CN115216848A - 一种硅片扩散用石英舟的清洗与饱和工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种硅片扩散用石英舟的清洗与饱和工艺；包括：S1、用纯水冲洗石英舟卡槽内的硅渣；S2、用纯水漂洗石英舟；S3、用氢氟酸和盐酸的混合液浸泡石英舟；S4、用纯水漂洗石英舟，漂洗至石英舟表面吸附的水呈中性；吹干残留水渍；S5、将饱和炉管升温，用大流量氮气吹扫饱和炉管；S6、将石英舟送入到炉管内；升温并通氮气，维持；S7、将炉管抽至低压状态并维持，通入氮气吹扫炉管；S8、向炉管中通入氮气和氧气氧化；S9、通氮气、氧气和小氮饱和处理；S10、重复步骤S8和S9；S11、通入氮气和氧气冷却石英舟；S12、将炉管继续抽真空并维持，通氮气吹扫并升压，升压后维持；S13、通氮气，将炉管压力恢复到常压；打开炉门，取出饱和好的石英舟。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池制造技术领域，具体涉及一种硅片扩散用石英舟的清洗与饱和工艺。
背景技术
随着社会的发展，能源短缺问题已经成为不可逃避的话题。太阳能电池作为当下最清洁的能源之一，被日益关注。太阳能电池生产过程中重要的工序就是扩散工序，扩散工序是晶体硅太阳能电池制造过程中形成P-N结的工序，该工序扩散需要用到石英舟工装，石英舟用于装载硅片在扩散炉中进行扩散。长期的使用石英舟会导致其表面沉积五氧化二磷，其会与空气中的水分反应生成偏磷酸，并在石英舟的卡槽中积累；而偏磷酸会在扩散时腐蚀硅片，在硅片表面形成卡槽印，污染硅片，这就会导致最终扩散后的电池片的效率降低；因此，石英舟工装也是制约太阳能电池效率和产品良率的关键因素。
目前，解决此问题的方法是对石英舟进行清洗和饱和处理，但现有的石英舟清洗和饱和工艺是：通过氢氟酸对石英舟进行浸泡酸洗，然后再用氮气吹干，在扩散炉中通入氮气、氧气、三氯氧磷进行反应，最后冷却出舟。但现有的这些石英舟清洗饱和工艺，清洗不干净，影响电池片效率和成品良率；并且采用现有工艺清洗饱和过的石英舟其外观效果也较差。因此，亟需开发一种新的石英舟清洗饱和工艺。
发明内容
本发明的目的在于：针对现有石英舟清洗饱和工艺存在的缺陷，提供一种新的硅片扩散用石英舟的清洗与饱和工艺，旨在去除石英舟表面扩散残留，减少石英舟印的产生，进而提升电池片效率和良率。
本发明是通过如下技术方案实现的：
一种硅片扩散用石英舟的清洗与饱和工艺，其特征在于，该工艺包括如下步骤：
S1、去除石英舟卡槽内硅渣：使用纯水对所述石英舟卡槽内的硅渣进行高压冲洗，去除卡槽内可见的硅渣；
S2、一次漂洗：使用纯水对所述石英舟进行漂洗，去除石英舟内漂浮的硅粉；
S3、酸洗：使用氢氟酸和盐酸的混合液对所述石英舟进行浸泡，去除石英舟表面的残留；
S4、二次漂洗：使用纯水对所述石英舟进行漂洗，漂洗至所述石英舟表面吸附的水呈中性；漂洗后吹干表面残留水渍；
S5、饱和炉管处理：将饱和炉管升温至预设温度，并使用大流量氮气对饱和炉管进行吹扫；
S6、进饱和炉管：将所述石英舟送入到炉管内，关闭炉门；然后升温并通氮气，维持；
S7、一次抽真空：将炉管抽至低压状态并维持，接着通入氮气吹扫炉管；
S8、氧化：向炉管中通入氮气和氧气进行氧化；
S9、一次饱和：通氮气、氧气和小氮进行饱和处理；
S10、二次饱和：重复步骤S8和S9，进行二次饱和；
S11、后处理：通入氮气和氧气冷却石英舟；
S12、二次抽真空：将炉管继续抽真空并维持，然后通氮气吹扫并升压，升压后维持；
S13、回压、出舟：继续通氮气，将炉管压力恢复到常压；然后打开炉门，取出饱和好的石英舟。
具体的，本发明提供一种石英舟清洗饱和方案，通过使用纯水水枪冲洗石英舟表面硅渣残留等脏污，再用氢氟酸和盐酸的混合酸酸洗去除石英舟表面残留，再使用纯水对石英舟进行3-5轮漂洗直至pH值呈中性，气枪吹干后放进扩散炉管内进行饱和。
本发明提供的一种石英舟清洗饱和工艺，采用高温加正常温度饱和的方式，去除石英舟表面的脏污，能够减少石英舟印的发生。
进一步的，一种硅片扩散用石英舟的清洗与饱和工艺：步骤S3、酸洗：使用氢氟酸和盐酸的混合液对所述石英舟进行浸泡3-5小时，去除石英舟表面的残留；其中：混合液中氢氟酸和盐酸的总质量分数为3-8wt％。
进一步的，一种硅片扩散用石英舟的清洗与饱和工艺：所述混合液中氢氟酸与盐酸的质量比为3：1。
进一步的，一种硅片扩散用石英舟的清洗与饱和工艺：步骤S4、二次漂洗：使用纯水对所述石英舟进行漂洗3-5次，每次漂洗15-30分钟，漂洗至所述石英舟表面吸附的水呈中性；漂洗后用气枪吹干石英舟表面残留水渍。
进一步的，一种硅片扩散用石英舟的清洗与饱和工艺：步骤S6、进饱和炉管：将所述石英舟送入到炉管内，关闭炉门；然后升温至820-880℃，在升温的同时通入5000-8000sccm流量的氮气，升温完成后维持200-400秒；其中：升温过程在800-1000秒完成。
进一步的，一种硅片扩散用石英舟的清洗与饱和工艺：步骤S7、一次抽真空：将炉管抽至低压状态并维持150-250秒，然后再通入8000-10000sccm流量的氮气吹扫炉管100-200秒。
进一步的，一种硅片扩散用石英舟的清洗与饱和工艺：步骤S8、氧化：向炉管中通入3000-8000sccm流量的氮气和1000-3000sccm流量的氧气进行氧化300-500秒。
进一步的，一种硅片扩散用石英舟的清洗与饱和工艺：步骤S9、一次饱和：通入1000-2000sccm流量的氮气、1500-3000sccm流量的氧气和1000-1500sccm流量的小氮进行饱和处理1200-1500秒。
进一步的，一种硅片扩散用石英舟的清洗与饱和工艺：步骤S11、后处理：通入1500-3000sccm流量的氮气和2000-5000sccm流量的氧气冷却石英舟至600-700℃。
进一步的，一种硅片扩散用石英舟的清洗与饱和工艺：步骤S12、二次抽真空：将炉管抽真空至50-60mbar并维持150-300秒，然后通8000-10000sccm流量的氮气吹扫并升压至80-120mbar，升压后维持100-200秒。
本发明的有益效果：
(1)本发明提供的硅片扩散用石英舟的清洗与饱和工艺，采用多次饱和与吹扫的方式，去除饱和前后残留的杂质，有利于正常生产时减少石英舟印记，提升电池片效率和良率。
(2)优选的，在本发明工艺中采用浓度3-8wt％的混合酸对石英舟进行酸洗，并通过优化氢氟酸与盐酸的配比，既能保证石英舟表面的残留物被清洗干净，又不会对石英舟造成腐蚀，同时本发明采用的混合酸的浓度较低，在酸洗后也不会在石英舟上造成酸残留。
(3)本发明的工艺通过多次漂洗工艺不仅能够完全去除石英舟内可见的杂质，还能避免酸洗后残留酸对石英舟造成二次腐蚀。
(4)本发明提供的硅片扩散用石英舟的清洗与饱和工艺，石英舟清洗饱和后效果良好，且硅片扩散后不会形成卡槽印，无外观不良，同时石英舟能被清洗干净，利于提升扩散电池片效率和产品合格率。
(5)在本发明提供的硅片扩散用石英舟的清洗与饱和工艺中，不使用三氯氧磷对石英舟进行饱和处理，节省了成本，且有效减少了饱和处理时间，大大提升了效率，进而提高产能；本发明工艺饱和后的石英舟无外观不良以及石英舟印迹的产生，本发明的工艺时间短，效率高。
具体实施方式
下面将结合具体实施例，对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
一种硅片扩散用石英舟的清洗与饱和工艺，其特征在于，该工艺包括如下步骤：
S1、去除石英舟卡槽内硅渣：使用纯水水枪对所述石英舟卡槽内的硅渣进行高压冲洗10分钟，去除卡槽内可见的硅渣；
S2、一次漂洗：使用溢流的纯水对所述石英舟进行漂洗10分钟，去除石英舟内漂浮的硅粉；
S3、酸洗：使用氢氟酸和盐酸的混合液对所述石英舟进行浸泡3小时，去除石英舟表面的残留；其中：混合液中氢氟酸和盐酸的总质量分数为5wt％，且氢氟酸与盐酸的质量比为3：1；
S4、二次漂洗：使用纯水并采用溢流的方式漂洗石英舟3次，每次漂洗20分钟，漂洗至石英舟表面吸附的水呈中性；漂洗后将石英舟放置于工作台上，使用气枪吹干表面残留的水渍；
S5、饱和炉管处理：将饱和炉管升温至预设温度，并使用大流量氮气对饱和炉管进行吹扫；
S6、进饱和炉管：将所述石英舟送入到炉管内，关闭炉门；然后控制1000秒升温至850℃并通5000sccm流量的氮气，维持300秒；
S7、一次抽真空：将炉管抽至低压状态并维持200秒，接着通入10000sccm流量的氮气吹扫炉管200秒；
S8、氧化：向炉管中通入5000sccm流量的氮气和2000sccm流量的氧气进行氧化500秒；
S9、一次饱和：通2000sccm流量的氮气、1500sccm流量的氧气和1000sccm流量的小氮进行饱和处理，时间为1500秒；
S10、二次饱和：重复上述步骤S8和S9，进行二次饱和；
S11、后处理：通入2000sccm流量的氮气和3000sccm流量的氧气冷却石英舟至600℃；
S12、二次抽真空：将炉管继续抽真空至60mbar并维持200秒，然后通入10000sccm流量的氮气进行吹扫，升压至100mbar，升压后维持200秒；
S13、回压、出舟：继续通10000sccm流量的氮气，将炉管压力恢复到常压；然后打开炉门，取出饱和好的石英舟；清洗饱和好的石英舟可直接用于硅片扩散。
实施例2
一种硅片扩散用石英舟的清洗与饱和工艺，其特征在于，该工艺包括如下步骤：
S1、去除石英舟卡槽内硅渣：使用纯水水枪对所述石英舟卡槽内的硅渣进行高压冲洗10分钟，去除卡槽内可见的硅渣；
S2、一次漂洗：使用溢流的纯水对所述石英舟进行漂洗10分钟，去除石英舟内漂浮的硅粉；
S3、酸洗：使用氢氟酸和盐酸的混合液对所述石英舟进行浸泡3小时，去除石英舟表面的残留；其中：混合液中氢氟酸和盐酸的总质量分数为8wt％，且氢氟酸与盐酸的质量比为3：1；
S4、二次漂洗：使用纯水并采用溢流的方式漂洗石英舟5次，每次漂洗20分钟，漂洗至石英舟表面吸附的水呈中性；漂洗后将石英舟放置于工作台上，使用气枪吹干表面残留的水渍；
S5、饱和炉管处理：将饱和炉管升温至预设温度，并使用大流量氮气对饱和炉管进行吹扫；
S6、进饱和炉管：将所述石英舟送入到炉管内，关闭炉门；然后控制800秒升温至820℃并通8000sccm流量的氮气，维持200秒；
S7、一次抽真空：将炉管抽至低压状态并维持250秒，接着通入8000sccm流量的氮气吹扫炉管150秒；
S8、氧化：向炉管中通入3000sccm流量的氮气和3000sccm流量的氧气进行氧化300秒；
S9、一次饱和：通1500sccm流量的氮气、2500sccm流量的氧气和1500sccm流量的小氮进行饱和处理，时间为1300秒；
S10、二次饱和：重复上述步骤S8和S9，进行二次饱和；
S11、后处理：通入1500sccm流量的氮气和2000sccm流量的氧气冷却石英舟至700℃；
S12、二次抽真空：将炉管继续抽真空至50mbar并维持150秒，然后通入8000sccm流量的氮气进行吹扫，升压至110mbar，升压后维持150秒；
S13、回压、出舟：继续通10000sccm流量的氮气，将炉管压力恢复到常压；然后打开炉门，取出饱和好的石英舟；清洗饱和好的石英舟可直接用于硅片扩散。
本发明的工艺，采用多次饱和与吹扫的方式，去除饱和前后残留的杂质，有利于正常生产时减少石英舟印记，能够提升电池片效率和合格率。
上述为本发明的较佳实施例仅用于解释本发明，并不用于限定本发明。凡由本发明的技术方案所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之中。
Claims (10)
1.一种硅片扩散用石英舟的清洗与饱和工艺，其特征在于，该工艺包括如下步骤：
S1、去除石英舟卡槽内硅渣：使用纯水对所述石英舟卡槽内的硅渣进行高压冲洗，去除卡槽内可见的硅渣；
S2、一次漂洗：使用纯水对所述石英舟进行漂洗，去除石英舟内漂浮的硅粉；
S3、酸洗：使用氢氟酸和盐酸的混合液对所述石英舟进行浸泡，去除石英舟表面的残留；
S4、二次漂洗：使用纯水对所述石英舟进行漂洗，漂洗至所述石英舟表面吸附的水呈中性；漂洗后吹干表面残留水渍；
S5、饱和炉管处理：将饱和炉管升温至预设温度，并使用大流量氮气对饱和炉管进行吹扫；
S6、进饱和炉管：将所述石英舟送入到炉管内，关闭炉门；然后升温并通氮气，维持；
S7、一次抽真空：将炉管抽至低压状态并维持，接着通入氮气吹扫炉管；
S8、氧化：向炉管中通入氮气和氧气进行氧化；
S9、一次饱和：通氮气、氧气和小氮进行饱和处理；
S10、二次饱和：重复步骤S8和S9，进行二次饱和；
S11、后处理：通入氮气和氧气冷却石英舟；
S12、二次抽真空：将炉管继续抽真空并维持，然后通氮气吹扫并升压，升压后维持；
S13、回压、出舟：继续通氮气，将炉管压力恢复到常压；然后打开炉门，取出饱和好的石英舟。
2.根据权利要求1所述的一种硅片扩散用石英舟的清洗与饱和工艺，其特征在于，步骤S3、酸洗：使用氢氟酸和盐酸的混合液对所述石英舟进行浸泡3-5小时，去除石英舟表面的残留；其中：混合液中氢氟酸和盐酸的总质量分数为3-8wt％。
3.根据权利要求2所述的一种硅片扩散用石英舟的清洗与饱和工艺，其特征在于，所述氢氟酸与盐酸的质量比为3：1。
4.根据权利要求1所述的一种硅片扩散用石英舟的清洗与饱和工艺，其特征在于，步骤S4、二次漂洗：使用纯水对所述石英舟进行漂洗3-5次，每次漂洗15-30分钟，漂洗至所述石英舟表面吸附的水呈中性；漂洗后用气枪吹干石英舟表面残留水渍。
5.根据权利要求1所述的一种硅片扩散用石英舟的清洗与饱和工艺，其特征在于，步骤S6、进饱和炉管：将所述石英舟送入到炉管内，关闭炉门；然后升温至820-880℃，在升温的同时通入5000-8000sccm流量的氮气，升温完成后维持200-400秒；其中：升温过程在800-1000秒完成。
6.根据权利要求1所述的一种硅片扩散用石英舟的清洗与饱和工艺，其特征在于，步骤S7、一次抽真空：将炉管抽至低压状态并维持150-250秒，然后再通入8000-10000sccm流量的氮气吹扫炉管100-200秒。
7.根据权利要求1所述的一种硅片扩散用石英舟的清洗与饱和工艺，其特征在于，步骤S8、氧化：向炉管中通入3000-8000sccm流量的氮气和1000-3000sccm流量的氧气进行氧化300-500秒。
8.根据权利要求1所述的一种硅片扩散用石英舟的清洗与饱和工艺，其特征在于，步骤S9、一次饱和：通入1000-2000sccm流量的氮气、1500-3000sccm流量的氧气和1000-1500sccm流量的小氮进行饱和处理1200-1500秒。
9.根据权利要求1所述的一种硅片扩散用石英舟的清洗与饱和工艺，其特征在于，步骤S11、后处理：通入1500-3000sccm流量的氮气和2000-5000sccm流量的氧气冷却石英舟至600-700℃。
10.根据权利要求1所述的一种硅片扩散用石英舟的清洗与饱和工艺，其特征在于，步骤S12、二次抽真空：将炉管抽真空至50-60mbar并维持150-300秒，然后通8000-10000sccm流量的氮气吹扫并升压至80-120mbar，升压后维持100-200秒。
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Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| CN116435226A (zh) * | 2023-05-04 | 2023-07-14 | 浙江海纳半导体股份有限公司 | 一种去除单晶硅片金属沾污的方法及除污设备 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20110064031A (ko) * | 2009-12-07 | 2011-06-15 | 엘지전자 주식회사 | 석영보트를 포함하는 반도체 웨이퍼 확산공정 장치 및 이를 이용한 확산공정 |
| CN107123613A (zh) * | 2017-04-20 | 2017-09-01 | 通威太阳能（合肥）有限公司 | 一种石英舟清洗饱和工艺 |
| CN111564524A (zh) * | 2020-03-30 | 2020-08-21 | 深圳市拉普拉斯能源技术有限公司 | 一种适用于磷扩散石英舟的饱和方法 |
| CN113430652A (zh) * | 2021-06-18 | 2021-09-24 | 常州时创能源股份有限公司 | 晶硅太阳能电池扩散用石英舟的清洗与饱和方法 |
-
2022
- 2022-07-18 CN CN202210840592.2A patent/CN115216848A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20110064031A (ko) * | 2009-12-07 | 2011-06-15 | 엘지전자 주식회사 | 석영보트를 포함하는 반도체 웨이퍼 확산공정 장치 및 이를 이용한 확산공정 |
| CN107123613A (zh) * | 2017-04-20 | 2017-09-01 | 通威太阳能（合肥）有限公司 | 一种石英舟清洗饱和工艺 |
| CN111564524A (zh) * | 2020-03-30 | 2020-08-21 | 深圳市拉普拉斯能源技术有限公司 | 一种适用于磷扩散石英舟的饱和方法 |
| CN113430652A (zh) * | 2021-06-18 | 2021-09-24 | 常州时创能源股份有限公司 | 晶硅太阳能电池扩散用石英舟的清洗与饱和方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116435226A (zh) * | 2023-05-04 | 2023-07-14 | 浙江海纳半导体股份有限公司 | 一种去除单晶硅片金属沾污的方法及除污设备 |
| CN116435226B (zh) * | 2023-05-04 | 2024-04-26 | 浙江海纳半导体股份有限公司 | 一种去除单晶硅片金属沾污的方法及除污设备 |
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