极层 26，第二触控电极和第二连接部可以为相互连接的一体结构，第一连接部可以设置在第一触控电极层，通过过孔使相邻的第一触控电极相互连接。
在示例性实施方式中，触控绝缘层(TLD)25上设置有第一过孔K1和第二过孔K2，第一过孔K1内的触控绝缘层25被显影掉，暴露出第一引线段201a的表面，第二过孔K2内的触控绝缘层25被显影掉，暴露出第二连接电极17b的表面，第二触控电极层26还包括第二引线段201b图案，第二引线段201b通过第一过孔K1与第一引线段201a连接，第二引线段201b通过第二过孔K2与第二连接电极17b连接，由于第二连接电极17b通过第三过孔K3与第三引线段201c连接，因此，实现了第二引线段201b与第三引线段201c的连接。
在示例性实施方式中，在制备柔性显示基板时，显示基板的制备过程可以包括剥离玻璃载板、贴附背膜、切割等工艺，本公开在此不作限定。
通过本公开示例性实施例显示基板的结构及其制备过程可以看出，本公开示例性实施例通过第一裂纹检测线201对驱动电路层102进行检测，第二裂纹检测线202对触控结构层105进行检测，实现了对驱动电路层102和触控结构层105的裂纹的分别检测，从而可以检测出裂纹产生的具体位置，有利于在产品生产和相关不良解析过程中对裂纹进行准确定位，提高了产品良率。此外，通过使像素界定层20在第一过孔K1远离显示区100的一侧具有第一边界BL1，使触控绝缘层25在第一过孔K1远离显示区100的一侧具有第二边界BL2，第二边界BL2位于第一边界BL1远离显示区100的一侧，使得在对触控绝缘层25进行刻蚀时，即便产生过刻，也不会使得第一裂纹检测线201和第二裂纹检测线202产生短路的风险。本公开示例性实施例显示基板的制备方法具有良好的工艺兼容性，工艺实现简单，易于实施，生产效率高，生产成本低，良品率高。
本公开示例性实施例所示结构及其制备过程仅仅是一种示例性说明，在示例性实施方式中，可以根据实际需要变更相应结构以及增加或减少图案化工艺。例如，驱动电路层102中的晶体管可以是顶栅结构，或者可以是底栅结构，可以是单栅结构，或者可以是双栅结构。又如，驱动电路层102和发光结构层103中还可以设置其它膜层结构、电极结构或引线结构。再如，衬 底基板可以是玻璃衬底基板，本公开在此不做具体的限定。
本公开还提供了一种显示基板的制备方法，该显示基板包括显示区和位于显示区外围的周边区，周边区包括位于显示区一侧的弯折区，周边区包括第一裂纹检测线，且第一裂纹检测线至少部分围绕显示区，第一裂纹检测线包括第一引线段、第二引线段、第三引线段和第四引线段，所述第一引线段和所述第四引线段至少部分位于所述弯折区，所述第二引线段和所述第三引线段至少部分围绕所述显示区，所述第一引线段的一端通过第一过孔与所述第二引线段的一端连接，所述第二引线段的另一端通过第二过孔与所述第三引线段的一端连接，所述第三引线段的另一端与所述第四引线段的一端连接。在示例性实施方式中，该制备方法可以包括：
在衬底基板上形成驱动电路层；
在所述驱动电路层上形成像素界定层和发光结构层，像素界定层在显示区中具有多个第一开口，多个第一开口被配置为容纳发光结构层；所述像素界定层在所述周边区具有第二开口，所述第一过孔在所述衬底基板的正投影位于所述第二开口在所述衬底基板的正投影中；在另一些示例性实施方式中，所述第一过孔在衬底基板上的正投影也可以与所述第二开口在衬底基板上的正投影部分交叠。
在所述像素界定层和发光结构层上形成触控结构层，所述触控结构层包括触控绝缘层和位于所述触控绝缘层远离所述像素界定层一侧的第二触控电极层；其中，所述像素界定层在所述第一过孔远离所述显示区的一侧具有第一边界，所述触控绝缘层在所述第一过孔远离所述显示区的一侧具有第二边界，所述第二边界位于所述第一边界远离所述显示区的一侧。
在示例性实施方式中，所述驱动电路层包括在衬底基板上依次层叠设置的有源层、第一栅金属层、第二栅金属层、第一源漏金属层、第二源漏金属层。
本公开提供了一种显示基板的制备方法，通过第一裂纹检测线对驱动电路层进行检测，第二裂纹检测线对触控结构层进行检测，实现了对驱动电路层和触控结构层的裂纹的分别检测，从而可以检测出裂纹产生的具体位置， 有利于在产品生产和相关不良解析过程中对裂纹进行准确定位，提高了产品良率。此外，通过使像素界定层在第一过孔远离显示区的一侧具有第一边界，使触控绝缘层在第一过孔远离显示区的一侧具有第二边界，第二边界位于第一边界远离显示区的一侧，使得在对触控绝缘层进行刻蚀时，即便产生过刻，也不会使得第一裂纹检测线和第二裂纹检测线产生短路的风险。本公开示例性实施例显示基板的制备方法具有良好的工艺兼容性，工艺实现简单，易于实施，生产效率高，生产成本低，良品率高。
本公开还提供了一种显示装置，包括前述实施例的显示基板。显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框或导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
虽然本公开所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本公开而采用的实施方式，并非用以限定本公开。任何本公开所属领域内的技术人员，在不脱离本公开所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本申请的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (21)

  1. 一种显示基板，包括：
    衬底基板，包括显示区和位于所述显示区外围的周边区，所述周边区包括位于所述显示区一侧的弯折区；
    第一裂纹检测线，位于所述周边区，且至少部分围绕所述显示区，所述第一裂纹检测线包括第一引线段、第二引线段、第三引线段和第四引线段，所述第一引线段和所述第四引线段至少部分位于所述弯折区，所述第二引线段和所述第三引线段至少部分围绕所述显示区，所述第一引线段的一端通过第一过孔与所述第二引线段的一端连接，所述第二引线段的另一端通过第二过孔与所述第三引线段的一端连接，所述第三引线段的另一端与所述第四引线段的一端连接；
    所述显示基板包括位于所述衬底基板上的驱动电路层、位于所述驱动电路层远离所述衬底基板一侧的像素界定层和发光结构层、位于所述像素界定层和所述发光结构层远离所述衬底基板一侧的触控结构层，所述像素界定层在所述显示区中具有多个第一开口，所述多个第一开口被配置为容纳所述发光结构层；
    所述触控结构层包括触控绝缘层和位于所述触控绝缘层远离所述像素界定层一侧的触控电极层；
    其中，所述像素界定层在所述第一过孔远离所述显示区的一侧具有第一边界，所述触控绝缘层在所述第一过孔远离所述显示区的一侧具有第二边界，所述第二边界位于所述第一边界远离所述显示区的一侧；
    所述像素界定层在所述周边区具有第二开口，所述第一过孔在所述衬底基板的正投影位于所述第二开口在所述衬底基板的正投影中。
  2. 根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述第一边界和所述第二边界的最短距离大于20微米。
  3. 根据权利要求1所述的显示基板，还包括位于所述驱动电路层和所述 像素界定层之间的第一平坦层，所述第一平坦层在远离所述第一过孔的一侧具有第三边界，所述第二边界位于所述第三边界远离所述显示区的一侧。
  4. 根据权利要求3所述的显示基板，其中，所述第二边界和所述第三边界的最短距离大于20微米。
  5. 根据权利要求3所述的显示基板，其中，所述第二边界位于所述弯折区，所述第三边界位于所述第一边界靠近所述显示区的一侧。
  6. 根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述第一过孔和所述第二过孔距离所述第二边界的最短距离相等。
  7. 根据权利要求1所述的显示基板，还包括第三过孔，所述第三过孔位于所述第一过孔靠近所述显示区的一侧，所述第三过孔电连接所述第二引线段和所述第三引线段。
  8. 根据权利要求7所述的显示基板，其中，所述触控绝缘层覆盖所述第三过孔以及至少部分所述第三引线段。
  9. 根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述第二过孔在所述衬底基板的正投影位于所述第二开口在所述衬底基板的正投影中。
  10. 根据权利要求1所述的显示基板，所述显示基板还包括位于所述弯折区远离所述显示区一侧的多个焊盘；
    所述显示基板还包括测试电路，所述测试电路位于所述弯折区和所述多个焊盘之间，所述第一引线段的另一端电连接所述测试电路。
  11. 根据权利要求10所述的显示基板，其中，所述测试电路包括多个测试单元，所述多个测试单元中的至少一个测试单元包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管的控制端连接测试控制线，所述第一晶体管和所述第二晶体管的第一端被配置为电连接数据线，所述第一晶体管的第二端被配置为电连接所述第一裂纹检测线，所述第二晶体管的第二端被配置为电连接检测数据线。
  12. 根据权利要求10所述的显示基板，其中，所述第四引线段的另一端与所述多个焊盘中的至少一个电连接。
  13. 根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述显示区包括依次连接的第一边缘、第二边缘、第三边缘以及第四边缘，所述第一过孔位于靠近所述第一边缘的所述周边区。
  14. 根据权利要求13所述的显示基板，其中，所述第二引线段位于靠近所述第一边缘、所述第二边缘、所述第三边缘和所述第四边缘的所述周边区；
    所述第三引线段位于靠近所述第一边缘、所述第二边缘、所述第三边缘和所述第四边缘的所述周边区；
    所述显示区包括摄像头孔，所述第三引线段围绕所述摄像头孔绕线。
  15. 根据权利要求13所述的显示基板，还包括第二裂纹检测线，所述第二裂纹检测线位于所述周边区且至少部分围绕所述显示区，所述第二裂纹检测线包括第一端和第二端，所述第一端和所述第二端分别连接所述多个焊盘中的至少一个。
  16. 根据权利要求15所述的显示基板，其中，所述第二裂纹检测线相对于所述显示区的中心线左右对称。
  17. 根据权利要求15所述的显示基板，其中，所述第一裂纹检测线包括第一子线和第二子线，所述第二裂纹检测线包括第三子线和第四子线，其中：
    所述第一子线位于靠近所述第三边缘和第四边缘的周边区，所述第二子线位于靠近所述第二边缘和第三边缘的周边区；
    所述第三子线位于靠近所述第三边缘和第四边缘的周边区，所述第四子线位于靠近所述第二边缘和第三边缘的周边区。
  18. 根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述第一过孔包括两个，所述第二过孔包括两个，两个所述第一过孔相对于所述显示区的中心线左右 对称，两个所述第二过孔相对于所述显示区的中心线左右对称。
  19. 根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述第一过孔和所述第二过孔位于所述显示区和所述弯折区之间。
  20. 根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述驱动电路层包括在衬底基板上依次层叠设置的有源层、第一栅金属层、第二栅金属层、第一源漏金属层和第二源漏金属层，所述第一引线段、第二引线段和第四引线段与所述第一栅金属层、第二栅金属层、第一源漏金属层和第二源漏金属层中的任意一层或多层同层设置；所述第三引线段与所述触控电极层同层设置。
  21. 一种显示装置，包括如权利要求1至20任一项所述的显示基板。
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