CN116463728A - 生长高质量碳化硅晶体的装置、方法及碳化硅晶体 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种生长高质量碳化硅晶体的装置、方法及碳化硅晶体，涉及碳化硅晶体生长领域，该装置包括坩埚、保温层、感应线圈及感应发热环，坩埚的顶部设置有籽晶，保温层设置于坩埚的外侧，感应线圈围绕保温层设置，感应发热环设置于保温层内且围绕籽晶设置，感应发热环的内壁与坩埚的外壁间隔设置且被保温层阻隔。该装置及配套的方法通过在坩埚的顶部位置增设感应发热环，可以改变感应线圈通电时坩埚顶部位置的磁场，使得坩埚顶部位置产生的热量减少，温度降低，从而增大坩埚轴向上的温度梯度，提高碳化硅晶体的生长速率，同时减小坩埚径向上的温度梯度，提高碳化硅晶体的生长质量。

Description

生长高质量碳化硅晶体的装置、方法及碳化硅晶体

技术领域

本发明涉及碳化硅晶体生长领域，具体而言，涉及一种生长高质量碳化硅晶体的装置、方法及碳化硅晶体。

背景技术

碳化硅作为第三代半导体材料的代表，因具有禁带宽度大、饱和电子迁移率高、击穿场强大、热导率高等优异性质，而被广泛应用于电力电子、射频器件、光电子器件等领域。

碳化硅生长的方法主要有物理气相传输法(PVT)、液相外延法(LPE)、化学气相沉积法(CVD)等，其中PVT法是应用最成熟的方法。目前PVT法使用的晶体生长装置一般采用感应加热和电阻加热两种，其中感应加热具有结构简单、加热效率高、加热速度快和无污染等优点，但是也存在温度梯度不合理，影响晶体生长速率和质量的问题。

发明内容

本发明的目的包括，例如，提供了一种生长高质量碳化硅晶体的装置、方法及碳化硅晶体，其能有效增大轴向的温度梯度以加快晶体生长速率，同时减小径向上的温度梯度以提高晶体生长质量。

本发明的实施例可以这样实现：

第一方面，本发明提供一种生长高质量碳化硅晶体的装置，包括：

坩埚，所述坩埚的顶部设置有籽晶；

保温层，所述保温层设置于所述坩埚的外侧；

感应线圈，所述感应线圈围绕所述保温层设置；

感应发热环，所述感应发热环设置于所述保温层内且围绕所述籽晶设置，所述感应发热环的内壁与所述坩埚的外壁间隔设置且被所述保温层阻隔。

在可选的实施方式中，所述坩埚包括从下到上依次连接的放料段和长晶段，所述长晶段的直径小于所述放料段的直径以使所述坩埚呈阶梯状，所述感应发热环围绕所述长晶段设置，所述籽晶设置于所述长晶段的顶部。

在可选的实施方式中，沿从下到上的方向，所述感应发热环的内径不变或者逐渐增大。

在可选的实施方式中，所述感应发热环包括第一环形部和第二环形部，所述第一环形部围绕所述籽晶设置，所述第二环形部的外周壁连接于所述第一环形部的顶部，所述第二环形部的内周壁向所述坩埚的轴线延伸。

在可选的实施方式中，所述坩埚的顶部与所述保温层之间设置有第一空腔，所述第二环形部的内周壁延伸至所述第一空腔内。

在可选的实施方式中，所述第二环形部的内周壁延伸至所述籽晶的上方。

在可选的实施方式中，沿从所述外周壁至所述内周壁的方向，所述第二环形部的高度不变或者逐渐降低。

在可选的实施方式中，生长高质量碳化硅晶体的装置还包括辅助发热环，所述辅助发热环位于所述感应发热环的下方且围绕所述坩埚设置，所述辅助发热环的内壁与所述坩埚的外壁间隔设置，所述坩埚的下部表面与所述保温层之间设置有第二空腔，所述辅助发热环位于所述第二空腔内。

第二方面，本发明还提供了一种生长高质量碳化硅晶体的方法，基于前述任一实施方式提供的生长高质量碳化硅晶体的装置，包括：

在所述坩埚内放入碳化硅粉末；

对所述坩埚抽气后充入惰性气体；

给所述感应线圈通电以加热所述坩埚，以使所述坩埚内部温度升高至2000-2600℃；

再次对所述坩埚抽气，以使所述坩埚内部压力降低至0.01～4E3Pa；

所述碳化硅粉末升华并在所述籽晶上开始生长碳化硅晶体；

所述碳化硅晶体生长10-300h后，重新对所述坩埚充入惰性气体，以使所述坩埚内部压力升高至5E3～1E5Pa；

所述碳化硅晶体生长结束后给所述感应线圈断电，等到所述坩埚内部温度降至室温后，将所述碳化硅晶体取出所述坩埚。

第三方面，本发明还提供了一种碳化硅晶体，采用前述实施方式的生长高质量碳化硅晶体的方法制备而成。

本发明实施例的有益效果包括，例如：

本生长高质量碳化硅晶体的装置包括坩埚、保温层、感应线圈及感应发热环，坩埚的顶部设置有籽晶，保温层设置于坩埚的外侧，感应线圈围绕保温层设置，感应发热环设置于保温层内且围绕籽晶设置，感应发热环的内壁与坩埚的外壁间隔设置且被保温层阻隔。通过在坩埚的顶部位置增设感应发热环，可以改变感应线圈通电时坩埚顶部位置的磁场，使得坩埚顶部位置产生的热量减少，温度降低，从而增大坩埚轴向上的温度梯度，提高碳化硅晶体的生长速率，同时减小坩埚径向上的温度梯度，提高碳化硅晶体的生长质量。

相应地，本生长高质量碳化硅晶体的方法由于采用上述的装置，因此可以提高碳化硅晶体的生长速率和质量。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本发明第一实施例提供的一种生长高质量碳化硅晶体的装置的结构示意图；

图2为本发明第一实施例提供的另一种生长高质量碳化硅晶体的装置的结构示意图；

图3为本发明第二实施例提供的一种生长高质量碳化硅晶体的装置的结构示意图；

图4为本发明第二实施例提供的另一种生长高质量碳化硅晶体的装置的结构示意图；

图5为本发明第三实施例提供的一种生长高质量碳化硅晶体的装置的结构示意图。

图标：100-坩埚；102-放料段；104-长晶段；110-籽晶；200-保温层；300-感应线圈；400-感应发热环；410-第一环形部；420-第二环形部；500-第一空腔；600-第二空腔；700-辅助发热环；800-碳化硅粉末。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。

因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

在本发明的描述中，需要说明的是，若出现术语“上”、“下”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该发明产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

此外，若出现术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明的实施例中的特征可以相互结合。

目前碳化硅晶体生长采用的装置主要有两种加热方式，即感应加热和电阻加热。其中，感应加热利用电磁感应效应，使得坩埚自身成为热源，以为坩埚内的碳化硅粉末的升华提供热量，具有结构简单、加热效率高、加热速度快和无污染等优点。但是，由于集肤效应，感应加热产生的热量主要集中在坩埚的外周表面。这就导致碳化硅晶体生长过程中轴向上的温度梯度较小，而径向上的温度梯度过大，轴向上的温度梯度较小会影响碳化硅晶体的生长速率，而径向上的温度梯度过大会导致碳化硅晶体内应力增加，形成位错等缺陷，同时增加碳化硅晶体开裂风险，引起质量问题。

电阻加热是利用电流流过电阻时因焦耳效应产生的热能对待加热物体进行的加热。以石墨加热器为例，通入直流或交流电后产生热量，再以热辐射和热对流为主的方式将热量传给坩埚，由于加热器不直接接触坩埚，加热效果更佳均匀，晶体生长径向温度梯度明显小于感应加热的方式，但是结构复杂成本高，容易产生打火问题。

针对上述情况，本发明提供了一种采用感应加热的装置及方法，其在保留感应加热的优点的同时，可以提高晶体生长质量以及加快晶体生长速率。本生长高质量碳化硅晶体的装置采用在坩埚顶部增设感应发热环的方式，改变感应线圈通电时坩埚顶部的磁场，从而使得坩埚顶部产生的热量减少，温度降低，与坩埚中部和下部的温差加大，从而增大坩埚的轴向温度阶梯，促进碳化硅晶体的快速生长，加快生长速率。同时，由于坩埚顶部外周的温度降低，必然使得坩埚顶部径向上的温差减小，从而减小坩埚内的径向温度梯度，进而利于碳化硅晶体在径向上的均匀生长，提高生长质量。

下面通过实施例并结合附图详细介绍本发明提供的生长高质量碳化硅晶体的装置的结构、原理和效果以及对应的方法的详细步骤。

第一实施例

请参照图1或者图2，本发明提供的生长高质量碳化硅晶体的装置包括坩埚100、保温层200、感应线圈300及感应发热环400。

其中，坩埚100为石墨材质，以在感应线圈300通入电流时产生热量。坩埚100的顶部内壁设置有籽晶110。籽晶110的固定方式可以为粘接、夹持等，本实施例中不作具体限定。

本实施例中，坩埚100包括从下到上依次连接的放料段102和长晶段104，长晶段104的直径小于放料段102的直径以使坩埚100呈阶梯状，长晶段104构成坩埚100的顶部，放料段102构成坩埚100的中下部，籽晶110设置于长晶段104的顶部（即坩埚盖）。坩埚100采用这种上小下大的阶梯状结构，可以使得坩埚100被加热时放料段102的温度高于长晶段104的温度，从而提高坩埚100在轴向上的温度梯度，提高碳化硅晶体的生长速率。

保温层200设置于坩埚100的外侧，详细地，保温层200包裹于坩埚100的外壁，用于尽可能地减缓坩埚100的热量散失，为坩埚100内碳化硅晶体的生长提供所需的温度环境。坩埚100的顶部与保温层200之间设置有第一空腔500，详细地，长晶段104的顶部外表面没有直接与保温层200接触贴合，而是具有一定的间距，以形成第一空腔500。第一空腔500的设置可以使得热量在长晶段104的顶部均匀地传递，从而降低长晶段104在径向上的温度梯度，改善碳化硅晶体的生长质量。

感应发热环400的材质与坩埚100相同，也为石墨材质。感应发热环400设置于保温层200内且围绕籽晶110设置，即感应发热环400围绕长晶段104设置。感应发热环400的内壁与坩埚100的外壁间隔设置且被保温层200阻隔，即感应发热环400与坩埚100的外壁不直接接触且两者之间填充有保温层200的局部。由于长晶段104的直径相对于放料段102的直径更小，因此感应发热环400的内壁与长晶段104的外壁之间的距离相对更大，二者之间的保温层200相对更厚，隔热效果更好，可以有效阻隔感应发热环400的热量传递至坩埚100的长晶段104。

进一步地，感应发热环400的轴线与坩埚100的轴线重合，这样可以使得感应发热环400每个部位与坩埚100外壁在径向上对应的部位距离相同，从而使得坩埚100的顶部周向上不同位置的磁场能够均匀地改变，进而使得坩埚100的顶部在周向上的热量能够均匀地减少，温度可以均匀地降低，这样就可以使得籽晶110上的碳化硅晶体在周向上的不同部位可以均匀地生长，以提高生长质量。

感应发热环400的具体结构可以需要设置，请再参照图1，本实施例中，沿从下到上的方向，感应发热环400的内径不变，即感应发热环400整体呈为中空圆柱状，其延伸方向与自身的轴线或者坩埚100的轴线的延伸方向平行。需要说明的是，请再参照图2，本实施例中，感应发热环400的内径也可以沿从下到上的方向逐渐增大，即感应发热环400整体呈倒置的中空圆台状，其延伸方向与自身的轴线或者坩埚100的轴线具有夹角，夹角的具体大小可以根据需要设置，比如5-15°，这样可以使得坩埚100被感应发热环400包围的部位，沿从下到上的方向，产生的热量逐渐减少，温度逐渐降低，即坩埚100被感应发热环400包围的部位在轴向上也存在温度梯度，这样可以进一步提高整个坩埚100在轴向上的温度梯度，从而提高碳化硅晶体在籽晶110上的生长速率。

感应线圈300围绕保温层200设置，用于与电源连接以通入电流，从而利用电磁感应效应使坩埚100和感应发热环400产生热量。

本生长高质量碳化硅晶体的装置的工作原理和过程具体如下：

当感应线圈300通入电流时，由于电磁感应效应，坩埚100会产生热量，自身成为热源，从而使得坩埚100内的碳化硅粉末800升华形成气相长晶组分（主要为Si_mC_n），气相长晶组分上升后在籽晶110上形成碳化硅晶体。而感应发热环400的设置，可以改变坩埚100顶部的磁场，使得坩埚100的顶部产生的热量相对于没有设置感应发热环400的中下部减少，即长晶段104产生的热量相对于放料段102减少（由于感应加热的集肤效应，热场顶部的感生涡流主要在感应发热环400上，因而感应发热环400产生的焦耳热远多于长晶段104所在区域的焦耳热，并且感应发热环400和长晶段104之间被保温层200阻隔，感应发热环400产生的热量传递至长晶段104时会大量地减少，因而长晶段104热量主要来自放料段102的热传递，长晶段104产生的热量必然减少），从而使得长晶段104的温度低于放料段102的温度，加大坩埚100的轴向温差，即增大坩埚100在轴向上的温度梯度，进而有效提高碳化硅晶体在籽晶110上的生长速率。同时，坩埚100顶部外周温度的降低，必然也使得坩埚100顶部在径向上不同部位的温差减小，从而减小坩埚100在径向上的温度梯度，使得碳化硅晶体在径向上的不同部位可以均匀地生长，提高碳化硅晶体的生长质量。

本生长高质量碳化硅晶体的装置通过在坩埚100的顶部环绕设置感应发热环400，可以改变坩埚100的顶部的磁场以减少坩埚100的顶部产生的热量，使得坩埚100顶部的温度低于坩埚100中下部的温度，即长晶段104的温度低于放料段102的温度，这就可以增大坩埚100轴向上的温度梯度从而有效加快碳化硅晶体的生长速率，同时可以减小坩埚100径向上的温度梯度从而提高碳化硅晶体的生长质量。

第二实施例

本实施例提供的生长高质量碳化硅晶体的装置的整体构造、工作原理及取得的技术效果与第一实施例基本相同，不同之处在于感应发热环400的具体结构。

请参照图3或者图4，本实施例中，感应发热环400包括第一环形部410和第二环形部420，第一环形部410围绕籽晶110设置，即第一环形部410围绕长晶段104设置。第一环形部410的轴线与坩埚100的轴线重合且第一环形部410的内壁与坩埚100的外壁间隔设置且被保温层200阻隔。

第二环形部420的轴线与坩埚100的轴线也重合且第二环形部420整体位于长晶段104的上方。第二环形部420的外周壁连接于第一环形部410的顶部，第二环形部420的内周壁向坩埚100的轴线延伸，以使感应发热环400在圆周方向上任意位置的截面大致为倒置的“L”形，其第一环形部410在径向上与长晶段104周面相对，第二环形部420在轴向上与长晶段104端面相对。

第一环形部410和第二环形部420的相对位置可以根据需要设置，请在参照图3，本实施例中，第一环形部410呈中空圆柱形且其延伸方向与自身的轴线或者坩埚100的轴线平行，第二环形部420的内周壁延伸至第一空腔500内且延伸至籽晶110的上方。沿从第二环形部420的外周壁至第二环形部420的内周壁的方向，第二环形部420的高度不变，也即第二环形部420水平延伸，其延伸方向与自身的轴线或者坩埚100的轴线垂直。

采用这种结构的感应发热环400，其第二环形部420可以调控从第一环形部410到长晶段104的传热效果，因为第一环形部410成为一级热源，第二环形部420便成为二级热源，通过设置第二环形部420的形状和尺寸就可以调控长晶段104的径向上的温度梯度，使得长晶段104能够保留较小的温度梯度，理论上径向上的温度梯度越小，碳化硅晶体的生长质量越好，但是当径向上的温度梯度小到一定程度时，需要使长晶段104根据实际需要保留一定的径向温度梯度，以更好地控制碳化硅晶体的生长形状，从而更好地提高碳化硅晶体的生长质量。

需要说明的是，请再参照图4，本实施例中，第二环形部420也可以呈倒置的中空圆台状，其延伸方向与自身轴线或者坩埚100的轴线具有小于90°的夹角，比如可以为75°-85°，这样可以根据需要调节长晶段104径向上的温度梯度，以控制碳化硅晶体的生长形状，进一步提高碳化硅晶体的生长质量。

第一环形部410和第二环形部420的连接方式也可以根据需要设置，本实施例中，第一环形部410和第二环形部420为分体式结构且通过连接件连接。其它实施例中，二者也可以一体成型。

第三实施例

本实施例提供的生长高质量碳化硅晶体的装置的整体构造、工作原理及取得的技术效果与第一实施例或者第二实施例基本相同，不同之处在于本实施例提供的装置还包括辅助发热环700，并且坩埚100从下到上直径相同，不呈阶梯状。

请参照图5，本实施例中，辅助发热环700位于感应发热环400的下方且围绕坩埚100设置，辅助发热环700的内壁与坩埚100的外壁间隔设置。辅助发热环700的材质与坩埚100或者感应发热环400一样，也为石墨材质，以便在感应线圈300通电时产生热量。辅助发热环700的数量可以根据需要设置，本实施例中，辅助发热环700仅设置有一个，其底部延伸至低于坩埚100的底部的位置。

其它实施例中，辅助发热环700也可以为多个，比如两个或者三个，多个辅助发热环700沿坩埚100的轴线间隔设置。多个辅助发热环700配合工作，实现对坩埚100轴向上不同部位的独立加热，可以实现类似电阻加热采用多个加热器独立加热的效果，并且避免了常规的电阻加热的装置结构复杂、低气压环境下易打火的缺点，加热效率高且有利于降低成本。

进一步地，为了提高坩埚100下部的加热均匀性，本实施例中，坩埚100的下部表面与保温层200之间设置有第二空腔600，第二空腔600包围坩埚100的侧壁下部外表面和底壁外表面，辅助发热环700位于第二空腔600内且通过安装支架（图中未示出）固定。这样设置可以利用气体导热系数较低的特性，辅助发热环700产生的热量可以通过第二空腔600内的气体（主要为Ar、N₂、气相长晶组分等）均匀地传递至坩埚100中下部的不同部位，从而提高坩埚100中下部不同部位温度的均匀性，减小坩埚100径向上的温度梯度，提高碳化硅晶体的生长质量。同时这样设置也可以提高对坩埚100内靠近中心位置的碳化硅粉末800的加热效果，提高碳化硅粉末800的利用率。

需要说明的是，其它实施例中，在坩埚100底部的下方也可以间隔设置辅助发热板（图中未示出），以进一步提高对坩埚100底部中心位置的加热效果，从而提高坩埚100底部中心位置的温度，进而提高对坩埚100中心位置处的碳化硅粉末800的加热效果，提高碳化硅粉末800的利用率。

还需要说明的是，本实施例中的坩埚100，其形状也可以采用第一实施例或者第二实施例中的阶梯状，以进一步增大坩埚100的轴向温梯，具体可以根据实际需求确定。

第四实施例

本发明实施例提供了一种生长高质量碳化硅晶体的方法，其基于第一实施例、第二实施例或者第三实施例提供的装置，具体包括以下步骤：

在坩埚100内放入碳化硅粉末800；

对坩埚100抽气后充入惰性气体；

给感应线圈300通电以加热坩埚100，以使坩埚100内部温度升高至2000-2600℃；

再次对坩埚100抽气，以使坩埚100内部压力降低至0.01～4E3Pa；

碳化硅粉末800升华并在籽晶110上开始生长碳化硅晶体；

碳化硅晶体生长10-300h后，重新对坩埚100充入惰性气体，以使坩埚100内部压力升高至5E3～1E5Pa；

碳化硅晶体生长结束后给感应线圈300断电，等到坩埚100内部温度降至室温后，将碳化硅晶体取出坩埚100。

其中，抽气和充气的速率控制由机械泵、蝶阀及流量计配合实现。

第五实施例：

本发明实施例提供了一种碳化硅晶体（即晶锭），其采用第四实施例提供的生长高质量碳化硅晶体的方法制备而成，具有缺陷少，质量高的特点。

以上，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种生长高质量碳化硅晶体的装置，其特征在于，包括：

坩埚（100），所述坩埚（100）的顶部设置有籽晶（110）；

保温层（200），所述保温层（200）设置于所述坩埚（100）的外侧；

感应线圈（300），所述感应线圈（300）围绕所述保温层（200）设置；

感应发热环（400），所述感应发热环（400）设置于所述保温层（200）内且围绕所述籽晶（110）设置，所述感应发热环（400）的内壁与所述坩埚（100）的外壁间隔设置且被所述保温层（200）阻隔。

2.根据权利要求1所述的生长高质量碳化硅晶体的装置，其特征在于，所述坩埚（100）包括从下到上依次连接的放料段（102）和长晶段（104），所述长晶段（104）的直径小于所述放料段（102）的直径以使所述坩埚（100）呈阶梯状，所述感应发热环（400）围绕所述长晶段（104）设置，所述籽晶（110）设置于所述长晶段（104）的顶部。

3.根据权利要求1所述的生长高质量碳化硅晶体的装置，其特征在于，沿从下到上的方向，所述感应发热环（400）的内径不变或者逐渐增大。

4.根据权利要求1所述的生长高质量碳化硅晶体的装置，其特征在于，所述感应发热环（400）包括第一环形部（410）和第二环形部（420），所述第一环形部（410）围绕所述籽晶（110）设置，所述第二环形部（420）的外周壁连接于所述第一环形部（410）的顶部，所述第二环形部（420）的内周壁向所述坩埚（100）的轴线延伸。

5.根据权利要求4所述的生长高质量碳化硅晶体的装置，其特征在于，所述坩埚（100）的顶部与所述保温层（200）之间设置有第一空腔（500），所述第二环形部（420）的内周壁延伸至所述第一空腔（500）内。

6.根据权利要求5所述的生长高质量碳化硅晶体的装置，其特征在于，所述第二环形部（420）的内周壁延伸至所述籽晶（110）的上方。

7.根据权利要求5所述的生长高质量碳化硅晶体的装置，其特征在于，沿从所述外周壁至所述内周壁的方向，所述第二环形部（420）的高度不变或者逐渐降低。

8.根据权利要求1所述的生长高质量碳化硅晶体的装置，其特征在于，还包括辅助发热环（700），所述辅助发热环（700）位于所述感应发热环（400）的下方且围绕所述坩埚（100）设置，所述辅助发热环（700）的内壁与所述坩埚（100）的外壁间隔设置，所述坩埚（100）的下部表面与所述保温层（200）之间设置有第二空腔（600），所述辅助发热环（700）位于所述第二空腔（600）内。

9.一种生长高质量碳化硅晶体的方法，其特征在于，基于权利要求1-8任一项所述的生长高质量碳化硅晶体的装置，包括：

在所述坩埚（100）内放入碳化硅粉末（800）；

对所述坩埚（100）抽气后充入惰性气体；

给所述感应线圈（300）通电以加热所述坩埚（100），以使所述坩埚（100）内部温度升高至2000-2600℃；

再次对所述坩埚（100）抽气，以使所述坩埚（100）内部压力降低至0.01～4E3Pa；

所述碳化硅粉末（800）升华并在所述籽晶（110）上开始生长碳化硅晶体；

所述碳化硅晶体生长10-300h后，重新对所述坩埚（100）充入惰性气体，以使所述坩埚（100）内部压力升高至5E3～1E5Pa；

所述碳化硅晶体生长结束后给所述感应线圈（300）断电，等到所述坩埚（100）内部温度降至室温后，将所述碳化硅晶体取出所述坩埚（100）。

10.一种碳化硅晶体，其特征在于，采用权利要求9所述的生长高质量碳化硅晶体的方法制备而成。