CN219553636U - 显示装置 - Google Patents

显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN219553636U
CN219553636U CN202320293150.0U CN202320293150U CN219553636U CN 219553636 U CN219553636 U CN 219553636U CN 202320293150 U CN202320293150 U CN 202320293150U CN 219553636 U CN219553636 U CN 219553636U
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
dam
display area
light emitting
bank
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202320293150.0U
Other languages
English (en)
Inventor
李鎭禹
吴柱锡
李政炫
崔敬芽
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Application granted granted Critical
Publication of CN219553636U publication Critical patent/CN219553636U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

提供了一种显示装置。所述显示装置包括：基底，包括显示区域和非显示区域；绝缘层，在基底上方，并且在显示区域和非显示区域中；以及至少一个坝，在非显示区域中，围绕显示区域，并且包括：下坝层，在基底上方；中间坝层，在下坝层上方；以及上坝层，覆盖下坝层和中间坝层，其中，绝缘层在中间坝层与上坝层之间。所述显示装置可以增加坝的粘结力，从而降低或防止坝剥离的可能性。

Description

显示装置
技术领域
本公开涉及一种显示装置。
背景技术
随着多媒体技术的发展，显示装置的重要性已经稳步增加。响应于此，已经使用了诸如有机发光显示器(OLED)、液晶显示器(LCD)等的各种类型的显示装置。
显示装置是用于显示图像的装置，并且包括诸如有机发光显示面板或液晶显示面板的显示面板。发光显示面板可以包括发光元件(例如，发光二极管(LED))，并且发光二极管的示例包括使用有机材料作为发光材料的有机发光二极管和使用无机材料作为发光材料的无机发光二极管。
实用新型内容
本公开的方面提供了一种显示装置，该显示装置能够减少坝的剥离并且降低或防止有机材料在工艺期间溢出到基底的外部分的可能性。
然而，本公开的方面不限于这里阐述的方面。通过参照下面所呈现的本公开的详细描述，本公开的以上和其他方面对于本公开所属领域的普通技术人员将变得更加明显。
根据公开的一个或更多个实施例，显示装置包括：基底，包括显示区域和非显示区域；绝缘层，在基底上方，并且在显示区域和非显示区域中；以及至少一个坝，在非显示区域中，围绕显示区域，并且包括：下坝层，在基底上方；中间坝层，在下坝层上方；以及上坝层，覆盖下坝层和中间坝层，其中，绝缘层在中间坝层与上坝层之间。
绝缘层可以覆盖下坝层和中间坝层，并且接触下坝层和中间坝层。
上坝层可以接触绝缘层的顶表面。
中间坝层可以接触下坝层的顶表面，其中，下坝层的宽度大于中间坝层的宽度。
上坝层的宽度可以大于下坝层的宽度并且可以大于中间坝层的宽度。
显示装置还可以包括过孔层，过孔层在基底与绝缘层之间并且限定孔部分。
孔部分可以在至少一个坝与显示区域之间，并且在平面图中可以围绕显示区域。
绝缘层可以在过孔层上方，其中，绝缘层的一部分在孔部分中。
根据公开的一个或更多个实施例，显示装置包括：基底，包括显示区域和非显示区域；过孔层，在基底上方；绝缘层，在过孔层上方，并且在显示区域和非显示区域中；以及至少一个坝，在非显示区域中，并且围绕显示区域，其中，绝缘层在非显示区域中限定穿透绝缘层的通气孔，并且其中，至少一个坝与通气孔叠置。
通气孔可以彼此间隔开以围绕显示区域，并且使过孔层的顶表面暴露，至少一个坝可以覆盖通气孔，其中，至少一个坝的宽度大于通气孔中的一个通气孔的直径。
按照根据实施例的显示装置，包含无机材料的绝缘层形成在具有多层结构的坝中，从而增加坝的粘结力，并因此降低或防止坝剥离的可能性。此外，坝和绝缘层的通气孔彼此叠置，从而进一步增加坝的粘结力。
此外，多个虚设像素布置在非显示区域中，使得分隔虚设像素的堤层和上堤层可以用作坝，以减少或防止有机材料溢出到基底的外部分的可能性。
然而，本公开的方面不限于上述方面，并且各种其他方面包括在本公开中。
附图说明
通过参照附图详细描述本公开的实施例，本公开的以上和其他方面将变得更加明显，在附图中：
图1是根据一个或更多个实施例的显示装置的示意性平面图；
图2是示出根据一个或更多个实施例的显示装置的一个像素的平面图；
图3是沿着图2的线E1-E1'截取的剖视图；
图4是沿着图2的线E2-E2'截取的剖视图；
图5是根据一个或更多个实施例的发光元件的示意图；
图6是根据一个或更多个实施例的显示装置的剖视图；
图7是示意性示出根据一个或更多个实施例的显示装置的显示区域和非显示区域的平面图；
图8是沿着图7的线A1-A1'截取的剖视图；
图9是示出根据一个或更多个实施例的显示装置的坝结构的示例的剖视图；
图10是示出根据一个或更多个实施例的显示装置的第一坝的平面图；
图11是示出根据一个或更多个实施例的显示装置的坝的另一示例的剖视图；
图12是示意性示出根据一个或更多个其他实施例的显示装置的剖视图；
图13是示出根据一个或更多个其他实施例的显示装置的显示区域和非显示区域的部分的平面图；
图14是示出根据一个或更多个其他实施例的坝结构的剖视图；
图15是示出根据又一个或更多个其他实施例的显示装置的显示区域和非显示区域的平面图；
图16是图15的区域A的放大平面图；
图17是沿着图15中的线A2-A2'截取的剖视图；并且
图18至图23是顺序地示出根据一个或更多个实施例的制造显示装置的方法的图。
具体实施方式
通过参照实施例的详细描述和附图，可以更容易地理解本公开的一些实施例的方面以及实现本公开的一些实施例的方法。在下文中，将参照附图更详细地描述实施例。然而，所描述的实施例可以具有各种修改并且可以以各种不同的形式实现，而不应被解释为仅限于这里所示的实施例。相反，提供这些实施例作为示例，使得本公开将是彻底和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本公开的方面，应当理解的是，本公开覆盖在本公开的构思和技术范围内的所有修改、等同和替换。因此，可以不描述对于本领域普通技术人员完全理解本公开的方面不是必需的工艺、元件和技术。
除非另外说明，否则在整个附图和书面描述中，同样的附图标记、字符或其组合表示同样的元件，因此，将不重复其描述。此外，可以不示出与实施例的描述不相关的部分或无关的部分，以使描述清楚。
在附图中，为了清楚起见，可以夸大元件、层和区域的相对尺寸。此外，通常在附图中提供交叉影线和/或阴影的使用，以使相邻元件之间的边界清晰。如此，除非说明，否则交叉影线或阴影的存在与否都不传达或指示对元件的具体材料、材料性质、尺寸、比例、示出的元件之间的共性和/或任何其他特性、属性、性质等的任何偏好或要求。
这里参照作为实施例和/或中间结构的示意图的剖视图描述了各种实施例。如此，将预料到例如由制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化。此外，根据本公开的构思，这里公开的具体结构或功能性描述仅仅是示例性的，以用于描述实施例的目的。因此，这里公开的实施例不应被解释为限于具体示出的区域的形状，而是将包括例如由制造引起的形状的偏差。
例如，示出为矩形的注入区域在其边缘处将通常具有圆滑的或弯曲的特征和/或注入浓度梯度，而非从注入区域到非注入区域的二元变化。同样地，通过注入形成的掩埋区域可以导致在掩埋区域与通过其发生注入的表面之间的区域中的一些注入。
因此，在附图中示出的区域本质上是示意性的，并且它们的形状不旨在示出装置的区域的实际形状，也不旨在成为限制。此外，如本领域技术人员将认识到的，在全部不脱离本公开的精神或范围的情况下，可以以各种不同的方式修改所描述的实施例。
在详细描述中，出于解释的目的，阐述了许多具体细节以提供对各种实施例的透彻理解。然而，明显的是，可以在没有这些具体细节或者具有一个或更多个等同布置的情况下实践各种实施例。在其他情况下，以框图形式示出了公知的结构和装置，以避免不必要地模糊各种实施例。
为了易于解释，这里可以使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下”、“在……下面”、“在……上方”、“上”等的空间相对术语来描述如图中所示的一个元件或特征与其他元件或特征的关系。将理解的是，除了图中所描绘的方位之外，空间相对术语旨在还涵盖装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果图中的装置被翻转，则被描述为“在”其他元件或特征“下方”或“之下”或“下面”的元件随后将被定向为“在”所述其他元件或特征“上方”。因此，示例术语“在……下方”和“在……下面”可以涵盖上方和下方两种方位。装置可以被另外地定向(例如，旋转90度或在其他方位处)，并且应当相应地解释这里使用的空间相对描述语。类似地，当第一部分(部件)被描述为布置“在”第二部分(部件)“上”时，这指示第一部分(部件)布置在第二部分(部件)的上侧处或下侧处，而不限于第二部分(部件)的基于重力方向的上侧。
此外，在本说明书中，短语“在平面上”或“平面图”表示从顶部观看目标部分，并且短语“在剖面上”表示观看通过从侧面竖直切割目标部分而形成的剖面。
将理解的是，当元件、层、区域或组件被称为“形成在”另一元件、层、区域或组件“上”、“在”另一元件、层、区域或组件“上”、“连接到”或“结合到”另一元件、层、区域或组件时，该元件、层、区域或组件可以直接形成在所述另一元件、层、区域或组件上、直接在所述另一元件、层、区域或组件上、直接连接到或直接结合到所述另一元件、层、区域或组件，或者间接形成在所述另一元件、层、区域或组件上、间接在所述另一元件、层、区域或组件上、间接连接到或间接结合到所述另一元件、层、区域或组件，使得可以存在一个或更多个居间元件、层、区域或组件。此外，这可以共同地表示直接结合或连接或者间接结合或连接以及一体地结合或连接或者非一体地结合或连接。例如，当层、区域或组件被称为“电连接”或“电结合”到另一层、区域或组件时，该层、区域或组件可以直接电连接或直接电结合到所述另一层、区域和/或组件，或者可以存在居间层、区域或组件。然而，“直接连接/直接结合”或者“直接在……上”指一个组件与另一组件直接连接或直接结合或者直接在另一组件上，而没有居间组件。同时，可以类似地解释描述组件之间的关系的其他表述(诸如“在……之间”、“直接在……之间”或“与……相邻”和“直接与……相邻”)。此外，还将理解的是，当元件或层被称为“在”两个元件或层“之间”时，该元件或层可以是所述两个元件或层之间的唯一元件或层，或者也可以存在一个或更多个居间元件或层。
出于本公开的目的，当诸如“……中的至少一个(种/者)”的表述在一列元件之后时，该表述修饰整列元件，而不修饰所述列中的个别元件。例如，“X、Y和Z中的至少一个(种/者)”和“从由X、Y和Z组成的组中选择的至少一个(种/者)”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z、X、Y和Z中的两个或更多个的任何组合(诸如以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例)或其任何变型。类似地，诸如“A和B中的至少一个(种/者)”的表述可以包括A、B或者A和B。如这里所使用的，“或”通常表示“和/或”，并且术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。例如，诸如“A和/或B”的表述可以包括A、B或者A和B。
将理解的是，尽管这里可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，下面描述的第一元件、组件、区域、层或部分可以被称为第二元件、组件、区域、层或部分。将元件描述为“第一”元件可以不要求或暗示存在第二元件或其他元件。这里也可以使用术语“第一”、“第二”等来区分元件的不同类别或集合。为了简洁起见，术语“第一”、“第二”等可以分别代表“第一类别(或第一集合)”、“第二类别(或第二集合)”等。
在示例中，x轴、y轴和/或z轴不限于直角坐标系的三个轴，而是可以以更广泛的意义解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。这适用于第一方向、第二方向和/或第三方向。
这里使用的术语仅用于描述具体实施例的目的，并不旨在成为本公开的限制。如这里所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一”和“一个(种/者)”也旨在包括复数形式。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”、“具有”、“包括”及其变型时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
当可以不同地实现一个或更多个实施例时，可以与所描述的顺序不同地执行特定的工艺顺序。例如，可以基本上同时执行或者可以以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。
如这里所使用的，术语“基本上(基本)”、“约(大约)”、“近似(大致)”和类似术语用作近似术语而不用作程度术语，并且旨在解释本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值的固有偏差。如这里所使用的，考虑到所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(即测量系统的局限性)，“约(大约)”或“近似(大致)”包括所陈述的值并且表示在如由本领域普通技术人员所确定的特定值的可接受偏差范围内。例如，“约(大约)”可以表示在一个或更多个标准偏差内，或在陈述的值的±30％、±20％、±10％、±5％内。此外，在描述本公开的实施例时，“可以”的使用指“本公开的一个或更多个实施例”。
除非另外定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语(诸如在通用词典中定义的术语)应被解释为具有与它们在相关领域的背景下和/或本说明书中的含义一致的含义，而不应以理想化或过于形式化的含义来解释，除非这里明确地如此定义。
图1是根据一个或更多个实施例的显示装置的示意性平面图。
参照图1，显示装置10显示运动图像或静止图像。显示装置10可以指提供显示屏幕的任何电子装置。显示装置10的示例可以包括提供显示屏幕的电视、膝上型计算机、监视器、广告牌、物联网装置、移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、电子手表、智能手表、手表电话、头戴式显示器、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航装置、游戏机、数码相机、摄像机等。
显示装置10包括提供显示屏幕的显示面板。显示面板的示例可以包括无机发光二极管显示面板、有机发光显示面板、量子点发光显示面板、等离子体显示面板和场发射显示面板。在以下描述中，将描述应用无机发光二极管显示面板作为显示面板的情况，但是本公开不限于此，并且可以在相同的技术精神的范围内应用其他显示面板。
可以对显示装置10的形状进行不同地修改。例如，显示装置10可以具有诸如在水平方向上长的矩形形状、在竖直方向上长的矩形形状、正方形形状、具有倒圆拐角(顶点)的四边形形状、其他多边形形状和/或圆形形状的形状。显示装置10的显示区域DPA的形状也可以与显示装置10的整体形状类似。图1示出了具有在第二方向DR2上长的矩形形状的显示装置10。
显示装置10可以具有显示区域DPA和非显示区域NDA。显示区域DPA是其中可以显示画面的区域，并且非显示区域NDA是其中不显示画面的区域。显示区域DPA也可以被称为有效区域，并且非显示区域NDA也可以被称为非有效区域。显示区域DPA可以基本上占据显示装置10的中央。
显示区域DPA可以包括多个像素PX。多个像素PX可以以矩阵布置。在平面图中，每个像素PX的形状可以是矩形形状或正方形形状。然而，本公开不限于此，并且每个像素PX的形状可以是其中每条边相对于一个方向倾斜的菱形形状。像素PX可以以条型或岛型布置。此外，像素PX中的每个可以包括发射对应波段的光的一个或更多个发光元件，以显示对应颜色。
非显示区域NDA可以定位在显示区域DPA的周围。非显示区域NDA可以完全地或部分地围绕显示区域DPA。显示区域DPA可以具有矩形形状，并且非显示区域NDA可以定位为与显示区域DPA的四条边相邻。非显示区域NDA可以形成显示装置10的边框。包括在显示装置10中的布线或电路驱动器可以定位在非显示区域NDA中，或者外部装置可以安装在非显示区域NDA中。
图2是示出根据一个或更多个实施例的显示装置的一个像素的平面图。图2示出了定位在显示装置10的一个像素PX中的电极RME(RME1和RME2)、堤图案BP1和BP2、堤层BNL、多个发光元件ED(ED1和ED2)以及连接电极CNE(CNE1和CNE2)的平面布置。
参照图2，显示装置10的像素PX中的每个可以包括多个子像素SPXn。例如，一个像素PX可以包括第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3。第一子像素SPX1可以发射第一颜色的光，第二子像素SPX2可以发射第二颜色的光，第三子像素SPX3可以发射第三颜色的光。例如，第一颜色可以是红色，第二颜色可以是绿色，第三颜色可以是蓝色。然而，本公开不限于此，并且子像素SPXn可以发射相同颜色的光。在一个或更多个实施例中，子像素SPXn中的每个可以发射蓝光。尽管在附图中示出了一个像素PX包括三个子像素SPXn，但是本公开不限于此，并且像素PX可以包括更多数量的子像素SPXn。
显示装置10的每个子像素SPXn可以包括发射区域EMA和非发射区域。发射区域EMA可以是其中定位有发光元件ED以发射对应波段的光的区域。非发射区域可以是其中未定位发光元件ED的区域，并且可以是由于从发光元件ED发射的光不到达非发射区域而不从其发射光的区域。
发射区域EMA可以包括其中定位有发光元件ED的区域以及与发光元件ED相邻的其中发射来自发光元件ED的光的区域。例如，发射区域EMA还可以包括其中从发光元件ED发射的光被另一构件反射或折射然后发射的区域。多个发光元件ED可以定位在每个子像素SPXn中，并且发射区域EMA可以形成为包括其中定位有发光元件ED的区域以及与该相邻的区域。
尽管在附图中示出了子像素SPXn具有在尺寸上基本相同的发射区域EMA，但是本公开不限于此。在一些实施例中，子像素SPXn的发射区域EMA可以根据从定位在每个子像素SPXn中的发光元件ED发射的光的颜色或波段而具有不同的相应尺寸。
每个子像素SPXn还可以包括定位在非发射区域中的子区域SA。对应的子像素SPXn的子区域SA可以定位在发射区域EMA的作为在第一方向DR1上的另一侧的下侧。发射区域EMA和子区域SA可以沿着第一方向DR1交替地布置，并且子区域SA可以定位于在第一方向DR1上彼此间隔开的相邻子像素SPXn的发射区域EMA之间。例如，发射区域EMA和子区域SA可以在第一方向DR1上交替地布置，并且发射区域EMA和子区域SA中的每者可以在第二方向DR2上重复地布置。然而，本公开不限于此，并且多个像素PX中的发射区域EMA和子区域SA的布置可以与图2中所示的不同。
因为发光元件ED不定位在子区域SA中，因此光可以不从子区域SA发射，但是定位在每个子像素SPXn中的电极RME可以部分地定位在子区域SA中。定位在不同子像素SPXn中的电极RME可以定位为在子区域SA的分离部分ROP处分离。
显示装置10可以包括多个电极RME(RME1和RME2)、堤图案BP1和BP2、堤层BNL、发光元件ED以及连接电极CNE(CNE1和CNE2)。
多个堤图案BP1和BP2可以定位在每个子像素SPXn的发射区域EMA中。堤图案BP1和BP2可以在第二方向DR2上具有一定宽度(例如，预定宽度)，并且可以具有在第一方向DR1上延伸的形状。
例如，堤图案BP1和BP2可以包括在每个子像素SPXn的发射区域EMA中在第二方向DR2上彼此间隔开的第一堤图案BP1和第二堤图案BP2。第一堤图案BP1可以定位在相对于发射区域EMA的中心的作为在第二方向DR2上的一侧的左侧。第二堤图案BP2可以定位在相对于发射区域EMA的中心的作为在第二方向DR2上的另一侧的右侧，同时与第一堤图案BP1间隔开。第一堤图案BP1和第二堤图案BP2可以沿着第二方向DR2交替地定位，并且可以在显示区域DPA中以岛状图案定位。多个发光元件ED可以布置在第一堤图案BP1与第二堤图案BP2之间。
第一堤图案BP1和第二堤图案BP2的在第一方向DR1上的长度可以相同，并且可以小于被堤层BNL围绕的发射区域EMA的在第一方向DR1上的长度。第一堤图案BP1和第二堤图案BP2可以与堤层BNL的在第二方向DR2上延伸的部分间隔开。然而，本公开不限于此，并且堤图案BP1和BP2可以与堤层BNL一体化，或者可以与堤层BNL的在第二方向DR2上延伸的部分部分地叠置。在这种情况下，堤图案BP1和BP2的在第一方向DR1上的长度可以大于或等于被堤层BNL围绕的发射区域EMA的在第一方向DR1上的长度。
第一堤图案BP1和第二堤图案BP2在第二方向DR2上的宽度可以相同。然而，本公开不限于此，并且它们可以具有不同的相应宽度。例如，一个堤图案可以具有比另一个堤图案大的宽度，并且具有较大宽度的堤图案可以跨在第二方向DR2上相邻的子像素SPXn的发射区域EMA定位。在这种情况下，在跨多个发射区域EMA定位的堤图案中，堤层BNL的在第一方向DR1上延伸的部分可以在厚度方向上与该堤图案叠置。尽管在附图中示出了针对每个子像素SPXn布置具有相同宽度的两个堤图案BP1和BP2，但是本公开不限于此。堤图案BP1和BP2的数量和形状可以根据电极RME的数量或布置结构而变化。
多个电极RME(RME1和RME2)具有在一个方向上延伸的形状，并且包括在每个子像素SPXn中。多个电极RME1和RME2可以在第一方向DR1上延伸以跨子像素SPXn的发射区域EMA和子区域SA定位，并且可以定位为在第二方向DR2上彼此间隔开。如下所述，多个电极RME可以电连接到发光元件ED。然而，本公开不限于此，并且电极RME可以不电连接到发光元件ED。
显示装置10可以包括布置在每个子像素SPXn中的第一电极RME1和第二电极RME2。第一电极RME1定位在相对于发射区域EMA的中心的左侧，并且第二电极RME2定位在相对于发射区域EMA的中心的右侧，同时在第二方向DR2上与第一电极RME1间隔开。第一电极RME1可以定位在第一堤图案BP1上，并且第二电极RME2可以定位在第二堤图案BP2上。第一电极RME1和第二电极RME2可以越过堤层BNL部分地布置在对应的子像素SPXn和子区域SA中。不同子像素SPXn的第一电极RME1和第二电极RME2可以相对于定位在一个子像素SPXn的子区域SA中的分离部分ROP分离。
尽管在附图中示出了对于每个子像素SPXn，两个电极RME具有在第一方向DR1上延伸的形状，但是本公开不限于此。例如，显示装置10可以具有其中更多数量的电极RME定位在一个子像素SPXn中或者电极RME根据对应的位置而部分地弯曲和/或具有不同的宽度的形状。
堤层BNL可以定位为围绕多个子像素SPXn、发射区域EMA和子区域SA。堤层BNL可以定位于在第一方向DR1和第二方向DR2上相邻的子像素SPXn之间的边界处，并且还可以定位在发射区域EMA与子区域SA之间的边界处。显示装置10的子像素SPXn、发射区域EMA和子区域SA可以是由堤层BNL的布置所界定的区域。多个子像素SPXn、发射区域EMA和子区域SA之间的间隔可以根据堤层BNL的宽度而变化。
堤层BNL可以包括在平面图中在第一方向DR1和第二方向DR2上延伸的部分，以在显示区域DPA的整个表面之上以网格图案布置。堤层BNL可以沿着子像素SPXn之间的边界定位，以界定邻近的子像素SPXn。堤层BNL还可以布置为围绕针对每个子像素SPXn定位的发射区域EMA和子区域SA，以将它们彼此界定。
多个发光元件ED可以布置在发射区域EMA中。发光元件ED可以定位在堤图案BP1和BP2之间，并且可以布置为在第一方向DR1上彼此间隔开。在一个或更多个实施例中，多个发光元件ED可以具有在一个方向上延伸的形状，并且发光元件ED的端部可以定位在相应的电极RME上。发光元件ED的长度可以大于在第二方向DR2上彼此间隔开的电极RME之间的间隙。发光元件ED的延伸方向可以与电极RME延伸所沿的第一方向DR1基本上垂直。然而，本公开不限于此，并且发光元件ED可以在第二方向DR2上延伸，或者可以在与第二方向DR2倾斜的方向上延伸。
多个连接电极CNE(CNE1和CNE2)可以定位在多个电极RME以及堤图案BP1和BP2上。多个连接电极CNE可以具有在一个方向上延伸的形状，并且可以定位为彼此间隔开。连接电极CNE中的每个可以接触发光元件ED，并且可以电连接到电极RME或其下面的导电层。
连接电极CNE可以包括定位在每个子像素SPXn中的第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2。第一连接电极CNE1可以具有在第一方向DR1上延伸的形状，并且可以定位在第一电极RME1和第一堤图案BP1上。第一连接电极CNE1可以与第一电极RME1部分地叠置，并且可以越过堤层BNL跨发射区域EMA和子区域SA定位。第二连接电极CNE2可以具有在第一方向DR1上延伸的形状，并且可以定位在第二电极RME2和第二堤图案BP2上。第二连接电极CNE2可以与第二电极RME2部分地叠置，并且可以越过堤层BNL跨发射区域EMA和子区域SA定位。
图3是沿着图2的线E1-E1'截取的剖视图。图4是沿着图2的线E2-E2'截取的剖视图。
图3示出了穿过定位在第一子像素SPX1中的发光元件ED的两端以及电极接触孔CTD和CTS的剖面。图4示出了穿过定位在第一子像素SPX1中的发光元件ED的两端以及接触部分CT1和CT2的剖面。
参照图2至图4描述显示装置10的剖面结构。显示装置10可以包括基底SUB和定位在基底SUB上的半导体层、多个导电层和多个绝缘层。此外，显示装置10可以包括多个电极RME(RME1和RME2)、发光元件ED和连接电极CNE(CNE1和CNE2)。半导体层、导电层和绝缘层中的每个可以构成显示装置10的电路层(图6中的CCL)。
基底SUB可以是绝缘基底。基底SUB可以由诸如玻璃、石英或聚合物树脂的绝缘材料制成。此外，基底SUB可以是刚性基底，但是也可以是可以弯曲、折叠或卷曲的柔性基底。基底SUB可以包括显示区域DPA和围绕显示区域DPA的非显示区域NDA，显示区域DPA可以包括发射区域EMA和作为非发射区域的一部分的子区域SA。
第一导电层可以定位在基底SUB上。第一导电层包括与第一晶体管T1的第一有源层ACT1叠置的下金属层BML。下金属层BML可以减少或防止光进入第一晶体管T1的第一有源层ACT1，或者可以电连接到第一有源层ACT1以稳定第一晶体管T1的电特性。然而，可以省略下金属层BML。
缓冲层BL可以定位在下金属层BML和基底SUB上(例如，上方)。缓冲层BL可以形成在基底SUB上，以保护像素PX的晶体管免受渗透通过易被湿气渗透的基底SUB的湿气的影响，并且可以执行表面平坦化功能。
半导体层定位在缓冲层BL上。半导体层可以包括第一晶体管T1的第一有源层ACT1和第二晶体管T2的第二有源层ACT2。第一有源层ACT1和第二有源层ACT2可以定位为分别与稍后将描述的第二导电层的第一栅电极G1和第二栅电极G2部分地叠置。
半导体层可以包括多晶硅、单晶硅、氧化物半导体等。在一个或更多个其他实施例中，半导体层可以包括多晶硅。氧化物半导体可以是包含铟(In)的氧化物半导体。例如，氧化物半导体可以是氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铟镓锡(IGTO)、氧化铟镓锌(IGZO)和氧化铟镓锌锡(IGZTO)中的至少一种。
尽管在附图中示出了第一晶体管T1和第二晶体管T2定位在显示装置10的子像素SPXn中，但是本公开不限于此，并且显示装置10可以包括更多数量的晶体管。
第一栅极绝缘层GI在显示区域DPA中定位在半导体层上。第一栅极绝缘层GI可以用作晶体管T1和T2中的每个的栅极绝缘层。尽管在附图中示出了第一栅极绝缘层GI与如稍后将描述的第二导电层的栅电极G1和G2一起被图案化，并且部分地定位在第二导电层与半导体层的有源层ACT1和ACT2之间，但是本公开不限于此。在一些实施例中，第一栅极绝缘层GI可以整体地定位在缓冲层BL上(例如，定位为基本上覆盖整个缓冲层BL)。
第二导电层定位在第一栅极绝缘层GI上。第二导电层可以包括第一晶体管T1的第一栅电极G1和第二晶体管T2的第二栅电极G2。第一栅电极G1可以在作为厚度方向的第三方向DR3上与第一有源层ACT1的沟道区叠置，并且第二栅电极G2可以在作为厚度方向的第三方向DR3上与第二有源层ACT2的沟道区叠置。
第一层间绝缘层IL1定位在第二导电层上。第一层间绝缘层IL1可以用作第二导电层与定位在第二导电层上的其他层之间的绝缘膜，并且可以保护第二导电层。
第三导电层定位在第一层间绝缘层IL1上。第三导电层可以包括定位在显示区域DPA中的第一电压线VL1和第二电压线VL2、第一导电图案CDP1、第一晶体管T1的源电极S1和漏电极D1以及第二晶体管T2的源电极S2和漏电极D2。
第一电压线VL1可以被施加有向第一电极RME1传输的高电位电压(或第一电力电压)，并且第二电压线VL2可以被施加有向第二电极RME2传输的低电位电压(或第二电力电压)。第一电压线VL1的一部分可以通过穿过第一层间绝缘层IL1的接触孔接触第一晶体管T1的第一有源层ACT1。第一电压线VL1可以用作第一晶体管T1的第一漏电极D1。第二电压线VL2可以直接连接到稍后将描述的第二电极RME2。
第一导电图案CDP1可以通过穿透第一层间绝缘层IL1的接触孔接触第一晶体管T1的第一有源层ACT1。第一导电图案CDP1可以通过穿透第一层间绝缘层IL1和缓冲层BL的另一接触孔接触下金属层BML。第一导电图案CDP1可以用作第一晶体管T1的第一源电极S1。此外，第一导电图案CDP1可以连接到第一电极RME1或稍后将描述的第一连接电极CNE1。第一晶体管T1可以将从第一电压线VL1施加的第一电力电压传输到第一电极RME1或第一连接电极CNE1。
第二源电极S2和第二漏电极D2可以通过穿透第一层间绝缘层IL1的接触孔接触第二晶体管T2的第二有源层ACT2。
第一钝化层PV1定位在第三导电层上。第一钝化层PV1可以用作第三导电层与其他层之间的绝缘层，并且可以保护第三导电层。
上面描述的缓冲层BL、第一栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层IL1和第一钝化层PV1可以由以交替方式堆叠的多个无机层形成。例如，缓冲层BL、第一栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层IL1和第一钝化层PV1可以形成为通过堆叠包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氧氮化硅(SiOxNy)中的至少一种的无机层而形成的双层，或者可以形成为通过交替地堆叠包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氧氮化硅(SiOxNy)中的至少一种的无机层而形成的多层。然而，本公开不限于此，并且缓冲层BL、第一栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层IL1和第一钝化层PV1可以形成为包含上述绝缘材料的单个无机层。此外，在一些实施例中，第一层间绝缘层IL1可以由诸如聚酰亚胺(PI)等的有机绝缘材料制成。
过孔层VIA在显示区域DPA中定位在第三导电层上。过孔层VIA可以包含有机绝缘材料(例如，聚酰亚胺(PI))，并且可以补偿由定位在过孔层VIA下面的导电层形成的台阶部分，以使顶表面平坦。然而，在一些实施例中，可以省略过孔层VIA。
显示装置10可以包括堤图案BP1和BP2、多个电极RME(RME1和RME2)、堤层BNL、多个发光元件ED以及多个连接电极CNE(CNE1和CNE2)作为定位在过孔层VIA上的显示元件层。此外，显示装置10可以包括定位在过孔层VIA上的绝缘层PAS1、PAS2、PAS3和PAS4(见图6)。
多个堤图案BP1和BP2可以定位在过孔层VIA上。例如，堤图案BP1和BP2中的每个可以直接定位在过孔层VIA上，并且可以具有其至少一部分从过孔层VIA的顶表面突出的结构。堤图案BP1和BP2的突出部分可以具有倾斜表面或拥有对应的曲率的弯曲表面，并且从发光元件ED发射的光可以被定位在堤图案BP1和BP2上的电极RME反射并在过孔层VIA的向上方向上发射。与附图中所示的示例不同，堤图案BP1和BP2可以具有其中外表面在剖视图中以对应的曲率弯曲的形状(例如，半圆形形状或半椭圆形形状)。堤图案BP1和BP2可以包括诸如聚酰亚胺(PI)的有机绝缘材料，但是不限于此。
多个电极RME(RME1和RME2)可以定位在堤图案BP1和BP2以及过孔层VIA上。例如，第一电极RME1和第二电极RME2可以至少定位在堤图案BP1和BP2的倾斜侧表面上。多个电极RME在第二方向DR2上测量的宽度可以小于堤图案BP1和BP2在第二方向DR2上测量的宽度，并且第一电极RME1和第二电极RME2之间在第二方向DR2上的间隙可以小于堤图案BP1和BP2之间的间隙。第一电极RME1和第二电极RME2的至少一部分可以直接布置在过孔层VIA上，使得第一电极RME1和第二电极RME2可以布置在同一平面上。
定位在堤图案BP1和BP2之间的发光元件ED可以朝向两端发射光，并且所发射的光可以被引导朝向定位在堤图案BP1和BP2上的电极RME。电极RME可以具有其中电极RME的定位在堤图案BP1和BP2上的部分可以反射从发光元件ED发射的光的结构。第一电极RME1和第二电极RME2可以布置为覆盖堤图案BP1和BP2的侧表面中的至少一个，并且可以反射从发光元件ED发射的光。
电极RME可以在发射区域EMA与子区域SA之间的与堤层BNL叠置的部分处通过电极接触孔CTD和CTS与第三导电层直接接触。第一电极接触孔CTD可以形成在其中堤层BNL和第一电极RME1叠置的区域中，并且第二电极接触孔CTS可以形成在其中堤层BNL和第二电极RME2叠置的区域中。第一电极RME1可以通过穿透过孔层VIA和第一钝化层PV1的第一电极接触孔CTD接触第一导电图案CDP1。第二电极RME2可以通过穿透过孔层VIA和第一钝化层PV1的第二电极接触孔CTS接触第二电压线VL2。第一电极RME1可以通过第一导电图案CDP1电连接到第一晶体管T1，使得第一电力电压可以被施加到第一电极RME1，并且第二电极RME2可以电连接到第二电压线VL2，使得第二电力电压可以被施加到第二电极RME2。然而，本公开不限于此。在一个或更多个其他实施例中，电极RME1和RME2可以不分别电连接到第三导电层的电压线VL1和VL2，并且稍后将描述的连接电极CNE可以直接连接到第三导电层。
多个电极RME可以包括具有高反射率的导电材料。例如，电极RME可以包含诸如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)的金属，或者可以包含包括铝(Al)、镍(Ni)、镧(La)等的合金。可选地，电极RME可以具有其中金属层(诸如钛(Ti)、钼(Mo)、铌(Nb))和合金层堆叠的结构。在一些实施例中，电极RME可以形成为通过堆叠包括铝(Al)的合金层以及由钛(Ti)、钼(Mo)和铌(Nb)制成的至少一层金属层形成的双层或多层。
本公开不限于此，并且每个电极RME还可以包括透明导电材料。例如，每个电极RME可以包括诸如ITO、IZO和ITZO的材料。在一些实施例中，电极RME中的每个可以具有其中至少一个透明导电材料层和至少一个具有高反射率的金属层堆叠的结构，或者可以形成为一层。例如，每个电极RME可以具有ITO/Ag/ITO、ITO/Ag/IZO、ITO/Ag/ITZO/IZO等的堆叠结构。电极RME可以电连接到发光元件ED，并且可以在基底SUB的向上方向上反射从发光元件ED发射的光中的一些光。
第一绝缘层PAS1可以定位在整个显示区域DPA中(例如，可以基本上覆盖整个显示区域DPA)，并且可以定位在过孔层VIA和多个电极RME上或上方。第一绝缘层PAS1可以包括绝缘材料，以保护多个电极RME，并且可以使各个电极RME彼此绝缘。第一绝缘层PAS1可以在形成堤层BNL之前覆盖电极RME，从而能够减少或防止电极RME在形成堤层BNL的工艺中被损坏的可能性。此外，第一绝缘层PAS1可以减少或防止定位在第一绝缘层PAS1上的发光元件ED由于与其他构件直接接触而损坏的可能性。
在一个或更多个实施例中，第一绝缘层PAS1可以具有台阶部分，使得第一绝缘层PAS1的顶表面在沿第二方向DR2间隔开的电极RME之间部分地凹陷。发光元件ED可以定位在第一绝缘层PAS1的其处形成有台阶部分的顶表面上，因此在发光元件ED与第一绝缘层PAS1之间可以保留空间。
第一绝缘层PAS1可以包括定位在子区域SA中的接触部分CT1和CT2。接触部分CT1和接触部分CT2可以分别与不同的电极RME叠置。例如，接触部分CT1和CT2可以包括与第一电极RME1叠置的第一接触部分CT1和与第二电极RME2叠置的第二接触部分CT2。第一接触部分CT1和第二接触部分CT2可以穿透第一绝缘层PAS1以使它们下面的第一电极RME1或第二电极RME2的顶表面部分地暴露。第一接触部分CT1和第二接触部分CT2中的每个还可以穿透定位在第一绝缘层PAS1上的其他绝缘层中的一些。通过接触部分CT1和CT2中的每个暴露的电极RME可以接触连接电极CNE。
堤层BNL可以定位在第一绝缘层PAS1上。堤层BNL可以包括在第一方向DR1和第二方向DR2上延伸的部分，并且可以围绕子像素SPXn。堤层BNL可以围绕并界定每个子像素SPXn的发射区域EMA和子区域SA，并且可以围绕显示区域DPA的最外部分，并且可以界定显示区域DPA和非显示区域NDA。
类似于堤图案BP1和BP2，堤层BNL可以具有对应的高度。在一些实施例中，堤层BNL的顶表面可以高于堤图案BP1和BP2的顶表面，并且堤层BNL的厚度可以等于或大于堤图案BP1和BP2的厚度。堤层BNL可以在显示装置10的制造工艺期间减少或防止墨在喷墨印刷工艺中溢出到相邻的子像素SPXn。类似于堤图案BP1和BP2，堤层BNL可以包括诸如聚酰亚胺的有机绝缘材料。
多个发光元件ED可以布置在发射区域EMA中。发光元件ED可以在堤图案BP1和BP2之间定位在第一绝缘层PAS1上。发光元件ED可以定位为使得发光元件ED延伸所沿的一个方向与基底SUB的顶表面平行。如稍后将描述的，发光元件ED可以包括沿着发光元件ED延伸所沿的一个方向布置的多个半导体层，并且多个半导体层可以顺序地布置为与基底SUB的顶表面基本垂直。然而，本公开不限于此，并且当发光元件ED具有另一结构时，多个半导体层可以布置为与基底SUB基本平行。
定位在每个子像素SPXn中的发光元件ED可以根据构成半导体层的材料而发射不同波段的光。然而，本公开不限于此，并且布置在每个子像素SPXn中的发光元件ED可以包括相同材料的半导体层，并且可以发射相同颜色的光。
发光元件ED可以在接触连接电极CNE(CNE1和CNE2)的同时电连接到电极RME和过孔层VIA下方的导电层，并且可以通过接收电信号来发射对应波段的光。
第二绝缘层PAS2可以定位在多个发光元件ED、第一绝缘层PAS1和堤层BNL上。第二绝缘层PAS2可以包括定位在多个发光元件ED上同时在堤图案BP1和BP2之间在第一方向DR1上延伸的图案部分。图案部分定位为部分地围绕发光元件ED的外表面，并且可以不覆盖发光元件ED的两侧或两端。在平面图中，图案部分可以在每个子像素SPXn中形成线图案或岛状图案。第二绝缘层PAS2的图案部分可以保护发光元件ED，并且可以在显示装置10的制造工艺期间固定发光元件ED。此外，第二绝缘层PAS2可以定位为填充发光元件ED与发光元件ED下方的第一绝缘层PAS1之间的空间。此外，第二绝缘层PAS2的一部分可以定位在堤层BNL上和子区域SA中。
第二绝缘层PAS2可以包括定位在子区域SA中的接触部分CT1和CT2。第二绝缘层PAS2可以包括与第一电极RME1叠置的第一接触部分CT1和与第二电极RME2叠置的第二接触部分CT2。除了第一绝缘层PAS1之外，接触部分CT1和CT2还可以穿透第二绝缘层PAS2。多个第一接触部分CT1和多个第二接触部分CT2可以使定位在它们下面的第一电极RME1或第二电极RME2的顶表面部分地暴露。
多个连接电极CNE(CNE1和CNE2)可以定位在多个电极RME以及堤图案BP1和BP2上。第一连接电极CNE1可以定位在第一电极RME1和第一堤图案BP1上。第一连接电极CNE1可以与第一电极RME1部分地叠置，并且可以越过堤层BNL跨发射区域EMA和子区域SA定位。第二连接电极CNE2可以定位在第二电极RME2和第二堤图案BP2上。第二连接电极CNE2可以与第二电极RME2部分地叠置，并且可以越过堤层BNL跨发射区域EMA和子区域SA定位。
第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2中的每个可以定位在第二绝缘层PAS2上，并且可以接触发光元件ED。第一连接电极CNE1可以与第一电极RME1部分地叠置，并且可以接触发光元件ED的一端。第二连接电极CNE2可以与第二电极RME2部分地叠置，并且可以接触发光元件ED的另一端。多个连接电极CNE跨发射区域EMA和子区域SA定位。连接电极CNE可以在定位在发射区域EMA中的部分处接触发光元件ED，并且可以在定位在子区域SA中的部分处电连接到电极RME。第一连接电极CNE1可以接触发光元件ED的第一端，并且第二连接电极CNE2可以接触发光元件ED的第二端。
根据一个或更多个实施例，在显示装置10中，连接电极CNE可以通过定位在子区域SA中的接触部分CT1和CT2接触电极RME。第一连接电极CNE1可以通过在子区域SA中穿透第一绝缘层PAS1、第二绝缘层PAS2和第三绝缘层PAS3的第一接触部分CT1与第一电极RME1接触。第二连接电极CNE2可以通过在子区域SA中穿透第一绝缘层PAS1和第二绝缘层PAS2的第二接触部分CT2接触第二电极RME2。连接电极CNE中的每个可以通过电极RME中的每个电连接到第三导电层。第一连接电极CNE1可以电连接到第一晶体管T1，使得第一电力电压可以被施加到第一连接电极CNE1。第二连接电极CNE2可以电连接到第二电压线VL2，使得第二电力电压可以被施加到第二连接电极CNE2。每个连接电极CNE可以在发射区域EMA中接触发光元件ED，以将电力电压传输到发光元件ED。然而，本公开不限于此。在一些实施例中，多个连接电极CNE可以直接接触第三导电层，或者可以通过除电极RME之外的图案电连接到第三导电层。
连接电极CNE可以包括导电材料。例如，连接电极CNE可以包括ITO、IZO、ITZO、铝(Al)等。作为示例，连接电极CNE可以包括透明导电材料，并且从发光元件ED发射的光可以穿过连接电极CNE以被发射。
第三绝缘层PAS3定位在第二连接电极CNE2和第二绝缘层PAS2上。第三绝缘层PAS3可以定位在整个第二绝缘层PAS2上以覆盖第二连接电极CNE2。第一连接电极CNE1可以定位在第三绝缘层PAS3上。第三绝缘层PAS3可以使第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2绝缘，以减少或防止它们之间直接接触的可能性。
第三绝缘层PAS3可以包括或限定定位在子区域SA中的第一接触部分CT1。除了第一绝缘层PAS1和第二绝缘层PAS2之外，第一接触部分CT1可以穿透第三绝缘层PAS3。多个第一接触部分CT1可以使定位在其下面的第一电极RME1的顶表面部分地暴露。
尽管未在附图中示出，但是另一绝缘层(图6中的PAS4)可以进一步定位在第三绝缘层PAS3和第一连接电极CNE1上。该绝缘层可以用于保护定位在基底SUB上的构件免受外部环境的影响。
上面描述的第一绝缘层PAS1、第二绝缘层PAS2和第三绝缘层PAS3中的每个可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。例如，第一绝缘层PAS1、第二绝缘层PAS2和第三绝缘层PAS3中的每个可以包括无机绝缘材料。可选地，第一绝缘层PAS1和第三绝缘层PAS3可以包括无机绝缘材料，而第二绝缘层PAS2可以包括有机绝缘材料。第一绝缘层PAS1、第二绝缘层PAS2和第三绝缘层PAS3中的每个或至少一个可以具有其中多个绝缘层交替地或重复地堆叠的结构。在一个或更多个实施例中，第一绝缘层PAS1、第二绝缘层PAS2和第三绝缘层PAS3中的每个可以是氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiOxNy)中的任何一种。第一绝缘层PAS1、第二绝缘层PAS2和第三绝缘层PAS3可以由相同的材料或不同的材料制成。可选地，它们中的一些可以由相同的材料制成，且其他中的一个或更多个由不同的材料制成。
图5是根据一个或更多个实施例的发光元件的示意图。
参照图5，发光元件ED可以是发光二极管。例如，发光元件ED可以是具有纳米尺寸或微米尺寸并且由无机材料制成的无机发光二极管。当在彼此面对的两个电极之间在对应的方向上形成电场时，发光元件ED可以在具有极性的两个电极之间对准。
根据一个或更多个实施例的发光元件ED可以具有在一个方向上长的形状。发光元件ED可以具有圆柱、棒、线、管等的形状。然而，发光元件ED的形状不限于此，并且发光元件ED可以具有多边形棱柱形状(诸如规则立方体、长方体和六边形棱柱)，或者可以具有各种形状(诸如在一个方向上长并且具有部分倾斜的外表面的形状)。
发光元件ED可以包括掺杂有任何导电类型(例如，p型或n型)掺杂剂的半导体层。半导体层可以通过接收从外部电源施加的电信号来发射对应波段的光。发光元件ED可以包括第一半导体层31、第二半导体层32、发光层36、电极层37和绝缘膜38。
第一半导体层31可以是n型半导体。第一半导体层31可以包括具有化学式AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料。例如，第一半导体层31可以是掺杂有n型掺杂剂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的任何一种或更多种。掺杂到第一半导体层31中的n型掺杂剂可以是Si、Ge、Sn等。
第二半导体层32定位在第一半导体层31上且发光层36在第二半导体层32与第一半导体层31之间。第二半导体层32可以是p型半导体，并且第二半导体层32可以包括具有化学式AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料。例如，第二半导体层32可以是掺杂有p型掺杂剂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的任何一种或更多种。掺杂到第二半导体层32中的p型掺杂剂可以是Mg、Zn、Ca、Ba等。
同时，尽管在附图中示出了第一半导体层31和第二半导体层32被构造为一层，但是本公开不限于此。根据发光层36的材料，第一半导体层31和第二半导体层32还可以包括诸如包覆层或拉伸应变势垒减小(TSBR)层的更多数量的层。例如，发光元件ED还可以包括定位在第一半导体层31与发光层36之间或第二半导体层32与发光层36之间的另一半导体层。定位在第一半导体层31与发光层36之间的半导体层可以是掺杂有n型掺杂剂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN、InN和超晶格中的一种或更多种，并且定位在第二半导体层32与发光层36之间的半导体层可以是掺杂有p型掺杂剂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的一种或更多种。
发光层36定位在第一半导体层31与第二半导体层32之间。发光层36可以包括具有单量子阱结构或多量子阱结构的材料。当发光层36包括具有多量子阱结构的材料时，多个量子层和阱层可以交替地堆叠。发光层36可以根据通过第一半导体层31和第二半导体层32施加的电信号通过电子-空穴对的复合来发射光。发光层36可以包括诸如AlGaN、AlGaInN或InGaN的材料。例如，当发光层36具有其中量子层和阱层交替地堆叠的多量子阱结构时，量子层可以包括诸如AlGaN或AlGaInN的材料，并且阱层可以包括诸如GaN或AlInN的材料。
发光层36可以具有其中具有大能带隙的半导体材料和具有小能带隙的半导体材料交替地堆叠的结构，并且可以根据所发射的光的波段包括其他III族至V族半导体材料。由发光层36发射的光不限于蓝色波段的光，而是发光层36在一些情况下还可以发射红色波段或绿色波段的光。
电极层37可以是欧姆连接电极。然而，本公开不限于此，并且电极层37可以是肖特基连接电极。发光元件ED可以包括至少一个电极层37。发光元件ED可以包括一个或更多个电极层37，但是本公开不限于此，并且在一个或更多个实施例中可以省略电极层37。
在显示装置10中，当发光元件ED电连接到电极或连接电极时，电极层37可以降低发光元件ED与电极或连接电极之间的电阻。电极层37可以包括导电金属。例如，电极层37可以包括铝(Al)、钛(Ti)、铟(In)、金(Au)、银(Ag)、ITO、IZO和ITZO中的至少一种。
绝缘膜38布置为围绕上面描述的多个半导体层和电极层的外表面。例如，绝缘膜38可以定位为至少围绕发光层36的外表面，并且可以形成为使发光元件ED的在纵向方向上的两端暴露。此外，在剖视图中，绝缘膜38可以具有在与发光元件ED的至少一端相邻的区域中为圆形的顶表面。
绝缘膜38可以包括具有绝缘性质的材料中的至少一种，例如，氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氮化铝(AlNx)、氧化铝(AlOx)、氧化锆(ZrOx)、氧化铪(HfOx)或氧化钛(TiOx)。在附图中示出了绝缘膜38形成为单层，但是本公开不限于此。在一些实施例中，绝缘膜38可以形成为具有在其中堆叠的多个层的多层结构。
绝缘膜38可以执行保护发光元件ED的半导体层和电极层的功能。绝缘膜38可以减少或防止当被传输有电信号的电极直接接触发光元件ED时可能在发光层36处发生电短路的可能性。此外，绝缘膜38可以减少或防止发光元件ED的发光效率的降低。
此外，绝缘膜38可以具有被表面处理的外表面。发光元件ED可以以这样的方法对准：将其中分散有发光元件ED的墨喷射在电极上。这里，绝缘膜38的表面可以被处理成具有疏水性质或亲水性质，以保持发光元件ED在墨中处于分散状态而不与其他相邻的发光元件ED聚集。
根据一个或更多个实施例，显示装置10还可以包括定位在发光元件ED上的颜色控制层(图6中的CCR)和滤色器层(图6中的CFL)。从发光元件ED发射的光可以通过颜色控制层CCR和滤色器层CFL发射。即使相同类型的发光元件ED定位在各个子像素SPXn中，所发射的光的颜色对于每个子像素SPXn也可以不同。
图6是根据一个或更多个实施例的显示装置的剖视图。
参照图6，显示装置10可以包括定位在基底SUB上的发光元件ED、定位在发光元件ED上方的颜色控制层TPL、WCL1和WCL2以及滤色器层CFL。此外，显示装置10还可以包括定位在颜色控制层CCR与滤色器层CFL之间的多个层。在下文中，将描述显示装置10的定位在发光元件ED上的层。
第四绝缘层PAS4可以定位在第三绝缘层PAS3、连接电极CNE1和CNE2以及堤层BNL上。第四绝缘层PAS4可以保护定位在基底SUB上/上方的层。然而，可以省略第四绝缘层PAS4。
上堤层UBN、颜色控制层CCR、颜色图案CP1、CP2和CP3以及滤色器层CFL可以定位在第四绝缘层PAS4上。多个覆盖层CPL1和CPL2、低折射率层LRL以及平坦化层PNL可以定位在颜色控制层CCR与滤色器层CFL之间。外涂层OC可以定位在滤色器层CFL上。
显示装置10可以包括其中定位有滤色器层CFL以发射光的光透射区域TA1、TA2和TA3以及定位在光透射区域TA1、TA2和TA3之间并且其中不发射光的光阻挡区域BA。光透射区域TA1、TA2和TA3可以定位为与每个子像素SPXn的发射区域EMA的一部分对应，并且光阻挡区域BA可以是除了光透射区域TA1、TA2和TA3之外的区域。
上堤层UBN可以定位在第四绝缘层PAS4上以与堤层BNL叠置。上堤层UBN可以包括在第一方向DR1和第二方向DR2上延伸的部分，以定位为网格图案。上堤层UBN可以围绕发射区域EMA或其中定位有发光元件ED的部分。上堤层UBN可以限定其中定位有颜色控制层CCR的区域。
颜色控制层CCR可以在第四绝缘层PAS4上定位在被上堤层UBN围绕的区域中。颜色控制层CCR可以定位在被上堤层UBN围绕的光透射区域TA1、TA2和TA3中，以在显示区域DPA中形成岛状图案。然而，本公开不限于此，并且颜色控制层CCR中的每个可以在一个方向上延伸，并且可以跨多个子像素SPXn定位以形成线图案。
在其中每个子像素SPXn的发光元件ED发射第三颜色的蓝光的实施例中，颜色控制层CCR可以包括定位在第一子像素SPX1中以与第一光透射区域TA1对应的第一波长转换层WCL1、定位在第二子像素SPX2中以与第二光透射区域TA2对应的第二波长转换层WCL2以及定位在第三子像素SPX3中以与第三光透射区域TA3对应的光透射层TPL。
第一波长转换层WCL1可以包括第一基体树脂BRS1和设置在第一基体树脂BRS1中的第一波长转换材料WCP1。第二波长转换层WCL2可以包括第二基体树脂BRS2和设置在第二基体树脂BRS2中的第二波长转换材料WCP2。第一波长转换层WCL1和第二波长转换层WCL2可以接收从发光元件ED入射的第三颜色的蓝光，同时转换蓝光的波长。第一波长转换层WCL1和第二波长转换层WCL2还可以包括包含在每个基体树脂中的散射体SCP，并且散射体SCP可以提高波长转换效率。
光透射层TPL可以包括第三基体树脂BRS3和包含在第三基体树脂BRS3中的散射体SCP。光透射层TPL透射从发光元件ED入射的第三颜色的蓝光，同时保持蓝光的波长。光透射层TPL的散射体SCP可以用于控制通过光透射层TPL发射的光的发射路径。光透射层TPL可以省略波长转换材料。
散射体SCP可以是金属氧化物颗粒或有机颗粒。金属氧化物的示例可以包括氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZrO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化铟(In2O3)、氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO2)等。有机颗粒的材料的示例可以包括丙烯酸树脂和氨基甲酸乙酯树脂等。
第一基体树脂BRS1、第二基体树脂BRS2和第三基体树脂BRS3可以包括光透射有机材料。例如，第一基体树脂BRS1、第二基体树脂BRS2和第三基体树脂BRS3可以包括环氧树脂、丙烯酸树脂、卡多树脂、酰亚胺树脂等。第一基体树脂BRS1、第二基体树脂BRS2和第三基体树脂BRS3可以由相同的材料形成，但是本公开不限于此。
第一波长转换材料WCP1可以将第三颜色的蓝光转换为第一颜色的红光，并且第二波长转换材料WCP2可以将第三颜色的蓝光转换为第二颜色的绿光。第一波长转换材料WCP1和第二波长转换材料WCP2可以是量子点、量子棒、磷光体等。量子点的示例可以包括IV族纳米晶体、II-VI族化合物纳米晶体、III-V族化合物纳米晶体、IV-VI族化合物纳米晶体和它们的组合。
在一些实施例中，颜色控制层CCR可以通过喷墨印刷工艺或光致抗蚀剂工艺形成。可以在将构成颜色控制层CCR的材料喷射到被上堤层UBN围绕的区域中或涂覆在被上堤层UBN围绕的区域中之后通过干燥或曝光并通过显影工艺来形成颜色控制层CCR。例如，在其中颜色控制层CCR通过喷墨印刷工艺形成的一个或更多个实施例的附图中，每个颜色控制层CCR的顶表面形成为弯曲的，使得颜色控制层CCR的与上堤层UBN相邻的边缘部分可以比颜色控制层CCR的中央部分高。然而，本公开不限于此。在其中颜色控制层CCR通过光致抗蚀工艺形成的一个或更多个实施例中，每个颜色控制层CCR的顶表面形成为平坦的，使得颜色控制层CCR的与上堤层UBN相邻的边缘部分可以与上堤层UBN的顶表面平行。可选地，与附图不同，颜色控制层CCR的中央部分可以形成为比颜色控制层CCR的边缘部分高。
每个子像素SPXn的发光元件ED可以发射相同的第三颜色的蓝光，并且子像素SPXn可以发射不同颜色的光。例如，从定位在第一子像素SPX1中的发光元件ED发射的光入射在第一波长转换层WCL1上，从定位在第二子像素SPX2中的发光元件ED发射的光入射在第二波长转换层WCL2上，并且从定位在第三子像素SPX3中的发光元件ED发射的光入射在光透射层TPL上。
入射在第一波长转换层WCL1上的光可以被转换为红光，入射在第二波长转换层WCL2上的光可以被转换为绿光，并且入射在光透射层TPL上的光可以作为相同的蓝光透射而没有波长转换。尽管每个子像素SPXn包括发射相同颜色的光的发光元件ED，但是也可以根据定位在发光元件ED上的颜色控制层CCR的布置而发射不同颜色的光。
第一覆盖层CPL1可以定位在颜色控制层CCR和上堤层UBN上。第一覆盖层CPL1可以减少或防止诸如湿气或空气的杂质从外部渗透并损坏或污染颜色控制层CCR。第一覆盖层CPL1可以包含无机绝缘材料。
低折射率层LRL可以定位在第一覆盖层CPL1上。作为用于使已经透射颜色控制层CCR的光再循环的光学层的低折射率层LRL可以改善显示装置10的发光效率和色纯度。低折射率层LRL可以由具有低折射率的有机材料制成，并且可以对由颜色控制层CCR和上堤层UBN形成的台阶部分进行补偿。
第二覆盖层CPL2可以定位在低折射率层LRL上，并且可以减少或防止诸如湿气、空气等的杂质从外部渗透并损坏或污染低折射率层LRL。与第一覆盖层CPL1类似，第二覆盖层CPL2可以包括无机绝缘材料。
平坦化层PNL可以在第二覆盖层CPL2上跨整个显示区域DPA和整个非显示区域NDA定位。平坦化层PNL可以在显示区域DPA中与颜色控制层CCR叠置，并且可以在非显示区域NDA中与稍后将描述的坝叠置。
除了多个覆盖层CPL1和CPL2以及低折射率层LRL之外，平坦化层PNL还可以保护定位在基底SUB上的构件，并且可以部分地补偿由它们形成的台阶部分。例如，平坦化层PNL可以在显示区域DPA中补偿由平坦化层PNL下面的颜色控制层CCR、上堤层UBN和堤层BNL形成的台阶部分。因此，定位在平坦化层PNL上的滤色器层CFL可以形成在平坦的表面上。
滤色器层CFL可以定位在平坦化层PNL上。滤色器层CFL可以定位在光透射区域TA1、TA2和TA3中，并且滤色器层CFL的一部分可以定位在光阻挡区域BA中。滤色器层CFL的一部分可以在光阻挡区域BA中与另一滤色器层CFL的一部分或者颜色图案CP1、CP2和CP3叠置。滤色器层CFL彼此不叠置的部分可以是光从其发射的光透射区域TA1、TA2或TA3。滤色器层CFL彼此叠置或者定位有颜色图案CP1、CP2和CP3的区域可以是其中光被阻挡的光阻挡区域BA。
滤色器层CFL可以包括定位在第一子像素SPX1中的第一滤色器CFL1、定位在第二子像素SPX2中的第二滤色器CFL2和定位在第三子像素SPX3中的第三滤色器CFL3。滤色器CFL1、CFL2和CFL3中的每个可以形成为定位在多个光透射区域TA1、TA2和TA3或多个发射区域EMA中的线图案。然而，本公开不限于此。滤色器CFL1、CFL2和CFL3可以定位为分别与光透射区域TA1、TA2和TA3对应，并且可以形成岛状图案。
滤色器层CFL可以包含着色剂，诸如吸收除了对应波长之外的波长的光的染料或颜料。滤色器CFL1、CFL2和CFL3中的每个可以针对每个子像素SPXn定位，并且可以仅透射入射在对应的子像素SPXn中的滤色器CFL1、CFL2和CFL3中的每个上的光的一部分。在显示装置10的每个子像素SPXn中，可以仅选择性地显示透射通过滤色器CFL1、CFL2和CFL3中的每个的光。在一个或更多个实施例中，第一滤色器CFL1可以是红色(R)滤色器层，第二滤色器CFL2可以是绿色(G)滤色器层，并且第三滤色器CFL3可以是蓝色(B)滤色器层。从发光元件ED发射的光可以通过颜色控制层CCR和滤色器层CFL发射。
颜色图案CP1、CP2和CP3可以定位在平坦化层PNL或滤色器层CFL上。颜色图案CP1、CP2和CP3可以包括与滤色器层CFL的材料相同的材料，并且可以定位在光阻挡区域BA中。在光阻挡区域BA中，可以堆叠颜色图案CP1、CP2和CP3以及不同的滤色器CFL1、CFL2和CFL3，并且光可以在堆叠区域中被阻挡。
第一颜色图案CP1可以由与第一滤色器CFL1的材料相同的材料制成，并且可以定位在光阻挡区域BA中。第一颜色图案CP1可以在光阻挡区域BA中直接定位在平坦化层PNL上，并且可以从与第一子像素SPX1的第一光透射区域TA1相邻的光阻挡区域BA中省略。第一颜色图案CP1可以在第二子像素SPX2与第三子像素SPX3之间定位在光阻挡区域BA中。第一滤色器CFL1可以定位在第一子像素SPX1周围的光阻挡区域BA中。
第二颜色图案CP2可以由与第二滤色器CFL2的材料相同的材料制成，并且可以定位在光阻挡区域BA中。第二颜色图案CP2可以在光阻挡区域BA中定位在第一滤色器CFL1上，并且可以从与第二子像素SPX2的第二光透射区域TA2相邻的光阻挡区域BA中省略。第二颜色图案CP2可以在第一子像素SPX1与第三子像素SPX3之间定位在光阻挡区域BA中，或者定位在显示区域DPA的最外侧子像素SPXn与非显示区域NDA之间的边界处。第二滤色器CFL2可以定位在第二子像素SPX2周围的光阻挡区域BA中。
类似地，第三颜色图案CP3可以由与第三滤色器CFL3的材料相同的材料制成，并且可以定位在光阻挡区域BA中。第三颜色图案CP3可以在光阻挡区域BA中定位在第二滤色器CFL2上，并且可以从与第三子像素SPX3的第三光透射区域TA3相邻的光阻挡区域BA中省略。第三颜色图案CP3可以在第一子像素SPX1与第二子像素SPX2之间定位在光阻挡区域BA中。第三滤色器CFL3可以定位在第三子像素SPX3周围的光阻挡区域BA中。
在显示装置10中，堤层BNL与上堤层UBN彼此叠置的区域可以成为光阻挡区域BA。在光阻挡区域BA中，第一颜色图案CP1、第二颜色图案CP2和第三颜色图案CP3中的每个可以与包含不同颜色材料的滤色器CFL1、CFL2和CFL3中的至少一个叠置。例如，第一颜色图案CP1可以与第二滤色器CFL2和第三滤色器CFL3叠置，第二颜色图案CP2可以与第一滤色器CFL1和第三滤色器CFL3叠置，并且第三颜色图案CP3可以与第一滤色器CFL1和第二滤色器CFL2叠置。在光阻挡区域BA中，颜色图案CP1、CP2和CP3与包含不同颜色材料的滤色器CFL1、CFL2和CFL3可以彼此叠置，从而阻挡光。
颜色图案CP1、CP2和CP3以及滤色器CFL1、CFL2和CFL3可以构成堆叠结构，并且可以包括包含不同颜色材料的材料，从而减少或防止相邻区域之间的颜色混合。由于颜色图案CP1、CP2和CP3包括与多个滤色器CFL1、CFL2和CFL3相同的材料，因此已经穿过光阻挡区域BA的外部光或反射光可以具有对应颜色的波段。由用户的眼睛感知的眼睛颜色敏感度根据光的颜色而变化。例如，与绿色波段中的光和红色波段中的光相比，蓝色波段中的光对用户可以被较不敏感地感知。在显示装置10中，颜色图案CP1、CP2和CP3定位在光阻挡区域BA中，使得光可以被阻挡并且用户可以相对较不敏感地感知反射光。此外，通过吸收从显示装置10的外部进入的光的一部分，能够减少由外部光引起的反射光。
外涂层OC可以定位在滤色器层CFL和颜色图案CP1、CP2和CP3上。外涂层OC可以定位在整个显示区域DPA中(例如，可以基本上覆盖整个显示区域DPA)，并且可以部分地定位在非显示区域NDA中。外涂层OC可以从外部保护包含有机绝缘材料并且布置在显示区域DPA中的构件。
根据一个或更多个实施例的显示装置10可以包括定位在发光元件ED上方的颜色控制层CCR和滤色器层CFL。因此，即使对于每个子像素SPXn定位相同类型的发光元件ED，显示装置10也可以显示不同颜色的光。
例如，定位在第一子像素SPX1中的发光元件ED可以发射第三颜色的蓝光，并且光可以在透射通过第四绝缘层PAS4的同时入射在第一波长转换层WCL1上。第一波长转换层WCL1的第一基体树脂BRS1可以由透明材料制成，并且光的一部分可以透射通过第一基体树脂BRS1并且可以入射在定位在第一基体树脂BRS1上的第一覆盖层CPL1上。然而，光的至少一部分可以入射在布置在第一基体树脂BRS1中的散射体SCP上和第一波长转换材料WCP1上。光可以被散射并且经历波长转换，然后可以作为红光入射在第一覆盖层CPL1上。入射在第一覆盖层CPL1上的光可以在透射通过低折射率层LRL、第二覆盖层CPL2和平坦化层PNL的同时入射在第一滤色器CFL1上，并且除了红光之外的其他光的透射会被第一滤色器CFL1阻挡。因此，第一子像素SPX1可以发射红光。
类似地，从定位在第二子像素SPX2中的发光元件ED发射的光可以在透射通过第四绝缘层PAS4、第二波长转换层WCL2、第一覆盖层CPL1、低折射率层LRL、第二覆盖层CPL2、平坦化层PNL和第二滤色器CFL2的同时作为绿光发射。
定位在第三子像素SPX3中的发光元件ED可以发射第三颜色的蓝光，并且蓝光可以在透射通过第四绝缘层PAS4的同时入射在光透射层TPL上。光透射层TPL的第三基体树脂BRS3可以由透明材料制成，并且光的一部分可以透射通过第三基体树脂BRS3并且可以入射在定位在第三基体树脂BRS3上的覆盖层CPL1上。入射在第一覆盖层CPL1上的光可以在透射通过低折射率层LRL、第二覆盖层CPL2和平坦化层PNL的同时入射在第三滤色器CFL3上，并且除了蓝光之外的其他光的透射会被第三滤色器CFL3阻挡。因此，第三子像素SPX3可以发射蓝光。
图7是示意性示出根据一个或更多个实施例的显示装置的显示区域和非显示区域的平面图。图8是沿着图7的线A1-A1'截取的剖视图。图9是示出根据一个或更多个实施例的显示装置的坝结构的示例的剖视图。图10是示出根据一个或更多个实施例的显示装置的第一坝的平面图。图11是示出根据一个或更多个实施例的显示装置的坝的另一示例的剖视图。
图8示出了在第二方向DR2上截取的显示装置10的外部分中的显示区域DPA和非显示区域NDA的部分的剖面。图8示出了在显示装置10的外部分中的在第二方向DR2上的一侧上的显示装置10的左外部分。在图8中，显示区域DPA的半导体层和多个导电层被简单地示出为电路层CCL，并且其描述与上面参照图2至图4进行的描述相同。
参照图7和图8，显示装置10可以包括具有定位在显示区域DPA的外部分中的部分的上堤层UBN和堤层BNL以及定位在非显示区域NDA中以围绕显示区域DPA的孔部分(例如，凹槽部分)VA和坝结构部分DAM。
上堤层UBN和堤层BNL可以在显示区域DPA中在第一方向DR1和第二方向DR2上延伸。如上所述，上堤层UBN可以定位在堤层BNL上，并且在平面图中它们可以以相同的图案形状定位。例如，上堤层UBN和堤层BNL可以定位在显示区域DPA的外部分中以围绕其中定位有多个像素PX的部分。上堤层UBN和堤层BNL可以界定显示区域DPA与非显示区域NDA，并且还可以界定不同的子像素SPXn。
坝结构部分DAM可以定位在非显示区域NDA中以围绕显示区域DPA，同时与上堤层UBN和堤层BNL间隔开。坝结构部分DAM可以定位为与上堤层UBN和堤层BNL间隔开一定间隔(例如，预定间隔)。显示区域DPA可以定位在被坝结构部分DAM围绕的区域内部。
显示装置10可以具有其中多个层顺序地堆叠在一个基底SUB上的结构。显示装置10的层中的一些可以由有机材料制成，并且可以通过将有机材料直接注入到基底SUB上的工艺来形成。因为有机材料可以有流动性地流动，因此注入到显示区域DPA中的有机材料会溢出到非显示区域NDA。坝结构部分DAM可以降低或防止有机材料超出非显示区域NDA溢出到外部的可能性。
根据一个或更多个实施例的显示装置10可以包括在非显示区域NDA中定位在坝结构部分DAM与上堤层UBN和堤层BNL之间的孔部分VA。坝结构部分DAM、上堤层UBN和堤层BNL可以具有从过孔层VIA向上突出的形状，而孔部分VA可以通过使过孔层VIA部分地凹陷而形成。孔部分VA可以与坝结构部分DAM、上堤层UBN和堤层BNL形成雕刻图案或浮雕图案，从而降低或防止喷射到显示区域DPA中的有机材料溢出到非显示区域NDA的可能性。
作为定位在颜色控制层CCR上的封装结构，第一覆盖层CPL1和第二覆盖层CPL2可以定位为延伸到非显示区域NDA。第一覆盖层CPL1的一部分可以直接定位在图6中所示的第四绝缘层PAS4上，并且第一覆盖层CPL1的其他部分可以定位在上堤层UBN、坝结构部分DAM和孔部分VA上。第一覆盖层CPL1可以沿着由颜色控制层CCR、上堤层UBN、坝结构部分DAM和孔部分VA形成的台阶部分定位。
第二覆盖层CPL2定位在第一覆盖层CPL1上且低折射率层LRL置于它们之间。因为低折射率层LRL不跨非显示区域NDA的整个表面延伸，因此第二覆盖层CPL2的一部分可以直接定位在第一覆盖层CPL1上。
低折射率层LRL可以由有机材料制成，并且可以定位在整个显示区域DPA中(例如，可以基本上覆盖整个显示区域DPA)。在将有机材料涂覆在第一覆盖层CPL1上的工艺中，有机材料可能溢出超过上堤层UBN到达定位在显示区域DPA的最外部分处的非显示区域NDA。例如，显示装置10可以包括单个基底SUB，并且多个层可以通过连续的工艺形成在基底SUB上。在工艺中，已经溢出到非显示区域NDA的不期望区域的有机材料可能在后续工艺中成为污染物。根据一个或更多个实施例的显示装置10可以包括布置在非显示区域NDA中的浮雕图案状结构和凹版图案状结构，从而能够减少或防止溢出到非显示区域NDA的有机材料进一步扩散到不期望的区域的可能性。
因为显示装置10包括定位在非显示区域NDA中的孔部分VA和坝结构部分DAM，因此相对于过孔层VIA的顶表面形成凹版图案和浮雕图案的结构可以定位在其中。孔部分VA可以具有从过孔层VIA的顶表面朝向过孔层VIA的底表面凹陷的雕刻图案形状。坝结构部分DAM可以具有从过孔层VIA的顶表面向上突出的浮雕图案形状。
孔部分VA可以定位为在平面图中围绕显示区域DPA的同时与上堤层UBN间隔开。孔部分VA可以具有一定宽度(例如，预定宽度)，并且可以整体地或部分地穿过过孔层VIA。定位在过孔层VIA上的一些层可以定位在孔部分VA中。例如，第二绝缘层PAS2的一部分可以定位在孔部分VA中。第二绝缘层PAS2可以沿着由孔部分VA形成的台阶部分定位。定位在颜色控制层CCR上的第一覆盖层CPL1的一部分可以定位在孔部分VA中。第一覆盖层CPL1可以包括无机绝缘材料，并且可以沿着由过孔层VIA中的孔部分VA形成的台阶部分定位。由于诸如第一覆盖层CPL1的无机绝缘材料定位在孔部分VA中，因此能够降低或防止过孔层VIA用作湿气渗透路径的可能性。
低折射率层LRL可以定位在第一覆盖层CPL1上，并且低折射率层LRL的一部分可以越过上堤层UBN定位在非显示区域NDA中。低折射率层LRL也可以定位在孔部分VA上，并且低折射率层LRL的一部分可以定位为填充由孔部分VA形成的台阶部分。在形成低折射率层LRL的工艺中，形成低折射率层LRL的有机材料会超过显示区域DPA而流到非显示区域NDA，并且会填充由孔部分VA形成的台阶部分。孔部分VA和坝结构部分DAM可以减少或防止有机材料的过度溢出。低折射率层LRL可以在填充孔部分VA的同时一直连续地定位到坝结构部分DAM。
坝结构部分DAM可以围绕孔部分VA同时与孔部分VA间隔开。孔部分VA和坝结构部分DAM可以在相对于上堤层UBN朝向非显示区域NDA的外部分的方向上顺序地定位，同时彼此间隔开。由于坝结构部分DAM具有从过孔层VIA向上突出的形状并且具有浮雕图案形状，因此能够减少或防止低折射率层LRL溢出到非显示区域NDA的外部分的可能性。
孔部分VA可以定位为比坝结构部分DAM靠近显示区域DPA，并且可以是用于减少或防止低折射率层LRL的溢出的首要结构。孔部分VA可以具有用于减少或防止低折射率层LRL的有机材料溢出的可能性的宽度(例如，预定宽度)。孔部分VA的宽度可以小于或等于每个坝结构部分DAM的宽度。然而，本公开不限于此，并且孔部分VA的宽度可以大于每个坝结构部分DAM的宽度。
平坦化层PNL可以在第二覆盖层CPL2上定位在显示区域DPA和非显示区域NDA中。在显示区域DPA中，平坦化层PNL可以覆盖颜色控制层CCR，并且可以使由颜色控制层CCR导致的台阶部分平坦化。在非显示区域NDA中，平坦化层PNL可以越过坝结构部分DAM而一直定位到坝结构部分DAM的外部分，并且可以使由坝结构部分DAM导致的台阶部分平坦化。
在非显示区域NDA中，不同类型的滤色器CFL1、CFL2和CFL3之中的至少两个滤色器可以彼此叠置。例如，如图8中所示，其中显示区域DPA的最外侧子像素SPXn是定位有第一波长转换层WCL1的第一子像素SPX1，定位在第一子像素SPX1中的第一滤色器CFL1可以延伸到非显示区域NDA。第二颜色图案CP2可以在显示区域DPA与非显示区域NDA之间的边界处定位在第一滤色器CFL1上，并且第三颜色图案CP3可以定位在第二颜色图案CP2上。
外涂层OC可以定位为在显示区域DPA中覆盖滤色器层CFL，并且在非显示区域NDA中覆盖坝结构部分DAM、滤色器层CFL和平坦化层PNL。外涂层OC可以具有其中其顶表面的高度随着从显示区域DPA向非显示区域NDA的最外部而逐渐减小的形状。
作为用于减少或防止低折射率层LRL的溢出的结构，坝结构部分DAM可以定位在非显示区域NDA。坝结构部分DAM可以定位在过孔层VIA上，同时围绕显示区域DPA的最外部分处的内侧。坝结构部分DAM可以包括第一坝DAM1和第二坝DAM2。
第一坝DAM1可以定位为围绕显示区域DPA。第一坝DAM1可以定位在非显示区域NDA中，同时与显示区域DPA间隔开一定距离(例如，预定距离)。第一坝DAM1可以定位为围绕孔部分VA，同时向外与孔部分VA间隔开一定距离(例如，预定距离)。第一坝DAM1可以连续地定位以连续地围绕显示区域DPA。在一个或更多个实施例中，第一坝DAM1在平面图中可以具有闭环形状。第一坝DAM1可以连续地定位，以减少或防止从显示区域DPA延伸的低折射率层LRL等的有机材料溢出到基底SUB的外部的可能性。
第二坝DAM2可以定位为围绕显示区域DPA和第一坝DAM1。第二坝DAM2可以定位在非显示区域NDA中，同时比第一坝DAM1进一步向外远离显示区域DPA。第二坝DAM2可以连续地定位以连续地围绕显示区域DPA。在一个或更多个实施例中，第二坝DAM2在平面图中可以具有闭环形状。类似于第一坝DAM1，第二坝DAM2可以进一步减少或防止有机材料溢出到基底SUB的外部的可能性。
上述坝结构部分DAM可以以与显示区域NDA的有机材料的工艺相同的工艺形成。例如，坝结构部分DAM可以以与上堤层UBN的工艺相同的工艺形成。坝结构部分DAM可以由有机材料制成，并且可以直接定位在由有机材料制成的过孔层VIA上。然而，坝结构部分DAM与过孔层VIA之间的粘结是有机材料之间的粘结，因此与无机材料之间的粘结力相比，坝结构部分DAM与过孔层VIA之间的粘结力可能相对小。在这种情况下，当在显示装置10的制造工艺器件执行高压清洁步骤时，坝结构部分DAM会因高压清洁而剥离。
在一个或更多个实施例中，为了改善粘结力，坝结构部分DAM可以形成为具有多个有机材料层和置于多个有机材料层之间的无机材料层的结构。在以下描述中，将通过参照图8至图10集中于第一坝DAM1来描述坝结构部分DAM。
第一坝DAM1可以包括定位在过孔层VIA上的下坝层LDA、中间坝层MDA、第二绝缘层PAS2和上坝层UDA。
下坝层LDA可以直接定位在过孔层VIA上。下坝层LDA可以包括与堤图案BP1和BP2的材料相同的材料。下坝层LDA的顶表面可以具有与堤图案BP1和BP2的顶表面的高度相同的高度。在一个或更多个实施例中，下坝层LDA可以与堤图案BP1和BP2在同一工艺中并行地或基本上同时地形成。
中间坝层MDA可以直接定位在下坝层LDA上。中间坝层MDA可以与下坝层LDA叠置，同时接触下坝层LDA的顶表面。如图9中所示，中间坝层MDA可以具有在第二方向DR2上比下坝层LDA的宽度W1小的宽度W2，以直接定位在下坝层LDA上。然而，本公开不限于此，中间坝层MDA可以在覆盖下坝层LDA的同时直接接触过孔层VIA，并且中间坝层MDA的宽度W2可以大于下坝层LDA的宽度W1。中间坝层MDA可以包括与堤层BNL相同的材料。中间坝层MDA的顶表面可以具有与堤层BNL的顶表面的高度相同的高度。在一个或更多个实施例中，中间坝层MDA可以与堤层BNL在同一工艺中并行地或基本上同时地形成。
第二绝缘层PAS2可以直接定位在中间坝层MDA和下坝层LDA上。第二绝缘层PAS2可以定位为从显示区域DPA延伸到非显示区域NDA。第二绝缘层PAS2可以沿着过孔层VIA的顶表面延伸，可以覆盖下坝层LDA的侧表面以及中间坝层MDA的侧表面和顶表面，并且可延伸到外部。也就是说，第二绝缘层PAS2可以覆盖中间坝层MDA和下坝层LDA。
如上面参照图2至图4所描述的，第二绝缘层PAS2可以包括无机材料。由于中间坝层MDA和下坝层LDA可以由有机材料制成，因此与过孔层VIA的粘结力会相对小。在一个或更多个实施例中，可以通过利用包含无机材料的第二绝缘层PAS2覆盖中间坝层MDA和下坝层LDA来改善第一坝DAM1的粘结力。
在一个或更多个其他实施例中，第三绝缘层PAS3可以进一步定位在第二绝缘层PAS2上，或者第三绝缘层PAS3和第四绝缘层PAS4可以进一步定位在第二绝缘层PAS2上。第三绝缘层PAS3和第四绝缘层PAS4可以定位为从显示区域DPA延伸到非显示区域NDA，并且可以覆盖中间坝层MDA和下坝层LDA。
上坝层UDA可以直接定位在第二绝缘层PAS2上。上坝层UDA可以定位在第二绝缘层PAS2上以覆盖中间坝层MDA和下坝层LDA，并且可以与中间坝层MDA和下坝层LDA叠置。例如，上坝层UDA可以与中间坝层MDA和下坝层LDA叠置，使得中间坝层MDA和下坝层LDA完全被上坝层UDA覆盖。上坝层UDA的宽度W3可以大于中间坝层MDA的宽度W2和下坝层LDA的宽度W1。例如，上坝层UDA可以包括与中间坝层MDA和下坝层LDA叠置的部分以及不与中间坝层MDA和下坝层LDA叠置的部分。
上坝层UDA可以由有机材料制成，而直接形成在上坝层UDA下面的第二绝缘层PAS2可以由无机材料制成。由于有机材料与无机材料之间的粘结力大于有机材料之间的粘结力，因此上坝层UDA可以直接定位在第二绝缘层PAS2上以改善粘结力。例如，如果上坝层UDA完全覆盖中间坝层MDA和下坝层LDA，则形成在中间坝层MDA和下坝层LDA上的第二绝缘层PAS2的表面积可以增大，从而进一步增加与上坝层UDA的粘结面积。因此，上坝层UDA可以进一步改善第一坝DAM1的粘结力。
同时，参照图11，可以从根据一个或更多个实施例的显示装置10的坝结构部分DAM的第一坝DAM1省略中间坝层MDA。
第一坝DAM1可以包括下坝层LDA、覆盖下坝层LDA的第二绝缘层PAS2和定位在第二绝缘层PAS2上的上坝层UDA。第二绝缘层PAS2可以形成为完全覆盖下坝层LDA，上坝层UDA可以形成为完全覆盖下坝层LDA。
由于下坝层LDA被第二绝缘层PAS2覆盖，因此即使省略了中间坝层MDA，也可以降低或防止下坝层LDA剥离的可能性。此外，能够通过下坝层LDA的台阶来增加第二绝缘层PAS2与上坝层UDA之间的粘结面积。因此，上坝层UDA可以改善第一坝DAM1的粘结力。
尽管已经通过例示图9至图11的第一坝DAM1描述了坝结构部分DAM，但是本公开不限于此，并且第二坝DAM2也与上面所描述的相同。
图12是示意性示出根据一个或更多个其他实施例的显示装置的剖视图。图13是示出根据一个或更多个其他实施例的显示装置的显示区域和非显示区域的部分的平面图。图14是示出根据一个或更多个其他实施例的坝结构的剖视图。
参照图12至图14，对应的实施例与同图7至图11对应的实施例的不同之处在于，坝结构部分DAM由单层形成并且与形成在第二绝缘层PAS2中的通气孔VTH叠置。在下面的描述中，将省略上述实施例的冗余描述，同时集中于差异。
第二绝缘层PAS2可以包括或限定多个通气孔VTH。多个通气孔VTH可以定位为围绕显示区域DPA和孔部分VA。多个通气孔VTH可以向基底SUB的外部分与孔部分VA间隔开，以定位在非显示区域NDA中。多个通气孔VTH可以具有一定直径(例如，预定直径)，并且可以穿过第二绝缘层PAS2。多个通气孔VTH可以用作通道，在后续的热处理工艺中在过孔层VIA中产生的气体可以通过该通道排放到外部。
多个通气孔VTH可以定位为彼此间隔开，并且可以例如以多个岛状图案形成。多个通气孔VTH可以定位为以一定间隔(例如，预定间隔)彼此间隔开，但是不限于此。通气孔VTH可以由不连续的线或连续的线形成。通气孔VTH被描绘为具有圆形孔形状，并且以围绕显示区域DPA的虚线布置。多个通气孔VTH可以形成为至少一条虚线(例如，假想线)。例如，多个通气孔VTH可以布置为与第一坝DAM1和第二坝DAM2中的每个对应。
坝结构部分DAM可以包括与多个通气孔VTH叠置以与多个通气孔VTH对应的第一坝DAM1和第二坝DAM2。第一坝DAM1和第二坝DAM2中的每个可以由单层形成。然而，本公开不限于此，并且第一坝DAM1和第二坝DAM2可以具有如与图8至图11对应的上述实施例中的多层结构。第一坝DAM1和第二坝DAM2可以直接定位在过孔层VIA和第二绝缘层PAS2上。第一坝DAM1和第二坝DAM2可以包括与显示区域DPA中的上堤层UBN相同的材料。第一坝DAM1和第二坝DAM2的顶表面可以具有与上堤层UBN的顶表面的高度相同的高度。在一个或更多个实施例中，第一坝DAM1和第二坝DAM2可以与上堤层UBN在同一工艺中并行地或基本上同时地形成。
第一坝DAM1和第二坝DAM2中的每个可以与第二绝缘层PAS2的多个通气孔VTH叠置。第一坝DAM1和第二坝DAM2可以定位为填充第二绝缘层PAS2的多个通气孔VTH，以直接接触在多个通气孔VTH中暴露的过孔层VIA的顶表面。第一坝DAM1和第二坝DAM2可以直接接触其中形成有通气孔VTH的第二绝缘层PAS2的顶表面和侧表面。当坝结构部分DAM在多个通气孔VTH中接触过孔层VIA时，在过孔层VIA中产生的气体可以通过坝结构部分DAM排放到外部。
如图14中所示，为了改善坝结构部分DAM的粘结力，第一坝DAM1和第二坝DAM2中的每个的宽度W4可以大于通气孔VTH的直径DD。因为由有机材料制成的第一坝DAM1和第二坝DAM2在定位有通气孔VTH的区域中接触过孔层VIA，因此其粘结力会降低。如果第一坝DAM1和第二坝DAM2中的每个的宽度W4形成为大于通气孔VTH的直径DD，则第一坝DAM1和第二坝DAM2可以不仅接触过孔层VIA的顶表面，而且还可以接触第二绝缘层PAS2的侧表面和顶表面，从而增加粘结力。
在图7至图14的上述实施例中，已经将坝结构部分DAM示出和描述为包括两个坝DAM1和DAM2，但是本公开不限于此。坝结构部分DAM可以包括一个坝或者三个或更多个坝。
图15是示出根据又一个或更多个其他实施例的显示装置的显示区域和非显示区域的平面图。图16是图15的区域A的放大平面图。图17是沿着图15中的线A2-A2'截取的剖视图。
参照图15至图17，对应的实施例与图7至图14的上述实施例的不同之处在于，从非显示区域NDA省略了坝结构部分DAM和孔部分VA，并且多个虚设像素DPX定位在非显示区域NDA中。在下面的描述中，将省略上述实施例的冗余描述，同时集中于差异。
多个虚设像素DPX可以定位在非显示区域NDA中，以围绕显示区域DPA。多个虚设像素DPX可以以矩阵形式布置在非显示区域NDA中。在平面图中，每个虚设像素DPX的形状可以是矩形形状或正方形形状。然而，本公开不限于此，并且每个虚设像素DPX的形状可以是其中每条边相对于一个方向倾斜的菱形形状。虚设像素DPX可以以条型或岛型布置。虚设像素DPX被示出和描述为具有与定位在显示区域DPA中的子像素SPXn的形状相同的形状。
多个虚设像素DPX可以在显示区域DPA的在第二方向DR2上的两个侧部分布置成多列，并且可以在显示区域DPA的在第一方向DR1上的两个侧部布置成多行。例如，在显示区域DPA的左侧和右侧中的每侧处，虚设像素DPX可以布置成两列，并且在显示区域DPA的顶侧和底侧中的每侧处，虚设像素DPX可以布置成两行。然而，本公开不限于此，并且虚设像素DPX可以布置成三列或更多列以及三行或更多行。
多个虚设像素DPX可以由从显示区域DPA延伸的堤层BNL和上堤层UBN界定。堤层BNL可以在显示区域DPA中定位于在第一方向DR1和第二方向DR2上相邻的子像素SPXn之间的边界处。此外，堤层BNL可以在非显示区域NDA中定位于在第一方向DR1和第二方向DR2上相邻的虚设像素DPX之间的边界处。堤层BNL可以包括在平面图中在第一方向DR1和第二方向DR2上延伸的部分，以在显示区域DPA和非显示区域NDA的整个表面之上布置成网格图案。堤层BNL可以跨虚设像素DPX之间的边界定位，以界定邻近的虚设像素DPX。
堤层BNL可以定位在第一绝缘层PAS1上。第一绝缘层PAS1可以从显示区域DPA连续地延伸到非显示区域NDA，并且可以定位在过孔层VIA上。堤层BNL可以直接定位在第一绝缘层PAS1上，并且可以围绕虚设像素DPX中的每个。
可以从由堤层BNL界定的虚设像素DPX中的每个省略堤图案BP1和BP2、发光元件ED以及连接电极CNE1和CNE2。每个虚设像素DPX用于监控形成在显示区域DPA的子像素SPXn中的有机材料和无机材料，而不发射光。
第二绝缘层PAS2、第三绝缘层PAS3和第四绝缘层PAS4可以定位在非显示区域NDA的堤层BNL和第一绝缘层PAS1上。第二绝缘层PAS2、第三绝缘层PAS3和第四绝缘层PAS4中的每个可以定位为从显示区域DPA延伸到非显示区域NDA。第二绝缘层PAS2、第三绝缘层PAS3和第四绝缘层PAS4中的每个可以覆盖堤层BNL和第一绝缘层PAS1，并且可以越过堤层BNL延伸到基底SUB的外部分。
界定虚设像素DPX的上堤层UBN可以定位在非显示区域NDA的第四绝缘层PAS4上。上堤层UBN可以定位在第四绝缘层PAS4上，以与堤层BNL叠置。上堤层UBN可以从显示区域DPA延伸，并且可以定位为包括在第一方向DR1和第二方向DR2上延伸的部分的网格图案。上堤层UBN定位在作为无机材料的第四绝缘层PAS4上，因此对于第四绝缘层PAS4具有优异的粘结力，从而减少或防止上堤层UBN在高压清洁工艺中剥离的可能性。
在非显示区域NDA中彼此叠置的堤层BNL和上堤层UBN可以用作坝结构。如上所述，当喷射在显示区域DPA中的有机材料溢出到非显示区域NDA时，定位为具有相对大的厚度的网格形状的堤层BNL和上堤层UBN可以用作坝结构。因此，能够降低或防止有机材料超出非显示区域NDA溢出到基底SUB的外部的可能性。
可以在虚设像素DPX中的每个中从由堤层BNL和上堤层UBN界定的空间中省略颜色控制层CCR。由于每个虚设像素DPX不发射光，因此颜色控制层CCR(例如，在非显示区域NDA)是不必要的。因此，每个虚设像素DPX可以用作网格状坝结构以捕获有机材料，从而进一步降低或防止有机材料溢出到外部的可能性。
第一覆盖层CPL1和第二覆盖层CPL2可以定位在非显示区域NDA的上堤层UBN上。第一覆盖层CPL1和第二覆盖层CPL2可以延伸到非显示区域NDA，以越过上堤层UBN一直定位到基底SUB的外部分。此外，低折射率层LRL可以定位为从显示区域DPA延伸到非显示区域NDA。低折射率层LRL可以填充在与显示区域DPA相邻的虚设像素DPX的空间中，可以通过上堤层UBN降低或防止低折射率层LRL溢出到基底SUB的外部的可能性。
平坦化层PNL可以从显示区域DPA延伸以定位在非显示区域NDA的第二覆盖层CPL2上。在非显示区域NDA中，平坦化层PNL可以越过上堤层UBN一直定位到非显示区域NDA的外部分。外涂层OC可以定位为在非显示区域NDA中覆盖平坦化层PNL。外涂层OC可以具有其中顶表面的高度随着从显示区域DPA向非显示区域NDA的最外部分而逐渐减小的形状。
在下文中，将参照其他附图描述制造上述显示装置10的方法。
图18至图23是顺序地示出根据一个或更多个实施例的制造显示装置的方法的图。图18至图23中所示的制造显示装置10的方法可以对应于上面描述的图8的显示装置10。
首先，参照图18，准备基底SUB，并且在基底SUB上形成电路层CCL。可以通过堆叠第一导电层至第三导电层以及无机材料层来形成电路层CCL。例如，可以通过沉积金属材料并使用掩模对金属材料进行图案化来形成第一导电层至第三导电层。定位在基底SUB上的电路层CCL的结构与上面描述的相同，因此将省略其详细描述。
接下来，在电路层CCL上涂覆有机材料，并且通过光刻工艺对有机材料进行图案化，以形成包括/限定孔部分VA的过孔层VIA。过孔层VIA可以跨显示区域DPA和非显示区域NDA形成在基底SUB的整个表面上。孔部分VA形成在与显示区域DPA相邻的非显示区域NDA中，以围绕显示区域DPA。孔部分VA可以使电路层CCL的一部分(例如，过孔层VIA下面的第一钝化层(图3中的PV1))暴露。
随后，在过孔层VIA上形成堤图案BP1和BP2、下坝层LDA、电极RME1和RME2以及第一绝缘层PAS1。通过在过孔层VIA上涂覆有机材料并通过光刻工艺对有机材料进行图案化来并行地或基本上同时地形成堤图案BP1和BP2以及下坝层LDA。下坝层LDA可以定位为彼此间隔开，并且可以形成为围绕孔部分VA和显示区域DPA。可以通过在过孔层VIA以及堤图案BP1和BP2上沉积金属材料并且通过使用掩模对金属材料进行图案化来形成电极RME1和RME2。可以通过沉积无机材料跨显示区域DPA和非显示区域NDA形成第一绝缘层PAS1。
接下来，参照图19，在基底SUB上形成堤层BNL和中间坝层MDA。通过在基底SUB上涂覆有机材料并且通过经由光刻工艺对有机材料进行图案化来并行地或基本上同时地形成堤层BNL和中间坝层MDA。堤层BNL形成在显示区域DPA的第一绝缘层PAS1上。中间坝层MDA形成在非显示区域NDA的下坝层LDA上以分别与下坝层LDA对应。中间坝层MDA可以直接形成在下坝层LDA的顶表面上。
此后，参照图20，在显示区域DPA的堤图案BP1和BP2之间形成多个发光元件ED。发光元件ED可以通过喷墨印刷工艺而定位在电极RME1和RME2上。如果将其中分散有发光元件ED的墨喷射到由堤层BNL围绕的区域中，然后将电信号施加到电极RME1和RME2，则墨中的发光元件ED可以在改变它们的位置和方位的同时安置在电极RME1和RME2上。发光元件ED可以通过由施加到堤层BNL之间的电极RME1和RME2的电信号产生的电场而对准。发光元件ED可以定位为使得其第一端放置在第一电极RME1上并且其第二端放置在第二电极RME2上。
之后，形成第二绝缘层PAS2。通过在基底SUB上沉积无机材料并通过使用掩模对无机材料进行图案化来形成第二绝缘层PAS2。第二绝缘层PAS2形成为从显示区域DPA延伸到非显示区域NDA。第二绝缘层PAS2越过孔部分VA连续地形成，以覆盖下坝层LDA和中间坝层MDA。
接下来，参照图21，在显示区域DPA中形成连接电极CNE1和CNE2、第三绝缘层PAS3和第四绝缘层PAS4。可以通过在发光元件ED和第二绝缘层PAS2上沉积金属材料并通过使用掩模对金属材料进行图案化来形成连接电极CNE1和CNE2。可以通过沉积无机材料来形成第三绝缘层PAS3和第四绝缘层PAS4。
然后，形成上堤层UBN和上坝层UDA。通过在基底SUB上涂覆有机材料并且通过经由光刻工艺对有机材料进行图案化来并行地或基本上同时地形成上堤层UBN和上坝层UDA。上堤层UBN形成在显示区域DPA的第四绝缘层PAS4上。上坝层UDA形成在非显示区域NDA的中间坝层MDA上以分别与中间坝层MDA对应。上坝层UDA可以形成为完全覆盖中间坝层MDA和下坝层LDA。因此，形成包括第一坝DAM1和第二坝DAM2的坝结构部分DAM，下坝层LDA、中间坝层MDA和上坝层UDA分别在第一坝DAM1和第二坝DAM2中堆叠。
接下来，参照图22，形成颜色控制层CCR、第一覆盖层CPL1、低折射率层LRL和第二覆盖层CPL2。例如，通过将其中在第一基体树脂BRS1中分散有第一波长转换材料WCP1和散射体SCP的墨喷射到由上堤层UBN围绕的区域来形成第一波长转换层WCL1。此外，还可以形成第二波长转换层WCL2和光透射层TPL，从而形成包括第一波长转换层WCL1、二波长转换层WCL2和光透射层TPL的颜色控制层CCR。通过沉积无机材料来形成第一覆盖层CPL1和第二覆盖层CPL2，并且通过涂覆有机材料来形成低折射率层LRL。第一覆盖层CPL1和第二覆盖层CPL2可以形成为从显示区域DPA延伸到非显示区域NDA，并且可以覆盖坝结构部分DAM。低折射率层LRL可以从显示区域DPA延伸到非显示区域NDA。低折射率层LRL可以填充孔部分VA的内部，并且可以被第一坝DAM1阻挡。
之后，参照图23，形成平坦化层PNL、滤色器层CFL、颜色图案CP1、CP2和CP3以及外涂层OC。通过涂覆有机材料来形成平坦化层PNL。平坦化层PNL可以形成为从显示区域DPA延伸到非显示区域NDA，并且可以覆盖坝结构部分DAM。可以通过经由光刻工艺对滤色器CFL1、CFL2和CFL3进行图案化来形成滤色器层CFL。也可以通过光刻工艺在滤色器CFL1、CFL2和CFL3上形成颜色图案CP1、CP2和CP3。通过涂覆有机材料形成外涂层OC。因此，制造出根据一个或更多个实施例的显示装置10。
如上所述，在根据一个或更多个实施例的制造显示装置10的方法中，包括在坝DAM1和DAM2中的下坝层LDA、中间坝层MDA和上坝层UDA分别与堤图案BP1和BP2、堤层BNL和上堤层UBN中的每个在同一步骤中并行地或基本上同时地形成，因此具有的优点在于，在制造工艺中不需要用于形成坝结构部分DAM的单独的步骤。
在结束详细描述时，本领域技术人员将理解的是，在基本上不脱离本公开的方面的情况下，可以对所公开的实施例进行许多变化和修改。因此，所公开的实施例仅以一般性和描述性意义使用，而不是为了限制的目的。

Claims (10)

1.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：
基底，包括显示区域和非显示区域；
绝缘层，在所述基底上方，并且在所述显示区域和所述非显示区域中；以及
至少一个坝，在所述非显示区域中，围绕所述显示区域，并且包括：下坝层，在所述基底上方；中间坝层，在所述下坝层上方；以及上坝层，覆盖所述下坝层和所述中间坝层，
其中，所述绝缘层在所述中间坝层与所述上坝层之间。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述绝缘层覆盖所述下坝层和所述中间坝层，并且接触所述下坝层和所述中间坝层。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述上坝层接触所述绝缘层的顶表面。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述中间坝层接触所述下坝层的顶表面，并且
其中，所述下坝层的宽度大于所述中间坝层的宽度。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述上坝层的宽度大于所述下坝层的宽度并且大于所述中间坝层的宽度。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括过孔层，所述过孔层在所述基底与所述绝缘层之间并且限定孔部分。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述孔部分在所述至少一个坝与所述显示区域之间，并且在平面图中围绕所述显示区域。
8.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述绝缘层在所述过孔层上方，并且
其中，所述绝缘层的一部分在所述孔部分中。
9.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：
基底，包括显示区域和非显示区域；
过孔层，在所述基底上方；
绝缘层，在所述过孔层上方，并且在所述显示区域和所述非显示区域中；以及
至少一个坝，在所述非显示区域中，并且围绕所述显示区域，
其中，所述绝缘层在所述非显示区域中限定穿透所述绝缘层的通气孔，并且
其中，所述至少一个坝与所述通气孔叠置。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，所述通气孔彼此间隔开以围绕所述显示区域，并且使所述过孔层的顶表面暴露，
其中，所述至少一个坝覆盖所述通气孔，并且
其中，所述至少一个坝的宽度大于所述通气孔中的一个通气孔的直径。
CN202320293150.0U 2022-02-25 2023-02-22 显示装置 Active CN219553636U (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2022-0025160 2022-02-25
KR1020220025160A KR20230128174A (ko) 2022-02-25 2022-02-25 표시 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN219553636U true CN219553636U (zh) 2023-08-18

Family

ID=87704265

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202320293150.0U Active CN219553636U (zh) 2022-02-25 2023-02-22 显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20230282785A1 (zh)
KR (1) KR20230128174A (zh)
CN (1) CN219553636U (zh)

Also Published As

Publication number Publication date
KR20230128174A (ko) 2023-09-04
US20230282785A1 (en) 2023-09-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20220223664A1 (en) Display device
EP4195282A1 (en) Display device
US20230275197A1 (en) Display device
US20220149111A1 (en) Display device
US11882744B2 (en) Display device including display devices connected together via protrusions and grooves
CN219553636U (zh) 显示装置
CN116830268A (zh) 显示设备
CN116097433A (zh) 显示设备
CN220402270U (zh) 显示设备
CN219961262U (zh) 显示装置
US20220406978A1 (en) Display device
EP4236657A1 (en) Display device
US20230231096A1 (en) Display device
US20220302178A1 (en) Display device and method of manufacturing the same
US20240006559A1 (en) Display device
US20230335689A1 (en) Display device and manufacturing method therefor
US20230197763A1 (en) Display device
US20230275189A1 (en) Display device
EP4181221A1 (en) Display device
CN116364744A (zh) 显示装置
KR20230143218A (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
CN117999652A (zh) 显示装置
CN117204142A (zh) 显示装置和拼接显示装置
CN117637797A (zh) 显示装置
CN117223104A (zh) 显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant