CN116446027B - 一种低压阳极箔的制备工艺 - Google Patents
一种低压阳极箔的制备工艺 Download PDFInfo
- Publication number
- CN116446027B CN116446027B CN202310418225.8A CN202310418225A CN116446027B CN 116446027 B CN116446027 B CN 116446027B CN 202310418225 A CN202310418225 A CN 202310418225A CN 116446027 B CN116446027 B CN 116446027B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- acid solution
- chloride
- foil
- mass fraction
- low
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000011888 foil Substances 0.000 title claims abstract description 149
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims abstract description 138
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 120
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 120
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 93
- JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L zinc dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Zn+2] JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 74
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims abstract description 63
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 60
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 claims abstract description 57
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 41
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims abstract description 40
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 39
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
- 229910021586 Nickel(II) chloride Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L nickel dichloride Chemical compound Cl[Ni]Cl QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 37
- 239000011592 zinc chloride Substances 0.000 claims abstract description 37
- 235000005074 zinc chloride Nutrition 0.000 claims abstract description 37
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 35
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 30
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims abstract description 29
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 238000002791 soaking Methods 0.000 claims abstract description 22
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 42
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 42
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 27
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 13
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 9
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 7
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEQPNABPJHWNSG-UHFFFAOYSA-N Nickel(2+) Chemical compound [Ni+2] VEQPNABPJHWNSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N Zinc dication Chemical compound [Zn+2] PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001453 nickel ion Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000611 Zinc aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- JRBRVDCKNXZZGH-UHFFFAOYSA-N alumane;copper Chemical compound [AlH3].[Cu] JRBRVDCKNXZZGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXFVOUUOTHJFPX-UHFFFAOYSA-N alumane;zinc Chemical compound [AlH3].[Zn] HXFVOUUOTHJFPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229960003280 cupric chloride Drugs 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
- C25F3/00—Electrolytic etching or polishing
- C25F3/02—Etching
- C25F3/04—Etching of light metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
- C25F3/00—Electrolytic etching or polishing
- C25F3/02—Etching
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
本发明公开的一种低压阳极箔的制备工艺,涉及铝箔加工技术领域。本发明的低压阳极箔的制备工艺,先将光箔浸渍在热碱液中,再放入第一混合液中进行电解;然后,放入第二混合液中浸渍;随后,放入第三混合液中进行电解;最后,在保护气体氛围下进行真空烧结,再在硝酸溶液中进行浸渍,烘干,得到低压阳极箔;所述第一混合液包括硫酸、盐酸、硝酸、氯化锌、氯化铜、氯化镍;所述第二混合液包括硫酸、盐酸、氯化锌、氯化铜、氯化镍;所述第三混合液包括硫酸、盐酸、草酸、氯化铝、丙烯酸;本发明制备的低压阳极箔比容较大。
Description
技术领域
本发明涉及铝箔加工技术领域,具体为一种低压阳极箔的制备工艺。
背景技术
低压阳极箔的制备工艺中包括使用交流电源腐蚀,其优点是设备简单,不用机械接触导电,腐蚀箔比容较高而机械性能又好。
现有的电解电容器低压阳极箔的制备工艺,主要包括以下步骤:前处理、一级腐蚀、中间处理、二级腐蚀、水洗、后处理及烘干,由于腐蚀过程中,电解电容器用低压阳极箔在各阶段腐蚀状态不同,现有的固定值的电源频率不能适应各阶段腐蚀的初始状态,导致电解电容器用低压阳极箔不能达到理想的腐蚀形貌,因而铝箔比容较低。
因此,亟需对低压阳极箔的制备工艺进行改进,来制备较高比容的低压阳极箔。
发明内容
为解决现有技术中存在的问题,本发明提供了一种低压阳极箔的制备工艺,包括以下工艺步骤:
(1)前处理:先将光箔浸渍在热碱液中;
(2)初级腐蚀;将步骤(1)前处理的光箔放入第一混合液中进行电解;
(3)中间处理:将步骤(2)初级腐蚀的光箔放入第二混合液中浸渍;
(4)二级腐蚀:将步骤(3)中间处理的光箔放入第三混合液中进行电解;
(5)后处理:在保护气体氛围下,将步骤(4)中间处理的光箔进行真空烧结,再在硝酸溶液中进行浸渍,烘干,得到低压阳极箔。
进一步的,步骤(1)所述光箔采用铝光箔;所述铝光箔的厚度为90~100μm。
进一步的,步骤(1)所述热碱液为温度为55~65℃的浓度为1.5mo l/L的氢氧化钠溶液;所述浸渍时间为1~3min;所述热碱液的质量为光箔的1~3倍。
进一步的,步骤(2)所述第一混合液包括质量分数为0.6~1%的硫酸溶液、质量分数为11~15%的盐酸溶液、质量分数为9~13%的硝酸溶液、氯化锌、氯化铜、氯化镍;所述硫酸溶液、盐酸溶液、硝酸溶液、氯化锌、氯化铜、氯化镍的质量比为1:2:2:0.8:0.3:0.6~1:4:4:1:0.5:0.8。
进一步的,步骤(2)所述电解的温度为70~80℃、电流密度为30~32A/dm2、电量为700~900C/dm2、电解时间为100~140s。
进一步的,步骤(3)所述第二混合液包括质量分数为0.6~1%的硫酸溶液、质量分数为20~24%的盐酸溶液、氯化锌、氯化铜、氯化镍;所述硫酸溶液、盐酸溶液、氯化锌、氯化铜、氯化镍的质量比为1:3:0.8:0.3:0.6~1:5:1:0.5:0.8;所述浸渍的时间为4~6min。
进一步的,步骤(4)所述第三混合液包括质量分数为0.6~1%的硫酸溶液、质量分数为10~20%的盐酸溶液、草酸、氯化铝、丙烯酸;所述硫酸、盐酸、草酸、氯化铝、丙烯酸的质量比为0.6:20:0.04:0.4:0.06~0.8:22:0.06:0.6:0.08。
进一步的,步骤(4)所述电解的温度为30~32℃、电流密度为20~24A/dm2、电量为13000~14000C/dm2、电解时间为110~150s。
进一步的,步骤(5)所述保护气体为质量比为1:2~1:6的氢气和氩气;所述真空烧结的真空度为1mba,烧结温度为950~1050℃,烧结时间为5~7h;所述硝酸溶液的质量分数为4~6%;所述浸渍的时间为2~4min、温度为43~45℃。
进一步的,步骤(5)所述烘干的温度为400~460℃;所述烘干在空气氛围下进行。
与现有技术相比,本发明所达到的有益效果是:
本发明的低压阳极箔的制备工艺,依次包括以下工艺步骤:前处理、初级腐蚀、中间处理、二级腐蚀、后处理。
先采用热碱液对光箔表面进行前处理,除去光箔表面的油污、杂质,使光箔表面微结构均匀,有利于腐蚀时形成初始蚀孔;再在硫酸、盐酸、硝酸、氯化锌、氯化铜、氯化镍的混合液中电解进行初级腐蚀,在光箔表面引发均匀分布的初始蚀孔,锌离子、铜离子、镍离子的引入增加了活性位点,锌离子、铜离子、镍离子与铝发生置换,形成铜、锌、镍单质,均匀分散在光箔表面,形成铜铝、锌铝微电池效应,从而促进了阳极箔腐蚀,提高了蚀孔的密度与长度,进而增强了光箔的比容;随后再使用盐酸、硫酸、氯化锌、氯化铜、氯化镍的混合液中浸泡进行中间处理,洗去初级腐蚀过程中产生的不利于扩孔的沉积膜;接着采用硫酸、盐酸、草酸、氯化铝、丙烯酸混合溶液中电解进行二级腐蚀,在初始蚀孔基础上进行扩孔,增强了光箔的比表面积;随后在氩气混合气体的氛围下进行一次烧结,再在硝酸溶液中进行浸渍,烘干,得到低压阳极箔,光箔中的锌原子蒸发,在光箔中形成大量孔洞的同时,在镍的催化下形成大量碳纳米线与光箔复合,进一步增强了低压阳极箔的比容。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
为了更清楚的说明本发明提供的方法通过以下实施例进行详细说明,在将以下实施例中制得的低压阳极箔的各指标测试方法如下:
比容:取实施例和对比例制备得到的低压阳极箔,按照RC-2364测试20V化成下的比容。
实施例1
一种低压阳极箔的制备工艺,包括以下工艺步骤:
(1)前处理:先将光箔浸渍在热碱液中;
(2)初级腐蚀;将步骤(1)前处理的光箔放入第一混合液中进行电解;
(3)中间处理:将步骤(2)初级腐蚀的光箔放入第二混合液中浸渍;
(4)二级腐蚀:将步骤(3)中间处理的光箔放入第三混合液中进行电解;
(5)后处理:在保护气体氛围下,将步骤(4)中间处理的光箔进行真空烧结,再在硝酸溶液中进行浸渍,烘干,得到低压阳极箔。
进一步的,步骤(1)所述光箔采用铝光箔;所述铝光箔的厚度为90μm。
进一步的,步骤(1)所述热碱液为温度为55℃的浓度为1.5mo l/L的氢氧化钠溶液;所述浸渍时间为1min;所述热碱液的质量为光箔的1倍。
进一步的,步骤(2)所述第一混合液包括质量分数为0.6%的硫酸溶液、质量分数为11%的盐酸溶液、质量分数为9%的硝酸溶液、氯化锌、氯化铜、氯化镍;所述硫酸溶液、盐酸溶液、硝酸溶液、氯化锌、氯化铜、氯化镍的质量比为1:2:2:0.8:0.3:0.6。
