CN116169637A - 一种适用于高压ldo的低功耗欠压锁定保护电路 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种适用于高压LDO的低功耗欠压锁定保护电路，包含高压电流镜电路、分压电阻反馈网络和低功耗比较器电路，高压电流镜电路的输入端连接输入信号，高压电流镜电路的第一输出端连接分压电阻反馈网络的输入端，高压电流镜电路的第二输出端连接低功耗比较器电路的正电源端，高压电流镜电路的第三输出端连接低功耗比较器电路的输出端并输出欠压锁定信号，分压电阻反馈网络的欠压锁定信号端输入欠压锁定信号，分压电阻反馈网络的输出端连接低功耗比较器电路的反向输入端，低功耗比较器电路的正向输入端连接基准电压信号。本发明可以实现高压电路低功耗下的欠压锁定功能。

Description

一种适用于高压LDO的低功耗欠压锁定保护电路
技术领域
本发明涉及一种欠压锁定保护电路，特别是一种适用于高压LDO的低功耗欠压锁定保护电路，属于半导体集成电路领域。
背景技术
LDO以其低成本，外围器件需求小，输出noise低，静态电流小等优势广泛应用于各种供电场合。随着新能源汽车的发展，尤其是电动新能源汽车的推广应用，设备趋向于小型化，高压化、低功耗。其中小型化不但是封装更小，外围器件需要精简，以节省宝贵的PCB空间；高压主要是汽车电子应用电压范围较高；功耗方面在满足负载需求基础上尽量低，以节约能源，降低成本。基于此，LDO成为很合适供电选择。LDO的可靠工作离不开各种保护模块的协同工作，比如过温，过压，欠压锁定等。其中欠压锁定保护是一项非常重要的功能，当芯片发生工作欠压等异常时可以保护芯片不至于因欠压而误工作损坏。
现有的技术如图5所示。主要通过VIN电流注入电阻网络11、12、13从而产生采样电压，与内部基准VREF比较后经过比较器15去输出比较的逻辑信号，再通过反馈mos管14调整逻辑关系，产生迟滞功能，即可得到欠压锁定的功能。该结构只能应用于较低的工作电压范围内，无法在高压下工作；其次需要大电阻进行分压，会占用较大的版图面积和产生较大的静态功耗，不能用在低功耗电路中。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种适用于高压LDO的低功耗欠压锁定保护电路，实现电路低功耗下的欠压锁定功能。
为解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案是：
一种适用于高压LDO的低功耗欠压锁定保护电路，其特征在于：包含高压电流镜电路、分压电阻反馈网络和低功耗比较器电路，高压电流镜电路的输入端连接输入信号，高压电流镜电路的第一输出端连接分压电阻反馈网络的输入端，高压电流镜电路的第二输出端连接低功耗比较器电路的正电源端，高压电流镜电路的第三输出端连接低功耗比较器电路的输出端并输出欠压锁定信号，分压电阻反馈网络的欠压锁定信号端输入欠压锁定信号，分压电阻反馈网络的输出端连接低功耗比较器电路的反向输入端，低功耗比较器电路的正向输入端连接基准电压信号。
进一步地，所述电压电流镜电路包含第一低压增强型pmos管、第二低压增强型pmos管、第三低压增强型pmos管、第一高压增强型pmos管、第二高压增强型pmos管和第三高压增强型pmos管，第一低压增强型pmos管、第二低压增强型pmos管和第三低压增强型pmos管的源极连接输入信号，第一低压增强型pmos管、第二低压增强型pmos管和第三低压增强型pmos管的栅极连接第一偏置电流镜信号，第一低压增强型pmos管的漏极连接第一高压增强型pmos管的源极，第二低压增强型pmos管的漏极连接第二高压增强型pmos管的源极，第三低压增强型pmos管的漏极连接第三高压增强型pmos管的源极，第一高压增强型pmos管、第二高压增强型pmos管和第三高压增强型pmos管的栅极连接第二偏置电流镜信号，第一高压增强型pmos管的漏极作为电压电流镜电路的第一输出端，第二高压增强型pmos管的漏极作为电压电流镜电路的第二输出端，第三高压增强型pmos管的漏极作为电压电流镜电路的第三输出端。
进一步地，所述分压电路反馈网络包含第一电阻、第二电阻、第三电阻和第一低压增强型nmos管，第一电阻的一端作为分压电路反馈网络的输入端，第一电阻的另一端连接第二电阻的一端并作为分压电路反馈网络的输出端，第二电阻的另一端连接第一低压增强型nmos管的漏极和第三电阻的一端，第三电阻的另一端和第一低压增强型nmos管的源极接地，第一低压增强型nmos管的栅极作为分压电路反馈网络的欠压锁定信号端。
进一步地，所述低功耗比较器电路包含第四低压增强型pmos管、第五低压增强型pmos管、第二低压增强型nmos管、第三低压增强型nmos管和第四低压增强型nmos管，第四低压增强型pmos管和第五低压增强型pmos管的源极作为低功耗比较器的正电源端，第四低压增强型pmos管的栅极作为低功耗比较器的反向输入端，第五低压增强型pmos管的栅极作为低功耗比较器的正向输入端，第四低压增强型pmos管的漏极连接第二低压增强型nmos管的漏极和栅极以及第三低压增强型nmos管的栅极，第五低压增强型pmos管的漏极连接第三低压增强型nmos管的漏极和第四低压增强型nmos管的栅极，第四低压增强型nmos管的漏极作为低功耗比较器电路的输出端，第二低压增强型nmos管、第三低压增强型nmos管和第四低压增强型nmos管的源极接地。
进一步地，所述第一偏置电流镜信号和第二偏置电流镜信号采用LDO内部电流镜偏置信号。
进一步地，所述基准电压信号由LDO内部的基准产生。
本发明与现有技术相比，具有以下优点和效果：本发明的欠压锁定保护电路可以工作在高压下，且只需要几百纳安级别的静态电流即可正常工作，可以实现电路低功耗下的欠压锁定功能；本发明也可以应用于低功耗和版图节约的应用场景。
附图说明
图1是本发明的一种适用于高压LDO的低功耗欠压锁定保护电路的示意图。
图2是本发明的高压电流镜电路的电路图。
图3是本发明的分压电阻反馈网络的电路图。
图4是本发明的低功耗比较器电路的电路图。
图5是现有技术的LDO欠压锁定电路的示意图。
具体实施方式
为了详细阐述本发明为达到预定技术目的而所采取的技术方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清晰、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的部分实施例，而不是全部的实施例，并且，在不付出创造性劳动的前提下，本发明的实施例中的技术手段或技术特征可以替换，下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。
如图1所示，本发明的一种适用于高压LDO的低功耗欠压锁定保护电路，包含高压电流镜电路205、分压电阻反馈网络206和低功耗比较器电路207，高压电流镜电路205的输入端连接输入信号VIN，高压电流镜电路205的第一输出端208连接分压电阻反馈网络206的输入端，高压电流镜电路205的第二输出端209连接低功耗比较器电路207的正电源端，高压电流镜电路205的第三输出端连接低功耗比较器电路207的输出端并输出欠压锁定信号204，分压电阻反馈网络206的欠压锁定信号端输入欠压锁定信号204，分压电阻反馈网络206的输出端210连接低功耗比较器电路207的反向输入端，低功耗比较器电路207的正向输入端连接基准电压信号203。电压电流镜电路205还输入了第一偏置电流镜信号201和第二偏置电流镜信号202，分压电阻反馈网络206和低功耗比较器电路207的负电源端接地。
如图2所示，电压电流镜电路205包含第一低压增强型pmos管31、第二低压增强型pmos管32、第三低压增强型pmos管33、第一高压增强型pmos管34、第二高压增强型pmos管35和第三高压增强型pmos管36，第一低压增强型pmos管31、第二低压增强型pmos管32和第三低压增强型pmos管33的源极连接输入信号VIN，第一低压增强型pmos管31、第二低压增强型pmos管32和第三低压增强型pmos管33的栅极连接第一偏置电流镜信号201，第一低压增强型pmos管31的漏极连接第一高压增强型pmos管34的源极，第二低压增强型pmos管32的漏极连接第二高压增强型pmos管35的源极，第三低压增强型pmos管33的漏极连接第三高压增强型pmos管36的源极，第一高压增强型pmos管34、第二高压增强型pmos管35和第三高压增强型pmos管36的栅极连接第二偏置电流镜信号202，第一高压增强型pmos管34的漏极作为电压电流镜电路205的第一输出端208，第二高压增强型pmos管35的漏极作为电压电流镜电路205的第二输出端209，第三高压增强型pmos管36的漏极作为电压电流镜电路205的第三输出端。
如图3所示，分压电路反馈网络206包含第一电阻41、第二电阻42、第三电阻44和第一低压增强型nmos管43，第一电阻41的一端作为分压电路反馈网络206的输入端与电压电流镜电路205的第一输出端208连接，第一电阻41的另一端连接第二电阻42的一端并作为分压电路反馈网络206的输出端210与低功耗比较器电路207的反向输入端连接，第二电阻42的另一端连接第一低压增强型nmos管43的漏极和第三电阻44的一端，第三电阻44的另一端和第一低压增强型nmos管43的源极接地，第一低压增强型nmos管43的栅极作为分压电路反馈网络206的欠压锁定信号端用于输入欠压锁定信号204。
如图4所示，低功耗比较器电路207包含第四低压增强型pmos管51、第五低压增强型pmos管52、第二低压增强型nmos管53、第三低压增强型nmos管54和第四低压增强型nmos管55，第四低压增强型pmos管51和第五低压增强型pmos管52的源极作为低功耗比较器207的正电源端与电压电流镜电路205的第二输出端209连接，第四低压增强型pmos管51的栅极作为低功耗比较器207的反向输入端与分压电路反馈网络206的输出端210连接，第五低压增强型pmos管52的栅极作为低功耗比较器207的正向输入端与基准电压信号203连接诶，第四低压增强型pmos管51的漏极连接第二低压增强型nmos管53的漏极和栅极以及第三低压增强型nmos管54的栅极，第五低压增强型pmos管52的漏极连接第三低压增强型nmos管54的漏极和第四低压增强型nmos管55的栅极，第四低压增强型nmos管55的漏极作为低功耗比较器电路207的输出端，第二低压增强型nmos管53、第三低压增强型nmos管54和第四低压增强型nmos管55的源极接地。
第一偏置电流镜信号201和第二偏置电流镜信号202采用LDO内部电流镜偏置信号。基准电压信号203由LDO内部的基准产生。
本发明的一种适用于高压LDO的低功耗欠压锁定保护电路的工作原理为：高压电流镜电路205主要对各个支路分配电流，从而确保低功耗。电阻分压反馈网络206可以检测输入信号VIN，产生输入检测电压，同时通过反馈mos管产生迟滞功能。低功耗比较器207将基准电压和输入检测电压相比较，得到欠压锁定保护信号。
本发明的一种适用于高压LDO的低功耗欠压锁定保护电路通过高压电流镜电路205给各个支路进行电流分配，从而降低功耗。同时其采用高压mos管作cascode结构，可以完成从高压转低压的功能。分压电阻反馈网络206通过电流来产生与输入信号VIN弱正相关的电阻分压，其值与外部的基准电压信号203经过低功耗电压比较器207比较产生欠压锁定输出逻辑信号，给LDO其他模块提供保护信号。此外欠压锁定逻辑信号会反馈到分压电阻反馈网络中的第一低压增强型nmos管43，使其产生迟滞功能来保护电路。通过这种结构可以用于高压输入、低功耗应用中。
本发明的一种适用于高压LDO的低功耗欠压锁定保护电路，整体工作电压在0-40v范围，整体的功耗小于500nA。
本发明提供了一种低功耗电路场合下，可以实现高输入电压下对电路欠压锁定的保护电路；本发明的欠压锁定保护电路可以工作在高压下，且只需要几百纳安级别的静态电流即可正常工作，可以实现电路低功耗下的欠压锁定功能；本发明也可以应用于低功耗和版图节约的应用场景。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容做出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质，在本发明的精神和原则之内，对以上实施例所作的任何简单的修改、等同替换与改进等，均仍属于本发明技术方案的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种适用于高压LDO的低功耗欠压锁定保护电路，其特征在于：包含高压电流镜电路、分压电阻反馈网络和低功耗比较器电路，高压电流镜电路的输入端连接输入信号，高压电流镜电路的第一输出端连接分压电阻反馈网络的输入端，高压电流镜电路的第二输出端连接低功耗比较器电路的正电源端，高压电流镜电路的第三输出端连接低功耗比较器电路的输出端并输出欠压锁定信号，分压电阻反馈网络的欠压锁定信号端输入欠压锁定信号，分压电阻反馈网络的输出端连接低功耗比较器电路的反向输入端，低功耗比较器电路的正向输入端连接基准电压信号。
2.根据权利要求1所述的一种适用于高压LDO的低功耗欠压锁定保护电路，其特征在于：所述电压电流镜电路包含第一低压增强型pmos管、第二低压增强型pmos管、第三低压增强型pmos管、第一高压增强型pmos管、第二高压增强型pmos管和第三高压增强型pmos管，第一低压增强型pmos管、第二低压增强型pmos管和第三低压增强型pmos管的源极连接输入信号，第一低压增强型pmos管、第二低压增强型pmos管和第三低压增强型pmos管的栅极连接第一偏置电流镜信号，第一低压增强型pmos管的漏极连接第一高压增强型pmos管的源极，第二低压增强型pmos管的漏极连接第二高压增强型pmos管的源极，第三低压增强型pmos管的漏极连接第三高压增强型pmos管的源极，第一高压增强型pmos管、第二高压增强型pmos管和第三高压增强型pmos管的栅极连接第二偏置电流镜信号，第一高压增强型pmos管的漏极作为电压电流镜电路的第一输出端，第二高压增强型pmos管的漏极作为电压电流镜电路的第二输出端，第三高压增强型pmos管的漏极作为电压电流镜电路的第三输出端。
3.根据权利要求1所述的一种适用于高压LDO的低功耗欠压锁定保护电路，其特征在于：所述分压电路反馈网络包含第一电阻、第二电阻、第三电阻和第一低压增强型nmos管，第一电阻的一端作为分压电路反馈网络的输入端，第一电阻的另一端连接第二电阻的一端并作为分压电路反馈网络的输出端，第二电阻的另一端连接第一低压增强型nmos管的漏极和第三电阻的一端，第三电阻的另一端和第一低压增强型nmos管的源极接地，第一低压增强型nmos管的栅极作为分压电路反馈网络的欠压锁定信号端。
4.根据权利要求1所述的一种适用于高压LDO的低功耗欠压锁定保护电路，其特征在于：所述低功耗比较器电路包含第四低压增强型pmos管、第五低压增强型pmos管、第二低压增强型nmos管、第三低压增强型nmos管和第四低压增强型nmos管，第四低压增强型pmos管和第五低压增强型pmos管的源极作为低功耗比较器的正电源端，第四低压增强型pmos管的栅极作为低功耗比较器的反向输入端，第五低压增强型pmos管的栅极作为低功耗比较器的正向输入端，第四低压增强型pmos管的漏极连接第二低压增强型nmos管的漏极和栅极以及第三低压增强型nmos管的栅极，第五低压增强型pmos管的漏极连接第三低压增强型nmos管的漏极和第四低压增强型nmos管的栅极，第四低压增强型nmos管的漏极作为低功耗比较器电路的输出端，第二低压增强型nmos管、第三低压增强型nmos管和第四低压增强型nmos管的源极接地。
5.根据权利要求2所述的一种适用于高压LDO的低功耗欠压锁定保护电路，其特征在于：所述第一偏置电流镜信号和第二偏置电流镜信号采用LDO内部电流镜偏置信号。
6.根据权利要求1所述的一种适用于高压LDO的低功耗欠压锁定保护电路，其特征在于：所述基准电压信号由LDO内部的基准产生。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116880656A (zh) * 2023-07-25 2023-10-13 深圳市迪浦电子有限公司 一种带定电流反馈的jfet高压稳压电路

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105024354A (zh) * 2015-08-06 2015-11-04 电子科技大学 一种具有低功耗特性的欠压锁定电路
CN106708151A (zh) * 2016-12-26 2017-05-24 上海迦美信芯通讯技术有限公司 一种低功耗低压差线性稳压器系统
CN214674306U (zh) * 2021-05-06 2021-11-09 苏州大学 一种低功耗芯片的欠压保护电路

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105024354A (zh) * 2015-08-06 2015-11-04 电子科技大学 一种具有低功耗特性的欠压锁定电路
CN106708151A (zh) * 2016-12-26 2017-05-24 上海迦美信芯通讯技术有限公司 一种低功耗低压差线性稳压器系统
CN214674306U (zh) * 2021-05-06 2021-11-09 苏州大学 一种低功耗芯片的欠压保护电路

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116880656A (zh) * 2023-07-25 2023-10-13 深圳市迪浦电子有限公司 一种带定电流反馈的jfet高压稳压电路
CN116880656B (zh) * 2023-07-25 2024-03-22 深圳市迪浦电子有限公司 一种带定电流反馈的jfet高压稳压电路

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