WO2024024566A1 - 仮固定用フィルム、仮固定用積層体、半導体装置の製造方法、及び仮固定用組成物 - Google Patents

仮固定用フィルム、仮固定用積層体、半導体装置の製造方法、及び仮固定用組成物 Download PDF

Info

Publication number
WO2024024566A1
WO2024024566A1 PCT/JP2023/026237 JP2023026237W WO2024024566A1 WO 2024024566 A1 WO2024024566 A1 WO 2024024566A1 JP 2023026237 W JP2023026237 W JP 2023026237W WO 2024024566 A1 WO2024024566 A1 WO 2024024566A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
temporary fixing
film
component
laminate
curable resin
Prior art date
Application number
PCT/JP2023/026237
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
笑 宮澤
雄太 赤須
哲也 榎本
Original Assignee
株式会社レゾナック
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社レゾナック filed Critical 株式会社レゾナック
Publication of WO2024024566A1 publication Critical patent/WO2024024566A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Definitions

  • the present disclosure relates to a temporary fixing film, a temporary fixing laminate, a method for manufacturing a semiconductor device, and a temporary fixing composition.
  • Patent Document 1 discloses a method of separating a semiconductor member from a support member by irradiating a temporary fixing material layer with ultraviolet light (ultraviolet laser light).
  • the main object of the present disclosure is to provide a temporary fixing film that can form a temporary fixing material layer that can separate a semiconductor member and a supporting member by irradiation with light including ultraviolet light.
  • the present disclosure provides the temporary fixing film described in [1] to [4], the temporary fixing laminate described in [5] to [8], the method for manufacturing a semiconductor device described in [9], and [10] ] to [12] provide temporary fixing compositions.
  • a temporary fixing film used for temporarily fixing a semiconductor member and a supporting member which comprises an ultraviolet absorber having a hydroxyl group, a thermosetting resin having a functional group capable of reacting with the hydroxyl group, and a thermosetting resin having a functional group capable of reacting with the hydroxyl group.
  • thermoplastic resin is a hydrocarbon resin.
  • thermoplastic resin is a hydrocarbon resin.
  • a laminate for temporary fixation comprising a support member and a temporary fixation material layer made of the temporary fixation film according to [1], provided on the support member.
  • the temporary fixing laminate according to [5] further comprising a curable resin layer provided on the temporary fixing material layer.
  • a laminate for temporary fixing comprising a support member, a first curable resin layer, and a temporary fixing material layer made of the temporary fixing film according to [1] in this order.
  • a method for manufacturing a semiconductor device comprising the step of separating the semiconductor member from the support member.
  • a temporary fixing composition used for temporarily fixing a semiconductor member and a supporting member comprising: an ultraviolet absorber having a hydroxyl group; a thermosetting resin having a functional group capable of reacting with the hydroxyl group; A temporary fixing composition containing a thermoplastic resin.
  • the thermoplastic resin is a hydrocarbon resin.
  • the semiconductor member and the supporting member can be separated by irradiation with light including ultraviolet light, and it is suitable for forming a temporary fixing material layer.
  • the reason why the semiconductor member and the support member can be separated by irradiation with light including ultraviolet light by using such a temporary fixing film is not necessarily clear, but the present inventors have proposed, for example, the following. I am guessing as follows. First, by treating the temporary fixing film with heat, etc., the ultraviolet absorber having a hydroxyl group and the thermosetting resin having a functional group that can react with the hydroxyl group react, and while absorbing the ultraviolet absorber, the polymer has a high molecular weight. Form a cured product containing the ingredients.
  • the ultraviolet absorber absorbs this light energy, and for example, the molecular chain of the high molecular weight component is cut by thermal energy, thereby reducing the molecular weight of the high molecular weight component (cured material). It is presumed that the semiconductor member and the supporting member can be separated as the melting progresses.
  • a temporary fixing film that can form a temporary fixing material layer that can separate a semiconductor member and a supporting member by irradiation with light including ultraviolet light. Further, according to the present disclosure, there are provided a temporary fixing laminate and a method for manufacturing a semiconductor device using such a temporary fixing film. Furthermore, according to the present disclosure, a temporary fixing composition useful for forming a temporary fixing film is provided.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing one embodiment of a temporary fixing film.
  • FIGS. 2(a), 2(b), and 2(c) are schematic cross-sectional views showing one embodiment of the temporary fixing laminate.
  • FIGS. 3A and 3B are schematic cross-sectional views showing one embodiment of a method for manufacturing a semiconductor device.
  • 4(a), FIG. 4(b), and FIG. 4(c) are schematic cross-sectional views showing one embodiment of a method for manufacturing a semiconductor device.
  • FIGS. 5A and 5B are schematic cross-sectional views showing one embodiment of a method for manufacturing a semiconductor device.
  • a numerical range indicated using "-" indicates a range that includes the numerical values written before and after "-" as the minimum and maximum values, respectively.
  • the upper limit value or lower limit value described in one numerical range may be replaced with the upper limit value or lower limit value of another numerical range described step by step. good.
  • the upper limit or lower limit of the numerical range may be replaced with the value shown in the Examples.
  • the term “layer” includes a structure that is formed on the entire surface as well as a structure that is formed on a part of the layer when observed as a plan view.
  • the term “process” does not only refer to an independent process, but also refers to a process that cannot be clearly distinguished from other processes, as long as the intended effect of the process is achieved. included.
  • (meth)acrylate means acrylate or a methacrylate corresponding thereto.
  • the materials exemplified below may be used alone or in combination of two or more within the range applicable to the conditions.
  • the content of each component means the total amount of the multiple substances, unless otherwise specified.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing one embodiment of a temporary fixing film.
  • the temporary fixing film 10 shown in FIG. 1 is used for temporarily fixing a semiconductor member and a support member. More specifically, the temporary fixing film 10 forms a layer (temporary fixing material layer) for temporarily fixing a semiconductor member to a supporting member during processing of the semiconductor member in the manufacture of a semiconductor device. It is used to
  • the temporary fixing film 10 contains an ultraviolet absorber having a hydroxyl group (hereinafter sometimes referred to as "component (A)”) and a thermosetting resin having a functional group that can react with the hydroxyl group (hereinafter referred to as "(B) component”). ) and a thermoplastic resin (hereinafter sometimes referred to as "component (C)").
  • Component (A) Ultraviolet absorber having hydroxyl group
  • Component (A) may be a component that absorbs light including ultraviolet light (ultraviolet light).
  • Component (A) may be a component that absorbs light having a wavelength of 200 to 400 nm (near ultraviolet light). Since component (A) has a hydroxyl group, it tends to be difficult to bleed out from the temporary fixing film due to interaction with component (B). Furthermore, it is presumed that by treating the temporary fixing film with heat or the like, component (A) and component (B) will react, forming a cured product containing a high molecular weight component while incorporating component (A). Ru. Therefore, by using component (A), it can be expected to improve the dispersibility of the ultraviolet absorbent component in the temporary fixing film.
  • Examples of the ultraviolet absorber having a hydroxyl group include 2-(4,6-diphenyl-1,3,5-triazin-2-yl)-5-[2-(2-ethylhexanoyloxy)ethoxy]phenol, 2,4,6-tris(2-hydroxy-4-hexyloxy-3-methylphenyl)-1,3,5-triazine, 2,4,6-tris(4-butoxy-2-hydroxyphenyl)-1 , 3,5-triazine, 2,4-bis(2,4-dimethylphenyl)-6-(2-hydroxy-4-n-octyloxyphenyl)-1,3,5-triazine, etc.
  • Triazine ultraviolet absorber 2-(2H-benzotriazol-2-yl)-4,6-bis(1-methyl-1-phenylethyl)phenol, 2-(2H-benzotriazol-2-yl)-4 -(1,1,3,3-tetramethylbutyl)phenol, 2,2'-methylenebis[6-(2H-benzotriazol-2-yl)-4-(1,1,3,3-tetramethylbutyl) ) phenol], 2-(2H-benzotriazol-2-yl)-p-cresol, 2-(5-chloro-2H-benzotriazol-2-yl)-6-tert-butyl-4-methylphenol, etc.
  • component (A) may be a triazine-based ultraviolet absorber or a benzotriazole-based ultraviolet absorber, or may be a triazine-based ultraviolet absorber.
  • the triazine UV absorber may be, for example, 2,4,6-tris(2-hydroxy-4-hexyloxy-3-methylphenyl)-1,3,5-triazine.
  • Component (A) is not particularly limited, but is preferably added, for example, in the temporary fixing film so that the transmittance at at least one of the wavelengths of 308 nm and 355 nm is 15% or less.
  • the content of component (A) may be 0.5 to 40 parts by mass based on 100 parts by mass of the total amount of components (B) and (C).
  • the semiconductor member and the support member are If the amount is 40 parts by mass or less, curing inhibition is unlikely to occur and high heat resistance can be maintained.
  • the content of component (A) may be 1 part by mass or more, 1.5 parts by mass or more, or 2 parts by mass or more, based on 100 parts by mass of the total amount of components (B) and (C).
  • the amount may be 30 parts by mass or less, 20 parts by mass or less, or 15 parts by mass or less.
  • Thermosetting resin having a functional group that can react with a hydroxyl group (B) component means a resin that has a functional group that can react with a hydroxyl group and is cured by heat, and is the component (C) described below. It is a concept that does not include.
  • Examples of the functional group that can react with a hydroxyl group include an epoxy group and an oxetanyl group.
  • Examples of the component (B) include epoxy resins; oxetane resins; acrylic resins having epoxy groups, oxetanyl groups, and the like.
  • component (B) may be an epoxy resin because it has better heat resistance, workability, and reliability.
  • the epoxy resin is not particularly limited as long as it hardens and has heat resistance.
  • epoxy resins include bifunctional epoxy resins such as bisphenol A epoxy resins; novolac epoxy resins such as phenol novolac epoxy resins and cresol novolac epoxy resins; alicyclic epoxy resins such as dicyclopentadiene epoxy resins. Examples include.
  • the epoxy resin may be, for example, a polyfunctional epoxy resin, a glycidylamine type epoxy resin, or a heterocycle-containing epoxy resin. Among these, the epoxy resin may include an alicyclic epoxy resin from the viewpoint of heat resistance and weather resistance.
  • the epoxy resin as component (B) may be used alone or in combination with an epoxy resin curing agent (hereinafter sometimes referred to as "component (b)").
  • Component (b) includes, for example, amine, polyamide, acid anhydride, polysulfide, boron trifluoride, bisphenol (bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, etc.), phenol resin (phenol novolac resin, bisphenol A novolac resin, cresol (novolak resin, phenol aralkyl resin, etc.).
  • the content of component (B) (when using an epoxy resin and a hardening agent for the epoxy resin, the total of the epoxy resin and the hardening agent for the epoxy resin) is 100 parts by mass of the total amount of the component (B) and the component (C). In contrast, the amount may be 10 to 60 parts by mass.
  • the content of component (B) may be 15 parts by mass or more or 20 parts by mass or more, and 50 parts by mass or less or 40 parts by mass, based on 100 parts by mass of the total amount of components (B) and (C). The following may be sufficient.
  • the temporary fixing material layer tends to have better thin film formability, flatness, heat resistance, etc.
  • Component (C) may be a thermoplastic resin, or a resin that has thermoplasticity at least in an uncured state and forms a crosslinked structure after heating.
  • Component (C) includes, for example, hydrocarbon resin, phenoxy resin, acrylic rubber, polycarbonate, polyphenylene sulfide, polyether sulfone, polyetherimide, polyimide, petroleum resin, and the like.
  • component (C) may be a hydrocarbon resin, a phenoxy resin, or an acrylic rubber, or may be a hydrocarbon resin.
  • Hydrocarbon resin is a resin whose main skeleton is composed of hydrocarbon.
  • hydrocarbon resins include ethylene/propylene copolymer, ethylene/1-butene copolymer, ethylene/propylene/1-butene copolymer elastomer, ethylene/1-hexene copolymer, and ethylene/1-hexene copolymer.
  • 1-octene copolymer ethylene/styrene copolymer, ethylene/norbornene copolymer, propylene/1-butene copolymer, ethylene/propylene/non-conjugated diene copolymer, ethylene/1-butene/non-conjugated diene copolymer Copolymer, ethylene/propylene/1-butene/non-conjugated diene copolymer, polyisoprene, polybutadiene, styrene/butadiene/styrene block copolymer (SBS), styrene/isoprene/styrene block copolymer (SIS), Examples include styrene/ethylene/butylene/styrene block copolymer (SEBS), styrene/ethylene/propylene/styrene block copolymer (SEPS), and the like.
  • SEBS
  • hydrocarbon resins may be subjected to hydrogenation treatment. Further, these hydrocarbon resins may be carboxy-modified with maleic anhydride or the like.
  • the hydrocarbon resin may include a hydrocarbon resin containing monomer units derived from styrene (styrenic resin), and may include a styrene-ethylene-butylene-styrene block copolymer (SEBS). Good too.
  • the Tg of component (C) may be -100 to 500°C, -50 to 300°C, or -50 to 50°C.
  • the Tg of the component (C) is 500° C. or less, when a film-like temporary fixing material is formed, flexibility is likely to be ensured, and low-temperature adhesion properties tend to be improved.
  • the Tg of component (C) is -100°C or higher, when a film-like temporary fixing material is formed, it tends to be possible to suppress deterioration in handleability and releasability due to excessive flexibility.
  • the Tg of component (C) is the midpoint glass transition temperature value obtained by differential scanning calorimetry (DSC). Specifically, the Tg of component (C) is the intermediate point calculated by a method based on JIS K 7121 by measuring the change in heat amount under the conditions of a heating rate of 10°C/min and a measurement temperature of -80 to 80°C. It is the glass transition temperature.
  • the weight average molecular weight (Mw) of component (C) may be 10,000 to 5 million or 100,000 to 2 million.
  • the weight average molecular weight is 10,000 or more, the heat resistance of the temporary fixing material layer to be formed tends to be easily ensured.
  • the weight average molecular weight is 5 million or less, when a film-like temporary fixing material layer or resin layer is formed, a decrease in flow and a decrease in stickability tend to be easily suppressed.
  • the weight average molecular weight is a polystyrene equivalent value obtained by gel permeation chromatography (GPC) using a standard polystyrene calibration curve.
  • the content of component (C) may be 40 to 90 parts by mass based on 100 parts by mass of the total amount of components (B) and (C).
  • the content of component (C) may be 50 parts by mass or more or 60 parts by mass or more, and 85 parts by mass or less or 80 parts by mass, based on 100 parts by mass of the total amount of components (B) and (C). There may be the following.
  • the temporary fixing material layer tends to have better thin film formability and flatness.
  • Component (B) and component (C) may be the main components of the temporary fixing film.
  • the total content of component (B) and component (C) is 60% by mass or more, 70% by mass or more, 80% by mass or more, 85% by mass or more, based on the total amount of the temporary fixing film (or the total amount of the temporary fixing composition). It may be at least 90% by mass, or at least 95% by mass.
  • the temporary fixing film 10 includes, as other components, a curing accelerator that accelerates the curing reaction of component (B) such as an epoxy resin; a polymerizable monomer; a polymerization initiator; an insulating filler; a sensitizer; It may further contain an inhibitor or the like.
  • component (B) such as an epoxy resin; a polymerizable monomer; a polymerization initiator; an insulating filler; a sensitizer; It may further contain an inhibitor or the like.
  • curing accelerator examples include imidazole derivatives, dicyandiamide derivatives, dicarboxylic acid dihydrazide, triphenylphosphine, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, 2-ethyl-4-methylimidazole-tetraphenylborate, 1,8-diazabicyclo[5, 4,0] undecene-7-tetraphenylborate and the like.
  • the content of the curing accelerator may be 0.01 to 5 parts by mass based on 100 parts by mass of the total amount of component (B). When the content of the curing accelerator is within such a range, the curability of component (B) and the heat resistance after curing tend to be better.
  • the content of the curing accelerator may be 0.1 parts by mass or more or 0.3 parts by mass or more with respect to 100 parts by mass of the total amount of component (B), since it is easy to adjust the storage modulus. It may be 3 parts by mass or less or 1 part by mass or less.
  • the polymerizable monomer is not particularly limited as long as it can be polymerized by heating or irradiation with ultraviolet light or the like.
  • the polymerizable monomer may be, for example, a compound having a polymerizable functional group such as an ethylenically unsaturated group from the viewpoint of material selectivity and availability.
  • Examples of the polymerizable monomer include (meth)acrylate, vinylidene halide, vinyl ether, vinyl ester, vinylpyridine, vinylamide, and arylated vinyl.
  • the polymerizable monomer may be (meth)acrylate.
  • the (meth)acrylate may be monofunctional (monofunctional), bifunctional, or trifunctional or more functional, but from the viewpoint of obtaining sufficient curability, it may be a difunctional or more functional (meth)acrylate. good.
  • the content of the polymerizable monomer may be, for example, 0 to 50 parts by mass based on the total amount of the temporary fixing film (or the total amount of the temporary fixing composition).
  • the polymerization initiator is not particularly limited as long as it can initiate polymerization by heating or irradiation with ultraviolet light or the like.
  • the polymerization initiator may be a thermal radical polymerization initiator or a photoradical polymerization initiator.
  • the content of the polymerization initiator may be 0.01 to 5 parts by weight based on 100 parts by weight of the total amount of polymerizable monomers.
  • An insulating filler may be added for the purpose of imparting low thermal expansion and low hygroscopicity to the resin layer.
  • the insulating filler include nonmetallic inorganic fillers such as silica, alumina, boron nitride, titania, glass, and ceramic.
  • the insulating filler may be a particle whose surface is treated with a surface treatment agent.
  • the surface treatment agent may be, for example, a silane coupling agent.
  • the content of the insulating filler may be 0.1 to 20 parts by mass based on 100 parts by mass of the total amount of components (B) and (C).
  • the content of the insulating filler may be 0.1 to 20 parts by mass based on 100 parts by mass of the total amount of components (B) and (C).
  • heat resistance tends to be further improved without interfering with light transmission.
  • the content of the insulating filler is within the above range, it may also contribute to easy releasability.
  • sensitizer examples include anthracene, phenanthrene, chrysene, benzopyrene, fluoranthene, rubrene, pyrene, xanthone, indanthrene, thioxanthene-9-one, 2-isopropyl-9H-thioxanthene-9-one, 4- Examples include isopropyl-9H-thioxanthene-9-one and 1-chloro-4-propoxythioxanthone.
  • the content of the sensitizer may be 0.01 to 10 parts by mass based on 100 parts by mass of the total amount of components (B) and (C). When the content of the sensitizer is within the above range, it tends to have less influence on the properties and thin film properties of component (B).
  • antioxidants examples include quinone derivatives such as benzoquinone and hydroquinone, phenol derivatives (hindered phenol derivatives) such as 4-methoxyphenol and 4-t-butylcatechol, and 2,2,6,6-tetramethylpiperidine.
  • quinone derivatives such as benzoquinone and hydroquinone
  • phenol derivatives hindered phenol derivatives
  • 2,2,6,6-tetramethylpiperidine examples include aminoxyl derivatives such as 1-oxyl and 4-hydroxy-2,2,6,6-tetramethylpiperidin-1-oxyl
  • hindered amine derivatives such as tetramethylpiperidyl methacrylate.
  • the content of the antioxidant may be 0.1 to 10 parts by mass based on 100 parts by mass of the total amount of components (B) and (C). When the content of the antioxidant is within the above range, decomposition of the component (B) can be suppressed and contamination tends to be prevented.
  • the thickness of the temporary fixing film 10 may be, for example, 0.1 ⁇ m or more, 1 ⁇ m or more, or 5 ⁇ m or more, and 200 ⁇ m or less, 100 ⁇ m or less, or 50 ⁇ m or less.
  • the transmittance at at least one of the wavelengths of 308 nm and 355 nm may be 15% or less. It is preferable that the temporary fixing film 10 has a transmittance of 15% or less for light having a wavelength of 355 nm.
  • Temporary fixing films that have low transmittance for light with either a wavelength of 308 nm or a wavelength of 355 nm efficiently absorb light including ultraviolet light, so the semiconductor member and the supporting member can be separated by irradiation with the light. Can be done.
  • the transmittance for light with a wavelength of 308 nm may be 12% or less, 10% or less, 8% or less, 5% or less, or 3% or less.
  • the transmittance for light having a wavelength of 355 nm may be 12% or less, 10% or less, 8% or less, 5% or less, or 3% or less.
  • the transmittance can be increased by increasing the thickness of the temporary fixing film 10, increasing the content of component (A) in the temporary fixing film 10, etc.
  • the rate can be lowered and tends to be easily adjusted to a predetermined range (15% or less).
  • the transmittance for light with a wavelength of 308 nm or 355 nm is defined as the transmittance of light having a predetermined wavelength from one main surface side of the temporary fixing film 10 (having a wavelength of 308 nm or 355 nm as the main wavelength). It means the ratio of the intensity of transmitted light to the intensity of incident light when light) is incident.
  • a temporary fixing film 10 it is possible to form a temporary fixing material layer that can separate the semiconductor member and the supporting member by irradiation with light including ultraviolet light.
  • the temporary fixing film 10 is produced by, for example, first stirring, mixing, kneading, etc. the (A) component, (B) component, (C) component, and other components as necessary in a solvent.
  • a temporary fixing composition varnish is prepared by dissolving or dispersing it. Thereafter, the varnish of the temporary fixing composition is applied onto the release-treated support film using a knife coater, roll coater, applicator, comma coater, die coater, etc., and then the solvent is evaporated by heating. Accordingly, the temporary fixing film 10 made of the temporary fixing composition can be formed on the support film.
  • the temporary fixing film 10 may include a protective film laminated on the surface opposite to the support film. The thickness of the temporary fixing film 10 can be adjusted by adjusting the coating amount of the varnish of the temporary fixing composition.
  • the solvent used in preparing the varnish of the temporary fixing composition is not particularly limited as long as it has the property of uniformly dissolving or dispersing each component.
  • solvents include aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, mesitylene, cumene, and p-cymene; aliphatic hydrocarbons such as hexane and heptane; cyclic alkanes such as methylcyclohexane; tetrahydrofuran, 1,4- Cyclic ethers such as dioxane; ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone; methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, methyl lactate, ethyl lactate, ⁇ -butyrolactone, etc.
  • the solvent may be toluene, xylene, heptane, or cyclohexanone from the viewpoint of solubility and boiling point.
  • concentration of solid components in the varnish may be from 10 to 80% by weight, based on the total weight of the varnish.
  • Stirring, mixing or kneading during the preparation of the varnish of the temporary fixing composition can be carried out using, for example, a stirrer, a miller, a three-roll mill, a ball mill, a bead mill, a homodisper, or the like.
  • supporting films include polyesters such as polyethylene terephthalate (PET), polybutylene terephthalate, and polyethylene naphthalate; polyolefins such as polyethylene and polypropylene; polycarbonate, polyamide, polyimide, polyamideimide, polyetherimide, polyether sulfide, and polyether. Examples include sulfone, polyether ketone, polyphenylene ether, polyphenylene sulfide, poly(meth)acrylate, polysulfone, and liquid crystal polymer films. These support films may be subjected to a release treatment. The thickness of the support film may be, for example, from 1 to 250 ⁇ m.
  • the heating conditions for volatilizing the solvent from the varnish of the temporary fixing composition applied to the support film can be appropriately set according to the solvent used.
  • the heating conditions may be, for example, a heating temperature of 40 to 120° C. and a heating time of 0.1 to 30 minutes.
  • Examples of the protective film include those exemplified in the above-mentioned support film.
  • the thickness of the protective film may be, for example, 1 to 250 ⁇ m.
  • the structure of the temporary fixing laminate is not particularly limited as long as it includes a support member and a temporary fixing material layer made of the above temporary fixing film.
  • FIGS. 2(a), 2(b), and 2(c) are schematic cross-sectional views showing one embodiment of the temporary fixing laminate. Examples of the structure of the temporary fixing laminate include the structure of the temporary fixing laminate 20 shown in FIG. 2(a), the structure of the temporary fixing laminate 70 shown in FIG. 2(b), and FIG. 2(c). ) is the structure of the temporary fixing laminate 80 shown in FIG.
  • the temporary fixing laminate 20 includes a supporting member 22 and a temporary fixing material layer 10A made of the temporary fixing film 10 provided on the supporting member 22.
  • the temporary fixing material layer 10A has a surface S1 on the side opposite to the support member 22, and the semiconductor member is arranged on the surface S1 of the temporary fixing material layer 10A.
  • the temporary fixing laminate 70 includes, in this order, a support member 22, a temporary fixing material layer 10A made of the temporary fixing film 10, and a curable resin layer 12 made of a curable resin film.
  • the curable resin layer 12 has a surface S2 on the opposite side to the temporary fixing material layer 10A, and the semiconductor member is arranged on the surface S2 of the curable resin layer 12. .
  • the temporary fixing laminate 80 includes a support member 22, a first curable resin layer 14 made of a first curable resin film, a temporary fixing material layer 10A made of the temporary fixing film 10, and a second cured resin layer 10A. and a second curable resin layer 16 made of a curable resin film in this order.
  • the second curable resin layer 16 has a surface S3 on the opposite side to the temporary fixing material layer 10A
  • the semiconductor member has a surface S3 on the side opposite to the temporary fixing material layer 10A. It is placed on S3.
  • a support member for example, a support member, a curable resin layer (first curable resin layer 14), and a temporary fixing material layer made of a film for temporary fixing are used.
  • the configuration may be provided in sequence.
  • a temporary fixing laminate since it includes at least the temporary fixing material layer 10A, it is possible to separate the semiconductor member and the support member by irradiation with light including ultraviolet light.
  • an embodiment using the temporary fixing laminate 20 shown in FIG. 2(a) will be mainly described in detail as an example.
  • the method for manufacturing the temporary fixing laminate 20 is not particularly limited as long as a temporary fixing laminate having a predetermined configuration can be obtained.
  • the temporary fixing laminate 20 can be obtained, for example, by a method including a step of pasting the temporary fixing film 10 on the support member 22 to form the temporary fixing material layer 10A.
  • the support member 22 is a plate-shaped body that has high transmittance and can withstand the load received during processing of semiconductor members.
  • Examples of the support member 22 include an inorganic glass substrate, a transparent resin substrate, and the like.
  • the thickness of the support member 22 may be, for example, 0.1 to 2.0 mm. When the thickness of the support member 22 is 0.1 mm or more, handling tends to be easier. When the thickness of the support member 22 is 2.0 mm or less, material costs tend to be suppressed.
  • Examples of methods for pasting the temporary fixing film 10 onto the support member 22 include methods such as hot pressing, roll lamination, and vacuum lamination. Lamination can be performed, for example, at a temperature of 0 to 120°C.
  • the temporary fixing material layer 10A may be a layer made of the temporary fixing film 10. From the viewpoint of stress relaxation, the thickness of the temporary fixing material layer 10A may be, for example, 0.1 ⁇ m or more, 1 ⁇ m or more, or 5 ⁇ m or more, and 200 ⁇ m or less, 100 ⁇ m or less, or 50 ⁇ m or less.
  • the temporary fixing laminate 70 includes a support member 22, a temporary fixing material layer 10A, and a curable resin layer 12 in this order.
  • the temporary fixing laminate 80 includes a support member 22, a first curable resin layer 14, a temporary fixing material layer 10A, and a second curable resin layer 16 in this order.
  • the second curable resin film is not particularly limited as long as it is a resin film that exhibits curability.
  • the curable resin film, the first curable resin film, and the second curable resin film are those composed of components other than the component (A) in the temporary fixing film 10 (that is, the components (B) component, (C) component, and other components (excluding (A) component)).
  • the curable resin film, the first curable resin film, and the second curable resin film do not contain the component (A).
  • the curable resin film, the first curable resin film, and the second curable resin film may be the same.
  • each component ((B) component, (C) component, other components, etc.) in the curable resin film, the first curable resin film, and the second curable resin film is the temporary fixing film 10.
  • the preferred embodiments of each component (component (B), component (C), other components, etc.) are the same as in the above. Therefore, redundant explanation will be omitted here.
  • component (B) (when using the epoxy resin and the epoxy resin curing agent together, the epoxy resin and the epoxy resin curing agent)
  • the content of (total of) may be 10 to 90 parts by mass based on 100 parts by mass of the total amount of components (B) and (C).
  • the content of component (B) may be 15 parts by mass or more, or 20 parts by mass or more, and 80 parts by mass or less, 70 parts by mass, based on 100 parts by mass of the total amount of components (B) and (C).
  • the amount may be 60 parts by mass or less, 50 parts by mass or less, or 40 parts by mass or less.
  • the content of component (C) is based on 100 parts by mass of the total amount of components (B) and (C), It may be 10 to 90 parts by weight.
  • the content of component (B) is 20 parts by mass or more, 30 parts by mass or more, 40 parts by mass or more, 50 parts by mass or more, or 60 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of component (B) and component (C).
  • the amount may be 85 parts by mass or less, or 80 parts by mass or less.
  • the component (B) and the component (C) may be the main components of each of the curable resin film, the first curable resin film, and the second curable resin film.
  • the total content of component (B) and component (C) is 60% by mass or more, 70% by mass or more based on the total amount of the curable resin film, the total amount of the first curable resin film, or the total amount of the second curable resin film. It may be at least 80% by mass, at least 85% by mass, at least 90% by mass, or at least 95% by mass.
  • the content of other components may be the same as the content of other components in the temporary fixing film 10.
  • the curable resin film and the second curable resin film may have a thickness of, for example, 0.1 ⁇ m or more, 1 ⁇ m or more, or 5 ⁇ m or more, and 200 ⁇ m or less, 100 ⁇ m or less, or It may be 50 ⁇ m or less.
  • the first curable resin film may have a thickness of, for example, 0.1 ⁇ m or more, 1 ⁇ m or more, or 5 ⁇ m or more, and 200 ⁇ m or less, 100 ⁇ m or less, or 50 ⁇ m or less, from the viewpoint of achieving both heat insulation properties and light transmittance. It's fine.
  • the transmittance at at least one of the wavelengths of 308 nm and 355 nm may be 80% or more.
  • the transmittance of the first curable resin film is within such a range, light irradiated from the support member side to the temporarily fixing laminate can easily pass through, thereby suppressing deterioration in separability. be able to.
  • the method for manufacturing the temporary fixing laminates 70 and 80 is not particularly limited as long as a temporary fixing laminate having a predetermined configuration can be obtained.
  • the temporary fixing laminate 70 includes, for example, a step of pasting the temporary fixing film 10 on the support member 22 to form a temporary fixing material layer 10A, and pasting a curable resin film on the temporary fixing material layer 10A. It can be obtained by a method including a step of forming a curable resin layer 12.
  • the temporary fixing laminate 80 includes a step of pasting a first curable resin film on the support member 22 to form the first curable resin layer 14, and a step of temporarily fixing the first curable resin film on the first curable resin layer 14.
  • a method for manufacturing a semiconductor device includes a step of preparing the above-mentioned temporary fixing laminate (preparation step), and a step of temporarily fixing the semiconductor member to the support member via the temporary fixing material layer (temporary fixing step). fixing process), processing the semiconductor member temporarily fixed to the supporting member (processing process), and irradiating the temporary fixing material layer of the temporary fixing laminate with light including ultraviolet light from the supporting member side. and separating the semiconductor member from the support member (separation step).
  • a temporary fixing laminate 20 is prepared for temporarily fixing the semiconductor member to the support member while processing the semiconductor member in order to manufacture a semiconductor device.
  • FIGS. 3A and 3B are schematic cross-sectional views showing one embodiment of a method for manufacturing a semiconductor device.
  • the semiconductor member 40 is temporarily fixed to the support member 22 via the temporary fixing material layer 10A.
  • the temporary fixing material layer 10A has a surface S1 on the side opposite to the support member 22 of the temporary fixing material layer 10A.
  • the temporary fixing step for example, by curing the temporary fixing material layer 10A (temporary fixing film 10) with the semiconductor member 40 placed on the temporary fixing material layer 10A (see FIG. 3(a)), the semiconductor The member 40 can be temporarily fixed to the support member 22 (see FIG. 3(b)).
  • the semiconductor member 40 can be temporarily adhered to the support member 22 via the temporary fixing material layer 10Ac made of a cured product of the temporary fixing film 10. In this way, a laminate 30 including the temporary fixing laminate 20c and the semiconductor member 40 provided on the temporary fixing laminate 20c is formed.
  • the semiconductor member 40 may be a member having a semiconductor substrate 42 such as a semiconductor wafer or a semiconductor chip.
  • the semiconductor member 40 may be, for example, a semiconductor chip with a rewiring layer that includes a rewiring layer 44 and a semiconductor substrate 42 .
  • the semiconductor member 40 is a semiconductor chip with a rewiring layer
  • the semiconductor chip with a rewiring layer is attached to the support member 22 via the temporary fixing material layer 10A with the rewiring layer positioned on the temporary fixing material layer 10A side. It is temporarily fixed against the
  • the semiconductor member 40 may further include external connection terminals.
  • a plurality of semiconductor members 40 are arranged in the temporary fixing material layer 10A, but the number of semiconductor members 40 may be one.
  • the thickness of the semiconductor member 40 is 1 to 1000 ⁇ m, 10 to 500 ⁇ m, or 20 to 200 ⁇ m from the viewpoint of reducing the size and thickness of the semiconductor device as well as suppressing cracking during transportation, processing steps, etc. Good too.
  • the semiconductor member 40 placed on the temporary fixing material layer 10A is pressed onto the temporary fixing material layer 10A using, for example, a vacuum press machine or a vacuum laminator.
  • the conditions for compression may be an air pressure of 1 hPa or less, a compression pressure of 1 MPa, a compression temperature of 120 to 200° C., and a holding time of 100 to 300 seconds.
  • the conditions for crimping are, for example, an air pressure of 1 hPa or less, a crimping temperature of 60 to 180°C or 80 to 150°C, a laminating pressure of 0.01 to 1.0 MPa or 0.1 to 0.7 MPa, and a holding time of 1. ⁇ 600 seconds or 30-300 seconds.
  • the component (B) in the temporary fixing material layer 10A is thermally or photocured, so that the semiconductor member 40 becomes a cured product of the temporary fixing film 10. It is temporarily fixed to the support member 22 via the temporary fixing material layer 10Ac containing.
  • the heat curing conditions may be, for example, 300° C. or lower or 100 to 250° C. for 1 to 180 minutes or 1 to 120 minutes.
  • FIG. 4A shows an example of processing including thinning of a semiconductor substrate. Processing of the semiconductor member is not limited to this, and includes, for example, thinning of the semiconductor substrate, division of the semiconductor member (dicing), formation of a through electrode (silicon through electrode), etching treatment, plating reflow treatment, sputtering treatment, or any of these. can include a combination of
  • a sealing layer 50 is formed to seal the processed semiconductor member 40.
  • the sealing layer 50 can be formed using a sealing material commonly used for manufacturing semiconductor devices.
  • the sealing layer 50 may be formed of a thermosetting resin composition.
  • the thermosetting resin composition used for the sealing layer 50 include epoxy resins such as cresol novolac epoxy resin, phenol novolac epoxy resin, biphenyl diepoxy resin, and naphthol novolac epoxy resin.
  • the sealing layer 50 and the thermosetting resin composition for forming the sealing layer 50 may contain fillers and/or additives such as flame retardants.
  • the sealing layer 50 is formed using, for example, a solid material, a liquid material, a fine particle material, or a sealing film.
  • a sealing film When using a sealing film, a compression sealing machine, a vacuum laminating device, etc. are used. For example, using these devices, the sealing material is heat-fused under the conditions of 40 to 180°C (or 60 to 150°C), 0.1 to 10 MPa (or 0.5 to 8 MPa), and 0.5 to 10 minutes.
  • the sealing layer 50 can be formed by covering the semiconductor member 40 with a film. The thickness of the sealing film is adjusted so that the sealing layer 50 has a thickness greater than or equal to the thickness of the semiconductor member 40 after processing.
  • the thickness of the sealing film may be 50-2000 ⁇ m, 70-1500 ⁇ m, or 100-1000 ⁇ m.
  • the sealing layer 50 and the temporary fixing material layer 10Ac may be divided into a plurality of parts each containing one semiconductor member 40, as shown in FIG. 4(c).
  • FIGS. 5(a) and 5(b) are schematic cross-sectional views showing an embodiment of a method for manufacturing a semiconductor device.
  • the semiconductor member 40 is separated from the support member 22 by irradiating the temporary fixing laminate 20c with light A from the support member 22 side.
  • the light A may be light containing ultraviolet light, or may be light containing a wavelength of 200 to 400 nm (near ultraviolet light).
  • the component (A) in the temporary fixing material layer 10Ac absorbs the light A, and for example, the molecular chain of the high molecular weight component is cut by thermal energy, thereby reducing the molecular weight of the high molecular weight component (hardening). melting of substances) may proceed.
  • Examples of the light source of light A in the separation step include a low-pressure mercury lamp, a high-pressure mercury lamp, an ultra-high-pressure mercury lamp, a laser, and the like.
  • the light source of light A may be a laser.
  • lasers examples include solid lasers such as YAG lasers, liquid lasers such as dye lasers, and gas lasers such as excimer lasers.
  • the laser may be an excimer laser.
  • excimer lasers examples include ArF excimer laser (oscillation wavelength: 193 nm), KrF excimer laser (oscillation wavelength: 248 nm), XeCl excimer laser (oscillation wavelength: 308 nm), XeF excimer laser (oscillation wavelength: 351 nm), etc. .
  • Laser irradiation conditions include applied voltage, pulse width, irradiation time, irradiation distance (distance between the light source and temporary fixing material layer), irradiation energy, etc., and these can be arbitrarily set according to the number of irradiations, etc. . From the viewpoint of reducing damage to the semiconductor member 40, the laser irradiation conditions may be set such that the semiconductor member 40 can be separated in a small number of times.
  • a part of the temporary fixing material layer 10Ac may adhere as a residue on the separated semiconductor member 40.
  • the attached residue is removed as shown in FIG. 5(b).
  • the attached residue may be removed by washing with a solvent, or may be peeled off by peeling, for example.
  • the solvent include, but are not limited to, ethanol, methanol, toluene, xylene, acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, hexane, and the like.
  • the semiconductor member 40 may be immersed in a solvent or may be subjected to ultrasonic cleaning.
  • the semiconductor member 40 may be heated at a low temperature of about 100° C. or lower.
  • a semiconductor element 60 including a processed semiconductor member 40 can be obtained.
  • a semiconductor device can be manufactured by connecting the obtained semiconductor element 60 to another semiconductor element or a semiconductor element mounting substrate.
  • the temporary fixing composition of one embodiment is used for temporarily fixing a semiconductor member and a support member.
  • the temporary fixing composition contains an ultraviolet absorber having a hydroxyl group, a thermosetting resin having a functional group capable of reacting with the hydroxyl group, and a thermoplastic resin.
  • the thermosetting resin may be an epoxy resin.
  • the thermoplastic resin may be a hydrocarbon resin.
  • each component ((A) component, (B) component, (C) component, other components, etc.) in the temporary fixing composition include each component ((A) component, (B) component, etc.) in the temporary fixing film 10. ), component (C), other components, etc.). Therefore, redundant explanation will be omitted here. Further, the content of each component in the temporary fixing composition may be the same as the content of each component in the temporary fixing film.
  • (C) Component Thermoplastic resin (C-1) Maleic anhydride modified styrene/ethylene/butylene/styrene block copolymer (trade name: FG1924GT, manufactured by Kraton Polymer Japan Co., Ltd., styrene content: 13% by mass), Component (C-1) was used as a xylene solution with a concentration of 25% by mass.
  • C-2) Maleic anhydride modified styrene/ethylene/butylene/styrene block copolymer (trade name: FG1901GT, manufactured by Kraton Polymer Japan Co., Ltd., styrene content: 30% by mass), (C-2) component is: It was used as a xylene solution with a concentration of 25% by mass.
  • Other components D) Curing accelerator (D-1) Imidazole derivative (trade name: 2PZ-CN, manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.), component (D-1) was used as a cyclohexanone solution with a concentration of 10% by mass. .
  • E Antioxidant (E-1) Hindered phenol derivative (trade name: AO-60, manufactured by ADEKA Co., Ltd.), used as a cyclohexanone solution with a concentration of 10% by mass.
  • the solvent was removed by heating the coating film at 100°C for 10 minutes, and temporary fixation of Examples 1-1 to 1-9 and Comparative Examples 1-1 and 1-2 with the thickness shown in Tables 1 and 2 was performed.
  • a film for use was obtained.
  • a protective film (Purex A70J (trade name, heavy release type, PET film, Toyobo Film Solutions Co., Ltd., thickness: 38 ⁇ m)) was temporarily placed on the surface of the obtained temporary fixing film opposite to the support film. The mold release treated surface was attached to the fixing film in a direction in which it was in contact with the fixing film.
  • (B) Component Thermosetting resin having a functional group capable of reacting with a hydroxyl group
  • B-1 Dicyclopentadiene type epoxy resin (trade name: HP7200H, manufactured by DIC Corporation), (B-1) component is 50% It was used as a cyclohexanone solution at a concentration of % by mass.
  • B-2) o-cresol novolac type epoxy resin (trade name: N-500P-10, manufactured by DIC Corporation), component (B-2) was used as a cyclohexanone solution with a concentration of 50% by mass.
  • B-3) Bisphenol F type liquid epoxy resin (trade name: YL983U, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), component (B-3) was used as it was without dilution.
  • (C-2) Maleic anhydride modified styrene/ethylene/butylene/styrene block copolymer (trade name: FG1901GT, manufactured by Kraton Polymer Japan Co., Ltd., styrene content: 30% by mass), (C-2) component is: It was used as a xylene solution with a concentration of 25% by mass.
  • (C-3) Biphenylfluorene type phenoxy resin (trade name: FX293, manufactured by Nippon Steel Chemical & Materials Co., Ltd.), component (C-3) was used as a cyclohexanone solution with a concentration of 15% by mass.
  • (C-4) Acrylic rubber (trade name: HTR-860-P3, manufactured by Nagase ChemteX Corporation), component (C-4) was used as a methyl ethyl ketone solution with a concentration of 12% by mass.
  • the materials shown in Table 3 were used in the parts by mass shown in Table 3 (the numbers in Table 3 mean non-volatile content). This was mixed with 302.4 parts by mass of toluene and 4.5 parts by mass of cyclohexanone as solvents to obtain a varnish as a temporary fixing composition.
  • the obtained temporary fixing composition varnish was applied to a support film (Purex A31B (trade name, light peel type, polyethylene terephthalate (PET) film, Toyobo Film Solutions Co., Ltd., thickness: It was coated on the release-treated surface of 38 ⁇ m). The solvent was removed by heating the coating film at 100° C. for 10 minutes to obtain the curable resin films of Production Examples 1 to 3 having a thickness of 30 ⁇ m.
  • a protective film (Purex A70J (trade name, heavy release type, PET film, Toyobo Film Solutions Co., Ltd., thickness: 38 ⁇ m) was cured on the surface of the obtained curable resin film opposite to the support film.
  • the mold release treated surface was attached to the polyurethane resin film in the direction in which it was in contact with it.
  • Temporary fixing laminates having the configurations shown in Table 5 were produced using the temporary fixing films of Examples 2-1 to 2-6 and the curable resin films of Production Examples 1 to 3.
  • a pressure roll laminator under conditions of a pressure of 0.2 MPa, a temperature of 100°C, and a speed of 0.2 m/min, a two-layer film is created. Obtained.
  • peel off the protective film on the temporary fixing film side of the two-layer film and proceed in the same manner as ⁇ Preparation of temporary fixing laminate> in [Preparation of temporary fixing laminate and test laminate (i)] above.
  • Temporary fixation of Examples 4-1 to 4-8 in which a support member, a temporary fixation material layer, and a curable resin layer are provided in this order by laminating two-layer films in a direction in which the peeling surface contacts the support member. A laminate for use was produced.
  • ⁇ Preparation of test laminate> Next, a semiconductor member was laminated on the curable resin layer in the same manner as in ⁇ Preparation of a test laminate> in [Preparation of a temporary fixing laminate and a test laminate (i)] above, and the same conditions were applied. Then, the temporary fixing material layer and the curable resin layer were cured to produce test laminates of Examples 4-1 to 4-8.
  • Temporary fixing laminates having the configurations shown in Table 6 were produced using the temporary fixing films of Examples 2-1 to 2-3, the first curable resin film, and the second curable resin film.
  • the temporary fixing films of Examples 2-1 to 2-3 were prepared in the same manner as in ⁇ Preparation of temporary fixing laminate> in [Preparation of temporary fixing laminate and test laminate (ii)].
  • a two-layer film consisting of the first curable resin film and the above-mentioned first curable resin film was obtained.
  • the protective film on the temporary fixing material layer side consisting of the temporary fixing film of Example 1-3 of the two-layer film and the support film of the second curable resin film were peeled off, and the exposed surfaces were placed together using a pressure roll laminator.
  • a three-layer film was obtained by bonding under the conditions of a pressure of 0.2 MPa, a temperature of 100° C., and a speed of 0.2 m/min.
  • the protective film on the first curable resin film side of the three-layer film is peeled off, and the process described in ⁇ Preparation of temporary fixing laminate> and [Preparation of temporary fixing laminate and test laminate (i)] above is performed.
  • the support member, first curable resin layer, temporary fixing material layer, and second curable resin layer are stacked in this order.
  • Temporary fixing laminates of Examples 5-1 to 5-3 were prepared.
  • test laminate ⁇ Evaluation of separability>
  • Each test laminate was irradiated with ultraviolet laser light at a wavelength of 355 nm or 308 nm to evaluate the separation performance when separating the semiconductor member from the support member.
  • Each test laminate was irradiated with ultraviolet laser light at a wavelength of 355 nm using a UV laser marker (PU-L3A manufactured by Laser Works Co., Ltd., beam diameter: 20 ⁇ m).
  • Laser light irradiation was performed from the support member (glass substrate) side of the test laminate, and the irradiation time was set to 5 minutes per 5 cm square.
  • Separability was evaluated as "A" when the silicon wafer was separated from the glass substrate by applying external force after irradiation with laser light, with excellent separability, and the silicon wafer did not separate from the glass substrate even when external force was applied. The case was evaluated as "B".
  • the results are shown in Tables 4, 5, and 6.
  • Each test laminate was irradiated with ultraviolet pulsed laser light of wavelength: 308 nm, pulse energy: 1300 mJ/cm 2 , and repetition frequency: 30 kHz using a KrF excimer laser.
  • the KrF excimer laser used was IPEX-848 manufactured by Optec, and the laser irradiated the entire surface of the support member from the support member (glass substrate) side of the test laminate at a scanning speed of 18.5 mm/s. did.
  • Separability was evaluated as "A" when the silicon wafer was separated from the glass substrate by applying external force after irradiation with laser light, with excellent separability, and the silicon wafer did not separate from the glass substrate even when external force was applied. The case was evaluated as "B”.
  • the results are shown in Tables 4, 5, and 6.
  • the separability evaluation was "A"
  • the integrated light amount (mJ/cm 2 ) was also written.
  • a temporary fixing laminate comprising a temporary fixing material layer made of the temporary fixing films of Examples 1-1 to 1-3 and Examples 2-1 to 2-6.
  • the body (test laminate) was excellent in terms of separability. From these results, it was confirmed that the temporary fixing film of the present disclosure can form a temporary fixing material layer that can separate the semiconductor member and the supporting member by irradiation with light including ultraviolet light.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

半導体部材と支持部材とを仮固定するために用いられる仮固定用フィルムが開示される。当該仮固定用フィルムは、水酸基を有する紫外線吸収剤と、水酸基と反応可能な官能基を有する熱硬化性樹脂と、熱可塑性樹脂とを含有する。

Description

仮固定用フィルム、仮固定用積層体、半導体装置の製造方法、及び仮固定用組成物
　本開示は、仮固定用フィルム、仮固定用積層体、半導体装置の製造方法、及び仮固定用組成物に関する。
　半導体素子の製造において、半導体ウェハ、半導体チップ等の半導体基板に集積回路を組み入れた後で、半導体基板を有する半導体部材を加工することがある。半導体部材には、例えば、裏面の研削、ダイシングによる個片化等の加工処理が施される。半導体部材は、通常、支持部材に仮固定された状態で加工され、その後で半導体部材が支持部材から分離される。例えば、特許文献１は、仮固定材層に紫外光（紫外レーザー光）を照射することによって、半導体部材を支持部材から分離する方法を開示している。
特開２０１３－０３３８１４号公報
　本開示は、紫外光を含む光の照射で半導体部材と支持部材とを分離できる仮固定材層を形成することが可能な仮固定用フィルムを提供することを主な目的とする。
　本開示は、［１］～［４］に記載の仮固定用フィルム、［５］～［８］に記載の仮固定用積層体、［９］に記載の半導体装置の製造方法、及び［１０］～［１２］に記載の仮固定用組成物を提供する。
［１］半導体部材と支持部材とを仮固定するために用いられる仮固定用フィルムであって、水酸基を有する紫外線吸収剤と、前記水酸基と反応可能な官能基を有する熱硬化性樹脂と、熱可塑性樹脂とを含有する、仮固定用フィルム。
［２］前記熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂である、［１］に記載の仮固定用フィルム。
［３］前記熱可塑性樹脂が炭化水素樹脂である、［１］又は［２］に記載の仮固定用フィルム。
［４］波長３０８ｎｍ及び波長３５５ｎｍのうち、少なくとも一方の波長における透過率が１５％以下である、［１］～［３］のいずれかに記載の仮固定用フィルム。
［５］支持部材と、前記支持部材上に設けられた、［１］に記載の仮固定用フィルムからなる仮固定材層とを備える、仮固定用積層体。
［６］前記仮固定材層上に設けられた硬化性樹脂層をさらに備える、［５］に記載の仮固定用積層体。
［７］支持部材と、第１の硬化性樹脂層と、［１］に記載の仮固定用フィルムからなる仮固定材層とをこの順に備える、仮固定用積層体。
［８］前記仮固定材層上に設けられた第２の硬化性樹脂層をさらに備える、［７］に記載の仮固定用積層体。
［９］［５］～［８］のいずれかに記載の仮固定用積層体を準備する工程と、半導体部材を、前記仮固定材層を介して前記支持部材に対して仮固定する工程と、前記支持部材に対して仮固定された前記半導体部材を加工する工程と、前記仮固定用積層体の前記仮固定材層に対して前記支持部材側から紫外光を含む光を照射して、前記支持部材から前記半導体部材を分離する工程とを備える、半導体装置の製造方法。
［１０］半導体部材と支持部材とを仮固定するために用いられる仮固定用組成物であって、水酸基を有する紫外線吸収剤と、前記水酸基と反応可能な官能基を有する熱硬化性樹脂と、熱可塑性樹脂とを含有する、仮固定用組成物。
［１１］前記熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂である、［１０］に記載の仮固定用組成物。
［１２］前記熱可塑性樹脂が炭化水素樹脂である、［１０］又は［１１］に記載の仮固定用組成物。
　上記の仮固定用フィルムによれば、紫外光を含む光の照射によって半導体部材と支持部材とを分離することができ、仮固定材層の形成に好適である。このような仮固定用フィルムを用いることにより、紫外光を含む光の照射によって半導体部材と支持部材とを分離することができる理由は、必ずしも定かではないが、本発明者らは、例えば、以下のように推察している。まず、仮固定用フィルムを加熱等で処理することによって、水酸基を有する紫外線吸収剤と、水酸基と反応可能な官能基を有する熱硬化性樹脂とが反応して、紫外線吸収剤を取り込みながら高分子量成分を含む硬化物を形成する。次いで、紫外光を含む光の照射によって、紫外線吸収剤がこれらの光エネルギーを吸収し、例えば、熱エネルギーによる高分子量成分の分子鎖の切断等により、高分子量成分の低分子量化（硬化物の溶融）が進行し、半導体部材と支持部材との分離が可能になると推察される。
　本開示によれば、紫外光を含む光の照射で半導体部材と支持部材とを分離できる仮固定材層を形成することが可能な仮固定用フィルムが提供される。また、本開示によれば、このような仮固定用フィルムを用いた仮固定用積層体及び半導体装置の製造方法が提供される。さらに、本開示によれば、仮固定用フィルムを形成するために有用な仮固定用組成物が提供される。
図１は、仮固定用フィルムの一実施形態を示す模式断面図である。 図２（ａ）、図２（ｂ）、及び図２（ｃ）は、仮固定用積層体の一実施形態を示す模式断面図である。 図３（ａ）及び図３（ｂ）は、半導体装置の製造方法の一実施形態を示す模式断面図である。 図４（ａ）、図４（ｂ）、及び図４（ｃ）は、半導体装置の製造方法の一実施形態を示す模式断面図である。 図５（ａ）及び図５（ｂ）は、半導体装置の製造方法の一実施形態を示す模式断面図である。
　以下、図面を適宜参照しながら、本開示の実施形態について説明する。ただし、本開示は以下の実施形態に限定されるものではない。以下の実施形態において、その構成要素（ステップ等も含む）は、特に明示した場合を除き、必須ではない。各図における構成要素の大きさは概念的なものであり、構成要素間の大きさの相対的な関係は各図に示されたものに限定されない。
　本開示における数値及びその範囲についても同様であり、本開示を制限するものではない。本明細書において「～」を用いて示された数値範囲は、「～」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。本明細書中に段階的に記載されている数値範囲において、一つの数値範囲で記載された上限値又は下限値は、他の段階的な記載の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。また、本明細書中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。
　本明細書において「層」との語は、平面図として観察したときに、全面に形成されている形状の構造に加え、一部に形成されている形状の構造も包含される。また、本明細書において「工程」との語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の作用が達成されれば、本用語に含まれる。
　本明細書において、（メタ）アクリレートは、アクリレート又はそれに対応するメタクリレートを意味する。（メタ）アクリロイル基、（メタ）アクリル共重合体等の他の類似表現についても同様である。
　本明細書中、以下で例示する材料は、特に断らない限り、条件に該当する範囲で、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。各成分の含有量は、各成分に該当する物質が複数存在する場合、特に断らない限り、当該複数の物質の合計量を意味する。
［仮固定用フィルム］
　図１は、仮固定用フィルムの一実施形態を示す模式断面図である。図１に示される仮固定用フィルム１０は、半導体部材と支持部材とを仮固定するために用いられるものである。より具体的には、仮固定用フィルム１０は、半導体装置の製造において、半導体部材を加工する間、半導体部材を支持部材に対して一時的に固定するための層（仮固定材層）を形成するために用いられるものである。仮固定用フィルム１０は、水酸基を有する紫外線吸収剤（以下、「（Ａ）成分」という場合がある。）と、水酸基と反応可能な官能基を有する熱硬化性樹脂（以下、「（Ｂ）成分」という場合がある。）と、熱可塑性樹脂（以下、「（Ｃ）成分」という場合がある。）とを含有する。
（Ａ）成分：水酸基を有する紫外線吸収剤
　（Ａ）成分は、紫外光（紫外線）を含む光を吸収する成分であり得る。（Ａ）成分は、２００～４００ｎｍの波長（近紫外光）を含む光を吸収する成分であってもよい。（Ａ）成分は、水酸基を有することから、（Ｂ）成分との相互作用により、仮固定用フィルムからブリードアウトが発生し難い傾向にある。また、仮固定用フィルムを加熱等で処理することによって、（Ａ）成分と、（Ｂ）成分とが反応して、（Ａ）成分を取り込みながら高分子量成分を含む硬化物を形成すると推測される。そのため、（Ａ）成分を用いることによって、仮固定用フィルム中の紫外線吸収剤成分の分散性を向上させることが期待できる。
　水酸基を有する紫外線吸収剤としては、例えば、２－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル）－５－［２－（２－エチルヘキサノイルオキシ）エトキシ］フェノール、２，４，６－トリス（２－ヒドロキシ－４－ヘキシルオキシ－３－メチルフェニル）－１，３，５－トリアジン、２，４，６－トリス（４－ブトキシ－２－ヒドロキシフェニル）－１，３，５－トリアジン、２，４－ビス（２，４－ジメチルフェニル）－６－（２－ヒドロキシ－４－ｎ－オクチルオキシフェニル）－１，３，５－トリアジン等のトリアジン骨格を有するトリアジン系紫外線吸収剤；２－（２Ｈ－ベンゾトリアゾール－２－イル）－４，６－ビス（１－メチル－１－フェニルエチル）フェノール、２－（２Ｈ－ベンゾトリアゾール－２－イル）－４－（１，１，３，３－テトラメチルブチル）フェノール、２，２’－メチレンビス［６－（２Ｈ－ベンゾトリアゾール－２－イル）－４－（１，１，３，３－テトラメチルブチル）フェノール］、２－（２Ｈ－ベンゾトリアゾール－２－イル）－ｐ－クレゾール、２－（５－クロロ－２Ｈ－ベンゾトリアゾール－２－イル）－６－ターシャリ－ブチル－４－メチルフェノール等のベンゾトリアゾール骨格を有するベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤；［２－ヒドロキシ－４－（オクチルオキシ）フェニル］（フェニル）メタノン等のベンゾフェノン骨格を有するベンゾフェノン系紫外線吸収剤などが挙げられる。これらの中でも、（Ａ）成分は、トリアジン系紫外線吸収剤又はベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤であってよく、トリアジン系紫外線吸収剤であってもよい。トリアジン系紫外線吸収剤は、例えば、２，４，６－トリス（２－ヒドロキシ－４－ヘキシルオキシ－３－メチルフェニル）－１，３，５－トリアジンであってよい。
　（Ａ）成分は、特に制限されないが、例えば、仮固定用フィルムにおいて、波長３０８ｎｍ及び波長３５５ｎｍのうち、少なくとも一方の波長における透過率が１５％以下となるように添加することが好ましい。（Ａ）成分の含有量は、（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分の総量１００質量部に対して、０．５～４０質量部であってよい。（Ａ）成分の含有量が、（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分の総量１００質量部に対して、０．５質量部以上であると、紫外光を含む光の照射によって半導体部材と支持部材とを分離し易い傾向にあり、４０質量部以下であると、硬化阻害が起こり難く、高耐熱性を保持できる傾向にある。（Ａ）成分の含有量は、（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分の総量１００質量部に対して、１質量部以上、１．５質量部以上、又は２質量部以上であってもよく、３０質量部以下、２０質量部以下、又は１５質量部以下であってもよい。
（Ｂ）成分：水酸基と反応可能な官能基を有する熱硬化性樹脂
　（Ｂ）成分は、水酸基と反応可能な官能基を有し、熱によって硬化する樹脂を意味し、後述の（Ｃ）成分を包含しない概念である。水酸基と反応可能な官能基としては、例えば、エポキシ基、オキセタニル基等が挙げられる。（Ｂ）成分としては、例えば、エポキシ樹脂；オキセタン樹脂；エポキシ基、オキセタニル基等を有するアクリル樹脂などが挙げられる。これらのうち、（Ｂ）成分は、耐熱性、作業性、及び信頼性により優れることから、エポキシ樹脂であってよい。
　エポキシ樹脂は、硬化して耐熱作用を有するものであれば特に限定されない。エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂等の二官能エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂等の脂環式エポキシ樹脂などが挙げられる。また、エポキシ樹脂は、例えば、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、又は複素環含有エポキシ樹脂であってもよい。これらの中でも、エポキシ樹脂は、耐熱性及び耐候性の観点から、脂環式エポキシ樹脂を含んでいてもよい。
　（Ｂ）成分としてのエポキシ樹脂は、それ単独で用いてもよく、エポキシ樹脂の硬化剤（以下、「（ｂ）成分」という場合がある。）と併用して用いてもよい。（ｂ）成分としては、例えば、アミン、ポリアミド、酸無水物、ポリスルフィド、三フッ化ホウ素、ビスフェノール（ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ等）、フェノール樹脂（フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂等）等が挙げられる。
　（Ｂ）成分（エポキシ樹脂とエポキシ樹脂の硬化剤とを併用する場合、エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂の硬化剤の合計）の含有量は、（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分の総量１００質量部に対して、１０～６０質量部であってよい。（Ｂ）成分の含有量は、（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分の総量１００質量部に対して、１５質量部以上又は２０質量部以上であってもよく、５０質量部以下又は４０質量部以下であってもよい。（Ｂ）成分の含有量が上記範囲にあると、仮固定材層の薄膜形成性、平坦性、耐熱性等により優れる傾向にある。
（Ｃ）成分：熱可塑性樹脂
　（Ｃ）成分は、熱可塑性を有する樹脂、又は少なくとも未硬化状態において熱可塑性を有し、加熱後に架橋構造を形成する樹脂であってよい。（Ｃ）成分としては、例えば、炭化水素樹脂、フェノキシ樹脂、アクリルゴム、ポリカーボネート、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルイミド、ポリイミド、石油樹脂等が挙げられる。これらのうち、（Ｃ）成分は、炭化水素樹脂、フェノキシ樹脂、又はアクリルゴムであってよく、炭化水素樹脂であってもよい。
　炭化水素樹脂は、主骨格が炭化水素で構成される樹脂である。このような炭化水素樹脂としては、例えば、エチレン・プロピレン共重合体、エチレン・１－ブテン共重合体、エチレン・プロピレン・１－ブテン共重合体エラストマー、エチレン・１－ヘキセン共重合体、エチレン・１－オクテン共重合体、エチレン・スチレン共重合体、エチレン・ノルボルネン共重合体、プロピレン・１－ブテン共重合体、エチレン・プロピレン・非共役ジエン共重合体、エチレン・１－ブテン・非共役ジエン共重合体、エチレン・プロピレン・１－ブテン・非共役ジエン共重合体、ポリイソプレン、ポリブタジエン、スチレン・ブタジエン・スチレンブロック共重合体（ＳＢＳ）、スチレン・イソプレン・スチレンブロック共重合体（ＳＩＳ）、スチレン・エチレン・ブチレン・スチレンブロック共重合体（ＳＥＢＳ）、スチレン・エチレン・プロピレン・スチレンブロック共重合体（ＳＥＰＳ）等が挙げられる。これらの炭化水素樹脂は、水添処理が施されていてもよい。また、これらの炭化水素樹脂は、無水マレイン酸等によってカルボキシ変性されていてもよい。これらのうち、炭化水素樹脂は、スチレンに由来するモノマー単位を含む炭化水素樹脂（スチレン系樹脂）を含んでいてもよく、スチレン・エチレン・ブチレン・スチレンブロック共重合体（ＳＥＢＳ）を含んでいてもよい。
　（Ｃ）成分のＴｇは、－１００～５００℃、－５０～３００℃、又は－５０～５０℃であってよい。（Ｃ）成分のＴｇが５００℃以下であると、フィルム状の仮固定材を形成したときに、柔軟性を確保し易く、低温貼付性を向上させることができる傾向にある。（Ｃ）成分のＴｇが－１００℃以上であると、フィルム状の仮固定材を形成したときに、柔軟性が高くなり過ぎることによる取扱性及び剥離性の低下を抑制できる傾向にある。
　（Ｃ）成分のＴｇは、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）によって得られる中間点ガラス転移温度値である。（Ｃ）成分のＴｇは、具体的には、昇温速度１０℃／分、測定温度－８０～８０℃の条件で熱量変化を測定し、ＪＩＳ　Ｋ　７１２１に準拠した方法によって算出される中間点ガラス転移温度である。
　（Ｃ）成分の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１万～５００万又は１０万～２００万であってよい。重量平均分子量が１万以上であると、形成される仮固定材層の耐熱性を確保し易くなる傾向にある。重量平均分子量が５００万以下であると、フィルム状の仮固定材層又は樹脂層を形成したときに、フローの低下及び貼付性の低下を抑制し易い傾向にある。なお、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）で標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値である。
　（Ｃ）成分の含有量は、（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分の総量１００質量部に対して、４０～９０質量部であってよい。（Ｃ）成分の含有量は、（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分の総量１００質量部に対して、５０質量部以上又は６０質量部以上であってもよく、８５質量部以下又は８０質量部以下あってもよい。（Ｃ）成分の含有量が上記範囲にあると、仮固定材層の薄膜形成性及び平坦性により優れる傾向にある。
　（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分は、仮固定用フィルムの主成分であり得る。（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分の含有量の合計は、仮固定用フィルム全量（又は仮固定用組成物全量）を基準として、６０質量％以上、７０質量％以上、８０質量％以上、８５質量％以上、９０質量％以上、又は９５質量％以上であってよい。
その他の成分
　仮固定用フィルム１０は、その他の成分として、エポキシ樹脂等の（Ｂ）成分の硬化反応を促進する硬化促進剤；重合性モノマー；重合開始剤；絶縁性フィラー；増感剤；酸化防止剤等をさらに含有していてもよい。
　硬化促進剤としては、例えば、イミダゾール誘導体、ジシアンジアミド誘導体、ジカルボン酸ジヒドラジド、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、２－エチル－４－メチルイミダゾール－テトラフェニルボレート、１，８－ジアザビシクロ［５，４，０］ウンデセン－７－テトラフェニルボレート等が挙げられる。
　硬化促進剤の含有量は、（Ｂ）成分の総量１００質量部に対して、０．０１～５質量部であってよい。硬化促進剤の含有量がこのような範囲内にあると、（Ｂ）成分の硬化性及び硬化後の耐熱性がより優れる傾向にある。硬化促進剤の含有量は、貯蔵弾性率を調整し易いことから、（Ｂ）成分の総量１００質量部に対して、０．１質量部以上又は０．３質量部以上であってもよく、３質量部以下又は１質量部以下であってもよい。
　重合性モノマーは、加熱又は紫外光等の照射によって重合するものであれば特に制限されない。重合性モノマーは、材料の選択性及び入手の容易さの観点から、例えば、エチレン性不飽和基等の重合性官能基を有する化合物であってよい。重合性モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリレート、ハロゲン化ビニリデン、ビニルエーテル、ビニルエステル、ビニルピリジン、ビニルアミド、アリール化ビニル等が挙げられる。これらのうち、重合性モノマーは、（メタ）アクリレートであってもよい。（メタ）アクリレートは、単官能（１官能）、２官能、又は３官能以上のいずれであってもよいが、充分な硬化性を得る観点から、２官能以上の（メタ）アクリレートであってもよい。
　重合性モノマーの含有量は、仮固定用フィルム全量（又は仮固定用組成物全量）を基準として、例えば、０～５０質量部であってよい。
　重合開始剤は、加熱又は紫外光等の照射によって重合を開始させるものであれば特に制限されない。例えば、重合性モノマーとして、エチレン性不飽和基を有する化合物を用いる場合、重合性開始剤は熱ラジカル重合開始剤又は光ラジカル重合開始剤であってよい。
　重合開始剤の含有量は、重合性モノマーの総量１００質量部に対して、０．０１～５質量部であってよい。
　絶縁性フィラーは、樹脂層に低熱膨張性、低吸湿性を付与する目的で添加され得る。絶縁性フィラーとしては、例えば、シリカ、アルミナ、窒化ホウ素、チタニア、ガラス、セラミック等の非金属無機フィラーなどが挙げられる。絶縁性フィラーは、溶剤との分散性の観点から、その表面が表面処理剤で処理された粒子であってもよい。表面処理剤は、例えば、シランカップリング剤であってよい。
　絶縁性フィラーの含有量は、（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分の総量１００質量部に対して、０．１～２０質量部であってよい。絶縁性フィラーの含有量が上記範囲内であると、光透過を妨げることなく耐熱性をより向上させることができる傾向にある。また、絶縁性フィラーの含有量が上記範囲内であると、軽剥離性にも寄与する可能性がある。
　増感剤としては、例えば、アントラセン、フェナントレン、クリセン、ベンゾピレン、フルオランテン、ルブレン、ピレン、キサントン、インダンスレン、チオキサンテン－９－オン、２－イソプロピル－９Ｈ－チオキサンテン－９－オン、４－イソプロピル－９Ｈ－チオキサンテン－９－オン、１－クロロ－４‐プロポキシチオキサントン等が挙げられる。
　増感剤の含有量は、（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分の総量１００質量部に対して、０．０１～１０質量部であってよい。増感剤の含有量が上記範囲内であると、（Ｂ）成分の特性及び薄膜性への影響が少ない傾向にある。
　酸化防止剤としては、例えば、ベンゾキノン、ハイドロキノン等のキノン誘導体、４－メトキシフェノール、４－ｔ－ブチルカテコール等のフェノール誘導体（ヒンダードフェノール誘導体）、２，２，６，６－テトラメチルピペリジン－１－オキシル、４－ヒドロキシ－２，２，６，６－テトラメチルピペリジン－１－オキシル等のアミノキシル誘導体、テトラメチルピペリジルメタクリレート等のヒンダードアミン誘導体などが挙げられる。
　酸化防止剤の含有量は、（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分の総量１００質量部に対して、０．１～１０質量部であってよい。酸化防止剤の含有量が上記範囲内であると、（Ｂ）成分の分解を抑制し、汚染を防ぐことができる傾向にある。
　仮固定用フィルム１０の厚さは、応力緩和の観点から、例えば、０．１μｍ以上、１μｍ以上、又は５μｍ以上であってよく、２００μｍ以下、１００μｍ以下、又は５０μｍ以下であってよい。
　仮固定用フィルム１０において、波長３０８ｎｍ及び波長３５５ｎｍのうち、少なくとも一方の波長における透過率は１５％以下であってよい。仮固定用フィルム１０は、波長３５５ｎｍの光に対する透過率が１５％以下であることが好ましい。波長３０８ｎｍ及び波長３５５ｎｍのいずれか一方の光の透過性が低い仮固定用フィルムは、紫外光を含む光を効率的に吸収するため、当該光の照射によって半導体部材と支持部材とを分離することができる。波長３０８ｎｍの光に対する透過率は、１２％以下、１０％以下、８％以下、５％以下、又は３％以下であってもよい。波長３５５ｎｍの光に対する透過率は、１２％以下、１０％以下、８％以下、５％以下、又は３％以下であってもよい。当該透過率は、仮固定用フィルム１０の厚さを大きくする、仮固定用フィルム１０中の（Ａ）成分の含有量を増やす等によって、所定の波長（波長３０８ｎｍ又は波長３５５ｎｍ）の光に対する透過率を低下させることができ、所定の範囲（１５％以下）に調整し易い傾向にある。なお、本明細書において、波長３０８ｎｍ又は波長３５５ｎｍの光に対する透過率は、仮固定用フィルム１０に対して一方の主面側から所定の波長を有する光（波長３０８ｎｍ又は波長３５５ｎｍを主波長として有する光）を入射させたときの、入射光の強度に対する透過光の強度の割合を意味する。
　このような仮固定用フィルム１０によれば、紫外光を含む光の照射で半導体部材と支持部材とを分離できる仮固定材層を形成することが可能となる。
［仮固定用フィルムの製造方法］
　仮固定用フィルム１０は、例えば、まず、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、及び必要に応じてその他の成分を、溶剤中で撹拌混合、混錬等を行うことによって、溶解又は分散させ、仮固定用組成物のワニスを調製する。その後、離型処理を施した支持フィルム上に、仮固定用組成物のワニスをナイフコーター、ロールコーター、アプリケーター、コンマコーター、ダイコーター等を用いて塗工した後、加熱によって溶剤を揮発させることによって、支持フィルム上に仮固定用組成物からなる仮固定用フィルム１０を形成することができる。仮固定用フィルム１０は、支持フィルムと反対側の面に積層された保護フィルムを備えていてもよい。仮固定用フィルム１０の厚さは、仮固定用組成物のワニスの塗工量を調整することによって調整することができる。
　仮固定用組成物のワニスの調製において使用される溶剤は、各成分を均一に溶解又は分散し得る特性を有するものであれば特に制限されない。このような溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、クメン、ｐ－シメン等の芳香族炭化水素；ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素；メチルシクロヘキサンなどの環状アルカン；テトラヒドロフラン、１，４－ジオキサン等の環状エーテル；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、４－ヒドロキシ－４－メチル－２－ペンタノン等のケトン；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、γ－ブチロラクトン等のエステル；エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等の炭酸エステル；Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドン等のアミドなどが挙げられる。これらのうち、溶剤は、溶解性及び沸点の観点から、トルエン、キシレン、ヘプタン、又はシクロヘキサノンであってもよい。ワニス中の固形成分濃度は、ワニスの全質量を基準として、１０～８０質量％であってよい。
　仮固定用組成物のワニスの調製の際の撹拌混合又は混錬は、例えば、撹拌機、らいかい機、３本ロールミル、ボールミル、ビーズミル、ホモディスパー等を用いて行うことができる。
　支持フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル；ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン；ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルフィド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンスルフィド、ポリ（メタ）アクリレート、ポリスルホン、液晶ポリマのフィルム等が挙げられる。これらの支持フィルムは、離型処理が施されていてもよい。支持フィルムの厚さは、例えば、１～２５０μｍであってよい。
　支持フィルムへ塗工した仮固定用組成物のワニスから溶剤を揮発させる際の加熱条件は、使用する溶剤等に合わせて適宜設定することができる。加熱条件は、例えば、４０～１２０℃の加熱温度で０．１～３０分の加熱時間であってよい。
　保護フィルムは、上記の支持フィルムで例示したものが挙げられる。保護フィルムの厚さは、例えば、１～２５０μｍであってよい。
［仮固定用積層体及びその製造方法］
　仮固定用積層体は、支持部材と、上記の仮固定用フィルムからなる仮固定材層とを備えているのであればその構成については特に制限されない。図２（ａ）、図２（ｂ）、及び図２（ｃ）は、仮固定用積層体の一実施形態を示す模式断面図である。仮固定用積層体の構成としては、例えば、図２（ａ）に示される仮固定用積層体２０の構成、図２（ｂ）に示される仮固定用積層体７０の構成、図２（ｃ）に示される仮固定用積層体８０の構成等が挙げられる。仮固定用積層体２０は、支持部材２２と、支持部材２２上に設けられた、仮固定用フィルム１０からなる仮固定材層１０Ａとを備えている。仮固定用積層体２０において、仮固定材層１０Ａは、支持部材２２とは反対側に表面Ｓ１を有しており、半導体部材は、仮固定材層１０Ａの表面Ｓ１上に配置される。仮固定用積層体７０は、支持部材２２と、仮固定用フィルム１０からなる仮固定材層１０Ａと、硬化性樹脂フィルムからなる硬化性樹脂層１２とをこの順に備えている。仮固定用積層体７０において、硬化性樹脂層１２は、仮固定材層１０Ａとは反対側に表面Ｓ２を有しており、半導体部材は、硬化性樹脂層１２の表面Ｓ２上に配置される。仮固定用積層体８０は、支持部材２２と、第１の硬化性樹脂フィルムからなる第１の硬化性樹脂層１４と、仮固定用フィルム１０からなる仮固定材層１０Ａと、第２の硬化性樹脂フィルムからなる第２の硬化性樹脂層１６とをこの順に備えている。仮固定用積層体８０において、第２の硬化性樹脂層１６は、仮固定材層１０Ａとは反対側に表面Ｓ３を有しており、半導体部材は、第２の硬化性樹脂層１６の表面Ｓ３上に配置される。また、これら以外の仮固定用積層体の構成としては、例えば、支持部材と、硬化性樹脂層（第１の硬化性樹脂層１４）と、仮固定用フィルムからなる仮固定材層とをこの順に備える構成等が挙げられる。このような仮固定用積層体によれば、少なくとも仮固定材層１０Ａを備えることから、紫外光を含む光の照射で半導体部材と支持部材とを分離することが可能となる。以下では、主に図２（ａ）に示される仮固定用積層体２０を用いた態様を例として詳細に説明する。
　仮固定用積層体２０の製造方法は、所定の構成を有する仮固定用積層体が得られるのであれば特に制限されない。仮固定用積層体２０は、例えば、支持部材２２上に仮固定用フィルム１０を貼り付けて、仮固定材層１０Ａを形成する工程を含む方法によって得ることができる。
　支持部材２２は、高い透過率を有し、半導体部材の加工時に受ける負荷に耐え得る板状体である。支持部材２２としては、例えば、無機ガラス基板、透明樹脂基板等が挙げられる。
　支持部材２２の厚さは、例えば、０．１～２．０ｍｍであってよい。支持部材２２の厚さが０．１ｍｍ以上であると、ハンドリングが容易となる傾向にある。支持部材２２の厚さが２．０ｍｍ以下であると、材料費を抑制することができる傾向にある。
　支持部材２２上に仮固定用フィルム１０を貼り付ける方法としては、例えば、加熱プレス、ロールラミネート、真空ラミネート等の方法が挙げられる。ラミネートは、例えば、０～１２０℃の温度条件下で行うことができる。
　仮固定材層１０Ａは、仮固定用フィルム１０からなる層であり得る。仮固定材層１０Ａの厚さは、応力緩和の観点から、例えば、０．１μｍ以上、１μｍ以上、又は５μｍ以上であってよく、２００μｍ以下、１００μｍ以下、又は５０μｍ以下であってよい。
　仮固定用積層体７０は、支持部材２２と、仮固定材層１０Ａと、硬化性樹脂層１２とをこの順に備えている。仮固定用積層体７０において、硬化性樹脂層１２を備えることによって、半導体部材への熱ダメージを抑制し易い傾向にある。また、半導体部材への仮固定用フィルム等の樹脂の焼き付きを抑制できるため、半導体部材から樹脂残渣を除去し易い傾向にある。仮固定用積層体８０は、支持部材２２と、第１の硬化性樹脂層１４と、仮固定材層１０Ａと、第２の硬化性樹脂層１６とをこの順に備えている。仮固定用積層体８０において、第１の硬化性樹脂層１４を備えることによって、支持部材への放熱が低減し、光照射のエネルギーが効率よく熱に変換され易くなる傾向にある。また、支持部材への仮固定用フィルム等の樹脂の焼き付きを抑制できるため、支持部材から樹脂残渣を除去し易い傾向にある。
　硬化性樹脂層１２を形成するための硬化性樹脂フィルム、第１の硬化性樹脂層１４を形成するための第１の硬化性樹脂フィルム、及び第２の硬化性樹脂層１６を形成するための第２の硬化性樹脂フィルムは、それぞれ硬化性を示す樹脂フィルムであれば特に制限されない。硬化性樹脂フィルム、第１の硬化性樹脂フィルム、及び第２の硬化性樹脂フィルムは、上記仮固定用フィルム１０において、（Ａ）成分を除いた成分で構成されるもの（すなわち、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、及びその他の成分を含有するもの（ただし、（Ａ）成分を除く。））であってよい。なお、硬化性樹脂フィルム、第１の硬化性樹脂フィルム、及び第２の硬化性樹脂フィルムは、（Ａ）成分を含有しないことが好ましい。硬化性樹脂フィルム、第１の硬化性樹脂フィルム、及び第２の硬化性樹脂フィルムは、同一のものであってよい。
　硬化性樹脂フィルム、第１の硬化性樹脂フィルム、及び第２の硬化性樹脂フィルムにおける各成分（（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、その他の成分等）の好ましい態様は、仮固定用フィルム１０における各成分（（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、その他の成分等）の好ましい態様と同様である。したがって、ここでは、重複する説明を省略する。
　硬化性樹脂フィルム、第１の硬化性樹脂フィルム、及び第２の硬化性樹脂フィルムにおいて、（Ｂ）成分（エポキシ樹脂とエポキシ樹脂の硬化剤とを併用する場合、エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂の硬化剤の合計）の含有量は、（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分の総量１００質量部に対して、１０～９０質量部であってよい。（Ｂ）成分の含有量は、（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分の総量１００質量部に対して、１５質量部以上又は２０質量部以上であってもよく、８０質量部以下、７０質量部以下、６０質量部以下、５０質量部以下、又は４０質量部以下であってもよい。
　硬化性樹脂フィルム、第１の硬化性樹脂フィルム、及び第２の硬化性樹脂フィルムにおいて、（Ｃ）成分の含有量は、（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分の総量１００質量部に対して、１０～９０質量部であってよい。（Ｂ）成分の含有量は、（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分の総量１００質量部に対して、２０質量部以上、３０質量部以上、４０質量部以上、５０質量部以上、又は６０質量部以上であってもよく、８５質量部以下又は８０質量部以下であってもよい。
　（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分は、硬化性樹脂フィルム、第１の硬化性樹脂フィルム、及び第２の硬化性樹脂フィルムのそれぞれの主成分であり得る。（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分の含有量の合計は、硬化性樹脂フィルム全量、第１の硬化性樹脂フィルム全量、又は第２の硬化性樹脂フィルム全量を基準として、６０質量％以上、７０質量％以上、８０質量％以上、８５質量％以上、９０質量％以上、又は９５質量％以上であってよい。
　硬化性樹脂フィルム、第１の硬化性樹脂フィルム、及び第２の硬化性樹脂フィルムにおいて、その他の成分の含有量は、仮固定用フィルム１０におけるその他の成分の含有量と同様であってよい。
　硬化性樹脂フィルム及び第２の硬化性樹脂フィルムは、断熱性及び取扱性を両立する観点から、例えば、０．１μｍ以上、１μｍ以上、又は５μｍ以上であってよく、２００μｍ以下、１００μｍ以下、又は５０μｍ以下であってよい。
　第１の硬化性樹脂フィルムは、断熱性及び光透過性を両立する観点から、例えば、０．１μｍ以上、１μｍ以上、又は５μｍ以上であってよく、２００μｍ以下、１００μｍ以下、又は５０μｍ以下であってよい。
　第１の硬化性樹脂フィルムにおいて、波長３０８ｎｍ及び波長３５５ｎｍのうち、少なくとも一方の波長における透過率は８０％以上であってよい。第１の硬化性樹脂フィルムの当該透過率がこのような範囲にあることにより、仮固定用積層体に対して支持部材側から照射される光が透過し易くなり、分離性の低下を抑制することができる。
　仮固定用積層体７０，８０の製造方法は、所定の構成を有する仮固定用積層体が得られるのであれば特に制限されない。仮固定用積層体７０は、例えば、支持部材２２上に仮固定用フィルム１０を貼り付けて、仮固定材層１０Ａを形成する工程と、仮固定材層１０Ａ上に硬化性樹脂フィルムを貼り付けて、硬化性樹脂層１２を形成する工程とを含む方法によって得ることができる。仮固定用積層体８０は、支持部材２２上に第１の硬化性樹脂フィルムを貼り付けて、第１の硬化性樹脂層１４を形成する工程と、第１の硬化性樹脂層１４上に仮固定用フィルム１０を貼り付けて、仮固定材層１０Ａを形成する工程と、仮固定材層１０Ａ上に第２の硬化性樹脂フィルムを貼り付けて、第２の硬化性樹脂層１６を形成する工程とを含む方法によって得ることができる。
［半導体装置の製造方法］
　一実施形態の半導体装置の製造方法は、上記の仮固定用積層体を準備する工程（準備工程）と、半導体部材を、仮固定材層を介して支持部材に対して仮固定する工程（仮固定工程）と、支持部材に対して仮固定された半導体部材を加工する工程（加工工程）と、仮固定用積層体の仮固定材層に対して支持部材側から紫外光を含む光を照射して、支持部材から半導体部材を分離する工程（分離工程）とを備える。以下では、主に図２（ａ）に示される仮固定用積層体２０を用いた態様を例として詳細に説明する。
（準備工程）
　準備工程では、半導体装置を製造するために、半導体部材を加工する間、半導体部材を支持部材に対して仮固定するための仮固定用積層体２０が準備される。
（仮固定工程）
　図３（ａ）及び図３（ｂ）は、半導体装置の製造方法の一実施形態を示す模式断面図である。仮固定工程では、半導体部材４０が、仮固定材層１０Ａを介して支持部材２２に対して仮固定される。仮固定材層１０Ａは、仮固定材層１０Ａの支持部材２２とは反対側の表面Ｓ１を有している。仮固定工程では、例えば、仮固定材層１０Ａ上に半導体部材４０が配置された状態（図３（ａ）参照）で仮固定材層１０Ａ（仮固定用フィルム１０）を硬化させることによって、半導体部材４０を支持部材２２に対して仮固定することができる（図３（ｂ）参照）。言い換えると、半導体部材４０が、仮固定用フィルム１０の硬化物からなる仮固定材層１０Ａｃを介して支持部材２２に対して一時的に接着され得る。このようにして、仮固定用積層体２０ｃと、仮固定用積層体２０ｃ上に設けられた半導体部材４０とを備える積層体３０が形成される。
　半導体部材４０は、半導体ウェハ、半導体チップ等の半導体基板４２を有する部材であってよい。半導体部材４０は、例えば、再配線層４４と半導体基板４２とを有する再配線層付き半導体チップであってよい。半導体部材４０が再配線層付き半導体チップである場合、再配線層付き半導体チップは、再配線層が仮固定材層１０Ａ側に位置する向きで、仮固定材層１０Ａを介して支持部材２２に対して仮固定される。半導体部材４０は、外部接続端子をさらに有していてもよい。図３（ａ）の例では、複数の半導体部材４０が仮固定材層１０Ａに配置されているが、半導体部材４０の数は１個であってもよい。半導体部材４０の厚さは、半導体装置の小型化、薄型化に加えて、搬送時、加工工程等の際の割れ抑制の観点から、１～１０００μｍ、１０～５００μｍ、又は２０～２００μｍであってもよい。
　仮固定材層１０Ａ上に配置された半導体部材４０は、例えば、真空プレス機又は真空ラミネータを用いて仮固定材層１０Ａに対して圧着される。真空プレス機を用いる場合、圧着の条件は、気圧１ｈＰａ以下、圧着圧力１ＭＰａ、圧着温度１２０～２００℃、及び保持時間１００～３００秒であってよい。真空ラミネータを用いる場合、圧着の条件は、例えば、気圧１ｈＰａ以下、圧着温度６０～１８０℃又は８０～１５０℃、ラミネート圧力０．０１～１．０ＭＰａ又は０．１～０．７ＭＰａ、保持時間１～６００秒又は３０～３００秒であってよい。
　仮固定材層１０Ａ上に半導体部材４０が配置された後、仮固定材層１０Ａ中の（Ｂ）成分を熱硬化又は光硬化させることによって、半導体部材４０が、仮固定用フィルム１０の硬化物を含む仮固定材層１０Ａｃを介して、支持部材２２に対して仮固定される。熱硬化の条件は、例えば、３００℃以下又は１００～２５０℃で、１～１８０分又は１～１２０分であってよい。
（加工工程）
　図４（ａ）、図４（ｂ）及び図４（ｃ）は、半導体装置の製造方法の一実施形態を示す模式断面図である。加工工程では、支持部材２２に対して仮固定された半導体部材４０が加工される。図４（ａ）は、半導体基板の薄化を含む加工の例を示す。半導体部材の加工は、これに限定されず、例えば、半導体基板の薄化、半導体部材の分割（ダイシング）、貫通電極（シリコン貫通電極）の形成、エッチング処理、めっきリフロー処理、スパッタリング処理、又はこれらの組み合わせを含むことができる。
　半導体部材４０の加工の後、図４（ｂ）に示されるように、加工された半導体部材４０を封止する封止層５０が形成される。封止層５０は、半導体素子の製造のために通常用いられる封止材を用いて形成することができる。例えば、封止層５０を熱硬化性樹脂組成物によって形成してもよい。封止層５０に用いられる熱硬化性樹脂組成物としては、例えば、クレゾールノボラックエポキシ樹脂、フェノールノボラックエポキシ樹脂、ビフェニルジエポキシ樹脂、ナフトールノボラックエポキシ樹脂等のエポキシ樹脂などが挙げられる。封止層５０及び封止層５０を形成するための熱硬化性樹脂組成物は、フィラー、及び／又は難燃剤等の添加剤を含んでもよい。
　封止層５０は、例えば、固形材、液状材、細粒材、又は封止フィルムを用いて形成される。封止フィルムを用いる場合、コンプレッション封止成形機、真空ラミネート装置等が用いられる。例えば、これら装置を用いて、４０～１８０℃（又は６０～１５０℃）、０．１～１０ＭＰａ（又は０．５～８ＭＰａ）、かつ０．５～１０分の条件で熱溶融させた封止フィルムで半導体部材４０を被覆することによって、封止層５０を形成することができる。封止フィルムの厚さは、封止層５０が加工後の半導体部材４０の厚さ以上になるように調整される。封止フィルムの厚さは、５０～２０００μｍ、７０～１５００μｍ、又は１００～１０００μｍであってよい。
　封止層５０を形成した後、図４（ｃ）に示されるように、封止層５０及び仮固定材層１０Ａｃを、半導体部材４０を１個ずつ含む複数の部分に分割してもよい。
　図５（ａ）及び図５（ｂ）は、半導体装置の製造方法の一実施形態を示す模式断面図である。図５（ａ）に示されるように、仮固定用積層体２０ｃに対して支持部材２２側から光Ａを照射して、支持部材２２から半導体部材４０を分離する。光Ａは、紫外光を含む光であってよく、２００～４００ｎｍの波長（近紫外光）を含む光であってもよい。光Ａの照射によって、仮固定材層１０Ａｃ中の（Ａ）成分が光Ａを吸収して、例えば、熱エネルギーによる高分子量成分の分子鎖の切断等により、高分子量成分の低分子量化（硬化物の溶融）が進行し得る。このような現象が主な原因となって、仮固定材層１０Ａｃの凝集剥離等が発生して、半導体部材４０が支持部材２２から容易に分離し得る。半導体部材４０を支持部材２２から分離するために、光Ａの照射とともに、半導体部材４０に対して応力をわずかに加えてもよい。
　分離工程における光Ａの光源としては、例えば、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、レーザー等が挙げられる。これらの中でも、光Ａの光源は、レーザーであってよい。
　レーザーとしては、例えば、ＹＡＧレーザー等の固体レーザー、色素レーザー等の液体レーザー、エキシマレーザー等の気体レーザーなどが挙げられる。これらの中でも、レーザーは、エキシマレーザーであってよい。
　エキシマレーザーとしては、例えば、ＡｒＦエキシマレーザー（発振波長：１９３ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザー（発振波長：２４８ｎｍ）、ＸｅＣｌエキシマレーザー（発振波長：３０８ｎｍ）、ＸｅＦエキシマレーザー（発振波長：３５１ｎｍ）等が挙げられる。
　レーザーの照射条件は、印加電圧、パルス幅、照射時間、照射距離（光源と仮固定材層との距離）、照射エネルギー等を含み、照射回数等に応じてこれらを任意に設定することができる。レーザーの照射条件は、半導体部材４０のダメージを低減する観点から、少ない回数で半導体部材４０を分離できる照射条件を設定してもよい。
　分離した半導体部材４０上に、仮固定材層１０Ａｃの一部（又は硬化した硬化性樹脂層の一部）が残渣として付着することがある。付着した残渣は、図５（ｂ）に示されるように除去される。付着した残渣は、例えば、溶剤で洗浄することにより除去されてもよいし、ピールにより剥離されてもよい。溶剤としては、特に制限されないが、エタノール、メタノール、トルエン、キシレン、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ヘキサン等が挙げられる。付着した残渣の除去のために、半導体部材４０を溶剤に浸漬させてもよいし、超音波洗浄を行ってもよい。１００℃以下程度の低温で半導体部材４０を加熱してもよい。
　以上の例示された方法によって、加工された半導体部材４０を備える半導体素子６０を得ることができる。得られた半導体素子６０を他の半導体素子又は半導体素子搭載用基板に接続することによって半導体装置を製造することができる。
［仮固定用組成物］
　一実施形態の仮固定用組成物は、半導体部材と支持部材とを仮固定するために用いられる。仮固定用組成物は、水酸基を有する紫外線吸収剤と、前記水酸基と反応可能な官能基を有する熱硬化性樹脂と、熱可塑性樹脂とを含有する。熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂であってよい。熱可塑性樹脂は、炭化水素樹脂であってよい。
　仮固定用組成物における各成分（（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、その他の成分等）の好ましい態様は、仮固定用フィルム１０における各成分（（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、その他の成分等）の好ましい態様と同様である。したがって、ここでは、重複する説明を省略する。また、仮固定用組成物における各成分の含有量は、仮固定用フィルムにおける各成分の含有量と同様であってよい。
　以下、本開示について実施例を挙げてより具体的に説明する。ただし、本開示はこれら実施例に限定されるものではない。
［仮固定用フィルムの作製及び評価］
（実施例１－１～１－３及び比較例１－１、１－２）
（実施例２－１～２－６）
＜仮固定用フィルムの作製＞
　仮固定用フィルムの作製においては、以下の材料を用いた。
（Ａ）成分：水酸基を有する紫外線吸収剤
（Ａ－１）２，４，６－トリス（２－ヒドロキシ－４－ヘキシルオキシ－３－メチルフェニル）－１，３，５－トリアジン（トリアジン系紫外線吸収剤、商品名：ＬＡ－Ｆ７０、株式会社ＡＤＥＫＡ製）
（Ａ－２）２－（２Ｈ－ベンゾトリアゾール－２－イル）－４，６－ビス（１－メチル－１－フェニルエチル）フェノール（ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤、商品名：ＬＡ－２４、株式会社ＡＤＥＫＡ製）
（Ｂ）成分：水酸基と反応可能な官能基を有する熱硬化性樹脂
（Ｂ－１）ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（商品名：ＨＰ７２００Ｈ、ＤＩＣ株式会社製）、（Ｂ－１）成分は、５０質量％濃度のシクロヘキサノン溶液として用いた。
（Ｃ）成分：熱可塑性樹脂
（Ｃ－１）無水マレイン酸変性スチレン・エチレン・ブチレン・スチレンブロック共重合体（商品名：ＦＧ１９２４ＧＴ、クレイトンポリマージャパン株式会社製、スチレン含有量：１３質量％）、（Ｃ－１）成分は、２５質量％濃度のキシレン溶液として用いた。
（Ｃ－２）無水マレイン酸変性スチレン・エチレン・ブチレン・スチレンブロック共重合体（商品名：ＦＧ１９０１ＧＴ、クレイトンポリマージャパン株式会社製、スチレン含有量：３０質量％）、（Ｃ－２）成分は、２５質量％濃度のキシレン溶液として用いた。
その他の成分
（Ｄ）硬化促進剤
（Ｄ－１）イミダゾール誘導体（商品名：２ＰＺ－ＣＮ、四国化成工業株式会社製）、（Ｄ－１）成分は、１０質量％濃度のシクロヘキサノン溶液として用いた。
（Ｅ）酸化防止剤
（Ｅ－１）ヒンダードフェノール誘導体（商品名：ＡＯ－６０、株式会社ＡＤＥＫＡ製）、１０質量％濃度のシクロヘキサノン溶液として用いた。
　表１及び表２に示す材料を表１及び表２に示す質量部（表１及び表２の数値は不揮発分量を意味する。）で用いた。これを、溶剤としてのトルエン３０２．４質量部及びシクロヘキサノン４．５質量部と混合して、仮固定用組成物のワニスを得た。得られた仮固定用組成物のワニスを、精密塗工機を用いて、支持フィルム（ピューレックスＡ３１Ｂ（商品名、軽剥離タイプ、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、東洋紡フイルムソリューション株式会社、厚さ：３８μｍ））の離型処理面に塗工した。塗膜を１００℃で１０分加熱することによって溶剤を除去して、表１及び表２に示す厚さの実施例１－１～１－９及び比較例１－１、１－２の仮固定用フィルムを得た。得られた仮固定用フィルムの支持フィルムとは反対側の面に、保護フィルム（ピューレックスＡ７０Ｊ（商品名、重剥離タイプ、ＰＥＴフィルム、東洋紡フイルムソリューション株式会社、厚さ：３８μｍ））を、仮固定用フィルムにその離型処理面が接する向きで貼り合わせた。
＜仮固定用フィルムの評価＞
　実施例１－１～１－３及び比較例１－１、１－２、並びに実施例２－１～２－６の仮固定用フィルムを用いて、波長３０８ｎｍ又は波長３５５ｎｍに対する透過率を測定した。仮固定用フィルムを５ｃｍ角に切り出すことによって、測定用サンプルを得た。測定装置としては、紫外可視近赤外分光光度計ＳｏｌｉｄＳｐｅｃ－３７００（株式会社島津製作所）を用い、測定用サンプルに対して一方の主面側から波長３０８ｎｍ又は波長３５５ｎｍの光を入射させたときの、入射光の強度に対する透過光の強度の割合を透過率として算出した。結果を表１及び表２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
［仮固定用積層体及び試験用積層体の作製（ｉ）］
（実施例３－１～３－３及び比較例３－１、３－２）
＜仮固定用積層体の作製＞
　実施例１－１～１－３及び比較例１－１、１－２の仮固定用フィルムを用いて、それぞれの仮固定用積層体を作製した。仮固定用フィルムから支持フィルムを剥がし、仮固定用フィルムを支持部材としてのガラス基板（商品名：イーグルＸＧ、ＣＯＲＮＩＮＧ社製、サイズ：２０ｍｍ×２０ｍｍ、厚さ：０．７ｍｍ）上に、真空加圧式ラミネータを用いて、圧力０．５ＭＰａ、温度１００℃、及び加圧時間６０秒の条件で積層することによって、実施例３－１～３－３及び比較例３－１、３－２の仮固定用積層体を作製した。
＜試験用積層体の作製＞
　次いで、実施例３－１～３－３及び比較例３－１、３－２の仮固定用積層体の仮固定用フィルムからなる仮固定材層側の保護フィルムを剥がし、仮固定材層上に、半導体部材としてのシリコンウェハ（サイズ：２０ｍｍ×２０ｍｍ、厚さ：１５０μｍ）を、真空加圧式ラミネータを用いて、圧力０．５ＭＰａ、温度１００℃、及び加圧時間６０秒の条件で積層した。その後、２００℃で１時間加熱することによって仮固定材層を硬化させて、支持部材に対して仮固定された半導体部材を有する、実施例３－１～３－３及び比較例３－１、３－２の試験用積層体を作製した。
［仮固定用積層体及び試験用積層体の作製（ｉｉ）］
（実施例４－１～４－８）
＜硬化性樹脂フィルムの作製＞
　硬化性樹脂フィルムの作製においては、以下の材料を用いた。
（Ｂ）成分：水酸基と反応可能な官能基を有する熱硬化性樹脂
（Ｂ－１）ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（商品名：ＨＰ７２００Ｈ、ＤＩＣ株式会社製）、（Ｂ－１）成分は、５０質量％濃度のシクロヘキサノン溶液として用いた。
（Ｂ－２）ｏ－クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（商品名：Ｎ－５００Ｐ－１０、ＤＩＣ株式会社製）、（Ｂ－２）成分は、５０質量％濃度のシクロヘキサノン溶液として用いた。
（Ｂ－３）ビスフェノールＦ型液状エポキシ樹脂（商品名：ＹＬ９８３Ｕ、三菱ケミカル株式会社製）、（Ｂ－３）成分は、希釈せずにそのまま用いた。
（ｂ）成分：エポキシ樹脂の硬化剤
（ｂ－１）フェノールノボラック樹脂（商品名：ＭＥＨ－７８００、明和化成株式会社製）、（ｂ－１）成分は、５０質量％濃度のシクロヘキサノン溶液として用いた。
（Ｃ）成分：熱可塑性樹脂
（Ｃ－１）無水マレイン酸変性スチレン・エチレン・ブチレン・スチレンブロック共重合体（商品名：ＦＧ１９２４ＧＴ、クレイトンポリマージャパン株式会社製、スチレン含有量：１３質量％）、（Ｃ－１）成分は、２５質量％濃度のキシレン溶液として用いた。
（Ｃ－２）無水マレイン酸変性スチレン・エチレン・ブチレン・スチレンブロック共重合体（商品名：ＦＧ１９０１ＧＴ、クレイトンポリマージャパン株式会社製、スチレン含有量：３０質量％）、（Ｃ－２）成分は、２５質量％濃度のキシレン溶液として用いた。
（Ｃ－３）ビフェニルフルオレン型フェノキシ樹脂（商品名：ＦＸ２９３、日鉄ケミカル＆マテリアル株式会社製）、（Ｃ－３）成分は、１５質量％濃度のシクロヘキサノン溶液として用いた。
（Ｃ－４）アクリルゴム（商品名：ＨＴＲ－８６０－Ｐ３、ナガセケムテックス株式会社製）、（Ｃ－４）成分は、１２質量％濃度のメチルエチルケトン溶液として用いた。
（Ｄ）硬化促進剤
（Ｄ－１）イミダゾール誘導体（商品名：２ＰＺ－ＣＮ、四国化成工業株式会社製）、（Ｄ－１）成分は、１０質量％濃度のシクロヘキサノン溶液として用いた。
（Ｅ）酸化防止剤
（Ｅ－１）ヒンダードフェノール誘導体（商品名：ＡＯ－６０、株式会社ＡＤＥＫＡ製）、１０質量％濃度のシクロヘキサノン溶液として用いた。
　表３に示す材料を表３に示す質量部（表３の数値は不揮発分量を意味する。）で用いた。これを、溶剤としてのトルエン３０２．４質量部及びシクロヘキサノン４．５質量部と混合して、仮固定用組成物のワニスを得た。得られた仮固定用組成物のワニスを、精密塗工機を用いて、支持フィルム（ピューレックスＡ３１Ｂ（商品名、軽剥離タイプ、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、東洋紡フイルムソリューション株式会社、厚さ：３８μｍ））の離型処理面に塗工した。塗膜を１００℃で１０分加熱することによって溶剤を除去して、厚さ３０μｍの製造例１～３の硬化性樹脂フィルムを得た。得られた硬化性樹脂フィルムの支持フィルムとは反対側の面に、保護フィルム（ピューレックスＡ７０Ｊ（商品名、重剥離タイプ、ＰＥＴフィルム、東洋紡フイルムソリューション株式会社、厚さ：３８μｍ））を、硬化性樹脂フィルムにその離型処理面が接する向きで貼り合わせた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
＜仮固定用積層体の作製＞
　実施例２－１～２－６の仮固定用フィルム及び製造例１～３の硬化性樹脂フィルムを用いて表５に示す構成の仮固定用積層体を作製した。それぞれのフィルムから支持フィルムを剥がし、露出した表面同士を、加圧式ロールラミネータを用いて、圧力０．２ＭＰａ、温度１００℃、速度０．２ｍ／ｍｉｎの条件で貼り合わせることで、二層フィルムを得た。次いで、二層フィルムの仮固定用フィルム側の保護フィルムを剥がし、上記の［仮固定用積層体及び試験用積層体の作製（ｉ）］の＜仮固定用積層体の作製＞と同様にして、その剥離面が支持部材に接する向きで二層フィルムを積層することによって、支持部材、仮固定材層、及び硬化性樹脂層をこの順に備える、実施例４－１～４－８の仮固定用積層体を作製した。
＜試験用積層体の作製＞
　次いで、上記の［仮固定用積層体及び試験用積層体の作製（ｉ）］の＜試験用積層体の作製＞と同様にして、硬化性樹脂層上に半導体部材を積層し、同様の条件で、仮固定材層及び硬化性樹脂層を硬化させて、実施例４－１～４－８の試験用積層体を作製した。
［仮固定用積層体及び試験用積層体の作製（ｉｉｉ）］
（実施例５－１～５－３）
＜第１の硬化性樹脂フィルム及び第２の硬化性樹脂フィルムの準備＞
　第１の硬化性樹脂フィルム及び第２の硬化性樹脂フィルムとして、製造例１の第１の硬化性樹脂フィルムを準備した。
＜仮固定用積層体の作製＞
　実施例２－１～２－３の仮固定用フィルム、第１の硬化性樹脂フィルム、及び第２の硬化性樹脂フィルムを用いて表６に示す構成の仮固定用積層体を作製した。まず、上記の［仮固定用積層体及び試験用積層体の作製（ｉｉ）］の＜仮固定用積層体の作製＞と同様にして、実施例２－１～２－３の仮固定用フィルム及び上記の第１の硬化性樹脂フィルムからなる二層フィルムを得た。次いで、二層フィルムの実施例１－３の仮固定用フィルムからなる仮固定材層側の保護フィルム及び第２の硬化性樹脂フィルムの支持フィルムを剥がし、露出した表面同士を、加圧式ロールラミネータを用いて、圧力０．２ＭＰａ、温度１００℃、速度０．２ｍ／ｍｉｎの条件で貼り合わせることで、三層フィルムを得た。次いで、三層フィルムの第１の硬化性樹脂フィルム側の保護フィルムを剥がし、上記の［仮固定用積層体及び試験用積層体の作製（ｉ）］の＜仮固定用積層体の作製＞と同様にして、その剥離面が支持部材に接する向きで三層フィルムを積層することによって、支持部材、第１の硬化性樹脂層、仮固定材層、及び第２の硬化性樹脂層をこの順に備える、実施例５－１～５－３の仮固定用積層体を作製した。
＜試験用積層体の作製＞
　次いで、上記の［仮固定用積層体及び試験用積層体の作製（ｉ）］の＜試験用積層体の作製＞と同様にして、第２の硬化性樹脂層上に半導体部材を積層し、同様の条件で、仮固定材層、第１の硬化性樹脂層、及び第２の硬化性樹脂層を硬化させて、実施例５－１～５－３の試験用積層体を作製した。
［試験用積層体の評価］
＜分離性の評価＞
　各試験用積層体について、波長３５５ｎｍ又は波長３０８ｎｍの条件で紫外レーザー光を照射し、半導体部材を支持部材から分離する際の分離性を評価した。
・波長３５５ｎｍの試験条件
　各試験用積層体について、ＵＶレーザーマーカー（株式会社レーザーワークス製のＰＵ－Ｌ３Ａ、ビーム径：２０μｍ）を用いて、波長３５５ｎｍの条件で紫外レーザー光を照射した。レーザーによる光照射は、試験用積層体の支持部材（ガラス基板）側から行い、照射時間は、５ｃｍ角あたり５分間を目安とした。分離性の評価は、レーザーによる光照射後に、シリコンウェハに外力を加えることでガラス基板から分離した場合を分離性に優れるとして「Ａ」、外力を加えてもシリコンウェハがガラス基板から分離しなかった場合を「Ｂ」と評価した。結果を表４、表５、及び表６に示す。
・波長３０８ｎｍの試験条件
　各試験用積層体について、ＫｒＦエキシマレーザーを用いて、波長：３０８ｎｍ、パルスエネルギー：１３００ｍＪ／ｃｍ２、及び繰り返し周波数：３０ｋＨｚの紫外パルスレーザー光を照射した。ＫｒＦエキシマレーザーは、Ｏｐｔｅｃ社製のＩＰＥＸ－８４８を用い、レーザーによる光照射は、試験用積層体の支持部材（ガラス基板）側から、スキャン速度：１８．５ｍｍ／ｓで支持部材の全面に照射した。分離性の評価は、レーザーによる光照射後に、シリコンウェハに外力を加えることでガラス基板から分離した場合を分離性に優れるとして「Ａ」、外力を加えてもシリコンウェハがガラス基板から分離しなかった場合を「Ｂ」と評価した。結果を表４、表５、及び表６に示す。なお、分離性の評価が「Ａ」であった場合は、積算光量（ｍＪ／ｃｍ２）も併記した。
＜残渣の除去性の評価＞
　上記の分離性の評価を実施した後、支持部材（ガラス基板）側に付着した残渣（主に、硬化した仮固定材層の残渣及び硬化した第１の硬化性樹脂層の残渣）、及び、半導体部材（シリコンウェハ）側に付着した残渣（主に、硬化した仮固定材層の残渣、硬化した硬化性樹脂層の残渣、及び硬化した第２の硬化性樹脂層の残渣）の除去性を評価した。支持部材側に付着した残渣については、ウェスでのふき取りを行い、残渣の除去が極めて容易であった場合を「Ａ」、除去が容易であった場合を「Ｂ」、除去が可能であった場合を「Ｃ」、除去が不充分であった場合を「Ｄ」と評価した。結果を表４、表５、及び表６に示す。また、半導体部材側に付着した残渣については、引き剥がし（ピールオフ）を行い、残渣の除去が極めて容易であった場合を「Ａ」、除去が容易であった場合を「Ｂ」、除去が可能であった場合を「Ｃ」、除去が不充分であった場合を「Ｄ」と評価した。結果を表４、表５、及び表６に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
　表４、表５、及び表６に示すように、実施例１－１～１－３及び実施例２－１～２－６の仮固定用フィルムからなる仮固定材層を備える仮固定用積層体（試験用積層体）は、分離性の点で優れていた。これらの結果から、本開示の仮固定用フィルムが、紫外光を含む光の照射で半導体部材と支持部材とを分離できる仮固定材層を形成することが可能であることが確認された。
　１０…仮固定用フィルム、１０Ａ，１０Ａｃ…仮固定材層、１２…硬化性樹脂層、１４…第１の硬化性樹脂層、１６…第２の硬化性樹脂層、２０，７０，８０，２０ｃ…仮固定用積層体、２２…支持部材、３０…積層体、４０…半導体部材、４２…半導体基板、４４…再配線層、５０…封止層、６０…半導体素子。

Claims (12)

  1. 　半導体部材と支持部材とを仮固定するために用いられる仮固定用フィルムであって、
    　水酸基を有する紫外線吸収剤と、前記水酸基と反応可能な官能基を有する熱硬化性樹脂と、熱可塑性樹脂とを含有する、
    　仮固定用フィルム。
  2. 　前記熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂である、
    　請求項１に記載の仮固定用フィルム。
  3. 　前記熱可塑性樹脂が炭化水素樹脂である、
    　請求項１に記載の仮固定用フィルム。
  4. 　波長３０８ｎｍ及び波長３５５ｎｍのうち、少なくとも一方の波長における透過率が１５％以下である、
    　請求項１に記載の仮固定用フィルム。
  5. 　支持部材と、前記支持部材上に設けられた、請求項１に記載の仮固定用フィルムからなる仮固定材層とを備える、
    　仮固定用積層体。
  6. 　前記仮固定材層上に設けられた硬化性樹脂層をさらに備える、
    　請求項５に記載の仮固定用積層体。
  7. 　支持部材と、第１の硬化性樹脂層と、請求項１に記載の仮固定用フィルムからなる仮固定材層とをこの順に備える、
    　仮固定用積層体。
  8. 　前記仮固定材層上に設けられた第２の硬化性樹脂層をさらに備える、
    　請求項７に記載の仮固定用積層体。
  9. 　請求項５～８のいずれか一項に記載の仮固定用積層体を準備する工程と、
    　半導体部材を、前記仮固定材層を介して前記支持部材に対して仮固定する工程と、
    　前記支持部材に対して仮固定された前記半導体部材を加工する工程と、
    　前記仮固定用積層体の前記仮固定材層に対して前記支持部材側から紫外光を含む光を照射して、前記支持部材から前記半導体部材を分離する工程と、
    を備える、
    　半導体装置の製造方法。
  10. 　半導体部材と支持部材とを仮固定するために用いられる仮固定用組成物であって、
    　水酸基を有する紫外線吸収剤と、前記水酸基と反応可能な官能基を有する熱硬化性樹脂と、熱可塑性樹脂とを含有する、
    　仮固定用組成物。
  11. 　前記熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂である、
    　請求項１０に記載の仮固定用組成物。
  12. 　前記熱可塑性樹脂が炭化水素樹脂である、
    　請求項１０に記載の仮固定用組成物。
PCT/JP2023/026237 2022-07-25 2023-07-18 仮固定用フィルム、仮固定用積層体、半導体装置の製造方法、及び仮固定用組成物 WO2024024566A1 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022118005A JP2024015735A (ja) 2022-07-25 2022-07-25 仮固定用フィルム、仮固定用積層体、半導体装置の製造方法、及び仮固定用組成物
JP2022-118005 2022-07-25

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2024024566A1 true WO2024024566A1 (ja) 2024-02-01

Family

ID=89706366

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2023/026237 WO2024024566A1 (ja) 2022-07-25 2023-07-18 仮固定用フィルム、仮固定用積層体、半導体装置の製造方法、及び仮固定用組成物

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2024015735A (ja)
TW (1) TW202412122A (ja)
WO (1) WO2024024566A1 (ja)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015015369A (ja) * 2013-07-05 2015-01-22 日東電工株式会社 半導体装置の製造方法
JP2015041663A (ja) * 2013-08-21 2015-03-02 日東電工株式会社 封止用シート、及び、半導体装置の製造方法
JP2018063972A (ja) * 2016-10-11 2018-04-19 信越化学工業株式会社 ウエハ積層体及びその製造方法
JP2018074115A (ja) * 2016-11-04 2018-05-10 日立化成株式会社 半導体用仮固定材及びそれを用いた半導体装置の製造方法。
WO2020111154A1 (ja) * 2018-11-29 2020-06-04 日立化成株式会社 半導体装置の製造方法及び仮固定材用積層フィルム
JP2021061324A (ja) * 2019-10-07 2021-04-15 リンテック株式会社 保護膜形成用フィルム及び保護膜形成用複合シート
WO2021124855A1 (ja) * 2019-12-20 2021-06-24 日東電工株式会社 粘着シート
WO2021149567A1 (ja) * 2020-01-21 2021-07-29 Dic株式会社 粘着テープ

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015015369A (ja) * 2013-07-05 2015-01-22 日東電工株式会社 半導体装置の製造方法
JP2015041663A (ja) * 2013-08-21 2015-03-02 日東電工株式会社 封止用シート、及び、半導体装置の製造方法
JP2018063972A (ja) * 2016-10-11 2018-04-19 信越化学工業株式会社 ウエハ積層体及びその製造方法
JP2018074115A (ja) * 2016-11-04 2018-05-10 日立化成株式会社 半導体用仮固定材及びそれを用いた半導体装置の製造方法。
WO2020111154A1 (ja) * 2018-11-29 2020-06-04 日立化成株式会社 半導体装置の製造方法及び仮固定材用積層フィルム
JP2021061324A (ja) * 2019-10-07 2021-04-15 リンテック株式会社 保護膜形成用フィルム及び保護膜形成用複合シート
WO2021124855A1 (ja) * 2019-12-20 2021-06-24 日東電工株式会社 粘着シート
WO2021149567A1 (ja) * 2020-01-21 2021-07-29 Dic株式会社 粘着テープ

Also Published As

Publication number Publication date
TW202412122A (zh) 2024-03-16
JP2024015735A (ja) 2024-02-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7414005B2 (ja) 半導体装置の製造方法及び仮固定材用積層フィルム
TWI805655B (zh) 半導體裝置的製造方法、暫時固定材用硬化性樹脂組成物、暫時固定材用膜及暫時固定材用積層膜
WO2022230874A1 (ja) 組成物
WO2020111146A1 (ja) 半導体装置の製造方法及び仮固定材用積層フィルム
JP7331351B2 (ja) 半導体装置の製造方法及び仮固定材用積層フィルム
JP2008179820A (ja) 半導体用接着フィルム及びこれを用いた半導体装置
US20220319872A1 (en) Semiconductor device manufacturing method
JP7388004B2 (ja) 半導体装置の製造方法
WO2024024566A1 (ja) 仮固定用フィルム、仮固定用積層体、半導体装置の製造方法、及び仮固定用組成物
WO2022071150A1 (ja) 仮固定用フィルム、仮固定用積層体、及び半導体装置の製造方法
JP7447493B2 (ja) 仮固定用の樹脂組成物と樹脂フィルム及び半導体装置の製造方法
WO2023032981A1 (ja) 仮固定用フィルム、仮固定用積層体、及び半導体装置の製造方法
WO2021241459A1 (ja) 仮固定用積層フィルム及びその製造方法、仮固定用積層体、並びに半導体装置の製造方法
JP2023177095A (ja) 仮固定用積層体、仮固定用積層フィルム、及び半導体装置の製造方法
WO2023223778A1 (ja) 配線形成用部材、配線形成用積層フィルム、及び半導体装置の製造方法
WO2022071431A1 (ja) 半導体装置を製造する方法、仮固定用フィルム材を製造する方法、及び、仮固定用フィルム材
JP2023170414A (ja) 配線形成用部材、配線形成用積層フィルム、及び半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 23846297

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1