CN116360630A - 显示装置 - Google Patents

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isu
electrode
disposed
layer
inventive concept
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金和正
郭娜赟
全相炫
郑昌容
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

提供了一种显示装置，所述显示装置包括：显示面板，具有基础表面；以及输入感测单元，设置在显示面板上，其中，输入感测单元包括：噪声屏蔽电极，直接设置在基础表面上并且具有透明导电氧化物；第一电极，设置在噪声屏蔽电极上并且具有网格形状；以及第二电极，设置在噪声屏蔽电极上并与第一电极交叉，其中，第一电极和第二电极与噪声屏蔽电极在平面图中叠置。

Description

显示装置
本申请是向中国国家知识产权局提交的申请日为2017年11月10日的标题为“显示装置”的第201711105727.6号申请的分案申请。
技术领域
本公开在此涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种输入感测单元的至少一部分直接设置在显示面板上的显示装置。
背景技术
正在开发应用于诸如电视机、移动电话、平板计算机、导航装置和游戏机的多媒体装置中的各种显示装置。这样的显示装置包括键盘或鼠标作为输入单元。此外，在近几年中，这样的显示装置包括接触面板作为输入单元。
发明内容
本公开提供了一种具有改善的灵敏度的集成输入感测单元的显示装置。
本发明构思的实施例提供了一种显示装置，所述显示装置包括：显示面板，被构造为提供基础表面；以及输入感测单元，直接设置在基础表面上。输入感测单元包括至少一个绝缘层、第一电极和第二电极。
第一电极包括具有金属和网格形状的第一传感器部件、被构造为使第一传感器部件中的彼此相邻的第一传感器部件连接的第一连接部件以及连接到第一传感器部件并且具有透明导电氧化物的第一辅助传感器部件。
第二电极包括具有金属和网格形状的第二传感器部件、被构造为使第二传感器部件中的彼此相邻的第二传感器部件连接并且与所述第一连接部件交叉的第二连接部件以及连接到第二传感器部件并且具有透明导电氧化物的第二辅助传感器部件，其中，绝缘层在第一连接部件和第二连接部件之间。
在实施例中，显示面板可以包括彼此间隔开的多个发射区以及设置在所述多个发射区之间的非发射区。第一传感器部件可以与非发射区叠置并且包括与多个发射区对应的多个网孔，第一辅助传感器部件可以与多个发射区和非发射区叠置。
在实施例中，彼此对应的第一传感器部件中的第一传感器部件和第一辅助传感器部件中的第一辅助传感器部件可以彼此叠置并且绝缘层位于其间，彼此对应的第一传感器部件中的第一传感器部件和第一辅助传感器部件中的第一辅助传感器部件可以通过穿过绝缘层的第一接触孔来彼此连接。
在实施例中，第一连接部件可以设置在绝缘层的一侧上，第一传感器部件、第二传感器部件和第二连接部件可以设置在绝缘层的另一侧上。
在实施例中，彼此对应的第一传感器部件中的第一传感器部件和第二连接部件中的第二连接部件可以通过穿过绝缘层的第二接触孔来彼此连接。第二传感器部件和第二连接部件可以具有一体的形状。
在实施例中，第一连接部件可以设置为比第一传感器部件、第二传感器部件和第二连接部件接近显示面板。
在实施例中，第一辅助传感器部件可以与第一连接部件设置在同一层上。
在实施例中，第一连接部件可以接触第一辅助传感器部件。
在实施例中，第一电极还可以包括被构造为使彼此相邻的第一辅助传感器部件连接的第一辅助连接部件。第一连接部件可以与第一辅助连接部件叠置。
在实施例中，显示装置还可以包括连接到第一电极的信号线。信号线可以包括与第一辅助传感器部件中的第一辅助传感器部件连接的第一线部件和与第一传感器部件中的第一传感器部件连接的第二线部件中的至少一者。
在实施例中，第一线部件和第二线部件可以在其间设置有绝缘层。第一线部件和第二线部件可以通过穿过绝缘层的接触孔彼此连接。
在实施例中，第一辅助传感器部件和第二辅助传感器部件可以设置在绝缘层的另一侧上。
在实施例中，第一传感器部件可以接触第一辅助传感器部件，第二传感器部件可以接触第二辅助传感器部件。
在实施例中，第一辅助传感器部件可以接触绝缘层并且设置在绝缘层和第一传感器部件之间。
在实施例中，其中，第一传感器部件可以接触绝缘层并且设置在绝缘层和第一辅助传感器部件之间。
在实施例中，第二电极还可以包括被构造为使第二辅助传感器部件中的彼此相邻的第二辅助传感器部件连接的第二辅助连接部件。
在实施例中，第二连接部件可以在平面图中设置在第二辅助连接部件内部。
在本发明构思的实施例中，显示装置包括显示面板和设置在显示面板上的输入感测单元。输入感测单元包括至少一个绝缘层、第一电极、第二电极和辅助电极。第一电极包括具有金属和网格形状的第一传感器部件以及被构造为使第一传感器部件中的彼此相邻的第一传感器部件连接的第一连接部件。第二电极包括具有金属和网格形状的第二传感器部件以及被构造为使第二传感器部件中的彼此相邻的第二传感器部件连接并且与第一连接部件交叉的第二连接部件，其中，绝缘层在第一连接部件和第二连接部件之间。辅助电极连接为与第一传感器部件和第二传感器部件中的对应的传感器部件叠置并且包括透明导电氧化物。
在发明构思的实施例中，显示装置包括：显示面板，包括彼此间隔开的多个发射区和设置在多个发射区之间的非发射区；以及输入感测单元，包括设置在显示面板上的多个电极。
多个电极包括：传感器部件，设置为彼此间隔开，传感器部件中的每个传感器部件包括金属并具有网格形状；辅助传感器部件，连接为与传感器部件中的对应的传感器部件叠置并且包括透明导电氧化物。传感器部件包括与多个发射区对应的多个网孔并且与非发射区叠置。辅助传感器部件与多个发射区和非发射区叠置。
在本发明构思的实施例中，显示装置包括：显示面板，具有基础表面；输入感测单元，设置在显示面板上。输入感测单元包括：噪声屏蔽电极，直接设置在基础表面上并且包括透明导电氧化物；第一电极，设置在噪声屏蔽电极上并且具有网格形状；以及第二电极，设置在噪声屏蔽电极上并与第一电极交叉。第一电极和第二电极与基础表面上的噪声屏蔽电极在平面图中叠置。
在本发明构思的实施例中，显示装置包括：显示面板，具有基础表面；输入感测单元，设置在显示面板上。输入感测单元包括：多个第一电极，直接设置在基础表面上并且具有网格形状；虚设电极，直接设置在多个第一电极之间的基础表面上；多个第二电极，与基础表面上的第一电极交叉；绝缘层，位于多个第一电极和多个第二电极之间；输入感测电路。输入感测电路电连接到多个第一电极、虚设电极和多个第二输入电极，并且检测通过显示面板在虚设电极中产生的噪声和外部输入。
附图说明
附图被包括以提供对本发明构思的进一步理解，并且被并入并构成本说明书的一部分。附图示出了本发明构思的示例性实施例，并且与描述一起用于解释本发明构思的原理。在附图中：
图1A是根据本发明构思的实施例的显示装置的透视图；
图1B是根据本发明构思的实施例的显示装置的剖视图；
图2是根据本发明构思的实施例的显示模块的剖视图；
图3是根据本发明构思的实施例的显示面板的平面图；
图4是根据本发明构思的实施例的像素的等效电路图；
图5是根据本发明构思的实施例的显示面板的放大的剖视图；
图6A是根据本发明构思的实施例的输入感测单元的剖视图；
图6B是根据本发明构思的实施例的输入感测单元的平面图；
图7A是示出根据本发明构思的实施例的输入感测单元的第一导电层的平面图；
图7B是根据本发明构思的实施例的输入感测单元的局部平面图；
图7C是示出根据本发明构思的实施例的输入感测单元的第二导电层的平面图；
图7D是根据本发明构思的实施例的输入感测单元的局部平面图；
图7E至图7F是根据本发明构思的实施例的输入感测单元的剖视图；
图8A和图8B是示出根据本发明构思的实施例的输入感测单元的第一导电层的平面图；
图9A是示出根据本发明构思的实施例的输入感测单元的第一导电层的平面图；
图9B是根据本发明构思的实施例的输入感测单元的局部平面图；
图9C是示出根据本发明构思的实施例的输入感测单元的第二导电层的平面图；
图9D是根据本发明构思的实施例的输入感测单元的局部平面图；
图9E至图9F是根据本发明构思的实施例的输入感测单元的剖视图；
图10是根据本发明构思的实施例的输入感测单元的局部平面图；
图11是根据本发明构思的实施例的输入感测单元的剖视图；
图12A是根据本发明构思的实施例的输入感测单元的平面图；
图12B是根据本发明构思的实施例的输入感测单元的局部放大平面图；
图12C至图12E是根据本发明构思的实施例的输入感测单元的局部剖视图；
图13A是根据本发明构思的实施例的显示面板的平面图；
图13B是示出根据本发明构思的实施例的输入感测单元的剖视图；
图13C是根据本发明构思的实施例的输入感测单元的平面图；
图14A是示出根据本发明构思的实施例的输入感测单元的第一导电层的平面图；
图14B是示出根据本发明构思的实施例的输入感测单元的第二导电层的平面图；
图14C是示出根据本发明构思的实施例的输入感测单元的第三导电层的平面图；
图15A是示出根据本发明构思的实施例的输入感测单元的第二导电层的平面图；
图15B是图15A的区域AA的放大图；
图15C是示出根据本发明构思的实施例的输入感测单元的第三导电层的平面图；
图16A至图16C是根据本发明构思的实施例的显示装置的剖视图；
图17A是根据本发明构思的实施例的输入感测单元的剖视图；
图17B是根据本发明构思的实施例的输入感测单元的平面图；
图17C是沿图17B的线I-I'截取的剖视图；
图18A是根据本发明构思的实施例的输入感测单元的剖视图；
图18B是示出根据本发明构思的实施例的输入感测单元的第一导电层的平面图；
图18C是示出根据本发明构思的实施例的输入感测单元的第二导电层的平面图；
图19是根据本发明构思的实施例的输入感测单元的框图；
图20A至图20C是根据本发明构思的实施例的显示装置的透视图；
图21A和图21B是根据本发明构思的实施例的显示装置的透视图；以及
图22是根据本发明构思的实施例的显示装置的透视图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图描述本发明构思的实施例。在本说明书中，还将理解的是，当一个组件(或区域、层、部分)被称为“在”另一组件“上”、“连接到”或“结合到”另一组件时，该组件可以直接连接/结合到所述另一组件，或者直接连接/结合在所述另一组件上，或者也可以存在中间第三组件。
同样的附图标记始终指示同样的元件。此外，在附图中，为了说明的清晰起见，夸大了组件的厚度、比例和尺寸。术语“和/或”包括一个或更多个相关列出项的任意组合和全部组合。
将理解的是，尽管在这里使用术语第一和第二来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语通常仅用来将一个元件与另一元件区分开。例如，在一个实施例中被称为第一元件的元件可以在另一实施例中被称为第二元件。除非单数表述代表与上下文的单数表述绝对不同的含义，否则单数表述可以包括复数表述。
此外，“下”、“下方”、“上方”和“上”等用来解释附图中示出的组件的关系关联。术语可以是相对概念，并且基于附图中显示的方向进行描述。
“包含”或“包含”的含义说明属性、固定数字、步骤、操作、元件、组件或其组合，但不排除其它属性、固定数字、步骤、操作、元件、组件或其组合。
图1A是根据本发明构思的实施例的显示装置DD的透视图。图1B是根据本发明构思的实施例的显示装置DD的剖视图。图2是根据本发明构思的实施例的显示模块DM的剖视图。图1B和图2示出了由第二方向轴DR2和第三方向轴DR3限定的剖面。
如图1A和图1B中示出的，其上显示有图像IM的显示表面IS平行于由第一方向轴DR1和第二方向轴DR2限定的表面。显示表面IS的法线方向(即，显示装置DD的厚度方向)表示第三方向轴DR3。每个构件的前表面(或顶表面)和后表面(或底表面)通过第三方向轴DR3来区分。然而，表示第一至第三方向轴DR1、DR2和DR3的方向可以是相对概念并且因此改为不同的方向。在下文中，第一至第三方向可以是分别通过第一至第三方向轴DR1、DR2和DR3表示并通过相同的附图标记指示的方向。
尽管在本发明构思的实施例中示出了具有平坦显示表面的显示装置DD，但是本发明构思的实施例不限于此。显示装置DD可以包括弯曲的显示表面或者包括指示彼此不同的方向的多个显示区的集成的显示表面(多边形柱状显示表面)。
根据此实施例的显示装置DD可以是平的刚性显示装置。然而，本发明构思的实施例不限于此。例如，根据本发明构思的实施例的显示装置可以是柔性显示装置DD。根据本发明构思的实施例的显示装置DD可以用于诸如电视和监视器的大型电子装置，以及诸如移动电话、平板PC、车载导航单元、游戏机和智能手表的中型电子装置。
如图1A中示出的，显示表面IS包括其上显示图像IM的显示区DD-DA和与显示区DD-DA相邻的非显示区DD-NDA。非显示区DD-NDA可以是其上不显示图像的区域。图1A示出了作为图像IM的示例的图标图像。例如，显示区DD-DA可以具有矩形形状。非显示区DD-NDA可以围绕显示区DD-DA。然而，本发明构思的实施例不限于此。例如，可以相对地设计显示区DD-DA和非显示区DD-NDA的形状。
如图1B中示出的，显示装置DD包括窗单元WM和显示模块DM。显示模块DM和窗单元WM可以通过使用光学透明粘合构件OCA来彼此结合。在本发明构思的实施例中，可以省略光学透明粘合构件OCA，窗单元WM可以直接设置在显示模块DM上。
窗单元WM包括基膜WM-BS和挡光图案WM-BZ。基膜WM-BS可以包括薄膜玻璃基底和/或塑料膜。挡光图案WM-BZ与基膜WM-BS部分地叠置。挡光图案WM-BZ可以设置在基膜WM-BS的后表面上，以限定边框区域，即，显示装置DD的非显示区DD-NDA(见图1A)。
挡光图案WM-BZ可以是着色有机层，并且例如可以以涂覆方式形成。尽管没有单独地示出，但是窗单元WM还可以包括设置在基膜WM-BS的前表面上的功能涂覆层。功能涂覆层可以包括指纹防止层、反射防止层和硬涂层。
显示模块DM包括显示面板DP和输入感测单元ISU(或输入感测层)。显示面板DP生成图像，输入感测单元ISU获取外部输入(触摸事件)的坐标信息。尽管没有单独地示出，但是根据本发明构思的实施例的显示模块DM还可以包括设置在显示面板DP的底表面上的保护构件以及设置在输入感测单元ISU的顶表面上的防反射构件。
显示面板DP可以是发射型显示面板。即，本发明构思的实施例不限于一种类型的显示面板。例如，显示面板DP可以是有机发光显示面板和量子点发光显示面板。有机发光显示面板包括由有机发光材料制成的发光层。在量子点发光显示面板中，发光层包括量子点和量子棒。在下文中，将有机发光显示面板作为显示面板DP的示例进行描述。
显示面板DP包括基层SUB、设置在基层SUB上的电路器件层DP-CL、显示器件层DP-OLED和薄膜包封层TFE。尽管没有单独地示出，但是显示面板DP还可以包括功能层，诸如防反射层和反射率调节层等。
基层SUB可以包括柔性膜。基层SUB可以包括塑料基底、玻璃基底、金属基底和有机/无机复合基底。参照图1A描述的显示区DD-DA和非显示区DD-NDA可以以相同的方式被限定在基层SUB上。
电路器件层DP-CL包括至少一个中间绝缘层和电路器件。中间绝缘层包括至少一个中间无机膜和至少一个中间有机膜。电路器件包括信号线和像素的驱动电路等。电路器件层DP-CL可以通过使用沉积的绝缘形成工艺和导电层和/或半导体层的经光刻工艺的图案化工艺来形成。
显示器件层DP-OLED可以至少包括有机发光二极管。显示器件层DP-OLED还可以包括诸如像素限定层的有机膜。
薄膜包封层TFE密封显示器件层DP-OLED。薄膜包封层TFE包括至少一个无机膜(在下文中，称为包封无机膜)。薄膜包封层TFE还可以包括至少一个有机膜(在下文中，称为包封有机膜)。包封无机膜保护显示器件层DP-OLED免受湿气/氧的影响，包封有机膜保护显示器件层DP-OLED免受例如灰尘颗粒的异物的影响。包封无机膜可以包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层。包封有机膜可以包括丙烯酸类有机层，但是本发明构思的实施例不限于此。
在本发明构思的实施例中，薄膜包封层TFE可以用包封基底来代替。包封基底密封显示器件层DP-OLED。
输入感测单元ISU可以直接设置在设置在显示面板DP上的基础表面上。在本说明书中，术语“直接设置”是指除了通过使用单独的粘合层来粘结组件之外，通过连续的工艺形成组件。基础表面可以是薄膜包封层TFE的顶表面，即，包封基底的顶表面。基础表面不受具体的限定，因此可以是通过连续的工艺形成的显示面板DP的最上面的顶表面。
即，句子“输入感测单元ISU的组件A直接设置在基础表面上”表示“粘合层/粘合构件在显示装置的剖面上没有设置在基础表面和组件A之间”。这里，基础表面可以是薄膜包封层TFE的顶表面，即，包封基底的顶表面。基础表面不受具体的限定，并且可以是通过连续工艺形成的显示面板DP的最上面的顶表面。
在本发明构思的实施例中，输入感测单元ISU可以单独地形成为面板形状，并随后通过粘合层结合到显示面板DP。因为输入感测单元ISU直接设置在基础表面上，并且基础表面设置在显示面板DP上，所以可以省略输入感测单元的基础基底以减小显示装置DD的厚度。
输入感测单元ISU可以具有多层结构。输入感测单元ISU可以包括具有单层结构或多层结构的导电层。输入感测单元ISU可以包括至少一个绝缘层。
例如，输入感测单元ISU可以以电容方式感测外部输入。本发明构思的实施例不具体地受限于输入感测单元ISU的操作方式。在本发明构思的实施例中，输入感测单元ISU可以以电磁感应结合方式或压敏方式感测外部输入。
图3是根据本发明构思的实施例的显示面板DP的平面图。图4是根据本发明构思的实施例的像素PX的等效电路图。图5是根据本发明构思的实施例的显示面板DP的放大的剖视图。
图3附加地示出了电连接到显示面板DP的电路板PCB。电路板PCB可以是刚性基板或柔性电路板。电路板PCB可以直接结合到显示面板DP，或者通过另一个电路板连接到显示面板DP。
控制显示面板DP的操作的时序控制电路TC可以设置在电路板PCB上。此外，控制输入感测单元ISU的输入感测电路ISU-C可以设置在电路板PCB上。时序控制电路TC和输入感测电路ISU-C中的每个可以以集成芯片的形式安装在电路板PCB上。
电路板PCB包括电连接到显示面板DP的电路板焊盘PCB-P。尽管未示出，但是电路板PCB还包括将电路板焊盘PCB-P连接到时序控制电路TC和/或输入感测电路ISU-C的信号线。
如图3中示出的，显示面板DP在平面上包括显示区DM-DA和非显示区DM-NDA。在当前的实施例中，非显示区DM-NDA可以沿显示区DM-DA的边缘来限定。显示面板DP的显示区DM-DA和非显示区DM-NDA可以分别对应于图1A的显示装置DD的显示区DD-DA和非显示区DD-NDA。有机发光显示面板DP的显示区DM-DA和非显示区DM-NDA不必分别对应于显示装置DD的显示区DD-DA和非显示区DD-NDA。例如，可以根据有机发光显示面板DP的结构/设计来改变有机发光显示面板DP的显示区DM-DA和非显示区DM-NDA。
显示面板DP可以包括驱动电路GDC、多条信号线SGL和多个像素PX。多个像素PX设置在显示区DM-DA上。每个像素PX包括有机发光二极管和连接到有机发光二极管的像素驱动电路。驱动电路GDC、多条信号线SGL以及像素驱动电路可以设置在图2的电路器件层DP-CL中。
驱动电路GDC可以包括扫描驱动电路。扫描驱动电路GDC生成多个扫描信号，多个扫描信号依次输出到多条扫描线GL。扫描驱动电路GDC还可以向每个像素PX的驱动电路输出其它控制信号。
扫描驱动电路GDC可以包括通过与像素PX的驱动电路的制造工艺相同的工艺(例如，低温多晶硅(LTPS)工艺或低温多晶氧化物(LTPO)工艺)制造的多个薄膜晶体管。
多条信号线SGL包括扫描线GL、数据线DL、电力线PL和控制信号线CSL。扫描线GL分别连接到多个像素PX中的对应像素，数据线DL分别连接到多个像素PX中的对应像素PX。电力线PL连接到多个像素PX。控制信号线CSL可以向扫描驱动电路GDC提供控制信号。
显示面板DP包括连接到信号线SGL的端部的信号焊盘DP-PD。信号焊盘DP-PD可以是一种电路装置。非显示区DM-NDA的其上设置有信号焊盘DP-PD的区域被限定为焊盘区NDA-PD。连接到信号线SL1-1至SL1-5和SL2-1至SL2-4的稍后将描述的虚设焊盘ISU-DPD还可以设置在焊盘区NDA-PD上。信号焊盘DP-PD和虚设焊盘ISU-DPD可以与扫描线GL(见图4)和数据线DL(见图4)通过同一工艺设置在同一层上，这将在稍后进行描述。
图4示出了连接到一条扫描线GL、一条数据线DL和电力线PL的像素PX的示例。然而，本发明构思的实施例不限于像素PX的构造。例如，像素PX可以在构造上进行各种变形。
有机发光二极管OLED可以是顶发射型二极管或底发射型二极管。像素PX包括作为驱动有机发光二极管OLED的像素驱动电路的第一晶体管T1(或开关晶体管)、第二晶体管T2(或驱动晶体管)以及电容器Cst。第一电源电压ELVDD提供到第二晶体管T2，第二电源电压ELVSS提供到有机发光二极管OLED。第二电源电压ELVSS可以小于第一电源电压ELVDD。
第一晶体管T1响应于施加到栅极线的扫描信号来输出施加到数据线DL的数据信号。电容器Cst充入与从第一晶体管T1接收到的数据信号对应的电压。
第二晶体管T2连接到有机发光二极管OLED。第二晶体管T2控制流经有机发光二极管OLED的驱动电流，以对应于存储在电容器Cst中的电荷量。有机发光二极管OLED在第二晶体管T2的导通时间段期间发光。
图5示出了与图4的等效电路对应的显示面板DP的局部剖视图。电路器件层DP-CL、显示器件层DP-OLED和薄膜包封层TFE依次设置在基层SUB上。
电路器件层DP-CL包括至少一个无机膜、至少一个有机膜和电路器件。电路器件层DP-CL可以包括作为无机层的缓冲层BFL、第一中间无机膜10和第二中间无机膜20以及作为有机层的中间有机膜30。
无机膜可以包括氮化硅、氮氧化硅和氧化硅等。有机膜可以包括丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸类树脂、聚异戊二烯类树脂、乙烯基类树脂、环氧类树脂、氨基甲酸酯类树脂、纤维素类树脂、硅氧烷类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂和苝类树脂中的至少一种。电路器件包括导电图案和/或半导体图案。
缓冲层BFL改善了导电图案或半导体图案之间的结合力。尽管没有单独地示出，但是用于防止异物被引入的阻挡层还可以设置在基层SUB的顶表面上。可以选择性地设置/省略缓冲层BFL和阻挡层。
第一晶体管T1的半导体图案OSP1(在下文中，被称为第一半导体图案)以及第二晶体管T2的半导体图案OSP2(在下文中，被称为第二半导体图案)设置在缓冲层BFL上。第一半导体图案OSP1和第二半导体图案OSP2中的每个可以从非晶硅、多晶硅和金属氧化物半导体选择。
第一中间无机膜10设置在第一半导体图案OSP1和第二半导体图案OSP2上。将第一晶体管T1的控制电极GE1(在下文中，被称为第一控制电极)以及第二晶体管T2的控制电极GE2(在下文中，被称为第二控制电极)设置在第一中间无机膜10上。第一控制电极GE1和第二控制电极GE2可以与扫描线GL(见图4)通过同一光刻工艺来制造。
覆盖第一控制电极GE1和第二控制电极GE2的第二中间无机膜20设置在第一中间无机膜10上。第一晶体管T1的输入电极DE1(在下文中，被称为第一输入电极)和输出电极SE1(在下文中，被称为第一输出电极)以及第二晶体管T2的输入电极DE2(在下文中，被称为第二输入电极)和输出电极SE2(在下文中，被称为第二输出电极)设置在第二中间无机膜20上。
第一输入电极DE1和第一输出电极SE1分别通过穿过第一中间无机膜10和第二中间无机膜20的第一通孔CH1和第二通孔CH2来连接到第一半导体图案OSP1。第二输入电极DE2和第二输出电极SE2分别通过穿过第一中间无机膜10和第二中间无机膜20的第三通孔CH3和第四通孔CH4来连接到第二半导体图案OSP2。根据本发明构思的另一实施例，第一晶体管T1和第二晶体管T2的一部分可以变形成底栅结构。
覆盖第一输入电极DE1、第二输入电极DE2、第一输出电极SE1和第二输出电极SE2的中间有机膜30设置在第二中间无机膜20上。中间有机膜30可以提供平坦表面。
显示器件层DP-OLED设置在中间有机膜30上。显示器件层DP-OLED可以包括像素限定层PDL和有机发光二极管OLED。像素限定层PDL可以包括有机材料，如同中间有机膜30。第一电极AE设置在中间有机膜30上。第一电极AE通过穿过中间有机膜30的第五通孔CH5来连接到第二输出电极SE2。开口OP限定在像素限定层PDL中。像素限定层PDL的开口OP暴露第一电极AE的至少一部分。
像素PX可以在平面上设置在像素区上。像素区可以包括发射区PXA和与发射区PXA相邻的非发射区NPXA。非发射区NPXA可以围绕发射区PXA。在当前实施例中，发射区PXA可以被限定为对应于第一电极AE的被开口OP暴露的部分。
空穴控制层HCL可以公共地设置在发射区PXA和非发射区NPXA上。尽管没有具体地示出，但是诸如空穴控制层HCL的公共层可以公共地设置在多个像素PX(见图3)上。
发射层EML设置在空穴控制层HCL上。发射层EML可以设置在与开口OP对应的区域上。即，发射层EML可以形成为与多个像素PX中的每个像素PX分离。此外，发射层EML可以包括有机材料和/或无机材料。尽管在当前实施例中作为示例示出了图案化的发射层EML，但发射层EML可以公共地设置在多个像素PX上。这里，发射层EML可以发射白光。此外，发射层EML可以具有多层结构。
电子控制层ECL设置在发射层EML上。尽管没有具体示出，但是电子控制层ECL可以公共地设置在多个像素PX上(见图3)。
第二电极CE设置在电子控制层ECL上。第二电极CE公共地设置在多个像素PX上。
薄膜包封层TFE设置在第二电极CE上。薄膜包封层TFE公共地设置在多个像素PX上。在当前的实施例中，薄膜包封层TFE直接覆盖第二电极CE。在本发明构思的实施例中，覆盖第二电极CE的盖层还可以设置在薄膜包封层TFE和第二电极CE之间。这里，薄膜包封层TFE可以直接覆盖盖层。
图6A是根据本发明构思的实施例的输入感测单元ISU的剖视图。图6B是根据本发明构思的实施例的输入感测单元ISU的平面图。图6A示出了作为显示面板DP的构成的第二电极CE和薄膜包封层TFE(见图5)。
如图6A中示出的，输入感测单元ISU包括第一导电层ISU-CL1、第一绝缘层ISU-IL1(在下文中，被称为第一绝缘层)、第二导电层ISU-CL2和第二绝缘层ISU-IL2(在下文中，被称为第二绝缘层)。在当前的实施例中，第一导电层ISU-CL1可以直接设置在薄膜包封层TFE上。本发明构思的实施例不限于此。例如，另一无机层或另一有机层还可以设置在第一导电层ISU-CL1和薄膜包封层TFE之间。在当前的实施例中，可以省略第二绝缘层ISU-IL2，可以用光学构件或粘合层代替第二绝缘层ISU-IL2的保护功能。
第一导电层ISU-CL1和第二导电层ISU-CL2中的每个可以具有单层结构或在第三方向轴DR3上堆叠有多个层的多层结构。具有单层结构的导电层可以包括金属层或透明导电层。金属层可以由钼、银、钛、铜、铝及其合金形成。
透明导电层可以包括透明导电氧化物，例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和氧化铟锡锌(ITZO)。另外，透明导电层可以包括PEDOT、金属纳米线和石墨烯。
具有多层结构的导电层可以包括多层金属层。多层金属层可以具有钛/铝/钛的3层结构。具有多层结构的导电层可以包括金属层或透明导电层。具有多层结构的导电层可以包括多层金属层或透明导电层。
第一导电层ISU-CL1和第二导电层ISU-CL2中的每个可以包括多个图案。在下文中，将描述第一导电层ISU-CL1包括第一导电图案并且第二导电层ISU-CL2包括第二导电图案的示例。第一导电图案和第二导电图案中的每个可以包括电极和信号线。
第一绝缘层ISU-IL1和第二绝缘层ISU-IL2中的每个可以由无机材料或有机材料形成。第一绝缘层ISU-IL1或第二绝缘层ISU-IL2中的至少一个可以包括无机膜。无机膜可以包括氧化物、氧化钛、氧化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。
第一绝缘层ISU-IL1或第二绝缘层ISU-IL2中的至少一个可以包括有机膜。有机膜可以包括丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸类树脂、聚异戊二烯类树脂、乙烯基类树脂、环氧类树脂、氨基甲酸酯类树脂、纤维素类树脂、硅氧烷类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂和苝类树脂中的至少一种。
如图6B中示出，输入感测单元ISU可以包括第一电极TE1-1至TE1-5、连接到第一电极TE1-1至TE1-5的第一信号线SL1-1至SL1-5、第二电极TE2-1至TE2-4、连接到第二电极TE2-1至TE2-4的第二信号线SL2-1至SL2-4以及将第一信号线SL1-1至SL1-5连接到第二信号线SL2-1至SL2-4的感测信号焊盘ISU-PD。第一电极TE1-1至TE1-5以及第二电极TE2-1至TE2-4彼此交叉。第一电极TE1-1至TE1-5沿第一方向DR1布置，并沿第二方向DR2延伸。可以以互电容方式或自电容方式检测外部输入。尽管图6B中未示出，但是输入感测单元ISU可以包括至少一个绝缘层。
第一信号线SL1-1至SL1-5分别连接到第一电极TE1-1至TE1-5的端部。第二信号线SL2-1至SL2-4分别连接到第二电极TE2-1至TE2-4的两端。在本发明构思的实施例中，第一信号线SL1-1至SL1-5也可以分别连接到第一电极TE1-1至TE1-5的两端。在本发明构思的实施例中，第二信号线SL2-1至SL2-4中的每个可以连接到第二电极TE2-1至TE2-4中的每个的仅一端。
在本发明构思的实施例中，第一信号线SL1-1至SL1-5、第二信号线SL2-1至SL2-4以及感测信号焊盘ISU-PD可以用各自制造并随后结合的电路板来代替。在本发明构思的实施例中，可以省略感测信号焊盘ISU-PD，第一信号线SL1-1至SL1-5以及第二信号线SL2-1至SL2-4可连接到图3的虚设焊盘ISU-DPD。
第一信号线SL1-1至SL1-5与第二信号线SL2-1至SL2-4可以具有两层结构，如稍后所述。第一信号线SL1-1至SL1-5包括由第一导电层(ISU-CL1，见图6A)形成的第一线部件SL1-11至SL1-51(见图7A)与由第二导电层(ISU-CL2，见图6A)形成的第二线部件SL1-12至SL1-52(见图7C)。第二信号线SL2-1至SL2-4包括由第一导电层(ISU-CL1，见图6A)形成的第一线部件SL2-11至SL2-41(见图7A)与由第二导电层ISU-CL2(见图6A)形成的第二线部件SL2-22至SL2-42(见图7C)。
图7A是示出根据本发明构思的实施例的输入感测单元ISU的第一导电层ISU-CL1(见图6A)的平面图。图7B是根据本发明构思的实施例的输入感测单元ISU的局部平面图，图7C是示出根据本发明构思的实施例的输入感测单元ISU的第二导电层ISU-CL2(见图6A)的平面图。图7D是根据本发明构思的实施例的输入感测单元ISU的局部平面图。图7E至图7F是根据本发明构思的实施例的输入感测单元ISU的剖视图。图7B和图7C是与两个第一传感器部件SP1和两个第二传感器部件SP2对应的区域的放大图。图7E和图7F是沿图6B的线I-I'和II-II'截取的剖视图。
根据本发明构思的实施例，第一电极TE1-1至TE1-5中的每个包括第一传感器部件SP1、第一连接部件CP1和第一辅助传感器部件SSP1。第二电极TE2-1至TE2-4中的每个包括第二传感器部件SP2、第二连接部件CP2和第二辅助传感器部件SSP2。
第一传感器部件SP1布置在第二方向DR2上，第二传感器部件SP2布置在第一方向DR1上。第一连接部件CP1中的每个使彼此相邻的第一传感器部件SP1连接，第二连接部件CP2中的每个将彼此相邻的第二传感器部件SP2连接。
第一传感器部件SP1和第二传感器部件SP2可以包括金属并具有网格形状。第一连接部件CP1和第二连接部件CP2也可以包括金属并具有网格形状。第一辅助传感器部件SSP1和第二辅助传感器部件SSP2可以分别连接到第一传感器部件SP1和第二传感器部件SP2，并且包括透明导电氧化物。在下文中，将参照附图更详细地描述根据本发明构思的实施例的输入感测单元ISU。
如图7A、图7B和图7E中示出的，第一辅助传感器部件SSP1和第二辅助传感器部件SSP2设置在薄膜包封层TFE上。此外，第一连接部件CP1设置在薄膜包封层TFE上。第一连接部件CP1设置在第一辅助传感器部件SSP1之间。在本发明构思的实施例中，第二连接部件CP2代替第一连接部件CP1可以设置在薄膜包封层TFE上。
第一辅助传感器部件SSP1和第二辅助传感器部件SSP2可以通过与用于形成第一连接部件CP1的工艺不同的工艺来形成。第一辅助传感器部件SSP1和第二辅助传感器部件SSP2可以通过在形成透明导电氧化物层之后通过光刻工艺对透明导电氧化物层进行图案化而形成。第一连接部件CP1可以通过在形成多层金属层之后通过光刻工艺对多层金属层进行图案化来形成。形成第一连接部件CP1以及辅助传感器部件SSP1和SSP2的顺序不被具体地限定。
参照图7B，通过其暴露第一辅助传感器部件SSP1的第一接触孔CH10、通过其暴露第一连接部件CP1的第二接触孔CH20以及通过其暴露第二辅助传感器部件SSP2的第三接触孔CH30被限定在第一绝缘层ISU-IL1中。
图7B示出了彼此间隔开的多个发射区PXA-R、PXA-G和PXA-B以及设置在多个发射区PXA-R、PXA-G和PXA-G上的非发射区NPXA。多个发射区PXA-R、PXA-G和PXA-B可以对应于参照图5描述的发射区PXA。产生红色光的有机发光二极管可以设置在红色发射区PXA-R上，产生绿色光的有机发光二极管可以设置在绿色发射区PXA-G上，产生蓝色光的有机发光二极管可以设置在蓝色发射区PXA-B上。可以根据所产生的光的颜色来确定发射区的面积。
第一辅助传感器部件SSP1和第二辅助传感器部件SSP2与多个发射区PXA-R、PXA-G和PXA-B以及非发射区NPXA叠置。第一连接部件CP1、接触孔CH10、CH20和CH30与非发射区NPXA叠置。
如图7C、图7D和图7E中示出的，与非发射区NPXA叠置的第一传感器部件SP1和第二传感器部件SP2设置在第一绝缘层ISU-IL1上。此外，第二连接部件CP2设置在第一绝缘层ISU-IL1上。通过同一光刻工艺形成的第二传感器部件SP2和第二连接部件CP2可以具有一体的形状。多个网孔ISU-OPR、ISU-OPG和ISU-OPB限定在第一传感器部件SP1和第二传感器部件SP2中。多个网孔ISU-OPR、ISU-OPG和ISU-OPB可以一一对应于发射区PXA-R、PXA-G和PXA-B。
彼此叠置的第一传感器部件SP1和第一辅助传感器部件SSP1通过第一接触孔CH10彼此连接，彼此叠置的第二传感器部件SP2和第二辅助传感器部件SSP2通过第三接触孔CH30彼此连接。第一传感器部件SP1和第一连接部件CP1通过第二接触孔CH20彼此连接。
尽管在当前实施例中，网孔ISU-OPR、ISU-OPG和ISU-OPB一一对应于发射区PXA-R、PXA-G和PXA-B，但是本发明构思的实施例不限于此。一个网孔ISU-OPR、ISU-OPG或ISU-OPB可以对应于至少两个发射区PXA-R、PXA-G和PXA-B。
尽管发射区PXA-R、PXA-G和PXA-B具有不同的表面积，但是本发明构思的实施例不限于此。发射区PXA-R、PXA-G和PXA-B可以具有相同的尺寸，此外，网孔ISU-OPR、ISU-OPG和ISU-OPB可以具有相同的尺寸。
在本发明构思的实施例中，第一导电层ISU-CL1的构成可以与第二导电层ISU-CL2的构成互换。例如，第一传感器部件SP1、第二传感器部件SP2和第二连接部件CP2可以设置在第一绝缘层ISU-IL1下方，第一辅助传感器部件SSP1、第二辅助传感器部件SSP2和第一连接部件CP1可以设置在第一绝缘层ISU-IL1上方。
如图7F中示出的，第二信号线SL2-1和SL2-2包括与对应于第二信号线SL2-1和SL2-2的辅助传感器部件连接的第一线部件SL2-11和SL2-21以及与对应的传感器部件连接的第二线部件SL2-12和SL2-22。图7F中示例性地示出了两条第二信号线SL2-1和SL2-2。在下文中，关于第二信号线SL2-1和SL2-2的描述可以等同地应用于第一信号线SL1-1至SL1-5(未示出)。
第一线部件SL2-11和SL2-21与第二线部件SL2-12和SL2-22可以通过穿过第一绝缘层ISU-IL1的第四接触孔CH40彼此连接。因为第一线部件SL2-11和SL2-21与第二线部件SL2-12和SL2-22彼此连接，所以第二信号线SL2-1和SL2-2的电阻可以减小。
第一线部件SL2-11和SL2-21可以通过与形成第二辅助传感器部件SSP2(见图7B)的工艺相同的工艺来形成。因此，第一线部件SL2-11和SL2-21以及第二辅助传感器部件SSP2(见图7B)可以具有一体的形状，包括相同的材料，并且具有相同的堆叠结构。第二线部件SL2-12和SL2-22可以通过与形成第二传感器部件SP2(见图7D)的工艺相同的工艺来形成。因此，第二线部件SL2-12和SL2-22以及第二传感器部件SP2(见图7D)可以具有一体的形状，包括相同的材料，并且具有相同的堆叠结构。
然而，根据本发明构思的实施例的第二信号线SL2-1和SL2-2不限于图7F的结构。第二信号线SL2-1和SL2-2仅必须包括第一线部件SL2-11和SL2-21与第二线部件SL2-12和SL2-22中的至少一个。在本发明构思的实施例中，第一绝缘层ISU-IL1可以与非显示区DM-NDA(见图6B)不叠置，第一线部件SL2-11和SL2-21以及第二线部件SL2-12和SL2-22可以不直接相互接触。
在根据本发明构思的实施例参照图7A至图7F描述的输入感测单元ISU中，每个电极可以包括连接到传感器部件的辅助传感器部件，以增加电容的变量。电容的变量可以是在感测事件发生之前和之后的电容差。因为电容的变量增大，所以输入感测单元ISU甚至可以检测出精细感测事件。
在本发明构思的实施例中，可以省略第一辅助传感器部件SSP1和第二辅助传感器部件SSP2中的一个。此外，尽管第一辅助传感器部件SSP1和第二辅助传感器部件SSP2包括在对应的电极中，但是第一辅助传感器部件SSP1和第二辅助传感器部件SSP2可以被限定为与所述电极不同的单独的电极(例如，辅助电极)。
图8A和图8B是示出根据本发明构思的实施例的输入感测单元ISU的第一导电层的平面图。在下文中，将参照图7A至图7F主要对输入感测单元ISU的差异进行描述。图8A和图8B是对应于图7B的平面的平面图。
如图8A中示出的，连接部件CP1可以接触第一辅助传感器部件SSP1。因此，第一电极的电阻可以减少。堆叠第一连接部件CP1和第一辅助传感器部件SSP1的顺序不被具体地限制。
如图8B中示出的，第一电极还可以包括将第一辅助传感器部件SSP1彼此连接的第一辅助连接部件SCP1。此外，第一辅助连接部件SCP1可以与发射区PXA和非发射区NPXA叠置。第一辅助传感器部件SSP1和第一辅助连接部件SCP1可以通过同一工艺形成并且具有一体的形状。
第一连接部件CP1与第一辅助连接部件SCP1叠置。第一连接部件CP1可以设置在第一辅助连接部件SCP1内部。
图9A是示出根据本发明构思的实施例的输入感测单元ISU的第一导电层的平面图。图9B是根据本发明构思的实施例的输入感测单元ISU的局部平面图。图9C是示出根据本发明构思的实施例的输入感测单元ISU的第二导电层的平面图。图9D是根据本发明构思的实施例的输入感测单元ISU的局部平面图。图9E至图9F是根据本发明构思的实施例的输入感测单元ISU的剖视图。在下文中，将参照图7A至图7F主要对输入感测单元ISU的差异进行描述。
如图9A、图9B和图9E中示出的，第一连接部件CP1设置在薄膜包封层TFE上。第一连接部件CP1与非发射区NPXA叠置。第一连接部件CP1不与发射区PXA-R、PXA-G和PXA-B叠置。通过其暴露第一连接部件CP1的第二接触孔CH20限定在第一绝缘层ISU-IL1中。
如图9C、图9D和图9E中示出，与非发射区NPXA叠置的第一传感器部件SP1、第二传感器部件SP2和第二连接部件CP2设置在第一绝缘层ISU-IL1上。此外，第一辅助传感器部件SSP1和第二辅助传感器部件SSP2设置在第一绝缘层ISU-IL1上。
在本发明构思的实施例中，第一辅助传感器部件SSP1和第二辅助传感器部件SSP2可以直接设置在薄膜包封层TFE上。第一传感器部件SP1和第二传感器部件SP2分别设置在第一辅助传感器部件SSP1和第二辅助传感器部件SSP2上。第一传感器部件SP1可以接触第一辅助传感器部件SSP1，第二传感器部件SP2可以接触第二辅助传感器部件SSP2。第一辅助传感器部件SSP1和第二辅助传感器部件SSP2可以接触第一绝缘层ISU-IL1，并且可以设置在第一绝缘层ISU-IL1和第一传感器部件SP1之间以及第一绝缘层ISU-IL1和第二传感器部件SP2之间。
第一辅助传感器部件SSP1和第二辅助传感器部件SSP2的外边缘中的每个设置在对应的传感器部件内部。第一传感器部件SP1和第二传感器部件SP2的一部分可以与对应的辅助传感器部件不叠置。
如图9F中示出的，第二信号线SL2-1和SL2-2包括与对应于第二信号线SL2-1和SL2-2的辅助传感器部件连接的第一线部件SL2-11和SL2-21以及与对应的传感器部件连接的第二线部件SL2-12和SL2-22。第一线部件SL2-11和SL2-21设置在第一绝缘层ISU-IL上，第二线部件SL2-12和SL2-22直接设置在第一线部件SL2-11和SL2-21上。
图10是根据本发明构思的实施例的输入感测单元ISU的局部平面图。图11是根据本发明构思的实施例的输入感测单元ISU的剖视图。在下文中，参照图9A至图9F主要对输入感测单元ISU的差异进行描述。图10示出了对应于图9D的平面图，图11示出了对应于图9E的剖视图。
如图10中示出的，第二电极还可以包括将第二辅助传感器部件SSP2彼此连接的第二辅助连接部件SCP2。此外，第二辅助连接部件SCP2可以与发射区PXA和非发射区NPXA叠置。第二辅助传感器部件SSP2和第二辅助连接部件SCP2可以通过同一工艺形成并且具有一体的形状。
第二连接部件CP2与第二辅助连接部件SCP2叠置。第二连接部件CP2可以设置在第二辅助连接部件SCP2内部。
如图11中示出的，第一传感器部件SP1可以直接设置在第一绝缘层ISU-IL1上。第一辅助传感器部件SSP1设置在第一传感器部件SP1上。第一辅助传感器部件的SSP1可以接触第一传感器部件SP1。第一传感器部件SP1设置在第一绝缘层ISU-IL1和第一辅助传感器部件SSP1之间。
尽管未示出，但是第二传感器部件SP2也可以直接设置在薄膜包封层TFE上，如同第一传感器部件SP1一样。第二辅助传感器部件SSP2设置在第二传感器部件SP2上。第二辅助传感器部件SSP2可以接触第二传感器部件SP2。第二传感器部件SP2设置在薄膜包封层TFE和第二辅助传感器部件SSP2之间。
第一辅助传感器部件SSP1和第二辅助传感器部件SSP2可以完全覆盖或部分地暴露第一传感器部件SP1和第二传感器部件SP2。因为第一辅助传感器部件SSP1和第二辅助传感器部件SSP2比第一传感器部件SP1和第二传感器部件SP2形成得晚，所以可以防止可能在传感器部件的形成工艺期间发生的对辅助传感器部件的损坏的发生。
图12A是根据本发明构思的实施例的输入感测单元ISU的平面图。图12B是根据本发明构思的实施例的输入感测单元ISU的局部放大平面图。图12C至图12E是根据本发明构思的实施例的输入感测单元ISU的局部剖视图。在下文中，将省略关于与参照图1至图11描述的构件相同的构件的详细的描述。
如图12A中示出，输入感测单元ISU可以包括多个电极TE和多个信号线SL。多个电极TE中的每个具有适当的坐标信息。例如，电极TE可以以矩阵的形式布置并且分别连接到信号线SL。本发明构思的实施例不被具体限于电极TE的形状和布置。信号线SL的一部分可以设置在显示区DM-DA上，信号线SL的一部分可以设置在非显示区DM-NDA上。输入感测单元ISU可以以自电容方式获取坐标信息。
如图12B中示出的，输入感测单元ISU可以包括与多个发射区PXA-R、PXA-G和PXA-B分别叠置的辅助传感器部件SSP。每个辅助传感器部件SSP包括透明导电氧化物。辅助传感器部件SSP中的每个连接到传感器部件SP中的对应的传感器部件。
传感器部件SP与非发射区NPXA叠置。辅助传感器部件SSP与非发射区NPXA、发射区PXA-R、PXA-G和PXA-B叠置。
如图12C中示出的，辅助传感器部件SSP可以设置在薄膜包封层TFE上，传感器部件SP可以设置在第一绝缘层ISU-IL1上。辅助传感器部件SSP和传感器部件SP可以通过穿过第一绝缘层ISU-IL1的接触孔CH120相互连接。
尽管未具体示出，但是图12A的信号线SL可以包括如图7F中示出的第一线部件SL2-11和SL2-21以及第二线部件SL2-12和SL2-22。本发明构思的实施例不限于此。例如，信号线SL仅必须包括第一线部件SL2-11和SL2-21与第二线部件SL2-12和SL2-22中的至少一个。设置在显示区DM-DA上的信号线SL可以与非发射区NPXA叠置并具有网格形状。
如图12D中示出的，辅助传感器部件SSP可以设置在第一绝缘层ISU-IL1上。传感器部件SP可以直接设置在辅助传感器部件SSP上。传感器部件SP可以设置在辅助传感器部件SSP内部，传感器部件SP的一部分可以设置在辅助传感器部件SSP外部。尽管没有具体示出，但是信号线SL可以包括如图7F中示出的第一线部件SL2-11和SL2-21以及第二线部件SL2-12和SL2-22。
如图12E中示出的，传感器部件SP可以设置在第一绝缘层ISU-IL1上。辅助传感器部件SSP可以直接设置在传感器部件SP上。辅助传感器部件SSP可以完全覆盖传感器部件SP或暴露传感器部件SP的一部分。尽管没有具体示出，但是信号线SL可以包括图9F中示出的第一线部件SL2-11和SL2-21以及第二线部件SL2-12和SL2-22，而堆叠顺序可以与之相反。
图13A是根据本发明构思的实施例的显示面板DP的平面图。图13B是示出根据本发明构思的实施例的输入感测单元ISU的剖视图。图13C是根据本发明构思的实施例的输入感测单元ISU的平面图。图13B示出了第二电极CE和薄膜包封层TFE作为显示面板DP(见图5)的构成。在下文中，将省略关于与参照图1至图12E描述的构件相同的构件的详细描述。
参考图13A，电路板PCB可以包括电连接到显示面板DP的第一电路板焊盘PCB-P1以及电连接到输入感测单元ISU的第二电路板焊盘PCB-P2。尽管未示出，但是电路板PCB还包括将第一电路板焊盘PCB-P1连接到时序控制电路TC和/或输入感测电路ISU-C的第一信号线以及将第二电路板焊盘PCB-P2连接到输入感测电路ISU-C的第二信号线。
在此实施例中，第一电路板焊盘PCB-P1的一部分可以连接到输入感测单元ISU的第二导电层ISU-CL2的第一导电图案和第三导电层ISU-CL3的第二导电图案中的一者，这将在下面描述。第二电路板焊盘PCB-P2可以连接到输入感测单元ISU的第二导电层ISU-CL2的第一导电图案和第三导电层ISU-CL3的第二导电图案中的另一者。
如图13B中示出的，输入感测单元ISU包括第一导电层ISU-CL1、第一绝缘层ISU-IL1、第二导电层ISU-CL2、第二绝缘层ISU-IL2和第三绝缘层ISU-IL3。在此实施例中，第一导电层ISU-CL1可以直接设置在薄膜包封层TFE上。本发明构思的实施例不限于此。例如，显示面板DP的另一无机层或有机层还可以设置在第一导电层ISU-CL1和薄膜包封层TFE之间。在此实施例中，可以省略第三绝缘层ISU-IL3，可以用光学部件或粘合层代替第三绝缘层ISU-IL3的保护功能。
图13B的第二导电层ISU-CL2和第三导电层ISU-CL3可以分别对应于图6A的第一导电层ISU-CL1和第二导电层ISU-CL2。第一导电层ISU-CL1和第三导电层ISU-CL3中的每个可以具有单层结构或其中多个层堆叠在第三方向轴DR3上的多层结构。具有单层结构的导电层可以包括金属层或透明导电层。金属层可以包括钼、银、钛、铜、铝及其合金。透明导电层可以包括透明导电氧化物，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和氧化铟锡锌(ITZO)。另外，透明导电层可以包括PEDOT、金属纳米线和石墨烯。
具有多层结构的导电层可以包括多层金属层。多层金属层可以具有钛/铝/钛的3层结构。具有多层结构的导电层可以包括至少一个金属层和至少一个透明导电层。
第二导电层ISU-CL2和第三导电层ISU-CL3中的每个可以包括多个图案。在下文中，将描述第二导电层ISU-CL2包括第一导电图案并且第三导电层ISU-CL3包括第二导电图案的示例。第一导电图案和第二导电图案中的每个可以包括电极和信号线。第一导电层ISU-CL1包括具有比第一导电图案和第二导电图案中每个的表面积相对大的表面积的电极。下面将对第一导电层ISU-CL1至第三导电层ISU-CL3进行详细的描述。
第一至第三绝缘层ISU-IL1至ISU-IL3中的每个可以包括无机材料或有机材料。第一绝缘层ISU-IL1至第三绝缘层ISU-IL3中的至少一个可以包括无机膜。无机膜可以包括氧化物、氧化钛、氧化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。
第一绝缘层ISU-IL1至第三绝缘层ISU-IL3中的至少一个可以包括有机膜。有机膜可以包括丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸类树脂、聚异戊二烯类树脂、乙烯基类树脂、环氧类树脂、氨基甲酸酯类树脂、纤维素类树脂、硅氧烷类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂和苝类树脂中的至少一种。
如图13C中示出的，输入感测单元ISU可以包括噪声屏蔽电极ISU-SE、第一电极TE1-1至TE1-5、连接到第一电极TE1-1至TE1-5的第一信号线SL1-1至SL1-5、第二电极TE2-1至TE2-4、连接到第二电极TE2-1至TE2-4的第二信号线SL2-1至SL2-4以及与第一信号线SL1-1至SL1-5和第二信号线SL2-1至SL2-4连接的感测信号焊盘ISU-PD。
第一电极TE1-1至TE1-5和第二电极TE2-1至TE2-4彼此交叉。第一电极TE1-1至TE1-5沿第一方向DR1布置，并在第二方向DR2上延伸。可以以互电容方式或自电容方式感测外部输入。
第一电极TE1-1至TE1-5中的每个包括第一传感器部件SP1和第一连接部件CP1。第二电极TE2-1至TE2-4中的每个包括第二传感器部件SP2和第二连接部件CP2。第一传感器部件SP1中设置在两端上的两个第一传感器部件SP1中的每个可以具有比设置在中心处的第一传感器部件SP1的尺寸小约1/2的尺寸。六个第二传感器部件SP2中设置在两端上的两个第二传感器部件中的每个可以具有比设置在中心处的第二传感器部件的尺寸小约1/2的尺寸。
尽管在图13C中示出了根据实施例的第一电极TE1-1至TE1-5和第二电极TE2-1至TE2-4，但是本发明构思的实施例不限于所述电极中的每个电极的形状。在本发明构思的实施例中，第一电极TE1-1至TE1-5和第二电极TE2-1至TE2-4中的每个的连接部件可以具有与传感器部件的形状相同的形状。
第一传感器部件SP1沿第二方向DR2布置，第二传感器部件SP2沿第一方向DR1布置。第一连接部件CP1中的每个将彼此相邻的第一传感器部件SP1彼此连接，第二连接部件CP2中的每个将彼此相邻的第二传感器部件SP2彼此连接。
第一信号线SL1-1至SL1-5分别连接到第一电极TE1-1至TE1-5的端部。第二信号线SL2-1至SL2-4分别连接到第二电极TE2-1至TE2-4的两端。在本发明构思的实施例中，第一信号线SL1-1至SL1-5也可以分别连接到第一电极TE1-1至TE1-5的两端。在本发明构思的实施例中，第二信号线SL2-1至SL2-4中的每个可以连接到第二电极TE2-1至TE2-4中的每个的仅一端。
在本发明构思的实施例中，可以将第一信号线SL1-1至SL1-5、第二信号线SL2-1至SL2-4以及感测信号焊盘TS-PD用单独制造并随后结合的电路板来代替。在本发明构思的实施例中，感测信号焊盘ISU-PD可以连接到图3的虚设焊盘ISU-DPD。在本发明构思的实施例中，可以省略感测信号焊盘ISU-PD，第一信号线SL1-1至SL1-5以及第二信号线SL2-1至SL2-4可以直接连接到图3的虚设焊盘ISU-DPD。
图14A是示出根据本发明构思的实施例的输入感测单元ISU的第一导电层ISU-CL1的平面图。图14B是示出根据本发明构思的实施例的输入感测单元ISU的第二导电层ISU-CL2的平面图。图14C是示出根据本发明构思的实施例的输入感测单元ISU的第三导电层ISU-CL3的平面图。
如图14A中示出的，第一导电层ISU-CL1可以包括噪声屏蔽电极ISU-SE。噪声屏蔽电极ISU-SE直接设置在薄膜包封层TFE上(见图13B)。噪声屏蔽电极ISU-SE可以具有对应于显示区DM-DA的表面积。噪声屏蔽电极ISU-SE可以与图3的多个像素PX叠置，并且也与图5的发射区PXA和非发射区NPXA叠置。在本发明构思的实施例中，噪声屏蔽电极ISU-SE可以完全覆盖显示区DM-DA并与非显示区DM-NDA的一部分叠置。
为了防止在显示面板中产生的噪声干扰第一电极TE1-1至TE1-5和第二电极TE2-1至TE2-4，第一电极TE1-1至TE1-5和第二电极TE2-1至TE2-4可以设置在基础表面上的噪声屏蔽电极ISU-SE内部。噪声屏蔽电极ISU-SE可以在基础表面上与第一电极TE1-1至TE1-5和第二电极TE2-1至TE2-4完全叠置。当考虑噪声屏蔽效率时，噪声屏蔽电极ISU-SE可以与至少第一电极TE1-1至TE1-5和第二电极TE2-1至TE2-4的面积的大约90％或更多叠置。在本发明构思的实施例中，噪声屏蔽电极ISU-SE可以包括彼此间隔几毫米的距离的多个电极。
噪声屏蔽电极ISU-SE可以接收预定电压。例如，噪声屏蔽电极ISU-SE可以接收地电压。在实施例中，噪声屏蔽电极ISU-SE可以接收与施加到第二电极TE2-1至TE2-4的电压相等的电压。尽管没有单独示出，但是向噪声屏蔽电极ISU-SE提供预定电压的信号线以及焊盘部件可以设置在非显示区DM-NDA上。
噪声屏蔽电极ISU-SE可以包括透明导电氧化物。透明导电氧化物可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和氧化铟锡锌(ITZO)。
如图14B中示出的，第二导电层ISU-CL2包括第一连接部件CP1。尽管在图14B中未示出，但是第一连接部件CP1设置在第一绝缘层ISU-IL1上(见图13A)。第一绝缘层ISU-IL1可以直接覆盖噪声屏蔽电极ISU-SE，至少完全覆盖显示区DM-DA，并进一步与非显示区DM-NDA的一部分叠置。
第一连接部件CP1中的每个可以包括单层金属层或多层金属层并且具有网格形状。第一连接部件CP1可以与参照图5描述的非发射区NPXA叠置，并且可以不与参照图5描述的发射区PXA叠置。
如图14C中示出的，第三导电层ISU-CL3包括第一传感器部件SP1、第二传感器部件SP2和第二连接部件CP2。此外，第三导电层ISU-CL3包括第一信号线SL1-1至SL1-5、第二信号线SL2-1至SL2-4以及感测信号焊盘ISU-PD。尽管图14C中未示出，但是第三导电层ISU-CL3设置在第二绝缘层ISU-IL2上(见图13B)。第一传感器部件SP1通过穿过第二绝缘层ISU-IL2的接触孔连接到第一连接部件CP1。
第一传感器部件SP1、第二传感器部件SP2和第二连接部件CP2中的每个可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和氧化铟锡锌(ITZO)。第一信号线SL1-1至SL1-5、第二信号线SL2-1至SL2-4和感测信号焊盘ISU-PD中的每个可以包括透明导电氧化物、单层金属层或多层金属层。在本发明构思的实施例中，第一传感器部件SP1、第二传感器部件SP2和第二连接部件CP2中的每个也可以包括单层金属层或多层金属层。
图15A是示出根据本发明构思的实施例的输入感测单元ISU的第二导电层ISU-CL2的平面图。图15B是图15A的区域AA的放大图。图15C是示出根据本发明构思的实施例的输入感测单元ISU的第三导电层ISU-CL3的平面图。
在下文中，将参照图14A和图14B来主要对关于输入感测单元ISU的差异进行描述。尽管没有单独示出，但是根据此实施例的输入感测单元ISU包括与图14A的噪声屏蔽电极ISU-SE对应的噪声屏蔽电极ISU-SE。
如图15A中示出的，第二导电层ISU-CL2包括第一电极TE1-1至TE1-5、第一信号线SL1-1至SL1-5和感测信号焊盘ISU-PD。第一电极TE1-1至TE1-5中的每个可以具有网格形状。第一传感器部件SP1中的每个和第一连接部件CP1可以包括金属并且可以通过同一工艺形成。因为第一电极TE1-1至TE1-5中的每个具有网格形状，所以相对于第一导电层ISU-CL1(见图13A和图14A)或显示面板DP的电极(参见图13A)的寄生电容可以减少。
如图15B中示出的，第一传感器部件SP1不与发射区PXA-R、PXA-G、PXA-B叠置，而与非发射区NPXA叠置。发射区PXA-R、PXA-G和PXA-B可以被限定为等于图5的发射区PXA。第一传感器部件SP1的网格线限定了多个网孔ISU-OPR、ISU-OPG和ISU-OPB。即，多个网孔ISU-OPR、ISU-OPG和ISU-OPB被限定在第一传感器部件SP1中。每条网格线的线宽可以在几纳米到几微米的范围内。多个网孔ISU-OPR、ISU-OPG和ISU-OPB可以一一对应于发射区PXA-R、PXA-G和PXA-B。
发射区PXA-R、PXA-G和PXA-B彼此间隔开，非发射区NPXA设置在发射区PXA-R、PXA-G和PXA-B之间。有机发光二极管OLED设置在发射区PXA-R、PXA-G和PXA-B中的每个上。根据从有机发光二极管OLED发射的光的颜色，发射区PXA-R、PXA-G和PXA-B可以被划分为几个组。图15B示出了根据光的颜色将发射区PXA-R、PXA-G和PXA-B划分为三个组的示例。
根据从有机发光二极管OLED的发射层EML(见图5)发射的光的颜色，发射区PXA-R、PXA-G和PXA-B可以具有不同的表面积。发射区PXA-R、PXA-G和PXA-B中的每个的表面积可以根据有机发光二极管的种类来确定。
多个网孔ISU-OPR、ISU-OPG和ISU-OPB可以被划分为具有彼此不同的表面积的几个组。根据对应的发射区PXA-R、PXA-G和PXA-B，可以将多个网孔ISU-OPR、ISU-OPG和ISU-OPB划分为三个组。
尽管如上所述，网孔ISU-OPR、ISU-OPG和ISU-OPB一一对应于发射区PXA-R、PXA-G和PXA-B，但是本发明构思的实施例不限于此。多个网孔ISU-OPR、ISU-OPG和ISU-OPB可以一一对应于发射区PXA-R、PXA-G和PXA-B。
尽管发射区PXA-R、PXA-G和PXA-B具有不同的表面积，但是本发明构思的实施例不限于此。发射区PXA-R、PXA-G和PXA-B可以具有相同的尺寸，此外，网孔ISU-OPR、ISU-OPG和ISU-OPB也可以具有相同的尺寸。网孔ISU-OPR、ISU-OPG和ISU-OPB中的每个不限于平面形状，因此可以具有菱形形状和其它多边形形状。
尽管没有单独示出，但是参照图14C描述的第三导电层ISU-CL3的第二导电图案以及下面将要描述的第三导电层ISU-CL3的第二导电图案可以与分别设置在其下的发射区PXA-R、PXA-G和PXA-B以及非发射区NPXA叠置。
如图15C中示出的，第三导电层ISU-CL3包括第二电极TE2-1至TE2-4、第二信号线SL2-1至SL2-4以及感测信号焊盘ISU-PD。与图14A至图14C中示出的输入感测单元ISU不同，接触孔可以不限定在第二绝缘层ISU-IL2中。这是因为第一电极TE1-1至TE1-5和第二电极TE2-1至TE2-4在其间设置有第二绝缘层ISU-IL2。
第二电极TE2-1至TE2-4与图15B中示出的发射区PXA-R、PXA-G和PXA-B以及非发射区NPXA叠置。至少第二电极TE2-1至TE2-4可以包括透明导电氧化物，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和氧化铟锡锌(ITZO)。显示表面IS(见图1A)可以为以倾斜角度注视的用户提供云纹现象(moiréphenomenon)，在云纹现象中，具有网格形状的第二电极TE2-1至TE2-4和具有网格形状的第一电极TE1-1至TE1-5示出为彼此叠置。另一方面，尽管包括透明导电氧化物的网格形状的第二电极TE2-1至TE2-4与网格形状的第一电极TE1-1至TE1-5叠置，但不发生云纹现象。
第二信号线SL2-1至SL2-4和感测信号焊盘ISU-PD中的一个可以与第二电极TE2-1至TE2-4通过同一工艺形成或通过与形成第二电极TE2-1至TE2-4的工艺不同的工艺形成。第二信号线SL2-1至SL2-5和感测信号焊盘ISU-PD中的一个可以包括透明导电氧化物或金属。
在本发明构思的实施例中，输入感测单元ISU的第二信号线SL2-1至SL2-4和感测信号焊盘ISU-PD中的一个可以通过与图15A的第一信号线SL1-1至SL1-5的工艺相同的工艺来形成在第一绝缘层ISU-IL1上。这里，第二电极TE2-1至TE2-4和第二信号线SL2-1至SL2-5可以通过穿过第二绝缘层ISU-IL2的接触孔彼此连接。
图16A至图16C是根据本发明构思的实施例的显示装置DD的剖视图。在下文中，将省略关于与参照图1至图15C描述的与输入感测单元ISU重复的构件的详细描述。
如图16A中示出的，显示装置DD包括窗单元WM、防反射单元ARM、输入感测单元ISU和显示面板DP。上述构件的一部分可以通过连续工序形成，上述构件的一部分可以通过光学透明粘合构件OCA相互结合。
输入感测单元ISU包括第一部分单元ISU1和第二部分单元ISU2。第一部分单元ISU1可以包括参照图13A至图15C描述的第一导电层ISU-CL1、第一绝缘层ISU-IL1、第二导电层ISU-CL2和第二绝缘层ISU-IL2。第一导电层ISU-CL1可以直接设置在显示面板DP上。第一导电层ISU-CL1、第二导电层ISU-CL2和第二绝缘层ISU-IL2也可以通过连续工艺直接设置在显示面板DP上。在此实施例中，彼此结合的显示面板DP和第一部分单元ISU1可以被定义为显示模块DM。
第一绝缘层ISU-IL1可以包括无机材料，第二绝缘层ISU-IL2可以包括有机材料。由无机材料制成的绝缘层可以改善第一绝缘层ISU-IL1和第一导电层ISU-CL1之间的结合力并且具有均匀的厚度。由有机材料制成的绝缘层可以改善第二绝缘层ISU-IL2与第一光学透明粘合构件OCA1之间的结合力，并且也改善第一部分单元ISU1的柔性。
显示模块DM和防反射单元ARM可以通过第一光学透明粘合构件OCA1彼此结合。防反射单元ARM可以是用于降低外部光的反射性的构件，并且包括相位延迟构件和偏振构件。相位延迟构件可以包括λ/2相位延迟构件和/或λ/4相位延迟构件。相位延迟构件和偏振构件中的每个可以包括以预定布置布置的柔性塑料膜或液晶。相位延迟构件和偏振构件中的每个还可以包括保护膜。
防反射单元ARM可以包括具有与从设置在发射区PXA上的有机发光二极管发射的光的颜色相同的颜色的滤色器。此外，防反射单元ARM可以包括破坏由彼此不同的层反射的第一反射光和第二反射光的破坏性干涉结构。滤色器和破坏性干涉结构可以设置在基膜上。
防反射单元ARM和第二部分单元ISU2可以通过第二光学透明粘合构件OCA2彼此结合。第二部分单元ISU2和窗单元WM可以通过第三光学透明粘合构件OCA3相互结合。第二部分单元ISU2可以包括基膜BL和参照图13A和图15C描述的第三导电层ISU-CL3和第三绝缘层ISU-IL3。
在此实施例中，防反射单元ARM和第一光学透明粘合构件OCA1和第二光学透明粘合构件OCA2中的每个可以具有用于使第二导电层ISU-CL2与第三导电层ISU-CL3绝缘的绝缘功能。在图16A至图16C中示出的输入感测单元ISU中，因为难以形成穿过防反射单元ARM和光学透明粘合构件OCA1、OCA2和OCA3的接触孔，所以第二导电层ISU-CL2可以包括图15A的第一导电图案，第三导电层ISU-CL3可以包括图15C的第二导电图案。第三导电层ISU-CL3可以包括图15C的感测信号焊盘ISU-PD，感测信号焊盘ISU-PD可以通过柔性电路板连接到图3的第二电路板焊盘PCB-P2。
如图16B中示出的，可以省略图16A的第二部分单元ISU2的基膜BL。第二部分单元ISU2的第三导电层ISU-CL3可以直接设置在防反射单元ARM上。第三绝缘层ISU-IL3可以直接设置在第三导电层ISU-CL3上以覆盖第三导电层ISU-CL3的第二导电图案。因此，与图16A的输入感测单元ISU不同，可以省略第二光学透明粘合构件OCA2。
如图16C中示出的，可以省略图16A的第二部分单元ISU2的基膜BL。第二部分单元ISU2的第三导电层ISU-CL3可以直接设置在窗单元WM的基膜WM-BS的底表面上。第三绝缘层ISU-IL3可以直接设置在基膜WM-BS的底表面上，以直接覆盖第三导电层ISU-CL3的第二导电图案和窗单元WM的挡光图案WM-BZ。
第二光学透明粘合构件OCA2可以将第三绝缘层ISU-IL3结合到防反射单元ARM。因此，与图16A的输入感测单元ISU不同，可以省略第三光学透明粘合构件OCA3。
图17A是根据本发明构思的实施例的输入感测单元ISU的剖视图。图17B是根据本发明构思的实施例的输入感测单元ISU的平面图。图17C是沿图17B的线I-I'截取的剖视图。在下文中，将省略关于与参照图1至图16C描述的构件相同的构件的详细描述。
根据此实施例，可以省略图13A至图16C的第三导电层ISU-CL3和第三绝缘层ISU-IL3，输入感测单元ISU可以包括第一导电层ISU-CL1、第一绝缘层ISU-IL1、第二导电层ISU-CL2和第二绝缘层ISU-IL2。
第一导电层ISU-CL1可以包括噪声屏蔽电极ISU-SE。第二导电层ISU-CL2可以包括多个电极TE、多条信号线SL和感测信号焊盘ISU-PD。图17B中未示出覆盖噪声屏蔽电极ISU-SE的第一绝缘层ISU-IL1。
多个电极TE中的每个具有适当的坐标信息。例如，电极TE可以以矩阵的形式布置并且分别连接到感测信号线SL。本发明构思的实施例不具体受限于电极TE的形状和布置。感测信号线SL的一部分可以设置在显示区DA上，感测信号线SL的一部分可以设置在非显示区NDA上。输入感测单元ISU可以以自电容方式获取坐标信息。
如图17B和17C中示出的，电极TE可以具有网格形状。尽管没有具体示出，但是与图15B的第一传感器部件SP1类似，感测电极TE可以与非发射区NPXA叠置。噪声屏蔽电极ISU-SE可以阻挡相对于感测电极TE从显示面板DP的电极产生的噪声。
尽管没有具体示出，但是与图17A的结构不同，第二导电层ISU-CL2可以不从第一绝缘层ISU-IL1连续地形成。防反射单元ARM和光学透明粘合构件OCA还可以设置在第二导电层ISU-CL2和第一绝缘层ISU-IL1之间。类似于图16B的第三导电层ISU-CL3，第二导电层ISU-CL2可以直接设置在防反射单元ARM上。类似于图16C的第三导电层ISU-CL3，第二导电层ISU-CL2可以直接设置在窗单元WM上。
图18A是根据本发明构思的实施例的输入感测单元ISU的剖视图。图18B是示出根据本发明构思的实施例的输入感测单元ISU的第一导电层的平面图。图18C是示出根据本发明构思的实施例的输入感测单元ISU的第二导电层的平面图。在下文中，将省略关于与参照图1至图17C描述的构件相同的构件的详细描述。
根据此实施例的输入感测单元ISU不包括图13A至图16C中示出的第一导电层ISU-CL1和第一绝缘层ISU-IL1。如图18A中示出的，根据此实施例的输入感测单元ISU可以包括第一导电层ISU-CL10和第二导电层ISU-CL20。第一导电层ISU-CL10和第二导电层ISU-CL20可以分别对应于图13A至图16C中示出的第二导电层ISU-CL2和第三导电层ISU-CL3。
如图18B中示出的，第一导电层ISU-CL10可以包括第一电极TE1-1至TE1-5、第一信号线SL1-1至SL1-5、虚设电极DE-1至DE-4、虚设信号线SL3-1至SL3-4以及感测信号焊盘ISU-PD。第一电极TE1-1至TE1-5和虚设电极DE-1至DE-4可以通过同一工艺形成，因此可以由相同的材料制成并具有相同的层结构。
虚设电极DE-1至DE-4可以是如同第一电极TE1-1至TE1-5的网格形状。第一电极TE1-1至TE1-5中的每个可以包括网孔ISU-OP，并且虚设电极DE-1至DE-4中的每个可以包括虚设网孔DE-OP。通过与形成第一电极TE1-1至TE1-5的工艺不同的工艺形成的虚设电极DE-1至DE-4可以不具有网格结构。这里，虚设电极DE-1至DE-4可以包括透明导电氧化物。
虚设电极DE-1至DE-4可以在第二方向DR2上延伸并且沿第一方向DR1布置。虚设电极DE-1至DE-4可以分别设置在第一电极TE1-1至TE1-5之间。
尽管在此实施例中，虚设电极DE-1至DE-4中的每个具有在第一方向DR1上的宽度的条形，但是本发明构思的实施例不限于此。例如，虚设电极DE-1至DE-4中的每个可以变形为图13B的第一电极TE1-1至TE1-5中的每个的形状。虚设电极DE-1至DE-4的数量不受限制。即，输入感测单元ISU可以包括具有各种数量的虚设电极，只要一个虚设电极在平面上与第二电极TE2-1至TE2-4中的一个叠置。
如图18C中示出的，第二导电层ISU-CL20包括第二电极TE2-1至TE2-4、第二信号线SL2-1至SL2-4以及感测信号焊盘ISU-PD。为了防止发生云纹现象，第二电极TE2-1至TE2-4可以包括透明导电氧化物。尽管第二电极TE2-1至TE2-4中的每个具有在第二方向DR2上的宽度的条形，但是本发明构思的实施例不限于此。
如图19中示出的，显示装置DD(见图1B)包括电连接到第一电极TE1-1至TE1-5的输入感测电路ISU-C、虚设电极DE-1到DE-4以及第二电极TE2-1到TE2-4。输入感测电路ISU-C检测通过显示面板DP(见图1B)在虚设电极DE-1至DE-4中产生的噪声，并且检测从窗单元WM(见图1B)的外部产生的外部输入(例如，用户的触摸)。如图3中示出的，输入感测电路ISU-C可以以集成芯片的形式安装在电路板PCB上。
输入感测电路ISU-C包括信号提供电路C-10、噪声检测电路C-20和坐标信息计算电路C-30。信号提供电路向第一电极TE1-1至TE1-5提供检测信号。检测信号可以是具有不同片段的信息的AC信号。这里，句子“检测信号具有不同片段的信息”表示检测信号具有不同片段的时间信息、频率信息和码信息。由时分多址(time division multiple access)调制的检测信号可以在不同的部分中被激活。由频分多址(frequency division multipleaccess)调制的检测信号可以具有彼此不同的频率。由码分多址(code division multipleaccess)调制的检测信号可以具有不同片段的代码信息。
噪声检测电路C-20检测来自虚设电极DE-1至DE-4的噪声。在显示面板DP中干扰虚设电极DE-1至DE-4的噪声可以被视为干扰第二电极TE2-1至TE2-4的噪声或与在显示面板DP中干扰虚设电极DE-1至DE-4的噪声对应的噪声。噪声检测电路C-20可以包括去除检测的噪声信号的低频分量的低通滤波器。
坐标信息计算电路C30接收来自噪声检测电路C-20的噪声信号。坐标信息计算电路C-30接收来自第二电极TE2-1至TE2-4的感测信号。坐标信息计算电路C-30在噪声信号的基础上补偿感测信号。
例如，噪声信号可以从感测信号提取，以产生校正信号，输入点的坐标信息可以基于校正信号来计算。
尽管没有具体示出，但是与图18A的结构不同，根据本发明构思的实施例的输入感测单元ISU的第二导电层ISU-CL20可以不从第一绝缘层ISU-IL1连续地形成。防反射单元ARM和光学透明粘合构件OCA还可以设置在第二导电层ISU-CL20和第一绝缘层ISU-IL1之间。类似于图16B的第三导电层ISU-CL3，第二导电层ISU-CL20可以直接设置在防反射单元ARM上。类似于图16C的第三导电层ISU-CL3，第二导电层ISU-CL20可以直接设置在窗单元WM上。
尽管没有具体示出，但是参照图13A至图16C描述的输入感测单元ISU的输入感测电路ISU-C在与图19的输入感测电路ISU-C相比时可以不包括噪声检测电路C-20。参照图13C至图16C描述的输入感测单元ISU的输入感测电路ISU-C包括连接到第一电极TE1-1至TE1-5和第二电极TE2-1至TE2-4中的一者的信号提供电路C-10以及连接到第一电极TE1-1至TE1-5和第二电极TE2-1至TE2-4中的另一者的坐标信息计算电路C-30。具体地，坐标信息计算电路C-30可以连接到与显示面板DP间隔得远的第二电极TE2-1至TE2-4，以减少干扰感测信号的噪声。
参照图17A至图17C描述的输入感测单元ISU的输入感测电路ISU-C包括信号提供电路C-10和坐标信息计算电路C-30。信号提供电路C-10和坐标信息计算电路C-30连接到不同部分中的感测电极TE。参照图17A至图17C描述的输入感测单元ISU的输入感测电路ISU-C还可以包括用于选择性地将信号提供电路C-10和坐标信息计算电路C-30连接到多个感测电极TE的开关电路。
图20A和图20B是根据本发明构思的实施例的显示装置DD的透视图。图21A和图21B是根据本发明构思的实施例的显示装置DD的透视图。图22是根据本发明构思的实施例的显示装置DD的透视图。在下文中，将省略关于与参照图1至图19描述的构件相同的构件的详细描述。
参照图1至图19描述的输入感测单元ISU中的一者可以应用到下面将描述的柔性显示装置DD。
如图20A至图20C中示出的，显示装置DD可以包括根据操作的形式限定的多个区域。显示装置DD可以包括在弯曲轴BX的基础上弯曲的弯曲区域BA、不弯曲的第一非弯曲区域NBA1以及不弯曲的第二非弯曲区域NBA2。如图20B中示出的，显示装置DD可以向内弯曲以使得第一非弯曲区域NBA1的显示表面IS和第二非弯曲区域NBA2的显示表面IS彼此面对。如图20C中示出的，显示装置DD可以向外弯曲以使得显示表面IS被暴露于外部。
在本发明构思的实施例中，显示装置DD可以包括多个弯曲区域BA。另外，弯曲区域BA可以被限定为与用于操作显示装置DD的用户操作对应。例如，与图20B和图20C不同，弯曲区域BA可以被限定为与第一方向轴DR1平行或者被限定为在对角线方向上。弯曲区域BA可以具有根据其曲率半径确定的可变的表面积。在本发明构思的实施例中，显示装置DD可以具有仅重复图20A和图20B的操作模式的形状。
如图21A和图21B中示出的，显示装置DD包括第一非弯曲区域NBA1、在第一方向DR1上与第一非弯曲区域NBA1间隔开的第二非弯曲区域NBA2以及限定在第一非弯曲区域NBA1和第二非弯曲区域NBA2之间的弯曲区域BA。显示区DM-DA可以被包括在第一非弯曲区域NBA1中。非显示区DM-NDA的部分分别对应于第二非弯曲区域NBA2和弯曲区域BA，非显示区DM-NDA的与显示区DM-DA相邻的部分被包括在第一非弯曲区域NBA1中。
弯曲区域BA可以弯曲，使得弯曲轴BX被限定为沿与第一方向DR1垂直的第二方向DR2。第二非弯曲区域NBA2面对第一非弯曲区域NBA1。弯曲区域BA和第二非弯曲区域NBA2中的每个可以具有在第二方向DR2上的宽度，所述宽度小于第一非弯曲区域NBA1的宽度。尽管没有分别示出，但是图1A的显示装置DD也可以包括与弯曲区域BA对应的弯曲区域。
如图22中示出的，显示装置DD可以包括三个弯曲区域。当与图21B的显示装置DD比较时，第一非弯曲区域NBA1的在第二方向DR2上彼此面对的两个边缘区域可以从第一非弯曲区域NBA1的中心区域弯曲。
如上所述，因为辅助传感器部件连接到传感器部件，所以电容的变量可以增大。电容的变量可以是在感测事件发生之前和之后的电容差。因为电容的变量增大，所以输入感测单元甚至可以感测精细触摸事件。
包括透明导电氧化物的噪声屏蔽电极可以屏蔽输入感测单元的电极与显示面板之间的噪声。因此，输入感测单元可以改善灵敏度。
向输入感测电路提供感测信号的第二电极可以设置为比接收检测信号的第一电极远离显示面板，以改善灵敏度。这是因为，第二电极对显示面板具有相对低的噪声干扰，而不是第一电极。可以计算影响第二极的噪声的强度来补偿感测信号。因此，可以改善灵敏度。
对于本领域技术人员来说将明显的是，可以在本发明构思中进行各种修改和变化。因此，本公开旨在涵盖本发明的修改和变化，只要它们在所附权利要求及其等同物的范围内。
因此，本发明构思的实际保护范围应由所附权利要求的技术范围来确定。

Claims (5)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
显示面板，具有基础表面；以及
输入感测单元，设置在所述显示面板上，
其中，所述输入感测单元包括：噪声屏蔽电极，直接设置在所述基础表面上并且具有透明导电氧化物；第一电极，设置在所述噪声屏蔽电极上并且具有网格形状；以及第二电极，设置在所述噪声屏蔽电极上并与所述第一电极交叉，其中，所述第一电极和所述第二电极与所述噪声屏蔽电极在平面图中叠置。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二电极设置为多个，并且
所述多个第二电极在平面图中设置在所述噪声屏蔽电极内部。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示面板包括彼此分隔开的多个发射区和设置在所述多个发射区上的非发射区，
所述噪声屏蔽电极与所述多个发射区和所述非发射区叠置，并且
所述第一电极与所述非发射区叠置并且具有与所述多个发射区对应的多个网孔。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第二电极包括透明导电氧化物并且与所述多个发射区和所述非发射区叠置。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述输入感测单元还包括设置在所述噪声屏蔽电极和所述第一电极之间的第一绝缘层和设置在所述第一电极和所述第二电极之间以覆盖所述第一电极的第二绝缘层。
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