CN116324048A - 具有用于覆盖硅进料的盖构件的晶体提拉系统及用于在坩埚组合件内生长硅熔体的方法 - Google Patents

Abstract

公开具有外壳及坩埚组合件的晶体提拉系统。所述系统包含界定锭在锭生长期间通过其的中央通道的热屏蔽件。盖构件可在所述热屏蔽件内沿提拉轴线移动。所述盖构件可包含隔热层。所述盖构件在熔化期间覆盖进料的至少一部分。

Description

具有用于覆盖硅进料的盖构件的晶体提拉系统及用于在坩埚 组合件内生长硅熔体的方法

相关申请案的交叉参考

本申请案主张2020年9月1日申请的第63/073,180号美国临时专利申请案的权利，所述申请案的全文以引用的方式并入本文中。

技术领域

本公开的领域涉及用于从硅熔体生长单晶锭的晶体提拉系统，且特定来说，本公开的领域涉及包含用于连续丘克拉斯基(Czochralski)硅锭生长中的盖构件的晶体提拉系统。

背景技术

可通过丘克拉斯基法来制备硅晶体硅锭，其中单晶硅晶种与保持于坩埚内的硅熔体接触。从熔体取出单晶硅晶种以从熔体提拉单晶硅锭。可在批量生产系统中制备锭，其中多晶硅的进料最初熔融于坩埚内且从熔体取出硅锭直到坩埚内的熔融硅耗尽。替代地，可在连续丘克拉斯基法中取出锭，其中将多晶硅间歇性或连续性添加到熔体以在锭生长期间补充硅熔体。

在连续丘克拉斯基法中，可将坩埚分成分开的熔体区。例如，坩埚组合件可包含外熔体区，其中添加多晶硅且使其熔融以随着硅锭生长而补充硅熔体。硅熔体从外熔体区流动到外熔体区内的中间区，熔体在其中热稳定化。接着，硅熔体从中间区流动到生长区以从其提拉硅锭。

晶体提拉系统可包含安置于坩埚及硅熔体上方的热屏蔽件。热屏蔽件包含通道，当从硅熔体垂直拉引硅锭时，硅锭穿过所述通道。热屏蔽件保护及屏蔽经拉引锭免受来自熔体的辐射热。

在熔融阶段期间，可在晶体提拉系统内产生温度梯度。温度梯度在坩埚中产生热应力，从而导致坩埚损坏及在一些情况中导致坩埚毁坏。

需要一种晶体提拉系统以在熔化期间维持更均匀温度梯度以减少熔化期间的坩埚损坏。

本章节希望向读者介绍可与下文将描述及/或主张的本公开的各种方面相关的技术的各种方面。我们认为此论述有助于向读者提供背景信息以促进更好理解本公开的各种方面。因此，应了解，这些叙述应鉴于此来解读，而不应被解读为对现有技术的任何认可。

发明内容

本公开的一个方面是针对一种用于从硅熔体生长单晶锭的晶体提拉系统。所述系统包含提拉轴线及界定生长室的外壳。坩埚组合件安置于所述生长室内用于容纳所述硅熔体。热屏蔽件界定锭在锭生长期间通过其中央通道。所述系统包含盖构件，其可在所述热屏蔽件内沿所述提拉轴线移动。所述盖构件包含一或多个隔热层。

本公开的另一方面是针对一种用于在晶体提拉系统的坩埚中制备硅熔体的方法。所述晶体提拉系统包含界定生长室的外壳、安置于所述生长室内用于容纳所述硅熔体的坩埚组合件及界定锭在锭生长期间通过其中央通道的热屏蔽件。将固体多晶硅的进料添加到所述坩埚组合件。将盖构件降低通过由所述热屏蔽件界定的所述中央通道以覆盖所述进料的至少一部分。当所述盖构件覆盖所述进料的一部分时，加热所述硅进料以在所述坩埚组合件中产生硅熔体。在形成所述熔体之后提升所述盖构件。

本公开的又一方面是针对一种用于从硅熔体生长单晶锭的晶体提拉系统。所述系统具有提拉轴线且包含界定生长室的外壳。坩埚组合件安置于所述生长室内用于容纳所述硅熔体。所述系统包含热屏蔽件，所述热屏蔽件界定锭在锭生长期间通过其中央通道。盖构件可在所述热屏蔽件内沿所述提拉轴线移动。所述盖构件包含第一板，其具有平行于所述提拉轴线的第一板轴线。所述盖构件包含第二板，其具有平行于所述提拉轴线的第二板轴线。所述第二板安置于所述第一板上方。

存在相对于本公开的上述方面所提及的特征的各种改进。进一步特征还可并入于本公开的上述方面中。这些改进及额外特征可独立或以任何组合存在。例如，下文将相对于本公开的任何说明实施例来论述的各种特征可独立或以任何组合并入到本公开的任何上述方面中。

附图说明

图1是用于从硅熔体生长单晶锭的晶体提拉系统的截面图；

图2是包含安置于热屏蔽件的中央通道内的盖构件的晶体提拉系统的一部分的截面图；

图3是晶体提拉系统的盖构件的透视图；

图4是盖构件的截面图；

图5是盖构件的组装图；

图6是盖构件的第一板的透视图；

图7是第一板的仰视图；

图8是第一板的截面图；

图9是盖构件的第二板的透视图；

图10是第二板的俯视图；

图11是第二板的截面图；

图12是盖构件的隔热层的透视图；

图13是盖构件的轴件的截面图；

图14是轴件的俯视图；

图15是晶体提拉系统的夹头的透视图；

图16是与盖构件的轴件接合的夹头的透视图；

图17是在熔化期间使用包含及不包含隔热部的盖构件时的嵌套坩埚组合件的外坩埚的内部温度的曲线图；

图18是在熔化期间使用包含及不包含隔热部的盖构件时的嵌套坩埚组合件的中间坩埚的内部温度的曲线图；

图19是在熔化期间使用包含及不包含隔热部的盖构件时的嵌套坩埚组合件的最内坩埚的内部温度的曲线图；及

图20是在熔化期间使用包含及不包含隔热部的盖构件时的功率分布的曲线图。

在所有图式中，对应元件符号指示对应部分。

具体实施方式

本公开的布建涉及一种用于通过连续丘克拉斯基(CZ)法来从硅熔体产生单晶(即，单晶体)硅锭(例如，半导体或太阳能级材料)的晶体提拉系统。本文中所公开的系统及方法还可用于通过批量生产或再进料CZ法来生长单晶锭。参考图1，示意性展示及以10大体上指示晶体提拉系统。晶体提拉系统10包含提拉轴线Y₁₀及界定生长室14的外壳12。坩埚组合件16安置于生长室14内。坩埚组合件16容纳通过提拉机构22来从其提拉单晶锭20的硅熔体18(例如，半导体或太阳能级材料)，如下文将进一步论述。

晶体提拉系统10包含热屏蔽件24(有时称为“反射体”)，其界定锭20在锭生长期间通过其的中央通道26。根据本公开的实施例，在从熔体18拉引锭20之前，在初始熔融阶段期间，降低盖构件100(图2)以至少部分覆盖多晶硅的固体进料以减少在熔化期间辐射通过中央通道26的热。盖构件100可在热屏蔽件24内沿提拉轴线Y₁₀移动。

图2展示其中在拉引锭20之前的其中熔融进料的初始阶段(即，熔化阶段)期间将盖构件100布置于中央通道26内的晶体提拉系统10的一部分。坩埚组合件16包含底部30及从底部30向上延伸的外侧壁32。坩埚组合件16包含中央堰体34及从底部30向上延伸的内堰体36。中央堰体34安置于外侧壁32与内堰体36之间。坩埚组合件16包含安置于外侧壁32与中央堰体34之间的坩埚熔体区38。坩埚组合件16还含有安置于中央堰体34与内堰体36之间的中间区40。坩埚组合件16还含有安置于内堰体36内的生长区42。坩埚组合件16可由(例如)使晶体提拉系统10能够如本文中所描述那样运作的石英或任何其它合适材料制成。此外，坩埚组合件16可具有使晶体提拉系统10能够如本文中所描述那样运作的任何合适大小。坩埚组合件16还可包含三个“嵌套”坩埚，其具有一起产生底部的分开的底部且其中坩埚的侧壁是上述堰体34、36。

在锭生长期间，将多晶硅添加到其中硅熔融且补充硅熔体的坩埚熔体区38。硅熔体流动通过中央堰体开口44且进入中间区40。接着，硅熔体流动通过内堰体开口41而到安置于内堰体36内的生长区42。各种硅熔体区(例如，熔体区38、中间区40及生长区42)允许根据连续丘克拉斯基法来生长锭，其中在从生长区42连续提拉锭20时将多晶硅连续或半连续添加到熔体。生长区42内的硅熔体18与单种晶75(图1)接触。随着从熔体18缓慢提升种晶75，来自熔体18的原子使其自身与晶种对准且附着到晶种以形成锭20。

坩埚组合件16由承座50(图1)支撑。承座50由可旋转轴件51支撑。侧加热器52包围承座50及坩埚组合件16以将热能供应到系统10。一或多个底部加热器62安置于坩埚组合件16及承座50下方。加热器52、62操作以熔融固体多晶硅原料的初始进料且使熔体18在熔融初始进料之后维持液化状态。加热器52、62还用于熔融在锭的生长期间通过馈送管54(图1)所添加的固体多晶硅。加热器52、62可为使系统10能够如本文中所描述那样运作的任何合适加热器(例如，电阻加热器)。

晶体提拉系统10包含用于将惰性气体引入到生长室14中的进气口(图中未展示)及用于从生长室14放出惰性气体及其它气体及空中悬浮粒子的一或多个排气出口(图中未展示)。进气口供应例如氩气的合适惰性气体。

系统10包含与热屏蔽件24一起安置的圆柱形护套57。护套57是流体式冷却且包含与中央通道26对准的护套室60。沿提拉轴线Y₁₀拉引锭20通过中央通道26而进入护套室60。护套57冷却经拉引锭20。

热屏蔽件24大体上呈截头圆锥体形状。热屏蔽件24包含面向坩埚组合件16及熔体18的外表面61。热屏蔽件24可经涂覆以防止熔体污染。在一些实施例中，热屏蔽件24由其内包含钼片的两个石墨壳制成。表面61可经涂覆(例如，SiC)以减少熔体污染。

热屏蔽件24包含底部58(图2)。热屏蔽件24的中央通道26在热屏蔽件24的底部58处具有直径D₂₆。热屏蔽件24安置于坩埚组合件16上方，使得中央通道26直接布置于生长区42上方，使得可通过中央通道26来提拉从熔体18拉引的锭。通道直径D₂₆经设定大小以容纳锭20的直径(例如200mm或300mm或其它直径的锭)。

外表面61可涂覆有朝向熔体18及坩埚组合件16往回反射辐射热的反射性涂层。因而，热屏蔽件24有助于使热保持于坩埚组合件16及熔体18内。另外，热屏蔽件24有助于维持沿提拉轴线Y₁₀的大体上均匀温度梯度。

在初始熔融阶段期间，将初始量的固体多晶硅装载到坩埚熔体区38、中间区40及生长区42。在其它实施例中，将固体多晶硅添加到选自坩埚熔体区38、中间区40及生长区42之间的仅一或两区。在熔化期间，在熔融初始进料时降低盖构件100以覆盖硅进料的至少一部分(例如，通过堵塞热屏蔽件24的中央通道26)。提拉机构22提升及降低盖构件100。

根据本公开的实施例，将盖构件100降低到距离热屏蔽件24的底部58小于30mm内(即，距离底部58下方或上方)，或距离热屏蔽件24的底部58小于20mm、小于10mm或小于5mm。在一些实施例中，降低盖构件100，使得其与热屏蔽件24的底部58对准。在一些实施例中，在熔化期间将盖构件100降低到进料的表面的80mm到100mm以内。

在熔融初始量的硅进料之后，可将次级量的多晶硅添加到坩埚熔体区38(例如，连续添加直到添加整个次级量)。根据本公开的一些实施例，当将此次级的多晶硅添加到熔体区38且使其熔化时，盖构件100覆盖中央通道26。在熔融次级进料之后，由提拉机构22提升盖构件100。在其它实施例中，在添加次级量的多晶硅时不使用盖构件100。

图3中展示盖构件100的实施例。盖构件100包含第一板102及第二板104(其在本文中还可分别称为“下板102”及“上板104”)。每一板102、104具有大体上平行于提拉轴线Y₁₀(图1)的中央轴线。第一板102及第二板104大体上平行。第二板104安置于第一板102上方。

第一板102包含第一环形壁106(图5到6)且第二板104包含第二环形壁108(图9)。现参考图5，第一壁106包含第一凸肩110及第一唇缘111。第二壁108包含第二凸肩112及第二唇缘113。当组装时，第二凸肩112静置于第一凸缘111上且第二唇缘113静置于第一凸肩110上。盖构件室116(图8及11)安置于第一板102与第二板104之间。

隔热层130(图4)安置于形成于第一板102与第二板104之间的室116内。隔热层130具有T₁₃₀的厚度(例如，10mm到约50mm)。隔热层130可压缩于第一板102与第二板104之间。隔热层130可包含若干堆叠隔热层或可为单层。隔热层130可包含形成于其内的开口132。

隔热层130可由毛毡制成。毛毡可由天然或合成纤维组成。毛毡可为净化毛毡(例如，具有30ppm的最大灰分)。隔热层130可大体上由包含合适隔热性质的任何材料组成。

第一板102包含向上突出以连接轴件150的毂145(图4)。第二板包含第二板开口128(图9)。毂145延伸穿过第二板104的开口128且穿过隔热开口132(图12)。毂145包含凸部149(图6)，其中第二板104座落于凸部149上。毂145包含轴件150延伸穿过其毂开口153(图8)。毂开口153具有匹配轴件150的轮廓的轮廓(例如，所说明的实施例中的正方形或矩形或例如圆形的其它形状)。毂145包含具有顶壁157的毂室126。

盖构件100大体上呈具有圆形部分120(图7)的圆形分段(弓形)的形状，圆形部分120包含中心X及圆周122且具有线性边124。具体来说，第一板102及第二板104具有圆形部分的形状，其中沿弦的分段已被移除。第一板102及第二板104包含主长度L₁及次长度L₂。主长度L₁是圆形部分120的直径且次长度L₂从圆周122延伸穿过中心X而到圆形部分120的圆周122。第一板102及第二板104经塑形为圆形分段以允许查看进料/熔体。在其它实施例中，盖构件100完全呈圆形。

在一些实施例中，盖构件100的直径是热屏蔽件24的底部58处的中央通道26的直径的至少0.75倍，或如在其它实施例中，盖构件100的直径是热屏蔽件24的底部58处的中央通道26的直径的至少0.8倍、至少0.9倍、至少0.95倍或至少0.99倍。

在一些实施例中，第一板102及第二板104由石墨制成。石墨可涂覆有碳化硅(SiC)。第一板102及第二板104可由其它合适材料组成。第一板102及第二板104具有防止导致第一板102及第二板104破裂或损坏的热应力的任何合适厚度T₁₀₂、T₁₀₄(图8及11)(例如，3mm到50mm之间的厚度)。

参考图13到14，盖构件100包含支撑盖构件100的轴件150。轴件150可以任何合适耦合布置连接到第一板102及/或第二板104。在所说明的实施例中，轴件150包含细长矩形部分154及套环156。套环156具有小于毂室126(图8)的直径且大于毂开口153的宽度的直径D₁₅₆。第一板102静置于套环156上。隔热层130及第二板104(图4)由第一板102支撑。替代地，轴件150可与第一板102及/或第二板104中的一或两者一体成型。

参考图15到16，提拉机构22包含沿提拉轴线Y₁₀提升及降低的夹头70。夹头70可连接到由驱动电动机提升及降低的提拉线或索37(即，提拉线或索及电动机是提拉机构22的部分)。盖构件100可移除地连接到夹头70。例如，轴件150及夹头70可使用销锁来连接。轴件150包含凹槽158(图13)。轴件150插入到夹头70内的孔72中，使得凹槽158容纳于孔72内。夹头70包含开口74，其大体上垂直于孔72延伸，穿过夹头70且开口到孔72中。销76经插入穿过开口74而到孔72中，使得销76变成与安置于孔72内的轴件150的凹槽158接合。以此方式，轴件150及夹头70耦合。轴件150及夹头70可包含用于将盖构件100耦合到夹头70的任何替代及/或额外特征。

在熔化之后，盖构件100从夹头70断接且种晶75(图1)连接到夹头70。种晶75可包含类似凹槽(图中未展示)，使得晶种75还可耦合及/或解耦合到夹头70。在锭生长过程期间，晶种75由提拉机构22降低到与熔体18接触且接着从熔体18缓慢提升。盖构件100及/或种晶选择性耦合及解耦合到夹头70，使得提拉机构22可用于提升及降低盖构件100及/或种晶75。

与常规晶体提拉系统相比，本公开的实施例的晶体提拉系统具有若干优点。在熔化期间使用至少部分覆盖进料的盖构件发挥作用以减少沿垂直方向的辐射热损耗从而减小坩埚组合件中的热应力。在其中盖构件包含安置于其内的隔热部的本公开的实施例中，可减少通过盖构件的热损耗。在其中盖构件包含隔热部的实施例中，可减小加热器功率且可进一步增加坩埚的寿命。

实例

由以下实例进一步说明本公开的工艺。这些实例不应被视为意在限制。

实例1：在熔化期间使用包含及不包含隔热部的盖构件时的坩埚温度的比较

当类似于图4中所展示的盖构件的盖构件定位于热屏蔽件的底部处时，在初始熔化阶段期间模型化坩埚组合件的内部温度。使用类似于图4的盖构件的另一盖构件，但盖构件不包含隔热部(即，毛毡)。使用由三个坩埚制成的嵌套坩埚组合件。当在外坩埚/侧壁(图17)、中央堰体/中间坩埚(图18)及内堰体/最内坩埚(图19)处确定温度时，包含隔热部的盖构件导致比使用不包含隔热部的盖构件时的坩埚组合件的温度分布低的温度分布。最大温度降低是20℃，其发生于内堰体中(图19)。此温度降低可减少坩埚组合件损坏。

实例2：在熔化期间使用包含及不包含隔热部的盖构件时的功率分布的比较

在类似于图4中所展示的盖构件的盖构件定位于热屏蔽件的底部处时及在使用类似于图4的盖构件的另一盖构件但盖构件不包含隔热部时确定在初始熔融阶段期间供应到坩埚组合件的功率(即，供应到晶体提拉系统的加热器的功率)。使用包含隔热部的盖构件所供应的功率小于使用不包含隔热部的盖构件所供应的功率(图20)。针对不包含隔热部的盖构件所供应的最大功率是5kW，其大于使用包含隔热部的盖构件所供应的最大功率。

如本文中所使用，术语“约”、“大体上”、“基本上”及“大致”在结合尺寸、浓度、温度或其它物理或化学性质或特性的范围使用时意味着涵盖可存在于性质或特性范围的上限及/或下限中的变化，其包含(例如)由舍入、测量方法或其它统计变化导致的变化。

当引入本公开或其实施例的元件时，冠词“一”及“所述”希望意味着存在一或多个元件。术语“包括”、“包含”、“含有”及“具有”希望为包含性的且意味着可存在除所列元件之外的额外元件。使用指示特定定向(例如，“顶部”、“底部”、“侧”等等)的术语是为了便于描述且无需所描述的项目的任何特定定向。

可在不背离本公开的范围的情况下对上述建构及方法作出各种改变，以上描述中所含及附图中所展示的所有事项应被解释为意在说明而非限制。

Claims (26)

1.一种用于从硅熔体生长单晶锭的晶体提拉系统，所述系统具有提拉轴线且包括：

外壳，其界定生长室；

坩埚组合件，其安置于所述生长室内用于容纳所述硅熔体；

热屏蔽件，所述热屏蔽件界定锭在锭生长期间通过其的中央通道；以及

盖构件，其能够在所述热屏蔽件内沿所述提拉轴线移动，所述盖构件包括一或多个隔热层。

2.根据权利要求1所述的晶体提拉系统，其中所述盖构件包括

第一板，其具有平行于所述提拉轴线的第一板轴线；

及第二板，其具有平行于所述提拉轴线的第二板轴线，所述第二板安置于所述第一板上方，所述隔热层安置于所述第一板与所述第二板之间。

3.根据权利要求2所述的晶体提拉系统，其中所述第一板及所述第二板两者都由石墨制成。

4.根据权利要求3所述的晶体提拉系统，其中所述第一板及所述第二板被涂覆碳化硅。

5.根据权利要求1至4中任一权利要求所述的晶体提拉系统，其中所述隔热层由毛毡制成。

6.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的晶体提拉系统，其中所述热屏蔽件具有底部，所述热屏蔽件的所述中央通道在所述热屏蔽件的所述底部处具有直径，所述盖构件具有直径，其中所述盖构件的所述直径是所述热屏蔽件的所述底部处的所述中央通道的所述直径的至少0.75倍、至少0.8倍、至少0.9倍、至少0.95倍或至少0.99倍。

7.根据权利要求1至6中任一权利要求所述的晶体提拉系统，其中所述晶体提拉系统包括提拉机构，所述提拉机构包括夹头，所述提拉机构能够沿所述提拉轴线提升及降低所述夹头，所述盖构件能够可移除地连接到所述夹头。

8.根据权利要求7所述的晶体提拉系统，其中所述夹头能够连接到种晶用于起始锭生长。

9.根据权利要求1至8中任一权利要求所述的晶体提拉系统，其中所述坩埚组合件包括底部、外侧壁及从所述底部向上延伸的内堰体。

10.根据权利要求9所述的晶体提拉系统，其中所述坩埚组合件包括安置于所述外侧壁与所述内堰体之间的中央堰体。

11.根据权利要求10所述的晶体提拉系统，其中所述坩埚组合件包括三个嵌套坩埚。

12.根据权利要求1至11中任一权利要求所述的晶体提拉系统，其进一步包括流体式冷却的圆柱形护套，所述圆柱形护套具有锭在锭生长期间通过其的护套室。

13.一种用于在晶体提拉系统的坩埚中制备硅熔体的方法，所述晶体提拉系统包括界定生长室的外壳、安置于所述生长室内用于容纳所述硅熔体的坩埚组合件及界定锭在锭生长期间通过其的中央通道的热屏蔽件，所述方法包括：

将固体多晶硅的进料添加到所述坩埚组合件；

将盖构件降低通过由所述热屏蔽件界定的所述中央通道以覆盖所述进料的至少一部分；

在所述盖构件覆盖所述进料的一部分时加热所述硅进料以在所述坩埚组合件中产生硅熔体；以及

在形成所述熔体之后提升所述盖构件。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述坩埚组合件包括底部、外侧壁、从所述底部向上延伸的内堰体及安置于所述外侧壁与所述内堰体之间的中央堰体。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述坩埚组合件包括三个嵌套坩埚。

16.根据权利要求14或权利要求15所述的方法，其包括将多晶硅添加到安置于所述外侧壁与所述中央堰体之间的坩埚熔体区，所述硅熔体流动通过中央堰体开口而到安置于所述中央堰体与所述内堰体之间的中间区，所述硅熔体流动通过内堰体开口而到安置于所述内堰体内的生长区，所述盖构件在将多晶硅添加到所述坩埚熔体区时覆盖所述硅熔体的至少一部分。

17.根据权利要求13至14中任一权利要求所述的方法，其中所述热屏蔽件具有底部，所述热屏蔽件的所述中央通道在所述热屏蔽件的所述底部处具有直径，所述盖构件具有直径，其中所述盖构件的所述直径是所述热屏蔽件的所述底部处的所述中央通道的所述直径的至少0.75倍、至少0.8倍、至少0.9倍、至少0.95倍或至少0.99倍。

18.根据权利要求13至17中任一权利要求所述的方法，其中将所述盖构件降低到距离所述热屏蔽件的底部小于30mm内，或距离所述热屏蔽件的底部小于20mm、小于10mm或小于5mm内。

19.根据权利要求13至17中任一权利要求所述的方法，其中将所述盖构件降低到所述热屏蔽件的底部。

20.根据权利要求13至19中任一权利要求所述的方法，其中所述盖构件包含隔热层。

21.根据权利要求13至20中任一权利要求所述的方法，其中所述盖构件包含碳化硅涂覆的石墨板。

22.根据权利要求21所述的方法，其中所述碳化硅涂覆的石墨板是第一碳化硅涂覆的石墨板，所述盖构件进一步包括：

第二碳化硅涂覆的石墨板，其安置于所述第一碳化硅涂覆的石墨板上方；及

隔热层，其安置于所述第一碳化硅涂覆的石墨板与所述第二碳化硅涂覆的石墨板之间。

23.一种用于形成单晶硅锭的方法，其包括：

通过根据权利要求13至22中任一权利要求所述的方法来在晶体提拉系统的坩埚中制备硅熔体；及

在提升所述盖构件之后降低种晶以接触所述熔体。

24.根据权利要求23所述的方法，其中所述坩埚组合件包括底部、外侧壁、从所述底部向上延伸的内堰体及安置于所述外侧壁与所述内堰体之间的中央堰体，所述方法包括将多晶硅添加到安置于所述外侧壁与所述中央堰体之间的坩埚熔体区，所述硅熔体流动通过中央堰体开口而到安置于所述中央堰体与所述内堰体之间的中间区，所述硅熔体流动通过内堰体开口而到安置于所述内堰体内的生长区，所述盖构件在将多晶硅添加到所述坩埚熔体区时覆盖所述硅熔体的至少一部分。

25.根据权利要求23或权利要求24所述的方法，其中由包括夹头的提拉机构提升及降低所述盖构件及所述种晶，所述方法包括：

在提升所述盖构件之后使所述盖构件从所述夹头断接；及

在使所述盖构件从所述夹头断接之后将所述种晶连接到所述夹头。

26.一种用于从硅熔体生长单晶锭的晶体提拉系统，所述系统具有提拉轴线且包括：

外壳，其界定生长室；

坩埚组合件，其安置于所述生长室内用于容纳所述硅熔体；

热屏蔽件，所述热屏蔽件界定锭在锭生长期间通过其的中央通道；以及

盖构件，其能够在所述热屏蔽件内沿所述提拉轴线移动，所述盖构件包括：

第一板，其具有平行于所述提拉轴线的第一板轴线；

第二板，其具有平行于所述提拉轴线的第二板轴线，所述第二板安置于所述第一板上方。

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