CN116435226B - 一种去除单晶硅片金属沾污的方法及除污设备 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种去除单晶硅片金属沾污的方法及除污设备，具体涉及半导体单晶硅片衬底制造领域，包括热处理炉，所述热处理炉的一端外部固定安装有控制器，所述热处理炉的内部固定设有炉体载舟，所述炉体载舟的上方活动设有石英载舟，所述石英载舟的上方活动装载有硅片，所述热处理炉的表面固定安装有加热板，所述热处理炉远离控制器的一端连通有集成调节阀，所述集成调节阀的一端连通设有真空泵、第一溶液蒸发器、第二溶液蒸发器和尾气收集机构，所述第一溶液蒸发器的一端连通设有氧气罐。本发明操作简便，效果显著，灵活性强，能够有效去除半导体单晶硅片衬底表面吸附金属及体内沉淀金属。
Description
技术领域
本发明涉及半导体单晶硅片衬底制造领域，更具体地说，本发明涉及一种去除单晶硅片金属沾污的方法及除污设备。
背景技术
硅片在生产过程中不可避免地与金属污染源(金属设备或化学药剂)接触，导致硅片表面吸附金属离子而引起沾污，在高温下硅片表面吸附金属会通过扩散的方式进入硅片内部，在后续制程中造成集成电路失效，严重影响器件的质量和成品率。硅片沾污金属包括Na、Mg、Al、K、Ca、Ti、Cr、Fe、Ni、Co、Cu、Zn等。特别是Cu和Ni作为一种快扩散金属，在高温下会以较大的扩散速率进入硅片内部形成沉淀金属。硅片表面金属沾污可以通过电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS)进行快速检测，而扩散至硅片体内的沉淀金属则很难短期内测得，但在长时间放置下会观察到“雾状”缺陷。
为了保持硅片表面的清洁，降低金属等杂质沾污对器件性能和成品率的不利影响，目前硅片加工和半导体器件制备行业通常利用纯度极高的化学溶液以及去离子水，对硅片表面、生产设备等进行冲洗以防止硅片的沾污。常用的清洗方法主要有RCA清洗法、超声清洗、兆声清洗等。主要是通过HCl或NH4OH对金属的溶解和络合作用形成可溶的碱或金属盐达到去除效果。但是这些清洗方法只能清洗掉表面吸附金属，对于扩散至体硅内部的沉淀金属没有去除效果。
专利CN109872941A提供一种硅片的处理方法，以解决现有技术中硅片内金属杂质较多的问题，该技术通过对所述硅片进行氧化处理形成氧化膜，利用氧化膜吸附金属离子，再通过酸性腐蚀溶液腐蚀氧化膜达到金属离子的去除的效果。但是根据相关研究(学位论文，过渡族金属Fe和Cu在硅片中的行为研究)表明金属沾污会在不同的扩散温度及扩散时间下有不同的扩散规律，在改变温度后扩散至表面的金属又可能再一次扩散至硅片体内，因此造成对金属清洗不彻底。
发明内容
为了克服现有技术的上述缺陷，本发明的实施例提供一种去除单晶硅片金属沾污的方法及除污设备，现有技术相比，本发明的清洗方法不仅可以去除硅片表面金属沾污还能更加有效的去除扩散至硅片体内的金属沾污。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种去除单晶硅片金属沾污的除污设备，包括热处理炉，所述热处理炉的一端外部固定安装有控制器，所述热处理炉的内部固定设有炉体载舟，所述炉体载舟的上方活动设有石英载舟，所述石英载舟的上方活动安装有硅片，所述热处理炉的表面固定安装有加热板，所述热处理炉远离控制器的一端连通有集成调节阀，所述集成调节阀的一端连通设有真空泵、第一溶液蒸发器、第二溶液蒸发器和尾气收集机构，所述第一溶液蒸发器的一端连通设有氧气罐，所述第二溶液蒸发器的一端连通设有氮气罐，所述集成调节阀与第一溶液蒸发器之间、集成调节阀与第二溶液蒸发器之间、集成调节阀与尾气收集机构之间、第一溶液蒸发器与氧气罐之间及第二溶液蒸发器与氮气罐之间均安装有气体流量计，所述加热板的外周套设有保温层，所述硅片的外周设有本征氧化层和高温氧化膜，且高温氧化膜位于本征氧化层的外周，所述高温氧化膜的内部活动设有外吸附金属，所述硅片的内部活动设有内沉淀金属。
一种去除单晶硅片金属沾污除污设备的除污方法，具体操作步骤如下：
S1、将待处理的硅片装载至石英载舟上后，放置在热处理炉的炉体载舟上；
S2、将炉体载舟推入炉膛后封闭炉门，检查真空泵、第一溶液蒸发器、第二溶液蒸发器及冷却水，确认机台状态，以50ml/min的流量向热处理炉内部通入N2，通气时间为10min；
S3、将第一溶液蒸发器中加纯水，在第二溶液蒸发器加入纯水和无机酸，并升温；
S4、启动真空泵，将炉管抽真空后稳定；
S5、将炉管升温后稳定；
S6、通过第二溶液蒸发器向炉管通入H2O、HCl和N2；
S7、关闭N2及第二溶液蒸发器，炉管再次抽真空后稳定；
S8、关闭真空泵，再次升温炉管并稳定；
S9、通过第一溶液蒸发器向炉管通入N2、O2和H2O；
S10、将炉管温度降至室温后并退出热处理炉；
S11、将硅片从石英载舟取下，并装入PP或PTFE材质花篮中，将花篮放入HF溶液中浸泡；
S12、取出花篮放入纯水清洗后再放入甩干机将硅片甩干，去除金属沾污过程完成。
优选的，步骤S3中所述的无机酸为HCl，其浓度为3％-15％，所述的第一溶液蒸发器及第二溶液蒸发器的温度范围为85-100℃。其有益效果是，HCl能与靠溶解和络合作用使沾污金属形成可溶的碱或金属盐。
优选的，步骤S4所述的炉管真空度小于50mTorr，稳定时间5-20min。其有益效果是，在第一溶液蒸发器及第二溶液蒸发器的加热作用下使得溶剂气化后进入炉管内部进行反应，通过抽真空过程排除炉管内部的残余空气及水汽，保证炉管内部的洁净度，防止污染硅片表面。
优选的，步骤S5所述的温度范围为200-500℃，稳定时间为5-30min。其有益效果是，吸附在硅片表面的外吸附金属在到达温度T1后会扩散至硅片内部形成内沉淀金属，而随着温度升高到T2后内沉淀金属则又会扩散至硅片表面，而不同的硅片类型会有不同的T1和T2，例如P型硅片在室温下就可形成Cu的内扩散形成沉淀Cu，在300℃左右沉淀Cu则会发生外扩散再次吸附在硅片表面，而N型硅中的外扩散只有在温度升高到400℃时才会发生，因此在高温下可以加速沉淀金属的外扩散，使沾污金属扩散至硅片表面有利于进一步清除沾污金属。
优选的，步骤S6所述的N2流量为50-300ml/min，通气时间为30-180min。其有益效果是，通过将N2通入第二溶液蒸发器携带里面气化的H2O和HCl进入炉管，通过调节N2的流量来调整携带入炉管的气化溶剂量。
优选的，步骤S7所述的炉管真空度小于50mTorr，稳定时间5-20min。其有益效果是，通过再一次的抽真空排除掉炉管内部残余的HCl和水汽。
优选的，步骤S8所述的温度范围为900-1150℃，稳定时间为5-30min。其有益效果是，在高温且有水汽存在的情况下硅片表面会发生氧化形成高温氧化膜，高温氧化膜作为封闭层可以阻挡外部金属进一步吸附在硅片表面，此外，高温氧化膜的界面吸附作用可以进一步吸附硅片表面或内部残余的痕量金属，起到进一步净化的效果。
优选的，步骤S9所述的N2流量为50-300ml/min，O2流量为50-300ml/min，通气时间为60-120min。其有益效果是，在该过程中O2和N2通过第一溶液蒸发器后通入炉管，O2作为反应气体，N2作为稀释气体起到调节总体流量的作用。
优选的，步骤S11所述的HF浓度为2％-10％，浸泡时间10-60min。其有益效果是，高温氧化膜与HF反应而被剥离，同时清除掉膜内和表面的金属。
本发明提供了一种去除单晶硅片金属沾污的方法及除污设备。与现有技术相比具备以下有益效果：
(1)、该去除单晶硅片金属沾污的方法及除污设备，基于体硅内沉淀金属会在高温下快速扩散至硅片表面的原理，在惰性保护气体的氛围下对硅片进行加热促进体硅内的沉淀金属快速扩散至硅片表面，同时在高温下通入HCl气体去除扩散至表面的金属，去除完成后再通过高温湿法氧化在硅片表面形成一层高温氧化膜起到进一步吸附硅片体沉淀金属和对硅片表面保护的效果，最后再通过HF去除掉表面的高温氧化膜最终达到去除硅片体沉淀金属和表面吸附金属的效果，操作简便，效果显著，灵活性强，能够有效去除半导体单晶硅片衬底表面吸附金属及体内沉淀金属。
(2)、该去除单晶硅片金属沾污的方法及除污设备，不仅可以去除硅片表面金属沾污还能更加有效的去除扩散至硅片体内的金属沾污。
附图说明
图1为本发明的除污设备结构示意图；
图2为本发明的操作步骤示意图；
图3为本发明的实施例1示意图；
图4为本发明的实施例2示意图；
图5为本发明的衬底硅片低温小于T0表面吸附金属示意图；
图6为本发明的衬底硅片高温大于T1内扩散形成沉淀金属过程示意图；
图7为本发明的衬底硅片高温大于T2沉淀金属再发生外扩散至表面过程示意图；
图8为本发明的衬底硅片在高温下(900℃<T<1150℃)发生湿法氧化形成高温氧化膜并吸附金属的的过程示意图。
附图标记为：1、热处理炉；2、控制器；3、炉体载舟；4、石英载舟；5、硅片；6、加热板；7、集成调节阀；8、真空泵；9、第一溶液蒸发器；10、第二溶液蒸发器；11、尾气收集机构；12、氧气罐；13、氮气罐；14、气体流量计；15、保温层；16、本征氧化层；17、高温氧化膜；18、外吸附金属；19、内沉淀金属。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
如图1所示，本发明提供了一种去除单晶硅片金属沾污的除污设备，包括热处理炉1，热处理炉1的一端外部固定安装有控制器2，热处理炉1的内部固定设有炉体载舟3，炉体载舟3的上方活动设有石英载舟4，石英载舟4的上方活动安装有硅片5，热处理炉1的表面固定安装有加热板6，热处理炉1远离控制器2的一端连通有集成调节阀7，集成调节阀7的一端连通设有真空泵8、第一溶液蒸发器9、第二溶液蒸发器10和尾气收集机构11，第一溶液蒸发器9的一端连通设有氧气罐12，第二溶液蒸发器10的一端连通设有氮气罐13，集成调节阀7与第一溶液蒸发器9之间、集成调节阀7与第二溶液蒸发器10之间、集成调节阀7与尾气收集机构11之间、第一溶液蒸发器9与氧气罐12之间及第二溶液蒸发器10与氮气罐13之间均安装有气体流量计14，加热板6的外周套设有保温层15，硅片5的外周设有本征氧化层16和高温氧化膜17，且高温氧化膜17位于本征氧化层16的外周，高温氧化膜17的内部活动设有外吸附金属18，硅片5的内部活动设有内沉淀金属19。
本发明还提供了一种去除单晶硅片金属沾污除污设备的除污方法，实施例1
如图2所示，具体操作步骤如下：
S1、将待处理的硅片5装载至石英载舟4上后，放置在热处理炉1的炉体载舟3上；
S2、将炉体载舟3推入炉膛后封闭炉门，检查真空泵8、第一溶液蒸发器9、第二溶液蒸发器10及冷却水，确认机台状态，以50ml/min的流量向热处理炉1内部通入N2，通气时间为10min；
S3、将第一溶液蒸发器9中加纯水，在第二溶液蒸发器10加入纯水和无机酸，并升温；
S4、启动真空泵8，将炉管抽真空后稳定；
S5、将炉管升温后稳定；
S6、通过第二溶液蒸发器10向炉管通入H2O、HCl和N2；
S7、关闭N2及第二溶液蒸发器10，炉管再次抽真空后稳定；
S8、关闭真空泵8，再次升温炉管并稳定；
S9、通过第一溶液蒸发器9向炉管通入N2、O2和H2O；
S10、将炉管温度降至室温后并退出热处理炉1；
S11、将硅片5从石英载舟4取下，并装入PP或PTFE材质花篮中，将花篮放入HF溶液中浸泡；
S12、取出花篮放入纯水清洗后再放入甩干机将硅片5甩干，去除金属沾污过程完成。
步骤S3中的无机酸为HCl，其浓度为3％-15％，的第一溶液蒸发器9及第二溶液蒸发器10的温度范围为85-100℃。
步骤S4的炉管真空度小于50mTorr，稳定时间5-20min。
步骤S5的温度范围为200-500℃，稳定时间为5-30min。
步骤S6的N2流量为50-300ml/min，通气时间为30-180min。
步骤S7的炉管真空度小于50mTorr，稳定时间5-20min。
步骤S8的温度范围为900-1150℃，稳定时间为5-30min。
步骤S9的N2流量为50-300ml/min，O2流量为50-300ml/min，通气时间为60-120min。
步骤S11HF浓度为2％-10％，浸泡时间10-60min。
实施例2
如图3所示，具体操作步骤如下：
S1、将100枚Cu超标6寸P型重掺硼抛光硅片5装载至石英载舟4上后，放置在热处理炉1的炉体载舟3上；
S2、将炉体载舟3推入炉膛后封闭炉门，检查真空泵8、第一溶液蒸发器9、第二溶液蒸发器10及冷却水，确认机台状态，以50ml/min的流量向热处理炉1内部通入N2，通气时间为20min；
S3、将第一溶液蒸发器9中加纯水，在第二溶液蒸发器10加入纯水和HCl，HCl浓度为2％，溶液总体积小于溶液蒸发器总体积2/3，第一溶液蒸发器9的温度设置为98℃，第二溶液蒸发器10的温度设置为95℃；
S4、启动真空泵8，将炉管抽真空至50mTorr以下持续抽真空15min后稳定；
S5、关闭真空泵8，升高炉管温度至300℃，稳温20min；
S6、通过第二溶液蒸发器10向炉管通入H2O、HCl和N2，其中N2流量为200ml/min，此时N2会携带H2O和HCl进入炉管，持续120min；
S7、关闭N2及第二溶液蒸发器10，再次抽真空至炉管压力小于50mTorr持续抽真空15min后稳定；
S8、关闭真空泵8，再次加热炉管温度至1050℃，稳温20min；
S9、通过第一溶液蒸发器9向炉管通入N2、O2和H2O，其中N2流量为300ml/min，O2流量为200ml/min，此N2和O2会携带H2O进入炉管内和硅片5表面发生反应，反应时间为60min；
S10、将炉管温度降至室温后并退出热处理炉1；
S11、将硅片5从石英载舟4取下，装入4个PTFE材质花篮中，将花篮放入5％的HF溶液中浸泡20min以去除硅片5表面的高温氧化膜17；
S12、取出花篮放入纯水清洗10min后再放入甩干机将硅片5甩干，去除金属沾污过程完成。
实施例3
如图4所示，具体操作步骤如下：
S1、将100枚Fe、Cu、Ni超标6寸P型重掺硼抛光硅片5装载至石英载舟4上后，放置在热处理炉1的炉体载舟3上；
S2、将炉体载舟3推入炉膛后封闭炉门，检查真空泵8、第一溶液蒸发器9、第二溶液蒸发器10及冷却水，确认机台状态，以50ml/min的流量向热处理炉1内部通入N2，通气时间为20min；
S3、将第一溶液蒸发器9中加纯水，在第二溶液蒸发器10加入纯水和HCl，HCl浓度为5％，溶液总体积小于溶液蒸发器总体积2/3，第一溶液蒸发器9的温度设置为98℃，第二溶液蒸发器10的温度设置为95℃；
S4、启动真空泵8，将炉管抽真空至50mTorr以下持续抽真空15min后稳定；
S5、关闭真空泵8，升高炉管温度至450℃，稳温20min；
S6、通过第二溶液蒸发器10向炉管通入H2O、HCl和N2，其中N2流量为300ml/min，此时N2会携带H2O和HCl进入炉管，持续150min；
S7、关闭N2及第二溶液蒸发器10，再次抽真空至炉管压力小于50mTorr持续抽真空15min后稳定；
S8、关闭真空泵8，再次加热炉管温度至1100℃，稳温20min；
S9、通过第一溶液蒸发器9向炉管通入N2、O2和H2O，其中N2流量为300ml/min，O2流量为300ml/min，此N2和O2会携带H2O进入炉管内和硅片5表面发生反应，反应时间为80min；
S10、将炉管温度降至室温后并退出热处理炉1；
S11、将硅片5从石英载舟4取下，装入4个PTFE材质花篮中，将花篮放入5％的HF溶液中浸泡40min以去除硅片5表面的高温氧化膜17；
S12、取出花篮放入纯水清洗10min后再放入甩干机将硅片5甩干，去除金属沾污过程完成。
如图5-8所示，沾污金属的种类包括Cu、Fe、Ni、Ti、Cr、Na、Mg、Al、Ca、Co等，其中Cu、Fe和Ni是普遍存在于硅片5加工过程中的金属杂质，Cu和Ni在硅中具有很高的扩散系数，在一些高温加工环节如切割、研磨、腐蚀、抛光等很容易扩散至硅片5内部形成内沉淀金属19，通过高温过程加速内沉淀金属19的外扩散至表面，同时进行清洗可以有效地去除表面及体内金属沾污，HCl能与靠溶解和络合作用使沾污金属形成可溶的碱或金属盐，其反应化学式如下：
Zn+H2SO4→ZnSO4+H2
Cu+H2O2→CuO+H2O
CuO+H2SO4→CuSO4+H2O
在第一溶液蒸发器9及第二溶液蒸发器10的加热作用下使得溶剂气化后进入炉管内部进行反应，通过抽真空过程排除炉管内部的残余空气及水汽，保证炉管内部的洁净度，防止污染硅片5表面，吸附在硅片5表面的外吸附金属18在到达温度T1后会扩散至硅片5内部形成内沉淀金属19，而随着温度升高到T2后内沉淀金属19则又会扩散至硅片5表面，而不同的硅片5类型会有不同的T1和T2，例如P型硅片5在室温下就可形成Cu的内扩散形成沉淀Cu，在300℃左右沉淀Cu则会发生外扩散再次吸附在硅片5表面，而N型硅中的外扩散只有在温度升高到400℃时才会发生，因此在高温下可以加速内沉淀金属19的外扩散，使沾污金属扩散至硅片5表面有利于进一步清除，通过将N2通入第二溶液蒸发器10携带里面气化的H2O和HCl进入炉管，通过调节N2的流量来调整携带入炉管的气化溶剂量，通过再一次的抽真空排除掉炉管内部残余的HCl和水汽，在高温且有水汽存在的情况下硅片5表面会发生氧化形成高温氧化膜17，其化学反应式为：
高温氧化膜17作为封闭层可以阻挡外部金属进一步吸附在硅片5表面，此外，高温氧化膜17的界面吸附作用可以进一步吸附硅片5表面或内部残余的痕量金属，起到进一步净化的效果，在该过程中O2和N2通过第一溶液蒸发器9后通入炉管，O2作为反应气体，N2作为稀释气体起到调节总体流量的作用，高温氧化膜17与HF反应而被剥离，同时清除掉膜内和表面的金属。其反应化学式如下：
SiO2+6HF→H2(SiF6)+2H2O。
最后应说明的几点是：首先，在本申请的描述中,需要说明的是,除非另有规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,可以是机械连接或电连接,也可以是两个元件内部的连通,可以是直接相连,“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变，则相对位置关系可能发生改变；
其次：本发明公开实施例附图中，只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计，在不冲突情况下，本发明同一实施例及不同实施例可以相互组合；
最后：以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种去除单晶硅片金属沾污的除污设备，包括热处理炉(1)，其特征在于：所述热处理炉(1)的一端外部固定安装有控制器(2)，所述热处理炉(1)的内部固定设有炉体载舟(3)，所述炉体载舟(3)的上方活动设有石英载舟(4)，所述石英载舟(4)的上方活动安装有硅片(5)，所述热处理炉(1)的表面固定安装有加热板(6)，所述热处理炉(1)远离控制器(2)的一端连通有集成调节阀(7)，所述集成调节阀(7)的一端连通设有真空泵(8)、第一溶液蒸发器(9)、第二溶液蒸发器(10)和尾气收集机构(11)，所述第一溶液蒸发器(9)的一端连通设有氧气罐(12)，所述第二溶液蒸发器(10)的一端连通设有氮气罐(13)，所述集成调节阀(7)与第一溶液蒸发器(9)之间、集成调节阀(7)与第二溶液蒸发器(10)之间、集成调节阀(7)与尾气收集机构(11)之间、第一溶液蒸发器(9)与氧气罐(12)之间及第二溶液蒸发器(10)与氮气罐(13)之间均安装有气体流量计(14)，所述加热板(6)的外周套设有保温层(15)，所述硅片(5)的外周设有本征氧化层(16)和高温氧化膜(17)，且高温氧化膜(17)位于本征氧化层(16)的外周，所述高温氧化膜(17)的内部活动设有外吸附金属(18)，所述硅片(5)的内部活动设有内沉淀金属(19)。
2.根据权利要求1所述的一种去除单晶硅片金属沾污的除污设备的除污方法，其特征在于，具体操作步骤如下：
S1、将待处理的硅片(5)装载至石英载舟(4)上；
S2、将炉体载舟(3)推入炉膛后封闭炉门，以50ml/min的流量向热处理炉(1)内部通入N2，通气时间为10min；
S3、将第一溶液蒸发器(9)中加纯水，在第二溶液蒸发器(10)加入纯水和无机酸；
S4、启动真空泵(8)将炉管抽真空后稳定；
S5、将炉管升温后稳定；
S6、通过第二溶液蒸发器(10)向炉管通入H2O、HCl和N2；
S7、关闭N2及第二溶液蒸发器(10)，炉管再次抽真空后稳定；
S8、关闭真空泵(8)，再次升温炉管并稳定；
S9、通过第一溶液蒸发器(9)向炉管通入N2、O2和H2O；
S10、将炉管温度降至室温后并退出热处理炉(1)；
S11、将硅片(5)从石英载舟(4)取下并装入花篮中，将花篮放入HF溶液中浸泡；
S12、取出花篮放入纯水清洗后再放入甩干机将硅片(5)甩干。
3.根据权利要求2所述的一种去除单晶硅片金属沾污的除污设备的除污方法，其特征在于：步骤S3中所述的无机酸为HCl，其浓度为3％-15％，所述的第一溶液蒸发器(9)及第二溶液蒸发器(10)的温度范围为85-100℃。
4.根据权利要求2所述的一种去除单晶硅片金属沾污的除污设备的除污方法，其特征在于：步骤S4所述的炉管真空度小于50mTorr，稳定时间5-20min。
5.根据权利要求2所述的一种去除单晶硅片金属沾污的除污设备的除污方法，其特征在于：步骤S5所述的温度范围为200-500℃，稳定时间为5-30min。
6.根据权利要求2所述的一种去除单晶硅片金属沾污的除污设备的除污方法，其特征在于：步骤S6所述的N2流量为50-300ml/min，通气时间为30-180min。
7.根据权利要求2所述的一种去除单晶硅片金属沾污的除污设备的除污方法，其特征在于：步骤S7所述的炉管真空度小于50mTorr，稳定时间5-20min。
8.根据权利要求2所述的一种去除单晶硅片金属沾污的除污设备的除污方法，其特征在于：步骤S8所述的温度范围为900-1150℃，稳定时间为5-30min。
9.根据权利要求2所述的一种去除单晶硅片金属沾污的除污设备的除污方法，其特征在于：步骤S9所述的N2流量为50-300ml/min，O2流量为50-300ml/min，通气时间为60-120min。
10.根据权利要求2所述的一种去除单晶硅片金属沾污的除污设备的除污方法，其特征在于：步骤S11所述的HF浓度为2％-10％，浸泡时间10-60min。
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