CN116376341A - 导电填料、导电膜、电热膜、制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供导电填料及制备方法，制备方法包括：将石墨烯粉末加入溶剂中超声波分散得到石墨烯浆料；将银包铜粉加入石墨烯浆料中超声波分散得到导电分散液；将导电分散液烘干得到导电填料。本发明还提供导电膜、电热膜及制备方法，制备方法包括：按质量百分数计，称取25～50wt％聚碳酸酯改性水性聚氨酯、1～2wt％硅烷偶联剂、1～4wt％稳定剂、10～20wt％导电填料，加入去离子水研磨搅拌处理得到石墨烯导电浆料；对石墨烯导电浆料进行真空脱泡；将脱泡后的石墨烯导电浆料涂布在覆盖膜上，加热固化得到附着在覆盖膜上的导电膜。本发明导电膜自身带有粘性，在制备电热膜时无需经过热压，生产工艺简单，降低生产成本。
Description
技术领域
本发明涉及电热取暖技术领域，具体涉及导电填料、导电膜、电热膜、制备方法。
背景技术
石墨烯(Graphene)是单原子厚度的二维碳原子晶体，它被认为是富勒烯、碳纳米管(CNT)和石墨的基本结构单元。2004年，Ceim等用胶带粘贴法从高结晶石墨块上剥下少量单层石墨烯，并对其电学性质研究，发现其具有特殊的电子特性，如量子霍尔效应，在高电场诱导密度下仍能保持载流子的高迁移率，在开发新型电子组件方面有很大的潜力。
近年来，关于石墨烯导电膜的研究日益增多，尤其是在石墨烯电热膜领域。目前，石墨烯电热膜的生产工艺普遍是：将石墨烯导电膜放置在PI覆铜箔线路的铜电极上，再将封装膜(PI覆盖膜)放置在石墨烯导电膜上，最后将三者进行热压成型得到石墨烯电热膜。由于现在市场上石墨烯导电膜自身是没有粘性的，因而导电膜与铜电极之间是通过高温高压进行硬接触搭接，电热膜热压的一般条件是温度160℃、压力120kg。120kg的压力会给导电膜内部带来很大的应力，应力的存在会导致电热膜的发热功率和温度随着时间的推移逐渐衰减，需要很长时间才能稳定。另外，由于导电膜与铜电极之间是硬接触搭接，所以，导电膜与铜电极之间的接触电阻偏大，会极大影响电热膜的发热功率和温度。
发明内容
针对现有技术存在问题中的一个或多个，本发明提供一种导电填料的制备方法，包括：
将石墨烯粉末加入到溶剂中超声波分散，得到石墨烯浆料；
将银包铜粉加入到石墨烯浆料中超声波分散，得到导电分散液；
将导电分散液烘干，得到导电填料。
本发明先通过超声波分散将石墨烯粉末分散在溶剂中制备石墨烯浆料，然后在加入银包铜粉，使用超声波瞬间释放的压力破坏石墨烯层与层之间的范德华力，让银包铜粉进入到石墨烯层间形成阻隔，使得石墨烯不容易团聚在一起；如果将石墨烯和银包铜粉同时一起加入溶剂进行超声波分散，石墨烯和银包铜粉混合在一起，银包铜粉会阻碍超声波对石墨烯层与层之间的范德华力进行破坏。
根据本发明的一个方面，所述将石墨烯粉末加入到溶剂中超声波分散的步骤中，超声波分散的时间为6～8h，超声波频率为50～100KHz，超声分散环境温度为25～35℃，超声时间6～8h，频率50～100KHz，在这个范围内，保证超声波可以彻底破坏石墨烯层与层之间的范德华力；超声低于此时间和频率，范德华力破坏不彻底；超声高于此时间和频率，浪费时间且增加设备功耗；在25～35℃内超声波分散可以加速石墨烯在溶剂内的分散；低于此温度范围，加速分散的效果会变差；高于此温度范围，伴随溶剂挥发，分散效果也会变差。
根据本发明的一个方面，所述将银包铜粉加入到石墨烯浆料中超声波分散的步骤中，超声波分散时间为10～12h，超声波频率为50～100KHz，超声分散环境温度为25～35℃；通过超声波震荡分散让银包铜粉进入到石墨烯层间形成阻隔，这个过程是很缓慢的，需要用到更长的时间；在10～12h范围内，银包铜粉能够均匀进入到石墨烯层间；低于此时间范围，会有一部分银包铜粉未进入到石墨烯层间；高于此时间范围，浪费时间且增加设备功耗；在50～100KHz频率范围内，超声波震荡分散可以让绝大部分的银包铜粉进入到石墨烯层间的效果更好，更彻底；低于此频率范围，效果变差；高于此频率范围，效果并不能带来更多的提升，造成过多的设备功耗；在25～35℃温度范围内，可以加速银包铜粉在溶剂内的分散；低于此温度范围，加速分散的效果会变差；高于此温度范围，伴随溶剂挥发，分散效果也会变差。
根据本发明的一个方面，所述将导电分散液烘干的步骤中，采用烘箱烘干，烘干温度为150～180℃，低于上述温度范围，烘干效率低；高于这个温度范围，由于温度过高，表面溶剂挥发速度太快，造成导电填料表干而内部没有干透的情况出现。
根据本发明的一个方面，所述石墨烯粉末为单层或多层的石墨烯微片，片径为0.5～6μm，厚度为1～10nm，比表面积为20～200m2/g，电导率为8×104～2×105S/m。
根据本发明的一个方面，所述溶剂为N-甲基吡络烷酮、N,N-二甲基甲酰胺、四氢呋喃、乙二醇丁醚、丙二醇甲醚、正丁醇中的一种或两种以上的混合物。
根据本发明的一个方面，所述银包铜粉为球型银包铜粉、片状银包铜粉或枝状银包铜粉，优选地，所述银包铜粉为树枝状银包铜粉。
根据本发明的一个方面，所述石墨烯粉末与溶剂的质量比为1：(20～30)；若溶剂低于20～30范围，溶剂少会造成石墨烯粉末难以在溶剂体系里分散均匀；若溶剂高于20～30范围，对分散性的提升效果并不明显，且造成溶剂浪费、成本高，而且在后续烘干过程中，大量溶剂也难以干燥。
根据本发明的一个方面，所述银包铜粉的银含量为5～15％，银含量低于5％，导电性较差，影响后期导电膜的导电性，银含量高于15％，成本高，并且对导电膜的导电性的提升并不明显。
根据本发明的一个方面，所述银包铜粉与石墨烯粉末的质量比为1：(0.2～0.5)，石墨烯的密度很低，相同质量，石墨烯粉末的体积要远远大于银包铜粉，若石墨烯粉末的质量大于0.2～0.5，说明石墨烯粉末多而银包铜粉少，会出现一部分石墨烯层与层之间未有银包铜形成阻隔；若石墨烯粉末的质量小于0.2～0.5，说明石墨烯粉末少而银包铜粉多，会出现一部分银包铜粉游离在石墨烯层与层之外。
根据本发明的第二方面，提供一种导电填料，采用上述制备方法制备，所述导电填料包括石墨烯粉末和银包铜粉。
根据本发明的第二方面，所述银包铜粉与石墨烯粉末的质量比为1：(0.2～0.5)。
根据本发明的第二方面，所述银包铜粉的银含量为5～15％。
根据本发明的第三方面，提供一种导电膜的制备方法，包括：
按质量百分数计，称取25～50wt％聚碳酸酯改性水性聚氨酯、1～2wt％硅烷偶联剂、1～4wt％稳定剂、10～20wt％导电填料，其余为去离子水，研磨搅拌处理，得到石墨烯导电浆料；
采用真空搅拌脱泡机对石墨烯导电浆料进行脱泡处理；
将脱泡处理后的石墨烯导电浆料涂布在覆盖膜上，加热固化，得到附着在覆盖膜上的导电膜。
上述导电膜制备方法加入导电填料，并不是直接加入导电分散液，导电分散液里面的大量溶剂会破坏体系，且无法去除溶剂，导致石墨烯导电浆料制备失败。
现有技术脱泡形式有两种，一种是加入消泡剂，一种是真空脱泡；加入消泡剂是化学手段，会改变浆料的表面张力，浆料涂布后涂层会出现缩孔；本发明采用真空脱泡，真空脱泡是物理手段，不会改变浆料的性质。
根据本发明的第三方面，所述研磨搅拌处理的步骤中，搅拌速度为2000～4000r/mi n，搅拌时间为30～60mi n，搅拌速度低于此范围，搅拌分散的效率低；搅拌速度高于此范围，由于速度过快，浆料体系的温度会升高，导致水分流失，粘度变大，浆料变稠；搅拌时间过低，则分散不均匀，搅拌时间过长，分散效果未有提升且浪费时间。
根据本发明的第三方面，所述采用真空搅拌脱泡机对石墨烯导电浆料进行脱泡处理的步骤中，真空度为0.05±0.01MPa，低于上述真空度范围，较难脱泡；高于上述真空度范围，对脱泡的效果提升不大，造成不必要的设备功耗；搅拌速度为40～50r/mi n，通过搅拌的方式将浆料内部的气泡排出；低于上述搅拌速度范围，气泡排出的速度慢；高于上述搅拌速度范围，会将浆料溅射到真空排气口，造成堵塞。
根据本发明的第三方面，所述将脱泡处理后的石墨烯导电浆料涂布在覆盖膜上，加热固化，得到附着在覆盖膜上的导电膜的步骤中，所述涂布方式为狭缝涂布、刮刀涂布或者挤出涂布，涂布厚度为50～100μm，涂布厚度低于50μm，做成的导电膜的力学性能比较低；涂布厚度高于100μm，后续做成电热膜，由于导电膜过厚导致电热膜柔软性较差，没有市场应用前景，在60～100℃的烘箱中预热固化5～20mi n，低于60℃，预热固化效率低；高于100℃，表面预热固化速度快，而内部预热固化未完全；低于5～20mi n时间范围，预热固化不完全，如果高于5～20mi n时间范围，对预热固化的效果并不能带来提升，且浪费时间。
根据本发明的第四方面，提供一种导电膜，采用上述导电膜的制备方法制备，所述导电膜的制备材料按质量百分数计，包括：25～50wt％聚碳酸酯改性水性聚氨酯、1～2wt％硅烷偶联剂、1～4wt％稳定剂、10～20wt％导电填料，其余为去离子水，各组分的质量百分数之和为100％。
现有技术中没有采用聚碳酸酯改性水性聚氨酯作为基体的导电膜，本发明采用聚碳酸酯改性水性聚氨酯是主体结构树脂，通过其粘结性能使得导电膜自带粘性；硅烷偶联剂可以对导电填料进行表面处理，能改善填料在树脂中的分散性及粘合力，改善填料与树脂之间的相容性；稳定剂是提高树脂在受热或者受到机械剪切时的稳定性，避免大分子链遭到损害；本发明的导电填料相对于现有的导电填料不容易在浆料中团聚形成颗粒，分散性好。
根据本发明的第五方面，提供一种电热膜的制备方法，包括：
将附着在覆盖膜上的导电膜上设置导电线路，得到电热膜。
根据本发明的第五方面，所述导电线路包括覆铜箔线路及其上的铜电极，所述铜电极与所述导电膜贴合。
根据本发明的第六方面，提供一种电热膜，采用上述电热膜的制备方法制备，所述电热膜依次包括覆盖膜、导电膜以及导电线路。
根据本发明的第六方面，所述导电线路包括覆铜箔线路及其上的铜电极，所述铜电极与所述导电膜贴合。
本发明采用向溶剂中加入石墨烯粉末超声分散后再加入银包铜粉进行高频率超声波分散，超声波瞬间释放的压力破坏了石墨烯层与层之间的范德华力，让银包铜粉进入到石墨烯层间形成阻隔，使得石墨烯不容易团聚在一起，提高了石墨烯在浆料体系中的分散均匀性；同时，银包铜粉在浆料体系中有较强的分散性，且建立起丰富的导电网络，增强了石墨烯导电浆料的导电性。
本发明采用聚碳酸酯改性水性聚氨酯制备的导电膜自身带有粘性，此导电膜在制备电热膜时，无需经过热压，生产工艺简单，降低生产成本，可通过自粘性直接将导电膜粘接在铜电极上，从而解决了目前现有技术中的应力和硬接触搭接的问题。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1是本发明所述电热膜的一个实施例的示意图。
具体实施方式
在下文中，仅简单地描述了某些示例性实施例。正如本领域技术人员可认识到的那样，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可通过各种不同方式修改所描述的实施例。因此，附图和描述被认为本质上是示例性的而非限制性的。
以下结合附图对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。
图1是本发明所述电热膜的一个实施例的示意图的示意图，如图1所示，所述电热膜包括依次包括覆盖膜1、导电膜2以及导电线路3。
上述覆盖膜和导电膜是一体成型的，为了便于说明电热膜的构成，图1采用了爆炸图进行示意，一体成型的覆盖膜和导热膜的制备方法包括：按质量百分数计，称取25～50wt％聚碳酸酯改性水性聚氨酯、1～2wt％硅烷偶联剂、1～4wt％稳定剂、10～20wt％导电填料，其余为去离子水，研磨搅拌处理，得到石墨烯导电浆料；
采用真空搅拌脱泡机对石墨烯导电浆料进行脱泡处理；
将脱泡处理后的石墨烯导电浆料涂布在覆盖膜上，加热固化，得到附着在覆盖膜上的导电膜。
本发明导电膜自身带有粘性，在制备电热膜时无需经过热压，生产工艺简单，降低生产成本。
现有技术导电填料在浆料中易团聚形成颗粒从而分散性不好，本发明的导热填料的制备方法包括：将石墨烯粉末加入溶剂中超声波分散得到石墨烯浆料；将银包铜粉加入石墨烯浆料中超声波分散得到导电分散液；将导电分散液烘干得到导电填料，本发明先使用超声波瞬间释放的压力破坏石墨烯层与层之间的范德华力，让银包铜粉进入到石墨烯层间形成阻隔，使得石墨烯不容易团聚在一起。
上述各实施例中的导电线路包括覆铜箔线路(未示出)及其上的铜电极31，所述铜电极与所述导电膜贴合。
上述各实施例中的覆盖膜可以为P I覆盖膜或PET覆盖膜，覆铜箔线路为PI覆铜箔线路或PET覆铜箔线路。
通过以下具体实施例和对比例说明本发明的有益效果：
实施例1
S1、导电填料的制备
S11、将5g石墨烯粉末加入到125g四氢呋喃溶剂中，超声波分散6h，超声波频率为50KHz，超声分散环境温度为25℃；
S12、将10g树枝状银包铜粉加入到步骤S11的溶剂中，超声波分散10h，超声波频率为80KHz，超声分散环境温度为25℃；
S13、将步骤S12分散均匀的分散液放入烘箱中，温度设置在150℃烘干，待完全干燥后得到导电填料。
S2、称取45g聚碳酸酯改性水性聚氨酯、2g硅烷偶联剂、2g稳定剂、15g导电填料、36g去离子水，研磨搅拌处理，以2500r/min的转速搅拌40min，得到较为粘稠且气泡较多的石墨烯导电浆料；采用真空搅拌脱泡机对石墨烯导电浆料进行脱泡处理，真空度设为0.05±0.01MPa，搅拌速度40r/min，待无气泡后即可涂布；
S3、将步骤S2制备的石墨烯导电浆料涂布在PI覆盖膜上，涂布厚度75μm，在80℃的烘箱中预热固化15min，得到附着在PI覆盖膜上的导电膜；导电膜平均厚度为48μm，方阻平均值为80Ω/sq；
S4、将PI覆盖膜/导电膜贴合粘接在PI覆铜箔线路的铜电极一面，导电膜与铜电极紧密粘合，得到电热膜。
实施例2
S1、导电填料的制备
S11、将8g石墨烯粉末加入到200g N-甲基吡络烷酮溶剂中，超声波分散6h，超声波频率为60KHz，超声分散环境温度为25℃；
S12、将20g树枝状银包铜粉加入到步骤S11的溶剂中，超声波分散11h，超声波频率为80KHz，超声分散环境温度为25℃；
S13、将步骤S12分散均匀的分散液放入烘箱中，温度设置在160℃烘干，待完全干燥后得到导电填料。
S2、称取100g聚碳酸酯改性水性聚氨酯、4g硅烷偶联剂、8g稳定剂、28g导电填料、60g去离子水，研磨搅拌处理，以4000r/min的转速搅拌30min，得到较为粘稠且气泡较多的石墨烯导电浆料；采用真空搅拌脱泡机对石墨烯导电浆料进行脱泡处理，真空度设为0.05±0.01MPa，搅拌速度50r/min，待无气泡后即可涂布；
S3、将步骤S2制备的石墨烯导电浆料涂布在PI覆盖膜上，涂布厚度70μm，在100℃的烘箱中预热固化10min，得到附着在PI覆盖膜上的导电膜；导电膜平均厚度为46μm，方阻平均值为90Ω/sq；
S4、将PI覆盖膜/导电膜贴合粘接在PI覆铜箔线路的铜电极一面，铜线路设计与实施例1相同，导电膜与铜电极紧密粘合，得到电热膜。
实施例3
S1、导电填料的制备
S11、将10g石墨烯粉末加入到300g N,N-二甲基甲酰胺溶剂中，超声波分散6h，超声波频率为80KHz，超声分散环境温度为25℃；
S12、将40g树枝状银包铜粉加入到步骤S11的溶剂中，超声波分散10h，超声波频率为100KHz，超声分散环境温度为25℃；
S13、将步骤S12分散均匀的分散液放入烘箱中，温度设置在180℃烘干，待完全干燥后得到导电填料。
S2、称取250g聚碳酸酯改性水性聚氨酯、10g硅烷偶联剂、15g稳定剂、50g导电填料、175g去离子水，研磨搅拌处理，以3000r/min的转速搅拌50min，得到较为粘稠且气泡较多的石墨烯导电浆料；采用真空搅拌脱泡机对石墨烯导电浆料进行脱泡处理，真空度设为0.05±0.01MPa，搅拌速度45r/min，待无气泡后即可涂布；
S3、将步骤S2制备的石墨烯导电浆料涂布在PI覆盖膜上，涂布厚度75μm，在100℃的烘箱中预热固化20min，得到附着在PI覆盖膜上的导电膜；导电膜平均厚度为45μm，方阻平均值为100Ω/sq；
S4、将PI覆盖膜/导电膜贴合粘接在PI覆铜箔线路的铜电极一面，铜线路设计与实施例1相同，导电膜与铜电极紧密粘合，得到电热膜。
对比例1
上海精厚电子科技有限公司售卖的方阻平均值为80Ω/sq的石墨烯导电膜，膜平均厚度为55μm。
对比例2
上海精厚电子科技有限公司售卖的方阻平均值为90Ω/sq的石墨烯导电膜，膜平均厚度为50μm。
对比例3
上海精厚电子科技有限公司售卖的方阻平均值为100Ω/sq的石墨烯导电膜，膜平均厚度为45μm。
对比例4
S1、将5g石墨烯粉末和10g炭黑粉末以及150g氧化锆珠同时加入到行星式球磨机中进行球磨分散，转速400r/min，球磨时间30min，球磨结束后，得到石墨烯/炭黑复合导电填料；
S2、与实施例1的步骤S2相同，称取45g聚碳酸酯改性水性聚氨酯、2g硅烷偶联剂、2g稳定剂、15g石墨烯/炭黑复合导电填料、36g去离子水，研磨搅拌处理，以2500r/min的转速搅拌40min，得到较为粘稠且气泡较多的石墨烯导电浆料；采用真空搅拌脱泡机对石墨烯导电浆料进行脱泡处理，真空度设为0.05±0.01MPa，搅拌速度40r/min，待无气泡后即可得到石墨烯导电浆料；观察浆料可以发现，浆料中仍然有因石墨烯和炭黑团聚形成的颗粒，无法均匀分散；
S3、将步骤S2制备的石墨烯导电浆料涂布在PI覆盖膜上，涂布厚度75μm，在80℃的烘箱中预热固化15min，得到附着在PI覆盖膜上的导电膜。
对实施例1至3和对比例1至4的导电膜进行测试，测试方法如下：
1、将实施例1、实施例2、实施例3制备的导电膜粘接到铜电极上，测试剥离强度和接触电阻；以温度160℃、压力120kg的条件将对比例1、对比例2、对比例3的导电膜热压到铜电极上，测试剥离强度和接触电阻；
2、以温度160℃、压力120kg的条件，将对比例1至3的导电膜与PI覆铜箔线路以及PI覆盖膜三者热压成型，制成电热膜，铜线路设计与本申请实施例相同，测试实施例1至3和对比例1至3的电热膜(工作电压DC5V)温度及功率的稳定性。
上述各实施例和各对比例的测试数据如下表1至表3：
表1
| 剥离强度(N/mm) | 接触电阻(Ω) | |
| 实施例1 | 6.2 | 0.02 |
| 实施例2 | 5.9 | 0.04 |
| 实施例3 | 5.5 | 0.08 |
| 对比例1 | 1.6 | 2.13 |
| 对比例2 | 1.3 | 2.65 |
| 对比例3 | 1.1 | 2.72 |
表2
表3
实施例1～3是将导电膜粘接到铜电极上，对比例1～3是将导电膜热压到铜电极上，从表1可以看出，实施例1～3的导电膜与铜电极之间的剥离强度比对比例1～3的高，且实施例1～3的导电膜与铜电极之间的接触电阻比对比例1～3更小；
表2和表3说明本发明实施例1～3的导电膜制备成电热膜后，随着时间的推移，温度和功率不随时间发生变化，一直稳定，而各对比例随着时间推移温度和功率在衰减，对比例直到24h后温度和功率才衰减至稳定；
表1至3说明，本发明解决了现有技术中因为应力导致电热膜的发热功率和温度随着时间的推移逐渐衰减的问题；还解决了导电膜与铜电极之间的接触电阻偏大的问题。
在实施例1和对比例4制备的导电膜上各选取6个测试点，分别用测厚仪和四探针方阻测试仪测定各点的厚度和方阻，具体测试数据如下表4和表5：
表4
表5
从表4和表5可以看出，实施例1导电膜的厚度和方阻的高低差值要远远小于对比例4，这是因为现有技术导电填料在制备浆料时会有颗粒形成，这是因石墨烯和炭黑团聚形成的颗粒，颗粒又导致后期制备的导电膜的厚度和方阻也极其不均匀，而本发明制备的导电填料不存在这种情况克服了现有技术的缺点。
上述为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种导电填料的制备方法，其特征在于，包括：
将石墨烯粉末加入到溶剂中超声波分散，得到石墨烯浆料；
将银包铜粉加入到石墨烯浆料中超声波分散，得到导电分散液；
将导电分散液烘干，得到导电填料。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述将石墨烯粉末加入到溶剂中超声波分散的步骤中，超声波分散的时间为6～8h，超声波频率为50～100KHz，超声分散环境温度为25～35℃；和/或
所述将银包铜粉加入到石墨烯浆料中超声波分散的步骤中，超声波分散时间为10～12h，超声波频率为50～100KHz，超声分散环境温度为25～35℃；所述将导电分散液烘干的步骤中，采用烘箱烘干，烘干温度为150～180℃。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述石墨烯粉末为单层或多层的石墨烯微片，片径为0.5～6μm，厚度为1～10nm，比表面积为20～200m2/g，电导率为8×104～2×105S/m；和/或
所述溶剂为N-甲基吡络烷酮、N,N-二甲基甲酰胺、四氢呋喃、乙二醇丁醚、丙二醇甲醚、正丁醇中的一种或两种以上的混合物；和/或
所述银包铜粉为球型银包铜粉、片状银包铜粉或枝状银包铜粉，优选地，所述银包铜粉为树枝状银包铜粉。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述石墨烯粉末与溶剂的质量比为1：(20～30)；和/或
所述银包铜粉的银含量为5～15％；和/或
所述银包铜粉与石墨烯粉末的质量比为1：(0.2～0.5)。
5.一种导电填料，其特征在于，采用权利要求1-4中任一所述的制备方法制备，所述导电填料包括石墨烯粉末和银包铜粉；优选地，所述银包铜粉与石墨烯粉末的质量比为1：(0.2～0.5)；
优选地，所述银包铜粉的银含量为5～15％。
6.一种导电膜的制备方法，其特征在于，包括：
按质量百分数计，称取25～50wt％聚碳酸酯改性水性聚氨酯、1～2wt％硅烷偶联剂、1～4wt％稳定剂、10～20wt％权利要求1-5中任一权利要求所述的导电填料，其余为去离子水，研磨搅拌处理，得到石墨烯导电浆料；
采用真空搅拌脱泡机对石墨烯导电浆料进行脱泡处理；
将脱泡处理后的石墨烯导电浆料涂布在覆盖膜上，加热固化，得到附着在覆盖膜上的导电膜。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述研磨搅拌处理的步骤中，搅拌速度为2000～4000r/min，搅拌时间为30～60min；和/或
所述采用真空搅拌脱泡机对石墨烯导电浆料进行脱泡处理的步骤中，真空度为0.05±0.01MPa，搅拌速度为40～50r/min；和/或
所述将脱泡处理后的石墨烯导电浆料涂布在覆盖膜上，加热固化，得到附着在覆盖膜上的导电膜的步骤中，所述涂布方式为狭缝涂布、刮刀涂布或者挤出涂布，涂布厚度为50～100μm，在60～100℃的烘箱中预热固化5～20min。
8.一种导电膜，其特征在于，采用权利要求6或7所述的制备方法制备，所述导电膜的制备材料按质量百分数计，包括：25～50wt％聚碳酸酯改性水性聚氨酯、1～2wt％硅烷偶联剂、1～4wt％稳定剂、10～20wt％权利要求5所述的导电填料，其余为去离子水，各组分的质量百分数之和为100％。
9.一种电热膜的制备方法，其特征在于，包括：
将权利要求6或7所述的制备方法制备的附着在覆盖膜上的导电膜上设置导电线路，得到电热膜；
优选地，所述导电线路包括覆铜箔线路及其上的铜电极，所述铜电极与所述导电膜贴合。
10.一种电热膜，其特征在于，采用权利要求9的制备方法制备，所述电热膜依次包括覆盖膜、导电膜以及导电线路；
优选地，所述导电线路包括覆铜箔线路及其上的铜电极，所述铜电极与所述导电膜贴合。
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