CN116191883B - 一种负电压转换电路 - Google Patents
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Abstract
本申请提供了一种负电压转换电路，其中，接地端GND依次通过第二开关管、第四开关管及第二电阻接入负电压源端VSS；还依次通过第一电阻、第一开关管、第三开关管及第一电流镜结构接入负电压源端VSS；还依次通过第三电阻、第七开关管及第一电流镜结构接入负电压源端VSS；第七开关管与第一电流镜结构中间的第四节点D接入第一运算放大器的正相输入端，其输出端通过第五电阻R5接入第五节点E，其反相输入端及接地端GND还分别接入第五节点E，其输出端输出负电压Vr。上述电路可以输出一个消除温度系数且不受负电压源端VSS的负电压影响的负电压Vr，大大提高负电压。
Description
技术领域
本申请涉及电池供电技术领域，具体涉及一种负电压转换电路。
背景技术
运算放大器（简称“运放”）是具有很高放大倍数的电路单元，其供电电压通常需要负电压。
现有技术通常采用如图1所示的负电压供电电路产生上述负电压，该负电压供电电路包括输入的负电源Vin、第一滤波电容C1、第二滤波电容C2和控制芯片U1；当该负电压供电电路采用电池进行供电时，即采用电池作为输入的负电源VIN时，图1所示的负电压供电电路即构成负电压电池供电电路，其中电池的正极接控制芯片U1的接地端GND，负极接控制芯片U1的负电压源端VSS，此时，控制芯片U1的输出端OUT输出负电压。
但是，现有技术中的负电压电池供电电路在使用过程中，电池电压的下降会对控制芯片U1内部的负电压转换电路产生影响，使得该负电压转换电路输出的负电压精度下降，从而影响负电压电池供电电路的精度；并且该负电压转换电路输出的负电压会随着温度的变化而变化，同样会导致负电压电池供电电路的精度降低。
发明内容
本申请提供了一种负电压转换电路，可以输出一个消除温度系数且不受负电压源端VSS的负电压影响的负电压Vr，大大提高负电压电池供电电路的精度和可靠性，该技术方案如下。
一方面，提供了一种负电压转换电路，在所述负电压转换电路中，接地端GND通过第二开关管Q2连接至第一节点A，所述第一节点A依次通过第四开关管Q4及所述第二电阻R2连接至负电压源端VSS；
所述接地端GND还依次通过第一电阻R1及第一开关管Q1连接至第二节点B，所述第二节点B依次通过第三开关管Q3及第一电流镜结构的第一支路连接至所述负电压源端VSS；所述第一开关管Q1的控制端连接至所述第一节点A，所述第二开关管Q2的控制端连接至所述第二节点B；
所述接地端GND还依次通过第三电阻R3及第七开关管Q7连接至第四节点D，所述第四节点D通过第一电流镜结构的第二支路连接至所述负电压源端VSS；
所述第四节点D还接入第一运算放大器A1的正相输入端，所述第一运算放大器A1的输出端通过第五电阻R5连接至第五节点E，所述接地端GND还通过第四电阻R4连接至所述第五节点E；第一运算放大器A1的反相输入端接入所述第五节点E，所述第一运算放大器A1的输出端输出负电压Vr。
在一种可能的实施方式中，所述第一电流镜结构的第一支路包括第五开关管Q5；所述第一电流镜结构的第二支路包括第六开关管Q6；所述第五开关管Q5的控制端连接至所述第六开关管Q6的控制端；
所述第二节点B依次通过所述第三开关管Q3及第五开关管Q5连接至所述负电压源端VSS；
所述第四节点D通过所述第六开关管Q6连接至所述负电压源端VSS。
在一种可能的实施方式中，所述第一开关管Q1、所述第二开关管Q2、所述第三开关管Q3、所述第四开关管Q4及所述第七开关管Q7为PNP三极管，且所述第五开关管Q5及所述第六开关管Q6为NPN三极管。
在一种可能的实施方式中，所述第一开关管Q1、所述第二开关管Q2、所述第三开关管Q3、所述第四开关管Q4及所述第七开关管Q7为PNP三极管，且所述第五开关管Q5及所述第六开关管Q6为NMOS管。
在一种可能的实施方式中，所述第一开关管Q1和所述第二开关管Q2的宽长比为N:1。
在一种可能的实施方式中，所述第一开关管Q1由P个目标开关管并联构成，所述第二开关管Q2由Q个目标开关管构成；所述P与Q的比值为N。
又一方面，提供了一种控制芯片，其特征在于，所述控制芯片包括如上所述的负电压转换电路。
在一种可能的实施方式中，所述控制芯片还包括：第二运算放大器A2、功率开关管M1、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8及保护电路；
接地端GND通过所述负电压转换电路连接至负电压源端VSS；
所述负电压转换电路的输出端连接至所述第二运算放大器A2的反相输入端，所述第二运算放大器A2的正相输入端连接至第六节点F；
所述接地端GND通过第六电阻R6连接至所述第六节点F；所述第六节点F通过所述第七电阻R7连接至所述控制芯片的输出端，所述控制芯片的输出端依次通过所述功率开关管M1及所述第八电阻R8连接至所述负电压源端VSS；
所述第二运算放大器A2的输出端直接通过所述保护电路连接至所述负电压源端VSS，所述第二运算放大器A2的输出端还依次通过所述保护电路及所述第八电阻R8连接至所述负电压源端VSS；
所述第二运算放大器A2的输出端还连接至所述功率开关管M1的控制端。
再一方面，提供了一种负电压电池供电电路，所述负电压电池供电电路包括如上所述的控制芯片。
在一种可能的实施方式中，所述负电压电池供电电路的输入电压源为电池。
本申请提供的技术方案可以包括以下有益效果：
在本申请涉及的负电压转换电路中，该负电压转换电路输出的负电压Vr的分子分母的温度系数可相互抵消，该负电压Vr即为一个不受温度影响的精准电压值；同时，该负电压Vr只跟负电压转换电路结构中的第四电阻R4和第五电阻R5的阻值有关，因此，该负电压转换电路输出的负电压Vr也为一个不受负电压源端VSS的负电压影响的精准电压值；因此，该负电压转换电路可以输出一个消除温度系数且不受负电压源端VSS的负电压影响的负电压Vr，且只要控制第四电阻R4和第五电阻R5的阻值，该负电压Vr即可根据电路需求设计为任意值。
本申请涉及的负电压转换电路可应用到负电压电池供电电路的控制芯片中，使得该负电压电池供电电路可输出一个不受温度和负电压源端的负电压影响的精准电压，从而大大提高负电压电池供电电路的精度和可靠性。
附图说明
为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是根据一示例性实施例示出的现有的负电压电池供电电路的结构示意图。
图2是根据一示例性实施例示出的一种负电压转换电路的结构示意图。
图3是根据一示例性实施例示出的一种控制芯片的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合附图对本申请的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
图2是根据一示例性实施例示出的一种负电压转换电路的结构示意图。该负电压转换电路可应用到负电压电池供电电路的控制芯片中，该负电压电池供电电路可以是如图1所示的现有的负电压电池供电电路，该控制芯片可以是图1中的控制芯片U1。该负电压转换电路输出的负电压Vr不受负电源（即电池）的电压变化以及外部温度的影响，从而大大提高负电压电池供电电路的精度。
如图2所示，该负电压转换电路包括第一开关管Q1、第二开关管Q2、第三开关管Q3、第四开关管Q4、第五开关管Q5、第六开关管Q6、第七开关管Q7、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5以及第一运算放大器A1；
在该负电压转换电路中，接地端GND通过第二开关管Q2连接至第一节点A，该第一节点A依次通过第四开关管Q4及该第二电阻R2连接至负电压源端VSS；
该接地端GND还依次通过第一电阻R1及第一开关管Q1连接至第二节点B，该第二节点B依次通过第三开关管Q3及第一电流镜结构的第一支路连接至该负电压源端VSS；所述第一开关管Q1的控制端连接至所述第一节点A，所述第二开关管Q2的控制端连接至所述第二节点B；
该接地端GND还依次通过第三电阻R3及第七开关管Q7连接至第四节点D，该第四节点D通过第一电流镜结构的第二支路连接至该负电压源端VSS；
该第四节点D还接入第一运算放大器A1的正相输入端，该第一运算放大器A1的输出端通过第五电阻R5连接至第五节点E，该接地端GND还通过第四电阻R4连接至该第五节点E；第一运算放大器A1的反相输入端接入该第五节点E，该第一运算放大器A1的输出端输出负电压Vr。负电压Vr即为该负电压转换电路的输出电压。
进一步的，当该第一开关管Q1及该第二开关管Q2为PNP三极管时，该第一开关管Q1的控制端为该第一开关管Q1的基极，该第二开关管Q2的控制端为该第二开关管Q2的基极。
进一步的，当该第三开关管Q3及该第四开关管Q4为PNP三极管时，该第三开关管Q3的控制端为该第三开关管Q3的基极，该第四开关管Q4的控制端为该第四开关管Q4的基极；
该第三开关管Q3的基极连接至第三节点C，该第三节点C连接至第四开关管Q4的基极，该第三节点C还与该第四开关管Q4的集电极连接，且该第三节点C通过所述第二电阻R2连接至该负电压源端VSS。
在一种可能的实施方式中，该第一电流镜结构的第一支路包括第五开关管Q5；该第一电流镜结构的第二支路包括第六开关管Q6；该第五开关管Q5的控制端连接至该第六开关管Q6的控制端；
该第二节点B依次通过该第三开关管Q3及第五开关管Q5连接至该负电压源端VSS；
该第四节点D通过该第六开关管Q6连接至该负电压源端VSS。
进一步的，当该第五开关管Q5及该第六开关管Q6为NPN三极管时，该第五开关管Q5的控制端为该第五开关管Q5的基极，该第六开关管Q6的控制端为该第六开关管Q6的基极。
当该第五开关管Q5及该第六开关管Q6为NMOS管时，该第五开关管Q5的控制端为该第五开关管Q5的栅极，该第六开关管Q6的控制端为该第六开关管Q6的栅极。
在一种可能的实施方式中，该第一开关管Q1、该第二开关管Q2、该第三开关管Q3、该第四开关管Q4及该第七开关管Q7为PNP三极管，且该第五开关管Q5及该第六开关管Q6为NPN三极管。
在一种可能的实施方式中，该第一开关管Q1、该第二开关管Q2、该第三开关管Q3、该第四开关管Q4及该第七开关管Q7为PNP三极管，且该第五开关管Q5及该第六开关管Q6为NMOS管。
在一种可能的实施方式中，该第一开关管Q1和该第二开关管Q2的宽长比为N:1。
在一种可能的实施方式中，该第一开关管Q1由P个目标开关管并联构成，该第二开关管Q2由Q个目标开关管并联构成；该P与Q的比值为N。
示例性的，当该第二开关管Q2由一个目标开关管构成，即Q=1时，该第一开关管Q1由N个目标开关管并联构成，即P=N，使得该P与Q的比值为N。
基于图2的一种负电压转换电路的结构，其工作原理可以如下所示：
当该负电压转换电路上电后，负电压源端VSS的负电压通过第二电阻R2分别将第三开关管Q3和第四开关管Q4的基极拉低，第三开关管Q3和第四开关管Q4导通，此时，第一开关管Q1的基极被第四开关管Q4和第二电阻R2拉低，第一开关管Q1导通，因此，第五开关管Q5的基极被第一开关管Q1、第三开关管Q3和第一电阻R1拉高（图2中的VBIAS指示的是第五开关管Q5的基极被拉高或拉低后的偏置电压），第一电流镜结构中的第五开关管Q5导通，故此时，第二开关管Q2的基极通过第三开关管Q3和第五开关管Q5被拉低，第二开关管Q2导通，因此，在由第二开关管Q2、第四开关管Q4和第二电阻R2组成的该负电压转换电路的第一支路中，以及在由第一电阻R1、第一开关管Q1、第三开关管Q3和第五开关管Q5组成的该负电压转换电路的第二支路中均产生电流，记该负电压转换电路的第二支路中产生的电流为I1，以下给出I1的计算过程；
由图2中的负电压转换电路的电路结构可知，第三节点C处的电压VC等于第一节点A处的电压VA加上第四开关管Q4的基极和发射极之间的电压差VBE4，也等于第二节点B处的电压VB加上第三开关管Q3的基极和发射极之间的电压差VBE3，即VC=VA+VBE4=VB+VBE3；此时，由于第一电阻R1的一端和第二开关管Q2的发射极均接地，因此，VB等于第二开关管Q2的基极和发射极之间的电压差VBE2，VA等于第一开关管Q1的基极和发射极之间的电压差VBE1减去第一电阻R1的正向压降，即VB=VBE2，VA=VBE1-N*IC1*R1，其中，IC1为组成第一开关管Q1中的一个目标开关管的集电极电流；N为该第一开关管Q1中目标开关管的并联个数。
故此时，可得VBE1-N*IC1*R1+VBE4= VBE2+VBE3；
同时，在本领域中，PNP三极管的发射极和基极之间的电压差满足以下公式：VEB=VT*ln(IC/IS)，因此，基极和发射极之间的电压差VBE=-VT*ln(IC/IS)。
故此时，将该公式带入上式可得：
-VT*ln(IC1/IS)-N*IC1*R1-VT*ln(IC4/IS)=-VT*ln(IC2/IS)-VT*ln(IC3/IS)，其中IC2为第二开关管Q2的集电极电流，IC3为第三开关管Q3的集电极电流，IC4为第四开关管Q4的集电极电流，IS为发射结的反向饱和电流，VT为温度的电压当量，而又由图2可知，第二开关管Q2与第四开关管Q4串联，第一开关管Q1与第三开关管Q3串联，因此，N*IC1=IC3，IC2=IC4，此时可得VT*ln(IC1/IS)+N*IC1*R1= VT*ln(N*IC1/IS)，变换该式可得VT*lnN= N*IC1*R1= IC3*R1=I1*R1，即此时可得，该负电压转换电路的第二支路中产生的电流I1=VT*lnN/R1；
由上述分析可知，流入第五开关管Q5中的电流即为电流I1，而由于第五开关管Q5与第六开关管Q6构成第一电流镜结构，因此，第六开关管Q6中流过的电流大小也为I1；此时，由图2中的电路结构可知，第七开关管Q7的基极与集电极相连，故此时，第四节点D处的电压为第七开关管Q7的基极和发射极之间的电压差VBE7减去第三电阻R3的正向压降，即VD=VBE7-I1*R3=VBE7-VT*lnN*R3/R1；
同时，在本领域中，VEB=1.2V-1.9mV*K，温度的电压当量VT=0.086mV*K，K为开尔文温度，故此时，VD=-1.2V+1.9mV*K-(0.086*lnN*R3/R1)mV*K，故此时，将lnN*R3/R1设计为等于1.9/0.086，即可得到一个消除温度系数的第四节点D处的电压-1.2V；
可选的，可将N设计为9，第三电阻R3的阻值设计为543KΩ，第一电阻R1的阻值设计为54KΩ；
此时，该第一运算放大器A1的正相输入端的电压即为一个消除温度系数的电压-1.2V，因此，在该第一运算放大器A1的调节下，使得该第一运算放大器A1的反相输入端的电压稳定在-1.2V，即此时，第五节点E处的电压为-1.2V，因此，可得该负电压转换电路输出的负电压Vr=-1.2*(R4+R5)/R4；此时，由于第四电阻R4和第五电阻R5均位于控制芯片内部，且同一芯片内部的电阻均采用相同工艺制备，因此，同一芯片内部的电阻均具有相同的温度系数，故此时，(R4+R5)/R4中分子分母的温度系数可相互抵消，该负电压转换电路输出的负电压Vr即为一个不受温度影响的精准电压值；同时，该负电压转换电路输出的负电压Vr只跟第四电阻R4和第五电阻R5的阻值有关，因此，该负电压转换电路输出的负电压Vr也为一个不受负电压源端VSS的负电压影响的精准电压值。
由上述分析可知，上述负电压转换电路可产生负电压Vr，该负电压Vr为一个消除温度系数且不受负电压源端VSS的负电压影响的电压，且该负电压Vr可根据电路需求设计为任意值。
综上所述，在本申请涉及的负电压转换电路中，该负电压转换电路输出的负电压Vr的分子分母的温度系数可相互抵消，该负电压Vr即为一个不受温度影响的精准电压值；同时，该负电压Vr只跟负电压转换电路结构中的第四电阻R4和第五电阻R5的阻值有关，因此，该负电压转换电路输出的负电压Vr也为一个不受负电压源端VSS的负电压影响的精准电压值；因此，该负电压转换电路可以输出一个消除温度系数且不受负电压源端VSS的负电压影响的负电压Vr，且只要控制第四电阻R4和第五电阻R5的阻值，该负电压Vr即可根据电路需求设计为任意值。
图3是根据一示例性实施例示出的一种控制芯片的结构示意图。该控制芯片包括如图2所示的负电压转换电路，该控制芯片设置在负电压电池供电电路内，该负电压电池供电电路可以是图1的现有的负电压电池供电电路，该控制芯片可以是图1中的控制芯片U1。
在一种可能的实施方式中，如图3所示，该控制芯片还包括：第二运算放大器A2、功率开关管M1、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8及保护电路；
接地端GND通过负电压转换电路连接至负电压源端VSS；
该负电压转换电路的输出端连接至该第二运算放大器A2的反相输入端，该第二运算放大器A2的正相输入端连接至第六节点F；
该接地端GND通过第六电阻R6连接至该第六节点F；该第六节点F通过该第七电阻R7连接至该控制芯片的输出端，该控制芯片的输出端依次通过该功率开关管M1及该第八电阻R8连接至该负电压源端VSS；
该第二运算放大器A2的输出端直接通过该保护电路连接至该负电压源端VSS，该第二运算放大器A2的输出端还依次通过该保护电路及该第八电阻R8连接至该负电压源端VSS；
该第二运算放大器A2的输出端还连接至该功率开关管M1的控制端。
同时，保护电路对流过第八电阻R8的电流以及第八电阻R8两端的电压进行采样，从而实现对负电压电池供电电路的电流保护和电压保护，该保护电路可采用本领域常用的保护电路结构，在此不进行详述。
进一步的，可将控制芯片设置在负电压电池供电电路内，即该本申请还提供了一种负电压电池供电电路，可选的，该负电压电池供电电路输入电压源为电池，该负电压电池供电电路包括如图3示出的控制芯片，该控制芯片内又包括如图2所示的负电压转换电路。
进一步的，在应用中，可根据电路的实际需求，对负电压转换电路中的第四电阻R4和第五电阻R5进行设计，从而得到该负电压转换电路相应的负电压Vr；该负电压Vr输入第二运算放大器A2的反相输入端，同时，第二运算放大器A2的正相输入端接入第六电阻R6和第七电阻R7之间的第六节点F，从而在第二运算放大器A2和功率开关管M1的作用下，将第六节点F处的电压调节为与该负电压Vr相等，故此时，可得到负电压电池供电电路的输出电压VOUT=Vr*(R6+R7)/R6=-1.2*(R4+R5) *(R6+R7)/(R4*R6)；负电压电池供电电路的输出电压VOUT即为该控制芯片的输出端处的输出电压。
由上述分析得到的负电压电池供电电路的输出电压VOUT的公式可知，该负电压电池供电电路的输出电压VOUT中分子分母的温度系数可相互抵消，同时，该输出电压VOUT只跟第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6和第七电阻R7的阻值有关，因此，该负电压电池供电电路的输出电压VOUT为一个消除温度系数且不受负电压源端VSS的负电压影响的精准电压。
综上所述，在本申请涉及的负电压转换电路中，该负电压转换电路输出的负电压Vr的分子分母的温度系数可相互抵消，该负电压Vr即为一个不受温度影响的精准电压值；同时，该负电压Vr只跟负电压转换电路结构中的第四电阻R4和第五电阻R5的阻值有关，因此，该负电压转换电路输出的负电压Vr也为一个不受负电压源端VSS的负电压影响的精准电压值；因此，该负电压转换电路可以输出一个消除温度系数且不受负电压源端VSS的负电压影响的负电压Vr，且只要控制第四电阻R4和第五电阻R5的阻值，该负电压Vr即可根据电路需求设计为任意值。
本申请涉及的负电压转换电路可应用到负电压电池供电电路的控制芯片中，使得该负电压电池供电电路可输出一个不受温度和负电压源端的负电压影响的精准电压，从而大大提高负电压电池供电电路的精度和可靠性。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本申请的其它实施方案。本申请旨在涵盖本申请的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本申请的一般性原理并包括本申请未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本申请的真正范围和精神由下面的权利要求指出。
应当理解的是，本申请并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本申请的范围仅由所附的权利要求来限制。
Claims (9)
1.一种负电压转换电路，其特征在于，在所述负电压转换电路中，接地端GND通过第二开关管Q2连接至第一节点A，所述第一节点A依次通过第四开关管Q4及第二电阻R2连接至负电压源端VSS；
所述接地端GND还依次通过第一电阻R1及第一开关管Q1连接至第二节点B，所述第二节点B依次通过第三开关管Q3及第一电流镜结构的第一支路连接至所述负电压源端VSS；所述第一开关管Q1的控制端连接至所述第一节点A，所述第二开关管Q2的控制端连接至所述第二节点B；
所述接地端GND还依次通过第三电阻R3及第七开关管Q7连接至第四节点D，所述第四节点D通过第一电流镜结构的第二支路连接至所述负电压源端VSS；
所述第四节点D还接入第一运算放大器A1的正相输入端，所述第一运算放大器A1的输出端通过第五电阻R5连接至第五节点E，所述接地端GND还通过第四电阻R4连接至所述第五节点E；第一运算放大器A1的反相输入端接入所述第五节点E，所述第一运算放大器A1的输出端输出负电压Vr；
其中，所述第一电流镜结构的第一支路包括第五开关管Q5；所述第一电流镜结构的第二支路包括第六开关管Q6；所述第五开关管Q5的控制端连接至所述第六开关管Q6的控制端；
所述第二节点B依次通过所述第三开关管Q3及第五开关管Q5连接至所述负电压源端VSS；
所述第四节点D通过所述第六开关管Q6连接至所述负电压源端VSS。
2.根据权利要求1所述的负电压转换电路，其特征在于，所述第一开关管Q1、所述第二开关管Q2、所述第三开关管Q3、所述第四开关管Q4及所述第七开关管Q7为PNP三极管，且所述第五开关管Q5及所述第六开关管Q6为NPN三极管。
3.根据权利要求1所述的负电压转换电路，其特征在于，所述第一开关管Q1、所述第二开关管Q2、所述第三开关管Q3、所述第四开关管Q4及所述第七开关管Q7为PNP三极管，且所述第五开关管Q5及所述第六开关管Q6为NMOS管。
4.根据权利要求1至3任一所述的负电压转换电路，其特征在于，所述第一开关管Q1和所述第二开关管Q2的宽长比为N:1。
5.根据权利要求1至3任一所述的负电压转换电路，其特征在于，所述第一开关管Q1由P个目标开关管并联构成，所述第二开关管Q2由Q个目标开关管构成；所述P与Q的比值为N。
6.一种控制芯片，其特征在于，所述控制芯片包括如权利要求1至5任一项所述的负电压转换电路。
7.根据权利要求6所述的控制芯片，其特征在于，所述控制芯片还包括：第二运算放大器A2、功率开关管M1、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8及保护电路；
接地端GND通过所述负电压转换电路连接至负电压源端VSS；
所述负电压转换电路的输出端连接至所述第二运算放大器A2的反相输入端，所述第二运算放大器A2的正相输入端连接至第六节点F；
所述接地端GND通过第六电阻R6连接至所述第六节点F；所述第六节点F通过所述第七电阻R7连接至所述控制芯片的输出端，所述控制芯片的输出端依次通过所述功率开关管M1及所述第八电阻R8连接至所述负电压源端VSS；
所述第二运算放大器A2的输出端直接通过所述保护电路连接至所述负电压源端VSS，所述第二运算放大器A2的输出端还依次通过所述保护电路及所述第八电阻R8连接至所述负电压源端VSS；
所述第二运算放大器A2的输出端还连接至所述功率开关管M1的控制端。
8.一种负电压电池供电电路，其特征在于，所述负电压电池供电电路包括如权利要求6或7所述的控制芯片。
9.根据权利要求8所述的负电压电池供电电路，其特征在于，所述负电压电池供电电路的输入电压源为电池。
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