CN116323750A - 临时固定用膜、临时固定用层叠体及半导体装置的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种用于临时固定半导体部件和支承部件的临时固定用膜。该临时固定用膜含有固化性树脂成分。该临时固定用膜的固化后的270℃的储能模量为1.5~20MPa。该临时固定用膜的固化后的25℃的储能模量为1.5~150MP a。
Description
技术领域
本发明涉及一种临时固定用膜、临时固定用层叠体及半导体装置的制造方法。
背景技术
在半导体装置的领域中,近年来,与将多个半导体元件层叠而成的被称为SIP(System in Package:系统级封装)的封装体相关的技术显著发展。在SIP型封装体中层叠有多个半导体元件,因此要求半导体元件的厚度薄化。根据该要求,对于半导体元件,在半导体部件(例如,半导体晶圆)上安装集成电路之后,例如实施磨削半导体部件的背面的厚度薄化、切割半导体晶圆的个体化等加工处理。关于这些半导体部件的加工处理,通常通过临时固定材料层,将半导体部件临时固定于支承部件上来进行(例如,参考专利文献1~专利文献3。)。
实施了加工处理的半导体部件介由临时固定材料层与支承部件牢固地固定。因此,在半导体装置的制造方法中,要求能够在防止半导体部件的损坏等的同时,将加工处理后的半导体部件从支承部件分离。在专利文献1中,作为将这种半导体部件进行分离的方法,公开有一边加热临时固定材料层一边进行物理分离的方法。并且,在专利文献2、专利文献3中,公开有通过向临时固定材料层照射激光束(相干光)来分离半导体部件的方法。
以往技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2012-126803号公报
专利文献2:日本特开2016-138182号公报
专利文献3:日本特开2013-033814号公报
发明内容
发明要解决的技术课题
在分离上述半导体部件的方法中,当临时固定半导体部件时,有时会发生临时固定材料层中的树脂成分向半导体部件爬升,并且由临时固定材料层中的树脂成分产生的半导体部件的表面凹凸的嵌入性不充分等不良情况。若发生这种不良情况,则具有保护半导体部件的密封材料未被充分填充,并且密封材料侵入半导体部件的表面等的顾虑。此外,在分离上述半导体部件的方法中,在分离半导体部件和支承部件之后,临时固定材料层可能作为残渣附着在半导体部件上。这种附着的残渣能够通过例如剥离等进行剥离,但是此时残渣的一部分有时作为剥离残渣而残留于半导体部件上。如果导致剥离残渣残留于半导体部件上,则具有产率降低的顾虑。
因此,本发明的主要目的在于提供一种能够形成能够充分抑制临时固定半导体部件时的不良情况并且能够充分降低半导体部件和支承部件分离之后的剥离残渣的临时固定材料层的临时固定用膜。
用于解决技术课题的手段
本发明的一侧面涉及一种临时固定用膜。该临时固定用膜用于临时固定半导体部件和支承部件。该临时固定用膜含有固化性树脂成分。临时固定用膜的固化后的270℃的储能模量为1.5~20MPa。根据由临时固定用膜的固化后的270℃的储能模量在这种范围内的(尤其为1.5MPa以上)临时固定用膜形成的临时固定材料层,能够充分抑制临时固定半导体部件时的不良情况。并且,临时固定用膜的固化后的25℃的储能模量为1.5~150MPa。根据由临时固定用膜的固化后的25℃的储能模量在这种范围内的临时固定用膜形成的临时固定材料层,能够充分降低半导体部件和支承部件分离之后的剥离残渣。
固化性树脂成分可以包含热塑性树脂及热固性树脂。该情况下,热塑性树脂可以为具有源自苯乙烯的单体单元的烃树脂。关于源自苯乙烯的单体单元的含量,以烃树脂的总量为基准可以为10~22.5质量%,以固化性树脂成分的总量为基准可以为7~16质量%。
以热塑性树脂的总量为基准,烃树脂的含量可以为50质量%以上。
本发明的另一方面涉及一种临时固定用层叠体。该临时固定用层叠体依次具备支承部件、光吸收层及由上述临时固定用膜形成的临时固定材料层。
本发明的另一方面涉及一种半导体装置的制造方法。该半导体装置的制造方法具备:准备上述临时固定用层叠体的工序;将半导体部件介由临时固定材料层临时固定于支承部件上的工序;对临时固定于支承部件上的半导体部件进行加工的工序;及从支承部件侧向临时固定用层叠体照射光,将半导体部件从支承部件分离的工序。
光可以为非相干光。非相干光可以为至少包含红外光的光。
光的光源可以为氙灯。
发明效果
根据本发明,可提供一种能够形成能够充分抑制临时固定半导体部件时的不良情况并且能够充分降低半导体部件和支承部件分离之后的剥离残渣的临时固定材料层的临时固定用膜。并且,根据本发明,可提供一种使用这种临时固定用膜的临时固定用层叠体及半导体装置的制造方法。
附图说明
图1是表示临时固定用膜的一实施方式的示意剖视图。
图2是表示临时固定用层叠体的一实施方式的示意剖视图。
图3中,图3(a)及图3(b)是表示半导体装置的制造方法的一实施方式的示意剖视图。
图4中,图4(a)、图4(b)及图4(c)是表示半导体装置的制造方法的一实施方式的示意剖视图。
图5中,图5(a)及图5(b)是表示半导体装置的制造方法的一实施方式的示意剖视图。
具体实施方式
以下,适当参考附图并对本发明的实施方式进行说明。但是,本发明并不限定于以下实施方式。在以下实施方式中,除非另有指示,则其构成要件(也包括步骤等)不是必须的。各图中的构成要件的大小是概念性的,构成要件之间的大小的相对关系并不限定于各图所示的构成要件的大小。
对本说明书中的数值及其范围也相同,并不限制本发明。在本说明书中,使用“~”所表示的数值范围表示包含“~”前后中所记载的数值分别作为最小值及最大值的范围。在本说明书中阶段性地记载的数值范围中,一个数值范围中所记载的上限值或下限值可以替换为其他阶段性记载的数值范围的上限值或下限值。并且,在本说明书中所记载的数值范围中,其数值范围的上限值或下限值可以替换为实施例所示的值。并且,个别记载的上限值及下限值能够任意组合。并且,“A或B”包括A及B中的任一个即可,也可以包括两者。并且,以下例示的材料只要没有特别说明,则可以单独使用1种,也可以将2种以上组合使用。关于组合物中的各成分的含量,组合物中存在多种相当于各成分的物质的情况下,只要没有特别说明,则是指存在于组合物中的该多种物质的合计量。
在本说明书中,(甲基)丙烯酸表示丙烯酸或与其对应的甲基丙烯酸。对(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酰基等其他类似表述也相同。
[临时固定用膜]
图1是表示临时固定用膜的一实施方式的示意剖视图。图1所示的临时固定用膜10用于临时固定半导体部件和支承部件。更具体而言,在半导体装置的制造中,临时固定用膜10用于形成在对半导体部件进行加工期间用于将半导体部件临时固定于支承部件上的层(临时固定材料层)。临时固定用膜10为含有固化性树脂成分的膜,可以为由固化性树脂成分形成的膜。
固化性树脂成分可以为通过热或光而固化的固化性树脂成分。固化性树脂成分可以为通过热固化的固化性树脂成分,例如也可以为包含热塑性树脂及热固性树脂的固化性树脂成分。
热塑性树脂可以为具有热塑性的树脂或至少在未固化状态下具有热塑性且在加热后形成交联结构的树脂。作为热塑性树脂,例如可以举出烃树脂、聚碳酸酯、聚苯硫醚、聚醚砜、聚醚酰亚胺、聚酰亚胺、石油树脂、酚醛清漆树脂等。这些可以单独使用一种或组合使用两种以上。这些之中,热塑性树脂可以为烃树脂。
烃树脂为主骨架由烃构成的树脂。作为这种烃树脂,例如可以举出乙烯-丙烯共聚物、乙烯-1-丁烯共聚物、乙烯-丙烯-1-丁烯共聚物弹性体、乙烯-1-己烯共聚物、乙烯-1-辛烯共聚物、乙烯-苯乙烯共聚物、乙烯-降冰片烯共聚物、丙烯-1-丁烯共聚物、乙烯-丙烯-非共轭二烯共聚物、乙烯-1-丁烯-非共轭二烯共聚物、乙烯-丙烯-1-丁烯-非共轭二烯共聚物、聚异戊二烯、聚丁二烯、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SBS)、苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SIS)、苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEBS)、苯乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEPS)等。这些烃树脂可以实施氢化处理。并且,这些烃树脂可以通过马来酸酐等进行羧基改性。这些之中,烃树脂可以包含具有源自苯乙烯的单体单元的烃树脂(即,苯乙烯类树脂),也可以为具有源自苯乙烯的单体单元的烃树脂(即,苯乙烯类树脂)。更具体而言,烃树脂可以包含苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEBS),也可以为苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEBS)。
以热塑性树脂的总量为基准,烃树脂(或苯乙烯类树脂)的含量可以为50质量%以上、70质量%以上或90质量%以上。以热塑性树脂的总量为基准,烃树脂(或苯乙烯类树脂)的含量可以为100质量%以下。若烃树脂(或苯乙烯类树脂)的含量在这种范围内,则存在容易在所期望的范围内调整临时固定用膜的储能模量的倾向,并且存在可显著地发挥本发明的效果的倾向。热塑性树脂可以由烃树脂(或苯乙烯类树脂)构成。
以烃树脂的总量为基准,苯乙烯类树脂(或SEBS)的含量可以为50质量%以上、70质量%以上或90质量%以上。以烃树脂的总量为基准,苯乙烯类树脂(或SEBS)的含量可以为100质量%以下。若苯乙烯类树脂(或SEBS)的含量在这种范围内,则存在容易在所期望的范围内调整临时固定用膜的储能模量的倾向,并且存在可显著地发挥本发明的效果的倾向。烃树脂可以由苯乙烯类树脂(或SEBS)构成。
当烃树脂包含苯乙烯类树脂的情况下,以烃树脂(或热塑性树脂)的总量为基准,源自苯乙烯的单体单元的含量可以为10~22.5质量%。若源自苯乙烯的单体单元的含量在这种范围内,则存在容易在所期望的范围内调整临时固定用膜的储能模量的倾向,并且存在可显著地发挥本发明的效果的倾向。另外,当组合2种以上苯乙烯类树脂而使用的情况下,源自苯乙烯的单体单元的含量是指2种以上的苯乙烯类树脂中的源自苯乙烯的单体单元的含量的合计。以烃树脂(或热塑性树脂)的总量为基准,源自苯乙烯的单体单元的含量可以为11质量%以上、12质量%以上或13质量%以上,也可以为22质量%以下或21.5质量%以下。
当固化性树脂成分包含苯乙烯类树脂作为热塑性树脂(烃树脂)的情况下,以固化性树脂成分的总量为基准,源自苯乙烯的单体单元的含量可以为7~16质量%。若源自苯乙烯的单体单元的含量在这种范围内,则存在容易在所期望的范围内调整临时固定用膜的储能模量的倾向,并且存在可显著地发挥本发明的效果的倾向。另外,当组合2种以上苯乙烯类树脂而使用的情况下,源自苯乙烯的单体单元的含量是指2种以上的苯乙烯类树脂中的源自苯乙烯的单体单元的含量的合计。以固化性树脂成分的总量为基准,源自苯乙烯的单体单元的含量可以为7.5质量%以上、8质量%以上或9质量%以上,也可以为15.5质量%以下或15质量%以下。
热塑性树脂的Tg可以为-100~500℃、-50~300℃或-50~50℃。存在如下倾向:若热塑性树脂的Tg为500℃以下,则在形成膜状的临时固定材料时,容易确保柔软性,从而能够提高低温贴附性。存在如下倾向:若热塑性树脂的Tg为-100℃以上,则在形成膜状的临时固定材料时,能够抑制由于柔软性过高而引起的处理性及剥离性的降低。
热塑性树脂的Tg为通过差示扫描量热法(DSC)所获得的中间点玻璃化转变温度。具体而言,热塑性树脂的Tg为在升温速度10℃/分钟且测定温度-80~80℃的条件下测定热量变化,并通过基于JIS K 7121的方法计算出的中间点玻璃化转变温度。
热塑性树脂的重均分子量(Mw)可以为1万~500万或10万~200万。存在如下倾向:若重均分子量为1万以上,则容易确保所形成的临时固定材料层的耐热性。存在如下倾向:若重均分子量为500万以下,则在形成膜状的临时固定材料层或树脂层时,容易抑制流动性的降低及贴附性的降低。另外,重均分子量为利用凝胶渗透色谱法(GPC)并使用了基于标准聚苯乙烯的校准曲线的聚苯乙烯换算值。
热塑性树脂的含量例如相对于固化性树脂成分的总量100质量份可以为40~90质量份。热塑性树脂的含量例如相对于固化性树脂成分的总量100质量份可以为50质量份以上或60质量份以上,也可以为85质量份以下或80质量份以下。存在如下倾向:若热塑性树脂的含量在这种范围内,则临时固定材料层的薄膜形成性及平坦性更加优异。
热固性树脂为通过热显示固化性的树脂,并且为不包含上述热塑性树脂(烃树脂)的概念。作为热固性树脂,例如可以举出环氧树脂、丙烯酸树脂、硅酮树脂、酚醛树脂、热固化型聚酰亚胺树脂、聚氨酯树脂、三聚氰胺树脂、脲醛树脂等。这些可以单独使用一种或组合使用两种以上。这些之中,热固性树脂的耐热性、作业性及可靠性更加优异,因此可以为环氧树脂。
环氧树脂只要为固化而具有耐热作用的环氧树脂,则并无特别限定。作为环氧树脂,例如可以举出双酚A型环氧等2官能环氧树脂、苯酚酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂等酚醛清漆型环氧树脂、二环戊二烯型环氧树脂等脂环式环氧树脂等。并且,环氧树脂例如可以为多官能环氧树脂、缩水甘油基胺型环氧树脂或含杂环的环氧树脂。这些之中,从耐热性及耐候性的观点考虑,环氧树脂可以包含脂环式环氧树脂。
当作为热固性树脂使用环氧树脂的情况下,热固性树脂可以为环氧树脂与环氧树脂固化剂的组合。环氧树脂固化剂能够使用通常使用的公知的固化剂。作为环氧树脂固化剂,例如可以举出胺、聚酰胺、酸酐、多硫化物、三氟化硼、双酚(双酚A、双酚F、双酚S等)、双酚树脂(苯酚酚醛清漆树脂、双酚A型酚醛清漆树脂、甲酚酚醛清漆树脂、酚醛芳烷基树脂等)等。
热固性树脂的含量例如相对于固化性树脂成分的总量100质量份可以为10~60质量份。热固性树脂的含量例如相对于固化性树脂成分的总量100质量份可以为15质量份以上或20质量份以上,也可以为50质量份以下或40质量份以下。存在如下倾向:若热固性树脂的含量在这种范围内,则临时固定材料层的薄膜形成性及平坦性更加优异。
固化性树脂成分可以进一步包含促进环氧树脂等热固性树脂的固化反应的固化促进剂。作为固化促进剂,例如可以举出咪唑衍生物、二氰二胺衍生物、二羧酸二酰肼、三苯基膦、四苯基硼酸四苯基鏻、2-乙基-4-甲基咪唑-四苯基硼酸、1,8-二氮杂双环[5,4,0]十一碳-7-四苯基硼酸等。这些可以单独使用一种或组合使用两种以上。
固化促进剂的含量相对于热固性树脂的总量100质量份可以为0.01~5质量份。若固化促进剂的含量在这种范围内,则存在固化性树脂成分的固化性及固化后的耐热性更优异的倾向。从容易在规定范围内调整270℃的储能模量及25℃的储能模量的观点考虑,固化促进剂的含量相对于热固性树脂的总量100质量份可以为1.0质量份以上、1.2质量份以上或1.5质量份以上,也可以为3.0质量份以下、2.5质量份以下或2.0质量份以下。
固化性树脂成分还可以包含聚合性单体及聚合引发剂。聚合性单体只要为通过加热或紫外光等照射而聚合的聚合性单体,则并无特别限制。从材料的选择性及容易获得的观点考虑,聚合性单体例如可以为乙烯性不饱和基等具有聚合性官能团的化合物。作为聚合性单体,例如可以举出(甲基)丙烯酸酯、二氟亚乙烯、乙烯基醚、乙烯基酯、乙烯基吡啶、乙烯基酰胺、乙烯基芳基化等。这些之中,聚合性单体可以为(甲基)丙烯酸酯。(甲基)丙烯酸酯可以为单官能(1官能)、2官能或3官能以上中的任一个,但是从获得充分的固化性的观点考虑,也可以为2官能以上的(甲基)丙烯酸酯。
作为单官能(甲基)丙烯酸酯,例如可以举出(甲基)丙烯酸;(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸丁氧基乙酯、(甲基)丙烯酸异戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛基庚酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸3-氯-2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丁酯、甲氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、乙氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、乙氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、单(2-(甲基)丙烯酰氧基乙基)琥珀酸酯(succinate)等脂肪族(甲基)丙烯酸酯;(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸苯酯、(甲基)丙烯酸邻联苯酯、(甲基)丙烯酸1-萘酯、(甲基)丙烯酸2-萘酯、(甲基)丙烯酸苯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸对-异丙苯基苯氧基(Cumylphenoxy)乙酯、(甲基)丙烯酸邻苯基苯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸1-萘氧基乙酯、(甲基)丙烯酸2-萘氧基乙酯、苯氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、壬基苯氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、苯氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸2-羟基-3-苯氧基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基-3-(邻苯基苯氧基)丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基-3-(1-萘氧基)丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基-3-(2-萘氧基)丙酯等芳香族(甲基)丙烯酸酯等。
作为2官能(甲基)丙烯酸酯,例如可以举出乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、四丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,3-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、3-甲基-1,5-戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、2-丁基-2-乙基-1,3-丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,9-壬二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,10-癸二醇二(甲基)丙烯酸酯、甘油二(甲基)丙烯酸酯、三环癸烷二甲醇(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化2-甲基-1,3-丙二醇二(甲基)丙烯酸酯等脂肪族(甲基)丙烯酸酯;乙氧基化双酚A型二(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化双酚A型二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化双酚A型二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化双酚F型二(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化双酚F型二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化双酚F型二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化芴型二(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化芴型二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化芴型二(甲基)丙烯酸酯等芳香族(甲基)丙烯酸酯等。
作为3官能以上的多官能(甲基)丙烯酸酯,例如可以举出三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二三羟甲基丙烷四丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等脂肪族(甲基)丙烯酸酯;苯酚酚醛清漆型环氧(甲基)丙烯酸酯、甲酚酚醛清漆型环氧(甲基)丙烯酸酯等芳香族环氧(甲基)丙烯酸酯等。
这些(甲基)丙烯酸酯可以单独使用一种或组合使用两种以上。进而,可以将这些(甲基)丙烯酸酯与其他聚合性单体组合使用。
聚合性单体的含量相对于固化性树脂成分的总量100质量份可以为0~50质量份。
聚合引发剂只要为通过加热或紫外光等照射而开始聚合的聚合引发剂,则并无特别限制。例如,在使用具有乙烯性不饱和基的化合物作为聚合性单体的情况下,聚合性引发剂可以为热自由基聚合引发剂或光自由基聚合引发剂。
作为热自由基聚合引发剂,例如可以举出辛酰基过氧化物、月桂基过氧化物、十八烷基过氧化物、苯甲酰过氧化物等二酰基过氧化物;叔丁基过氧基季戊酸酯、叔己基过氧基季戊酸酯、1,1,3,3-四甲基丁基过氧基-2-乙基己酸酯、2,5-二甲基-2,5-双(2-乙基己醇过氧化基)己烷、叔己基过氧基-2-乙基己酸酯、叔丁基过氧基-2-乙基己酸酯、过氧化异丁酸叔丁酯、过氧化异丙基单碳酸叔己酯、叔丁基过氧基-3,5,5-三甲基己酸酯、叔丁基过氧基月桂酸酯、过氧化异丙基单碳酸叔丁酯、叔丁基过氧基-2-乙基己基碳酸酯、过氧苯甲酸叔丁酯、过氧苯甲酸叔己酯、2,5-二甲基-2,5-双(苯甲酰过氧化)己烷、过氧乙酸叔丁酯等过氧化酯;2,2’-偶氮二异丁晴、2,2’-偶氮双(2,4-二甲基戊腈)、2,2’-偶氮双(4-甲氧基-2’-二甲基戊腈)等偶氮化合物等。
作为光自由基聚合引发剂,例如可以举出2,2-二甲氧基-1,2-二苯乙烷-1-酮等苯偶姻缩酮;1-羟基环己基苯基酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、1-[4-(2-羟基乙氧基)苯基]-2-羟基-2-甲基-1-丙烷-1-酮等α-羟基酮;双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)苯膦氧化物、双(2,6-二甲氧基苯甲酰基)-2,4,4-三甲基戊基膦氧化物、2,4,6-三甲基苯甲酰基二苯膦氧化物等膦氧化物等。
这些热自由基聚合引发剂及光自由基聚合引发剂可以单独使用一种或组合使用两种以上。
聚合引发剂的含量相对于聚合性单体的总量100质量份可以为0.01~5质量份。
固化性树脂成分还可以包含绝缘性填料、增感剂、抗氧化剂等作为其他成分。
为了对临时固定材料层赋予低热膨胀性、低吸湿性等,可以添加绝缘性填料。作为绝缘性填料,例如可以举出二氧化硅、氧化铝、氮化硼、二氧化钛、玻璃、陶瓷等非金属无机填料等。这些绝缘性填料可以单独使用一种或组合使用两种以上。从与溶剂的分散性的观点考虑,绝缘性填料可以为用表面处理剂对其表面进行处理的粒子。表面处理剂例如可以为硅烷偶联剂。
绝缘性填料的含量相对于固化性树脂成分的总量100质量份可以为0.1~20质量份。存在如下倾向:若绝缘性填料的含量在这种范围内,则能够在不妨碍光透射的情况下进一步提高耐热性。并且,若绝缘性填料的含量在这种范围内,则也有可能对轻剥离性有贡献。
增感剂的含量相对于固化性树脂成分的总量100质量份可以为0.01~10质量份。存在如下倾向:若增感剂的含量在这种范围内,则对固化性树脂成分的特性及薄膜性的影响少。
作为抗氧化剂,例如可以举出苯醌、氢醌等醌衍生物、4-甲氧基酚醛、4-叔丁基邻苯二酚等酚醛衍生物(受阻酚衍生物)、2,2,6,6-四甲基哌啶-1-氧基、4-羟基-2,2,6,6-四甲基哌啶-1-氧基等氨氧基衍生物、四甲基哌啶基甲基丙烯酸酯等受阻胺衍生物等。
抗氧化剂的含量相对于固化性树脂成分的总量100质量份可以为0.1~10质量份。存在如下倾向:若抗氧化剂的含量在这种范围内,则抑制固化性树脂成分的分解,能够防止污染。
从应力松弛的观点考虑,临时固定用膜10的厚度例如可以为0.1~200μm、1~150μm或10~100μm。
临时固定用膜的100℃的剪切粘度例如可以为1000Pa·s以上、2000Pa·s以上或3000Pa·s以上,也可以为80000Pa·s以下、60000Pa·s以下、40000Pa·s以下或30000Pa·s以下。若100℃的剪切粘度在这种范围内,则能够更充分抑制临时固定半导体部件时的不良情况(尤其,将半导体部件配置于临时固定材料层上时的临时固定材料层中的树脂成分向半导体部件的爬升量)。另外,在本说明书中,临时固定用膜的100℃的剪切粘度是指通过实施例中所记载的方法测定的值。即,在剪切粘度的测定中,准备厚度500μm的临时固定用膜,使用ARES(TA Instruments Japan Inc.制)来测定剪切粘度。测定样品通过冲孔成直径9mmφ来制作。通过对测定样品赋予5%的应变的同时以5℃/分钟的升温速度升温来进行测定。此时,将在100℃下观测的值作为100℃的剪切粘度。
临时固定用膜的100℃的剪切粘度例如能够通过增加热塑性树脂(烃树脂)的含量、适用具有高的Tg的热塑性树脂(烃树脂)等的方法来增加。
临时固定用膜的固化后的270℃的储能模量为1.5~20MPa。若固化后的270℃的储能模量在这种范围内(尤其为1.5MPa以上),则能够充分抑制临时固定半导体部件时的不良情况(尤其,将半导体部件配置于临时固定材料层上时的临时固定材料层中的树脂成分爬上半导体部件)。临时固定用膜的固化后的270℃的储能模量可以为1.6MPa以上或1.8MPa以上,也可以为15MPa以下、10MPa以下、8MPa以下、5MPa以下或3MPa以下。另外,在本说明书中,临时固定用膜的固化后的各温度的储能模量是指通过实施例中所记载的方法进行固化并且通过实施例中所记载的方法来测定的值。即,在储能模量的测定中,准备厚度500μm的临时固定用膜,将临时固定用膜切成规定尺寸(纵(夹头间距离)20mm×横5.0mm),在清洁烘箱(ESPEC Corp.制)中在180℃、2小时的条件下进行热固化,由此获得临时固定用膜的固化物即测定样品。临时固定用膜的固化后的270℃及25℃的储能模量(临时固定用膜的固化物中的270℃及25℃的储能模量)在以下条件下进行测定。
装置名:动态黏弹性测定装置(TA Instruments.制、RSA-G2)
测定温度区域:-70~300℃
升温速度:5℃/分钟
频率:1Hz
测定模式:拉伸模式
临时固定用膜的固化后的25℃的储能模量为1.5~150MPa。若固化后的25℃的储能模量在这种范围内,则能够充分降低半导体部件和支承部件分离之后的剥离残渣。若临时固定用膜的固化后的25℃的储能模量为1.5MPa以上,则存在可获得充分的剥离强度的倾向。临时固定用膜的固化后的25℃的储能模量可以为3MPa以上、5MPa以上、10MPa以上、12MPa以上、15MPa以上、20MPa以上、25MPa以上、30MPa以上、35MPa以上、40MPa以上、45MPa以上、50MPa以上或52MPa以上,也可以为140MPa以下、120MPa以下、110MPa以下、100MPa以下或90MPa以下。
临时固定用膜的固化后的270℃及25℃的储能模量例如能够通过增加热塑性树脂(烃树脂)的含量、适用具有高的Tg的热塑性树脂(烃树脂)、将绝缘性填料添加到固化性树脂成分等的方法来增加。
[临时固定用膜的制造方法]
临时固定用膜10中,例如,首先通过在溶剂中对构成上述固化性树脂成分的成分进行搅拌混合、捏合等以使上述固化性树脂成分溶解或分散,从而制备固化性树脂成分的清漆。之后,使用刮刀涂布机、辊涂机、敷贴器、缺角轮涂布机、模涂布机等将固化性树脂成分的清漆涂布于实施了脱模处理的支承膜上之后,通过加热使溶剂挥发,从而在支承膜上形成由固化性树脂成分形成的临时固定用膜。此时,能够通过调整固化性树脂成分的清漆的涂布量来调整临时固定用膜的厚度。
在固化性树脂成分的清漆的制备中所使用的溶剂只要具有可以均匀地溶解或分散各成分的特性,则并无特别限制。作为这种溶剂,例如可以举出甲苯、二甲苯、均三甲苯、异丙苯、对异丙基甲苯等芳香族烃;己烷、庚烷等脂肪族烃;甲基环己烷等环状烷;四氢呋喃、1,4-二噁烷等环状醚;丙酮、甲基乙基酮、甲基异丁基酮、环己酮、4-羟基-4-甲基-2-戊酮等酮;乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、γ-丁内酯等酯;碳酸乙烯酯、碳酸丙烯酯等炭酸酯;N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基-2-吡咯烷酮等酰胺等。这些溶剂可以单独使用一种或组合使用两种以上。这些之中,从溶解性及沸点的观点考虑,溶剂可以为甲苯、二甲苯、庚烷或环己酮。以清漆的总质量为基准,清漆中的固体成分浓度可以为10~80质量%。
制备固化性树脂成分的清漆时的搅拌混合或捏合例如能够使用搅拌机、压碎机、三根辊、球磨机、珠磨机、匀相分散机等来进行。
作为支承膜,例如可以举出聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚对苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯;聚乙烯、聚丙烯等聚烯烃;聚碳酸酯、聚酰胺、聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚醚硫醚、聚醚砜、聚醚酮、聚苯醚、聚苯硫醚、聚(甲基)丙烯酸酯、聚砜、液晶聚合物的膜等。支承膜的厚度例如可以为1~250μm。
关于使溶剂从涂布于支承膜上的固化性树脂成分的清漆中挥发时的加热条件,能够根据所使用的溶剂等适当设定。加热条件例如可以为40~120℃且0.1~30分钟。
[临时固定用层叠体]
图2是表示临时固定用层叠体的一实施方式的示意剖视图。图2中所示的临时固定用层叠体20依次具备支承部件22、光吸收层12及由临时固定用膜10形成的临时固定材料层10A。临时固定材料层10A具有临时固定材料层10A的与光吸收层12相反的一侧的表面S。
支承部件22为具有高透射率且可以承受半导体部件在加工时所接收的负载的板状体。作为支承部件22,例如可以举出无机玻璃基板、透明树脂基板等。
支承部件22的厚度例如可以为0.1~2.0mm。存在如下倾向:若支承部件22的厚度为0.1mm以上,则容易操作。存在如下倾向:若支承部件22的厚度为2.0mm以下,则能够抑制材料成本。
光吸收层12为吸收光而产生热的层。光吸收层12例如可以为包含吸收光而产生热的导电体的导电体层。作为构成导电体层的导电体,例如可举出金属、金属氧化物、导电性碳材料等。金属可以为铬、铜、钛、银、铂、金等单体金属,也可以为镍-铬、不锈钢、铜-锌等合金等。作为金属氧化物,例如可举出氧化铟锡(ITO)、氧化锌、氧化铌等。这些可以单独使用一种或组合使用两种以上。导电体可以为铬、钛或导电性碳材料。
光吸收层12可以为单层或由多层形成的金属层,例如也可以为由铜层及钛层形成的金属层。
当光吸收层12为单层的金属层的情况下,光吸收层12可以包含选自由铊(Ta)、铂(Pt)、镍(Ni)、钛(Ti)、钨(W)、铬(Cr)、铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)及金(Au)组成的组中的至少1种金属。
光吸收层12由第一层及第二层这2层构成,也可以从支承部件22侧依次层叠第一层及第二层。该情况下,例如第一层具有高的光吸收性且第二层具有高的热膨胀系数及高的弹性模量,则存在容易获得良好的剥离性的倾向。从该观点考虑,光吸收层12的第一层可以包含选自由铊(Ta)、铂(Pt)、镍(Ni)、钛(Ti)、钨(W)及铬(Cr)组成的组中的至少1种金属,光吸收层12的第二层可以包含选自由铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)及金(Au)组成的组中的至少1种金属。
从轻剥离性的观点考虑,光吸收层12的厚度可以为1~5000nm、100~3000nm或50~300nm。当光吸收层12为单层或由多层形成的金属层的情况下,从良好的剥离性的观点考虑,光吸收层12(或金属层)的厚度可以为75nm以上、90nm以上或100nm以上,也可以为1000nm以下、800nm以下、500nm以下或300nm以下。当光吸收层12为单层的金属层的情况下,从良好的剥离性的观点考虑,光吸收层12(或金属层)的厚度可以为100nm以上、125nm以上、150nm以上或200nm以上,也可以为1000nm以下、800nm以下或500nm以下。
临时固定材料层10A为由临时固定用膜10形成的层。从应力松弛的观点考虑,临时固定材料层10A的厚度例如可以为0.1~200μm、1~150μm或10~100μm。
临时固定用层叠体20的制造方法只要可以获得具有规定结构的层叠体,则并无特别限制。临时固定用层叠体20例如也能够通过包括如下工序的方法来获得:在支承部件22上形成光吸收层12的工序;及在所形成的光吸收层12上贴附上述临时固定用膜10的工序。
光吸收层12能够通过在支承部件22上利用真空蒸镀、溅射等物理气相沉积(PVD)、电浆化学蒸镀等化学气相沉积(CVD)方法形成金属层来获得。并且,光吸收层12也能够通过在支承部件22上利用电解镀敷或无电解镀敷方法形成镀敷层来获得。根据物理气相沉积,即使支承部件22具有较大的面积,也能够有效地形成作为包覆支承部件22的表面的光吸收层12的金属层。
作为在光吸收层12上贴附上述临时固定用膜10的方法,例如可以举出热压、辊式层压、真空层压等方法。层压例如能够在0~120℃的温度条件下进行。
[半导体装置的制造方法]
一实施方式的半导体装置的制造方法具备:准备上述临时固定用层叠体的工序(准备工序);将半导体部件介由临时固定材料层临时固定于支承部件上的工序(临时固定工序);对临时固定于支承部件上的半导体部件进行加工的工序(加工工序);及从支承部件侧向临时固定用层叠体照射光,将半导体部件从支承部件分离的工序(分离工序)。
(准备工序)
在准备工序中,为了制造半导体装置,准备在对半导体部件进行加工期间用于将半导体部件临时固定于支承部件上的上述临时固定用层叠体20。
(临时固定工序)
图3(a)及图3(b)是表示半导体装置的制造方法的一实施方式的示意剖视图。在临时固定工序中,半导体部件40介由临时固定材料层10A临时固定于支承部件22上。临时固定材料层10A具有临时固定材料层10A的与光吸收层12相反的一侧的表面S。在临时固定工序中,例如以在临时固定材料层10A上配置有半导体部件40的状态(参考图3(a))使临时固定材料层10A(临时固定用膜10)固化,由此能够将半导体部件40临时固定于支承部件22(参考图3(b))。换言之,半导体部件40能够介由包含临时固定用膜10的固化物(固化性树脂成分的固化物)的临时固定材料层10Ac临时黏合于支承部件22。如此,形成具备临时固定用层叠体20c及设置于临时固定用层叠体20c上的半导体部件40的层叠体30。
半导体部件40可以具有半导体基板42及再配线层44。在半导体部件40具有半导体基板42及再配线层44的情况下,半导体部件40在再配线层位于临时固定材料层10A侧的方向上介由临时固定材料层10A临时固定于支承部件22上。半导体部件40还可以具有外部连接端子。半导体基板42可以为半导体晶圆或将半导体晶圆分割而获得的半导体晶片。在图3(a)的例中,多个半导体部件40配置于临时固定材料层10A的表面S上,但是半导体部件40的数量可以为1个。从除了半导体装置的小型化、薄型化以外的搬运时、加工工序等时抑制裂纹的观点考虑,半导体部件40的厚度可以为1~1000μm、10~500μm或20~200μm。
配置于临时固定材料层10A上的半导体部件40例如使用真空加压机或真空层压机来压接于临时固定材料层10A。在使用真空加压机的情况下,压接的条件可以为气压1hPa以下、压接压力1MPa、压接温度120~200℃及保持时间100~300秒钟。在使用真空层压机的情况下,压接的条件例如可以为气压1hPa以下、压接温度60~180℃或80~150℃、层压压力0.01~1.0MPa或0.1~0.7MPa、保持时间1~600秒钟或30~300秒钟。
在临时固定材料层10A上配置半导体部件40之后,使临时固定材料层10A(固化性树脂成分)热固化或光固化,由此半导体部件40介由包含临时固定用膜10的固化物(固化性树脂成分的固化物)的临时固定材料层10Ac临时固定于支承部件22。热固化的条件例如可以为300℃以下或100~250℃、1~180分钟或1~120分钟。
(加工工序)
图4(a)、图4(b)及图4(c)是表示半导体装置的制造方法的一实施方式的示意剖视图。在加工工序中,对临时固定于支承部件22上的半导体部件40进行加工。图4(a)表示包括半导体基板的薄化的加工的例。半导体部件的加工并不限定于此,例如能够包括半导体基板的薄化、半导体部件的分割(切割)、贯通电极(硅贯通电极)的形成、蚀刻处理、电镀回流处理、溅射处理或这些组合。
在加工半导体部件40之后,如图4(b)所示,形成密封经加工的半导体部件40的密封层50。密封层50能够使用通常用于制造半导体元件的密封材料来形成。例如,密封层50可以由热固性树脂组合物形成。作为密封层50中所使用的热固性树脂组合物,例如可以举出甲酚酚醛清漆环氧树脂、苯酚酚醛清漆环氧树脂、联苯二环氧树脂、萘酚酚醛清漆环氧树脂等环氧树脂等。密封层50及用于形成密封层50的热固性树脂组合物可以包含填料和/或阻燃剂等添加剂。
密封层50例如使用固体材料、液体材料、细粒材料或密封膜来形成。在使用密封膜的情况下,使用压缩密封成形机、真空层压装置等。例如,使用这些装置,并用在40~180℃(或60~150℃)、0.1~10MPa(或0.5~8MPa)且0.5~10分钟的条件下进行热熔融的密封膜被覆半导体部件40,从而能够形成密封层50。密封膜的厚度被调整为密封层50成为加工后的半导体部件40的厚度以上。密封膜的厚度可以为50~2000μm、70~1500μm或100~1000μm。
在形成密封层50之后,如图4(c)所示,可以将密封层50及临时固定材料层10Ac分割成包括半导体部件40各一个的多个部分。
(分离工序)
图5(a)及图5(b)是表示半导体装置的制造方法的一实施方式的示意剖视图。在分离工序中,从支承部件侧向临时固定用层叠体照射光,从而半导体部件从支承部件分离。
如图5(a)所示,从支承部件22侧向临时固定用层叠体20c照射光A,从而将半导体部件40从支承部件22分离。通过照射光A,光吸收层12吸收光而瞬间产生热。通过所产生的热,例如能够产生临时固定材料层10Ac的熔融、在支承部件22与半导体部件40之间产生的热应力及光吸收层12的飞散。这些现象中的一个或两个以上成为主要原因而产生凝集剥离、界面剥离等,从而半导体部件40可以容易地从支承部件22分离。为了将半导体部件40从支承部件22分离,可以在光A的照射下对半导体部件40施加少量应力。
分离工序中的光A可以为非相干光。非相干光为不是同调的光,并且为具有不产生干涉条纹、低可干涉性、低指向性的性质的电磁波。非相干光具有光路长度越长,越衰减的倾向。激光束通常为相干光,相对于此,太阳光、荧光灯的光等光为非相干光。非相干光也能够称为除了激光束以外的光。非相干光的照射面积通常比相干光(即,激光束)大得多,因此能够减少照射次数。例如,通过一次照射,可以产生多个半导体部件40的分离。非相干光可以包含红外线。非相干光可以为脉冲光。
光的光源并无特别限制,但是可以为氙灯。氙灯为利用了通过装有氙气的发光管中的施加/放电而发出的光的灯。氙灯一边重复电离及激发一边放电,因此稳定地具有从紫外光区域至红外光区域的连续波长。氙灯与金属卤化物灯等灯相比,启动所需要的时间短,因此能够大幅度缩短工序所需要的时间。并且,发光需要施加高电压,因此瞬间产生高热,但是在冷却时间短且能够连续作业的观点而言,氙灯也是有利的。
氙灯的照射条件包含施加电压、脉冲宽度、照射时间、照射距离(光源与光吸收层的距离)、照射能量等,并且能够根据照射次数等任意设定这些。从减少半导体部件40的损坏的观点考虑,可以设定通过一次照射而能够分离半导体部件40的照射条件。
有时临时固定材料层10Ac的一部分作为残渣附着于分离的半导体部件40上。如图5(b)所示那样去除所附着的残渣。附着的残渣例如可以通过脱落方式剥离。本实施方式的临时固定用膜能够充分降低半导体部件和支承部件分离之后的剥离残渣,因此能够通过脱落方式高效地剥离。
另一方面,附着的残渣例如可以通过用溶剂清洗来去除。作为溶剂,并无特别限制,但是可以举出乙醇、甲醇、甲苯、二甲苯、丙酮、甲基乙基酮、甲基异丁基酮、己烷等。这些可以单独使用一种或组合使用两种以上。为了去除所附着的残渣,可以使半导体部件40浸渍于溶剂中,也可以进行超声波清洗。可以在100℃以下程度的低温下加热半导体部件40。
通过以上例示的方法,能够获得具备经加工的半导体部件40的半导体元件60。能够通过将所获得的半导体元件60连接到其他半导体元件或半导体元件搭载用基板上来制造半导体装置。
实施例
以下,举出实施例对本发明进行更具体地说明。但是,本发明并不限定于这些实施例。
(实施例1~3及比较例1、2)
[临时固定用膜的制作及评价]
<临时固定用膜的制作>
在临时固定用膜的制作中使用了以下成分。
(A)热塑性树脂
(A-1)用作马来酸酐改性苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(产品名:FG1924GT、Clayton Polymer Japan Co.,Ltd.制、苯乙烯含量:13.0质量%)、25质量%浓度的二甲苯溶液。
(A-2)用作马来酸酐改性苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(产品名:FG1901GT、Clayton Polymer Japan Co.,Ltd.制、苯乙烯含量:30.0质量%)、25质量%浓度的二甲苯溶液。
(B)热固性树脂
(B-1)用作萘型环氧树脂(产品名:HP4710、DIC CORPORATION制)、50质量%浓度的环己酮溶液。
(B-2)用作二环戊二烯型环氧树脂(产品名:HP7200H、DIC CORPORATION制)、50质量%浓度的环己酮溶液。
(B-3)用作二环戊二烯型环氧树脂(产品名:HP7200H、DIC CORPORATION制)、50质量%浓度的二甲苯溶液。
(C)抗氧化剂
(C-1)用作受阻苯酚衍生物(产品名:AO-60、ADEKA Corporation制)、10质量%浓度的环己酮溶液。
(D)固化促进剂
(D-1)用作咪唑衍生物(产品名:2PZ-CN、SHIKOKU CHEMICALS CORPORATION制)、10质量%浓度的环己酮溶液。
以表1所示的比例(表1的数值是指不挥发成分量。)混合表1所示的材料,获得了固化性树脂成分的清漆。使用精密涂布机,将所获得的固化性树脂成分的清漆涂布于作为支承膜的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜(Purex A31、TOYOBO FILM SOLUTIONS LIMITED制、厚度:38μm)的脱模处理面上。在100℃下通过10分钟的加热来干燥涂膜,获得了实施例1~3及比较例1、2的临时固定用膜(固化性树脂膜)。
<临时固定用膜的评价>
(剪切粘度的测定)
使用实施例1~3及比较例1、2的临时固定用膜,测定了剪切粘度。另外,在剪切粘度的测定中,准备了厚度500μm的临时固定用膜。使用ARES(TA Instruments Japan Inc.制)测定了剪切粘度。通过冲孔成直径9mmφ制作了测定样品。通过对测定样品赋予5%的应变的同时以5℃/分钟的升温速度升温来进行测定,将在100℃下观测的值作为100℃的剪切粘度。将结果示于表1中。
(储能模量的测定)
使用实施例1~3及比较例1、2的临时固定用膜测定了储能模量。另外,在储能模量的测定中,准备了厚度500μm的临时固定用膜。将临时固定用膜切成规定尺寸(纵(夹头间距离)20mm×横5.0mm),在清洁烘箱(ESPEC Corp.制)中在180℃、2小时的条件下进行热固化,由此获得了临时固定用膜(固化性树脂膜)的固化物即测定样品。在以下条件下测定了临时固定用膜(固化性树脂膜)的固化物中的270℃及25℃的储能模量。将结果示于表1中。
装置名:动态黏弹性测定装置(TA Instruments.制、RSA-G2)
测定温度区域:-70~300℃
升温速度:5℃/分钟
频率:1Hz
测定模式:拉伸模式
(嵌入性的评价)
使用实施例1~3及比较例1、2的临时固定用膜对嵌入性进行了评价。另外,在嵌入性的评价中,准备了厚度80μm的临时固定用膜。剥离临时固定用膜的支承膜,在100℃下将临时固定用膜的剥离了支承膜的一侧的表面层压于滑动玻璃上。接着,在温度130℃/压力50N/时间10秒钟的条件下,将7.3mm见方、厚度150μm、在表面上具有40μm的半圆形台阶的半导体晶片,以使具有半圆形台阶的表面与临时固定用膜接触的方式压接于临时固定用膜上。之后,在130℃下加热30分钟,继而在200℃下加热1小时,使临时固定用膜固化,获得了样品。从滑动玻璃面观察所获得的样品,用Photoshop(注册商标)解析图像,观察到半导体晶片与临时固定用膜之间的孔隙的产生。将产生孔隙的情况评价为“A”,将未产生孔隙的情况评价为“B”。将结果示于表1中。
(树脂成分的爬升的评价)
使用在上述嵌入性的评价中获得的样品,对树脂成分的爬升进行了评价。用环氧树脂对准备的样品进行注型,研磨了滑动玻璃/临时固定材料用膜/半导体晶片的截面,以便能够观察。通过确认半导体晶片的端部,测量了临时固定半导体晶片时的临时固定用膜的树脂成分的爬升量。将晶片侧面中的树脂成分的爬升量为30μm以下的情况评价为“A”,将晶片侧面中的树脂成分的爬升量超过30μm的情况评价为“B”。将结果示于表1中。
(剥离强度的测定)
使用实施例1~3及比较例1、2的临时固定用膜,测定了剥离强度。另外,在剥离强度的测定中,准备了厚度80μm的临时固定用膜。剥离强度通过测定硅镜晶圆及临时固定用膜之间的90°剥离强度来进行了评价。将厚度625μm硅镜晶圆(6英寸)配置于真空层压机(NPC Incorporated制、LM-50X50-S)的载台上,剥离临时固定用膜的支承膜,配置成临时固定用膜的支承膜侧的表面与硅镜晶圆接触。在1.5kPa(15mbar)的条件下,以温度120℃及压力0.1MPa加热加压2分钟,进行真空层压获得了样品。继而在200℃下对所获得的样品加热1小时使其固化。之后,将样品切成10mm的宽度,制成了测定用样品。用以剥离角度成为90°的方式设定的剥离试验机以50mm/分钟的速度对测定用样品实施剥离试验,将其作为剥离强度。将结果示于表1中。
(剥离残渣的观察)
在上述剥离强度后的测定样品中,用肉眼观察剥离后的硅镜晶圆的表面,确认了有无产生残渣。将在表面上没有残渣的情况评价为“A”,将在表面的一部分具有残渣的情况评价为“B”,将在表面的整体上具有残渣的情况评价为“C”。将结果示于表1中。
[表1]
如表1所示,固化后的270℃的储能模量为1.5~20MPa、固化后的25℃的储能模量为1.5~150MPa的实施例的临时固定用膜在不良情况的方面(嵌入性及树脂成分的爬升)以及剥离残渣的方面优异。由这些结果确认到,本发明的临时固定用膜能够形成能够充分抑制临时固定半导体部件时的不良情况并且能够充分降低半导体部件和支承部件分离之后的剥离残渣的临时固定材料层。
产业上的可利用性
根据本发明,可提供一种能够形成能够充分抑制临时固定半导体部件时的不良情况并且能够充分降低半导体部件和支承部件分离之后的剥离残渣的临时固定材料层的临时固定用膜。并且,根据本发明,可提供一种使用这种临时固定用膜的临时固定用层叠体及半导体装置的制造方法。
符号说明
10-临时固定用膜,10A、10Ac-临时固定材料层,12-光吸收层,20、20c-临时固定用层叠体,22-支承部件,30-层叠体,40-半导体部件,42-半导体基板,44-再配线层,50-密封层,60-半导体元件。
Claims (10)
1.一种临时固定用膜,其含有固化性树脂成分,
固化后的270℃的储能模量为1.5~20MPa,
固化后的25℃的储能模量为1.5~150MPa,
所述临时固定用膜用于临时固定半导体部件和支承部件。
2.根据权利要求1所述的临时固定用膜,其中,
所述固化性树脂成分包含热塑性树脂及热固性树脂。
3.根据权利要求2所述的临时固定用膜,其中,
所述热塑性树脂包含具有源自苯乙烯的单体单元的烃树脂。
4.根据权利要求3所述的临时固定用膜,其中,
以所述烃树脂的总量为基准,所述源自苯乙烯的单体单元的含量为10~22.5质量%。
5.根据权利要求3所述的临时固定用膜,其中,
以所述固化性树脂成分的总量为基准,所述源自苯乙烯的单体单元的含量为7~16质量%。
6.一种临时固定用层叠体,其依次具备支承部件、光吸收层及由权利要求1至5中任一项所述的临时固定用膜形成的临时固定材料层。
7.一种半导体装置的制造方法,其具备:
准备权利要求6所述的临时固定用层叠体的工序;
将半导体部件介由所述临时固定材料层临时固定于所述支承部件上的工序;
对临时固定于所述支承部件上的所述半导体部件进行加工的工序;及
从所述支承部件侧向所述临时固定用层叠体照射光,将所述半导体部件从所述支承部件分离的工序。
8.根据权利要求7所述的制造方法,其中,
所述光为非相干光。
9.根据权利要求8所述的制造方法,其中,
所述非相干光为至少包含红外光的光。
10.根据权利要求7至9中任一项所述的制造方法,其中,
所述光的光源为氙灯。
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