WO2022071150A1 - 仮固定用フィルム、仮固定用積層体、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

仮固定用フィルム、仮固定用積層体、及び半導体装置の製造方法 Download PDF

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meth
acrylate
semiconductor
light
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恭之 大山
笑 宮澤
雄太 赤須
省吾 祖父江
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昭和電工マテリアルズ株式会社
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    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H01L2221/68386—Separation by peeling

Definitions

  • the present disclosure relates to a method for manufacturing a temporary fixing film, a temporary fixing laminate, and a semiconductor device.
  • SIP System in Package
  • a technology related to a package called SIP (System in Package) in which a plurality of semiconductor elements are laminated has been remarkably growing. Since a large number of semiconductor elements are stacked in a SIP type package, the semiconductor elements are required to be thin.
  • processing such as thinning by grinding the back surface of the semiconductor member and individualization by dicing a semiconductor wafer is performed. Is given.
  • the processing of these semiconductor members is usually performed by temporarily fixing the semiconductor member to the support member by a temporary fixing material layer (see, for example, Patent Documents 1 to 3).
  • Patent Document 1 discloses, as a method for separating such a semiconductor member, a method for physically separating the temporary fixing material layer while heating it. Further, Patent Documents 2 and 3 disclose a method of separating a semiconductor member by irradiating a temporary fixing material layer with laser light (coherent light).
  • the resin component in the temporary fixing material layer crawls up with respect to the semiconductor member, and the surface of the semiconductor member due to the resin component in the temporary fixing material layer Problems such as insufficient embedding of unevenness may occur. If such a defect occurs, the sealing material that protects the semiconductor member may not be sufficiently filled, or the sealing material may invade the surface of the semiconductor member. Further, in the above method for separating the semiconductor member, the temporary fixing material layer may adhere as a residue on the semiconductor member after the semiconductor member and the support member are separated. Such an attached residue can be peeled off by, for example, a peel or the like, but at that time, a part of the residue may remain on the semiconductor member as a peeling residue. If the peeling residue remains on the semiconductor member, the yield may decrease.
  • the present disclosure it is possible to form a temporary fixing material layer that can sufficiently suppress defects in temporarily fixing the semiconductor member and can sufficiently reduce the peeling residue after separating the semiconductor member and the supporting member.
  • the main purpose is to provide a temporary fixing film.
  • the temporary fixing film is used for temporarily fixing the semiconductor member and the support member.
  • the temporary fixing film contains a curable resin component.
  • the storage elastic modulus at 270 ° C. after curing of the temporary fixing film is 1.5 to 20 MPa.
  • the temporary fixing material layer made of the temporary fixing film in which the storage elastic modulus at 270 ° C. after curing of the temporary fixing film is in such a range particularly, 1.5 MPa or more
  • the semiconductor member is temporarily fixed. It is possible to sufficiently suppress the troubles when doing so.
  • the storage elastic modulus at 25 ° C. after curing of the temporary fixing film is 1.5 to 150 MPa.
  • the temporary fixing material layer made of the temporary fixing film whose storage elastic modulus at 25 ° C. after curing of the temporary fixing film is in such a range the peeling residue after separating the semiconductor member and the supporting member is sufficient. Can be reduced to.
  • the curable resin component may include a thermoplastic resin and a thermosetting resin.
  • the thermoplastic resin may be a hydrocarbon resin having a monomer unit derived from styrene.
  • the content of the monomer unit derived from styrene may be 10 to 22.5% by mass based on the total amount of the hydrocarbon resin, and 7 to 16% by mass based on the total amount of the curable resin component. good.
  • the content of the hydrocarbon resin may be 50% by mass or more based on the total amount of the thermoplastic resin.
  • the temporary fixing laminate includes a support member, a light absorption layer, and a temporary fixing material layer made of the above-mentioned temporary fixing film in this order.
  • the method for manufacturing the semiconductor device includes a step of preparing the above-mentioned temporary fixing laminate, a step of temporarily fixing the semiconductor member to the support member via the temporary fixing material layer, and a step of temporarily fixing the semiconductor member to the support member. It includes a step of processing the semiconductor member and a step of irradiating the temporary fixing laminate with light from the support member side to separate the semiconductor member from the support member.
  • the light may be incoherent light.
  • the incoherent light may be light including at least infrared light.
  • the light source may be a xenon lamp.
  • Temporary fixing film is provided. Further, according to the present disclosure, there is provided a method for manufacturing a temporary fixing laminate and a semiconductor device using such a temporary fixing film.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of a temporary fixing film.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of the temporary fixing laminate.
  • 3A and 3B are schematic cross-sectional views showing an embodiment of a method for manufacturing a semiconductor device.
  • 4 (a), 4 (b), and 4 (c) are schematic cross-sectional views showing an embodiment of a method for manufacturing a semiconductor device.
  • 5 (a) and 5 (b) are schematic cross-sectional views showing an embodiment of a method for manufacturing a semiconductor device.
  • the numerical range indicated by using "-" indicates a range including the numerical values before and after "-" as the minimum value and the maximum value, respectively.
  • the upper limit value or the lower limit value described in one numerical range may be replaced with the upper limit value or the lower limit value of another numerical range described stepwise. good.
  • the upper limit value or the lower limit value of the numerical range may be replaced with the value shown in the examples.
  • the upper limit value and the lower limit value described individually can be arbitrarily combined.
  • “A or B" may include either A or B, and may include both.
  • each component in the composition means the total amount of the plurality of substances present in the composition when a plurality of substances corresponding to each component are present in the composition, unless otherwise specified.
  • (meth) acrylic acid means acrylic acid or methacrylic acid corresponding thereto.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of a temporary fixing film.
  • the temporary fixing film 10 shown in FIG. 1 is used for temporarily fixing the semiconductor member and the support member. More specifically, the temporary fixing film 10 forms a layer (temporary fixing material layer) for temporarily fixing the semiconductor member to the support member while processing the semiconductor member in the manufacture of the semiconductor device. It is used to do so.
  • the temporary fixing film 10 contains a curable resin component and may be composed of a curable resin component.
  • the curable resin component can be a curable resin component that is cured by heat or light.
  • the curable resin component may be a curable resin component that is cured by heat, and may be, for example, a curable resin component containing a thermoplastic resin and a thermosetting resin.
  • the thermoplastic resin may be a resin having thermoplasticity, or at least a resin having thermoplasticity in an uncured state and forming a crosslinked structure after heating.
  • the thermoplastic resin include hydrocarbon resins, polycarbonates, polyphenylene sulfides, polyether sulfones, polyetherimides, polyimides, petroleum resins, novolak resins and the like. These may be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type. Of these, the thermoplastic resin may be a hydrocarbon resin.
  • Hydrocarbon resin is a resin whose main skeleton is composed of hydrocarbons.
  • hydrocarbon resins include ethylene / propylene copolymers, ethylene / 1-butene copolymers, ethylene / propylene / 1-butene copolymer elastomers, ethylene / 1-hexene copolymers, and ethylene /.
  • 1-octene copolymer ethylene / styrene copolymer, ethylene / norbornen copolymer, propylene / 1-butene copolymer, ethylene / propylene / non-conjugated diene copolymer, ethylene / 1-butene / non-conjugated diene Copolymers, ethylene / propylene / 1-butene / non-conjugated diene copolymers, polyisoprenes, polybutadienes, styrene / butadiene / styrene block copolymers (SBS), styrene / isoprene / styrene block copolymers (SIS), Examples thereof include a styrene / ethylene / butylene / styrene block copolymer (SEBS) and a styrene / ethylene / propylene / SE
  • hydrocarbon resins may be hydrogenated. Further, these hydrocarbon resins may be carboxy-modified with maleic anhydride or the like. Of these, the hydrocarbon resin may contain a hydrocarbon resin having a monomer unit derived from styrene (that is, a styrene-based resin), and a hydrocarbon resin having a monomer unit derived from styrene (that is, a styrene-based resin). Resin) may be used.
  • the hydrocarbon resin may contain styrene / ethylene / butylene / styrene block copolymer (SEBS) or may be styrene / ethylene / butylene / styrene block copolymer (SEBS). ..
  • SEBS styrene / ethylene / butylene / styrene block copolymer
  • SEBS styrene / ethylene / butylene / styrene block copolymer
  • the content of the hydrocarbon resin (or styrene resin) may be 50% by mass or more, 70% by mass or more, or 90% by mass or more based on the total amount of the thermoplastic resin.
  • the content of the hydrocarbon resin (or styrene resin) may be 100% by mass or less based on the total amount of the thermoplastic resin.
  • the thermoplastic resin may be composed of a hydrocarbon resin (or a styrene-based resin).
  • the content of the styrene resin (or SEBS) may be 50% by mass or more, 70% by mass or more, or 90% by mass or more based on the total amount of the hydrocarbon resin.
  • the content of the styrene resin (or SEBS) may be 100% by mass or less based on the total amount of the hydrocarbon resin.
  • the hydrocarbon resin may be composed of a styrene resin (or SEBS).
  • the content of the monomer unit derived from styrene may be 10 to 22.5% by mass based on the total amount of the hydrocarbon resin (or thermoplastic resin).
  • the content of the monomer unit derived from styrene is in such a range, the storage elastic modulus of the temporary fixing film tends to be easily adjusted to a desired range, and the effect of the present disclosure tends to be remarkably exhibited. be.
  • the content of the monomer unit derived from styrene means the total content of the monomer units derived from styrene in the two or more kinds of styrene-based resins.
  • the content of the monomer unit derived from styrene may be 11% by mass or more, 12% by mass or more, or 13% by mass or more, or 22% by mass, based on the total amount of the hydrocarbon resin (or thermoplastic resin). It may be less than or equal to 21.5% by mass or less.
  • the content of the monomer unit derived from styrene is 7 to 16% by mass based on the total amount of the curable resin component. good.
  • the content of the monomer unit derived from styrene is in such a range, the storage elastic modulus of the temporary fixing film tends to be easily adjusted to a desired range, and the effect of the present disclosure tends to be remarkably exhibited. be.
  • the content of the monomer unit derived from styrene means the total content of the monomer units derived from styrene in the two or more kinds of styrene-based resins.
  • the content of the monomer unit derived from styrene may be 7.5% by mass or more, 8% by mass or more, or 9% by mass or more, and 15.5% by mass or less, based on the total amount of the curable resin component. Alternatively, it may be 15% by mass or less.
  • the Tg of the thermoplastic resin may be -100 to 500 ° C, -50 to 300 ° C, or -50 to 50 ° C.
  • the Tg of the thermoplastic resin is 500 ° C. or lower, it is easy to secure flexibility when a film-shaped temporary fixing material is formed, and it tends to be possible to improve low-temperature stickability.
  • the Tg of the thermoplastic resin is ⁇ 100 ° C. or higher, when a film-shaped temporary fixing material is formed, it tends to be possible to suppress deterioration of handleability and peelability due to excessively high flexibility.
  • the Tg of the thermoplastic resin is the intermediate point glass transition temperature obtained by differential scanning calorimetry (DSC). Specifically, the Tg of the thermoplastic resin is an intermediate point glass calculated by a method compliant with JIS K7121 by measuring the change in calorific value under the conditions of a temperature rise rate of 10 ° C./min and a measurement temperature of -80 to 80 ° C. The transition temperature.
  • the weight average molecular weight (Mw) of the thermoplastic resin may be 10,000 to 5 million or 100,000 to 2 million. When the weight average molecular weight is 10,000 or more, it tends to be easy to secure the heat resistance of the formed temporary fixing material layer. When the weight average molecular weight is 5 million or less, when a film-shaped temporary fixing material layer or a resin layer is formed, it tends to be easy to suppress a decrease in flow and a decrease in stickability.
  • the weight average molecular weight is a polystyrene-equivalent value using a calibration curve made of standard polystyrene by gel permeation chromatography (GPC).
  • the content of the thermoplastic resin may be, for example, 40 to 90 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of the curable resin component.
  • the content of the thermoplastic resin may be, for example, 50 parts by mass or more or 60 parts by mass or more, and 85 parts by mass or less or 80 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the total amount of the curable resin component. good.
  • the temporary fixing material layer tends to be more excellent in thin film forming property and flatness.
  • thermosetting resin is a resin that exhibits curability by heat, and is a concept that does not include the above-mentioned thermoplastic resin (hydrocarbon resin).
  • thermosetting resin include epoxy resin, acrylic resin, silicone resin, phenol resin, thermosetting polyimide resin, polyurethane resin, melamine resin, and urea resin. These may be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type. Of these, the thermosetting resin may be an epoxy resin because it is excellent in heat resistance, workability, and reliability.
  • the epoxy resin is not particularly limited as long as it is cured and has a heat resistant effect.
  • the epoxy resin include bifunctional epoxy resins such as bisphenol A type epoxy, novolak type epoxy resins such as phenol novolac type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, and alicyclic epoxy resins such as dicyclopentadiene type epoxy resin. Can be mentioned.
  • the epoxy resin may be, for example, a polyfunctional epoxy resin, a glycidylamine type epoxy resin, or a heterocyclic-containing epoxy resin. Among these, the epoxy resin may contain an alicyclic epoxy resin from the viewpoint of heat resistance and weather resistance.
  • the thermosetting resin may be a combination of the epoxy resin and the epoxy resin curing agent.
  • the epoxy resin curing agent a commonly used known curing agent can be used.
  • the epoxy resin curing agent include amines, polyamides, acid anhydrides, polysulfides, boron trifluoride, bisphenols (bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, etc.), phenol resins (phenol novolac resin, bisphenol A type novolak resin, etc.). Cresol novolak resin, phenol aralkyl resin, etc.) and the like.
  • the content of the thermosetting resin may be, for example, 10 to 60 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of the curable resin component.
  • the content of the thermosetting resin may be, for example, 15 parts by mass or more or 20 parts by mass or more, and 50 parts by mass or less or 40 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the total amount of the curable resin component. May be good.
  • the temporary fixing material layer tends to be more excellent in thin film forming property and flatness.
  • the curable resin component may further contain a curing accelerator that promotes the curing reaction of a thermosetting resin such as an epoxy resin.
  • a curing accelerator such as imidazole derivative, dicyandiamide derivative, dicarboxylic acid dihydrazide, triphenylphosphine, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, 2-ethyl-4-methylimidazole-tetraphenylborate, 1,8-diazabicyclo [5, 4,0] Undecene-7-tetraphenylborate and the like can be mentioned. These may be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type.
  • the content of the curing accelerator may be 0.01 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of the thermosetting resin. When the content of the curing accelerator is within such a range, the curability of the curable resin component and the heat resistance after curing tend to be more excellent.
  • the content of the curing accelerator is 1.0 part by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of the thermosetting resin because it is easy to adjust the storage elastic modulus at 270 ° C. and the storage elastic modulus at 25 ° C. within a predetermined range. As mentioned above, it may be 1.2 parts by mass or more, 1.5 parts by mass or more, 3.0 parts by mass or less, 2.5 parts by mass or less, or 2.0 parts by mass or less.
  • the curable resin component may further contain a polymerizable monomer and a polymerization initiator.
  • the polymerizable monomer is not particularly limited as long as it is polymerized by heating or irradiation with ultraviolet light or the like.
  • the polymerizable monomer may be a compound having a polymerizable functional group such as an ethylenically unsaturated group from the viewpoint of material selectivity and availability.
  • Examples of the polymerizable monomer include (meth) acrylate, vinylidene halide, vinyl ether, vinyl ester, vinylpyridine, vinylamide, vinyl arylated and the like. Of these, the polymerizable monomer may be (meth) acrylate.
  • the (meth) acrylate may be monofunctional (monofunctional), bifunctional, or trifunctional or higher, but may be bifunctional or higher (meth) acrylate from the viewpoint of obtaining sufficient curability. good.
  • Examples of the monofunctional (meth) acrylate include (meth) acrylic acid; methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, tert-butyl (meth) acrylate, and butoxy.
  • Ethyl (meth) acrylate isoamyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, heptyl (meth) acrylate, octylheptyl (meth) acrylate, nonyl (meth) acrylate, decyl (meth) acrylate 2-Hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 3-chloro-2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 2-hydroxybutyl (meth) acrylate, methoxypolyethylene glycol (meth) acrylate, ethoxypolyethylene Acrylate (meth) acrylates such as glycol (meth) acrylate, methoxypolypropylene glycol (meth) acrylate, ethoxypolypropylene glycol (meth) acrylate, mono (2-
  • bifunctional (meth) acrylate examples include ethylene glycol di (meth) acrylate, diethylene glycol di (meth) acrylate, triethylene glycol di (meth) acrylate, tetraethylene glycol di (meth) acrylate, and polyethylene glycol di (meth).
  • trifunctional or higher polyfunctional (meth) acrylate examples include trimethyl propanoltri (meth) acrylate, ethoxylated trimethylol propanthry (meth) acrylate, propoxylated trimethylol propanthry (meth) acrylate, and ethoxylated propoxylation.
  • These (meth) acrylates may be used alone or in combination of two or more. Furthermore, these (meth) acrylates may be used in combination with other polymerizable monomers.
  • the content of the polymerizable monomer may be 0 to 50 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of the curable resin component.
  • the polymerization initiator is not particularly limited as long as it initiates polymerization by heating or irradiation with ultraviolet light or the like.
  • the polymerizable initiator may be a thermal radical polymerization initiator or a photoradical polymerization initiator.
  • thermal radical polymerization initiator examples include diacyl peroxides such as octanoyl peroxide, lauroyl peroxide, stearyl peroxide, and benzoyl peroxide; t-butylperoxypivalate, t-hexylperoxypivalate, 1, 1,3,3-Tetramethylbutylperoxy-2-ethylhexanoate, 2,5-dimethyl-2,5-bis (2-ethylhexanoylperoxy) hexane, t-hexylperoxy-2-ethyl Hexanoate, t-butylperoxy-2-ethylhexanoate, t-butylperoxyisobutyrate, t-hexylperoxyisopropylmonocarbonate, t-butylperoxy-3,5,5-trimethylhexano Ate, t-butyl peroxylaurylate, t-butyl
  • photoradical polymerization initiator examples include benzoinketals such as 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-one; 1-hydroxycyclohexylphenylketone and 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropane.
  • ⁇ -Hydroxyketones such as -1-one, 1- [4- (2-hydroxyethoxy) phenyl] -2-hydroxy-2-methyl-1-propane-1-one; bis (2,4,6-trimethyl)
  • examples thereof include benzoyl) phenylphosphine oxide, bis (2,6-dimethoxybenzoyl) -2,4,4-trimethylpentylphosphine oxide, and phosphine oxides such as 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide.
  • thermal and photoradical polymerization initiators may be used alone or in combination of two or more.
  • the content of the polymerization initiator may be 0.01 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of the polymerizable monomer.
  • the curable resin component may further contain an insulating filler, a sensitizer, an antioxidant and the like as other components.
  • the insulating filler can be added for the purpose of imparting low thermal expansion, low hygroscopicity, etc. to the temporary fixing material layer.
  • the insulating filler include non-metal inorganic fillers such as silica, alumina, boron nitride, titania, glass, and ceramics. These insulating fillers may be used alone or in combination of two or more.
  • the insulating filler may be particles whose surface is treated with a surface treatment agent from the viewpoint of dispersibility with a solvent.
  • the surface treatment agent may be, for example, a silane coupling agent.
  • the content of the insulating filler may be 0.1 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of the curable resin component.
  • the heat resistance tends to be further improved without hindering light transmission. Further, if the content of the insulating filler is within such a range, it may contribute to light peelability.
  • sensitizer examples include anthracene, phenanthrene, chrysene, benzopyrene, fluoranthene, rubrene, pyrene, xanthene, indanslen, thioxanthene-9-on, 2-isopropyl-9H-thioxanthene-9-on, 4-.
  • examples thereof include isopropyl-9H-thioxanthene-9-one, 1-chloro-4-propoxythioxanthone and the like.
  • the content of the sensitizer may be 0.01 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of the curable resin component.
  • the content of the sensitizer is within such a range, the influence on the characteristics and the thin film property of the curable resin component tends to be small.
  • antioxidants examples include quinone derivatives such as benzoquinone and hydroquinone, phenol derivatives such as 4-methoxyphenol and 4-t-butylcatechol (hindered phenol derivatives), and 2,2,6,6-tetramethylpiperidin-.
  • quinone derivatives such as benzoquinone and hydroquinone
  • phenol derivatives such as 4-methoxyphenol and 4-t-butylcatechol (hindered phenol derivatives)
  • 2,2,6,6-tetramethylpiperidin- examples include aminoxyl derivatives such as 1-oxyl and 4-hydroxy-2,2,6,6-tetramethylpiperidin-1-oxyl, and hindered amine derivatives such as tetramethylpiperidylmethacrylate.
  • the content of the antioxidant may be 0.1 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of the curable resin component. When the content of the antioxidant is within such a range, it tends to be possible to suppress the decomposition of the curable resin component and prevent contamination.
  • the thickness of the temporary fixing film 10 may be, for example, 0.1 to 200 ⁇ m, 1 to 150 ⁇ m, or 10 to 100 ⁇ m from the viewpoint of stress relaxation.
  • the shear viscosity at 100 ° C. of the temporary fixing film may be, for example, 1000 Pa ⁇ s or more, 2000 Pa ⁇ s or more, or 3000 Pa ⁇ s or more, and 80,000 Pa ⁇ s or less, 60,000 Pa ⁇ s or less, 40,000 Pa ⁇ s or less, or It may be 30,000 Pa ⁇ s or less.
  • the shear viscosity at 100 ° C. is in such a range, a defect in temporarily fixing the semiconductor member (particularly, with respect to the semiconductor member of the resin component in the temporary fixing material layer when the semiconductor member is arranged on the temporary fixing material layer). Crawling up) can be suppressed more sufficiently.
  • the shear viscosity of the temporary fixing film at 100 ° C. means a value measured by the method described in Examples. That is, in the measurement of the shear viscosity, a temporary fixing film having a thickness of 500 ⁇ m is prepared, and the shear viscosity is measured using ARES (manufactured by Rheometric Scientific Co., Ltd.). The measurement sample is prepared by punching to a diameter of 9 mm ⁇ . The measurement is performed by raising the temperature at a heating rate of 5 ° C./min while applying a strain of 5% to the measurement sample. At this time, the value observed at 100 ° C. is defined as the shear viscosity at 100 ° C.
  • the shear viscosity at 100 ° C. of the temporary fixing film is increased by, for example, increasing the content of the thermoplastic resin (hydrocarbon resin) or applying a thermoplastic resin (hydrocarbon resin) having a high Tg. be able to.
  • the storage elastic modulus at 270 ° C. after curing of the temporary fixing film is 1.5 to 20 MPa.
  • the storage elastic modulus at 270 ° C. after curing is in such a range (particularly, 1.5 MPa or more), a defect in temporarily fixing the semiconductor member (particularly, the semiconductor member is placed on the temporary fixing material layer). Crawling of the resin component to the semiconductor member in the temporary fixing material layer) can be sufficiently suppressed.
  • the storage elastic modulus at 270 ° C. after curing of the temporary fixing film may be 1.6 MPa or more or 1.8 MPa or more, and may be 15 MPa or less, 10 MPa or less, 8 MPa or less, 5 MPa or less, or 3 MPa or less. good.
  • the storage elastic modulus at each temperature of the temporary fixing film after curing means a value measured by the method described in Examples after curing by the method described in Examples. That is, in the measurement of the storage elastic modulus, a temporary fixing film having a thickness of 500 ⁇ m is prepared, the temporary fixing film is cut into a predetermined size (length (distance between chucks) 20 mm ⁇ width 5.0 mm), and a clean oven (clean oven) ( By heat-curing at 180 ° C. for 2 hours in (manufactured by Espec Co., Ltd.), a measurement sample which is a cured product of the temporary fixing film is obtained.
  • the storage elastic modulus at 270 ° C. and 25 ° C. after curing of the temporary fixing film (storage elastic modulus at 270 ° C. and 25 ° C. in the cured product of the temporary fixing film) is measured under the following conditions.
  • Dynamic viscoelasticity measuring device manufactured by TA Instrument Co., Ltd., RSA-G2
  • Measurement temperature range -70 to 300 ° C
  • Temperature rise rate 5 ° C / min
  • Frequency 1Hz
  • Measurement mode Tension mode
  • the storage elastic modulus at 25 ° C. after curing of the temporary fixing film is 1.5 to 150 MPa.
  • the storage elastic modulus at 25 ° C. after curing is in such a range, the peeling residue after separating the semiconductor member and the support member can be sufficiently reduced.
  • the storage elastic modulus at 25 ° C. after curing of the temporary fixing film is 1.5 MPa or more, sufficient peel strength tends to be obtained.
  • after curing of the temporary fixing film is 3 MPa or more, 5 MPa or more, 10 MPa or more, 12 MPa or more, 15 MPa or more, 20 MPa or more, 25 MPa or more, 30 MPa or more, 35 MPa or more, 40 MPa or more, 45 MPa or more, 50 MPa. It may be more than or equal to 52 MPa or more, and may be 140 MPa or less, 120 MPa or less, 110 MPa or less, 100 MPa or less, or 90 MPa or less.
  • thermoplastic resin having a high Tg that increases the content of the thermoplastic resin (hydrogen resin) is applied. It can be increased by a method such as adding an insulating filler to the curable resin component.
  • the temporary fixing film 10 for example, first, the components constituting the curable resin component are dissolved or dispersed by stirring and mixing in a solvent, kneading, or the like to prepare a varnish of the curable resin component. .. Then, the varnish of the curable resin component is applied onto the release-treated support film using a knife coater, a roll coater, an applicator, a comma coater, a die coater, etc., and then the solvent is volatilized by heating. A temporary fixing film composed of a curable resin component is formed on the support film. At this time, the thickness of the temporary fixing film can be adjusted by adjusting the amount of the varnish coated with the curable resin component.
  • the solvent used in the preparation of the curable resin component varnish is not particularly limited as long as it has the property of uniformly dissolving or dispersing each component.
  • a solvent include aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, mesityrene, cumene, and p-simene; aliphatic hydrocarbons such as hexane and heptane; cyclic alkanes such as methylcyclohexane; tetrahydrofuran, 1,4-.
  • Cyclic ethers such as dioxane; ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone; methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, methyl lactate, ethyl lactate, ⁇ -butyrolactone, etc.
  • the solvent may be toluene, xylene, heptane, or cyclohexanone from the viewpoint of solubility and boiling point.
  • the concentration of solid components in the varnish may be 10 to 80% by mass based on the total mass of the varnish.
  • Stirring and mixing or kneading at the time of preparing the varnish of the curable resin component can be performed by using, for example, a stirrer, a raider, a three-roll roll, a ball mill, a bead mill, a homodisper or the like.
  • the supporting film examples include polyesters such as polyethylene terephthalate (PET), polybutylene terephthalate, and polyethylene naphthalate; polyesters such as polyethylene and polypropylene; polycarbonates, polyamides, polyimides, polyamideimides, polyetherimides, polyethersulfides, and polyethers. Examples thereof include sulfone, polyether ketone, polyphenylene ether, polyphenylene sulfide, poly (meth) acrylate, polysulfone, and a film of liquid crystal polymer.
  • the thickness of the support film may be, for example, 1 to 250 ⁇ m.
  • the heating conditions for volatilizing the solvent from the varnish of the curable resin component coated on the support film can be appropriately set according to the solvent to be used and the like.
  • the heating conditions may be, for example, 40 to 120 ° C. for 0.1 to 30 minutes.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of the temporary fixing laminate.
  • the temporary fixing laminate 20 shown in FIG. 2 includes a support member 22, a light absorption layer 12, and a temporary fixing material layer 10A composed of a temporary fixing film 10 in this order.
  • the temporary fixing material layer 10A has a surface S on the opposite side of the temporary fixing material layer 10A from the light absorption layer 12.
  • the support member 22 is a plate-shaped body having a high transmittance and capable of withstanding a load received during processing of the semiconductor member.
  • Examples of the support member 22 include an inorganic glass substrate, a transparent resin substrate, and the like.
  • the thickness of the support member 22 may be, for example, 0.1 to 2.0 mm. When the thickness of the support member 22 is 0.1 mm or more, handling tends to be easy. When the thickness of the support member 22 is 2.0 mm or less, the material cost tends to be suppressed.
  • the light absorption layer 12 is a layer that absorbs light and generates heat.
  • the light absorption layer 12 may be, for example, a conductor layer containing a conductor that absorbs light and generates heat.
  • Examples of the conductor constituting the conductor layer include metals, metal oxides, conductive carbon materials, and the like.
  • the metal may be a single metal such as chromium, copper, titanium, silver, platinum or gold, or may be an alloy such as nickel-chromium, stainless steel or copper-zinc.
  • the metal oxide include indium tin oxide (ITO), zinc oxide, niobium oxide and the like. These may be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type.
  • the conductor may be chromium, titanium, or a conductive carbon material.
  • the light absorption layer 12 may be a single layer or a metal layer composed of a plurality of layers, and may be, for example, a metal layer composed of a copper layer and a titanium layer.
  • the light absorbing layer 12 When the light absorbing layer 12 is a single metal layer, the light absorbing layer 12 has tallium (Ta), platinum (Pt), nickel (Ni), titanium (Ti), tungsten (W), chromium (Cr), and the like. It may contain at least one metal selected from the group consisting of copper (Cu), aluminum (Al), silver (Ag), and gold (Au).
  • the light absorption layer 12 is composed of two layers, a first layer and a second layer, and may be laminated in the order of the first layer and the second layer from the support member 22 side.
  • the first layer of the light absorption layer 12 is selected from the group consisting of tarium (Ta), platinum (Pt), nickel (Ni), titanium (Ti), tungsten (W), and chromium (Cr).
  • the second layer of the light absorbing layer 12 may contain at least one metal, and the second layer of the light absorbing layer 12 is at least one selected from the group consisting of copper (Cu), aluminum (Al), silver (Ag), and gold (Au). It may contain seed metals.
  • the thickness of the light absorption layer 12 may be 1 to 5000 nm, 100 to 3000 nm, or 50 to 300 nm from the viewpoint of light peelability.
  • the thickness of the light absorption layer 12 is 75 nm or more, 90 nm or more, or 100 nm or more from the viewpoint of good peelability. It may be 1000 nm or less, 800 nm or less, 500 nm or less, or 300 nm or less.
  • the thickness of the light absorption layer 12 is 100 nm or more, 125 nm or more, 150 nm or more, or 200 nm or more from the viewpoint of good peelability. It may be 1000 nm or less, 800 nm or less, or 500 nm or less.
  • the temporary fixing material layer 10A is a layer made of the temporary fixing film 10.
  • the thickness of the temporary fixing material layer 10A may be, for example, 0.1 to 200 ⁇ m, 1 to 150 ⁇ m, or 10 to 100 ⁇ m from the viewpoint of stress relaxation.
  • the method for manufacturing the temporary fixing laminate 20 is not particularly limited as long as a laminate having a predetermined configuration can be obtained.
  • the temporary fixing laminate 20 is, for example, by a method including a step of forming a light absorption layer 12 on the support member 22 and a step of attaching the above-mentioned temporary fixing film 10 on the formed light absorption layer 12. Can also be obtained.
  • the light absorption layer 12 can be obtained by forming a metal layer on the support member 22 by physical vapor deposition (PVD) such as vacuum deposition or sputtering, or chemical vapor deposition (CVD) such as plasma chemical vapor deposition. ..
  • PVD physical vapor deposition
  • CVD chemical vapor deposition
  • the light absorption layer 12 can also be obtained by forming a plating layer on the support member 22 by electrolytic plating or electroless plating. According to physical vapor deposition, even if the support member 22 has a large area, a metal layer as a light absorption layer 12 that covers the surface of the support member 22 can be efficiently formed.
  • Examples of the method of pasting the temporary fixing film 10 on the light absorbing layer 12 include a heat press, a roll laminating, and a vacuum laminating method. Lamination can be performed, for example, under temperature conditions of 0 to 120 ° C.
  • the method for manufacturing a semiconductor device is a step of preparing the above-mentioned temporary fixing laminate (preparation step) and a step of temporarily fixing the semiconductor member to the support member via the temporary fixing material layer (temporary fixing step).
  • the fixing process the process of processing the semiconductor member temporarily fixed to the support member (processing process), and the temporary fixing laminate being irradiated with light from the support member side to irradiate the semiconductor member from the support member. It includes a step of separating (separation step).
  • the temporary fixing laminate 20 for temporarily fixing the semiconductor member to the support member is prepared while processing the semiconductor member.
  • Temporal fixing process 3A and 3B are schematic cross-sectional views showing an embodiment of a method for manufacturing a semiconductor device.
  • the semiconductor member 40 is temporarily fixed to the support member 22 via the temporary fixing material layer 10A.
  • the temporary fixing material layer 10A has a surface S on the opposite side of the temporary fixing material layer 10A from the light absorption layer 12.
  • the semiconductor is formed by curing the temporary fixing material layer 10A (temporary fixing film 10) in a state where the semiconductor member 40 is arranged on the temporary fixing material layer 10A (see FIG. 3A).
  • the member 40 can be temporarily fixed to the support member 22 (see FIG. 3B).
  • the semiconductor member 40 can be temporarily adhered to the support member 22 via the temporary fixing material layer 10Ac containing the cured product (cured product of the curable resin component) of the temporary fixing film 10.
  • the laminated body 30 including the temporary fixing laminated body 20c and the semiconductor member 40 provided on the temporary fixing laminated body 20c is formed.
  • the semiconductor member 40 may have a semiconductor substrate 42 and a rewiring layer 44.
  • the semiconductor member 40 has a support member via the temporary fixing material layer 10A in the direction in which the rewiring layer is located on the temporary fixing material layer 10A side. It is temporarily fixed to 22.
  • the semiconductor member 40 may further have an external connection terminal.
  • the semiconductor substrate 42 may be a semiconductor wafer or a semiconductor chip obtained by dividing a semiconductor wafer. In the example of FIG. 3A, a plurality of semiconductor members 40 are arranged on the surface S of the temporary fixing material layer 10A, but the number of semiconductor members 40 may be one.
  • the thickness of the semiconductor member 40 may be 1 to 1000 ⁇ m, 10 to 500 ⁇ m, or 20 to 200 ⁇ m from the viewpoint of suppressing cracking during transportation, processing, etc., in addition to miniaturization and thinning of the semiconductor device. good.
  • the semiconductor member 40 arranged on the temporary fixing material layer 10A is crimped to the temporary fixing material layer 10A by using, for example, a vacuum press or a vacuum laminator.
  • the crimping conditions may be an atmospheric pressure of 1 hPa or less, a crimping pressure of 1 MPa, a crimping temperature of 120 to 200 ° C., and a holding time of 100 to 300 seconds.
  • the crimping conditions are, for example, an atmospheric pressure of 1 hPa or less, a crimping temperature of 60 to 180 ° C. or 80 to 150 ° C., a laminating pressure of 0.01 to 1.0 MPa or 0.1 to 0.7 MPa, and a holding time of 1. It may be from ⁇ 600 seconds or 30 to 300 seconds.
  • the temporary fixing material layer 10A (curable resin component) is thermally cured or photocured so that the semiconductor member 40 is a cured product of the temporary fixing film 10. It is temporarily fixed to the support member 22 via the temporary fixing material layer 10Ac containing (cured product of curable resin component).
  • the conditions for thermosetting may be, for example, 300 ° C. or lower or 100 to 250 ° C. for 1 to 180 minutes or 1 to 120 minutes.
  • FIG. 4A shows an example of processing including thinning of a semiconductor substrate. Processing of semiconductor members is not limited to this, for example, thinning of semiconductor substrates, division of semiconductor members (dicing), formation of through silicon vias (through silicon vias), etching processing, plating reflow processing, sputtering processing, or these. Can include combinations of.
  • a sealing layer 50 for sealing the processed semiconductor member 40 is formed.
  • the sealing layer 50 can be formed by using a sealing material usually used for manufacturing a semiconductor device.
  • the sealing layer 50 may be formed of a thermosetting resin composition.
  • the thermosetting resin composition used for the sealing layer 50 include epoxy resins such as cresol novolac epoxy resin, phenol novolac epoxy resin, biphenyl diepoxy resin, and naphthol novolac epoxy resin.
  • the thermosetting resin composition for forming the sealing layer 50 and the sealing layer 50 may contain an additive such as a filler and / or a flame retardant.
  • the sealing layer 50 is formed by using, for example, a solid material, a liquid material, a fine-grained material, or a sealing film.
  • a sealing film When a sealing film is used, a compression sealing molding machine, a vacuum laminating device, or the like is used. For example, using these devices, sealing by thermal melting under the conditions of 40 to 180 ° C (or 60 to 150 ° C), 0.1 to 10 MPa (or 0.5 to 8 MPa), and 0.5 to 10 minutes.
  • the sealing layer 50 can be formed by covering the semiconductor member 40 with a film. The thickness of the sealing film is adjusted so that the sealing layer 50 is equal to or larger than the thickness of the processed semiconductor member 40.
  • the thickness of the sealing film may be 50 to 2000 ⁇ m, 70 to 1500 ⁇ m, or 100 to 1000 ⁇ m.
  • the sealing layer 50 and the temporary fixing material layer 10Ac may be divided into a plurality of portions including one semiconductor member 40 each.
  • (Separation process) 5 (a) and 5 (b) are schematic cross-sectional views showing an embodiment of a method for manufacturing a semiconductor device.
  • the separation step the semiconductor member is separated from the support member by irradiating the temporary fixing laminate with light from the support member side.
  • the temporary fixing laminate 20c is irradiated with light A from the support member 22 side to separate the semiconductor member 40 from the support member 22.
  • the light absorption layer 12 absorbs light and instantaneously generates heat.
  • the generated heat may cause, for example, melting of the temporary fixing material layer 10Ac, thermal stress generated between the support member 22 and the semiconductor member 40, and scattering of the light absorbing layer 12.
  • One or two or more of these phenomena are the main causes of coagulation peeling, interface peeling, and the like, and the semiconductor member 40 can be easily separated from the support member 22.
  • a slight stress may be applied to the semiconductor member 40 together with the irradiation of light A.
  • the light A in the separation step may be incoherent light.
  • Incoherent light is light that is not coherent, and is an electromagnetic wave having properties such as no interference fringes, low coherence, and low directivity. Incoherent light tends to be attenuated as the optical path length becomes longer.
  • Laser light is generally coherent light, whereas light such as sunlight and fluorescent light is incoherent light.
  • Incoherent light can also be said to be light excluding laser light. Since the irradiation area of the incoherent light is generally primarily wider than that of the coherent light (that is, laser light), it is possible to reduce the number of irradiations. For example, a single irradiation can result in the separation of the plurality of semiconductor members 40.
  • the incoherent light may include infrared rays.
  • the incoherent light may be pulsed light.
  • the light source is not particularly limited, but may be a xenon lamp.
  • a xenon lamp is a lamp that utilizes light emission by application / discharge in an arc tube filled with xenon gas. Since the xenon lamp discharges while repeating ionization and excitation, it has a stable continuous wavelength from the ultraviolet light region to the infrared light region. Since the xenon lamp requires a shorter start time than a lamp such as a metal halide lamp, the time required for the process can be significantly shortened. Further, since it is necessary to apply a high voltage for light emission, high heat is generated instantaneously, but the xenon lamp is also advantageous in that the cooling time is short and continuous work is possible.
  • the irradiation conditions of the xenon lamp include the applied voltage, pulse width, irradiation time, irradiation distance (distance between the light source and the light absorption layer), irradiation energy, etc., and these can be arbitrarily set according to the number of irradiations and the like. .. From the viewpoint of reducing damage to the semiconductor member 40, irradiation conditions may be set so that the semiconductor member 40 can be separated by a single irradiation.
  • a part of the temporary fixing material layer 10Ac may adhere as a residue on the separated semiconductor member 40.
  • the attached residue is removed as shown in FIG. 5 (b).
  • the attached residue may be peeled off, for example, by peeling. Since the temporary fixing film of the present embodiment can sufficiently reduce the peeling residue after separating the semiconductor member and the supporting member, it can be efficiently peeled off by peeling.
  • the adhered residue may be removed by washing with a solvent, for example.
  • the solvent is not particularly limited, and examples thereof include ethanol, methanol, toluene, xylene, acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, and hexane. These may be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type.
  • the semiconductor member 40 may be immersed in a solvent or ultrasonic cleaning may be performed. The semiconductor member 40 may be heated at a low temperature of about 100 ° C. or lower.
  • the semiconductor element 60 including the processed semiconductor member 40 can be obtained by the above-exemplified method.
  • a semiconductor device can be manufactured by connecting the obtained semiconductor element 60 to another semiconductor element or a substrate for mounting a semiconductor element.
  • (A-2) Maleic anhydride-modified styrene / ethylene / butylene / styrene block copolymer (trade name: FG1901GT, manufactured by Clayton Polymer Japan Co., Ltd., styrene content: 30.0% by mass), 25% by mass concentration of xylene Used as a solution.
  • (B-2) Dicyclopentadiene type epoxy resin (trade name: HP7200H, manufactured by DIC Corporation) was used as a cyclohexanone solution having a concentration of 50% by mass.
  • (B-3) Dicyclopentadiene type epoxy resin (trade name: HP7200H, manufactured by DIC Corporation) was used as a xylene solution having a concentration of 50% by mass.
  • (D) Curing accelerator (D-1) Imidazole derivative (trade name: 2PZ-CN, manufactured by Shikoku Chemicals Corporation) was used as a cyclohexanone solution having a concentration of 10% by mass.
  • the materials shown in Table 1 were mixed at the ratio shown in Table 1 (the numerical values in Table 1 mean the non-volatile content) to obtain a varnish as a curable resin component.
  • a mold release surface of a polyethylene terephthalate (PET) film (Purex A31, manufactured by Toyobo Film Solution Co., Ltd., thickness: 38 ⁇ m) as a support film for the obtained curable resin component varnish using a precision coating machine. was painted on.
  • the coating film was dried by heating at 100 ° C. for 10 minutes to obtain temporary fixing films (curable resin films) of Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 and 2.
  • the storage elastic modulus was measured using the temporary fixing films of Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 and 2.
  • a temporary fixing film having a thickness of 500 ⁇ m was prepared.
  • the temporary fixing film is cut into a predetermined size (length (distance between chucks) 20 mm x width 5.0 mm) and thermoset in a clean oven (manufactured by Espec Co., Ltd.) at 180 ° C for 2 hours.
  • a measurement sample which is a cured product of a temporary fixing film (curable resin film), was obtained.
  • the storage elastic moduli at 270 ° C. and 25 ° C. in the cured product of the temporary fixing film (curable resin film) were measured under the following conditions. The results are shown in Table 1.
  • Dynamic viscoelasticity measuring device manufactured by TA Instrument Co., Ltd., RSA-G2
  • Measurement temperature range -70 to 300 ° C
  • Temperature rise rate 5 ° C / min
  • Frequency 1Hz
  • Measurement mode Tension mode
  • the implantability was evaluated using the temporary fixing films of Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 and 2.
  • a temporary fixing film having a thickness of 80 ⁇ m was prepared.
  • the support film of the temporary fixing film was peeled off, and the surface of the temporary fixing film on the peeled side was laminated on the slide glass at 100 ° C.
  • a semiconductor chip having a semicircular step of 7.3 mm square, a thickness of 150 ⁇ m, and a surface of 40 ⁇ m under the conditions of a temperature of 130 ° C./pressure of 50 N / hour for 10 seconds was placed on the surface having the semicircular step.
  • the peel strength was measured using the temporary fixing films of Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 and 2.
  • a temporary fixing film having a thickness of 80 ⁇ m was prepared.
  • the peel strength was evaluated by measuring the 90 ° peel strength between the silicon mirror wafer and the temporary fixing film.
  • a silicon mirror wafer (6 inches) with a thickness of 625 ⁇ m is placed on the stage of a vacuum laminator (LM-50X50-S manufactured by NPC Co., Ltd.), the support film of the temporary fixing film is peeled off, and the temporary fixing film is peeled off.
  • the surface on the support film side of the above was arranged so as to be in contact with the silicon mirror wafer.
  • the sample Under the condition of 1.5 kPa (15 mbar), the sample was obtained by heating and pressurizing at a temperature of 120 ° C. and a pressure of 0.1 MPa for 2 minutes and vacuum laminating. The obtained sample was subsequently heated at 200 ° C. for 1 hour to cure. Then, the sample was cut into a width of 10 mm and used as a measurement sample. The measurement sample was subjected to a peeling test at a speed of 50 mm / min with a peeling tester set so that the peeling angle was 90 °, and this was defined as the peeling strength. The results are shown in Table 1.
  • the temporary fixing film of the example in which the storage elastic modulus at 270 ° C. after curing is 1.5 to 20 MPa and the storage elastic modulus at 25 ° C. after curing is 1.5 to 150 MPa is It was excellent in terms of defects (embedding property and creeping up of resin components) and peeling residue. From these results, the temporary fixing film of the present disclosure can sufficiently suppress defects in temporary fixing of the semiconductor member, and sufficiently reduce the peeling residue after separating the semiconductor member and the support member. It was confirmed that it is possible to form a temporary fixing material layer that can be formed.
  • Temporary fixing film is provided. Further, according to the present disclosure, there is provided a method for manufacturing a temporary fixing laminate and a semiconductor device using such a temporary fixing film.
  • 10 Temporary fixing film, 10A, 10Ac ... Temporary fixing material layer, 12 ... Light absorption layer, 20, 20c ... Temporary fixing laminate, 22 ... Support member, 30 ... Laminate, 40 ... Semiconductor member, 42 ... Semiconductor Substrate, 44 ... rewiring layer, 50 ... sealing layer, 60 ... semiconductor element.

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Abstract

半導体部材と支持部材とを仮固定するために用いられる仮固定用フィルムが開示される。当該仮固定用フィルムは、硬化性樹脂成分を含有する。当該仮固定用フィルムの硬化後の２７０℃の貯蔵弾性率は、１．５～２０ＭＰａである。当該仮固定用フィルムの硬化後の２５℃の貯蔵弾性率は、１．５～１５０ＭＰａである。

Description

仮固定用フィルム、仮固定用積層体、及び半導体装置の製造方法
　本開示は、仮固定用フィルム、仮固定用積層体、及び半導体装置の製造方法に関する。
　半導体装置の分野では、近年、複数の半導体素子を積層したＳＩＰ（Ｓｙｓｔｅｍ　ｉｎ　Ｐａｃｋａｇｅ）と呼ばれるパッケージに関する技術が著しく成長している。ＳＩＰ型のパッケージでは半導体素子が多数積層されるため、半導体素子には、薄厚化が要求される。この要求に応じて、半導体素子には、半導体部材（例えば、半導体ウェハ）に集積回路を組み入れた後に、例えば、半導体部材の裏面を研削する薄厚化、半導体ウェハをダイシングする個別化等の加工処理が施される。これら半導体部材の加工処理は、通常、仮固定材層によって、半導体部材を支持部材に仮固定して行われる（例えば、特許文献１～３を参照。）。
　加工処理が施された半導体部材は、仮固定材層を介して支持部材と強固に固定されている。そのため、半導体装置の製造方法においては、半導体部材のダメージ等を防ぎつつ、加工処理後の半導体部材を支持部材から分離できることが求められる。特許文献１には、このような半導体部材を分離する方法として、仮固定材層を加熱しながら物理的に分離する方法が開示されている。また、特許文献２、３には、仮固定材層にレーザー光（コヒーレント光）を照射することによって、半導体部材を分離する方法が開示されている。
特開２０１２－１２６８０３号公報 特開２０１６－１３８１８２号公報 特開２０１３－０３３８１４号公報
　ところで、上記の半導体部材を分離する方法においては、半導体部材を仮固定する際に、仮固定材層における樹脂成分が半導体部材に対して這い上がる、仮固定材層における樹脂成分による半導体部材の表面凹凸の埋め込み性が充分でない等の不具合が生じることがある。このような不具合が生じてしまうと、半導体部材を保護する封止材が充分に充填されない、半導体部材の表面に封止材が侵入する等のおそれがある。さらに、上記の半導体部材を分離する方法においては、半導体部材と支持部材とを分離した後において、半導体部材上に、仮固定材層が残渣として付着することがある。このような付着した残渣は、例えば、ピール等によって剥離することができるが、その際に、半導体部材上に残渣の一部が剥離残渣して残存してしまう場合がある。半導体部材上に剥離残渣が残存してしまうと、歩留まりが低下するおそれがある。
　そこで、本開示は、半導体部材を仮固定する際の不具合を充分に抑制でき、かつ半導体部材と支持部材とを分離した後の剥離残渣を充分に低減できる仮固定材層を形成することが可能な仮固定用フィルムを提供することを主な目的とする。
　本開示の一側面は、仮固定用フィルムに関する。当該仮固定用フィルムは、半導体部材と支持部材とを仮固定するために用いられるものである。当該仮固定用フィルムは、硬化性樹脂成分を含有する。仮固定用フィルムの硬化後の２７０℃の貯蔵弾性率は、１．５～２０ＭＰａである。仮固定用フィルムの硬化後の２７０℃の貯蔵弾性率がこのような範囲にある（特に、１．５ＭＰａ以上である）仮固定用フィルムからなる仮固定材層によれば、半導体部材を仮固定する際の不具合を充分に抑制することができる。また、仮固定用フィルムの硬化後の２５℃の貯蔵弾性率は１．５～１５０ＭＰａである。仮固定用フィルムの硬化後の２５℃の貯蔵弾性率がこのような範囲にある仮固定用フィルムからなる仮固定材層によれば、半導体部材と支持部材とを分離した後の剥離残渣を充分に低減することができる。
　硬化性樹脂成分は、熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂を含んでいてもよい。この場合、熱可塑性樹脂は、スチレンに由来するモノマー単位を有する炭化水素樹脂であってよい。スチレンに由来するモノマー単位の含有量は、炭化水素樹脂の総量を基準として、１０～２２．５質量％であってよく、硬化性樹脂成分の総量を基準として、７～１６質量％であってよい。
　炭化水素樹脂の含有量は、熱可塑性樹脂の総量を基準として、５０質量％以上であってよい。
　本開示の他の一側面は、仮固定用積層体に関する。当該仮固定用積層体は、支持部材と、光吸収層と、上記の仮固定用フィルムからなる仮固定材層とをこの順に備える。
　本開示の他の一側面は、半導体装置の製造方法に関する。当該半導体装置の製造方法は、上記の仮固定用積層体を準備する工程と、半導体部材を、仮固定材層を介して支持部材に対して仮固定する工程と、支持部材に対して仮固定された半導体部材を加工する工程と、仮固定用積層体に対して支持部材側から光を照射して、支持部材から半導体部材を分離する工程とを備える。
　光は、インコヒーレント光であってよい。インコヒーレント光は、少なくとも赤外光を含む光であってよい。
　光の光源は、キセノンランプであってよい。
　本開示によれば、半導体部材を仮固定する際の不具合を充分に抑制でき、かつ半導体部材と支持部材とを分離した後の剥離残渣を充分に低減できる仮固定材層を形成することが可能な仮固定用フィルムが提供される。また、本開示によれば、このような仮固定用フィルムを用いた仮固定用積層体及び半導体装置の製造方法が提供される。
図１は、仮固定用フィルムの一実施形態を示す模式断面図である。 図２は、仮固定用積層体の一実施形態を示す模式断面図である。 図３（ａ）及び図３（ｂ）は、半導体装置の製造方法の一実施形態を示す模式断面図である。 図４（ａ）、図４（ｂ）、及び図４（ｃ）は、半導体装置の製造方法の一実施形態を示す模式断面図である。 図５（ａ）及び図５（ｂ）は、半導体装置の製造方法の一実施形態を示す模式断面図である。
　以下、図面を適宜参照しながら、本開示の実施形態について説明する。ただし、本開示は以下の実施形態に限定されるものではない。以下の実施形態において、その構成要素（ステップ等も含む）は、特に明示した場合を除き、必須ではない。各図における構成要素の大きさは概念的なものであり、構成要素間の大きさの相対的な関係は各図に示されたものに限定されない。
　本明細書における数値及びその範囲についても同様であり、本開示を制限するものではない。本明細書において「～」を用いて示された数値範囲は、「～」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。本明細書中に段階的に記載されている数値範囲において、一つの数値範囲で記載された上限値又は下限値は、他の段階的な記載の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。また、本明細書中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。また、個別に記載した上限値及び下限値は任意に組み合わせ可能である。また、「Ａ又はＢ」とは、Ａ及びＢのどちらか一方を含んでいればよく、両方とも含んでいてもよい。また、以下で例示する材料は、特に断らない限り、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。組成物中の各成分の含有量は、組成物中に各成分に該当する物質が複数存在する場合、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数の物質の合計量を意味する。
　本明細書において、（メタ）アクリル酸は、アクリル酸又はそれに対応するメタクリル酸を意味する。（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイル基等の他の類似表現についても同様である。
［仮固定用フィルム］
　図１は、仮固定用フィルムの一実施形態を示す模式断面図である。図１に示される仮固定用フィルム１０は、半導体部材と支持部材とを仮固定するために用いられるものである。より具体的には、仮固定用フィルム１０は、半導体装置の製造において、半導体部材を加工する間、半導体部材を支持部材に対して一時的に固定するための層（仮固定材層）を形成するために用いられるものである。仮固定用フィルム１０は、硬化性樹脂成分を含有するものであり、硬化性樹脂成分からなるものであってよい。
　硬化性樹脂成分は、熱又は光によって硬化する硬化性樹脂成分であり得る。硬化性樹脂成分は、熱によって硬化する硬化性樹脂成分であってよく、例えば、熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂を含む硬化性樹脂成分であってよい。
　熱可塑性樹脂は、熱可塑性を有する樹脂、又は少なくとも未硬化状態において熱可塑性を有し、加熱後に架橋構造を形成する樹脂であってよい。熱可塑性樹脂としては、例えば、炭化水素樹脂、ポリカーボネート、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルイミド、ポリイミド、石油樹脂、ノボラック樹脂等が挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらのうち、熱可塑性樹脂は、炭化水素樹脂であってよい。
　炭化水素樹脂は、主骨格が炭化水素で構成される樹脂である。このような炭化水素樹脂としては、例えば、エチレン・プロピレン共重合体、エチレン・１－ブテン共重合体、エチレン・プロピレン・１－ブテン共重合体エラストマー、エチレン・１－ヘキセン共重合体、エチレン・１－オクテン共重合体、エチレン・スチレン共重合体、エチレン・ノルボルネン共重合体、プロピレン・１－ブテン共重合体、エチレン・プロピレン・非共役ジエン共重合体、エチレン・１－ブテン・非共役ジエン共重合体、エチレン・プロピレン・１－ブテン・非共役ジエン共重合体、ポリイソプレン、ポリブタジエン、スチレン・ブタジエン・スチレンブロック共重合体（ＳＢＳ）、スチレン・イソプレン・スチレンブロック共重合体（ＳＩＳ）、スチレン・エチレン・ブチレン・スチレンブロック共重合体（ＳＥＢＳ）、スチレン・エチレン・プロピレン・スチレンブロック共重合体（ＳＥＰＳ）等が挙げられる。これらの炭化水素樹脂は、水添処理が施されていてもよい。また、これらの炭化水素樹脂は、無水マレイン酸等によってカルボキシ変性されていてもよい。これらのうち、炭化水素樹脂は、スチレンに由来するモノマー単位を有する炭化水素樹脂（すなわち、スチレン系樹脂）を含んでいてもよく、スチレンに由来するモノマー単位を有する炭化水素樹脂（すなわち、スチレン系樹脂）であってよい。より具体的には、炭化水素樹脂は、スチレン・エチレン・ブチレン・スチレンブロック共重合体（ＳＥＢＳ）を含んでいてもよく、スチレン・エチレン・ブチレン・スチレンブロック共重合体（ＳＥＢＳ）であってよい。
　炭化水素樹脂（又はスチレン系樹脂）の含有量は、熱可塑性樹脂の総量を基準として、５０質量％以上、７０質量％以上、又は９０質量％以上であってよい。炭化水素樹脂（又はスチレン系樹脂）の含有量は、熱可塑性樹脂の総量を基準として、１００質量％以下であってよい。炭化水素樹脂（又はスチレン系樹脂）の含有量がこのような範囲にあると、仮固定用フィルムの貯蔵弾性率を所望の範囲に調整し易い傾向にあり、本開示の効果が顕著に奏される傾向にある。熱可塑性樹脂は、炭化水素樹脂（又はスチレン系樹脂）から構成されるものであってよい。
　スチレン系樹脂（又はＳＥＢＳ）の含有量は、炭化水素樹脂の総量を基準として、５０質量％以上、７０質量％以上、又は９０質量％以上であってよい。スチレン系樹脂（又はＳＥＢＳ）の含有量は、炭化水素樹脂の総量を基準として、１００質量％以下であってよい。スチレン系樹脂（又はＳＥＢＳ）の含有量がこのような範囲にあると、仮固定用フィルムの貯蔵弾性率を所望の範囲に調整し易い傾向にあり、本開示の効果が顕著に奏される傾向にある。炭化水素樹脂は、スチレン系樹脂（又はＳＥＢＳ）から構成されるものであってよい。
　炭化水素樹脂がスチレン系樹脂を含む場合、スチレンに由来するモノマー単位の含有量は、炭化水素樹脂（又は熱可塑性樹脂）の総量を基準として、１０～２２．５質量％であってよい。スチレンに由来するモノマー単位の含有量がこのような範囲にあると、仮固定用フィルムの貯蔵弾性率を所望の範囲に調整し易い傾向にあり、本開示の効果が顕著に奏される傾向にある。なお、スチレン系樹脂を２種以上組み合わせて用いる場合、スチレンに由来するモノマー単位の含有量は、２種以上のスチレン系樹脂におけるスチレンに由来するモノマー単位の含有量の合計を意味する。スチレンに由来するモノマー単位の含有量は、炭化水素樹脂（又は熱可塑性樹脂）の総量を基準として、１１質量％以上、１２質量％以上、又は１３質量％以上であってもよく、２２質量％以下又は２１．５質量％以下であってもよい。
　硬化性樹脂成分が熱可塑性樹脂（炭化水素樹脂）としてスチレン系樹脂を含む場合、スチレンに由来するモノマー単位の含有量は、硬化性樹脂成分の総量を基準として、７～１６質量％であってよい。スチレンに由来するモノマー単位の含有量がこのような範囲にあると、仮固定用フィルムの貯蔵弾性率を所望の範囲に調整し易い傾向にあり、本開示の効果が顕著に奏される傾向にある。なお、スチレン系樹脂を２種以上組み合わせて用いる場合、スチレンに由来するモノマー単位の含有量は、２種以上のスチレン系樹脂におけるスチレンに由来するモノマー単位の含有量の合計を意味する。スチレンに由来するモノマー単位の含有量は、硬化性樹脂成分の総量を基準として、７．５質量％以上、８質量％以上、又は９質量％以上であってもよく、１５．５質量％以下又は１５質量％以下であってもよい。
　熱可塑性樹脂のＴｇは、－１００～５００℃、－５０～３００℃、又は－５０～５０℃であってよい。熱可塑性樹脂のＴｇが５００℃以下であると、フィルム状の仮固定材を形成したときに、柔軟性を確保し易く、低温貼付性を向上させることができる傾向にある。熱可塑性樹脂のＴｇが－１００℃以上であると、フィルム状の仮固定材を形成したときに、柔軟性が高くなり過ぎることによる取扱性及び剥離性の低下を抑制できる傾向にある。
　熱可塑性樹脂のＴｇは、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）によって得られる中間点ガラス転移温度である。熱可塑性樹脂のＴｇは、具体的には、昇温速度１０℃／分、測定温度－８０～８０℃の条件で熱量変化を測定し、ＪＩＳ　Ｋ　７１２１に準拠した方法によって算出される中間点ガラス転移温度である。
　熱可塑性樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１万～５００万又は１０万～２００万であってよい。重量平均分子量が１万以上であると、形成される仮固定材層の耐熱性を確保し易くなる傾向にある。重量平均分子量が５００万以下であると、フィルム状の仮固定材層又は樹脂層を形成したときに、フローの低下及び貼付性の低下を抑制し易い傾向にある。なお、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）で標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値である。
　熱可塑性樹脂の含有量は、例えば、硬化性樹脂成分の総量１００質量部に対して、４０～９０質量部であってよい。熱可塑性樹脂の含有量は、例えば、硬化性樹脂成分の総量１００質量部に対して、５０質量部以上又は６０質量部以上であってもよく、８５質量部以下又は８０質量部以下あってもよい。熱可塑性樹脂の含有量がこのような範囲にあると、仮固定材層の薄膜形成性及び平坦性により優れる傾向にある。
　熱硬化性樹脂は、熱によって硬化性を示す樹脂であり、上記熱可塑性樹脂（炭化水素樹脂）を包含しない概念である。熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、熱硬化型ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂等が挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらのうち、熱硬化性樹脂は、耐熱性、作業性、及び信頼性により優れることから、エポキシ樹脂であってよい。
　エポキシ樹脂は、硬化して耐熱作用を有するものであれば特に限定されない。エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ等の二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂等の脂環式エポキシ樹脂などが挙げられる。また、エポキシ樹脂は、例えば、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、又は複素環含有エポキシ樹脂であってもよい。これらの中でも、エポキシ樹脂は、耐熱性及び耐候性の観点から、脂環式エポキシ樹脂を含んでいてもよい。
　熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合、熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂とエポキシ樹脂硬化剤との組み合わせであってもよい。エポキシ樹脂硬化剤は、通常用いられている公知の硬化剤を使用することができる。エポキシ樹脂硬化剤としては、例えば、アミン、ポリアミド、酸無水物、ポリスルフィド、三フッ化ホウ素、ビスフェノール（ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ等）、フェノール樹脂（フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡ型ノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂等）等が挙げられる。
　熱硬化性樹脂の含有量は、例えば、硬化性樹脂成分の総量１００質量部に対して、１０～６０質量部であってよい。熱硬化性樹脂の含有量は、例えば、硬化性樹脂成分の総量１００質量部に対して、１５質量部以上又は２０質量部以上であってもよく、５０質量部以下又は４０質量部以下あってもよい。熱硬化性樹脂の含有量がこのような範囲にあると、仮固定材層の薄膜形成性及び平坦性により優れる傾向にある。
　硬化性樹脂成分は、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂の硬化反応を促進する硬化促進剤をさらに含んでいてもよい。硬化促進剤としては、例えば、イミダゾール誘導体、ジシアンジアミド誘導体、ジカルボン酸ジヒドラジド、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、２－エチル－４－メチルイミダゾール－テトラフェニルボレート、１，８－ジアザビシクロ［５，４，０］ウンデセン－７－テトラフェニルボレート等が挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　硬化促進剤の含有量は、熱硬化性樹脂の総量１００質量部に対して、０．０１～５質量部であってよい。硬化促進剤の含有量がこのような範囲内にあると、硬化性樹脂成分の硬化性及び硬化後の耐熱性がより優れる傾向にある。硬化促進剤の含有量は、２７０℃の貯蔵弾性率及び２５℃の貯蔵弾性率を所定の範囲に調整し易いことから、熱硬化性樹脂の総量１００質量部に対して、１．０質量部以上、１．２質量部以上、又は１．５質量部以上であってもよく、３．０質量部以下、２．５質量部以下、又は２．０質量部以下であってもよい。
　硬化性樹脂成分は、重合性モノマー及び重合開始剤をさらに含んでいてもよい。重合性モノマーは、加熱又は紫外光等の照射によって重合するものであれば特に制限されない。重合性モノマーは、材料の選択性及び入手の容易さの観点から、例えば、エチレン性不飽和基等の重合性官能基を有する化合物であってよい。重合性モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリレート、ハロゲン化ビニリデン、ビニルエーテル、ビニルエステル、ビニルピリジン、ビニルアミド、アリール化ビニル等が挙げられる。これらのうち、重合性モノマーは、（メタ）アクリレートであってもよい。（メタ）アクリレートは、単官能（１官能）、２官能、又は３官能以上のいずれであってもよいが、充分な硬化性を得る観点から、２官能以上の（メタ）アクリレートであってもよい。
　単官能（メタ）アクリレートとしては、例えば、（メタ）アクリル酸；メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ－ブチル（メタ）アクリレート、ブトキシエチル（メタ）アクリレート、イソアミル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ヘプチル（メタ）アクリレート、オクチルヘプチル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３－クロロ－２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、メトキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、エトキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、エトキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、モノ（２－（メタ）アクリロイロキシエチル）スクシネート等の脂肪族（メタ）アクリレート；ベンジル（メタ）アクリレート、フェニル（メタ）アクリレート、ｏ－ビフェニル（メタ）アクリレート、１－ナフチル（メタ）アクリレート、２－ナフチル（メタ）アクリレート、フェノキシエチル（メタ）アクリレート、ｐ－クミルフェノキシエチル（メタ）アクリレート、ｏ－フェニルフェノキシエチル（メタ）アクリレート、１－ナフトキシエチル（メタ）アクリレート、２－ナフトキシエチル（メタ）アクリレート、フェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、ノニルフェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、フェノキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシ－３－フェノキシプロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシ－３－（ｏ－フェニルフェノキシ）プロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシ－３－（１－ナフトキシ）プロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシ－３－（２－ナフトキシ）プロピル（メタ）アクリレート等の芳香族（メタ）アクリレートなどが挙げられる。
　２官能（メタ）アクリレートとしては、例えば、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、エトキシ化ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，３－ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，４－ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、３－メチル－１，５－ペンタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６－ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、２－ブチル－２－エチル－１，３－プロパンジオールジ（メタ）アクリレート、１，９－ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、１，１０－デカンジオールジ（メタ）アクリレート、グリセリンジ（メタ）アクリレート、トリシクロデカンジメタノール（メタ）アクリレート、エトキシ化２－メチル－１，３－プロパンジオールジ（メタ）アクリレート等の脂肪族（メタ）アクリレート；エトキシ化ビスフェノールＡ型ジ（メタ）アクリレート、プロポキシ化ビスフェノールＡ型ジ（メタ）アクリレート、エトキシ化プロポキシ化ビスフェノールＡ型ジ（メタ）アクリレート、エトキシ化ビスフェノールＦ型ジ（メタ）アクリレート、プロポキシ化ビスフェノールＦ型ジ（メタ）アクリレート、エトキシ化プロポキシ化ビスフェノールＦ型ジ（メタ）アクリレート、エトキシ化フルオレン型ジ（メタ）アクリレート、プロポキシ化フルオレン型ジ（メタ）アクリレート、エトキシ化プロポキシ化フルオレン型ジ（メタ）アクリレート等の芳香族（メタ）アクリレートなどが挙げられる。
　３官能以上の多官能（メタ）アクリレートとしては、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、エトキシ化トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、プロポキシ化トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、エトキシ化プロポキシ化トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、エトキシ化ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、プロポキシ化ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、エトキシ化プロポキシ化ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、エトキシ化ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、プロポキシ化ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、エトキシ化プロポキシ化ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート等の脂肪族（メタ）アクリレート；フェノールノボラック型エポキシ（メタ）アクリレート、クレゾールノボラック型エポキシ（メタ）アクリレート等の芳香族エポキシ（メタ）アクリレートなどが挙げられる。
　これらの（メタ）アクリレートは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。さらに、これらの（メタ）アクリレートをその他の重合性モノマーと組み合わせて用いてもよい。
　重合性モノマーの含有量は、硬化性樹脂成分の総量１００質量部に対して、０～５０質量部であってよい。
　重合開始剤は、加熱又は紫外光等の照射によって重合を開始させるものであれば特に制限されない。例えば、重合性モノマーとして、エチレン性不飽和基を有する化合物を用いる場合、重合性開始剤は熱ラジカル重合開始剤又は光ラジカル重合開始剤であってよい。
　熱ラジカル重合開始剤としては、例えば、オクタノイルパーオキシド、ラウロイルパーオキシド、ステアリルパーオキシド、ベンゾイルパーオキシド等のジアシルパーオキシド；ｔ－ブチルパーオキシピバレート、ｔ－ヘキシルパーオキシピバレート、１，１，３，３－テトラメチルブチルパーオキシ－２－エチルヘキサノエート、２，５－ジメチル－２，５－ビス（２－エチルヘキサノイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ－ヘキシルパーオキシ－２－エチルヘキサノエート、ｔ－ブチルパーオキシ－２－エチルヘキサノエート、ｔ－ブチルパーオキシイソブチレート、ｔ－ヘキシルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ－ブチルパーオキシ－３，５，５－トリメチルヘキサノエート、ｔ－ブチルパーオキシラウリレート、ｔ－ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ－ブチルパーオキシ－２－エチルヘキシルモノカーボネート、ｔ－ブチルパーオキシベンゾエート、ｔ－ヘキシルパーオキシベンゾエート、２，５－ジメチル－２，５－ビス（ベンゾイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ－ブチルパーオキシアセテート等のパーオキシエステル；２，２’－アゾビスイソブチロニトリル、２，２’－アゾビス（２，４－ジメチルバレロニトリル）、２，２’－アゾビス（４－メトキシ－２’－ジメチルバレロニトリル）等のアゾ化合物などが挙げられる。
　光ラジカル重合開始剤としては、例えば、２，２－ジメトキシ－１，２－ジフェニルエタン－１－オン等のベンゾインケタール；１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２－ヒドロキシ－２－メチル－１－フェニルプロパン－１－オン、１－［４－（２－ヒドロキシエトキシ）フェニル］－２－ヒドロキシ－２－メチル－１－プロパン－１－オン等のα－ヒドロキシケトン；ビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）フェニルホスフィンオキシド、ビス（２，６－ジメトキシベンゾイル）－２，４，４－トリメチルペンチルホスフィンオキシド、２，４，６－トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド等のホスフィンオキシドなどが挙げられる。
　これらの熱及び光ラジカル重合開始剤は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　重合開始剤の含有量は、重合性モノマーの総量１００質量部に対して、０．０１～５質量部であってよい。
　硬化性樹脂成分は、その他の成分として、絶縁性フィラー、増感剤、酸化防止剤等をさらに含んでいてもよい。
　絶縁性フィラーは、仮固定材層に低熱膨張性、低吸湿性等を付与する目的で添加され得る。絶縁性フィラーとしては、例えば、シリカ、アルミナ、窒化ホウ素、チタニア、ガラス、セラミック等の非金属無機フィラーなどが挙げられる。これらの絶縁性フィラーは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。絶縁性フィラーは、溶剤との分散性の観点から、その表面が表面処理剤で処理された粒子であってもよい。表面処理剤は、例えば、シランカップリング剤であってよい。
　絶縁性フィラーの含有量は、硬化性樹脂成分の総量１００質量部に対して、０．１～２０質量部であってよい。絶縁性フィラーの含有量がこのような範囲内であると、光透過を妨げることなく耐熱性をより向上させることができる傾向にある。また、絶縁性フィラーの含有量がこのような範囲内であると、軽剥離性にも寄与する可能性がある。
　増感剤としては、例えば、アントラセン、フェナントレン、クリセン、ベンゾピレン、フルオランテン、ルブレン、ピレン、キサントン、インダンスレン、チオキサンテン－９－オン、２－イソプロピル－９Ｈ－チオキサンテン－９－オン、４－イソプロピル－９Ｈ－チオキサンテン－９－オン、１－クロロ－４‐プロポキシチオキサントン等が挙げられる。
　増感剤の含有量は、硬化性樹脂成分の総量１００質量部に対して、０．０１～１０質量部であってよい。増感剤の含有量がこのような範囲内であると、硬化性樹脂成分の特性及び薄膜性への影響が少ない傾向にある。
　酸化防止剤としては、例えば、ベンゾキノン、ハイドロキノン等のキノン誘導体、４－メトキシフェノール、４－ｔ－ブチルカテコール等のフェノール誘導体（ヒンダードフェノール誘導体）、２，２，６，６－テトラメチルピペリジン－１－オキシル、４－ヒドロキシ－２，２，６，６－テトラメチルピペリジン－１－オキシル等のアミノキシル誘導体、テトラメチルピペリジルメタクリレート等のヒンダードアミン誘導体などが挙げられる。
　酸化防止剤の含有量は、硬化性樹脂成分の総量１００質量部に対して、０．１～１０質量部であってよい。酸化防止剤の含有量がこのような範囲内であると、硬化性樹脂成分の分解を抑制し、汚染を防ぐことができる傾向にある。
　仮固定用フィルム１０の厚みは、応力緩和の観点から、例えば、０．１～２００μｍ、１～１５０μｍ、又は１０～１００μｍであってもよい。
　仮固定用フィルムの１００℃のずり粘度は、例えば、１０００Ｐａ・ｓ以上、２０００Ｐａ・ｓ以上、又は３０００Ｐａ・ｓ以上であってよく、８００００Ｐａ・ｓ以下、６００００Ｐａ・ｓ以下、４００００Ｐａ・ｓ以下、又は３００００Ｐａ・ｓ以下であってよい。１００℃のずり粘度がこのような範囲にあると、半導体部材を仮固定する際の不具合（特に、半導体部材を仮固定材層上に配置する際の仮固定材層における樹脂成分の半導体部材に対する這い上がり）をより充分に抑制することができる。なお、本明細書において、仮固定用フィルムの１００℃のずり粘度は、実施例に記載の方法で測定される値を意味する。すなわち、ずり粘度の測定においては、厚み５００μｍの仮固定用フィルムを準備し、ずり粘度は、ＡＲＥＳ（レオメトリック・サイエンティフィック社製）を用いて測定する。測定サンプルは、直径９ｍｍφに打ち抜くことによって作製する。測定は、測定サンプルに５％の歪みを与えながら、５℃／分の昇温速度で昇温することによって行う。このとき、１００℃で観測される値を１００℃のずり粘度とする。
　仮固定用フィルムの１００℃のずり粘度は、例えば、熱可塑性樹脂（炭化水素樹脂）の含有量を大きくする、高いＴｇを有する熱可塑性樹脂（炭化水素樹脂）を適用する等の方法によって増加させることができる。
　仮固定用フィルムの硬化後の２７０℃の貯蔵弾性率は、１．５～２０ＭＰａである。硬化後の２７０℃の貯蔵弾性率がこのような範囲にある（特に、１．５ＭＰａ以上である）と、半導体部材を仮固定する際の不具合（特に、半導体部材を仮固定材層上に配置する際の仮固定材層における樹脂成分の半導体部材に対する這い上がり）を充分に抑制することができる。仮固定用フィルムの硬化後の２７０℃の貯蔵弾性率は、１．６ＭＰａ以上又は１．８ＭＰａ以上であってもよく、１５ＭＰａ以下、１０ＭＰａ以下、８ＭＰａ以下、５ＭＰａ以下、又は３ＭＰａ以下であってもよい。なお、本明細書において、仮固定用フィルムの硬化後の各温度の貯蔵弾性率は、実施例に記載の方法で硬化させ、実施例に記載の方法で測定される値を意味する。すなわち、貯蔵弾性率の測定においては、厚み５００μｍの仮固定用フィルムを準備し、仮固定用フィルムを、所定のサイズ（縦（チャック間距離）２０ｍｍ×横５．０ｍｍ）に切り出し、クリーンオーブン（エスペック株式会社製）中で１８０℃、２時間の条件で熱硬化させることによって、仮固定用フィルムの硬化物である測定サンプルを得る。仮固定用フィルムの硬化後の２７０℃及び２５℃の貯蔵弾性率（仮固定用フィルムの硬化物における２７０℃及び２５℃の貯蔵弾性率）は、以下の条件で測定する。
　装置名：動的粘弾性測定装置（ＴＡインストルメント株式会社製、ＲＳＡ－Ｇ２）
　測定温度領域：－７０～３００℃
　昇温速度：５℃／分
　周波数：１Ｈｚ
　測定モード：引張モード
　仮固定用フィルムの硬化後の２５℃の貯蔵弾性率は、１．５～１５０ＭＰａである。硬化後の２５℃の貯蔵弾性率がこのような範囲にあると、半導体部材と支持部材とを分離した後の剥離残渣を充分に低減することができる。仮固定用フィルムの硬化後の２５℃の貯蔵弾性率が１．５ＭＰａ以上であると、充分な剥離強度が得られる傾向にある。仮固定用フィルムの硬化後の２５℃の貯蔵弾性率は、３ＭＰａ以上、５ＭＰａ以上、１０ＭＰａ以上、１２ＭＰａ以上、１５ＭＰａ以上、２０ＭＰａ以上、２５ＭＰａ以上、３０ＭＰａ以上、３５ＭＰａ以上、４０ＭＰａ以上、４５ＭＰａ以上、５０ＭＰａ以上、又は５２ＭＰａ以上であってもよく、１４０ＭＰａ以下、１２０ＭＰａ以下、１１０ＭＰａ以下、１００ＭＰａ以下、又は９０ＭＰａ以下であってもよい。
　仮固定用フィルムの硬化後の２７０℃及び２５℃の貯蔵弾性率は、例えば、熱可塑性樹脂（炭化水素樹脂）の含有量を大きくする、高いＴｇを有する熱可塑性樹脂（炭化水素樹脂）を適用する、絶縁性フィラーを硬化性樹脂成分に添加する等の方法によって増加させることができる。
［仮固定用フィルムの製造方法］
　仮固定用フィルム１０は、例えば、まず、上記硬化性樹脂成分を構成する成分を、溶剤中で撹拌混合、混錬等を行うことによって、溶解又は分散させ、硬化性樹脂成分のワニスを調製する。その後、離型処理を施した支持フィルム上に、硬化性樹脂成分のワニスをナイフコーター、ロールコーター、アプリケーター、コンマコーター、ダイコーター等を用いて塗工した後、加熱によって溶剤を揮発させて、支持フィルム上に硬化性樹脂成分からなる仮固定用フィルムを形成する。このとき、硬化性樹脂成分のワニスの塗工量を調整することによって、仮固定用フィルムの厚みを調整することができる。
　硬化性樹脂成分のワニスの調製において使用される溶剤は、各成分を均一に溶解又は分散し得る特性を有するものであれば特に制限されない。このような溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、クメン、ｐ－シメン等の芳香族炭化水素；ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素；メチルシクロヘキサンなどの環状アルカン；テトラヒドロフラン、１，４－ジオキサン等の環状エーテル；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、４－ヒドロキシ－４－メチル－２－ペンタノン等のケトン；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、γ－ブチロラクトン等のエステル；エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等の炭酸エステル；Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドン等のアミドなどが挙げられる。これらの溶剤は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらのうち、溶剤は、溶解性及び沸点の観点から、トルエン、キシレン、ヘプタン、又はシクロヘキサノンであってもよい。ワニス中の固形成分濃度は、ワニスの全質量を基準として、１０～８０質量％であってよい。
　硬化性樹脂成分のワニスの調製の際の撹拌混合又は混錬は、例えば、撹拌機、らいかい機、３本ロール、ボールミル、ビーズミル、ホモディスパー等を用いて行うことができる。
　支持フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル；ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン；ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルフィド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンスルフィド、ポリ（メタ）アクリレート、ポリスルホン、液晶ポリマのフィルム等が挙げられる。支持フィルムの厚みは、例えば、１～２５０μｍであってよい。
　支持フィルムへ塗工した硬化性樹脂成分のワニスから溶剤を揮発させる際の加熱条件は、使用する溶剤等に合わせて適宜設定することができる。加熱条件は、例えば、４０～１２０℃で０．１～３０分間であってよい。
［仮固定用積層体］
　図２は、仮固定用積層体の一実施形態を示す模式断面図である。図２で示される仮固定用積層体２０は、支持部材２２と、光吸収層１２と、仮固定用フィルム１０からなる仮固定材層１０Ａとをこの順に備える。仮固定材層１０Ａは、仮固定材層１０Ａの光吸収層１２とは反対側の表面Ｓを有している。
　支持部材２２は、高い透過率を有し、半導体部材の加工時に受ける負荷に耐え得る板状体である。支持部材２２としては、例えば、無機ガラス基板、透明樹脂基板等が挙げられる。
　支持部材２２の厚みは、例えば、０．１～２．０ｍｍであってよい。支持部材２２の厚みが０．１ｍｍ以上であると、ハンドリングが容易となる傾向にある。支持部材２２の厚みが２．０ｍｍ以下であると、材料費を抑制することができる傾向にある。
　光吸収層１２は、光を吸収して熱を発生する層である。光吸収層１２は、例えば、光を吸収して熱を発生する導電体を含む導電体層であってよい。導電体層を構成する導電体としては、例えば、金属、金属酸化物、導電性カーボン材料等が挙げられる。金属は、クロム、銅、チタン、銀、白金、金等の単体金属であってもよく、ニッケル－クロム、ステンレス鋼、銅－亜鉛等の合金などであってもよい。金属酸化物としては、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化亜鉛、酸化ニオブ等が挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。導電体は、クロム、チタン、又は導電性カーボン材料であってよい。
　光吸収層１２は、単層又は複数の層からなる金属層であってもよく、例えば、銅層及びチタン層からなる金属層であってもよい。
　光吸収層１２が単層の金属層である場合、光吸収層１２は、タリウム（Ｔａ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、及び金（Ａｕ）からなる群より選ばれる少なくとも１種の金属を含んでいてもよい。
　光吸収層１２は、第一層及び第二層の２層から構成され、支持部材２２側から第一層及び第二層の順に積層されていてもよい。この場合、例えば、第一層が高い光吸収性を有し、第二層が高い熱膨張係数及び高い弾性率を有していると、良好な剥離性が得られ易い傾向にある。この観点から、光吸収層１２の第一層は、タリウム（Ｔａ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、及びクロム（Ｃｒ）からなる群より選ばれる少なくとも１種の金属を含んでいてもよく、光吸収層１２の第二層は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、及び金（Ａｕ）からなる群より選ばれる少なくとも１種の金属を含んでいてもよい。
　光吸収層１２の厚みは、軽剥離性の観点から、１～５０００ｎｍ、１００～３０００ｎｍ、又は５０～３００ｎｍであってよい。光吸収層１２が単層又は複数の層からなる金属層である場合、光吸収層１２（又は金属層）の厚みは、良好な剥離性の観点から、７５ｎｍ以上、９０ｎｍ以上、又は１００ｎｍ以上であってもよく、１０００ｎｍ以下、８００ｎｍ以下、５００ｎｍ以下、又は３００ｎｍ以下であってもよい。光吸収層１２が単層の金属層である場合、光吸収層１２（又は金属層）の厚みは、良好な剥離性の観点から、１００ｎｍ以上、１２５ｎｍ以上、１５０ｎｍ以上、又は２００ｎｍ以上であってもよく、１０００ｎｍ以下、８００ｎｍ以下、又は５００ｎｍ以下であってもよい。
　仮固定材層１０Ａは、仮固定用フィルム１０からなる層である。仮固定材層１０Ａの厚みは、応力緩和の観点から、例えば、０．１～２００μｍ、１～１５０μｍ、又は１０～１００μｍであってもよい。
　仮固定用積層体２０の製造方法は、所定の構成を有する積層体が得られるのであれば特に制限されない。仮固定用積層体２０は、例えば、支持部材２２上に光吸収層１２を形成する工程と、形成した光吸収層１２上に、上記の仮固定用フィルム１０を貼り付ける工程とを含む方法によっても得ることができる。
　光吸収層１２は、支持部材２２上に、真空蒸着、スパッタリング等の物理気相成長（ＰＶＤ）、プラズマ化学蒸着等の化学気相成長（ＣＶＤ）によって金属層を形成することによって得ることができる。また、光吸収層１２は、支持部材２２上に、電解めっき又は無電解めっきによってめっき層を形成することによっても得ることができる。物理気相成長によれば、支持部材２２が大きな面積を有していても、支持部材２２の表面を覆う光吸収層１２としての金属層を効率的に形成することができる。
　光吸収層１２上に、上記の仮固定用フィルム１０を貼り付ける方法としては、例えば、加熱プレス、ロールラミネート、真空ラミネート等の方法が挙げられる。ラミネートは、例えば、０～１２０℃の温度条件下で行うことができる。
［半導体装置の製造方法］
　一実施形態の半導体装置の製造方法は、上記の仮固定用積層体を準備する工程（準備工程）と、半導体部材を、仮固定材層を介して支持部材に対して仮固定する工程（仮固定工程）と、支持部材に対して仮固定された半導体部材を加工する工程（加工工程）と、仮固定用積層体に対して支持部材側から光を照射して、支持部材から半導体部材を分離する工程（分離工程）とを備える。
（準備工程）
　準備工程では、半導体装置を製造するために、半導体部材を加工する間、半導体部材を支持部材に対して仮固定するための上記の仮固定用積層体２０が準備される。
（仮固定工程）
　図３（ａ）及び図３（ｂ）は、半導体装置の製造方法の一実施形態を示す模式断面図である。仮固定工程では、半導体部材４０が、仮固定材層１０Ａを介して支持部材２２に対して仮固定される。仮固定材層１０Ａは、仮固定材層１０Ａの光吸収層１２とは反対側の表面Ｓを有している。仮固定工程では、例えば、仮固定材層１０Ａ上に半導体部材４０が配置された状態（図３（ａ）参照）で仮固定材層１０Ａ（仮固定用フィルム１０）を硬化させることによって、半導体部材４０を支持部材２２に対して仮固定することができる（図３（ｂ）参照）。言い換えると、半導体部材４０が、仮固定用フィルム１０の硬化物（硬化性樹脂成分の硬化物）を含む仮固定材層１０Ａｃを介して支持部材２２に対して一時的に接着され得る。このようにして、仮固定用積層体２０ｃと、仮固定用積層体２０ｃ上に設けられた半導体部材４０とを備える積層体３０が形成される。
　半導体部材４０は、半導体基板４２及び再配線層４４を有していてもよい。半導体部材４０が半導体基板４２及び再配線層４４を有している場合、半導体部材４０は、再配線層が仮固定材層１０Ａ側に位置する向きで、仮固定材層１０Ａを介して支持部材２２に対して仮固定される。半導体部材４０は、外部接続端子をさらに有していてもよい。半導体基板４２は、半導体ウェハ、又は半導体ウェハを分割して得られた半導体チップであってよい。図３（ａ）の例では、複数の半導体部材４０が仮固定材層１０Ａの表面Ｓ上に配置されているが、半導体部材４０の数は１個であってもよい。半導体部材４０の厚みは、半導体装置の小型化、薄型化に加えて、搬送時、加工工程等の際の割れ抑制の観点から、１～１０００μｍ、１０～５００μｍ、又は２０～２００μｍであってもよい。
　仮固定材層１０Ａ上に配置された半導体部材４０は、例えば、真空プレス機又は真空ラミネータを用いて仮固定材層１０Ａに対して圧着される。真空プレス機を用いる場合、圧着の条件は、気圧１ｈＰａ以下、圧着圧力１ＭＰａ、圧着温度１２０～２００℃、及び保持時間１００～３００秒間であってよい。真空ラミネータを用いる場合、圧着の条件は、例えば、気圧１ｈＰａ以下、圧着温度６０～１８０℃又は８０～１５０℃、ラミネート圧力０．０１～１．０ＭＰａ又は０．１～０．７ＭＰａ、保持時間１～６００秒間又は３０～３００秒間であってよい。
　仮固定材層１０Ａ上に半導体部材４０が配置された後、仮固定材層１０Ａ（硬化性樹脂成分）を熱硬化又は光硬化させることによって、半導体部材４０が、仮固定用フィルム１０の硬化物（硬化性樹脂成分の硬化物）を含む仮固定材層１０Ａｃを介して、支持部材２２に対して仮固定される。熱硬化の条件は、例えば、３００℃以下又は１００～２５０℃で、１～１８０分間又は１～１２０分間であってよい。
（加工工程）
　図４（ａ）、図４（ｂ）及び図４（ｃ）は、は、半導体装置の製造方法の一実施形態を示す模式断面図である。加工工程では、支持部材２２に対して仮固定された半導体部材４０が加工される。図４（ａ）は、半導体基板の薄化を含む加工の例を示す。半導体部材の加工は、これに限定されず、例えば、半導体基板の薄化、半導体部材の分割（ダイシング）、貫通電極（シリコン貫通電極）の形成、エッチング処理、めっきリフロー処理、スパッタリング処理、又はこれらの組み合わせを含むことができる。
　半導体部材４０の加工の後、図４（ｂ）に示されるように、加工された半導体部材４０を封止する封止層５０が形成される。封止層５０は、半導体素子の製造のために通常用いられる封止材を用いて形成することができる。例えば、封止層５０を熱硬化性樹脂組成物によって形成してもよい。封止層５０に用いられる熱硬化性樹脂組成物としては、例えば、クレゾールノボラックエポキシ樹脂、フェノールノボラックエポキシ樹脂、ビフェニルジエポキシ樹脂、ナフトールノボラックエポキシ樹脂等のエポキシ樹脂などが挙げられる。封止層５０及び封止層５０を形成するための熱硬化性樹脂組成物は、フィラー、及び／又は難燃剤等の添加剤を含んでもよい。
　封止層５０は、例えば、固形材、液状材、細粒材、又は封止フィルムを用いて形成される。封止フィルムを用いる場合、コンプレッション封止成形機、真空ラミネート装置等が用いられる。例えば、これら装置を用いて、４０～１８０℃（又は６０～１５０℃）、０．１～１０ＭＰａ（又は０．５～８ＭＰａ）、かつ０．５～１０分間の条件で熱溶融させた封止フィルムで半導体部材４０を被覆することによって、封止層５０を形成することができる。封止フィルムの厚みは、封止層５０が加工後の半導体部材４０の厚み以上になるように調整される。封止フィルムの厚みは、５０～２０００μｍ、７０～１５００μｍ、又は１００～１０００μｍであってよい。
　封止層５０を形成した後、図４（ｃ）に示されるように、封止層５０及び仮固定材層１０Ａｃを、半導体部材４０を１個ずつ含む複数の部分に分割してもよい。
（分離工程）
　図５（ａ）及び図５（ｂ）は、半導体装置の製造方法の一実施形態を示す模式断面図である。分離工程では、仮固定用積層体に対して支持部材側から光を照射して、支持部材から半導体部材が分離される。
　図５（ａ）に示されるように、仮固定用積層体２０ｃに対して支持部材２２側から光Ａを照射して、支持部材２２から半導体部材４０を分離する。光Ａの照射によって、光吸収層１２が光を吸収して熱を瞬間的に発生する。発生した熱によって、例えば、仮固定材層１０Ａｃの溶融、支持部材２２と半導体部材４０との間に生じる熱応力、及び光吸収層１２の飛散が生じ得る。これらの現象のうち１つ又は２つ以上が主な原因となって、凝集剥離、界面剥離等が発生して、半導体部材４０が支持部材２２から容易に分離し得る。半導体部材４０を支持部材２２から分離するために、光Ａの照射とともに、半導体部材４０に対して応力をわずかに加えてもよい。
　分離工程における光Ａは、インコヒーレント光であってよい。インコヒーレント光は、コヒーレントでない光であり、干渉縞が発生しない、可干渉性が低い、指向性が低いといった性質を有する電磁波である。インコヒーレント光は、光路長が長くなるほど、減衰する傾向を有する。レーザー光は、一般にコヒーレント光であるのに対して、太陽光、蛍光灯の光等の光は、インコヒーレント光である。インコヒーレント光は、レーザー光を除く光ということもできる。インコヒーレント光の照射面積は、一般にコヒーレント光（すなわち、レーザー光）よりも圧倒的に広いため、照射回数を少なくすることが可能である。例えば、１回の照射によって、複数の半導体部材４０の分離を生じさせ得る。インコヒーレント光は、赤外線を含んでいてもよい。インコヒーレント光は、パルス光であってもよい。
　光の光源は、特に制限されないが、キセノンランプであってよい。キセノンランプは、キセノンガスを封入した発光管での印加・放電による発光を利用したランプである。キセノンランプは、電離及び励起を繰り返しながら放電するため、紫外光領域から赤外光領域までの連続波長を安定的に有する。キセノンランプは、メタルハライドランプ等のランプと比較して始動に要する時間が短いため、工程に係る時間を大幅に短縮することができる。また、発光には、高電圧を印加する必要があるため、高熱が瞬間的に生じるが、冷却時間が短く、連続的な作業が可能な点でも、キセノンランプは有利である。
　キセノンランプの照射条件は、印加電圧、パルス幅、照射時間、照射距離（光源と光吸収層との距離）、照射エネルギー等を含み、照射回数等に応じてこれらを任意に設定することができる。半導体部材４０のダメージを低減する観点から、１回の照射で半導体部材４０を分離できる照射条件を設定してもよい。
　分離した半導体部材４０上に、仮固定材層１０Ａｃの一部が残渣として付着することがある。付着した残渣は、図５（ｂ）に示されるように除去される。付着した残渣は、例えば、ピールによって剥離されてもよい。本実施形態の仮固定用フィルムは、半導体部材と支持部材とを分離した後の剥離残渣を充分に低減できることから、ピールによって効率よく剥離することができる。
　他方、付着した残渣は、例えば、溶剤で洗浄することによって除去されてもよい。溶剤としては、特に制限されないが、エタノール、メタノール、トルエン、キシレン、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ヘキサン等が挙げられる。これらは、１種を単独で、又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。付着した残渣の除去のために、半導体部材４０を溶剤に浸漬させてもよいし、超音波洗浄を行ってもよい。１００℃以下程度の低温で半導体部材４０を加熱してもよい。
　以上の例示された方法によって、加工された半導体部材４０を備える半導体素子６０を得ることができる。得られた半導体素子６０を他の半導体素子又は半導体素子搭載用基板に接続することによって半導体装置を製造することができる。
　以下、本開示について実施例を挙げてより具体的に説明する。ただし、本開示はこれら実施例に限定されるものではない。
（実施例１～３及び比較例１、２）
［仮固定用フィルムの作製及び評価］
＜仮固定用フィルムの作製＞
　仮固定用フィルムの作製においては、以下の成分を用いた。
（Ａ）熱可塑性樹脂
（Ａ－１）無水マレイン酸変性スチレン・エチレン・ブチレン・スチレンブロック共重合体（商品名：ＦＧ１９２４ＧＴ、クレイトンポリマージャパン株式会社製、スチレン含有量：１３．０質量％）、２５質量％濃度のキシレン溶液として用いた。
（Ａ－２）無水マレイン酸変性スチレン・エチレン・ブチレン・スチレンブロック共重合体（商品名：ＦＧ１９０１ＧＴ、クレイトンポリマージャパン株式会社製、スチレン含有量：３０．０質量％）、２５質量％濃度のキシレン溶液として用いた。
（Ｂ）熱硬化性樹脂
（Ｂ－１）ナフタレン型エポキシ樹脂（商品名：ＨＰ４７１０、ＤＩＣ株式会社製）、５０質量％濃度のシクロヘキサノン溶液として用いた。
（Ｂ－２）ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（商品名：ＨＰ７２００Ｈ、ＤＩＣ株式会社製）、５０質量％濃度のシクロヘキサノン溶液として用いた。
（Ｂ－３）ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（商品名：ＨＰ７２００Ｈ、ＤＩＣ株式会社製）、５０質量％濃度のキシレン溶液として用いた。
（Ｃ）酸化防止剤
（Ｃ－１）ヒンダードフェノール誘導体（商品名：ＡＯ－６０、株式会社ＡＤＥＫＡ製）、１０質量％濃度のシクロヘキサノン溶液として用いた。
（Ｄ）硬化促進剤
（Ｄ－１）イミダゾール誘導体（商品名：２ＰＺ－ＣＮ、四国化成工業株式会社製）、１０質量％濃度のシクロヘキサノン溶液として用いた。
　表１に示す材料を表１に示す割合（表１の数値は不揮発分量を意味する。）で混合して、硬化性樹脂成分のワニスを得た。得られた硬化性樹脂成分のワニスを、精密塗工機を用いて、支持フィルムとしてのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（ピューレックスＡ３１、東洋紡フイルムソリューション株式会社製、厚み：３８μｍ）の離型処理面に塗工した。塗膜を１００℃で１０分間の加熱によって乾燥して、実施例１～３及び比較例１、２の仮固定用フィルム（硬化性樹脂フィルム）を得た。
＜仮固定用フィルムの評価＞
（ずり粘度の測定）
　実施例１～３及び比較例１、２の仮固定用フィルムを用いて、ずり粘度を測定した。なお、ずり粘度の測定においては、厚み５００μｍの仮固定用フィルムを準備した。ずり粘度は、ＡＲＥＳ（レオメトリック・サイエンティフィック社製）を用いて測定した。測定サンプルは、直径９ｍｍφに打ち抜くことによって作製した。測定は、測定サンプルに５％の歪みを与えながら、５℃／分の昇温速度で昇温することによって行い、１００℃で観測された値を１００℃のずり粘度とした。結果を表１に示す。
（貯蔵弾性率の測定）
　実施例１～３及び比較例１、２の仮固定用フィルムを用いて、貯蔵弾性率を測定した。なお、貯蔵弾性率の測定においては、厚み５００μｍの仮固定用フィルムを準備した。仮固定用フィルムを、所定のサイズ（縦（チャック間距離）２０ｍｍ×横５．０ｍｍ）に切り出し、クリーンオーブン（エスペック株式会社製）中で１８０℃、２時間の条件で熱硬化させることによって、仮固定用フィルム（硬化性樹脂フィルム）の硬化物である測定サンプルを得た。仮固定用フィルム（硬化性樹脂フィルム）の硬化物における２７０℃及び２５℃の貯蔵弾性率を、以下の条件で測定した。結果を表１に示す。
　装置名：動的粘弾性測定装置（ＴＡインストルメント株式会社製、ＲＳＡ－Ｇ２）
　測定温度領域：－７０～３００℃
　昇温速度：５℃／分
　周波数：１Ｈｚ
　測定モード：引張モード
（埋め込み性の評価）
　実施例１～３及び比較例１、２の仮固定用フィルムを用いて、埋め込み性を評価した。なお、埋め込み性の評価においては、厚み８０μｍの仮固定用フィルムを準備した。仮固定用フィルムの支持フィルムを剥離し、仮固定用フィルムの支持フィルムを剥離した側の面をスライドガラス上に１００℃でラミネートした。次いで、仮固定用フィルム上に、温度１３０℃／圧力５０Ｎ／時間１０秒間の条件で７．３ｍｍ角、厚み１５０μｍ、表面に４０μｍの半円形段差のある半導体チップを、半円形段差のある面が仮固定用フィルムに接するように圧着した。その後、１３０℃で３０分加熱し、続いて２００℃で１時間加熱して仮固定用フィルムを硬化させてサンプルを得た。得られたサンプルをスライドガラス面から観察し、画像をＰｈｏｔｏｓｈｏｐ（登録商標）で解析し、半導体チップと仮固定用フィルムとの間におけるボイドの発生を観察した。ボイドの発生があった場合を「Ａ」、ボイドの発生がなかった場合を「Ｂ」と評価した。結果を表１に示す。
（樹脂成分の這い上がりの評価）
　上記埋め込み性の評価で得られたサンプルを用いて、樹脂成分の這い上がりを評価した。用意したサンプルをエポキシ樹脂にて注型を行い、スライドガラス／仮固定材用フィルム／半導体チップの断面を観察できるよう研磨した。半導体チップの端部を確認することによって、半導体チップを仮固定する際の仮固定用フィルムの樹脂成分の這い上がり量を計測した。チップ側面への樹脂成分の這い上がり量が３０μｍ以下である場合を「Ａ」、チップ側面への樹脂成分の這い上がり量が３０μｍを超える場合を「Ｂ」と評価した。結果を表１に示す。
（剥離強度の測定）
　実施例１～３及び比較例１、２の仮固定用フィルムを用いて、剥離強度を測定した。なお、剥離強度の測定においては、厚み８０μｍの仮固定用フィルムを準備した。剥離強度は、シリコンミラーウェハ及び仮固定用フィルムの間の９０°剥離強度を測定することによって評価した。厚み６２５μｍシリコンミラーウェハ（６インチ）を真空ラミネータ（株式会社エヌ・ピー・シー製、ＬＭ－５０Ｘ５０－Ｓ）のステージ上に配置し、仮固定用フィルムの支持フィルムを剥離し、仮固定用フィルムの支持フィルム側の面がシリコンミラーウェハに接するように配置した。１．５ｋＰａ（１５ｍｂａｒ）の条件下で、温度１２０℃及び圧力０．１ＭＰａで２分間加熱加圧し、真空ラミネートしてサンプルを得た。得られたサンプルを続いて２００℃で１時間加熱して硬化させた。その後、サンプルを１０ｍｍ幅に切り出し、測定用サンプルとした。測定用サンプルを、剥離角度が９０°となるように設定した剥離試験機で５０ｍｍ／分の速度で剥離試験を実施し、これを剥離強度とした。結果を表１に示す。
（剥離残渣の観察）
　上記剥離強度後の測定サンプルにおいて、剥離後のシリコンミラーウェハの表面を目視で観察し、残渣が発生しているかを確認した。表面に残渣がなかった場合を「Ａ」、表面の一部に残渣があった場合を「Ｂ」、表面の全体に残渣があった場合を「Ｃ」と評価した。結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１に示すとおり、硬化後の２７０℃の貯蔵弾性率が１．５～２０ＭＰａであり、硬化後の２５℃の貯蔵弾性率が１．５～１５０ＭＰａである実施例の仮固定用フィルムは、不具合の点（埋め込み性及び樹脂成分の這い上がり）並びに剥離残渣の点で優れていた。これらの結果から、本開示の仮固定用フィルムは、半導体部材を仮固定する際の不具合を充分に抑制することができ、かつ半導体部材と支持部材とを分離した後の剥離残渣を充分に低減できる仮固定材層を形成することが可能であることが確認された。
　本開示によれば、半導体部材を仮固定する際の不具合を充分に抑制でき、かつ半導体部材と支持部材とを分離した後の剥離残渣を充分に低減できる仮固定材層を形成することが可能な仮固定用フィルムが提供される。また、本開示によれば、このような仮固定用フィルムを用いた仮固定用積層体及び半導体装置の製造方法が提供される。
　１０…仮固定用フィルム、１０Ａ，１０Ａｃ…仮固定材層、１２…光吸収層、２０，２０ｃ…仮固定用積層体、２２…支持部材、３０…積層体、４０…半導体部材、４２…半導体基板、４４…再配線層、５０…封止層、６０…半導体素子。

Claims (10)

  1. 　硬化性樹脂成分を含有し、
    　硬化後の２７０℃の貯蔵弾性率が、１．５～２０ＭＰａであり、
    　硬化後の２５℃の貯蔵弾性率が、１．５～１５０ＭＰａであり、
    　半導体部材と支持部材とを仮固定するために用いられる、
    　仮固定用フィルム。
  2. 　前記硬化性樹脂成分が、熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂を含む、
    　請求項１に記載の仮固定用フィルム。
  3. 　前記熱可塑性樹脂が、スチレンに由来するモノマー単位を有する炭化水素樹脂を含む、
    　請求項２に記載の仮固定用フィルム。
  4. 　前記スチレンに由来するモノマー単位の含有量が、前記炭化水素樹脂の総量を基準として、１０～２２．５質量％である、
    　請求項３に記載の仮固定用フィルム。
  5. 　前記スチレンに由来するモノマー単位の含有量が、前記硬化性樹脂成分の総量を基準として、７～１６質量％である、
    　請求項３に記載の仮固定用フィルム。
  6. 　支持部材と、光吸収層と、請求項１～５のいずれか一項に記載の仮固定用フィルムからなる仮固定材層とをこの順に備える、
    　仮固定用積層体。
  7. 　請求項６に記載の仮固定用積層体を準備する工程と、
    　半導体部材を、前記仮固定材層を介して前記支持部材に対して仮固定する工程と、
    　前記支持部材に対して仮固定された前記半導体部材を加工する工程と、
    　前記仮固定用積層体に対して前記支持部材側から光を照射して、前記支持部材から前記半導体部材を分離する工程と、
    を備える、半導体装置の製造方法。
  8. 　前記光が、インコヒーレント光である、
    　請求項７に記載の製造方法。
  9. 　前記インコヒーレント光が、少なくとも赤外光を含む光である、
    　請求項８に記載の製造方法。
  10. 　前記光の光源が、キセノンランプである、
    　請求項７～９のいずれか一項に記載の製造方法。
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