CN113169038A - 制造半导体装置的方法、光吸收层叠体以及临时固定用层叠体 - Google Patents

制造半导体装置的方法、光吸收层叠体以及临时固定用层叠体 Download PDF

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Abstract

本发明公开有一种制造半导体装置的方法，其依次具备：加工工序，对经由临时固定材料层而临时固定于支撑部件的半导体部件进行加工；以及分离工序，对临时固定用层叠体自支撑部件侧照射非相干光，由此将半导体部件自支撑部件分离。临时固定材料层的一部分或全部为吸收光而产生热的光吸收层。支撑部件相对于非相干光的透过率为90％以上。临时固定材料层相对于非相干光的透过率为3.1％以下。

Description

制造半导体装置的方法、光吸收层叠体以及临时固定用层 叠体
技术领域
本发明涉及一种制造半导体装置的方法、光吸收层叠体以及临时固定用层叠体。
背景技术
在半导体元件的制造中，有时会在将集成电路装入半导体晶圆等半导体部件中后对半导体部件进行加工。对半导体部件例如实施背面的磨削或切割之类的加工处理。半导体部件通常在临时固定于支撑部件的状态下被加工，其后半导体部件自支撑部件被分离。例如，专利文献1中，作为将半导体部件自支撑部件分离的方法，公开了如下方法，即经由临时固定材料层将半导体部件临时固定于支撑部件，进行加工处理后一边进行加热一边将半导体部件自支撑部件进行物理分离。专利文献2、专利文献3中公开了一种通过对临时固定材料层照射激光而将半导体部件自支撑部件分离的方法。
以往技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开2012-126803号公报
专利文献2：日本专利特开2016-138182号公报
专利文献3：日本专利特开2013-033814号公报
发明内容
发明要解决的技术课题
本发明针对包括对临时固定于支撑部件的半导体部件进行加工的工序的制造半导体装置的方法，提供一种通过简单的处理可容易地将加工后的半导体部件自支撑部件分离的方法。
用于解决技术课题的手段
本发明的一方面所涉及的制造半导体装置的方法依次具备：
准备临时固定用层叠体的工序，所述临时固定用层叠体具备支撑部件及设置于所述支撑部件上的临时固定材料层，所述临时固定材料层具有固化性树脂层，所述固化性树脂层包含所述临时固定材料层的至少一侧的最表面；
临时固定工序，将具有半导体基板及设置于所述半导体基板的其中一面侧的再配线层的半导体部件以所述再配线层位于所述固化性树脂层侧的朝向，经由所述临时固定材料层临时固定于所述支撑部件；
加工工序，对临时固定于所述支撑部件的所述半导体部件进行加工；以及
分离工序，对所述临时固定用层叠体自所述支撑部件侧照射非相干光，由此将所述半导体部件自所述支撑部件分离，
所述临时固定材料层具有吸收光而产生热的光吸收层。所述光吸收层作为所述固化性树脂层的一部分或与所述固化性树脂层不同的层而设置。所述支撑部件相对于所述非相干光的透过率为90％以上。所述临时固定材料层相对于所述非相干光的透过率为3.1％以下。
根据上述方法，通过非相干光的照射这一简单的处理，可容易地将加工后的半导体部件自支撑部件分离。与作为相干光的激光的照射相比较，非相干光的照射易确保大的照射面积，因此可简单地进行。通过临时固定材料层包含具有特定透过率的支撑部件及光吸收层的组合，即使为非相干光的照射，也可使半导体部件成为容易自支撑部件分离的状态。
发明效果
根据本发明，针对包括对临时固定于支撑部件的半导体部件进行加工的工序的制造半导体装置的方法，提供一种通过简单的处理可容易地将加工后的半导体部件自支撑部件分离的方法。本发明的方法即使为能量较小的非相干光，也可容易地将加工后的半导体部件自支撑部件分离。通过使用能量小的非相干光，可抑制半导体部件的再配线层之类的微细结构的损伤。
附图说明
图1中，图1(a)、图1(b)及图1(c)是表示制造半导体装置的方法的一实施方式的示意图。
图2是表示光吸收层叠体的一实施方式的示意图。
图3中，图3(a)及图3(b)是表示制造半导体装置的方法的一实施方式的示意图。
图4中，图4(a)及图4(b)是表示制造半导体装置的方法的一实施方式的示意图。
图5中，图5(a)、图5(b)及图5(c)是表示制造半导体装置的方法的一实施方式的示意图。
具体实施方式
以下，对本发明的若干实施方式进行详细说明。但是，本发明并不限定于以下实施方式。
本说明书中所参考的各图中的构成要件的大小是概念上的大小，构成要件间的大小的相对关系并不限定于各图所示的关系。有时省略重复的说明。
本说明书中的数值及其范围也并非限制本发明的范围。在本说明书中使用“～”所表示的数值范围表示包含“～”的前后所记载的数值分别作为最小值及最大值的范围。在本说明书中阶段性地记载的数值范围中，一个数值范围中所记载的上限值或下限值也可取代为另一阶段的记载的数值范围的上限值或下限值。在本说明书中所记载的数值范围中，该数值范围的上限值或下限值也可取代为实施例中所示的值。
在本说明书中，(甲基)丙烯酸是指丙烯酸或与其对应的甲基丙烯酸。(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酰基等其他的类似表述也相同。
为了制造半导体装置，准备临时固定用层叠体，所述临时固定用层叠体用以在对半导体部件进行加工的期间将半导体部件临时固定于支撑部件。图1(a)、图1(b)及图1(c)是表示临时固定用层叠体的若干实施方式的剖视图。图1(a)、图1(b)及图1(c)所示的临时固定用层叠体1具有支撑部件10及设置于支撑部件10上的临时固定材料层30。临时固定材料层30具有固化性树脂层31。固化性树脂层31包含临时固定材料层30的与支撑部件10为相反侧的最表面S。此外，临时固定材料层30具有作为与固化性树脂层31不同的层而设置的光吸收层32、或作为固化性树脂层31的一部分而设置的光吸收层31B。光吸收层32、光吸收层31B是吸收光而产生热的层。
图1(a)所示的临时固定用层叠体1的临时固定材料层30具有：固化性树脂层31，包含与支撑部件10为相反侧的最表面S；光吸收层32，作为与固化性树脂层31不同的层而设置。换言之，在支撑部件10上，依次层叠有光吸收层32及固化性树脂层31。
图1(b)所示的临时固定用层叠体1的临时固定材料层30包括包含光吸收层31B作为其一部分的固化性树脂层31。此处的固化性树脂层31具有：光吸收层31B，包含最表面S；实质上为非发热性的固化性树脂层31A，设置于光吸收层31B的支撑部件10侧。
在图1(c)所示的临时固定用层叠体1的临时固定材料层30的情况下，不仅设置有与图1(b)同样的光吸收层31B，进而也设置有作为与固化性树脂层31不同的层的光吸收层32。也可进一步在固化性树脂层31A与支撑部件10之间设置构成固化性树脂层31的一部分的光吸收层，来代替作为与固化性树脂层31不同的层而设置的光吸收层32。
临时固定用层叠体1例如可通过在支撑部件10上依次形成各层而获得。也可准备具有固化性树脂层及光吸收层的层叠膜并将这些层叠于支撑部件10上。也可准备图2所例示的光吸收层叠体,并使用其来获得临时固定用层叠体1。图2所示的光吸收层叠体3具有支撑部件10及设置于支撑部件10上的光吸收层32。光吸收层32也可为与支撑部件10相邻的金属层。作为光吸收层32的金属层相对于自氙灯照射的非相干光的透过率可为3.1％以下、3.0％以下、2.5％以下或1.5％以下，且可为0％以上。图1(a)、图1(b)及图1(c)的临时固定用层叠体1也可视为包含光吸收层叠体及固化性树脂层的层叠体。例如可通过包括在光吸收层叠体3的光吸收层32上形成固化性树脂层31的工序的方法来制造图1(a)、图1(b)及图1(c)的临时固定用层叠体1。
图3(a)及图3(b)、图4(a)及图4(b)、以及图5(a)、图5(b)及图5(c)是表示使用临时固定用层叠体制造半导体装置的方法的一实施方式的工序图。在此例示有使用图1(a)的临时固定用层叠体1的方法，但也可使用其他构成的临时固定用层叠体同样地制造半导体装置。图3(a)及图3(b)～图5(a)、图5(b)及图5(c)所示的方法依次具备：临时固定工序，经由临时固定材料层30将半导体部件45临时固定于支撑部件10(图3(a)及图3(b))；加工工序，对临时固定于支撑部件10的半导体部件45进行加工(图4(a))；密封工序，形成对经加工的半导体部件45进行密封的密封层50(图4(b))；以及分离工序，对临时固定用层叠体1自支撑部件10侧照射非相干光A，由此将半导体部件45自支撑部件10分离(图4(b))。半导体部件45具有半导体基板40及设置于半导体基板40的其中一面侧的再配线层41。半导体部件45以再配线层41位于固化性树脂层31侧的朝向配置于固化性树脂层31上。经由临时固定材料层30将半导体部件45临时固定于支撑部件10的工序可包括：将半导体部件45以再配线层41位于固化性树脂层31侧的朝向配置于固化性树脂层31上；以及使固化性树脂层31固化。
构成临时固定用层叠体1的支撑部件10及临时固定材料层30具有相对于对临时固定用层叠体1照射的非相干光的特定透过率。支撑部件10相对于非相干光的透过率为90％以上。临时固定材料层30相对于非相干光的透过率为3.1％以下。通过支撑部件10的透过率高且临时固定材料层30的透过率低，即使照射低能量的非相干光，也可容易地将半导体部件45自支撑部件10分离。若非相干光的能量低，则半导体部件45的再配线层41或其他周边部件不易受到光照射所带来的损伤。就同样的观点而言，支撑部件10相对于非相干光的透过率可为60％以上或70％以上，且可为100％以下。临时固定材料层30相对于非相干光的透过率可为3.0％以下、2.5％以下或1.5％以下，且可为0％以上。
支撑部件10为具有高透过率且可耐受对半导体部件45进行加工时所受到的负荷的板状体。作为支撑部件10的例子，可列举无机玻璃基板、透明树脂基板。
支撑部件10的厚度例如可为0.1mm～2.0mm。若支撑部件10的厚度为0.1mm以上，则有操作变容易的倾向。若支撑部件10的厚度为2.0mm以下，则有可抑制材料费的倾向。
临时固定材料层30的供半导体部件45临时固定的一侧的最表面S为固化性树脂层31的表面。例如通过在半导体部件45被载置于固化性树脂层31上的状态下使固化性树脂层31固化，可将半导体部件45临时固定于支撑部件10。换言之，经由具有已固化的固化性树脂层31c的临时固定材料层30，半导体部件45可临时黏合于支撑部件10。
光吸收层32为吸收光而产生热的层。通过设置光吸收层32，临时固定材料层30可容易地具有低透过率。
固化性树脂层31为包含通过热或光而固化的固化性树脂组合物的层。固化前的固化性树脂层31具有可通过压接等来贴附半导体部件45的程度的黏合性。已固化的固化性树脂层31c在半导体部件45被加工的期间保持半导体部件45。本说明书中，构成固化性树脂层31的导电性粒子以外的成分全部视为固化性树脂组合物的成分。
就应力缓和的观点而言，固化性树脂层31的厚度例如可为50μm以下、40μm以下或30μm以下且0.1μm以上，也可为50μm以下、40μm以下或30μm以下且1μm以上。
已固化的固化性树脂层31c在25℃下的储能模量可为5MPa～100MPa。若已固化的固化性树脂层31c在25℃下的储能模量为5MPa以上，则容易保持半导体部件45而不使支撑部件10挠曲。并且，当将半导体部件45自支撑部件分离时，有固化性树脂层31c在半导体部件45上不易残留残渣的倾向。若已固化的固化性树脂层31c在25℃下的储能模量为100MPa以下，则有可减小半导体部件45的位置偏移的倾向。就同样的观点而言，已固化的固化性树脂层31c在25℃下的储能模量可为5.5MPa以上、6MPa以上或6.3MPa以上且100MPa以下，也可为5.5MPa以上、6MPa以上或6.3MPa以上且90MPa以下，也可为5.5MPa以上、6MPa以上或6.3MPa以上且80MPa以下，也可为5.5MPa以上、6MPa以上或6.3MPa以上且70MPa以下，也可为5.5MPa以上、6MPa以上或6.3MPa以上且65MPa以下。本说明书中，已固化的固化性树脂层31c的储能模量是指通过在升温速度5℃/min、频率1Hz、拉伸模式的条件下进行测定的黏弹性测定而求出的值。
已固化的固化性树脂层31c在25℃下的储能模量例如可通过增大后述烃树脂的含量、应用具有高Tg的烃树脂、将绝缘性填料添加于固化性树脂组合物等方法而增加。
已固化的固化性树脂层31c在250℃下的储能模量可为0.70MPa以上、0.80MPa以上、0.85MPa以上或0.90MPa以上且2.00MPa以下，也可为0.70MPa以上、0.80MPa以上、0.85MPa以上或0.90MPa以上且1.90MPa以下，也可为0.70MPa以上、0.80MPa以上、0.85MPa以上或0.90MPa以上且1.80MPa以下，也可为0.70MPa以上、0.80MPa以上、0.85MPa以上或0.90MPa以上且1.75MPa以下。
构成固化性树脂层31的固化性树脂组合物可含有热固性树脂及烃树脂。烃树脂为主骨架包含烃的树脂。若固化性树脂组合物包含烃树脂，则在低温下容易将半导体部件45贴附于固化性树脂层31。
就固化性树脂层31的低温贴附性的观点而言，烃树脂的玻璃化转变温度(Tg)可为50℃以下。就固化性树脂层31的良好的剥离性的观点而言，烃树脂的Tg可为-100℃以上或-50℃以上。
烃树脂的Tg为通过差示扫描热量测定(Differential Scanning Calorimetry，DSC)而获得的中间点玻璃化转变温度值。具体而言，烃树脂的Tg为在升温速度10℃/min、测定温度：-80℃～80℃的条件下测定热量变化，通过根据日本工业标准(JapaneseIndustrial Standards，JIS)K 7121的方法而计算出的中间点玻璃化转变温度。
烃树脂例如包含选自由乙烯－丙烯共聚物、乙烯－1-丁烯共聚物、乙烯－丙烯－1-丁烯共聚物弹性体、乙烯－1-己烯共聚物、乙烯－1-辛烯共聚物、乙烯－苯乙烯共聚物、乙烯－降冰片烯共聚物、丙烯－1-丁烯共聚物、乙烯－丙烯－非共轭二烯共聚物、乙烯－1-丁烯－非共轭二烯共聚物、乙烯－丙烯－1-丁烯－非共轭二烯共聚物、聚异戊二烯、聚丁二烯、苯乙烯－丁二烯－苯乙烯嵌段共聚物(styrene-butadiene-styrene blockcopolymer，SBS)、苯乙烯－异戊二烯－苯乙烯嵌段共聚物(styrene-isoprene-styreneblock copolymer，SIS)、苯乙烯－乙烯－丁烯－苯乙烯嵌段共聚物(styrene-ethylene-butylene-styrene block copolymer，SEBS)、苯乙烯－乙烯－丙烯－苯乙烯嵌段共聚物(styrene-ethylene-propylene-styrene block copolymer，SEPS)及它们的氢化物所组成的组中的至少一种。这些烃树脂可具有羧基。羧基例如通过使用马来酸酐等的改性而导入。烃树脂也可包括包含源自苯乙烯的单体单元的苯乙烯系树脂。苯乙烯系树脂也可为苯乙烯－乙烯－丁烯－苯乙烯嵌段共聚物(SEBS)。
烃树脂的重均分子量(Mw)可为1万～500万或10万～200万。若重均分子量为1万以上，则有容易确保临时固定材料层30的耐热性的倾向。若重均分子量为500万以下，则有容易抑制临时固定材料层30的流动性(flow)降低及贴附性降低的倾向。此处的重均分子量是利用凝胶渗透色谱法(Gel Permeation Chromatography，GPC)并使用利用标准聚苯乙烯的标准曲线而得的聚苯乙烯换算值。
相对于构成固化性树脂层31的固化性树脂组合物的总质量100质量份，烃树脂的含量可为40质量份以上、50质量份以上或60质量份以上且90质量份以下，也可为40质量份以上、50质量份以上或60质量份以上且85质量份以下，也可为40质量份以上、50质量份以上或60质量份以上且80质量份以下。若烃树脂的含量处于这些数值范围内，则有容易形成薄且平坦的固化性树脂层31的倾向。并且，固化性树脂层31有容易具有低温下的良好的贴附性及固化后的适当的储能模量的倾向。
热固性树脂为通过热固化反应而使固化性树脂组合物固化的成分。热固化反应可为热固化树脂与固化剂的反应、热固性树脂的自聚合、或它们的组合。作为热固性树脂的例子，可列举：环氧树脂、丙烯酸树脂、硅酮树脂、酚树脂、热固化型聚酰亚胺树脂、聚氨基甲酸酯树脂、三聚氰胺树脂及脲树脂。这些可单独使用一种或将两种以上组合使用。自耐热性、作业性及可靠性更优异的方面而言，热固性树脂可包含环氧树脂。
环氧树脂为具有一个以上的环氧基的化合物。环氧树脂也可具有两个以上的环氧基。作为具有两个以上的环氧基的环氧树脂的例子，可列举：双酚A型环氧树脂、酚醛清漆型环氧树脂(苯酚酚醛清漆型环氧树脂等)、缩水甘油胺型环氧树脂、含杂环的环氧树脂及脂环式环氧树脂。
固化性树脂组合物可包含热固性树脂及其固化剂。相对于固化性树脂组合物的总质量100质量份，热固性树脂及其固化剂的合计含量可为10质量份以上、15质量份以上或20质量份以上且60质量份以下，也可为10质量份以上、15质量份以上或20质量份以上且50质量份以下，也可为10质量份以上、15质量份以上或20质量份以上且40质量份以下。若热固性树脂及其固化剂的合计含量处于这些范围内，则有可容易形成薄且平坦的固化性树脂层的倾向及已固化的固化性树脂层31c的耐热性更优异的倾向。
在使用环氧树脂作为热固性树脂的情况下，固化性树脂组合物可包含环氧树脂的固化剂。环氧树脂的固化剂并无特别限制，作为其例子，可列举胺、聚酰胺、酸酐、多硫醚、三氟化硼、双酚(双酚A、双酚F、双酚S等)及酚树脂(苯酚酚醛清漆树脂、双酚A酚醛清漆树脂、甲酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂等)。
热固性树脂组合物可进一步包含促进环氧树脂等热固性树脂的固化反应的固化促进剂。作为固化促进剂的例子，可列举：咪唑化合物、双氰胺、二羧酸二酰肼、三苯基膦、四苯基鏻四苯基硼酸盐、2-乙基-4-甲基咪唑-四苯基硼酸盐及1,8-二氮杂双环[5,4,0]十一烯-7-四苯基硼酸盐。这些可单独使用一种或将两种以上组合使用。
相对于热固性树脂及固化剂的合计量100质量份，固化促进剂的含量可为0.01质量份～5质量份。若固化促进剂的含量为所述范围内，则有固化性树脂层的固化性及固化后的耐热性更优异的倾向。
构成固化性树脂层31的固化性树脂组合物可包含具有聚合性不饱和基的聚合性单体及聚合引发剂。在该情况下，固化性树脂组合物也可进一步包含上述烃树脂。
聚合性单体为具有乙烯性不饱和基等聚合性不饱和基的化合物。聚合性单体可为一官能、二官能或三官能以上的任一种，但就获得充分的固化性的观点而言，可使用二官能以上的聚合性单体。作为聚合性单体的例子，可列举：(甲基)丙烯酸酯、偏二卤乙烯、乙烯基醚、乙烯基酯、乙烯基吡啶、乙烯基酰胺及芳基化乙烯基。聚合性单体可为(甲基)丙烯酸酯或(甲基)丙烯酸。(甲基)丙烯酸酯也可为单官能(甲基)丙烯酸酯、二官能(甲基)丙烯酸酯、三官能以上的多官能(甲基)丙烯酸酯或它们的组合。
作为单官能(甲基)丙烯酸酯的例子，可列举：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸丁氧基乙酯、(甲基)丙烯酸异戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛基庚酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸-2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸-3-氯-2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸-2-羟基丁酯、甲氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、乙氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、乙氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯及丁二酸单(2-(甲基)丙烯酰氧基乙基)酯等脂肪族(甲基)丙烯酸酯；以及(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸苯酯、(甲基)丙烯酸邻联苯酯、(甲基)丙烯酸-1-萘酯、(甲基)丙烯酸-2-萘酯、(甲基)丙烯酸苯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸对异丙苯基苯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸邻苯基苯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸-1-萘氧基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-萘氧基乙酯、苯氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、壬基苯氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、苯氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸-2-羟基-3-苯氧基丙酯、(甲基)丙烯酸-2-羟基-3-(邻苯基苯氧基)丙酯、(甲基)丙烯酸-2-羟基-3-(1-萘氧基)丙酯及(甲基)丙烯酸-2-羟基-3-(2-萘氧基)丙酯等芳香族(甲基)丙烯酸酯。
作为二官能(甲基)丙烯酸酯的例子，可列举：乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、四丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,3-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、3-甲基-1,5-戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、2-丁基-2-乙基-1,3-丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,9-壬二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,10-癸二醇二(甲基)丙烯酸酯、甘油二(甲基)丙烯酸酯、三环癸烷二甲醇(甲基)丙烯酸酯及乙氧基化2-甲基-1,3-丙二醇二(甲基)丙烯酸酯等脂肪族(甲基)丙烯酸酯；以及乙氧基化双酚A二(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化双酚A二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化双酚A二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化双酚F二(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化双酚F二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化双酚F二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化芴型二(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化芴型二(甲基)丙烯酸酯及乙氧基化丙氧基化芴型二(甲基)丙烯酸酯等芳香族(甲基)丙烯酸酯。
作为三官能以上的多官能(甲基)丙烯酸酯的例子，可列举：三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二-三羟甲基丙烷四丙烯酸酯及二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等脂肪族(甲基)丙烯酸酯；以及苯酚酚醛清漆型环氧基(甲基)丙烯酸酯及甲酚酚醛清漆型环氧基(甲基)丙烯酸酯等芳香族环氧基(甲基)丙烯酸酯。
这些(甲基)丙烯酸酯可单独使用一种或将两种以上组合使用。也可将这些(甲基)丙烯酸酯与其他聚合性单体组合。
相对于构成固化性树脂层31的固化性树脂组合物的质量100质量份，聚合性单体的含量可为10质量份～60质量份。
聚合引发剂为通过加热或紫外光等的照射而引发聚合性单体的聚合反应的化合物。例如，在聚合性单体为具有乙烯性不饱和基的化合物的情况下，聚合引发剂可为热自由基聚合引发剂、光自由基聚合引发剂或它们的组合。
作为热自由基聚合引发剂的例子，可列举：辛酰基过氧化物、月桂酰基过氧化物、硬脂基过氧化物、苯甲酰基过氧化物等二酰基过氧化物；过氧化三甲基乙酸叔丁酯、过氧化三甲基乙酸叔己酯、1,1,3,3-四甲基丁基过氧化-2-乙基己酸酯、2,5-二甲基-2,5-双(2-乙基己酰基过氧基)己烷、叔己基过氧化-2-乙基己酸酯、叔丁基过氧化-2-乙基己酸酯、叔丁基过氧化异丁酸酯、叔己基过氧化异丙基单碳酸酯、叔丁基过氧化-3,5,5-三甲基己酸酯、叔丁基过氧化月桂酸酯、叔丁基过氧化异丙基单碳酸酯、叔丁基过氧化-2-乙基己基单碳酸酯、叔丁基过氧化苯甲酸酯、叔己基过氧化苯甲酸酯、2,5-二甲基-2,5-双(苯甲酰基过氧基)己烷、叔丁基过氧化乙酸酯等过氧化酯；以及2,2'-偶氮双异丁腈、2,2'-偶氮双(2,4-二甲基戊腈)、2,2'-偶氮双(4-甲氧基-2'-二甲基戊腈)等偶氮化合物。
作为光自由基聚合引发剂的例子，可列举：2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮等安息香缩酮；1-羟基环己基苯基酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、1-[4-(2-羟基乙氧基)苯基]-2-羟基-2-甲基-1-丙烷-1-酮等α-羟基酮；以及双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)苯基氧化膦、双(2,6-二甲氧基苯甲酰基)-2,4,4-三甲基戊基氧化膦、2,4,6-三甲基苯甲酰基二苯基氧化膦等氧化膦。
这些热自由基聚合引发剂及光自由基聚合引发剂可单独使用一种或将两种以上组合使用。
相对于聚合性单体的总量100质量份，聚合引发剂的含量可为0.01质量份～5质量份。
构成固化性树脂层31的固化性树脂组合物也可进一步包含绝缘性填料、敏化剂、抗氧化剂等作为其他成分。
绝缘性填料出于对固化性树脂组合物赋予低热膨胀性、低吸湿性的目的而添加。作为绝缘性填料的例子，可列举：二氧化硅(silica)、氧化铝(alumina)、氮化硼、二氧化钛(titania)、玻璃(glass)、陶瓷(ceramic)等非金属无机填料。这些绝缘性填料可单独使用一种或将两种以上组合使用。
相对于构成固化性树脂层31的固化性树脂组合物的总质量100质量份，绝缘性填料的含量可为5质量份～20质量份。若绝缘性填料的含量处于该数值范围内，则有已固化的固化性树脂层31c具有优异的耐热性及良好的剥离性的倾向。
作为敏化剂的例子，可列举：蒽、菲、1,2-苯并菲(chrysene)、苯并芘(benzopyrene)、1,2-苯并厄(fluoranthene)、红荧烯、芘、氧杂蒽酮(xanthone)、阴丹士林、噻吨-9-酮、2-异丙基-9H-噻吨-9-酮、4-异丙基-9H-噻吨-9-酮及1-氯-4-丙氧基硫杂蒽酮。相对于构成固化性树脂层31的固化性树脂组合物的总质量100质量份，敏化剂的含量可为0.01质量份～10质量份。
作为抗氧化剂的例子，可列举苯醌、氢醌等醌衍生物；4-甲氧基苯酚、4-叔丁基儿茶酚等酚衍生物；2,2,6,6-四甲基哌啶-1-氧基、4-羟基-2,2,6,6-四甲基哌啶-1-氧基等氨基氧基衍生物；以及甲基丙烯酸四甲基哌啶酯等受阻胺衍生物。相对于构成固化性树脂层31的固化性树脂组合物的总质量100质量份，抗氧化剂的含量可为0.1质量份～10质量份。
固化性树脂层31例如通过预先准备具有支撑膜及形成于支撑膜上的固化性树脂层的层叠膜并将其贴附于光吸收层32而设置于光吸收层32上。层叠膜向光吸收层32的贴附可使用辊层压机、真空层压机等在室温(20℃)下进行或一边加热一边进行。具有支撑膜及固化性树脂层的层叠膜例如可通过以下方法而获得，所述方法包括：将包含热固性树脂或聚合性单体、有机溶剂及视需要的其他成分的树脂清漆涂布于支撑膜；以及自涂膜去除有机溶剂。或者，也可通过将同样的树脂清漆直接涂布于光吸收层32并将有机溶剂自涂膜去除的方法而在光吸收层32上形成固化性树脂层31。
光吸收层32的一例为包含吸收光而产生热的导电体的导电体层。构成作为光吸收层32的导电体层的导电体的例子，可列举金属、金属氧化物及导电性碳材料。金属可为铬、铜、钛、银、铂、金等单体金属，也可为镍-铬、不锈钢、铜-锌等合金。作为金属氧化物的例子，可列举氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)、氧化锌及氧化铌。这些可单独使用一种或将两种以上组合使用。导电体可为铬、钛或导电性碳材料。
光吸收层32可为包含单层或多层的金属层。金属层容易具有相对于非相干光的3.1％以下的透过率。例如，光吸收层32可为包含铜层及钛层的金属层。作为光吸收层32的金属层可为通过真空蒸镀及溅镀等物理气相沉积(physical vapor deposition，PVD)、等离子体化学蒸镀等化学气相沉积(chemical vapor deposition，CVD)而形成的层，也可为通过电解镀敷或无电解镀敷而形成的镀敷层。根据物理气相沉积，即使支撑部件10具有大面积，也可有效率地形成覆盖支撑部件10的表面的作为光吸收层32的金属层。
在光吸收层32为单层的金属层的情况下，光吸收层32可包含选自由铊(Ta)、铂(Pt)、镍(Ni)、钛(Ti)、钨(W)、铬(Cr)、铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)及金(Au)所组成的组中的至少一种金属。
光吸收层32也可包含第一层及第二层此两层，自支撑部件10侧起以第一层及第二层的顺序层叠。在该情况下，例如若第一层具有高光吸收性且第二层具有高热膨胀系数及高弹性系数，则容易获得特别良好的剥离性。就该观点而言，例如，第一层可包含选自由铊(Ta)、铂(Pt)、镍(Ni)、钛(Ti)、钨(W)及铬(Cr)所组成的组中的至少一种金属，第二层可包含选自由铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)及金(Au)所组成的组中的至少一种金属。第一层也可包含选自由钛(Ti)、钨(W)及铬(Cr)所组成的组中的至少一种金属，第二层也可包含选自由铜(Cu)及铝(Al)所组成的组中的至少一种金属。
光吸收层的其他例子为含有吸收光而产生热的导电性粒子及分散有导电性粒子的黏合剂树脂的层。导电性粒子可为包含上述导电体的粒子。黏合剂树脂可为固化性树脂组合物，在该情况下，光吸收层构成固化性树脂层31的一部分。例如，图1(b)的临时固定用层叠体1的光吸收层31B可为包含导电性粒子及固化性树脂组合物的层。构成光吸收层的固化性树脂组合物可包含与构成光吸收层以外的部分的固化性树脂层的固化性树脂组合物相同的成分。构成光吸收层的固化性树脂组合物可与构成光吸收层以外的部分的固化性树脂层的固化性树脂组合物相同，也可不同。相对于光吸收层的导电性粒子以外的成分的总量、即黏合剂树脂或固化性树脂组合物的质量100质量份，光吸收层的导电性粒子的含量可为10质量份～90质量份。若导电性粒子的含量大，则光吸收层容易具有相对于非相干光的3.1％以下的透过率。就透过率的观点而言，导电性粒子的含量也可为20质量％以上或30质量％以上。
包含导电性粒子及黏合剂树脂的光吸收层例如可通过以下方法而形成，所述方法包括：将含有导电性粒子、黏合剂树脂及有机溶剂的清漆涂布于支撑部件上或固化性树脂层上；以及自涂膜去除有机溶剂。可将预先制作的光吸收层32层叠于支撑部件10上或固化性树脂层上。也可将包含光吸收层及固化性树脂层的层叠体层叠于支撑部件上。
就轻剥离性的观点而言，光吸收层32的厚度可为1nm～5000nm或100nm～3000nm。并且，若光吸收层32的厚度为50nm～300nm，则光吸收层32容易具有充分低的透过率。在光吸收层32为包含单层或多层的金属层的情况下，就良好的剥离性的观点而言，光吸收层32(或金属层)的厚度可为75nm以上、90nm以上或100nm以上，且可为1000nm以下。尤其在光吸收层32为单层的金属层的情况下，就良好的剥离性的观点而言，光吸收层32(或金属层)的厚度可为100nm以上、125nm以上、150nm以上或200nm以上，且可为1000nm以下。即使光吸收层32为包含光吸收性比较低的金属(例如，Cu、Ni)的金属层或包含热膨胀系数比较低的金属(例如，Ti)的金属层，若其厚度大，则也有容易获得更良好的剥离性的倾向。
就应力缓和的观点而言，临时固定材料层30的厚度(图1(a)的情况下，光吸收层32与固化性树脂层31的合计厚度)可为0.1μm～2000μm或10μm～500μm。
准备临时固定用层叠体1后，如图3(a)所示那样在固化性树脂层31上载置加工前的半导体部件45。半导体部件45具有半导体基板40及再配线层41。半导体部件45也可进一步具有外部连接端子。半导体基板40可为半导体晶圆、或将半导体晶圆分割而得的半导体晶片。图3(a)的例子中，将多个半导体部件45载置于固化性树脂层31，但半导体部件的数量也可为一个。
就半导体装置的小型化、薄型化以及抑制搬送时、加工工序等时的破裂的观点而言，半导体部件45的厚度可为1μm～1000μm、10μm～500μm或20μm～200μm。
载置于固化性树脂层31上的半导体部件45例如使用真空压制机或真空层压机被压接于固化性树脂层31。在使用真空压制机的情况下，压接条件可为气压1hPa以下、压接压力1MPa、压接温度120℃～200℃及保持时间100秒钟～300秒钟。在使用真空层压机的情况下，压接条件例如可为气压1hPa以下、压接温度60℃～180℃或80℃～150℃、层压压力0.01MPa～0.5MPa或0.1MPa～0.5MPa、保持时间1秒钟～600秒钟或30秒钟～300秒钟。
在固化性树脂层31上配置半导体部件45后，使固化性树脂层31热固化或光固化，由此经由具有已固化的固化性树脂层31c的临时固定材料层30，将半导体部件45临时固定于支撑部件10。热固化的条件例如可为300℃以下或100℃～200℃、且1分钟～180分钟或1分钟～60分钟。
接着，如图4(a)所示那样，对临时固定于支撑部件10的半导体部件进行加工。图4(a)表示包含半导体基板的薄化的加工的例子。半导体部件的加工并不限定于此，例如可包含半导体基板的薄化、半导体部件的分割(切割)、贯穿电极的形成、蚀刻处理、镀敷回焊处理、溅镀处理或它们的组合。
半导体基板40的薄化可通过使用研磨机等对半导体基板40的与再配线层41为相反侧的面进行磨削来进行。经薄化的半导体基板40的厚度例如可为100μm以下。
对半导体部件45进行加工后，如图4(b)所示那样形成对经加工的半导体部件45进行密封的密封层50。密封层50可使用通常用于制造半导体元件的密封材料来形成。例如，可通过热固性树脂组合物来形成密封层50。密封层50所使用的热固性树脂组合物例如包含甲酚酚醛清漆环氧树脂、苯酚酚醛清漆环氧树脂、联苯二环氧树脂、萘酚酚醛清漆环氧树脂等环氧树脂。密封层50及用于形成其的热固性树脂组合物可包含填料及/或阻燃剂等添加剂。
密封层50例如使用固体材料、液状材料、细颗粒材料或密封膜来形成。在使用密封膜的情况下，可使用压缩密封成型机、真空层压装置等。例如，使用这些装置，在40℃～180℃(或60℃～150℃)、0.1MPa～10MPa(或0.5MPa～8MPa)、且0.5分钟～10分钟的条件下利用经热熔融的密封膜包覆半导体部件45，由此可形成密封层50。密封膜的厚度以密封层50成为加工后的半导体部件45的厚度以上的方式进行调整。密封膜的厚度可为50μm～2000μm、70μm～1500μm或100μm～1000μm。
形成密封层50后，可如图5(a)所示那样将密封层50及固化性树脂层31c分割成各包含一个半导体部件45的多个部分。
如图5(b)所示那样，对临时固定用层叠体1自支撑部件10侧照射非相干光A，由此将半导体部件45自支撑部件10分离。通过照射非相干光A，光吸收层32吸收光而瞬间产生热。通过所产生的热，例如可产生已固化的固化性树脂层31c的熔融、产生在支撑部件10与半导体部件45之间的热应力及光吸收层32的飞散。以这些现象中的一个或两个以上为主要原因，半导体部件45可容易地自支撑部件10分离。若构成固化性树脂层31的固化性树脂组合物包含烃树脂，且已固化的固化性树脂层在25℃下的储能模量为5MPa～100MPa，则有容易引起光吸收层32与已固化的固化性树脂层31在界面处剥离的倾向。在非相干光A的能量为5J/cm2～25J/cm2的范围的情况下，该倾向尤其显著。为了将半导体部件45自支撑部件10分离，也可在照射非相干光A的同时，对半导体部件45稍微施加应力。
非相干光A为不相干的光，且为具有不会产生干涉条纹、可干涉性低、指向性低等性质的电磁波。非相干光有光路长度越长而越衰减的倾向。激光一般为相干光，相对于此，太阳光、荧光灯的光等光为非相干光。非相干光也可称为除激光以外的光。非相干光的照射面积一般远远宽于相干光(即，激光)，因此可减少照射次数。例如通过一次照射便可产生多个半导体部件45的分离。
非相干光A可包含红外线。非相干光A也可为脉冲光。非相干光A的光源并无特别限制，可为氙灯。氙灯是利用封入有氙气的发光管的通过施加、放电而产生的发光的灯。氙灯一边反复进行电离及激发一边进行放电，因此稳定地具有紫外光区域至红外光区域的连续波长。与金属卤化物灯等灯相比较，氙灯的启动所需的时间短，因此可大幅缩短工序所用的时间。另外，在发光时需要施加高电压，因此会瞬间产生高热，但冷却时间短，可进行连续的作业，就这方面而言，氙灯也有利。
氙灯的照射条件包含施加电压、脉冲宽度、照射时间、照射距离(光源与临时固定材料层的距离)、照射能量等，可根据照射次数等对这些进行任意设定。就减少半导体部件45的损伤的观点而言，可设定通过一次照射便可分离半导体部件45的照射条件。
在已分离的半导体部件45上，有时固化性树脂层31c的一部分作为残渣31c'而附着。如图5(c)所示那样，所附着的残渣31c'将被去除。残渣31c'例如通过利用溶剂进行清洗而去除。作为溶剂，并无特别限制，可列举：乙醇、甲醇、甲苯、二甲苯、丙酮、甲基乙基酮、甲基异丁基酮、己烷等。这些可单独使用一种或将两种以上组合使用。为了去除残渣31c'，可使半导体部件45浸渍于溶剂，也可进行超声波清洗。也可在100℃以下左右的低温下对半导体部件45进行加热。
通过以上所例示的方法，可获得具备经加工的半导体部件45的半导体元件60。可通过将所获得的半导体元件60连接于其他半导体元件或半导体元件搭载用基板而制造半导体装置。
实施例
以下，列举实施例来对本发明进行更具体的说明。但是，本发明并不限定于这些实施例。
(研究1)
1-1.固化性树脂层
将氢化苯乙烯－丁二烯弹性体(商品名：达那龙(Dynaron)2324P，JSR股份有限公司)溶解于甲苯，制备浓度40质量％的弹性体溶液。将80质量份的包含氢化苯乙烯－丁二烯弹性体的弹性体溶液、1,9-壬二醇二丙烯酸酯(商品名：FA-129AS，日立化成股份有限公司)20质量份及过氧化酯(商品名：帕海萨(Perhexa)25O，日油股份有限公司)1质量份混合，获得树脂清漆。
使用精密涂布机，将所获得的树脂清漆涂布于聚对苯二甲酸乙二酯(PET)膜(皮尤莱斯(Purex)A31，帝人杜邦膜(Teijin Dupont Film)股份有限公司，厚度：38μm)的脱模处理面上。将涂膜通过在80℃下加热10分钟而加以干燥，从而形成厚度约100μm的固化性树脂层。
1-2.光吸收层
作为支撑部件，准备具有40mm×40mm的尺寸的载玻片、毛玻璃板及硅晶圆。在各支撑部件上，通过溅镀依次形成钛层、铜层，从而形成包含钛层(厚度：20nm)/铜层(厚度：200nm)此两层的光吸收层。在溅镀中，在利用逆溅镀进行预处理后，通过射频(radiofrequency，RF)溅镀来形成钛层及铜层。逆溅镀(预处理)及RF溅镀的条件如以下所述。
逆溅镀(预处理)
·Ar流速：1.2×10-2Pa·m3/s(70sccm)
·RF功率：300W
·时间：300秒钟
RF溅镀
·Ar流速：1.2×10-2Pa·m3/s(70sccm)
1-3.透过率
测定支撑部件及光吸收层相对于自氙灯照射的光的透过率。可将光吸收层的透过率实质上视为临时固定材料层的透过率。透过率使用与后述剥离试验中使用的氙灯相同的氙灯及分光放射光度计(USR-45，牛尾(Ushio)电机股份有限公司)来测定。将分光放射光度计的检测端子设置于距氙灯的光照射部5cm的距离的位置。通过检测端子直接检测自氙灯照射的光，将检测出的光的光量设为基线。继而，在分光放射光度计的检测端子与氙灯之间设置测定对象物，利用检测端子检测自氙灯照射并透过测定对象物的透过光。将检测出的透过光的光量相对于基线的比例设为透过率。通过以下式子计算与波长300nm～800nm的范围的光的合计光量相关的透过率。
透过率(％)＝{(透过光的波长300nm～800nm下的总光量)/(基线的波长300nm～800nm下的总光量)}×100
关于光吸收层，通过来自配置于支撑部件侧的氙灯的光测定具有支撑部件及光吸收层的层叠体的透过率。根据基线及支撑部件的透过率计算出入射至光吸收层的光的光量，将相对于该光量的透过光的光量的比例设为光吸收层的透过率。
1-4.剥离试验
将切出为40mm×40mm的尺寸的固化性树脂层配置于各支撑部件上所形成的光吸收层上。通过真空层压使固化性树脂层密合于光吸收层，从而获得具有支撑部件/光吸收层/固化性树脂层的层叠构成的临时固定用层叠体。在临时固定用层叠体的固化性树脂层上配置半导体晶片(尺寸：10mm×10mm、厚度：150μm)。通过在180℃下加热1小时使固化性树脂层固化，从而获得具有临时固定于支撑部件的半导体晶片的剥离试验用试验体。
对各试验体，自临时固定用层叠体的支撑部件侧利用氙灯照射脉冲光。光的照射条件为如下所述。作为氙灯，使用氙气(Xenon)公司制造的S2300。该装置的波长范围为270nm～近红外区域。照射距离为光源即氙灯与支撑部件之间的距离。
·施加电压：3700V
·脉冲宽度：200μs
·照射距离：50mm
·照射次数：1次
·照射时间：200μs
利用氙灯进行光照射后，观察试验体的状态，利用以下基准评价剥离性。在表1中示出评价结果。
A：半导体晶片仅通过光照射便自然地自临时固定用层叠体剥离、或通过在半导体晶片与固化性树脂层之间插入镊子而半导体晶片在不发生破损的情况下自临时固定用层叠体剥离。
B：即使在半导体晶片与固化性树脂层之间插入镊子，也未将半导体晶片自临时固定用层叠体剥离。
[表1]
Figure BDA0003085564120000201
(研究2)
如表2所示那样变更构成光吸收层的铜层、钛层的厚度，除此以外，以与“研究1”同样的程序，制作具有载玻片作为支撑部件的试验体。比较例3中未设置光吸收层而在支撑部件上直接层叠了固化性树脂层。在比较例4中，仅形成钛层作为光吸收层。利用与“研究1”同样的剥离试验评价所得的试验体的剥离性。利用与“研究1”同样的方法测定光吸收层的透过率。将评价结果示于表2中。
[表2]
Figure BDA0003085564120000202
(研究3)
在作为支撑部件的厚度1300μm的载玻片上，通过溅镀而形成表3中所示的包含单层或两层的金属层的光吸收层。表中，光吸收层的构成以自载玻片侧起的层叠顺序来表示，例如，“Ti(50)/Cu(200)”是指自载玻片侧起依次层叠有厚度50nm的钛层、厚度200nm的铜层。实施例1、实施例3及实施例4与研究2的实施例1、实施例3及实施例4相同。在光吸收层上，以与“研究1”同样的程序，制作具有支撑部件/光吸收层/固化性树脂层的层叠构成的临时固定用层叠体。进而，以与“研究1”同样的程序，制作具有临时固定于支撑部件的半导体晶片的剥离试验用试验体。利用与“研究1”同样的方法，测定光吸收层的透过率。
对所准备的各试验体，自临时固定用层叠体的支撑部件侧利用氙灯照射脉冲光。光的照射条件为如下所述。作为具有氙灯的照射装置，使用诺威桑科斯(Novacentrix)公司制造的帕斯佛戈(PulseForge)1300。照射距离为光源即氙灯与支撑部件之间的距离。使脉冲宽度自150μs起逐次增加10μs，记录半导体晶片仅通过光照射便自临时固定用层叠体自然地剥离时的脉冲宽度的最小值。脉冲光的照射一边更换试验体一边进行，将对个别的试验体的照射次数设为一次。将半导体晶片剥离时的脉冲宽度的最小值示于表3中。
·施加电压：800V
·脉冲宽度：150μs～700μs
·照射距离：6mm
·照射次数：1次
基于半导体晶片剥离时的脉冲宽度的最小值，通过以下基准评价剥离性。
AAA：150μs
AA：160μs以上且小于350μs
A：350μs以上且700μs以下、或通过光吸收层的溶解而剥离(A：溶解(Melt))
B：在700μs以下不可剥离
[表3]
Figure BDA0003085564120000221
根据研究1、研究2及研究3的结果，可确认到通过使用包含透过率90％以上的支撑部件与透过率3.1％以下的光吸收层的组合的临时固定用层叠体，在将半导体部件临时固定之后，可通过来自氙灯的非相干光的照射而容易地将半导体部件自支撑部件分离。
符号说明
1-临时固定用层叠体，10-支撑部件，30-临时固定材料层，31-固化性树脂层，31c-已固化的固化性树脂层，32-光吸收层，40-半导体基板，41-再配线层，45-半导体部件，50-密封层，60-半导体元件，S-临时固定材料层的最表面。

Claims (8)

1.一种制造半导体装置的方法，其依次具备：
准备临时固定用层叠体的工序，所述临时固定用层叠体具备支撑部件及设置于所述支撑部件上的临时固定材料层，所述临时固定材料层具有固化性树脂层，所述固化性树脂层包含所述临时固定材料层的至少一侧的最表面；
临时固定工序，将具有半导体基板及设置于所述半导体基板的其中一面侧的再配线层的半导体部件，以所述再配线层位于所述固化性树脂层侧的朝向，经由所述临时固定材料层临时固定于所述支撑部件；
加工工序，对临时固定于所述支撑部件的所述半导体部件进行加工；以及
分离工序，自所述支撑部件侧对所述临时固定用层叠体照射非相干光，由此将所述半导体部件自所述支撑部件分离，
所述临时固定材料层的一部分或全部为吸收光而产生热的光吸收层，
所述支撑部件对所述非相干光的透过率为90％以上，
所述临时固定材料层对所述非相干光的透过率为3.1％以下。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，
所述非相干光包含红外线。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，
所述非相干光的光源为氙灯。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，
所述临时固定材料层具有作为与所述固化性树脂层不同的层而设置的金属层作为所述光吸收层。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，
所述金属层对所述非相干光的透过率为3.1％以下。
6.一种光吸收层叠体，其具有支撑部件及设置于所述支撑部件上的光吸收层，
所述支撑部件对自氙灯照射的非相干光的透过率为90％以上，
所述光吸收层为金属层，所述金属层对自氙灯照射的非相干光的透过率为3.1％以下。
7.根据权利要求6所述的光吸收层叠体，其中，
所述光吸收层的厚度为75nm以上。
8.一种临时固定用层叠体，其具备权利要求6或7所述的光吸收层叠体及固化性树脂层，
自所述光吸收层叠体的支撑部件侧起依次层叠所述光吸收层叠体的金属层与所述固化性树脂层，由此形成了具有所述金属层及所述固化性树脂层的临时固定材料层。
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