进一步的,步骤(2)所述电解的温度为70℃、电流密度为30A/dm2、电量为700C/dm2、电解时间为100s。
进一步的,步骤(3)所述第二混合液包括质量分数为0.6%的硫酸溶液、质量分数为20%的盐酸溶液、氯化锌、氯化铜、氯化镍;所述硫酸溶液、盐酸溶液、氯化锌、氯化铜、氯化镍的质量比为1:3:0.8:0.3:0.6;所述浸渍的时间为4min。
进一步的,步骤(4)所述第三混合液包括质量分数为0.6%的硫酸溶液、质量分数为10%的盐酸溶液、草酸、氯化铝、丙烯酸;所述硫酸、盐酸、草酸、氯化铝、丙烯酸的质量比为0.6:20:0.04:0.4:0.06。
进一步的,步骤(4)所述电解的温度为30℃、电流密度为20A/dm2、电量为13000C/dm2、电解时间为110s。
进一步的,步骤(5)所述保护气体为质量比为1:2的氢气和氩气;所述真空烧结的真空度为1mba,烧结温度为950℃,烧结时间为5h;所述硝酸溶液的质量分数为4%;所述浸渍的时间为2min、温度为43℃。
进一步的,步骤(5)所述烘干的温度为400℃;所述烘干在空气氛围下进行。
实施例2
一种低压阳极箔的制备工艺,包括以下工艺步骤:
(1)前处理:先将光箔浸渍在热碱液中;
(2)初级腐蚀;将步骤(1)前处理的光箔放入第一混合液中进行电解;
(3)中间处理:将步骤(2)初级腐蚀的光箔放入第二混合液中浸渍;
(4)二级腐蚀:将步骤(3)中间处理的光箔放入第三混合液中进行电解;
(5)后处理:在保护气体氛围下,将步骤(4)中间处理的光箔进行真空烧结,再在硝酸溶液中进行浸渍,烘干,得到低压阳极箔。
进一步的,步骤(1)所述光箔采用铝光箔;所述铝光箔的厚度为95μm。
进一步的,步骤(1)所述热碱液为温度为60℃的浓度为1.5mo l/L的氢氧化钠溶液;所述浸渍时间为2min;所述热碱液的质量为光箔的2倍。
进一步的,步骤(2)所述第一混合液包括质量分数为0.8%的硫酸溶液、质量分数为13%的盐酸溶液、质量分数为11%的硝酸溶液、氯化锌、氯化铜、氯化镍;所述硫酸溶液、盐酸溶液、硝酸溶液、氯化锌、氯化铜、氯化镍的质量比为1:3:3:0.9:0.4:0.7。
进一步的,步骤(2)所述电解的温度为75℃、电流密度为31A/dm2、电量为800C/dm2、电解时间为120s。
进一步的,步骤(3)所述第二混合液包括质量分数为0.8%的硫酸溶液、质量分数为22%的盐酸溶液、氯化锌、氯化铜、氯化镍;所述硫酸溶液、盐酸溶液、氯化锌、氯化铜、氯化镍的质量比为1:4:0.9:0.4:0.7;所述浸渍的时间为5min。
进一步的,步骤(4)所述第三混合液包括质量分数为0.8%的硫酸溶液、质量分数为15%的盐酸溶液、草酸、氯化铝、丙烯酸;所述硫酸、盐酸、草酸、氯化铝、丙烯酸的质量比为0.7:21:0.05:0.5:0.07。
进一步的,步骤(4)所述电解的温度为31℃、电流密度为22A/dm2、电量为13500C/dm2、电解时间为130s。
进一步的,步骤(5)所述保护气体为质量比为1:4的氢气和氩气;所述真空烧结的真空度为1mba,烧结温度为1000℃,烧结时间为6h;所述硝酸溶液的质量分数为5%;所述浸渍的时间为3min、温度为44℃。
进一步的,步骤(5)所述烘干的温度为440℃;所述烘干在空气氛围下进行。
实施例3
一种低压阳极箔的制备工艺,包括以下工艺步骤:
(1)前处理:先将光箔浸渍在热碱液中;
(2)初级腐蚀;将步骤(1)前处理的光箔放入第一混合液中进行电解;
(3)中间处理:将步骤(2)初级腐蚀的光箔放入第二混合液中浸渍;
(4)二级腐蚀:将步骤(3)中间处理的光箔放入第三混合液中进行电解;
(5)后处理:在保护气体氛围下,将步骤(4)中间处理的光箔进行真空烧结,再在硝酸溶液中进行浸渍,烘干,得到低压阳极箔。
进一步的,步骤(1)所述光箔采用铝光箔;所述铝光箔的厚度为100μm。
进一步的,步骤(1)所述热碱液为温度为65℃的浓度为1.5mo l/L的氢氧化钠溶液;所述浸渍时间为3min;所述热碱液的质量为光箔的3倍。
进一步的,步骤(2)所述第一混合液包括质量分数为1%的硫酸溶液、质量分数为15%的盐酸溶液、质量分数为13%的硝酸溶液、氯化锌、氯化铜、氯化镍;所述硫酸溶液、盐酸溶液、硝酸溶液、氯化锌、氯化铜、氯化镍的质量比为1:4:4:1:0.5:0.8。
进一步的,步骤(2)所述电解的温度为80℃、电流密度为32A/dm2、电量为900C/dm2、电解时间为140s。
进一步的,步骤(3)所述第二混合液包括质量分数为0.6~1%的硫酸溶液、质量分数为24%的盐酸溶液、氯化锌、氯化铜、氯化镍;所述硫酸溶液、盐酸溶液、氯化锌、氯化铜、氯化镍的质量比为1:5:1:0.5:0.8;所述浸渍的时间为6min。
进一步的,步骤(4)所述第三混合液包括质量分数为1%的硫酸溶液、质量分数为20%的盐酸溶液、草酸、氯化铝、丙烯酸;所述硫酸、盐酸、草酸、氯化铝、丙烯酸的质量比为0.8:22:0.06:0.6:0.08。
进一步的,步骤(4)所述电解的温度为32℃、电流密度为24A/dm2、电量为14000C/dm2、电解时间为150s。
进一步的,步骤(5)所述保护气体为质量比为1:6的氢气和氩气;所述真空烧结的真空度为1mba,烧结温度为1050℃,烧结时间为7h;所述硝酸溶液的质量分数为6%;所述浸渍的时间为4min、温度为45℃。
进一步的,步骤(5)所述烘干的温度为460℃;所述烘干在空气氛围下进行。
对比例1
一种低压阳极箔的制备工艺,包括以下工艺步骤:
(1)前处理:先将光箔浸渍在热碱液中;
(2)初级腐蚀;将步骤(1)前处理的光箔放入第一混合液中进行电解;
(3)中间处理:将步骤(2)初级腐蚀的光箔放入第二混合液中浸渍;
(4)二级腐蚀:将步骤(3)中间处理的光箔放入第三混合液中进行电解;
(5)后处理:在保护气体氛围下,将步骤(4)中间处理的光箔进行真空烧结,再在硝酸溶液中进行浸渍,烘干,得到低压阳极箔。
进一步的,步骤(1)所述光箔采用铝光箔;所述铝光箔的厚度为95μm。
进一步的,步骤(1)所述热碱液为温度为60℃的浓度为1.5mo l/L的氢氧化钠溶液;所述浸渍时间为2min;所述热碱液的质量为光箔的2倍。
进一步的,步骤(2)所述第一混合液包括质量分数为0.8%的硫酸溶液、质量分数为13%的盐酸溶液、质量分数为11%的硝酸溶液、氯化铜、氯化镍;所述硫酸溶液、盐酸溶液、硝酸溶液、氯化铜、氯化镍的质量比为1:3:3:0.4:0.7。
进一步的,步骤(2)所述电解的温度为75℃、电流密度为31A/dm2、电量为800C/dm2、电解时间为120s。
进一步的,步骤(3)所述第二混合液包括质量分数为0.8%的硫酸溶液、质量分数为22%的盐酸溶液、氯化铜、氯化镍;所述硫酸溶液、盐酸溶液、氯化铜、氯化镍的质量比为1:4:0.4:0.7;所述浸渍的时间为5min。
进一步的,步骤(4)所述第三混合液包括质量分数为0.8%的硫酸溶液、质量分数为15%的盐酸溶液、草酸、氯化铝、丙烯酸;所述硫酸、盐酸、草酸、氯化铝、丙烯酸的质量比为0.7:21:0.05:0.5:0.07。
进一步的,步骤(4)所述电解的温度为31℃、电流密度为22A/dm2、电量为13500C/dm2、电解时间为130s。
进一步的,步骤(5)所述保护气体为质量比为1:4的氢气和氩气;所述真空烧结的真空度为1mba,烧结温度为1000℃,烧结时间为6h;所述硝酸溶液的质量分数为5%;所述浸渍的时间为3min、温度为44℃。
进一步的,步骤(5)所述烘干的温度为440℃;所述烘干在空气氛围下进行。
对比例2
一种低压阳极箔的制备工艺,包括以下工艺步骤:
(1)前处理:先将光箔浸渍在热碱液中;
(2)初级腐蚀;将步骤(1)前处理的光箔放入第一混合液中进行电解;
(3)中间处理:将步骤(2)初级腐蚀的光箔放入第二混合液中浸渍;
(4)二级腐蚀:将步骤(3)中间处理的光箔放入第三混合液中进行电解;
(5)后处理:在保护气体氛围下,将步骤(4)中间处理的光箔进行真空烧结,再在硝酸溶液中进行浸渍,烘干,得到低压阳极箔。
进一步的,步骤(1)所述光箔采用铝光箔;所述铝光箔的厚度为95μm。
进一步的,步骤(1)所述热碱液为温度为60℃的浓度为1.5mo l/L的氢氧化钠溶液;所述浸渍时间为2min;所述热碱液的质量为光箔的2倍。
进一步的,步骤(2)所述第一混合液包括质量分数为0.8%的硫酸溶液、质量分数为13%的盐酸溶液、质量分数为11%的硝酸溶液、氯化锌、氯化铜;所述硫酸溶液、盐酸溶液、硝酸溶液、氯化锌、氯化铜的质量比为1:3:3:0.9:0.4。
进一步的,步骤(2)所述电解的温度为75℃、电流密度为31A/dm2、电量为800C/dm2、电解时间为120s。
进一步的,步骤(3)所述第二混合液包括质量分数为0.8%的硫酸溶液、质量分数为22%的盐酸溶液、氯化锌、氯化铜;所述硫酸溶液、盐酸溶液、氯化锌、氯化铜的质量比为1:4:0.9:0.4;所述浸渍的时间为5min。
进一步的,步骤(4)所述第三混合液包括质量分数为0.8%的硫酸溶液、质量分数为15%的盐酸溶液、草酸、氯化铝、丙烯酸;所述硫酸、盐酸、草酸、氯化铝、丙烯酸的质量比为0.7:21:0.05:0.5:0.07。
进一步的,步骤(4)所述电解的温度为31℃、电流密度为22A/dm2、电量为13500C/dm2、电解时间为130s。
进一步的,步骤(5)所述保护气体为质量比为1:4的氢气和氩气;所述真空烧结的真空度为1mba,烧结温度为1000℃,烧结时间为6h;所述硝酸溶液的质量分数为5%;所述浸渍的时间为3min、温度为44℃。
进一步的,步骤(5)所述烘干的温度为440℃;所述烘干在空气氛围下进行。
对比例3
一种低压阳极箔的制备工艺,包括以下工艺步骤:
(1)前处理:先将光箔浸渍在热碱液中;
(2)初级腐蚀;将步骤(1)前处理的光箔放入第一混合液中进行电解;
(3)中间处理:将步骤(2)初级腐蚀的光箔放入第二混合液中浸渍;
(4)二级腐蚀:将步骤(3)中间处理的光箔放入第三混合液中进行电解;
(5)后处理:在保护气体氛围下,将步骤(4)中间处理的光箔进行真空烧结,再在硝酸溶液中进行浸渍,烘干,得到低压阳极箔。
进一步的,步骤(1)所述光箔采用铝光箔;所述铝光箔的厚度为95μm。
进一步的,步骤(1)所述热碱液为温度为60℃的浓度为1.5mo l/L的氢氧化钠溶液;所述浸渍时间为2min;所述热碱液的质量为光箔的2倍。
进一步的,步骤(2)所述第一混合液包括质量分数为0.8%的硫酸溶液、质量分数为13%的盐酸溶液、质量分数为11%的硝酸溶液、氯化锌、氯化铜、氯化镍;所述硫酸溶液、盐酸溶液、硝酸溶液、氯化锌、氯化铜、氯化镍的质量比为1:3:3:0.9:0.4:0.7。
进一步的,步骤(2)所述电解的温度为75℃、电流密度为31A/dm2、电量为800C/dm2、电解时间为120s。
进一步的,步骤(3)所述第二混合液包括质量分数为0.8%的硫酸溶液、质量分数为22%的盐酸溶液、氯化锌、氯化铜、氯化镍;所述硫酸溶液、盐酸溶液、氯化锌、氯化铜、氯化镍的质量比为1:4:0.9:0.4:0.7;所述浸渍的时间为5min。
进一步的,步骤(4)所述第三混合液包括质量分数为0.8%的硫酸溶液、质量分数为15%的盐酸溶液、草酸、氯化铝、丙烯酸;所述硫酸、盐酸、草酸、氯化铝的质量比为0.7:21:0.05:0.5。
进一步的,步骤(4)所述电解的温度为31℃、电流密度为22A/dm2、电量为13500C/dm2、电解时间为130s。
进一步的,步骤(5)所述保护气体为质量比为1:4的氢气和氩气;所述真空烧结的真空度为1mba,烧结温度为1000℃,烧结时间为6h;所述硝酸溶液的质量分数为5%;所述浸渍的时间为3min、温度为44℃。
进一步的,步骤(5)所述烘干的温度为440℃;所述烘干在空气氛围下进行。
对比例4
一种低压阳极箔的制备工艺,包括以下工艺步骤:
(1)前处理:先将光箔浸渍在热碱液中;
(2)初级腐蚀;将步骤(1)前处理的光箔放入第一混合液中进行电解;
(3)中间处理:将步骤(2)初级腐蚀的光箔放入第二混合液中浸渍;
(4)二级腐蚀:将步骤(3)中间处理的光箔放入第三混合液中进行电解;
(5)后处理:将步骤(4)中间处理的光箔在硝酸溶液中进行浸渍,烘干,得到低压阳极箔。
进一步的,步骤(1)所述光箔采用铝光箔;所述铝光箔的厚度为95μm。
进一步的,步骤(1)所述热碱液为温度为60℃的浓度为1.5mo l/L的氢氧化钠溶液;所述浸渍时间为2min;所述热碱液的质量为光箔的2倍。
进一步的,步骤(2)所述第一混合液包括质量分数为0.8%的硫酸溶液、质量分数为13%的盐酸溶液、质量分数为11%的硝酸溶液、氯化锌、氯化铜、氯化镍;所述硫酸溶液、盐酸溶液、硝酸溶液、氯化锌、氯化铜、氯化镍的质量比为1:3:3:0.9:0.4:0.7。
进一步的,步骤(2)所述电解的温度为75℃、电流密度为31A/dm2、电量为800C/dm2、电解时间为120s。
进一步的,步骤(3)所述第二混合液包括质量分数为0.8%的硫酸溶液、质量分数为22%的盐酸溶液、氯化锌、氯化铜、氯化镍;所述硫酸溶液、盐酸溶液、氯化锌、氯化铜、氯化镍的质量比为1:4:0.9:0.4:0.7;所述浸渍的时间为5min。
进一步的,步骤(4)所述第三混合液包括质量分数为0.8%的硫酸溶液、质量分数为15%的盐酸溶液、草酸、氯化铝、丙烯酸;所述硫酸、盐酸、草酸、氯化铝、丙烯酸的质量比为0.7:21:0.05:0.5:0.07。
进一步的,步骤(4)所述电解的温度为31℃、电流密度为22A/dm2、电量为13500C/dm2、电解时间为130s。
进一步的,步骤(5)所述烘干的温度为440℃;所述烘干在空气氛围下进行。
效果例
下表1给出了采用本发明实施例1至3与对比例1至4制得的低压阳极箔的比容的分析结果。
表1为低压阳极箔的比容的分析结果
从表1中可发现实施例1、2、3制得的低压阳极箔的韧性较好;从实施例1、2、3和对比例1的实验数据比较可发现,采用包含氯化锌的第一、二混合液进行初级腐蚀制备低压阳极箔,制得的低压阳极箔的比容较好;从实施例1、2、3和对比例2的实验数据比较可发现,采用包含氯化镍的第一、二混合液进行初级腐蚀制备低压阳极箔,制得的低压阳极箔的比容较好;从实施例1、2、3和对比例3的实验数据比较可发现,采用包含丙烯酸的第三混合液进行二级腐蚀制备低压阳极箔,制得的低压阳极箔的比容较好;从实施例1、2、3和对比例4的实验数据比较可发现,在氢气和氩气的混合气的氛围下真空烧结制备低压阳极箔,制得的低压阳极箔的比容较好。
对于本领域技术人员而言,显然本发明不限于上述示范性实施例的细节,而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本发明。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何标记视为限制所涉及的权利要求。
Claims (5)
1.一种低压阳极箔的制备工艺,其特征在于,包括以下工艺步骤:
(1)前处理:先将光箔浸渍在热碱液中;
(2)初级腐蚀;将步骤(1)前处理的光箔放入第一混合液中进行电解;
(3)中间处理:将步骤(2)初级腐蚀的光箔放入第二混合液中浸渍;
(4)二级腐蚀:将步骤(3)中间处理的光箔放入第三混合液中进行电解;
(5)后处理:在保护气体氛围下,将步骤(4)中间处理的光箔进行真空烧结,再在硝酸溶液中进行浸渍,烘干,得到低压阳极箔;
步骤(1)所述光箔采用铝光箔;所述铝光箔的厚度为90~100μm;
步骤(2)所述第一混合液包括质量分数为0.6~1%的硫酸溶液、质量分数为11~15%的盐酸溶液、质量分数为9~13%的硝酸溶液、氯化锌、氯化铜、氯化镍;所述硫酸溶液、盐酸溶液、硝酸溶液、氯化锌、氯化铜、氯化镍的质量比为1:2:2:0.8:0.3:0.6~1:4:4:1:0.5:0.8;
步骤(3)所述第二混合液包括质量分数为0.6~1%的硫酸溶液、质量分数为20~24%的盐酸溶液、氯化锌、氯化铜、氯化镍;所述硫酸溶液、盐酸溶液、氯化锌、氯化铜、氯化镍的质量比为1:3:0.8:0.3:0.6~1:5:1:0.5:0.8;所述浸渍的时间为4~6min;
步骤(4)所述第三混合液包括质量分数为0.6~1%的硫酸溶液、质量分数为10~20%的盐酸溶液、草酸、氯化铝、丙烯酸;所述硫酸、盐酸、草酸、氯化铝、丙烯酸的质量比为0.6:20:0.04:0.4:0.06~0.8:22:0.06:0.6:0.08;
步骤(5)所述保护气体为质量比为1:2~1:6的氢气和氩气;所述真空烧结的真空度为1mba,烧结温度为950~1050℃,烧结时间为5~7h;所述硝酸溶液的质量分数为4~6%;所述浸渍的时间为2~4min、温度为43~45℃。
2.根据权利要求1所述的一种低压阳极箔的制备工艺,其特征在于,步骤(1)所述热碱液为温度为55~65℃的浓度为1.5mol/L的氢氧化钠溶液;所述浸渍的时间为1~3min;所述热碱液的质量为光箔的1~3倍。
3.根据权利要求1所述的一种低压阳极箔的制备工艺,其特征在于,步骤(2)所述电解的温度为70~80℃、电流密度为30~32A/dm2、电量为700~900C/dm2、电解时间为100~140s。
4.根据权利要求1所述的一种低压阳极箔的制备工艺,其特征在于,步骤(4)所述电解的温度为30~32℃、电流密度为20~24A/dm2、电量为13000~14000C/dm2、电解时间为110~150s。
5.根据权利要求1所述的一种低压阳极箔的制备工艺,其特征在于,步骤(4)所述烘干的温度为400~460℃;所述烘干在空气氛围下进行。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202310418225.8A CN116446027B (zh) | 2023-04-19 | 2023-04-19 | 一种低压阳极箔的制备工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202310418225.8A CN116446027B (zh) | 2023-04-19 | 2023-04-19 | 一种低压阳极箔的制备工艺 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN116446027A CN116446027A (zh) | 2023-07-18 |
CN116446027B true CN116446027B (zh) | 2023-12-29 |
Family
ID=87123361
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202310418225.8A Active CN116446027B (zh) | 2023-04-19 | 2023-04-19 | 一种低压阳极箔的制备工艺 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN116446027B (zh) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1542881A (zh) * | 2003-05-15 | 2004-11-03 | 扬州宏远电子有限公司 | 硬态箔的腐蚀工艺方法 |
CN1585060A (zh) * | 2004-06-14 | 2005-02-23 | 扬州宏远电子有限公司 | 63wv—100wv高比容阳极箔的腐蚀工艺 |
CN101423971A (zh) * | 2008-07-29 | 2009-05-06 | 东莞市东阳光电容器有限公司 | 一种低压阳极铝箔电化学腐蚀中处理液 |
CN109518188A (zh) * | 2018-12-17 | 2019-03-26 | 江苏立富电极箔有限公司 | 一种腐蚀箔后处理工艺 |
CN110783110A (zh) * | 2019-11-07 | 2020-02-11 | 南通海星电子股份有限公司 | 一种固态电容器用电极箔的制造方法 |
-
2023
- 2023-04-19 CN CN202310418225.8A patent/CN116446027B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1542881A (zh) * | 2003-05-15 | 2004-11-03 | 扬州宏远电子有限公司 | 硬态箔的腐蚀工艺方法 |
CN1585060A (zh) * | 2004-06-14 | 2005-02-23 | 扬州宏远电子有限公司 | 63wv—100wv高比容阳极箔的腐蚀工艺 |
CN101423971A (zh) * | 2008-07-29 | 2009-05-06 | 东莞市东阳光电容器有限公司 | 一种低压阳极铝箔电化学腐蚀中处理液 |
CN109518188A (zh) * | 2018-12-17 | 2019-03-26 | 江苏立富电极箔有限公司 | 一种腐蚀箔后处理工艺 |
CN110783110A (zh) * | 2019-11-07 | 2020-02-11 | 南通海星电子股份有限公司 | 一种固态电容器用电极箔的制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN116446027A (zh) | 2023-07-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN110219031B (zh) | 阳极氧化电解液及方法、具有阳极氧化膜的铝或铝合金 | |
CN113502476B (zh) | 一种固态铝电解电容器用电极箔的制造方法 | |
CN113026087B (zh) | 一种汽车电子用纳微孔结构铝电极箔制备方法 | |
CN1314533C (zh) | 一种复合泡沫金属及其制备方法 | |
CN116446027B (zh) | 一种低压阳极箔的制备工艺 | |
CN112853456B (zh) | 一种高压高比容腐蚀箔的制造方法 | |
CN109609795B (zh) | 一种三维多孔锡材料的制备方法 | |
EP2920341A1 (en) | Electrolytic generation of manganese (iii) ions in strong sulfuric acid | |
CN112133563B (zh) | 一种高容低漏电中压阳极箔的六级化成工艺 | |
CN114808076A (zh) | 一种弯曲性能良好电极箔的制备方法 | |
CN114164481B (zh) | 一种发孔腐蚀方法、中高压腐蚀箔及其制备方法 | |
CN113862750A (zh) | 电动汽车专用电容器用电极箔的制造方法 | |
CN111646462A (zh) | 一种强流脉冲电子束制备高品质还原氧化石墨烯的方法 | |
CN114908340B (zh) | 一种附载体超薄铜箔及其制备方法 | |
CN114525537B (zh) | 一种铜金属快速微纳米重构处理方法及其应用 | |
CN111732456A (zh) | 一种陶瓷导电材料及其制备方法和应用 | |
CN109537019A (zh) | 一种硬质氧化铝合金的交流电解着色方法 | |
CN117954230B (zh) | 一种中高压复合化成箔的制备方法及其应用 | |
CN112117130B (zh) | 一种高稳定性高压阳极箔的六级化成工艺 | |
CN117328111B (zh) | 一种复合铝箔及其制备方法 | |
CN114197013B (zh) | 一种硅烷/钛酸酯双偶联剂防腐蚀涂层的制备方法 | |
CN117334482A (zh) | 一种利用单段变电流发孔制备高压腐蚀箔的方法 | |
KR200276721Y1 (ko) | 고체 고분자 전해질 막 | |
CN115700310A (zh) | 一种镍金属烯修饰的复合碳纤维及其制备方法 | |
CN111943169A (zh) | 剥离法制备不含金属的碳纳米纤维 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |