CN116267005A - 显示装置 - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 100
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 36
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 53
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 25
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 17
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 790
- 102000004360 Cofilin 1 Human genes 0.000 description 95
- 108090000996 Cofilin 1 Proteins 0.000 description 95
- 238000000034 method Methods 0.000 description 86
- 230000008569 process Effects 0.000 description 84
- 102000011424 Cofilin 2 Human genes 0.000 description 83
- 108010023936 Cofilin 2 Proteins 0.000 description 83
- 101100198313 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) RME1 gene Proteins 0.000 description 78
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 54
- 101150080924 CNE1 gene Proteins 0.000 description 41
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 29
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 29
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 29
- 101100060179 Drosophila melanogaster Clk gene Proteins 0.000 description 28
- 101150038023 PEX1 gene Proteins 0.000 description 28
- 101150014555 pas-1 gene Proteins 0.000 description 28
- 101150016835 CPL1 gene Proteins 0.000 description 24
- 101100468774 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) RIM13 gene Proteins 0.000 description 24
- 239000010408 film Substances 0.000 description 24
- 101100016388 Arabidopsis thaliana PAS2 gene Proteins 0.000 description 23
- 101100297150 Komagataella pastoris PEX3 gene Proteins 0.000 description 23
- 101100315760 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) PEX4 gene Proteins 0.000 description 23
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 22
- 101100220046 Bos taurus CD36 gene Proteins 0.000 description 21
- 101100315759 Komagataella pastoris PEX4 gene Proteins 0.000 description 21
- 101100407813 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) PEX10 gene Proteins 0.000 description 21
- 101100407812 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) pas4 gene Proteins 0.000 description 21
- 101100221835 Arabidopsis thaliana CPL2 gene Proteins 0.000 description 19
- 101000623895 Bos taurus Mucin-15 Proteins 0.000 description 19
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 15
- 101150056821 spx1 gene Proteins 0.000 description 15
- 102100027466 Cofilin-1 Human genes 0.000 description 13
- 101150043088 DMA1 gene Proteins 0.000 description 13
- 101150090596 DMA2 gene Proteins 0.000 description 12
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 12
- 101150091285 spx2 gene Proteins 0.000 description 12
- 101000726740 Homo sapiens Homeobox protein cut-like 1 Proteins 0.000 description 11
- 101000761460 Homo sapiens Protein CASP Proteins 0.000 description 11
- 102100024933 Protein CASP Human genes 0.000 description 11
- 101150036141 SPX3 gene Proteins 0.000 description 11
- 101150081544 Slc37a3 gene Proteins 0.000 description 11
- 102100038952 Sugar phosphate exchanger 3 Human genes 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 102100026620 E3 ubiquitin ligase TRAF3IP2 Human genes 0.000 description 8
- 101710140859 E3 ubiquitin ligase TRAF3IP2 Proteins 0.000 description 8
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 8
- WVXXLSBPRGHRHS-UHFFFAOYSA-N BRS1 Natural products CC(N)C(O)C=CCCC=CCC=CCC=CCC=CCC=CCCC=CC=CC(O)C(C)N WVXXLSBPRGHRHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 101000600779 Homo sapiens Neuromedin-B receptor Proteins 0.000 description 7
- 102100037283 Neuromedin-B receptor Human genes 0.000 description 7
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 7
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 7
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 101100355577 Arabidopsis thaliana ARAC11 gene Proteins 0.000 description 6
- 102100028628 Bombesin receptor subtype-3 Human genes 0.000 description 6
- 101000695054 Homo sapiens Bombesin receptor subtype-3 Proteins 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 101710110695 Probable chorismate pyruvate-lyase 2 Proteins 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 6
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 6
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 101000725583 Homo sapiens Cofilin-1 Proteins 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- 102100031102 C-C motif chemokine 4 Human genes 0.000 description 4
- 102100030671 Gastrin-releasing peptide receptor Human genes 0.000 description 4
- 101001010479 Homo sapiens Gastrin-releasing peptide receptor Proteins 0.000 description 4
- 101000605088 Homo sapiens Ligand-dependent corepressor Proteins 0.000 description 4
- 102100038260 Ligand-dependent corepressor Human genes 0.000 description 4
- 101000777470 Mus musculus C-C motif chemokine 4 Proteins 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 4
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- 101100523500 Arabidopsis thaliana ARAC4 gene Proteins 0.000 description 3
- 101100245267 Caenorhabditis elegans pas-1 gene Proteins 0.000 description 3
- 101000605076 Homo sapiens Ligand-dependent nuclear receptor corepressor-like protein Proteins 0.000 description 3
- 102100038259 Ligand-dependent nuclear receptor corepressor-like protein Human genes 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000038 blue colorant Substances 0.000 description 3
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 3
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 101100446326 Caenorhabditis elegans fbxl-1 gene Proteins 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101710110702 Probable chorismate pyruvate-lyase 1 Proteins 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000040 green colorant Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 2
- 239000011146 organic particle Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 2
- 239000001062 red colorant Substances 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium(II) oxide Chemical compound [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100353517 Caenorhabditis elegans pas-2 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100084503 Caenorhabditis elegans pas-3 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100137857 Caenorhabditis elegans pas-4 gene Proteins 0.000 description 1
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N Oxozirconium Chemical compound [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N butyl prop-2-enoate;methyl 2-methylprop-2-enoate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.COC(=O)C(C)=C.CCCCOC(=O)C=C QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N gallium tin Chemical compound [Ga].[Sn] YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 hafnium nitride Chemical class 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N indium;oxozinc;tin Chemical compound [In].[Sn].[Zn]=O HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000113 methacrylic resin Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N oxotin;zinc Chemical compound [Zn].[Sn]=O KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920001195 polyisoprene Polymers 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N zirconium nitride Chemical compound [Zr]#N ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H01L33/24—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate of the light emitting region, e.g. non-planar junction
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- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
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- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
- H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
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Abstract
本公开涉及显示装置,该显示装置包括:第一衬底,包括显示区域和非显示区域;子像素,包括在第一衬底上的发光元件;第一堤部,围绕子像素;颜色控制构件,在子像素的发光元件上被第一堤部围绕;滤色器层,在颜色控制构件上;第二堤部,与第一堤部间隔开并围绕显示区域;以及颜色坝,在第二堤部上。颜色坝包括在显示区域的第一侧上在第二堤部的第一部分上的第一颜色坝和在显示区域的与显示区域的第一侧相对的第二侧上在第二堤部的第二部分上的第二颜色坝,并且第一颜色坝和第二颜色坝包括不同的材料。
Description
技术领域
本公开的实施方式涉及显示装置。
背景技术
随着多媒体的发展,显示装置的重要性增加。因此,诸如有机发光显示器(OLED)和液晶显示器(LCD)的各种类型的显示装置已经在各种领域中使用。
存在包括发光元件的自发光显示装置,作为用于显示显示装置的图像的装置。自发光显示装置的发光元件可以包括由作为发光材料的有机材料形成的有机发光显示装置、由作为发光材料的无机材料形成的无机发光显示装置等。
发明内容
本公开的实施方式提供显示装置,其包括能够阻挡有机材料溢出到显示装置的不希望的区域中的结构(例如,坝)。
然而,本公开的实施方式不限于本文中阐述的实施方式。通过参考下面给出的本公开的详细描述,以上和其它实施方式对于本公开所属领域中的普通技术人员将变得更加显而易见。
根据实施方式的显示装置可以包括设置在非显示区域中的多个颜色坝作为设置在显示区域的外部分处的结构。颜色坝可以包括与显示装置的滤色器层中的任一个相同的材料,但是设置在不同外部分处的颜色坝可以包括不同的材料。在显示装置中,不同的颜色坝可以分别在形成不同滤色器层的工艺中与不同的滤色器层一起形成,并且在显示装置中,可以通过增加少量的工艺来防止有机材料的溢出。
本公开的效果不限于上述效果,并且各种其它效果包括在说明书中。
根据本公开的实施方式,显示装置可以包括:第一衬底,包括显示区域和围绕显示区域的非显示区域;多个子像素,包括在显示区域中设置在第一衬底上的多个发光元件;第一堤部,在显示区域中围绕子像素;多个颜色控制构件,在多个子像素的发光元件上设置在被第一堤部围绕的区域中;多个滤色器层,设置在颜色控制构件上;第二堤部,在非显示区域中与第一堤部间隔开并且围绕显示区域;以及多个颜色坝,设置在第二堤部上,其中,多个颜色坝可以包括:第一颜色坝,设置在第二堤部的第一部分上、第二堤部的第一部分设置在显示区域的第一侧上;以及第二颜色坝,设置在第二堤部的第二部分上,第二堤部的第二部分设置在显示区域的与显示区域的第一侧相对的第二侧上,并且第一颜色坝和第二颜色坝包括不同的材料。
子像素可以包括第一子像素和在一方向上与第一子像素间隔开的第二子像素,颜色控制构件可以包括设置在第一子像素中的第一波长转换层和设置在第二子像素中的透光层,以及多个滤色器层可以包括设置在第一波长转换层上的第一滤色器层和设置在透光层上的第二滤色器层。
第一颜色坝和第二颜色坝可以在所述一方向上彼此间隔开,显示区域可以设置在第一颜色坝和第二颜色坝之间,并且第一颜色坝和第一滤色器层可以包括相同的材料,并且第二颜色坝和第二滤色器层可以包括相同的材料,多个子像素还可以包括设置在第一子像素和第二子像素之间的第三子像素,颜色控制构件还可以包括设置在第三子像素中的第二波长转换层,并且多个滤色器层还可以包括设置在第二波长转换层上的第三滤色器层,显示装置还可以包括设置在第一颜色坝上的第三颜色坝,并且第三颜色坝和第三滤色器层可以包括相同的材料。
第三颜色坝的宽度可以大于第一颜色坝的宽度,并且第一颜色坝的外表面可以被第三颜色坝覆盖。
显示装置还可以包括与第一堤部重叠的多个颜色图案,其中,颜色图案可以包括:第一颜色图案,第一颜色图案和第一滤色器层包括相同的材料;第二颜色图案,第二颜色图案和第二滤色器层包括相同的材料;以及第三颜色图案,第三颜色图案和第三滤色器层包括相同的材料,并且第一颜色图案可以与第二滤色器层和第三滤色器层中的每个重叠。
第一颜色坝和第二颜色坝可以在所述一方向上彼此间隔开,显示区域可以设置在第一颜色坝和第二颜色坝之间,并且第一颜色坝和第二滤色器层可以包括相同的材料,并且第二颜色坝和第一滤色器层可以包括相同的材料。
显示装置还可以包括:第一封盖层,设置在颜色控制构件、第一堤部和第二堤部上;低折射层,设置在第一封盖层上;以及第二封盖层,设置在低折射层上,其中,第一颜色坝和第二颜色坝可以设置在第二封盖层上。
显示装置还可以包括设置在第二封盖层和多个滤色器层之间的平坦化层,其中,第一颜色坝和第二颜色坝中的每个可以第二堤部上直接设置在平坦化层上,显示装置还可以包括设置在平坦化层上并且与第一堤部重叠的光阻挡构件、以及设置在光阻挡构件和多个滤色器层上的外涂层。
显示装置还可以包括:过孔层,在第一衬底上设置在显示区域和非显示区域中;第三堤部,设置在过孔层上,在非显示区域中与第二堤部间隔开并围绕第二堤部;以及第一谷部,在非显示区域中设置在第一堤部和第二堤部之间并穿透过孔层,多个第一颜色坝可以分别设置在第二堤部和第三堤部的设置在显示区域的第一侧上的部分上,以及多个第二颜色坝可以分别设置在第二堤部和第三堤部的设置在显示区域的第二侧上的部分上。
第一堤部和第二堤部中的每个可以包括基础层和设置在基础层上的上层,并且上层具有比基础层大的宽度。
附图说明
通过参考附图详细描述本公开的实施方式,本公开的以上和其它方面和特征将变得更加显而易见。
图1是根据实施方式的显示装置的示意性平面图。
图2是示出根据实施方式的显示装置的一个像素的示意性平面图。
图3是沿着图2的线N1-N1'截取的示意性剖视图。
图4是沿着图2的线N2-N2'截取的示意性剖视图。
图5是根据实施方式的发光元件的示意图。
图6是根据实施方式的显示装置的示意性剖视图。
图7是示出根据实施方式的设置在显示装置的显示区域和非显示区域中的堤部的示意图。
图8是沿着图7的线A1-A1'截取的示意性剖视图。
图9是沿着图7的线A2-A2'截取的示意性剖视图。
图10是示出根据实施方式的显示装置的滤色器层和颜色坝的布置的示意图。
图11是示出根据实施方式的用于形成显示装置的第一滤色器层和第一颜色坝的掩模工艺的示意图。
图12是示出根据实施方式的用于形成显示装置的第二滤色器层的掩模工艺的示意图。
图13是示出根据实施方式的用于形成显示装置的第三滤色器层和第二颜色坝的掩模工艺的示意图。
图14是根据实施方式的显示装置的示意性剖视图。
图15是示出图14的显示装置的外部分的示意性剖视图。
图16是示出根据实施方式的显示装置的外部分的示意性剖视图。
图17是示出根据实施方式的显示装置的滤色器层和颜色坝的布置的示意图。
图18和图19是示出图17的显示装置的外部分的示意性剖视图。
图20是根据实施方式的显示装置的示意性剖视图。
图21是示出图20的显示装置的外部分的示意性剖视图。
图22和图23是示出根据实施方式的显示装置的外部分的示意性剖视图。
图24是示出根据实施方式的显示装置的一个子像素的示意性平面图。
图25是沿着图24的线N3-N3'截取的示意性剖视图。
图26是沿着图24的线N4-N4'截取的示意性剖视图。
图27是示出根据实施方式的显示装置的一个子像素的示意性平面图。
图28是沿着图27的线N5-N5'截取的示意性剖视图。
图29是沿着图27的线N6-N6'截取的示意性剖视图。
图30是沿着图27的线N7-N7'截取的示意性剖视图。
图31是根据实施方式的显示装置的示意性剖视图。
图32是示出图31的显示装置的外部分的示意性剖视图。
图33是示出根据实施方式的显示装置的外部分的示意性剖视图。
具体实施方式
在以下描述中,出于解释的目的,阐述了许多具体细节,以便提供对本发明的各种实施方式或实施例的透彻理解。如本文中所使用的,“实施方式”和“实施例”是可互换的词,它们是本文中公开的装置或方法的非限制性示例。然而,显而易见的是,可以在没有这些具体细节或具有一个或多个等效布置的情况下实践各种实施方式。这里,各种实施方式不必是排他性的,也不限制本公开。例如,一实施方式的特定形状、配置和特性可以在另一实施方式中使用或实现。
除非另外说明,否则所说明的实施方式将被理解为提供本发明的特征。因此,除非另外说明,否则各种实施方式的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(下文中单独或统称为“元件”)可以另外组合、分离、互换和/或重新布置,而不背离本发明构思。
在附图中通常提供交叉影线和/或阴影的使用来澄清相邻元件之间的边界。因此,存在或不存在交叉影线或阴影都不传达或指示对特定材料、材料性质、尺寸、比例、所示元件之间的共性和/或元件的任何其它特性、属性、性质等的任何偏好或要求,除非有说明。此外,在附图中,为了清楚和/或描述的目的,可以夸大元件的尺寸和相对尺寸。当实施方式可以不同地实现时,特定工艺顺序可以与所描述的顺序不同地执行。例如,两个连续描述的工艺可以基本上同时执行,或者以与所描述的顺序相反的顺序执行。此外,相同的附图标记表示相同的元件。
当元件或层被称为在另一元件或层“上”、“连接到”或“联接到”另一元件或层时,它可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接联接到所述另一元件或层,或者可以存在居间元件或层。然而,当元件或层被称为“直接”在另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接联接到”另一元件或层时,不存在居间元件或层。为此,术语“连接”可以指具有或不具有中间元件的物理连接、电连接和/或流体连接。此外,DR1轴、DR2轴和DR3轴不限于直角坐标系的三个轴,并且可以以更广泛的意义进行解释。例如,DR1轴、DR2轴和DR3轴可以彼此垂直,或者可以表示彼此不垂直的不同方向。为了本公开的目的,“X、Y和Z中的至少一个”和“选自由X、Y和Z组成的组中的至少一个”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z、或X、Y和Z中的两个或更多个的任何组合,诸如例如XYZ、XYY、YZ和ZZ。如本文中所使用的,术语“和/或”包括相关联的所列项中的一个或多个的任何和所有组合。
尽管本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种类型的元件,但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。因此,下面讨论的第一元件可以被称为第二元件,而不背离本公开的教导。
出于描述的目的,本文中可以使用诸如“下面”、“下方”、“之下”、“下部”、“上方”、“上部”、“之上”、“较高”、“侧”(例如,如在“侧壁”中)等的空间相对术语,并且从而描述如附图中所示的一个元件与另一(多个)元件的关系。除了在附图中描绘的定向之外,空间相对术语旨在还包括设备在使用、操作和/或制造中的不同定向。例如,如果在附图中的设备被翻转,则被描述为在其它元件或特征“下方”或“下面”的元件将随之定向在其它元件或特征“上方”。因此,术语“下方”可以包括上方和下方的定向两者。此外,设备可以以其它方式定向(例如,旋转90度或处于其它定向),并且如此,相应地解释本文中使用的空间相对描述语。
本文中使用的术语用于描述特定实施方式的目的,而不是旨在进行限制。如本文中所使用的,单数形式“一个”、“一种”和“该”旨在也包括复数形式,除非上下文另外清楚地指示。此外,当在本说明书中使用时,术语“包括”、“包括有”、“包含”和/或“包含有”指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组的存在,但不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组的存在或添加。还要注意,如本文中所使用的,术语“基本上”、“约”和其它类似术语用作近似术语,而不用作程度术语,并且因此,用于解释本领域中普通技术人员将认识到的测量值、计算值和/或提供值的固有偏差。
本文中参考作为实施方式和/或中间结构的示意图的剖视图和/或分解图来描述各种实施方式。这样,将预期到由于例如制造技术和/或公差而导致的图示的形状的变化。因此,本文中公开的实施方式不应被必然地解释为限于具体示出的区域的形状,而是包括由例如制造导致的形状的偏差。以这种方式,附图中所示的区域本质上可以是示意性的,并且这些区域的形状可以不反映装置的区域的实际形状,并且因此,不是必然地旨在进行限制。
在下文中,将参考附图描述实施方式。
图1是根据实施方式的显示装置的示意性平面图。
参考图1,显示装置10可以显示移动图像或静止图像。显示装置10可以指提供显示屏的所有电子装置。例如,提供显示屏的电视、膝上型计算机、监视器、广告牌、物联网(IoT)装置、移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、电子手表、智能手表、手表电话、头戴式显示器、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航装置、游戏机、数码相机、可携式摄像机等可以包括在显示装置10中。
显示装置10可以包括具有显示屏的显示面板。显示面板的示例可以包括无机发光二极管显示面板、有机发光显示面板、量子点发光显示面板、等离子体显示面板、场发射显示面板等。下文中,将描述将无机发光二极管显示面板用作显示面板的示例的情况,但实施方式不限于此,并且实施方式可以应用于其它显示面板。
显示装置10的形状可以进行各种修改。例如,显示装置10可以具有诸如宽度大于长度的矩形形状、长度大于宽度的矩形形状、正方形形状、具有圆角(例如,顶点)的矩形形状、其它多边形形状或圆形形状的形状。例如,显示装置10的显示区域DPA可以具有与显示装置10的整体形状相似的形状。在图1中,示出了具有矩形形状的显示装置10,该矩形形状在第二方向DR2上具有长的长度。
显示装置10可以包括显示区域DPA和非显示区域NDA。显示区域DPA是其中可以显示图像的区域,以及非显示区域NDA是其中不显示图像的区域。显示区域DPA也可以被称为有效区域,以及非显示区域NDA也可以被称为非有效区域。显示区域DPA可以基本上占据或覆盖显示装置10的中心。
显示区域DPA可以包括像素PX。像素PX可以布置成矩阵形式。在平面图中,每个像素PX的形状可以是矩形形状或正方形形状,但不限于此,并且还可以是其每侧相对于一方向倾斜的菱形形状。相应像素PX可以交替地布置成条型或岛型。例如,像素PX中的每个可以包括一个或多个发光元件,其发射与特定颜色对应的特定波长带的光。
非显示区域NDA可以设置在显示区域DPA周围。非显示区域NDA可以完全或部分地围绕显示区域DPA。显示区域DPA可以具有矩形形状,并且非显示区域NDA可以邻近显示区域DPA的四侧设置。非显示区域NDA可以构成显示装置10的边框。包括在显示装置10中的线或电路驱动器可以设置在非显示区域NDA中,并且外部装置可以安装在非显示区域NDA中。
图2是示出根据实施方式的显示装置的代表性像素的示意性平面图。图2以平面图示出了设置在显示装置10的像素PX中的电极RME(例如,RME1和RME2)、堤部图案BP1和BP2、下堤部层LBN、发光元件ED和连接电极CNE(例如,CNE1和CNE2)的布局。
参考图2,显示装置10的像素PX中的每个可以包括子像素SPXn(其中,n为诸如1、2、3…的正整数)。例如,像素PX可以包括第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3。第一子像素SPX1可以发射第一颜色的光,第二子像素SPX2可以发射第二颜色的光,并且第三子像素SPX3可以发射第三颜色的光。作为示例,第一颜色可以是红色(在附图中由“R”表示),第二颜色可以是绿色(在附图中由“G”表示),第三颜色可以是蓝色(在附图中由“B”表示)。然而,实施方式不限于此,并且相应子像素SPXn也可以发射相同颜色的光。在实施方式中,相应子像素SPXn可以发射蓝光。图2示出了像素PX包括三个子像素SPXn,但实施方式不限于此,并且像素PX可以包括更大数量的子像素SPXn。
显示装置10的子像素SPXn中的每个可以包括发射区域EMA和非发射区域。发射区域EMA可以是其中发光元件ED发射特定波长带的光的区域。非发射区域可以是其中不设置发光元件ED的区域。例如,从发光元件ED发射的光可以在非发射区域中被阻挡或吸收,使得光可以不从非发射区域发射。
发射区域EMA可以包括其中设置有发光元件ED的区域和与发光元件ED相邻的区域。例如,从发光元件ED发射的光可以在发射区域EMA中发射。例如,发射区域EMA也可以包括其中从发光元件ED发射的光被其它构件反射或折射以被发射的区域。发光元件ED可以设置在每个子像素SPXn中,并且发射区域EMA形成为包括其中设置有发光元件ED的区域和与发光元件ED相邻的区域。
图2示出了相应子像素SPXn的发射区域EMA具有基本上均匀的面积,但是实施方式不限于此。在一些实施方式中,相应子像素SPXn的相应发射区域EMA也可以根据从设置在相应子像素SPXn中的发光元件ED发射的光的颜色或波长带而具有不同的面积。
每个子像素SPXn还可以包括设置在非发射区域中的子区域SA。每个子像素SPXn的子区域SA可以设置在发射区域EMA的下侧上,发射区域EMA的下侧是发射区域EMA在第一方向DR1上的另一侧。发射区域EMA和子区域SA可以沿着第一方向DR1交替布置,并且子区域SA可以设置于在第一方向DR1上彼此间隔开的不同子像素SPXn的发射区域EMA之间。例如,发射区域EMA和子区域SA可以在第一方向DR1上交替布置,并且发射区域EMA和子区域SA中的每个可以在第二方向DR2上重复布置。然而,实施方式不限于此,并且像素PX的发射区域EMA和子区域SA也可以具有与图2的布置(例如,图案)不同的布置(例如,图案)。
因为发光元件ED不设置在子区域SA中,所以可以不在子区域SA中发射光,但是设置在子像素SPXn中的每个中的电极RME的部分可以设置在子区域SA中。设置在不同子像素SPXn中的电极RME可以在子区域SA的分离部分ROP中彼此分离。
电路层的电路元件和线可以分别连接(例如,电连接)到第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3。然而,线和电路元件可以不设置成与由每个子像素SPXn或发射区域EMA占据的区域对应,而是可以设置成与一个像素PX内的发射区域EMA的位置无关。
下堤部层LBN可以围绕子像素SPXn和发射区域EMA以及子区域SA。下堤部层LBN可以设置于在第一方向DR1和第二方向DR2上彼此相邻的子像素SPXn之间的边界处,并且也可以设置在发射区域EMA和子区域SA之间的边界处。显示装置10的子像素SPXn、发射区域EMA和子区域SA可以是由下堤部层LBN的布置划分的区域。子像素SPXn、发射区域EMA和子区域SA之间的间隔(或间隙)可以根据下堤部层LBN的宽度而变化。
通过包括在平面图中在第一方向DR1和第二方向DR2上延伸的部分,下堤部层LBN可以在整个显示区域DPA中设置成格状图案。下堤部层LBN可以设置成横跨相应子像素SPXn之间的边界,以划分相邻的(例如,邻近的)子像素SPXn。例如,下堤部层LBN可以围绕针对每个子像素SPXn设置的发射区域EMA和子区域SA,以划分发射区域EMA和子区域SA。
图3是沿着图2的线N1-N1'截取的示意性剖视图。图4是沿着图2的线N2-N2'截取的示意性剖视图。图3示出了横跨设置在第一子像素SPX1中的发光元件ED的两端(例如,第一端和第二端或相对端)以及电极接触孔CTD和CTS的剖面,以及图4示出了横跨设置在第一子像素SPX1中的发光元件ED的两端(例如,第一端和第二端或相对端)以及接触部分CT1和CT2的剖面。
结合图2参考图3和图4,显示装置10可以包括第一衬底SUB、以及设置在第一衬底SUB上的半导体层、导电层和绝缘层。半导体层、导电层和绝缘层可以分别构成显示装置10的电路层和显示元件层。
第一衬底SUB可以是绝缘衬底。第一衬底SUB可以由诸如玻璃、石英或聚合物树脂的绝缘材料制成。例如,第一衬底SUB可以是刚性衬底,但也可以是可弯曲、可折叠或可卷曲的柔性衬底。第一衬底SUB可以包括显示区域DPA和围绕显示区域DPA的非显示区域NDA,并且显示区域DPA可以包括发射区域EMA和作为非发射区域的一部分的子区域SA。
第一导电层可以设置在第一衬底SUB上。第一导电层可以包括下部金属层BML,并且下部金属层BML可以与第一晶体管T1的第一有源层ACT1重叠。下部金属层BML可以防止光入射到第一晶体管T1的第一有源层ACT1上,或者可以连接到(例如,电连接到)第一有源层ACT1以用于(或作用于)稳定第一晶体管T1的电特性。然而,可以省略下部金属层BML。
缓冲层BL可以设置在下部金属层BML和第一衬底SUB上。缓冲层BL可以形成在第一衬底SUB上,以便保护像素PX的晶体管免受渗透通过第一衬底SUB(易受湿气渗透)的湿气的影响,并且可以执行表面平坦化功能。
半导体层可以设置在缓冲层BL上。半导体层可以包括第一晶体管T1的第一有源层ACT1和第二晶体管T2的第二有源层ACT2。第一有源层ACT1和第二有源层ACT2可以分别部分地(或完全地)与如下所述的第二导电层的第一栅电极G1和第二栅电极G2重叠。
半导体层可以包括单晶硅、氧化物半导体等。在实施方式中,半导体层可以包括多晶硅。氧化物半导体可以是包含铟(In)的氧化物半导体。例如,氧化物半导体可以是氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铟镓锡(IGTO)、氧化铟镓锌(IGZO)和氧化铟镓锌锡(IGZTO)中的至少一种。
在附图中,一个第一晶体管T1和一个第二晶体管T2被示出为设置在显示装置10的子像素SPXn中,但是实施方式不限于此,并且显示装置10可以包括更大数量的晶体管。
第一栅极绝缘层GI可以设置在半导体层和缓冲层BL上。第一栅极绝缘层GI可以用作(或作用为)晶体管T1和T2中的每个的栅极绝缘膜。
第二导电层可以设置在第一栅极绝缘层GI上。第二导电层可以包括第一晶体管T1的第一栅电极G1和第二晶体管T2的第二栅电极G2。第一栅电极G1可以在第三方向DR3(例如,厚度方向)上与第一有源层ACT1的沟道区域重叠,并且第二栅电极G2可以在第三方向DR3(例如,厚度方向)上与第二有源层ACT2的沟道区域重叠。例如,第二导电层还可以包括存储电容器的一个电极。
第一层间绝缘层IL1可以设置在第二导电层和第一栅极绝缘层GI上。第一层间绝缘层IL1可以用作第二导电层和设置在第一层间绝缘层IL1上的其它层之间的绝缘膜,并保护第二导电层。
第三导电层可以设置在第一层间绝缘层IL1上。第三导电层可以包括第一电压线VL1和第二电压线VL2、第一导电图案CDP1、以及设置在显示区域DPA中的相应晶体管T1和T2的源电极S1和S2以及漏电极D1和D2。例如,第三导电层还可以包括存储电容器的另一电极。
传递到第一电极RME1的高电势电压(例如,第一源极电压)可以被施加到第一电压线VL1,并且传递到第二电极RME2的低电势电压(例如,第二源极电压)可以被施加到第二电压线VL2。第一电压线VL1的一部分可以通过穿透第一层间绝缘层IL1和第一栅极绝缘层GI的接触孔与第一晶体管T1的第一有源层ACT1接触(例如,电接触)。第一电压线VL1可以用作(或作用为)第一晶体管T1的第一漏电极D1。第二电压线VL2可以连接到(例如,直接连接到)如下所述的第二电极RME2。
第一导电图案CDP1可以通过穿透第一层间绝缘层IL1和第一栅极绝缘层GI的接触孔与第一晶体管T1的第一有源层ACT1接触(例如,电接触)。第一导电图案CDP1可以通过另一接触孔与下部金属层BML接触(例如,电接触)。第一导电图案CDP1可以用作(或作用为)第一晶体管T1的第一源电极S1。例如,第一导电图案CDP1可以连接到(例如,电连接到)如下所述的第一电极RME1或第一连接电极CNE1。第一晶体管T1可以将从第一电压线VL1施加的第一源极电压传递到第一电极RME1或第一连接电极CNE1。
第二源电极S2和第二漏电极D2可以分别通过穿透第一层间绝缘层IL1和第一栅极绝缘层GI的接触孔与第二晶体管T2的第二有源层ACT2接触(例如,电接触)。
第一钝化层PV1可以设置在第三导电层和第一层间绝缘层IL1上。第一钝化层PV1可以用作第三导电层和其它层之间的绝缘膜并保护第三导电层。
上述缓冲层BL、第一栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层IL1和第一钝化层PV1中的每个可以形成为彼此交替堆叠的无机层。例如,缓冲层BL、第一栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层IL1和第一钝化层PV1中的每个可以形成为其中包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiOxNy)中的至少一个的无机层堆叠的双层或其中这些层彼此交替地堆叠的多层。然而,实施方式不限于此,缓冲层BL、第一栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层IL1和第一钝化层PV1中的每个也可以形成为包括上述绝缘材料的无机层。例如,在一些实施方式中,第一层间绝缘层IL1也可以由诸如聚酰亚胺(PI)的有机绝缘材料制成。
第二导电层和第三导电层中的每个可以形成为由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)及其合金中的任一种制成的单层或多层。然而,实施方式不限于此。
过孔层VIA可以在显示区域DPA中设置在第三导电层上。过孔层VIA可以包括有机绝缘材料,例如诸如聚酰亚胺(PI)的有机绝缘材料,以补偿由于下部导电层引起的台阶(例如,台阶高度差)并使上表面平坦。然而,在一些实施方式中,可以省略过孔层VIA。
堤部图案BP1和BP2、电极RME(例如,RME1和RME2)、下堤部层LBN、发光元件ED和连接电极CNE(例如,CNE1和CNE2)设置在过孔层VIA上作为显示元件层。例如,绝缘层PAS1、PAS2和PAS3可以设置在过孔层VIA上。
堤部图案BP1和BP2可以设置在每个子像素SPXn的发射区域EMA中。堤部图案BP1和BP2可以在第二方向DR2上具有宽度(例如,如预定的),并且可以具有其中它们在第一方向DR1上延伸的形状(例如,矩形形状)。
例如,堤部图案BP1和BP2可以包括在每个子像素SPXn的发射区域EMA内在第二方向DR2上彼此间隔开的第一堤部图案BP1和第二堤部图案BP2。第一堤部图案BP1可以设置在左侧上,该左侧是发射区域EMA在第二方向DR2上的中心的一侧,第二堤部图案BP2可以与第一堤部图案BP1间隔开并且设置在右侧上,该右侧是发射区域EMA在第二方向DR2上的中心的另一侧。第一堤部图案BP1和第二堤部图案BP2可以沿着第二方向DR2交替设置,并且在显示区域DPA中设置为岛状图案。发光元件ED可以设置在第一堤部图案BP1和第二堤部图案BP2之间。
第一堤部图案BP1和第二堤部图案BP2在第一方向DR1上的长度可以彼此相同,但是小于由下堤部层LBN围绕的发射区域EMA在第一方向DR1上的长度。第一堤部图案BP1和第二堤部图案BP2可以与下堤部层LBN的在第二方向DR2上延伸的一部分间隔开。然而,实施方式不限于此。例如,堤部图案BP1和BP2以及下堤部层LBN可以彼此集成。例如,堤部图案BP1和BP2可以部分地与下堤部层LBN的在第二方向DR2上延伸的一部分重叠。例如,堤部图案BP1和BP2在第一方向DR1上的长度可以等于或大于由下堤部层LBN围绕的发射区域EMA在第一方向DR1上的长度。
第一堤部图案BP1和第二堤部图案BP2可以在第二方向DR2上具有相同的宽度。然而,实施方式不限于此,并且第一堤部图案BP1和第二堤部图案BP2也可以具有不同的宽度。例如,任一个堤部图案可以具有比另一堤部图案大的宽度,并且具有更大宽度的堤部图案可以遍及在第二方向DR2上彼此相邻的其它子像素SPXn的发射区域EMA设置。例如,遍及发射区域EMA设置的堤部图案中的第二堤部图案BP2可以在厚度方向上与下堤部层LBN的在第一方向DR1上延伸的一部分重叠。在附图中,示出了对于每个子像素SPXn具有相同宽度的两个堤部图案BP1和BP2,但是实施方式不限于此。堤部图案BP1和BP2的数量和形状可以根据电极RME的数量或布置结构而变化。
堤部图案BP1和BP2可以设置在过孔层VIA上。例如,堤部图案BP1和BP2可以直接设置在过孔层VIA上,并且可以具有其中堤部图案BP1和BP2的至少部分基于过孔层VIA的上表面突出的结构。堤部图案BP1和BP2的突出部分可以具有倾斜的或曲化的侧表面,并且从发光元件ED发射的光可以被设置在堤部图案BP1和BP2上的电极RME反射,并且在过孔层VIA的向上方向上发射。与附图中所示的不同,堤部图案BP1和BP2在剖视图中可以具有包括曲化外表面的半圆形或半椭圆形形状。堤部图案BP1和BP2可以包括诸如聚酰亚胺(PI)的有机绝缘材料,但实施方式不限于此。
电极RME(例如,RME1和RME2)具有其中它们在一个方向上延伸的形状,并且设置成用于每个子像素SPXn。电极RME1和RME2可以在第一方向DR1上延伸,以设置在子像素SPXn的发射区域EMA和子区域SA中,并且可以在第二方向DR2上彼此间隔开。电极RME可以连接到(例如,电连接到)如下所述的发光元件ED,但是实施方式不限于此,并且可以不电连接到发光元件ED。
显示装置10可以包括设置在每个子像素SPXn中的第一电极RME1和第二电极RME2。第一电极RME1可以设置在发射区域EMA的中心的左侧上,并且第二电极RME2在第二方向DR2上与第一电极RME1间隔开并且设置在发射区域EMA的中心的右侧上。第一电极RME1可以设置在第一堤部图案BP1上,并且第二电极RME2可以设置在第二堤部图案BP2上。第一电极RME1和第二电极RME2可以超出下堤部层LBN部分地设置在相应的发射区域EMA和子区域SA中。不同子像素SPXn的第一电极RME1和第二电极RME2可以通过位于任一个子像素SPXn的子区域SA中的分离部分ROP彼此间隔开。
在附图中,两个电极RME被示出为针对每个子像素SPXn具有在第一方向DR1上延伸的形状,但是实施方式不限于此。例如,在显示装置10中,更大数量的电极RME可以设置在一个子像素SPXn中,或者电极RME可以具有其中它们部分地弯曲并且根据其位置具有不同的宽度的形状。
第一电极RME1和第二电极RME2可以分别设置在堤部图案BP1和BP2的至少倾斜侧表面上。在实施方式中,电极RME在第二方向DR2上的宽度可以小于堤部图案BP1和BP2在第二方向DR2上的宽度,并且在第二方向DR2上彼此间隔开的第一电极RME1和第二电极RME2之间的间隔(或间隙)可以小于堤部图案BP1和BP2之间的间隔(或间隙)。第一电极RME1和第二电极RME2的至少部分区域可以直接设置在过孔层VIA上,使得第一电极RME1和第二电极RME2可以设置在相同平面(例如,过孔层VIA的上表面或侧表面)上。
设置在堤部图案BP1和BP2之间的发光元件ED可以朝向其两端(例如,相对端)发射光。发射的光可以被引导到设置在堤部图案BP1和BP2上的电极RME。相应电极RME可以具有包括设置在堤部图案BP1和BP2上的部分并且反射从发光元件ED发射的光的结构。第一电极RME1和第二电极RME2可以覆盖堤部图案BP1和BP2的至少一个侧表面,以反射从发光元件ED发射的光。
在相应电极RME的例如在平面图中与发射区域EMA和子区域SA之间的下堤部层LBN重叠的部分处,相应电极RME可以通过电极接触孔CTD和CTS与第三导电层直接接触。第一电极接触孔CTD可以形成在其中下堤部层LBN和第一电极RME1彼此重叠的区域中,并且第二电极接触孔CTS可以形成在其中下堤部层LBN和第二电极RME2彼此重叠的区域中。第一电极RME1可以通过穿透过孔层VIA和第一钝化层PV1的第一电极接触孔CTD与第一导电图案CDP1接触(例如,电接触)。第二电极RME2可以通过穿透过孔层VIA和第一钝化层PV1的第二电极接触孔CTS与第二电压线VL2接触(例如,电接触)。第一电极RME1可以通过第一导电图案CDP1连接到(例如,电连接到)第一晶体管T1以接收施加到其的第一源极电压,并且第二电极RME2可以连接到(例如,电连接到)第二电压线VL2以接收施加到其的第二源极电压。然而,实施方式不限于此。在实施方式中,相应电极RME1和RME2可以不电连接到第三导电层的电压线VL1和VL2,并且如下所述的连接电极CNE可以连接到(例如,直接连接到)第三导电层。
电极RME可以包括具有高反射率的导电材料。例如,电极RME可以包括诸如银(Ag)、铜(Cu)或铝(Al)的金属,包括包含铝(Al)、镍(Ni)、镧(La)等的合金,或者具有其中由钛(Ti)、钼(Mo)和铌(Nb)制成的金属层与合金彼此堆叠的结构。在一些实施方式中,电极RME可以形成为其中包括铝(Al)的合金和由钛(Ti)、钼(Mo)和铌(Nb)制成的一个或多个金属层彼此堆叠的双层或多层。
实施方式不限于此,并且电极RME中的每个还可以包括透明导电材料。例如,电极RME中的每个可以包括诸如ITO、IZO或ITZO的材料。在一些实施方式中,电极RME中的每个可以具有其中由透明导电材料制成的一个或多个层和由具有高反射率的金属制成的一个或多个层堆叠的结构,或者可以形成为包括透明导电材料和具有高反射率的金属的单层。例如,电极RME中的每个可以具有堆叠结构,诸如ITO/Ag/ITO、ITO/Ag/IZO、或ITO/Ag/ITZO/IZO。电极RME可以在第一衬底SUB的向上方向上反射从发光元件ED发射的光中的一些部分,并且连接到(例如,电连接到)发光元件ED。
第一绝缘层PAS1可以设置在整个显示区域DPA中,并且可以设置在过孔层VIA和电极RME上。第一绝缘层PAS1可以使不同的电极RME彼此绝缘,并且保护电极RME。例如,第一绝缘层PAS1可以在形成下堤部层LBN之前覆盖电极RME,并且因此可以防止电极RME在形成下堤部层LBN的工艺中被损坏。例如,第一绝缘层PAS1可以防止设置在第一绝缘层PAS1上的发光元件ED与其它构件直接接触并被其它构件损坏。
在实施方式中,第一绝缘层PAS1可以具有台阶(例如,凹陷部分),使得其上表面的一部分在于第二方向DR2上彼此间隔开的电极RME之间凹陷。发光元件ED可以设置在第一绝缘层PAS1的其中形成有台阶(例如,凹陷部分)的上表面上,并且可以在发光元件ED和第一绝缘层PAS1之间形成空间。
下堤部层LBN可以设置在第一绝缘层PAS1上。下堤部层LBN可以包括在第一方向DR1和第二方向DR2上延伸的部分,并围绕子像素SPXn中的每个。下堤部层LBN可以划分每个子像素SPXn的发射区域EMA和子区域SA,并且围绕每个子像素SPXn的发射区域EMA和子区域SA,以及可以划分显示区域DPA和非显示区域NDA,并且围绕显示区域DPA的最外部分。下堤部层LBN可以基本上全部(或部分地)设置在显示区域DPA中以形成格状图案,并且由下堤部层LBN在显示区域DPA中打开的区域可以是发射区域EMA和子区域SA。
下堤部层LBN可以具有类似于堤部图案BP1和BP2的高度(例如,如预定的)。在一些实施方式中,下堤部层LBN的上表面的高度可以大于堤部图案BP1和BP2的上表面的高度,并且下堤部层LBN例如在第三方向DR3上的厚度可以等于或大于堤部图案BP1和BP2的厚度。下堤部层LBN可以防止油墨在制造显示装置10的工艺中的喷墨印刷工艺中溢出到相邻的子像素SPXn中。下堤部层LBN可以包括诸如聚酰亚胺类的有机绝缘材料,其被包括在堤部图案BP1和BP2中。
发光元件ED可以设置在发射区域EMA中。发光元件ED可以在第二方向DR2上设置在堤部图案BP1和BP2之间。发光元件ED可以布置成在第一方向DR1上彼此间隔开。在实施方式中,发光元件ED可以具有在一方向上延伸的形状,并且具有各自设置在不同电极RME(例如,RME1和RME2)上的两端。发光元件ED的长度可以大于在第二方向DR2上彼此间隔开的电极RME之间的间隔(或间隙)。发光元件ED可以布置成使得发光元件ED的延伸方向基本上垂直于电极RME沿其延伸的第一方向DR1。然而,实施方式不限于此。例如,发光元件ED可以设置成使得发光元件ED的延伸方向为第二方向DR2或相对于第二方向DR2倾斜的方向。
发光元件ED可以设置在第一绝缘层PAS1上。发光元件ED可以具有在一方向上延伸的形状,并且可以设置成使得延伸方向基本上平行于第一衬底SUB的上表面。如下所述,发光元件ED可以包括沿着其延伸的方向设置的半导体层,并且半导体层可以沿着基本上平行于第一衬底SUB的上表面的方向顺序地设置。然而,实施方式不限于此,并且在发光元件ED具有另一结构的情况下,半导体层也可以设置在垂直于第一衬底SUB的上表面的方向上。
设置在每个子像素SPXn中的发光元件ED可以根据上述半导体层的材料而发射不同波长带的光。然而,实施方式不限于此,并且设置在每个子像素SPXn中的发光元件ED可以包括由相同材料制成的半导体层,以发射相同颜色的光。
发光元件ED可以与连接电极CNE(例如,CNE1和CNE2)接触(例如,电接触)以连接到(例如,电连接到)电极RME和过孔层VIA下方的导电层,并且可以接收施加到其的电信号以发射特定波长带的光。
第二绝缘层PAS2可以设置在发光元件ED、第一绝缘层PAS1和下堤部层LBN上。第二绝缘层PAS2可以包括在堤部图案BP1和BP2之间在第一方向DR1上延伸并设置在发光元件ED上的图案部分。图案部分可以部分地(或完全地)围绕发光元件ED的外表面,并且可以不覆盖发光元件ED的两侧或两端。图案部分可以在平面图中在每个子像素SPXn中形成线性或岛状图案。在制造显示装置10的工艺中,第二绝缘层PAS2的图案部分可以固定或支承发光元件ED,并且保护发光元件ED。例如,第二绝缘层PAS2可以填充发光元件ED与发光元件ED下方的第一绝缘层PAS1之间的空间。例如,第二绝缘层PAS2的一部分可以设置在下堤部层LBN上和子区域SA中。
连接电极CNE(例如,CNE1和CNE2)可以设置在电极RME和堤部图案BP1和BP2上。连接电极CNE可以各自具有在一方向上延伸的形状,并且可以彼此间隔开。连接电极CNE中的每个可以与发光元件ED接触(例如,电接触),并且连接到(例如,电连接到)第三导电层。
连接电极CNE可以包括设置在每个子像素SPXn中的第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2。第一连接电极CNE1可以具有在第一方向DR1上延伸的形状,并且可以设置在第一电极RME1或第一堤部图案BP1上。第一连接电极CNE1可以部分地与第一电极RME1重叠,并且可以超出下堤部层LBN从发射区域EMA设置到子区域SA。第二连接电极CNE2可以具有在第一方向DR1上延伸的形状,并且可以设置在第二电极RME2或第二堤部图案BP2上。第二连接电极CNE2可以部分地与第二电极RME2重叠,并且可以超出下堤部层LBN从发射区域EMA设置到子区域SA。第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2可以分别与发光元件ED接触(例如,电接触),并且可以连接到(例如,电连接到)电极RME或电极RME下方的导电层。
例如,第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2可以分别设置在第二绝缘层PAS2的侧表面上,并且可以与发光元件ED接触(例如,电接触)。第一连接电极CNE1可以部分地与第一电极RME1重叠,并且可以与发光元件ED的一端接触(例如,电接触)。第二连接电极CNE2可以部分地与第二电极RME2重叠,并且可以与发光元件ED的另一端接触(例如,电接触)。连接电极CNE遍及发射区域EMA和子区域SA设置。连接电极CNE可以在其设置在发射区域EMA中的部分处与发光元件ED接触(例如,电接触),并且可以在其设置在子区域SA中的部分处连接到(例如,电连接到)第三导电层。
根据实施方式,在显示装置10中,相应连接电极CNE可以通过设置在子区域SA中的接触部分CT1和CT2与电极RME接触(例如,电接触)。第一连接电极CNE1可以通过在子区域SA中穿透第一绝缘层PAS1、第二绝缘层PAS2和第三绝缘层PAS3的第一接触部分CT1与第一电极RME1接触(例如,电接触)。第二连接电极CNE2可以通过在子区域SA中穿透第一绝缘层PAS1和第二绝缘层PAS2的第二接触部分CT2与第二电极RME2接触(例如,电接触)。相应连接电极CNE可以通过相应电极RME连接到(例如,电连接到)第三导电层。第一连接电极CNE1可以连接到(例如,电连接到)第一晶体管T1以接收施加到其的第一源极电压,并且第二连接电极CNE2可以连接到(例如,电连接到)第二电压线VL2以接收施加到其的第二源极电压。相应连接电极CNE可以在发射区域EMA中与发光元件ED接触(例如,电接触),以将源极电压传递到发光元件ED。
然而,实施方式不限于此。在一些实施方式中,连接电极CNE可以与第三导电层直接接触,或者可以通过其它图案而不是电极RME连接到(例如,电连接到)第三导电层。
连接电极CNE可以包括导电材料。例如,连接电极CNE可以包括ITO、IZO、ITZO、铝(Al)等。作为示例,连接电极CNE可以包括透明导电材料,并且从发光元件ED发射的光可以透射通过连接电极CNE并发射。
第三绝缘层PAS3可以设置在第二连接电极CNE2和第二绝缘层PAS2上。第三绝缘层PAS3可以完全设置在第二绝缘层PAS2上以覆盖第二连接电极CNE2,并且第一连接电极CNE1可以设置在第三绝缘层PAS3上。除了其中设置有第一连接电极CNE1的区域之外,第三绝缘层PAS3可以完全设置在过孔层VIA上。第三绝缘层PAS3可以使第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2彼此绝缘,使得第一连接电极CNE1不与第二连接电极CNE2直接接触。
例如,另一绝缘层还可以设置在第三绝缘层PAS3和第一连接电极CNE1上。这种绝缘层可以用于(或作用于)保护设置在第一衬底SUB上的部件免受外部环境的影响。
上述第一绝缘层PAS1、第二绝缘层PAS2和第三绝缘层PAS3中的每个可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。作为示例,第一绝缘层PAS1、第二绝缘层PAS2和第三绝缘层PAS3中的每个可以包括无机绝缘材料,或者第一绝缘层PAS1和第三绝缘层PAS3可以包括无机绝缘材料,但是第二绝缘层PAS2可以包括有机绝缘材料。第一绝缘层PAS1、第二绝缘层PAS2和第三绝缘层PAS3中的每个或至少一个可以形成为其中绝缘层交替地或重复地彼此堆叠的结构。在实施方式中,第一绝缘层PAS1、第二绝缘层PAS2和第三绝缘层PAS3中的每个可以由氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiOxNy)中的任一种制成。所有的第一绝缘层PAS1、第二绝缘层PAS2和第三绝缘层PAS3可以由相同的材料制成,或者第一绝缘层PAS1、第二绝缘层PAS2和第三绝缘层PAS3中的一些可以由相同的材料制成,而其它的可以由不同的材料制成,或者所有的第一绝缘层PAS1、第二绝缘层PAS2和第三绝缘层PAS3可以由不同的材料制成。
图5是根据实施方式的发光元件的示意图。
参考图5,发光元件ED可以是发光二极管。具体地,发光元件ED可以是具有纳米至微米级的尺寸并且由无机材料制成的无机发光二极管。发光元件ED可以在两个电极之间对准,在这两个电极中,在彼此面对的所述两个电极之间在特定方向上形成电场的情况下形成极性。
根据实施方式的发光元件ED可以具有在一方向上延伸的形状。发光元件ED可以具有诸如圆柱形形状、杆形状、线形状或管形状的形状。然而,发光元件ED不限于具有上述形状,并且可以具有各种形状。例如,发光元件ED可以具有诸如立方体形状、矩形平行六面体形状或六边形棱柱形状的多边形棱柱形状,或者具有在一方向上延伸但具有部分倾斜的外表面的形状。
发光元件ED可以包括掺杂有任何导电类型(例如,p型或n型)掺杂剂的半导体层。发光元件ED可以接收从外部电源施加的电信号以发射特定波长带的光。发光元件ED可以包括第一半导体层31、第二半导体层32、发光层36、电极层37和绝缘膜38。
第一半导体层31可以是n型半导体。第一半导体层31可以包括化学式为AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1、0≤y≤1且0≤x+y≤1)的半导体材料。例如,第一半导体层31的半导体材料可以是掺杂有n型掺杂剂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的一种或多种。在第一半导体层31中掺杂的n型掺杂剂可以是Si、Ge、Sn等。
第二半导体层32可以设置在第一半导体层31上,并且发光层36插置在它们之间。第二半导体层32可以是p型半导体,并且可以包括化学式为AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1、0≤y≤1和0≤x+y≤1)的半导体材料。例如,第二半导体层32的半导体材料可以是掺杂有p型掺杂剂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的一种或多种。在第二半导体层32中掺杂的p型掺杂剂可以是Mg、Zn、Ca、Ba等。
图5示出了第一半导体层31和第二半导体层32中的每个配置为单层,但实施方式不限于此。根据发光层36的材料,第一半导体层31和第二半导体层32中的每个还可以包括更大数量的层,例如包覆层或拉伸应变势垒减小(TSBR)层。例如,发光元件ED还可以包括设置在第一半导体层31和发光层36之间或设置在第二半导体层32和发光层36之间的另一半导体层。设置在第一半导体层31和发光层36之间的半导体层可以由掺杂有n型掺杂剂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的一种或多种制成,并且设置在第二半导体层32和发光层36之间的半导体层可以由掺杂有p型掺杂剂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的一种或多种制成。
发光层36可以设置在第一半导体层31和第二半导体层32之间。发光层36可以包括具有单量子阱结构或多量子阱结构的材料。在发光层36包括具有多量子阱结构的材料的情况下,发光层36可以具有其中势垒层和阱层彼此交替堆叠的结构。根据通过第一半导体层31和第二半导体层32施加的电信号,发光层36可以通过电子-空穴对的结合而发射光。发光层36可以包括诸如AlGaN、AlGaInN或InGaN的材料。在发光层36具有多量子阱结构(例如,其中势垒层和阱层彼此交替堆叠的结构)的情况下,势垒层可以包括诸如AlGaN或AlGaInN的材料,并且阱层可以包括诸如GaN、InGaN或AlInN的材料。
发光层36可以具有其中具有大能带隙的半导体材料和具有小能带隙的半导体材料彼此交替堆叠的结构,并且根据发射光的波长带可以包括其它III族至V族半导体材料。由发光层36发射的光不限于蓝色波长带的光,并且在一些情况下,发光层36也可以发射红色波长带和绿色波长带的光。
电极层37可以是欧姆连接电极。然而,实施方式不限于此,并且电极层37也可以是肖特基连接电极。发光元件ED可以包括至少一个电极层37。发光元件ED可以包括一个或多个电极层37,但是实施方式不限于此,并且也可以省略电极层37。
在发光元件ED连接到(例如,电连接到)显示装置10中的电极或连接电极的情况下,电极层37可以减小发光元件ED与电极或连接电极之间的电阻。电极层37可以包括具有导电性的金属或透明导电材料。电极层37可以包括铝(Al)、钛(Ti)、铟(In)、金(Au)、银(Ag)、ITO、IZO和ITZO中的至少一种。
绝缘膜38可以围绕上述半导体层31和32、发光层36和电极层37的外表面。例如,绝缘膜38可以至少围绕发光层36的外表面,但是可以形成为暴露发光元件ED在长度方向上的两端。例如,绝缘膜38也可以包括在剖面中为圆形并邻近发光元件ED的至少一端的上表面。
绝缘膜38可以包括具有绝缘特性的材料,诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氮化铝(AlNx)和氧化铝(AlxOy)。图5示出了绝缘膜38形成为单层,但实施方式不限于此,并且在一些实施方式中,绝缘膜38也可以形成为其中层彼此堆叠的多层结构。
绝缘膜38可以用于(或作用于)保护发光元件ED的半导体层31和32、发光层36和电极层37。绝缘膜38可以防止在发光层36与电信号通过其传递到发光元件ED的电极直接接触的情况下在发光层36中可能发生的电短路。例如,绝缘膜38可以防止发光元件ED的发光效率降低。
例如,绝缘膜38的外表面可以通过表面处理形成。发光元件ED可以在其中它们分散在油墨中的状态(例如,如预定的状态)下被喷射或注入到电极上并对准在电极上。这里,为了将发光元件ED保持在其中发光元件ED是分散的而不与油墨中的其它相邻发光元件ED聚集的状态下,可以对绝缘膜38的表面执行疏水或亲水处理。
根据实施方式,显示装置10还可以包括设置在发光元件ED上的颜色控制构件TPL、WCL1和WCL2(参见图6)以及滤色器层CFL1、CFL2和CFL3(参见图6)。从发光元件ED发射的光可以通过颜色控制构件TPL、WCL1和WCL2以及滤色器层CFL1、CFL2和CFL3发射,并且即使对于每个子像素SPXn设置相同类型的发光元件ED,对于每个子像素SPXn发射光的颜色也可以不同。
图6是根据实施方式的显示装置的示意性剖视图。
参考图6,显示装置10可以包括设置在第一衬底SUB上的发光元件ED、以及设置在发光元件ED上的颜色控制构件TPL、WCL1和WCL2以及滤色器层CFL1、CFL2和CFL3。例如,显示装置10还可以包括设置在颜色控制构件TPL、WCL1和WCL2与滤色器层CFL1、CFL2和CFL3之间的层。在下文中,为了描述方便,将描述设置在显示装置10的发光元件ED上的层。
第四绝缘层PAS4可以设置在第三绝缘层PAS3、连接电极CNE1和CNE2以及下堤部层LBN上。第四绝缘层PAS4可以保护设置在第一衬底SUB上的层。然而,可以省略第四绝缘层PAS4。
第一堤部BNL1、颜色控制构件TPL、WCL1和WCL2、光阻挡构件BM以及滤色器层CFL1、CFL2和CFL3可以设置在第四绝缘层PAS4上。例如,封盖层CPL1和CPL2以及低折射层LRL可以设置在颜色控制构件TPL、WCL1和WCL2与滤色器层CFL1、CFL2和CFL3之间,并且外涂层OC可以设置在滤色器层CFL1、CFL2和CFL3上。
显示装置10可以包括其中设置有滤色器层CFL1、CFL2和CFL3并且发射光的透光区域TA1、TA2和TA3、以及设置在透光区域TA1、TA2和TA3之间并且其中不发射光的光阻挡区域BA。透光区域TA1、TA2和TA3可以定位成与每个子像素SPXn的发射区域EMA的部分对应,并且光阻挡区域BA可以是透光区域TA1、TA2和TA3之外的区域。如下所述,透光区域TA1、TA2和TA3以及光阻挡区域BA可以由光阻挡构件BM划分。
第一堤部BNL1可以设置在第四绝缘层PAS4上,以便与下堤部层LBN重叠。通过包括在第一方向DR1和第二方向DR2上延伸的部分,第一堤部BNL1可以设置成晶格图案。第一堤部BNL1可以围绕发射区域EMA或其中设置有发光元件ED的部分。第一堤部BNL1可以形成其中设置有颜色控制构件TPL、WCL1和WCL2的区域。
颜色控制构件TPL、WCL1和WCL2可以在第四绝缘层PAS4上设置在由第一堤部BNL1围绕的区域中。颜色控制构件TPL、WCL1和WCL2可以分别设置在由第一堤部BNL1围绕的透光区域TA1、TA2和TA3中,以在显示区域DPA中形成岛状图案。然而,实施方式不限于此,并且颜色控制构件TPL、WCL1和WCL2也可以在一方向上延伸并且遍及子像素SPXn设置,以形成线性图案。
在其中每个子像素SPXn的发光元件ED发射第三颜色的蓝光的实施方式中,颜色控制构件TPL、WCL1和WCL2可以包括:第一波长转换层WCL1,设置在第一子像素SPX1中以对应于第一透光区域TA1;第二波长转换层WCL2,设置在第二子像素SPX2中以对应于第二透光区域TA2;以及透光层TPL,设置在第三子像素SPX3中以便对应于第三透光区域TA3。
第一波长转换层WCL1可以包括第一基础树脂BRS1和设置在第一基础树脂BRS1中的第一波长转换材料WCP1。第二波长转换层WCL2可以包括第二基础树脂BRS2和设置在第二基础树脂BRS2中的第二波长转换材料WCP2。第一波长转换层WCL1和第二波长转换层WCL2可以转换从发光元件ED入射的第三颜色的蓝光的波长,并使具有转换后的波长的光透射通过其中。第一波长转换层WCL1和第二波长转换层WCL2还可以包括包含在每个基础树脂中的散射体SCP,并且散射体SCP可以提高波长转换效率。
透光层TPL可以包括第三基础树脂BRS3和设置在第三基础树脂BRS3中的散射体SCP。透光层TPL使从发光元件ED入射的第三颜色的蓝光透射通过其中,并且同时保持第三颜色的蓝光的波长。透光层TPL的散射体SCP可以用于(或作用于)调整通过透光层TPL发射的光的发射路径。透光层TPL可以不包括波长转换材料。
散射体SCP可以是金属氧化物颗粒或有机颗粒。金属氧化物颗粒的金属氧化物的示例可以包括氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZrO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化铟(In2O3)、氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO2)等,并且有机颗粒的材料的示例可以包括丙烯酸树脂、聚氨酯树脂等。
第一基础树脂BRS1、第二基础树脂BRS2和第三基础树脂BRS3可以包括透光有机材料。例如,第一基础树脂BRS1、第二基础树脂BRS2和第三基础树脂BRS3可以包括基于环氧的树脂、丙烯酸树脂、基于卡多(cardo)的树脂、基于酰亚胺的树脂等。第一基础树脂BRS1、第二基础树脂BRS2和第三基础树脂BRS3全部可以由相同的材料制成,但实施方式不限于此。
第一波长转换材料WCP1可以是将第三颜色的蓝光转换为第一颜色的红光的材料,并且第二波长转换材料WCP2可以是将第三颜色的蓝光转换为第二颜色的绿光的材料。第一波长转换材料WCP1和第二波长转换材料WCP2可以是量子点、量子杆、磷光体等。量子点可以包括IV族纳米晶体、II-VI族化合物纳米晶体、III-V族化合物纳米晶体,IV-VI族化合物纳米晶体或其组合。
在一些实施方式中,颜色控制构件TPL、WCL1和WCL2可以通过喷墨印刷工艺或光刻工艺形成。颜色控制构件TPL、WCL1和WCL2可以通过在由第一堤部BNL1围绕的区域中喷射或施加形成颜色控制构件TPL、WCL1和WCL2的材料并执行干燥或曝光和显影工艺来形成。作为示例,在其中通过喷墨印刷工艺形成颜色控制构件TPL、WCL1和WCL2的实施方式中,在图6中,颜色控制构件TPL、WCL1和WCL2的相应层的上表面可以形成为曲化的,使得颜色控制构件TPL、WCL1和WCL2的邻近第一堤部BNL1的边缘部分可以高于其中心部分。然而,实施方式不限于此。在其中通过光刻工艺形成颜色控制构件TPL、WCL1和WCL2的实施方式中,颜色控制构件TPL、WCL1和WCL2的相应层的上表面可以形成为平坦的,使得颜色控制构件TPL、WCL1和WCL2的邻近第一堤部BNL1的边缘部分可以基本上平行于第一堤部BNL1的上表面,或者与图6不同,颜色控制构件TPL、WCL1和WCL2的中心部分可以高于其边缘部分。
每个子像素SPXn的发光元件ED可以发射相同的第三颜色的蓝光,并且从每个子像素SPXn发射的光可以是不同颜色的光。例如,从设置在第一子像素SPX1中的发光元件ED发射的光入射到第一波长转换层WCL1上,从设置在第二子像素SPX2中的发光元件ED发射的光入射到第二波长转换层WCL2上,并且从设置在第三子像素SPX3中的发光元件ED发射的光入射到透光层TPL上。入射到第一波长转换层WCL1上的光可以被转换成红光,入射到第二波长转换层WCL2上的光可以被转换成绿光,并且入射到透光层TPL上的光可以作为相同的蓝光透射而不进行波长转换。即使相应的子像素SPXn包括发射相同颜色的光的发光元件ED,相应的子像素SPXn也可以根据设置在发光元件ED上方的颜色控制构件TPL、WCL1和WCL2的布置来发射不同颜色的光。
第一封盖层CPL1可以设置在颜色控制构件TPL、WCL1和WCL2以及第一堤部BNL1上。第一封盖层CPL1可以防止诸如湿气或空气的杂质从外部渗入以损坏或污染颜色控制构件TPL、WCL1和WCL2。第一封盖层CPL1可以包括无机绝缘材料。
低折射层LRL可以设置在第一封盖层CPL1上。低折射层LRL可以是使穿过颜色控制构件TPL、WCL1和WCL2的光再循环的光学层,并且可以提高显示装置10的光发射效率和颜色纯度。低折射层LRL可以由具有低折射率的有机材料制成,并且可以补偿由颜色控制构件TPL、WCL1和WCL2以及第一堤部BNL1形成的台阶。
第二封盖层CPL2可以设置在低折射层LRL上,并且可以防止诸如湿气或空气的杂质从外部渗入以损坏或污染低折射层LRL。类似于第一封盖层CPL1,第二封盖层CPL2可以包括无机绝缘材料。
光阻挡构件BM可以设置在第二封盖层CPL2上。光阻挡构件BM可以形成为格状图案,以便部分地暴露第二封盖层CPL2的表面。在显示装置10中,在平面图中,除了下堤部层LBN和第一堤部BNL1之外,光阻挡构件BM还可以覆盖相应子像素SPXn的子区域SA。其中不设置光阻挡构件BM的区域可以是其中设置有滤色器层CFL1、CFL2和CFL3并发射光的透光区域TA1、TA2和TA3,并且其中设置有光阻挡构件BM的区域可以是其中光的发射被阻挡的光阻挡区域BA。
光阻挡构件BM可以包括能够吸收(或阻挡)光的有机材料。光阻挡构件BM可以通过吸收外部光来减少由于外部光的反射而引起的颜色失真。例如,光阻挡构件BM可以由用作显示装置10的黑矩阵的材料制成,并且可以吸收所有可见光波长。
在一些实施方式中,在显示装置10中,可以省略光阻挡构件BM,并且光阻挡构件BM可以用吸收可见光波长中的特定波长的光并透射另一特定波长的光的材料来代替。光阻挡构件BM可以用包括与滤色器层CFL1、CFL2和CFL3中的至少一个相同的材料的颜色图案来代替。例如,可以设置包括任一个滤色器层的材料的颜色图案,或者颜色图案可以在其中设置有光阻挡构件BM的区域中彼此堆叠。
滤色器层CFL1、CFL2和CFL3可以设置在第二封盖层CPL2的表面(例如,上表面)上。滤色器层CFL1、CFL2和CFL3可以设置在第二封盖层CPL2上,以便对应于由光阻挡构件BM打开的区域。不同的滤色器层CFL1、CFL2和CFL3可以彼此间隔开,并且光阻挡构件BM插置在它们之间,但实施方式不限于此。在一些实施方式中,滤色器层CFL1、CFL2和CFL3可以部分地设置在光阻挡构件BM上以在光阻挡构件BM上彼此间隔开,或者在实施方式中,滤色器层CFL1、CFL2和CFL3可以例如在平面图中彼此部分地重叠。
滤色器层CFL1、CFL2和CFL3可以包括设置在第一子像素SPX1中的第一滤色器层CFL1、设置在第二子像素SPX2中的第二滤色器层CFL2、以及设置在第三子像素SPX3中的第三滤色器层CFL3。滤色器层CFL1、CFL2和CFL3可以形成为设置在透光区域TA1、TA2和TA3或发射区域EMA中的线性图案。然而,实施方式不限于此。滤色器层CFL1、CFL2和CFL3也可以设置成对应于透光区域TA1、TA2和TA3中的每个,并且可以布置成岛状图案。
滤色器层CFL1、CFL2和CFL3可以包括诸如染料或颜料的着色剂,其吸收特定波长带以外的波长带的光。滤色器层CFL1、CFL2和CFL3可以设置成用于每个子像素SPXn,并且透射入射在相应子像素SPXn中的滤色器层CFL1、CFL2和CFL3上的光中的一些部分。在显示装置10的每个子像素SPXn中,只有透射通过滤色器层CFL1、CFL2和CFL3的光可以被选择性地显示。在实施方式中,第一滤色器层CFL1可以是红色滤色器层,第二滤色器层CFL2可以是绿色滤色器层,并且第三滤色器层CFL3可以是蓝色滤色器层。从发光元件ED发射的光可以穿过颜色控制构件TPL、WCL1和WCL2,并且可以通过滤色器层CFL1、CFL2和CFL3发射。
外涂层OC可以设置在滤色器层CFL1、CFL2和CFL3以及光阻挡构件BM上。外涂层OC可以遍及整个显示区域DPA设置,并且外涂层OC的一部分也可以设置在非显示区域NDA中。外涂层OC可以包括有机绝缘材料,以保护设置在显示区域DPA中的构件免受外部影响。
根据实施方式的显示装置10可以包括设置在发光元件ED上方的颜色控制构件TPL、WCL1和WCL2以及滤色器层CFL1、CFL2和CFL3,从而在即使对于每个子像素SPXn设置相同类型的发光元件ED的情况下,也显示不同颜色的光。
例如,设置在第一子像素SPX1中的发光元件ED可以发射第三颜色的蓝光,并且蓝光可以穿过第四绝缘层PAS4并且可以入射到第一波长转换层WCL1上。第一波长转换层WCL1的第一基础树脂BRS1可以由透明材料制成,并且光中的一些部分可以透射通过第一基础树脂BRS1,并且可以入射到设置在第一基础树脂BRS1上的第一封盖层CPL1上。然而,光中的至少一些部分可以入射到设置在第一基础树脂BRS1中的散射体SCP和第一波长转换材料WCP1上,被散射和波长转换,并且可以作为红光入射到第一封盖层CPL1上。入射到第一封盖层CPL1上的光可以穿过低折射层LRL和第二封盖层CPL2,并且可以入射到第一滤色器层CFL1,并且第一滤色器层CFL1可以阻挡除红光之外的光透射。因此,可以从第一子像素SPX1发射红光。
类似地,从设置在第二子像素SPX2中的发光元件ED发射的光可以穿过第四绝缘层PAS4、第二波长转换层WCL2、第一封盖层CPL1、低折射层LRL、第二封盖层CPL2和第二滤色器层CFL2,并且可以从第二子像素SPX2发射绿光。
设置在第三子像素SPX3中的发光元件ED可以发射第三颜色的蓝光,并且蓝光可以穿过第四绝缘层PAS4并且可以入射到透光层TPL上。透光层TPL的第三基础树脂BRS3可以由透明材料制成,并且光中的一些部分可以透射通过第三基础树脂BRS3,并且可以入射到设置在第三基础树脂BRS3上的第一封盖层CPL1上。入射到第一封盖层CPL1上的光可以穿过低折射层LRL和第二封盖层CPL2,并且可以入射到第三滤色器层CFL3,并且第三滤色器层CFL3可以阻挡除蓝光之外的光透射。因此,可以从第三子像素SPX3发射蓝光。
图7是示出根据实施方式的设置在显示装置的显示区域和非显示区域中的堤部的示意图。图8是沿着图7的线A1-A1'截取的示意性剖视图。图9是沿着图7的线A2-A2'截取的示意性剖视图。图7以平面图示出了设置在显示装置10的显示区域DPA和非显示区域NDA中的堤部BNL1、BNL2和BNL3的布局。
图8和图9示出了显示区域DPA和非显示区域NDA的在显示装置10的外部分处在第二方向DR2上剖开的部分的剖面。图8示出了显示装置10的外部分中的左外部分,即在第二方向DR2上的一侧,以及图9示出了显示装置10的外部分中的右外部分,即在第二方向DR2上的另一侧。在图8和图9中,已经将显示区域DPA的导电层和半导体层简略地示出为电路层CCL,并且已经将设置在相应子像素SPXn中的电极RME、发光元件ED和连接电极CNE简略地示出为发光元件层EDL。对这些结构的描述与以上参考图2至图4描述的相同。
结合图6参考图7至图9,显示装置10可以包括第一堤部BNL1以及设置在非显示区域NDA中以围绕显示区域DPA的第一谷部VA1,第二堤部BNL2和第三堤部BNL3,其中第一堤部BNL1包括设置在显示区域DPA的外部分处的部分。
第一堤部BNL1可以在显示区域DPA中在第一方向DR1和第二方向DR2上延伸。例如,第一堤部BNL1可以围绕其中像素PX设置在显示区域DPA的外部分处的部分。在图7中仅示出了第一堤部BNL1的设置在显示区域DPA的最外部分处的部分,但是第一堤部BNL1可以在第一方向DR1或第二方向DR2上延伸以横跨显示区域DPA,并且也可以设置在相应子像素SPXn之间的边界处。第一堤部BNL1可以通过划分显示区域DPA和非显示区域NDA来划分不同的子像素SPXn。
与第一堤部BNL1间隔开并围绕显示区域DPA的第二堤部BNL2和第三堤部BNL3可以设置在非显示区域NDA中。第二堤部BNL2可以与第一堤部BNL1以间隙(例如,如预定的)间隔开,并且第三堤部BNL3可以与第二堤部BNL2以间隙(例如,如预定的)间隔开。例如,显示区域DPA可以设置在由第二堤部BNL2围绕的区域内,并且第二堤部BNL2可以设置在第三堤部BNL3内。
如上所述,显示装置10可以具有其中层顺序堆叠在第一衬底SUB上的结构。显示装置10的一些层可以由有机材料制成,并且可以通过其中将有机材料直接喷射或注入到第一衬底SUB上的工艺来形成。由于有机材料可以因流动性而流动,所以喷射或注入到显示区域DPA中的有机材料可以溢出到非显示区域NDA中。第二堤部BNL2和第三堤部BNL3可以防止有机材料超出非显示区域NDA溢出到非显示区域NDA的外部。
根据实施方式的显示装置10可以包括例如在平面图中在非显示区域NDA中设置在第一堤部BNL1和第二堤部BNL2之间的第一谷部VA1。在第一谷部VA1可以通过使下层部分地凹陷而形成的情况下,第二堤部BNL2和第一堤部BNL1可以具有在向上方向上(例如,在第三方向DR3上)突出的形状。第一谷部VA1与第二堤部BNL2和第一堤部BNL1一起形成雕刻和浮雕图案,以防止喷射或注入到显示区域DPA中的有机材料溢出到非显示区域NDA中。
包括电极RME、发光元件ED和连接电极CNE的发光元件层EDL可以设置在显示区域DPA中。发光元件层EDL可以在显示区域DPA中设置在过孔层VIA上,并且绝缘层PAS_S可以在过孔层VIA上遍及显示区域DPA和非显示区域NDA设置。尽管在附图中未明确示出,但是绝缘层PAS_S可以包括设置在发光元件ED下方的第一绝缘层PAS1和设置在发光元件ED上方的第二绝缘层PAS2和第三绝缘层PAS3。绝缘层PAS_S中的一些可以在非显示区域NDA中顺序地堆叠在过孔层VIA上。
第四绝缘层PAS4也可以覆盖发光元件层EDL,并且可以遍及显示区域DPA和非显示区域NDA设置。第四绝缘层PAS4可以在显示区域DPA中设置在发光元件层EDL上,并且可以在非显示区域NDA中直接设置在其它绝缘层PAS_S上。
例如,作为设置在颜色控制构件TPL、WCL1和WCL2上的封装结构,第一封盖层CPL1和第二封盖层CPL2也可以延伸到非显示区域NDA。第一封盖层CPL1的一部分可以直接设置在第四绝缘层PAS4上,并且第一封盖层CPL1的另一部分可以直接设置在第一堤部BNL1、第二堤部BNL2和第三堤部BNL3上。第二封盖层CPL2可以设置在第一封盖层CPL1上,并且低折射层LRL插置在它们之间。与显示区域DPA不同,低折射层LRL不遍及整个非显示区域NDA延伸,并且因此,第二封盖层CPL2的一部分可以直接设置在第一封盖层CPL1上。
如上所述,低折射层LRL可以由有机材料制成,并且可以遍及整个显示区域DPA设置。在将有机材料施加到第一封盖层CPL1上的工艺中,有机材料可能超出设置在显示区域DPA的最外部分处的第一堤部BNL1溢出到非显示区域NDA中。显示装置10可以包括第一衬底SUB,并且可以通过连续工艺在第一衬底SUB上形成层。在该工艺期间,溢出到非显示区域NDA的不希望的区域中的有机材料可能在后续工艺中作为外来材料保留。根据实施方式的显示装置10可以通过包括设置在非显示区域NDA中并具有雕刻和浮雕图案形状的结构来防止溢出到非显示区域NDA中的有机材料进一步扩展到不希望的区域。
显示装置10可以包括设置在非显示区域NDA中的第一谷部VA1、第二堤部BNL2和第三堤部BNL3。第一谷部VA1可以具有基于过孔层VIA的上表面凹陷到过孔层VIA的下表面的雕刻图案形状,并且第二堤部BNL2和第三堤部BNL3可以具有基于过孔层VIA的上表面在向上方向上(例如,在第三方向DR3上)突出的浮雕图案形状。
在平面图中,第一谷部VA1可以围绕显示区域DPA并且与第一堤部BNL1间隔开。第一谷部VA1可以具有第一宽度W1并且穿透过孔层VIA,并且设置在过孔层VIA上的一些层可以设置在第一谷部VA1中。例如,直接设置在过孔层VIA上的绝缘层PAS_S中的设置在发光元件ED下方的第一绝缘层PAS1可以设置在第一谷部VA1中,以与过孔层VIA中的第一谷部VA1的内侧壁直接接触。在非显示区域NDA中设置在绝缘层PAS_S上的第四绝缘层PAS4的部分和其一部分直接设置在第四绝缘层PAS4上的第一封盖层CPL1也可以设置在第一谷部VA1中。绝缘层PAS_S、第四绝缘层PAS4和第一封盖层CPL1可以包括无机绝缘材料,并且可以沿着由过孔层VIA中的第一谷部VA1形成的台阶设置。用于形成绝缘层PAS_S、第四绝缘层PAS4和第一封盖层CPL1的无机绝缘材料可以设置在第一谷部VA1中,并且因此可以防止外部湿气渗入到被第一谷部VA1暴露的电路层CCL中。
低折射层LRL可以设置在第一封盖层CPL1上,并且低折射层LRL的一部分可以超出第一堤部BNL1设置在非显示区域NDA中。低折射层LRL也可以设置在第一谷部VA1上,并且低折射层LRL的一部分可以填充由第一谷部VA1形成的台阶。在形成低折射层LRL的工艺中,构成低折射层LRL的有机材料可以填充由第一谷部VA1形成的台阶,同时超出显示区域DPA流到非显示区域NDA,并且第一谷部VA1可以防止有机材料过度溢出。低折射层LRL可以延伸到第二堤部BNL2,同时填充第一谷部VA1。
第二堤部BNL2和第三堤部BNL3可以彼此间隔开,可以围绕第一谷部VA1,并且可以与第一谷部VA1间隔开。第一谷部VA1、第二堤部BNL2和第三堤部BNL3可以基于第一堤部BNL1沿着朝向非显示区域NDA的外部分的方向顺序地布置成彼此间隔开。第二堤部BNL2和第三堤部BNL3可以直接设置在第四绝缘层PAS4上,并且可以具有在向上方向上(例如,在第三方向DR3上)突出的形状,这与第一谷部VA1不同。第二堤部BNL2和第三堤部BNL3可以具有浮雕图案形状,并且从而防止低折射层LRL溢出到非显示区域NDA的外部分中。
根据实施方式,在剖视图中,第二堤部BNL2和第三堤部BNL3的宽度可以彼此相同,并且第一谷部VA1的第一宽度W1可以大于第二堤部BNL2和第三堤部BNL3的第二宽度W2。在显示区域DPA中形成发光元件层EDL和第四绝缘层PAS4之后,可以在相同的工艺中形成第二堤部BNL2和第三堤部BNL3。只有其处设置有第二堤部BNL2和第三堤部BNL3的位置彼此不同,第二堤部BNL2和第三堤部BNL3的形状和材料可以彼此相同,并且在剖视图中第二堤部BNL2和第三堤部BNL3的第二宽度W2可以彼此相同。
第一谷部VA1可以设置成比第二堤部BNL2和第三堤部BNL3更靠近显示区域DPA,并且可以是防止低折射层LRL溢出的主要结构。第一谷部VA1可以具有比第二堤部BNL2和第三堤部BNL3相对较大的宽度,以便防止低折射层LRL的有机材料溢出。第二堤部BNL2和第三堤部BNL3可以具有比第一谷部VA1相对较小的宽度,但是可以具有宽度(例如,如预定的)并且具有浮雕图案形状,以防止有机材料超出第一谷部VA1溢出到非显示区域NDA的最外部分中。
例如,第一堤部BNL1也可以通过与形成第二堤部BNL2和第三堤部BNL3相同的工艺来形成。第一堤部BNL1可以与下堤部层LBN重叠,可以直接设置在第四绝缘层PAS4上,并且可以在显示区域DPA的内侧处设置成晶格图案,以在显示区域DPA的最外部分处围绕显示区域DPA的内侧。然而,根据实施方式,作为第一堤部BNL1在剖视图中的宽度的第三宽度W3可以等于或小于第二堤部BNL2的第二宽度W2。第一堤部BNL1可以形成在其中设置颜色控制构件TPL、WCL1和WCL2的空间,以便划分显示区域DPA中相邻的子像素SPXn。第二堤部BNL2和第三堤部BNL3可以是用于防止低折射层LRL溢出的结构,并且第二堤部BNL2和第三堤部BNL3的使用可以不同于第一堤部BNL1的使用。例如,由于第一堤部BNL1、第二堤部BNL2和第三堤部BNL3直接设置在第四绝缘层PAS4上,所以它们通过相同的工艺形成,但是它们的宽度可以根据它们的功能而变化。作为用于防止有机材料溢出的结构设置在非显示区域NDA中的第二堤部BNL2和第三堤部BNL3的宽度可以等于或大于第一堤部BNL1的宽度。
外涂层OC可以在显示区域DPA中覆盖滤色器层CFL和光阻挡构件BM,并且外涂层OC的一部分也可以设置在非显示区域NDA中。与低折射层LRL类似,外涂层OC可以由有机材料制成,并且在滤色器层CFL和第二封盖层CPL2上可能出现溢出问题。根据实施方式的显示装置10还可以包括设置在第二堤部BNL2和第三堤部BNL3上的颜色坝CBN1和CBN2,作为用于防止外涂层OC溢出的结构。
颜色坝CBN1和CBN2可以分别设置在第二堤部BNL2和第三堤部BNL3上。颜色坝CBN1和CBN2可以在显示装置10的外部分中的左外部分和右外部分(即在第二方向DR2上的两侧)处分别设置在第二堤部BNL2和第三堤部BNL3中的任一个上。例如,颜色坝CBN1和CBN2可以包括设置在显示装置10的左外部分(参见图8)的第二堤部BNL2和第三堤部BNL3上的第一颜色坝CBN1和设置在显示装置10的右外部分(参见图9)的第二堤部BNL2和第三堤部BNL3上的第二颜色坝CBN2。在显示装置10的一侧的外部分中彼此相邻的颜色坝CBN1和CBN2可以在第二方向DR2上彼此间隔开,并且相应的颜色坝CBN1和CBN2可以在第二堤部BNL2或第三堤部BNL3上在第一方向DR1上延伸。颜色坝CBN1和CBN2可以在非显示区域NDA中形成线性图案。
与防止设置在第二封盖层CPL2下方的低折射层LRL在非显示区域NDA中溢出的第二堤部BNL2和第三堤部BNL3类似,颜色坝CBN1和CBN2可以防止设置在第二封盖层CPL2上方的外涂层OC在非显示区域NDA中溢出。颜色坝CBN1和CBN2中的每个可以直接设置在第二封盖层CPL2上,具有厚度(例如,如预定的)和宽度(例如,如预定的),并且具有包括突出形状的浮雕图案。
在实施方式中,第一颜色坝CBN1和第二颜色坝CBN2中的每个在第二方向DR2上的宽度可以小于第二堤部BNL2的第二宽度W2,并且第一颜色坝CBN1和第二颜色坝CBN2中的每个的厚度也可以小于第二堤部BNL2的厚度。颜色坝CBN1和CBN2可以具有足够的尺寸,以防止设置在第二封盖层CPL2上的层中的由有机材料制成的层的有机材料溢出。在颜色坝CBN1和CBN2可以是用于防止外涂层OC溢出的结构并且可以具有相对小的尺寸的情况下,设置在第二封盖层CPL2下方的第二堤部BNL2和第三堤部BNL3可以是用于防止低折射层LRL和外涂层OC溢出的结构。
根据实施方式,颜色坝CBN1和CBN2可以包括与滤色器层CFL1、CFL2和CFL3中的一些相同的材料,并且可以通过与形成滤色器层CFL1、CFL2和CFL3中的一些相同的工艺来形成。由于颜色坝CBN1和CBN2以及滤色器层CFL1、CFL2和CFL3分别直接设置在第二封盖层CPL2上,所以在颜色坝CBN1和CBN2以及滤色器层CFL1、CFL2和CFL3包括相同材料的情况下,颜色坝CBN1和CBN2以及滤色器层CFL1、CFL2和CFL3可以通过相同的工艺形成。然而,颜色坝CBN1和CBN2以及滤色器层CFL1、CFL2和CFL3可以设置在不同的区域中,可以执行不同的角色,并且在平面图中可以具有不同的布置。例如,滤色器层CFL1、CFL2和CFL3可以设置在显示装置10的透光区域TA1、TA2和TA3中,并形成为线性图案或岛状图案,并且颜色坝CBN1和CBN2可以设置在非显示区域NDA中,并形成为线性图案。
根据实施方式,设置在显示装置10的左外部分处的第一颜色坝CBN1可以包括与设置在显示装置10的右外部分处的第二颜色坝CBN2不同的材料。第一颜色坝CBN1和第一滤色器层CFL1可以包括相同的材料。第二颜色坝CBN2和第三滤色器层CFL3可以包括相同的材料。在显示装置10中,像素PX可以包括第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3,它们可以在第二方向DR2上顺序地设置。像素PX可以在显示装置10的显示区域DPA中布置在第一方向DR1和第二方向DR2上,并且第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3也可以重复地布置第一方向DR1和第二方向DR2上。设置在显示区域DPA中的第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3的数量可以彼此相同,并且在第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3在第二方向DR2上重复布置的情况下,在显示区域DPA中最邻近左边非显示区域NDA设置的子像素SPXn可以是第一子像素SPX1,并且在显示区域DPA中最邻近右边非显示区域NDA设置的子像素SPXn可以是第三子像素SPX3。例如,第一滤色器层CFL1可以设置于在显示区域DPA中最邻近左边非显示区域NDA设置的子像素SPXn中,并且第三滤色器层CFL3可以设置于在显示区域DPA中最邻近右边非显示区域NDA设置的子像素SPXn中。
如上所述,颜色坝CBN1和CBN2可以包括与滤色器层CFL1、CFL2和CFL3中的任一个相同的材料,并且可以通过与形成滤色器层CFL1、CFL2和CFL3中的任一个相同的工艺来形成。设置在左外部分处的第一颜色坝CBN1可以包括与最邻近第一颜色坝CBN1设置的滤色器层(例如,第一滤色器层CFL1)相同的材料,并且设置在右外部分处的第二颜色坝CBN2可以包括与最邻近第二颜色坝CBN2设置的滤色器层(例如,第三滤色器层CFL3)相同的材料。
图10是示出根据实施方式的显示装置的滤色器层和颜色坝的布置的示意图。
结合图7至图9参考图10,在显示装置10中,显示区域DPA可以包括区域AA1、AA2和AA3,并且非显示区域NDA可以包括坝区域DMA1和DMA2。例如,显示装置10可以包括设置在左侧(非显示区域NDA在第二方向DR2上的一侧)上的第一坝区域DMA1、以及设置在右侧(非显示区域NDA在第二方向DR2上的另一侧)上的第二坝区域DMA2。显示区域DPA可以包括设置在显示区域DPA在第二方向DR2上的最外部分处的第一区域AA1和第二区域AA2、以及作为第一区域AA1和第二区域AA2之间的内区域的第三区域AA3,作为根据其中重复地设置有相同的滤色器层CFL1、CFL2和CFL3的区域划分的区域AA1、AA2和AA3。滤色器层CFL1、CFL2和CFL3可以设置在第一区域AA1、第二区域AA2和第三区域AA3中的每个中,并且不同的颜色坝CBN1和CBN2可以分别设置在第一坝区域DMA1和第二坝区域DMA2中。
第一滤色器层CFL1、第二滤色器层CFL2和第三滤色器层CFL3可以在第一区域AA1、第二区域AA2和第三区域AA3中的每个中在第二方向DR2上顺序地设置。不同的区域AA1、AA2和AA3可以是根据其中设置有重复布置的滤色器层CFL1、CFL2和CFL3的区域而划分的区域。相应区域AA1、AA2和AA3可以是其中设置有一组第一滤色器层CFL1、第二滤色器层CFL2和第三滤色器层CFL3的区域,并且相应区域AA1、AA2和AA3中的第一区域AA1和第二区域AA2可以是设置在显示区域DPA在第二方向DR2上的最外部分处的区域,并且相应区域AA1、AA2和AA3中的第三区域AA3可以是设置在内侧上的区域。
第一坝区域DMA1可以设置在左边非显示区域NDA中,并且与显示区域DPA的第一区域AA1相邻。设置在第一区域AA1的左侧上的滤色器层可以是第一滤色器层CFL1,并且设置在第一坝区域DMA1中的第一颜色坝CBN1中的每个可以包括与第一滤色器层CFL1相同的材料。第二坝区域DMA2可以设置在右边非显示区域NDA中,并且与显示区域DPA的第二区域AA2相邻。设置在第二区域AA2的右侧上的滤色器层可以是第三滤色器层CFL3,并且设置在第二坝区域DMA2中的第二颜色坝CBN2中的每个可以包括与第三滤色器层CFL3相同的材料。在制造显示装置10的工艺中,设置在第一坝区域DMA1中的第一颜色坝CBN1可以通过与形成设置在第一区域AA1中的第一滤色器层CFL1相同的工艺来形成。设置在第二坝区域DMA2中的第二颜色坝CBN2可以通过与形成设置在第二区域AA2中的第三滤色器层CFL3相同的工艺来形成。
在实施方式中,滤色器层CFL1、CFL2和CFL3以及颜色坝CBN1和CBN2中的每个可以通过经由使用掩模的图案化工艺来形成。滤色器层CFL1、CFL2和CFL3以及颜色坝CBN1和CBN2包括不同的材料,并且因此可以通过不同的掩模工艺来形成。例如,在显示装置10中,可以首先形成第一滤色器层CFL1,可以通过另一工艺形成第二滤色器层CFL2,并且可以通过又一工艺形成第三滤色器层CFL3。
例如,相应滤色器层CFL1、CFL2和CFL3可以通过多个工艺而不是单个工艺在整个显示装置10中单独地形成。设置在显示区域DPA的区域AA1、AA2和AA3中的第一滤色器层CFL1中的一些部分可以通过不同的工艺形成。设置在第三区域AA3中的一些部分和第一区域AA1中的第一滤色器层CFL1可以通过与设置在第三区域AA3中的其它区域中的第一滤色器层CFL1和设置在另一第三区域AA3和第二区域AA2中的第一滤色器层CFL1中的每个的工艺不同的工艺来形成。类似地,设置在区域AA1、AA2和AA3中的第二滤色器层CFL2和第三滤色器层CFL3可以分别通过不同的掩模工艺形成。
根据实施方式,在用于形成滤色器层CFL1、CFL2和CFL3的掩模工艺中的用于形成设置在设置于显示区域DPA的最外部分处的区域中的滤色器层CFL1、CFL2和CFL3的掩模工艺中,颜色坝CBN1和CBN2可以与设置在设置于显示区域DPA的最外部分中的区域中的滤色器层CFL1、CFL2和CFL3一起形成。例如,第一颜色坝CBN1可以在用于形成设置在第一区域AA1中的第一滤色器层CFL1的掩模工艺中与第一滤色器层CFL1一起形成,并且第二颜色坝CBN2可以在用于形成设置在第二区域AA2中的第三滤色器层CFL3的掩模工艺中与第三滤色器层CFL3一起形成。
图11是示出根据实施方式的用于形成显示装置的第一滤色器层和第一颜色坝的掩模工艺的示意图。图12是示出根据实施方式的用于形成显示装置的第二滤色器层的掩模工艺的示意图。图13是示出根据实施方式的用于形成显示装置的第三滤色器层和第二颜色坝的掩模工艺的示意图。
参考图11至图13,在显示装置10中,可以执行掩模工艺,以便形成不同的滤色器层CFL1、CFL2和CFL3。在形成相应的滤色器层CFL1、CFL2和CFL3的工艺中的一些部分中,坝区域DMA1和DMA2的颜色坝CBN1和CBN2可以与滤色器层CFL1、CFL2和CFL3一起形成。
可以遍及第一坝区域DMA1和显示区域DPA执行用于形成第一滤色器层CFL1的掩模工艺。在掩模工艺中,可以在包括第一区域AA1的一部分和第一坝区域DMA1的第一掩模区域MLR1中执行第一掩模工艺。在第一掩模工艺中,可以同时形成第一坝区域DMA1的第一颜色坝CBN1和第一区域AA1的第一滤色器层CFL1。可以分别在第二掩模区域MLR2、第三掩模区域MLR3和第四掩模区域MLR4中执行在第一掩模工艺之后的第二掩模工艺至第四掩模工艺,其中第二掩模区域MLR2、第三掩模区域MLR3和第四掩模区域MLR4包括其中设置有除了显示区域DPA中的第一区域AA1之外的区域AA2和AA3的第一滤色器层CFL1的区域。
类似地,可以遍及第二坝区域DMA2和显示区域DPA执行用于形成第三滤色器层CFL3的掩模工艺。在掩模工艺中,可以在包括第二区域AA2的一部分和第二坝区域DMA2的第四掩模区域MLB4中执行第四掩模工艺。在第四掩模工艺中,可以同时形成第二坝区域DMA2的第二颜色坝CBN2和第二区域AA2的第三滤色器层CFL3。可以分别在第一掩模区域MLB1、第二掩模区域MLB2和第三掩模区域MLB3中执行在第四掩模工艺之前的第一掩模工艺至第三掩模工艺,其中第一掩模区域MLB1、第二掩模区域MLB2和第三掩模区域MLB3包括其中设置有除了显示区域DPA中的第二区域AA2之外的区域AA1和AA3的第三滤色器层CFL3的区域。
例如,用于形成第二滤色器层CFL2的掩模工艺可以仅在显示区域DPA中执行。在掩模工艺中,可以分别在第一掩模区域MLG1、第二掩模区域MLG2和第三掩模区域MLG3中执行第一掩模工艺至第三掩模工艺,其中第一掩模区域MLG1、第二掩模区域MLG2和第三掩模区域MLG3包括其中设置有第一区域AA1至第三区域AA3的第二滤色器层CFL2的区域。
在实施方式中,其中执行相应的掩模工艺的掩模区域可以具有相同的尺寸。例如,其中执行用于形成第一滤色器层CFL1的掩模工艺的第一掩模区域MLR1、第二掩模区域MLR2、第三掩模区域MLR3和第四掩模区域MLR4可以具有相同的宽度。第一掩模区域MLR1、第二掩模区域MLR2、第三掩模区域MLR3和第四掩模区域MLR4可以具有通过以基本上相等的间隔划分第一坝区域DMA1和显示区域DPA而获得的宽度。类似地,其中执行用于形成第三滤色器层CFL3的掩模工艺的第一掩模区域MLB1、第二掩模区域MLB2、第三掩模区域MLB3和第四掩模区域MLB4可以具有相同的宽度。第一掩模区域MLB1、第二掩模区域MLB2、第三掩模区域MLB3和第四掩模区域MLB4可以具有通过以基本上相等的间隔划分第二坝区域DMA2和显示区域DPA而获得的宽度。例如,其中执行用于形成第二滤色器层CFL2的掩模工艺的第一掩模区域MLG1、第二掩模区域MLG2和第三掩模区域MLG3可以具有通过以基本上相等的间隔划分显示区域DPA而获得的宽度。
如上所述,滤色器层CFL1、CFL2和CFL3可以重复地布置在显示区域DPA的相应区域AA1、AA2和AA3中,并且可以在通过使用具有相同宽度的掩模层而具有相同宽度的掩模区域中分别执行用于形成滤色器层CFL1、CFL2和CFL3的掩模工艺。除了在显示区域DPA中形成滤色器层CFL1、CFL2和CFL3之外,为了在坝区域DMA1和DMA2中形成包括与滤色器层CFL1、CFL2和CFL3相同的材料的颜色坝CBN1和CBN2,可能有必要设计其中执行相应掩模工艺的掩模区域和掩模层。
在显示装置10中,设置在第一坝区域DMA1和第二坝区域DMA2中的颜色坝CBN1和CBN2可以分别通过用于形成不同的滤色器层CFL1、CFL2和CFL3的工艺来形成。为了形成不同的颜色坝CBN1和CBN2,用于形成第一滤色器层CFL1和第三滤色器层CFL3的掩模工艺可以比用于形成第二滤色器层CFL2的掩模工艺多执行一次。在根据实施方式的显示装置10中,滤色器层CFL1、CFL2和CFL3以及颜色坝CBN1和CBN2可以通过添加尽可能少的掩模工艺来形成,从而可以减少制造工艺的数量。
在下文中,将参考其它附图描述显示装置10的其它实施方式。
图14是根据实施方式的显示装置的示意性剖视图。图15是示出图14的显示装置的外部分的示意性剖视图。
参考图14和图15,根据实施方式的显示装置10_1还可以包括设置在第二封盖层CPL2上的平坦化层PNL。根据实施方式的显示装置10_1与根据图6和图8的实施方式的显示装置10的不同之处在于,它还包括平坦化层PNL。在下文中,将省略对冗余内容的描述,并且出于描述方便的目的,将描述与上述内容不同的内容。
平坦化层PNL可以在第二封盖层CPL2上遍及整个显示区域DPA和非显示区域NDA设置。平坦化层PNL可以在显示区域DPA中与颜色控制构件TPL、WCL1和WCL2重叠,并且还可以在非显示区域NDA中设置在第二堤部BNL2和第三堤部BNL3上。光阻挡构件BM、滤色器层CFL1、CFL2和CFL3以及颜色坝CBN1和CBN2可以分别直接设置在平坦化层PNL上。
除了封盖层CPL1和CPL2以及低折射层LRL之外,平坦化层PNL还可以保护设置在第一衬底SUB上的构件,并且部分地补偿由这些构件引起的台阶(例如,不均匀性)。例如,平坦化层PNL可以补偿由在显示区域DPA中设置在平坦化层PNL下方的颜色控制构件TPL、WCL1和WCL2以及第一堤部BNL1形成的台阶(例如,不均匀性),并且设置在平坦化层PNL上的光阻挡构件BM和滤色器层CFL1、CFL2和CFL3可以形成在基本上平坦的表面上。
图16是示出根据实施方式的显示装置的外部分的示意性剖视图。
参考图16,根据实施方式的显示装置10_2还可以包括各自设置在第一颜色坝CBN1上的第三颜色坝CBN3。显示装置10_2与图15的显示装置10_1的不同之处在于,它还包括覆盖第一颜色坝CBN1的第三颜色坝CBN3。在下文中,将省略对冗余内容的描述,并且出于描述方便的目的,将描述与上述内容不同的内容。
第三颜色坝CBN3可以设置在第一颜色坝CBN1上。第三颜色坝CBN3可以设置在显示装置10的左外部分处,或者在第一坝区域DMA1中设置在第二堤部BNL2和第三堤部BNL3上。例如,第三颜色坝CBN3可以在第一坝区域DMA1中在第一方向DR1上延伸,并且相邻的第三颜色坝CBN3可以在第二方向DR2上彼此间隔开。
第三颜色坝CBN3可以形成为具有比第一颜色坝CBN1大的宽度,以完全覆盖第一颜色坝CBN1的外表面。然而,实施方式不限于此。第三颜色坝CBN3的宽度可以等于或小于第一颜色坝CBN1的宽度,并且第三颜色坝CBN3可以仅设置在第一颜色坝CBN1的上表面上。例如,第一颜色坝CBN1的侧表面可以被暴露。
根据实施方式,第三颜色坝CBN3和第二滤色器层CFL2可以包括相同的材料。与第一颜色坝CBN1类似,第三颜色坝CBN3可以在形成设置在第一区域AA1中的第二滤色器层CFL2的工艺中与第二滤色器层CFL2一起形成。
第二颜色坝CBN2和第三滤色器层CFL3可以包括蓝色着色剂。包括蓝色着色剂的第二颜色坝CBN2可以吸收从外部入射的光引起的反射光中的一些部分,以减少外部光引起的反射光。类似地,第一颜色坝CBN1和第三颜色坝CBN3可以分别包括红色着色剂和绿色着色剂。第一滤色器层CFL1和第二滤色器层CFL2可以分别包括红色着色剂和绿色着色剂。第一颜色坝CBN1和第三颜色坝CBN3可以在厚度方向上彼此堆叠,并且可以吸收从外部入射的光引起的反射光中的一些部分,以减少外部光引起的反射光,与包括蓝色着色剂的第二颜色坝CBN2类似。
图17是示出根据实施方式的显示装置的滤色器层和颜色坝的布置的示意图。图18和图19是示出图17的显示装置的外部分的示意性剖视图。
参考图17至图19,在根据实施方式的显示装置10_3中,第一颜色坝CBN1和第三滤色器层CFL3可以包括相同的材料。第二颜色坝CBN2和第一滤色器层CFL1可以包括相同的材料。图17至图19的实施方式与图8至图13的实施方式的不同之处在于,第一颜色坝CBN1和第二颜色坝CBN2包括相反的材料。在下文中,将省略对冗余内容的描述,并且出于描述方便的目的,将描述与上述内容不同的内容。
在图8至图13的实施方式中,第一颜色坝CBN1可以包括与第一区域AA1的滤色器层CFL1、CFL2和CFL3中的最邻近第一颜色坝CBN1设置的第一滤色器层CFL1相同的材料。例如,第二颜色坝CBN2可以包括与第二区域AA2的滤色器层CFL1、CFL2和CFL3中的最邻近第二颜色坝CBN2设置的第三滤色器层CFL3相同的材料。然而,实施方式不限于此,并且第一颜色坝CBN1和第二颜色坝CBN2可以包括与任何滤色器层CFL1、CFL2和CFL3相同的材料,只要它们包括不同的材料即可。
例如,第一颜色坝CBN1可以包括与第一区域AA1的滤色器层CFL1、CFL2和CFL3中的与第一颜色坝CBN1间隔最开的第三滤色器层CFL3相同的材料,并且第二颜色坝CBN2可以包括与第二区域AA2的滤色器层CFL1、CFL2和CFL3中的与第二颜色坝CBN2间隔最开的第一滤色器层CFL1相同的材料。此外,在根据实施方式的显示装置10_3中,在用于形成相应滤色器层CFL1、CFL2和CFL3的掩模工艺中,其中重复执行工艺的相应掩模区域可以具有相同的宽度,并且可以通过添加尽可能少的工艺来形成能够防止有机材料溢出的颜色坝CBN1和CBN2。其详细描述与上述内容相同。
图20是根据实施方式的显示装置的示意性剖视图。图21是示出图20的显示装置的外部分的示意性剖视图。
参考图20和图21,在根据实施方式的显示装置10_4中,可以省略光阻挡构件BM,并且可以设置颜色图案CP1、CP2和CP3。图20和图21的实施方式与图14的实施方式的不同之处在于,用颜色图案CP1、CP2和CP3代替了光阻挡构件BM。
颜色图案CP1、CP2和CP3可以形成为与图14的光阻挡构件BM基本相同的格状图案。然而,颜色图案CP1、CP2和CP3可以包括与滤色器层CFL1、CFL2和CFL3相同的材料。例如,颜色图案CP1、CP2和CP3以及滤色器层CFL1、CFL2和CFL3可以彼此集成。不同的颜色图案CP1、CP2和CP3可以彼此堆叠并且设置在光阻挡区域BA中,并且可以在其中不同的颜色图案CP1、CP2和CP3彼此堆叠的区域中阻挡光的透射。
第一颜色图案CP1可以包括与第一滤色器层CFL1相同的材料,并且可以设置在光阻挡区域BA中。第一颜色图案CP1可以在光阻挡区域BA中直接设置在第二封盖层CPL2上。例如,第一颜色图案CP1和第一滤色器层CFL1可以在与第一子像素SPX1的第一透光区域TA1相邻的光阻挡区域BA中彼此集成。
第二颜色图案CP2可以包括与第二滤色器层CFL2相同的材料,并且可以设置在光阻挡区域BA中。第二颜色图案CP2可以在光阻挡区域BA中直接设置在第一颜色图案CP1上。例如,第二颜色图案CP2和第二滤色器层CFL2可以在与第二子像素SPX2的第二透光区域TA2相邻的光阻挡区域BA中彼此集成。类似地,第三颜色图案CP3可以包括与第三滤色器层CFL3相同的材料,并且可以设置在光阻挡区域BA中。第三颜色图案CP3可以在光阻挡区域BA中直接设置在第二颜色图案CP2上。例如,第三颜色图案CP3和第三滤色器层CFL3可以在与第三子像素SPX3的第三透光区域TA3相邻的光阻挡区域BA中彼此集成。
在显示装置10_4中,在与第一堤部BNL1重叠的区域中,第一颜色图案CP1、第二颜色图案CP2和第三颜色图案CP3中的每个可以例如在平面图中与包括不同着色剂的滤色器层CFL1、CFL2和CFL3中的至少一个重叠。例如,第一颜色图案CP1可以与第二滤色器层CFL2和第三滤色器层CFL3重叠,第二颜色图案CP2可以与第一滤色器层CFL1和第三滤色器层CFL3重叠,并且第三颜色图案CP3可以与第一滤色器层CFL1和第二滤色器层CFL2重叠。在与第一堤部BNL1重叠的区域中,包括不同着色剂的滤色器层CFL1、CFL2和CFL3以及颜色图案CP1、CP2和CP3可以彼此重叠以用作光阻挡构件BM。
第一颜色坝CBN1中的每个可以通过与形成第一颜色图案CP1相同的工艺来形成,并且可以具有与第一颜色图案CP1相同的形状。第一颜色坝CBN1可以具有与设置在第二滤色器层CFL2和第三滤色器层CFL3之间的第一颜色图案CP1基本上相同的形状。第二颜色坝CBN2中的每个可以通过与形成第三颜色图案CP3相同的工艺来形成,并且可以具有与第三颜色图案CP3相同的形状。第二颜色坝CBN2可以具有与设置在第二颜色图案CP2上的第三颜色图案CP3基本上相同的形状。
根据实施方式的显示装置10_4具有其中颜色图案CP1、CP2和CP3彼此堆叠的结构,并且颜色图案CP1、CP2和CP3起到与光阻挡构件BM相同的作用,并且因此,可以防止由于具有不同着色剂的材料而导致的相邻区域之间的颜色混合。例如,颜色图案CP1、CP2和CP3包括与滤色器层CFL1、CFL2和CFL3相同的材料,并且因此,透射通过光阻挡区域BA的外部光或反射光可以具有特定颜色的波长带。由用户的眼睛感知的眼睛颜色敏感性根据光的颜色而不同。例如,与绿色波长带的光和红色波长带的光相比,用户可能较不敏感地感知蓝色波长带的光。由于在光阻挡区域BA中省略了光阻挡构件BM,并且颜色图案CP1、CP2和CP3设置在光阻挡区域BA中,因此可以阻挡或防止光的透射,并且用户可以相对较不敏感地感知反射光,并且可以通过吸收从显示装置10_4的外部引入的光中的一些部分来减小外部光的反射光。
图22和图23是示出根据实施方式的显示装置的外部分的示意性剖视图。
参考图22,根据实施方式的显示装置10_5还可以包括设置在第一堤部BNL1和第一谷部VA1之间的堤壁BMW。堤壁BMW可以是形成浮雕图案的结构,并且可以与第一堤部BNL1、第一谷部VA1、第二堤部BNL2和第三堤部BNL3一起防止低折射层LRL的有机材料溢出。图22的显示装置10_5与图14和图15的显示装置10_1的不同之处在于,它还包括设置在非显示区域NDA中的堤壁BMW。在下文中,将省略冗余描述,并且为描述方便起见,将描述与上述内容不同的内容。
堤壁BMW可以设置在第一堤部BNL1和第一谷部VA1之间。相比于第一堤部BNL1,第一谷部VA1可以设置成更靠近第二堤部BNL2,并且堤壁BMW可以设置在第一堤部BNL1和第一谷部VA1之间,以更有效地防止有机材料的溢出。
例如,与第二堤部BNL2类似,堤壁BMW可以与第一堤部BNL1间隔开并围绕第一堤部BNL1。不同的堤壁BMW可以彼此间隔开,并且设置在外侧上的堤壁BMW可以围绕设置在内侧上的堤壁BMW。
堤壁BMW可以通过与形成第二堤部BNL2相同的工艺来形成。堤壁BMW可以直接设置在第四绝缘层PAS4上,并且第一封盖层CPL1可以直接设置在堤壁BMW上。堤壁BMW可以在非显示区域NDA中设置在第一堤部BNL1和第一谷部VA1之间,并且可以部分地与光阻挡构件BM重叠。堤壁BMW可以具有在过孔层VIA上在向上方向上突出的浮雕图案形状,并且可以与第一谷部VA1一起防止低折射层LRL的有机材料溢出。
堤壁BMW可以具有比其它堤部BNL1、BNL2和BNL3小的宽度W4。堤壁BMW可以设置在第一谷部VA1和第一堤部BNL1之间的相对窄的区域中。堤壁BMW通过与形成第二堤部BNL2相同的工艺形成,但是可以具有根据显示装置10_5的空间而调整的尺寸。
参考图23,在根据实施方式的显示装置10_6中,第一堤部BNL1、第二堤部BNL2和第三堤部BNL3中的每个可以包括层BNL_L和BNL_U。第一堤部BNL1、第二堤部BNL2和第三堤部BNL3中的每个可以包括基础层BNL_L和设置在基础层BNL_L上的上层BNL_U。与图8和图9的实施方式相比,图23的颜色控制构件TPL、WCL1和WCL2可以通过光刻工艺形成,并且堤部BNL1、BNL2和BNL3可以具有相对低的高度。
第一堤部BNL1、第二堤部BNL2和第三堤部BNL3中的每个的基础层BNL_L可以直接设置在第四绝缘层PAS4上,并且第一堤部BNL1、第二堤部BNL2和第三堤部BNL3中的每个的上层BNL_U可以直接设置在基础层BNL_L上。上层BNL_U可以形成为具有比基础层BNL_L大的宽度,以完全覆盖基础层BNL_L的外表面。然而,实施方式不限于此。上层BNL_U的宽度可以等于或小于基础层BNL_L的宽度,并且上层BNL_U可以仅设置在基础层BNL_L的上表面上。在这种情况下,基础层BNL_L的侧表面可以被暴露。
在显示装置10_6中,颜色控制构件TPL、WCL1和WCL2可以通过光刻工艺形成,并且第一堤部BNL1、第二堤部BNL2和第三堤部BNL3中的每个可以具有其中基础层BNL_L和上层BNL_U彼此堆叠的结构。与图8和图9的实施方式相比,图23的第一堤部BNL1、第二堤部BNL2和第三堤部BNL3可以具有相对低的高度,并且颜色控制构件TPL、WCL1和WCL2的相应层的上表面可以形成为平坦的。颜色控制构件TPL、WCL1和WCL2的上表面可以形成为与第一堤部BNL1的上表面基本上平行。
图24是示出根据实施方式的显示装置的子像素的示意性平面图。图25是沿着图24的线N3-N3'截取的示意性剖视图。图26是沿着图24的线N4-N4'截取的示意性剖视图。
图24以平面图示出了设置在显示装置10的子像素SPXn中的电极RME(例如,RME1、RME2、RME3和RME4)、堤部图案BP1、BP2和BP3、下堤部层LBN、发光元件ED和连接电极CNE(例如,CNE1、CNE2、CNE3、CNE4和CNE5)的布局。图25示出了横跨设置在不同电极RME上的发光元件ED(例如,ED1、ED2、ED3和ED4)的两端的剖面,以及图26示出了横跨接触部分CT1、CT2、CT3和CT4的剖面。
参考图24至图26,根据实施方式的显示装置10可以包括更大数量的电极RME(例如,RME1、RME2、RME3和RME4)、堤部图案BP1、BP2和BP3、发光元件ED(例如,ED1、ED2、ED3和ED4)和连接电极CNE(例如,CNE1、CNE2、CNE3、CNE4和CNE5)。根据实施方式的显示装置10与根据图4的实施方式的显示装置10的不同之处在于,它包括用于每个子像素SPXn的更大数量的电极RME和发光元件ED。在下文中,将省略对重复上述内容的内容的描述,并且为了描述方便将描述与上述内容不同的内容。
堤部图案BP1、BP2和BP3还可以包括设置在第一堤部图案BP1和第二堤部图案BP2之间的第三堤部图案BP3。第一堤部图案BP1可以设置在发射区域EMA的中心的左侧上,第二堤部图案BP2可以设置在发射区域EMA的中心的右侧上,并且第三堤部图案BP3可以设置在发射区域EMA的中心处。第三堤部图案BP3在第二方向DR2上的宽度可以大于第一堤部图案BP1和第二堤部图案BP2的宽度。在第二方向DR2上彼此间隔开的相应堤部图案BP1、BP2和BP3之间的间隔可以大于相应电极RME之间的间隔。第一堤部图案BP1可以部分地(或完全地)与第一电极RME1重叠,并且第二堤部图案BP2可以部分地(或完全地)与第四电极RME4重叠。第三堤部图案BP3可以部分地(或完全地)与第二电极RME2和第三电极RME3重叠。例如,相应电极RME的一些部分可以不与堤部图案BP1、BP2和BP3重叠。
除了第一电极RME1和第二电极RME2之外,为每个子像素SPXn设置的电极RME还可以包括第三电极RME3和第四电极RME4。
第三电极RME3可以设置在第一电极RME1和第二电极RME2之间,并且第四电极RME4可以在第二方向DR2上与第三电极RME3间隔开,并且第二电极RME2插置在它们之间。在电极RME中,第一电极RME1、第三电极RME3、第二电极RME2和第四电极RME4可以从子像素SPXn的左侧朝向子像素SPXn的右侧顺序地设置。相应电极RME可以在第二方向DR2上彼此间隔开并彼此面对。在子区域SA的分离部分ROP中,电极RME可以与在第一方向DR1上相邻的另一子像素SPXn的电极RME间隔开。
在电极RME的第三电极RME3和第四电极RME4可以不与第一导电图案CDP1和第二电压线VL2接触(例如,可以不与第一导电图案CDP1和第二电压线VL2电接触)的情况下,电极RME的第一电极RME1和第二电极RME2可以分别通过设置在下堤部层LBN下方的电极接触孔CTD和CTS与第一导电图案CDP1和第二电压线VL2接触(例如,电接触)。
第一绝缘层PAS1可以设置成与上述实施方式的结构类似的结构。第一绝缘层PAS1可以完全设置在显示区域DPA中,并且可以覆盖电极RME和堤部图案BP1、BP2和BP3。
发光元件ED可以设置在堤部图案BP1、BP2和BP3之间,或者设置在不同的电极RME上。发光元件ED中的一些部分可以设置在第一堤部图案BP1和第三堤部图案BP3之间,并且发光元件ED中的另一部分可以设置在第三堤部图案BP3和第二堤部图案BP2之间。根据实施方式,发光元件ED可以包括设置在第一堤部图案BP1和第三堤部图案BP3之间的第一发光元件ED1和第三发光元件ED3、以及设置在第三堤部图案BP3和第二堤部图案BP2之间(例如,在水平方向上)的第二发光元件ED2和第四发光元件ED4。第一发光元件ED1和第三发光元件ED3中的每个可以设置在第一电极RME1和第三电极RME3上,并且第二发光元件ED2和第四发光元件ED4中的每个可以设置在第二电极RME2和第四电极RME4上。第一发光元件ED1和第二发光元件ED2可以邻近相应子像素SPXn的发射区域EMA中的下侧设置,并且第三发光元件ED3和第四发光元件ED4可以邻近相应子像素SPXn的发射区域EMA中的上侧设置。
然而,相应发光元件ED可以不根据它们设置在发射区域EMA中的位置来划分,并且可以如下所述根据与连接电极CNE的连接关系来划分。根据连接电极CNE的布置结构,相应发光元件ED可以在其两端处与不同的连接电极CNE接触(例如,电接触),并且可以根据它们所接触(例如,电接触)的连接电极CNE的类型而划分成不同的发光元件ED。
除了设置在第一电极RME1上的第一连接电极CNE1和设置在第二电极RME2上的第二连接电极CNE2之外,连接电极CNE还可以包括遍及电极RME设置的第三连接电极CNE3、第四连接电极CNE4和第五连接电极CNE5。
与图4至图6的实施方式相比,图24至图26的第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2中的每个在第一方向DR1上延伸的长度可以是相对短的。第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2可以相对于发射区域EMA的中心设置在下侧上。第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2可以遍及相应子像素SPXn的发射区域EMA和子区域SA设置,并且可以分别通过形成在子区域SA中的接触部分CT1和CT2与电极RME直接接触。第一连接电极CNE1可以通过在子区域SA中穿透第一绝缘层PAS1、第二绝缘层PAS2和第三绝缘层PAS3的第一接触部分CT1与第一电极RME1直接接触,并且第二连接电极CNE2可以通过在子区域SA中穿透第一绝缘层PAS1、第二绝缘层PAS2和第三绝缘层PAS3的第二接触部分CT2与第二电极RME2直接接触。
第三连接电极CNE3可以包括设置在第三电极RME3上的第一延伸部分CN_E1、设置在第一电极RME1上的第二延伸部分CN_E2、以及将第一延伸部分CN_E1和第二延伸部分CN_E2彼此连接的第一连接部分CN_B1。第一延伸部分CN_E1可以在第二方向DR2上与第一连接电极CNE1间隔开并面对第一连接电极CNE1,并且第二延伸部分CN_E2可以在第一方向DR1上与第一连接电极CNE1间隔开。第一延伸部分CN_E1可以设置在相应子像素SPXn的发射区域EMA的下侧上,并且第二延伸部分CN_E2可以设置在相应子像素SPXn的发射区域EMA的上侧上。第一延伸部分CN_E1和第二延伸部分CN_E2可以设置在发射区域EMA中。第一连接部分CN_B1可以在发射区域EMA的中心部分处遍及第一电极RME1和第三电极RME3设置。第三连接电极CNE3可以基本上具有在第一方向DR1上延伸的形状,但是可以具有在第二方向DR2上弯曲并且然后再次在第一方向DR1上延伸的形状。
第四连接电极CNE4可以包括设置在第四电极RME4上的第三延伸部分CN_E3、设置在第二电极RME2上的第四延伸部分CN_E4、以及将第三延伸部分CN_E3和第四延伸部分CN_E4彼此连接的第二连接部分CN_B2。第三延伸部分CN_E3可以在第二方向DR2上与第二连接电极CNE2间隔开并面对第二连接电极CNE2,并且第四延伸部分CN_E4可以在第一方向DR1上与第二连接电极CNE2间隔开。第三延伸部分CN_E3可以设置在相应子像素SPXn的发射区域EMA的下侧上,并且第四延伸部分CN_E4可以设置在相应子像素SPXn的发射区域EMA的上侧上。第三延伸部分CN_E3和第四延伸部分CN_E4可以设置在发射区域EMA中。第二连接部分CN_B2可以邻近发射区域EMA的中心,并且遍及第二电极RME2和第四电极RME4设置。第四连接电极CNE4可以基本上具有在第一方向DR1上延伸的形状,但是可以具有在第二方向DR2上弯曲并且然后再次在第一方向DR1上延伸的形状。
第五连接电极CNE5可以包括设置在第三电极RME3上的第五延伸部分CN_E5、设置在第四电极RME4上的第六延伸部分CN_E6、以及将第五延伸部分CN_E5和第六延伸部分CN_E6彼此连接的第三连接部分CN_B3。第五延伸部分CN_E5可以在第二方向DR2上与第三连接电极CNE3的第二延伸部分CN_E2间隔开并面对第三连接电极CNE3的第二延伸部分CN_E2,并且第六延伸部分CN_E6可以在第二方向DR2上与第四连接电极CNE4的第四延伸部分CN_E4间隔开并面对第四连接电极CNE4的第四延伸部分CN_E4。第五延伸部分CN_E5和第六延伸部分CN_E6中的每个可以设置在发射区域EMA的上侧上,并且第三连接部分CN_B3可以遍及第三电极RME3、第二电极RME2和第四电极RME4设置。在平面图中,第五连接电极CNE5可以围绕(或邻近)第四连接电极CNE4的第四延伸部分CN_E4。
第三连接电极CNE3可以通过在子区域SA中穿透第一绝缘层PAS1和第二绝缘层PAS2的第三接触部分CT3与第三电极RME3直接接触,并且第四连接电极CNE4可以通过在子区域SA中穿透第一绝缘层PAS1和第二绝缘层PAS2的第四接触部分CT4与第四电极RME4直接接触。
然而,实施方式不限于此。在一些实施方式中,在显示装置10中,连接电极CNE中的一些部分可以连接到(例如,直接连接到)第三导电层。例如,作为第一类型连接电极的第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2中的每个可以连接到(例如,直接连接到)第三导电层,并且可以不电连接到电极RME。第二类型连接电极和第三类型连接电极也可以不电连接到电极RME,并且可以仅连接到(例如,仅电连接到)发光元件ED。
第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2可以是连接到(例如,电连接到)电极RME1和RME2的第一类型连接电极,其中电极RME1和RME2分别连接到(例如,直接连接到)第三导电层,第三连接电极CNE3和第四连接电极CNE4可以是连接到(例如,电连接到)电极RME3和RME4的第二类型连接电极,其中电极RME3和RME4不连接到第三导电层,并且第五连接电极CNE5可以是不连接到电极RME的第三类型连接电极。第五连接电极CNE5可以不连接到电极RME,并且可以与发光元件ED接触(例如,电接触),并且可以与其它连接电极CNE一起构成发光元件ED的电连接电路。
作为第二类型连接电极的第三连接电极CNE3和第四连接电极CNE4可以是其在第一方向DR1上延伸的电极延伸部分在第二方向DR2上彼此不平行的连接电极,并且作为第三类型连接电极的第五连接电极CNE5可以是其在第一方向DR1上延伸的电极延伸部分在第二方向DR2上基本上彼此平行的连接电极。第三连接电极CNE3和第四连接电极CNE4可以具有在第一方向DR1上延伸但弯曲的形状,并且第五连接电极CNE5可以具有围绕另一连接电极的一部分的形状。
根据连接电极CNE与发光元件ED的两端之间的连接结构(或布置结构),发光元件ED可以被划分或限定为不同类型的发光元件ED。第一发光元件ED1和第二发光元件ED2可以具有接触第一类型连接电极的第一端和接触第二类型连接电极的第二端。第一发光元件ED1可以与第一连接电极CNE1和第三连接电极CNE3接触(例如,电接触),并且第二发光元件ED2可以与第二连接电极CNE2和第四连接电极CNE4接触(例如,电接触)。第三发光元件ED3和第四发光元件ED4可以具有接触第二类型连接电极的第一端和接触第三类型连接电极的第二端。第三发光元件ED3可以与第三连接电极CNE3和第五连接电极CNE5接触(例如,电接触),并且第四发光元件ED4可以与第四连接电极CNE4和第五连接电极CNE5接触(例如,电接触)。
发光元件ED可以通过连接电极CNE彼此串联连接(例如,电连接)。根据实施方式的显示装置10可以包括用于每个子像素SPXn的更大数量的发光元件ED,并且可以配置发光元件ED之间的串联连接,从而可以进一步增加每单位面积发射的光量。
图27是示出根据实施方式的显示装置的子像素的示意性平面图。图28是沿着图27的线N5-N5'截取的示意性剖视图。图29是沿着图27的线N6-N6'截取的示意性剖视图。图30是沿着图27的线N7-N7'截取的示意性剖视图。
图27以平面图示出了设置在显示装置10的子像素SPXn中的电极RME(例如,RME1和RME2)、堤部图案BP1和BP2、下堤部层LBN、发光元件ED和连接电极CNE(例如,CNE1、CNE2和CNE3)的布局。图28示出了横跨设置在不同电极RME上的发光元件ED(例如,ED1和ED2)的两端的剖面。图29和图30示出了横跨电极接触孔CTD、CTS和CTA以及接触部分CT1和CT2的剖面。
参考图27至图30,根据实施方式的显示装置10在电极RME、连接电极CNE和堤部图案BP1和BP2的结构上可以与根据上述实施方式的显示装置10不同。在下文中,将省略对重复上述实施方式的内容的内容的描述,并且为了描述方便将描述与上述实施方式的内容不同的内容。
堤部图案BP1和BP2可以具有在第一方向DR1上延伸的形状,但是堤部图案BP1和BP2在第二方向DR2上的宽度可以彼此不同,并且堤部图案BP1和BP2中的任一个可以遍及在第二方向DR2上彼此相邻的子像素SPXn设置。例如,堤部图案BP1和BP2可以包括设置在每个子像素SPXn的发射区域EMA中的第一堤部图案BP1和遍及不同子像素SPXn的发射区域EMA设置的第二堤部图案BP2。
第一堤部图案BP1可以设置在发射区域EMA的中心部分处,并且第二堤部图案BP2可以与第一堤部图案BP1间隔开,并且第一堤部图案BP1位于第二堤部图案BP2之间。第一堤部图案BP1和第二堤部图案BP2可以沿着第二方向DR2交替设置。发光元件ED可以设置在彼此间隔开的第一堤部图案BP1和第二堤部图案BP2之间。
第一堤部图案BP1和第二堤部图案BP2可以在第一方向DR1上具有相同的长度,但是可以在第二方向DR2上具有不同的宽度。下堤部层LBN的在第一方向DR1上延伸的一部分可以在厚度方向上与第二堤部图案BP2重叠。第一堤部图案BP1可以与第一电极RME1重叠,第二堤部图案BP2可以与第二电极RME2的电极分支部分RM_B1和RM_B2以及下堤部层LBN重叠。
堤部图案BP1和BP2可以在整个显示区域DPA中设置为岛状图案。
电极RME可以包括设置在每个子像素SPXn的中心部分处的第一电极RME1和遍及不同子像素SPXn设置的第二电极RME2。第一电极RME1和第二电极RME2可以基本上具有在第一方向DR1上延伸的形状,但是第一电极RME1和第二电极RME2的设置在发射区域EMA中的部分可以具有不同的形状。
第一电极RME1可以设置在子像素SPXn的中心处,并且第一电极RME1的设置在发射区域EMA中的一部分可以设置在第一堤部图案BP1上。第一电极RME1可以在第一方向DR1上从子区域SA延伸并延伸到另一子像素SPXn的子区域SA。第一电极RME1可以具有其中其在第二方向DR2上的宽度根据位置而变化的形状,并且第一电极RME1在发射区域EMA中与第一堤部图案BP1重叠的至少一部分可以具有比第一堤部图案BP1大的宽度。
第二电极RME2可以包括在第一方向DR1上延伸的部分和在发射区域EMA附近分支的部分。在实施方式中,第二电极RME2可以包括在第一方向DR1上延伸的电极主干部分RM_S和从电极主干部分RM_S分支、在第二方向DR2上弯曲并且然后在第一方向DR1上再次延伸的电极分支部分RM_B1和RM_B2。电极主干部分RM_S可以与下堤部层LBN的在第一方向DR1上延伸的一部分重叠,并且可以设置在子区域SA在第二方向DR2上的一侧上。电极分支部分RM_B1和RM_B2可以从设置在下堤部层LBN的在第一方向DR1上延伸的一部分和下堤部层LBN的在第二方向DR2上延伸的一部分处的电极主干部分RM_S分支,并且分别弯曲到第二方向DR2上的两侧。电极分支部分RM_B1和RM_B2可以在第一方向DR1上横跨发射区域EMA,可以再次弯曲。例如,电极分支部分RM_B1和RM_B2以及电极主干部分RM_S可以彼此集成,以彼此连接(例如,电连接)。例如,第二电极RME2的电极分支部分RM_B1和RM_B2可以在任一个子像素SPXn的发射区域EMA的上侧上分支,并且然后在发射区域EMA的下侧上再次彼此连接(例如,电连接)。
第二电极RME2可以包括设置在第一电极RME1的左侧上的第一电极分支部分RM_B1和设置在第一电极RME1的右侧上的第二电极分支部分RM_B2。包括在第二电极RME2中的电极分支部分RM_B1和RM_B2可以分别设置于在第二方向DR2上彼此相邻(或邻近)的子像素SPXn的发射区域EMA中,并且不同的第二电极RME2的电极分支部分RM_B1和RM_B2可以设置在子像素SPXn中。第二电极RME2的第一电极分支部分RM_B1可以设置在第一电极RME1的左侧上,并且另一第二电极RME2的第二电极分支部分RM_B2可以设置在第一电极RME1的右侧上。
第二电极RME2的相应电极分支部分RM_B1和RM_B2可以与第二堤部图案BP2的一侧重叠。第一电极分支部分RM_B1可以部分地与设置在第一堤部图案BP1的左侧上的第二堤部图案BP2重叠,并且第二电极分支部分RM_B2可以部分地与设置在第一堤部图案BP1的右侧上的第二堤部图案BP2重叠。第一电极RME1的两侧可以与不同第二电极RME2的不同电极分支部分RM_B1和RM_B2间隔开并且面对不同第二电极RME2的不同电极分支部分RM_B1和RM_B2,并且第一电极RME1与相应电极分支部分RM_B1和RM_B2之间的间隔(或间隙)可以小于不同堤部图案BP1和BP2之间的间隔(或间隙)。
第一电极RME1在第二方向DR2上的宽度可以大于第二电极RME2的电极主干部分RM_S和电极分支部分RM_B1和RM_B2的宽度。在第二电极RME2形成为具有相对小的宽度的情况下,第一电极RME1的宽度大于第一堤部图案BP1的宽度并且与第一堤部图案BP1的两侧重叠,使得电极分支部分RM_B1和RM_B2可以仅与第二堤部图案BP2的两侧重叠。
第一电极RME1可以通过其与下堤部层LBN的在第二方向DR2上延伸的一部分重叠的部分处的第一电极接触孔CTD与第三导电层的第一导电图案CDP1接触(例如,电接触)。第二电极RME2也可以通过电极主干部分RM_S处的第二电极接触孔CTS与第三导电层的第二电压线VL2接触(例如,电接触)。第一电极RME1可以在其设置在子区域SA中的部分处与第一接触部分CT1重叠,并且第二电极RME2可以包括在第二方向DR2上从电极主干部分RM_S突出以设置在子区域SA中的部分,并且可以在突出部分处与第二接触部分CT2重叠。
在第二电极RME2可以在子区域SA中不分离的情况下,第一电极RME1和第二电极RME2可以延伸到子区域SA的分离部分ROP1和ROP2。一个第二电极RME2可以具有在第一方向DR1上延伸并且通过包括电极主干部分RM_S和电极分支部分RM_B1和RM_B2而在每个子像素SPXn的发射区域EMA附近分支的形状。第一电极RME1可以设置在设置于每个子像素SPXn的不同子区域SA1和SA2中的分离部分ROP1和ROP2之间,并且可以横跨发射区域EMA。
根据实施方式,显示装置10可以包括线连接电极EP,其设置在每个子像素SPXn的子区域SA1和SA2中的第一子区域SA1中,以设置在不同子像素SPXn的第一电极RME1之间。在子像素SPXn的第二子区域SA2中,可以不设置线连接电极EP,并且在第一方向DR1上彼此相邻的不同子像素SPXn的第一电极RME1可以彼此间隔开。在子像素SPXn中的图27的子像素SPXn中,其中设置有线连接电极EP的第一子区域SA1可以设置在发射区域EMA的上侧上,并且第二子区域SA2可以设置在发射区域EMA的下侧上。例如,在沿着第一方向DR1与图27的子像素SPXn相邻的子像素SPXn中,其中设置有线连接电极EP的第一子区域SA1可以设置在发射区域EMA的下侧上,并且第二子区域SA2可以设置在发射区域EMA的上侧上。
第一电极RME1可以在第一子区域SA1中与线连接电极EP间隔开,并且第一分离部分ROP1插置在它们之间。在一个第一子区域SA1中,可以设置两个第一分离部分ROP1,并且线连接电极EP可以与设置在相应子像素SPXn中的第一电极RME1间隔开,并且在下侧上的第一分离部分ROP1插置在它们之间,并且线连接电极EP可以与设置在另一子像素SPXn中的第一电极RME1间隔开,并且在上侧上的第一分离部分ROP1插置在它们之间。在第二子区域SA2中,可以设置一个第二分离部分ROP2,并且不同的第一电极RME1可以在第一方向DR1上彼此间隔开。
在实施方式中,线连接电极EP可以通过穿透过孔层VIA的第三电极接触孔CTA连接到(例如,电连接到)第三导电层的第一电压线VL1。第一电极RME1可以在其中其连接到(例如,电连接到)线连接电极EP的状态下形成,并且为了设置发光元件ED而施加的电信号可以通过线连接电极EP从第一电压线VL1施加到第一电极RME1。在设置发光元件ED的工艺中,可以将信号施加到第一电压线VL1和第二电压线VL2,并且将信号分别传递到第一电极RME1和第二电极RME2。
例如,第二电极接触孔CTS可以具有不同于如下所述的第三电极接触孔CTA的布置的相对布置。第二电极接触孔CTS可以设置在下堤部层LBN的围绕第二子区域SA2的一部分中,并且第三电极接触孔CTA可以设置在第一子区域SA1中。第二电极接触孔CTS和第三电极接触孔CTA可以分别暴露不同电压线VL1和VL2的上表面,并且因此,可以确定第二电极接触孔CTS和第三电极接触孔CTA的位置。
类似于上述实施方式,下堤部层LBN可以围绕发射区域EMA以及子区域SA1和SA2。然而,在其中显示装置10包括彼此分开的子区域SA1和SA2的实施方式中,被下堤部层LBN围绕的区域可以彼此分开。下堤部层LBN与上述实施方式的描述相同,除了它围绕不同的子区域SA1和SA2之外。
发光元件ED可以在不同的堤部图案BP1和BP2之间设置在不同的电极RME上。发光元件ED可以包括第一发光元件ED1和第二发光元件ED2,第一发光元件ED1的两端分别设置在第一电极RME1与第二电极RME2的第二电极分支部分RM_B2上,第二发光元件ED2的两端分别设置在第一电极RME1与另一第二电极RME2的第一电极分支部分RM_B1上。第一发光元件ED1可以相对于第一电极RME1设置在右侧上,并且第二发光元件ED2可以相对于第一电极RME1设置在左侧上。第一发光元件ED1可以设置在第一电极RME1和第二电极RME2上,并且第二发光元件ED2可以设置在第一电极RME1和第二电极RME2上。
连接电极CNE(例如,CNE1、CNE2和CNE3)可以包括第一连接电极CNE1、第二连接电极CNE2和第三连接电极CNE3。
第一连接电极CNE1可以具有在第一方向DR1上延伸的形状,并且可以设置在第一电极RME1上。第一连接电极CNE1的设置在第一堤部图案BP1上的一部分可以与第一电极RME1重叠,并且第一连接电极CNE1可以在第一方向DR1上从该部分延伸到超出下堤部层LBN位于发射区域EMA的上侧上的第一子区域SA1。第一连接电极CNE1可以通过第一子区域SA1中的第一接触部分CT1与第一电极RME1接触(例如,电接触)。
第二连接电极CNE2可以具有在第一方向DR1上延伸的形状,并且可以设置在第二电极RME2上。第二连接电极CNE2的设置在第二堤部图案BP2上的一部分可以与第二电极RME2重叠,并且第二连接电极CNE2可以在第一方向DR1上从该部分延伸到超出下堤部层LBN位于发射区域EMA的上侧上的第一子区域SA1。第二连接电极CNE2可以通过第一子区域SA1中的第二接触部分CT2与第二电极RME2接触(例如,电接触)。
例如,在沿着第一方向DR1与图27的子像素SPXn相邻的子像素SPXn中,第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2可以分别通过设置在第二子区域SA2中的接触部分CT1和CT2与第一电极RME1和第二电极RME2接触(例如,电接触)。
第三连接电极CNE3可以包括在第一方向DR1上延伸的延伸部分CN_E1和CN_E2以及将延伸部分CN_E1和CN_E2彼此连接的第一连接部分CN_B1。第一延伸部分CN_E1可以在发射区域EMA中面对第一连接电极CNE1,并且可以设置在第二电极RME2的第二电极分支部分RM_B2上。例如,第二延伸部分CN_E2可以在发射区域EMA中面对第二连接电极CNE2,并且可以设置在第一电极RME1上。第一连接部分CN_B1可以在设置在发射区域EMA的下侧上的下堤部层LBN上在第二方向DR2上延伸,以将第一延伸部分CN_E1和第二延伸部分CN_E2彼此连接。第三连接电极CNE3可以设置在发射区域EMA中和下堤部层LBN上,并且可以不直接连接到电极RME。设置在第一延伸部分CN_E1下方的第二电极分支部分RM_B2可以连接到(例如,电连接到)第二电压线VL2,但是施加到第二电极分支部分RM_B2的第二源极电压可以不被传递到第三连接电极CNE3。
图31是根据实施方式的显示装置的示意性剖视图。图32是示出图31的显示装置的外部分的示意性剖视图。
参考图31和图32,根据实施方式的显示装置10_7可以包括有机发光元件,这与上面参考图2至图6描述的显示装置10不同。在显示装置10_7中,设置在过孔层VIA上的堤部图案BP1和BP2、电极RME、发光元件ED和连接电极CNE可以用其它层或电极代替。在下文中,将省略对重复图2至图6的实施方式的描述的内容的描述,并且为描述方便将描述与图2至图6的实施方式的内容不同的内容。
显示装置10_7可以包括设置在过孔层VIA上的阳极电极AE1、AE2和AE3、像素限定膜150、有机层OL和阴极电极CE。例如,显示装置10_7可以包括设置在阴极电极CE上的封装层170。
阳极电极AE1、AE2和AE3可以设置在过孔层VIA上。第一阳极电极AE1可以设置在第一子像素SPX1中,第二阳极电极AE2可以设置在第二子像素SPX2中,并且第三阳极电极AE3可以设置在第三子像素SPX3中。
在一些实施方式中,第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第三阳极电极AE3的宽度或面积可以彼此不同。例如,第一阳极电极AE1的宽度可以大于第二阳极电极AE2的宽度,并且第二阳极电极AE2的宽度可以小于第一阳极电极AE1的宽度,但是大于第三阳极电极AE3的宽度。例如,第一阳极电极AE1的面积可以大于第二阳极电极AE2的面积,并且第二阳极电极AE2的面积可以小于第一阳极电极AE1的面积,但是大于第三阳极电极AE3的面积。然而,实施方式不限于此,并且第一阳极电极AE1的面积可以小于第二阳极电极AE2的面积,并且第三阳极电极AE3的面积可以大于第二阳极电极AE2的面积和第一阳极电极AE1的面积。在一些情况下,第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第三阳极电极AE3的宽度或面积也可以基本上彼此相同。
第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第三阳极电极AE3可以包括具有高反射率的材料。例如,第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第三阳极电极AE3可以是包括诸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr的金属或其化合物或混合物的金属层。在实施方式中,第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第三阳极电极AE3还可以包括堆叠在金属层上的金属氧化物层。在实施方式中,第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第三阳极电极AE3可以具有诸如ITO/Ag、Ag/ITO、ITO/Mg或ITO/MgF2的两层结构或诸如ITO/Ag/ITO的多层结构。
像素限定膜150可以设置在第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第三阳极电极AE3上。像素限定膜150可以包括暴露第一阳极电极AE1的开口、暴露第二阳极电极AE2的开口、以及暴露第三阳极电极AE3的开口。
在一些示例中,像素限定膜150可以包含有机绝缘材料,诸如聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂或苯并环丁烯(BCB)。
有机层OL可以设置在第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第三阳极电极AE3上。在一些实施方式中,有机层OL可以具有遍及子像素SPXn和子像素SPXn之间的边界形成的连续膜的形状。
阴极电极CE可以设置在有机层OL上。在一些实施方式中,阴极电极CE可以具有半透射半反射特性或透射特性。在阴极电极CE具有半透射半反射特性的情况下,阴极电极CE可以包括Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti或其化合物或混合物(例如,Ag和Mg的混合物),或者具有例如LiF/Ca或LiF/Al的多层结构的材料。例如,在阴极电极CE的厚度为几十埃至几百埃的情况下,阴极电极CE可以具有半透射半反射特性。
在阴极电极CE具有透射特性的情况下,阴极电极CE可以包括透明导电氧化物(TCO)。例如,阴极电极CE可以包括氧化钨(WxOy)、氧化钛(TiO2)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化镁(MgO)等。
第一阳极电极AE1、有机层OL和阴极电极CE可以构成有机第一发光元件ED1,第二阳极电极AE2、有机层OL和阴极电极CE可以构成有机第二发光元件ED2,并且第三阳极电极AE3、有机层OL和阴极电极CE可以构成有机第三发光元件ED3。从相应有机发光元件ED1、ED2和ED3发射的光可以入射到设置在有机发光元件ED1、ED2和ED3上方的颜色控制构件TPL、WCL1和WCL2上。
封装层170可以设置在有机发光元件ED1、ED2和ED3上,以便覆盖有机发光元件ED1、ED2和ED3。封装层170可以基本上完全设置在第一衬底SUB上,并且可以完全覆盖设置在第一衬底SUB上的构件。
封装层170可以包括顺序堆叠在阴极电极CE上的第一封装层171、第二封装层173和第三封装层175。第一封装层171和第三封装层175可以包括无机绝缘材料,并且第二封装层173可以包括有机绝缘材料。例如,第一封装层171和第三封装层175中的每个可以包括氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈、氮氧化硅(SiOxNy)和氟化锂中的至少一种。第二封装层173可以包括丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯、乙烯基树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、纤维素树脂和二萘嵌苯树脂中的至少一种。然而,封装层170的堆叠结构和材料不限于上述结构和材料,并且可以进行各种修改。
第一堤部BNL1和颜色控制构件TPL、WCL1和WCL2中的每个可以设置在封装层170上。第一堤部BNL1可以设置在封装层170上以便与像素限定膜150重叠,并且颜色控制构件TPL、WCL1和WCL2可以在封装层170上设置在由第一堤部BNL1围绕的区域中。如上所述的封盖层CPL1和CPL2、低折射层LRL、平坦化层PNL、光阻挡构件BM、滤色器层CFL和外涂层OC可以设置在第一堤部BNL1和颜色控制构件TPL、WCL1和WCL2上。
在其中显示装置10_7包括有机发光元件ED1、ED2和ED3的实施方式中,非显示区域NDA的第二堤部BNL2和第三堤部BNL3中的每个可以直接设置在封装层170的第三封装层175上。第一封装层171可以直接设置在设置于第一堤部BNL1和第二堤部BNL2之间的第一谷部VA1的内侧壁上,并且由第一谷部VA1引起的台阶可以由第二封装层173填充。例如,第一封盖层CPL1的一部分可以直接设置在封装层170的第三封装层175上。然而,实施方式不限于此。
图33是示出根据实施方式的显示装置的外部分的示意性剖视图。
参考图33,根据实施方式的显示装置10_8还可以包括设置在外涂层OC上的上覆盖层UCL。上覆盖层UCL可以设置在显示装置10_8的最上层处,以保护显示装置10_8免受外部冲击,或者对从显示装置10_8发射的光或从外部入射的光执行光学功能。作为示例,上覆盖层UCL可以是防止由于外部光的反射而导致可见度降低的光学膜。在其中上覆盖层UCL是光学膜的实施方式中,上覆盖层UCL可以包括相位差延迟膜和保护相位差延迟膜的涂层。上覆盖层UCL可以包括由诸如三乙酰基纤维素的纤维素树脂、聚酯树脂等制成的层,但不限于此。
上覆盖层UCL可以在外涂层OC上设置在显示装置10_8的显示区域DPA和非显示区域NDA中。在平面图中,上覆盖层UCL可以具有与第一衬底SUB的面积类似的面积,并且可以完全覆盖显示区域DPA和非显示区域NDA,如图33中所示。然而,实施方式不限于此,并且上覆盖层UCL可以仅覆盖显示区域DPA,或者覆盖显示区域DPA并且仅覆盖非显示区域NDA的一部分。
在其中上覆盖层UCL设置成完全覆盖非显示区域NDA的实施方式中,可以在上覆盖层UCL下方形成空间。第二堤部BNL2和第三堤部BNL3设置在显示装置10_8的最外部分处的部分可以具有比外涂层OC低的高度,并且可以在上覆盖层UCL与第二堤部BNL2和第三堤部BNL3之间形成空间。该空间可以用填充材料填充,但不限于此。填充材料可以不填充在上覆盖层UCL下方的空间中,并且可以在上覆盖层UCL下方的空间中形成空气层。
在结束详细描述时,本领域中的技术人员将理解的是,在基本上不背离本公开的原理的情况下,可以对实施方式进行许多变化和修改。因此,本公开的实施方式仅在一般和描述性意义上使用,而不是出于限制的目的。
Claims (10)
1.一种显示装置,包括:
第一衬底,包括显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域;
多个子像素,包括在所述显示区域中设置在所述第一衬底上的多个发光元件;
第一堤部,在所述显示区域中围绕所述子像素;
多个颜色控制构件,在所述多个子像素的所述发光元件上被所述第一堤部围绕;
多个滤色器层,设置在所述颜色控制构件上;
第二堤部,在所述非显示区域中与所述第一堤部间隔开并且围绕所述显示区域;以及
多个颜色坝,设置在所述第二堤部上,其中,
所述颜色坝包括:
第一颜色坝,设置在所述第二堤部的第一部分上,所述第二堤部的所述第一部分设置在所述显示区域的第一侧上,以及
第二颜色坝,设置在所述第二堤部的第二部分上,所述第二堤部的所述第二部分设置在所述显示区域的与所述显示区域的所述第一侧相对的第二侧上,以及
所述第一颜色坝和所述第二颜色坝包括不同的材料。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述多个子像素包括第一子像素和在一方向上与所述第一子像素间隔开的第二子像素,
所述多个颜色控制构件包括设置在所述第一子像素中的第一波长转换层和设置在所述第二子像素中的透光层,以及
所述多个滤色器层包括设置在所述第一波长转换层上的第一滤色器层和设置在所述透光层上的第二滤色器层。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,
所述第一颜色坝和所述第二颜色坝在所述一方向上彼此间隔开,
所述显示区域设置在所述第一颜色坝和所述第二颜色坝之间,
所述第一颜色坝和所述第一滤色器层包括相同的材料,以及
所述第二颜色坝和所述第二滤色器层包括相同的材料,
其中,所述子像素还包括设置在所述第一子像素和所述第二子像素之间的第三子像素,
所述多个颜色控制构件还包括设置在所述第三子像素中的第二波长转换层,
所述多个滤色器层还包括设置在所述第二波长转换层上的第三滤色器层,
所述显示装置还包括设置在所述第一颜色坝上的第三颜色坝,以及
所述第三颜色坝和所述第三滤色器层包括相同的材料。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中,
所述第三颜色坝的宽度大于所述第一颜色坝的宽度,以及
所述第一颜色坝的外表面被所述第三颜色坝覆盖。
5.根据权利要求3所述的显示装置,还包括与所述第一堤部重叠的多个颜色图案,其中,
所述颜色图案包括:
第一颜色图案,所述第一颜色图案和所述第一滤色器层包括相同的材料,
第二颜色图案,所述第二颜色图案和所述第二滤色器层包括相同的材料,以及
第三颜色图案,所述第三颜色图案和所述第三滤色器层包括相同的材料,以及
在平面图中,所述第一颜色图案与所述第二滤色器层和所述第三滤色器层中的每个重叠。
6.根据权利要求2所述的显示装置,其中,
所述第一颜色坝和所述第二颜色坝在所述一方向上彼此间隔开,
所述显示区域设置在所述第一颜色坝和所述第二颜色坝之间,
所述第一颜色坝和所述第二滤色器层包括相同的材料,以及
所述第二颜色坝和所述第一滤色器层包括相同的材料。
7.根据权利要求1所述的显示装置,还包括:
第一封盖层,设置在所述多个颜色控制构件、所述第一堤部和所述第二堤部上;
低折射层,设置在所述第一封盖层上;以及
第二封盖层,设置在所述低折射层上,
其中,所述第一颜色坝和所述第二颜色坝设置在所述第二封盖层上。
8.根据权利要求7所述的显示装置,还包括设置在所述第二封盖层和所述多个滤色器层之间的平坦化层,
其中,所述第一颜色坝和所述第二颜色坝中的每个在所述第二堤部上直接设置在所述平坦化层上,
所述显示装置还包括:
光阻挡构件,设置在所述平坦化层上并与所述第一堤部重叠;以及
外涂层,设置在所述光阻挡构件和所述多个滤色器层上。
9.根据权利要求7所述的显示装置,还包括:
过孔层,在所述第一衬底上设置在所述显示区域和所述非显示区域中;
第三堤部,设置在所述过孔层上,在所述非显示区域中与所述第二堤部间隔开并围绕所述第二堤部;以及
第一谷部,在所述非显示区域中设置在所述第一堤部和所述第二堤部之间并穿透所述过孔层,
其中,设置在所述显示区域的所述第一侧上的所述第二堤部和所述第三堤部上设置有多个所述第一颜色坝,以及
设置在所述显示区域的所述第二侧上的所述第二堤部和所述第三堤部上设置有多个所述第二颜色坝。
10.根据权利要求7所述的显示装置,其中,
所述第一堤部和所述第二堤部中的每个包括基础层和设置在所述基础层上的上层,以及
所述上层具有比所述基础层大的宽度。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020210180238A KR20230092041A (ko) | 2021-12-16 | 2021-12-16 | 표시 장치 |
KR10-2021-0180238 | 2021-12-16 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN116267005A true CN116267005A (zh) | 2023-06-20 |
Family
ID=86744368
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202211613791.6A Pending CN116267005A (zh) | 2021-12-16 | 2022-12-15 | 显示装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230197763A1 (zh) |
KR (1) | KR20230092041A (zh) |
CN (1) | CN116267005A (zh) |
WO (1) | WO2023113489A1 (zh) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102545065B1 (ko) * | 2017-12-29 | 2023-06-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계 발광 표시장치 |
KR20200136533A (ko) * | 2019-05-27 | 2020-12-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치, 컬러 필터용 포토 마스크 및 표시 장치의 제조 방법 |
KR20210052618A (ko) * | 2019-10-29 | 2021-05-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR20210095774A (ko) * | 2020-01-23 | 2021-08-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20210142038A (ko) * | 2020-05-14 | 2021-11-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
-
2021
- 2021-12-16 KR KR1020210180238A patent/KR20230092041A/ko unknown
-
2022
- 2022-10-27 US US17/974,695 patent/US20230197763A1/en active Pending
- 2022-12-15 CN CN202211613791.6A patent/CN116267005A/zh active Pending
- 2022-12-15 WO PCT/KR2022/020429 patent/WO2023113489A1/ko unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20230197763A1 (en) | 2023-06-22 |
WO2023113489A1 (ko) | 2023-06-22 |
KR20230092041A (ko) | 2023-06-26 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication |