CN116334545A - 硫化锌基底上镀制增透膜膜系的制备方法 - Google Patents
硫化锌基底上镀制增透膜膜系的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN116334545A CN116334545A CN202310348618.6A CN202310348618A CN116334545A CN 116334545 A CN116334545 A CN 116334545A CN 202310348618 A CN202310348618 A CN 202310348618A CN 116334545 A CN116334545 A CN 116334545A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- film layer
- ybf
- film
- zns
- ion source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 125
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 50
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 title claims abstract description 49
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 49
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims description 24
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims description 24
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 74
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 45
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 14
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 44
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 40
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 39
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 28
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 28
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 9
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract description 14
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 153
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 36
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- -1 argon ions Chemical class 0.000 description 2
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 2
- 239000008399 tap water Substances 0.000 description 2
- 235000020679 tap water Nutrition 0.000 description 2
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000009863 impact test Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000003331 infrared imaging Methods 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/26—Vacuum evaporation by resistance or inductive heating of the source
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C14/021—Cleaning or etching treatments
- C23C14/022—Cleaning or etching treatments by means of bombardment with energetic particles or radiation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0623—Sulfides, selenides or tellurides
- C23C14/0629—Sulfides, selenides or tellurides of zinc, cadmium or mercury
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0694—Halides
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
一种硫化锌基底上镀制增透膜膜系的制备方法包括步骤:S1,将作为镜片的硫化锌基底的陪镀片和产品的表面进行清洁处理;S2,将镜片放入工装夹具,工装夹具挂入真空镀膜机的腔体内;S3,真空镀膜机启动抽真空,打开离子源进行清洗;S4,维持前述真空度,在镜片的对应面蒸镀第一YbF3膜层,膜厚为25.2nm±1nm;S5,蒸镀第一ZnS膜层,膜厚为16.7nm±1nm;S6,蒸镀第二YbF3膜层,膜厚为1024nm±5nm;S7,蒸镀第二ZnS膜层,膜厚为13.7nm±1nm;蒸镀第三YbF3膜层,膜厚为37.2nm±2nm;S9,蒸镀第三ZnS膜层,膜厚为117.8nm±4nm;S10,蒸镀第四YbF3膜层,膜厚为89nm±3nm;S11,镀制完成后,取出镜片;S12,重复步骤S1至步骤S11。由此,能同时实现0.4‑0.7μm可见光波段和8‑12μm红外波段的双波段的高的透射率要求。
Description
技术领域
本公开涉及光学领域,更具体地涉及一种硫化锌基底上镀制增透膜膜系的制备方法。
背景技术
在红外光学镀膜领域,红外光学材料主要用作光电探测系统的透镜、窗口和球罩,红外光学元件应用范围越来越广泛要求越来越高,对产品镀膜从可见光到远红外都有需求。多光谱ZnS透过波段为0.4-12μm,覆盖了从可见光到长波红外的全波段,在红外成像系统中广泛应用,因此有必要对硫化锌基底上镀制增透膜膜系进行进一步改进。
发明内容
鉴于背景技术中存在的问题,本公开的目的在于提供一种硫化锌基底上镀制增透膜膜系的制备方法,其能同时实现0.4-0.7μm可见光波段和8-12μm红外波段的双波段的高的透射率要求。
由此,一种硫化锌基底上镀制增透膜膜系的制备方法包括步骤:
S1,将作为镜片的硫化锌基底的陪镀片和产品的表面进行清洁处理,硫化锌基底陪的镀片的厚度为0.9-1.5mm;
S2,将清洁处理好的镜片放入工装夹具,放好镜片的工装夹具挂入真空镀膜机的腔体内,腔体的温度设定为150℃;
S3,真空镀膜机启动抽真空,真空度达到1×10-3Pa,打开真空镀膜机的辅助镀膜的离子源进行清洗,清洗时间为6min,离子源的阳极电压为220V、阳极电流为1.2-1.5A、发射极的电流为1.3-1.5A;
S4,维持前述真空度,在镜片的对应面蒸镀第一YbF3膜层,第一YbF3膜层的沉积速率为0.6nm/s,控制第一YbF3膜层的膜厚为25.2nm±1nm,离子源辅助蒸镀;
S5,在镀制的第一YbF3膜层上蒸镀第一ZnS膜层,第一ZnS膜层的沉积速率为0.8nm/s,控制第一ZnS膜层的膜厚为16.7nm±1nm,离子源辅助蒸镀;
S6,在镀制的第一ZnS膜层上蒸镀第二YbF3膜层,第二YbF3膜层沉积的速率为0.6nm/s,控制第二YbF3膜层的膜厚为1024nm±5nm,离子源辅助蒸镀;
S7,在镀制的第二YbF3膜层上蒸镀第二ZnS膜层,第二ZnS膜层的沉积速率为0.8nm/s,控制第二ZnS膜层的膜厚为13.7nm±1nm,离子源辅助蒸镀;
S8,在镀制的第二ZnS膜层上蒸镀第三YbF3膜层,第三YbF3膜层沉积的速率为0.6nm/s,控制第三YbF3膜层的膜厚为37.2nm±2nm,离子源辅助蒸镀;
S9,在镀制的第三YbF3膜层上蒸镀第三ZnS膜层,第三ZnS膜层的沉积速率为0.8nm/s,控制第三ZnS膜层的膜厚为117.8nm±4nm,离子源辅助蒸镀;
S10,在镀制的第三ZnS膜层上蒸镀第四YbF3膜层,第四YbF3膜层沉积的速率为0.6nm/s,控制第四YbF3膜层的膜厚为89nm±3nm,离子源辅助蒸镀;
S11,镀制完成后,待真空室冷却至80℃以下取出对应面镀制好的镜片;
S12,重复步骤S1至步骤S11,在镜片的相反的另一面依次第一YbF3膜层、第一ZnS膜层、第二YbF3膜层、第二ZnS膜层、第三YbF3膜层、第三ZnS膜层以及第四YbF3膜层。
本公开的有益效果如下:在根据本公开的硫化锌基底上镀制增透膜膜系的制备方法中,通过在作为镜片的硫化锌基底的陪镀片的陪镀片和产品的两面均镀制25.2nm±1nm膜厚的第一YbF3膜层、16.7nm±1nm膜厚的第一ZnS膜层、1024nm±5nm膜厚的第二YbF3膜层、13.7nm±1nm膜厚的第二ZnS膜层、37.2nm±2nm膜厚的第三YbF3膜层、117.8nm±4nm膜厚的第三ZnS膜层以及89nm±3nm膜厚的第四YbF3膜层,各面上的七层膜层将作为产品的增透膜膜系,基于陪镀片的0.4-0.7μm可见光波段的测试,0.4-0.7μm可见光波段透过率能达到90%以上,通过8-12μm红外波段的测试,8-12μm红外波段的透过率能达到95%以上。换句话说,硫化锌基底与各面上的七层膜层的配合能同时实现0.4-0.7μm可见光波段和8-12μm红外波段的双波段的高的透射率要求。
附图说明
图1是根据本公开的硫化锌基底上镀制增透膜膜系的制备方法制备在包括硫化锌基底的陪镀片和产品的两面镀制增透膜膜系的结构示意图。
图2是实施例1的陪镀片两面镀制增透膜膜系在0.4-0.7μm可见光波段的透过率的曲线图。
图3是实施例1的陪镀片两面镀制增透膜膜系在8-12μm红外波段的透过率的曲线图。
具体实施方式
附图示出本公开的实施例,且将理解的是,所公开的实施例仅仅是本公开的示例,本公开可以以各种形式实施,因此,本文公开的具体细节不应被解释为限制,而是仅作为权利要求的基础且作为表示性的基础用于教导本领域普通技术人员以各种方式实施本公开。
[硫化锌基底上镀制增透膜膜系的制备方法]
根据本公开的硫化锌基底上镀制增透膜膜系的制备方法包括步骤:
S1,将作为镜片的硫化锌基底的陪镀片和产品的表面进行清洁处理,硫化锌基底陪的镀片的厚度为0.9-1.5mm;
S2,将清洁处理好的镜片放入工装夹具,放好镜片的工装夹具挂入真空镀膜机的腔体内,腔体的温度设定为150℃;
S3,真空镀膜机启动抽真空,真空度达到1×10-3Pa,打开真空镀膜机的辅助镀膜的离子源进行清洗,清洗时间为6min,离子源的阳极电压为220V、阳极电流为1.2-1.5A、发射极的电流为1.3-1.5A;
S4,维持前述真空度,在镜片的对应面蒸镀第一YbF3膜层,第一YbF3膜层的沉积速率为0.6nm/s,控制第一YbF3膜层的膜厚为25.2nm±1nm,离子源辅助蒸镀;
S5,在镀制的第一YbF3膜层上蒸镀第一ZnS膜层,第一ZnS膜层的沉积速率为0.8nm/s,控制第一ZnS膜层的膜厚为16.7nm±1nm,离子源辅助蒸镀;
S6,在镀制的第一ZnS膜层上蒸镀第二YbF3膜层,第二YbF3膜层沉积的速率为0.6nm/s,控制第二YbF3膜层的膜厚为1024nm±5nm,离子源辅助蒸镀;
S7,在镀制的第二YbF3膜层上蒸镀第二ZnS膜层,第二ZnS膜层的沉积速率为0.8nm/s,控制第二ZnS膜层的膜厚为13.7nm±1nm,离子源辅助蒸镀;
S8,在镀制的第二ZnS膜层上蒸镀第三YbF3膜层,第三YbF3膜层沉积的速率为0.6nm/s,控制第三YbF3膜层的膜厚为37.2nm±2nm,离子源辅助蒸镀;
S9,在镀制的第三YbF3膜层上蒸镀第三ZnS膜层,第三ZnS膜层的沉积速率为0.8nm/s,控制第三ZnS膜层的膜厚为117.8nm±4nm,离子源辅助蒸镀;
S10,在镀制的第三ZnS膜层上蒸镀第四YbF3膜层,第四YbF3膜层沉积的速率为0.6nm/s,控制第四YbF3膜层的膜厚为89nm±3nm,离子源辅助蒸镀;
S11,镀制完成后,待真空室冷却至80℃以下取出对应面镀制好的镜片;
S12,重复步骤S1至步骤S11,在镜片的相反的另一面依次第一YbF3膜层、第一ZnS膜层、第二YbF3膜层、第二ZnS膜层、第三YbF3膜层、第三ZnS膜层以及第四YbF3膜层。
在根据本公开的硫化锌基底上镀制增透膜膜系的制备方法中,通过在作为镜片的硫化锌基底的陪镀片的陪镀片和产品的两面均镀制25.2nm±1nm膜厚的第一YbF3膜层、16.7nm±1nm膜厚的第一ZnS膜层、1024nm±5nm膜厚的第二YbF3膜层、13.7nm±1nm膜厚的第二ZnS膜层、37.2nm±2nm膜厚的第三YbF3膜层、117.8nm±4nm膜厚的第三ZnS膜层以及89nm±3nm膜厚的第四YbF3膜层,各面上的七层膜层将作为产品的增透膜膜系,基于陪镀片的0.4-0.7μm可见光波段的测试,0.4-0.7μm可见光波段透过率能达到90%以上,通过8-12μm红外波段的测试,8-12μm红外波段的透过率能达到95%以上。换句话说,硫化锌基底与各面上的七层膜层的配合能同时实现0.4-0.7μm可见光波段和8-12μm红外波段的双波段的高的透射率要求。
在本公开的硫化锌基底上镀制增透膜膜系的制备方法中,在作为镜片的硫化锌基底的陪镀片和产品的各面镀制的七层膜层的总厚度为1539.6nm±17nm。
在本公开的硫化锌基底上镀制增透膜膜系的制备方法中,步骤S1的表面清洁有利于改善陪镀片和产品的两面的表面状态,有助于提高陪镀片和产品的两面的结合性能。
在本公开的硫化锌基底上镀制增透膜膜系的制备方法中,步骤S2的腔体的温度有助于消除陪镀片和产品的两面的膜层的应力同时有助于在陪镀片和产品的两面的增透膜膜系的膜层的生长。
在本公开的硫化锌基底上镀制增透膜膜系的制备方法中,步骤S3采用离子源进行清洗,工作气体氩气电离的氩离子的轰击作用和溅射作用将使陪镀片和产品的对应面的表层吸附的杂质、油污分子、氧化物脱离基体表面,从而大幅度改善界面状态,有助于第一YbF3膜层与硫化锌基底的对应面结合性能的提高,以此同时通过氩离子对硫化锌基底的对应面的轰击,可以加热硫化锌基底的对应面,有助于第一YbF3膜层的生长以及减小第一YbF3膜层生长应力。
在本公开的硫化锌基底上镀制增透膜膜系的制备方法中,在步骤S4至步骤S10中,离子源辅助蒸镀通过离子轰击镜片的表面有助于膜层的生长、提高附着力和硬度,同时减少膜层应力。
在本公开的硫化锌基底上镀制增透膜膜系的制备方法中,在步骤S4至步骤S10中,采用两膜层薄-一膜层厚-两膜层薄-一膜层厚-一膜层薄的方式,厚薄交替布置方式,有助于膜层间的应力降低。
注意的是,在本公开的硫化锌基底上镀制增透膜膜系的制备方法中,陪镀片为等厚度的两面均为平坦面的片,而产品在形状和尺寸上会依据实际需要与陪镀片不同。
在一示例中,在步骤S1中,硫化锌基底的陪镀片的厚度为1.0mm。
在一示例中,在步骤S1中,采用超声波或手擦对镜片表面进行清洁处理。
在一示例中,在步骤S3中,阳极电流为1.2A、发射极的电流为1.5A。
在一示例中,在步骤S3中,离子源为霍尔离子源。
在一示例中,在步骤S4中,控制第一YbF3膜层的膜厚为25.2nm;在步骤S5中,控制第一ZnS膜层的膜厚为16.7nm;在步骤S6中,控制第二YbF3膜层的膜厚为1024nm;在步骤S7中,控制第二ZnS膜层的膜厚为13.7nm;在步骤S8中,控制第三YbF3膜层的膜厚为37.2nm;在步骤S9中,控制第三ZnS膜层的膜厚为117.8nm;在步骤S10中,控制第四YbF3膜层的膜厚为89nm。
在一示例中,在步骤S4、步骤S6、步骤S8以及步骤S10中,针对离子源设有中和器,中和器的参数为中和电流为0.5A、采用氩气形成中和气、中和气的流量为10sccm,离子源的阳极电压为120V、阳极电流为1.2A、采用氩气作为工作气体、氩气的流量为100sccm。
在一示例中,在步骤S5、步骤S7以及步骤S9,针对离子源设有中和器,中和器的参数为中和电流为0.5A、采用氩气形成中和气、中和气的流量为10sccm,离子源的阳极电压为180V、阳极电流为1.8A、采用氩气作为工作气体、氩气的流量为100sccm。
在采用中和器的上述两个示例中,离子源的氩气电离将形成近等离子体,但是这些等离子体将可能存在有多余的带电离子,而中和器中的氩气通过电离成形成电子来中和离子源产生的所述多余的带电离子,从而消除带电离子对蒸发镀膜的膜层的影响,进而确保离子源辅助蒸镀的各膜层的质量。由此,仅需在中和气:工作气体在很小的流量比例(1/10)达到此效果。
在一示例中,在步骤S4至步骤S10中,蒸镀采用电阻加热蒸发。
[测试]
实施例1
硫化锌基底上镀制增透膜膜系的制备方法采用下列步骤:
S1,将作为镜片的硫化锌基底的陪镀片和产品的表面采用超声波进行清洁处理,硫化锌基底陪的镀片的厚度为1.0mm;
S2,将清洁处理好的镜片放入工装夹具,放好镜片的工装夹具挂入真空镀膜机的腔体内,腔体的温度设定为150℃,真空镀膜机为成都西沃克真空科技有限公司制造并销售的设有中和器的霍尔离子源的真空镀膜机,设有中和器的霍尔离子源商购自博顿光电科技有限公司;
S3,真空镀膜机启动抽真空,真空度达到1×10-3Pa,打开真空镀膜机的辅助镀膜的离子源进行清洗,清洗时间为6min,离子源的阳极电压为220V、阳极电流为1.2A、发射极的电流为1.5A;
S4,维持前述真空度,在镜片的对应面蒸镀第一YbF3膜层,第一YbF3膜层的沉积速率为0.6nm/s,控制第一YbF3膜层的膜厚为25.2nm,蒸镀采用电阻加热蒸发方式;
S5,在镀制的第一YbF3膜层上蒸镀第一ZnS膜层,第一ZnS膜层的沉积速率为0.8nm/s,控制第一ZnS膜层的膜厚为16.7nm,蒸镀采用电阻加热蒸发方式;
S6,在镀制的第一ZnS膜层上蒸镀第二YbF3膜层,第二YbF3膜层沉积的速率为0.6nm/s,控制第二YbF3膜层的膜厚为1024nm,蒸镀采用电阻加热蒸发方式;
S7,在镀制的第二YbF3膜层上蒸镀第二ZnS膜层,第二ZnS膜层的沉积速率为0.8nm/s,控制第二ZnS膜层的膜厚为13.7nm,蒸镀采用电阻加热蒸发方式;
S8,在镀制的第二ZnS膜层上蒸镀第三YbF3膜层,第三YbF3膜层沉积的速率为0.6nm/s,控制第三YbF3膜层的膜厚为37.2nm,蒸镀采用电阻加热蒸发方式;
S9,在镀制的第三YbF3膜层上蒸镀第三ZnS膜层,第三ZnS膜层的沉积速率为0.8nm/s,控制第三ZnS膜层的膜厚为117.8nm,蒸镀采用电阻加热蒸发方式;
S10,在镀制的第三ZnS膜层上蒸镀第四YbF3膜层,第四YbF3膜层沉积的速率为0.6nm/s,控制第四YbF3膜层的膜厚为89nm,蒸镀采用电阻加热蒸发方式;
S11,镀制完成后,待真空室冷却至80℃以下取出对应面镀制好的镜片;
S12,重复步骤S1至步骤S11,在镜片的相反的另一面依次第一YbF3膜层、第一ZnS膜层、第二YbF3膜层、第二ZnS膜层、第三YbF3膜层、第三ZnS膜层以及第四YbF3膜层;
在步骤S4、步骤S6、步骤S8以及步骤S10中,中和器的参数为中和电流为0.5A、采用氩气形成中和气、中和气的流量为10sccm,离子源的阳极电压为120V、阳极电流为1.2A、采用氩气作为工作气体、氩气的流量为100sccm;
在步骤S5、步骤S7以及步骤S9,中和器的参数为中和电流为0.5A、采用氩气形成中和气、中和气的流量为10sccm,离子源的阳极电压为180V、阳极电流为1.8A、采用氩气作为工作气体、氩气的流量为100sccm。
实施例1制备的两面均镀制好七层膜层的镜片的结构如图1示意所示。图2是实施例1的陪镀片两面镀制增透膜膜系在0.4-0.7μm可见光波段的透过率的曲线图,从图2看出,在0.4-0.7μm可见光波段,透过率(算术平均值)能达到90%以上;图3是实施例1的陪镀片两面镀制增透膜膜系在8-12μm红外波段的透过率的曲线图,从图3看出,在8-12μm红外波段,透过率(算术平均值)能达到95%以上。
对陪镀片连同两面上均镀制好七层膜层整体的性能进行检验。
水泡试验:实施例1所制备的陪镀片连同两面上均镀制七层膜层整体经过取自自来水的水泡试验10min,未发现各面上的七层膜层从陪镀片上脱落、也未发现各面上的七层膜层崩裂。
粘接力试验:在取自自来水的水泡和盐雾试验完成之后,用手粘贴3M胶带纸在陪镀片的各面的第四YbF3膜层进行沿与粘贴端相反的方向拉胶带,并未将七层膜层拉起。
通过水泡实验和拉胶带实验,说明陪镀片的两面上的七层膜层的附着力良好。
冷热冲击试验:在高低温箱内,-40℃至85℃范围进行冷热冲击24h,未发现陪镀片各面上的七层膜层从陪镀片上脱落、也未发现陪镀片各面上的七层膜层崩裂。
恒温恒湿试验:在恒温恒湿箱内,50℃、95%相对湿度下48h。未发现陪镀片各面上的七层膜层从陪镀片上脱落、也未发现陪镀片各面上的七层膜层崩裂。
盐雾试验:中性盐雾试验48h,未发现陪镀片各面上的七层膜层从陪镀片上脱落、也未发现陪镀片各面上的七层膜层崩裂。
低温试验:在低温箱内,-40℃48h,未发现陪镀片各面上的七层膜层从陪镀片上脱落、也未发现陪镀片各面上的七层膜层在陪镀片上崩裂。
高温试验:在高温内,85℃48h,未发现陪镀片各面上的七层膜层从陪镀片上脱落、也未发现陪镀片各面上的七层膜层崩裂。
采用上面详细的说明描述多个示范性实施例,但本文不意欲限制到明确公开的组合。因此,除非另有说明,本文所公开的各种特征可以组合在一起而形成出于简明目的而未示出的多个另外组合。
Claims (9)
1.一种硫化锌基底上镀制增透膜膜系的制备方法,其特征在于,包括步骤:
S1,将作为镜片的硫化锌基底的陪镀片和产品的表面进行清洁处理,硫化锌基底陪的镀片的厚度为0.9-1.5mm;
S2,将清洁处理好的镜片放入工装夹具,放好镜片的工装夹具挂入真空镀膜机的腔体内,腔体的温度设定为150℃;
S3,真空镀膜机启动抽真空,真空度达到1×10-3Pa,打开真空镀膜机的辅助镀膜的离子源进行清洗,清洗时间为6min,离子源的阳极电压为220V、阳极电流为1.2-1.5A、发射极的电流为1.3-1.5A;
S4,维持前述真空度,在镜片的对应面蒸镀第一YbF3膜层,第一YbF3膜层的沉积速率为0.6nm/s,控制第一YbF3膜层的膜厚为25.2nm±1nm,离子源辅助蒸镀;
S5,在镀制的第一YbF3膜层上蒸镀第一ZnS膜层,第一ZnS膜层的沉积速率为0.8nm/s,控制第一ZnS膜层的膜厚为16.7nm±1nm,离子源辅助蒸镀;
S6,在镀制的第一ZnS膜层上蒸镀第二YbF3膜层,第二YbF3膜层沉积的速率为0.6nm/s,控制第二YbF3膜层的膜厚为1024nm±5nm,离子源辅助蒸镀;
S7,在镀制的第二YbF3膜层上蒸镀第二ZnS膜层,第二ZnS膜层的沉积速率为0.8nm/s,控制第二ZnS膜层的膜厚为13.7nm±1nm,离子源辅助蒸镀;
S8,在镀制的第二ZnS膜层上蒸镀第三YbF3膜层,第三YbF3膜层沉积的速率为0.6nm/s,控制第三YbF3膜层的膜厚为37.2nm±2nm,离子源辅助蒸镀;
S9,在镀制的第三YbF3膜层上蒸镀第三ZnS膜层,第三ZnS膜层的沉积速率为0.8nm/s,控制第三ZnS膜层的膜厚为117.8nm±4nm,离子源辅助蒸镀;
S10,在镀制的第三ZnS膜层上蒸镀第四YbF3膜层,第四YbF3膜层沉积的速率为0.6nm/s,控制第四YbF3膜层的膜厚为89nm±3nm,离子源辅助蒸镀;
S11,镀制完成后,待真空室冷却至80℃以下取出对应面镀制好的镜片;
S12,重复步骤S1至步骤S11,在镜片的相反的另一面依次第一YbF3膜层、第一ZnS膜层、第二YbF3膜层、第二ZnS膜层、第三YbF3膜层、第三ZnS膜层以及第四YbF3膜层。
2.根据权利要求1所述的硫化锌基底上镀制增透膜膜系的制备方法,其特征在于,
在步骤S1中,硫化锌基底的陪镀片的厚度为1.0mm。
3.根据权利要求1所述的硫化锌基底上镀制增透膜膜系的制备方法,其特征在于,
在步骤S1中,采用超声波或手擦对镜片表面进行清洁处理。
4.根据权利要求1所述的硫化锌基底上镀制增透膜膜系的制备方法,其特征在于,
在步骤S3中,阳极电流为1.2A、发射极的电流为1.5A。
5.根据权利要求1所述的硫化锌基底上镀制增透膜膜系的制备方法,其特征在于,
在步骤S3中,离子源为霍尔离子源。
6.根据权利要求1所述的硫化锌基底上镀制增透膜膜系的制备方法,其特征在于,
在步骤S4中,控制第一YbF3膜层的膜厚为25.2nm;
在步骤S5中,控制第一ZnS膜层的膜厚为16.7nm;
在步骤S6中,控制第二YbF3膜层的膜厚为1024nm;
在步骤S7中,控制第二ZnS膜层的膜厚为13.7nm;
在步骤S8中,控制第三YbF3膜层的膜厚为37.2nm;
在步骤S9中,控制第三ZnS膜层的膜厚为117.8nm;
在步骤S10中,控制第四YbF3膜层的膜厚为89nm。
7.根据权利要求1所述的硫化锌基底上镀制增透膜膜系的制备方法,其特征在于,
在步骤S4、步骤S6、步骤S8以及步骤S10中,针对离子源设有中和器,中和器的参数为中和电流为0.5A、采用氩气形成中和气、中和气的流量为10sccm,离子源的阳极电压为120V、阳极电流为1.2A、采用氩气作为工作气体、氩气的流量为100sccm。
8.根据权利要求1所述的硫化锌基底上镀制增透膜膜系的制备方法,其特征在于,
在步骤S5、步骤S7以及步骤S9,针对离子源设有中和器,中和器的参数为中和电流为0.5A、采用氩气形成中和气、中和气的流量为10sccm,离子源的阳极电压为180V、阳极电流为1.8A、采用氩气作为工作气体、氩气的流量为100sccm。
9.根据权利要求1所述的硫化锌基底上镀制增透膜膜系的制备方法,其特征在于,
在步骤S4至步骤S10中,蒸镀采用电阻加热蒸发。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202310348618.6A CN116334545A (zh) | 2023-04-04 | 2023-04-04 | 硫化锌基底上镀制增透膜膜系的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202310348618.6A CN116334545A (zh) | 2023-04-04 | 2023-04-04 | 硫化锌基底上镀制增透膜膜系的制备方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN116334545A true CN116334545A (zh) | 2023-06-27 |
Family
ID=86882184
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202310348618.6A Pending CN116334545A (zh) | 2023-04-04 | 2023-04-04 | 硫化锌基底上镀制增透膜膜系的制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN116334545A (zh) |
-
2023
- 2023-04-04 CN CN202310348618.6A patent/CN116334545A/zh active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20140233093A1 (en) | Multilayer systems for selective reflection of electromagnetic radiation from the wavelength spectrum of sunlight and method of producing same | |
JPH0980205A (ja) | 光反射防止部材及びその作製方法、並びに陰極線管 | |
CN110373644B (zh) | 一种光学炫彩薄膜及其制作方法 | |
JP2008225210A (ja) | 反射防止膜及びこれを有する光学部品 | |
JPWO2014115770A1 (ja) | 透明導電性基材ならびにその製造方法 | |
CN115368031B (zh) | 硫系玻璃8-12um波段高耐久性增透膜的制备方法 | |
CN112030115B (zh) | 一种透雷达波柔性基底红外滤光膜及其制备方法 | |
US20120081660A1 (en) | Optical lens with antistatic coating | |
CN116334545A (zh) | 硫化锌基底上镀制增透膜膜系的制备方法 | |
CN105060734B (zh) | 防紫外线、防静电复合膜层制造方法 | |
WO2016121752A1 (ja) | 積層膜付きガラス板および複層ガラス | |
CN103407232A (zh) | 离线减反射镀膜玻璃及其制造方法 | |
US10018759B2 (en) | Plastic substrate having a porous layer and method for producing the porous layer | |
CN105906218B (zh) | 防眩光玻璃的制备方法 | |
CN102453855A (zh) | 壳体及其制造方法 | |
CN117567044A (zh) | 硫系玻璃基底上镀制双波段增透膜系的制备方法 | |
JP7098129B2 (ja) | 反射防止膜及びこれを有する光学素子 | |
CN107479116B (zh) | 一种双面低反射铬膜系及其制备方法 | |
JP2007119303A (ja) | 低放射率積層体 | |
CN116282962A (zh) | 硫系玻璃基底上镀制增透膜膜系的制备方法 | |
CN117448751A (zh) | 硒化锌基底上镀制双波段减反射膜的制备方法 | |
CN116240498A (zh) | 硒化锌基底1064nm红外增透膜系制备方法 | |
CN100372449C (zh) | Pdp保护屏的电磁波屏蔽膜的制作方法 | |
CN116641021A (zh) | 硅透镜基底上镀制3-5μmDLC加减反射增透膜的制备方法 | |
CN218174832U (zh) | 一种可钢化离线Low-E镀膜玻璃及中空玻璃结构 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |